发光二极管快速封装粘性荧光胶膜及制备方法及应用
发光二极管快速封装粘性荧光胶膜及制备方法及应用
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜及制备方法及应用。
【背景技术】
[0002] 半导体照明技术是21世纪最具有发展前景的高科技领域之一，而发光二极管 (Light Emitting Diode，以下简称LED)是其核心技术。LED是一类能直接将电能转化为 光能的发光元件，由于它具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、发光响应时间极短、光色 纯、结构牢固、抗冲击、耐振动、性能稳定可靠、重量轻、体积少和成本低等一系列特性，因而 得到了广泛的应用和突飞猛进的发展。
[0003] 随着功率型白光LED制造技术的不断完善，其发光效率、亮度和功率都有了大幅 度提高。为了制造出高性能、高功率型白光LED器件，对芯片制造技术、荧光粉制造技术和 散热技术要求很高。LED芯片封装材料的性能和封装工艺对其发光效率、亮度以及使用寿命 也将产生显著影响。从芯片制造、封装材料研宄和封装工艺的角度来讲，延长LED的寿命和 增强出光效率重点需要解决的关键问题是：芯片制作和封装工艺。
[0004] 目前，LED白光芯片的制备一般需要进行很多工艺步骤才能完成，例如清洗支架芯 片、固晶、烘烤固化、焊线、点胶（含荧光粉）、烘烤固化、测试分拣等，其中点胶和烘烤固化 是封装步骤过程中的至关重要步骤。
[0005] 其中，LED封装步骤是LED白光芯片的制备过程中至关重要的步骤。LED封装一般 采用点胶工艺和分阶段固化工艺，这就意味着LED封装厂家必须将封装胶的A组分和B组 分准确称重，并且添加一定比例的荧光粉，混合均匀后，经过脱泡，灌入点胶器中，经过点胶 设备，进行点胶。该封装工艺存在很多弊病，例如所用的封装胶粘度大，不容易混合均匀；混 合后的胶不容易脱泡，导致封装胶体内含有气泡，造成封装芯片容易产生残次品；荧光粉比 重大于封装胶，所以荧光粉在封装胶内容易产生沉降，造成封装LED的色温和显色指数变 化大，这就要求对完成封装的LED芯片必须经过测试分筛，才能使用，所以目前的生产路线 长，效率低，批次稳定性差；此外，封装厂家必须在短时间内完成非常繁琐使用过程，而且混 合后的封装胶使用时间特别短，一般仅仅8个小时。超过使用时间后，混合胶粘度升高，不 再适宜点胶，这造成封装胶浪费。此外，目前的工艺路线只能单颗制造，存在生产路线长、成 本高、效率低和批次稳定性差的严重问题。
[0006] 此外，另外一种经常使用的封装方式涉及板上晶片直装式（COB，chip on board) 封装（见图2)。COB型LED芯片就是将裸芯片用导电或非导电胶粘附在互连基板上，然后 进行引线键合实现其电连接，有长条型/方形/圆形三种封装形式。在板上晶片直装式封 装中，第一步，需要将高触变性的有机硅围坝胶经过点胶机在COB板上形成围堰形状（图 2-1)，再经过高温固化。第二步，将混合好的双组分硅胶的A组分和B组分，灌入储胶针管 中，经过点胶机在围堰内点胶，再经过高温固化（图2-2)。第三步，将封装好的COB型LED 芯片用专用的检测工具进行电气性能测试，按照质量和色温指标，区分和分级。在这些封装 步骤过程中，非常容易产生残次品，而且工艺路线长、点胶时间长、成品率低，以及生产效率 低下，从而导致生产成本高。
[0007] COB型LED芯片封装过程中，也涉及点胶和烘烤固化等至关重要步骤，也存在上述 缺点。总之，现有LED白光芯片和COB型LED芯片的封装过程容易产生残次品，而且工艺路 线长、点胶时间长、成品率低，以及生产效率低下，从而导致生产成本高。
【发明内容】
[0008] 本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种发光二极管快速封装粘性荧光胶 膜。
[0009] 本发明的第二个目的是提供一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜的制备方法。
[0010] 本发明的第三个目的是提供一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于倒装LED 白光芯片的芯片级封装的应用。
[0011] 本发明的第四个目的是提供一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于COB型 LED芯片封装的应用。
[0012] 本发明的技术方案概述如下：
[0013] 一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜的制备方法，包括如下步骤：
[0014] (1)按质量称取：100份乙烯基硅橡胶，5-50份气相二氧化娃，2-50份乙烯基硅油， 1-50份甲基乙烯基MQ硅树脂，0. 1-3份羟基硅油，5-250份LED荧光粉，混合得混合物1 ;
[0015] 所述乙烯基硅油的乙烯基含量为0. 001% -15%、粘度为3000-200000mPa. s ;
[0016] 所述甲基乙烯基MQ硅树脂的乙烯基含量为0. 1%-15%、粘度为5000-200000mPa. s，
[0017] 所述羟基硅油的粘度范围为10_50mPa· s ;
[0018] (2)按质量称取：0· 00005~0· 001份抑制剂，1~5份增粘剂，3. OX 10_4~ I. 5 X 10_3份卡式铂金催化剂，氢含量为0. 1 % -1. 6 %、粘度为5-500mPa. S的甲基含氢硅油， 使所述甲基含氢硅油中的Si-H摩尔数是混合物1中乙烯基摩尔数的1. 1-5倍；
[0019] (3)将步骤（2)的各组份加入到混合物1中，经捏合机、双辊开炼机或密炼机混炼 均匀得混合物2,将混合物2挤出于离型膜上并覆盖另一离型膜、压延。
[0020] 乙烯基硅橡胶优选分子量为40-80万、乙烯基含量为0. 04-1. 1 %乙烯基甲基硅橡 胶，或分子量为20-80万的苯含量为4% -25%的乙烯基苯基硅橡胶。
[0021] 气相二氧化硅优选 HL-150, HL-200, HL-200H，HL-300, HL-380, HB-215, HB-615， HB-620, HB-630, HB-135 和 HB-139 中的至少一种。
[0022] LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉和硅酸盐系荧光粉至少两种。
[0023] 抑制剂优选1-乙炔-1-环己醇、3,5_二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁 炔-2-醇中的至少一种。
[0024] 增粘剂优选Y-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基甲 基二甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯 基三（乙氧甲氧基）硅烷、γ-(2, 3-环氧丙氧）丙基三甲氧基硅烷、γ-(2, 3-环氧丙氧） 丙基三乙氧基硅烷、γ-(2, 3-环氧丙氧）丙基甲基二甲氧基硅烷、β-(3, 4-环氧环己基） 乙基三甲氧基硅烷中的至少一种。
[0025] 增粘剂还可以选含有环氧基和异氰基改性增粘剂，所述含有环氧基和异氰基改性 增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷升温至40~60°C，在 3~5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰 基乙酯与浓度为0. 1~0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60~80°C反应2~ 3小时；所述1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基 硅烷与甲基丙稀酸异氰基乙醋依次用a、b、c和d表示，所述a:b:c:d的摩尔比=1: (0~ 3) : (0~3) : (0~3)，并且，2彡b+c+d彡4 ;所述氯铂酸的添加量为a、b、c和d总量的10~ 50ppm〇
[0026] 增粘剂还可以为为含有环氧基和异氰基改性增粘剂，所述含有环氧基和异氰基改 性增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将高含氢硅油升温至40~60°C，在3~5小时内滴 加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为 0. 1~0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60~80°C反应2~3小时；所述高 含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯 酸异氰基乙醋依次用e、b、c和d表示，e:b:c:d的摩尔比=1: (0~0. 3) : (0~0. 3) : (0~ 〇· 3)，并且，b+c+d彡0· 1 ;所述氯钼酸的添加量为e、b、c和d总量的10~50ppm ;所述高 含氢硅油为粘度25°C时22-28mm2/s，含氢质量为1% -1.6%。
[0027] 上述方法制备的一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜。
[0028] 上述一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于倒装LED白光芯片的芯片级封 装的应用或COB型LED芯片封装的应用。
[0029] 本发明的优点：
[0030] 本发明的方法制备的一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜（简称粘性荧光胶 膜）代替原有封装工艺中的封装胶A组分和B组分以及混合荧光粉等繁琐方法，该粘性荧 光胶膜可以用于倒装LED白光芯片的芯片级封装，并且可以用于COB型LED芯片的封装。这 样就简化了原有封装工艺的工艺流程，避免了先围坝、再混胶和点胶等繁琐步骤，可以大大 地提高生产效率，同时提高成品率和大幅度降低生产成本。本发明的制备方法，具有操作简 单，工艺参数容易控制，完全避免了荧光粉沉降，使得芯片封装的批次稳定性高，色温一致。 所获得的封装芯片耐高低温冲击，长时间使用不老化。
【附图说明】
[0031] 图1为粘性荧光胶膜的制备过程示意图。其中11挤出机，12纸质离型膜，13粘性 荧光胶膜原料，14PET离型膜，15压延辊，16自由垂直张力杆，17带有离型膜的粘性荧光胶 膜，18张力可调收卷辊
[0032] 图2为传统Cob芯片封装照片，图2-1为封装前照片，图2-2为点胶封装后照片。
[0033] 图3为本发明制备的粘性荧光胶膜用于倒装LED白光芯片的芯片级封装示意图， 图中：1固晶定位光罩，2-1UV固化胶带，2-2热剥离胶带，3倒装芯片，4粘性荧光胶膜，芯片 级封装的倒装LED白光芯片5。
[0034] 图4为封装后切割前的倒装LED白光芯片的仰视照片。
[0035] 图5为封装后切割后的倒装LED白光芯片的仰视照片。
[0036] 图6为封装后切割后的倒装LED白光芯片的俯视照片。
[0037] 图7为本发明制备的粘性荧光胶膜用于COB型LED芯片封装方法操作步骤示意 图，图中6.粘性荧光胶膜，7C0B型LED芯片，8封装的COB型LED芯片，9离型膜
[0038] 图8与圆型COB型LED芯片的尺寸匹配的带有离型膜的粘性荧光胶膜。
[0039] 图9使用粘性荧光胶膜封装后的圆形COB型LED芯片。
[0040] 图10为图9的COB型LED芯片点亮照片。
[0041] 图11封装后的方形COB型LED芯片。
【具体实施方式】
[0042] 本发明中所述的LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉和硅酸盐系荧光粉 至少一种。YAG荧光粉为YAG YG538荧光粉（弘大贸易股份有限公司），英特美型号为 YAG-01, YAG-02, YAG-1A，YAG-2A, YAG-04, YAG-05 和 YAG-06,杭州萤鹤光电材料有限公司型 号为 YH-Y538M，YH-Y558M，YH-Y565M。
