IPS型InCell触控显示面板及其制作方法
IPS型In Cell触控显示面板及其制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种IPS型In Cell触控显示面板及其制作 方法。
【背景技术】
[0002] 随着显示技术的飞速发展，触控显示面板已经广泛地被人们所接受及使用，如智 能手机、平板电脑等均使用了触控显示面板。触控显示面板采用嵌入式触控技术将触控面 板和液晶显示面板结合为一体，并将触控面板功能嵌入到液晶显示面板内，使得液晶显示 面板同时具备显示和感知触控输入的功能。
[0003] 液晶显示面板通常是由一彩膜基板（Color Filter，CF)、一薄膜晶体管阵列基 板（Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于两 基板间的液晶层（Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上 施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。按 照液晶的取向方式不同，目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型：垂直配 向（Vertical Alignment，VA)型、扭曲向列（Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列（Super Twisted Nematic，STN)型、平面转换（In-Plane Switching，IPS)型、及边缘场开关（Fringe Field Switching，FFS)型。
[0004] 其中IPS型液晶显示面板中的液晶分子相对于基板表面平行取向，通过对液晶层 施加横向电场来控制液晶分子的旋转。如图1所示，传统的IPS型液晶显示面板通常包括 相对设置的TFT阵列基板100、CF基板200及夹设于二者之间的液晶层300。所述TFT阵 列基板100设置有：下衬底基板110、栅极121、扫描线122、栅极绝缘层130、半导体层140、 源/漏极151、数据线152、氧化铟锡（IT0)像素电极160、绝缘保护层170、梳形的IT0公共 电极180、以及下配向膜190 ;所述CF基板200设置有：上衬底基板210、彩膜光阻220、黑色 矩阵230、光阻间隔物240、及上配向膜250 ;为了对该传统IPS型液晶显示面板进行电磁保 护，在CF基板200的上衬底基板210远离液晶层300 -侧的表面上设有一层整片式的IT0 透明电极260。
[0005] 触控显示面板依感应技术不同可分为电阻式、电容式、光学式、音波式四种，目前 主流的触控技术为电容式，其中电容式又分为自电容式和互电容式，目前市场上的电容式 触控显示面板为主要为互电容式，互电容的优点在于可实现多点触控。触控显示面板根据 结构不同可划分为：触控电极覆盖于液晶盒上式（On Cell)，触控电极内嵌在液晶盒内式 (In Cell)、以及外挂式。其中，In cell式具有成本低、超薄、和窄边框的优点，主要应用在 高端触控产品中，已演化为未来触控技术的主要发展方向，但是现有的In Cell触控显示面 板的制作工艺较为复杂，制作成本较高，生产效率较低。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于提供一种IPS型In Cell触控显示面板，其制作工艺较为简单， 制作成本较低，生产效率较高。
[0007] 本发明的目的还在于提供一种IPS型InCell触控显示面板的制作方法，能够简 化触控显示面板的制作工艺，降低制作成本，提高生产效率。
[0008] 为实现上述目的，本发明提供了一种IPS型In Cell触控显示面板，包括TFT阵列 基板、与所述TFT阵列基板相对设置的CF基板、夹设于所述TFT阵列基板与CF基板之间的 液晶层、设于所述CF基板靠近液晶层一侧的数条相互平行的触控发射电极、及数条相互平 行且与触控发射电极在空间上垂直交叉的触控接收电极；对应于所述触控发射电极与触控 接收电极的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块进行绝缘；
[0009] 所述CF基板包括衬底基板，所述数条触控发射电极设于该衬底基板靠近液晶层 一侧的表面上，所述数条触控接收电极经由绝缘光阻块与触控发射电极在空间上垂直交 叉。
[0010] 所述触控发射电极与触控接收电极的材料为ITO。
[0011] 所述触控发射电极与触控接收电极的厚度为400~1000 A。
[0012] 所述CF基板还包括设于所述数条触控接收电极与衬底基板上的彩膜光阻、将所 述彩膜光阻间隔开的黑色矩阵、设于所述黑色矩阵上的光阻间隔物、及覆盖所述彩膜光阻、 黑色矩阵、与光阻间隔物的配向膜。
[0013] 本发明还提供了一种IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，包括如下步骤：
[0014] 步骤1、提供一衬底基板，在所述衬底基板的一侧表面上镀一层透明导电膜，通过 灰阶掩膜刻蚀工艺制得数条相互平行的触控发射电极、及位于每一条触控发射电极上的多 个独立的绝缘光阻块；
[0015] 步骤2、对所述触控发射电极进行高温退火；
[0016] 步骤3、再镀一层透明导电膜，通过普通掩膜刻蚀工艺制得数条经由绝缘光阻块与 触控发射电极在空间上垂直交叉的触控接收电极；
[0017] 步骤4、通过普通掩膜刻蚀工艺依次在所述触控接收电极与衬底基板上制作出黑 色矩阵、彩膜光阻、及光阻间隔物；
