一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法
一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法，属于微电子与固体电子 学、纳米科学技术领域。
【背景技术】
[0002] 隧穿二极管（TD)是利用量子效应构成的一种新型高速纳米器件，具有高频整 流特性。常用的隧穿二极管有共振隧穿二极管（RTD)、材料-绝缘体-材料隧穿二极管 (MIM-TD)，其中，MIM-TD结构简单，受到广泛关注。MIM-TD的中间绝缘层非常薄，在隧穿效 应的作用下，电子可W轻松地从一层导电材料运动到另一层导电材料，该隧穿时间短到飞 秒量级，该使得MIM-TD成为高频整流的最佳选择。
[000引通常在制作MIM-TD的介质层时，大多采用真空沉积方法，例如磁控瓣射方法、原 子层沉积方法。如果选用此类方法，在介质层制备时，需要额外准备祀材，该种导致介质层 制备操作复杂，并且理论上在金属与介质层间存在界面缺陷，严重情况则影响到整流功能。
[0004] 综合上述内容，目前MIM-TD的介质层制备工艺复杂，需要配套磁控瓣射或原子层 沉积等大型仪器，并且需要额外准备祀材，该将导致器件制作过程成本高。同时，在上述制 作过程中，可能产生的界面缺陷不利于得到性能优异的器件。
【发明内容】
[0005] 本发明解决的技术问题是；克服现有技术的不足，提供了一种基于热氧化工艺的 纳米介质层制备方法，在存在图形掩膜的情况下，对介质层所在的金属区域进行氧化，工艺 简单，无需额外增加材料，就可W获得缺陷较少的介质层。
[0006] 本发明的技术方案是：一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法，步骤如下：
[0007] 1)对娃晶片衬底进行清洗；
[000引 2)制备基底金属层，将基底金属层W电子束蒸发的方式置于娃晶片上；
[0009] 3)介质层掩膜的制备
[0010] 31)不涂胶W2000~6000巧m的转速空转娃晶片，W使娃晶片上的有机溶剂挥发 干净；
[0011] 32)W2000~6000巧111的转速涂覆ZEP520光刻胶1~5min，再在热台上150~ 200°C前烘 2 ~8min;
[0012] 33)利用电子束曝光，在基底金属层上曝光出0. 3ymXO. 3ym~1ymX1ym的正 方形，形成正方形掩膜；
[001引 34)利用对二甲苯对ZEP520光刻胶进行显影1~5min，利用异丙醇对ZEP520光 刻胶进行定影1~3min，利用正己烧对ZEP520光刻胶进行正负离子交换20~60s，自然惊 干；
[0014] 35)利用氧等离子体处理机，对步骤33)产生的正方形掩膜去残胶，获得介质层掩 膜；所述氧等离子体处理机背底真空为0. 3~0. 7Torr，通入氧气流量10~50sccm，功率 50 ~120watt，时间 20 ~60s;
[0015] 4)介质层薄膜的制备
[0016]令烘箱在1~化升温至150~200°C，然后将娃晶片放入烘箱中，对掩膜内的基底 金属层表面进行热氧化处理，加热保持15~60min后，将娃晶片置于空气中自然冷却至室 温，生成纳米金属氧化物介质层；
[0017] 5)利用超声机对晶片进行光刻胶剥离
[0018] 将带有掩膜的娃晶片浸泡于了酬溶液中，置于热台上60°C加热15min，再在30~ 60%的功率下超声2min，清水洗净，吹干。
[0019] 本发明与现有技术相比的优点在于：
[0020] 现多采用磁控瓣射或原子层沉积的方法制备同类介质层，二者所需设备复杂，致 使制备过程较为繁冗。采用磁控瓣射方法制备介质层，由于材料颗粒度较大，很难得到厚度 小于lOnm、均匀的介质层薄膜；此外，介质层薄膜的生长机理为优先在局部W岛状生长，致 使制备的介质层薄膜和基底金属层的接触部分存在一定缺陷。采用原子层沉积方法制备介 质层，尽管可W精准控制介质层薄膜的厚度，但在制备过程中，引入了较多的非介质层化学 成分的反应物种类，制备出的介质层薄膜存在一定的不纯现象。