[0043] 氮化物荧光粉为MPR-1003/D (三菱化学（中国）商贸有限公司）、YH-C625E荧光 粉（杭州萤鹤光电材料有限公司）、YH-C630E和YH-C630荧光粉（杭州萤鹤光电材料有限 公司），迪诺系列（DINO)氮化物型号为DAM3028A，DAM3028，DAM3058,暖白高显色单粉，氮 化物高显红粉型号为 R-610, R-620, R-630, R-640, R-650, R-655, R-670。
[0044] 硅酸盐系荧光粉为G2762-10(兰博光电（苏州）科技有限公司）、G2762-15(兰 博光电（苏州）科技有限公司）、德国默克硅酸盐荧光粉型号为SGA515-100、SGA521-100、 SGA530-100、 SGA 540-100、 SGA 550-100、 SGA560-100、 SGA580-100、 SGA600-100 和 SGA605-100。
[0045] 上述荧光粉仅仅是使用例子，但是本发明不仅局限于这些荧光粉，本发明还可以 使用于其他荧光粉。
[0046] 本发明中所述的芯片级封装是指Chip Scale Package (CSP)，它是新一代的芯片 封装技术，封装体尺寸相比芯片尺寸不大于120%，且功能完整的封装元件。CSP器件的优 势在于单个器件的封装简单化，小型化，尽可能降低每个器件的物料成本。由倒装芯片实现 的芯片级白光LED封装即白光芯片，可直接贴装于印刷线路板上，省去支架或基板，工艺上 节省了固晶、打线、点胶封装等步骤，大大的简化了 LED产业链的生产环节，方便下游客户 应用，并极大地节省成本。
[0047] 本发明中所述的固晶定位光罩（1)为在玻璃基板带有黑色定位标记，为固晶过程 提供精确定位，利用该定位光罩可以按照要求精确放置晶圆和芯片。
[0048] 本发明中所述的排片机为北京中电科电子科装备有限公司DB-6208T排片机， DB-6208排片机或者其他公司的排片机。排片机可以在高精度电脑程控定位，吸取芯片，在 预设定坐标程序控制下，将倒装芯片（3)按阵列固定在热剥离胶带的上表面上。
[0049] 透明支撑物是指无色透明玻璃板，透明有机玻璃板，透明聚苯乙烯板，透明聚对苯 二甲酸乙二醇酯板，透明聚聚碳酸酯板等。
[0050] 下面结合具体实施例对本发明作进一步的说明。
[0051] 实施例1
[0052] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7 -四 甲基环四硅氧烷升温至40°C，在5小时内滴加由1，2 -环氧-4 -乙烯基环己烷、乙烯基三甲 氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在 60°C反应3小时，得到增粘剂；所述1，3, 5, 7 -四甲基环四硅氧烷、1，2 -环氧-4 -乙烯基环 己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述a:b:C:d 的摩尔比=1:1:1:1，并且，b+c+d = 3 ;所述氯钼酸的添加量为a、b、c和d总量的50ppm。
[0053] 实施例2
[0054] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7 -四 甲基环四硅氧烷升温至60°C，在3小时内滴加由1，2 -环氧-4 -乙烯基环己烷、乙烯基三 甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0. lwt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液， 在80°C反应2小时，得到增粘剂；所述1，3,5,7 -四甲基环四硅氧烷、1，2 -环氧-4 -乙 烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述 a:b:c:d的摩尔比=1:0. 5:0. 5:1，并且，b+c+d = 2 ;所述氯钼酸的添加量为a、b、c和d总 量的lOppm。
[0055] 实施例3
[0056] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7 -四 甲基环四硅氧烷升温至50°C，在4小时内滴加由1，2 -环氧-4 -乙烯基环己烷、乙烯基三 甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0. 3wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液， 在70°C反应2. 5小时，得到增粘剂；所述1，3, 5, 7 -四甲基环四硅氧烷、1，2 -环氧-4 -乙 烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述 a:b:c:d的摩尔比=1:3:0. 5:0. 5,并且，b+c+d = 4 ;所述氯钼酸的添加量为a、b、c和d总 量的30ppm。
[0057] 实施例4
[0058] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7 -四 甲基环四硅氧烷升温至50°C，在4小时内滴加由乙烯基三甲氧基硅烷与浓度为0. 3wt%氯 铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在70°C反应2. 5小时，得到增粘剂；所述1，3, 5, 7 -四甲 基环四硅氧烷与乙烯基三甲氧基硅烷依次用a和c表示，所述a: c的摩尔比=1:3,并且，c =3 ;所述氯钼酸的添加量为a和c总量的30ppm。
[0059] 实施例5
[0060] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7 -四 甲基环四硅氧烷升温至40°C，在5小时内滴加由1，2 -环氧-4 -乙烯基环己烷、甲基丙烯 酸异氰基乙酯与浓度为〇. Iwt %氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60°C反应3小时，得 到增粘剂；所述1，3,5,7 -四甲基环四硅氧烷、1，2 -环氧-4 -乙烯基环己烷与甲基丙烯酸 异氰基乙醋依次用a、b和d表示，所述a:b:d的摩尔比=1:1:3,并且，b+d = 4 ;所述氯钼 酸的添加量为a、b和c总量的50ppm。
[0061] 实施例6
[0062] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7_四 甲基环四硅氧烷升温至40 °C，在5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲 氧基硅烷与浓度为0.1 wt%氯铂酸的异丙醇 溶液组成的混合液，在60°C反应3小时；所述 1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷依次用a、 b和c表示，所述a:b:c的摩尔比=1:1:3 ;并且，b+c = 4 ;所述氯钼酸的添加量为a、b和 c总量的lOppm。
[0063] 实施例7
[0064] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7-四 甲基环四硅氧烷升温至60 °C，在3小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲 氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在 80°C反应2小时；所述1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基 三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述a:b :C:d的摩尔比= 1: 0· 5: 0· 5:1 ;b+c+d = 2 ;所述氯钼酸的添加量为a、b、c和d总量的50ppm。
[0065] 实施例8
[0066] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7_四 甲基环四硅氧烷升温至60 °C，在3小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲 氧基硅烷与浓度为0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在80°C反应2小时；所述 1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷依次用a、 b、c表示，所述a:b:c的摩尔比=1:1. 5:1. 5 ;所述氯钼酸的添加量为a、b、c总量的15ppm。
[0067] 实施例9
[0068] 增粘剂（含有环氧基和异氛基改性增粘剂）的制备：氣气保护下，将尚含氛硅油 升温至60°C，在5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基 丙烯酸异氰基乙酯与浓度为〇. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在80°C反应3小 时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与 甲基丙稀酸异氰基乙醋依次用e、b、c和d表示，e:b:c:d的摩尔比=1:0. 3:0. 3:0. 3,并 且，b+c+d = 0. 9 ;所述氯钼酸的添加量为e、b、c和d总量的IOppm ;所述高含氢硅油为粘 度25°C时28mm2/s，含氢质量为1. 6%。
[0069] 实施例10
[0070] 增粘剂（含有环氧基和异氛基改性增粘剂）的制备：氣气保护下，将尚含氛硅油升 温至40°C，在3小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度 为0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在80°C反应3小时；所述高含氢硅油的硅 氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用e、b和d表示， e:b:d的摩尔比=1:0. 1:0. 1，并且，b+d = 0. 2 ;所述氯钼酸的添加量为e、b和d总量的 50ppm ;所述高含氢硅油为粘度25°C时22mm2/s，含氢质量为1%。
[0071] 实施例11
[0072] 增粘剂（含有环氧基和异氛基改性增粘剂）的制备：氣气保护下，将尚含氛硅油升 温至50°C，在4小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与浓度为 0. lwt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60°C反应2小时；所述高含氢硅油的硅氢的 摩尔数、1，2_环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷依次用e、b、c表示，e:b :C的摩 尔比=1:0. 1:0. 5,并且，b+c = 0· 6 ;戶斤述氯钼酸的添加量为e、b、C总量的30ppm ;所述高 含氢硅油为粘度25°C时25mm2/s，含氢质量为1. 2%。
[0073] 实施例12
