有机电致发光器件及其制备方法

有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件（0LED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典 型结构是在IT0玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层 低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光福射。
[0003] 0LED器件具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点，被业内 人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一 项崭新的照明和显示技术，0LED技术在过去的十多年里发展迅猛，取得了巨大的成就。由 于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发，大大的推动了 0LED的产业化进程，使得 0LED产业的成长速度惊人，目前已经到达了大规模量产的前夜。
[0004] 柔性产品是有机电致发光器件的发展趋势，但目前的有机电致发光器件普遍存在 密封性较差的问题，而导致有机电致发光器件的寿命较短。

【发明内容】

[0005] 鉴于此，有必要提供一种寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。
[0006] -种有机电致发光器件，包括具有阳极图案的导电基板、发光层、阴极层及封装 盖，其中，所述发光层及阴极层依次层叠于所述导电基板上，所述封装盖设置于所述导电基 板上，并与所述导电基板相配合形成一个封闭的收容腔，所述发光层与所述阴极层收容于 所述收容腔内，所述封装盖包括无机阻挡层及层叠于所述无机阻挡层的外表面上的有机阻 挡层，所述无机阻挡层的材料为碘掺杂的氧化物，其中，碘为掺杂元素，所述碘与所述氧化 物的质量比为15:100~35:100,所述氧化物为氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟及氧化铊中 的一种，所述有机阻挡层的材料具有如下结构式：
[0007]
其中,k是1~4的整数。
[0008] 在其中一个实施例中，所述无机阻挡层和所述有机阻挡层分别为4~6层，且所述 无机阻挡层和所述有机阻挡层交替层叠。
[0009] 在其中一个实施例中，所述无机阻挡层的厚度为15纳米~20纳米。
[0010] 在其中一个实施例中，所述有机阻挡层的厚度为200纳米~300纳米。
[0011] 在其中一个实施例中，还包括收容于所述收容腔内的空穴注入层、空穴传输层、电 子传输层及电子注入层，其中，所述空穴注入层层叠于所述导电基板上，所述空穴传输层层 叠于所述空穴注入层上，所述电子传输层层叠于所述发光层上，所述电子注入层层叠于所 述电子传输层上，所述阴极层层叠于所述电子注入层上。
[0012] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
[0013] 在具有阳极图案的导电基板上真空蒸镀制备形成发光层；
[0014] 在所述发光层上真空蒸镀制备形成阴极层；及
[0015] 在所述导电基板上制备形成封装盖，且所述封装盖与所述导电基板相配合形成一 个封闭的收容腔，所述发光层与所述阴极层收容于所述收容腔内，其中，所述封装盖包括无 机阻挡层及层叠于所述无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层，所述无机阻挡层由原子沉积 制备形成，所述有机阻挡层由磁控溅射制备形成，所述无机阻挡层的材料为碘掺杂的氧化 物，其中，碘为掺杂元素，所述碘与所述氧化物的质量比为15:100~35:100,所述氧化物为 氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟及氧化铊中的一种，所述有机阻挡层的材料具有如下结构 式：
[0016]
其中，k是1~4的整数。
[0017] 在其中一个实施例中，所述无机阻挡层和所述有机阻挡层分别为4层~6层，且所 述无机阻挡层和所述有机阻挡层交替层叠。
[0018] 在其中一个实施例中，所述无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为10Pa~ 50Pa、温度为40°C~60°C的条件下，依次注入10ms~20ms三碘甲基物、5s~10s的氮气及 10ms~20ms的水蒸气；其中，三碘甲基物、氮气和水蒸气的流量均为lOsccm~20sccm，三 碘甲基物选自B(CH2I)3、A1 (CH2I)3、Ga(CH2I)3、In(CH2I)3 及T1 (CH2I)3 中的一种。
[0019] 在其中一个实施例中，所述磁控溅射制备形成所述有机阻挡层的工艺参数为：本 底真空度1Xl(T5Pa~1Xl(T3Pa，加速电压为300V~800V，磁场为50G~200G，功率密度 为10W/cm2 ~40W/cm2。
[0020] 在其中一个实施例中，在所述具有阳极图案的导电基板上制备形成所述发光层之 前，还包括在所述导电基板上制备形成空穴注入层，在所述空穴注入层上制备形成空穴传 输层，所述发光层形成于所述空穴传输层上；
[0021] 在所述发光层上制备形成所述阴极层之前，还包括在所述发光层上制备形成电 子注入层，在所述电子注入层上制备形成电子注入层，所述阴极层形成于所述电子注入层 上；
[0022] 所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层收容于所述收容腔内。
[0023] 上述有机电致发光器件的封装盖包括无机阻挡层和层叠在无机阻挡层的外表 面上的有机阻挡层，且无机阻挡层的材料为碘掺杂的氧化物，且碘与氧化物的质量比为 15:100~35:100,氧化物为氧化硼、氧化错、氧化镓、氧化铟及氧化铭中的一种，有机阻挡 层的材料为镓的直链烷或铍的直链烷，上述材料的无机阻挡层和有机阻挡层能够有效地减 少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的内部的结构的侵蚀，从而有效地保护了有 机电致发光器件的内部材料及电极，使得有机电致发光器件具有很好的密封性能，从而显 著地提高了有机电致发光器件的寿命，且上述有机电致发光器件的寿命达到10700小时以 上（[email protected]/m2)。
【附图说明】
[0024] 图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0025] 图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图。
【具体实施方式】
[0026] 下面主要结合附图及具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法作进一步详 细的说明。
[0027] 如图1所不，一实施方式的有机电致发光器件100,包括具有阳极图案的导电基板 110、发光层120、阴极层130及封装盖140。
[0028] 其中，导电基板110的材质为导电玻璃或导电有机薄膜。导电玻璃可以为铟锡氧 化物玻璃（IT0)、掺铝的氧化锌玻璃（AZ0)及掺铟的氧化锌玻璃（IZ0)中的一种；更优选为 铟锡氧化物玻璃（IT0)。导电有机薄膜可以为铟锡氧化物薄膜（IT0)、掺铝的氧化锌薄膜 (AZ0)及掺铟的氧化锌薄膜（IZ0)中的一种；更优选为铟锡氧化物薄膜（IT0)。
[0029] 其中，发光层120的材料可以为本领域常用的发光材料。在具体的实施例中，发光 层120的材料为三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)掺杂的1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪 唑-2-基）苯（TPBI)，且三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)与1，3,5_三（1-苯基-1H-苯 并咪唑-2-基）苯（TPBI)的质量比为1:20。其中，发光层120的厚度为20纳米。
[0030] 其中，阴极层130的材料可以为金属材料。在具体的实施例中，阴极层130的材料 为铝。阴极层130的厚度为100纳米。
[0031] 封装盖140设置于导电基板110上，并与导电基板110相配合形成一个封闭的收 容腔200。发光层120与阴极层130收容于收容腔200内。封装盖140包括无机阻挡层142 及层叠于无机阻挡层142的外表面上的有机阻挡层144。设置无机阻挡层142和有机阻挡 层144是利用无机阻挡层142的阻隔性能和有机阻挡层144的应力缓冲作用。无机阻挡 层142的材料为碘掺杂的氧化物，其中，碘为掺杂元素，且碘与氧化物的质量比为15:100~ 35:100,氧化物为氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟及氧化铊中的一种。即无机阻挡层142的 材料为碘掺杂的氧化硼（B203:1)、碘掺杂的氧化铝（A1203:1)、碘掺杂的氧化镓（Ga203:1)、碘 掺杂的氧化铟（In203:I)及碘掺杂的氧化铊（T1203:I)中的一种。无机阻挡层142起主要的 阻挡作用，但其硬度高易产生龟裂，加入卤素原子能填补无机层的缺陷和降低无机层的膜 层内应力。有机阻挡层144的材料具有如下结构式：
[0032]
其中，k是1~4的整数。 由于上述镓的直链烷及铍的直链烷均可真空蒸镀，平整性高，且制备的膜层内的应力小。
[0033] 在图1中，无机阻挡层142和有机阻挡层144分别为1层。优选的，无机阻挡层 142和有机阻挡层144分别为4层~6层，且无机阻挡层142和有机阻挡层144交替层叠。 多层无机阻挡层142和多层有机阻挡层144交替层叠，使得封装盖140具有较高的致密性 和很强的防水氧能力。通过将无机阻挡层142和有机阻挡层144交替层叠是为了延长水氧 渗透路径，且该层数的无机阻挡层142和有机阻挡层144交替最合适，太少层数防水氧效果 不明显，而太多防水氧效果的增幅也不明显。可以理解，无机阻挡层142和有机阻挡层144 也可以均为2层或3层。
[0034] 其中，无机阻挡层142的厚度为15纳米~20纳米。
[0035] 其中，有机阻挡层144的厚度为200纳米~300纳米。
[0036] 优选的，有机电致发光器件100还包括收容于收容腔200内的空穴注入层150、空 穴传输层160、电子传输层170及电子注入层180。此时，封装盖140将空穴注入层150、空 穴传输层160、发光层120、电子传输层170、电子注入层180及阴极层130封装于导电基板 110上。
[0037] 其中，空穴注入层150层叠于导电基板110上。在具体的实施例中，空穴注入层150 的材料为三氧化钥（M〇03)掺杂的N，N' - (1-萘基）-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺（NPB)。 且三氧化钥^〇03)与乂^-(1-萘基），州'-二苯基-4,4'-联苯二胺（咿8)的质量比为 0.3:1。空穴注入层150的厚度为10纳米。
