用于控制激光发射单元的功率的方法及相关装置的制造方法
用于控制激光发射单元的功率的方法及相关装置的制造方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明关于控制激光发射单元的功率，更具体地，关于利用由光检测器集成电路感测到的反射光的功率来控制激光发射单元的功率的方法及相关装置。
【【背景技术】】
[0002]在选择性激光烧结(selective laser sintering，SLS)机的常规光学拾取头单元(optical pick-up head unit,OPU)或光盘驱动器(optical disc drive)中，前置监视器光电二极管传感器(front monitor photod1de sensor，FMD)被用来测量激光二极管的功率，以补偿/调节该激光二极管的功率。然而，FMD增加了光学拾取头单元的制造成本。
[0003]另外，激光二极管的功率特性在不同温度的环境下会改变，因此，常规的光学拾取头单元可以包括温度传感器以获得当前的温度，并且光学拾取头单元需要找到激光功率和激光驱动电流在多个不同温度下二者之间的关系以建立多个模型，以及光学拾取头单元可以选择一个模型以补偿/调整激光二极管的功率。然而，温度传感器也增加了光学拾取头单元的制造成本，并且，由于激光二极管各种各样的特性和/或激光二极管老化问题，可能难以找到合适的模型。
【
【发明内容】
】
[0004]因此，本发明的一个目的是提供一种用于控制激光发射单元的功率的方法和相关
目.ο
[0005]根据本发明的实施例，提供一种用于控制激光发射单元的功率的方法，包含:从一对象接收反射光，其中所述对象反射从所述激光发射单元发射的光；确定所述反射光的功率；以及通过参照所述反射光的功率位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。
[0006]根据本发明的另一实施例，提供一种用于控制激光发射单元的功率的装置，包含光检测器集成电路和功率控制电路。光检测器集成电路用于从一对象接收反射光，其中所述对象反射从所述激光发射单元发射的光。功率控制电路耦接于所述光检测器集成电路，用于确定所述反射光的功率，以及通过参照所述反射光的功率位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。
[0007]上述用于控制激光发射单元的功率的方法和相关装置可节省制造成本，准确地补偿激光二极管的功率。
【【附图说明】】
[0008]图1为根据本发明一实施例的选择性激光烧结机100的示意图。
[0009]图2为离线和在线产生的功率控制信号曲线的示意图。
[0010]图3为根据本发明一实施例的光盘驱动器300的示意图。
[0011]图4为根据本发明第一实施例用于控制激光二极管340功率的方法流程图。
[0012]图5为离线和在线产生的功率控制信号曲线的示意图。
[0013]图6为如何获得塑料层374的反射光的功率的示意图。
[0014]图7为根据本发明第二实施例用于控制激光二极管340功率的方法流程图。
[0015]图8显示逻辑块寻址和反射光相应的功率。
[0016]图9为根据本发明第三实施例用于控制激光二极管340功率的方法流程图。
[0017]图10显示当光盘驱动器300将数据写入到光盘370时激光二极管340的电流，以及用于采样和保持电路的采样信号。
[0018]图11为根据本发明第四实施例用于控制激光二极管340功率的方法流程图。
[0019]图12为根据本发明第五实施例用于控制激光二极管340功率的方法流程图。
[0020]图13为根据本发明第六实施例用于控制激光二极管340功率的方法流程图。
【【具体实施方式】】
[0021]在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。本领域中技术人员应可理解，电子装置制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准贝1J。在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。以外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述第一装置耦接到第二装置，则代表该第一装置可直接电气连接于该第二装置，或通过其他装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。
[0022]请参考图1，其为根据本发明一实施例的选择性激光烧结机100的示意图，其中选择性激光烧结机100使用激光作为电源(power source)来烧结(sinter)粉末状材料(例如金属粉末)，激光自动聚焦在3D模型所定义空间中的点(point)，将粉末状材料烧结在一起创造一个稳固的结构。在本实施例中，选择性激光烧结机100包括光检测器集成电路(photo detector integrated circuit，以下简称 F1DIC) 110、功率控制电路 120、激光驱动器130、发光单元(light emitting unit)(在本实施例中，激光二极管(laser d1de，图示简称LD) 140)、两个透镜152和154、以及组件160，其中组件160可以是具有合适表面或光滑表面的任何部件，用于反射从激光二极管140发射的光。
[0023]在选择性激光烧结机100的操作中，功率控制电路120被设置为产生控制信号Sc,以及激光驱动器130接收控制信号Sc来控制激光二极管140的电流(即控制激光二极管140的功率)。然后，激光二极管140经由透镜152和154发射光到粉末状材料以烧结粉末状材料。然而，因为由功率控制电路120产生的控制信号Sc与激光二极管140的功率之间的关系可能并不总是相同的，因此，PDIC110和电源控制电路120提供了一种机制，以准确地补偿/调整激光二极管140的功率。应该注意，由功率控制电路120所产生的控制信号Sc可以通过多种类型来实现。例如但不限于，该控制信号可以是控制电压、控制电流或用于激光驱动器130的DSP (数字信号处理器)参数，并且DSP参数可以是保存在DAC (数字模拟转换器)寄存器中的自动功率控制参数。
[0024]在roic I1和电源控制电路120的操作中，roic 110接收来自粉末状材料的反射光(reflected light)，以及功率控制电路120确定所述反射光的功率，并确定控制信号因应所述反射光的功率，以控制激光二极管140的功率。具体地，请参考图2，其为离线和在线产生的功率控制信号曲线的示意图。当选择性激光烧结机100在生产线中，功率控制电路120产生至少两个控制信号Scl和Sc2以控制激光二极管140的功率(文中的控制信号Sci和sC2为大于或等于ο的任意控制信号)，并且roic 110接收分别对应于该控制信号Scl和Sc2的反射光(来自粉末状材料)。然后，功率控制电路120可以建立离线功率控制信号曲线。应该注意的是，在本实施例中，假定激光二极管140的功率与来自粉末状材料的反射光的功率之间的关系(如比例)被确定并且是始终不变的，因此，图2中所示术语“功率”可以指的是激光二极管140的功率或由roiC 110所感测(sense)的反射光的功率。换句话说，在生产线上，激光二极管140的功率/反射功率/控制信号Sc之间的关系是已知的。
