一种芳杂环化合物及其制备方法和有机电致发光器件的制作方法
一种芳杂环化合物及其制备方法和有机电致发光器件的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机发光材料技术领域，尤其涉及一种芳杂环化合物及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 发光材料是指各种形式能量激发下能发光的物质。自然界中的许多物质，包括无 机化合物和有机化合物，或多或少均可以发光。发光材料是一种精细高技术产业，广泛应用 在工业、医学、交通及军事领域。发光材料按其组分可分为无机发光材料和有机发光材料。
[0003] 而在众多发光材料中，由于有机化合物的种类繁多，可调性好，色彩丰富，色纯度 高，分子设计相对比较灵活，并且在发光机理、物理化学性能上，或是在应用上都有各自的 特点。因而，有机材料的研宄日益受到人们的重视，这其中根据不同的分子结构，有机发光 材料可分为：有机小分子发光材料、有机高分子发光材料和有机配合物发光材料。而这其 中有机小分子发光材料种类繁多，它们多带有共轭杂环及各种生色团，结构易于调整，通过 引入烯键、苯环等不饱和基团及各种生色团来改变其共轭长度，从而使化合物光电性质发 生变化。因而，得到了众多的科研工作者一方面致力于小分子的研宄，如恶二唑及其化合物 类，三唑及其化合物类，罗丹明及其化合物类，香豆素类化合物，1，8-萘酰亚胺类化合物，吡 唑啉化合物，三苯胺类化合物，扑啉类化合物，咔唑、吡嗪、噻唑类化合物，茈类化合物等。它 们广泛应用于光学电子器件、DNA诊断、光化学传感器、染料、荧光增白剂、荧光涂料、激光染 料、有机电致发光器件（OLED)等方面。
[0004] 这其中，有机电致发光器件通常是指由两个对置的电极和插入在该两个电极之间 的至少一层有机发光化合物组成。电荷被注入到在阳极和阴极之间形成的有机层中，以形 成电子和空穴对，使具有荧光或磷光特性的有机化合物产生了光发射。它是一种新型的平 面显示器件，具有节能、响应速度快、颜色稳定、环境适应性强、无辐射、质量轻、厚度薄等诸 多优点。而且随着近几年光电通讯和多媒体领域的迅速发展，有机光电子材料已成为现代 社会信息和电子产业的核心。因此，随着领域的高速发展，对有机发光材料在性能上也提出 了更高的要求。
[0005] 有鉴于此，如何找到一种具有更好性能的有机发光材料，提高发光器件的发光效 率和使用寿命，一直是本领域研宄人员亟待解决的问题。
【发明内容】
[0006] 有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种芳杂环化合物及其制备方法， 以及有机电致发光器件，尤其是针对一种含苯并[g]酞嗪的芳杂环化合物。本发明提供的 芳杂环化合物，具有更好的性能，能够提高发光器件的发光效率和使用寿命。
[0007] 本发明提供了一种芳杂环化合物，具有式（I)所示结构：
[0008]
[0009] 其中，
[0010] L1' L2、L3、L4独立地选自 0 或 I ;
[0011] QjP Q2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基；
[0012] &和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取 代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族 胺基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~30 的芳烷巯基或碳原子数是1~30的烷基；
[0013] Ari、Ar2、Ar# Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。
[0014] 优选的，所述芳杂环化合物具有以下结构：
[0015] τ> R,
[0016]
[0017] 其中，
[0018] Z1- Z 16独立地选自CH、C或N ;
[0019] L3和L 4独立地选自0或1 ;
[0020] &和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取 代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族 胺基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基或取代、未取代的碳原子数是7~30 的芳烷巯基或碳原子数是1~30的烷基；
[0021] Arn Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数7~50的芳烷 巯基、碳原子数6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数5~50的杂环基、或者是取代或 未取代的碳原子数7~30的芳香族胺基。
[0022] 优选的，所述芳杂环化合物具有以下结构：
[0023]
I ，R夕
[0025]
[0026] 其中，
[0027] Zi~Z 8独立地选自C、CH或N ;L 3与L 4独立地为0或I ;
[0028] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基；
[0029] Ari、Ar2、Ar# Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基；
[0030] R2、R/和IV独立地选自碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是 5~50的杂环基或碳原子数是1~30的烷基。
[0031] 优选的，所述芳杂环化合物具有以下结构：
[00321
[0033」
[0034]
[0035] 其中，
[0036] Z1- Z 16独立地选自C、CH或N ;L 3与L 4独立地为0或I ;
[0037] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基；
[0038] ArpArpAr# Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。
[0039] 优选的，所述芳杂环化合物中，-Arn -Ar2、-ArjP -Ar 4独立地选自以下式⑴~ 式（35)所示结构：
[0041]
[0042] 其中，
[0043] X和Y独立地选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是1~30的 烷基、取代或未取代的碳原子数是1~30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数是2~30的 烯基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是7~30的 芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是6~30的芳基、取代或未取代的碳原子数是6~30 的芳氧基、取代或未取代的碳原子数是5~30的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数 是7~30的芳香族胺基。
[0044] 优选的，所述％和Q 2均为苯基，以及R JP R2均为氰基或苯基时，Ar JP Ar 2独立地 选自取代或未取代的碳原子数7~50的芳基、取代或未取代的碳原子数5~50的杂环基、 或者是取代或未取代的碳原子数7~30的芳香族胺基；
[0045] 所述1^与L 2不同时为0。
[0046] 本发明提供了一种芳杂环化合物的制备方法，包括：
[0047] 将式（V)所示的化合物与式（VI)所示的化合物和式（VII)所示的化合物进行反 应，得到式（I)所示的芳杂环化合物；
[0048]
[0049] 其中，
[0050] X'为齒原子，Y'与Y1'独立地选自B(OH)^H;
[0051] L1' L2、L3、L4独立地选自 0 或 1 ;
[0052] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基；
[0053] &和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取 代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族 胺基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~30 的芳烷巯基或碳原子数是1~30的烷基；
[0054] Ari、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。
[0055] 本发明提供了一种有机电致发光器件，包括上述任意一项技术方案所述的芳杂环 化合物或上述技术方案所述的制备方法制备的芳杂环化合物。
[0056] 优选的，包括第一电极、第二电极和设置于所述第一电极与第二电极之间的有机 物层；
[0057] 所述有机物层包含上述任意一项技术方案所述的芳杂环化合物或上述技术方案 所述的制备方法制备的芳杂环化合物。
[0058] 本发明提供了一种有机光电材料，其特征在于，包括上述任意一项技术方案所述 的芳杂环化合物或上述技术方案所述的制备方法制备的芳杂环化合物；
[0059] 所述有机光电材料包括有机太阳电池、电子纸、有机感光体或有机晶体管。
[0060] 本发明提供了一种含苯并[g]酞嗪的芳杂环化合物，具有式（I )所示结构，其 中，Lp L2、L3、L4独立地选自0或I ;Q Jp Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳 基或碳原子数是1~30的杂环基；&和R 2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原 子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原 子数是7~30的芳香族胺基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基、取代或未取 代的碳原子数是7~30的芳烷巯基或碳原子数是1~30的烷基；Ar 1、Ar2、ArjP Ar 4独立 地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是 7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷巯基、碳原子数是6~50 的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数是 7~30的芳香族胺基。与现有技术相比，本发明提供的具有式（I)所示结构的芳杂环化合 物，是在苯并[g]酞嘆化合物中引入Q 1、Q2、Ar1、Ar2、八:^与Ar 4 基团，可提高电子密集度及 技能；而且改变苯并[g]酞嗪的&和1?2的种类可以改善芳杂环化合物的性能，使得本发明 所公开的包含式（I)所示的芳杂环化合物制造的有机电致发光器件具有较高发光效率和 使用寿命，以及更高的亮度和优秀的耐热性。此外，本发明提供的新的芳杂环化合物的制法 简单，易于产业化。实验结果表明，本发明提供的芳杂环化合物以及制备的有机电致发光器 件，具有良好的光学性能，能够提高发光器件的发光效率和使用寿命。
【具体实施方式】
[0061] 为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是 应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的 限制。
[0062] 本发明提供了一种芳杂环化合物，具有式（I)所示结构：
[0063]
[0064] 其中，
[0065] 1^山山山独立地选自0或1，更优选为1^与1^2不同时为0;
[0066] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基，更优选选自氮、氧、硫、碳原子数是6~24的芳基或碳原子数是1~24的杂环基， 更优选选自氮、氧、硫、碳原子数是6~14的芳基或碳原子数是1~14的杂环基。
[0067] 所述芳杂环化合物在％和Q 2上更具体优选如式（II-I)~式（II-9)任意一结构 所示：
[0068] a R，
Ar1*
[0069]
[0070] 其中，Z1-Z16各自独立地选自C、CH或N ;LjPL4独立地选自0或I ;
[0071] 本发明中&和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的 芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的 芳香族胺基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基或取代、未取代的碳原子数是 7~30的芳烷巯基或碳原子数是1~30的烷基，更优选的选自氢原子、氰基、取代或未取代 的碳原子数是6~30的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~30的杂环基、取代或未取代 的碳原子数是7~25的芳香族胺基、取代或未取代的碳原子数是7~25的芳烷氧基或取 代、未取代的碳原子数是7~25的芳烷巯基或碳原子数是1~25的烷基，更优选的选自氢 原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是10~20的芳基、取代或未取代的碳原子数是8~ 20的杂环基、取代或未取代的碳原子数是10~20的芳香族胺基、取代或未取代的碳原子 数是10~20的芳烷氧基或取代、未取代的碳原子数是10~20的芳烷巯基或碳原子数是 2~20的烷基。
[0072] 所述芳杂环化合物在&和R2上更具体优选如式（III-I)~式（III-7)任意一结 构所示：
[0073]
[0074]
[0075
[0076] 其I
[0077] Z1- Z 8独立地选自C、CH或N ;L 3与L 4独立地为0或I ;
[0078] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基，更优选自氮、氧、硫、碳原子数是7~25的芳基或碳原子数是2~25的杂环基，更 优选自氮、氧、硫、碳原子数是10~20的芳基或碳原子数是5~20的杂环基；
