一种化合物和发光器件的制作方法
一种化合物和发光器件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及发光材料技术领域，尤其涉及一种化合物和发光器件。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件一般由两个对置的电极和插入在这两个电极之间的至少一层 有机发光化合物组成，在工作过程中，电荷被注入到阳极和阴极之间形成的有机层中，以形 成电子和空穴对，使具有荧光或磷光特性的有机化合物产生光发射。
[0003] 有机电致发光器件可作为一种新型的平面显示器件，具有节能、响应速度快、颜色 稳定、环境适应性强、无辐射、寿命长、质量轻、厚度薄等特点。由于近几年光电通讯和多媒 体领域的迅速发展，有机光电子材料已成为现代社会信息和电子产业的核心。
[0004]目前，电致发光器件中的发光材料主要有小分子主体材料和聚合物主体材料两 类。利用小分子主体材料掺杂磷光配合物作为发光层已经制备了许多高效的电致发光器 件，然而制备小分子电致发光器件需要采用真空蒸镀等复杂工艺，大大提高了制备成本；同 时，小分子本身易于结晶等性质也极大地限制了器件的稳定性。近年来，利用聚合物主体材 料掺杂各种磷光配合物作为发光层制备电致发光器件受到了较多的关注，目前已报道的聚 合物主体材料有三苯基二胺衍生物（TH))、Ν，Ν' -二（α -萘基）-N，Ν' -二苯基-4, 4' -联 苯胺（a-NPD)等，这些材料的溶解性能和成膜性能相对较差，从而影响其作为发光层的效 果，使制备得到的电致发光器件的效率和寿命较差。
【发明内容】
[0005] 有鉴于此，本发明的目的在于提供一种化合物和发光器件，本发明提供的化合物 制备得到的发光器件的效率和寿命较好。
[0006] 本发明提供了 一种化合物，具有式I所示的结构：
[0007]
[0008] 式I中，L# 0~2的整数；
[0009] 八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基；
[0010]八1"2包括碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~ 50的芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为 6~50的芳烷巯基；
[0011]札~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳基、碳 原子数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基。
[0012] 优选的，所述化合物具有式101所示的结构：
[0013]
[0014] 优选的，所述Ar1为单环芳基、碳原子数为10~30的多环芳基、碳原子数为10~ 30的稠环芳基或碳原子数为10~20的芳胺基。
[0015] 优选的，所述Ar1为式201~式216中的一种：
[0017] 优选的，所述八1*2包括碳原子数为10~20的稠环芳基、碳原子数为10~20的芳 胺基或氮原子芳杂环基。
[0018] 优选的，所述Ar2为式301~式308中的一种：
[0020] 优选的，札~R4独立地选自氢、单环芳基、碳原子数为10~50的多环芳基、碳原 子数为10~50的稠环芳基、碳原子数为6~50的芳胺基、氮原子芳杂环基、硫原子芳杂环 基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为6~50的 芳烧疏基。
[0021] 优选的，札~R4独立地选自式401~式435中的一种：
[0022]
[0023]
[0024] 其中，X和Y独立地选自碳原子数为1~30的烷氧基、碳原子数为2~30的烯烃 基、碳原子数为2~30的取代烯烃基、碳原子数为6~30的芳基、碳原子数为7~30的芳 烷基、碳原子数为7~30的芳烷氧基、碳原子数为6~30的芳氧基、碳原子数为6~30的 芳胺基或碳原子数为5~30的杂环基。
[0025] 优选的，Ri~R4独立地选自氢、苯基或吡啶基。
[0026] 本发明提供了 一种发光器件，所述发光器件包括上述技术方案所述的化合物。
[0027] 本发明提供的化合物在二胺类化合物中引入醚键连接ArJP Ar2基团，同时结构式 中的札~1?4可以调节化合物的性能，使这种化合物的电性能较高；本发明提供的化合物可 作为发光材料应用，采用本发明提供的化合物制备的发光器件具有较高的效率、寿命较长。 实验结果表明，本发明提供的发光器件的效率为4. 2cd/A~7. 5cd/A ;寿命为3300小时~ 7200小时。
【具体实施方式】
[0028] 下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例 仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通 技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范 围。
[0029] 本发明提供了 一种化合物，具有式I所示的结构：
[0030]
[0031] 式I中，0~2的整数；
[0032] 八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基；
[0033] 八1*2包括碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~ 50的芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为 6~50的芳烷巯基；
[0034] 札~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳基、碳 原子数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基。
[0035] 在本发明的实施例中，所述化合物具有式101所示的结构：
[0036]
[0037] 在本发明的实施例中，所述Ar1为单环芳基、碳原子数为10~30的多环芳基、碳原 子数为10~30的稠环芳基或碳原子数为10~20的芳胺基；在其它的实施例中，所述Ar 1 为式201~式216中的一种：
[0038]
[0040] 在本发明的实施例中，所述八1*2包括碳原子数为10~20的稠环芳基、碳原子数为 10~20的芳胺基或氮原子芳杂环基；在其它的实施例中，所述Ar 2为式301~式308中的 一种：
[0042] 在本发明的实施例中，&~R4独立地选自氢、单环芳基、碳原子数为10~50的多 环芳基、碳原子数为10~50的稠环芳基、碳原子数为6~50的芳胺基、氮原子芳杂环基、 硫原子芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数 为6~50的芳烷巯基；在其它的实施例中，凡~R 4独立地选自式401~式435中的一种：
[0043]
[0045] 其中，X和Y独立地选自碳原子数为1~30的烷氧基、碳原子数为2~30的烯烃 基、碳原子数为2~30的取代烯烃基、碳原子数为6~30的芳基、碳原子数为7~30的芳 烷基、碳原子数为7~30的芳烷氧基、碳原子数为6~30的芳氧基、碳原子数为6~30的 芳胺基或碳原子数为5~30的杂环基。
[0046] 在本发明的优选实施例中，Ri~R4独立地选自氢、苯基或吡啶基（p )
[0047] 在本发明其他的优选实施例中，札~R 4均为氢；在其它的优选实施例中，R ^ R4 均为苯基；在其它的优选实施例中，&和R4为氢，R 2和R 3为苯基；在其它的优选实施例中， R1为苯基，R 2、RjPR4为氢；在其它的优选实施例中，R JP R2为苯基，RjPR4为氢；在其它 的优选实施例中，&~R 4均为吡啶基。
[0048] 在本发明的实施例中，所述化合物的制备方法可以为：
[0049] 将式II所示结构的化合物和式III所示结构的化合物进行还原反应，得到式I所 示结构的化合物；
[0050]
[0051] 其中，Ri~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳 基、碳原子数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基；
[0052] 八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基；
[0053] 八1*2包括碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~ 50的芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为 6~50的芳烷巯基；
[0054] 0~2的整数；
[0055] Y1S 卤素。
[0056] 在本发明中，所述札~R 4、Ar^ ArjP L占上述技术方案所述的R广R 4、Ar^ Ar2 和L1 一致，在此不再赘述。在本发明的实施例中，Y -Br或-Cl。
[0057] 在本发明的实施例中，所述式II结构的化合物的制备方法为：
[0058] 将式IV结构的化合物和式V结构的化合物进行胺化反应，得到式VI结构的化合 物；
[0059]
[0060] 其中，1?'和札~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50 的芳基、碳原子数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基；
[0061] XjP X 2独立地选自卤素；
[0062] 将式VI结构的化合物进行水解反应，得到式II结构的化合物。
[0063] 在本发明中，Ri~R 4与上述技术方案所述R R 4-致，在此不再赘述。在本发明 中，R'的结构种类和上述技术方案所述Ri~R 4的结构种类一致，在此不再赘述。在本发明 的实施例中，XjP X 2独立地选自-I、-Br或-Cl。
[0064] 本发明对所述水解反应的具体方法没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的 能够将-CH 3进行反应得到-H的技术方案即可。
[0065] 在本发明的实施例中，式IV结构的化合物的制备方法为：
[0066] 将式VII结构的化合物和式VIII结构的化合物进行胺化反应，得到式IV所示结 构的化合物；
-R，式 VIII ;
[0068] 其中，乂3和X 4独立地选卤素；
[0069] Y2S-B(OH) 2或-NH2;
[0070] R'为氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~ 50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基。 [0071] 在本发明中，R'、&和X 4与上述技术方案所述R'、X 3和X 4-致，在此不再赘述。
