天线驱动装置的制造方法

天线驱动装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及切换天线电路中流过的电流的方向而使信号从天线电路发送的天线驱动装置。
【背景技术】
[0002]以往，存在安装有免钥入车系统(Passive entry system)的四轮车或二轮车。在该免钥入车系统中，搭载于车辆的车载机通过天线与用户携带的便携机进行无线通信，进行便携机的认证，在该认证完成之后，执行例如车门上锁/开锁或发动机的起动等。在车载机中包含有天线电路和天线驱动装置。
[0003]图8是示出现有的天线驱动装置90的电路结构的图。图9?图11是示出图8的电路中的电流路径的图。
[0004]在图8中，天线驱动装置90具备:作为半导体开关元件的FET 91、92、93 ;天线连接点94 ;电阻R1、R2、R3、R6 ;二极管Dl、D2、以及控制部95。
[0005]FET 91、92、93 由场效应晶体管(Field Effect Transistor)构成。FET 91 是 P沟道型的FET，FET 92、93是N沟道型的FET。
[0006]在天线电路10中包含有由环形的线圈构成的天线A、以及共振用的电容器C。电容器C的一端与第I接地端子Gl连接。电容器C的另一端与天线A的一端连接。天线A的另一端经由连接单元9以及电流限制电阻R6与天线连接点94连接。连接单元9由连接器和线束等构成。
[0007]电源端子B与未图示的车载电池等电源连接。在从电源端子B不经由天线连接点94到达第2接地端子G2的布线路径中串联连接有电阻Rl和FET 93。FET 93的漏极经由电阻Rl与电源端子B连接。FET 93的源极与第2接地端子G2连接。从控制部95向FET93的栅极输入接通/断开(0N/0FF)切换信号。
[0008]在经由天线连接点94从电源端子B到达第2接地端子G2的布线路径中串联连接有FET 91、92。FET 91的源极与电源端子B连接。FET 91的漏极与天线连接点94连接。FET 92的源极与第2接地端子G2连接。FET 92的漏极与天线连接点94连接。
[0009]在FET 91、92的各栅极之间串联连接有电阻R2、R3，而且串联连接有二极管D1、D2。电阻R2与二极管D1、以及电阻R3与二极管D2分别并联连接。二极管D1、D2的连接点、电阻R2、R3的连接点、以及FET 93的漏极与电阻Rl的连接点通过布线96连接。
[0010]FET 91的栅极经由电阻R2与FET 93的漏极连接。FET 92的栅极经由电阻R3与FET 93的漏极连接。
[0011]如图9所示，当从控制部95向FET 93的栅极输入接通(ON)切换信号时，FET93变成接通(ON)状态。然后，由于FET 91、92的各栅极的電位下降，因此，P沟道型的FET 91变成接通状态，N沟道型的FET 92变成断开(OFF)状态。因此，如实线的箭头所示，电流从电源端子B通过FET 91、天线连接点94、电流限制电阻R6、以及连接单元9，流向天线电路10的天线A和电容器C，进而从第I接地端子Gl流向地面(第I电流路径)。
[0012]此外，如图10所示，在从控制部95向FET 93的栅极输入断开(OFF)切换信号之后，FET 93变成断开状态。然后，由于FET 91、92的各栅极的电位上升，因此，P沟道型的FET 91变成断开状态，N沟道型的FET 92变成接通状态。因此，如实线的箭头所示，基于天线电路10中存储的电能的放出的电流从天线电路10，通过连接单元9、电流限制电阻R6、天线连接点94、FET 92、以及第2接地端子G2流向大地(第2电流路径)。
[0013]控制部95如上所述地连续切换FET 93的接通/断开状态，使FET 91,92交替地接通/断开，从而，连续切换流过天线电路10的电流的方向。由此，从天线A发送低频的正弦波信号。此时，流过天线电路10的电流的大小由电流限制电阻R6进行限制。
