导电膜、具备该导电膜的显示装置以及导电膜的图案的决定方法
导电膜、具备该导电膜的显示装置以及导电膜的图案的决定方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种导电膜、具备该导电膜的显示装置W及导电膜的图案的决定方 法，详细而言，设及一种被用作网（mesh)透明导电膜且具有网孔图案的导电膜、具备该导 电膜的显示装置W及导电膜的图案的决定方法，在该网孔图案的设计中通过在设计时将电 极考虑在内而使可被见到的叠纹的频谱（spectrum)强度W及频率存在于规定的频率W及 强度范围内。
【背景技术】
[0002] 作为设置于显示装置（W下，也称作显示器）的显示单元上的导电膜，例如可列举 电磁波屏蔽用的导电膜或触控传感器（触摸屏）用的导电膜等（例如，参照专利文献1、专 利文献2W及专利文献3)。
[0003] 本申请人的申请案的专利文献1中揭示了具有包含网状导电性金属薄膜的电磁 波屏蔽图案的电磁波屏蔽用导电膜，也揭示了如下内容：自动地选定利用例如显示器的像 素阵列图案（例如，黑色矩阵化lackmatrix) (W下也称作BM)图案）等第1图案、W及例如 电磁波屏蔽图案等第2图案各自的图案数据的二维傅里叶频谱（two-dimensionalFourier spectrum，2DFFTSp)的频谱波峰间的相对距离超过规定的空间频率，例如8cm-i的第2图案 数据而生成的第2图案。
[0004] 另外，专利文献1中也揭示了如下内容：在上述相对距离不超过规定的空间频率 的情况下，重复进行使第2图案数据的旋转角度、间距、图案宽度中的任一个W上发生变化 而生成新的第2图案数据，直至上述相对距离超过规定的空间频率为止。
[0005] 该样，在专利文献1中，可自动地选定可抑制叠纹的产生且也可避免表面电阻率 的增大或透明性的劣化的电磁波屏蔽图案。
[0006] 另一方面，就迅速的响应性、高解析能力、大尺寸化、低制造成本化等方面而言， 触摸屏用导电膜中，使用金属等不透明的导电性材料来代替现有的透明氧化铜锡（Indium TinOxides,IT0)而作为网状配线材料。为了使用此种导电膜实现触摸屏，导电膜必须具 有用W对所触控的位置进行检测的分辨率。在利用导电膜的网状导体配线而具备IT0等透 明导电膜功能的情况下，对整个面总体的网状配线，在特定的网状配线中设置切断部而附 加断线，由此必须将与上述分辨率相当的检测用配线区域，与无助于检测的虚设配线区域 分隔开来。
[0007] 专利文献2中揭示的触摸屏中，在利用介隔绝缘层而在两侧W交叉方式设置的两 种金属（不透明的导电性材料）制检测用配线而包围的多个虚设配线区域，将孤立配线与 检测用配线平行或垂直或者倾斜45°而配置，从而在包含两种检测用配线的检测用配线区 域与虚设配线区域之间形成切断部（断线化reak))而将两者分离。
[0008] 该样，专利文献2中，可获得响应速度快、可减少显示不均或叠纹且可见性高而容 易大型化的触摸屏。
[0009] 而且，在揭示有静电电容式触摸屏（触控开关）用的导电膜（面状体）的专利文 献3中，将包含导体线的网眼（网）状电极划分为：隔开规定间隔而大致平行地配置的多个 导电部区域，及配置于各导电部区域之间的非导电部区域，非导电部区域具备将导体线切 断为岛状的多个切断部（断线），可利用该些切断部使非导电部区域（虚设配线区域）与邻 接的导电部区域（检测配线区域）之间绝缘。
[0010] 该样，专利文献3中，提供一种防止产生网眼密度的不均（网眼的偏向存在）而可 见性下降，从而可提高可见性，并且可高效地制造的面状体W及触控开关。
[0011] 现有技术文献 [001引专利文献
[0013] 专利文献1 ;日本专利特开2009-117683号公报
[0014] 专利文献2 ;日本专利特开2010-097536号公报
[0015] 专利文献3 ;日本专利特开2010-262529号公报
【发明内容】
[0016] 发明所要解决的问题
[0017] 然而，专利文献1虽为如下技术，即，当生成导电膜的配线图案时，仅根据显示器 的BM(黑色矩阵）/配线图案的频率信息控制叠纹频率，而提供可见性优异的配线图案，但 因叠纹可见/不可见的判定仅依存于频率，故专利文献1中即便在判定为叠纹不可见的频 率的情况下，人对叠纹的知觉不仅受到频率影响也受到强度影响，因此有时会根据强度而 叠纹可见，从而存在叠纹的可见性未得到充分提高的问题。
[0018] 尤其在将专利文献1中揭示的技术应用于触摸屏用的导电膜的情况下，必须在网 状导体配线中设置多个切断部（断线），然而若设置该些切断部，则也会存在如下问题，即， 网状导体配线的配线图案的空间频率特性发生变化，或因被人的手指等按压，故在BM/配 线图案间产生微小的变形，从而助长因强度而叠纹可见，从而有叠纹的可见性的提高不充 分的问题。
[0019] 因此，为了设计叠纹可见性优异的图案，重要的是在设计时将切断部（断线）考虑 在内，但该现有技术中并未设及到该方面。
[0020] 而且，专利文献2中，在由包含两种检测用配线的检测用配线区域所包围的多个 虚设配线区域，将孤立配线与检测用配线平行或垂直或者倾斜45°而配置，因此两种检测 用配线与孤立配线之间的切断部所引起的断线被有规则地设置着，因此该规则的断线的周 期会对可见的叠纹造成影响，从而存在无法充分提高叠纹的可见性的问题。
[0021] 进而，专利文献3中，为了使导电部区域与非导电部区域之间绝缘，切断网眼状电 极的导体线的多个切断部设置于网眼状电极的导体线的交叉部。因此，该些切断部基本上 有规则地设置于网眼状电极，因而该规则的断线的周期会对可见的叠纹造成影响，从而存 在无法充分提高叠纹的可见性的问题。
[002引尤其若触摸屏大尺寸（大型）化，则必须使用金属等不透明的导电性材料，但为了 要求规定的解析能力或者高的解析能力，则叠纹的可见性成为大问题。
[0023] 进而，本申请人在日本专利特愿2012-082711号说明书中，提出有如下导电膜， 即，算出显示器的BM(像素矩阵）化及导电膜的网状配线的配线图案（网孔图案）的空间 频率波峰，利用根据各个空间频率波峰差分、波峰强度积算值而获得的叠纹的二维频率w及频谱强度、与视觉传递函数（visualtransferfunction)的卷积（convolution),来算出 评价值，且所述导电膜具有该评价值满足预先设定的条件的配线图案。
[0024]在将此种导电膜用于触摸屏的情况下，与上述专利文献2W及专利文献3等中记 载的现有技术的触摸屏用导电膜同样地，必须将用W隔开确保网状配线的分辨率的检测用 配线区域与虚设配线区域的多个断线部（切断部；断线）设置于网状配线而附加多个断线。 如上述现有技术那样，为了满足触摸屏所要求的特定的分辨率，而且，为了将分辨率区域的 静电电容设为固定，一般而言有规则地赋予该些断线部。然而，存在该规则的断线的周期成 为叠纹可见的主要原因的问题。该样，规则的断线的周期会对可见的叠纹造成影响，从而产 生无法充分提高叠纹的可见性的问题，但在本申请人W前提出的技术中、上述现有技术中 均未设及到该方面。
[002引本发明的目的在于消除上述现有技术的问题，而提供一种可抑制叠纹的产生且可 大幅提高可见性的导电膜、具备该导电膜的显示装置W及导电膜的图案的决定方法。
[0026] 而且，本发明的目的在于尤其提供一种如下的导电膜、具备该导电膜的显示装置 W及导电膜的图案的决定方法，上述导电膜即便在设置于显示装置的显示单元上的导电膜 的具有包含金属细线的网孔图案的网状配线具有多个断线部的情况下也可抑制叠纹的产 生且可大幅提高可见性。
[0027] 进而，本发明的目的在于尤其提供一种如下的导电膜、具备该导电膜的显示装置 W及导电膜的图案的决定方法，上述导电膜在将包括具有多个断线部的网状配线的透明导 电膜用作必须进行大尺寸化、高分辨率化的触摸屏用电极的情况下，可抑制将导电膜重叠 于显示装置的显示单元的黑色矩阵而可见时成为大的画质障碍的叠纹的发生，从而可大幅 提高触摸屏上的显示的可见性。
[0028] 解决问题的技术手段
[0029] 为了达成上述目的，本发明人对即便对于显示单元的黑色矩阵进行重叠而叠纹也 不可见的导电膜的网孔图案反复进行了积极研究，结果发现；在现有技术或本申请人的现 有申请案的导电膜中，因规则的周期的断线而叠纹可见的原因为如图17(A) W及图17炬） 所示，在仅网孔图案（无断线）的情况下与具有规则的周期的断线的网孔图案（有断线） 的情况下存在空间频率特性的差异，从而可利用该差异对上述原因进行说明。
[0030] 此处，图17(A) W及图17做分别表示无断线（断线部）且叠纹的可见性得W适 当化的网孔图案（无断线）W及具有规则的周期的断线的网孔图案（有断线）的情况下的 空间频率特性的图。根据图17(A) W及图17炬）可知，在具有规则的周期的断线的网孔图 案中，频谱强度并非特别高，而频谱波峰的数量增加。
[0031] 该样，本发明人根据图17(A) W及图17做而发现，根据有无断线，而网孔图案的 空间频率特性发生变化，该变化会对叠纹的可见性造成影响，因此为了设计叠纹可见性优 异的图案，重要的是在设计时将断线考虑在内，从而完成了本发明。
[0032] 也即，本发明的第1形态的导电膜设置于显示装置的显示单元上，其特征在于包 括；透明基体；W及网状配线，形成于透明基体的至少一面，具有包含图案化的多个金属细 线的网孔图案，网状配线的网孔图案重叠于显示单元的像素阵列图案，叠纹的最低频率的 频谱强度W常用对数计为-3.6W下，上述叠纹由至少正面观察时的网孔图案的空间频率 特性与显示单元的像素阵列图案的空间频率特性的卷积来表示。
[0033] 此处，优选为网状配线包括；电极部，具备由多个金属细线W连续的方式形成为网 状的电极配线图案；W及非电极部，具备由多个金属细线形成为网状且具有多个断线部而 非连续的非电极配线图案，且与电极部绝缘，网状配线的网孔图案包含电极部的电极配线 图案、及与该电极配线图案绝缘的非电极部的非电极配线图案，网孔图案的空间频率特性 为至少正面观察时的包含多个断线部的网孔图案的空间频率特性。
[0034] 而且，为了达成上述目的，本发明的第2形态的导电膜的配线图案的决定方法中， 上述导电膜设置于显示装置的显示单元上且形成有网状配线，上述网状配线具有由图案化 的多个金属细线W连续的方式形成为网状的网孔图案，上述导电膜的网孔图案的决定方法 的特征在于；获取网孔图案的透过率周期图像数据、与重叠有网孔图案的显示单元的像素 阵列图案的透过率周期图像数据，对获取的网孔图案的透过率周期图像数据W及像素阵列 图案的透过率周期图像数据进行二维傅里叶变换，获得至少正面观察时的网孔图案的空间 频率特性W及像素阵列图案的空间频率特性，根据所获得的网孔图案的空间频率特性与像 素阵列图案的空间频率特性，算出由两者的卷积表示的叠纹的频率W及频谱强度，求出所 算出的叠纹的频率内的最低频率，将该最低频率的频谱强度与W常用对数计的-3. 6相比， 当由常用对数定义的叠纹的频谱强度为-3.6W下时，将网孔图案设定为导电膜的网孔图 案，当叠纹的频谱强度超过-3. 6时，将网孔图案的透过率周期图像数据变更为新的网孔图 案的透过率周期图像数据，并重复进行空间频率特性的获取、叠纹的频率W及频谱强度的 算出、W及叠纹的最低频率的频谱强度与- 3. 6的比较的各步骤，直至叠纹的最低频率的频 谱强度为-3.6W下为止。
[0035] 此处，优选为网状配线具有网孔图案，上述网孔图案包括；电极配线图案，由多个 金属细线W连续的方式形成为网状；W及非电极配线图案，由多个金属细线形成为网状、具 有多个断线部且与电极配线图案非连续地绝缘，网孔图案的透过率周期图像数据为具备具 有多个断线部的非电极配线图案的网孔图案的透过率周期图像数据，网孔图案的空间频率 特性为至少正面观察时的包含多个断线部的网孔图案的空间频率特性。
[0036] 而且，优选为根据所获得的网孔图案的空间频率特性，从网孔图案的透过率周期 图像数据的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰内抽出其波峰强度W常用对数计为-4. 5W上 的频谱波峰，并算出所抽出的所有频谱波峰的波峰频率W及波峰强度，并且根据所获得的 像素阵列图案的空间频率特性，从像素阵列图案的透过率周期图像数据的二维傅里叶频谱 的多个频谱波峰内抽出其波峰强度W常用对数计为-4.5W上的频谱波峰，并算出所抽出 的所有频谱波峰的波峰频率W及波峰强度，根据如此所算出的网孔图案的波峰频率W及波 峰强度与像素阵列图案的波峰频率W及波峰强度，而分别算出叠纹的频率W及频谱强度。
[0037] 上述第1形态中，优选为叠纹的频率由网孔图案的波峰频率与像素阵列图案的波 峰频率的差分而赋予，叠纹的频谱强度由网孔图案的波峰强度与像素阵列图案的波峰强度 的乘积而赋予。
[0038] 而且，上述第2形态中，优选为求出网孔图案的波峰频率与像素阵列图案的波峰 频率的波峰频率彼此的差分，来作为叠纹的频率，求出网孔图案的波峰强度与像素阵列图 案的波峰强度的两组矢量强度的乘积，来作为叠纹的频谱强度。
[0039] 而且，上述第1形态及第2形态中，优选为波峰强度为波峰位置周边的多个像素内 的强度的和，而且，优选为波峰强度利用网孔图案w及像素阵列图案的透过率周期图像数 据而得W标准化。
[0040] 为了达成上述目的，本发明的第3形态的导电膜设置于显示装置的显示单元上， 其特征在于包括；透明基体；W及网状配线，形成于透明基体的至少一面，且具有包含图案 化的多个金属细线的网孔图案，网状配线包括；电极部，具备由多个金属细线W连续的方式 形成为网状的电极配线图案；W及非电极部，具备由多个金属细线形成为网状且具有多个 断线部而非连续的非电极配线图案，且与电极部绝缘，网状配线的网孔图案包含电极部的 电极配线图案、及与该电极配线图案绝缘的非电极部的非电极配线图案，并重叠于显示单 元的像素阵列图案，在使非电极部的非电极配线图案的多个断线部连接的情况下，网状配 线的网孔图案的叠纹不可见，非电极部的非电极配线图案为无规地配置着多个断线部的无 规配线图案。
[0041] 而且，上述第1形态、第2形态W及第3形态中，优选为叠纹的频率为3周期/毫 米W下。
[0042] 而且，优选为非电极部的非电极配线图案在除电极部W外的区域内由多个金属细 线形成为网状。
[0043] 而且，优选为像素阵列图案为黑色矩阵图案。
[0044] 为了达成上述目的，本发明的第4形态的显示装置的特征在于包括；显示单元；W 及上述第1形态及第3形态的导电膜，设置于该显示单元上。
[0045] 为了达成上述目的，本发明的第5形态的触摸屏显示装置的特征在于包括；第4形 态的显示装置；W及透明基板，配置于显示装置的导电膜的上侧，且在导电膜的相反侧具备 触控面。
[0046] 发明的效果
[0047] 根据本发明，因如W上那样构成，故即便在使用设置于显示装置的显示单元上的 导电膜的情况下，且即便在具备包含金属细线的网孔图案的网状配线具有多个断线部的情 况下，也可抑制叠纹的产生，从而可大幅提高可见性。
[0048] 根据本发明，尤其在将包括具有多个断线部的网状配线的透明导电膜用作必须进 行大尺寸化、高分辨率化的触摸屏用电极的情况下，可抑制将导电膜重叠于显示装置的显 示单元的黑色矩阵而可见时成为大的画质障碍的叠纹的发生，从而可大幅提高触摸屏上的 显示的可见性。
【附图说明】
[0049] 图1是示意性地表示本发明的第1实施形态的导电膜的一例的平面图。
[0050] 图2是图1所示的导电膜的部分放大平面图。
[0051] 图3是图2所示的导电膜的部分放大平面图，且是表示其网孔图案的多个断线部 的一例的示意图。
[0052] 图4是图3所示的导电膜的示意性部分剖面图。
[0053] 图5是示意性地表示本发明的第2实施形态的导电膜的一配线层的一例的平面 图。
[0054] 图6是图5所示的导电膜的配线层的部分放大平面图，且是表示其网孔图案的多 个断线部的一例的示意图。
[0055] 图7是图6所示的导电膜的示意性部分剖面图。
[0056] 图8是表示应用本发明的导电膜的显示单元的一部分的像素阵列图案的一例的 概略说明图。
[0057] 图9是装入图7所示的导电膜的显示装置的一实施例的概略剖面图。
[0058] 图10是表示本发明的导电膜的网孔图案的决定方法的一例的流程图。
[0059] 图11(A)是表示应用本发明的导电膜的显示单元的像素阵列图案的一例的概略 说明图，图11炬）是表示重叠于图11(A)的像素阵列图案的导电膜的配线图案的一例的概 略说明图，图11(C)是图11(A)的像素阵列图案的部分放大图。
[0060] 图12(A)化及图12做分别是表示图11(A)所示的像素阵列图案化及图11做所 示的配线图案的各透过率周期图像数据的二维傅里叶频谱的强度特性的图。
[006。图13是表示图11(A)所示的显示单元的像素阵列图案的频率波峰位置的图表
[0062] 图14(A) W及图14炬）分别是将二维傅里叶频谱的强度特性的一例由曲线表示的 图表W及由条形表示的条形图。