[0072] 在本发明的实施例中，式III结构的化合物的制备方法为：
[0073] 将式IX结构的化合物和式X结构的化合物进行偶合反应，得到式III结构的化合 物；
[0074] 丫3-A「1 士丫4] L1 式丨χ: 丫5士2式 X ;
[0075] 其中，Y3为卤素；Y4为氢或卤素 ；Y 5为-B(OH) 2或-NH2;
[0076] 八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基；
[0077] 八1"2包括碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~ 50的芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基基或碳原子数 为6~50的芳烷巯基；
[0078] L1S 0~2的整数。
[0079] 在本发明中，ArpArjP L i与上述技术方案所述Ar pArjP L i-致，在此不再赘述。 在本发明的实施例中，1为-Br或-Cl。在本发明的实施例中，Y 4为-H、-I、-Br或-Cl。
[0080] 本发明提供的化合物具有较好的电性能，这种化合物可作为发光材料应用。本发 明提供了一种发光材料，包括上述技术方案所述的化合物。
[0081] 本发明提供了 一种发光器件，所述发光器件包括上述技术方案所述的化合物。在 本发明的实施例中，所述发光器件包括：
[0082] 阴极层；
[0083] 阳极层；
[0084] 设置在所述阴极层和阳极层之间的有机化合物层，所述有机化合物层包括上述技 术方案所述的化合物。
[0085] 本发明对所述发光器件的阴极层和阳极层没有特殊的限制，采用本领域技术人员 熟知的电致发光器件的阴极层和阳极层即可。在本发明的实施例中，所述阳极层的材质为 功函数> 4. Oev的金属、合金和导电化合物中的一种或几种，如铟锡氧化物（ITO)、铟锌氧 化物、锡、氧化锌、金、铂和钯中的一种或几种。在本发明的实施例中，所述阳极层的厚度为 IOnm ~1000 nm ;优选为 20nm ~200nm。
[0086] 在本发明的实施例中，所述阴极层的材质为功函数< 4. Oev的金属、合金和导电 化合物中的一种或几种，如镁、铝、铟、钠和银中的一种或几种。在本发明的实施例中，所述 阴极层的厚度为IOnm~1000 nm ;优选为20nm~200nm〇
[0087] 在本发明的实施例中，上述化合物在所述有机化合物层中的质量含量为1 %~ 40 %。在本发明的实施例中，所述有机化合物层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡 层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层中的一种或几种，所述空穴注入层、空穴传输层、电子 阻挡层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层中的至少一层中含有上述技术方案所述的化合 物。在本发明的实施例中，所述空穴注入层的材质可以为HAT-CN，所述空穴注入层中还可 以包括上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述空穴注入层的厚度可以为 5nm ~20nm〇
[0088] 在本发明的实施例中，所述空穴传输层的材质可以为NPB或NPD，所述空穴传输层 中还可以包括上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述空穴传输层的厚度 可以为20nm~80nm。
[0089] 在本发明的实施例中，所述空穴注入层和空穴传输层可以采用空穴综合层替代， 所述空穴综合层既具有空穴注入的功能也具有空穴传输的功能。在本发明的实施例中，所 述空穴综合层的材质包括BCP或TPBi，所述空穴综合层中还可以包括上述技术方案所述的 化合物。在本发明的实施例中，所述空穴综合层的厚度可以为IOnm~30nm。
[0090] 在本发明的实施例中，所述电子阻挡层的材质包括IR(PPZ)3，所述电子阻挡层中 还可以包括上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述电子阻挡层的厚度为 IOnm ~30nm〇
[0091] 在本发明的实施例中，所述发光层可以为磷光主体发光层、磷光掺杂发光层、荧光 主体发光层或荧光掺杂发光层。在本发明的实施例中，上述技术方案所述的化合物可以作 为荧光主体发光层或荧光掺杂发光层的材质。在本发明的实施例中，所述发光层可以为红 色发光层、黄色发光层或青色发光层。在本发明的实施例中，上述技术方案所述的化合物可 以作为青色发光层的主体材质或掺杂材质。
[0092] 在本发明的实施例中，所述发光层的材质可以为CBP和Ir (ppy)，所述发光层中 还可以包括上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述发光层的厚度可以为 20nm ~50nm〇
[0093] 在本发明的实施例中，所述空穴阻挡层的材质可以为BCP，所述空穴阻挡层中还可 以包括上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述空穴阻挡层的厚度可以为 IOnm ~30nm〇
[0094] 在本发明的实施例中，所述电子传输层的材质可以为LiQ或TPB，所述电子传输层 中还可以包括上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述电子传输层的厚度 可以为IOnm~30nm。
[0095] 本发明对所述电子注入层的材质和厚度没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟 知的电致发光器件中电子注入层的材质和厚度即可。在本发明的实施例中，所述电子注入 层还可以包括上述技术方案所述的化合物。
[0096] 在本发明的实施例中，所述电子注入层和电子传输层可以采用电子综合层替代， 所述电子综合层既具有电子注入的功能也具有电子传输的功能。在本发明的实施例中，所 述电子综合层的材质包括LiF或LiQ，所述电子综合层中还可以包括上述技术方案所述的 化合物。在本发明的实施例中，所述电子综合层的厚度可以为Inm~10nm。
[0097] 在本发明的实施例中，所述阴极层、阳极层和有机化合物层的制备方法可以为 利用薄膜蒸镀、电子束蒸发或物理气相沉积的方法将上述阴极层的材质、阳极层的材质 和可以形成有机化合物层的材质分别制备成阴极层、阳极层和有机化合物层。在本发明 的实施例中，所述有机化合物层的制备方法还可以为采用高分子材料溶剂工程如旋转 涂膜（spin-coating)、薄带成型（tape-casting)、刮片法（doctor-blading)、丝网印刷 (Screen-Printing)、喷墨印刷或热成像（Thermal-Imaging)的方法来制备。
[0098] 在本发明的实施例中，所述有机化合物层为电子传输层，所述电子传输层中含有 上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述有机化合物层包括发光层和电子 传输层，所述发光层和电子传输层中含有上述技术方案所述的化合物，所述发光层和电子 传输层中的化合物可以相同也可以不同。
[0099] 本发明对所述发光器件的制备方法没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的 发光器件的制备方法，按照上述技术方案所述的阴极层、阳极层和有机化合物层的制备方 法，依次制备阳极层、有机化合物层和阴极层即可。
[0100] 本发明提供的发光器件可以前面发光，也可以背面发光，还可以两面发光。本发明 提供的发光器件可应用于有机发光器件（OLED)、有机太阳电池（OSC)、电子纸（e-Paper)、 有机感光体（OPC)或有机薄膜晶体管（OTFT)中作为发光器件使用。
[0101] 对本发明提供的化合物进行核磁共振测试，测试结果为，本发明提供的化合物具 有式I结构。
[0102] 将本发明提供的发光器件采用KEITHLEY吉时利2400型源测量单元，CS-2000分 光辐射亮度计进行测试，以评价发光器件的驱动电压、发光亮度、发光效率和发光颜色；测 试结果为，本发明提供的发光器件的效率为4. 2cd/A~7. 5cd/A ;寿命为3300小时~7200 小时。
[0103] 本发明以下实施例所用到的原料均为市售商品。
[0104] 实施例1中间体A-I的制备
[0105] 将 1-溴-3-氯-5-甲氧基苯（lOmmol，2. 2g)、二苯胺（20mmol，3. 34g)加入到 IOOmL的三口瓶，氮气下加入碘化亚铜（2mmol，0.4g)，碳酸钾（20mmol，1.4g)，邻菲罗啉 (2mmol，0. 4g)，50mL的DMF，155°C下反应3天；将得到的反应产物进行萃取，将萃取后的有 机相蒸干后用乙醇蒸煮，然后用乙酸乙酯和石油醚重结晶，得到I. 83g的中间体A-1，如表1 所示，表1为本发明实施例1~实施例3制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产 率。
[0106] 实施例2~实施例3中间体A-2~中间体A-3的制备
[0107] 按照实施例1所述的方法制备中间体，与实施例1不同的是，采用表1中的反应物 质替换实施例1中的1-溴-3-氯-5-甲氧基苯。
[0108] 表1本发明实施例1~实施例3制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产 率
[0109]
[0110] 实施例4中间体A-4的制备
[0111] 将 1,3-二溴-5-氯苯（10mmol，3.2g)、二苯胺（40mmol，6.7g)加入到 IOOmL 的 三口瓶中，氮气下加入碘化亚铜（4mmol，0. 8g)，碳酸钾（40mmol，2. 8g)，邻菲罗啉（4mmol， 0. 8g)，50mL的DMF，在155°C下反应3天，将得到的反应产物进行萃取，将萃取后的有机相蒸 干后用乙醇蒸煮，然后用乙酸乙酯和石油醚重结晶得到3. 57g的中间体A-4,如表2所示，表 2为本发明实施例4~实施例5制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产率。
[0112] 实施例5中间体A-5的制备
[0113] 按照实施例4所述的方法制备中间体，与实施例4不同的是，采用表2中的反应物 质替换实施例4中的二苯胺。