[0025]当选择性激光烧结机100处于使用中，因为环境问题或激光二极管的老化问题，离线功率控制信号曲线可能不适合用来补偿/调整激光二极管140的功率，所以电源控制电路120产生至少两个控制信号SclH和Sc2H以控制激光二极管140的功率(文中的控制信号Sci和sC2为大于或等于ο的任意控制信号)，并且roic 110接收分别对应于控制信号SclH和Sc2H的反射光(来自粉末状材料)。然后，功率控制电路120可以建立在线功率控制信号曲线。因此，当选择性激光烧结机100处于使用中，PDIC 110可以连续地接收反射光，并且功率控制电路120可以连续地确定由roic 110接收的反射光的功率，或者可以周期性地确定由roic 110接收的反射光的功率，通过参照反射光的功率位准(level)，以产生控制信号Sc来补偿/调整激光二极管140的功率。
[0026]例如，假定激光二极管140是必需的，以发射具有功率PWl的光，以及因为来自粉末状材料的反射光的功率被确定并且是始终不变的，所以反射光的革E功率(target power)是已知的(下文PW2)。因此，功率控制电路120可以参考反射光的功率以补偿/调整激光二极管140的功率，使反射光的功率等于或接近PW2，并且此时激光二极管140应具有所需的功率PWl。
[0027]另外，在上述实施例中，功率控制电路120通过参照来自粉末状材料的反射光的功率位准来产生控制信号Sc ο然而，在其他实施例中，功率控制电路120可通过参照来自组 件160 (如选择性激光烧结机100内的金属片)的反射光的功率位准来产生控制信号Sc，即当激光二极管140的功率想要被补偿/调整，激光二极管140将发射光到组件160，以及PDIC 110将接收来自元件160的反射光。这种替代设计应落入本发明的范围之内。
[0028]请参考图3，其为根据本发明一实施例的光盘驱动器300的示意图。如图3所示，光盘驱动器300包括roic 310、功率控制电路320、激光驱动器330、发光单元(在本实施例中，激光二极管(LD) 340)、两个透镜352和354、以及组件360，其中，组件360可以是具有合适表面或光滑表面的任何部件，用于反射从激光二极管340发射的光。此外，光盘驱动器300被设置为将数据写入光盘370或从光盘370读取数据，其中光盘370主要包括塑料层374和用于记录数据的反射层372。
[0029]在光盘驱动器300的操作中，功率控制电路320被设置为产生控制信号Sc，以及激光驱动器330接收控制信号以控制激光二极管340的电流(即控制激光二极管340的功率)。然后，激光二极管340经由透镜352和354发射光至光盘370，以从光盘370读取数据或将数据写入到光盘370中。然而，因为由功率控制电路320产生的控制信号和激光二极管340的功率之间的关系可能不总是相同的，因此，PDIC 310和功率控制电路320提供了一种机制以准确地补偿/调整激光二极管340的功率。
[0030]请参考图4，其为根据本发明第一实施例的用于控制激光二极管340的功率的方法流程图。应该注意的是，在生产线中，光盘驱动器300已建立了图5所示的离线功率控制信号曲线图。详细地说，参照图5，在生产线中，功率控制电路320产生至少两个控制信号Scl和Sc2以控制激光二极管340的功率(文中的控制信号Scl和Sc2为大于或等于O的任意控制信号)，并且roiC 310接收分别对应于控制信号Scl和Sc2的反射光(来自光盘370的塑料层374或来自组件360)。然后，功率控制电路320可以建立离线功率控制信号曲线。应该注意的是，在本实施例，假定激光二极管340的功率与来自塑料层374/组件360的反射光的功率之间的关系(如比例)被确定并且总是相同的，因此，图5中所示的术语“功率”可以指的是激光二极管340的功率或由PDIC 310所感测的反射光的功率。换言之，在生产线上，激光二极管340的功率/反射功率/控制信号Sc之间的关系是已知的。参照图3-5 一起，流程说明如下。
[0031]在步骤400，流程开始。在步骤402，功率控制电路320通过确定至少两个控制信号以及光盘370的塑料层374的反射光相应的功率或来自光盘驱动器300的组件360的反射光相应的功率来补偿功率控制信号曲线。详细地，由于环境问题或激光二极管的老化问题，离线功率控制信号曲线可能不适合用来补偿/调整激光二极管340的功率，所以功率控制电路320产生至少两个控制信号SclH和Sc2H以控制激光二极管340的功率(文中的控制信号Sci和sC2为大于或等于ο的任意控制信号)，以及roic 310接收分别对应于控制信号SclH和Sc2H的反射光(来自粉末状材料)。然后，功率控制电路320可以建立在线功率控制信号曲线。
[0032]然后，在步骤404，当光盘驱动器在使用中，PDIC 310接收来自光盘370的塑料层374的反射光或来自光盘驱动器300的组件360的反射光。在步骤406，功率控制电路320确定塑料层374的反射光功率或来自组件360的反射光功率。最后，在步骤408，电源控制电路320通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc,以补偿/调整激光二极管340的功率。
[0033]请注意，可以连续执行或周期性执行步骤404-408来补偿/调整激光二极管340的功率。
[0034]另外，参照图6，其为如何获得塑料层374的反射光功率的示意图。请参考图6，通过移动透镜来调整焦点位置，获得塑料层374的反射光的功率和反射层372的反射光的功率。因为塑料层374的反射光功率应该比反射层372的反射光功率小很多，因此，塑料层374的反射光功率可以通过确定roiC 310感测到的反射光功率来获得。
[0035]请参考图7，其为根据本发明第二实施例用于控制激光二极管340功率的方法的流程图。参照图3和图7—起，流程描述如下。
[0036]在步骤700，流程开始。在步骤702，roiC 310感测来自光盘300的许多不同区域的反射层372的反射光，以及功率控制电路320记录来自光盘300的许多不同区域的反射层372的反射光功率。例如，参考图8，光盘370具有四个逻辑块寻址(logicalblock addressing) LBA1-LBA4，以及功率控制电路320记录来自LBA1-LBA4的反射光功率RFL1-RFL4。此外，对于2个LBA之间的边界处如LBAX1-LBAX5，内插方法可被执行以产生反射光的功率。