[0074] 增粘剂（含有环氧基和异氛基改性增粘剂）的制备：氣气保护下，将尚含氛硅油 升温至50°C，在4小时内滴加由乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为 0. 2wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在70°C反应2. 5小时；所述高含氢硅油的硅氢 的摩尔数、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用e、c和d表示，e: c: d的摩 尔比=1:0. 3:0. 2,并且，c+d = 0· 5 ;所述氯钼酸的添加量为e、c和d总量的40ppm ;所述 高含氢硅油为粘度25°C时28mm2/s，含氢质量为1. 6%。
[0075] 实施例13
[0076] 增粘剂（含有环氧基和异氛基改性增粘剂）的制备：氣气保护下，将尚含氛硅油升 温至60°C，在3小时内滴加由1，2_环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙 烯酸异氰基乙酯与浓度为〇. 4wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在75°C反应2. 5小 时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与 甲基丙稀酸异氰基乙醋依次用e、b、c和d表示，e:b:c:d的摩尔比=1:0. 03:0. 03:0. 04， 并且，b+c+d = 0. 1 ;所述氯钼酸的添加量为e、b、c和d总量的20ppm ;所述高含氢硅油为 粘度25°C时28mm2/s，含氢质量为1%。
[0077] 实施例14
[0078] 粘性荧光胶膜制备：
[0079] (1)按表1所示称取：乙烯基硅橡胶，气相二氧化娃，乙烯基硅油，甲基乙烯基MQ 硅树脂，羟基硅油，LED荧光粉，混合得混合物1 ;
[0080] (2)按表2所示称取：抑制剂，增粘剂，卡式铂金催化剂，甲基含氢硅油；
[0081] (3)将步骤（2)的各组份加入到混合物1中，在室温下，经捏合机混炼均匀得混合 物2,将混合物2挤出，经过图1中示意过程，将混合物2夹于纸质离型膜和聚对苯二甲酸乙 二醇酯（PET)离型膜之间，再经过压延，控制压延辊的间隙，制得带有离型膜的粘性荧光胶 膜见表3。
[0082] 本实施例的捏合机也可以用双辊开炼机或密炼机替代，其它步骤同本实施例，所 获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
[0083] 本实施例的所用荧光粉，也可以用其他厂家的其他型号荧光粉替代，其它步骤同 本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
[0084] 本实施例的所用乙烯基硅橡胶，也可以用其他厂家的其他型号乙烯基硅橡胶替 代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。 [0085] 本实施例的所用气相二氧化硅，也可以用其他厂家的其他型号气相二氧化硅替 代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
[0086] 本实施例的所用乙烯基硅油，也可以用其他厂家的其他型号乙烯基硅油替代，其 它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
[0087] 本实施例的所用甲基乙烯基MQ硅树脂，也可以用其他厂家的其他型号甲基乙烯 基MQ硅树脂替代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧 光胶膜相同。
[0088] 本实施例的所用羟基硅油，也可以用其他厂家的其他型号羟基硅油替代，其它步 骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
[0089] 表1粘性荧光胶膜的混合物1的组成，（表中括号内的数为质量份数）
[0090]
[0092] LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉和硅酸盐系荧光粉至少两种，YAG荧光粉 选自：YG538、YH-Y558M、YAG-01、YAG-04、YH-Y565M，还可以选本系列中的其它型号YAG荧光 粉。
[0093] Yl :质量比为8 :1的YAG荧光粉中的YG538和氮化物荧光粉中的MPR-1003/D
[0094] Y2 :质量比为12 :1的YAG荧光粉中的YH-Y558M和氮化物荧光粉中的YH-C630
[0095] Y3 :质量比为15 :1的YAG荧光粉中的YAG-Ol和氮化物荧光粉中的YH-C625E
[0096] Y4 :质量比为10 :1 :2的YAG荧光粉中的YAG-04,氮化物荧光粉中的DAM3028A，硅 酸盐系荧光粉为G2762-15
[0097] Y5 :质量比为5 :1 :5的YAG荧光粉中的YH-Y565M，氮化物荧光粉中的R-610,硅酸 盐系荧光粉为G2762-10。
[0098] 氮化物荧光粉选自：MPR-1003/D、YH-C630、YH-C625E、DAM3028A，还可以选本系列 中的其它型号氮化物焚光粉。娃酸盐系焚光粉选G2 762-10,还可以选本系列中的其它型号 娃酸盐焚光粉。
[0099] 各实施例的所用荧光粉，也可以用其他厂家的其他型号荧光粉替代，其它步骤同 本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。本实施例的所用 荧光粉中各种荧光粉的比例，也可以用其他比例替代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性 荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同，只是所发出光色温有所不同。
[0100] 表2.步骤⑵的各组份（表中的数为质量份数）
[0101]
[0102]
[0103]
[0104] 表3.将表2的各组份加入到混合物1中制备得到的粘性荧光胶膜
[0105]
[0106] 实施例15
[0107] 发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于倒装LED白光芯片的芯片级封装
[0108] 包括如下步骤（见图3):
[0109] 在固晶定位光罩1的上表面临时固定UV固化胶带2-1，在UV固化胶带的上表面按 固晶定位光罩上的定位位置设置倒装芯片3,将粘性荧光胶膜4覆盖住倒装芯片（先将带有 离型膜的粘性荧光胶膜剥离掉离型膜），在真空条件下，使得粘性荧光胶膜完全粘贴在倒装 芯片上，在常压下，加热（80-170°C，加热0.5-8小时，其中：实施例15-1~实施例15-9加 热至80°C，加热0. 5小时，然后在120°C，加热4小时；实施例15-10~实施例15-12加热至 80°C，加热8小时；实施例15-13和实施例15-14加热至KKTC，加热6小时；实施例15-15~ 实施例15-20加热至120°C，加热4小时；实施例15-21~实施例15-23加热至140°C，加 热2小时；实施例15-24和实施例15-25加热至170°C，加热0. 5小时）使粘性荧光胶膜固 化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除固晶定位光罩，再进行UV 照射（UV照射是50瓦-1000瓦紫外UV灯，照射距离10厘米-50厘米，照射时间为5秒-30 分钟，其中：实施例15-1~实施例15-5采用50瓦紫外UV灯，照射距离10厘米，照射时间 为30分；实施例15-6~实施例15-15采用500瓦紫外UV灯，照射距离30厘米，照射时间 为5分，实施例15-16~实施例15-25采用1000瓦紫外UV灯，照射距离50厘米，照射时间 为5秒）使UV固化胶带固化，去除固化后的UV固化胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光 芯片5见表4。
[0110] 对上述芯片级封装的倒装LED白光芯片的性能进行检测，实验结果见表4,检测结 果表明，热固化完全，UV固化胶带剥离完全，得到表面光滑的封装芯片。封装胶膜和芯片没 有开裂，芯片发光部分完全被包封，没有漏光现象。固化胶膜折光系数1. 40~1. 43,硬度 与柔韧性适中。经红墨水实验证实所有封装通过检测合格。全部封装芯片通过冷热冲击实 验。死灯率为零，确保合格率100%。经过色温检测，发现每个实施例1000个封装芯片的 色温最大误差不超过1.5%，说明可以同一批次内，每个封装芯片之间没有色温差异，不需 要分拣就可以使用。特别是没有批次差异，每个批次封装的芯片具有相同色温和显色指数 (显色指数变化小于0.3%)。
[0111] 这些实验结果说明本发明的粘性荧光胶膜用于芯片级封装的倒装LED白光芯片， 简化了工艺流程，避免了原有工艺中混胶和点胶工艺，可以大大地提高生产效率，同时提高 成品率和大幅度降低生产成本。本发明的制备方法，具有操作简单，工艺参数容易控制，完 全避免了荧光粉沉降，使得倒装LED白光芯片的批次稳定性高，色温一致。所得到的一种芯 片级封装的倒装LED白光芯片其中的芯片和封装膜粘结强，芯片级封装的倒装LED白光芯 片耐高低温冲击，耐回流焊，长时间使用不老化。
[0112] 实施例16
[0113] 发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于倒装LED白光芯片的芯片级封装
[0114] 包括如下步骤（见图3):
[0115] 在固晶定位光罩1的上表面临时固定热剥离胶带2-2,在热剥离胶带的上表面按 固晶定位光罩上的定位位置设置倒装芯片3,用粘性荧光胶膜4覆盖住倒装芯片，抽真空， 使得粘性荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上。在常压下，加热使粘性荧光胶膜固化封装于倒 装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除固晶定位光罩，去除热剥离胶带，得 到芯片级封装的倒装LED白光芯片5见表4。
[0116] 对芯片级封装的倒装LED白光芯片的性能进行检测，实验结果见表4,检测结果表 明，热固化完全，热剥离胶带剥离完全，得到表面光滑的封装芯片。封装胶膜和芯片没有开 裂，芯片发光部分完全被包封，没有漏光现象。固化胶膜折光系数1. 40~1. 43,硬度与柔韧 性适中。经红墨水实验证实所有封装通过检测合格。全部封装芯片通过冷热冲击实验。死 灯率为零，确保合格率100 %。经过色温检测，发现每个实施例1000个封装芯片的色温最大 误差不超过1.5%，说明可以同一批次内，每个封装芯片之间没有色温差异，不需要分拣就 可以使用。特别是没有批次差异，每个批次封装的芯片具有相同色温和显色指数（显色指 数变化小于〇. 4% )。
[0117] 这些实验结果说明使用粘性荧光胶膜对倒装LED白光芯片封装，简化了工艺流 程，避免了原有工艺中混胶和点胶工艺，可以大大地提高生产效率，同时提高成品率和大幅 度降低生产成本。本发明的制备方法，具有操作简单，工艺参数容易控制，完全避免了荧光 粉沉降，使得倒装LED白光芯片的批次稳定性高，色温一致。所得到的一种芯片级封装的倒 装LED白光芯片其中的芯片和封装膜粘结强，芯片级封装的倒装LED白光芯片耐高低温冲 击，耐回流焊，长时间使用不老化。
[0118] 具体固化条件、热固化评价及外观评价等见表4。
[0119] 表4:
[0120]
[0121]
[0122] 表4中所述UV固化胶带（2-1)为UV膜（昆山禹森光电有限公司）、UV胶带（昆 山禹森光电有限公司）、晶圆切割胶带（昆山禹森光电有限公司）、uv固化胶带（昆山禹森 光电有限公司）、UV固化保护膜（C0SM0TAC?，日本格林开思茂光电科技股份有限公司）、UV 固化膜（C0SM0TAC?，日本格林开思茂光电科技股份有限公司）、UV保护膜（COSMOTAO,日 本格林开思茂光电科技股份有限公司），UDT-1025MC、UDT-132?和UDT-1915MC (立承德科 技（深圳）有限公司），UDT-1025和UDT-1325 (日本东洋化学DENKA ADTECSCO. LTD.)。