[0114] 表2本发明实施例4~实施例5制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产 率
[0115]
[0116] 实施例6中间体A-6的制备
[0117] 将 1，3-二溴-5-氯苯（10mmol，2· 70g)、4-吡啶硼酸（20mmol，2. 46g)、甲苯 (30mL)、碳酸钾水溶液（2mol /L，16mL)放入三口瓶中，氮气置换，氮气保护下加入四三苯基 磷钯（0. 2mmol，0. 21g)，在90°C反应24小时，得到I. 73g的中间体A-6,如表3所示，表3为 本发明实施例6~实施例7制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产率。
[0118] 实施例7中间体A-7的制备
[0119] 按照实施例6所述的方法制备中间体，与实施例6不同的是，采用表3中的反应物 质替换实施例6中的1，3-二溴-5-氯苯。
[0120] 表3本发明实施例6~实施例7制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产 率
[0121]
[0122] 实施例8中间体B-I的制备
[0123] 将 9-溴菲（lOmmol, I. 93g)、4_ 氯苯硼酸（lOmmol, I. 56g)、四三苯基磷.巴 (0· Olmmol，(λ Ig)、碳酸钠水溶液（2mol/L，30mL)装入IOOmL的三口烧瓶中，加入30mlL甲 苯以后抽真空-通氮气三次，升温至70°C进行24小时的反应；将得到的反应液冷却至室 温，分液萃取甲苯相，过硅胶漏斗冲洗至无产品，旋干，采用乙酸乙酯溶解石油醚析出3. 6g 中间体B-I，如表4所示，表4为本发明实施例8~实施例14制备中间体的反应原料以及中 间体的结构式和产率。
[0124] 实施例9~实施例14中间体B-2~中间体B-7的制备
[0125] 按照实施例8所述的方法制备中间体，与实施例8不同的是，采用表4中的反应物 质替换实施例8中的9-溴菲。
[0126] 表4本发明实施例8~实施例14制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和 产率
[0127]
[0128] 实施例15中间体C-I的制备
[0129] 将3,5-二溴苯甲醚（10臟〇1，2.78)、二苯胺（60臟〇1，1(^)加入1001^的三口瓶， 氮气下加入碘化亚铜（6mmol，1.2g)，碳酸钾（60mmol，8.3g)，邻菲罗啉（6mmol，1.2g)，50mL 的DMF，在155°C下反应3天；将得到的反应产物进行萃取，将萃取后的有机相蒸干后用乙醇 蒸煮，然后用乙酸乙酯和石油醚重结晶，得到4. 02g的中间体C-I，如表5所示，表5为本发 明实施例15~实施例18制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产率。
[0130] 实施例16~实施例18中间体C-2~中间体C-4的制备
[0131] 按照实施例15所述的方法制备中间体，与实施例15不同的是，采用表5中的反应 物质替换实施例8中的二苯胺。
[0132] 表5本发明实施例15~实施例18制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和 产率
[0133]
[0134]
[0135] 实施例19中间体C-5的制备
[0136] 将实施例1制备得到的中间体A_1 (lOmmol，3. 08g)、N_苯基-[1，1' -联苯]_4_胺 (30mmol，7. 29g)加入IOOmL的三口瓶中，氮气下加入碘化亚铜（3mmol，0. 6g)，碳酸钾 (30mmol，4. 15g)，邻菲罗啉（3mmol，(λ 6g)，50mL的DMF，在180°C下反应3天，将得到的反 应产物萃取，将萃取后的有机相蒸干后用乙醇蒸煮，然后用乙酸乙酯和石油醚重结晶，得到 3. 36g的中间体C-5,如表6所示，表6为本发明实施例19~实施例21制备中间体的反应 原料以及中间体的结构式和产率。
[0137] 实施例20~实施例21中间体C-6~中间体C-7的制备
[0138] 按照实施例19所述的方法制备中间体，与实施例19不同的是，采用表6中的反应 物质替换实施例19中的N-苯基-[1，Γ-联苯]-4-胺。
[0139] 表6本发明实施例19~实施例21制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和 产率
[0142] 实施例22中间体D-I的制备
[0143] 向反应瓶中加入实施例15制备的中间体C-I (20mmol，8. 77g)、质量浓度为47%的 溴化氢水溶液IlmU三辛基甲基氯化铵（2g)，在105°C下进行反应，薄层层析（TLC)点板以 后终止反应；将得到的反应产物用乙酸乙酯和水萃取后过柱子，得到6. Sg的中间体D-I，如 表7所示，表7为本发明实施例22~实施例28制备中间体的反应原料以及中间体的结构 式和产率。
[0144] 实施例23~实施例28中间体D2~中间体D7的制备
[0145] 按照实施例22所述的方法制备中间体，与实施例22不同的是，采用表7中的反应 物质替换实施例22中的中间体C-I。
[0146] 表7本发明实施例22~实施例28制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和 产率
[0147]
[0149]
[0150] 实施例29式E-I结构的化合物的制备
[0151] 向IOOmL的三口瓶中加入实施例22制备得到的中间体D-I (4. 25g，10mmol)，溶 解于5〇111]^的乙腈中，然后加碳酸铯（20_31，6.58)，铜（0.2_31，1211^)，1-溴萘（11_31， 2. 27g)，氮气保护下80°C进行4小时的反应；将得到的反应产物进行萃取，蒸干萃取后得到 的有机相，然后进行柱层析，得到3. 32g的化合物。
[0152] 将本发明实施例29制备得到的化合物进行质谱测试和核磁共振检测，测试结果 为：
[0153] MS/FAB(M+) ：554. 23 ；
[0154] 1H NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 37 (s, 1H), 8. 29 (s, 1H), 7. 68 (t, J = 32. 5Hz, 3H) ,7. 37 (s, 1H), 7. 24 (s, 8H), 7. 04 (d, J = 40. 0Hz, 12H), 6. 52 (t, J = 12. 5Hz, 4H).
[0155] 由以上测试结果可知，本发明实施例29制备得到的化合物具有式E-I所示的结 构，如表8所示，表8为本发明实施例29~实施例52制备化合物的反应原料以及化合物的 结构式和产率。
[0156] 实施例30~实施例52式E-2~式E-24结构的化合物的制备
[0157] 按照实施例29所述的方法制备化合物，与实施例29不同的是，采用表8中的反应 物质替换实施例29中的1-溴萘。
[0158] 对制备得到的化合物进行核磁共振检测，检测结果为，本发明实施例30~实施例 52制备得到的化合物具有式E-2~式E-24所示的结构。
[0159] 表8本发明实施例29~实施例52制备化合物的反应原料以及化合物的结构式和 产率
[0160]
[0161]
[0162]
[0163]
[0164]
[0165] 实施例53~实施例76式F-I~式F-24结构的化合物的制备
[0166] 按照实施例29所述的方法制备化合物，与实施例29不同的是，采用表9中的反应 物质替换实施例29中的中间体D-1，表9为本发明实施例53~实施例76制备化合物的反 应原料以及化合物的结构式和产率。
[0167] 对制备得到的化合物进行核磁共振检测，本发明实施例53制备得到的化合物的 检测结果为：
[0168] 1H NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 37 (s, 1H) , 8. 29 (s, I Η) , 7. 81 -7. 33 (m, 23Η), 7. 24 (s, 4Η), 7. 04 (d, J = 40. 0Hz, 6Η), 6. 52 (t, J = 12. 5Hz, 4Η).
[0169] 由以上检测结果可知，本发明实施例53制备得到的化合物具有式F-I所示的结 构；
[0170] 本发明实施例54~实施例76制备得到的化合物具有式F-2~式F-24所示的结 构。
[0171] 表9本发明实施例53~实施例76制备化合物的反应原料以及化合物的结构式和 产率
[0172]
[0174]
[0175]
[0176]
[0177] 实施例77~实施例100式G-I~式G-24结构的化合物的制备
[0178] 按照实施例29所述的方法制备化合物，与实施例29不同的是，采用表10中的反 应物质替换实施例29中的中间体D-1，表10为本发明实施例77~实施例100制备化合物 的反应原料以及化合物的结构式和产率。
[0179] 对制备得到的化合物进行核磁共振检测，本发明实施例77制备得到的化合物的 检测结果为：
[0180] IH NMR(500MHz, Chloroform) δ 8. 33 (s, 1H), 8. 25 (s, 1H), 7. 65 (t, J = 32. 4Hz, 11H), 7. 42 (dd, J = 64. 7, 24. 9Hz, 30H), 6. 49 (t, J = 12. 4Hz, 4H).
[0181] 由以上检测结果可知，本发明实施例77制备得到的化合物具有式G-I所示的结 构；
[0182] 本发明实施例78~实施例100制备得到的化合物具有式G-2~式G-24所示的结 构。
[0183] 表10本发明实施例77~实施例100制备化合物的反应原料以及化合物的结构式 和产率
[0184]
[0185]
[0186]
[0187]
[0188]
[0189]
[0190]
[0191] 实施例101~实施例124式H-I~式H-24结构的化合物的制备
[0192] 按照实施例29所述的方法制备化合物，与实施例29不同的是，采用表11中的反 应物质替换实施例29中的中间体D-1，表11为本发明实施例101~实施例124制备化合物 的反应原料以及化合物的结构式和产率。
[0193] 对制备得到的化合物进行核磁共振检测，本发明实施例101制备得到的化合物的 检测结果为：
[0194] 1H NMR (500MHz, Chloroform) 58.37(s, I Η),8. 29(s, lH),7.68(t,J =32. 5Hz, 5H) , 7. 45 (dd, J = 65. 0, 25. 0Hz, 8H) , 7. 24 (s, 6H) , 7. 04 (d, J = 40. 0Hz, 9H), 6. 52 (t, J = 12. 5Hz, 4H).