[0037]然后，在步骤704，当激光二极管340的功率将要被补偿/调整时，功率控制电路320测量光盘370的反射层372的反射光功率。在步骤706，功率控制电路320确定反射光是否是来自光盘370的反射层372中的数据区域或空白区域，例如，在图8中，“Blankl = 0”意味着LBAl是数据区域，以及“Blank3 = I”意味着LBA3是空白区域。然后，在步骤708，功率控制电路320通过调整具有对应于数据区域的参数或具有对应于空白区域的另一参数的所测量功率，来确定反射层372的反射光功率。最后，在步骤710，功率控制电路320通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc,以补偿/调整激光二极管340的读取功率。
[0038]请参考图9，其为根据本发明第三实施例用于控制激光二极管340功率的方法的流程图。此外，在图9的流程图中，假定激光二极管340的功率/反射功率/控制信号Sc之间的关系已经获得。参照图3和图9 一起，流程进行说明如下。
[0039]在步骤900，流程开始。在步骤902，当光盘驱动器300将数据写入到光盘370中时，功率控制电路320确定光盘370的反射层372的反射光功率。例如，参考图10，其显示当光盘驱动器300将数据写入到光盘370时激光二极管340的电流，也就是^或I ^，并且功率控制电路320可使用采样和保持(S/Η)电路以使用采样信号P1，P2或P3来从I3DIC310采样信号(来自roiC 310的信号的波形类似于1^>或Iu/),以获得光盘370的反射层372的反射光功率。然后，在步骤904，功率控制电路320通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc,以补偿/调整激光二极管340的写入功率。
[0040]请参考图11，其为根据本发明第四实施例用于控制激光二极管340功率的方法的流程图。此外，图11的流程图中，假设激光二极管340的功率/反射功率/控制信号Sc之间的关系已经获得，以及光盘370是数字通用光盘随机存取存储器(Digital VersatileDisc Random Access Memory, DVD-RAM)。参照图 3 和图 11 一起，流程描述如下。
[0041]在步骤1100，流程开始。在步骤1102，当光盘驱动器将数据写入DVD-RAM中时，功率控制电路320确定来自光盘反射层372首标(header)的反射光的功率。然后，在步骤1104，功率控制电路320通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc，以补偿/调整激光二极管340的读/写功率。
[0042]请参考图12，其为根据本发明第五实施例用于控制激光二极管340功率的方法的流程图。此外，在图12的流程图中，假设激光二极管340的功率/反射功率/控制信号Sc之间的关系已经获得。参照图3和图12 —起，流程描述如下。
[0043]在步骤1200，流程开始。在步骤1202，当光盘驱动器300从光盘370中读取数据时，功率控制电路320确定光盘370反射层372的反射光功率。接着，在步骤1204，功率控制电路320通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc,以预补偿/预确定激光二极管340写入数据时的功率以供进一步使用。
[0044]请参考图13，其为根据本发明第六实施例用于控制激光二极管340功率的方法的流程图。此外，在图13的流程图中，假设激光二极管340的功率/反射功率/控制信号Sc之间的关系已经获得。参照图3和图13 —起，流程描述如下。
[0045]在步骤1300，流程开始。在步骤1302，当光盘驱动器300将数据写入到光盘370中时，功率控制电路320确定光盘370反射层372的反射光功率。接着，在步骤1304，功率控制电路320通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc,以预补偿/预确定激光二极管340读取数据时的功率以供进一步使用 。
[0046]对于上述实施例中，有关通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc以补偿激光二极管340的功率的步骤，例如假定激光二极管340是必需的，以发射具有功率PWl的光，并且由于来自粉末状材料的反射光的功率是确定的并总是相同的，所以反射光的靶功率是已知的(下文PW2)。因此，功率控制电路320可以参照反射光的功率，以补偿/调整激光二极管340的功率，以使反射光的功率等于或接近PW2，并且此时激光二极管340应具有所需的功率PWl。
[0047]鉴于上述，在本发明的方法和相关装置中，反射光的功率被用于确定控制信号，以控制激光二极管的功率，具体地，其可以通过使用由光检测器集成电路感测到的反射光的所确定功率来补偿/调节激光二极管的功率，因此，不使用FMD和温度传感器以节省制造成本。此外，本发明的方法和装置并不需要建立模型并且激光二极管的功率即使在环境问题或激光二极管的老化问题下也可被准确地补偿。
[0048]虽然本发明已经通过举例的方式以及根据优选实施例作了描述，但应当理解的是本发明不限于此。本领域技术人员还可以做各种变化和修改而不脱离本发明的范围和精神。因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
【主权项】
1.一种用于控制激光发射单元的功率的方法，其特征在于，包含: 从一对象接收反射光，其中所述对象反射从所述激光发射单元发射的光； 确定所述反射光的功率；以及 通过参照所述反射光的功率位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对象为粉末状材料。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用于选择性激光烧结机，以及所述对象是所述选择性激光烧结机内的组件。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用于光盘驱动器，以及所述对象是光盘或者所述光盘驱动器的组件，并且通过参照所述反射光的功率位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率的步骤包含: 确定所述光盘的塑料层的反射光功率或确定来自所述光盘驱动器的所述组件的反射光功率；以及 通过参照所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包含: 通过确定至少两个控制信号以及确定所述光盘的所述塑料层的反射光相应的功率或来自所述光盘驱动器的所述组件的反射光相应的功率，来补偿功率控制信号曲线；以及 通过参照所述所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率的步骤包含: 参照所述补偿后功率控制信号曲线，以通过参照所述所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘，以及确定所述反射光的功率的步骤和通过参照所述反射光的功率位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率的步骤包含: 确定所述光盘的反射层的反射光功率；以及 通过参照所确定功率的位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，确定所述光盘的所述反射层的反射光功率的步骤包含: 测量所述光盘的所述反射层的反射光功率； 确定所述反射光是否来自所述光盘的所述反射层的数据区域或空白区域；以及 通过调整具有对应于所述数据区域的参数或具有对应于所述空白区域的另一参数的所测量功率，来确定所述光盘的所述反射层的反射光功率。