[0038] 空穴传输层160层叠于空穴注入层150上。空穴传输层160的材料可以为本领 域常用的空穴传输材料。在具体的实施例中，空穴传输层160的材料为4, 4'，4' ' -三（咔 唑-9-基）三苯胺（TCTA)。空穴传输层160的厚度为30纳米。
[0039] 电子传输层170层叠于发光层120上。其中，电子传输层170的材料可以为本领域 常用的电子传输材料。在具体的实施例中，电子传输层170的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲 罗啉（Bphen)。电子传输层170的厚度为10纳米。
[0040] 电子注入层180层叠于电子传输层170上，阴极层130层叠于电子注入层180上。 在具体的实施例中，电子注入层180的材料为氮化铯（CsN3)掺杂的4, 7-二苯基-1，10-菲 罗啉（Bphen)，氮化铯（CsN3)与4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)的质量比为3:10。电 子注入层180的厚度为20纳米。
[0041] 上述有机电致发光器件100的封装盖140包括无机阻挡层142和层叠在无机阻挡 层142的外表面上的有机阻挡层144,且无机阻挡层142的材料为碘掺杂的氧化物，且碘与 氧化物的质量比为15:100~35:100,氧化物为氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟及氧化铊中 的一种，有机阻挡层144的材料为镓的直链烷或铍的直链烷，上述材料的无机阻挡层142和 有机阻挡层144能够有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件100的内部的 结构的侵蚀，从而有效地保护了有机电致发光器件100的内部材料及电极，使得有机电致 发光器件100具有很好的密封性能，从而显著地提高了有机电致发光器件100的寿命，且上 述有机电致发光器件100的寿命达到11200小时以上（[email protected]/m2)。
[0042] 且上述有机电致发光器件100具有很强的防水氧能力，水蒸气透过率低于 7. 59X106g/m2 ?day。
[0043] 上述封装盖140还可以适用于塑料基板或金属基板的柔性有机电致发光器件，特 别适用于柔性有机电致发光器件中使用。
[0044] 如图2所示，一实施方式的有机电致发光器件的制备方法，以说明上述有机电致 发光器件的制备，该制备方法包括如下步骤：
[0045] 步骤S310:在具有阳极图案的导电基板上真空蒸镀制备形成发光层。
[0046] 其中，导电基板的材质为导电玻璃或导电有机薄膜。导电玻璃可以为铟锡氧化物 玻璃（IT0)、掺铝的氧化锌玻璃（AZ0)及掺铟的氧化锌玻璃（IZ0)中的一种；更优选为铟锡 氧化物玻璃（IT0)。导电有机薄膜可以为铟锡氧化物薄膜（IT0)、掺铝的氧化锌薄膜（AZ0) 及掺铟的氧化锌薄膜（IZ0)中的一种；更优选为铟锡氧化物薄膜（IT0)。
[0047] 优选的，在导电基板上制备形成发光层之前，还包括对导电基板的清洗处理，其 中，对导电基板的清洗处理的步骤为：将导电基板依次经丙酮、乙醇、去离子水及乙醇于超 声波中清洗，然后干燥。其中，使用丙酮、乙醇、去离子水及乙醇分别清洗5分钟。其中，干 燥的方法是：先将清洗后的导电基板使用氮气吹干，然后使用烘箱烘烤。
[0048] 优选的，在将导电基板清洗之后，在导电基板上制备形成发光层之前，还包括对导 电基板的表面活化处理。通过表面活化处理，以增加导电基板表面的含氧量，提高导电基板 的表面的功函数。
[0049] 其中，发光层的材料可以为本领域常用的发光材料。在具体的实施例中，发光层的 材料为三（2-苯基吡啶)合铱（Ir(ppy)3)掺杂的1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯（TPBI)，且三（2-苯基吡啶)合铱（Ir(ppy)3)与1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯（TPBI)的质量比为1:20。其中，发光层的厚度为20纳米。
[0050] 具体的，在具有阳极图案的导电基板上真空蒸镀制备形成发光层的真空度为 1X10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0051] 具体的，在具有阳极图案的导电基板上制备形成发光层之前，还包括在导电基板 上制备形成空穴注入层，在空穴注入层上制备形成空穴传输层。
[0052] 在具体的实施例中 ，空穴注入层的材料为三氧化钥（M〇03)掺杂的N，N'_ (1-萘 基)-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺（NPB)。且三氧化钥（M〇03)与N，N' -(1-萘基)-N，N' -二 苯基-4, 4'-联苯二胺（NPB)的质量比为0.3:1。空穴注入层的厚度为10纳米。
[0053] 具体的，在导电基板上制备形成空穴注入层由真空蒸镀制备得到，真空度为 1父1〇-^，蒸发速度为〇丄4,心
[0054] 空穴传输层的材料可以为本领域常用的空穴传输材料。在具体的实施例中，空穴 传输层的材料为4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。空穴传输层的厚度为30纳 米。
[0055] 具体的，在空穴注入层上制备形成空穴传输层由真空蒸镀制备得到，真空度为 1父1〇-^，蒸发速度为0.1八,、
[0056] 步骤S320 :在发光层上真空蒸镀制备形成阴极层。
[0057] 其中，阴极层的材料可以为金属材料。在具体的实施例中，阴极层的材料为铝 (A1)。阴极层的厚度为100纳米。具体的，在发光层上真空蒸镀制备形成阴极层的真空度 为1Xl(T5Pa，蒸发速度为5A/s。
[0058] 具体的，发光层形成于所述空穴传输层上。
[0059] 具体的，在发光层上制备形成阴极层之前，还包括在发光层上制备形成电子注入 层，在电子注入层上制备形成电子注入层，阴极层形成于电子注入层上。
[0060] 电子传输层的材料可以为本领域常用的电子传输材料。在具体的实施例中，电子 传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)。电子传输层的厚度为10纳米。 [0061] 具体的，在发光层上制备形成电子注入层由真空蒸镀制备得到，真空度为 lX10_5Pa，蒸发速度为 0.1A/S。
[0062] 在具体的实施例中，电子注入层的材料为氮化铯（CsN3)掺杂的4, 7-二苯 基-1，10-菲罗啉（Bphen)，氮化铯（CsN3)与4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)的质量比 为3:10。电子注入层的厚度为20纳米。
[0063] 具体的，在电子注入层上制备形成电子注入层由真空蒸镀制备得到，真空度为 1X10_5Pa，蒸发速度为 0.2A/S。
[0064] 步骤S330 :在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个 封闭的收容腔，发光层与阴极层收容于收容腔内，其中，封装盖包括无机阻挡层及层叠于所 述无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层，无机阻挡层由原子沉积制备形成，有机阻挡层由 磁控溅射制备形成。无机阻挡层的材料为碘掺杂的氧化物，其中，碘为掺杂元素，且碘与氧 化物的质量比为15:100~35:100,氧化物为氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟及氧化铊中的 一种。即无机阻挡层142的材料为碘掺杂的氧化硼（B203:I)、碘掺杂的氧化铝（A1203:I)、碘 掺杂的氧化镓（Ga203:1 )、碘掺杂的氧化铟（ln203:1)及碘掺杂的氧化铊（T1203:1)中的一种。 有机阻挡层的材料具有如下结构式：
[0065]
其中，k是1~4的整数。
[0066] 优选的，无机阻挡层和有机阻挡层分别为4层~6层，且无机阻挡层和有机阻挡层 交替层叠。多层无机阻挡层和多层有机阻挡层交替层叠，使得封装盖具有较高的致密性和 很强的防水氧能力。
[0067] 可以理解，无机阻挡层和有机阻挡层也可以分别为1层、2层或3层。
[0068] 其中，无机阻挡层的厚度为15纳米~20纳米。具体的，无机阻挡层采用原子层 沉积的方法制备得到。其中，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为l〇Pa~50Pa、温度 为40°C~60°C的条件下，依次注入10ms~20ms三碘甲基物、5s~10s的氮气及10ms~ 20ms的水蒸气。其中，三碘甲基物、氮气和水蒸气的流量均为lOsccm~20sccm。其中，三 碘甲基物选自B(CH2I)3、A1 (CH2I)3、Ga(CH2I)3、In(CH2I)3 及T1 (CH2I)3 中的一种。B(CH2I) 3、 A1 (CH2I)3、Ga(CH2I)3、In(CH2I)3 及T1 (CH2I)3 的结构式分别如下：
[0070] 其中，有机阻挡层的厚度为200纳米~300纳米。具体的，磁控溅射制备形成有机 阻挡层的工艺参数为：本底真空度lX10_5Pa~lX10_3Pa，加速电压为300V~800V，磁场 为50G~200G，功率密度为10W/cm2~40W/cm2。
[0071] 其中，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层收容于收容腔内。即封 装盖将空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层封装于导电基 板上。
[0072] 上述有机电致发光器件的制备方法简单，且封装盖使用的材料廉价，易于大面积 制备。
[0073] 以下为具体实施例部分：
[0074] 实施例1
[0075] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/ Bphen/Bphen:CsN3/A1/B203 :1/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/B203:1/ Ga[CH2CH2CH(CH3)2]3。
[0076] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0077] (1)提供具有阳极图案的铟锡氧化物玻璃（IT0)导电基板，将IT0导电基板依次经 丙酮、乙醇、去离子水及乙醇于超声波中分别清洗5分钟，接着使用氮气吹干，然后使用烘 箱烘烤，最后对IT0导电基板的表面活化处理。
[0078] (2)在导电基板上制备形成空穴注入层，在空穴注入层上制备形成空穴传输层。空 穴注入层的材料为三氧化钥（M〇03)掺杂的N，N' - (1-萘基)-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺 (咿8)，表示为：咿81〇03，且三氧化钥（11〇03)与1^-(1-萘基），州'-二苯基-4,4'-联 苯二胺（NPB)的质量比为0.3:1。由真空蒸镀制备得到，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速度为 0.1A/s，空穴注入层的厚度为10纳米。