[0195] 由以上检测结果可知，本发明实施例101制备得到的化合物具有式H-I所示的结 构；
[0196] 本发明实施例102~实施例124制备得到的化合物具有式H-2~式H-24所示的 结构。
[0197] 表11本发明实施例101~实施例124制备化合物的反应原料以及化合物的结构 式和产率
[0198]
[0199]
[0200]
[0201]
[0202]
[0203] 实施例125~实施例148式I-I~式1-24结构的化合物的制备
[0204] 按照实施例29所述的方法制备化合物，与实施例29不同的是，采用表12中的反 应物质替换实施例29中的中间体D-1，表12为本发明实施例125~实施例148制备化合物 的反应原料以及化合物的结构式和产率。
[0205] 对制备得到的化合物进行核磁共振检测，本发明实施例125制备得到的化合物的 检测结果为：
[0206] 1H NMR (500MHz, Chloroform) 58.37(s, lH),8.29(s, I Η), 7.80-7. 32 (m, 22H), 7. 24 (s, 4H), 7. 04 (d, J = 40. 0Hz, 6H), 6. 52 (t, J = 12. 5Hz, 4H).
[0207] 由以上检测结果可知，本发明实施例125制备得到的化合物具有式I-I所示的结 构；
[0208] 本发明实施例106~实施例148制备得到的化合物具有式1-2~式1-24所示的 结构。
[0209] 表12本发明实施例125~实施例148制备化合物的反应原料以及化合物的结构 式和产率
[0210]
[0211]
[0212]
[0213]
[0214]
[0215] 实施例149~实施例172式J-I~式J-24结构的化合物的制备
[0216] 按照实施例29所述的方法制备化合物，与实施例29不同的是，采用表13中的反 应物质替换实施例29中的中间体D-1，表13为本发明实施例149~实施例172制备化合物 的反应原料以及化合物的结构式和产率。
[0217] 对制备得到的化合物进行核磁共振检测，本发明实施例149制备得到的化合物的 检测结果为：
[0218] 1H NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 68 (s, 8H), 8. 34 (s, 1H), 8. 26 (s, 1H), 7. 87 (s, 8H) ,7. 66 (t, J = 32. 4Hz, 3H), 7. 52 (s, 8H), 7. 35 (s, 9H), 6. 50 (t, J = 12. 5Hz, 4H).
[0219] 由以上检测结果可知，本发明实施例149制备得到的化合物具有式J-I所示的结 构；
[0220] 本发明实施例150~实施例172制备得到的化合物具有式J-2~式J-24所示的 结构。
[0221] 表13本发明实施例149~实施例172制备化合物的反应原料以及化合物化合的 结构式和产率
[0222]
[0223]
[0224]
[0225]
[0226]
[0227]
[0228] 实施例173
[0229] 将费希尔公司涂层厚度为1500Λ的ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波 洗涤30分钟，按异丙醇、丙酮、甲醇按顺序洗涤30分钟，用蒸馏水反复清洗2次，超声波洗 涤10分钟，干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机里，得到阳 极层；
[0230] 在所述阳极层表面依次蒸镀500Λ的空穴注入层2-ΤΝΑΤΑ、300Λ的空穴传输层实 施例29制备得到的式E-I结构的化合物、400A的空穴阻挡层及空穴传输层TPBi、5A的 LiF层和2000A的阴极层A1，得到发光器件；上述蒸镀过程中有机物的蒸镀速度为lA/sec、 LiF的蒸镀速度为〇.2A/sec、Al的蒸镀速度为3~7A/sec;
[0231]
[0232] 将本发明实施例173制备得到的发光器件采用KEITHLEY吉时利2400型源测量单 元，CS-2000分光辐射亮度计进行测试，以评价发光器件的驱动电压、发光亮度、发光效率和 发光颜色；测试结果如表14所示，表14为本发明实施例和比较例制备发光器件采用的原料 以及发光器件性能测试结果。
[0233] 实施例174~实施例183
[0234] 按照实施例173所述的方法制备发光器件，与实施例173不同的是采用表14中的 原料替换实施例173中实施例29制备得到的式E-I结构的化合物。
[0235] 按照实施例173所述的方法测试实施例174~实施例184制备的发光器件的性 能，测试结果如表14所示。
[0236] 比较例1
[0237] 按照实施例173所述的方法制备发光器件，与实施例173不同的是，采用a-NH)替 换实施例173中实施例29制备得到的式E-I结构的化合物；
[0238] 所述a-NPD的结构式为：
[0239]
[0240] 按照实施例173所述的方法测试比较例1制备的发光器件的性能，测试结果如表 14所示。
[0241] 表14本发明实施例和比较例制备发光器件采用的原料以及发光器件性能测试结 果
[0242]
[0244] 由以上实施例可知，本发明提供了一种化合物，具有式I所示的结构；式I中，L1S 〇~2的整数；八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基；Ar 2包括 碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~50的芳杂环基、碳 原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为6~50的芳烷巯 基；Ri~R 4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳基、碳原子数 为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基。本发明提供了一种发光器件，包 括上述技术方案所述的化合物。本发明提供的化合物在二胺类化合物中引入醚键连接Ar i 和Ar2基团，同时结构式中的R ^ 1?4可以调节化合物的性能，使这种化合物的电性能较好； 本发明提供的化合物可作为发光材料应用，采用本发明提供的化合物制备的发光器件具有 较高的效率、寿命较长。
【主权项】
1. 一种化合物，具有式I所示的结构：式I中，1^为O~2的整数； 八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基； 八巧包括碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~50的 芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为6~ 50的芳烧疏基； 札~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳基、碳原子 数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基。2. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式101所示的结构：3. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ar i为单环芳基、碳原子数为10~ 30的多环芳基、碳原子数为10~30的稠环芳基或碳原子数为10~20的芳胺基。4. 根据权利要求3所述的化合物，其特征在于，所述Ar i为式201~式216中的一种：5. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ar 2包括碳原子数为10~20的稠 环芳基、碳原子数为10~20的芳胺基或氮原子芳杂环基。6. 根据权利要求5所述的化合物，其特征在于，所述Ar 2为式301~式308中的一种：7. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，R R 4独立地选自氢、单环芳基、碳原 子数为10~50的多环芳基、碳原子数为10~50的稠环芳基、碳原子数为6~50的芳胺 基、氮原子芳杂环基、硫原子芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的 芳烷氧基或碳原子数为6~50的芳烷巯基。8. 根据权利要求7所述的化合物，其特征在于，R R4独立地选自式401~式435中 的一种：其中，X和Y独立地选自碳原子数为1~30的烷氧基、碳原子数为2~30的烯烃基、 碳原子数为2~30的取代烯烃基、碳原子数为6~30的芳基、碳原子数为7~30的芳烷 基、碳原子数为7~30的芳烷氧基、碳原子数为6~30的芳氧基、碳原子数为6~30的芳 胺基或碳原子数为5~30的杂环基。9. 根据权利要求7所述的化合物，其特征在于，R R4独立地选自氢、苯基或吡啶基。10. -种发光器件，所述发光器件包括权利要求1~9中任意一项所述的化合物。
【专利摘要】本发明提供了一种化合物，具有式I所示的结构；其中，L1为0～2的整数；Ar1包括碳原子数为6～30的芳基或芳胺基；Ar2包括碳原子数为6～50的芳基、碳原子数为6～50芳胺基、碳原子数为6～50的芳杂环基；R1～R4独立地选自氢、碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为6～50的芳基。本发明提供了一种发光器件，包括上述化合物。本发明提供的化合物在二胺类化合物中引入醚键连接Ar1和Ar2基团，同时结构式中的R1～R4可以调节化合物的性能，使这种化合物的电性能较好；采用本发明提供的化合物制备的发光器件具有较高的效率、寿命较长。
【IPC分类】H01L51/54, C07C213/08, C07D209/88, C07D213/38, C07C217/92, C07D401/14, C09K11/06
【公开号】CN104892434
【申请号】CN201510296341
【发明人】高春吉, 崔敦洙, 孙毅, 张成成
【申请人】吉林奥来德光电材料股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月2日
【技术领域】
[0001] 本发明涉及发光材料技术领域，尤其涉及一种化合物和发光器件。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件一般由两个对置的电极和插入在这两个电极之间的至少一层 有机发光化合物组成，在工作过程中，电荷被注入到阳极和阴极之间形成的有机层中，以形 成电子和空穴对，使具有荧光或磷光特性的有机化合物产生光发射。