[0018] 其中，所述黑色矩阵将彩膜光阻间隔开，所述光阻间隔物设于所述黑色矩阵上；
[0019] 步骤5、在所述彩膜光阻、黑色矩阵、与光阻间隔物上涂布配向液，形成配向膜，完 成CF基板的制作；
[0020] 步骤6、提供一 TFT阵列基板，将TFT阵列基板与CF基板对组，使所述触控接收电 极朝向TFT阵列基板，向TFT阵列基板与CF基板之间灌入液晶，形成液晶层。
[0021] 所述步骤1具体包括：
[0022] 步骤11、在所述透明导电膜上涂布一层有机光阻；
[0023] 步骤12、使用灰阶掩膜对有机光阻对应于每相邻两条触控发射电极之间间断的区 域进行全曝光，对有机光阻对应于每个绝缘光阻块的区域不进行曝光，对有机光阻对应于 一条触控发射电极上每相邻两个绝缘光阻块之间的区域进行半曝光；然后进行显影；
[0024] 步骤13、以有机光阻为遮蔽层对所述透明导电膜进行刻蚀，相应制得数条相互平 行的触控发射电极；
[0025] 步骤14、对有机光阻进行灰化处理，去除半曝光的有机光阻，保留下未曝光的有机 光阻，相应制得位于每一条触控发射电极上的多个独立的绝缘光阻块。
[0026] 所述步骤11中的透明导电膜的材料为ITO,厚度为400~1000人，所述有机光阻 的厚度为4000~20000A。
[0027] 所述步骤3中的透明导电膜的材料为IT0,厚度为>400 1000 A。
[0028] 所述步骤2中，高温退火的环境为氮气或干燥空气，高温退火的温度为250°C，退 火时间为30分钟。
[0029] 所述衬底基板为玻璃基板。
[0030] 本发明的有益效果：本发明提供的一种IPS型In Cell触控显示面板，在触控发 射电极与触控接收电极的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块进行绝缘，使得其制作工 艺较为简单，制作成本较低，生产效率较高，且触控发射电极与触控接收电极还能起到对液 晶层电容进行电磁屏蔽的作用。本发明提供的一种IPS型In Cell触控显示面板的制作方 法，通过灰阶掩膜刻蚀工艺既制得触控发射电极，又将对应位于触控发射电极与触控接收 电极垂直交叉处的有机光阻保留下来制得绝缘光阻块，通过绝缘光阻块对触控发射电极与 触控接收电极进行绝缘，省去了专门制作绝缘层的镀膜和掩膜刻蚀工艺，从而简化了触控 显示面板的制作工艺，降低了制作成本，提高了生产效率，同时触控发射电极与触控接收电 极还能起到对液晶层电容进行电磁屏蔽的作用，不需要在CF基板远离液晶层一侧的表面 上专门制作保护电极，能够进一步简化触控显示面板的制作工艺，降低制作成本，提高生产 效率。
[0031] 为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细 说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【附图说明】
[0032] 下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案 及其它有益效果显而易见。
[0033] 附图中，
[0034] 图1为传统的IPS型液晶显示面板的剖面结构示意图；
[0035] 图2为本发明的IPS型In Cell触控显示面板的剖面结构示意图；
[0036] 图3为本发明的IPS型In Cell触控显示面板中触控发射电极的平面仰视示意 图；
[0037] 图4为本发明的IPS型In Cell触控显示面板中触控接收电极和触控发射电极的 平面仰视示意图；
[0038] 图5为本发明的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法的流程图；
[0039] 图6为本发明的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法的步骤1的示意图；
[0040] 图7至图10为对应于图6中A-A与B-B处的具体制作过程示意图。
【具体实施方式】
[0041] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施 例及其附图进行详细描述。
[0042] 请同时参阅图2至图4,本发明首先提供一种IPS型In Cell触控显示面板，包括 TFT阵列基板1、与所述TFT阵列基板1相对设置的CF基板2、夹设于所述TFT阵列基板1 与CF基板2之间的液晶层3、设于所述CF基板2靠近液晶层3 -侧的数条相互平行的触控 发射电极4、及数条相互平行且与触控发射电极4在空间上垂直交叉的触控接收电极5 ;对 应于所述触控发射电极4与触控接收电极5的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块6进 行绝缘。
[0043] 所述TFT阵列基板1包括衬底基板、栅极、扫描线、栅极绝缘层、半导体层、源\漏 极、数据线、像素电极、绝缘保护层、梳形的公共电极、配向膜等，与现有技术中IPS型液晶 显示面板的TFT阵列基板无异，此处不展开详述。
[0044] 所述CF基板2包括衬底基板21，所述数条触控发射电极4设于该衬底基板21靠 近液晶层3 -侧的表面上，所述数条触控接收电极5经由绝缘光阻块6与触控发射电极4 在空间上垂直交叉。所述CF基板2还包括设于所述数条触控接收电极5与衬底基板21上 的彩膜光阻22、将所述彩膜光阻22间隔开的黑色矩阵23、设于所述黑色矩阵23上的光阻 间隔物24、及覆盖所述彩膜光阻22、黑色矩阵23、与光阻间隔物24的配向膜25。