[0079] R2、R1'和R2'独立地选自碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数 是5~50的杂环基或碳原子数是1~30的烷基，更优选自碳原子数是7~30的芳基、取 代或未取代的碳原子数是7~30的杂环基或碳原子数是7~25的烷基，更优选自碳原子 数是10~20的芳基、取代或未取代的碳原子数是10~20的杂环基或碳原子数是10~20 的烷基。
[0080] Ari、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基，更优选选自氢原子、取代或未取代的 碳原子数是10~30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是10~30的芳烷氧基、取代或未 取代的碳原子数是10~30的芳烷巯基、碳原子数是8~30的芳基、取代或未取代的碳原 子数是7~30的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数是10~25的芳香族胺基，更优 选选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是15~25的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是 15~25的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是15~25的芳烷巯基、碳原子数是15~ 25的芳基、取代或未取代的碳原子数是10~25的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数 是15~20的芳香族胺基。
[0081] 所述芳杂环化合物，当凡和R 2均选自氢原子时，在Q JP Q 2上更具体优选如式 (IV-I)~式（IV-10)任意一结构所不：
[0082]
[0083]
[0084]
[0085] 其中，
[0086] Z1- Z 16独立地选自C、CH或N ;L 3与L 4独立地为0或I ;
[0087] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基，更优选自氮、氧、硫、碳原子数是7~25的芳基或碳原子数是2~25的杂环基，更 优选自氮、氧、硫、碳原子数是10~20的芳基或碳原子数是5~20的杂环基；
[0088] ArpArpAr# Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基，更优选选自氢原子、取代或未取代的 碳原子数是10~30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是10~30的芳烷氧基、取代或未 取代的碳原子数是10~30的芳烷巯基、碳原子数是8~30的芳基、取代或未取代的碳原 子数是7~30的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数是10~25的芳香族胺基，更优 选选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是15~25的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是 15~25的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是15~25的芳烷巯基、碳原子数是15~ 25的芳基、取代或未取代的碳原子数是10~25的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数 是15~20的芳香族胺基。
[0089] 在某些特定实施例中，当所述％和Q 2均为苯基，以及R兩R2均为氰基或苯基时， Ar 2独立地选自取代或未取代的碳原子数7~50的芳基、取代或未取代的碳原子数 5~50的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数7~30的芳香族胺基，ArJP Ar 2更优 选选自取代或未取代的碳原子数10~30的芳基、取代或未取代的碳原子数7~30的杂环 基、或者是取代或未取代的碳原子数10~25的芳香族胺基，Ar 2更优选选自取代或 未取代的碳原子数15~20的芳基、取代或未取代的碳原子数10~25的杂环基、或者是取 代或未取代的碳原子数15~20的芳香族胺基。
[0090] 所述芳杂环化合物在Ar1W Ar 4上更具体优选如式（1)~式（35)任意一结构所 示：
[0091]
[0093] 其中，
[0094] X和Y独立地选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是1~30的 烷基、取代或未取代的碳原子数是1~30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数是2~30 的烯基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是7~30 的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是6~30的芳基、取代或未取代的碳原子数是6~ 30的芳氧基、取代或未取代的碳原子数是5~30的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子 数是7~30的芳香族胺基，更优选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是 2~25的烷基、取代或未取代的碳原子数是2~25的烷氧基、取代或未取代的碳原子数是 3~25的烯基、取代或未取代的碳原子数是10~25的芳烷基、取代或未取代的碳原子数 是10~25的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是8~25的芳基、取代或未取代的碳原 子数是8~25的芳氧基、取代或未取代的碳原子数是7~25的杂环基、或者是取代或未取 代的碳原子数是10~25的芳香族胺基，更优选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的 碳原子数是5~20的烷基、取代或未取代的碳原子数是5~20的烷氧基、取代或未取代的 碳原子数是5~20的烯基、取代或未取代的碳原子数是15~20的芳烷基、取代或未取代 的碳原子数是15~20的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是10~20的芳基、取代或未 取代的碳原子数是10~20的芳氧基、取代或未取代的碳原子数是10~20的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是15~20的芳香族胺基。
[0095] 本发明中，上述取代的芳基、取代的杂环基、取代的芳香族胺基、取代的芳烷氧基、 取代的芳烷巯基、取代的芳烷基、取代的烯基、取代的芳氧基中，所述取代的是指含有取代 基的，所述取代基优选选自卤素、Cl~C30的烷基、C2~C30的烯基、C2~C30的炔基、羟 基、Cl~C30的烷氧基、氣基、硝基、疏基、硫酿基、亚胺基、氛基、醜胺基、勝酸根、勝、幾基、 硫代羰基、磺酰基、氨磺酰基、羰基、醛基、酯基、乙酰基、乙酰氧基、氨基甲酰基、氧代基（= 〇)、卤代烷基、取代的氨酰基和氨基烷基、环烷基（可为单环、稠合多环或非稠合多环）、杂 环基（可为单环、稠合多环或非稠合多环）、单环或稠合或非稠合多环芳基（如苯基、萘基、 吡咯基、吲哚基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、三唑基、四唑基、吡唑 基、喹啉基、异喹啉基、P丫啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、苯并咪唑基、苯并噻吩基或苯并呋 喃基）、氨基、-O-Cl~C20的烷基、0-芳基、芳基、芳基-Cl~C20的烷基、-C0 2CH3、-CONH2 、-OCH2CONH2、-NH2、-SO2NH 2、-OCHF2、-CF3、-OCF3。这些取代基可任选地进一步被选自上述基团 的取代基取代。本发明中，所述取代基更优选选自以下式36~65中的任一取代基：
[0096]
[0097] 本发明提供的芳杂环化合物在苯并[g]酞嘆化合物中引入Qn Q2、Arp Ar2、八:^与 Ar4基团，可提高电子密集度及技能；而且改变苯并[g]酞嗪的RJPR2的种类可以改善芳杂 环化合物的性能，使得本发明所公开的包含式（I)所示的芳杂环化合物制造的有机电致发 光器件具有较高发光效率和使用寿命，以及更高的亮度和优秀的耐热性。实验结果表明，本 发明提供的芳杂环化合物以及制备的有机电致发光器件，具有良好的光学性能，能够提高 发光器件的发光效率和使用寿命。
[0098] 本发明还提供一种芳杂环化合物的制备方法，包括：
[0099] 将式（V) 所示的化合物与式（VI)所示的化合物和式（VII)所示的化合物进行反 应，得到式（I)所示的芳杂环化合物；
[0100]
[0101] 其中，
[0102] X'为卤原子，Y'与Y1'独立地选自B(OH)^H;
[0103] L1' L2、L3、L4独立地选自 0 或 1 ;
[0104] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基；
[0105] &和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取 代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族 胺基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~30 的芳烷巯基或碳原子数是1~30的烷基；
[0106] Ari、Ar2、Ar# Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。
[0107] 其中，所述Lp L2、L3、L4、(^、Q2、Ar^ Ar2、Ar3、Ar4、札与R2均同上所述，在此不再赘 述。
[0108] 本发明所用原料，对其来源没有特别限制，在市场上购买的或是按照本领域技术 人员熟知的制备方法制备得到即可。
[0109] 本发明所用原料的纯度没有特别限制，以本领域技术人员熟知的用于此类反应的 纯度即可，本发明优选为分析纯及以上级别。
[0110] 本发明中所述式（V)所示的化合物优选按照以下方法进行制备：
[0111]
[0112] 按照本发明，当％或02为06~C30的芳基或Cl~C30的杂环基；Y'或Y/为 B(OH)2，式（V)所示的化合物与式（VI)所示的化合物或式（VII)所示的化合物在催化剂作 用下进行C-C耦合反应，所述反应条件为本领域技术人员熟知的反应条件即可，并无特殊 的限制。
[0113] 当所述％或92为队0或S时，或Y/为H，此时，式（V)所示的化合物与式（VI) 所示的化合物或式（VII)所示的化合物进行置换反应；所述置换反应的条件为本领域技术 人员熟知的置换反应条件即可，并无特殊的限制。
[0114] 上述反应式中，所述RpX '均同上所述，在此不再赘述。
[0115] 本发明中，当Y '为B(OH)Jt，所述式（VI)所示的化合物优选按照以下方法制 备：
[0117] X "为卤素原子。
[0118] 当V为B (OH)2时，式（VII)所示的化合物，优选按照以下方法制备：
[0120] X "为卤素原子。
[0121] 在本发明中，当所述1^与1^2同时为0时，将式（IV)所示的化合物经过还原反应 后，即可得到式（I)所示的化合物。
[0122] 从上述制备过程中，可以看出本发明提供的芳杂环化合物制备方法简单，易于产 业化。
[0123] 本发明还提供一种有机电致发光器件，包括上述任意一项技术方案所述的芳杂环 化合物或任意一项制备方法制备的芳杂环化合物。
[0124] 本发明对所述有机电致发光器件的其他条件没有特别限制，以本领域技术人员熟 知的有机电致发光器件即可，本发明优选包括第一电极、第二电极和设置于所述第一电极 与第二电极之间的有机物层；所述有机物层包含上述的芳杂环化合物。
[0125] 按照本发明，所述有机物层优选包括空穴注入层、空穴传输层、既具备空穴注入又 具备空穴传输技能层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层与既具备 电子传输又具备电子注入技能层中的一层或多层，更优选包括依次设置的空穴注入层、空 穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层与电子注入层或依次设置的既具 备空穴注入又具备空穴传输技能层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层与既具备电子传输又 具备电子注入技能层。
[0126] 当本发明有机物层包含空穴注入层、空穴传输层或既具备空穴注入又具备空穴传 输技能层时，优选所述空穴注入层、空穴传输层或既具备空穴注入又具备空穴传输技能层 中至少一层包含空穴注入物质、空穴传输物质或既具备空穴注入又具备空穴传输技能的物 质。
[0127] 当本发明有机物层为单层结构时，所述有机物层为发光层，当所述有机物层为多 层结构时，所述有机物层包括发光层；所述发光层中优选包括磷光主体、荧光主体、磷光掺 杂材料与荧光掺杂中的一种或多种；所述磷光主体、荧光主体、磷光掺杂材料与荧光掺杂材 料中的一种或多种为式（I)所示的芳杂环化合物。
[0128] 所述发光层还可优选为红色、黄色或青色发光层，所述芳杂环化合物为红色、黄色 或青色发光层的主体或掺杂物质。如，当所述发光层为青色发光层时，所述式（I)所示的芳 杂环化合物使用在青色主体或青色掺杂用途时，可提供高效率、高亮度、高分辨率及长寿命 的有机发光器件。
[0129] 当所述有机物层包括电子传输层时，所述电子传输层可包括式（I)所示的芳杂环 化合物和/或金属化合物。所述金属化合物为本领域技术人员熟知的用于电子传输的物质 即可，并无特殊的限制。
[0130] 当所述有机物层同时包括发光层与电子传输层时，所述发光层与电子传输层可包 括结构相同或不相同的式（I)所示的芳杂环化合物。