[0003] 有机电致发光器件可作为一种新型的平面显示器件，具有节能、响应速度快、颜色 稳定、环境适应性强、无辐射、寿命长、质量轻、厚度薄等特点。由于近几年光电通讯和多媒 体领域的迅速发展，有机光电子材料已成为现代社会信息和电子产业的核心。
[0004]目前，电致发光器件中的发光材料主要有小分子主体材料和聚合物主体材料两 类。利用小分子主体材料掺杂磷光配合物作为发光层已经制备了许多高效的电致发光器 件，然而制备小分子电致发光器件需要采用真空蒸镀等复杂工艺，大大提高了制备成本；同 时，小分子本身易于结晶等性质也极大地限制了器件的稳定性。近年来，利用聚合物主体材 料掺杂各种磷光配合物作为发光层制备电致发光器件受到了较多的关注，目前已报道的聚 合物主体材料有三苯基二胺衍生物（TH))、Ν，Ν' -二（α -萘基）-N，Ν' -二苯基-4, 4' -联 苯胺（a-NPD)等，这些材料的溶解性能和成膜性能相对较差，从而影响其作为发光层的效 果，使制备得到的电致发光器件的效率和寿命较差。
【发明内容】
[0005] 有鉴于此，本发明的目的在于提供一种化合物和发光器件，本发明提供的化合物 制备得到的发光器件的效率和寿命较好。
[0006] 本发明提供了 一种化合物，具有式I所示的结构：
[0007]
[0008] 式I中，L# 0~2的整数；
[0009] 八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基；
[0010]八1"2包括碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~ 50的芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为 6~50的芳烷巯基；
[0011]札~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳基、碳 原子数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基。
[0012] 优选的，所述化合物具有式101所示的结构：
[0013]
[0014] 优选的，所述Ar1为单环芳基、碳原子数为10~30的多环芳基、碳原子数为10~ 30的稠环芳基或碳原子数为10~20的芳胺基。
[0015] 优选的，所述Ar1为式201~式216中的一种：
[0017] 优选的，所述八1*2包括碳原子数为10~20的稠环芳基、碳原子数为10~20的芳 胺基或氮原子芳杂环基。
[0018] 优选的，所述Ar2为式301~式308中的一种：
[0020] 优选的，札~R4独立地选自氢、单环芳基、碳原子数为10~50的多环芳基、碳原 子数为10~50的稠环芳基、碳原子数为6~50的芳胺基、氮原子芳杂环基、硫原子芳杂环 基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为6~50的 芳烧疏基。
[0021] 优选的，札~R4独立地选自式401~式435中的一种：
[0022]
[0023]
[0024] 其中，X和Y独立地选自碳原子数为1~30的烷氧基、碳原子数为2~30的烯烃 基、碳原子数为2~30的取代烯烃基、碳原子数为6~30的芳基、碳原子数为7~30的芳 烷基、碳原子数为7~30的芳烷氧基、碳原子数为6~30的芳氧基、碳原子数为6~30的 芳胺基或碳原子数为5~30的杂环基。
[0025] 优选的，Ri~R4独立地选自氢、苯基或吡啶基。
[0026] 本发明提供了 一种发光器件，所述发光器件包括上述技术方案所述的化合物。
[0027] 本发明提供的化合物在二胺类化合物中引入醚键连接ArJP Ar2基团，同时结构式 中的札~1?4可以调节化合物的性能，使这种化合物的电性能较高；本发明提供的化合物可 作为发光材料应用，采用本发明提供的化合物制备的发光器件具有较高的效率、寿命较长。 实验结果表明，本发明提供的发光器件的效率为4. 2cd/A~7. 5cd/A ;寿命为3300小时~ 7200小时。
【具体实施方式】
[0028] 下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例 仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通 技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范 围。
[0029] 本发明提供了 一种化合物，具有式I所示的结构：
[0030]
[0031] 式I中，0~2的整数；
[0032] 八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基；
[0033] 八1*2包括碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~ 50的芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为 6~50的芳烷巯基；
[0034] 札~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳基、碳 原子数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基。
[0035] 在本发明的实施例中，所述化合物具有式101所示的结构：
[0036]
[0037] 在本发明的实施例中，所述Ar1为单环芳基、碳原子数为10~30的多环芳基、碳原 子数为10~30的稠环芳基或碳原子数为10~20的芳胺基；在其它的实施例中，所述Ar 1 为式201~式216中的一种：
[0038]
[0040] 在本发明的实施例中，所述八1*2包括碳原子数为10~20的稠环芳基、碳原子数为 10~20的芳胺基或氮原子芳杂环基；在其它的实施例中，所述Ar 2为式301~式308中的 一种：
[0042] 在本发明的实施例中，&~R4独立地选自氢、单环芳基、碳原子数为10~50的多 环芳基、碳原子数为10~50的稠环芳基、碳原子数为6~50的芳胺基、氮原子芳杂环基、 硫原子芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数 为6~50的芳烷巯基；在其它的实施例中，凡~R 4独立地选自式401~式435中的一种：
[0043]
[0045] 其中，X和Y独立地选自碳原子数为1~30的烷氧基、碳原子数为2~30的烯烃 基、碳原子数为2~30的取代烯烃基、碳原子数为6~30的芳基、碳原子数为7~30的芳 烷基、碳原子数为7~30的芳烷氧基、碳原子数为6~30的芳氧基、碳原子数为6~30的 芳胺基或碳原子数为5~30的杂环基。
[0046] 在本发明的优选实施例中，Ri~R4独立地选自氢、苯基或吡啶基（p )
[0047] 在本发明其他的优选实施例中，札~R 4均为氢；在其它的优选实施例中，R ^ R4 均为苯基；在其它的优选实施例中，&和R4为氢，R 2和R 3为苯基；在其它的优选实施例中， R1为苯基，R 2、RjPR4为氢；在其它的优选实施例中，R JP R2为苯基，RjPR4为氢；在其它 的优选实施例中，&~R 4均为吡啶基。
[0048] 在本发明的实施例中，所述化合物的制备方法可以为：
[0049] 将式II所示结构的化合物和式III所示结构的化合物进行还原反应，得到式I所 示结构的化合物；
[0050]
[0051] 其中，Ri~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳 基、碳原子数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基；
[0052] 八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基；
[0053] 八1*2包括碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~ 50的芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为 6~50的芳烷巯基；
[0054] 0~2的整数；
[0055] Y1S 卤素。
[0056] 在本发明中，所述札~R 4、Ar^ ArjP L占上述技术方案所述的R广R 4、Ar^ Ar2 和L1 一致，在此不再赘述。在本发明的实施例中，Y -Br或-Cl。
[0057] 在本发明的实施例中，所述式II结构的化合物的制备方法为：
[0058] 将式IV结构的化合物和式V结构的化合物进行胺化反应，得到式VI结构的化合 物；
[0059]
[0060] 其中，1?'和札~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50 的芳基、碳原子数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基；
[0061] XjP X 2独立地选自卤素；
[0062] 将式VI结构的化合物进行水解反应，得到式II结构的化合物。
[0063] 在本发明中，Ri~R 4与上述技术方案所述R R 4-致，在此不再赘述。在本发明 中，R'的结构种类和上述技术方案所述Ri~R 4的结构种类一致，在此不再赘述。在本发明 的实施例中，XjP X 2独立地选自-I、-Br或-Cl。
[0064] 本发明对所述水解反应的具体方法没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的 能够将-CH 3进行反应得到-H的技术方案即可。
[0065] 在本发明的实施例中，式IV结构的化合物的制备方法为：
[0066] 将式VII结构的化合物和式VIII结构的化合物进行胺化反应，得到式IV所示结 构的化合物；
-R，式 VIII ;
[0068] 其中，乂3和X 4独立地选卤素；
[0069] Y2S-B(OH) 2或-NH2;
[0070] R'为氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~ 50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基。 [0071] 在本发明中，R'、&和X 4与上述技术方案所述R'、X 3和X 4-致，在此不再赘述。
[0072] 在本发明的实施例中，式III结构的化合物的制备方法为：
