微机电麦克风装置的制造方法

微机电麦克风装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种微机电麦克风，特别是一种确保坚固性及具有对声音变化的高灵敏性的微机电麦克风装置。
【背景技术】
[0002]随着微机电(Micro Electro Mechanical System, MEMS)工艺技术的突破与感测电路的微小化，使得微机电麦克风符合现今消费性电子产品轻薄短小的设计需求，而逐渐取代传统驻极体麦克风成为消费性电子产品中必备的构件。
[0003]一般来说，为了使得微机电麦克风薄膜可达到对声音具有高灵敏的特性，目前微机电麦克风大多采改变支撑梁(Spring)或微机电麦克风薄膜的结构。以改变支撑梁的结构来说，例如可以是直接控制支撑梁的弹性系数，进而控制微机电麦克风的位移量，以达到对声音具有高灵敏的特性。而改变微机电麦克风薄膜的结构来说，则是直接在微机电麦克风薄膜上制作若干微结构，使微机电麦克风薄膜对声音具有高灵敏的特性。
[0004]虽然，上述的方式都可使微机电麦克风达到对声音具有高灵敏的特性，但设计上仍较为复杂，因此，微机电麦克风的设计上仍有改善的空间。

【发明内容】

[0005]本发明所要解决的技术问题是提供一种微机电麦克风装置，以控制微机电麦克风薄膜的弹性系数，并确保微机电麦克风薄膜的坚固性，以及具有对声音变化的高灵敏性。
[0006]为了实现上述目的，本发明提供了一种微机电麦克风装置，包括基板、微机电麦克风薄膜与氧化层。基板具有第一凹陷部。微机电麦克风薄膜位于基板上方且覆盖第一凹陷部并定义出第一空腔，微机电麦克风薄膜包括弹性部与结合部。弹性部位于微机电麦克风薄膜的中央位置，且被多个第一沟槽包围，所述多个第一沟槽彼此分离地沿弹性部的边缘排列并贯穿弹性部的相对两面。结合部位于微机电麦克风薄膜的边缘位置，连接弹性部。氧化层具有第二凹陷部，连接微机电麦克风薄膜的结合部，第二凹陷部暴露出微机电麦克风薄膜。
[0007]在一实施例中，基板上具有至少一第三凹陷部，第三凹陷部环绕第一凹陷部。此夕卜，微机电麦克风装置还包含背板层配置于该氧化层上，背板层具有多个缝隙，透过缝隙与第二凹陷部暴露出部分的微机电麦克风薄膜。另外，微机电麦克风装置还包含至少一阻挡块，配置于微机电麦克风薄膜与背板层之间，而阻挡块与氧化层连接，且位于第二凹陷部内。以及，微机电麦克风装置还包含钝化层，钝化层配置于氧化层上，且钝化层暴露出部分的背板层。
[0008]本发明的技术效果在于:
[0009]本发明的微机电麦克风装置，通过在微机电麦克风薄膜的弹性部上设置多个第一沟槽，且这些第一沟槽沿弹性部的周围依序排列。另外，还可进一步于弹性部上设置多个第二沟槽，第一沟槽将第二沟槽围绕于内，各第二沟槽分别相邻于各第一沟槽。如此一来，有效控制微机电麦克风薄膜的弹性系数，并确保微机电麦克风薄膜的坚固性，也可获得对声音变化的高灵敏性。
[0010]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
【附图说明】
[0011]图1为本发明的微机电麦克风装置的剖面示意图；
[0012]图2A为本发明的微机电麦克风薄膜的立体示意图；
[0013]图2B为本发明的微机电麦克风薄膜的另一立体示意图；
[0014]图2C为本发明的微机电麦克风薄膜的又一立体示意图；
[0015]图2D为本发明的微机电麦克风薄膜的再一立体示意图；
[0016]图3为本发明的微机电麦克风装置的另一剖面示意图；
[0017]图4为本发明的微机电麦克风装置示范元件间的距离关系的剖面示意图；
[0018]图5为本发明的微机电麦克风装置的操作时的剖面示意图。
[0019]其中，附图标记
[0020]I 微机电麦克风装置
[0021]10 基板
[0022]102第一凹陷部
[0023]104第三凹陷部
[0024]12、12a?12d 微机电麦克风薄膜
[0025]122a ?122d 弹性部
[0026]1222a ?1222d 第一沟槽
[0027]1224c ?1224d 第二沟槽
[0028]124a ?124d 结合部
[0029]14氧化层
[0030]142第二凹陷部