[0131] 本发明提供的有机电致发光器件利用式（I)所示的芳杂环化合物及常规材料制 成有机电子器件的方法制备，并无特殊的限制，本发明优选利用薄膜蒸镀、电子束蒸发或物 理气相沉积等方法在基板上蒸镀金属及具有导电性的氧化物及它们的合金形成阳极，然后 在其上形成有机物层及蒸镀阴极，得到有机电致发光器件。
[0132] 所述有机物层可以同时包括上述的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻 挡层及电子传输层的多层结构，并且这些多层结构可按照上述薄膜蒸镀、电子束蒸发或 物理气相沉积等方法蒸镀，也可使用多样的高分子材料溶剂工程替代蒸镀方法，如旋转 涂膜（spin-coating)、薄带成型（tape-casting)、刮片法（doctor-blading)、丝网印刷 (Screen-Printing)、喷墨印刷或热成像（Thermal-Imaging)等方法减少层数制造。
[0133] 本发明提供的有机电致发光器件按照使用的材料也可分为前面发光、背面发光或 两面发光。
[0134] 本发明还提供了一种有机光电材料，包括上述任意一项技术方案所述的芳杂环化 合物，或任意一项技术方案所述的制备方法制备的芳杂环化合物；所述有机光电材料包括 有机太阳电池、电子纸、有机感光体或有机晶体管。
[0135] 基于上述有机电致发光器件同样的原理应用，本发明所提供的芳杂环化合物除了 在有机发光器件（OLED)，如照明用0LED、柔性OLED中，还可以应用在有机太阳电池（OSC)、 电子纸（e-paper)、有机感光体（OPC)或有机薄膜晶体管（OTFT)上。
[0136] 为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的芳杂环化合物及其制备 方法以及有机电致发光器件进行详细描述。
[0137] 实施例1
[0138] 中间体2-氲-5-茏某吡嗪（A-I)的合成：
[0139]
[01 40] ? U nHj \么丄· 丄丄 IllU 丄/ ，，十、HAW \u_ &S，丄Wlliu 丄/ ， |^| I 0. 5g，加入到1000 mL反应瓶中，加入甲苯400mL，碳酸钠水溶液（2N，150mL)氮气保护，油浴 80°C反应24小时。后处理过程：反应体系降温，静置30分钟分液，保留有机层，旋干甲苯， 固体加入少量二氯甲烷溶解，过柱分离，用石油醚：二氯甲烷=1 :1(体积比）冲柱，得固体 (A-I) (10. 7g，y = 56% ) 〇
[0141] 实施例2
[0142] 中间体A-2~A-5的合成：
[0143] 按照上述实施例1中间体A-I的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表1所示的 化合物，表1是本发明实施例2反应物质、生成物质及产率汇总。
[0144] 表1实施例2反应物质、生成物质及产率汇总
[0145]
[0146] 实施例3
[0147] 中间体5-氯-N，N-二苯基吡嗪-2-胺（A-6)的合成：
[0148]
[0149] 将二苯胺（16. 9g，0.1 Omol)和叔丁醇钠（28g，0. 30mol)，甲苯400mL加入到反应瓶 中，搅拌30分钟，氮气保护，然后加入2-溴-5-氯吡嗪（23. 2g，0. 12m〇l)、三（二亚卞基丙 酮）二钯1.5g，最后加入三叔丁基膦4g，升温到KKTC反应24小时。后处理过程：体系降 温，加入水终止反应，过滤，滤液分液，旋干甲苯，加入少量二氯甲烷溶解固体，石油醚：二 氯甲烧=3:1 (体积比）过柱分离，得固体（A-6) (14. lg，y = 50% )。
[0150] 实施例4
[0151] 中间体A-7和A-8的合成
[0152] 按照上述实施例3中间体A-6的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表2所示化 合物，表2是本发明实施例4反应物质、生成物质及产率汇总。
[0153] 表2本发明实施例4反应物质、生成物质及产率汇总
[0154]
[0155] 实施例5
[0156] 中间体5-氯-2, 3-二苯基吡嗪（A-9)的合成：
[0157]
[0158] 将苯硼酸（24. 4g，0. 20mol)，2, 3-二溟-5-氯喹啉（27. 3g，0.1 Omol)，四三苯基膦 钯（7. 0g，3%)加入到反应瓶中，加入甲苯600mL，碳酸钠水溶液（2N250mL)氮气保护，油浴 90°C反应，过夜。后处理过程：体系降温，分液，旋干甲苯，剩余物用二氯甲烷全溶，再加入 等量的石油醚，过硅胶漏斗，并用二氯甲烷：石油醚=1 :2(体积比）冲洗，直到无产品点流 出，收集滤液，并旋干溶剂，得深色固体（A-9) (21. 3g，y = 80% )。
[0159] 实施例6
[0160] 中间体A-IO~A-12的合成
[0161] 按照上述实施例5中间体A-9的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表3所示化 合物，表3是本发明实施例6反应物质、生成物质及产率汇总。
[0162] 表3本发明实施例6反应物质、生成物质及产率汇总
[0163]
[0164] 实施例7
[0165] 中间体5-(4-吡啶基）嘧啶-2-基硼酸（A-13)的合成：
[0166]
[0167] 取5-(4-吡啶基）-2-溴嘧啶（1(^，42.4臟〇1)加入到三口瓶中，加入1'册10〇11^，氮 气保护，-78°C搅拌30分钟， 然后加入正丁基锂（2. 5M)21mL，反应1小时，再加入硼酸三异 丙酯14g，低温反应1小时，逐渐恢复室温。后处理过程，体系中加入2M盐酸使溶液PH值 为4-5,静置分液，水层用乙酸乙酯萃取一遍，合并有机层，旋干，得白色固体（A-13) (6. 8g， y = 80% ) 〇
[0168] 实施例8
[0169] 中间体A-14~A-18的合成
[0170] 按照上述实施例7中间体A-13的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表4所示化 合物，表4是本发明实施例8反应物质、生成物质及产率汇总。
[0171] 表4本发明实施例8反应物质、生成物质及产率汇总
[0172]
[0173] 实施例9
[0174] 中间体2_(吡嗪-2-羰基）苯甲酸甲酯（B-I)的合成：
[0175]
[0176] 将2-溴吡嗪（15. 9g，0.1mol)溶于300ml无水乙醚中，干冰浴-78°C，氮气保护， 加入44ml的BuLi (2. 5M)，搅拌反应1小时，再加入邻苯二甲酸二甲酯（19. 4g，0.1mol)，反 应2小时，后逐渐升到室温，加入水中止反应，后处理过程：体系分液，分去水层，水层用乙 酸乙酯萃取一遍，合并有机层并旋干有机溶剂，用二氯甲烷：石油醚=9:1过柱分离，得白 色固体（B-I) (13. 3g，Y = 55% )。
[0177] 实施例10
[0178] 中间体B-2~B-14的合成
[0179] 按照上述实施例9中间体B-I的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表5所示化 合物，表5是本发明实施例10反应物质、生成物质及产率汇总。
[0180] 表5本发明实施例10反应物质、生成物质及产率汇总
[0181]
[0182]
[0183] 实施例11
[0184] 中间体苯并[g]喹喔啉-5, 10-二酮（C-I)的合成：
[0185]
[0186] 将实施例9制备的B-I (10g，41. 3mmol)
化合物浴解于300ml的THF中，降温到(TC， 加入混合液LTMP(LTMP的合成：在500ml的THF中，保持(TC溶解0. 13mol BuLi，0. 14mol的 2, 2, 6, 6-四甲基哌啶）。0°C搅拌反应2小时，加入200ml水中止反应，分去水层，有机层旋 干，用二氯甲烧：石油醚=10:1过柱分离，得固体（c-l) (3. 4g，y = 40% )。
[0187] 实施例12
[0188] 中间体C-2~C-14的合成：
[0189] 按照上述实施例11中间体C-I的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表6所示化 合物，表6是本发明实施例12反应物质、生成物质及产率汇总。
[0190] 表6本发明实施例12反应物质、生成物质及产率汇总
[0191]
[0192]
[0193] 实施例13
[0194] 中间体5, 10-二氯苯并[g]喹喔啉（D-I)的合成：
[0195]
[0196] 称取实施例11制备的C-I (10g，47. 6mmol)，加入到反应瓶中，加入200ml乙腈，再 称取30g三氯氧磷缓慢滴加到反应瓶中，滴加完毕后缓慢升温到60°C，反应时间为5小时。 反应完毕后，加入水小心萃灭，再加放大量的碳酸钠饱合溶液调PH值7-8,再加入二氯甲 烷，萃取三次，旋干得固体（D-I) (9. 0g，y = 75% )。
[0197] 实施例14
[0198] 中间体D-2~D14的合成：
[0199] 按照上述实施例13中间体D-I的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表7所示化 合物，表7是本发明实施例14反应物质、生成物质及产率汇总。
[0200] 表7本发明实施例14反应物质、生成物质及产率汇总
[0201]
[0202]
[0203]
[0204] 实施例15
[0205] 5, 10-二（4-吡啶基）苯并[g]喹喔啉（E-I)的合成：
[0206]
[0207] 将实施例13制备的0-1(15.(^，60臟〇1)，4-硼酸吡啶（18.(^，146臟〇1)，四三苯基 膦钯4g加入到反应瓶中，再加入甲苯300mL，碳酸钠水溶液（2N，100ml)，氮气保护，搅拌升 温到ll〇°C反应24小时。后处理过程：降温，分液，旋干甲苯。加入二氯甲烷溶解固体，过 柱，石油醚：乙酸乙醋=2 :1 (体积比）冲洗，得固体（E-I) (12g，y = 60% )。
[0208] 利用核磁共振对实施例15中得到的5, 10-二（4-吡啶基）苯并[g]喹喔啉（E-I) 进行分析，得到结果为：
[0209] 1H NMR(500MHz，Chloroform) δ 8. 97(s，1H)，8. 94(s，1H)，8. 71(s，2H)，7. 90(s，2H) ，7. 47(s, 1H)。质谱：334. 13。
[0210] 实施例16
[0211] E-2 ~E-23 的合成：
[0212] 按照上述实施例15中间体E-I的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表8所示化 合物，表8是本发明实施例16反应物质、生成物质及产率汇总。
[0213] 表8本发明实施例16反应物质、生成物质及产率汇总
[0214]
[0215]
[0216]
[0217] 利用核磁共振对实施例16中得到的E-2进行分析，得到结果为：
[0218] 1H NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 97 (s, 1H), 8. 93 (s, 1H), 8. 37 (s, 1H), 7. 47 (s, 1H) ,7· 38 (s, 1H), 7· 14 (s, 1H)，6· 90 (s, 1H)。
[0219] 实施例17
[0220] F-I ~F-9 的合成：
[0221] 按照上述实施例15中间体E-I的合成方法，以实施例14制备的化合物D2~D9 为原料，用相同摩尔量比制备得到表9所示化合物，表9是本发明实施例17反应物质、生成 物质及产率汇总。
[0222] 表9本发明实施例17反应物质、生成物质及产率汇总
[0223]
[0224]
[0225] 利用核磁共振对实施例17中得到的F-I进行分析，得到结果为：? NMR(500MHz, Chloroform) δ 9. 89 (s, 1H), 8. 97 (s, 2H), 8. 71 (s, 4H), 8. 26 (s, 2H), 7. 90 (s, 4H)，7· 65 - 7· 42 (m, 5H)。
[0226] 实施例18
[0227] G-I~G9的合成：
[0228] 按照上述实施例15中间体E-I的合成方法，以实施例14制备的化合物DlO~D13 为原料，用相同摩尔量比制备得到表10所示化合物，表10是本发明实施例18反应物质、生 成物质及产率汇总。
[0229] 表10本发明实施例18反应物质、生成物质及产率汇总
[0230]
[0231]
[0232] 利用核磁共振对实施例18中得到的G-I进行分析，得到的结果为：IH NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 97 (s, 1H), 8. 71 (s, 1H), 8. 03 (s, 1H), 7. 90 (s, 1H), 7. 59 (s, IH )，7. 47(s, 1H), 7. 32(s, 1H)。
[0233] 实施例19
[0234] N，N-二苯基-10-(吡啶-4-基氧基）苯并[g]喹喔啉-5-胺（H-I)的合成：
[0235]
[0236] I) 10-氯-N，N-二苯基苯并[g]喹喔啉-5-胺的合成：
[0237] 按照A-6的合成方法，加入5, 10-二氯苯并[g]喹喔啉（6. 0g, 24mol)，二苯胺 (4.48,24!11〇1)，得固体10-氯-1^二苯基苯并匕]喹喔啉-5-胺（5.048,7 = 55%)。
[0238] 2) N，N-二苯基-10-(吡啶-4-基氧基）苯并[g]喹喔啉-5-胺（H-I)的合成：
[0239] 取4-羟基吡啶（10g，0· Imol)溶于IOOmL无水四氢呋喃中，搅拌，准确称量 NaH(0. 96g, 0. 4mol)分批次加到反应瓶中，不要太快，防止太多气泡产生，加完后溶液呈现 黄色，这时再加入10-氯-N，N-二苯基苯并[g]喹喔啉-5-胺（42. 0g，0.1 lmol)，也要分批 加入，室温反应过夜。后处理过程：过滤，除去固体物质，旋干，加入二氯甲烷溶解，过柱用石 油醚：乙酸乙醋=1 :5冲柱，得固体（H-I) (22. 0g，y = 50% )。
[0240] 利用核磁共振对实施例19中得到的H-I进行分析，得到结果为：? NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 90 (d, J = 9. 3Hz, 2H), 8. 39 (s, 2H), 8. 12 (s, 1H), 8. 00 (s, 1H) ,7· 68 (s, 1H)，7· 50 (s, 1H)，7· 24 (s, 4H)，7· 08 (d, J = 4. 2Hz, 6H)，7· 00 (s, 2H)。