[0014]从天线电路10的天线A发送的正弦波信号由便携机接收之后，被二值化。为了便于进行该便携机中的二值化处理，需要将针对天线电路10的2个电流路径的电损失之差抑制成较小，并从天线A发送正负半波的振幅为相同程度的规则的正弦波信号。
[0015]但是，在FET 91、92各自的栅极/漏极之间存在寄生电容器。由于该寄生电容器的充放电，在FET 91,92从接通切换到断开、或者从断开切换到接通之前，会产生时间上的延迟。其结果是，在FET 93从接通切换到断开、或者从断开切换到接通时，FET 91、92临时同时变成接通状态。然后，如图11中双点划线的箭头所示，贯通电流从电源端子B通过FET91、92，流向第2接地端子G2，因此，FET 91,92有可能会损坏。
[0016]因此，为了抑制该贯通电流，设置二极管Dl、D2，使得不经由电阻R2、R3而是经由二极管Dl、D2，进行FET 9192的栅极/漏极之间的寄生电容器的充放电。由此，由于充放电路径的时间常数变小，因此，FET 91,92同时变成接通状态的时间缩短，贯通电流几乎不再流过FET 91、92。
[0017]但是，在该电路结构中，由于需要二极管Dl、D2与电流限制电阻R6，因此，电路元件数目增加，妨碍天线驱动装置的小型化。此外，由于在针对天线电路10的2个电流路径中设置有I个电流限制电阻R6，因此，电流流过电流限制电阻R6的次数增多，电流限制电阻R6的寿命变短。因此，作为电流限制电阻R6，需要耐久性高的电阻元件。耐久性高的电阻元件例如由于尺寸较大而妨碍了天线驱动装置的小型化，或者由于价格较高而妨碍了天线驱动装置的低廉化。
[0018]另一方面，在专利文献I中公开有如下技术:利用发送控制电路，使天线驱动电路(H桥电路)内的高边(high side)侧的2个FET或者低边(low side)侧的2个FET同时接通的定时错开，防止贯通电流流过双方的FET。
[0019]此外，在专利文献2中公开有如下技术:在D/Α转换器的参照电压切换开关中，对来自串联连接的2个激励晶体管(driver transistor)的连接点的输出电压进行负反馈(negative feedback)控制，由此抑制贯通电流流过2个激励晶体管，并提高输出电压的精度。
[0020]此外，在专利文献3中公开有如下技术:在电动机驱动电路用的驱动控制电路中，通过电阻的施加电压感测流过串联连接的2个IGBT中的一方的IGBT的电流，并根据其结果强制断开另一方的IGBT，从而，防止贯通电流流过两个IGBT。
[0021]此外，在专利文献4中公开有如下技术:在栅极驱动电路中，通过驱动用1C、第3M0SFET、第4M0SFET、以及二极管使串联连接的第1、第2M0SFET交替地接通/断开，使第1、第2M0SFET同时接通，防止贯通电流流过。此外，在第1、第2M0SFET的低电压侧分别连接有电阻，但是，这些电阻用于调整来自连接于第1、第2M0SFET之间的输出端子的输出电流，也可以省略。
[0022]此外，在专利文献5中公开有如下技术:在线圈负载驱动输出电路中，减少来自串联连接的2个驱动晶体管的辐射噪声。具体而言，设置有'2对控制晶体管，其输出用于分别控制2个驱动晶体管的控制电压；2对阻抗元件，其限制各对控制晶体管的电流；以及2个检测晶体管，其在一个驱动晶体管接通时，断开另一个驱动晶体管。各对阻抗元件由电阻构成，电阻值不同。因此，通过4个阻抗元件，各驱动晶体管被慢慢接通/断开，辐射噪声减少。此外，通过4个阻抗元件和2个检测晶体管，可调整各驱动晶体管的接通/断开的切换时间。
[0023]此外，在专利文献6中公开有如下技术:在桥输出电路中，根据串联连接的2个晶体管中的一方的栅极信号，检测出一方的晶体管已断开，并根据该检测结果和控制信号生成另一方的晶体管的栅极信号，从而防止贯通电流流过两个晶体管。在用于检测一方的晶体管的断开的断开检测电路中包含有:检测晶体管，其与一方的晶体管同类型，源极接地且栅极接收一方的晶体管的栅极信号；电阻，其连接在检测晶体管的漏极与电源端子之间；以及旁路电路，其与该电阻并联连接。该电阻用于对流过旁路电路的电流进行监视，并调整流过检测晶体管的电流。