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘，以及确定所述反射光的功率的步骤包括: 当所述光盘驱动器将数据写入到所述光盘中时，确定所述光盘的反射层的反射光功率。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用到光盘驱动器，所述对象是数字通用光盘随机存取存储器，以及确定所述反射光的功率的步骤包括: 当所述光盘驱动器将数据写入所述数字通用光盘随机存取存储器中时，确定来自所述数字通用光盘随机存取存储器的反射层首标的反射光功率。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘或者所述光盘驱动器的组件，并且确定所述反射光的功率的步骤以及通过参照所述反射光的功率位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率的步骤包含: 当所述光盘驱动器从所述光盘中读取数据时，确定所述光盘的反射层的反射光功率；以及 通过参照所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元写入数据时的功率。11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘或者所述光盘驱动器的组件，并且确定所述反射光的功率的步骤以及通过参照所述反射光的功率位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率的步骤包含: 当所述光盘驱动器将数据写入到所述光盘中时，确定所述光盘的反射层的反射光功率；以及 通过参照所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元读取数据时的功率。12.一种用于控制激光发射单元的功率的装置，其特征在于，包含: 光检测器集成电路，用于从一对象接收反射光，其中所述对象反射从所述激光发射单元发射的光；以及 功率控制电路，耦接于所述光检测器集成电路，用于确定所述反射光的功率，以及通过参照所述反射光的功率位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述对象为粉末状材料。14.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用于选择性激光烧结机，以及所述对象是所述选择性激光烧结机内的组件。15.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用于光盘驱动器，以及所述对象是光盘或者所述光盘驱动器的组件，并且所述功率控制电路确定所述光盘的塑料层的反射光功率或确定来自所述光盘驱动器的所述组件的反射光功率，以及所述功率控制电路通过参照所述所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述功率控制电路还通过确定至少两个控制信号以及确定所述光盘的所述塑料层的反射光相应的功率或来自所述光盘驱动器的所述组件的反射光相应的功率，来补偿功率控制信号曲线；以及所述功率控制电路参照所述补偿后功率控制信号曲线，以通过参照所述所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。17.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘，以及所述功率控制电路确定所述光盘的反射层的反射光功率，及通过参照所确定功率的位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。18.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述功率控制电路测量所述光盘的所述反射层的反射光功率，确定所述反射光是否来自所述光盘的所述反射层的数据区域或空白区域，以及通过调整具有对应于所述数据区域的参数或具有对应于所述空白区域的另一参数的所测量功率，来确定所述光盘的所述反射层的反射光功率。19.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘，以及当所述光盘驱动器将数据写入到所述光盘中时，所述功率控制电路确定所述光盘的反射层的反射光功率。20.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用到光盘驱动器，所述对象是数字通用光盘随机存取存储器，以及当所述光盘驱动器将数据写入所述数字通用光盘随机存取存储器中时，所述功率控制电路确定来自所述数字通用光盘随机存取存储器的反射层首标的反射光功率。21.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘或者所述光盘驱动器的组件，并且当所述光盘驱动器从所述光盘中读取数据时，所述功率控制电路确定所述光盘的反射层的反射光功率，以及通过参照所确定功率的位准来确定所述控制信号，以所述激光发射单元写入数据时的功率。22.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘或者所述光盘驱动器的组件，并且当所述光盘驱动器将数据写入到所述光盘中时，所述功率控制电路确定所述光盘的反射层的反射光功率，以及通过参照所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元读取数据时的功率。
【专利摘要】本发明提供一种用于控制激光发射单元的功率的方法及相关装置。该方法包含：从一对象接收反射光，其中所述对象反射从所述激光发射单元发射的光；确定所述反射光的功率；以及通过参照所述反射光的功率位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。本发明可节省制造成本，准确地补偿激光二极管的功率。
【IPC分类】G11B7/126
【公开号】CN104900246
【申请号】CN201510032398
【发明人】齐孝元, 张胜智
【申请人】联发科技股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年1月22日
