一种提高通孔工艺窗口的opc修正方法
一种提高通孔工艺窗口的opc修正方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种提高通孔工艺窗口的OPC修正方法。
【背景技术】
[0002]按照摩尔定律，芯片特征尺寸不断缩小，达到0.13um及其以下工艺节点，使用的光刻波长(193nm)已经远大于关键尺寸(⑶)，这使得衍射、干涉等导致的光学临近效应成为影响光刻工艺的关键因素。光学邻近效应修正(OPC)是通过对掩膜版图形进行修正，最大可能的解决光刻图形变形的问题，典型地如光刻后线端缩短边缘的现象。另外，随着线宽特征尺寸的的不断缩小，曝光图形尤其是通孔结构的掩模版误差因子(Mask ErrorEffect1MEEF)也明显增大，相应地，掩模版图形尺寸的微小波动可能导致硅片上图形线宽的巨大波动，因此对通孔的工艺窗口提出了更高的要求，从而确保一定的良率.
[0003]通过在通孔周围插入亚分辨率辅助图形(SRAF，sub rule assist feature)可以有效地改善图形的空间频率和空间像，从而提高OPC精度，因此对提高工艺窗口起到一定的作用。
[0004]在OPC修正过程中，通孔层常规的AF添加方法主要是按照某种规则(Rule)对通孔的目标层添加SRAF (亚分辨率辅助图形)，即RBAF。对于线边AF(sideAF)，主要参数有SBW(AF的线宽)，S2M(AF与主图形之间的距离)以及S2S (AF与AF之间的距离)，对于拐角处的AF (corner AF)，主要参数有SBW(AF的线宽)和S2M(AF与主图形之间的距离)，如图1为常规的RBAF规则示意图，。然而随着通孔尺寸的不断减小，图形的MEEF值也不断增加，尤其是对于复杂的不规则图形，RBAF的盲目性决定了依靠单一的RBAF方案已经不能有效地提高通孔工艺窗口。MBAF利用OPC模型对图形(pattern)以及图形(pattern)周边的环境进行仿真从而确定AF的尺寸和放置，因此相对于RBAF具有更高的准确性。然而如果对整个目标图形层加入MBAF，针对性不强而且降低了 OPC的效率。
【发明内容】
[0005]为了克服以上问题，本发明旨在提供一种提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，通过将RBAF和MBAF的相结合，从而既利用了 RBAF的高效率和MBAF的高准确性，又避免了RBAF的盲目性和MBAF的效率低的问题。
[0006]为了实现上述目的，本发明提供了一种提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，包括:
[0007]步骤01:输入版图图形，对版图图形进行基于规则的OPC图形修正得到新的目标图形；
[0008]步骤02:在所述新的目标层图形中添加基于规则的亚分辨率辅助图形；
[0009]步骤03:利用OPC修正模型对所述新的目标层图形进行多次OPC图形修正，以得到OPC修正后的图形；
[0010]步骤04:对所有所述OPC修正后的图形进行后处理；
[0011]其中，在所述步骤03之后且在所述步骤04之前还包括:
[0012]步骤Oil:设定通孔工艺规范，利用OPC工艺窗口模型对所述OPC修正后的图形进行仿真，从而对通孔工艺窗口进行检测；
[0013]步骤022:根据所述检测结果，在OPC修正后的图形中设定需要继续进行OPC修正的图形区域，从而优化所述通孔工艺窗口 ；
[0014]步骤033:在所述步骤022所设定的需要继续进行OPC修正的图形区域中，去除所述基于规则的亚分辨率辅助图形并添加基于模型的亚分辨率辅助图形；
[0015]步骤044:利用OPC修正模型对所设定的图形区域中需要进行OPC修正的图形继续进行多次OPC修正；其中，
[0016]如果步骤Oll中检测的结果为所述通孔工艺窗口达到所设定的通孔工艺规范的要求，则直接进行所述步骤04。