[0241] 实施例20
[0242] Ν，N-二苯基-10-(吡啶-4-基硫）苯并[g]喹喔啉-5-胺（Η-2)的合成：
[0243]
[0244] 将4-吡啶硫醇（I. lg，10m mol)，Ν，N-二苯基-10-(吡啶-4-基氧基）苯并[g]喹 喔琳-5-胺（3. 8g，10mmol)，K0H(840mg，15mmol)，mPANI/pFe304 (2. 5g，5mol % )、H2O (30mL) 加热8小时。通过乙酸乙酯萃取有机相，并采用（乙酸乙酯：石油醚=4:1)过柱分离，得白 色固体（H-2) (I. 83g，y = 40% )。
[0245] 利用核磁共振对实施例20中得到的H-2进行分析，得到结果为：? 匪R(500MHz，Chloroform) δ 8. 99(s，1H)，8. 89(d，J = 7. 2Hz，3H)，8. 12(s，1H)，7. 84(s， 1H)，7. 55 - 7. 40 (m，4H)，7. 24 (s，4H)，7. 08 (s，4H)，7. 00 (s，2H)。
[0246] 实施例21
[0247] 5, 10-二（吡啶-4-基氧基）苯并[g]喹喔啉（H-3)的合成：
[0248]
[0249] 参考实施例19中H-I的合成方法，投入10-氯-N，N-二苯基苯并[g]喹喔啉-5-胺 (5. 0g，20mmol)，4-羟基P比啶（4. 0g，42mmol)，得固体（H-3) (3. 4g，y = 50% )。
[0250] 利用核磁共振对实施例21中得到的H-3进行分析，得到结果为：? NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 90 (s, 2H), 8. 39 (s, 4H), 8. 00 (s, 2H), 7. 68 (s, 2H), 7. 06 (s, 4H) 〇
[0251] 实施例22
[0252] 5, 10-二（吡啶-4-基硫）苯并[g]喹喔啉（Η-4)的合成：
[0253]
[0254] 按照实施例20中Η-2的合成方法，加入4-吡啶硫醇（2. 2g，20m mol)，Ν，N-二 苯基-10-(吡啶-4-基氧基）苯并[g]喹喔啉-5-胺（2. 5g，lOmmol)，K0H(840mg， 15mmol)，mPANI/pFe304(2.5g，5mol% )、H20(30mL)加热8小时。通过乙酸乙醋萃取有机相， 并采用乙酸乙酯：石油醚=4:1过柱分离，得白色固体（H-4) (1.4g，y = 35% )。
[0255] 利用核磁共振对实施例22中得到的H-4进行分析，得到结果为：? NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 98 (s, 2H), 8. 88 (s, 4H), 7. 84 (s, 2H), 7. 47 (s, 2H), 7. 43 (s, 4H) 〇
[0256] 实施例23
[0257] 将费希尔公司涂层厚度为]500Λ的ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波 洗涤30分钟，然后按异丙醇、丙酮、甲醇的顺序依次洗涤30分钟，用蒸馏水反复清洗2次， 超声波洗涤10分钟，干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机 里。
[0258] 将已经准备好的ITO透明电极上蒸镀空穴注入层2-ΤΝΑΤΑ蒸镀500Λ、空穴传输层 a-NPD蒸镀300Α、青色主体ADN/掺杂5%的TPPDA蒸镀300Α,空穴阻挡层及空穴传输层 TPBi或实施例E~H的物质蒸镀400Λ、阴极LiF5 Λ、A丨2000Λ;上述过程有机物蒸镀速度 是保持 lA/sec、LiF 是 〇.2A/sec, Al 是 3~7A/sec。
[0259]
[0260] 上述方法得到的有机发光器件的电子发光特性见表11。
[0261] 表11实施例23中空穴阻挡层及空穴传输层物质种类与有机电致发光器件的电子 发光特性
[0262]
[0263] 从上述表11中可以看出，利用本发明的芳杂环化合物的器仵的发光效率及寿命 特性均有显著的提高。
[0264] 本发明采用芳杂环化合物的有机发光器件，可以得到发光效率和寿命良好的实验 效果，因此可应用于实用性高的OLED产业。本发明的有机电致发光器件同样适用于平面面 板显示、平面发光体、照明用面发光OLED发光体、柔性发光体、复印机、打印机、LCD背光灯 或计量机类的光源、显示板、标识等。
[0265] 以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对 于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行 若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
[0266] 对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。 对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的 一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明 将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一 致的最宽的范围。
【主权项】
1. 一种芳杂环化合物，具有式（I)所示结构： 其中，L1' L2、L3、L4独立地选自O或1 ; QJP Q2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的杂环 基； 札和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取代或 未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基、 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳 烷巯基或碳原子数是1~30的烷基； ΑΓι、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷基、 取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳 烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者是 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。2. 根据权利要求1所述的芳杂环化合物，其特征在于，所述芳杂环化合物具有以下结 构：其中，Zi~Z 16独立地选自CH、C或N ; L#P L4独立地选自O或1 ; 札和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取代或 未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基、 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基或取代、未取代的碳原子数是7~30的芳 烷巯基或碳原子数是1~30的烷基； ΑΓι、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数7~50的芳烷基、取 代或未取代的碳原子数7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数7~50的芳烷巯基、 碳原子数6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数5~50的杂环基、或者是取代或未取代 的碳原子数7~30的芳香族胺基。3.根据权利要求1所述的芳杂环化合物，其特征在于，所述芳杂环化合物具有以下结 构：其中， Zi~Z 8独立地选自C、CH或N ;L 3与L 4独立地为O或I ; QJP Q2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的杂环 基； ΑΓι、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷基、 取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳 烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者是 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基； R2、R/和IV独立地选自碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~ 50的杂环基或碳原子数是1~30的烷基。4.根据权利要求1所述的芳杂环化合物，其特征在于，所述芳杂环化合物具有以下结 构：其中， Zi~Z 16独立地选自C、CH或N ;L 3与L 4独立地为O或I ; QJP Q2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的杂环 基； ΑΓι、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷基、 取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳 烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者是 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。5.根据权利要求1~3任意一项所述的芳杂环化合物，其特征在于，所述芳杂环化合物 中，-Arp-Aiv-Ar3和-Ar4独立地选自以下式⑴~式（35)所示结构：其中， X和Y独立地选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是1~30的烷基、 取代或未取代的碳原子数是1~30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数是2~30的烯基、 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧 基、取代或未取代的碳原子数是6~30的芳基、取代或未取代的碳原子数是6~30的芳氧 基、取代或未取代的碳原子数是5~30的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数是7~ 30的芳香族胺基。6. 根据权利要求1所述的芳杂环化合物，其特征在于，所述Q JP Q 2均为苯基，以及R i 和R2均为氰基或苯基时，Ar JP Ar 2独立地选自取代或未取代的碳原子数7~50的芳基、取 代或未取代的碳原子数5~50的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数7~30的芳香 族胺基； 所述1^与L2F同时为0。7. -种芳杂环化合物的制备方法，包括： 将式（V)所示的化合物与式（VI)所示的化合物和式（VII)所示的化合物进行反应，得 到式（I)所示的芳杂环化合物；其中， X'为齒原子，Y'与Y1'独立地选自B(OH)^H; L1' L2、L3、L4独立地选自0或1 ; QJP Q2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的杂环 基； 札和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取代或 未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基、 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳 烷巯基或碳原子数是1~30的烷基； ΑΓι、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷基、 取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳 烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者是 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。8. -种有机电致发光器件，包括权利要求1~6任意一项所述的芳杂环化合物或权利 要求7所述的制备方法制备的芳杂环化合物。9. 根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，包括第一电极、第二电极和 设置于所述第一电极与第二电极之间的有机物层； 所述有机物层包含权利要求1~6任意一项所述的芳杂环化合物或权利要求7所述的 制备方法制备的芳杂环化合物。10. -种有机光电材料，其特征在于，包括权利要求1~6任意一项所述的芳杂环化合 物或权利要求7所述的制备方法制备的芳杂环化合物； 所述有机光电材料包括有机太阳电池、电子纸、有机感光体或有机晶体管。
【专利摘要】本发明提供了一种芳杂环化合物，具有式(I)所示结构：本发明提供的含苯并[g]酞嗪的芳杂环化合物，是在苯并[g]酞嗪化合物中引入Q1、Q2、Ar1、Ar2、Ar3与Ar4基团，可提高电子密集度及技能；而且改变苯并[g]酞嗪的R1和R2的种类可以改善芳杂环化合物的性能，使得本发明所公开的包含式(I)所示的芳杂环化合物制造的有机电致发光器件具有较高发光效率和使用寿命，以及更高的亮度和优秀的耐热性。此外，本发明提供的新的芳杂环化合物的制法简单，易于产业化。
【IPC分类】C07D401/14, C07D519/00, C07D471/04, C07D401/12, C09K11/06, C07D403/14, C07D241/38, C07D409/14, C07D417/14, C07D413/14, C07D405/14
【公开号】CN104892579
【申请号】CN201510295908
【发明人】高春吉, 崔敦洙, 王贺, 李文军
【申请人】吉林奥来德光电材料股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月2日