[0024]此外，在专利文献7中公开有如下技术:在单触发电路(one-shot circuit)中，在与串联连接的2个晶体管之间的连接点连接的逆变器进行反转动作时，防止贯通电流流过该逆变器。在2个晶体管与连接点之间分别设置有电阻，但是，该电阻是充放电电路的一部分，用于调整包含在充放电电路中的电容器的放电时间。
[0025]【专利文献I】日本特开平10- 154951号号公报
[0026]【专利文献2】日本特开平11- 191737号公报
[0027]【专利文献3】日本特开2011- 166576号公报
[0028]【专利文献4】日本特开2009-290716号公报
[0029]【专利文献5】日本特开2005-348019号公报
[0030]【专利文献6】日本特开2011-55470号公报
[0031]【专利文献7】日本特开2004-297349号公报

【发明内容】

[0032]本发明的课题在于为了抑制贯通电流从而防止开关元件的损坏，减少电路元件从而实现小型化，以及延长用于对流过天线电路的电流进行限制的电阻的寿命。
[0033]本发明的天线驱动装置，其切换流过天线电路的电流的方向而使信号从天线电路发 送，其中，所述天线驱动装置具有:天线连接点，其与一端和第I接地端子连接的天线电路的另一端连接；第I开关元件，其连接在电源端子与天线连接点之间；第2开关元件，其连接在天线连接点与第2接地端子之间；控制部，其以交替地切换第I开关元件和第2开关元件的接通或断开状态的方式进行控制；第I电流限制电阻，其与第I开关元件串联连接在电源端子与天线连接点之间；以及第2电流限制电阻，其与第2开关元件串联连接在天线连接点与第2接地端子之间。而且，第I电流限制电阻的电阻值与第2电流限制电阻的电阻值相同。或者，也可以是，第I电流限制电阻的电阻值与第2电流限制电阻的电阻值之差在从天线电路发送的信号能够在接收侧进行二值化的范围内。
[0034]如上所述，在开关动作时，第I开关元件与第2开关元件同时变成接通状态，即使贯通电流流过，该贯通电流的大小也由于通过第I电流限制电阻和第2电流限制电阻而能够抑制成较小。因此，能够防止第I开关元件和第2开关元件由于贯通电流损坏。此外，以往，由于无需设置贯通电流抑制用的二极管等，因此，能够减少电路元件数目，并实现天线驱动装置的小型化。
[0035]此外，在从电源端子经由第I开关元件流向天线电路的第I电流路径中设置第I电流限制电阻，在从天线电路经由第2开关元件流向第2接地端子的第2电流路径中设置第2电流限制电阻。然后，针对天线电路，通过第I电流限制电阻限制在第I电流路径中流过的电流，通过第2电流限制电阻限制在第2电流路径中流过的电流。因此，电流流过各电流限制电阻的次数减少，能够延长各电流限制电阻的寿命。进而，由于2个电流路径(第I电流路径和第2电流路径)相对于天线电路的电阻成分相同，或者两者之差在预定范围内，因此，能够抑制两个电流路径的电损失之差。
[0036]此外，在本发明中，也可以是，在上述天线驱动装置中，还具有第3开关元件，该第3开关元件根据从控制部输出的接通或断开切换信号，切换接通或断开状态。在该情况下，也可以是，由于第3开关元件变成接通状态，第I开关元件变成接通状态，且第2开关元件变成断开状态，由于第3开关元件变成断开状态，第I开关元件变成断开状态，且第2开关元件变成接通状态。
[0037]此外，在本发明中，在上述天线驱动装置中，也可以采用以下的结构。第I开关元件由P沟道型的FET构成，第2开关元件和第3开关元件由N沟道型的FET构成。从控制部向第3开关元件的栅极输入接通或断开切换信号，第3开关元件的漏极与电源端子连接，第3开关元件的源极与第2接地端子连接。第I开关元件的栅极与第3开关元件的漏极连接，第I开关元件的漏极与天线连接点连接，第I开关元件的源极与电源端子连接。第2开关元件的栅极与第3开关元件的漏极连接，第2开关元件的漏极与天线连接点连接，第2开关元件的源极与第2接地端子连接。