[0123] 所述的热剥离胶带（2-2)选自热剥离胶带（深圳德固赛诺技术有限公司，深圳市 一中科技有限公司，也可以选用：日东电工NITTO DENKO Corporation型号为NWS-W320H 和 NWS - Y5V)，韩国 Fine Technology Co.，Ltd.(型号为 VGF-303D)。
[0124] 芯片级封装的倒装LED白光芯片制备的热固化评价，观察固化是否完全，评价热 固化性能。
[0125] 对芯片级封装的倒装LED白光芯片外观进行评价，通过显微镜观察评价表面光滑 程度、统计分析粘性荧光胶膜和芯片间有无封装胶开裂。如果表面光滑、无开裂说明封装效 果良好。
[0126] 对热固化后本发明的封装胶经行红墨水实验，煮沸24小时，评价其粘附性能。如 果有红墨水渗漏，则不合格。
[0127] 热固化后本发明的封装胶折光指数测定。
[0128] 芯片色温测试采用Led色温测试仪测定。
[0129] 冷热冲击采用冷热冲击实验箱，温度范围为-40度-200度，经过50个高低温循环 后，观察封装胶和芯片是否有开裂，如果没有就为通过。
[0130] 死灯率是指封装后的Led芯片通电点亮，每百个芯片中不能点亮的比例为死灯 率。
[0131] 批次之间差异（批次稳定性）是指按照相同操作过程，制备出20批次，检测封装 效果和色温等。
[0132] 实施例17
[0133] 发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于COB型LED芯片封装，包括如下步骤（见 图7):
[0134] 将带有离型膜的粘性荧光胶膜剥离掉纸质离型膜，将带有PET离型膜9的粘性荧 光胶膜6覆盖住COB型LED芯片7,覆盖完成轻轻压平后，在真空条件下，使粘性荧光胶膜 粘附在COB型LED芯片上，再将PET离型膜除去，然后在常压条件下，加热（80-170°C，加热 0.5-8小时，其中：实施例17-1~实施例17-9加热至80°C，加热0.5小时，然后在120°C，加 热4小时；实施例17-10~实施例17-12加热至80° C，加热8小时；实施例17-13和实施例 17-14加热至100°C，加热6小时；实施例17-15~实施例17-20加热至120°C，加热4小时； 实施例17-21~实施例17-23加热至140°C，加热2小时；实施例17-24和实施例17-25加 热至170°C，加热0. 5小时）使粘性荧光胶膜固化封装于COB型LED芯片，得到封装的COB 型LED芯片8,见表5。
[0135] 对封装的COB型LED芯片的性能进行检测，实验结果见表5,检测结果表明，热固化 完全，得到表面光滑的封装的COB型LED芯片。封装胶膜和芯片之间没有开裂，芯片发光部 分完全被包封，没有漏光现象。固化胶膜折光系数1.40~1.43,硬度与柔韧性适中。经红 墨水实验证实所有封装通过检测合格。全部封装的COB型LED芯片通过冷热冲击实验。死 灯率为零，确保合格率100%。经过色温检测，发现每个实施例100个封装芯片的色温最大 误差不超过1%，说明在同一批次内，每个封装芯片之间没有色温差异，不需要分拣就可以 使用。特别是没有批次差异，每个批次封装的芯片具有相同色温和显色指数（显色指数变 化小于0. 3% )。
[0136] 这些实验结果说明本发明方法的方法，简化了工艺流程，避免了原有工艺中围坝、 混胶和点胶工艺，可以大大地提高生产效率，同时提高成品率和大幅度降低生产成本。本发 明的制备方法，具有操作简单，工艺参数容易控制，完全避免了荧光粉沉降，使得封装的COB 型LED芯片的批次稳定性高，色温一致。所得到的一种封装的COB型LED芯片其中的芯片 和封装膜粘结强，封装的COB型LED芯片耐高低温冲击，长时间使用不老化。
[0137] 具体固化条件、热固化评价及外观评价等见表5。
[0138] 表 5
[0139]
[0140]
[0141] 表4和表5中的固化条件（°〇/11)以80/0.5，120/4为例，表示为80°〇维持0.511 后再在120°C维持4h。
[0142] COB型LED芯片封装制备的热固化评价，观察固化是否完全，评价热固化性能。
[0143] 对COB型LED芯片封装制备的封装芯片外观进行评价，通过显微镜观察评价表面 光滑程度、统计分析粘性荧光胶膜和芯片以及基材之间有无封装胶开裂。如果表面光滑、无 开裂说明封装效果良好。
[0144] 对热固化后本发明的COB型LED芯片封装制备的封装芯片进行红墨水实验，煮沸 24小时，评价其粘附性能。如果有红墨水渗漏，则不合格。
[0145] 热固化后本发明的封装胶折光指数测定。
[0146] 芯片色温测试采用Led色温测试仪测定。
[0147] 冷热冲击采用冷热冲击实验箱，温度范围为-40度-200度，经过50个高低温循环 后，观察封装胶和芯片以及基材之间是否有开裂，如果没有开裂就为通过。
[0148] 死灯率是指封装后的Led芯片通电点亮，每百个芯片中不能点亮的比例为死灯 率。
[0149] 批次之间差异（批次稳定性）是指按照相同操作过程，制备出20批次，检测封装 效果和色温等。
【主权项】
1. 一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜的制备方法，其特征是包括如下步骤： ⑴按质量称取：100份乙烯基硅橡胶，5-50份气相二氧化娃，2-50份乙烯基硅油，1-50 份甲基乙烯基MQ硅树脂，0. 1-3份羟基硅油，5-250份LED荧光粉，混合得混合物1 ; 所述乙烯基硅油的乙烯基含量为0. 001% -15%、粘度为3000-200000mPa.s; 所述甲基乙烯基MQ硅树脂的乙烯基含量为0. 1% -15%、粘度为5000-200000mPa.s， 所述羟基硅油的粘度范围为10_50mPa.s; ⑵按质量称取：0? 00005~0? 001份抑制剂，1~5份增粘剂，3.OXKT4~L5XKT3 份卡式铂金催化剂，氢含量为0. 1% -1. 6%、粘度为5-500mPa.s的甲基含氢硅油，使所述甲 基含氢硅油中的Si-H摩尔数是混合物1中乙烯基摩尔数的1. 1-5倍； (3)将步骤（2)的各组份加入到混合物1中，经捏合机、双辊开炼机或密炼机混炼均匀 得混合物2,将混合物2挤出于离型膜上并覆盖另一离型膜、压延。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述乙烯基硅橡胶是分子量为40-80万、乙烯 基含量为〇. 04-1. 1 %乙烯基甲基硅橡胶，或分子量为20-80万的苯含量为4 % -25 %的乙烯 基苯基硅橡胶。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述气相二氧化硅为HL-150,HL-200， HL-200H，HL-300,HL-380,HB-215,HB-615,HB-620,HB-630,HB-135 和HB-139 中的至少一 种。4. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉 和硅酸盐系荧光粉至少两种。5. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述抑制剂为1-乙炔-1-环已醇、3, 5-二甲 基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3- 丁炔-2-醇中的至少一种。6. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述增粘剂为Y_甲基丙烯酰氧基丙基三甲 氧基硅烷、y-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、y-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙 氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三（乙氧甲氧基）硅烷、Y-(2, 3-环氧丙氧）丙基 三甲氧基硅烷、y-(2, 3-环氧丙氧）丙基三乙氧基硅烷、Y_(2, 3-环氧丙氧）丙基甲基二 甲氧基硅烷、0 _(3, 4-环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷中的至少一种。7. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述增粘剂为含有环氧基和异氰基改性增粘 剂，所述含有环氧基和异氰基改性增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将1，3, 5, 7-四甲 基环四硅氧烷升温至40~60°C，在3~5小时内滴加由1，2_环氧-4-乙烯基环己烷、乙 烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0. 1~0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液 组成的混合液，在60~80°C反应2~3小时；所述1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环 氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表 示，所述a:b:c:d的摩尔比=1: (0~3) : (0~3) : (0~3)，并且，2 <b+c+d< 4 ;所述氯 铂酸的添加量为a、b、c和d总量的10~50ppm。8. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述增粘剂为含有环氧基和异氰基改性增粘 剂，所述含有环氧基和异氰基改性增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将高含氢硅油升温 至40~60°C，在3~5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲 基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为〇. 1~〇. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60~ 80°C反应2~3小时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙 烯基三甲氧基硅烷与甲基丙稀酸异氰基乙醋依次用e、b、c和d表示，e:b:c:d的摩尔比= 1: (0~0. 3) : (0~0. 3) : (0~0. 3)，并且，b+c+d彡0. 1 ;所述氯铂酸的添加量为e、b、c和 d总量的10~50ppm;所述高含氢硅油为粘度25°C时22-28mm2/s，含氢质量为1%-L6%。9. 权利要求1-8之一的方法制备的一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜。10. 权利要求9的一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于倒装LED白光芯片的芯 片级封装或COB型LED芯片封装的应用。
【专利摘要】本发明公开了一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜及制备方法及应用，制备方法为：(1)称取：乙烯基硅橡胶，气相二氧化硅，乙烯基硅油，甲基乙烯基MQ硅树脂，羟基硅油，LED荧光粉，混合得混合物1；(2)称取：抑制剂，增粘剂，卡式铂金催化剂，甲基含氢硅油；(3)将步骤(2)的各组份加入到混合物1中，经捏合机、双辊开炼机或密炼机混炼均匀得混合物2，将混合物2挤出于离型膜上并覆盖另一离型膜、压延。本发明的一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜可用于倒装LED白光芯片的芯片级封装和COB型LED芯片的封装。简化了工艺流程，避免了先围坝、再混胶和点胶等步骤，可提高生产效率，提高成品率和大幅度降低生产成本。