[0017]优选地，所述步骤Ol包括对所述目标层图形尺寸整体增加或者减少某一设定值，或者根据图形的线宽和间距所属范围，按照设定的规则增加或者减少图形尺寸，从而生成新的目标层图形。
[0018]优选地，所述步骤03中，所采用的OPC修正模型为最佳光刻条件时的OPC修正模型。
[0019]优选地，所述步骤Oll中，所述通孔工艺规范包括最佳光刻条件和设定焦深能量范围内，通孔的线宽变化，边缘放置误差，图形断裂，图形桥接，通孔曝光后面积的允许范围。
[0020]优选地，所述步骤Oll中，所述OPC工艺窗口模型包含了一定范围曝光能量和焦距下的通孔工艺信息。
[0021]优选地，所述步骤022中包括:根据所述检测结果，对于不符合所述通孔工艺规范的图形，将超出所述通孔工艺规范所设定范围的图形区域设定为需要继续进行OPC图形修正的区域。
[0022]优选地，所述步骤022中，所述设定需要继续进行OPC修正的图形区域包括:以每个不符合所述通孔工艺规范的通孔图形所在位置为中心，以所述步骤03中的OPC修正模型的信号影响范围为半径划定区域。
[0023]优选地，所述步骤044中所采用的OPC修正模型与所述步骤03中所采用的OPC修正模型为同一个模型。
[0024]优选地，所述步骤04中所述的后处理包括:对所述OPC修正后的图形出现的小于预设尺寸的凸起和凹口进行处理，或者对违反掩模版规则的边缘进行处理。
[0025]本发明通过将RBAF和MBAF相结合，在OPC修正过程中对不符合规范的区域中的通孔引入MBAF，相比于传统方法中在整个目标图形层中加入MBAF来说，具有很强针对性，并且提高了效率；同时由于MBAF是对经OPC修正后的图形进行仿真后再添加的，提高了图形和环境与实际情况的相似度，从而进一步提高了 MBAF的准确性，因此有效地提高了通孔结构的工艺窗口。
【附图说明】
[0026]图1为常规的RBAF规则示意图
[0027]图2为本发明一较佳实施例的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法的流程示意图
【具体实施方式】
[0028]为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
[0029]以下将结合附图2和具体实施例对本发明的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。
[0030]请参阅图2，本实施例中的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，包括:
[0031]步骤01:输入版图图形，对版图图形进行基于规则的OPC图形修正得到新的目标图形；
[0032]这里，可以对目标层图形尺寸整体增加或者减少某一设定值，或者根据图形的线宽和间距所属范围，按照给定的规则增加或者减少图形尺寸，从而生成新的目标层图形。由于该步骤01可以采用常规的方法，这是本领域技术人员可以知晓的，这里不再赘述。
[0033]步骤02:在新的目标层图形中添加基于规则的亚分辨率辅助图形；
[0034]这里，根据辅助图形规则，进行辅助图形的添加；可以采用常规的方法，这是本领域技术人员可以知晓的，这里不再赘述。
[0035]步骤03:利用OPC修正模型对新的目标层图形进行多次OPC图形修正，以得到OPC修正后的图形；
[0036]这里，所采用的OPC修正模型为最佳光刻条件时的OPC修正模型，OPC图形修正的过程 是为本领域技术人员可以知晓的，这里不再赘述。
[0037]在步骤03之后、且后续步骤04之前还包括如下步骤:
[0038]步骤011:设定通孔工艺规范，利用OPC工艺窗口模型对OPC修正后的图形进行仿真，从而对通孔工艺窗口进行检测；
[0039]这里，通孔工艺规范包括最佳光刻条件和设定焦深能量范围内，通孔的线宽变化，边缘放置误差，图形断裂，图形桥接，通孔曝光后面积的允许范围；利用OPC工艺窗口模型对OPC修正后图形进行仿真从而对通孔的工艺窗口进行检测。OPC工艺窗口模型包含了一定范围曝光能量和焦距下的通孔工艺信息。