[0038]进而，在本发明中，在上述天线驱动装置中，也可以是，第I电流限制电阻连接在电源端子与第I开关元件的源极之间，或者，连接在第I开关元件的漏极与天线连接点之间。此外，也可以是，第2电流限制电阻连接在天线连接点与第2开关元件的漏极之间，或者，连接在第2开关元件的源极与第2接地端子之间。
[0039]发明的效果
[0040]根据本发明，能够提供一种天线驱动装置，其能够抑制贯通电流从而防止开关元件的损坏，并能够减少电路元件从而实现小型化，且能够延长用于对流过天线电路的电流进行限制的电阻的寿命。
【附图说明】
[0041]图1是示出本发明的实施方式的天线驱动装置的电路结构的图。
[0042]图2是示出图1的电路中的第I电流路径的图。
[0043]图3是示出图1的电路中的第2电流路径的图。
[0044]图4是示出图1的电路中的贯通电流路径的图。
[0045]图5是示出本发明的另一实施方式的天线驱动装置的电路结构的图。
[0046]图6是示出本发明的另一实施方式的天线驱动装置的电路结构的图。
[0047]图7是示出本发明的另一实施方式的天线驱动装置的电路结构的图。
[0048]图8是示出现有的天线驱动装置的电路结构的图。
[0049]图9是示出图8的电路中的第I电流路径的图。
[0050]图10是示出图8的电路中的第2电流路径的图。
[0051]图11是示出图8的电路中的贯通电流路径的图。
[0052]标号说明
[0053]4:天线连接点；5:控制部；10:天线电路；100:天线驱动装置；B:电源端子；FETl:场效应晶体管(第I开关元件)；FET2:场效应晶体管(第2开关元件)；FET3:场效应晶体管(第3开关元件)；G1:第I接地端子；G2:第2接地端子；R4:第I电流限制电阻；R5:第2电流限制电阻。
【具体实施方式】
[0054]以下，参照附图来说明本发明的实施方式。在各图中，对相同部分或对应部分标注相同标号。
[0055]首先，参考图1说明本发明的实施方式的天线驱动装置100的电路结构。
[0056]天线驱动装置100和天线电路10例如包含在装入车辆的免钥入车系统的车载机中。
[0057]在天线驱动装置100中具备:作为半导体开关元件的FET1、2、3 ;天线连接点4 ;电阻R1、R2、R3、R4、R5 ;以及控制部5。
[0058]FET1、2、3 由场效应晶体管(Field Effect Transistor)构成。FETl 是 P 沟道型的FET，是本发明的“第I开关元件”的一个例子。FET2是N沟道型的FET，是本发明的“第2开关元件”的一个例子。FET3是N沟道型的FET，是本发明的“第3开关元件”的一个例子。
[0059]控制部5由CPU构成，以切换FETl?3的接通(ON) /断开(OFF)状态的方式进行控制。详细来说，控制部5切换FET3的接通/断开状态，从而，交替地使FET1、FET2接通/断开。
[0060]在天线电路10中包含有由环状的线圈构成的天线A、以及共振用的电容器C。电容器C的一端与第I接地端子Gl连接。电容器C的另一端与天线A的一端连接。天线A的另一端与连接单元9连接。连接单元9与天线连接点4连接。也就是说，天线电路10的一端与第I接地端子Gl连接，天线电路10的另一端经由连接单元9，与天线连接点4连接。连接单元9由连接器和线束等构成。
[0061]电源端子B与未图示的车载电池等电源连接。在电源端子B与第2接地端子G2之间，设置有并联连接的2个布线路径。
[0062]其中，在从电源端子B不经由天线连接点4到达第2接地端子G2的一方的布线路径中串联连接有电阻Rl和FET3。FET3的漏极经由电阻Rl与电源端子B连接。FET3的源极与第2接地端子G2连接。从控制部5向FET3的栅极输入接通/断开切换信号。