[0079]空穴传输层的材料为4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，表示为：TCTA。 空穴传输层由真空蒸镀制备得到，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速度为O.lA/s，空穴传输层的厚 度为30纳米。
[0080] (3)在空穴传输层上制备形成发光层：发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合 铱（Ir(ppy)3)掺杂的1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)，表示为： TPBI:Ir(ppy)3,且三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)与1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基）苯（TPBI)的质量比为1:20。其中，发光层由真空蒸镀制备得到，真空度为 1Xl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S，发光层的厚度为20纳米。
[0081] (4)在发光层上制备形成电子注入层，在电子注入层上制备形成电子注入层。电子 传输层的材料为4,7-二苯基-1，10-菲罗啉（8口1^11)，表示为 ：8口11611。电子注入层由真空蒸 镀制备得到，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为O.lA/s,电子传输层的厚度为10纳米。
[0082] 电子注入层的材料为氮化铯（CsN3)掺杂的4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，表 示为疋口11611<8队，氮化铯（〇8队）与4,7-二苯基-1，1〇-菲罗啉（8口11611)的质量比为3 :10。 电子注入层由真空蒸镀制备得到，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S，电子注入层的 厚度为20纳米。
[0083] (5)在电子注入层上制备形成阴极层。阴极层的材料为铝（A1)，表示为：A1。阴极 层由真空蒸镀制备得到，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为5A/s,阴极层的厚度为100纳米。
[0084] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为40Pa、温度为50°C的条 件下，依次注入15ms的B(CH2I)3、7s的氮气及15ms的水蒸气，其中，B(CH2I)3、氮气和水蒸 气的流量分别为15Sccm，得到材料为碘掺杂的氧化硼（B203:I)的无机阻挡层，无机阻挡层 表示为：B203:1，碘与氧化硼的质量比为20:100,厚度为20纳米。
[0085] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中制备工 艺参数为：本底真空度1xl(T5Pa，加速电压为500V，磁场为100G，功率密度为20W/cm2,得到 材料为三（3-甲基丁基)镓的有机阻挡层，表示为：Ga[CH2CH2CH(CH3)2]3，其中，三（3-甲基丁 基）镓具有如下结构式：
[0086]
有机阻挡层的厚度为300纳米。
[0087] 其中，无机阻挡层为6层，有机阻挡层为6层，6层无机阻挡层与6层有机阻挡层交 替层叠。则封装盖表示为：B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)2]3/B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)2]3/B203:1/ Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/B203:1/ Ga[CH2CH2CH(CH3)2]3。
[0088]得到本实施例的结构为ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/Bphen/Bphen:CsN3/ A1/B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/ B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3 的有 机电致发光器件，其中，斜杆"/"表不层状结构，NPB:M〇03中的冒号"："表不掺杂混合，下 同。本实施例的有机电致发光器件的寿命数据及水蒸气透过率见表1。
[0089] 实施例2
[0090] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/A1/A1203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/Al203: 1/ Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/Al203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/ A1203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/Al203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/Al203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3〇
[0091] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0092] 步骤（1)、（2)、（3)、（4)及（5)与实施例1中的步骤相同，此处不再赘述。
[0093] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为l〇Pa、温度为40°C的条 件下，依次注入20ms的Al(CH2I)3、10s的氮气及20ms的水蒸气，其中，A1(CH2I)3、氮气和水 蒸气的流量分别为2〇Sccm，得到材料为碘掺杂的氧化铝（A1203:I)的无机阻挡层，无机阻挡 层表示为：A1203:I，碘与氧化铝的质量比为25:100,厚度为19纳米。
[0094] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中制 备工艺参数为：本底真空度lXl(T5Pa，加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为10W/cm2,得到材料为三（3, 7-二甲基辛基）镓的有机阻挡层，表示为：Ga[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CHfH(CH3)丄，其中，三（37_二甲基辛基）镓具有如下结构式：
[0095]
I机阻挡层的厚度为250纳米。
[0096] 其中，无机阻挡层为6层，有机阻挡层为6层，6个无机阻挡层与6层有机阻挡 层交替层叠。则封装盖表示为：A1203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Al203:1/ Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Al203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/ A1203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Al203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Al203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3〇
[0097]得到本实施例的结构为ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/ Bphen:CsN3/A1/A1203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Al203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Al203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Al203: 1/ Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Al203:I/Ga[CH2CH 2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/ A1203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3的有机电致发光器件。本实施例的有机电致 发光器件的寿命数据及水蒸气透过率见表1。
[0098] 实施例3
[0099] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/ Bphen/Bphen:CsN3/Al/Ga203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/ Ga203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Ga203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Ga203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Ga203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/ Ga203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3〇
[0100] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0101] 步骤（1)、（2)、（3)、（4)及（5)与实施例1中的步骤相同，此处不再赘述。
[0102] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为50Pa、温度为60°C的条 件下，依次注入l〇ms的Ga(CH2I)3、5s的氮气及10ms的水蒸气，其中，Ga(CH2I)3、氮气和水 蒸气的流量分别为lOsccm，得到材料为碘掺杂的氧化镓（Ga203:I)的无机阻挡层，无机阻挡 层表示为：Ga203:I，碘与氧化镓的质量比为15:100,厚度为18纳米。