[0031]16背板层
[0032]160缝隙
[0033]18阻挡块
[0034]20钝化层
【具体实施方式】
[0035]下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述:
[0036]以下所列举的各实施例中，将以相同的标号代表相同或相似的元件。
[0037]请一并参考图1与图2A，图1为本发明的微机电麦克风装置的剖面示意图，图2A为本发明的微机电麦克风薄膜的立体示意图。如图所示，微机电麦克风装置I包括基板10、微机电麦克风薄膜12(图2A中的12a)、氧化层14、背板层16、阻挡块18以及钝化层20。于实务上，微机电麦克风装置可使用标准化半导体工艺(CMOS process)制造出来，但本发明并不以此为限。
[0038]基板10具有第一凹陷部102。在本实施例中，第一凹陷部102可以经由半导体工艺处理而形成，而此半导体工艺处理例如为湿式蚀刻。并且，在形成第一凹陷部102后，于剖面图上看，第一凹陷部102可将基板10区分成左右两个部分，亦即第一凹陷部102大致上应位于基板的中央位置。在此，本实施例并不限制第一凹陷部102的形状，于俯视角度看，第一凹陷部102可以是圆形、矩形、多边形或其他可能的几何形状。此外，本实施例也不限制第一凹陷部102是否实际将基板10切分开来，从而形成两个以上的子基板。举例来说，于俯视角度看，当第一凹陷部102将基板10切分开来时，微机电麦克风装置I中位于基板10上层的元件可以设置在多个子基板之上。
[0039]以图2的例子来说，微机电麦克风薄膜12配置于基板10上方，设置在氧化层14中，且覆盖第一凹陷部102。进一步来说，微机电麦克风薄膜12可包括有氧化层(Oxidelayer)、多晶娃层(Poly-silicon layer)、接触层(Contact layer)及保护层(Passivat1nlayer)堆叠而成。于一个微机电麦克风薄膜12的例子中，先在基板10的表面上，形成微机电麦克风薄膜12的氧化层，接着在所述氧化层上，形成微机电麦克风薄膜12的多晶硅层，接着在所述多晶硅层上，形成微机电麦克风薄膜12的接触层，最后在所述接触层上，形成微机电麦克风薄膜12的保护层。
[0040]以图2A的例子来说，微机电麦克风薄膜12a包括弹性部122a与结合部124a。于实际操作上，弹性部122a受到声压时，会向上或向下振动一定程度的位移量。在此，本发明并不限制微机电麦克风薄膜12于氧化层14中的位置，举例来说，微机电麦克风薄膜la2也可以置于基板10与氧化层14的边界上，并同时接触基板10与氧化层14。
[0041]请继续参考图2A，弹性部122a具有多个第一沟槽1222a，且所述多个第一沟槽1222a彼此分离地沿弹性部122a的边缘排列。在此，图2A中的微机电麦克风薄膜12a以矩形为例，每一个第一沟槽1222a都接近微机电麦克风薄膜12a的侧边，但是仍在微机电麦克风薄膜12a内侧。在一个例子中，第一沟槽1222a贯穿弹性部122a的相对两面(即上表面与下表面)。相较于弹性部122a，结合部124a更接近微机电麦克风薄膜12a的边缘，大致来说，结合部124a可定义在微机电麦克风薄膜12a的边缘至弹性部122a之间。所述结合部124a虽在微机电麦克风薄膜12a的边缘，但其材料与微机电麦克风薄膜12a的中央位置的材料相同。第一沟槽1222a的宽度与微机电麦克风薄膜12a的宽度比至少小于1:200。
[0042]此外，结合部124a于功能上用以固定微机电麦克风薄膜12a于氧化层14上，故结合部124a至少会接触氧化层14。当然，随着微机电麦克风薄膜12a设置位置的改变，例如微机电麦克风薄膜12a置于基板10与氧化层14的边界时，结合部124a 亦有可能同时接触基板10与氧化层14。在本实施例中，微机电麦克风薄膜12a的形状是以方形为例，且材料为多晶硅。此外，微机电麦克风薄膜12a的厚度小于0.4微米(μ m)，且微机电麦克风薄膜12a的长度与宽度小于350微米。第一沟槽1222a与微机电麦克风薄膜12a的宽度比至少小于1:200。并且，第一沟槽1222a的形状例如为直条状。当然，本领域技术人员可以将第一沟槽1222a的形状设计成T形、C形、锯齿形或者其他可能的形状，本实施例在此不加以限制。