[0063] 图15是示意性地表示因图11(A)所示的像素阵列图案与图11炬）所示的配线图 案的干设而产生的叠纹频率信息W及叠纹的频谱强度的概略说明图。
[0064] 图16是表示比较例1的网孔图案的仿真样本的平面图。
[00财图17(A)化及图17做分别是表示无断线（断线部）的网孔图案（无断线）化及 具有规则周期的断线的网孔图案（有断线）的情况下的空间频率特性的图。
【具体实施方式】
[0066] W下，参照随附图式所示的优选的实施形态对本发明的导电膜W及导电膜的图案 的决定方法进行详细说明。
[0067] W下，对本发明的导电膜，W在网状配线中具备断线部的触摸屏用的导电膜作为 代表例进行说明，但本发明并不限定于此，只要为设置于液晶显示器（LCD liquid化ystal Display)或等离子体显示器（PDP;Plasma Display Panel)或有机电致发光巧lectro Luminescence，EL)显不器（0ELD；0rganic Electro Luminescence Display)或无机EL显 示器等显示装置的显示单元上的导电膜，则为任一个均可，例如，只要在网状配线中具备断 线部，则当然也可为电磁波屏蔽用的导电膜等。
[006引图1、图2 W及图3分别是示意性地表示本发明的第1实施形态的导电膜的一例的 整体平面图，其部分放大平面图W及进一步放大而示意性地表示其网孔图案的多个断线部 的一例的部分平面示意图，图4是图3所示的导电膜的示意性部分剖面图。另外，图1中， 为了容易理解，将导电膜的网状配线的电极部表示为由粗线包围的区域，将虚设电极部表 示为斜线区域。而且，图2~图3中，为了容易理解，在导电膜的网状配线的网孔图案内，由 粗线表示电极配线图案，由细线表示虚设电极图案，但它们是由相同而不透明的金属细线 形成，就粗细而言，当然并无不同。
[0069] 如该些图所示，本实施形态的导电膜10设置于显示装置的显示单元上，是形 成有网状配线的导电膜，该网状配线具有在抑制相对于显示单元的黑色矩阵炬M;Black Matrix)而产生叠纹方面优异的网孔图案（配线图案），尤其在重叠于BM图案时相对于BM 图案而叠纹的可见性方面得W最佳化的网孔图案。该导电膜10包括；透明基体12 ;配线层16,形成于透明基体12的一面（图4中上侧的面）的大致整个面，且包含图案化的多个不 透明的金属制的细线（W下称作金属细线）14 及保护层20, W被覆金属细线14的方式 经由粘接层18而粘接于配线层16的金属细线14的大致整个面。
[0070] 透明基体12包含具有绝缘性且透光性高的材料，例如可列举树脂，玻璃、娃等材 料。作为树脂，例如可列举聚对苯二甲酸己二醋（Polyet的leneTere地thalate，阳T)、聚 甲基丙締酸甲醋（Polymethylmethac巧late,PMMA)、聚丙締（polypropylene,PF〇、聚苯己 締（polystyrene，PS)等。
[0071] 配线层16具备包含多个金属细线14的网状配线22。金属细线14只要为导电性 高的金属制的细线则不作特别限制，例如可列举包含金（Au)、银（Ag)或铜（化）的线材等的 细线。就金属细线14的线宽而言，自可见性方面考虑，优选的是细线宽，例如，为30ymW 下即可。另外，触摸屏用途中，金属细线14的线宽优选为0. 1ymW上、15ymW下，更优选 为1ymW上、9ymW下，进而优选为2ymW上、7ymW下。
[0072] 详细而言，网状配线22具有将两个方向的多个金属细线14W交叉方式配线而成 的配线图案，也即，将多个金属细线14W网状排列而成的网孔图案24。图示例中，由网孔图 案24形成的开口部23的网形状为菱形，可称作菱形图案，但本发明并不限定于此，只要可 构成相对于后述的规定的BM图案而叠纹可见性最佳化的网孔图案24,且只要为具有至少 S边的多边形状，则可为任一形状，而且，可为相同的网形状，也可为不同的网形状，例如， 可列举正=角形、等腰=角形等=角形，或正方形、长方形等四边形（矩形）或五边形或六 边形等相同或不同的多边形等。也即，只要为相对于规定的BM图案而叠纹可见性最佳化的 网孔图案，则也可为由具有规则性的开口部23的排列而构成的网孔图案，还可为由不同形 状的开口部23的排列而无规化的网孔图案。
[0073] 网状配线22包括；电极部22a，具备由多个金属细线14W连续方式形成为网状的 电极配线图案24a;W及虚设电极部（非电极部）2化，具备由多个金属细线同样地形成为网 状且具有多个断线部26而非连续的虚设电极（非电极）配线图案24b，且与电极部22a绝 缘。此处，电极部22a的电极配线图案24a与虚设电极部22b的虚设电极配线图案24b在 图示例中，为具有相同网形状（菱形）的配线图案，将两者合成而形成为网状配线22的网 孔图案24。
[0074] 此处，图示例的电极部22a的电极配线图案24a为构成X电极的电极图案，但本发 明并不限定于此，只要为用于静电电容式触控传感器（面板）的电极图案，则可为任一图 案，例如，也可为条状电极、条带状炬arandStripe)电极、菱形电极、雪花状（snowflake) 电极等现有公知的电极图案。
[00巧]电极部22a中形成为网状的金属细线14不具有断线部26而连续，与此相对，虚设 电极部22b中形成为网状的金属细线14中设置着多个断线部（切断部）26,从而附加有多 个断线。在电极部22a中的金属细线14与虚设电极部22b中的金属细线14之间，必须设 置断线部26,电极部22a的金属细线14与虚设电极部22b的金属细线14断线而不连续。 也即，虚设电极部2化与电极部22a电性绝缘。
[0076] 根据W上，网状配线22的网孔图案24成为包含多个断线部26的网孔图案。另外， 关于本发明的导电膜10的网状配线22的网孔图案24所需的构成，将在W下进行叙述。
[0077] 作为粘接层18的材料，可列举湿式层叠（wetlaminate)粘接剂、干式层叠（化y laminate)粘接剂、或热烙化otmelt)粘接剂等。
[007引保护层20与透明基体12同样地，包含含树脂、玻璃、娃的透光性高的材料。保护 层20的折射率nl优选为与透明基体12的折射率nO相等或为与其接近的值。该情况下， 透明基体12相对于保护层20的相对折射率nrl为接近于1的值。
[0079] 此处，本说明书中的折射率是指波长589. 3nm(钢的D线）的光的折射率，例如对 于树脂而言，由作为国际标准规格的国际标准化组织（International化ganization化r Standardization,ISO) 14782 ; 1999 (与日本工业规格（JapaneseIndustrialStandards， JI巧K7105相对应）而定义。而且，透明基体12相对于保护层20的相对折射率nrl由nrl =(nl/nO)定义。此处，相对折射率nrl处于0.86W上、1.15W下的范围即可，更优选为 0. 91W上、1. 08W下。
[0080] 通过将相对折射率nrl的范围限定为该范围，W控制透明基体12与保护层20的 构件间的光的透过率，由此可进一步提高、改善叠纹的可见性。
[0081] 上述第1实施形态的导电膜10仅在透明基体12的一面具有配线层16,但本发明 并不限定于此，也可在透明基体12的两面具有配线部。
[0082] 图5W及图6分别是示意性地表示本发明的第2实施形态的导电膜的一侦U、也即 下侧的第2配线层的一例的平面图，W及部分放大平面示意图，且示意性地表示其网孔图 案的多个断线部的一例，图7是示意性地表示图6所示的导电膜的部分剖面图。另外，图5 中，为了容易理解，将导电膜的网状配线的电极部表示为斜线区域，将虚设电极部表示为由 一点链线包围的区域。而且，图6中，为了容易理解，在导电膜的网状配线的网孔图案内，由 粗线表示电极配线图案，由细线表示虚设电极图案，但它们是由相同而不透明的金属细线 形成，就粗细而言，当然并无不同。
[0083] 另外，图7所示的本第2实施形态的导电膜的另一侧、也即上侧的第1配线层的平 面图中，因与图1~图3所示的本第1实施形态的导电膜的平面图相同，故此处省略。
[0084] 如图7所示，本第2实施形态的导电膜11包括；形成于透明基体12的一（图7 的上侧）面的第1配线层16a，形成于透明基体12的另一（图7的下侧）面的第2配线层 16b，经由第1粘接层18a而粘接于第1配线层16a的大致整个面的第1保护层20a，W及经 由第2粘接层18b而粘接于第2配线层16b的大致整个面的第2保护层20b。
[0085] 另外，如上述那样，透明基体12包含绝缘性材料，第2配线层1化处于与第1配线 层16a电性绝缘的状态。而且，第1配线层16a、W及第2配线层1化可分别由与图4所示 的导电膜10的配线层16相同的材料而相同地形成。
[0086] 本实施形态的导电膜11的第1配线层16a此处并未图示，但与图1~图3所示的 配线层16同样地包括网状配线22,该网状配线22具有；电极部22a，包含多个金属细线14， 且具备电极配线图案24a;W及虚设电极部22b，具备具有多个断线部26的虚设电极配线图 案24b;且具有电极配线图案24a与虚设电极配线图案24b的合成图案即网孔图案24。
[0087] 此处，导电膜11的第1配线层16a具有与图1~图4所示的导电膜10的配线层 16相同的构成，因而省略其详细说明。
[0088] 导电膜11中，第2配线层1化包含多个不透明的金属细线14,且形成于透明基体 12的另一（图7的下侧）面。
[0089] 如图5W及图6所示，第2配线层1化具备包含多个金属细线14的网状配线28。
[0090] 网状配线28与图1~图3所示的网状配线22同样地，详细而言，具有将两个方向 的多个金属细线14W交叉方式配线而成的配线图案，也即，将多个金属细线14W网状排列 而成的网孔图案30。图示例中，由网孔图案30形成的开口部29的网形状为菱形，可称作菱 形图案。另外，网状配线28的网孔图案30的开口部29因具有与图1~图3所示的网状配 线22的网孔图案24的开口部23相同的网形状，故省略其详细说明。
[0091] 网状配线28包括；电极部28a，具备由多个金属细线14W连续方式形成为网状的 电极配线图案30a;W及虚设电极部28b，具备由多个金属细线同样地形成为网状且具有多 个断线部26而非连续的虚设电极配线图案30b，且与电极部28a绝缘。此处，电极部28a的 电极配线图案30a与虚设电极部28b的虚设电极配线图案3化在图示例中，为具有相同网 形状（菱形）的配线图案，将两者合成而形成网状配线28的网孔图案30。
[009引此处，图示例的虚设电极部28b的虚设电极配线图案30b为线状，电极部22a的电 极配线图案24a为构成条状电极的电极图案，但本发明并不限定于此，只要为用于静电电 容式触控传感器（面板）的电极图案，则可为任一个，例如也可为X电极、条带状电极、菱形 电极、雪花状电极等现有公知的电极图案。
[0093] 电极部28a中形成为网状的金属细线14不具有断线部26而连续，与此相对，虚设 电极部28b中形成为网状的金属细线14中设置着多个断线部（切断部）26,从而附加有多 个断线。在电极部28a中的金属细线14与虚设电极部28b中的金属细线14之间，必须设 置断线部26,电极部28a的金属细线14与虚设电极部28b的金属细线14断线，而不连续。 也即，虚设电极部28b与电极部28a电性绝缘。
[0094] 根据W上，网状配线28的网孔图案30成为包含多个断线部26的网孔图案。另外， 关于本发明的导电膜11的网状配线28的网孔图案30所需的构成，将在W下进行叙述。
[0095] 第1保护层20aW被覆第1配线层16a的金属细线14的方式，经由第1粘接层 18a而粘接于第1配线层16a的大致整个面。
[0096] 而且，第2保护层20bW被覆第2配线层16b的金属细线14的方式，经由第2粘 接层18b而粘接于第2配线层16b的大致整个面。
[0097] 此处，第1粘接层18aW及第2粘接层18b可分别由与图4所示的导电膜10的粘 接层18相同的材料而相同地形成，而第1粘接层18a的材质与第2粘接层18b的材质可相 同，也可不同。
[009引而且，第1保护层20aW及第2保护层2化可分别由与图4所示的导电膜10的保 护层20相同的材料而相同地形成，而第1保护层20a的材质与第2保护层20b的材质可相 同，也可不同。
[0099] 第1保护层20a的折射率n2W及第2保护层2化的折射率n3均与上述第1实施 形态的导电膜10的保护层20同样地，与透明基体12的折射率nO相等或为与其接近的值。 该情况下，透明基体12相对于第1保护层20a的相对折射率nr2W及透明基体12相对于 第2保护层2化的相对折射率nr3均为接近1的值。此处，折射率W及相对折射率的定义为 如上述第1实施形态的定义。因此，透明基体12相对于第1保护层20a的相对折射率nr2 由nr2 = (n2/n0)而定义，透明基体12相对于第1保护层20b的相对折射率nr3由nr2 = (n3/n0)而定义。
[0100] 此处，相对折射率nr2w及相对折射率nr3与上述相对折射率nr1同样地，为0. 86 W上、1. 15W下的范围即可，更优选为0. 91W上、1. 08W下。
[0101] 另外，通过将相对折射率nr2、W及相对折射率nr3的范围限定为该范围，而可与 相对折射率nrl的范围的限定同样地，进一步提高叠纹的可见性。
[0102] 上述本发明的第1实施形态的导电膜10W及第2实施形态的导电膜11被应用于 例如图8中示意性地表示有其一部分的显示单元（显示部）31的触摸屏中，且具有相对于 显示单元31的像素阵列图案、也即黑色矩阵（W下，也称作BM)图案而叠纹可见性方面最 佳化的网孔图案（24, 30)。
[010引此处，本发明中，所谓相对于BM(像素阵列）图案而叠纹可见性方面最佳化的网孔 图案，是指相对于规定的BM图案而人的视觉上未察觉到叠纹的一个或由两个W上构成的 一个群组的网孔图案。另外，本发明中，在已最佳化的由两个W上构成的一个群组的网孔图 案中，也可从最不会被察觉到的网孔图案到不易察觉到的网孔图案为止附上顺序，还可决 定出其叠纹最不会被察觉到的一个网孔图案。
[0104] 此处，本发明中，由至少正面观察时的网孔图案的空间频率特性与显示单元的 BM图案的空间频率特性的卷积来表示的叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计必须 为-3. 6 (W反对数（anti-logarithm)计为1(T3 6)W下。此处，W导电膜的网孔图案为包含 多个断线部的网孔图案的情况为代表例进行说明，而如图17(A)W及图17炬）所示，包含多 个断线部的网孔图案比不包含断线部的网孔图案更容易见到叠纹，因而本发明当然可应用 于不包含断线部的网孔图案。也即，本发明无论有无断线部，均可应用于如下的网孔图案， 即由网孔图案与显示单元的BM图案的两空间频率特性的卷积表示的叠纹的最低频率的频 谱强度W常用对数计为-3.6(W反对数计为1(T3'6)W下的网孔图案。
[0105]另外，本发明中，作为对象的叠纹的频率优选为3周期/毫米W下。其理由在于， 据经验可知，官能评价方面成为问题的叠纹的频率为3周期/毫米W内。
[0106] 另一方面，本发明中，在W即便不包含断线部的网孔图案与显示单元的BM图案重 叠而叠纹也不可见的方式使叠纹的可见性得W适当化的情况下，在对该网孔图案附加多个 断线部时，通过W断线部的位置、长度、配置（数）等至少一个具有无规则性而使其为无规 性的方式，也即，通过无规地配置多个断线部，而形成包含多个断线部的网孔图案，从而即 便重叠于BM图案，也可提高叠纹的可见性。
[0107] 另外，在具有包含多个断线部的网孔图案的导电膜中，当多个断线部连接着（不 包含断线部）的情况下的网孔图案的叠纹的可见性得W适当化时，网孔图案内的虚设电极 配线图案成为无规地配置着多个断线部的无规配线图案，由此可提高叠纹的可见性。
[0108] 此处，作为不包含叠纹的可见性得W适当化的断线部的网孔图案，可使用本申请 人申请的日本专利特愿2012-82711号说明书中所述的导电膜的网孔图案。其中所揭示的 网孔图案为相对于如下的叠纹的频率W及强度而言，叠纹的频率处于根据视觉响应特性而 规定的规定频率范围内时叠纹的频谱强度的和为规定值W下的配线图案，上述叠纹的频率 W及强度是使人的视觉响应特性作用于如下的叠纹的频率W及频谱强度所得，即根据上述 网孔图案的透过率图像数据的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰的波峰频率W及波峰强度、 与像素阵列图案的透过率图像数据的二维傅 里叶频谱的多个频谱波峰的波峰频率W及波 峰强度而分别算出的叠纹的频率W及频谱强度。