【IPC分类】C09J7/00, C09J11/06, H01L33/56, C09J11/04, C09J183/07
【公开号】CN104893600
【申请号】CN201510245384
【发明人】谭晓华, 韩颖, 冯亚凯
【申请人】天津德高化成新材料股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年5月14日
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜及制备方法及应用。
【背景技术】
[0002] 半导体照明技术是21世纪最具有发展前景的高科技领域之一，而发光二极管 (Light Emitting Diode，以下简称LED)是其核心技术。LED是一类能直接将电能转化为 光能的发光元件，由于它具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、发光响应时间极短、光色 纯、结构牢固、抗冲击、耐振动、性能稳定可靠、重量轻、体积少和成本低等一系列特性，因而 得到了广泛的应用和突飞猛进的发展。
[0003] 随着功率型白光LED制造技术的不断完善，其发光效率、亮度和功率都有了大幅 度提高。为了制造出高性能、高功率型白光LED器件，对芯片制造技术、荧光粉制造技术和 散热技术要求很高。LED芯片封装材料的性能和封装工艺对其发光效率、亮度以及使用寿命 也将产生显著影响。从芯片制造、封装材料研宄和封装工艺的角度来讲，延长LED的寿命和 增强出光效率重点需要解决的关键问题是：芯片制作和封装工艺。
[0004] 目前，LED白光芯片的制备一般需要进行很多工艺步骤才能完成，例如清洗支架芯 片、固晶、烘烤固化、焊线、点胶（含荧光粉）、烘烤固化、测试分拣等，其中点胶和烘烤固化 是封装步骤过程中的至关重要步骤。
[0005] 其中，LED封装步骤是LED白光芯片的制备过程中至关重要的步骤。LED封装一般 采用点胶工艺和分阶段固化工艺，这就意味着LED封装厂家必须将封装胶的A组分和B组 分准确称重，并且添加一定比例的荧光粉，混合均匀后，经过脱泡，灌入点胶器中，经过点胶 设备，进行点胶。该封装工艺存在很多弊病，例如所用的封装胶粘度大，不容易混合均匀；混 合后的胶不容易脱泡，导致封装胶体内含有气泡，造成封装芯片容易产生残次品；荧光粉比 重大于封装胶，所以荧光粉在封装胶内容易产生沉降，造成封装LED的色温和显色指数变 化大，这就要求对完成封装的LED芯片必须经过测试分筛，才能使用，所以目前的生产路线 长，效率低，批次稳定性差；此外，封装厂家必须在短时间内完成非常繁琐使用过程，而且混 合后的封装胶使用时间特别短，一般仅仅8个小时。超过使用时间后，混合胶粘度升高，不 再适宜点胶，这造成封装胶浪费。此外，目前的工艺路线只能单颗制造，存在生产路线长、成 本高、效率低和批次稳定性差的严重问题。
[0006] 此外，另外一种经常使用的封装方式涉及板上晶片直装式（COB，chip on board) 封装（见图2)。COB型LED芯片就是将裸芯片用导电或非导电胶粘附在互连基板上，然后 进行引线键合实现其电连接，有长条型/方形/圆形三种封装形式。在板上晶片直装式封 装中，第一步，需要将高触变性的有机硅围坝胶经过点胶机在COB板上形成围堰形状（图 2-1)，再经过高温固化。第二步，将混合好的双组分硅胶的A组分和B组分，灌入储胶针管 中，经过点胶机在围堰内点胶，再经过高温固化（图2-2)。第三步，将封装好的COB型LED 芯片用专用的检测工具进行电气性能测试，按照质量和色温指标，区分和分级。在这些封装 步骤过程中，非常容易产生残次品，而且工艺路线长、点胶时间长、成品率低，以及生产效率 低下，从而导致生产成本高。
[0007] COB型LED芯片封装过程中，也涉及点胶和烘烤固化等至关重要步骤，也存在上述 缺点。总之，现有LED白光芯片和COB型LED芯片的封装过程容易产生残次品，而且工艺路 线长、点胶时间长、成品率低，以及生产效率低下，从而导致生产成本高。
【发明内容】
[0008] 本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种发光二极管快速封装粘性荧光胶 膜。
[0009] 本发明的第二个目的是提供一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜的制备方法。
[0010] 本发明的第三个目的是提供一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于倒装LED 白光芯片的芯片级封装的应用。
[0011] 本发明的第四个目的是提供一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于COB型 LED芯片封装的应用。
[0012] 本发明的技术方案概述如下：
[0013] 一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜的制备方法，包括如下步骤：
[0014] (1)按质量称取：100份乙烯基硅橡胶，5-50份气相二氧化娃，2-50份乙烯基硅油， 1-50份甲基乙烯基MQ硅树脂，0. 1-3份羟基硅油，5-250份LED荧光粉，混合得混合物1 ;
[0015] 所述乙烯基硅油的乙烯基含量为0. 001% -15%、粘度为3000-200000mPa. s ;
[0016] 所述甲基乙烯基MQ硅树脂的乙烯基含量为0. 1%-15%、粘度为5000-200000mPa. s，
[0017] 所述羟基硅油的粘度范围为10_50mPa· s ;
[0018] (2)按质量称取：0· 00005~0· 001份抑制剂，1~5份增粘剂，3. OX 10_4~ I. 5 X 10_3份卡式铂金催化剂，氢含量为0. 1 % -1. 6 %、粘度为5-500mPa. S的甲基含氢硅油， 使所述甲基含氢硅油中的Si-H摩尔数是混合物1中乙烯基摩尔数的1. 1-5倍；
[0019] (3)将步骤（2)的各组份加入到混合物1中，经捏合机、双辊开炼机或密炼机混炼 均匀得混合物2,将混合物2挤出于离型膜上并覆盖另一离型膜、压延。
[0020] 乙烯基硅橡胶优选分子量为40-80万、乙烯基含量为0. 04-1. 1 %乙烯基甲基硅橡 胶，或分子量为20-80万的苯含量为4% -25%的乙烯基苯基硅橡胶。
[0021] 气相二氧化硅优选 HL-150, HL-200, HL-200H，HL-300, HL-380, HB-215, HB-615， HB-620, HB-630, HB-135 和 HB-139 中的至少一种。
[0022] LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉和硅酸盐系荧光粉至少两种。
[0023] 抑制剂优选1-乙炔-1-环己醇、3,5_二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁 炔-2-醇中的至少一种。
[0024] 增粘剂优选Y-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基甲 基二甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯 基三（乙氧甲氧基）硅烷、γ-(2, 3-环氧丙氧）丙基三甲氧基硅烷、γ-(2, 3-环氧丙氧） 丙基三乙氧基硅烷、γ-(2, 3-环氧丙氧）丙基甲基二甲氧基硅烷、β-(3, 4-环氧环己基） 乙基三甲氧基硅烷中的至少一种。
[0025] 增粘剂还可以选含有环氧基和异氰基改性增粘剂，所述含有环氧基和异氰基改性 增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷升温至40~60°C，在 3~5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰 基乙酯与浓度为0. 1~0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60~80°C反应2~ 3小时；所述1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基 硅烷与甲基丙稀酸异氰基乙醋依次用a、b、c和d表示，所述a:b:c:d的摩尔比=1: (0~ 3) : (0~3) : (0~3)，并且，2彡b+c+d彡4 ;所述氯铂酸的添加量为a、b、c和d总量的10~ 50ppm〇
[0026] 增粘剂还可以为为含有环氧基和异氰基改性增粘剂，所述含有环氧基和异氰基改 性增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将高含氢硅油升温至40~60°C，在3~5小时内滴 加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为 0. 1~0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60~80°C反应2~3小时；所述高 含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯 酸异氰基乙醋依次用e、b、c和d表示，e:b:c:d的摩尔比=1: (0~0. 3) : (0~0. 3) : (0~ 〇· 3)，并且，b+c+d彡0· 1 ;所述氯钼酸的添加量为e、b、c和d总量的10~50ppm ;所述高 含氢硅油为粘度25°C时22-28mm2/s，含氢质量为1% -1.6%。
[0027] 上述方法制备的一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜。
[0028] 上述一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于倒装LED白光芯片的芯片级封 装的应用或COB型LED芯片封装的应用。
[0029] 本发明的优点：
[0030] 本发明的方法制备的一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜（简称粘性荧光胶 膜）代替原有封装工艺中的封装胶A组分和B组分以及混合荧光粉等繁琐方法，该粘性荧 光胶膜可以用于倒装LED白光芯片的芯片级封装，并且可以用于COB型LED芯片的封装。这 样就简化了原有封装工艺的工艺流程，避免了先围坝、再混胶和点胶等繁琐步骤，可以大大 地提高生产效率，同时提高成品率和大幅度降低生产成本。本发明的制备方法，具有操作简 单，工艺参数容易控制，完全避免了荧光粉沉降，使得芯片封装的批次稳定性高，色温一致。 所获得的封装芯片耐高低温冲击，长时间使用不老化。
【附图说明】
[0031] 图1为粘性荧光胶膜的制备过程示意图。其中11挤出机，12纸质离型膜，13粘性 荧光胶膜原料，14PET离型膜，15压延辊，16自由垂直张力杆，17带有离型膜的粘性荧光胶 膜，18张力可调收卷辊
[0032] 图2为传统Cob芯片封装照片，图2-1为封装前照片，图2-2为点胶封装后照片。
[0033] 图3为本发明制备的粘性荧光胶膜用于倒装LED白光芯片的芯片级封装示意图， 图中：1固晶定位光罩，2-1UV固化胶带，2-2热剥离胶带，3倒装芯片，4粘性荧光胶膜，芯片 级封装的倒装LED白光芯片5。
[0034] 图4为封装后切割前的倒装LED白光芯片的仰视照片。
[0035] 图5为封装后切割后的倒装LED白光芯片的仰视照片。
[0036] 图6为封装后切割后的倒装LED白光芯片的俯视照片。
[0037] 图7为本发明制备的粘性荧光胶膜用于COB型LED芯片封装方法操作步骤示意 图，图中6.粘性荧光胶膜，7C0B型LED芯片，8封装的COB型LED芯片，9离型膜
[0038] 图8与圆型COB型LED芯片的尺寸匹配的带有离型膜的粘性荧光胶膜。
[0039] 图9使用粘性荧光胶膜封装后的圆形COB型LED芯片。
[0040] 图10为图9的COB型LED芯片点亮照片。