[0021] 不同于磁控瓣射和原子层沉积等薄膜制备方法，本发明开发出一种基于热氧化工 艺的纳米介质层制备方法，将带有基底金属层和介质层掩膜的娃晶片放于密闭的空气气氛 中（烘箱中）进行恒温加热，使掩膜窗口处（暴露的部分）的基底金属层被缓慢、均匀的原 位加热氧化，不仅使介质层成分均一，热处理的方式更减少了基地金属层和介质层中的缺 陷。另外，可通过改变加热时间和温度，得到厚度较小并可控的介质层薄膜。此外，在氧化 过程中，被光刻胶覆盖的基底金属层不被氧化，经过曝光、显影暴露出来的掩膜窗口所在的 基底金属层被氧化，采用此发明可同时控制介质层薄膜覆盖面积的大小。
【附图说明】
[0022] 图1为发明实例的基底金属层的制作示意图；
[0023]图2为发明实例介质层的制作示意图；
[0024] 图3为发明实例纳米介质层的制作流程图。
【具体实施方式】
[0025] 下面结合附图和实例对本发明作进一步说明。
[0026] 1)衬底清洗
[0027] 11)衬底所用晶片为带有2ym二氧化娃层的娃晶片。具体清洗步骤如下；利用超 声机，将娃晶片浸泡于丙酬中W40%的功率超声15min，将娃晶片浸泡于异丙醇中W40% 的功率超声15min，去罔子水洗净，吹干；
[002引将娃晶片浸泡于浓硫酸和双氧水巧：1)的混合液中，于70°C加热15min，去离 子水洗净；
[0029] 蝴将娃晶片浸泡于水、双氧水和氨水（7 ;2 ;1)的混合液中，于70°C加热15min;
[0030] 14)将娃晶片浸泡于水、双氧水和浓盐酸（7:2 ;1)的混合液中，于70°C加热 15min，去离子水洗净，吹干；
[0031] 2)金属层薄膜制备
[00对 21)利用匀胶机，不涂胶W3000巧m的速度空转3min。将40yL的ZEP520光刻胶 均匀覆盖于娃晶片上，W3000巧m的转速匀胶3min。利用热台，对娃基片于150°C加热3min， 形成如图1所示的掩膜a。
[0033] 22)利用电子束曝光仪器，W230C/cm2的曝光剂量对ZEP520光刻胶薄膜进行曝 光，曝光图案为0. 3ymXO. 3ym的正方形。令娃晶片依次浸泡于对二甲苯中3min，异丙醇 中2min，正己烧中40s，自然干燥，完成显影、定影和正负离子交换，形成如图1所示的掩膜 b;
[0034] 23)利用氧等离子刻蚀机对ZEP520光刻胶去残胶，背底真空为0.6Torr，通入氧气 流量为30sccm，功率SOwatt，时间40s ;
[003引 24)利用电子束蒸发仪蒸锻金属层薄膜，背底真空为祀可ibar，在48mA的束流下， W0.6>Vs的速度蒸锻60nm铁薄膜。自然冷却lOh，取出娃晶片，形成如图1所示的金属层a;
[0036] 25)将娃晶片浸泡于装有了酬溶液的玻璃器皿中5min，将娃晶片从玻璃器皿中取 出，清水洗净，吹干，完成剥离，形成如图1所示的金属层b;
[0037] 3)介质层掩膜的制备
[003引 31)利用匀胶机，将第2)步制备完毕的娃晶片不涂胶W4000rpm的转速空转 3min，W使娃晶片上的有机溶剂挥发干净；
[0039] 32)将40yL的ZEP520均匀覆盖于娃晶片上，W4000巧m的转速涂覆ZEP520光刻 胶3min，利用热台，对娃基片于150°C加热3min，形成ZEP520光刻胶，形成如图2所示的掩 膜C;
[0040] 33)利用电子束曝光仪器，W230C/cm2的曝光剂量对ZEP520光刻胶进行曝光， 曝光图案为0. 5ymXO. 5ym的正方形。令娃晶片依次浸泡于对二甲苯中3min，异丙醇中 2min，正己烧中40s，自然干燥，完成显影、定影和正负离子交换；
[0041] 34)利用氧等离子刻蚀机对ZEP520光刻胶去残胶，背底真空为0. 6Torr，通入氧气 流量为30sccm，功率SOwatt，时间40s，形成如图2所示的掩膜do
[0042] 4)介质层薄膜的制备
[0043] 令烘箱1.化升温至150°C，然后将娃晶片放入烘箱恒温氧化60min，热氧化处理正 方形内的金属层薄膜。之后，置于空气中自然冷却至室温。
[0044] 5)利用超声机对掩膜进行剥离
[0045] 将娃晶片浸泡于装有了酬溶液的玻璃器皿中，将玻璃器皿置于热台上加热15min， 再将玻璃器皿放入超声机W40%的功率超声3min，将娃晶片从玻璃器皿中取出，清水洗 净，吹干，完成剥离，形成如图2所示的介质层。