【公告号】US20150255105
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明关于控制激光发射单元的功率，更具体地，关于利用由光检测器集成电路感测到的反射光的功率来控制激光发射单元的功率的方法及相关装置。
【【背景技术】】
[0002]在选择性激光烧结(selective laser sintering，SLS)机的常规光学拾取头单元(optical pick-up head unit,OPU)或光盘驱动器(optical disc drive)中，前置监视器光电二极管传感器(front monitor photod1de sensor，FMD)被用来测量激光二极管的功率，以补偿/调节该激光二极管的功率。然而，FMD增加了光学拾取头单元的制造成本。
[0003]另外，激光二极管的功率特性在不同温度的环境下会改变，因此，常规的光学拾取头单元可以包括温度传感器以获得当前的温度，并且光学拾取头单元需要找到激光功率和激光驱动电流在多个不同温度下二者之间的关系以建立多个模型，以及光学拾取头单元可以选择一个模型以补偿/调整激光二极管的功率。然而，温度传感器也增加了光学拾取头单元的制造成本，并且，由于激光二极管各种各样的特性和/或激光二极管老化问题，可能难以找到合适的模型。
【
【发明内容】
】
[0004]因此，本发明的一个目的是提供一种用于控制激光发射单元的功率的方法和相关
目.ο
[0005]根据本发明的实施例，提供一种用于控制激光发射单元的功率的方法，包含:从一对象接收反射光，其中所述对象反射从所述激光发射单元发射的光；确定所述反射光的功率；以及通过参照所述反射光的功率位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。
[0006]根据本发明的另一实施例，提供一种用于控制激光发射单元的功率的装置，包含光检测器集成电路和功率控制电路。光检测器集成电路用于从一对象接收反射光，其中所述对象反射从所述激光发射单元发射的光。功率控制电路耦接于所述光检测器集成电路，用于确定所述反射光的功率，以及通过参照所述反射光的功率位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。
[0007]上述用于控制激光发射单元的功率的方法和相关装置可节省制造成本，准确地补偿激光二极管的功率。
【【附图说明】】
[0008]图1为根据本发明一实施例的选择性激光烧结机100的示意图。
[0009]图2为离线和在线产生的功率控制信号曲线的示意图。
[0010]图3为根据本发明一实施例的光盘驱动器300的示意图。
[0011]图4为根据本发明第一实施例用于控制激光二极管340功率的方法流程图。
[0012]图5为离线和在线产生的功率控制信号曲线的示意图。
[0013]图6为如何获得塑料层374的反射光的功率的示意图。
[0014]图7为根据本发明第二实施例用于控制激光二极管340功率的方法流程图。
[0015]图8显示逻辑块寻址和反射光相应的功率。
[0016]图9为根据本发明第三实施例用于控制激光二极管340功率的方法流程图。
[0017]图10显示当光盘驱动器300将数据写入到光盘370时激光二极管340的电流，以及用于采样和保持电路的采样信号。
[0018]图11为根据本发明第四实施例用于控制激光二极管340功率的方法流程图。
[0019]图12为根据本发明第五实施例用于控制激光二极管340功率的方法流程图。
[0020]图13为根据本发明第六实施例用于控制激光二极管340功率的方法流程图。
【【具体实施方式】】
[0021]在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。本领域中技术人员应可理解，电子装置制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准贝1J。在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。以外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述第一装置耦接到第二装置，则代表该第一装置可直接电气连接于该第二装置，或通过其他装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。
[0022]请参考图1，其为根据本发明一实施例的选择性激光烧结机100的示意图，其中选择性激光烧结机100使用激光作为电源(power source)来烧结(sinter)粉末状材料(例如金属粉末)，激光自动聚焦在3D模型所定义空间中的点(point)，将粉末状材料烧结在一起创造一个稳固的结构。在本实施例中，选择性激光烧结机100包括光检测器集成电路(photo detector integrated circuit，以下简称 F1DIC) 110、功率控制电路 120、激光驱动器130、发光单元(light emitting unit)(在本实施例中，激光二极管(laser d1de，图示简称LD) 140)、两个透镜152和154、以及组件160，其中组件160可以是具有合适表面或光滑表面的任何部件，用于反射从激光二极管140发射的光。
[0023]在选择性激光烧结机100的操作中，功率控制电路120被设置为产生控制信号Sc,以及激光驱动器130接收控制信号Sc来控制激光二极管140的电流(即控制激光二极管140的功率)。然后，激光二极管140经由透镜152和154发射光到粉末状材料以烧结粉末状材料。然而，因为由功率控制电路120产生的控制信号Sc与激光二极管140的功率之间的关系可能并不总是相同的，因此，PDIC110和电源控制电路120提供了一种机制，以准确地补偿/调整激光二极管140的功率。应该注意，由功率控制电路120所产生的控制信号Sc可以通过多种类型来实现。例如但不限于，该控制信号可以是控制电压、控制电流或用于激光驱动器130的DSP (数字信号处理器)参数，并且DSP参数可以是保存在DAC (数字模拟转换器)寄存器中的自动功率控制参数。
[0024]在roic I1和电源控制电路120的操作中，roic 110接收来自粉末状材料的反射光(reflected light)，以及功率控制电路120确定所述反射光的功率，并确定控制信号因应所述反射光的功率，以控制激光二极管140的功率。具体地，请参考图2，其为离线和在线产生的功率控制信号曲线的示意图。当选择性激光烧结机100在生产线中，功率控制电路120产生至少两个控制信号Scl和Sc2以控制激光二极管140的功率(文中的控制信号Sci和sC2为大于或等于ο的任意控制信号)，并且roic 110接收分别对应于该控制信号Scl和Sc2的反射光(来自粉末状材料)。然后，功率控制电路120可以建立离线功率控制信号曲线。应该注意的是，在本实施例中，假定激光二极管140的功率与来自粉末状材料的反射光的功率之间的关系(如比例)被确定并且是始终不变的，因此，图2中所示术语“功率”可以指的是激光二极管140的功率或由roiC 110所感测(sense)的反射光的功率。换句话说，在生产线上，激光二极管140的功率/反射功率/控制信号Sc之间的关系是已知的。
