一种高频率变换镜像式稳压双振荡系统的制作方法

一种高频率变换镜像式稳压双振荡系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种振荡系统，具体是指一种高频率变换镜像式稳压双振荡系统。
【背景技术】
[0002]随着通讯的不断发展，振荡器被广泛应用于无线电广播等通信设备中，然而目前的振荡系统所适用的工作频率不高，这就大大的限制了振荡系统的工作范围。

【发明内容】

[0003]本发明的目的在于克服目前振荡系统所适用的工作频率不高的缺陷，提供一种可以适用于高频率变换环境下的高频率变换振荡系统。
[0004]本发明的目的用以下技术方案实现:
[0005]一种高频率变换镜像式稳压双振荡系统，其特征在于:由变压器Tl，变压器T2，振荡电路，与振荡电路相连接的微处理电路，与变压器Tl副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路输出端相连接的第二转换电路，以及与振荡电路相连接的镜像式稳压振荡电路组成；所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接，变压器Tl的原边与微处理电路相连接；镜像式稳压振荡电路由三极管VTlOl，三极管VT102，三极管VT103，三极管VT104，三极管VT105，三极管VT106，三极管VT107，三极管VT108，N极与三极管VT102的集电极相连接、P极经电感L102后与三极管VT102的集电极相连接的二极管D102，负极与二极管D102的P极相连接、正极经二极管DlOl后与二极管D102的N极相连接的电容C102，正极与二极管D102的N极相连接、负极与电容C102的正极相连接的电容ClOl，负极与三极管VT102的集电极相连接、正极经电感LlOl后与二极管D102的P极相连接的电容C103，P极经二极管D104后与三极管VT103的基极相连接、N极经电阻R107后与三极管VT103的发射极相连接的二极管D103，负极与三极管VT102的基极相连接、正极经电阻RlOl后与三极管VTlOl的集电极相连接的电容C104，与电容C104并联的电阻R102，一端与三极管VT102的发射极相连接、另一端接地的电阻R104，与电阻R104并联的电容C105，串接在三极管VT103的基极与集电极之间的电容C106，一端与三极管VTlOl的基极相连接、另一端经电阻R105后与三极管VT103的基极相连接的电阻R103，N极与三极管VT103的发射极相连接、P极经电阻R108后与二极管D103的N极相连接的二极管D105，P极与三极管VT103的集电极相连接、N极与电阻R103和电阻R105的连接点相连接的稳压二极管D107，N极与三极管VT103的集电极相连接、P极经电阻R106后与稳压二极管D107的N极相连接的二极管D106，与稳压二极管D107并联的电容C107，一端与二极管D105的N极相连接、另一端与稳压二极管D107的P极相连接的电阻R109，N极与三极管VT106的基极相连接、P极经电阻R114后与稳压二极管D107的N极相连接的二极管D108，一端与三极管VT108的集电极相连接、另一端与稳压二极管D107的N极相连接的电阻R115，一端与三极管VT107的基极相连接、另一端与稳压二极管D107的N极相连接的电阻R116，一端与三极管VT104的基极相连接、另一端经电感L103后与三极管VT104的集电极相连接的电阻R110，一端与三极管VT105的集电极相连接、另一端与电阻RllO和电感L103的连接点相连接的电感L104，一端与三极管VT104的发射极相连接、另一端经电阻R112后与三极管VT105的发射极相连接的电阻R112，以及一端与三极管VT106的集电极相连接、另一端与电阻Rlll和电阻R112的连接点相连接的电阻R113组成；其中，电容C103的正极与三极管VTlOl的发射极相连接，电容ClOl的负极与二极管D103的N极相连接，三极管VT102的集电极与三极管VT103的基极相连接，三极管VT108的基极同时与三极管VT106的发射极以及三极管VT107的发射极相连接，三极管VT106的集电极与三极管VT107的集电极相连接，三极管VT104的基极与三极管VT105的基极相连接，二极管D105的P极与三极管VT104的集电极相连接，三极管VT108的发射极与三极管VT105的集电极相连接。
[0006]进一步的，所述的所述的振荡电路由振荡晶体管T，三极管Ql，三极管Q2，一端与三极管Ql的基极相连接、另一端经电阻R2后与三极管Ql的集电极相连接的电阻R1，正极与三极管Ql的基极相连接、负极接地的电容Cl，一端与三极管Ql的发射极相连接、另一端接地的电阻R3，串接在三极管Ql的发射极和集电极之间的电容C2组成；所述振荡晶体管T的两端串接在三极管Ql的基极和集电极之间，三极管Q2的基极与三极管Ql集电极相连接、发射极接地、集电极则与微处理电路相连接，电阻Rl和电阻R2的连接点与微处理电路相连接，电容Cl的正极与三极管VT105的集电极相连接。