[0043]通过于微机电麦克风薄膜12a的弹性部122a设置第一沟槽1222a，可使得微机电麦克风薄膜12a可以具有更大的位移量。举例来说，本实施例的微机电麦克风薄膜12a于声压I帕斯卡(Pa)之下，微机电麦克风薄膜12a的位移量可超过100奈米(nm)，且微机电麦克风薄膜12的降伏应力(Yield Stress)大约在100帕斯卡(Pa)或小于100帕斯卡(Pa)。如此一来，本实施例可有效控制微机电麦克风薄膜12a的弹性系数，并确保微机电麦克风薄膜12a的坚固性，也可获得对声音变化的高灵敏性。
[0044]本发明并不限制微机电麦克风薄膜12的形状与内部结构，以下列举微机电麦克风薄膜12其他可能的实施方式。请参考图2B，图2B为本发明的微机电麦克风薄膜的另一立体示意图。微机电麦克风薄膜12b包括弹性部122b与结合部124b。微机电麦克风薄膜12b的形状亦可为圆形，其中弹性部122b具有多个第一沟槽1222b，而第一沟槽1222b沿弹性部122b的周围依序排列，且彼此相分离。并且，第一沟槽1222b贯穿弹性部122b的相对两面。当然，本发明并不限制第一沟槽1222b的数量，图2B以4个第一沟槽1222b为例，本领域技术人员可视需要自由设计第一沟槽1222b的数量。当然，本领域技术人员可以将第一沟槽1222b的形状设计成T形、C形、锯齿形或者其他可能的形状，本实施例在此不加以限制。
[0045]请参考图2C所示，图2C为本发明的微机电麦克风薄膜的又一立体示意图。在图2C中，微机电麦克风薄膜12c包括弹性部122c与结合部124c。与前述实施例不同的是，弹性部122c具有更多数量的沟槽，且沟槽多层地环绕着弹性部122c的周围。在此，部分的沟槽与微机电麦克风薄膜12c的侧边平行，本实施例称之为第一沟槽1222c，而部分的沟槽并不与微机电麦克风薄膜12c的任何一个侧边平行，本实施例称之为第二沟槽1224c。于实务上，第一沟槽1222c与第二沟槽1224c可以设计于多层沟槽结构中的同一层，且彼此交错排列。请注意，虽然本实施例绘示了第二沟槽1224c出现于多层沟槽结构的内圈，但本发明并不以此为限，第二沟槽1224c也可以设计在多层沟槽结构的最外圈，且与最外圈的第一沟槽1222c交错排列。
[0046]在一个例子中，第一沟槽1222c与第二沟槽1224c分别以对称的方式设计，例如4个长条形的第二沟槽1224c分别设计于弹性部122c的4个对角上，且第二沟槽1224c互相平行。并且，第一沟槽1222c与第二沟槽1224c的宽度相同。当然，本领域技术人员可以将第一沟槽1222c与第二沟槽1224c的形状设计成T形、C形、锯齿形或者其他可能的形状，本实施例在此不加以限制。这个设计除了仍然可以有效控制微机电麦克风薄膜12c的弹性系数，并确保微机电麦克风薄膜12c的坚固性，也可获得对声音变化的高灵敏性之外，还具有的好处在于，在微机电麦克风装置在进行湿式蚀刻时，可乘受较大的液体流动的容许力。
[0047]在前述实施例中，图2C的微机电麦克风薄膜12c的形状是以方形为例，但本发明不限于此，微机电麦克风薄膜12的形状亦可为圆形，如图2D所示，图2D为本发明的微机电麦克风薄膜的再一立体不意图。而图2D的微机电麦克风薄膜12d与图2C的微机电麦克风薄膜12c的差异在于形状以及沟槽的设计。在图2D中，微机电麦克风薄膜12d仍包括弹性部122d与结合部124d。弹性部122d具有多个不同长短的沟槽，较短的沟槽称为第一沟槽1222d，而较长的沟槽称为第二沟槽1224d，第一沟槽1222d与第二沟槽1224d多层地环绕着弹性部122d的周围。第一沟槽1222d与第二沟槽1224d分别以对称的方式设计，例如4个弧形的第一沟槽1222d与第二沟槽1224d交错排列，每一个第一沟槽1222d等长，每一个第二沟槽1224d等长，且第一沟槽1222d与第二沟槽1224d的宽度相同。当然，本领域技术人员可以将第一沟槽1222d与第二沟槽1224d的形状设计成T形、C形、锯齿形或者其他可能的形状，本实施例在此不加以限制。从而图2D的微机电麦克风薄膜12d仍可与图2C的微机电麦克风薄膜12c具有相同的效果。