[0040]如果检测到通孔工艺窗口没有达到所设定的通孔工艺规范的要求，则继续进行后续步骤022 ;如果检测到通孔工艺窗口达到所设定的通孔工艺规范的要求，则继续进行后续步骤04。
[0041]步骤022:根据检测结果，在OPC修正后的图形中设定需要继续进行OPC修正的图形区域，从而优化通孔工艺窗口 ；
[0042]这里，根据检测结果，对于不符合通孔工艺规范的图形，将超出通孔工艺规范所设定范围的图形区域设定为需要继续进行OPC图形修正的区域。设定需要继续进行OPC修正的图形区域包括:以每个不符合通孔工艺规范的通孔图形所在位置为中心，以步骤03中的OPC修正模型的信号影响范围为半径划定区域。
[0043]步骤033:在步骤022所设定的需要继续进行OPC修正的图形区域中，去除基于规则的亚分辨率辅助图形并添加基于模型的亚分辨率辅助图形；
[0044]这里，由于进行了多次OPC图形修正过程之后所得到的OPC修正后的图形中具有基于规则的辅助图形(RBAF)，而RBAF具有盲目性，因此，需要对其进行再次修正；本实施例中，引入了基于模型的辅助图形(MBAF)，在检测通孔工艺窗口，设定不符合规范的通孔区域后，由MBAF来代替不符合规范的通孔区域中的RBAF，这样，MBAF可以具有较强的针对性，即针对通孔工艺窗口较小的区域来添加；并且，MBAF是在OPC修正后的图形中添加的，由于OPC修正后的图形和周围环境与实际情况更加相似，因此，提高了 MBAF添加的准确性。
[0045]步骤044:利用OPC修正模型对所设定的图形区域中需要进行OPC修正的图形继续进行多次OPC修正
[0046]这里，所采用的OPC修正模型与步骤03中所采用的OPC修正模型为同一模型。
[0047]步骤04:对所有OPC修正后的图形进行后处理。
[0048]这里，后处理包括:对OPC修正后的图形出现的小于预设尺寸的凸起和凹口进行处理，或者对违反掩模版规则的边缘进行处理。
[0049]因此，本发明通过将RBAF和MBAF相结合，在OPC修正过程中对不符合规范的区域中的通孔引入MBAF，相比于传统方法中在整个目标图形层中加入MBAF来说，具有很强针对性，并且提高了效率；同时由于MBAF是对经OPC修正后的图形进行仿真后再添加的，提高了图形和环境与实际情况的相似度，从而进一步提高了辅助图形的准确性，因此有效地提高了通孔的工艺窗口。
[0050]虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。
【主权项】
1.一种提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，包括: 步骤01:输入版图图形，对版图图形进行基于规则的OPC图形修正得到新的目标图形； 步骤02:在所述新的目标层图形中添加基于规则的亚分辨率辅助图形； 步骤03:利用OPC修正模型对所述新的目标层图形进行多次OPC图形修正，以得到OPC修正后的图形； 步骤04:对所有所述OPC修正后的图形进行后处理； 其特征在于，在所述步骤03之后且在所述步骤04之前还包括: 步骤011:设定通孔工艺规范，利用OPC工艺窗口模型对所述OPC修正后的图形进行仿真，从而对通孔工艺窗口进行检测； 步骤022:根据所述检测结果，在OPC修正后的图形中设定需要继续进行OPC修正的图形区域，从而优化所述通孔工艺窗口 ； 步骤033:在所述步骤022所设定的需要继续进行OPC修正的图形区域中，去除所述基于规则的亚分辨率辅助图形并添加基于模型的亚分辨率辅助图形； 步骤044:利用OPC修正模型对所设定的图形区域中需要进行OPC修正的图形继续进行多次OPC修正；其中， 如果步骤011中检测的结果为所述通孔工艺窗口达到所设定的通孔工艺规范的要求，则直接进行所述步骤04。2.根据权利要求1所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤01包括对所述目标层图形尺寸整体增加或者减少某一设定值，或者根据图形的线宽和间距所属范围，按照设定的规则增加或者减少图形尺寸，从而生成新的目标层图形。