[0046] 综上所述，图3给出了纳米介质层的制作流程图。
[0047] 性能检测
[0048] 利用X-射线光电子能谱仪畑巧定量分析介质层薄膜的组成成分，将娃晶片放置 于XI^S腔室内，当分析室真空度接近1X10E-中a时进行测试，采用单色化A1K。X射线源，电 压设置为15kV。编程序自动进行XI^S采谱。使用仪器自带的系统处理数据，利用标准CIS 峰位284. 8eV进行校准，根据手册确认元素种类、价态及其相对含量。测试结果为，介质层 薄膜的铁氧比为Ti:0 = 0.41:0. 59,所得氧化物为Ti〇i.44。
[0049] 利用光谱楠偏仪分析介质层薄膜的厚度，测得介质层薄膜的厚度为5. Onm。
[0050] 本发明说明书中未作详细描述的内容属本领域技术人员的公知技术。
【主权项】
1. 一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法，其特征在于步骤如下： 1) 对娃晶片衬底进行清洗； 2) 制备基底金属层，将基底金属层以电子束蒸发的方式置于硅晶片上； 3) 介质层掩膜的制备 31) 不涂胶以2000~6000rpm的转速空转硅晶片，以使硅晶片上的有机溶剂挥发干 净； 32) 以2000~6000rpm的转速涂覆ZEP520光刻胶1~5min，再在热台上150~200°C 前烘2~8min; 33) 利用电子束曝光，在基底金属层上曝光出0. 3ymXO. 3ym~IymXlym的正方 形，形成正方形掩膜； 34) 利用对二甲苯对ZEP520光刻胶进行显影1~5min，利用异丙醇对ZEP520光刻胶 进行定影1~3min，利用正己烷对ZEP520光刻胶进行正负离子交换20~60s，自然晾干； 35) 利用氧等离子体处理机，对步骤33)产生的正方形掩膜去残胶，获得介质层掩膜； 所述氧等离子体处理机背底真空为〇. 3~0.Horr，通入氧气流量10~50sccm，功率50~ 120watt，时间 20 ~60s; 4) 介质层薄膜的制备 令烘箱在1~2h升温至150~200°C，然后将硅晶片放入烘箱中，对掩膜内的基底金属 层表面进行热氧化处理，加热保持15~60min后，将硅晶片置于空气中自然冷却至室温，生 成纳米金属氧化物介质层； 5) 利用超声机对晶片进行光刻胶剥离 将带有掩膜的硅晶片浸泡于丁酮溶液中，置于热台上60°C加热15min，再在30~60% 的功率下超声2min，清水洗净，吹干。
【专利摘要】本发明一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法,属于微电子与固体电子学、纳米科学技术领域。利用电子束曝光技术，在基底金属层上打开一个正方形掩膜窗口。利用热氧化方法对掩膜窗口处暴露的基底金属层进行氧化，具体工艺条件为：置于烘箱150～200℃加热15～60min，丁酮试剂中经过加热、超声，完成掩膜剥离。表征结果显示，基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法可成功制备具有一定氧化比例和一定厚度的介质层薄膜。本发明采用一步法在基底金属层表面原位氧化生成介质层，制备工艺简单，无需添加材料，界面共格性好、缺陷少，有望广泛应用于科研与生产。
【IPC分类】B82Y30/00, B82Y40/00, H01L21/02
【公开号】CN104900485
【申请号】CN201510164402
【发明人】贺涛, 芦姗, 胡海峰, 韩运忠, 周傲松, 张涛, 王颖, 高文军, 徐明明
【申请人】北京空间飞行器总体设计部
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年4月9日
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法，属于微电子与固体电子 学、纳米科学技术领域。
【背景技术】