[0103] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中制备 工艺参数为：本底真空度lXl(T4Pa，加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为40W/cm2， 得到材料为三（3,7，11-三甲基十二烷基）镓的有机阻挡层，表示为：6 &[01201201(013) CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3，其中，三（3, 7, 11-三甲基十二烷基）镓具有如下结构 式：
[0104] 有机阻挡层的厚度为200纳米。
[0105] 其中，无机阻挡层为6层，有机阻挡层为6层，6层无机阻挡层与6层有机阻挡层交 替层叠。则封装盖表示为：Ga203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)2]3/Ga203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Ga203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Ga203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2C H2CH(CH3) 2]3/Ga203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Ga203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3。
[0106]得到本实施例的结构为ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/ Bphen:CsN3/Al/Ga203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)2]3/Ga203:1/ Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/Ga203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/Ga203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/Ga203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/ Ga203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3WWI/l 施例的有机电致发光器件的寿命数据及水蒸气透过率见表1。
[0107] 实施例4
[0108] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/ Bphen/Bphen:CsN3/Al/In203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/In203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/In203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/In203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/In203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) ch2ch2ch 2ch(ch3)2]3。
[0109] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0110] 步骤（1)、（2)、（3)、（4)及（5)与实施例1中的步骤相同，此处不再赘述。
[0111] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为45Pa、温度为55°C的条 件下，依次注入15ms的In(CH2I)3、7s的氮气及15ms的水蒸气，其中，In(CH2I)3、氮气和水 蒸气的流量分别为17Sccm，得到材料为碘掺杂的氧化铟（In203:I)的无机阻挡层，无机阻挡 层表示为：In203:I，碘与氧化铟的质量比为35:100,厚度为16纳米。
[0112] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中制备 工艺参数为：本底真空度lXl(T4Pa，加速电压为600V，磁场为150G，功率密度为15W/cm2， 得到材料为三（3, 7, 11，15-四甲基十六烷基）镓的有机阻挡层，表示为：Ga[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3，其中，三（3, 7, 11，15_ 四甲基十六烷 基）镓具有如下结构式：
[0113]
有机阻挡层的厚度为250纳米。
[0114] 其中，无机阻挡层为5层，有机阻挡层为5层，5层无机阻挡层与5层有机阻挡层 交替层叠。则封装盖表示为：ln203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/In203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/In203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/In203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/In203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) ch2ch2ch 2ch(ch3)2]3。
[0115] 得到本实施例的结构为ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/ Al/In203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/ ln203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/In203:1/ Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/In203: 1/ Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/In203: 1/ Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3 的有机电致发光器 件。本实施例的有机电致发光器件的寿命数据及水蒸气透过率见表1。
[0116] 实施例5
[0117] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/ Bphen/Bphen:CsN3/A1/T1203 :I/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:1/ Ga[CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3。
[0118] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0119] 步骤（1)、（2)、（3)、（4)及（5)与实施例1中的步骤相同，此处不再赘述。
[0120] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为30Pa、温度为40°C的条 件下，依次注入15ms的Tl(CH2I)3、7s的氮气及15ms的水蒸气，其中，T1(CH2I)3、氮气和水 蒸气的流量分别为llsccm，得到材料为碘掺杂的氧化铊（T1203:I)的无机阻挡层，无机阻挡 层表示为：T1203:I，碘与氧化铊的质量比为16:100,厚度为15纳米。
[0121] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中制备工 艺参数为：本底真空度1Xl(T4Pa，加速电压为350V，磁场为200G，功率密度为30W/cm2,得到 材料为三（3-甲基丁基)镓的有机阻挡层，表示为：Ga[CH2CH2CH(CH3)2]3，其中，三（3-甲基丁 基）镓具有如下结构式：
[0122]
f机阻挡层的厚度为220纳米。
[0123] 其中，无机阻挡层为5层，有机阻挡层为5层，5层无机阻挡层与5层有机阻挡层 交替层叠。则封装盖表示为：T1203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3/ T1203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2] 3。
[0124] 得到本实施例的结构为ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/ Bphen:CsN3/A1/T1203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:1/ Ga[CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:I/Ga[CH2CH2CH(CH3) 2]3 的有机电致 发光器件。本实施例的有机电致发光器件的寿命数据及水蒸气透过率见表1。
[0125] 实施例6
[0126] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/ Bphen/Bphen:CsN3/Al/Tl203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)2]2/T1203: 1/ Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:1/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2/T1203:1/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2〇
[0127] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0128] 步骤（1)、（2)、（3)、（4)及（5)与实施例1中的步骤相同，此处不再赘述。
[0129] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为40Pa、温度为45°C的条 件下，依次注入l〇ms的Tl(CH2I)3、10s的氮气及10ms的水蒸气，其中，T1(CH2I)3、氮气和水 蒸气的流量分别为15Sccm，得到材料为碘掺杂的氧化铊（T1203: I)的无机阻挡层，无机阻挡 层表示为：T1203:I，碘与氧化铊的质量比为18:100,厚度为15纳米。