[0045] 具体地，所述衬底基板21为玻璃基板。
[0046 ] 所述触控发射电极4与触控接收电极5的材料为氧化铟锡（ITO)，厚度为 400 ~1000 A。
[0047] 本发明的IPS型InCell触控显示面板，如图4所示，在触控发射电极4与触控接 收电极5的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块6进行绝缘，使得其制作工艺较为简单， 制作成本较低，生产效率较高，且触控发射电极4与触控接收电极5还能起到对液晶层3电 容进行电磁屏蔽的作用。
[0048] 请参阅图5,本发明还提供一种IPS型InCell触控显示面板的制作方法，包括如 下步骤：
[0049] 步骤1、结合图2、图6及图7至图10,提供一衬底基板21，在所述衬底基板21的 一侧表面上镀一层透明导电膜4'，通过灰阶掩膜刻蚀工艺制得数条相互平行的触控发射电 极4、及位于每一条触控发射电极4上的多个独立的绝缘光阻块6。
[0050] 所述衬底基板21优选为玻璃基板。
[0051] 具体地，该步骤1包括：
[0052] 步骤11、如图7所示，在所述透明导电膜4'上涂布一层有机光阻6'。
[0053] 进一步地，所述透明导电膜4'的材料为ITO,厚度为400~1000 A，所述有机光 阻6'的厚度为4000~20000人。
[0054] 步骤12、如图8所示，使用灰阶掩膜对有机光阻6'对应于每相邻两条触控发射电 极4之间间断的区域进行全曝光，对有机光阻6'对应于每个绝缘光阻块6的区域不进行曝 光，对有机光阻6'对应于一条触控发射电极4上每相邻两个绝缘光阻块6之间的区域进行 半曝光；然后进行显影。
[0055] 步骤13、如图9所示，以有机光阻6'为遮蔽层对所述透明导电膜4'进行刻蚀，相 应制得数条相互平行的触控发射电极4。
[0056] 步骤14、如图10所示，对有机光阻6'进行灰化处理，去除半曝光的有机光阻6'， 保留下未曝光的有机光阻6'，相应制得位于每一条触控发射电极4上的多个独立的绝缘光 阻块6。
[0057] 步骤2、对所述触控发射电极4进行高温退火。
[0058] 进一步地，高温退火的环境为氮气或干燥空气，高温退火的温度为250°C，退火时 间为30分钟。
[0059] 步骤3、结合图2与图4,再镀一层透明导电膜，通过普通掩膜刻蚀工艺制得数条经 由绝缘光阻块6与触控发射电极4在空间上垂直交叉的触控接收电极5。
[0060] 进一步地，该步骤3中的透明导电膜的材料为ITO,厚度为400~1000 A。
[0061] 步骤4、结合图2,通过普通掩膜刻蚀工艺依次在所述触控接收电极5与衬底基板 21上制作出黑色矩阵23、彩膜光阻22、及光阻间隔物24。
[0062] 其中，所述黑色矩阵23将彩膜光阻22间隔开，所述光阻间隔物24设于所述黑色 矩阵23上。
[0063] 步骤5、结合图2,在所述彩膜光阻22、黑色矩阵23、与光阻间隔物24上涂布配向 液，形成配向膜25,完成CF基板2的制作。
[0064] 步骤6、结合图2，提供一 TFT阵列基板1，将TFT阵列基板1与CF基板2对组，使 所述触控接收电极5朝向TFT阵列基板1，向TFT阵列基板1与CF基板2之间灌入液晶，形 成液晶层3。
[0065] 其中，所述TFT阵列基板1的结构及制程过程与现有技术无异，此处不展开详述。
[0066] 上述IPS型InCell触控显示面板的制作方法，通过灰阶掩膜刻蚀工艺既制得触 控发射电极4,又将对应位于触控发射电极4与触控接收电极5垂直交叉处的有机光阻保 留下来制得绝缘光阻块6,通过绝缘光阻块6对触控发射电极4与触控接收电极5进行绝 缘，省去了专门制作绝缘层的镀膜和掩膜刻蚀工艺，从而简化了触控显示面板的制作工艺， 降低了制作成本，提高了生产效率，同时触控发射电极4与触控接收电极5还能起到对液晶 层3电容进行电磁屏蔽的作用，不需要在CF基板2远离液晶层3 -侧的表面上专门制作保 护电极，能够进一步简化触控显示面板的制作工艺，降低制作成本，提高生产效率。
[0067] 综上所述，本发明的IPS型InCell触控显示面板，在触控发射电极与触控接收电 极的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块进行绝缘，使得其制作工艺较为简单，制作成 本较低，生产效率较高，且触控发射电极与触控接收电极还能起到对液晶层电容进行电磁 屏蔽的作用。本发明的IPS型InCell触控显示面板的制作方法，通过灰阶掩膜刻蚀工艺 既制得触控发射电极，又将对应位于触控发射电极与触控接收电极垂直交叉处的有机光阻 保留下来制得绝缘光阻块，通过绝缘光阻块对触控发射电极与触控接收电极进行绝缘，省 去了专门制作绝缘层的镀膜和掩膜刻蚀工艺，从而简化了触控显示面板的制作工艺，降低 了制作成本，提高了生产效率，同时触控发射电极与触控接收电极还能起到对液晶层电容 进行电磁屏蔽的作用，不需要在CF基板远离液晶层一侧的表面上专门制作保护电极，能够 进一步简化触控显示面板的制作工艺，降低制作成本，提高生产效率。
[0068] 以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术 构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的 保护范围。
【主权项】