[0073] 将式IX结构的化合物和式X结构的化合物进行偶合反应，得到式III结构的化合 物；
[0074] 丫3-A「1 士丫4] L1 式丨χ: 丫5士2式 X ;
[0075] 其中，Y3为卤素；Y4为氢或卤素 ；Y 5为-B(OH) 2或-NH2;
[0076] 八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基；
[0077] 八1"2包括碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~ 50的芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基基或碳原子数 为6~50的芳烷巯基；
[0078] L1S 0~2的整数。
[0079] 在本发明中，ArpArjP L i与上述技术方案所述Ar pArjP L i-致，在此不再赘述。 在本发明的实施例中，1为-Br或-Cl。在本发明的实施例中，Y 4为-H、-I、-Br或-Cl。
[0080] 本发明提供的化合物具有较好的电性能，这种化合物可作为发光材料应用。本发 明提供了一种发光材料，包括上述技术方案所述的化合物。
[0081] 本发明提供了 一种发光器件，所述发光器件包括上述技术方案所述的化合物。在 本发明的实施例中，所述发光器件包括：
[0082] 阴极层；
[0083] 阳极层；
[0084] 设置在所述阴极层和阳极层之间的有机化合物层，所述有机化合物层包括上述技 术方案所述的化合物。
[0085] 本发明对所述发光器件的阴极层和阳极层没有特殊的限制，采用本领域技术人员 熟知的电致发光器件的阴极层和阳极层即可。在本发明的实施例中，所述阳极层的材质为 功函数> 4. Oev的金属、合金和导电化合物中的一种或几种，如铟锡氧化物（ITO)、铟锌氧 化物、锡、氧化锌、金、铂和钯中的一种或几种。在本发明的实施例中，所述阳极层的厚度为 IOnm ~1000 nm ;优选为 20nm ~200nm。
[0086] 在本发明的实施例中，所述阴极层的材质为功函数< 4. Oev的金属、合金和导电 化合物中的一种或几种，如镁、铝、铟、钠和银中的一种或几种。在本发明的实施例中，所述 阴极层的厚度为IOnm~1000 nm ;优选为20nm~200nm〇
[0087] 在本发明的实施例中，上述化合物在所述有机化合物层中的质量含量为1 %~ 40 %。在本发明的实施例中，所述有机化合物层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡 层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层中的一种或几种，所述空穴注入层、空穴传输层、电子 阻挡层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层中的至少一层中含有上述技术方案所述的化合 物。在本发明的实施例中，所述空穴注入层的材质可以为HAT-CN，所述空穴注入层中还可 以包括上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述空穴注入层的厚度可以为 5nm ~20nm〇
[0088] 在本发明的实施例中，所述空穴传输层的材质可以为NPB或NPD，所述空穴传输层 中还可以包括上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述空穴传输层的厚度 可以为20nm~80nm。
[0089] 在本发明的实施例中，所述空穴注入层和空穴传输层可以采用空穴综合层替代， 所述空穴综合层既具有空穴注入的功能也具有空穴传输的功能。在本发明的实施例中，所 述空穴综合层的材质包括BCP或TPBi，所述空穴综合层中还可以包括上述技术方案所述的 化合物。在本发明的实施例中，所述空穴综合层的厚度可以为IOnm~30nm。
[0090] 在本发明的实施例中，所述电子阻挡层的材质包括IR(PPZ)3，所述电子阻挡层中 还可以包括上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述电子阻挡层的厚度为 IOnm ~30nm〇
[0091] 在本发明的实施例中，所述发光层可以为磷光主体发光层、磷光掺杂发光层、荧光 主体发光层或荧光掺杂发光层。在本发明的实施例中，上述技术方案所述的化合物可以作 为荧光主体发光层或荧光掺杂发光层的材质。在本发明的实施例中，所述发光层可以为红 色发光层、黄色发光层或青色发光层。在本发明的实施例中，上述技术方案所述的化合物可 以作为青色发光层的主体材质或掺杂材质。
[0092] 在本发明的实施例中，所述发光层的材质可以为CBP和Ir (ppy)，所述发光层中 还可以包括上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述发光层的厚度可以为 20nm ~50nm〇
[0093] 在本发明的实施例中，所述空穴阻挡层的材质可以为BCP，所述空穴阻挡层中还可 以包括上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述空穴阻挡层的厚度可以为 IOnm ~30nm〇
[0094] 在本发明的实施例中，所述电子传输层的材质可以为LiQ或TPB，所述电子传输层 中还可以包括上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述电子传输层的厚度 可以为IOnm~30nm。
[0095] 本发明对所述电子注入层的材质和厚度没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟 知的电致发光器件中电子注入层的材质和厚度即可。在本发明的实施例中，所述电子注入 层还可以包括上述技术方案所述的化合物。
[0096] 在本发明的实施例中，所述电子注入层和电子传输层可以采用电子综合层替代， 所述电子综合层既具有电子注入的功能也具有电子传输的功能。在本发明的实施例中，所 述电子综合层的材质包括LiF或LiQ，所述电子综合层中还可以包括上述技术方案所述的 化合物。在本发明的实施例中，所述电子综合层的厚度可以为Inm~10nm。
[0097] 在本发明的实施例中，所述阴极层、阳极层和有机化合物层的制备方法可以为 利用薄膜蒸镀、电子束蒸发或物理气相沉积的方法将上述阴极层的材质、阳极层的材质 和可以形成有机化合物层的材质分别制备成阴极层、阳极层和有机化合物层。在本发明 的实施例中，所述有机化合物层的制备方法还可以为采用高分子材料溶剂工程如旋转 涂膜（spin-coating)、薄带成型（tape-casting)、刮片法（doctor-blading)、丝网印刷 (Screen-Printing)、喷墨印刷或热成像（Thermal-Imaging)的方法来制备。
[0098] 在本发明的实施例中，所述有机化合物层为电子传输层，所述电子传输层中含有 上述技术方案所述的化合物。在本发明的实施例中，所述有机化合物层包括发光层和电子 传输层，所述发光层和电子传输层中含有上述技术方案所述的化合物，所述发光层和电子 传输层中的化合物可以相同也可以不同。
[0099] 本发明对所述发光器件的制备方法没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的 发光器件的制备方法，按照上述技术方案所述的阴极层、阳极层和有机化合物层的制备方 法，依次制备阳极层、有机化合物层和阴极层即可。
[0100] 本发明提供的发光器件可以前面发光，也可以背面发光，还可以两面发光。本发明 提供的发光器件可应用于有机发光器件（OLED)、有机太阳电池（OSC)、电子纸（e-Paper)、 有机感光体（OPC)或有机薄膜晶体管（OTFT)中作为发光器件使用。
[0101] 对本发明提供的化合物进行核磁共振测试，测试结果为，本发明提供的化合物具 有式I结构。
[0102] 将本发明提供的发光器件采用KEITHLEY吉时利2400型源测量单元，CS-2000分 光辐射亮度计进行测试，以评价发光器件的驱动电压、发光亮度、发光效率和发光颜色；测 试结果为，本发明提供的发光器件的效率为4. 2cd/A~7. 5cd/A ;寿命为3300小时~7200 小时。
[0103] 本发明以下实施例所用到的原料均为市售商品。
[0104] 实施例1中间体A-I的制备
[0105] 将 1-溴-3-氯-5-甲氧基苯（lOmmol，2. 2g)、二苯胺（20mmol，3. 34g)加入到 IOOmL的三口瓶，氮气下加入碘化亚铜（2mmol，0.4g)，碳酸钾（20mmol，1.4g)，邻菲罗啉 (2mmol，0. 4g)，50mL的DMF，155°C下反应3天；将得到的反应产物进行萃取，将萃取后的有 机相蒸干后用乙醇蒸煮，然后用乙酸乙酯和石油醚重结晶，得到I. 83g的中间体A-1，如表1 所示，表1为本发明实施例1~实施例3制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产 率。
[0106] 实施例2~实施例3中间体A-2~中间体A-3的制备
[0107] 按照实施例1所述的方法制备中间体，与实施例1不同的是，采用表1中的反应物 质替换实施例1中的1-溴-3-氯-5-甲氧基苯。
[0108] 表1本发明实施例1~实施例3制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产 率
[0109]
[0110] 实施例4中间体A-4的制备
[0111] 将 1,3-二溴-5-氯苯（10mmol，3.2g)、二苯胺（40mmol，6.7g)加入到 IOOmL 的 三口瓶中，氮气下加入碘化亚铜（4mmol，0. 8g)，碳酸钾（40mmol，2. 8g)，邻菲罗啉（4mmol， 0. 8g)，50mL的DMF，在155°C下反应3天，将得到的反应产物进行萃取，将萃取后的有机相蒸 干后用乙醇蒸煮，然后用乙酸乙酯和石油醚重结晶得到3. 57g的中间体A-4,如表2所示，表 2为本发明实施例4~实施例5制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产率。
[0112] 实施例5中间体A-5的制备
[0113] 按照实施例4所述的方法制备中间体，与实施例4不同的是，采用表2中的反应物 质替换实施例4中的二苯胺。
[0114] 表2本发明实施例4~实施例5制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产 率
[0115]