[0130] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中制 备工艺参数为：本底真空度lXl(T3Pa，加速电压为400V，磁场为80G，功率密度为30W/ cm2,得到材料为三（3, 7-二甲基辛基）镓的有机阻挡层，表示为：Ga[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3，其中，三（3, 7-二甲基辛基）镓具有如下结构式：
[0131]
f机阻挡层的厚度为210纳米。
[0132] 其中，无机阻挡层为4层，有机阻挡层为4层，4层无机阻挡层与4层有机阻挡 层交替层叠。则封装盖表示为：T1203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:1/ Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3/ T1203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 3。
[0133] 得到本实施例的结构为ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/ A1/T1203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2C H(CH3) 2]3/Tl203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]3/Tl203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3) ch2ch2ch2ch(ch3)2]3的有机电致发光器件。本实施例的有机电致发光器件的寿命数据及水 蒸气透过率见表1。
[0134] 实施例7
[0135] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/ Bphen/Bphen:CsN3/A1/B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2] 2。
[0136] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0137] 步骤（1)、（2)、（3)、（4)及（5)与实施例1中的步骤相同，此处不再赘述。
[0138] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为40Pa、温度为50°C的条 件下，依次注入15ms的B(CH2I)3、7s的氮气及15ms的水蒸气，其中，B(CH2I)3、氮气和水蒸 气的流量分别为15Sccm，得到材料为碘掺杂的氧化硼（B203:I)的无机阻挡层，无机阻挡层 表示为：B203:I，碘与氧化硼的质量比为20:100,厚度为20纳米。
[0139] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中制备工 艺参数为：本底真空度1Xl(T5Pa，加速电压为500V，磁场为100G，功率密度为20W/cm2,得到 材料为三（3-甲基丁基)镓的有机阻挡层，表示为：Ga[CH2CH2CH(CH3)2]3，其中，三（3-甲基丁 基）镓具有如下结构式：
[0140]
I机阻挡层的厚度为300纳米。
[0141] 其中，无机阻挡层为1层，有机阻挡层为1层。则封装盖表示为：B203:I/ Ga[CH2CH2CH(CH3)2]3。
[0142]得到本实施例的结构为ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/ A1/B203:1/Ga[CH2CH2CH(CH3)2]3的有机电致发光器件。本实施例的有机电致发光器件的寿 命数据及水蒸气透过率见表1。
[0143] 实施例8
[0144] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/ Bphen/Bphen:CsN3/A1/B203 :1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2] 2/B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2] 2/B203:1/ Be[CH2CH2CH(CH3) 2] 2/B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2] 2/B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2] 2/B203:1/ Be[CH2CH2CH(CH3)2]2。
[0145] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0146] (1)提供具有阳极图案的铟锡氧化物玻璃（IT0)导电基板，将IT0导电基板依次经 丙酮、乙醇、去离子水及乙醇于超声波中分别清洗5分钟，接着使用氮气吹干，然后使用烘 箱烘烤，最后对IT0导电基板的表面活化处理。
[0147] (2)在导电基板上制备形成空穴注入层，在空穴注入层上制备形成空穴传输层。空 穴注入层的材料为三氧化钥（M〇03)掺杂的N，N' - (1-萘基)-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺 (咿8)，表示为：咿81〇03，且三氧化钥（11〇03)与1^-(1-萘基），州'-二苯基-4,4'-联 苯二胺（NPB)的质量比为0.3:1。由真空蒸镀制备得到，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速度为 O.lA/s，空穴注入层的厚度为10纳米。
[0148]空穴传输层的材料为4, 4'，4'' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，表示为：TCTA。 空穴传输层由真空蒸镀制备得到，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速度为0.1A/s，空穴传输层的厚 度为30纳米。
[0149] (3)在空穴传输层上制备形成发光层：发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合 铱（Ir(ppy)3)掺杂的1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)，表示为： TPBI:Ir(ppy)3,且三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)与1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基）苯（TPBI)的质量比为1:20。其中，发光层由真空蒸镀制备得到，真空度为 1Xl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S，发光层的厚度为20纳米。
[0150] (4)在发光层上制备形成电子注入层，在电子注入层上制备形成电子注入层。电子 传输层的材料为4,7-二苯基-1，10-菲罗啉（8口1^11)，表示为 ：8口11611。电子注入层由真空蒸 镀制备得到，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为O.lA/s,电子传输层的厚度为10纳米。
[0151]电子注入层的材料为氮化铯（(^队)掺杂的4,7-二苯基-1，10-菲罗啉（8口11611)，表 示为疋口11611<8队，氮化铯（〇8队）与4,7-二苯基-1，1〇-菲罗啉（8口11611)的质量比为3 :10。 电子注入层由真空蒸镀制备得到，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S,电子注入层的厚 度为20纳米。
[0152] (5)在电子注入层上制备形成阴极层。阴极层的材料为铝（A1)，表示为：A1。阴极 层由真空蒸镀制备得到，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为5A/s，阴极层的厚度为100纳米。
[0153] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为40Pa、温度为50°C的条 件下，依次注入15ms的B(CH2I)3、7s的氮气及15ms的水蒸气，其中，B(CH2I)3、氮气和水蒸 气的流量分别为15Sccm，得到材料为碘掺杂的氧化硼（B203:I)的无机阻挡层，无机阻挡层 表示为：B203:I，碘与氧化硼的质量比为17:100,厚度为20纳米。
[0154] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中制备工 艺参数为：本底真空度1Xl(T5Pa，加速电压为500V，磁场为100G，功率密度为20W/cm2,得到 材料为二（3-甲基丁基)铍的有机阻挡层，表示为：Be[CH2CH2CH(CH3)2]2，其中，二（3-甲基丁 基）铍具有如下结构式：
[0155]
有机阻挡层的厚度为300纳米。
[0156] 其中，无机阻挡层为6层，有机阻挡层为6层，6层无机阻挡层与6层有机阻挡层交 替层叠。则封装盖表示为：B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/B203:1/ Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/B203:1/ Be[CH2CH2CH(CH3)2]2。
[0157] 得到本实施例的结构为ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/ A1/B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2] 2/ B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2 的有 机电致发光器件。本实施例的有机电致发光器件的寿命数据及水蒸气透过率见表1。
[0158] 实施例9
[0159] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/ Bphen/Bphen:CsN3/A1/ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/ A1/A1203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Al203:I/Be[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Al203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Al203: 1/ Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Al203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2/ A1203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2〇