1. 一种IPS型In Cell触控显示面板，其特征在于，包括TFT阵列基板（I)、与所述TFT 阵列基板⑴相对设置的CF基板（2)、夹设于所述TFT阵列基板⑴与CF基板⑵之间 的液晶层（3)、设于所述CF基板（2)靠近液晶层（3) -侧的数条相互平行的触控发射电极 (4)、及数条相互平行且与触控发射电极（4)在空间上垂直交叉的触控接收电极（5);对应 于所述触控发射电极（4)与触控接收电极（5)的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块 (6)进行绝缘； 所述CF基板（2)包括衬底基板（21)，所述数条触控发射电极（4)设于该衬底基板（21) 靠近液晶层（3) -侧的表面上，所述数条触控接收电极（5)经由绝缘光阻块（6)与触控发 射电极（4)在空间上垂直交叉。2. 如权利要求1所述的IPS型In Cell触控显示面板，其特征在于，所述触控发射电极 (4)与触控接收电极（5)的材料为ITO。3. 如权利要求2所述的IPS型In Cell触控显示面板，其特征在于，所述触控发射电极 (4)与触控接收电极（5)的厚度为400~1000 A。4. 如权利要求1所述的IPS型In Cell触控显示面板，其特征在于，所述CF基板（2) 还包括设于所述数条触控接收电极（5)与所述衬底基板（21)上的彩膜光阻（22)、将所述彩 膜光阻（22)间隔开的黑色矩阵（23)、设于所述黑色矩阵（23)上的光阻间隔物（24)、及覆 盖所述彩膜光阻（22)、黑色矩阵（23)、与光阻间隔物（24)的配向膜（25)。5. -种IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、提供一衬底基板（21)，在所述衬底基板（21)的一侧表面上镀一层透明导电膜 (4'），通过灰阶掩膜刻蚀工艺制得数条相互平行的触控发射电极（4)、及位于每一条触控发 射电极⑷上的多个独立的绝缘光阻块（6); 步骤2、对所述触控发射电极（4)进行高温退火； 步骤3、再镀一层透明导电膜，通过普通掩膜刻蚀工艺制得数条经由绝缘光阻块（6)与 触控发射电极（4)在空间上垂直交叉的触控接收电极（5); 步骤4、通过普通掩膜刻蚀工艺依次在所述触控接收电极（5)与衬底基板（21)上制作 出黑色矩阵（23)、彩膜光阻（22)、及光阻间隔物（24); 其中，所述黑色矩阵（23)将彩膜光阻（22)间隔开，所述光阻间隔物（24)设于所述黑 色矩阵（23)上； 步骤5、在所述彩膜光阻（22)、黑色矩阵（23)、与光阻间隔物（24)上涂布配向液，形成 配向膜（25)，完成CF基板⑵的制作； 步骤6、提供一 TFT阵列基板（1)，将TFT阵列基板（1)与CF基板（2)对组，使所述触 控接收电极（5)朝向TFT阵列基板（1)，向TFT阵列基板（1)与CF基板（2)之间灌入液晶， 形成液晶层（3)。6. 如权利要求5所述的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述步 骤1具体包括： 步骤11、在所述透明导电膜（4'）上涂布一层有机光阻（6'）； 步骤12、使用灰阶掩膜对有机光阻出'）对应于每相邻两条触控发射电极（4)之间间 断的区域进行全曝光，对有机光阻（6'）对应于每个绝缘光阻块（6)的区域不进行曝光，对 有机光阻（6'）对应于一条触控发射电极（4)上每相邻两个绝缘光阻块（6)之间的区域进 行半曝光；然后进行显影； 步骤13、以有机光阻出'）为遮蔽层对所述透明导电膜（4'）进行刻蚀，相应制得数条 相互平行的触控发射电极（4); 步骤14、对有机光阻（6'）进行灰化处理，去除半曝光的有机光阻（6'），保留下未曝光 的有机光阻（6'），相应制得位于每一条触控发射电极（4)上的多个独立的绝缘光阻块（6)。7. 如权利要求6所述的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述步 骤11中的透明导电膜（4'）的材料为ITO,厚度为400~1000 A,所述有机光阻（6'）的厚 度为 4000 ~20000A。8. 如权利要求5所述的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述步 骤3中的透明导电膜的材料为ΙΤ0,厚度为400~1000 A。9. 如权利要求5所述的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述 步骤2中，高温退火的环境为氮气或干燥空气，高温退火的温度为250°C，退火时间为30分 钟。10. 如权利要求5所述的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述 衬底基板（21)为玻璃基板。
【专利摘要】本发明提供一种IPS型In Cell触控显示面板及其制作方法。该IPS型In Cell触控显示面板在触控发射电极(4)与触控接收电极(5)的交叉处设有绝缘光阻块(6)进行绝缘。该方法通过灰阶掩膜刻蚀工艺既制得触控发射电极(4)，又将对应位于触控发射电极(4)与触控接收电极(5)垂直交叉处的有机光阻保留下来制得绝缘光阻块(6)，通过绝缘光阻块(6)对触控发射电极(4)与触控接收电极(5)进行绝缘，省去了专门制作绝缘层的镀膜和掩膜刻蚀工艺，从而简化了触控显示面板的制作工艺，降低了制作成本，提高了生产效率，同时触控发射电极(4)与触控接收电极(5)还能起到对液晶层电容进行电磁屏蔽的作用，不需要专门制作保护电极。
【IPC分类】G02F1/1333, G02F1/1343
【公开号】CN104898318
【申请号】CN201510368558
【发明人】徐向阳
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月29日