[0109] 另外，作为叠纹的可见性得W适当化的且不包含断线部的网孔图案，并不限定于 上述说明书中记载的内容，也可为现有公知的叠纹的可见性得W适当化的且不包含断线部 的网孔图案，应用作为本申请人的申请案的日本专利特愿2011-221432号、日本专利特愿 2011-221434号、日本专利特愿2012-82706号W及日本专利特愿2012-166946号等中记载 的网孔图案即可。
[0110] 因此，本发明的导电膜10W及导电膜11中，相对于显示单元31的像素阵列图案， 也即黑色矩阵（W下，也称作BM)图案而叠纹可见性方面最佳化的网孔图案24W及网孔图 案30、W及两者的合成网孔图案满足上述条件中的至少一个。
[01川另外，关于相对于规定的BM图案的网孔图案的叠纹可见性最佳化的详情，将在W后进行叙述。
[0112] 本发明的导电膜基本上如W上那样构成。
[0113] 图8是示意性地表示应用本发明的导电膜的显示单元的一部分的像素阵列图案 的一例的概略说明图。
[0114] 如图8中表示其一部分所示，在显示单元31上，多个像素32矩阵状地排列而构成 规定的像素阵列图案。一个像素32是将=个子像素（红色子像素32r、绿色子像素32gW 及藍色子像素32b)沿水平方向排列而构成。一个子像素设为垂直方向上纵长的长方形状。 像素32的水平方向的阵列间距（水平像素间距Ph)与像素32的垂直方向的阵列间距（垂 直像素间距Pv)大致相同。目P，由一个像素32及包围该一个像素32的黑色矩阵炬M) 34 (图 案材料）构成的形状（参照由阴影表示的区域36)设为正方形。而且，一个像素32的纵横 比不为1，而为水平方向（横）的长度 >垂直方向（纵）的长度。
[0115] 如根据图8可知那样，包含多个像素32的各自的子像素32r、子像素32gW及子像 素32b的像素阵列图案经由分别包围该些子像素32r、子像素32gW及子像素32b的BM34 的BM图案38而规定，显示单元31与导电膜10或导电膜11重叠时产生的叠纹因显示单元 31的BM34的BM图案38与导电膜10或导电膜11的网孔图案24、网孔图案30的干设而 产生，因而严格来说，BM图案38为像素阵列图案的反转图案，但此处，作为表示相同的图案 的而进行处理。
[0116] 当在具有包含上述BM34的BM图案38的显示单元31的显示面板上，例如配置导 电膜10或导电膜11时，导电膜11的网孔图案24相对于BM(像素阵列）图案38而叠纹可 见性方面最佳化，因此几乎不会有像素32的阵列周期与导电膜10或导电膜11的金属细线 14的配线阵列之间的空间频率的干设，从而抑制了叠纹的产生。
[0117] 另外，图8所示的显示单元31也可包含液晶面板、等离子体面板、有机化面板、无 机化面板等显示面板。
[0118] 其次，一边参照图9 一边对装入了本发明的导电膜的显示装置进行说明。图9中， 作为显示装置40,列举装入了本发明的第2实施形态的导电膜11的投影型静电电容方式的 触摸屏为代表例进行说明，但本发明当然并不限定于此。
[0119] 如图9所示，显示装置40包括；可显示彩色图像W及/或单色图像的显示单元 31 (参照图8)，对来自输入面42 (箭头Z1方向侧）的接触位置进行检测的触摸屏44,W及 收容显示单元31W及触摸屏44的框体46。用户可经由设置于框体46的一面（箭头Z1方 向侧）的大的开口部触及触摸屏44。
[0120] 触摸屏44除上述导电膜11 (参照图5、图6W及图7)之外，还包括；层叠于导电 膜11的一面（箭头Z1方向侧）的盖构件48,经由电缆50而电性连接于导电膜11的可提 性基板52,W及配置于可提性基板52上的检测控制部54。
[0121] 在显示单元31的一面（箭头Z1方向侧），经由粘接层56而粘接导电膜11。导电 膜11使另一主面侧（第2配线层1化侦。与显示单元31对向，而配置于显示画面上。
[0122] 盖构件48通过被覆导电膜11的一面，而发挥作为输入面42的功能。而且，通过 防止接触体58 (例如手指或触控笔）的直接接触，而可抑制擦伤的发生或尘埃的附着等，从 而可使导电膜11的导电性稳定。
[0123] 盖构件48的材质例如也可为玻璃、树脂膜。也可在利用氧化娃等涂布盖构件48 的一面（箭头Z2方向侧）的状态下，密接于导电膜11的一面（箭头Z1方向侧）。而且，为 防止由摩擦等所致的损伤，也可贴合导电膜11W及盖构件48而构成。
[0124] 可提性基板52为具备可提性的电子基板。本图示例中，其固定于框体46的侧面 内壁，但配设位置也可进行各种变更。检测控制部54构成如下的电子电路，即，在使作为导 体的接触体58与输入面42接触（或靠近）时，捕捉接触体58与导电膜11之间的静电电 容的变化，而检测其接触位置（或接近位置）。
[0125] 应用本发明的导电膜的显示装置基本上如W上那样构成。
[0126] 其次，本发明中，说明对相对于显示装置的规定的BM图案的导电膜的网孔图案的 叠纹可见性进行评价W及使其最佳化的顺序。也即，本发明的导电膜中，说明相对于显示装 置的规定的BM图案而叠纹W不被人的视觉所察觉的方式得W最佳化的网孔图案的决定顺 序。
[0127] 图10是表示本发明的导电膜的网孔图案的决定方法的一例的流程图。
[012引本发明的导电膜的网孔图案的决定方法为如下；根据通过使用了显示装置的显 示单元的BM(像素阵列）图案与导电膜的网孔图案的高速傅里叶变换（FastFourier Transformation,FFT)进行的频率分析所获得的波峰频率W及波峰强度，来算出叠纹的频 率W及频谱强度，将所算出的叠纹的频率W及频谱强度与根据经验而决定的叠纹不可见的 叠纹的频率W及频谱强度的条件相比，将满足了该些条件的网孔图案决定为W叠纹不可见 的方式得W最佳化的网孔图案。上述本发明法中，关于叠纹的频率W及频谱强度一般而言 利用FFT，但对象物的频率W及频谱强度根据利用方法的不同而大幅变化，因此规定W下的 顺序。
[0129] 本发明法中，首先，作为顺序1，进行BM图案化及网孔图案的透过率周期图像数据 (W下，也称作透过率图像数据）的制作。也即，如图10所示，步骤S10中，制作并获取图9 所示的显示装置40的显示单元31的BM图案38炬M34)(参照图8)的透过率周期图像数 据、与导电膜60的包含断线部26的网孔图案62 (金属细线14)(参照图11炬)）的透过率 周期图像数据。另外，在预先准备或存储了BM图案38的透过率图像数据与包含多个断线 部26的网孔图案62的透过率图像数据的情况下，也可从已准备或者存储的图像数据中获 取。
[0130] 显示单元31的BM图案38例如如图11(A)W及作为其部分放大图的图11(C)所 示，可形成每一像素32包含RGB的=色的子像素32r、子像素32gW及子像素32b的图案， 但当利用单色，例如仅利用G通道的子像素32g时，R通道W及B通道的透过率图像数据优 选设为0。本发明中，作为BM34的图像数据、也即BM图案38的透过率图像数据，如图11 (A) 所示，不限定为具有BM34的长方形的开口（子像素32r、子像素32g化及子像素32b)的图 像数据，只要为可使用的BM图案则也可为不具有BM34的长方形的开口的图案，还可指定 并使用具有任意的BM开口的BM图案。例如，不限定于单纯的矩形状的图案，也可为W不复 杂的字符状弯曲的图案或钩状的图案。另外，BM图案38的透过率图像数据例如设为如下 的2值化数据，即，W1270(Mpi左右的分辨率，将开口部设为1. 0,将其他部分设为0. 0。
[0131] 另一方面，导电膜60的网孔图案62例如如图11炬）所示为如下的配线图案，即， 可设为成为配线的金属细线14W45° [deg]倾斜而成的正方格子，且多个金属细线14利 用多个断线部26而断线。该网孔图案62的透过率图像数据作为包含断线部（断线）26而 形成周期的图像数据而制作。另外，网孔图案62的透过率图像数据例如设为如下的2值化 数据，即，W1270(Mpi左右的分辨率，将网形状内的开口部23、开口部29内设为0. 0,将成 为配线的金属细线14的部分设为1. 0。
[0132] 另外，此处，规定网孔图案62W及BM图案38的透过率图像数据的尺寸，例如，设 为5020 (像素）X2423 (像素）。而且，为了防止或减少后述的顺序2的FFT处理时的周期 的伪像（arti化ct)，优选为W保持连续性的方式按照重复周期切下。例如，图像尺寸优选设 为四图像的区域内的图像。
[0133] 其次，作为顺序2,对于W顺序1制作的网孔图案62W及BM图案38的透过率图像 数据，进行二维高速傅里叶变换（2DFFT(基底2))，并抽出规定强度的频谱（波峰）。
[0134] 也即，如图10所示，步骤S12中，对步骤S10中制作的网孔图案62W及BM图案38 的各透过率图像数据进行2DFFT处理，获取至少正面观察时的包含断线部（断线）26的网 孔图案62W及BM图案38的各空间频率特性（二维傅里叶频谱）。此时，网孔图案62W 及BM图案38的各透过率图像数据的二维傅里叶频谱由复数（包含相位信息）表示，将频 谱（复数）除W图像尺寸（纵X横（pix2))而使其标准化。W图像尺寸（Pix2)标准化的 频谱例如由频谱（复数）/图像尺寸（5020X2433pix2)而赋予。
[0135] 其次，作为顺序3,根据由顺序2获取的网孔图案62W及BM图案38的空间频率特 性，算出由两者的卷积表示的叠纹的频率W及频谱强度。
[0136] 也即，如图10所示，步骤S14中，根据步骤S12中获取的网孔图案62的空间频率 特性与BM图案38的空间频率特性，算出由两空间频率特性的卷积（积分）表示的叠纹的 频率W及频谱强度。
[0137] 另外，该步骤14的叠纹的频率W及频谱强度的算出可通过W下的步骤16W及步 骤18来进行。
[0138] 此处，二维傅里叶频谱的频谱强度为了配合人的视觉，而由常用对数来定义复数 的绝对值。
[013引如图10所示，步骤S16中，根据步骤S12中获取的网孔图案62W及BM图案38的 各空间频率特性，从各图案62W及图案38的频谱内，抽出所有由常用对数定义而定义的频 谱强度（Logw(频谱的绝对值））为-4.5W上的频谱（波峰）的空间频率。也即，从网孔图 案62W及BM图案38的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰内，抽出所有其波峰强度W常用对 数计为-4. 5W上的频谱波峰，并算出所抽出的所有频谱波峰的波峰频率W及波峰强度。
[0140] 该时间点所获得的信息为频谱的波峰值的空间频率fx、fy、复数（a+bi)信息。另 夕F，此处，波峰强度作为绝对值而处理。
[0141] 此处，图12(A)化及图12做分异是表示网孔图案62化及BM图案38的各透过率 图像数据的二维傅里叶频谱的强度特性的图。
[0142] 另外，图12(A)W及图12炬）中，白色部分的强度高，显示出频谱波峰，因而根据图 12 (A)W及图12做所示的结果，关于各个网孔图案62W及BM图案38,算出各频谱波峰的 波峰频率W及波峰强度。也即，图12(A)W及图12炬）中分异所示的网孔图案62化及BM 图案3 8的二维傅里叶频谱的强度特性中的频谱波峰在频率坐标上的位置，也即波峰位置 表示波峰频率，该波峰位置上的二维傅里叶频谱的强度为波峰强度。
[014引此处，网孔图案62W及BM图案38的各频谱波峰的波峰的频率W及强度如W下那 样算出并获取。
[0144] 首先，波峰频率的获取中，算出波峰时根据网孔图案62W及BM图案38的基本频 率而求出频率波峰。该是因为进行2DFFT处理的透过率图像数据为离散值，因而波峰频率 依存于图像尺寸的倒数。频率波峰位置如图13所示，可基于独立的二维基本频率矢量成分 及而加W组合来表示。因此，当然，所获得的波峰位置为格子状。另外，图13是表 示BM图案38的情况下的频率波峰位置的图表，网孔图案62也可同样地求出。
[0145] 另一方面，波峰强度的获取中，为了在获取上述波峰频率时求出波峰位置，因此获 取波峰位置所具有的二维傅里叶频谱的强度（绝对值）。此时，对数字数据进行FFT处理， 因而有波峰位置跨越多个像素（pixel)的情况。例如，二维傅里叶频谱的强度（Sp)特性由 图14(A)所示的曲线（模拟（analog)值）表示时，经数字处理的相同的二维傅里叶频谱的 强度特性由图14炬）所示的条形图（数字值）表示，而图14(A)所示的二维傅里叶频谱的 强度的波峰P在对应的图14炬）中，跨越2个像素。因此，当获取存在于波峰位置的强度 时，优选为将包含波峰位置周边的多个像素的区域内内的多个像素的频谱强度自上位算起 的多个点的和，例如，将5X5像素的区域内的像素的频谱强度自上位算起的5点的和设为 波峰强度（绝对值）。
[0146] 此处，所获得的波峰强度优选为由图像尺寸加W标准化。上述例中，如上述那 样，优选为由图像尺寸（5020X2433pi巧而加W标准化（帕塞瓦尔定理（Parseval'S theorem))。
[0147] 其次，如图10所示，步骤S18中，根据步骤S16中所算出的网孔图案62W及BM 图案38的两二维傅里叶频谱的波峰频率W及波峰强度而分别算出叠纹的频率W及频谱强 度。另外，此处，波峰强度W及叠纹的频谱强度也作为绝对值而进行处理。
[014引实际空间中，叠纹本来由网孔图案62与BM图案38的透过率周期图像数据的相乘 而引起，因此空间频率空间中，进行两者的卷积积分（convolution)。然而，步骤S16中，算 出网孔图案62化及BM图案38的两二维傅里叶频谱的波峰频率化及波峰强度，因而求出两 者各自的频率波峰彼此的差分（差的绝对值），将所求出的差分作为叠纹的频率，并求出两 者组合而成的两组矢量强度的乘积，将所求出的乘积设为叠纹的频谱强度（绝对值）。
[0149] 如此而求出的叠纹的频率W及叠纹的频谱强度可W说是步骤S12中获取的网孔 图案62与BM图案38的各空间频率特性的卷积积分的结果。
[0150] 此处，关于图12(A)化及图12炬）中分别所示的网孔图案62化及BM图案38两者 的二维傅里叶频谱的强度特性各自的频率波峰彼此的差分，在将两者的二维傅里叶频谱的 强度特性重合而获得的强度特性中，相当于两者的各自的频率波峰在频率坐标上的波峰位 置间的相对距离。
[ow] 另外，网孔图案62W及BM图案38的两二维傅里叶频谱的频谱波峰分别存在多 个，因而其相对距离的值即频率波峰彼此的差分、也即叠纹的频率也求出多个。因此，若两 二维傅里叶频谱的频谱波峰存在多个，则所求出的叠纹的频率也为多数，从而计算处理耗 费时间。此种情况下，也可预先在两二维傅里叶频谱的频谱波峰中，分别仅选定波峰强度强 的。该情况下，因仅求出所选定的波峰彼此的差分，故可缩短计算时间。
[0152] 将如此求出的叠纹的频率W及叠纹的频谱强度表示于图15中。图15是示意性地 表示由图11(A)所示的像素阵列图案与图11炬）所示的网孔图案的干设而产生的叠纹的频 率W及叠纹的频谱强度的概略说明图，也可称作图12(A)W及图12炬）所示的二维傅里叶 频谱的强度特性的卷积积分的结果。
[0153] 图15中，叠纹的频率由纵横轴的位置而表示，叠纹的频谱强度由灰色（无彩色） 浓淡而表示，显示出颜色越浓则频谱强度越小，颜色越淡、也即越白则频谱强度越大的情 况。
[0154] 其次，作为顺序4,进行叠纹的可见性的判定。
[0155] 也即，如图10所示，步骤S20中，求出步骤S18(S14)中所算出的叠纹的频率内的 最低频率，从而求出叠纹的最低频率的频谱强度。此处，所考虑的叠纹的频率仅为3周期/ 毫米（cycle/mm)W内的数据。也即，步骤S18(S14)中所算出的叠纹的频率内，使用3cycle/ mmW内的叠纹的频率并对其附上顺序，求出最低的叠纹的频率，并求出其频谱强度。
[0156] 另外，叠纹的可见性的判定等中，对叠纹的频率W及频谱强度，卷积W表示人的标 准视觉响应特性的杜利肖值ooley化aw)函数等为基础的视觉传递函数（VisualTransfer 化nction，VTF)，但在本发明中，并不使用VTF。其理由在于；VTF为依存于观察距离的函数， 在包含应用了本发明的导电膜的触摸屏等的显示装置中，在实际的观察时并不将观察距离 固定。
[0157] 其次，如图10所示，步骤S22中，将步骤S20中求出的叠纹的最低频率的频谱强度 与-3. 6相比，从而判定叠纹的频谱强度是否为-3. 6W上。
[015引另外，对于多数的网孔图案62,在后述实施例的虚设电极部22b的具有多个断线 部26的虚设电极配线图案24b的多个不同样本中求出叠纹的最低频率的频谱强度，3名研 究员对网孔图案62与叠纹的最低频率的频谱强度进行评价后，如后述表1所示，当叠纹的 最低频率的频谱强度W常用对数计为-3. 8W下（W反对数计为10^3'8^下）时，官能评价 中叠纹也不可见而为A，当该频谱强度W常用对数计为超过-3. 8且-3. 6W下（W反对数计 为超过且下）时，官能评价中虽可见到少量叠纹但为不会引起注意的程度， 从而为B，当该频谱强度W常用对数计为超过-3. 6 (W反对数计为超过10^3胃6)时，官能评价 中可见到叠纹C(无法使用）。