[0007]所述的微处理器包括电阻R4，电阻R5，电阻R6，以及三极管Q3 ;电阻R4的一端与三极管Q3的集电极相连接、另一端经电阻R5后接地，电阻R6的一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端接地；所述三极管Q3的基极与三极管Q2的集电极相连接、其集电极则与电阻Rl和电阻R2的连接点相连接、其发射极还与变压器Tl原边的同名端和非同名端相连接。
[0008]所述的混频电路由双栅极场效应管K，电阻R7，电阻R9，以及电感LI组成；电阻R7的一端与双栅极场效应管K的a栅极相连接、另一端接地，电感LI的一端与场效应管K的漏极相连接、另一端经电阻R9后回到场效应管K的漏极；电阻R9和电感LI的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，场效应管K的b栅极与变压器Tl副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。
[0009]所述的第一转换电路由三极管Q4，一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端与双栅极场效应管K的源极相连接的电阻R8，与电阻R8相并联的电容C3，负极与电阻R9和电感LI的连接点相连接、正极与三极管Q4的集电极相连接的电容C4组成；所述三极管Q4的基极与变压器Tl原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。
[0010]所述处理电路由三极管Q5，三极管Q6，一端与三极管Q6的基极相连接、另一端与三极管Q4的发射极相连接的电阻R10，一端与三极管Q6的发射极相连接、另一端同时与三极管Q4的发射极以及第二转换电路相连接的电阻Rll组成；所述三极管Q6的基极与三极管Q5的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管Q5的基极与电阻R9和电感LI的连接点相连接、其集电极同时与场效应管K的漏极以及第二转换电路相连接。
[0011]所述的第二转换电路包括电容C8，电容C7，电容C6，电容C5，电阻R12 ;电容C8的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管Q5的集电极相连接，电容C7的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，电容C6的正极与三极管Q6的发射极相连接、负极与变压器Τ2原边的非同名端相连接，电容C5的正极与三极管Q4的发射极相连接、其负极则经电阻R12后与电容C6的负极相连接。
[0012]本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0013](I)本发明能够大大提高振荡系统的工作频率，使其应用范围更广。
[0014](2)本发明采用双栅极场效应管的设计，使振荡系统工作更加稳定。
[0015](3)本发明设置有镜像式稳压振荡电路，能够使得电压更加稳定，降低了电压的波动，提尚了电路的使用寿命。
【附图说明】
[0016]图1为本发明的整体结构示意图。
[0017]图2为本发明的镜像式稳压振荡电路的电路图。
[ 0018]附图标记说明:
[0019]10、镜像式稳压振荡电路。
【具体实施方式】
[0020]下面结合具体实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0021]实施例
[0022]如图1、2所示，本发明一种高频率变换镜像式稳压双振荡系统，其特征在于:由变压器Tl，变压器Τ2，振荡电路，与振荡电路相连接的微处理电路，与变压器Tl副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路输出端相连接的第二转换电路，以及与振荡电路相连接的镜像式稳压振荡电路10组成；所述变压器Τ2的原边与第二转换电路相连接，变压器Tl的原边与微处理电路相连接。