[0025]当选择性激光烧结机100处于使用中，因为环境问题或激光二极管的老化问题，离线功率控制信号曲线可能不适合用来补偿/调整激光二极管140的功率，所以电源控制电路120产生至少两个控制信号SclH和Sc2H以控制激光二极管140的功率(文中的控制信号Sci和sC2为大于或等于ο的任意控制信号)，并且roic 110接收分别对应于控制信号SclH和Sc2H的反射光(来自粉末状材料)。然后，功率控制电路120可以建立在线功率控制信号曲线。因此，当选择性激光烧结机100处于使用中，PDIC 110可以连续地接收反射光，并且功率控制电路120可以连续地确定由roic 110接收的反射光的功率，或者可以周期性地确定由roic 110接收的反射光的功率，通过参照反射光的功率位准(level)，以产生控制信号Sc来补偿/调整激光二极管140的功率。
[0026]例如，假定激光二极管140是必需的，以发射具有功率PWl的光，以及因为来自粉末状材料的反射光的功率被确定并且是始终不变的，所以反射光的革E功率(target power)是已知的(下文PW2)。因此，功率控制电路120可以参考反射光的功率以补偿/调整激光二极管140的功率，使反射光的功率等于或接近PW2，并且此时激光二极管140应具有所需的功率PWl。
[0027]另外，在上述实施例中，功率控制电路120通过参照来自粉末状材料的反射光的功率位准来产生控制信号Sc ο然而，在其他实施例中，功率控制电路120可通过参照来自组 件160 (如选择性激光烧结机100内的金属片)的反射光的功率位准来产生控制信号Sc，即当激光二极管140的功率想要被补偿/调整，激光二极管140将发射光到组件160，以及PDIC 110将接收来自元件160的反射光。这种替代设计应落入本发明的范围之内。
[0028]请参考图3，其为根据本发明一实施例的光盘驱动器300的示意图。如图3所示，光盘驱动器300包括roic 310、功率控制电路320、激光驱动器330、发光单元(在本实施例中，激光二极管(LD) 340)、两个透镜352和354、以及组件360，其中，组件360可以是具有合适表面或光滑表面的任何部件，用于反射从激光二极管340发射的光。此外，光盘驱动器300被设置为将数据写入光盘370或从光盘370读取数据，其中光盘370主要包括塑料层374和用于记录数据的反射层372。
[0029]在光盘驱动器300的操作中，功率控制电路320被设置为产生控制信号Sc，以及激光驱动器330接收控制信号以控制激光二极管340的电流(即控制激光二极管340的功率)。然后，激光二极管340经由透镜352和354发射光至光盘370，以从光盘370读取数据或将数据写入到光盘370中。然而，因为由功率控制电路320产生的控制信号和激光二极管340的功率之间的关系可能不总是相同的，因此，PDIC 310和功率控制电路320提供了一种机制以准确地补偿/调整激光二极管340的功率。
[0030]请参考图4，其为根据本发明第一实施例的用于控制激光二极管340的功率的方法流程图。应该注意的是，在生产线中，光盘驱动器300已建立了图5所示的离线功率控制信号曲线图。详细地说，参照图5，在生产线中，功率控制电路320产生至少两个控制信号Scl和Sc2以控制激光二极管340的功率(文中的控制信号Scl和Sc2为大于或等于O的任意控制信号)，并且roiC 310接收分别对应于控制信号Scl和Sc2的反射光(来自光盘370的塑料层374或来自组件360)。然后，功率控制电路320可以建立离线功率控制信号曲线。应该注意的是，在本实施例，假定激光二极管340的功率与来自塑料层374/组件360的反射光的功率之间的关系(如比例)被确定并且总是相同的，因此，图5中所示的术语“功率”可以指的是激光二极管340的功率或由PDIC 310所感测的反射光的功率。换言之，在生产线上，激光二极管340的功率/反射功率/控制信号Sc之间的关系是已知的。参照图3-5 一起，流程说明如下。
[0031]在步骤400，流程开始。在步骤402，功率控制电路320通过确定至少两个控制信号以及光盘370的塑料层374的反射光相应的功率或来自光盘驱动器300的组件360的反射光相应的功率来补偿功率控制信号曲线。详细地，由于环境问题或激光二极管的老化问题，离线功率控制信号曲线可能不适合用来补偿/调整激光二极管340的功率，所以功率控制电路320产生至少两个控制信号SclH和Sc2H以控制激光二极管340的功率(文中的控制信号Sci和sC2为大于或等于ο的任意控制信号)，以及roic 310接收分别对应于控制信号SclH和Sc2H的反射光(来自粉末状材料)。然后，功率控制电路320可以建立在线功率控制信号曲线。
[0032]然后，在步骤404，当光盘驱动器在使用中，PDIC 310接收来自光盘370的塑料层374的反射光或来自光盘驱动器300的组件360的反射光。在步骤406，功率控制电路320确定塑料层374的反射光功率或来自组件360的反射光功率。最后，在步骤408，电源控制电路320通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc,以补偿/调整激光二极管340的功率。
[0033]请注意，可以连续执行或周期性执行步骤404-408来补偿/调整激光二极管340的功率。
[0034]另外，参照图6，其为如何获得塑料层374的反射光功率的示意图。请参考图6，通过移动透镜来调整焦点位置，获得塑料层374的反射光的功率和反射层372的反射光的功率。因为塑料层374的反射光功率应该比反射层372的反射光功率小很多，因此，塑料层374的反射光功率可以通过确定roiC 310感测到的反射光功率来获得。
[0035]请参考图7，其为根据本发明第二实施例用于控制激光二极管340功率的方法的流程图。参照图3和图7—起，流程描述如下。
[0036]在步骤700，流程开始。在步骤702，roiC 310感测来自光盘300的许多不同区域的反射层372的反射光，以及功率控制电路320记录来自光盘300的许多不同区域的反射层372的反射光功率。例如，参考图8，光盘370具有四个逻辑块寻址(logicalblock addressing) LBA1-LBA4，以及功率控制电路320记录来自LBA1-LBA4的反射光功率RFL1-RFL4。此外，对于2个LBA之间的边界处如LBAX1-LBAX5，内插方法可被执行以产生反射光的功率。