[0116] 实施例6中间体A-6的制备
[0117] 将 1，3-二溴-5-氯苯（10mmol，2· 70g)、4-吡啶硼酸（20mmol，2. 46g)、甲苯 (30mL)、碳酸钾水溶液（2mol /L，16mL)放入三口瓶中，氮气置换，氮气保护下加入四三苯基 磷钯（0. 2mmol，0. 21g)，在90°C反应24小时，得到I. 73g的中间体A-6,如表3所示，表3为 本发明实施例6~实施例7制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产率。
[0118] 实施例7中间体A-7的制备
[0119] 按照实施例6所述的方法制备中间体，与实施例6不同的是，采用表3中的反应物 质替换实施例6中的1，3-二溴-5-氯苯。
[0120] 表3本发明实施例6~实施例7制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产 率
[0121]
[0122] 实施例8中间体B-I的制备
[0123] 将 9-溴菲（lOmmol, I. 93g)、4_ 氯苯硼酸（lOmmol, I. 56g)、四三苯基磷.巴 (0· Olmmol，(λ Ig)、碳酸钠水溶液（2mol/L，30mL)装入IOOmL的三口烧瓶中，加入30mlL甲 苯以后抽真空-通氮气三次，升温至70°C进行24小时的反应；将得到的反应液冷却至室 温，分液萃取甲苯相，过硅胶漏斗冲洗至无产品，旋干，采用乙酸乙酯溶解石油醚析出3. 6g 中间体B-I，如表4所示，表4为本发明实施例8~实施例14制备中间体的反应原料以及中 间体的结构式和产率。
[0124] 实施例9~实施例14中间体B-2~中间体B-7的制备
[0125] 按照实施例8所述的方法制备中间体，与实施例8不同的是，采用表4中的反应物 质替换实施例8中的9-溴菲。
[0126] 表4本发明实施例8~实施例14制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和 产率
[0127]
[0128] 实施例15中间体C-I的制备
[0129] 将3,5-二溴苯甲醚（10臟〇1，2.78)、二苯胺（60臟〇1，1(^)加入1001^的三口瓶， 氮气下加入碘化亚铜（6mmol，1.2g)，碳酸钾（60mmol，8.3g)，邻菲罗啉（6mmol，1.2g)，50mL 的DMF，在155°C下反应3天；将得到的反应产物进行萃取，将萃取后的有机相蒸干后用乙醇 蒸煮，然后用乙酸乙酯和石油醚重结晶，得到4. 02g的中间体C-I，如表5所示，表5为本发 明实施例15~实施例18制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和产率。
[0130] 实施例16~实施例18中间体C-2~中间体C-4的制备
[0131] 按照实施例15所述的方法制备中间体，与实施例15不同的是，采用表5中的反应 物质替换实施例8中的二苯胺。
[0132] 表5本发明实施例15~实施例18制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和 产率
[0133]
[0134]
[0135] 实施例19中间体C-5的制备
[0136] 将实施例1制备得到的中间体A_1 (lOmmol，3. 08g)、N_苯基-[1，1' -联苯]_4_胺 (30mmol，7. 29g)加入IOOmL的三口瓶中，氮气下加入碘化亚铜（3mmol，0. 6g)，碳酸钾 (30mmol，4. 15g)，邻菲罗啉（3mmol，(λ 6g)，50mL的DMF，在180°C下反应3天，将得到的反 应产物萃取，将萃取后的有机相蒸干后用乙醇蒸煮，然后用乙酸乙酯和石油醚重结晶，得到 3. 36g的中间体C-5,如表6所示，表6为本发明实施例19~实施例21制备中间体的反应 原料以及中间体的结构式和产率。
[0137] 实施例20~实施例21中间体C-6~中间体C-7的制备
[0138] 按照实施例19所述的方法制备中间体，与实施例19不同的是，采用表6中的反应 物质替换实施例19中的N-苯基-[1，Γ-联苯]-4-胺。
[0139] 表6本发明实施例19~实施例21制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和 产率
[0142] 实施例22中间体D-I的制备
[0143] 向反应瓶中加入实施例15制备的中间体C-I (20mmol，8. 77g)、质量浓度为47%的 溴化氢水溶液IlmU三辛基甲基氯化铵（2g)，在105°C下进行反应，薄层层析（TLC)点板以 后终止反应；将得到的反应产物用乙酸乙酯和水萃取后过柱子，得到6. Sg的中间体D-I，如 表7所示，表7为本发明实施例22~实施例28制备中间体的反应原料以及中间体的结构 式和产率。
[0144] 实施例23~实施例28中间体D2~中间体D7的制备
[0145] 按照实施例22所述的方法制备中间体，与实施例22不同的是，采用表7中的反应 物质替换实施例22中的中间体C-I。
[0146] 表7本发明实施例22~实施例28制备中间体的反应原料以及中间体的结构式和 产率
[0147]
[0149]
[0150] 实施例29式E-I结构的化合物的制备
[0151] 向IOOmL的三口瓶中加入实施例22制备得到的中间体D-I (4. 25g，10mmol)，溶 解于5〇111]^的乙腈中，然后加碳酸铯（20_31，6.58)，铜（0.2_31，1211^)，1-溴萘（11_31， 2. 27g)，氮气保护下80°C进行4小时的反应；将得到的反应产物进行萃取，蒸干萃取后得到 的有机相，然后进行柱层析，得到3. 32g的化合物。
[0152] 将本发明实施例29制备得到的化合物进行质谱测试和核磁共振检测，测试结果 为：
[0153] MS/FAB(M+) ：554. 23 ；
[0154] 1H NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 37 (s, 1H), 8. 29 (s, 1H), 7. 68 (t, J = 32. 5Hz, 3H) ,7. 37 (s, 1H), 7. 24 (s, 8H), 7. 04 (d, J = 40. 0Hz, 12H), 6. 52 (t, J = 12. 5Hz, 4H).
[0155] 由以上测试结果可知，本发明实施例29制备得到的化合物具有式E-I所示的结 构，如表8所示，表8为本发明实施例29~实施例52制备化合物的反应原料以及化合物的 结构式和产率。
[0156] 实施例30~实施例52式E-2~式E-24结构的化合物的制备
[0157] 按照实施例29所述的方法制备化合物，与实施例29不同的是，采用表8中的反应 物质替换实施例29中的1-溴萘。
[0158] 对制备得到的化合物进行核磁共振检测，检测结果为，本发明实施例30~实施例 52制备得到的化合物具有式E-2~式E-24所示的结构。
[0159] 表8本发明实施例29~实施例52制备化合物的反应原料以及化合物的结构式和 产率
[0160]
[0161]
[0162]
[0163]
[0164]
[0165] 实施例53~实施例76式F-I~式F-24结构的化合物的制备
[0166] 按照实施例29所述的方法制备化合物，与实施例29不同的是，采用表9中的反应 物质替换实施例29中的中间体D-1，表9为本发明实施例53~实施例76制备化合物的反 应原料以及化合物的结构式和产率。
[0167] 对制备得到的化合物进行核磁共振检测，本发明实施例53制备得到的化合物的 检测结果为：
[0168] 1H NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 37 (s, 1H) , 8. 29 (s, I Η) , 7. 81 -7. 33 (m, 23Η), 7. 24 (s, 4Η), 7. 04 (d, J = 40. 0Hz, 6Η), 6. 52 (t, J = 12. 5Hz, 4Η).
[0169] 由以上检测结果可知，本发明实施例53制备得到的化合物具有式F-I所示的结 构；
[0170] 本发明实施例54~实施例76制备得到的化合物具有式F-2~式F-24所示的结 构。
[0171] 表9本发明实施例53~实施例76制备化合物的反应原料以及化合物的结构式和 产率
[0172]
[0174]
[0175]
[0176]
[0177] 实施例77~实施例100式G-I~式G-24结构的化合物的制备
[0178] 按照实施例29所述的方法制备化合物，与实施例29不同的是，采用表10中的反 应物质替换实施例29中的中间体D-1，表10为本发明实施例77~实施例100制备化合物 的反应原料以及化合物的结构式和产率。
[0179] 对制备得到的化合物进行核磁共振检测，本发明实施例77制备得到的化合物的 检测结果为：
[0180] IH NMR(500MHz, Chloroform) δ 8. 33 (s, 1H), 8. 25 (s, 1H), 7. 65 (t, J = 32. 4Hz, 11H), 7. 42 (dd, J = 64. 7, 24. 9Hz, 30H), 6. 49 (t, J = 12. 4Hz, 4H).
[0181] 由以上检测结果可知，本发明实施例77制备得到的化合物具有式G-I所示的结 构；
[0182] 本发明实施例78~实施例100制备得到的化合物具有式G-2~式G-24所示的结 构。
[0183] 表10本发明实施例77~实施例100制备化合物的反应原料以及化合物的结构式 和产率
[0184]
[0185]
[0186]
[0187]
[0188]
[0189]
[0190]
[0191] 实施例101~实施例124式H-I~式H-24结构的化合物的制备
[0192] 按照实施例29所述的方法制备化合物，与实施例29不同的是，采用表11中的反 应物质替换实施例29中的中间体D-1，表11为本发明实施例101~实施例124制备化合物 的反应原料以及化合物的结构式和产率。
[0193] 对制备得到的化合物进行核磁共振检测，本发明实施例101制备得到的化合物的 检测结果为：
[0194] 1H NMR (500MHz, Chloroform) 58.37(s, I Η),8. 29(s, lH),7.68(t,J =32. 5Hz, 5H) , 7. 45 (dd, J = 65. 0, 25. 0Hz, 8H) , 7. 24 (s, 6H) , 7. 04 (d, J = 40. 0Hz, 9H), 6. 52 (t, J = 12. 5Hz, 4H).