[0023]镜像式稳压振荡电路10由三极管VT101，三极管VT102，三极管VT103，三极管VT104，三极管VT105，三极管VT106，三极管VT107，三极管VT108，电阻R101，电阻R102，电阻R103，电阻R104，电阻R105，电阻R106，电阻R107，电阻R108，电阻R109，电阻R110，电阻Rill,电阻R112，电阻R113，电阻R114，电阻R115，电阻R116，电容C101,电容C102，电容C103，电容C104，电容C105，电容C106，电容C107，电感L101,电感L102，电感L103，电感L104，二极管D101，二极管D102，二极管D103，二极管D104，二极管D105，二极管D106，稳压二极管D107，二极管D108组成。连接时，N极与三极管VT102的集电极相连接、P极经电感L102后与三极管VT102的集电极相连接的二极管D102，负极与二极管D102的P极相连接、正极经二极管DlOl后与二极管D102的N极相连接的电容C102，正极与二极管D102的N极相连接、负极与电容C102的正极相连接的电容ClOl，负极与三极管VT102的集电极相连接、正极经电感LlOl后与二极管D102的P极相连接的电容C103，P极经二极管D104后与三极管VT103的基极相连接、N极经电阻R107后与三极管VT103的发射极相连接的二极管D103，负极与三极管VT102的基极相连接、正极经电阻RlOl后与三极管VTlOl的集电极相连接的电容C104，与电容C104并联的电阻R102，一端与三极管VT102的发射极相连接、另一端接地的电阻R104，与电阻R104并联的电容C105，串接在三极管VT103的基极与集电极之间的电容C106，一端与三极管VTlOl的基极相连接、另一端经电阻R105后与三极管VT103的基极相连接的电阻R103，N极与三极管VT103的发射极相连接、P极经电阻R108后与二极管D103的N极相连接的二极管D105，P极与三极管VT103的集电极相连接、N极与电阻R103和电阻R105的连接点相连接的稳压二极管D107，N极与三极管VT103的集电极相连接、P极经电阻R106后与稳压二极管D107的N极相连接的二极管D106，与稳压二极管D107并联的电容C107，一端与二极管D105的N极相连接、另一端与稳压二极管D107的P极相连接的电阻R109，N极与三极管VT106的基极相连接、P极经电阻R114后与稳压二极管D107的N极相连接的二极管D108，一端与三极管VT108的集电极相连接、另一端与稳压二极管D107的N极相连接的电阻R115，一端与三极管VT107的基极相连接、另一端与稳压二极管D107的N极相连接的电阻R116，一端与三极管VT104的基极相连接、另一端经电感L103后与三极管VT104的集电极相连接的电阻Rl 10，一端与三极管VT105的集电极相连接、另一端与电阻Rl 10和电感L103的连接点相连接的电感L104，一端与三极管VT104的发射极相连接、另一端经电阻R112后与三极管VT105的发射极相连接的电阻R112，以及一端与三极管VT106的集电极相连接、另一端与电阻Rl 11和电阻Rl 12的连接点相连接的电阻Rl 13组成；其中，电容C103的正极与三极管VTlOl的发射极相连接，电容ClOl的负极与二极管D103的N极相连接，三极管VT102的集电极与三极管VT103的基极相连接，三极管VT108的基极同时与三极管VT106的发射极以及三极管VT107的发射极相连接，三极管VT106的集电极与三极管VT107的集电极相连接，三极管VT104的基极与三极管VT105的基极相连接，二极管D105的P极与三极管VT104的集电极相连接，三极管VT108的发射极与三极管VT105的集电极相连接。
[0024]该振荡电路用于产生电磁波，其由振荡晶体管T，三极管Ql，三极管Q2，一端与三极管Ql的基极相连接、另一端经电阻R2后与三极管Ql的集电极相连接的电阻R1，正极与三极管Ql的基极相连接、负极接地的电容Cl，一端与三极管Ql的发射极相连接、另一端接地的电阻R3，串接在三极管Ql的发射极和集电极之间的电容C2组成；所述振荡晶体管T的两端串接在三极管Ql的基极和集电极之间，三极管Q2的基极与三极管Ql集电极相连接、发射极接地、集电极则与微处理电路相连接，电阻Rl和电阻R2的连接点与微处理电路相连接，电容Cl的正极与三极管VT105的集电极相连接。
[0025]微处理器对振荡电路所产生的电磁波进行处理，其包括电阻R4，电阻R5，电阻R6，以及三极管Q3 ;电阻R4的一端与三极管Q3的集电极相连接、另一端经电阻R5后接地，电阻R6的一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端接地；所述三极管Q3的基极与三极管Q2的集电极相连接、其集电极则与电阻Rl和电阻R2的连接点相连接、其发射极还与变压器Tl原边的同名端和非同名端相连接。
[0026]其中，混频电路由双栅极场效应管K，电阻R7，电阻R9，以及电感LI组成；电阻R7的一端与双栅极场效应管K的a栅极相连接、另一端接地，电感LI的一端与场效应管K的漏极相连接、另一端经电阻R9后回到场效应管K的漏极；电阻R9和电感LI的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，场效应管K的b栅极与变压器Tl副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。