[0160] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0161] 步骤（1)、（2)、（3)、（4)及（5)与实施例1中的步骤相同，此处不再赘述。
[0162] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为l〇Pa、温度为40°C的条 件下，依次注入20ms的Al(CH2I)3、10s的氮气及20ms的水蒸气，其中，A1(CH2I)3、氮气和水 蒸气的流量分别为2〇Sccm，得到材料为碘掺杂的氧化铝（A1203:I)的无机阻挡层，无机阻挡 层表示为：A1203:I，碘与氧化铝的质量比为18:100,厚度为19纳米。
[0163] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中制 备工艺参数为：本底真空度lXl(T5Pa，加速电压为300V，磁场为50G，功率密度为10W/ cm2,得到材料为二（3, 7-二甲基辛基）铍的有机阻挡层，表示为：Be[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2，其中，二（3, 7-二甲基辛基）铍具有如下结构式：
[0164]
有机阻挡层的厚度为250纳米。
[0165] 其中，无机阻挡层为6层，有机阻挡层为6层，6层无机阻挡层与6层有机阻挡 层交替层叠。则封装盖表示为：A1203:1/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Al203:1/ Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Al203:1/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2/ A1203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Al203:I/Be[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Al2〇3:1/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2〇
[0166] 得到本实施例的结构为ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/ Bphen:CsN3/A1/A1203 :I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Al203:I/Be[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Al203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Al203: 1/ Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Al203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2/ A1203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2的有机电致发光器件。本实施例的有机电致 发光器件的寿命数据及水蒸气透过率见表1。
[0167] 实施例10
[0168] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/ Bphen/Bphen:CsN3/Al/Ga203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]J Ga203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Ga203:I/Be[CH2CH2 CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Ga203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Ga203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2/ Ga203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH观
[0169] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0170] 步骤（1)、（2)、（3)、（4)及（5)与实施例1中的步骤相同，此处不再赘述。
[0171] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为50Pa、温度为60°C的条 件下，依次注入l〇ms的Ga(CH2I)3、5s的氮气及10ms的水蒸气，其中，Ga(CH2I)3、氮气和水 蒸气的流量分别为lOsccm，得到材料为碘掺杂的氧化镓（Ga203:I)的无机阻挡层，无机阻挡 层表示为：Ga203:I，碘与氧化镓的质量比为19:100,厚度为18纳米。
[0172] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中制备 工艺参数为：本底真空度lX10_4Pa，加速电压为800V，磁场为200G，功率密度为40W/cm2， 得到材料为二（3,7，11-三甲基十二烷基）铍的有机阻挡层，表示为：86[01201201(013) CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)2]2，其中，二（3, 7, 11-三甲基十二烷基）铍具有如下结构 式：
[0173]
有机阻挡层的厚度为200纳米。
[0174] 其中，无机阻挡层为6层，有机阻挡层为6层，6层无机阻挡层与6层有机阻挡层交 替层叠。则封装盖表示为：Ga203:1/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)2]2/ Ga203:1/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Ga203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Ga203:1/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2C H2CH(CH3) 2]2/Ga203:1/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Ga203:1/ Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2 〇
[0175] 得到本实施例的结构为ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/ Bphen:CsN3/Al/Ga203:1/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)2]2/Ga203:1/ Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Ga203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Ga203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Ga203:1/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2/ Ga203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH观 施例的有机电致发光器件的寿命数据及水蒸气透过率见表1。
[0176] 实施例11
[0177] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/ Bphen/Bphen:CsN3/Al/In203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2/In203: I/Be [CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH (CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2/In203: I/Be [CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH (CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2/In203: I/Be [CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH (CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2/In203: I/Be [CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH (CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) ch2ch2ch 2ch(ch3)2]2。
[0178] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0179] 步骤（1)、（2)、（3)、（4)及（5)与实施例1中的步骤相同，此处不再赘述。
[0180] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为30Pa、温度为45°C的条 件下，依次注入15ms的In(CH2I)3、7s的氮气及15ms的水蒸气，其中，In(CH2I)3、氮气和水 蒸气的流量分别为17Sccm，得到材料为碘掺杂的氧化铟（In203:I)的无机阻挡层，无机阻挡 层表示为：In203:I，碘与氧化铟的质量比为20:100,厚度为16纳米。
[0181] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中制备 工艺参数为：本底真空度lXl(T4Pa，加速电压为400V，磁场为150G，功率密度为30W/cm2， 得到材料为二（3, 7, 11，15-四甲基十六烷基）铍的有机阻挡层，表示为：Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2，其中，二（3, 7, 11，15_ 四甲基十六烷 基）铍具有如下结构式：
[0182]
有机阻挡层的厚度为250纳米。