[0159] 因此，本发明中，将叠纹的最低频率的频谱强度限定为W常用对数计为-3. 6 W下 (W反对数计为1〇^3'6^下）。
[0160] 其结果，在叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计为超过-3. 6 (W反对数计为 超过1(T3 6)的情况下，转至步骤S24,将网孔图案62的透过率图像数据更新为新的网孔图 案的透过率图像数据，并返回到步骤S12中。
[0161] 此处，所更新的新的网孔图案可为预先准备的，也可为新制作的。另外，在新制作 的情况下，也可使网孔图案的透过率图像数据，详细而言，可使虚设电极配线图案24b的多 个断线部（断线）26的位置、间距、宽度中的任一个W上发生变化，也可变更网孔图案自身 的形状或尺寸。进而，也可使它们具有无规性。
[0162] 然后，重复进行步骤S12的空间频率特性的获取、步骤S14(S18)的叠纹的频率W 及频谱强度的算出、W及步骤20的叠纹的最低频率的频谱强度的算出、步骤22的叠纹的最 低频率的频谱强度与W常用对数计的-3. 6(W反对数计为1(T3 6)的比较、W及步骤24的网 孔图案的透过率图像数据的更新的各步骤，直至叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计 为-3.6 (W反对数计为1〇-3'6)W下为止。
[0163] 另一方面，在叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计为-3.6( W反对数计为 1(T3 6)W下的情况下，转至步骤S26,将网孔图案62决定为最佳化网孔图案，并设定为本发 明的导电膜10或导电膜11的网孔图案24(30)。
[0164] 如此，本发明的导电膜的网孔图案的决定方法结束，可制作本发明的导电膜，该导 电膜即便重叠于显示装置的显示单元的BM图案也可抑制叠纹的产生，叠纹的可见性优异 且具有最佳化的网孔图案。
[0165] 实施例
[0166] 将图16(A)所示的网孔图案70作为比较例1的仿真样本而制作。比较例1的网孔 图案70为如下的配线图案，即，包括构成有效的电极区域的X电极72的电极配线图案74， 及四个虚设电极76a、虚设电极76b、虚设电极76cW及虚设电极76d的虚设电极配线图案 78,且具有多个断线部84,该多个断线部84分别有规则地设置在由虚设电极配线图案78形 成的所有开口部80的呈菱形的网形状且包含金属细线82的四边的中屯、。另外，也在电极 配线图案74与虚设电极配线图案78之间的边上，在两者间的各一边的金属细线82的中屯、 位置设置着断线部84。另外，图示例中，为了简化图式，仅在一个虚设电极76c的虚设电极 配线图案78中图示断线部84,而=个虚设电极76a、虚设电极76bW及虚设电极76d的虚 设电极配线图案78中，省略断线部84的图示。
[0167]另外，作为参考例，将不包含断线部的网状配线的网孔图案作为仿真样本而制作。
[0168] W上述比较例1为基准，改变断线部84的长度、位置、配置、数量，而将实施例1~ 实施例6W及比较例2~比较例4的网孔图案作为仿真样本而制作。
[0169] 各网孔图案70等的包含菱形的所有网形状的一边的长度为144ym，菱形的内角 设为76°W及104°。而且，关于构成各网孔图案的边的金属细线82的粗度，使用线宽6ym 的细线。
[0170] 此处，比较例1的网孔图案70中，将断线部（断线）82的长度（断线长、或断线间 隔）设为 2〇m。
[0171] 与此相对，实施例1W及实施例2的网孔图案分别为相对于比较例1的网孔图案 70而变更了断线部（断线）84的长度（断线长、或断线间隔）所得的，根据比较例1中的 20ym，实施例1中设为5ym，实施例2中设为10ym，除此W外，实施例1W及实施例2均 与比较例1的网孔图案70相同。
[0172] 其次，实施例3~实施例5的网孔图案是将断线部84的位置从比较例1的网孔图 案的菱形的网形状的边的中屯、位置变更为无规配置所得。
[0173] 实施例3中，在四个虚设电极76a、虚设电极76b、虚设电极76cW及虚设电极76d 的虚设电极配线图案78的一个菱形的网形状的四边，将断线部84的位置从比较例1的中 屯、位置变更为中屯、位置W外的无规的位置，因而该图案为在其他菱形的网形状中重复的配 线图案。
[0174] 实施例4中，在虚设电极配线图案78的所有菱形的网形状的四边，将断线部84的 位置从比较例1的中屯、位置毫无规则地变更位置。
[0175] 实施例5中，不仅在虚设电极配线图案78的所有菱形的网形状的四边，也在电极 配线图案74与虚设电极配线图案78之间的各边，将断线部84的位置从比较例1的中屯、位 置毫无规则地变更位置。
[017引实施例6中，在比较例1的网孔图案70中，从四个虚设电极76a、虚设电极76b、虚 设电极76cW及虚设电极76d的虚设电极配线图案78中消除所有断线部84并进行连接， 变更为仅电极配线图案74与虚设电极配线图案78之间的各边具有断线部84。
[0177]比较例2~比较例3中，在所有虚设电极76a、虚设电极76b、虚设电极76cW及虚 设电极76d的虚设电极配线图案78中，使断线部84的数量相比于比较例1而有所减少。 [017引 比较例2中，在所有虚设电极配线图案78中，将行方向（图16中水平方向；xy坐 标的 X方向）的断线部84减去一半而每隔一条金属细线82来设置。
[0179] 比较例3中，在所有虚设电极配线图案78中，将列方向（图16中垂直方向；xy坐 标的y方向）的断线部84减去一半而每隔一条金属细线82来设置。
[0180] 比较例4中，在所有虚设电极配线图案78中，将列方向（图16中垂直方向；xy坐 标的y方向）的断线部84减去一半而每隔一条金属细线82来设置。
[0181] 比较例5中，在所有虚设电极配线图案78中，仅在一条线方向（（图16中交叉的 金属细线82 -侧）上设置断线部84。
[0182] 当将具有W上的实施例1~实施例6、比较例1~4W及参考例的网孔图案的导电 膜的仿真样本重叠于具有图11所示的BM图案38的显示单元31的仿真样本时，对各网孔 图案与BM图案38的干设进行仿真，求出由各网孔图案与BM图案38的两者的空间频率特 性的卷积来表示的叠纹的最低频率的频谱强度，并且显示由两者的干设而产生的叠纹（两 者的干设的仿真结果），由3名研究员进行可能评价。
[0183] 另外，构成显示单元31的BM图案38的像素的尺寸因分辨率为250化1，从而为 102ymX102ym，子像素的尺寸为 26ymX78ym。
[0184] 将其结果表示于表1。
[0185] 另外，对于3名研究员而言，可能评价结果为将叠纹不可见的评价为A,将少量叠 纹可见但为不会引起注意的程度的评价为B，将叠纹可见的评价为C。
[0186][表1]
[0187]
[018引根据表1的结果可知，叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计为-3. 8W下（W反对数计为10^3胃8^下）的实施例1W及实施例3~实施例5中，官能评价结果为A，叠纹 不可见，叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计为超过-3. 8且-3.6W下（W反对数 计为超过1(T3 8且1(T3 6W下）的实施例2W及实施例6中，官能评价结果为B，少量叠纹 可见但为不会引起注意的程度，与此相对，叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计为超 过-3. 6 (W反对数计为超过1(T3 6)的比较例1~比较例4中，官能评价结果为C，叠纹可见 从而无法使用。
[0189] 根据W上，可知本发明的效果。
[0190]W上，对本发明的导电膜、具备该导电膜的显示装置W及导电膜的图案的决定方 法列举各种实施形态W及实施例进行了说明，但本发明并不限定于上述实施形态W及实施 例，只要不脱离本发明的主旨，则当然可进行各种改良或设计的变更。
[0191] 符号的说明
[019引10、11、60;导电膜
[0193] 12;透明基体
[0194] 14、82;金属制的细线（金属细线）
[019引 16、16a、16b;配线层
[019引 18、18a、18b;粘接层
[0197] 20、20a、20b;保护层
[019引 22、28;网状配线
[0199] 22a、28a;电极部
[0200] 22b、28b;虚设电极部（非电极部）
[020" 23、29、80;开口部
[020引 24、30、62,70 ;网孔图案
[020引 24a、30a、74 ;电极配线图案
[0204] 24b，3化、78;虚设电极配线图案
[020引 26、84;断线部（断线）
[0206] 31;显示单元
[0207] 32、32r、32g、32b;像素
[020引 34 ;黑色矩阵炬M)
[0209] 38;BM图案
[0210] 40 ;显示装置
[0211] 44;触摸屏
[0212] 72;X电极
[0213] 76a、76b、76c、76d;虚设电极
【主权项】
1. 一种导电膜，设置于显示装置的显示单元上，其特征在于包括： 透明基体；以及 网状配线，形成于所述透明基体的至少一面，具有包含图案化的多个金属细线的网孔 图案， 所述网状配线的所述网孔图案重叠于所述显示单元的像素阵列图案， 叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为-3. 6以下，所述叠纹由至少正面观察时 的所述网孔图案的空间频率特性与所述显示单元的所述像素阵列图案的空间频率特性的 卷积来表示。2. 根据权利要求1所述的导电膜，其中所述网状配线包括：电极部，具备由所述多个金 属细线以连续的方式形成为网状的电极配线图案；以及非电极部，具备由所述多个金属细 线形成为网状且具有多个断线部而非连续的非电极配线图案，且与所述电极部绝缘， 所述网状配线的所述网孔图案包含所述电极部的所述电极配线图案、及与所述电极配 线图案绝缘的所述非电极部的所述非电极配线图案， 所述网孔图案的空间频率特性为至少正面观察时的包含所述多个断线部的所述网孔 图案的空间频率特性。3. 根据权利要求1或2所述的导电膜，其中所述叠纹的频率由所述网孔图案的所述空 间频率特性的频谱波峰的波峰频率与所述像素阵列图案的所述空间频率特性的频谱波峰 的波峰频率的差分而赋予，所述叠纹的频谱强度由所述网孔图案的所述频谱波峰的波峰强 度与所述像素阵列图案的所述频谱波峰的波峰强度的积而赋予。4. 根据权利要求3所述的导电膜，其中所述波峰强度为波峰位置周边的多个像素内的 强度的和。5. 根据权利要求1至4中任一项所述的导电膜，其中所述波峰强度利用所述网孔图案 以及所述像素阵列图案的透过率周期图像数据而标准化。6. -种导电膜，设置于显示装置的显示单元上，其特征在于包括： 透明基体；以及 网状配线，形成于所述透明基体的至少一面，且在一面具有包含图案化的多个金属细 线的网孔图案， 所述网状配线包括：电极部，具备由所述多个金属细线以连续的方式形成为网状的电 极配线图案；以及非电极部，具备由所述多个金属细线形成为网状且具有多个断线部而非 连续的非电极配线图案，且与所述电极部绝缘， 所述网状配线的所述网孔图案包含所述电极部的所述电极配线图案、及与所述电极配 线图案绝缘的所述非电极部的所述非电极配线图案，并重叠于所述显示单元的像素阵列图 案， 在使所述非电极部的所述非电极配线图案的所述多个断线部连接的情况下，所述网状 配线的所述网孔图案的叠纹不可见， 所述非电极部的所述非电极配线图案为无规地配置着所述多个断线部的无规配线图 案。7. 根据权利要求1至6中任一项所述的导电膜，其中所述叠纹的频率为3周期/毫米 以下。8. 根据权利要求1至7中任一项所述的导电膜，其中所述非电极部的所述非电极配线 图案在除所述电极部以外的区域内由所述多个金属细线形成为网状。9. 根据权利要求1至8中任一项所述的导电膜，其中所述像素阵列图案为所述黑色矩 阵图案。10. -种显示装置，其特征在于包括： 显示单元；以及 如权利要求1至9中任一项所述的导电膜，设置于所述显示单元上。11. 一种触摸屏显示装置，其特征在于包括： 如权利要求10所述的显示装置；以及 透明基板，配置于所述显示装置的所述导电膜的上侧，且在所述导电膜的相反侧具备 触控面。12. -种导电膜的网孔图案的决定方法，所述导电膜设置于显示装置的显示单元上且 形成有网状配线，所述网状配线具有由图案化的多个金属细线以连续的方式形成为网状的 网孔图案，所述导电膜的网孔图案的决定方法的特征在于： 获取所述网孔图案的透过率周期图像数据、与重叠有所述网孔图案的所述显示单元的 像素阵列图案的透过率周期图像数据， 对获取的所述网孔图案的所述透过率周期图像数据以及所述像素阵列图案的所述透 过率周期图像数据进行二维傅里叶变换，获得至少正面观察时的所述网孔图案的空间频率 特性以及所述像素阵列图案的空间频率特性， 根据所获得的所述网孔图案的所述空间频率特性与所述像素阵列图案的所述空间频 率特性，算出由两者的卷积表示的叠纹的频率以及频谱强度， 求出所算出的所述叠纹的频率内的最低频率，将所述最低频率的频谱强度与以常用对 数计的-3. 6相比， 当由所述常用对数定义的所述叠纹的频谱强度为-3. 6以下时，将所述网孔图案设定 为所述导电膜的网孔图案，当所述叠纹的频谱强度超过-3. 6时，将所述网孔图案的透过 率周期图像数据变更为新的网孔图案的透过率周期图像数据，并重复进行所述空间频率 特性的获取、所述叠纹的频率以及频谱强度的算出、以及所述叠纹的最低频率的频谱强度 与-3. 6的比较的各步骤，直至所述叠纹的最低频率的频谱强度为-3. 6以下为止。13. 根据权利要求12所述的导电膜的网孔图案的决定方法，其中所述网状配线具有所 述网孔图案，所述网孔图案包括：电极配线图案，由所述多个金属细线以连续的方式形成为 网状；以及非电极配线图案，由所述多个金属细线形成为网状、具有多个断线部且与所述电 极配线图案非连续地绝缘， 所述网孔图案的透过率周期图像数据为具备具有所述多个断线部的所述非电极配线 图案的所述网孔图案的透过率周期图像数据， 所述网孔图案的所述空间频率特性为至少正面观察时的包含所述多个断线部的所述 网孔图案的空间频率特性。14. 根据权利要求12或13所述的导电膜的网孔图案的决定方法，其中根据所获得的所 述网孔图案的所述空间频率特性，从所述网孔图案的透过率周期图像数据的二维傅里叶频 谱的多个频谱波峰内抽出其波峰强度以常用对数计为-4. 5以上的频谱波峰，并算出所抽 出的所有频谱波峰的波峰频率以及波峰强度，并且 根据所获得的所述像素阵列图案的所述空间频率特性，从所述像素阵列图案的透过率 周期图像数据的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰内抽出其波峰强度以常用对数计为-4. 5 以上的频谱波峰，并算出所抽出的所有频谱波峰的波峰频率以及波峰强度， 根据如此所算出的所述网孔图案的所述波峰频率以及所述波峰强度、与所述像素阵列 图案的所述波峰频率以及所述波峰强度，而分别算出所述叠纹的频率以及频谱强度。15. 根据权利要求14所述的导电膜的配线图案的决定方法，其中求出所述网孔图案的 所述波峰频率与所述像素阵列图案的所述波峰频率的波峰频率彼此的差分，来作为所述叠 纹的频率， 求出所述网孔图案的所述波峰强度与所述像素阵列图案的所述波峰强度的两组矢量 强度的乘积，来作为所述叠纹的所述频谱强度。16. 根据权利要求12至15中任一项所述的导电膜的网孔图案的决定方法，其中所述叠 纹的频率为3周期/毫米以下。17. 根据权利要求12至16中任一项所述的导电膜的网孔图案的决定方法，其中所述非 电极配线图案在未形成有所述电极配线图案的区域内由所述多个金属细线形成为网状。
【专利摘要】本发明的目的在于提供一种可抑制叠纹的产生且可大幅提高可见性的导电膜、以及导电膜的图案的决定方法。本发明的导电膜中，由至少正面观察时的网状配线的网孔图案的空间频率特性与显示单元的像素阵列图案的空间频率特性的卷积来表示的叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为-3.6以下。网孔图案也可为具有多个断线部的图案。
【IPC分类】G09F9/00, G06F3/041, H01B5/14, B32B3/24, B32B15/02, H05K9/00
【公开号】CN104885139
【申请号】CN201380065959
【发明人】岩见一央, 中村博重
【申请人】富士胶片株式会社
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2013年12月9日