[0063]在从电源端子B经由天线连接点4到达第2接地端子G2的另一方的布线路径中串联连接有FET1、2和电流限制电阻R4、R5。在本实施方式中，第I电流限制电阻R4的电阻值与第2电流限制电阻R5的电阻值相同。但是，如后所述，这些电阻值也可以是未必完全相同。
[0064]在电源端子B与天线连接点4之间串联连接有FETl和第I电流限制电阻R4。FETl的源极与电源端子B连接。FETl的漏极与第I电流限制电阻R4的一端连接。第I电流限制电阻R4的另一端与天线连接点4连接。S卩，第I电流限制电阻R4连接在FETl的漏极与天线连接点4之间。
[0065]在天线连接点4与第2接地端子G2之间串联连接有第2电流限制电阻R5和FET2。FET2的源极与第2接地端子G2连接。FET2的漏极与第2电流限制电阻R5的一端连接。第2电流限制电阻R5的另一端与天线连接点4连接。S卩，第2电流限制电阻R5连接在FET2的漏极与天线连接点4之间。
[0066]在FET1、2的各栅极之间串联连接有电阻R2、R3。电阻R2、R3的连接点、与FET3的漏极和电阻Rl的连接点通过布线6连接。即，FETl的栅极经由电阻R2与FET3的漏极连接。此外，FET2的栅极经由电阻R3与FET3的漏极连接。
[0067]接着，参照图2?图4说明天线驱动装置100和流过天线电路10的电流路径。
[0068]如图2所示，当从控制部5向FET3的栅极输入接通切换信号时，FET3变成接通状态。然后，FETU2的各栅极的电位下降，因此，P沟道型的FETl变成接通状态，N沟道型的FET2变成断开状态。因此，如实线的箭头所示，电流从电源端子B通过FET1、第I流限制电阻R4、天线连接点4、以及连接单元9，流向天线电路10的天线A和电容器C，进而通过第I接地端子Gl流向大地(第I电流路径)。
[0069]此外，如图3所示，在从控制部5向FET3的栅极输入断开切换信号之后，FET3变成断开状态。然后，由于FET1、2的各栅极的电位上升，因此，P沟道型的FETl变成断开状态，N沟道型的FET2变成接通状态。因此，如实线的箭头所示，基于存储到天线电路10的电能的放出的电流从天线电路10，通过连接单元9、天线连接点4、第2电流限制电阻R5、FET2、以及第2接地端子G2流向大地(第2电流路径)。
[0070]如上所述，控制部5连续切换FET3的接通/断开状态，并交替地使FET1、2接通/断开。由此，流过天线电路10的电流的方向连续地切换，从天线A发送低频的正弦波信号。此时，在图2所示的第I电流路径中流过天线电路10的电流的大小(电流值)由第I电流限制电阻R4来限制。此外，在图3所示的第2电流路径 中流过天线电路10的电流的大小(电流值)由第2电流限制电阻R5来限制。从天线A发送来的信号由未图示的便携机接收。
[0071]另一方面，与图11的情况相同，在通过FET1、2各自的栅极/漏极之间的寄生电容器，FET3从接通切换到断开、或者从断开切换到接通时，FETU2临时变成同时接通状态。然后，如图4中双点划线的箭头所示，贯通电流从电源端子B，通过FET1、第I电流限制电阻R4、天线连接点4、第2电流限制电阻R5以及FET2，流向第2地端子G2。
[0072]但是，该贯通电流的大小(电流值)被第I电流限制电阻R4和第2电流限制电阻R5抑制成较小，因此，不会达到损坏FET1、2的水平。
[0073]根据上述实施方式，利用控制部5切换FET3的接通/断开状态，从而，FETU2的接通/断开状态被交替切换。然后，在该开关动作时，FETl与FET2同时变成接通状态，即使贯通电流流过，也能够通过第I电流限制电阻R4和第2电流限制电阻R5，将该贯通电流的大小抑制成较小。因此，能够防止FETl和FET2由于贯通电流而被损坏。
[0074]此外，无需设置如图8这样的二极管D1、D2和电阻R6，仅设置电流限制电阻R4、R5就可以，因此，能够减少电路元件数目，并实现天线驱动装置100的小型化。