3.根据权利要求1所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤03中，所采用的OPC修正模型为最佳光刻条件时的OPC修正模型。4.根据权利要求1所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤011中，所述通孔工艺规范包括最佳光刻条件和设定焦深能量范围内，通孔的线宽变化，边缘放置误差，图形断裂，图形桥接，通孔曝光后面积的允许范围。5.根据权利要求4所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤011中，所述OPC工艺窗口模型包含了一定范围曝光能量和焦距下的通孔工艺信息。6.根据权利要求1所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤022中包括:根据所述检测结果，对于不符合所述通孔工艺规范的图形，将超出所述通孔工艺规范所设定范围的图形区域设定为需要继续进行OPC图形修正的区域。7.根据权利要求6所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤022中，所述设定需要继续进行OPC修正的图形区域包括:以每个不符合所述通孔工艺规范的通孔图形所在位置为中心，以所述步骤03中的OPC修正模型的信号影响范围为半径划定区域。8.根据权利要求1所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤044中所采用的OPC修正模型与所述步骤03中所采用的OPC修正模型为同一个模型。9.根据权利要求1所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤04中所述的后处理包括:对所述OPC修正后的图形出现的小于预设尺寸的凸起和凹口进行 处理，或者对违反掩模版规则的边缘进行处理。
【专利摘要】本发明提供了一种提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，包括：对版图图形进行基于规则的OPC图形修正得到新的目标图形；在新的目标层图形中添加基于规则的亚分辨率辅助图形，然后进行多次OPC图形修正；设定通孔工艺规范，利用OPC工艺窗口模型对OPC修正后的图形进行仿真以对通孔工艺窗口进行检测；根据检测结果，在OPC修正后的图形中设定需要继续进行OPC修正来优化通孔工艺窗口的图形区域；在设定的图形区域中，去除基于规则的亚分辨率辅助图形并添加基于模型的亚分辨率辅助图形；利用OPC修正模型对所设定的添加了基于模型的亚分辨率辅助图形的OPC修正图形继续进行多次OPC修正；对所有OPC修正后的图形进行后处理。
【IPC分类】G03F1/36
【公开号】CN104898367
【申请号】CN201510249125
【发明人】胡红梅
【申请人】上海集成电路研发中心有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年5月15日
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种提高通孔工艺窗口的OPC修正方法。
【背景技术】
[0002]按照摩尔定律，芯片特征尺寸不断缩小，达到0.13um及其以下工艺节点，使用的光刻波长(193nm)已经远大于关键尺寸(⑶)，这使得衍射、干涉等导致的光学临近效应成为影响光刻工艺的关键因素。光学邻近效应修正(OPC)是通过对掩膜版图形进行修正，最大可能的解决光刻图形变形的问题，典型地如光刻后线端缩短边缘的现象。另外，随着线宽特征尺寸的的不断缩小，曝光图形尤其是通孔结构的掩模版误差因子(Mask ErrorEffect1MEEF)也明显增大，相应地，掩模版图形尺寸的微小波动可能导致硅片上图形线宽的巨大波动，因此对通孔的工艺窗口提出了更高的要求，从而确保一定的良率.