【公告号】US20150286323, WO2014097921A1
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种导电膜、具备该导电膜的显示装置W及导电膜的图案的决定方 法，详细而言，设及一种被用作网（mesh)透明导电膜且具有网孔图案的导电膜、具备该导 电膜的显示装置W及导电膜的图案的决定方法，在该网孔图案的设计中通过在设计时将电 极考虑在内而使可被见到的叠纹的频谱（spectrum)强度W及频率存在于规定的频率W及 强度范围内。
【背景技术】
[0002] 作为设置于显示装置（W下，也称作显示器）的显示单元上的导电膜，例如可列举 电磁波屏蔽用的导电膜或触控传感器（触摸屏）用的导电膜等（例如，参照专利文献1、专 利文献2W及专利文献3)。
[0003] 本申请人的申请案的专利文献1中揭示了具有包含网状导电性金属薄膜的电磁 波屏蔽图案的电磁波屏蔽用导电膜，也揭示了如下内容：自动地选定利用例如显示器的像 素阵列图案（例如，黑色矩阵化lackmatrix) (W下也称作BM)图案）等第1图案、W及例如 电磁波屏蔽图案等第2图案各自的图案数据的二维傅里叶频谱（two-dimensionalFourier spectrum，2DFFTSp)的频谱波峰间的相对距离超过规定的空间频率，例如8cm-i的第2图案 数据而生成的第2图案。
[0004] 另外，专利文献1中也揭示了如下内容：在上述相对距离不超过规定的空间频率 的情况下，重复进行使第2图案数据的旋转角度、间距、图案宽度中的任一个W上发生变化 而生成新的第2图案数据，直至上述相对距离超过规定的空间频率为止。
[0005] 该样，在专利文献1中，可自动地选定可抑制叠纹的产生且也可避免表面电阻率 的增大或透明性的劣化的电磁波屏蔽图案。
[0006] 另一方面，就迅速的响应性、高解析能力、大尺寸化、低制造成本化等方面而言， 触摸屏用导电膜中，使用金属等不透明的导电性材料来代替现有的透明氧化铜锡（Indium TinOxides,IT0)而作为网状配线材料。为了使用此种导电膜实现触摸屏，导电膜必须具 有用W对所触控的位置进行检测的分辨率。在利用导电膜的网状导体配线而具备IT0等透 明导电膜功能的情况下，对整个面总体的网状配线，在特定的网状配线中设置切断部而附 加断线，由此必须将与上述分辨率相当的检测用配线区域，与无助于检测的虚设配线区域 分隔开来。
[0007] 专利文献2中揭示的触摸屏中，在利用介隔绝缘层而在两侧W交叉方式设置的两 种金属（不透明的导电性材料）制检测用配线而包围的多个虚设配线区域，将孤立配线与 检测用配线平行或垂直或者倾斜45°而配置，从而在包含两种检测用配线的检测用配线区 域与虚设配线区域之间形成切断部（断线化reak))而将两者分离。
[0008] 该样，专利文献2中，可获得响应速度快、可减少显示不均或叠纹且可见性高而容 易大型化的触摸屏。
[0009] 而且，在揭示有静电电容式触摸屏（触控开关）用的导电膜（面状体）的专利文 献3中，将包含导体线的网眼（网）状电极划分为：隔开规定间隔而大致平行地配置的多个 导电部区域，及配置于各导电部区域之间的非导电部区域，非导电部区域具备将导体线切 断为岛状的多个切断部（断线），可利用该些切断部使非导电部区域（虚设配线区域）与邻 接的导电部区域（检测配线区域）之间绝缘。
[0010] 该样，专利文献3中，提供一种防止产生网眼密度的不均（网眼的偏向存在）而可 见性下降，从而可提高可见性，并且可高效地制造的面状体W及触控开关。
[0011] 现有技术文献 [001引专利文献
[0013] 专利文献1 ;日本专利特开2009-117683号公报
[0014] 专利文献2 ;日本专利特开2010-097536号公报
[0015] 专利文献3 ;日本专利特开2010-262529号公报
【发明内容】
[0016] 发明所要解决的问题
[0017] 然而，专利文献1虽为如下技术，即，当生成导电膜的配线图案时，仅根据显示器 的BM(黑色矩阵）/配线图案的频率信息控制叠纹频率，而提供可见性优异的配线图案，但 因叠纹可见/不可见的判定仅依存于频率，故专利文献1中即便在判定为叠纹不可见的频 率的情况下，人对叠纹的知觉不仅受到频率影响也受到强度影响，因此有时会根据强度而 叠纹可见，从而存在叠纹的可见性未得到充分提高的问题。
[0018] 尤其在将专利文献1中揭示的技术应用于触摸屏用的导电膜的情况下，必须在网 状导体配线中设置多个切断部（断线），然而若设置该些切断部，则也会存在如下问题，即， 网状导体配线的配线图案的空间频率特性发生变化，或因被人的手指等按压，故在BM/配 线图案间产生微小的变形，从而助长因强度而叠纹可见，从而有叠纹的可见性的提高不充 分的问题。
[0019] 因此，为了设计叠纹可见性优异的图案，重要的是在设计时将切断部（断线）考虑 在内，但该现有技术中并未设及到该方面。
[0020] 而且，专利文献2中，在由包含两种检测用配线的检测用配线区域所包围的多个 虚设配线区域，将孤立配线与检测用配线平行或垂直或者倾斜45°而配置，因此两种检测 用配线与孤立配线之间的切断部所引起的断线被有规则地设置着，因此该规则的断线的周 期会对可见的叠纹造成影响，从而存在无法充分提高叠纹的可见性的问题。
[0021] 进而，专利文献3中，为了使导电部区域与非导电部区域之间绝缘，切断网眼状电 极的导体线的多个切断部设置于网眼状电极的导体线的交叉部。因此，该些切断部基本上 有规则地设置于网眼状电极，因而该规则的断线的周期会对可见的叠纹造成影响，从而存 在无法充分提高叠纹的可见性的问题。
[002引尤其若触摸屏大尺寸（大型）化，则必须使用金属等不透明的导电性材料，但为了 要求规定的解析能力或者高的解析能力，则叠纹的可见性成为大问题。
[0023] 进而，本申请人在日本专利特愿2012-082711号说明书中，提出有如下导电膜， 即，算出显示器的BM(像素矩阵）化及导电膜的网状配线的配线图案（网孔图案）的空间 频率波峰，利用根据各个空间频率波峰差分、波峰强度积算值而获得的叠纹的二维频率w及频谱强度、与视觉传递函数（visualtransferfunction)的卷积（convolution),来算出 评价值，且所述导电膜具有该评价值满足预先设定的条件的配线图案。
[0024]在将此种导电膜用于触摸屏的情况下，与上述专利文献2W及专利文献3等中记 载的现有技术的触摸屏用导电膜同样地，必须将用W隔开确保网状配线的分辨率的检测用 配线区域与虚设配线区域的多个断线部（切断部；断线）设置于网状配线而附加多个断线。 如上述现有技术那样，为了满足触摸屏所要求的特定的分辨率，而且，为了将分辨率区域的 静电电容设为固定，一般而言有规则地赋予该些断线部。然而，存在该规则的断线的周期成 为叠纹可见的主要原因的问题。该样，规则的断线的周期会对可见的叠纹造成影响，从而产 生无法充分提高叠纹的可见性的问题，但在本申请人W前提出的技术中、上述现有技术中 均未设及到该方面。
[002引本发明的目的在于消除上述现有技术的问题，而提供一种可抑制叠纹的产生且可 大幅提高可见性的导电膜、具备该导电膜的显示装置W及导电膜的图案的决定方法。
[0026] 而且，本发明的目的在于尤其提供一种如下的导电膜、具备该导电膜的显示装置 W及导电膜的图案的决定方法，上述导电膜即便在设置于显示装置的显示单元上的导电膜 的具有包含金属细线的网孔图案的网状配线具有多个断线部的情况下也可抑制叠纹的产 生且可大幅提高可见性。
[0027] 进而，本发明的目的在于尤其提供一种如下的导电膜、具备该导电膜的显示装置 W及导电膜的图案的决定方法，上述导电膜在将包括具有多个断线部的网状配线的透明导 电膜用作必须进行大尺寸化、高分辨率化的触摸屏用电极的情况下，可抑制将导电膜重叠 于显示装置的显示单元的黑色矩阵而可见时成为大的画质障碍的叠纹的发生，从而可大幅 提高触摸屏上的显示的可见性。
[0028] 解决问题的技术手段
[0029] 为了达成上述目的，本发明人对即便对于显示单元的黑色矩阵进行重叠而叠纹也 不可见的导电膜的网孔图案反复进行了积极研究，结果发现；在现有技术或本申请人的现 有申请案的导电膜中，因规则的周期的断线而叠纹可见的原因为如图17(A) W及图17炬） 所示，在仅网孔图案（无断线）的情况下与具有规则的周期的断线的网孔图案（有断线） 的情况下存在空间频率特性的差异，从而可利用该差异对上述原因进行说明。
[0030] 此处，图17(A) W及图17做分别表示无断线（断线部）且叠纹的可见性得W适 当化的网孔图案（无断线）W及具有规则的周期的断线的网孔图案（有断线）的情况下的 空间频率特性的图。根据图17(A) W及图17炬）可知，在具有规则的周期的断线的网孔图 案中，频谱强度并非特别高，而频谱波峰的数量增加。
[0031] 该样，本发明人根据图17(A) W及图17做而发现，根据有无断线，而网孔图案的 空间频率特性发生变化，该变化会对叠纹的可见性造成影响，因此为了设计叠纹可见性优 异的图案，重要的是在设计时将断线考虑在内，从而完成了本发明。
[0032] 也即，本发明的第1形态的导电膜设置于显示装置的显示单元上，其特征在于包 括；透明基体；W及网状配线，形成于透明基体的至少一面，具有包含图案化的多个金属细 线的网孔图案，网状配线的网孔图案重叠于显示单元的像素阵列图案，叠纹的最低频率的 频谱强度W常用对数计为-3.6W下，上述叠纹由至少正面观察时的网孔图案的空间频率 特性与显示单元的像素阵列图案的空间频率特性的卷积来表示。
[0033] 此处，优选为网状配线包括；电极部，具备由多个金属细线W连续的方式形成为网 状的电极配线图案；W及非电极部，具备由多个金属细线形成为网状且具有多个断线部而 非连续的非电极配线图案，且与电极部绝缘，网状配线的网孔图案包含电极部的电极配线 图案、及与该电极配线图案绝缘的非电极部的非电极配线图案，网孔图案的空间频率特性 为至少正面观察时的包含多个断线部的网孔图案的空间频率特性。
[0034] 而且，为了达成上述目的，本发明的第2形态的导电膜的配线图案的决定方法中， 上述导电膜设置于显示装置的显示单元上且形成有网状配线，上述网状配线具有由图案化 的多个金属细线W连续的方式形成为网状的网孔图案，上述导电膜的网孔图案的决定方法 的特征在于；获取网孔图案的透过率周期图像数据、与重叠有网孔图案的显示单元的像素 阵列图案的透过率周期图像数据，对获取的网孔图案的透过率周期图像数据W及像素阵列 图案的透过率周期图像数据进行二维傅里叶变换，获得至少正面观察时的网孔图案的空间 频率特性W及像素阵列图案的空间频率特性，根据所获得的网孔图案的空间频率特性与像 素阵列图案的空间频率特性，算出由两者的卷积表示的叠纹的频率W及频谱强度，求出所 算出的叠纹的频率内的最低频率，将该最低频率的频谱强度与W常用对数计的-3. 6相比， 当由常用对数定义的叠纹的频谱强度为-3.6W下时，将网孔图案设定为导电膜的网孔图 案，当叠纹的频谱强度超过-3. 6时，将网孔图案的透过率周期图像数据变更为新的网孔图 案的透过率周期图像数据，并重复进行空间频率特性的获取、叠纹的频率W及频谱强度的 算出、W及叠纹的最低频率的频谱强度与- 3. 6的比较的各步骤，直至叠纹的最低频率的频 谱强度为-3.6W下为止。
[0035] 此处，优选为网状配线具有网孔图案，上述网孔图案包括；电极配线图案，由多个 金属细线W连续的方式形成为网状；W及非电极配线图案，由多个金属细线形成为网状、具 有多个断线部且与电极配线图案非连续地绝缘，网孔图案的透过率周期图像数据为具备具 有多个断线部的非电极配线图案的网孔图案的透过率周期图像数据，网孔图案的空间频率 特性为至少正面观察时的包含多个断线部的网孔图案的空间频率特性。
[0036] 而且，优选为根据所获得的网孔图案的空间频率特性，从网孔图案的透过率周期 图像数据的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰内抽出其波峰强度W常用对数计为-4. 5W上 的频谱波峰，并算出所抽出的所有频谱波峰的波峰频率W及波峰强度，并且根据所获得的 像素阵列图案的空间频率特性，从像素阵列图案的透过率周期图像数据的二维傅里叶频谱 的多个频谱波峰内抽出其波峰强度W常用对数计为-4.5W上的频谱波峰，并算出所抽出 的所有频谱波峰的波峰频率W及波峰强度，根据如此所算出的网孔图案的波峰频率W及波 峰强度与像素阵列图案的波峰频率W及波峰强度，而分别算出叠纹的频率W及频谱强度。
[0037] 上述第1形态中，优选为叠纹的频率由网孔图案的波峰频率与像素阵列图案的波 峰频率的差分而赋予，叠纹的频谱强度由网孔图案的波峰强度与像素阵列图案的波峰强度 的乘积而赋予。
[0038] 而且，上述第2形态中，优选为求出网孔图案的波峰频率与像素阵列图案的波峰 频率的波峰频率彼此的差分，来作为叠纹的频率，求出网孔图案的波峰强度与像素阵列图 案的波峰强度的两组矢量强度的乘积，来作为叠纹的频谱强度。
[0039] 而且，上述第1形态及第2形态中，优选为波峰强度为波峰位置周边的多个像素内 的强度的和，而且，优选为波峰强度利用网孔图案w及像素阵列图案的透过率周期图像数 据而得W标准化。
[0040] 为了达成上述目的，本发明的第3形态的导电膜设置于显示装置的显示单元上， 其特征在于包括；透明基体；W及网状配线，形成于透明基体的至少一面，且具有包含图案 化的多个金属细线的网孔图案，网状配线包括；电极部，具备由多个金属细线W连续的方式 形成为网状的电极配线图案；W及非电极部，具备由多个金属细线形成为网状且具有多个 断线部而非连续的非电极配线图案，且与电极部绝缘，网状配线的网孔图案包含电极部的 电极配线图案、及与该电极配线图案绝缘的非电极部的非电极配线图案，并重叠于显示单 元的像素阵列图案，在使非电极部的非电极配线图案的多个断线部连接的情况下，网状配 线的网孔图案的叠纹不可见，非电极部的非电极配线图案为无规地配置着多个断线部的无 规配线图案。
[0041] 而且，上述第1形态、第2形态W及第3形态中，优选为叠纹的频率为3周期/毫 米W下。
[0042] 而且，优选为非电极部的非电极配线图案在除电极部W外的区域内由多个金属细 线形成为网状。
[0043] 而且，优选为像素阵列图案为黑色矩阵图案。
[0044] 为了达成上述目的，本发明的第4形态的显示装置的特征在于包括；显示单元；W 及上述第1形态及第3形态的导电膜，设置于该显示单元上。
[0045] 为了达成上述目的，本发明的第5形态的触摸屏显示装置的特征在于包括；第4形 态的显示装置；W及透明基板，配置于显示装置的导电膜的上侧，且在导电膜的相反侧具备 触控面。
[0046] 发明的效果
[0047] 根据本发明，因如W上那样构成，故即便在使用设置于显示装置的显示单元上的 导电膜的情况下，且即便在具备包含金属细线的网孔图案的网状配线具有多个断线部的情 况下，也可抑制叠纹的产生，从而可大幅提高可见性。
[0048] 根据本发明，尤其在将包括具有多个断线部的网状配线的透明导电膜用作必须进 行大尺寸化、高分辨率化的触摸屏用电极的情况下，可抑制将导电膜重叠于显示装置的显 示单元的黑色矩阵而可见时成为大的画质障碍的叠纹的发生，从而可大幅提高触摸屏上的 显示的可见性。
【附图说明】
[0049] 图1是示意性地表示本发明的第1实施形态的导电膜的一例的平面图。
[0050] 图2是图1所示的导电膜的部分放大平面图。
[0051] 图3是图2所示的导电膜的部分放大平面图，且是表示其网孔图案的多个断线部 的一例的示意图。
[0052] 图4是图3所示的导电膜的示意性部分剖面图。
[0053] 图5是示意性地表示本发明的第2实施形态的导电膜的一配线层的一例的平面 图。
[0054] 图6是图5所示的导电膜的配线层的部分放大平面图，且是表示其网孔图案的多 个断线部的一例的示意图。
[0055] 图7是图6所示的导电膜的示意性部分剖面图。
[0056] 图8是表示应用本发明的导电膜的显示单元的一部分的像素阵列图案的一例的 概略说明图。
[0057] 图9是装入图7所示的导电膜的显示装置的一实施例的概略剖面图。
[0058] 图10是表示本发明的导电膜的网孔图案的决定方法的一例的流程图。
[0059] 图11(A)是表示应用本发明的导电膜的显示单元的像素阵列图案的一例的概略 说明图，图11炬）是表示重叠于图11(A)的像素阵列图案的导电膜的配线图案的一例的概 略说明图，图11(C)是图11(A)的像素阵列图案的部分放大图。
[0060] 图12(A)化及图12做分别是表示图11(A)所示的像素阵列图案化及图11做所 示的配线图案的各透过率周期图像数据的二维傅里叶频谱的强度特性的图。
[006。图13是表示图11(A)所示的显示单元的像素阵列图案的频率波峰位置的图表
[0062] 图14(A) W及图14炬）分别是将二维傅里叶频谱的强度特性的一例由曲线表示的 图表W及由条形表示的条形图。