[0195] 由以上检测结果可知，本发明实施例101制备得到的化合物具有式H-I所示的结 构；
[0196] 本发明实施例102~实施例124制备得到的化合物具有式H-2~式H-24所示的 结构。
[0197] 表11本发明实施例101~实施例124制备化合物的反应原料以及化合物的结构 式和产率
[0198]
[0199]
[0200]
[0201]
[0202]
[0203] 实施例125~实施例148式I-I~式1-24结构的化合物的制备
[0204] 按照实施例29所述的方法制备化合物，与实施例29不同的是，采用表12中的反 应物质替换实施例29中的中间体D-1，表12为本发明实施例125~实施例148制备化合物 的反应原料以及化合物的结构式和产率。
[0205] 对制备得到的化合物进行核磁共振检测，本发明实施例125制备得到的化合物的 检测结果为：
[0206] 1H NMR (500MHz, Chloroform) 58.37(s, lH),8.29(s, I Η), 7.80-7. 32 (m, 22H), 7. 24 (s, 4H), 7. 04 (d, J = 40. 0Hz, 6H), 6. 52 (t, J = 12. 5Hz, 4H).
[0207] 由以上检测结果可知，本发明实施例125制备得到的化合物具有式I-I所示的结 构；
[0208] 本发明实施例106~实施例148制备得到的化合物具有式1-2~式1-24所示的 结构。
[0209] 表12本发明实施例125~实施例148制备化合物的反应原料以及化合物的结构 式和产率
[0210]
[0211]
[0212]
[0213]
[0214]
[0215] 实施例149~实施例172式J-I~式J-24结构的化合物的制备
[0216] 按照实施例29所述的方法制备化合物，与实施例29不同的是，采用表13中的反 应物质替换实施例29中的中间体D-1，表13为本发明实施例149~实施例172制备化合物 的反应原料以及化合物的结构式和产率。
[0217] 对制备得到的化合物进行核磁共振检测，本发明实施例149制备得到的化合物的 检测结果为：
[0218] 1H NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 68 (s, 8H), 8. 34 (s, 1H), 8. 26 (s, 1H), 7. 87 (s, 8H) ,7. 66 (t, J = 32. 4Hz, 3H), 7. 52 (s, 8H), 7. 35 (s, 9H), 6. 50 (t, J = 12. 5Hz, 4H).
[0219] 由以上检测结果可知，本发明实施例149制备得到的化合物具有式J-I所示的结 构；
[0220] 本发明实施例150~实施例172制备得到的化合物具有式J-2~式J-24所示的 结构。
[0221] 表13本发明实施例149~实施例172制备化合物的反应原料以及化合物化合的 结构式和产率
[0222]
[0223]
[0224]
[0225]
[0226]
[0227]
[0228] 实施例173
[0229] 将费希尔公司涂层厚度为1500Λ的ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波 洗涤30分钟，按异丙醇、丙酮、甲醇按顺序洗涤30分钟，用蒸馏水反复清洗2次，超声波洗 涤10分钟，干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机里，得到阳 极层；
[0230] 在所述阳极层表面依次蒸镀500Λ的空穴注入层2-ΤΝΑΤΑ、300Λ的空穴传输层实 施例29制备得到的式E-I结构的化合物、400A的空穴阻挡层及空穴传输层TPBi、5A的 LiF层和2000A的阴极层A1，得到发光器件；上述蒸镀过程中有机物的蒸镀速度为lA/sec、 LiF的蒸镀速度为〇.2A/sec、Al的蒸镀速度为3~7A/sec;
[0231]
[0232] 将本发明实施例173制备得到的发光器件采用KEITHLEY吉时利2400型源测量单 元，CS-2000分光辐射亮度计进行测试，以评价发光器件的驱动电压、发光亮度、发光效率和 发光颜色；测试结果如表14所示，表14为本发明实施例和比较例制备发光器件采用的原料 以及发光器件性能测试结果。
[0233] 实施例174~实施例183
[0234] 按照实施例173所述的方法制备发光器件，与实施例173不同的是采用表14中的 原料替换实施例173中实施例29制备得到的式E-I结构的化合物。
[0235] 按照实施例173所述的方法测试实施例174~实施例184制备的发光器件的性 能，测试结果如表14所示。
[0236] 比较例1
[0237] 按照实施例173所述的方法制备发光器件，与实施例173不同的是，采用a-NH)替 换实施例173中实施例29制备得到的式E-I结构的化合物；
[0238] 所述a-NPD的结构式为：
[0239]
[0240] 按照实施例173所述的方法测试比较例1制备的发光器件的性能，测试结果如表 14所示。
[0241] 表14本发明实施例和比较例制备发光器件采用的原料以及发光器件性能测试结 果
[0242]
[0244] 由以上实施例可知，本发明提供了一种化合物，具有式I所示的结构；式I中，L1S 〇~2的整数；八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基；Ar 2包括 碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~50的芳杂环基、碳 原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为6~50的芳烷巯 基；Ri~R 4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳基、碳原子数 为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基。本发明提供了一种发光器件，包 括上述技术方案所述的化合物。本发明提供的化合物在二胺类化合物中引入醚键连接Ar i 和Ar2基团，同时结构式中的R ^ 1?4可以调节化合物的性能，使这种化合物的电性能较好； 本发明提供的化合物可作为发光材料应用，采用本发明提供的化合物制备的发光器件具有 较高的效率、寿命较长。
【主权项】
1. 一种化合物，具有式I所示的结构：式I中，1^为O~2的整数； 八巧包括碳原子数为6~30的芳基或碳原子数为6~30的芳胺基； 八巧包括碳原子数为6~50的芳基、碳原子数为6~50芳胺基、碳原子数为6~50的 芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的芳烷氧基或碳原子数为6~ 50的芳烧疏基； 札~R4独立地选自氢、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为6~50的芳基、碳原子 数为6~50的取代芳基或碳原子数为6~50的芳杂环基。2. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式101所示的结构：3. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ar i为单环芳基、碳原子数为10~ 30的多环芳基、碳原子数为10~30的稠环芳基或碳原子数为10~20的芳胺基。4. 根据权利要求3所述的化合物，其特征在于，所述Ar i为式201~式216中的一种：5. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ar 2包括碳原子数为10~20的稠 环芳基、碳原子数为10~20的芳胺基或氮原子芳杂环基。6. 根据权利要求5所述的化合物，其特征在于，所述Ar 2为式301~式308中的一种：7. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，R R 4独立地选自氢、单环芳基、碳原 子数为10~50的多环芳基、碳原子数为10~50的稠环芳基、碳原子数为6~50的芳胺 基、氮原子芳杂环基、硫原子芳杂环基、碳原子数为6~50的芳烷基、碳原子数为6~50的 芳烷氧基或碳原子数为6~50的芳烷巯基。8. 根据权利要求7所述的化合物，其特征在于，R R4独立地选自式401~式435中 的一种：其中，X和Y独立地选自碳原子数为1~30的烷氧基、碳原子数为2~30的烯烃基、 碳原子数为2~30的取代烯烃基、碳原子数为6~30的芳基、碳原子数为7~30的芳烷 基、碳原子数为7~30的芳烷氧基、碳原子数为6~30的芳氧基、碳原子数为6~30的芳 胺基或碳原子数为5~30的杂环基。9. 根据权利要求7所述的化合物，其特征在于，R R4独立地选自氢、苯基或吡啶基。10. -种发光器件，所述发光器件包括权利要求1~9中任意一项所述的化合物。
【专利摘要】本发明提供了一种化合物，具有式I所示的结构；其中，L1为0～2的整数；Ar1包括碳原子数为6～30的芳基或芳胺基；Ar2包括碳原子数为6～50的芳基、碳原子数为6～50芳胺基、碳原子数为6～50的芳杂环基；R1～R4独立地选自氢、碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为6～50的芳基。本发明提供了一种发光器件，包括上述化合物。本发明提供的化合物在二胺类化合物中引入醚键连接Ar1和Ar2基团，同时结构式中的R1～R4可以调节化合物的性能，使这种化合物的电性能较好；采用本发明提供的化合物制备的发光器件具有较高的效率、寿命较长。
【IPC分类】H01L51/54, C07C213/08, C07D209/88, C07D213/38, C07C217/92, C07D401/14, C09K11/06
【公开号】CN104892434
【申请号】CN201510296341
【发明人】高春吉, 崔敦洙, 孙毅, 张成成
【申请人】吉林奥来德光电材料股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月2日
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