[0027]第一转换电路把输入的交流电转换成直流电，其由三极管Q4，一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端与双栅极场效应管K的源极相连接的电阻R8，与电阻R8相并联的电容C3，负极与电阻R9和电感LI的连接点相连接、正极与三极管Q4的集电极相连接的电容C4组成；所述三极管Q4的基极与变压器Tl原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。
[0028]所述处理电路由三极管Q5，三极管Q6，一端与三极管Q6的基极相连接、另一端与三极管Q4的发射极相连接的电阻R10，一端与三极管Q6的发射极相连接、另一端同时与三极管Q4的发射极以及第二转换电路相连接的电阻Rll组成；所述三极管Q6的基极与三极管Q5的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管Q5的基极与电阻R9和电感LI的连接点相连接、其集电极同时与场效应管K的漏极以及第二转换电路相连接。
[0029]第二转换电路把直流电转换成交流电输出，其包括电容C8，电容C7，电容C6，电容C5，电阻R12 ；电容C8的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管Q5的集电极相连接，电容C7的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，电容C6的正极与三极管Q6的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接，电容C5的正极与三极管Q4的发射极相连接、其负极则经电阻R12后与电容C6的负极相连接。所述变压器T2副边的同名端接地、非同名端作为信号输出端。
[0030]如上所述，便可很好的实现本发明。
【主权项】
1.一种高频率变换镜像式稳压双振荡系统，其特征在于:由 变压器Tl，变压器T2，振荡电路，与振荡电路相连接的微处理电路，与变压器Tl副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路输出端相连接的第二转换电路，以及与振荡电路相连接的镜像式稳压振荡电路(10)组成；所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接，变压器Tl的原边与微处理电路相连接；镜像式稳压振荡电路(10)由三极管VT101，三极管VT102，三极管VT103，三极管VT104，三极管VT105，三极管VT106，三极管VT107，三极管VT108，N极与三极管VT102的集电极相连接、P极经电感L102后与三极管VT102的集电极相连接的二极管D102，负极与二极管D102的P极相连接、正极经二极管DlOl后与二极管D102的N极相连接的电容C102，正极与二极管D102的N极相连接、负极与电容C102的正极相连接的电容ClOl，负极与三极管VT102的集电极相连接、正极经电感LlOl后与二极管D102的P极相连接的电容C103，P极经二极管D104后与三极管VT103的基极相连接、N极经电阻R107后与三极管VT103的发射极相连接的二极管D103，负极与三极管VT102的基极相连接、正极经电阻RlOl后与三极管VTlOl的集电极相连接的电容C104，与电容C104并联的电阻R102，一端与三极管VT102的发射极相连接、另一端接地的电阻R104，与电阻R104并联的电容C105，串接在三极管VT103的基极与集电极之间的电容C106，一端与三极管VTlOl的基极相连接、另一端经电阻R105后与三极管VT103的基极相连接的电阻R103，N极与三极管VT103的发射极相连接、P极经电阻R108后与二极管D103的N极相连接的二极管D105，P极与三极管VT103的集电极相连接、N极与电阻R103和电阻R105的连接点相连接的稳压二极管D107，N极与三极管VT103的集电极相连接、P极经电阻R106后与稳压二极管D107的N极相连接的二极管D106，与稳压二极管D107并联的电容C107，一端与二极管D105的N极相连接、另一端与稳压二极管D107的P极相连接的电阻R109，N极与三极管VT106的基极相连接、P极经电阻R114后与稳压二极管D107的N极相连接的二极管D108，一端与三极管VT108的集电极相连接、另一端与稳压二极管D107的N极相连接的电阻R115，一端与三极管VT107的基极相连接、另一端与稳压二极管D107的N极相连接的电阻R116，一端与三极管VT104的基极相连接、另一端经电感L103后与三极管VT104的集电极相连接的电阻R110，一端与三极管VT105的集电极相连接、另一端与电阻RllO和电感L103的连接点相连接的电感L104，一端与三极管VT104的发射极相连接、另一端经电阻R112后与三极管VT105的发射极相连接的电阻R112，以及一端与三极管VT106的集电极相连接、另一端与电阻Rlll和电阻R112的连接点相连接的电阻R113组成；其中，电容C103的正极与三极管VTlOl的发射极相连接，电容ClOl的负极与二极管D103的N极相连接，三极管VT102的集电极与三极管VT103的基极相连接，三极管VT108的基极同时与三极管VT106的发射极以及三极管VT107的发射极相连接，三极管VT106的集电极与三极管VT107的集电极相连接，三极管VT104的基极与三极管VT105的基极相连接，二极管D105的P极与三极管VT104的集电极相连接，三极管VT108的发射极与三极管VT105的集电极相连接。