[0075]此外，在从电源端子B经由FETl流向天线电路10的第I电流路径(图2)中设置第I电流限制电阻R4，在从天线电路10经由FET2流向第2接地端子G2的第2电流路径(图3)中设置第2电流限制电阻R5，将这些电流限制电阻R4、R5的电阻值设为相同。然后，针对天线电路10，通过第I电流限制电阻R4限制在第I电流路径中流过的电流，通过第2电流限制电阻R5限制在第2电流路径中流过的电流。
[0076]因此，如图9以及图10所示，与通过I个电流限制电阻R6限制流过第I电流路径与第2电流路径的电流的情况相比，电流流过各电流限制电阻R4、R5的次数减少，施加到各电流限制电阻R4、R5的负载减轻，能够延长各电流限制电阻R4、R5的寿命。其结果是，与现有的电流限制电阻R6相比，能够将耐久性低的电阻元件用作电流限制电阻R4、R5。此夕卜，耐久性低的电阻元件与耐久性高的电阻元件相比，尺寸小，或者价格低，因此，能够较容易地实现天线驱动装置100的小型化和低廉化。
[0077]进而，由于2个电流路径(第I电流路径和第2电流路径)相对于天线电路10的电阻成分相同，因此，能够极力缩小两个电流路径的电损失之差。其结果是，较容易地通过便携机进行二值化处理，并能够从天线A向便携机发送正负半波的振幅在相同程度的规则的正弦波信号。
[0078]本发明除了以上所述以外，还能够采用各种实施方式。例如，在以上实施方式中，示出了在天线连接点4与FET1、2之间分别连接了电流限制电阻R4、R5的例子，但是，本发明不仅限于此。此外，例如，也可以是，如图5所示，在电源端子B与FETl之间连接第I电流限制电阻R4，在第2接地端子G2与FET2之间连接第2电流限制电阻R5。此外，也可以是，如图6所示，在FETl与天线连接点4之间连接第I电流限制电阻R4，在第2接地端子G2与FET2之间连接第2电流限制电阻R5。此外，也可以是，如图7所示，在电源端子B与FETl之间连接第I电流限制电阻R4，在天线连接点4与FET2之间连接第2电流限制电阻R5o
[0079]并且，也可以是，在电源端子B与FETl之间、FETl与天线连接点4之间两方分别连接电阻，并利用它们的合成电阻构成第I电流限制电阻。此外，也可以是，在第2接地端子G2与FET2之间、FET2与天线连接点4之间两方分别连接电阻，并利用它们的合成电阻构成第2电流限制电阻。
[0080]S卩，第I电流限制电阻连接在电源端子B与FETl的源极之间、或者连接在FETl漏极与天线连接点4之间即可。此外，第2电流限制电阻连接在天线连接点4与FET2的漏极之间，或者连接在FET2的源极与第2接地端子G2之间即可。而且，将第I电流限制电阻和第2电流限制电阻的电阻值设置成相同即可。由此，通过第I电流限制电阻和第2电流限制电阻，能够适当限制在2个电流路径中分别流过天线电路的电流，同时，能够将流过FETl和FET2的贯通电流抑制成较小。
[0081]此外，在以上的实施方式中，第I电流限制电阻R4的电阻值与第2电流限制电阻R5的电阻值相同，但是，这些电阻值也可以不完全相同。例如，也可以是，第I电流限制电阻R4的电阻值与第2电流限制电阻R5的电阻值之差在从天线电路10发送的正弦波信号能够在接收侧的便携机进行二值化的范围内。此外，从天线电路10发送的信号也可以是除正弦波信号以外的信号。
[0082]此外，在以上的实施方式中，设置通过来自控制部5的切换信号进行接通/断开的FET3，通过切换FET3的接通/断开状态来切换FET1、2的接通/断开状态，但是，也可以是省略FET3，通过控制部5直接切换FET1、2的接通/断开状态。
[0083]此外，在以上的实施方式中，作为开关元件，以FET为例进行了列举，但是，也可以使用一般的晶体管或其开关元件来代替FET。
[0084]此外，在以上的实施方式中，示出了在车载用的天线驱动装置100中应用本发明的例子，但是，本发明也能够应用于其他用途的天线驱动装置。
【主权项】