[0183] 其中，无机阻挡层为5层，有机阻挡层为5层，5层无机阻挡层与5层有机阻挡层 交替层叠。则封装盖表示为：ln203:1/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/In203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/In203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/In203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/In203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) ch2ch2ch 2ch(ch3)2]2。
[0184] 得到本实施例的结构为ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/Bphen:CsN3/ Al/In203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2/ ln203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/In203:1/ Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/In203: 1/ Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/In203: 1/ Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2 的有机电致发光器 件。本实施例的有机电致发光器件的寿命数据及水蒸气透过率见表1。
[0185] 实施例12
[0186] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/ Bphen/Bphen:CsN3/A1/T1203 :I/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:I/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:1/ Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:I/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:I/Be[CH2CH2CH(CH3) 2] 2。
[0187] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0188] 步骤（1)、（2)、（3)、（4)及（5)与实施例1中的步骤相同，此处不再赘述。
[0189] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为20Pa、温度为50°C的条 件下，依次注入15ms的Tl(CH2I)3、7s的氮气及15ms的水蒸气，其中，T1(CH2I)3、氮气和水 蒸气的流量分别为llsccm，得到材料为碘掺杂的氧化铊（T1203:I)的无机阻挡层，无机阻挡 层表示为：T1203:I，碘与氧化铊的质量比为21:100,厚度为15纳米。
[0190] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中制备工 艺参数为：本底真空度1xl(T4Pa，加速电压为600V，磁场为200G，功率密度为20W/cm2,得到 材料为二（3-甲基丁基)铍的有机阻挡层，表示为：Be[CH2CH2CH(CH3)2]2，其中，二（3-甲基丁 基）铍具有如下结构式：
[0191]
I机阻挡层的厚度为220纳米。
[0192] 其中，无机阻挡层为4层，有机阻挡层为4层，4层无机阻挡层与4层有机阻挡层 交替层叠。则封装盖表示为：T1203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2] 2/ T1203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2] 2。
[0193]得到本实施例的结构为ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/ Bphen:CsN3/A1/T1203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:1/ Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2]2 的有机电致 发光器件。本实施例的有机电致发光器件的寿命数据及水蒸气透过率见表1。
[0194] 实施例13
[0195] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/ Bphen/Bphen:CsN3/Al/Tl203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3)2]2/T1203: 1/ Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:1/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2/ T1203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2〇
[0196] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0197] 步骤（1)、（2)、（3)、（4)及（5)与实施例1中的步骤相同，此处不再赘述。
[0198] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为50Pa、温度为45°C的条 件，依次注入l〇ms的Tl(CH2I)3、10s的氮气及10ms的水蒸气，其中，T1(CH2I)3、氮气和水蒸 气的流量分别为15Sccm，得到材料为碘掺杂的氧化铊（T1203:I)的无机阻挡层，无机阻挡层 表示为：T1203:I，碘与氧化铊的质量比为23:100,厚度为15纳米。
[0199] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中 制备工艺参数为：本底真空度lXl(T3Pa，加速电压为500V，磁场为150G，功率密度为 30W/cm2，得到材料为二（3, 7-二甲基辛基）铍的有机阻挡层，表示为：Be[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2，其中，二（3, 7-二甲基辛基）铍具有如下结构式：
[0200]
f机阻挡层的厚度为210纳米。
[0201] 其中，无机阻挡层为4层，有机阻挡层为4层，4层无机阻挡层与4层有机阻挡 层交替层叠。则封装盖表示为：T1203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2C H(CH3) 2]2/Tl203:1/ Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2/ T1203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2] 2〇
[0202] 得到本实施例的结构为ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/Bphen/ Bphen:CsN3/A1/T120 3:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:I/Be[CH2CH2CH(CH3) CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/Tl203:I/Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2/T1203: 1/ Be[CH2CH2CH(CH3)CH2CH2CH2CH(CH3) 2]2的有机电致发光器件。本实施例的有机电致发光器件 的寿命数据及水蒸气透过率见表1。
[0203] 实施例14
[0204] 本实施例的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/ Bphen/Bphen:CsN3/A1/B20 3:1/Be[CH2CH2CH(CH3) 2] 2。
[0205] 该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
[0206] 步骤（1)、（2)、（3)、（4)及（5)与实施例1中的步骤相同，此处不再赘述。
[0207] (6)在导电基板上制备形成封装盖，且封装盖与导电基板相配合形成一个封闭的 收容腔，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层收容于收容腔 内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层。无机阻挡层采 用原子层沉积制备得到，无机阻挡层的制备步骤为：在工作压强为40Pa、温度为50°C的条 件下，依次注入15ms的B(CH2I)3、7s的氮气及15ms的水蒸气，其中，B(CH2I)3、氮气和水蒸 气的流量分别为15Sccm，得到材料为碘掺杂的氧化硼（B203:I)的无机阻挡层，无机阻挡层 表示为：B203:I，碘与氧化硼的质量比为25:100,厚度为20纳米。
[0208] 采用磁控溅射的方法在无机阻挡层的外表面上制备得到有机阻挡层，其中制备工 艺参数为：本底真空度1Xl(T5Pa，加速电压为500V，磁场为100G，功率密度为20W/cm2,得到 材料为二（3-甲基丁基)铍的有机阻挡层，表示为：Be[CH2CH2CH(CH3)2]2，其中，二（3-甲基丁 基）铍具有如下结构式：
[0209]
I机阻挡层的厚度为300纳米。
[0210] 其中，无机阻挡层为1层，有机阻挡层为1层。则封装盖表示为：B203:I/ Be[CH2CH2CH(CH3)2]2。
[0211] 得到本实施例的结构为ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/Bphen/Bphen:CsN3/ A1/B203:1/Be[CH2CH2CH(CH3)2]2的有机电致发光器件。本实施例的有机电致发光器件的寿 命数据及水蒸气透过率见表1。
[0212] 对比例1
[0213] 对比例1的有机电致发光器件的结构为：ITO/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir (ppy)3/ Bphen/Bphen: CsN3/Al/Si02/Si02/Si02/Si0 2/Si02/Si02。
[0214] 对比例1的有机电致发光器件的制备如下：
[0215](1)提供具有阳极图案的铟锡氧化物玻璃（IT0)导电基板。
[0216] (2)在导电基板上制备形成空穴注入层，在空穴注入层上制备形成空穴传输层。空 穴注入层的材料为三氧化钥（M〇03)掺杂的N，N' - (1-萘基)-N，N' -二苯基-4, 4' -联苯二胺 (咿8)，表示为：咿81〇03，且三氧化钥（11〇03)与1^-(1-萘基），州'-二苯基-4,4'-联 苯二胺（NPB)的质量比为0.3:1。由真空蒸镀制备得到，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速度为 0.1A/s，空穴注入层的厚度为10纳米。