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机发光材料技术领域，尤其涉及一种芳杂环化合物及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 发光材料是指各种形式能量激发下能发光的物质。自然界中的许多物质，包括无 机化合物和有机化合物，或多或少均可以发光。发光材料是一种精细高技术产业，广泛应用 在工业、医学、交通及军事领域。发光材料按其组分可分为无机发光材料和有机发光材料。
[0003] 而在众多发光材料中，由于有机化合物的种类繁多，可调性好，色彩丰富，色纯度 高，分子设计相对比较灵活，并且在发光机理、物理化学性能上，或是在应用上都有各自的 特点。因而，有机材料的研宄日益受到人们的重视，这其中根据不同的分子结构，有机发光 材料可分为：有机小分子发光材料、有机高分子发光材料和有机配合物发光材料。而这其 中有机小分子发光材料种类繁多，它们多带有共轭杂环及各种生色团，结构易于调整，通过 引入烯键、苯环等不饱和基团及各种生色团来改变其共轭长度，从而使化合物光电性质发 生变化。因而，得到了众多的科研工作者一方面致力于小分子的研宄，如恶二唑及其化合物 类，三唑及其化合物类，罗丹明及其化合物类，香豆素类化合物，1，8-萘酰亚胺类化合物，吡 唑啉化合物，三苯胺类化合物，扑啉类化合物，咔唑、吡嗪、噻唑类化合物，茈类化合物等。它 们广泛应用于光学电子器件、DNA诊断、光化学传感器、染料、荧光增白剂、荧光涂料、激光染 料、有机电致发光器件（OLED)等方面。
[0004] 这其中，有机电致发光器件通常是指由两个对置的电极和插入在该两个电极之间 的至少一层有机发光化合物组成。电荷被注入到在阳极和阴极之间形成的有机层中，以形 成电子和空穴对，使具有荧光或磷光特性的有机化合物产生了光发射。它是一种新型的平 面显示器件，具有节能、响应速度快、颜色稳定、环境适应性强、无辐射、质量轻、厚度薄等诸 多优点。而且随着近几年光电通讯和多媒体领域的迅速发展，有机光电子材料已成为现代 社会信息和电子产业的核心。因此，随着领域的高速发展，对有机发光材料在性能上也提出 了更高的要求。
[0005] 有鉴于此，如何找到一种具有更好性能的有机发光材料，提高发光器件的发光效 率和使用寿命，一直是本领域研宄人员亟待解决的问题。
【发明内容】
[0006] 有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种芳杂环化合物及其制备方法， 以及有机电致发光器件，尤其是针对一种含苯并[g]酞嗪的芳杂环化合物。本发明提供的 芳杂环化合物，具有更好的性能，能够提高发光器件的发光效率和使用寿命。
[0007] 本发明提供了一种芳杂环化合物，具有式（I)所示结构：
[0008]
[0009] 其中，
[0010] L1' L2、L3、L4独立地选自 0 或 I ;
[0011] QjP Q2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基；
[0012] &和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取 代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族 胺基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~30 的芳烷巯基或碳原子数是1~30的烷基；
[0013] Ari、Ar2、Ar# Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。
[0014] 优选的，所述芳杂环化合物具有以下结构：
[0015] τ> R,
[0016]
[0017] 其中，
[0018] Z1- Z 16独立地选自CH、C或N ;
[0019] L3和L 4独立地选自0或1 ;
[0020] &和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取 代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族 胺基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基或取代、未取代的碳原子数是7~30 的芳烷巯基或碳原子数是1~30的烷基；
[0021] Arn Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数7~50的芳烷 巯基、碳原子数6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数5~50的杂环基、或者是取代或 未取代的碳原子数7~30的芳香族胺基。
[0022] 优选的，所述芳杂环化合物具有以下结构：
[0023]
I ，R夕
[0025]
[0026] 其中，
[0027] Zi~Z 8独立地选自C、CH或N ;L 3与L 4独立地为0或I ;
[0028] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基；
[0029] Ari、Ar2、Ar# Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基；
[0030] R2、R/和IV独立地选自碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是 5~50的杂环基或碳原子数是1~30的烷基。
[0031] 优选的，所述芳杂环化合物具有以下结构：
[00321
[0033」
[0034]
[0035] 其中，
[0036] Z1- Z 16独立地选自C、CH或N ;L 3与L 4独立地为0或I ;
[0037] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基；
[0038] ArpArpAr# Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。
[0039] 优选的，所述芳杂环化合物中，-Arn -Ar2、-ArjP -Ar 4独立地选自以下式⑴~ 式（35)所示结构：
[0041]
[0042] 其中，
[0043] X和Y独立地选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是1~30的 烷基、取代或未取代的碳原子数是1~30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数是2~30的 烯基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是7~30的 芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是6~30的芳基、取代或未取代的碳原子数是6~30 的芳氧基、取代或未取代的碳原子数是5~30的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数 是7~30的芳香族胺基。
[0044] 优选的，所述％和Q 2均为苯基，以及R JP R2均为氰基或苯基时，Ar JP Ar 2独立地 选自取代或未取代的碳原子数7~50的芳基、取代或未取代的碳原子数5~50的杂环基、 或者是取代或未取代的碳原子数7~30的芳香族胺基；
[0045] 所述1^与L 2不同时为0。
[0046] 本发明提供了一种芳杂环化合物的制备方法，包括：
[0047] 将式（V)所示的化合物与式（VI)所示的化合物和式（VII)所示的化合物进行反 应，得到式（I)所示的芳杂环化合物；
[0048]
[0049] 其中，
[0050] X'为齒原子，Y'与Y1'独立地选自B(OH)^H;
[0051] L1' L2、L3、L4独立地选自 0 或 1 ;
[0052] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基；
[0053] &和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取 代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族 胺基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~30 的芳烷巯基或碳原子数是1~30的烷基；
[0054] Ari、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。
[0055] 本发明提供了一种有机电致发光器件，包括上述任意一项技术方案所述的芳杂环 化合物或上述技术方案所述的制备方法制备的芳杂环化合物。
[0056] 优选的，包括第一电极、第二电极和设置于所述第一电极与第二电极之间的有机 物层；
[0057] 所述有机物层包含上述任意一项技术方案所述的芳杂环化合物或上述技术方案 所述的制备方法制备的芳杂环化合物。
[0058] 本发明提供了一种有机光电材料，其特征在于，包括上述任意一项技术方案所述 的芳杂环化合物或上述技术方案所述的制备方法制备的芳杂环化合物；
[0059] 所述有机光电材料包括有机太阳电池、电子纸、有机感光体或有机晶体管。
[0060] 本发明提供了一种含苯并[g]酞嗪的芳杂环化合物，具有式（I )所示结构，其 中，Lp L2、L3、L4独立地选自0或I ;Q Jp Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳 基或碳原子数是1~30的杂环基；&和R 2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原 子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原 子数是7~30的芳香族胺基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基、取代或未取 代的碳原子数是7~30的芳烷巯基或碳原子数是1~30的烷基；Ar 1、Ar2、ArjP Ar 4独立 地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是 7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷巯基、碳原子数是6~50 的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数是 7~30的芳香族胺基。与现有技术相比，本发明提供的具有式（I)所示结构的芳杂环化合 物，是在苯并[g]酞嘆化合物中引入Q 1、Q2、Ar1、Ar2、八:^与Ar 4 基团，可提高电子密集度及 技能；而且改变苯并[g]酞嗪的&和1?2的种类可以改善芳杂环化合物的性能，使得本发明 所公开的包含式（I)所示的芳杂环化合物制造的有机电致发光器件具有较高发光效率和 使用寿命，以及更高的亮度和优秀的耐热性。此外，本发明提供的新的芳杂环化合物的制法 简单，易于产业化。实验结果表明，本发明提供的芳杂环化合物以及制备的有机电致发光器 件，具有良好的光学性能，能够提高发光器件的发光效率和使用寿命。
【具体实施方式】
[0061] 为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是 应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的 限制。
[0062] 本发明提供了一种芳杂环化合物，具有式（I)所示结构：
[0063]
[0064] 其中，
[0065] 1^山山山独立地选自0或1，更优选为1^与1^2不同时为0;
[0066] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基，更优选选自氮、氧、硫、碳原子数是6~24的芳基或碳原子数是1~24的杂环基， 更优选选自氮、氧、硫、碳原子数是6~14的芳基或碳原子数是1~14的杂环基。
[0067] 所述芳杂环化合物在％和Q 2上更具体优选如式（II-I)~式（II-9)任意一结构 所示：
[0068] a R，
Ar1*
[0069]
[0070] 其中，Z1-Z16各自独立地选自C、CH或N ;LjPL4独立地选自0或I ;
[0071] 本发明中&和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的 芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的 芳香族胺基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基或取代、未取代的碳原子数是 7~30的芳烷巯基或碳原子数是1~30的烷基，更优选的选自氢原子、氰基、取代或未取代 的碳原子数是6~30的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~30的杂环基、取代或未取代 的碳原子数是7~25的芳香族胺基、取代或未取代的碳原子数是7~25的芳烷氧基或取 代、未取代的碳原子数是7~25的芳烷巯基或碳原子数是1~25的烷基，更优选的选自氢 原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是10~20的芳基、取代或未取代的碳原子数是8~ 20的杂环基、取代或未取代的碳原子数是10~20的芳香族胺基、取代或未取代的碳原子 数是10~20的芳烷氧基或取代、未取代的碳原子数是10~20的芳烷巯基或碳原子数是 2~20的烷基。
[0072] 所述芳杂环化合物在&和R2上更具体优选如式（III-I)~式（III-7)任意一结 构所示：
[0073]
[0074]
[0075
[0076] 其I
[0077] Z1- Z 8独立地选自C、CH或N ;L 3与L 4独立地为0或I ;
[0078] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基，更优选自氮、氧、硫、碳原子数是7~25的芳基或碳原子数是2~25的杂环基，更 优选自氮、氧、硫、碳原子数是10~20的芳基或碳原子数是5~20的杂环基；