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种IPS型In Cell触控显示面板及其制作 方法。
【背景技术】
[0002] 随着显示技术的飞速发展，触控显示面板已经广泛地被人们所接受及使用，如智 能手机、平板电脑等均使用了触控显示面板。触控显示面板采用嵌入式触控技术将触控面 板和液晶显示面板结合为一体，并将触控面板功能嵌入到液晶显示面板内，使得液晶显示 面板同时具备显示和感知触控输入的功能。
[0003] 液晶显示面板通常是由一彩膜基板（Color Filter，CF)、一薄膜晶体管阵列基 板（Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于两 基板间的液晶层（Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上 施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。按 照液晶的取向方式不同，目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型：垂直配 向（Vertical Alignment，VA)型、扭曲向列（Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列（Super Twisted Nematic，STN)型、平面转换（In-Plane Switching，IPS)型、及边缘场开关（Fringe Field Switching，FFS)型。
[0004] 其中IPS型液晶显示面板中的液晶分子相对于基板表面平行取向，通过对液晶层 施加横向电场来控制液晶分子的旋转。如图1所示，传统的IPS型液晶显示面板通常包括 相对设置的TFT阵列基板100、CF基板200及夹设于二者之间的液晶层300。所述TFT阵 列基板100设置有：下衬底基板110、栅极121、扫描线122、栅极绝缘层130、半导体层140、 源/漏极151、数据线152、氧化铟锡（IT0)像素电极160、绝缘保护层170、梳形的IT0公共 电极180、以及下配向膜190 ;所述CF基板200设置有：上衬底基板210、彩膜光阻220、黑色 矩阵230、光阻间隔物240、及上配向膜250 ;为了对该传统IPS型液晶显示面板进行电磁保 护，在CF基板200的上衬底基板210远离液晶层300 -侧的表面上设有一层整片式的IT0 透明电极260。
[0005] 触控显示面板依感应技术不同可分为电阻式、电容式、光学式、音波式四种，目前 主流的触控技术为电容式，其中电容式又分为自电容式和互电容式，目前市场上的电容式 触控显示面板为主要为互电容式，互电容的优点在于可实现多点触控。触控显示面板根据 结构不同可划分为：触控电极覆盖于液晶盒上式（On Cell)，触控电极内嵌在液晶盒内式 (In Cell)、以及外挂式。其中，In cell式具有成本低、超薄、和窄边框的优点，主要应用在 高端触控产品中，已演化为未来触控技术的主要发展方向，但是现有的In Cell触控显示面 板的制作工艺较为复杂，制作成本较高，生产效率较低。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于提供一种IPS型In Cell触控显示面板，其制作工艺较为简单， 制作成本较低，生产效率较高。
[0007] 本发明的目的还在于提供一种IPS型InCell触控显示面板的制作方法，能够简 化触控显示面板的制作工艺，降低制作成本，提高生产效率。
[0008] 为实现上述目的，本发明提供了一种IPS型In Cell触控显示面板，包括TFT阵列 基板、与所述TFT阵列基板相对设置的CF基板、夹设于所述TFT阵列基板与CF基板之间的 液晶层、设于所述CF基板靠近液晶层一侧的数条相互平行的触控发射电极、及数条相互平 行且与触控发射电极在空间上垂直交叉的触控接收电极；对应于所述触控发射电极与触控 接收电极的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块进行绝缘；
[0009] 所述CF基板包括衬底基板，所述数条触控发射电极设于该衬底基板靠近液晶层 一侧的表面上，所述数条触控接收电极经由绝缘光阻块与触控发射电极在空间上垂直交 叉。
[0010] 所述触控发射电极与触控接收电极的材料为ITO。
[0011] 所述触控发射电极与触控接收电极的厚度为400~1000 A。
[0012] 所述CF基板还包括设于所述数条触控接收电极与衬底基板上的彩膜光阻、将所 述彩膜光阻间隔开的黑色矩阵、设于所述黑色矩阵上的光阻间隔物、及覆盖所述彩膜光阻、 黑色矩阵、与光阻间隔物的配向膜。
[0013] 本发明还提供了一种IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，包括如下步骤：
[0014] 步骤1、提供一衬底基板，在所述衬底基板的一侧表面上镀一层透明导电膜，通过 灰阶掩膜刻蚀工艺制得数条相互平行的触控发射电极、及位于每一条触控发射电极上的多 个独立的绝缘光阻块；
[0015] 步骤2、对所述触控发射电极进行高温退火；
[0016] 步骤3、再镀一层透明导电膜，通过普通掩膜刻蚀工艺制得数条经由绝缘光阻块与 触控发射电极在空间上垂直交叉的触控接收电极；
[0017] 步骤4、通过普通掩膜刻蚀工艺依次在所述触控接收电极与衬底基板上制作出黑 色矩阵、彩膜光阻、及光阻间隔物；
[0018] 其中，所述黑色矩阵将彩膜光阻间隔开，所述光阻间隔物设于所述黑色矩阵上；