[0041] 图11封装后的方形COB型LED芯片。
【具体实施方式】
[0042] 本发明中所述的LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉和硅酸盐系荧光粉 至少一种。YAG荧光粉为YAG YG538荧光粉（弘大贸易股份有限公司），英特美型号为 YAG-01, YAG-02, YAG-1A，YAG-2A, YAG-04, YAG-05 和 YAG-06,杭州萤鹤光电材料有限公司型 号为 YH-Y538M，YH-Y558M，YH-Y565M。
[0043] 氮化物荧光粉为MPR-1003/D (三菱化学（中国）商贸有限公司）、YH-C625E荧光 粉（杭州萤鹤光电材料有限公司）、YH-C630E和YH-C630荧光粉（杭州萤鹤光电材料有限 公司），迪诺系列（DINO)氮化物型号为DAM3028A，DAM3028，DAM3058,暖白高显色单粉，氮 化物高显红粉型号为 R-610, R-620, R-630, R-640, R-650, R-655, R-670。
[0044] 硅酸盐系荧光粉为G2762-10(兰博光电（苏州）科技有限公司）、G2762-15(兰 博光电（苏州）科技有限公司）、德国默克硅酸盐荧光粉型号为SGA515-100、SGA521-100、 SGA530-100、 SGA 540-100、 SGA 550-100、 SGA560-100、 SGA580-100、 SGA600-100 和 SGA605-100。
[0045] 上述荧光粉仅仅是使用例子，但是本发明不仅局限于这些荧光粉，本发明还可以 使用于其他荧光粉。
[0046] 本发明中所述的芯片级封装是指Chip Scale Package (CSP)，它是新一代的芯片 封装技术，封装体尺寸相比芯片尺寸不大于120%，且功能完整的封装元件。CSP器件的优 势在于单个器件的封装简单化，小型化，尽可能降低每个器件的物料成本。由倒装芯片实现 的芯片级白光LED封装即白光芯片，可直接贴装于印刷线路板上，省去支架或基板，工艺上 节省了固晶、打线、点胶封装等步骤，大大的简化了 LED产业链的生产环节，方便下游客户 应用，并极大地节省成本。
[0047] 本发明中所述的固晶定位光罩（1)为在玻璃基板带有黑色定位标记，为固晶过程 提供精确定位，利用该定位光罩可以按照要求精确放置晶圆和芯片。
[0048] 本发明中所述的排片机为北京中电科电子科装备有限公司DB-6208T排片机， DB-6208排片机或者其他公司的排片机。排片机可以在高精度电脑程控定位，吸取芯片，在 预设定坐标程序控制下，将倒装芯片（3)按阵列固定在热剥离胶带的上表面上。
[0049] 透明支撑物是指无色透明玻璃板，透明有机玻璃板，透明聚苯乙烯板，透明聚对苯 二甲酸乙二醇酯板，透明聚聚碳酸酯板等。
[0050] 下面结合具体实施例对本发明作进一步的说明。
[0051] 实施例1
[0052] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7 -四 甲基环四硅氧烷升温至40°C，在5小时内滴加由1，2 -环氧-4 -乙烯基环己烷、乙烯基三甲 氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在 60°C反应3小时，得到增粘剂；所述1，3, 5, 7 -四甲基环四硅氧烷、1，2 -环氧-4 -乙烯基环 己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述a:b:C:d 的摩尔比=1:1:1:1，并且，b+c+d = 3 ;所述氯钼酸的添加量为a、b、c和d总量的50ppm。
[0053] 实施例2
[0054] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7 -四 甲基环四硅氧烷升温至60°C，在3小时内滴加由1，2 -环氧-4 -乙烯基环己烷、乙烯基三 甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0. lwt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液， 在80°C反应2小时，得到增粘剂；所述1，3,5,7 -四甲基环四硅氧烷、1，2 -环氧-4 -乙 烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述 a:b:c:d的摩尔比=1:0. 5:0. 5:1，并且，b+c+d = 2 ;所述氯钼酸的添加量为a、b、c和d总 量的lOppm。
[0055] 实施例3
[0056] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7 -四 甲基环四硅氧烷升温至50°C，在4小时内滴加由1，2 -环氧-4 -乙烯基环己烷、乙烯基三 甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0. 3wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液， 在70°C反应2. 5小时，得到增粘剂；所述1，3, 5, 7 -四甲基环四硅氧烷、1，2 -环氧-4 -乙 烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述 a:b:c:d的摩尔比=1:3:0. 5:0. 5,并且，b+c+d = 4 ;所述氯钼酸的添加量为a、b、c和d总 量的30ppm。
[0057] 实施例4
[0058] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7 -四 甲基环四硅氧烷升温至50°C，在4小时内滴加由乙烯基三甲氧基硅烷与浓度为0. 3wt%氯 铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在70°C反应2. 5小时，得到增粘剂；所述1，3, 5, 7 -四甲 基环四硅氧烷与乙烯基三甲氧基硅烷依次用a和c表示，所述a: c的摩尔比=1:3,并且，c =3 ;所述氯钼酸的添加量为a和c总量的30ppm。
[0059] 实施例5
[0060] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7 -四 甲基环四硅氧烷升温至40°C，在5小时内滴加由1，2 -环氧-4 -乙烯基环己烷、甲基丙烯 酸异氰基乙酯与浓度为〇. Iwt %氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60°C反应3小时，得 到增粘剂；所述1，3,5,7 -四甲基环四硅氧烷、1，2 -环氧-4 -乙烯基环己烷与甲基丙烯酸 异氰基乙醋依次用a、b和d表示，所述a:b:d的摩尔比=1:1:3,并且，b+d = 4 ;所述氯钼 酸的添加量为a、b和c总量的50ppm。
[0061] 实施例6
[0062] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7_四 甲基环四硅氧烷升温至40 °C，在5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲 氧基硅烷与浓度为0.1 wt%氯铂酸的异丙醇 溶液组成的混合液，在60°C反应3小时；所述 1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷依次用a、 b和c表示，所述a:b:c的摩尔比=1:1:3 ;并且，b+c = 4 ;所述氯钼酸的添加量为a、b和 c总量的lOppm。
[0063] 实施例7
[0064] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7-四 甲基环四硅氧烷升温至60 °C，在3小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲 氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在 80°C反应2小时；所述1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基 三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表示，所述a:b :C:d的摩尔比= 1: 0· 5: 0· 5:1 ;b+c+d = 2 ;所述氯钼酸的添加量为a、b、c和d总量的50ppm。
[0065] 实施例8
[0066] 增粘剂（含有环氧基和异氰基改性增粘剂）的制备：氮气保护下，将1，3,5,7_四 甲基环四硅氧烷升温至60 °C，在3小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲 氧基硅烷与浓度为0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在80°C反应2小时；所述 1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷依次用a、 b、c表示，所述a:b:c的摩尔比=1:1. 5:1. 5 ;所述氯钼酸的添加量为a、b、c总量的15ppm。
[0067] 实施例9
[0068] 增粘剂（含有环氧基和异氛基改性增粘剂）的制备：氣气保护下，将尚含氛硅油 升温至60°C，在5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基 丙烯酸异氰基乙酯与浓度为〇. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在80°C反应3小 时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与 甲基丙稀酸异氰基乙醋依次用e、b、c和d表示，e:b:c:d的摩尔比=1:0. 3:0. 3:0. 3,并 且，b+c+d = 0. 9 ;所述氯钼酸的添加量为e、b、c和d总量的IOppm ;所述高含氢硅油为粘 度25°C时28mm2/s，含氢质量为1. 6%。
[0069] 实施例10
[0070] 增粘剂（含有环氧基和异氛基改性增粘剂）的制备：氣气保护下，将尚含氛硅油升 温至40°C，在3小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度 为0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在80°C反应3小时；所述高含氢硅油的硅 氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用e、b和d表示， e:b:d的摩尔比=1:0. 1:0. 1，并且，b+d = 0. 2 ;所述氯钼酸的添加量为e、b和d总量的 50ppm ;所述高含氢硅油为粘度25°C时22mm2/s，含氢质量为1%。
[0071] 实施例11
[0072] 增粘剂（含有环氧基和异氛基改性增粘剂）的制备：氣气保护下，将尚含氛硅油升 温至50°C，在4小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与浓度为 0. lwt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60°C反应2小时；所述高含氢硅油的硅氢的 摩尔数、1，2_环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷依次用e、b、c表示，e:b :C的摩 尔比=1:0. 1:0. 5,并且，b+c = 0· 6 ;戶斤述氯钼酸的添加量为e、b、C总量的30ppm ;所述高 含氢硅油为粘度25°C时25mm2/s，含氢质量为1. 2%。
[0073] 实施例12