1.一种天线驱动装置，其切换流过天线电路的电流的方向而使信号从所述天线电路发送，其特征在于，所述天线驱动装置具有: 天线连接点，其与一端和第I接地端子连接的所述天线电路的另一端连接； 第I开关元件，其连接在电源端子与所述天线连接点之间； 第2开关元件，其连接在所述天线连接点与第2接地端子之间； 控制部，其以交替地切换所述第I开关元件和所述第2开关元件的接通或断开状态的方式进行控制； 第I电流限制电阻，其与所述第I开关元件串联连接在所述电源端子与所述天线连接点之间；以及 第2电流限制电阻，其与所述第2开关元件串联连接在所述天线连接点与所述第2接地端子之间， 所述第I电流限制电阻的电阻值与所述第2电流限制电阻的电阻值相同。2.一种天线驱动装置，其切换流过天线电路的电流的方向而使信号从所述天线电路发送，其特征在于，所述天线驱动装置具有: 天线连接点，其与一端和第I接地端子连接的所述天线电路的另一端连接； 第I开关元件，其连接在电源端子与所述天线连接点之间； 第2开关元件，其连接在所述天线连接点与第2接地端子之间； 控制部，其以交替地切换所述第I开关元件和所述第2开关元件的接通或断开状态的方式进行控制； 第I电流限制电阻，其与所述第I开关元件串联连接在所述电源端子与所述天线连接点之间；以及 第2电流限制电阻，其与所述第2开关元件串联连接在所述天线连接点与所述第2接地端子之间， 所述第I电流限制电阻的电阻值与所述第2电流限制电阻的电阻值之差在从所述天线电路发送的所述信号能够在接收侧进行二值化的范围内。3.根据权利要求1或2所述的天线驱动装置，其特征在于， 所述天线驱动装置还具有第3开关元件，该第3开关元件根据从所述控制部输出的接通或断开切换信号，切换接通或断开状态， 由于所述第3开关元件变成接通状态，所述第I开关元件变成接通状态，且所述第2开关元件变成断开状态， 由于所述第3开关元件变成断开状态，所述第I开关元件变成断开状态，且所述第2开关元件变成接通状态。4.根据权利要求3所述的天线驱动装置，其特征在于， 所述第I开关元件由P沟道型的FET构成， 所述第2开关元件和所述第3开关元件由N沟道型的FET构成， 从所述控制部向所述第3开关元件的栅极输入所述接通或断开切换信号， 所述第3开关元件的漏极与所述电源端子连接， 所述第3开关元件的源极与所述第2接地端子连接， 所述第I开关元件的栅极与所述第3开关元件的漏极连接， 所述第I开关元件的漏极与所述天线连接点连接， 所述第I开关元件的源极与所述电源端子连接， 所述第2开关元件的栅极与所述第3开关元件的漏极连接， 所述第2开关元件的漏极与所述天线连接点连接， 所述第2开关元件的源极与所述第2接地端子连接。5.根据权利要求4所述的天线驱动装置，其特征在于， 所述第I电流限制电阻连接在所述电源端子与所述第I开关元件的源极之间，或者连接在所述第I开关元件的漏极与所述天线连接点之间， 所述第2电流限制电阻连接在所述天线连接点与所述第2开关元件的漏极之间，或者连接在所述第2开关元件的源极与所述第2接地端子之间。
【专利摘要】本发明提供一种天线控制装置。该天线驱动装置切换流过天线电路的电流的方向而使信号从天线发送，其中，所述天线驱动装置设置有：天线连接点，其与一端和第1接地端子连接的天线电路的另一端连接；FET(1)，其连接在电源端子与天线连接点之间；FET(2)，其连接在天线连接点与第2接地端子之间；控制部，其以交替地切换FET(1)和FET(2)的接通或断开状态的方式进行控制；第1电流限制电阻(R4)，其与FET(1)串联连接在电源端子与天线连接点之间；以及第2电流限制电阻(R5)，其与FET(2)串联连接在天线连接点与第2接地端子之间，所述天线驱动装置将电流限制电阻(R4、R5)的电阻值设为相同。
【IPC分类】H03K17/16
【公开号】CN104883163
【申请号】CN201510083807
【发明人】永田达树, 吉泽大辅, 泷泽光司, 成濑由惠
【申请人】欧姆龙汽车电子株式会社
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年2月16日