[0037]然后，在步骤704，当激光二极管340的功率将要被补偿/调整时，功率控制电路320测量光盘370的反射层372的反射光功率。在步骤706，功率控制电路320确定反射光是否是来自光盘370的反射层372中的数据区域或空白区域，例如，在图8中，“Blankl = 0”意味着LBAl是数据区域，以及“Blank3 = I”意味着LBA3是空白区域。然后，在步骤708，功率控制电路320通过调整具有对应于数据区域的参数或具有对应于空白区域的另一参数的所测量功率，来确定反射层372的反射光功率。最后，在步骤710，功率控制电路320通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc,以补偿/调整激光二极管340的读取功率。
[0038]请参考图9，其为根据本发明第三实施例用于控制激光二极管340功率的方法的流程图。此外，在图9的流程图中，假定激光二极管340的功率/反射功率/控制信号Sc之间的关系已经获得。参照图3和图9 一起，流程进行说明如下。
[0039]在步骤900，流程开始。在步骤902，当光盘驱动器300将数据写入到光盘370中时，功率控制电路320确定光盘370的反射层372的反射光功率。例如，参考图10，其显示当光盘驱动器300将数据写入到光盘370时激光二极管340的电流，也就是^或I ^，并且功率控制电路320可使用采样和保持(S/Η)电路以使用采样信号P1，P2或P3来从I3DIC310采样信号(来自roiC 310的信号的波形类似于1^>或Iu/),以获得光盘370的反射层372的反射光功率。然后，在步骤904，功率控制电路320通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc,以补偿/调整激光二极管340的写入功率。
[0040]请参考图11，其为根据本发明第四实施例用于控制激光二极管340功率的方法的流程图。此外，图11的流程图中，假设激光二极管340的功率/反射功率/控制信号Sc之间的关系已经获得，以及光盘370是数字通用光盘随机存取存储器(Digital VersatileDisc Random Access Memory, DVD-RAM)。参照图 3 和图 11 一起，流程描述如下。
[0041]在步骤1100，流程开始。在步骤1102，当光盘驱动器将数据写入DVD-RAM中时，功率控制电路320确定来自光盘反射层372首标(header)的反射光的功率。然后，在步骤1104，功率控制电路320通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc，以补偿/调整激光二极管340的读/写功率。
[0042]请参考图12，其为根据本发明第五实施例用于控制激光二极管340功率的方法的流程图。此外，在图12的流程图中，假设激光二极管340的功率/反射功率/控制信号Sc之间的关系已经获得。参照图3和图12 —起，流程描述如下。
[0043]在步骤1200，流程开始。在步骤1202，当光盘驱动器300从光盘370中读取数据时，功率控制电路320确定光盘370反射层372的反射光功率。接着，在步骤1204，功率控制电路320通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc,以预补偿/预确定激光二极管340写入数据时的功率以供进一步使用。
[0044]请参考图13，其为根据本发明第六实施例用于控制激光二极管340功率的方法的流程图。此外，在图13的流程图中，假设激光二极管340的功率/反射功率/控制信号Sc之间的关系已经获得。参照图3和图13 —起，流程描述如下。
[0045]在步骤1300，流程开始。在步骤1302，当光盘驱动器300将数据写入到光盘370中时，功率控制电路320确定光盘370反射层372的反射光功率。接着，在步骤1304，功率控制电路320通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc,以预补偿/预确定激光二极管340读取数据时的功率以供进一步使用 。
[0046]对于上述实施例中，有关通过参照所确定功率的位准来确定控制信号Sc以补偿激光二极管340的功率的步骤，例如假定激光二极管340是必需的，以发射具有功率PWl的光，并且由于来自粉末状材料的反射光的功率是确定的并总是相同的，所以反射光的靶功率是已知的(下文PW2)。因此，功率控制电路320可以参照反射光的功率，以补偿/调整激光二极管340的功率，以使反射光的功率等于或接近PW2，并且此时激光二极管340应具有所需的功率PWl。
[0047]鉴于上述，在本发明的方法和相关装置中，反射光的功率被用于确定控制信号，以控制激光二极管的功率，具体地，其可以通过使用由光检测器集成电路感测到的反射光的所确定功率来补偿/调节激光二极管的功率，因此，不使用FMD和温度传感器以节省制造成本。此外，本发明的方法和装置并不需要建立模型并且激光二极管的功率即使在环境问题或激光二极管的老化问题下也可被准确地补偿。
[0048]虽然本发明已经通过举例的方式以及根据优选实施例作了描述，但应当理解的是本发明不限于此。本领域技术人员还可以做各种变化和修改而不脱离本发明的范围和精神。因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
【主权项】
1.一种用于控制激光发射单元的功率的方法，其特征在于，包含: 从一对象接收反射光，其中所述对象反射从所述激光发射单元发射的光； 确定所述反射光的功率；以及 通过参照所述反射光的功率位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对象为粉末状材料。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用于选择性激光烧结机，以及所述对象是所述选择性激光烧结机内的组件。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用于光盘驱动器，以及所述对象是光盘或者所述光盘驱动器的组件，并且通过参照所述反射光的功率位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率的步骤包含: 确定所述光盘的塑料层的反射光功率或确定来自所述光盘驱动器的所述组件的反射光功率；以及 通过参照所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包含: 通过确定至少两个控制信号以及确定所述光盘的所述塑料层的反射光相应的功率或来自所述光盘驱动器的所述组件的反射光相应的功率，来补偿功率控制信号曲线；以及 通过参照所述所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率的步骤包含: 参照所述补偿后功率控制信号曲线，以通过参照所述所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘，以及确定所述反射光的功率的步骤和通过参照所述反射光的功率位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率的步骤包含: 确定所述光盘的反射层的反射光功率；以及 通过参照所确定功率的位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，确定所述光盘的所述反射层的反射光功率的步骤包含: 测量所述光盘的所述反射层的反射光功率； 确定所述反射光是否来自所述光盘的所述反射层的数据区域或空白区域；以及 通过调整具有对应于所述数据区域的参数或具有对应于所述空白区域的另一参数的所测量功率，来确定所述光盘的所述反射层的反射光功率。