[0074] 增粘剂（含有环氧基和异氛基改性增粘剂）的制备：氣气保护下，将尚含氛硅油 升温至50°C，在4小时内滴加由乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为 0. 2wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在70°C反应2. 5小时；所述高含氢硅油的硅氢 的摩尔数、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用e、c和d表示，e: c: d的摩 尔比=1:0. 3:0. 2,并且，c+d = 0· 5 ;所述氯钼酸的添加量为e、c和d总量的40ppm ;所述 高含氢硅油为粘度25°C时28mm2/s，含氢质量为1. 6%。
[0075] 实施例13
[0076] 增粘剂（含有环氧基和异氛基改性增粘剂）的制备：氣气保护下，将尚含氛硅油升 温至60°C，在3小时内滴加由1，2_环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基丙 烯酸异氰基乙酯与浓度为〇. 4wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在75°C反应2. 5小 时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与 甲基丙稀酸异氰基乙醋依次用e、b、c和d表示，e:b:c:d的摩尔比=1:0. 03:0. 03:0. 04， 并且，b+c+d = 0. 1 ;所述氯钼酸的添加量为e、b、c和d总量的20ppm ;所述高含氢硅油为 粘度25°C时28mm2/s，含氢质量为1%。
[0077] 实施例14
[0078] 粘性荧光胶膜制备：
[0079] (1)按表1所示称取：乙烯基硅橡胶，气相二氧化娃，乙烯基硅油，甲基乙烯基MQ 硅树脂，羟基硅油，LED荧光粉，混合得混合物1 ;
[0080] (2)按表2所示称取：抑制剂，增粘剂，卡式铂金催化剂，甲基含氢硅油；
[0081] (3)将步骤（2)的各组份加入到混合物1中，在室温下，经捏合机混炼均匀得混合 物2,将混合物2挤出，经过图1中示意过程，将混合物2夹于纸质离型膜和聚对苯二甲酸乙 二醇酯（PET)离型膜之间，再经过压延，控制压延辊的间隙，制得带有离型膜的粘性荧光胶 膜见表3。
[0082] 本实施例的捏合机也可以用双辊开炼机或密炼机替代，其它步骤同本实施例，所 获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
[0083] 本实施例的所用荧光粉，也可以用其他厂家的其他型号荧光粉替代，其它步骤同 本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
[0084] 本实施例的所用乙烯基硅橡胶，也可以用其他厂家的其他型号乙烯基硅橡胶替 代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。 [0085] 本实施例的所用气相二氧化硅，也可以用其他厂家的其他型号气相二氧化硅替 代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
[0086] 本实施例的所用乙烯基硅油，也可以用其他厂家的其他型号乙烯基硅油替代，其 它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
[0087] 本实施例的所用甲基乙烯基MQ硅树脂，也可以用其他厂家的其他型号甲基乙烯 基MQ硅树脂替代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧 光胶膜相同。
[0088] 本实施例的所用羟基硅油，也可以用其他厂家的其他型号羟基硅油替代，其它步 骤同本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。
[0089] 表1粘性荧光胶膜的混合物1的组成，（表中括号内的数为质量份数）
[0090]
[0092] LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉和硅酸盐系荧光粉至少两种，YAG荧光粉 选自：YG538、YH-Y558M、YAG-01、YAG-04、YH-Y565M，还可以选本系列中的其它型号YAG荧光 粉。
[0093] Yl :质量比为8 :1的YAG荧光粉中的YG538和氮化物荧光粉中的MPR-1003/D
[0094] Y2 :质量比为12 :1的YAG荧光粉中的YH-Y558M和氮化物荧光粉中的YH-C630
[0095] Y3 :质量比为15 :1的YAG荧光粉中的YAG-Ol和氮化物荧光粉中的YH-C625E
[0096] Y4 :质量比为10 :1 :2的YAG荧光粉中的YAG-04,氮化物荧光粉中的DAM3028A，硅 酸盐系荧光粉为G2762-15
[0097] Y5 :质量比为5 :1 :5的YAG荧光粉中的YH-Y565M，氮化物荧光粉中的R-610,硅酸 盐系荧光粉为G2762-10。
[0098] 氮化物荧光粉选自：MPR-1003/D、YH-C630、YH-C625E、DAM3028A，还可以选本系列 中的其它型号氮化物焚光粉。娃酸盐系焚光粉选G2 762-10,还可以选本系列中的其它型号 娃酸盐焚光粉。
[0099] 各实施例的所用荧光粉，也可以用其他厂家的其他型号荧光粉替代，其它步骤同 本实施例，所获得的粘性荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同。本实施例的所用 荧光粉中各种荧光粉的比例，也可以用其他比例替代，其它步骤同本实施例，所获得的粘性 荧光胶膜与本实施例获得的粘性荧光胶膜相同，只是所发出光色温有所不同。
[0100] 表2.步骤⑵的各组份（表中的数为质量份数）
[0101]
[0102]
[0103]
[0104] 表3.将表2的各组份加入到混合物1中制备得到的粘性荧光胶膜
[0105]
[0106] 实施例15
[0107] 发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于倒装LED白光芯片的芯片级封装
[0108] 包括如下步骤（见图3):
[0109] 在固晶定位光罩1的上表面临时固定UV固化胶带2-1，在UV固化胶带的上表面按 固晶定位光罩上的定位位置设置倒装芯片3,将粘性荧光胶膜4覆盖住倒装芯片（先将带有 离型膜的粘性荧光胶膜剥离掉离型膜），在真空条件下，使得粘性荧光胶膜完全粘贴在倒装 芯片上，在常压下，加热（80-170°C，加热0.5-8小时，其中：实施例15-1~实施例15-9加 热至80°C，加热0. 5小时，然后在120°C，加热4小时；实施例15-10~实施例15-12加热至 80°C，加热8小时；实施例15-13和实施例15-14加热至KKTC，加热6小时；实施例15-15~ 实施例15-20加热至120°C，加热4小时；实施例15-21~实施例15-23加热至140°C，加 热2小时；实施例15-24和实施例15-25加热至170°C，加热0. 5小时）使粘性荧光胶膜固 化封装于倒装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除固晶定位光罩，再进行UV 照射（UV照射是50瓦-1000瓦紫外UV灯，照射距离10厘米-50厘米，照射时间为5秒-30 分钟，其中：实施例15-1~实施例15-5采用50瓦紫外UV灯，照射距离10厘米，照射时间 为30分；实施例15-6~实施例15-15采用500瓦紫外UV灯，照射距离30厘米，照射时间 为5分，实施例15-16~实施例15-25采用1000瓦紫外UV灯，照射距离50厘米，照射时间 为5秒）使UV固化胶带固化，去除固化后的UV固化胶带，得到芯片级封装的倒装LED白光 芯片5见表4。
[0110] 对上述芯片级封装的倒装LED白光芯片的性能进行检测，实验结果见表4,检测结 果表明，热固化完全，UV固化胶带剥离完全，得到表面光滑的封装芯片。封装胶膜和芯片没 有开裂，芯片发光部分完全被包封，没有漏光现象。固化胶膜折光系数1. 40~1. 43,硬度 与柔韧性适中。经红墨水实验证实所有封装通过检测合格。全部封装芯片通过冷热冲击实 验。死灯率为零，确保合格率100%。经过色温检测，发现每个实施例1000个封装芯片的 色温最大误差不超过1.5%，说明可以同一批次内，每个封装芯片之间没有色温差异，不需 要分拣就可以使用。特别是没有批次差异，每个批次封装的芯片具有相同色温和显色指数 (显色指数变化小于0.3%)。
[0111] 这些实验结果说明本发明的粘性荧光胶膜用于芯片级封装的倒装LED白光芯片， 简化了工艺流程，避免了原有工艺中混胶和点胶工艺，可以大大地提高生产效率，同时提高 成品率和大幅度降低生产成本。本发明的制备方法，具有操作简单，工艺参数容易控制，完 全避免了荧光粉沉降，使得倒装LED白光芯片的批次稳定性高，色温一致。所得到的一种芯 片级封装的倒装LED白光芯片其中的芯片和封装膜粘结强，芯片级封装的倒装LED白光芯 片耐高低温冲击，耐回流焊，长时间使用不老化。
[0112] 实施例16
[0113] 发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于倒装LED白光芯片的芯片级封装
[0114] 包括如下步骤（见图3):
[0115] 在固晶定位光罩1的上表面临时固定热剥离胶带2-2,在热剥离胶带的上表面按 固晶定位光罩上的定位位置设置倒装芯片3,用粘性荧光胶膜4覆盖住倒装芯片，抽真空， 使得粘性荧光胶膜完全粘贴在倒装芯片上。在常压下，加热使粘性荧光胶膜固化封装于倒 装芯片，沿各个封装后的倒装芯片间的间隙切割，去除固晶定位光罩，去除热剥离胶带，得 到芯片级封装的倒装LED白光芯片5见表4。
[0116] 对芯片级封装的倒装LED白光芯片的性能进行检测，实验结果见表4,检测结果表 明，热固化完全，热剥离胶带剥离完全，得到表面光滑的封装芯片。封装胶膜和芯片没有开 裂，芯片发光部分完全被包封，没有漏光现象。固化胶膜折光系数1. 40~1. 43,硬度与柔韧 性适中。经红墨水实验证实所有封装通过检测合格。全部封装芯片通过冷热冲击实验。死 灯率为零，确保合格率100 %。经过色温检测，发现每个实施例1000个封装芯片的色温最大 误差不超过1.5%，说明可以同一批次内，每个封装芯片之间没有色温差异，不需要分拣就 可以使用。特别是没有批次差异，每个批次封装的芯片具有相同色温和显色指数（显色指 数变化小于〇. 4% )。
[0117] 这些实验结果说明使用粘性荧光胶膜对倒装LED白光芯片封装，简化了工艺流 程，避免了原有工艺中混胶和点胶工艺，可以大大地提高生产效率，同时提高成品率和大幅 度降低生产成本。本发明的制备方法，具有操作简单，工艺参数容易控制，完全避免了荧光 粉沉降，使得倒装LED白光芯片的批次稳定性高，色温一致。所得到的一种芯片级封装的倒 装LED白光芯片其中的芯片和封装膜粘结强，芯片级封装的倒装LED白光芯片耐高低温冲 击，耐回流焊，长时间使用不老化。
[0118] 具体固化条件、热固化评价及外观评价等见表4。
[0119] 表4:
[0120]
[0121]
[0122] 表4中所述UV固化胶带（2-1)为UV膜（昆山禹森光电有限公司）、UV胶带（昆 山禹森光电有限公司）、晶圆切割胶带（昆山禹森光电有限公司）、uv固化胶带（昆山禹森 光电有限公司）、UV固化保护膜（C0SM0TAC?，日本格林开思茂光电科技股份有限公司）、UV 固化膜（C0SM0TAC?，日本格林开思茂光电科技股份有限公司）、UV保护膜（COSMOTAO,日 本格林开思茂光电科技股份有限公司），UDT-1025MC、UDT-132?和UDT-1915MC (立承德科 技（深圳）有限公司），UDT-1025和UDT-1325 (日本东洋化学DENKA ADTECSCO. LTD.)。