[0019] 步骤5、在所述彩膜光阻、黑色矩阵、与光阻间隔物上涂布配向液，形成配向膜，完 成CF基板的制作；
[0020] 步骤6、提供一 TFT阵列基板，将TFT阵列基板与CF基板对组，使所述触控接收电 极朝向TFT阵列基板，向TFT阵列基板与CF基板之间灌入液晶，形成液晶层。
[0021] 所述步骤1具体包括：
[0022] 步骤11、在所述透明导电膜上涂布一层有机光阻；
[0023] 步骤12、使用灰阶掩膜对有机光阻对应于每相邻两条触控发射电极之间间断的区 域进行全曝光，对有机光阻对应于每个绝缘光阻块的区域不进行曝光，对有机光阻对应于 一条触控发射电极上每相邻两个绝缘光阻块之间的区域进行半曝光；然后进行显影；
[0024] 步骤13、以有机光阻为遮蔽层对所述透明导电膜进行刻蚀，相应制得数条相互平 行的触控发射电极；
[0025] 步骤14、对有机光阻进行灰化处理，去除半曝光的有机光阻，保留下未曝光的有机 光阻，相应制得位于每一条触控发射电极上的多个独立的绝缘光阻块。
[0026] 所述步骤11中的透明导电膜的材料为ITO,厚度为400~1000人，所述有机光阻 的厚度为4000~20000A。
[0027] 所述步骤3中的透明导电膜的材料为IT0,厚度为>400 1000 A。
[0028] 所述步骤2中，高温退火的环境为氮气或干燥空气，高温退火的温度为250°C，退 火时间为30分钟。
[0029] 所述衬底基板为玻璃基板。
[0030] 本发明的有益效果：本发明提供的一种IPS型In Cell触控显示面板，在触控发 射电极与触控接收电极的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块进行绝缘，使得其制作工 艺较为简单，制作成本较低，生产效率较高，且触控发射电极与触控接收电极还能起到对液 晶层电容进行电磁屏蔽的作用。本发明提供的一种IPS型In Cell触控显示面板的制作方 法，通过灰阶掩膜刻蚀工艺既制得触控发射电极，又将对应位于触控发射电极与触控接收 电极垂直交叉处的有机光阻保留下来制得绝缘光阻块，通过绝缘光阻块对触控发射电极与 触控接收电极进行绝缘，省去了专门制作绝缘层的镀膜和掩膜刻蚀工艺，从而简化了触控 显示面板的制作工艺，降低了制作成本，提高了生产效率，同时触控发射电极与触控接收电 极还能起到对液晶层电容进行电磁屏蔽的作用，不需要在CF基板远离液晶层一侧的表面 上专门制作保护电极，能够进一步简化触控显示面板的制作工艺，降低制作成本，提高生产 效率。
[0031] 为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细 说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【附图说明】
[0032] 下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案 及其它有益效果显而易见。
[0033] 附图中，
[0034] 图1为传统的IPS型液晶显示面板的剖面结构示意图；
[0035] 图2为本发明的IPS型In Cell触控显示面板的剖面结构示意图；
[0036] 图3为本发明的IPS型In Cell触控显示面板中触控发射电极的平面仰视示意 图；
[0037] 图4为本发明的IPS型In Cell触控显示面板中触控接收电极和触控发射电极的 平面仰视示意图；
[0038] 图5为本发明的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法的流程图；
[0039] 图6为本发明的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法的步骤1的示意图；
[0040] 图7至图10为对应于图6中A-A与B-B处的具体制作过程示意图。
【具体实施方式】
[0041] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施 例及其附图进行详细描述。
[0042] 请同时参阅图2至图4,本发明首先提供一种IPS型In Cell触控显示面板，包括 TFT阵列基板1、与所述TFT阵列基板1相对设置的CF基板2、夹设于所述TFT阵列基板1 与CF基板2之间的液晶层3、设于所述CF基板2靠近液晶层3 -侧的数条相互平行的触控 发射电极4、及数条相互平行且与触控发射电极4在空间上垂直交叉的触控接收电极5 ;对 应于所述触控发射电极4与触控接收电极5的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块6进 行绝缘。
[0043] 所述TFT阵列基板1包括衬底基板、栅极、扫描线、栅极绝缘层、半导体层、源\漏 极、数据线、像素电极、绝缘保护层、梳形的公共电极、配向膜等，与现有技术中IPS型液晶 显示面板的TFT阵列基板无异，此处不展开详述。
[0044] 所述CF基板2包括衬底基板21，所述数条触控发射电极4设于该衬底基板21靠 近液晶层3 -侧的表面上，所述数条触控接收电极5经由绝缘光阻块6与触控发射电极4 在空间上垂直交叉。所述CF基板2还包括设于所述数条触控接收电极5与衬底基板21上 的彩膜光阻22、将所述彩膜光阻22间隔开的黑色矩阵23、设于所述黑色矩阵23上的光阻 间隔物24、及覆盖所述彩膜光阻22、黑色矩阵23、与光阻间隔物24的配向膜25。
[0045] 具体地，所述衬底基板21为玻璃基板。