[0003]通过在通孔周围插入亚分辨率辅助图形(SRAF，sub rule assist feature)可以有效地改善图形的空间频率和空间像，从而提高OPC精度，因此对提高工艺窗口起到一定的作用。
[0004]在OPC修正过程中，通孔层常规的AF添加方法主要是按照某种规则(Rule)对通孔的目标层添加SRAF (亚分辨率辅助图形)，即RBAF。对于线边AF(sideAF)，主要参数有SBW(AF的线宽)，S2M(AF与主图形之间的距离)以及S2S (AF与AF之间的距离)，对于拐角处的AF (corner AF)，主要参数有SBW(AF的线宽)和S2M(AF与主图形之间的距离)，如图1为常规的RBAF规则示意图，。然而随着通孔尺寸的不断减小，图形的MEEF值也不断增加，尤其是对于复杂的不规则图形，RBAF的盲目性决定了依靠单一的RBAF方案已经不能有效地提高通孔工艺窗口。MBAF利用OPC模型对图形(pattern)以及图形(pattern)周边的环境进行仿真从而确定AF的尺寸和放置，因此相对于RBAF具有更高的准确性。然而如果对整个目标图形层加入MBAF，针对性不强而且降低了 OPC的效率。
【发明内容】
[0005]为了克服以上问题，本发明旨在提供一种提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，通过将RBAF和MBAF的相结合，从而既利用了 RBAF的高效率和MBAF的高准确性，又避免了RBAF的盲目性和MBAF的效率低的问题。
[0006]为了实现上述目的，本发明提供了一种提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，包括:
[0007]步骤01:输入版图图形，对版图图形进行基于规则的OPC图形修正得到新的目标图形；
[0008]步骤02:在所述新的目标层图形中添加基于规则的亚分辨率辅助图形；
[0009]步骤03:利用OPC修正模型对所述新的目标层图形进行多次OPC图形修正，以得到OPC修正后的图形；
[0010]步骤04:对所有所述OPC修正后的图形进行后处理；
[0011]其中，在所述步骤03之后且在所述步骤04之前还包括:
[0012]步骤Oil:设定通孔工艺规范，利用OPC工艺窗口模型对所述OPC修正后的图形进行仿真，从而对通孔工艺窗口进行检测；
[0013]步骤022:根据所述检测结果，在OPC修正后的图形中设定需要继续进行OPC修正的图形区域，从而优化所述通孔工艺窗口 ；
[0014]步骤033:在所述步骤022所设定的需要继续进行OPC修正的图形区域中，去除所述基于规则的亚分辨率辅助图形并添加基于模型的亚分辨率辅助图形；
[0015]步骤044:利用OPC修正模型对所设定的图形区域中需要进行OPC修正的图形继续进行多次OPC修正；其中，
[0016]如果步骤Oll中检测的结果为所述通孔工艺窗口达到所设定的通孔工艺规范的要求，则直接进行所述步骤04。
[0017]优选地，所述步骤Ol包括对所述目标层图形尺寸整体增加或者减少某一设定值，或者根据图形的线宽和间距所属范围，按照设定的规则增加或者减少图形尺寸，从而生成新的目标层图形。
[0018]优选地，所述步骤03中，所采用的OPC修正模型为最佳光刻条件时的OPC修正模型。
[0019]优选地，所述步骤Oll中，所述通孔工艺规范包括最佳光刻条件和设定焦深能量范围内，通孔的线宽变化，边缘放置误差，图形断裂，图形桥接，通孔曝光后面积的允许范围。
[0020]优选地，所述步骤Oll中，所述OPC工艺窗口模型包含了一定范围曝光能量和焦距下的通孔工艺信息。
[0021]优选地，所述步骤022中包括:根据所述检测结果，对于不符合所述通孔工艺规范的图形，将超出所述通孔工艺规范所设定范围的图形区域设定为需要继续进行OPC图形修正的区域。
[0022]优选地，所述步骤022中，所述设定需要继续进行OPC修正的图形区域包括:以每个不符合所述通孔工艺规范的通孔图形所在位置为中心，以所述步骤03中的OPC修正模型的信号影响范围为半径划定区域。
[0023]优选地，所述步骤044中所采用的OPC修正模型与所述步骤03中所采用的OPC修正模型为同一个模型。
[0024]优选地，所述步骤04中所述的后处理包括:对所述OPC修正后的图形出现的小于预设尺寸的凸起和凹口进行处理，或者对违反掩模版规则的边缘进行处理。
[0025]本发明通过将RBAF和MBAF相结合，在OPC修正过程中对不符合规范的区域中的通孔引入MBAF，相比于传统方法中在整个目标图形层中加入MBAF来说，具有很强针对性，并且提高了效率；同时由于MBAF是对经OPC修正后的图形进行仿真后再添加的，提高了图形和环境与实际情况的相似度，从而进一步提高了 MBAF的准确性，因此有效地提高了通孔结构的工艺窗口。