[0063] 图15是示意性地表示因图11(A)所示的像素阵列图案与图11炬）所示的配线图 案的干设而产生的叠纹频率信息W及叠纹的频谱强度的概略说明图。
[0064] 图16是表示比较例1的网孔图案的仿真样本的平面图。
[00财图17(A)化及图17做分别是表示无断线（断线部）的网孔图案（无断线）化及 具有规则周期的断线的网孔图案（有断线）的情况下的空间频率特性的图。
【具体实施方式】
[0066] W下，参照随附图式所示的优选的实施形态对本发明的导电膜W及导电膜的图案 的决定方法进行详细说明。
[0067] W下，对本发明的导电膜，W在网状配线中具备断线部的触摸屏用的导电膜作为 代表例进行说明，但本发明并不限定于此，只要为设置于液晶显示器（LCD liquid化ystal Display)或等离子体显示器（PDP;Plasma Display Panel)或有机电致发光巧lectro Luminescence，EL)显不器（0ELD；0rganic Electro Luminescence Display)或无机EL显 示器等显示装置的显示单元上的导电膜，则为任一个均可，例如，只要在网状配线中具备断 线部，则当然也可为电磁波屏蔽用的导电膜等。
[006引图1、图2 W及图3分别是示意性地表示本发明的第1实施形态的导电膜的一例的 整体平面图，其部分放大平面图W及进一步放大而示意性地表示其网孔图案的多个断线部 的一例的部分平面示意图，图4是图3所示的导电膜的示意性部分剖面图。另外，图1中， 为了容易理解，将导电膜的网状配线的电极部表示为由粗线包围的区域，将虚设电极部表 示为斜线区域。而且，图2~图3中，为了容易理解，在导电膜的网状配线的网孔图案内，由 粗线表示电极配线图案，由细线表示虚设电极图案，但它们是由相同而不透明的金属细线 形成，就粗细而言，当然并无不同。
[0069] 如该些图所示，本实施形态的导电膜10设置于显示装置的显示单元上，是形 成有网状配线的导电膜，该网状配线具有在抑制相对于显示单元的黑色矩阵炬M;Black Matrix)而产生叠纹方面优异的网孔图案（配线图案），尤其在重叠于BM图案时相对于BM 图案而叠纹的可见性方面得W最佳化的网孔图案。该导电膜10包括；透明基体12 ;配线层16,形成于透明基体12的一面（图4中上侧的面）的大致整个面，且包含图案化的多个不 透明的金属制的细线（W下称作金属细线）14 及保护层20, W被覆金属细线14的方式 经由粘接层18而粘接于配线层16的金属细线14的大致整个面。
[0070] 透明基体12包含具有绝缘性且透光性高的材料，例如可列举树脂，玻璃、娃等材 料。作为树脂，例如可列举聚对苯二甲酸己二醋（Polyet的leneTere地thalate，阳T)、聚 甲基丙締酸甲醋（Polymethylmethac巧late,PMMA)、聚丙締（polypropylene,PF〇、聚苯己 締（polystyrene，PS)等。
[0071] 配线层16具备包含多个金属细线14的网状配线22。金属细线14只要为导电性 高的金属制的细线则不作特别限制，例如可列举包含金（Au)、银（Ag)或铜（化）的线材等的 细线。就金属细线14的线宽而言，自可见性方面考虑，优选的是细线宽，例如，为30ymW 下即可。另外，触摸屏用途中，金属细线14的线宽优选为0. 1ymW上、15ymW下，更优选 为1ymW上、9ymW下，进而优选为2ymW上、7ymW下。
[0072] 详细而言，网状配线22具有将两个方向的多个金属细线14W交叉方式配线而成 的配线图案，也即，将多个金属细线14W网状排列而成的网孔图案24。图示例中，由网孔图 案24形成的开口部23的网形状为菱形，可称作菱形图案，但本发明并不限定于此，只要可 构成相对于后述的规定的BM图案而叠纹可见性最佳化的网孔图案24,且只要为具有至少 S边的多边形状，则可为任一形状，而且，可为相同的网形状，也可为不同的网形状，例如， 可列举正=角形、等腰=角形等=角形，或正方形、长方形等四边形（矩形）或五边形或六 边形等相同或不同的多边形等。也即，只要为相对于规定的BM图案而叠纹可见性最佳化的 网孔图案，则也可为由具有规则性的开口部23的排列而构成的网孔图案，还可为由不同形 状的开口部23的排列而无规化的网孔图案。
[0073] 网状配线22包括；电极部22a，具备由多个金属细线14W连续方式形成为网状的 电极配线图案24a;W及虚设电极部（非电极部）2化，具备由多个金属细线同样地形成为网 状且具有多个断线部26而非连续的虚设电极（非电极）配线图案24b，且与电极部22a绝 缘。此处，电极部22a的电极配线图案24a与虚设电极部22b的虚设电极配线图案24b在 图示例中，为具有相同网形状（菱形）的配线图案，将两者合成而形成为网状配线22的网 孔图案24。
[0074] 此处，图示例的电极部22a的电极配线图案24a为构成X电极的电极图案，但本发 明并不限定于此，只要为用于静电电容式触控传感器（面板）的电极图案，则可为任一图 案，例如，也可为条状电极、条带状炬arandStripe)电极、菱形电极、雪花状（snowflake) 电极等现有公知的电极图案。
[00巧]电极部22a中形成为网状的金属细线14不具有断线部26而连续，与此相对，虚设 电极部22b中形成为网状的金属细线14中设置着多个断线部（切断部）26,从而附加有多 个断线。在电极部22a中的金属细线14与虚设电极部22b中的金属细线14之间，必须设 置断线部26,电极部22a的金属细线14与虚设电极部22b的金属细线14断线而不连续。 也即，虚设电极部2化与电极部22a电性绝缘。
[0076] 根据W上，网状配线22的网孔图案24成为包含多个断线部26的网孔图案。另外， 关于本发明的导电膜10的网状配线22的网孔图案24所需的构成，将在W下进行叙述。
[0077] 作为粘接层18的材料，可列举湿式层叠（wetlaminate)粘接剂、干式层叠（化y laminate)粘接剂、或热烙化otmelt)粘接剂等。
[007引保护层20与透明基体12同样地，包含含树脂、玻璃、娃的透光性高的材料。保护 层20的折射率nl优选为与透明基体12的折射率nO相等或为与其接近的值。该情况下， 透明基体12相对于保护层20的相对折射率nrl为接近于1的值。
[0079] 此处，本说明书中的折射率是指波长589. 3nm(钢的D线）的光的折射率，例如对 于树脂而言，由作为国际标准规格的国际标准化组织（International化ganization化r Standardization,ISO) 14782 ; 1999 (与日本工业规格（JapaneseIndustrialStandards， JI巧K7105相对应）而定义。而且，透明基体12相对于保护层20的相对折射率nrl由nrl =(nl/nO)定义。此处，相对折射率nrl处于0.86W上、1.15W下的范围即可，更优选为 0. 91W上、1. 08W下。
[0080] 通过将相对折射率nrl的范围限定为该范围，W控制透明基体12与保护层20的 构件间的光的透过率，由此可进一步提高、改善叠纹的可见性。
[0081] 上述第1实施形态的导电膜10仅在透明基体12的一面具有配线层16,但本发明 并不限定于此，也可在透明基体12的两面具有配线部。
[0082] 图5W及图6分别是示意性地表示本发明的第2实施形态的导电膜的一侦U、也即 下侧的第2配线层的一例的平面图，W及部分放大平面示意图，且示意性地表示其网孔图 案的多个断线部的一例，图7是示意性地表示图6所示的导电膜的部分剖面图。另外，图5 中，为了容易理解，将导电膜的网状配线的电极部表示为斜线区域，将虚设电极部表示为由 一点链线包围的区域。而且，图6中，为了容易理解，在导电膜的网状配线的网孔图案内，由 粗线表示电极配线图案，由细线表示虚设电极图案，但它们是由相同而不透明的金属细线 形成，就粗细而言，当然并无不同。
[0083] 另外，图7所示的本第2实施形态的导电膜的另一侧、也即上侧的第1配线层的平 面图中，因与图1~图3所示的本第1实施形态的导电膜的平面图相同，故此处省略。
[0084] 如图7所示，本第2实施形态的导电膜11包括；形成于透明基体12的一（图7 的上侧）面的第1配线层16a，形成于透明基体12的另一（图7的下侧）面的第2配线层 16b，经由第1粘接层18a而粘接于第1配线层16a的大致整个面的第1保护层20a，W及经 由第2粘接层18b而粘接于第2配线层16b的大致整个面的第2保护层20b。
[0085] 另外，如上述那样，透明基体12包含绝缘性材料，第2配线层1化处于与第1配线 层16a电性绝缘的状态。而且，第1配线层16a、W及第2配线层1化可分别由与图4所示 的导电膜10的配线层16相同的材料而相同地形成。
[0086] 本实施形态的导电膜11的第1配线层16a此处并未图示，但与图1~图3所示的 配线层16同样地包括网状配线22,该网状配线22具有；电极部22a，包含多个金属细线14， 且具备电极配线图案24a;W及虚设电极部22b，具备具有多个断线部26的虚设电极配线图 案24b;且具有电极配线图案24a与虚设电极配线图案24b的合成图案即网孔图案24。
[0087] 此处，导电膜11的第1配线层16a具有与图1~图4所示的导电膜10的配线层 16相同的构成，因而省略其详细说明。
[0088] 导电膜11中，第2配线层1化包含多个不透明的金属细线14,且形成于透明基体 12的另一（图7的下侧）面。
[0089] 如图5W及图6所示，第2配线层1化具备包含多个金属细线14的网状配线28。
[0090] 网状配线28与图1~图3所示的网状配线22同样地，详细而言，具有将两个方向 的多个金属细线14W交叉方式配线而成的配线图案，也即，将多个金属细线14W网状排列 而成的网孔图案30。图示例中，由网孔图案30形成的开口部29的网形状为菱形，可称作菱 形图案。另外，网状配线28的网孔图案30的开口部29因具有与图1~图3所示的网状配 线22的网孔图案24的开口部23相同的网形状，故省略其详细说明。
[0091] 网状配线28包括；电极部28a，具备由多个金属细线14W连续方式形成为网状的 电极配线图案30a;W及虚设电极部28b，具备由多个金属细线同样地形成为网状且具有多 个断线部26而非连续的虚设电极配线图案30b，且与电极部28a绝缘。此处，电极部28a的 电极配线图案30a与虚设电极部28b的虚设电极配线图案3化在图示例中，为具有相同网 形状（菱形）的配线图案，将两者合成而形成网状配线28的网孔图案30。
[009引此处，图示例的虚设电极部28b的虚设电极配线图案30b为线状，电极部22a的电 极配线图案24a为构成条状电极的电极图案，但本发明并不限定于此，只要为用于静电电 容式触控传感器（面板）的电极图案，则可为任一个，例如也可为X电极、条带状电极、菱形 电极、雪花状电极等现有公知的电极图案。
[0093] 电极部28a中形成为网状的金属细线14不具有断线部26而连续，与此相对，虚设 电极部28b中形成为网状的金属细线14中设置着多个断线部（切断部）26,从而附加有多 个断线。在电极部28a中的金属细线14与虚设电极部28b中的金属细线14之间，必须设 置断线部26,电极部28a的金属细线14与虚设电极部28b的金属细线14断线，而不连续。 也即，虚设电极部28b与电极部28a电性绝缘。
[0094] 根据W上，网状配线28的网孔图案30成为包含多个断线部26的网孔图案。另外， 关于本发明的导电膜11的网状配线28的网孔图案30所需的构成，将在W下进行叙述。
[0095] 第1保护层20aW被覆第1配线层16a的金属细线14的方式，经由第1粘接层 18a而粘接于第1配线层16a的大致整个面。
[0096] 而且，第2保护层20bW被覆第2配线层16b的金属细线14的方式，经由第2粘 接层18b而粘接于第2配线层16b的大致整个面。
[0097] 此处，第1粘接层18aW及第2粘接层18b可分别由与图4所示的导电膜10的粘 接层18相同的材料而相同地形成，而第1粘接层18a的材质与第2粘接层18b的材质可相 同，也可不同。
[009引而且，第1保护层20aW及第2保护层2化可分别由与图4所示的导电膜10的保 护层20相同的材料而相同地形成，而第1保护层20a的材质与第2保护层20b的材质可相 同，也可不同。
[0099] 第1保护层20a的折射率n2W及第2保护层2化的折射率n3均与上述第1实施 形态的导电膜10的保护层20同样地，与透明基体12的折射率nO相等或为与其接近的值。 该情况下，透明基体12相对于第1保护层20a的相对折射率nr2W及透明基体12相对于 第2保护层2化的相对折射率nr3均为接近1的值。此处，折射率W及相对折射率的定义为 如上述第1实施形态的定义。因此，透明基体12相对于第1保护层20a的相对折射率nr2 由nr2 = (n2/n0)而定义，透明基体12相对于第1保护层20b的相对折射率nr3由nr2 = (n3/n0)而定义。
[0100] 此处，相对折射率nr2w及相对折射率nr3与上述相对折射率nr1同样地，为0. 86 W上、1. 15W下的范围即可，更优选为0. 91W上、1. 08W下。
[0101] 另外，通过将相对折射率nr2、W及相对折射率nr3的范围限定为该范围，而可与 相对折射率nrl的范围的限定同样地，进一步提高叠纹的可见性。
[0102] 上述本发明的第1实施形态的导电膜10W及第2实施形态的导电膜11被应用于 例如图8中示意性地表示有其一部分的显示单元（显示部）31的触摸屏中，且具有相对于 显示单元31的像素阵列图案、也即黑色矩阵（W下，也称作BM)图案而叠纹可见性方面最 佳化的网孔图案（24, 30)。
[010引此处，本发明中，所谓相对于BM(像素阵列）图案而叠纹可见性方面最佳化的网孔 图案，是指相对于规定的BM图案而人的视觉上未察觉到叠纹的一个或由两个W上构成的 一个群组的网孔图案。另外，本发明中，在已最佳化的由两个W上构成的一个群组的网孔图 案中，也可从最不会被察觉到的网孔图案到不易察觉到的网孔图案为止附上顺序，还可决 定出其叠纹最不会被察觉到的一个网孔图案。
[0104] 此处，本发明中，由至少正面观察时的网孔图案的空间频率特性与显示单元的 BM图案的空间频率特性的卷积来表示的叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计必须 为-3. 6 (W反对数（anti-logarithm)计为1(T3 6)W下。此处，W导电膜的网孔图案为包含 多个断线部的网孔图案的情况为代表例进行说明，而如图17(A)W及图17炬）所示，包含多 个断线部的网孔图案比不包含断线部的网孔图案更容易见到叠纹，因而本发明当然可应用 于不包含断线部的网孔图案。也即，本发明无论有无断线部，均可应用于如下的网孔图案， 即由网孔图案与显示单元的BM图案的两空间频率特性的卷积表示的叠纹的最低频率的频 谱强度W常用对数计为-3.6(W反对数计为1(T3'6)W下的网孔图案。
[0105]另外，本发明中，作为对象的叠纹的频率优选为3周期/毫米W下。其理由在于， 据经验可知，官能评价方面成为问题的叠纹的频率为3周期/毫米W内。
[0106] 另一方面，本发明中，在W即便不包含断线部的网孔图案与显示单元的BM图案重 叠而叠纹也不可见的方式使叠纹的可见性得W适当化的情况下，在对该网孔图案附加多个 断线部时，通过W断线部的位置、长度、配置（数）等至少一个具有无规则性而使其为无规 性的方式，也即，通过无规地配置多个断线部，而形成包含多个断线部的网孔图案，从而即 便重叠于BM图案，也可提高叠纹的可见性。
[0107] 另外，在具有包含多个断线部的网孔图案的导电膜中，当多个断线部连接着（不 包含断线部）的情况下的网孔图案的叠纹的可见性得W适当化时，网孔图案内的虚设电极 配线图案成为无规地配置着多个断线部的无规配线图案，由此可提高叠纹的可见性。
[0108] 此处，作为不包含叠纹的可见性得W适当化的断线部的网孔图案，可使用本申请 人申请的日本专利特愿2012-82711号说明书中所述的导电膜的网孔图案。其中所揭示的 网孔图案为相对于如下的叠纹的频率W及强度而言，叠纹的频率处于根据视觉响应特性而 规定的规定频率范围内时叠纹的频谱强度的和为规定值W下的配线图案，上述叠纹的频率 W及强度是使人的视觉响应特性作用于如下的叠纹的频率W及频谱强度所得，即根据上述 网孔图案的透过率图像数据的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰的波峰频率W及波峰强度、 与像素阵列图案的透过率图像数据的二维傅 里叶频谱的多个频谱波峰的波峰频率W及波 峰强度而分别算出的叠纹的频率W及频谱强度。