[0079] R2、R1'和R2'独立地选自碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数 是5~50的杂环基或碳原子数是1~30的烷基，更优选自碳原子数是7~30的芳基、取 代或未取代的碳原子数是7~30的杂环基或碳原子数是7~25的烷基，更优选自碳原子 数是10~20的芳基、取代或未取代的碳原子数是10~20的杂环基或碳原子数是10~20 的烷基。
[0080] Ari、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基，更优选选自氢原子、取代或未取代的 碳原子数是10~30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是10~30的芳烷氧基、取代或未 取代的碳原子数是10~30的芳烷巯基、碳原子数是8~30的芳基、取代或未取代的碳原 子数是7~30的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数是10~25的芳香族胺基，更优 选选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是15~25的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是 15~25的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是15~25的芳烷巯基、碳原子数是15~ 25的芳基、取代或未取代的碳原子数是10~25的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数 是15~20的芳香族胺基。
[0081] 所述芳杂环化合物，当凡和R 2均选自氢原子时，在Q JP Q 2上更具体优选如式 (IV-I)~式（IV-10)任意一结构所不：
[0082]
[0083]
[0084]
[0085] 其中，
[0086] Z1- Z 16独立地选自C、CH或N ;L 3与L 4独立地为0或I ;
[0087] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基，更优选自氮、氧、硫、碳原子数是7~25的芳基或碳原子数是2~25的杂环基，更 优选自氮、氧、硫、碳原子数是10~20的芳基或碳原子数是5~20的杂环基；
[0088] ArpArpAr# Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基，更优选选自氢原子、取代或未取代的 碳原子数是10~30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是10~30的芳烷氧基、取代或未 取代的碳原子数是10~30的芳烷巯基、碳原子数是8~30的芳基、取代或未取代的碳原 子数是7~30的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数是10~25的芳香族胺基，更优 选选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是15~25的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是 15~25的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是15~25的芳烷巯基、碳原子数是15~ 25的芳基、取代或未取代的碳原子数是10~25的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数 是15~20的芳香族胺基。
[0089] 在某些特定实施例中，当所述％和Q 2均为苯基，以及R兩R2均为氰基或苯基时， Ar 2独立地选自取代或未取代的碳原子数7~50的芳基、取代或未取代的碳原子数 5~50的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数7~30的芳香族胺基，ArJP Ar 2更优 选选自取代或未取代的碳原子数10~30的芳基、取代或未取代的碳原子数7~30的杂环 基、或者是取代或未取代的碳原子数10~25的芳香族胺基，Ar 2更优选选自取代或 未取代的碳原子数15~20的芳基、取代或未取代的碳原子数10~25的杂环基、或者是取 代或未取代的碳原子数15~20的芳香族胺基。
[0090] 所述芳杂环化合物在Ar1W Ar 4上更具体优选如式（1)~式（35)任意一结构所 示：
[0091]
[0093] 其中，
[0094] X和Y独立地选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是1~30的 烷基、取代或未取代的碳原子数是1~30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数是2~30 的烯基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是7~30 的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是6~30的芳基、取代或未取代的碳原子数是6~ 30的芳氧基、取代或未取代的碳原子数是5~30的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子 数是7~30的芳香族胺基，更优选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是 2~25的烷基、取代或未取代的碳原子数是2~25的烷氧基、取代或未取代的碳原子数是 3~25的烯基、取代或未取代的碳原子数是10~25的芳烷基、取代或未取代的碳原子数 是10~25的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是8~25的芳基、取代或未取代的碳原 子数是8~25的芳氧基、取代或未取代的碳原子数是7~25的杂环基、或者是取代或未取 代的碳原子数是10~25的芳香族胺基，更优选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的 碳原子数是5~20的烷基、取代或未取代的碳原子数是5~20的烷氧基、取代或未取代的 碳原子数是5~20的烯基、取代或未取代的碳原子数是15~20的芳烷基、取代或未取代 的碳原子数是15~20的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是10~20的芳基、取代或未 取代的碳原子数是10~20的芳氧基、取代或未取代的碳原子数是10~20的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是15~20的芳香族胺基。
[0095] 本发明中，上述取代的芳基、取代的杂环基、取代的芳香族胺基、取代的芳烷氧基、 取代的芳烷巯基、取代的芳烷基、取代的烯基、取代的芳氧基中，所述取代的是指含有取代 基的，所述取代基优选选自卤素、Cl~C30的烷基、C2~C30的烯基、C2~C30的炔基、羟 基、Cl~C30的烷氧基、氣基、硝基、疏基、硫酿基、亚胺基、氛基、醜胺基、勝酸根、勝、幾基、 硫代羰基、磺酰基、氨磺酰基、羰基、醛基、酯基、乙酰基、乙酰氧基、氨基甲酰基、氧代基（= 〇)、卤代烷基、取代的氨酰基和氨基烷基、环烷基（可为单环、稠合多环或非稠合多环）、杂 环基（可为单环、稠合多环或非稠合多环）、单环或稠合或非稠合多环芳基（如苯基、萘基、 吡咯基、吲哚基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、三唑基、四唑基、吡唑 基、喹啉基、异喹啉基、P丫啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、苯并咪唑基、苯并噻吩基或苯并呋 喃基）、氨基、-O-Cl~C20的烷基、0-芳基、芳基、芳基-Cl~C20的烷基、-C0 2CH3、-CONH2 、-OCH2CONH2、-NH2、-SO2NH 2、-OCHF2、-CF3、-OCF3。这些取代基可任选地进一步被选自上述基团 的取代基取代。本发明中，所述取代基更优选选自以下式36~65中的任一取代基：
[0096]
[0097] 本发明提供的芳杂环化合物在苯并[g]酞嘆化合物中引入Qn Q2、Arp Ar2、八:^与 Ar4基团，可提高电子密集度及技能；而且改变苯并[g]酞嗪的RJPR2的种类可以改善芳杂 环化合物的性能，使得本发明所公开的包含式（I)所示的芳杂环化合物制造的有机电致发 光器件具有较高发光效率和使用寿命，以及更高的亮度和优秀的耐热性。实验结果表明，本 发明提供的芳杂环化合物以及制备的有机电致发光器件，具有良好的光学性能，能够提高 发光器件的发光效率和使用寿命。
[0098] 本发明还提供一种芳杂环化合物的制备方法，包括：
[0099] 将式（V) 所示的化合物与式（VI)所示的化合物和式（VII)所示的化合物进行反 应，得到式（I)所示的芳杂环化合物；
[0100]
[0101] 其中，
[0102] X'为卤原子，Y'与Y1'独立地选自B(OH)^H;
[0103] L1' L2、L3、L4独立地选自 0 或 1 ;
[0104] QjP Q 2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的 杂环基；
[0105] &和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取 代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族 胺基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~30 的芳烷巯基或碳原子数是1~30的烷基；
[0106] Ari、Ar2、Ar# Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷 基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的 芳烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者 是取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。
[0107] 其中，所述Lp L2、L3、L4、(^、Q2、Ar^ Ar2、Ar3、Ar4、札与R2均同上所述，在此不再赘 述。
[0108] 本发明所用原料，对其来源没有特别限制，在市场上购买的或是按照本领域技术 人员熟知的制备方法制备得到即可。
[0109] 本发明所用原料的纯度没有特别限制，以本领域技术人员熟知的用于此类反应的 纯度即可，本发明优选为分析纯及以上级别。
[0110] 本发明中所述式（V)所示的化合物优选按照以下方法进行制备：
[0111]
[0112] 按照本发明，当％或02为06~C30的芳基或Cl~C30的杂环基；Y'或Y/为 B(OH)2，式（V)所示的化合物与式（VI)所示的化合物或式（VII)所示的化合物在催化剂作 用下进行C-C耦合反应，所述反应条件为本领域技术人员熟知的反应条件即可，并无特殊 的限制。
[0113] 当所述％或92为队0或S时，或Y/为H，此时，式（V)所示的化合物与式（VI) 所示的化合物或式（VII)所示的化合物进行置换反应；所述置换反应的条件为本领域技术 人员熟知的置换反应条件即可，并无特殊的限制。
[0114] 上述反应式中，所述RpX '均同上所述，在此不再赘述。
[0115] 本发明中，当Y '为B(OH)Jt，所述式（VI)所示的化合物优选按照以下方法制 备：
[0117] X "为卤素原子。
[0118] 当V为B (OH)2时，式（VII)所示的化合物，优选按照以下方法制备：
[0120] X "为卤素原子。
[0121] 在本发明中，当所述1^与1^2同时为0时，将式（IV)所示的化合物经过还原反应 后，即可得到式（I)所示的化合物。
[0122] 从上述制备过程中，可以看出本发明提供的芳杂环化合物制备方法简单，易于产 业化。
[0123] 本发明还提供一种有机电致发光器件，包括上述任意一项技术方案所述的芳杂环 化合物或任意一项制备方法制备的芳杂环化合物。
[0124] 本发明对所述有机电致发光器件的其他条件没有特别限制，以本领域技术人员熟 知的有机电致发光器件即可，本发明优选包括第一电极、第二电极和设置于所述第一电极 与第二电极之间的有机物层；所述有机物层包含上述的芳杂环化合物。
[0125] 按照本发明，所述有机物层优选包括空穴注入层、空穴传输层、既具备空穴注入又 具备空穴传输技能层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层与既具备 电子传输又具备电子注入技能层中的一层或多层，更优选包括依次设置的空穴注入层、空 穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层与电子注入层或依次设置的既具 备空穴注入又具备空穴传输技能层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层与既具备电子传输又 具备电子注入技能层。
[0126] 当本发明有机物层包含空穴注入层、空穴传输层或既具备空穴注入又具备空穴传 输技能层时，优选所述空穴注入层、空穴传输层或既具备空穴注入又具备空穴传输技能层 中至少一层包含空穴注入物质、空穴传输物质或既具备空穴注入又具备空穴传输技能的物 质。
[0127] 当本发明有机物层为单层结构时，所述有机物层为发光层，当所述有机物层为多 层结构时，所述有机物层包括发光层；所述发光层中优选包括磷光主体、荧光主体、磷光掺 杂材料与荧光掺杂中的一种或多种；所述磷光主体、荧光主体、磷光掺杂材料与荧光掺杂材 料中的一种或多种为式（I)所示的芳杂环化合物。
[0128] 所述发光层还可优选为红色、黄色或青色发光层，所述芳杂环化合物为红色、黄色 或青色发光层的主体或掺杂物质。如，当所述发光层为青色发光层时，所述式（I)所示的芳 杂环化合物使用在青色主体或青色掺杂用途时，可提供高效率、高亮度、高分辨率及长寿命 的有机发光器件。
[0129] 当所述有机物层包括电子传输层时，所述电子传输层可包括式（I)所示的芳杂环 化合物和/或金属化合物。所述金属化合物为本领域技术人员熟知的用于电子传输的物质 即可，并无特殊的限制。