[0217]空穴传输层的材料为4, 4'，4' '-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，表示为：TCTA。 空穴传输层由真空蒸镀制备得到，真空度为1Xl(T5Pa，蒸发速度为0.1A,/S，空穴传输层的厚 度为30纳米。
[0218] (3)在空穴传输层上制备形成发光层：发光层的材料为三（2-苯基吡啶）合 铱（Ir(ppy)3)掺杂的1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)，表示为：TPBI:Ir(ppy)3,且三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)与1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基）苯（TPBI)的质量比为1:20。其中，发光层由真空蒸镀制备得到，真空度为 1Xl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S，发光层的厚度为20纳米。
[0219] (4)在发光层上制备形成电子注入层，在电子注入层上制备形成电子注入层。电子 传输层的材料为4,7-二苯基-1，10-菲罗啉（8口1^11)，表示为 ：8口11611。电子注入层由真空蒸 镀制备得到，真空度为IXl(T5Pa，蒸发速度为0.1A/s,电子传输层的厚度为10纳米。
[0220] 电子注入层的材料为氮化铯（CsN3)掺杂的4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，表 示为疋口11611<8队，氮化铯（〇8队）与4,7-二苯基-1，1〇-菲罗啉（8口11611)的质量比为3 :10。 电子注入层由真空蒸镀制备得到，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为0.2A/S,电子注入层的 厚度为20纳米。
[0221] (5)在电子注入层上制备形成阴极层。阴极层的材料为铝（A1)，表示为：A1。阴极 层由真空蒸镀制备得到，真空度为lXl(T5Pa，蒸发速度为5A/S,阴极层的厚度为100纳米。
[0222] ( 6 )使用封装盖将空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴 极层封装在导电基板上；封装盖为6层玻璃层依次层叠而形成的，表示为Si02，每层的厚度 150nm〇
[0223]得到对比例 1 的结构为IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/Bphen/Bphen:CsN3/ Al/Si02/Si02/Si02/Si02/Si02/Si02的有机电致发光器件。对比例1的有机电致发光器件的 寿命数据及水蒸气透过率见表1。
[0224] 对比例2
[0225] 对比例2的有机电致发光器件的结构为：IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy)3/ Bphen/Bphen:CsN3/Al/Si02。
[0226] 对比例2的有机电致发光器件的制备如下：
[0227] 步骤（1)~（5)与对比例1中的步骤相同，此处不再赘述。
[0228] ( 6 )使用封装盖将空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴 极层封装在导电基板上；封装盖为1个玻璃层，表示为Si02，厚度150nm。
[0229]得到对比例 2 的结构为IT0/NPB:M〇03/TCTA/TPBI:Ir(ppy) 3/Bphen/Bphen:CsN3/ Al/Si02的有机电致发光器件。对比例2的有机电致发光器件的寿命数据及水蒸气透过率 见表1。
[0230] 表1表不的是实施例1~7的有机电致发光器件的寿命数据及水蒸气透过率。
[0231] 表 1
[0232]
[0233]
[0234] 从表1中n」以宥出，实施例1~实施例6及实施例8~实施例13的有机电致发光 器件的寿命为至少10700小时，其中，实施例1和实施例8的有机电致发光器件的寿命分别 高达10795小时和11290小时，而对比例1的有机电致发光器件的寿命只有10000小时；且 实施例7和实施例14的有机电致发光器件的寿命分别为3100小时和3500小时，而对比例 2的有机电致发光器件只有2021小时。这个说明，实施例1~实施例14的有机电致发光器 件具有更长的寿命。
[0235] 从表1中还可以看出，实施例1~实施例6及实施例8~实施例13的有机电致发 光器件的水蒸气透过率最高为7. 98Xl(T6g/m2 ?day，且实施例1和实施例8的有机电致发 光器件的水蒸气透过率分别仅为7. 90X10_6g/m2 ?day和7. 50X10_6g/m2 ?day，而对比例1 的有机电致发光器件的水蒸气透过率为8. 18Xl(T6g/m2May;实施例7和实施例14的有机 电致发光器件的水蒸气透过率分别为为7. 62Xl(T46g/m2 ?day和7. 49Xl(T4g/m2 ?day,而 对比例2的有机电致发光器件的水蒸气透过率高达8. 50Xl(T4g/m2?day，即实施例1~14 的有机电致发光器件具有更强的防水氧能力。
[0236] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1. 一种有机电致发光器件，其特征在于，包括具有阳极图案的导电基板、发光层、阴极 层及封装盖，其中，所述发光层及阴极层依次层叠于所述导电基板上，所述封装盖设置于所 述导电基板上，并与所述导电基板相配合形成一个封闭的收容腔，所述发光层与所述阴极 层收容于所述收容腔内，所述封装盖包括无机阻挡层及层叠于所述无机阻挡层的外表面上 的有机阻挡层，所述无机阻挡层的材料为碘掺杂的氧化物，其中，碘为掺杂元素，所述碘与 所述氧化物的质量比为15:100~35:100,所述氧化物为氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟及 氧化铊中的一种，所述有机阻挡层的材料具有如下结构式：其中，k是1~4的整数。2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层和所述有 机阻挡层分别为4层~6层，且所述无机阻挡层和所述有机阻挡层交替层叠。3. 根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度 为15纳米~20纳米。4. 根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度 为200纳米~300纳米。5. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括收容于所述收容腔 内的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层，其中，所述空穴注入层层叠于所 述导电基板上，所述空穴传输层层叠于所述空穴注入层上，所述电子传输层层叠于所述发 光层上，所述电子注入层层叠于所述电子传输层上，所述阴极层层叠于所述电子注入层上。6. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 在具有阳极图案的导电基板上真空蒸镀制备形成发光层； 在所述发光层上真空蒸镀制备形成阴极层；及 在所述导电基板上制备形成封装盖，且所述封装盖与所述导电基板相配合形成一个封 闭的收容腔，所述发光层与所述阴极层收容于所述收容腔内，其中，所述封装盖包括无机阻 挡层及层叠于所述无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层，所述无机阻挡层由原子沉积制备 形成，所述有机阻挡层由磁控溅射制备形成，所述无机阻挡层的材料为碘掺杂的氧化物，其 中，碘为掺杂元素，所述碘与所述氧化物的质量比为15:100~35:100,所述氧化物为氧化 硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟及氧化铊中的一种，所述有机阻挡层的材料具有如下结构式：其中，k是1~4的整数。7. 根据权利要求6所述的有机电致发光器仵的制备方法，其特征在于，所述无机阻挡 层和所述有机阻挡层分别为4层~6层，且所述无机阻挡层和所述有机阻挡层交替层叠。8. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述无机阻 挡层的制备步骤为：在工作压强为IOPa~50Pa，温度为40°C~60°C的条件下，依次注入 IOms~20ms三碘甲基物、5s~IOs的氮气及IOms~20ms的水蒸气；其中，三碘甲基物、氮 气和水蒸气的流量均为IOsccm~20sccm，三碘甲基物选自B (CH2I) 3、A1 (CH2I) 3、Ga (CH2I) 3、 In(CH2I)3 及 Tl (CH2I)3 中的一种。9. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射 制备形成所述有机阻挡层的工艺参数为：本底真空度IX l〇_5Pa~IX KT3Pa,加速电压为 300V~800V，磁场为50G~200G，功率密度为10W/cm2~40W/cm 2。10. 根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述具有阳 极图案的导电基板上制备形成所述发光层之前，还包括在所述导电基板上制备形成空穴注 入层，在所述空穴注入层上制备形成空穴传输层，所述发光层形成于所述空穴传输层上； 在所述发光层上制备形成所述阴极层之前，还包括在所述发光层上制备形成电子注入 层，在所述电子注入层上制备形成电子注入层，所述阴极层形成于所述电子注入层上； 所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层收容于所述收容腔内。
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括具有阳极图案的导电基板、发光层、阴极层及封装盖，其中，发光层及阴极层依次层叠于导电基板上，封装盖设置于导电基板上，并与导电基板相配合形成一个封闭的收容腔，发光层与阴极层收容于收容腔内，封装盖包括无机阻挡层及层叠于无机阻挡层的外表面上的有机阻挡层，无机阻挡层的材料为碘掺杂的氧化物，其中，碘为掺杂元素，碘与氧化物的质量比为15:100～35:100，氧化物为氧化硼、氧化铝、氧化镓、氧化铟及氧化铊中的一种，有机阻挡层的材料具有如下结构式：其中，k是1～4的整数。上述有机电致发光器件具有较长寿命。此外，还提供一种有机电致发光器件的制备方法。
【IPC分类】H01L51/54, H01L51/56, H01L51/52
【公开号】CN104882563
【申请号】CN201410074460
【发明人】周明杰, 钟铁涛, 王平, 陈吉星
【申请人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2014年2月28日