[0109] 另外，作为叠纹的可见性得W适当化的且不包含断线部的网孔图案，并不限定于 上述说明书中记载的内容，也可为现有公知的叠纹的可见性得W适当化的且不包含断线部 的网孔图案，应用作为本申请人的申请案的日本专利特愿2011-221432号、日本专利特愿 2011-221434号、日本专利特愿2012-82706号W及日本专利特愿2012-166946号等中记载 的网孔图案即可。
[0110] 因此，本发明的导电膜10W及导电膜11中，相对于显示单元31的像素阵列图案， 也即黑色矩阵（W下，也称作BM)图案而叠纹可见性方面最佳化的网孔图案24W及网孔图 案30、W及两者的合成网孔图案满足上述条件中的至少一个。
[01川另外，关于相对于规定的BM图案的网孔图案的叠纹可见性最佳化的详情，将在W后进行叙述。
[0112] 本发明的导电膜基本上如W上那样构成。
[0113] 图8是示意性地表示应用本发明的导电膜的显示单元的一部分的像素阵列图案 的一例的概略说明图。
[0114] 如图8中表示其一部分所示，在显示单元31上，多个像素32矩阵状地排列而构成 规定的像素阵列图案。一个像素32是将=个子像素（红色子像素32r、绿色子像素32gW 及藍色子像素32b)沿水平方向排列而构成。一个子像素设为垂直方向上纵长的长方形状。 像素32的水平方向的阵列间距（水平像素间距Ph)与像素32的垂直方向的阵列间距（垂 直像素间距Pv)大致相同。目P，由一个像素32及包围该一个像素32的黑色矩阵炬M) 34 (图 案材料）构成的形状（参照由阴影表示的区域36)设为正方形。而且，一个像素32的纵横 比不为1，而为水平方向（横）的长度 >垂直方向（纵）的长度。
[0115] 如根据图8可知那样，包含多个像素32的各自的子像素32r、子像素32gW及子像 素32b的像素阵列图案经由分别包围该些子像素32r、子像素32gW及子像素32b的BM34 的BM图案38而规定，显示单元31与导电膜10或导电膜11重叠时产生的叠纹因显示单元 31的BM34的BM图案38与导电膜10或导电膜11的网孔图案24、网孔图案30的干设而 产生，因而严格来说，BM图案38为像素阵列图案的反转图案，但此处，作为表示相同的图案 的而进行处理。
[0116] 当在具有包含上述BM34的BM图案38的显示单元31的显示面板上，例如配置导 电膜10或导电膜11时，导电膜11的网孔图案24相对于BM(像素阵列）图案38而叠纹可 见性方面最佳化，因此几乎不会有像素32的阵列周期与导电膜10或导电膜11的金属细线 14的配线阵列之间的空间频率的干设，从而抑制了叠纹的产生。
[0117] 另外，图8所示的显示单元31也可包含液晶面板、等离子体面板、有机化面板、无 机化面板等显示面板。
[0118] 其次，一边参照图9 一边对装入了本发明的导电膜的显示装置进行说明。图9中， 作为显示装置40,列举装入了本发明的第2实施形态的导电膜11的投影型静电电容方式的 触摸屏为代表例进行说明，但本发明当然并不限定于此。
[0119] 如图9所示，显示装置40包括；可显示彩色图像W及/或单色图像的显示单元 31 (参照图8)，对来自输入面42 (箭头Z1方向侧）的接触位置进行检测的触摸屏44,W及 收容显示单元31W及触摸屏44的框体46。用户可经由设置于框体46的一面（箭头Z1方 向侧）的大的开口部触及触摸屏44。
[0120] 触摸屏44除上述导电膜11 (参照图5、图6W及图7)之外，还包括；层叠于导电 膜11的一面（箭头Z1方向侧）的盖构件48,经由电缆50而电性连接于导电膜11的可提 性基板52,W及配置于可提性基板52上的检测控制部54。
[0121] 在显示单元31的一面（箭头Z1方向侧），经由粘接层56而粘接导电膜11。导电 膜11使另一主面侧（第2配线层1化侦。与显示单元31对向，而配置于显示画面上。
[0122] 盖构件48通过被覆导电膜11的一面，而发挥作为输入面42的功能。而且，通过 防止接触体58 (例如手指或触控笔）的直接接触，而可抑制擦伤的发生或尘埃的附着等，从 而可使导电膜11的导电性稳定。
[0123] 盖构件48的材质例如也可为玻璃、树脂膜。也可在利用氧化娃等涂布盖构件48 的一面（箭头Z2方向侧）的状态下，密接于导电膜11的一面（箭头Z1方向侧）。而且，为 防止由摩擦等所致的损伤，也可贴合导电膜11W及盖构件48而构成。
[0124] 可提性基板52为具备可提性的电子基板。本图示例中，其固定于框体46的侧面 内壁，但配设位置也可进行各种变更。检测控制部54构成如下的电子电路，即，在使作为导 体的接触体58与输入面42接触（或靠近）时，捕捉接触体58与导电膜11之间的静电电 容的变化，而检测其接触位置（或接近位置）。
[0125] 应用本发明的导电膜的显示装置基本上如W上那样构成。
[0126] 其次，本发明中，说明对相对于显示装置的规定的BM图案的导电膜的网孔图案的 叠纹可见性进行评价W及使其最佳化的顺序。也即，本发明的导电膜中，说明相对于显示装 置的规定的BM图案而叠纹W不被人的视觉所察觉的方式得W最佳化的网孔图案的决定顺 序。
[0127] 图10是表示本发明的导电膜的网孔图案的决定方法的一例的流程图。
[012引本发明的导电膜的网孔图案的决定方法为如下；根据通过使用了显示装置的显 示单元的BM(像素阵列）图案与导电膜的网孔图案的高速傅里叶变换（FastFourier Transformation,FFT)进行的频率分析所获得的波峰频率W及波峰强度，来算出叠纹的频 率W及频谱强度，将所算出的叠纹的频率W及频谱强度与根据经验而决定的叠纹不可见的 叠纹的频率W及频谱强度的条件相比，将满足了该些条件的网孔图案决定为W叠纹不可见 的方式得W最佳化的网孔图案。上述本发明法中，关于叠纹的频率W及频谱强度一般而言 利用FFT，但对象物的频率W及频谱强度根据利用方法的不同而大幅变化，因此规定W下的 顺序。
[0129] 本发明法中，首先，作为顺序1，进行BM图案化及网孔图案的透过率周期图像数据 (W下，也称作透过率图像数据）的制作。也即，如图10所示，步骤S10中，制作并获取图9 所示的显示装置40的显示单元31的BM图案38炬M34)(参照图8)的透过率周期图像数 据、与导电膜60的包含断线部26的网孔图案62 (金属细线14)(参照图11炬)）的透过率 周期图像数据。另外，在预先准备或存储了BM图案38的透过率图像数据与包含多个断线 部26的网孔图案62的透过率图像数据的情况下，也可从已准备或者存储的图像数据中获 取。
[0130] 显示单元31的BM图案38例如如图11(A)W及作为其部分放大图的图11(C)所 示，可形成每一像素32包含RGB的=色的子像素32r、子像素32gW及子像素32b的图案， 但当利用单色，例如仅利用G通道的子像素32g时，R通道W及B通道的透过率图像数据优 选设为0。本发明中，作为BM34的图像数据、也即BM图案38的透过率图像数据，如图11 (A) 所示，不限定为具有BM34的长方形的开口（子像素32r、子像素32g化及子像素32b)的图 像数据，只要为可使用的BM图案则也可为不具有BM34的长方形的开口的图案，还可指定 并使用具有任意的BM开口的BM图案。例如，不限定于单纯的矩形状的图案，也可为W不复 杂的字符状弯曲的图案或钩状的图案。另外，BM图案38的透过率图像数据例如设为如下 的2值化数据，即，W1270(Mpi左右的分辨率，将开口部设为1. 0,将其他部分设为0. 0。
[0131] 另一方面，导电膜60的网孔图案62例如如图11炬）所示为如下的配线图案，即， 可设为成为配线的金属细线14W45° [deg]倾斜而成的正方格子，且多个金属细线14利 用多个断线部26而断线。该网孔图案62的透过率图像数据作为包含断线部（断线）26而 形成周期的图像数据而制作。另外，网孔图案62的透过率图像数据例如设为如下的2值化 数据，即，W1270(Mpi左右的分辨率，将网形状内的开口部23、开口部29内设为0. 0,将成 为配线的金属细线14的部分设为1. 0。
[0132] 另外，此处，规定网孔图案62W及BM图案38的透过率图像数据的尺寸，例如，设 为5020 (像素）X2423 (像素）。而且，为了防止或减少后述的顺序2的FFT处理时的周期 的伪像（arti化ct)，优选为W保持连续性的方式按照重复周期切下。例如，图像尺寸优选设 为四图像的区域内的图像。
[0133] 其次，作为顺序2,对于W顺序1制作的网孔图案62W及BM图案38的透过率图像 数据，进行二维高速傅里叶变换（2DFFT(基底2))，并抽出规定强度的频谱（波峰）。
[0134] 也即，如图10所示，步骤S12中，对步骤S10中制作的网孔图案62W及BM图案38 的各透过率图像数据进行2DFFT处理，获取至少正面观察时的包含断线部（断线）26的网 孔图案62W及BM图案38的各空间频率特性（二维傅里叶频谱）。此时，网孔图案62W 及BM图案38的各透过率图像数据的二维傅里叶频谱由复数（包含相位信息）表示，将频 谱（复数）除W图像尺寸（纵X横（pix2))而使其标准化。W图像尺寸（Pix2)标准化的 频谱例如由频谱（复数）/图像尺寸（5020X2433pix2)而赋予。
[0135] 其次，作为顺序3,根据由顺序2获取的网孔图案62W及BM图案38的空间频率特 性，算出由两者的卷积表示的叠纹的频率W及频谱强度。
[0136] 也即，如图10所示，步骤S14中，根据步骤S12中获取的网孔图案62的空间频率 特性与BM图案38的空间频率特性，算出由两空间频率特性的卷积（积分）表示的叠纹的 频率W及频谱强度。
[0137] 另外，该步骤14的叠纹的频率W及频谱强度的算出可通过W下的步骤16W及步 骤18来进行。
[0138] 此处，二维傅里叶频谱的频谱强度为了配合人的视觉，而由常用对数来定义复数 的绝对值。
[013引如图10所示，步骤S16中，根据步骤S12中获取的网孔图案62W及BM图案38的 各空间频率特性，从各图案62W及图案38的频谱内，抽出所有由常用对数定义而定义的频 谱强度（Logw(频谱的绝对值））为-4.5W上的频谱（波峰）的空间频率。也即，从网孔图 案62W及BM图案38的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰内，抽出所有其波峰强度W常用对 数计为-4. 5W上的频谱波峰，并算出所抽出的所有频谱波峰的波峰频率W及波峰强度。
[0140] 该时间点所获得的信息为频谱的波峰值的空间频率fx、fy、复数（a+bi)信息。另 夕F，此处，波峰强度作为绝对值而处理。
[0141] 此处，图12(A)化及图12做分异是表示网孔图案62化及BM图案38的各透过率 图像数据的二维傅里叶频谱的强度特性的图。
[0142] 另外，图12(A)W及图12炬）中，白色部分的强度高，显示出频谱波峰，因而根据图 12 (A)W及图12做所示的结果，关于各个网孔图案62W及BM图案38,算出各频谱波峰的 波峰频率W及波峰强度。也即，图12(A)W及图12炬）中分异所示的网孔图案62化及BM 图案3 8的二维傅里叶频谱的强度特性中的频谱波峰在频率坐标上的位置，也即波峰位置 表示波峰频率，该波峰位置上的二维傅里叶频谱的强度为波峰强度。
[014引此处，网孔图案62W及BM图案38的各频谱波峰的波峰的频率W及强度如W下那 样算出并获取。
[0144] 首先，波峰频率的获取中，算出波峰时根据网孔图案62W及BM图案38的基本频 率而求出频率波峰。该是因为进行2DFFT处理的透过率图像数据为离散值，因而波峰频率 依存于图像尺寸的倒数。频率波峰位置如图13所示，可基于独立的二维基本频率矢量成分 及而加W组合来表示。因此，当然，所获得的波峰位置为格子状。另外，图13是表 示BM图案38的情况下的频率波峰位置的图表，网孔图案62也可同样地求出。
[0145] 另一方面，波峰强度的获取中，为了在获取上述波峰频率时求出波峰位置，因此获 取波峰位置所具有的二维傅里叶频谱的强度（绝对值）。此时，对数字数据进行FFT处理， 因而有波峰位置跨越多个像素（pixel)的情况。例如，二维傅里叶频谱的强度（Sp)特性由 图14(A)所示的曲线（模拟（analog)值）表示时，经数字处理的相同的二维傅里叶频谱的 强度特性由图14炬）所示的条形图（数字值）表示，而图14(A)所示的二维傅里叶频谱的 强度的波峰P在对应的图14炬）中，跨越2个像素。因此，当获取存在于波峰位置的强度 时，优选为将包含波峰位置周边的多个像素的区域内内的多个像素的频谱强度自上位算起 的多个点的和，例如，将5X5像素的区域内的像素的频谱强度自上位算起的5点的和设为 波峰强度（绝对值）。
[0146] 此处，所获得的波峰强度优选为由图像尺寸加W标准化。上述例中，如上述那 样，优选为由图像尺寸（5020X2433pi巧而加W标准化（帕塞瓦尔定理（Parseval'S theorem))。
[0147] 其次，如图10所示，步骤S18中，根据步骤S16中所算出的网孔图案62W及BM 图案38的两二维傅里叶频谱的波峰频率W及波峰强度而分别算出叠纹的频率W及频谱强 度。另外，此处，波峰强度W及叠纹的频谱强度也作为绝对值而进行处理。
[014引实际空间中，叠纹本来由网孔图案62与BM图案38的透过率周期图像数据的相乘 而引起，因此空间频率空间中，进行两者的卷积积分（convolution)。然而，步骤S16中，算 出网孔图案62化及BM图案38的两二维傅里叶频谱的波峰频率化及波峰强度，因而求出两 者各自的频率波峰彼此的差分（差的绝对值），将所求出的差分作为叠纹的频率，并求出两 者组合而成的两组矢量强度的乘积，将所求出的乘积设为叠纹的频谱强度（绝对值）。
[0149] 如此而求出的叠纹的频率W及叠纹的频谱强度可W说是步骤S12中获取的网孔 图案62与BM图案38的各空间频率特性的卷积积分的结果。
[0150] 此处，关于图12(A)化及图12炬）中分别所示的网孔图案62化及BM图案38两者 的二维傅里叶频谱的强度特性各自的频率波峰彼此的差分，在将两者的二维傅里叶频谱的 强度特性重合而获得的强度特性中，相当于两者的各自的频率波峰在频率坐标上的波峰位 置间的相对距离。
[ow] 另外，网孔图案62W及BM图案38的两二维傅里叶频谱的频谱波峰分别存在多 个，因而其相对距离的值即频率波峰彼此的差分、也即叠纹的频率也求出多个。因此，若两 二维傅里叶频谱的频谱波峰存在多个，则所求出的叠纹的频率也为多数，从而计算处理耗 费时间。此种情况下，也可预先在两二维傅里叶频谱的频谱波峰中，分别仅选定波峰强度强 的。该情况下，因仅求出所选定的波峰彼此的差分，故可缩短计算时间。
[0152] 将如此求出的叠纹的频率W及叠纹的频谱强度表示于图15中。图15是示意性地 表示由图11(A)所示的像素阵列图案与图11炬）所示的网孔图案的干设而产生的叠纹的频 率W及叠纹的频谱强度的概略说明图，也可称作图12(A)W及图12炬）所示的二维傅里叶 频谱的强度特性的卷积积分的结果。
[0153] 图15中，叠纹的频率由纵横轴的位置而表示，叠纹的频谱强度由灰色（无彩色） 浓淡而表示，显示出颜色越浓则频谱强度越小，颜色越淡、也即越白则频谱强度越大的情 况。
[0154] 其次，作为顺序4,进行叠纹的可见性的判定。
[0155] 也即，如图10所示，步骤S20中，求出步骤S18(S14)中所算出的叠纹的频率内的 最低频率，从而求出叠纹的最低频率的频谱强度。此处，所考虑的叠纹的频率仅为3周期/ 毫米（cycle/mm)W内的数据。也即，步骤S18(S14)中所算出的叠纹的频率内，使用3cycle/ mmW内的叠纹的频率并对其附上顺序，求出最低的叠纹的频率，并求出其频谱强度。
[0156] 另外，叠纹的可见性的判定等中，对叠纹的频率W及频谱强度，卷积W表示人的标 准视觉响应特性的杜利肖值ooley化aw)函数等为基础的视觉传递函数（VisualTransfer 化nction，VTF)，但在本发明中，并不使用VTF。其理由在于；VTF为依存于观察距离的函数， 在包含应用了本发明的导电膜的触摸屏等的显示装置中，在实际的观察时并不将观察距离 固定。
[0157] 其次，如图10所示，步骤S22中，将步骤S20中求出的叠纹的最低频率的频谱强度 与-3. 6相比，从而判定叠纹的频谱强度是否为-3. 6W上。
[015引另外，对于多数的网孔图案62,在后述实施例的虚设电极部22b的具有多个断线 部26的虚设电极配线图案24b的多个不同样本中求出叠纹的最低频率的频谱强度，3名研 究员对网孔图案62与叠纹的最低频率的频谱强度进行评价后，如后述表1所示，当叠纹的 最低频率的频谱强度W常用对数计为-3. 8W下（W反对数计为10^3'8^下）时，官能评价 中叠纹也不可见而为A，当该频谱强度W常用对数计为超过-3. 8且-3. 6W下（W反对数计 为超过且下）时，官能评价中虽可见到少量叠纹但为不会引起注意的程度， 从而为B，当该频谱强度W常用对数计为超过-3. 6 (W反对数计为超过10^3胃6)时，官能评价 中可见到叠纹C(无法使用）。