[0048]请继续参考图1，氧化层14具有第二凹陷部142。氧化层14配置于基板10上，且氧化层14与结合部接触。从俯视的角度看，第二凹陷部142的结构可暴露出微机电麦克风薄膜12。在本实施例中，第二凹陷部142可以经由半导体工艺处理而形成，而此半导体工艺处理例如为湿式蚀刻。并且，在形成第二凹陷部142后，于剖面图上看，第二凹陷部151会将氧化层14区分成左右两个部分，亦即第二凹陷部142大致上应位于氧化层14的中央位置。在此，本实施例并不限制第二凹陷部142的形状，于俯视角度看，第二凹陷部142可以是圆形、矩形、多边形或其他可能的几何形状。此外，本实施例也不限制第二凹陷部142是否实际将氧化层14切分开来，从而形成两个以上的子氧化层。举例来说，于俯视角度看，当第二凹陷部142将氧化层14切分开来时子氧化层系分散地设置于基板10上。此外，微机电麦克风薄膜12的结合部固定于氧化层14中，区隔了下方的第一凹陷部102与上方的第二凹陷部142。
[0049]背板层16具有多个缝隙160。背板层16接触氧化层14，在此例子中，背板层16配置于氧化层14中。并且于俯视角度看，这些缝隙160与第二凹陷部142暴露出部分的微机电麦克风薄膜12。在本实施例中，缝隙160可以经由半导体工艺处理而形成，而此半导体工艺处理例如为湿式蚀刻。阻挡块18配置于微机电麦克风薄膜12与背板层16之间。阻挡块18与氧化层14连接，且位于第二凹陷部142。钝化层20配置于氧化层14上，且钝化层20并不是完整覆盖住氧化层14上侧的表面。也就是说，由俯视的角度看，可以透过钝化层20看到部分的背板层16。在一个例子中，阻挡块18可以是单一个环状结构设置于氧化层14中，或者可以设计多个阻挡块18分散地设置于氧化层14中，本实施例在此不加以限制。
[0050]在本实施例中，背板层16、阻挡块18、钝化层20都可以经由半导体工艺处理而形成，而此半导体工艺处理例如为湿式蚀刻。值得注意的是，背板层16、阻挡块18、钝化层20并不是必要的结构，若微机电麦克风装置I没有背板层16、阻挡块18或钝化层20，也能够实现完整的功能。
[0051]在一个例子中，基板10也可以有特殊的设计以增强结构强度。请参考图3，图3为本发明的微机电麦克风装置的另一剖面示意图。如图3所示，基板10具有至少一个第三凹陷部104，第三凹陷部104的开口在基板10的底面(相对于设置氧化层14的另一面)且第三凹陷部104可以环绕第一凹陷部102。举例来说，若从基板10的底面仰视，第三凹陷部104位于第一凹陷部102至基板10的边缘之间，且第三凹陷部104不与第一凹陷部102互相连通。在此，第三凹陷部104的形状与第一凹陷部102的形状没有一定的关联性，例如从基板10的底面看入，第一凹陷部102的形状是圆形，第三凹陷部104的形状可以是圆形、方形、多边形或者其他的形状，只要第三凹陷部104环绕着第一凹陷部102，都应属于本案第三凹陷部104揭示的范畴。
[0052]在另一个例子中，基板10具有多个第三凹陷部104，虽然剖面图与前一个例子相同，但从基板10的底面仰视，所述多个第三凹陷部104彼此分离地沿基板10的边缘排列，且这些第三凹陷部104位于第一凹陷部102至基板10的边缘之间。当然，本实施例不限制第三凹陷部104的数量与相对关系，本领域技术人员可自由设计。在此，不论是以一个或多个第三凹陷部104环绕着第一凹陷部102，都可以使基板10通过第三凹陷部104具有类似弹簧的缓冲特性。并且，由 图3可以得知，第三凹陷部104的面积小于第一凹陷部102的面积。因此，在由娃片上对微机电麦克风装I进彳丁裂片处理时，可有效减少向基板10的左右两侧拉扯的拉伸力(Expans1n force)，进而避免微机电麦克风装置I的微机电麦克风薄膜12产生受损、皱折及结构被破坏等情况，并提升微机电麦克风装置I的合格率。