【附图说明】
[0026]图1为常规的RBAF规则示意图
[0027]图2为本发明一较佳实施例的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法的流程示意图
【具体实施方式】
[0028]为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
[0029]以下将结合附图2和具体实施例对本发明的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。
[0030]请参阅图2，本实施例中的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，包括:
[0031]步骤01:输入版图图形，对版图图形进行基于规则的OPC图形修正得到新的目标图形；
[0032]这里，可以对目标层图形尺寸整体增加或者减少某一设定值，或者根据图形的线宽和间距所属范围，按照给定的规则增加或者减少图形尺寸，从而生成新的目标层图形。由于该步骤01可以采用常规的方法，这是本领域技术人员可以知晓的，这里不再赘述。
[0033]步骤02:在新的目标层图形中添加基于规则的亚分辨率辅助图形；
[0034]这里，根据辅助图形规则，进行辅助图形的添加；可以采用常规的方法，这是本领域技术人员可以知晓的，这里不再赘述。
[0035]步骤03:利用OPC修正模型对新的目标层图形进行多次OPC图形修正，以得到OPC修正后的图形；
[0036]这里，所采用的OPC修正模型为最佳光刻条件时的OPC修正模型，OPC图形修正的过程 是为本领域技术人员可以知晓的，这里不再赘述。
[0037]在步骤03之后、且后续步骤04之前还包括如下步骤:
[0038]步骤011:设定通孔工艺规范，利用OPC工艺窗口模型对OPC修正后的图形进行仿真，从而对通孔工艺窗口进行检测；
[0039]这里，通孔工艺规范包括最佳光刻条件和设定焦深能量范围内，通孔的线宽变化，边缘放置误差，图形断裂，图形桥接，通孔曝光后面积的允许范围；利用OPC工艺窗口模型对OPC修正后图形进行仿真从而对通孔的工艺窗口进行检测。OPC工艺窗口模型包含了一定范围曝光能量和焦距下的通孔工艺信息。
[0040]如果检测到通孔工艺窗口没有达到所设定的通孔工艺规范的要求，则继续进行后续步骤022 ;如果检测到通孔工艺窗口达到所设定的通孔工艺规范的要求，则继续进行后续步骤04。
[0041]步骤022:根据检测结果，在OPC修正后的图形中设定需要继续进行OPC修正的图形区域，从而优化通孔工艺窗口 ；
[0042]这里，根据检测结果，对于不符合通孔工艺规范的图形，将超出通孔工艺规范所设定范围的图形区域设定为需要继续进行OPC图形修正的区域。设定需要继续进行OPC修正的图形区域包括:以每个不符合通孔工艺规范的通孔图形所在位置为中心，以步骤03中的OPC修正模型的信号影响范围为半径划定区域。
[0043]步骤033:在步骤022所设定的需要继续进行OPC修正的图形区域中，去除基于规则的亚分辨率辅助图形并添加基于模型的亚分辨率辅助图形；
[0044]这里，由于进行了多次OPC图形修正过程之后所得到的OPC修正后的图形中具有基于规则的辅助图形(RBAF)，而RBAF具有盲目性，因此，需要对其进行再次修正；本实施例中，引入了基于模型的辅助图形(MBAF)，在检测通孔工艺窗口，设定不符合规范的通孔区域后，由MBAF来代替不符合规范的通孔区域中的RBAF，这样，MBAF可以具有较强的针对性，即针对通孔工艺窗口较小的区域来添加；并且，MBAF是在OPC修正后的图形中添加的，由于OPC修正后的图形和周围环境与实际情况更加相似，因此，提高了 MBAF添加的准确性。
[0045]步骤044:利用OPC修正模型对所设定的图形区域中需要进行OPC修正的图形继续进行多次OPC修正
[0046]这里，所采用的OPC修正模型与步骤03中所采用的OPC修正模型为同一模型。
[0047]步骤04:对所有OPC修正后的图形进行后处理。
[0048]这里，后处理包括:对OPC修正后的图形出现的小于预设尺寸的凸起和凹口进行处理，或者对违反掩模版规则的边缘进行处理。
[0049]因此，本发明通过将RBAF和MBAF相结合，在OPC修正过程中对不符合规范的区域中的通孔引入MBAF，相比于传统方法中在整个目标图形层中加入MBAF来说，具有很强针对性，并且提高了效率；同时由于MBAF是对经OPC修正后的图形进行仿真后再添加的，提高了图形和环境与实际情况的相似度，从而进一步提高了辅助图形的准确性，因此有效地提高了通孔的工艺窗口。
[0050]虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。