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘，以及确定所述反射光的功率的步骤包括: 当所述光盘驱动器将数据写入到所述光盘中时，确定所述光盘的反射层的反射光功率。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用到光盘驱动器，所述对象是数字通用光盘随机存取存储器，以及确定所述反射光的功率的步骤包括: 当所述光盘驱动器将数据写入所述数字通用光盘随机存取存储器中时，确定来自所述数字通用光盘随机存取存储器的反射层首标的反射光功率。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘或者所述光盘驱动器的组件，并且确定所述反射光的功率的步骤以及通过参照所述反射光的功率位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率的步骤包含: 当所述光盘驱动器从所述光盘中读取数据时，确定所述光盘的反射层的反射光功率；以及 通过参照所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元写入数据时的功率。11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘或者所述光盘驱动器的组件，并且确定所述反射光的功率的步骤以及通过参照所述反射光的功率位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率的步骤包含: 当所述光盘驱动器将数据写入到所述光盘中时，确定所述光盘的反射层的反射光功率；以及 通过参照所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元读取数据时的功率。12.一种用于控制激光发射单元的功率的装置，其特征在于，包含: 光检测器集成电路，用于从一对象接收反射光，其中所述对象反射从所述激光发射单元发射的光；以及 功率控制电路，耦接于所述光检测器集成电路，用于确定所述反射光的功率，以及通过参照所述反射光的功率位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述对象为粉末状材料。14.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用于选择性激光烧结机，以及所述对象是所述选择性激光烧结机内的组件。15.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用于光盘驱动器，以及所述对象是光盘或者所述光盘驱动器的组件，并且所述功率控制电路确定所述光盘的塑料层的反射光功率或确定来自所述光盘驱动器的所述组件的反射光功率，以及所述功率控制电路通过参照所述所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述功率控制电路还通过确定至少两个控制信号以及确定所述光盘的所述塑料层的反射光相应的功率或来自所述光盘驱动器的所述组件的反射光相应的功率，来补偿功率控制信号曲线；以及所述功率控制电路参照所述补偿后功率控制信号曲线，以通过参照所述所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。17.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘，以及所述功率控制电路确定所述光盘的反射层的反射光功率，及通过参照所确定功率的位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。18.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述功率控制电路测量所述光盘的所述反射层的反射光功率，确定所述反射光是否来自所述光盘的所述反射层的数据区域或空白区域，以及通过调整具有对应于所述数据区域的参数或具有对应于所述空白区域的另一参数的所测量功率，来确定所述光盘的所述反射层的反射光功率。19.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘，以及当所述光盘驱动器将数据写入到所述光盘中时，所述功率控制电路确定所述光盘的反射层的反射光功率。20.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用到光盘驱动器，所述对象是数字通用光盘随机存取存储器，以及当所述光盘驱动器将数据写入所述数字通用光盘随机存取存储器中时，所述功率控制电路确定来自所述数字通用光盘随机存取存储器的反射层首标的反射光功率。21.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘或者所述光盘驱动器的组件，并且当所述光盘驱动器从所述光盘中读取数据时，所述功率控制电路确定所述光盘的反射层的反射光功率，以及通过参照所确定功率的位准来确定所述控制信号，以所述激光发射单元写入数据时的功率。22.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置被应用到光盘驱动器，所述对象是光盘或者所述光盘驱动器的组件，并且当所述光盘驱动器将数据写入到所述光盘中时，所述功率控制电路确定所述光盘的反射层的反射光功率，以及通过参照所确定功率的位准来确定所述控制信号，以控制所述激光发射单元读取数据时的功率。
【专利摘要】本发明提供一种用于控制激光发射单元的功率的方法及相关装置。该方法包含：从一对象接收反射光，其中所述对象反射从所述激光发射单元发射的光；确定所述反射光的功率；以及通过参照所述反射光的功率位准来确定控制信号，以控制所述激光发射单元的功率。本发明可节省制造成本，准确地补偿激光二极管的功率。
【IPC分类】G11B7/126
【公开号】CN104900246
【申请号】CN201510032398
【发明人】齐孝元, 张胜智
【申请人】联发科技股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年1月22日
【公告号】US20150255105
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