[0130] 当所述有机物层同时包括发光层与电子传输层时，所述发光层与电子传输层可包 括结构相同或不相同的式（I)所示的芳杂环化合物。
[0131] 本发明提供的有机电致发光器件利用式（I)所示的芳杂环化合物及常规材料制 成有机电子器件的方法制备，并无特殊的限制，本发明优选利用薄膜蒸镀、电子束蒸发或物 理气相沉积等方法在基板上蒸镀金属及具有导电性的氧化物及它们的合金形成阳极，然后 在其上形成有机物层及蒸镀阴极，得到有机电致发光器件。
[0132] 所述有机物层可以同时包括上述的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻 挡层及电子传输层的多层结构，并且这些多层结构可按照上述薄膜蒸镀、电子束蒸发或 物理气相沉积等方法蒸镀，也可使用多样的高分子材料溶剂工程替代蒸镀方法，如旋转 涂膜（spin-coating)、薄带成型（tape-casting)、刮片法（doctor-blading)、丝网印刷 (Screen-Printing)、喷墨印刷或热成像（Thermal-Imaging)等方法减少层数制造。
[0133] 本发明提供的有机电致发光器件按照使用的材料也可分为前面发光、背面发光或 两面发光。
[0134] 本发明还提供了一种有机光电材料，包括上述任意一项技术方案所述的芳杂环化 合物，或任意一项技术方案所述的制备方法制备的芳杂环化合物；所述有机光电材料包括 有机太阳电池、电子纸、有机感光体或有机晶体管。
[0135] 基于上述有机电致发光器件同样的原理应用，本发明所提供的芳杂环化合物除了 在有机发光器件（OLED)，如照明用0LED、柔性OLED中，还可以应用在有机太阳电池（OSC)、 电子纸（e-paper)、有机感光体（OPC)或有机薄膜晶体管（OTFT)上。
[0136] 为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的芳杂环化合物及其制备 方法以及有机电致发光器件进行详细描述。
[0137] 实施例1
[0138] 中间体2-氲-5-茏某吡嗪（A-I)的合成：
[0139]
[01 40] ? U nHj \么丄· 丄丄 IllU 丄/ ，，十、HAW \u_ &S，丄Wlliu 丄/ ， |^| I 0. 5g，加入到1000 mL反应瓶中，加入甲苯400mL，碳酸钠水溶液（2N，150mL)氮气保护，油浴 80°C反应24小时。后处理过程：反应体系降温，静置30分钟分液，保留有机层，旋干甲苯， 固体加入少量二氯甲烷溶解，过柱分离，用石油醚：二氯甲烷=1 :1(体积比）冲柱，得固体 (A-I) (10. 7g，y = 56% ) 〇
[0141] 实施例2
[0142] 中间体A-2~A-5的合成：
[0143] 按照上述实施例1中间体A-I的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表1所示的 化合物，表1是本发明实施例2反应物质、生成物质及产率汇总。
[0144] 表1实施例2反应物质、生成物质及产率汇总
[0145]
[0146] 实施例3
[0147] 中间体5-氯-N，N-二苯基吡嗪-2-胺（A-6)的合成：
[0148]
[0149] 将二苯胺（16. 9g，0.1 Omol)和叔丁醇钠（28g，0. 30mol)，甲苯400mL加入到反应瓶 中，搅拌30分钟，氮气保护，然后加入2-溴-5-氯吡嗪（23. 2g，0. 12m〇l)、三（二亚卞基丙 酮）二钯1.5g，最后加入三叔丁基膦4g，升温到KKTC反应24小时。后处理过程：体系降 温，加入水终止反应，过滤，滤液分液，旋干甲苯，加入少量二氯甲烷溶解固体，石油醚：二 氯甲烧=3:1 (体积比）过柱分离，得固体（A-6) (14. lg，y = 50% )。
[0150] 实施例4
[0151] 中间体A-7和A-8的合成
[0152] 按照上述实施例3中间体A-6的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表2所示化 合物，表2是本发明实施例4反应物质、生成物质及产率汇总。
[0153] 表2本发明实施例4反应物质、生成物质及产率汇总
[0154]
[0155] 实施例5
[0156] 中间体5-氯-2, 3-二苯基吡嗪（A-9)的合成：
[0157]
[0158] 将苯硼酸（24. 4g，0. 20mol)，2, 3-二溟-5-氯喹啉（27. 3g，0.1 Omol)，四三苯基膦 钯（7. 0g，3%)加入到反应瓶中，加入甲苯600mL，碳酸钠水溶液（2N250mL)氮气保护，油浴 90°C反应，过夜。后处理过程：体系降温，分液，旋干甲苯，剩余物用二氯甲烷全溶，再加入 等量的石油醚，过硅胶漏斗，并用二氯甲烷：石油醚=1 :2(体积比）冲洗，直到无产品点流 出，收集滤液，并旋干溶剂，得深色固体（A-9) (21. 3g，y = 80% )。
[0159] 实施例6
[0160] 中间体A-IO~A-12的合成
[0161] 按照上述实施例5中间体A-9的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表3所示化 合物，表3是本发明实施例6反应物质、生成物质及产率汇总。
[0162] 表3本发明实施例6反应物质、生成物质及产率汇总
[0163]
[0164] 实施例7
[0165] 中间体5-(4-吡啶基）嘧啶-2-基硼酸（A-13)的合成：
[0166]
[0167] 取5-(4-吡啶基）-2-溴嘧啶（1(^，42.4臟〇1)加入到三口瓶中，加入1'册10〇11^，氮 气保护，-78°C搅拌30分钟， 然后加入正丁基锂（2. 5M)21mL，反应1小时，再加入硼酸三异 丙酯14g，低温反应1小时，逐渐恢复室温。后处理过程，体系中加入2M盐酸使溶液PH值 为4-5,静置分液，水层用乙酸乙酯萃取一遍，合并有机层，旋干，得白色固体（A-13) (6. 8g， y = 80% ) 〇
[0168] 实施例8
[0169] 中间体A-14~A-18的合成
[0170] 按照上述实施例7中间体A-13的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表4所示化 合物，表4是本发明实施例8反应物质、生成物质及产率汇总。
[0171] 表4本发明实施例8反应物质、生成物质及产率汇总
[0172]
[0173] 实施例9
[0174] 中间体2_(吡嗪-2-羰基）苯甲酸甲酯（B-I)的合成：
[0175]
[0176] 将2-溴吡嗪（15. 9g，0.1mol)溶于300ml无水乙醚中，干冰浴-78°C，氮气保护， 加入44ml的BuLi (2. 5M)，搅拌反应1小时，再加入邻苯二甲酸二甲酯（19. 4g，0.1mol)，反 应2小时，后逐渐升到室温，加入水中止反应，后处理过程：体系分液，分去水层，水层用乙 酸乙酯萃取一遍，合并有机层并旋干有机溶剂，用二氯甲烷：石油醚=9:1过柱分离，得白 色固体（B-I) (13. 3g，Y = 55% )。
[0177] 实施例10
[0178] 中间体B-2~B-14的合成
[0179] 按照上述实施例9中间体B-I的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表5所示化 合物，表5是本发明实施例10反应物质、生成物质及产率汇总。
[0180] 表5本发明实施例10反应物质、生成物质及产率汇总
[0181]
[0182]
[0183] 实施例11
[0184] 中间体苯并[g]喹喔啉-5, 10-二酮（C-I)的合成：
[0185]
[0186] 将实施例9制备的B-I (10g，41. 3mmol)
化合物浴解于300ml的THF中，降温到(TC， 加入混合液LTMP(LTMP的合成：在500ml的THF中，保持(TC溶解0. 13mol BuLi，0. 14mol的 2, 2, 6, 6-四甲基哌啶）。0°C搅拌反应2小时，加入200ml水中止反应，分去水层，有机层旋 干，用二氯甲烧：石油醚=10:1过柱分离，得固体（c-l) (3. 4g，y = 40% )。
[0187] 实施例12
[0188] 中间体C-2~C-14的合成：
[0189] 按照上述实施例11中间体C-I的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表6所示化 合物，表6是本发明实施例12反应物质、生成物质及产率汇总。
[0190] 表6本发明实施例12反应物质、生成物质及产率汇总
[0191]
[0192]
[0193] 实施例13
[0194] 中间体5, 10-二氯苯并[g]喹喔啉（D-I)的合成：
[0195]
[0196] 称取实施例11制备的C-I (10g，47. 6mmol)，加入到反应瓶中，加入200ml乙腈，再 称取30g三氯氧磷缓慢滴加到反应瓶中，滴加完毕后缓慢升温到60°C，反应时间为5小时。 反应完毕后，加入水小心萃灭，再加放大量的碳酸钠饱合溶液调PH值7-8,再加入二氯甲 烷，萃取三次，旋干得固体（D-I) (9. 0g，y = 75% )。
[0197] 实施例14
[0198] 中间体D-2~D14的合成：
[0199] 按照上述实施例13中间体D-I的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表7所示化 合物，表7是本发明实施例14反应物质、生成物质及产率汇总。
[0200] 表7本发明实施例14反应物质、生成物质及产率汇总
[0201]
[0202]
[0203]
[0204] 实施例15
[0205] 5, 10-二（4-吡啶基）苯并[g]喹喔啉（E-I)的合成：
[0206]
[0207] 将实施例13制备的0-1(15.(^，60臟〇1)，4-硼酸吡啶（18.(^，146臟〇1)，四三苯基 膦钯4g加入到反应瓶中，再加入甲苯300mL，碳酸钠水溶液（2N，100ml)，氮气保护，搅拌升 温到ll〇°C反应24小时。后处理过程：降温，分液，旋干甲苯。加入二氯甲烷溶解固体，过 柱，石油醚：乙酸乙醋=2 :1 (体积比）冲洗，得固体（E-I) (12g，y = 60% )。
[0208] 利用核磁共振对实施例15中得到的5, 10-二（4-吡啶基）苯并[g]喹喔啉（E-I) 进行分析，得到结果为：
[0209] 1H NMR(500MHz，Chloroform) δ 8. 97(s，1H)，8. 94(s，1H)，8. 71(s，2H)，7. 90(s，2H) ，7. 47(s, 1H)。质谱：334. 13。
[0210] 实施例16
[0211] E-2 ~E-23 的合成：
[0212] 按照上述实施例15中间体E-I的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表8所示化 合物，表8是本发明实施例16反应物质、生成物质及产率汇总。
[0213] 表8本发明实施例16反应物质、生成物质及产率汇总
[0214]
[0215]
[0216]
[0217] 利用核磁共振对实施例16中得到的E-2进行分析，得到结果为：
[0218] 1H NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 97 (s, 1H), 8. 93 (s, 1H), 8. 37 (s, 1H), 7. 47 (s, 1H) ,7· 38 (s, 1H), 7· 14 (s, 1H)，6· 90 (s, 1H)。
[0219] 实施例17
[0220] F-I ~F-9 的合成：
[0221] 按照上述实施例15中间体E-I的合成方法，以实施例14制备的化合物D2~D9 为原料，用相同摩尔量比制备得到表9所示化合物，表9是本发明实施例17反应物质、生成 物质及产率汇总。
[0222] 表9本发明实施例17反应物质、生成物质及产率汇总
[0223]
[0224]
[0225] 利用核磁共振对实施例17中得到的F-I进行分析，得到结果为：? NMR(500MHz, Chloroform) δ 9. 89 (s, 1H), 8. 97 (s, 2H), 8. 71 (s, 4H), 8. 26 (s, 2H), 7. 90 (s, 4H)，7· 65 - 7· 42 (m, 5H)。
[0226] 实施例18
[0227] G-I~G9的合成：
[0228] 按照上述实施例15中间体E-I的合成方法，以实施例14制备的化合物DlO~D13 为原料，用相同摩尔量比制备得到表10所示化合物，表10是本发明实施例18反应物质、生 成物质及产率汇总。
[0229] 表10本发明实施例18反应物质、生成物质及产率汇总
[0230]
[0231]
[0232] 利用核磁共振对实施例18中得到的G-I进行分析，得到的结果为：IH NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 97 (s, 1H), 8. 71 (s, 1H), 8. 03 (s, 1H), 7. 90 (s, 1H), 7. 59 (s, IH )，7. 47(s, 1H), 7. 32(s, 1H)。
[0233] 实施例19
[0234] N，N-二苯基-10-(吡啶-4-基氧基）苯并[g]喹喔啉-5-胺（H-I)的合成：
[0235]
[0236] I) 10-氯-N，N-二苯基苯并[g]喹喔啉-5-胺的合成：
[0237] 按照A-6的合成方法，加入5, 10-二氯苯并[g]喹喔啉（6. 0g, 24mol)，二苯胺 (4.48,24!11〇1)，得固体10-氯-1^二苯基苯并匕]喹喔啉-5-胺（5.048,7 = 55%)。
[0238] 2) N，N-二苯基-10-(吡啶-4-基氧基）苯并[g]喹喔啉-5-胺（H-I)的合成：
[0239] 取4-羟基吡啶（10g，0· Imol)溶于IOOmL无水四氢呋喃中，搅拌，准确称量 NaH(0. 96g, 0. 4mol)分批次加到反应瓶中，不要太快，防止太多气泡产生，加完后溶液呈现 黄色，这时再加入10-氯-N，N-二苯基苯并[g]喹喔啉-5-胺（42. 0g，0.1 lmol)，也要分批 加入，室温反应过夜。后处理过程：过滤，除去固体物质，旋干，加入二氯甲烷溶解，过柱用石 油醚：乙酸乙醋=1 :5冲柱，得固体（H-I) (22. 0g，y = 50% )。
[0240] 利用核磁共振对实施例19中得到的H-I进行分析，得到结果为：? NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 90 (d, J = 9. 3Hz, 2H), 8. 39 (s, 2H), 8. 12 (s, 1H), 8. 00 (s, 1H) ,7· 68 (s, 1H)，7· 50 (s, 1H)，7· 24 (s, 4H)，7· 08 (d, J = 4. 2Hz, 6H)，7· 00 (s, 2H)。