[0123] 所述的热剥离胶带（2-2)选自热剥离胶带（深圳德固赛诺技术有限公司，深圳市 一中科技有限公司，也可以选用：日东电工NITTO DENKO Corporation型号为NWS-W320H 和 NWS - Y5V)，韩国 Fine Technology Co.，Ltd.(型号为 VGF-303D)。
[0124] 芯片级封装的倒装LED白光芯片制备的热固化评价，观察固化是否完全，评价热 固化性能。
[0125] 对芯片级封装的倒装LED白光芯片外观进行评价，通过显微镜观察评价表面光滑 程度、统计分析粘性荧光胶膜和芯片间有无封装胶开裂。如果表面光滑、无开裂说明封装效 果良好。
[0126] 对热固化后本发明的封装胶经行红墨水实验，煮沸24小时，评价其粘附性能。如 果有红墨水渗漏，则不合格。
[0127] 热固化后本发明的封装胶折光指数测定。
[0128] 芯片色温测试采用Led色温测试仪测定。
[0129] 冷热冲击采用冷热冲击实验箱，温度范围为-40度-200度，经过50个高低温循环 后，观察封装胶和芯片是否有开裂，如果没有就为通过。
[0130] 死灯率是指封装后的Led芯片通电点亮，每百个芯片中不能点亮的比例为死灯 率。
[0131] 批次之间差异（批次稳定性）是指按照相同操作过程，制备出20批次，检测封装 效果和色温等。
[0132] 实施例17
[0133] 发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于COB型LED芯片封装，包括如下步骤（见 图7):
[0134] 将带有离型膜的粘性荧光胶膜剥离掉纸质离型膜，将带有PET离型膜9的粘性荧 光胶膜6覆盖住COB型LED芯片7,覆盖完成轻轻压平后，在真空条件下，使粘性荧光胶膜 粘附在COB型LED芯片上，再将PET离型膜除去，然后在常压条件下，加热（80-170°C，加热 0.5-8小时，其中：实施例17-1~实施例17-9加热至80°C，加热0.5小时，然后在120°C，加 热4小时；实施例17-10~实施例17-12加热至80° C，加热8小时；实施例17-13和实施例 17-14加热至100°C，加热6小时；实施例17-15~实施例17-20加热至120°C，加热4小时； 实施例17-21~实施例17-23加热至140°C，加热2小时；实施例17-24和实施例17-25加 热至170°C，加热0. 5小时）使粘性荧光胶膜固化封装于COB型LED芯片，得到封装的COB 型LED芯片8,见表5。
[0135] 对封装的COB型LED芯片的性能进行检测，实验结果见表5,检测结果表明，热固化 完全，得到表面光滑的封装的COB型LED芯片。封装胶膜和芯片之间没有开裂，芯片发光部 分完全被包封，没有漏光现象。固化胶膜折光系数1.40~1.43,硬度与柔韧性适中。经红 墨水实验证实所有封装通过检测合格。全部封装的COB型LED芯片通过冷热冲击实验。死 灯率为零，确保合格率100%。经过色温检测，发现每个实施例100个封装芯片的色温最大 误差不超过1%，说明在同一批次内，每个封装芯片之间没有色温差异，不需要分拣就可以 使用。特别是没有批次差异，每个批次封装的芯片具有相同色温和显色指数（显色指数变 化小于0. 3% )。
[0136] 这些实验结果说明本发明方法的方法，简化了工艺流程，避免了原有工艺中围坝、 混胶和点胶工艺，可以大大地提高生产效率，同时提高成品率和大幅度降低生产成本。本发 明的制备方法，具有操作简单，工艺参数容易控制，完全避免了荧光粉沉降，使得封装的COB 型LED芯片的批次稳定性高，色温一致。所得到的一种封装的COB型LED芯片其中的芯片 和封装膜粘结强，封装的COB型LED芯片耐高低温冲击，长时间使用不老化。
[0137] 具体固化条件、热固化评价及外观评价等见表5。
[0138] 表 5
[0139]
[0140]
[0141] 表4和表5中的固化条件（°〇/11)以80/0.5，120/4为例，表示为80°〇维持0.511 后再在120°C维持4h。
[0142] COB型LED芯片封装制备的热固化评价，观察固化是否完全，评价热固化性能。
[0143] 对COB型LED芯片封装制备的封装芯片外观进行评价，通过显微镜观察评价表面 光滑程度、统计分析粘性荧光胶膜和芯片以及基材之间有无封装胶开裂。如果表面光滑、无 开裂说明封装效果良好。
[0144] 对热固化后本发明的COB型LED芯片封装制备的封装芯片进行红墨水实验，煮沸 24小时，评价其粘附性能。如果有红墨水渗漏，则不合格。
[0145] 热固化后本发明的封装胶折光指数测定。
[0146] 芯片色温测试采用Led色温测试仪测定。
[0147] 冷热冲击采用冷热冲击实验箱，温度范围为-40度-200度，经过50个高低温循环 后，观察封装胶和芯片以及基材之间是否有开裂，如果没有开裂就为通过。
[0148] 死灯率是指封装后的Led芯片通电点亮，每百个芯片中不能点亮的比例为死灯 率。
[0149] 批次之间差异（批次稳定性）是指按照相同操作过程，制备出20批次，检测封装 效果和色温等。
【主权项】
1. 一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜的制备方法，其特征是包括如下步骤： ⑴按质量称取：100份乙烯基硅橡胶，5-50份气相二氧化娃，2-50份乙烯基硅油，1-50 份甲基乙烯基MQ硅树脂，0. 1-3份羟基硅油，5-250份LED荧光粉，混合得混合物1 ; 所述乙烯基硅油的乙烯基含量为0. 001% -15%、粘度为3000-200000mPa.s; 所述甲基乙烯基MQ硅树脂的乙烯基含量为0. 1% -15%、粘度为5000-200000mPa.s， 所述羟基硅油的粘度范围为10_50mPa.s; ⑵按质量称取：0? 00005~0? 001份抑制剂，1~5份增粘剂，3.OXKT4~L5XKT3 份卡式铂金催化剂，氢含量为0. 1% -1. 6%、粘度为5-500mPa.s的甲基含氢硅油，使所述甲 基含氢硅油中的Si-H摩尔数是混合物1中乙烯基摩尔数的1. 1-5倍； (3)将步骤（2)的各组份加入到混合物1中，经捏合机、双辊开炼机或密炼机混炼均匀 得混合物2,将混合物2挤出于离型膜上并覆盖另一离型膜、压延。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述乙烯基硅橡胶是分子量为40-80万、乙烯 基含量为〇. 04-1. 1 %乙烯基甲基硅橡胶，或分子量为20-80万的苯含量为4 % -25 %的乙烯 基苯基硅橡胶。3. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述气相二氧化硅为HL-150,HL-200， HL-200H，HL-300,HL-380,HB-215,HB-615,HB-620,HB-630,HB-135 和HB-139 中的至少一 种。4. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述LED荧光粉为YAG荧光粉、氮化物荧光粉 和硅酸盐系荧光粉至少两种。5. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述抑制剂为1-乙炔-1-环已醇、3, 5-二甲 基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3- 丁炔-2-醇中的至少一种。6. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述增粘剂为Y_甲基丙烯酰氧基丙基三甲 氧基硅烷、y-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、y-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙 氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三（乙氧甲氧基）硅烷、Y-(2, 3-环氧丙氧）丙基 三甲氧基硅烷、y-(2, 3-环氧丙氧）丙基三乙氧基硅烷、Y_(2, 3-环氧丙氧）丙基甲基二 甲氧基硅烷、0 _(3, 4-环氧环己基）乙基三甲氧基硅烷中的至少一种。7. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述增粘剂为含有环氧基和异氰基改性增粘 剂，所述含有环氧基和异氰基改性增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将1，3, 5, 7-四甲 基环四硅氧烷升温至40~60°C，在3~5小时内滴加由1，2_环氧-4-乙烯基环己烷、乙 烯基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为0. 1~0. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液 组成的混合液，在60~80°C反应2~3小时；所述1，3, 5, 7-四甲基环四硅氧烷、1，2-环 氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷与甲基丙烯酸异氰基乙酯依次用a、b、c和d表 示，所述a:b:c:d的摩尔比=1: (0~3) : (0~3) : (0~3)，并且，2 <b+c+d< 4 ;所述氯 铂酸的添加量为a、b、c和d总量的10~50ppm。8. 根据权利要求1所述的方法，其特征是所述增粘剂为含有环氧基和异氰基改性增粘 剂，所述含有环氧基和异氰基改性增粘剂用下述方法制成：氮气保护下，将高含氢硅油升温 至40~60°C，在3~5小时内滴加由1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲 基丙烯酸异氰基乙酯与浓度为〇. 1~〇. 5wt%氯铂酸的异丙醇溶液组成的混合液，在60~ 80°C反应2~3小时；所述高含氢硅油的硅氢的摩尔数、1，2-环氧-4-乙烯基环己烷、乙 烯基三甲氧基硅烷与甲基丙稀酸异氰基乙醋依次用e、b、c和d表示，e:b:c:d的摩尔比= 1: (0~0. 3) : (0~0. 3) : (0~0. 3)，并且，b+c+d彡0. 1 ;所述氯铂酸的添加量为e、b、c和 d总量的10~50ppm;所述高含氢硅油为粘度25°C时22-28mm2/s，含氢质量为1%-L6%。9. 权利要求1-8之一的方法制备的一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜。10. 权利要求9的一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜用于倒装LED白光芯片的芯 片级封装或COB型LED芯片封装的应用。
【专利摘要】本发明公开了一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜及制备方法及应用，制备方法为：(1)称取：乙烯基硅橡胶，气相二氧化硅，乙烯基硅油，甲基乙烯基MQ硅树脂，羟基硅油，LED荧光粉，混合得混合物1；(2)称取：抑制剂，增粘剂，卡式铂金催化剂，甲基含氢硅油；(3)将步骤(2)的各组份加入到混合物1中，经捏合机、双辊开炼机或密炼机混炼均匀得混合物2，将混合物2挤出于离型膜上并覆盖另一离型膜、压延。本发明的一种发光二极管快速封装粘性荧光胶膜可用于倒装LED白光芯片的芯片级封装和COB型LED芯片的封装。简化了工艺流程，避免了先围坝、再混胶和点胶等步骤，可提高生产效率，提高成品率和大幅度降低生产成本。
【IPC分类】C09J7/00, C09J11/06, H01L33/56, C09J11/04, C09J183/07
【公开号】CN104893600
【申请号】CN201510245384
【发明人】谭晓华, 韩颖, 冯亚凯
【申请人】天津德高化成新材料股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年5月14日
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