【主权项】
1.一种提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，包括: 步骤01:输入版图图形，对版图图形进行基于规则的OPC图形修正得到新的目标图形； 步骤02:在所述新的目标层图形中添加基于规则的亚分辨率辅助图形； 步骤03:利用OPC修正模型对所述新的目标层图形进行多次OPC图形修正，以得到OPC修正后的图形； 步骤04:对所有所述OPC修正后的图形进行后处理； 其特征在于，在所述步骤03之后且在所述步骤04之前还包括: 步骤011:设定通孔工艺规范，利用OPC工艺窗口模型对所述OPC修正后的图形进行仿真，从而对通孔工艺窗口进行检测； 步骤022:根据所述检测结果，在OPC修正后的图形中设定需要继续进行OPC修正的图形区域，从而优化所述通孔工艺窗口 ； 步骤033:在所述步骤022所设定的需要继续进行OPC修正的图形区域中，去除所述基于规则的亚分辨率辅助图形并添加基于模型的亚分辨率辅助图形； 步骤044:利用OPC修正模型对所设定的图形区域中需要进行OPC修正的图形继续进行多次OPC修正；其中， 如果步骤011中检测的结果为所述通孔工艺窗口达到所设定的通孔工艺规范的要求，则直接进行所述步骤04。2.根据权利要求1所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤01包括对所述目标层图形尺寸整体增加或者减少某一设定值，或者根据图形的线宽和间距所属范围，按照设定的规则增加或者减少图形尺寸，从而生成新的目标层图形。3.根据权利要求1所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤03中，所采用的OPC修正模型为最佳光刻条件时的OPC修正模型。4.根据权利要求1所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤011中，所述通孔工艺规范包括最佳光刻条件和设定焦深能量范围内，通孔的线宽变化，边缘放置误差，图形断裂，图形桥接，通孔曝光后面积的允许范围。5.根据权利要求4所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤011中，所述OPC工艺窗口模型包含了一定范围曝光能量和焦距下的通孔工艺信息。6.根据权利要求1所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤022中包括:根据所述检测结果，对于不符合所述通孔工艺规范的图形，将超出所述通孔工艺规范所设定范围的图形区域设定为需要继续进行OPC图形修正的区域。7.根据权利要求6所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤022中，所述设定需要继续进行OPC修正的图形区域包括:以每个不符合所述通孔工艺规范的通孔图形所在位置为中心，以所述步骤03中的OPC修正模型的信号影响范围为半径划定区域。8.根据权利要求1所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤044中所采用的OPC修正模型与所述步骤03中所采用的OPC修正模型为同一个模型。9.根据权利要求1所述的提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，其特征在于，所述步骤04中所述的后处理包括:对所述OPC修正后的图形出现的小于预设尺寸的凸起和凹口进行 处理，或者对违反掩模版规则的边缘进行处理。
【专利摘要】本发明提供了一种提高通孔工艺窗口的OPC修正方法，包括：对版图图形进行基于规则的OPC图形修正得到新的目标图形；在新的目标层图形中添加基于规则的亚分辨率辅助图形，然后进行多次OPC图形修正；设定通孔工艺规范，利用OPC工艺窗口模型对OPC修正后的图形进行仿真以对通孔工艺窗口进行检测；根据检测结果，在OPC修正后的图形中设定需要继续进行OPC修正来优化通孔工艺窗口的图形区域；在设定的图形区域中，去除基于规则的亚分辨率辅助图形并添加基于模型的亚分辨率辅助图形；利用OPC修正模型对所设定的添加了基于模型的亚分辨率辅助图形的OPC修正图形继续进行多次OPC修正；对所有OPC修正后的图形进行后处理。
【IPC分类】G03F1/36
【公开号】CN104898367
【申请号】CN201510249125
【发明人】胡红梅
【申请人】上海集成电路研发中心有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年5月15日
最新回复(0)