[0046 ] 所述触控发射电极4与触控接收电极5的材料为氧化铟锡（ITO)，厚度为 400 ~1000 A。
[0047] 本发明的IPS型InCell触控显示面板，如图4所示，在触控发射电极4与触控接 收电极5的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块6进行绝缘，使得其制作工艺较为简单， 制作成本较低，生产效率较高，且触控发射电极4与触控接收电极5还能起到对液晶层3电 容进行电磁屏蔽的作用。
[0048] 请参阅图5,本发明还提供一种IPS型InCell触控显示面板的制作方法，包括如 下步骤：
[0049] 步骤1、结合图2、图6及图7至图10,提供一衬底基板21，在所述衬底基板21的 一侧表面上镀一层透明导电膜4'，通过灰阶掩膜刻蚀工艺制得数条相互平行的触控发射电 极4、及位于每一条触控发射电极4上的多个独立的绝缘光阻块6。
[0050] 所述衬底基板21优选为玻璃基板。
[0051] 具体地，该步骤1包括：
[0052] 步骤11、如图7所示，在所述透明导电膜4'上涂布一层有机光阻6'。
[0053] 进一步地，所述透明导电膜4'的材料为ITO,厚度为400~1000 A，所述有机光 阻6'的厚度为4000~20000人。
[0054] 步骤12、如图8所示，使用灰阶掩膜对有机光阻6'对应于每相邻两条触控发射电 极4之间间断的区域进行全曝光，对有机光阻6'对应于每个绝缘光阻块6的区域不进行曝 光，对有机光阻6'对应于一条触控发射电极4上每相邻两个绝缘光阻块6之间的区域进行 半曝光；然后进行显影。
[0055] 步骤13、如图9所示，以有机光阻6'为遮蔽层对所述透明导电膜4'进行刻蚀，相 应制得数条相互平行的触控发射电极4。
[0056] 步骤14、如图10所示，对有机光阻6'进行灰化处理，去除半曝光的有机光阻6'， 保留下未曝光的有机光阻6'，相应制得位于每一条触控发射电极4上的多个独立的绝缘光 阻块6。
[0057] 步骤2、对所述触控发射电极4进行高温退火。
[0058] 进一步地，高温退火的环境为氮气或干燥空气，高温退火的温度为250°C，退火时 间为30分钟。
[0059] 步骤3、结合图2与图4,再镀一层透明导电膜，通过普通掩膜刻蚀工艺制得数条经 由绝缘光阻块6与触控发射电极4在空间上垂直交叉的触控接收电极5。
[0060] 进一步地，该步骤3中的透明导电膜的材料为ITO,厚度为400~1000 A。
[0061] 步骤4、结合图2,通过普通掩膜刻蚀工艺依次在所述触控接收电极5与衬底基板 21上制作出黑色矩阵23、彩膜光阻22、及光阻间隔物24。
[0062] 其中，所述黑色矩阵23将彩膜光阻22间隔开，所述光阻间隔物24设于所述黑色 矩阵23上。
[0063] 步骤5、结合图2,在所述彩膜光阻22、黑色矩阵23、与光阻间隔物24上涂布配向 液，形成配向膜25,完成CF基板2的制作。
[0064] 步骤6、结合图2，提供一 TFT阵列基板1，将TFT阵列基板1与CF基板2对组，使 所述触控接收电极5朝向TFT阵列基板1，向TFT阵列基板1与CF基板2之间灌入液晶，形 成液晶层3。
[0065] 其中，所述TFT阵列基板1的结构及制程过程与现有技术无异，此处不展开详述。
[0066] 上述IPS型InCell触控显示面板的制作方法，通过灰阶掩膜刻蚀工艺既制得触 控发射电极4,又将对应位于触控发射电极4与触控接收电极5垂直交叉处的有机光阻保 留下来制得绝缘光阻块6,通过绝缘光阻块6对触控发射电极4与触控接收电极5进行绝 缘，省去了专门制作绝缘层的镀膜和掩膜刻蚀工艺，从而简化了触控显示面板的制作工艺， 降低了制作成本，提高了生产效率，同时触控发射电极4与触控接收电极5还能起到对液晶 层3电容进行电磁屏蔽的作用，不需要在CF基板2远离液晶层3 -侧的表面上专门制作保 护电极，能够进一步简化触控显示面板的制作工艺，降低制作成本，提高生产效率。
[0067] 综上所述，本发明的IPS型InCell触控显示面板，在触控发射电极与触控接收电 极的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块进行绝缘，使得其制作工艺较为简单，制作成 本较低，生产效率较高，且触控发射电极与触控接收电极还能起到对液晶层电容进行电磁 屏蔽的作用。本发明的IPS型InCell触控显示面板的制作方法，通过灰阶掩膜刻蚀工艺 既制得触控发射电极，又将对应位于触控发射电极与触控接收电极垂直交叉处的有机光阻 保留下来制得绝缘光阻块，通过绝缘光阻块对触控发射电极与触控接收电极进行绝缘，省 去了专门制作绝缘层的镀膜和掩膜刻蚀工艺，从而简化了触控显示面板的制作工艺，降低 了制作成本，提高了生产效率，同时触控发射电极与触控接收电极还能起到对液晶层电容 进行电磁屏蔽的作用，不需要在CF基板远离液晶层一侧的表面上专门制作保护电极，能够 进一步简化触控显示面板的制作工艺，降低制作成本，提高生产效率。
[0068] 以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术 构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的 保护范围。
【主权项】