[0159] 因此，本发明中，将叠纹的最低频率的频谱强度限定为W常用对数计为-3. 6 W下 (W反对数计为1〇^3'6^下）。
[0160] 其结果，在叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计为超过-3. 6 (W反对数计为 超过1(T3 6)的情况下，转至步骤S24,将网孔图案62的透过率图像数据更新为新的网孔图 案的透过率图像数据，并返回到步骤S12中。
[0161] 此处，所更新的新的网孔图案可为预先准备的，也可为新制作的。另外，在新制作 的情况下，也可使网孔图案的透过率图像数据，详细而言，可使虚设电极配线图案24b的多 个断线部（断线）26的位置、间距、宽度中的任一个W上发生变化，也可变更网孔图案自身 的形状或尺寸。进而，也可使它们具有无规性。
[0162] 然后，重复进行步骤S12的空间频率特性的获取、步骤S14(S18)的叠纹的频率W 及频谱强度的算出、W及步骤20的叠纹的最低频率的频谱强度的算出、步骤22的叠纹的最 低频率的频谱强度与W常用对数计的-3. 6(W反对数计为1(T3 6)的比较、W及步骤24的网 孔图案的透过率图像数据的更新的各步骤，直至叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计 为-3.6 (W反对数计为1〇-3'6)W下为止。
[0163] 另一方面，在叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计为-3.6( W反对数计为 1(T3 6)W下的情况下，转至步骤S26,将网孔图案62决定为最佳化网孔图案，并设定为本发 明的导电膜10或导电膜11的网孔图案24(30)。
[0164] 如此，本发明的导电膜的网孔图案的决定方法结束，可制作本发明的导电膜，该导 电膜即便重叠于显示装置的显示单元的BM图案也可抑制叠纹的产生，叠纹的可见性优异 且具有最佳化的网孔图案。
[0165] 实施例
[0166] 将图16(A)所示的网孔图案70作为比较例1的仿真样本而制作。比较例1的网孔 图案70为如下的配线图案，即，包括构成有效的电极区域的X电极72的电极配线图案74， 及四个虚设电极76a、虚设电极76b、虚设电极76cW及虚设电极76d的虚设电极配线图案 78,且具有多个断线部84,该多个断线部84分别有规则地设置在由虚设电极配线图案78形 成的所有开口部80的呈菱形的网形状且包含金属细线82的四边的中屯、。另外，也在电极 配线图案74与虚设电极配线图案78之间的边上，在两者间的各一边的金属细线82的中屯、 位置设置着断线部84。另外，图示例中，为了简化图式，仅在一个虚设电极76c的虚设电极 配线图案78中图示断线部84,而=个虚设电极76a、虚设电极76bW及虚设电极76d的虚 设电极配线图案78中，省略断线部84的图示。
[0167]另外，作为参考例，将不包含断线部的网状配线的网孔图案作为仿真样本而制作。
[0168] W上述比较例1为基准，改变断线部84的长度、位置、配置、数量，而将实施例1~ 实施例6W及比较例2~比较例4的网孔图案作为仿真样本而制作。
[0169] 各网孔图案70等的包含菱形的所有网形状的一边的长度为144ym，菱形的内角 设为76°W及104°。而且，关于构成各网孔图案的边的金属细线82的粗度，使用线宽6ym 的细线。
[0170] 此处，比较例1的网孔图案70中，将断线部（断线）82的长度（断线长、或断线间 隔）设为 2〇m。
[0171] 与此相对，实施例1W及实施例2的网孔图案分别为相对于比较例1的网孔图案 70而变更了断线部（断线）84的长度（断线长、或断线间隔）所得的，根据比较例1中的 20ym，实施例1中设为5ym，实施例2中设为10ym，除此W外，实施例1W及实施例2均 与比较例1的网孔图案70相同。
[0172] 其次，实施例3~实施例5的网孔图案是将断线部84的位置从比较例1的网孔图 案的菱形的网形状的边的中屯、位置变更为无规配置所得。
[0173] 实施例3中，在四个虚设电极76a、虚设电极76b、虚设电极76cW及虚设电极76d 的虚设电极配线图案78的一个菱形的网形状的四边，将断线部84的位置从比较例1的中 屯、位置变更为中屯、位置W外的无规的位置，因而该图案为在其他菱形的网形状中重复的配 线图案。
[0174] 实施例4中，在虚设电极配线图案78的所有菱形的网形状的四边，将断线部84的 位置从比较例1的中屯、位置毫无规则地变更位置。
[0175] 实施例5中，不仅在虚设电极配线图案78的所有菱形的网形状的四边，也在电极 配线图案74与虚设电极配线图案78之间的各边，将断线部84的位置从比较例1的中屯、位 置毫无规则地变更位置。
[017引实施例6中，在比较例1的网孔图案70中，从四个虚设电极76a、虚设电极76b、虚 设电极76cW及虚设电极76d的虚设电极配线图案78中消除所有断线部84并进行连接， 变更为仅电极配线图案74与虚设电极配线图案78之间的各边具有断线部84。
[0177]比较例2~比较例3中，在所有虚设电极76a、虚设电极76b、虚设电极76cW及虚 设电极76d的虚设电极配线图案78中，使断线部84的数量相比于比较例1而有所减少。 [017引 比较例2中，在所有虚设电极配线图案78中，将行方向（图16中水平方向；xy坐 标的 X方向）的断线部84减去一半而每隔一条金属细线82来设置。
[0179] 比较例3中，在所有虚设电极配线图案78中，将列方向（图16中垂直方向；xy坐 标的y方向）的断线部84减去一半而每隔一条金属细线82来设置。
[0180] 比较例4中，在所有虚设电极配线图案78中，将列方向（图16中垂直方向；xy坐 标的y方向）的断线部84减去一半而每隔一条金属细线82来设置。
[0181] 比较例5中，在所有虚设电极配线图案78中，仅在一条线方向（（图16中交叉的 金属细线82 -侧）上设置断线部84。
[0182] 当将具有W上的实施例1~实施例6、比较例1~4W及参考例的网孔图案的导电 膜的仿真样本重叠于具有图11所示的BM图案38的显示单元31的仿真样本时，对各网孔 图案与BM图案38的干设进行仿真，求出由各网孔图案与BM图案38的两者的空间频率特 性的卷积来表示的叠纹的最低频率的频谱强度，并且显示由两者的干设而产生的叠纹（两 者的干设的仿真结果），由3名研究员进行可能评价。
[0183] 另外，构成显示单元31的BM图案38的像素的尺寸因分辨率为250化1，从而为 102ymX102ym，子像素的尺寸为 26ymX78ym。
[0184] 将其结果表示于表1。
[0185] 另外，对于3名研究员而言，可能评价结果为将叠纹不可见的评价为A,将少量叠 纹可见但为不会引起注意的程度的评价为B，将叠纹可见的评价为C。
[0186][表1]
[0187]
[018引根据表1的结果可知，叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计为-3. 8W下（W反对数计为10^3胃8^下）的实施例1W及实施例3~实施例5中，官能评价结果为A，叠纹 不可见，叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计为超过-3. 8且-3.6W下（W反对数 计为超过1(T3 8且1(T3 6W下）的实施例2W及实施例6中，官能评价结果为B，少量叠纹 可见但为不会引起注意的程度，与此相对，叠纹的最低频率的频谱强度W常用对数计为超 过-3. 6 (W反对数计为超过1(T3 6)的比较例1~比较例4中，官能评价结果为C，叠纹可见 从而无法使用。
[0189] 根据W上，可知本发明的效果。
[0190]W上，对本发明的导电膜、具备该导电膜的显示装置W及导电膜的图案的决定方 法列举各种实施形态W及实施例进行了说明，但本发明并不限定于上述实施形态W及实施 例，只要不脱离本发明的主旨，则当然可进行各种改良或设计的变更。
[0191] 符号的说明
[019引10、11、60;导电膜
[0193] 12;透明基体
[0194] 14、82;金属制的细线（金属细线）
[019引 16、16a、16b;配线层
[019引 18、18a、18b;粘接层
[0197] 20、20a、20b;保护层
[019引 22、28;网状配线
[0199] 22a、28a;电极部
[0200] 22b、28b;虚设电极部（非电极部）
[020" 23、29、80;开口部
[020引 24、30、62,70 ;网孔图案
[020引 24a、30a、74 ;电极配线图案
[0204] 24b，3化、78;虚设电极配线图案
[020引 26、84;断线部（断线）
[0206] 31;显示单元
[0207] 32、32r、32g、32b;像素
[020引 34 ;黑色矩阵炬M)
[0209] 38;BM图案
[0210] 40 ;显示装置
[0211] 44;触摸屏
[0212] 72;X电极
[0213] 76a、76b、76c、76d;虚设电极
【主权项】
1. 一种导电膜，设置于显示装置的显示单元上，其特征在于包括： 透明基体；以及 网状配线，形成于所述透明基体的至少一面，具有包含图案化的多个金属细线的网孔 图案， 所述网状配线的所述网孔图案重叠于所述显示单元的像素阵列图案， 叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为-3. 6以下，所述叠纹由至少正面观察时 的所述网孔图案的空间频率特性与所述显示单元的所述像素阵列图案的空间频率特性的 卷积来表示。2. 根据权利要求1所述的导电膜，其中所述网状配线包括：电极部，具备由所述多个金 属细线以连续的方式形成为网状的电极配线图案；以及非电极部，具备由所述多个金属细 线形成为网状且具有多个断线部而非连续的非电极配线图案，且与所述电极部绝缘， 所述网状配线的所述网孔图案包含所述电极部的所述电极配线图案、及与所述电极配 线图案绝缘的所述非电极部的所述非电极配线图案， 所述网孔图案的空间频率特性为至少正面观察时的包含所述多个断线部的所述网孔 图案的空间频率特性。3. 根据权利要求1或2所述的导电膜，其中所述叠纹的频率由所述网孔图案的所述空 间频率特性的频谱波峰的波峰频率与所述像素阵列图案的所述空间频率特性的频谱波峰 的波峰频率的差分而赋予，所述叠纹的频谱强度由所述网孔图案的所述频谱波峰的波峰强 度与所述像素阵列图案的所述频谱波峰的波峰强度的积而赋予。4. 根据权利要求3所述的导电膜，其中所述波峰强度为波峰位置周边的多个像素内的 强度的和。5. 根据权利要求1至4中任一项所述的导电膜，其中所述波峰强度利用所述网孔图案 以及所述像素阵列图案的透过率周期图像数据而标准化。6. -种导电膜，设置于显示装置的显示单元上，其特征在于包括： 透明基体；以及 网状配线，形成于所述透明基体的至少一面，且在一面具有包含图案化的多个金属细 线的网孔图案， 所述网状配线包括：电极部，具备由所述多个金属细线以连续的方式形成为网状的电 极配线图案；以及非电极部，具备由所述多个金属细线形成为网状且具有多个断线部而非 连续的非电极配线图案，且与所述电极部绝缘， 所述网状配线的所述网孔图案包含所述电极部的所述电极配线图案、及与所述电极配 线图案绝缘的所述非电极部的所述非电极配线图案，并重叠于所述显示单元的像素阵列图 案， 在使所述非电极部的所述非电极配线图案的所述多个断线部连接的情况下，所述网状 配线的所述网孔图案的叠纹不可见， 所述非电极部的所述非电极配线图案为无规地配置着所述多个断线部的无规配线图 案。7. 根据权利要求1至6中任一项所述的导电膜，其中所述叠纹的频率为3周期/毫米 以下。8. 根据权利要求1至7中任一项所述的导电膜，其中所述非电极部的所述非电极配线 图案在除所述电极部以外的区域内由所述多个金属细线形成为网状。9. 根据权利要求1至8中任一项所述的导电膜，其中所述像素阵列图案为所述黑色矩 阵图案。10. -种显示装置，其特征在于包括： 显示单元；以及 如权利要求1至9中任一项所述的导电膜，设置于所述显示单元上。11. 一种触摸屏显示装置，其特征在于包括： 如权利要求10所述的显示装置；以及 透明基板，配置于所述显示装置的所述导电膜的上侧，且在所述导电膜的相反侧具备 触控面。12. -种导电膜的网孔图案的决定方法，所述导电膜设置于显示装置的显示单元上且 形成有网状配线，所述网状配线具有由图案化的多个金属细线以连续的方式形成为网状的 网孔图案，所述导电膜的网孔图案的决定方法的特征在于： 获取所述网孔图案的透过率周期图像数据、与重叠有所述网孔图案的所述显示单元的 像素阵列图案的透过率周期图像数据， 对获取的所述网孔图案的所述透过率周期图像数据以及所述像素阵列图案的所述透 过率周期图像数据进行二维傅里叶变换，获得至少正面观察时的所述网孔图案的空间频率 特性以及所述像素阵列图案的空间频率特性， 根据所获得的所述网孔图案的所述空间频率特性与所述像素阵列图案的所述空间频 率特性，算出由两者的卷积表示的叠纹的频率以及频谱强度， 求出所算出的所述叠纹的频率内的最低频率，将所述最低频率的频谱强度与以常用对 数计的-3. 6相比， 当由所述常用对数定义的所述叠纹的频谱强度为-3. 6以下时，将所述网孔图案设定 为所述导电膜的网孔图案，当所述叠纹的频谱强度超过-3. 6时，将所述网孔图案的透过 率周期图像数据变更为新的网孔图案的透过率周期图像数据，并重复进行所述空间频率 特性的获取、所述叠纹的频率以及频谱强度的算出、以及所述叠纹的最低频率的频谱强度 与-3. 6的比较的各步骤，直至所述叠纹的最低频率的频谱强度为-3. 6以下为止。13. 根据权利要求12所述的导电膜的网孔图案的决定方法，其中所述网状配线具有所 述网孔图案，所述网孔图案包括：电极配线图案，由所述多个金属细线以连续的方式形成为 网状；以及非电极配线图案，由所述多个金属细线形成为网状、具有多个断线部且与所述电 极配线图案非连续地绝缘， 所述网孔图案的透过率周期图像数据为具备具有所述多个断线部的所述非电极配线 图案的所述网孔图案的透过率周期图像数据， 所述网孔图案的所述空间频率特性为至少正面观察时的包含所述多个断线部的所述 网孔图案的空间频率特性。14. 根据权利要求12或13所述的导电膜的网孔图案的决定方法，其中根据所获得的所 述网孔图案的所述空间频率特性，从所述网孔图案的透过率周期图像数据的二维傅里叶频 谱的多个频谱波峰内抽出其波峰强度以常用对数计为-4. 5以上的频谱波峰，并算出所抽 出的所有频谱波峰的波峰频率以及波峰强度，并且 根据所获得的所述像素阵列图案的所述空间频率特性，从所述像素阵列图案的透过率 周期图像数据的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰内抽出其波峰强度以常用对数计为-4. 5 以上的频谱波峰，并算出所抽出的所有频谱波峰的波峰频率以及波峰强度， 根据如此所算出的所述网孔图案的所述波峰频率以及所述波峰强度、与所述像素阵列 图案的所述波峰频率以及所述波峰强度，而分别算出所述叠纹的频率以及频谱强度。15. 根据权利要求14所述的导电膜的配线图案的决定方法，其中求出所述网孔图案的 所述波峰频率与所述像素阵列图案的所述波峰频率的波峰频率彼此的差分，来作为所述叠 纹的频率， 求出所述网孔图案的所述波峰强度与所述像素阵列图案的所述波峰强度的两组矢量 强度的乘积，来作为所述叠纹的所述频谱强度。16. 根据权利要求12至15中任一项所述的导电膜的网孔图案的决定方法，其中所述叠 纹的频率为3周期/毫米以下。17. 根据权利要求12至16中任一项所述的导电膜的网孔图案的决定方法，其中所述非 电极配线图案在未形成有所述电极配线图案的区域内由所述多个金属细线形成为网状。
【专利摘要】本发明的目的在于提供一种可抑制叠纹的产生且可大幅提高可见性的导电膜、以及导电膜的图案的决定方法。本发明的导电膜中，由至少正面观察时的网状配线的网孔图案的空间频率特性与显示单元的像素阵列图案的空间频率特性的卷积来表示的叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为-3.6以下。网孔图案也可为具有多个断线部的图案。
【IPC分类】G09F9/00, G06F3/041, H01B5/14, B32B3/24, B32B15/02, H05K9/00
【公开号】CN104885139
【申请号】CN201380065959
【发明人】岩见一央, 中村博重
【申请人】富士胶片株式会社
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2013年12月9日
【公告号】US20150286323, WO2014097921A1
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