[0053]为了使本领域技术人员能了解微机电麦克风装置I的各个元件间的距离关系，请参考图4，图4为本发明的微机电麦克风装置于示范元件间的距离关系的剖面示意图。如图4所示，微机电麦克风薄膜12与基板10之间具有第一距离D1，微机电麦克风薄膜12与阻挡块18之间具有第二距离D2，阻挡块18与背板层16之间具有第三距离D3，背板层16与钝化层20之间具有第四距离D4。其中，第一距离Dl在0.01至I微米之间，例如为0.05微米或0.1微米。第二距离D2在0.01至I微米之间，例如为0.5或0.8微米。第三距离D3在0.01至I微米之间，例如为0.5或0.8微米，第四距离D4在0.01至I微米之间，例如为0.3或0.5微米。背板层16的缝隙160的长度分别在I至5微米之间，例如为2.5或3微米。此外，微机电麦克风薄膜12与背板层16例如相距第五距离D5，而此第五距离在I至5微米之间，例如为2、2.18,2.5或3微米。微机电麦克风薄膜12的长度与宽度小于350微米。通过上述的配置，当微机电麦克风装置I以湿式蚀刻的方式形成各凹陷部及缝隙时，可有效防止微机电麦克风薄膜12与背板层16之间发生吸附效应(Stict1n Effect)，以及防止蚀刻液蚀刻掉不应该被蚀刻掉的氧化层14。
[0054]此外，当图4中的微机电麦克风薄膜12 (例如弹性部)受到声压时，会向上或向下振动一定程度的位移量。此时请参考图5，图5为本发明的微机电麦克风装置的于操作时的剖面示意图。如图5所示，若微机电麦克风薄膜12所受到的声压F大于微机电麦克风装置I所能承受的预设声压时，通过阻挡块18阻挡微机电麦克风薄膜12与背板层16的接触，以避免前述的接触而造成短路现象，使得微机电麦克风装置I损坏的情况产生。
[0055]综上所述，本发明所揭露的微机电麦克风装置，通过于微机电麦克风薄膜的弹性部上设置多个第一沟槽，且这些第一沟槽沿弹性部的周围依序排列。另外，还可进一步于弹性部上设置多个第二沟槽，第一沟槽将第二沟槽围绕于内，各第二沟槽分别相邻于各第一沟槽。如此一来，有效控制微机电麦克风薄膜的弹性系数，并确保微机电麦克风薄膜的坚固性，也可获得对声音变化的高灵敏性。
[0056]当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种微机电麦克风装置，其特征在于，包括: 一基板，具有一第一凹陷部； 一微机电麦克风薄膜，位于该基板上方，且覆盖该第一凹陷部并定义出一第一空腔，该微机电麦克风薄膜包括: 一弹性部，位于该微机电麦克风薄膜的中央位置，且被多个第一沟槽包围，该多个第一沟槽彼此分离地沿该弹性部的边缘排列，且该多个第一沟槽贯穿该弹性部的相对两面；以及 一结合部，位于该微机电麦克风薄膜的边缘位置，连接该弹性部；以及 一氧化层，具有一第二凹陷部，连接该微机电麦克风薄膜的该结合部，该第二凹陷部暴露出至少部分的该微机电麦克风薄膜。2.如权利要求1所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该基板上具有至少一第三凹陷部，该第三凹陷部环绕该第一凹陷部。3.如权利要求2所述的微机电麦克风装置，其特征在于，还包含: 一背板层，具有多个缝隙，该背板层配置于该氧化层，透过该多个缝隙与该第二凹陷部暴露出部分的该微机电麦克风薄膜。4.如权利要求3所述的微机电麦克风装置，其特征在于，还包含: 至少一阻挡块，配置于该微机电麦克风薄膜与该背板层之间，而该阻挡块与该氧化层连接，且位于该第二凹陷部内。5.如权利要求4所述的微机电麦克风装置，其特征在于，还包含: 一钝化层，配置于该氧化层上，且该钝化层暴露出部分的该背板层。6.如权利要求5所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该微机电麦克风薄膜与该基板之间具有一第一距离，该微机电麦克风薄膜与该阻挡块之间具有一第二距离，该阻挡块与该背板层之间具有一第三距离，该背板层与该钝化层之间具有一第四距离，该第一距离、该第二距离、该第三距离与该第四距离均在0.0l至0.1微米之间。7.如权利要求3所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该背板层的该多个缝隙的长度分别为3微米。8.如权利要求3所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该微机电麦克风薄膜与该背板层相距一第五距离，该第五距离在为I至3微米之间。9.