[0241] 实施例20
[0242] Ν，N-二苯基-10-(吡啶-4-基硫）苯并[g]喹喔啉-5-胺（Η-2)的合成：
[0243]
[0244] 将4-吡啶硫醇（I. lg，10m mol)，Ν，N-二苯基-10-(吡啶-4-基氧基）苯并[g]喹 喔琳-5-胺（3. 8g，10mmol)，K0H(840mg，15mmol)，mPANI/pFe304 (2. 5g，5mol % )、H2O (30mL) 加热8小时。通过乙酸乙酯萃取有机相，并采用（乙酸乙酯：石油醚=4:1)过柱分离，得白 色固体（H-2) (I. 83g，y = 40% )。
[0245] 利用核磁共振对实施例20中得到的H-2进行分析，得到结果为：? 匪R(500MHz，Chloroform) δ 8. 99(s，1H)，8. 89(d，J = 7. 2Hz，3H)，8. 12(s，1H)，7. 84(s， 1H)，7. 55 - 7. 40 (m，4H)，7. 24 (s，4H)，7. 08 (s，4H)，7. 00 (s，2H)。
[0246] 实施例21
[0247] 5, 10-二（吡啶-4-基氧基）苯并[g]喹喔啉（H-3)的合成：
[0248]
[0249] 参考实施例19中H-I的合成方法，投入10-氯-N，N-二苯基苯并[g]喹喔啉-5-胺 (5. 0g，20mmol)，4-羟基P比啶（4. 0g，42mmol)，得固体（H-3) (3. 4g，y = 50% )。
[0250] 利用核磁共振对实施例21中得到的H-3进行分析，得到结果为：? NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 90 (s, 2H), 8. 39 (s, 4H), 8. 00 (s, 2H), 7. 68 (s, 2H), 7. 06 (s, 4H) 〇
[0251] 实施例22
[0252] 5, 10-二（吡啶-4-基硫）苯并[g]喹喔啉（Η-4)的合成：
[0253]
[0254] 按照实施例20中Η-2的合成方法，加入4-吡啶硫醇（2. 2g，20m mol)，Ν，N-二 苯基-10-(吡啶-4-基氧基）苯并[g]喹喔啉-5-胺（2. 5g，lOmmol)，K0H(840mg， 15mmol)，mPANI/pFe304(2.5g，5mol% )、H20(30mL)加热8小时。通过乙酸乙醋萃取有机相， 并采用乙酸乙酯：石油醚=4:1过柱分离，得白色固体（H-4) (1.4g，y = 35% )。
[0255] 利用核磁共振对实施例22中得到的H-4进行分析，得到结果为：? NMR (500MHz, Chloroform) δ 8. 98 (s, 2H), 8. 88 (s, 4H), 7. 84 (s, 2H), 7. 47 (s, 2H), 7. 43 (s, 4H) 〇
[0256] 实施例23
[0257] 将费希尔公司涂层厚度为]500Λ的ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波 洗涤30分钟，然后按异丙醇、丙酮、甲醇的顺序依次洗涤30分钟，用蒸馏水反复清洗2次， 超声波洗涤10分钟，干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机 里。
[0258] 将已经准备好的ITO透明电极上蒸镀空穴注入层2-ΤΝΑΤΑ蒸镀500Λ、空穴传输层 a-NPD蒸镀300Α、青色主体ADN/掺杂5%的TPPDA蒸镀300Α,空穴阻挡层及空穴传输层 TPBi或实施例E~H的物质蒸镀400Λ、阴极LiF5 Λ、A丨2000Λ;上述过程有机物蒸镀速度 是保持 lA/sec、LiF 是 〇.2A/sec, Al 是 3~7A/sec。
[0259]
[0260] 上述方法得到的有机发光器件的电子发光特性见表11。
[0261] 表11实施例23中空穴阻挡层及空穴传输层物质种类与有机电致发光器件的电子 发光特性
[0262]
[0263] 从上述表11中可以看出，利用本发明的芳杂环化合物的器仵的发光效率及寿命 特性均有显著的提高。
[0264] 本发明采用芳杂环化合物的有机发光器件，可以得到发光效率和寿命良好的实验 效果，因此可应用于实用性高的OLED产业。本发明的有机电致发光器件同样适用于平面面 板显示、平面发光体、照明用面发光OLED发光体、柔性发光体、复印机、打印机、LCD背光灯 或计量机类的光源、显示板、标识等。
[0265] 以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对 于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行 若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
[0266] 对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。 对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的 一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明 将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一 致的最宽的范围。
【主权项】
1. 一种芳杂环化合物，具有式（I)所示结构： 其中，L1' L2、L3、L4独立地选自O或1 ; QJP Q2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的杂环 基； 札和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取代或 未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基、 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳 烷巯基或碳原子数是1~30的烷基； ΑΓι、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷基、 取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳 烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者是 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。2. 根据权利要求1所述的芳杂环化合物，其特征在于，所述芳杂环化合物具有以下结 构：其中，Zi~Z 16独立地选自CH、C或N ; L#P L4独立地选自O或1 ; 札和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取代或 未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基、 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基或取代、未取代的碳原子数是7~30的芳 烷巯基或碳原子数是1~30的烷基； ΑΓι、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数7~50的芳烷基、取 代或未取代的碳原子数7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数7~50的芳烷巯基、 碳原子数6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数5~50的杂环基、或者是取代或未取代 的碳原子数7~30的芳香族胺基。3.根据权利要求1所述的芳杂环化合物，其特征在于，所述芳杂环化合物具有以下结 构：其中， Zi~Z 8独立地选自C、CH或N ;L 3与L 4独立地为O或I ; QJP Q2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的杂环 基； ΑΓι、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷基、 取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳 烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者是 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基； R2、R/和IV独立地选自碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~ 50的杂环基或碳原子数是1~30的烷基。4.根据权利要求1所述的芳杂环化合物，其特征在于，所述芳杂环化合物具有以下结 构：其中， Zi~Z 16独立地选自C、CH或N ;L 3与L 4独立地为O或I ; QJP Q2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的杂环 基； ΑΓι、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷基、 取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳 烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者是 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。5.根据权利要求1~3任意一项所述的芳杂环化合物，其特征在于，所述芳杂环化合物 中，-Arp-Aiv-Ar3和-Ar4独立地选自以下式⑴~式（35)所示结构：其中， X和Y独立地选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是1~30的烷基、 取代或未取代的碳原子数是1~30的烷氧基、取代或未取代的碳原子数是2~30的烯基、 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧 基、取代或未取代的碳原子数是6~30的芳基、取代或未取代的碳原子数是6~30的芳氧 基、取代或未取代的碳原子数是5~30的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数是7~ 30的芳香族胺基。6. 根据权利要求1所述的芳杂环化合物，其特征在于，所述Q JP Q 2均为苯基，以及R i 和R2均为氰基或苯基时，Ar JP Ar 2独立地选自取代或未取代的碳原子数7~50的芳基、取 代或未取代的碳原子数5~50的杂环基、或者是取代或未取代的碳原子数7~30的芳香 族胺基； 所述1^与L2F同时为0。7. -种芳杂环化合物的制备方法，包括： 将式（V)所示的化合物与式（VI)所示的化合物和式（VII)所示的化合物进行反应，得 到式（I)所示的芳杂环化合物；其中， X'为齒原子，Y'与Y1'独立地选自B(OH)^H; L1' L2、L3、L4独立地选自0或1 ; QJP Q2独立地选自氮、氧、硫、碳原子数是6~30的芳基或碳原子数是1~30的杂环 基； 札和R2独立地选自氢原子、氰基、取代或未取代的碳原子数是6~50的芳基、取代或 未取代的碳原子数是5~50的杂环基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基、 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~30的芳 烷巯基或碳原子数是1~30的烷基； ΑΓι、Ar2、Ar#P Ar 4独立地选自氢原子、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷基、 取代或未取代的碳原子数是7~50的芳烷氧基、取代或未取代的碳原子数是7~50的芳 烷巯基、碳原子数是6~50的芳基、取代或未取代的碳原子数是5~50的杂环基、或者是 取代或未取代的碳原子数是7~30的芳香族胺基。8. -种有机电致发光器件，包括权利要求1~6任意一项所述的芳杂环化合物或权利 要求7所述的制备方法制备的芳杂环化合物。9. 根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，包括第一电极、第二电极和 设置于所述第一电极与第二电极之间的有机物层； 所述有机物层包含权利要求1~6任意一项所述的芳杂环化合物或权利要求7所述的 制备方法制备的芳杂环化合物。10. -种有机光电材料，其特征在于，包括权利要求1~6任意一项所述的芳杂环化合 物或权利要求7所述的制备方法制备的芳杂环化合物； 所述有机光电材料包括有机太阳电池、电子纸、有机感光体或有机晶体管。
【专利摘要】本发明提供了一种芳杂环化合物，具有式(I)所示结构：本发明提供的含苯并[g]酞嗪的芳杂环化合物，是在苯并[g]酞嗪化合物中引入Q1、Q2、Ar1、Ar2、Ar3与Ar4基团，可提高电子密集度及技能；而且改变苯并[g]酞嗪的R1和R2的种类可以改善芳杂环化合物的性能，使得本发明所公开的包含式(I)所示的芳杂环化合物制造的有机电致发光器件具有较高发光效率和使用寿命，以及更高的亮度和优秀的耐热性。此外，本发明提供的新的芳杂环化合物的制法简单，易于产业化。
【IPC分类】C07D401/14, C07D519/00, C07D471/04, C07D401/12, C09K11/06, C07D403/14, C07D241/38, C07D409/14, C07D417/14, C07D413/14, C07D405/14
【公开号】CN104892579
【申请号】CN201510295908
【发明人】高春吉, 崔敦洙, 王贺, 李文军
【申请人】吉林奥来德光电材料股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月2日
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