1. 一种IPS型In Cell触控显示面板，其特征在于，包括TFT阵列基板（I)、与所述TFT 阵列基板⑴相对设置的CF基板（2)、夹设于所述TFT阵列基板⑴与CF基板⑵之间 的液晶层（3)、设于所述CF基板（2)靠近液晶层（3) -侧的数条相互平行的触控发射电极 (4)、及数条相互平行且与触控发射电极（4)在空间上垂直交叉的触控接收电极（5);对应 于所述触控发射电极（4)与触控接收电极（5)的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块 (6)进行绝缘； 所述CF基板（2)包括衬底基板（21)，所述数条触控发射电极（4)设于该衬底基板（21) 靠近液晶层（3) -侧的表面上，所述数条触控接收电极（5)经由绝缘光阻块（6)与触控发 射电极（4)在空间上垂直交叉。2. 如权利要求1所述的IPS型In Cell触控显示面板，其特征在于，所述触控发射电极 (4)与触控接收电极（5)的材料为ITO。3. 如权利要求2所述的IPS型In Cell触控显示面板，其特征在于，所述触控发射电极 (4)与触控接收电极（5)的厚度为400~1000 A。4. 如权利要求1所述的IPS型In Cell触控显示面板，其特征在于，所述CF基板（2) 还包括设于所述数条触控接收电极（5)与所述衬底基板（21)上的彩膜光阻（22)、将所述彩 膜光阻（22)间隔开的黑色矩阵（23)、设于所述黑色矩阵（23)上的光阻间隔物（24)、及覆 盖所述彩膜光阻（22)、黑色矩阵（23)、与光阻间隔物（24)的配向膜（25)。5. -种IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、提供一衬底基板（21)，在所述衬底基板（21)的一侧表面上镀一层透明导电膜 (4'），通过灰阶掩膜刻蚀工艺制得数条相互平行的触控发射电极（4)、及位于每一条触控发 射电极⑷上的多个独立的绝缘光阻块（6); 步骤2、对所述触控发射电极（4)进行高温退火； 步骤3、再镀一层透明导电膜，通过普通掩膜刻蚀工艺制得数条经由绝缘光阻块（6)与 触控发射电极（4)在空间上垂直交叉的触控接收电极（5); 步骤4、通过普通掩膜刻蚀工艺依次在所述触控接收电极（5)与衬底基板（21)上制作 出黑色矩阵（23)、彩膜光阻（22)、及光阻间隔物（24); 其中，所述黑色矩阵（23)将彩膜光阻（22)间隔开，所述光阻间隔物（24)设于所述黑 色矩阵（23)上； 步骤5、在所述彩膜光阻（22)、黑色矩阵（23)、与光阻间隔物（24)上涂布配向液，形成 配向膜（25)，完成CF基板⑵的制作； 步骤6、提供一 TFT阵列基板（1)，将TFT阵列基板（1)与CF基板（2)对组，使所述触 控接收电极（5)朝向TFT阵列基板（1)，向TFT阵列基板（1)与CF基板（2)之间灌入液晶， 形成液晶层（3)。6. 如权利要求5所述的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述步 骤1具体包括： 步骤11、在所述透明导电膜（4'）上涂布一层有机光阻（6'）； 步骤12、使用灰阶掩膜对有机光阻出'）对应于每相邻两条触控发射电极（4)之间间 断的区域进行全曝光，对有机光阻（6'）对应于每个绝缘光阻块（6)的区域不进行曝光，对 有机光阻（6'）对应于一条触控发射电极（4)上每相邻两个绝缘光阻块（6)之间的区域进 行半曝光；然后进行显影； 步骤13、以有机光阻出'）为遮蔽层对所述透明导电膜（4'）进行刻蚀，相应制得数条 相互平行的触控发射电极（4); 步骤14、对有机光阻（6'）进行灰化处理，去除半曝光的有机光阻（6'），保留下未曝光 的有机光阻（6'），相应制得位于每一条触控发射电极（4)上的多个独立的绝缘光阻块（6)。7. 如权利要求6所述的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述步 骤11中的透明导电膜（4'）的材料为ITO,厚度为400~1000 A,所述有机光阻（6'）的厚 度为 4000 ~20000A。8. 如权利要求5所述的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述步 骤3中的透明导电膜的材料为ΙΤ0,厚度为400~1000 A。9. 如权利要求5所述的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述 步骤2中，高温退火的环境为氮气或干燥空气，高温退火的温度为250°C，退火时间为30分 钟。10. 如权利要求5所述的IPS型In Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述 衬底基板（21)为玻璃基板。
【专利摘要】本发明提供一种IPS型In Cell触控显示面板及其制作方法。该IPS型In Cell触控显示面板在触控发射电极(4)与触控接收电极(5)的交叉处设有绝缘光阻块(6)进行绝缘。该方法通过灰阶掩膜刻蚀工艺既制得触控发射电极(4)，又将对应位于触控发射电极(4)与触控接收电极(5)垂直交叉处的有机光阻保留下来制得绝缘光阻块(6)，通过绝缘光阻块(6)对触控发射电极(4)与触控接收电极(5)进行绝缘，省去了专门制作绝缘层的镀膜和掩膜刻蚀工艺，从而简化了触控显示面板的制作工艺，降低了制作成本，提高了生产效率，同时触控发射电极(4)与触控接收电极(5)还能起到对液晶层电容进行电磁屏蔽的作用，不需要专门制作保护电极。
【IPC分类】G02F1/1333, G02F1/1343
【公开号】CN104898318
【申请号】CN201510368558
【发明人】徐向阳
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月29日
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