如权利要求2所述的微机电麦克风装置，其特征在于，于平行该基板上下表面的一横切面上，该第三凹陷部的面积小于该第一凹陷部的面积。10.如权利要求1所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该基板上具有多个第三凹陷部，该多个第三凹陷部彼此分离地沿该基板的边缘排列。11.如权利要求10所述的微机电麦克风装置，其特征在于，还包含: 一背板层，具有多个缝隙，该背板层配置于该氧化层，透过该多个缝隙与该第二凹陷部暴露出部分的该微机电麦克风薄膜。12.如权利要求11所述的微机电麦克风装置，其特征在于，还包含: 至少一阻挡块，配置于该微机电麦克风薄膜与该背板层之间，而该阻挡块与该氧化层连接，且位于该第二凹陷部内。13.如权利要求12所述的微机电麦克风装置，其特征在于，还包含: 一钝化层，配置于该氧化层上，且该钝化层暴露出部分的该背板层。14.如权利要求13所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该微机电麦克风薄膜与该基板之间具有一第一距离，该微机电麦克风薄膜与该阻挡块之间具有一第二距离，该阻挡块与该背板层之间具有一第三距离，该背板层与该钝化层之间具有一第四距离，该第一距离、该第二距离、该第三距离与该第四距离皆在0.0l至I微米之间。15.如权利要求11所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该背板层的该多个缝隙的长度分别在I至5微米之间。16.如权利要求11所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该微机电麦克风薄膜与该背板层相距一第五距离，该第五距离在为I至5微米之间。17.如权利要求1所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该微机电麦克风薄膜的厚度小于0.4微米。18.如权利要求1所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该微机电麦克风薄膜的长度与宽度小于350微米。19.如权利要求1所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该多个第一沟槽的宽度与该微机电麦克风薄膜的宽度比小于1:200。20.如权利要求1所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该微机电麦克风薄膜的形状为圆形或方形。21.如权利要求1所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该弹性部还具有多个第二沟槽与多个第三沟槽，该多个第一沟槽将该多个第二沟槽与该多个第三沟槽围绕于内，且该多个第二沟槽与该多个第三沟槽交错排列，各该第二沟槽分别相邻且平行于各该第一沟槽，各该第三沟槽分别位于相邻的两个该多个第二沟槽之间，且该多个第三沟槽两两对称而位于该弹性部的对角。22.如权利要求21所述的微机电麦克风装置，其特征在于，该多个第一沟槽、该多个第二沟槽及该多个第三沟槽的形状为直条状。
【专利摘要】一种微机电麦克风装置，包括基板、微机电麦克风薄膜与氧化层。基板具有第一凹陷部。微机电麦克风薄膜位于基板上方且覆盖第一凹陷部并定义出第一空腔，微机电麦克风薄膜包括弹性部与结合部。弹性部位于微机电麦克风薄膜的中央位置，且被多个第一沟槽包围，所述多个第一沟槽彼此分离地沿弹性部的边缘排列并贯穿弹性部的相对两面。结合部位于微机电麦克风薄膜的边缘位置，连接弹性部。氧化层具有第二凹陷部，连接微机电麦克风薄膜的结合部，第二凹陷部暴露出至少部分的微机电麦克风薄膜。
【IPC分类】H04R19/04
【公开号】CN104883651
【申请号】CN201510063342
【发明人】刘茂诚, 赵皓名, 周文介, 吕柏纬, 翁淑怡, 王竣傑
【申请人】先技股份有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年2月6日
【公告号】US20150245146