2.根据权利要求1所述的一种高频率变换镜像式稳压双振荡系统，其特征在于:所述的所述的振荡电路由振荡晶体管T，三极管Q1，三极管Q2，一端与三极管Ql的基极相连接、另一端经电阻R2后与三极管Ql的集电极相连接的电阻R1，正极与三极管Ql的基极相连接、负极接地的电容Cl，一端与三极管Ql的发射极相连接、另一端接地的电阻R3，串接在三极管Ql的发射极和集电极之间的电容C2组成；所述振荡晶体管T的两端串接在三极管Ql的基极和集电极之间，三极管Q2的基极与三极管Ql集电极相连接、发射极接地、集电极则与微处理电路相连接，电阻Rl和电阻R2的连接点与微处理电路相连接，电容Cl的正极与三极管VT105的集电极相连接。3.根据权利要求2所述的一种高频率变换镜像式稳压双振荡系统，其特征在于:所述的微处理器包括电阻R4，电阻R5，电阻R6，以及三极管Q3 ;电阻R4的一端与三极管Q3的集电极相连接、另一端经电阻R5后接地，电阻R6的一端与三极管Q3的发射极相连接、另一端接地；所述三极管Q3的基极与三极管Q2的集电极相连接、其集电极则与电阻Rl和电阻R2的连接点相连接、其发射极还与变压器Tl原边的同名端和非同名端相连接。4.根据权利要求3所述的一种高频率变换镜像式稳压双振荡系统，其特征在于:所述的混频电路由双栅极场效应管K，电阻R7，电阻R9，以及电感LI组成；电阻R7的一端与双栅极场效应管K的a栅极相连接、另一端接地，电感LI的一端与场效应管K的漏极相连接、另一端经电阻R9后回到场效应管K的漏极；电阻R9和电感LI的连接点同时与处理电路和第一转换电路相连接，场效应管K的b栅极与变压器Tl副边非同名端相连接、漏极与处理电路相连接、源极与第一转换电路相连接。5.根据权利要求4所述的一种高频率变换镜像式稳压双振荡系统，其特征在于:所述的第一转换电路由三极管Q4，一端与三极管Q4的发射极相连接、另一端与双栅极场效应管K的源极相连接的电阻R8，与电阻R8相并联的电容C3，负极与电阻R9和电感LI的连接点相连接、正极与三极管Q4的集电极相连接的电容C4组成；所述三极管Q4的基极与变压器Tl原边的非同名端相连接，其发射极与处理电路相连接。6.根据权利要求5所述的一种高频率变换镜像式稳压双振荡系统，其特征在于:所述处理电路由三极管Q5，三极管Q6，一端与三极管Q6的基极相连接、另一端与三极管Q4的发射极相连接的电阻R10，一端与三极管Q6的发射极相连接、另一端同时与三极管Q4的发射极以及第二转换电路相连接的电阻Rll组成；所述三极管Q6的基极与三极管Q5的发射极相连接、其集电极与变压器T2原边的同名端相连接、发射极与第二转换电路相连接，三极管Q5的基极与电阻R9和电感LI的连接点相连接、其集电极同时与场效应管K的漏极以及第二转换电路相连接。7.根据权利要求6所述的一种高频率变换镜像式稳压双振荡系统，其特征在于:所述的第二转换电路包括电容C8，电容C7，电容C6，电容C5，电阻R12 ;电容C8的正极与变压器T2原边同名端相连接、其负极与三极管Q5的集电极相连接，电容C7的正极和负极分别与变压器T2原边的同名端和非同名端相连接，电容C6的正极与三极管Q6的发射极相连接、负极与变压器T2原边的非同名端相连接，电容C5的正极与三极管Q4的发射极相连接、其负极则经电阻R12后与电容C6的负极相连接。
【专利摘要】本发明公开了一种高频率变换镜像式稳压双振荡系统，其特征在于：由变压器T1，变压器T2，振荡电路，与振荡电路相连接的微处理电路，与变压器T1副边相连接的混频电路，与混频电路相连接的第一转换电路，同时与混频电路和第一转换电路相连接的处理电路，与处理电路输出端相连接的第二转换电路组成；所述变压器T2的原边与第二转换电路相连接，变压器T1的原边与微处理电路相连接。本发明能够使得电压更加稳定，降低了电压的波动，提高了电路的使用寿命，能大大提高振荡系统的工作频率，使其应用范围更广。
【IPC分类】H03B5/20, H03D7/16
【公开号】CN104883130
【申请号】CN201510309536
【发明人】黄涛
【申请人】成都雷克尔科技有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年6月8日
【公告号】CN104410287A