[0002] 隧穿二极管（TD)是利用量子效应构成的一种新型高速纳米器件，具有高频整 流特性。常用的隧穿二极管有共振隧穿二极管（RTD)、材料-绝缘体-材料隧穿二极管 (MIM-TD)，其中，MIM-TD结构简单，受到广泛关注。MIM-TD的中间绝缘层非常薄，在隧穿效 应的作用下，电子可W轻松地从一层导电材料运动到另一层导电材料，该隧穿时间短到飞 秒量级，该使得MIM-TD成为高频整流的最佳选择。
[000引通常在制作MIM-TD的介质层时，大多采用真空沉积方法，例如磁控瓣射方法、原 子层沉积方法。如果选用此类方法，在介质层制备时，需要额外准备祀材，该种导致介质层 制备操作复杂，并且理论上在金属与介质层间存在界面缺陷，严重情况则影响到整流功能。
[0004] 综合上述内容，目前MIM-TD的介质层制备工艺复杂，需要配套磁控瓣射或原子层 沉积等大型仪器，并且需要额外准备祀材，该将导致器件制作过程成本高。同时，在上述制 作过程中，可能产生的界面缺陷不利于得到性能优异的器件。
【发明内容】
[0005] 本发明解决的技术问题是；克服现有技术的不足，提供了一种基于热氧化工艺的 纳米介质层制备方法，在存在图形掩膜的情况下，对介质层所在的金属区域进行氧化，工艺 简单，无需额外增加材料，就可W获得缺陷较少的介质层。
[0006] 本发明的技术方案是：一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法，步骤如下：
[0007] 1)对娃晶片衬底进行清洗；
[000引 2)制备基底金属层，将基底金属层W电子束蒸发的方式置于娃晶片上；
[0009] 3)介质层掩膜的制备
[0010] 31)不涂胶W2000~6000巧m的转速空转娃晶片，W使娃晶片上的有机溶剂挥发 干净；
[0011] 32)W2000~6000巧111的转速涂覆ZEP520光刻胶1~5min，再在热台上150~ 200°C前烘 2 ~8min;
[0012] 33)利用电子束曝光，在基底金属层上曝光出0. 3ymXO. 3ym~1ymX1ym的正 方形，形成正方形掩膜；
[001引 34)利用对二甲苯对ZEP520光刻胶进行显影1~5min，利用异丙醇对ZEP520光 刻胶进行定影1~3min，利用正己烧对ZEP520光刻胶进行正负离子交换20~60s，自然惊 干；
[0014] 35)利用氧等离子体处理机，对步骤33)产生的正方形掩膜去残胶，获得介质层掩 膜；所述氧等离子体处理机背底真空为0. 3~0. 7Torr，通入氧气流量10~50sccm，功率 50 ~120watt，时间 20 ~60s;
[0015] 4)介质层薄膜的制备
[0016]令烘箱在1~化升温至150~200°C，然后将娃晶片放入烘箱中，对掩膜内的基底 金属层表面进行热氧化处理，加热保持15~60min后，将娃晶片置于空气中自然冷却至室 温，生成纳米金属氧化物介质层；
[0017] 5)利用超声机对晶片进行光刻胶剥离
[0018] 将带有掩膜的娃晶片浸泡于了酬溶液中，置于热台上60°C加热15min，再在30~ 60%的功率下超声2min，清水洗净，吹干。
[0019] 本发明与现有技术相比的优点在于：
[0020] 现多采用磁控瓣射或原子层沉积的方法制备同类介质层，二者所需设备复杂，致 使制备过程较为繁冗。采用磁控瓣射方法制备介质层，由于材料颗粒度较大，很难得到厚度 小于lOnm、均匀的介质层薄膜；此外，介质层薄膜的生长机理为优先在局部W岛状生长，致 使制备的介质层薄膜和基底金属层的接触部分存在一定缺陷。采用原子层沉积方法制备介 质层，尽管可W精准控制介质层薄膜的厚度，但在制备过程中，引入了较多的非介质层化学 成分的反应物种类，制备出的介质层薄膜存在一定的不纯现象。
[0021] 不同于磁控瓣射和原子层沉积等薄膜制备方法，本发明开发出一种基于热氧化工 艺的纳米介质层制备方法，将带有基底金属层和介质层掩膜的娃晶片放于密闭的空气气氛 中（烘箱中）进行恒温加热，使掩膜窗口处（暴露的部分）的基底金属层被缓慢、均匀的原 位加热氧化，不仅使介质层成分均一，热处理的方式更减少了基地金属层和介质层中的缺 陷。另外，可通过改变加热时间和温度，得到厚度较小并可控的介质层薄膜。此外，在氧化 过程中，被光刻胶覆盖的基底金属层不被氧化，经过曝光、显影暴露出来的掩膜窗口所在的 基底金属层被氧化，采用此发明可同时控制介质层薄膜覆盖面积的大小。
【附图说明】
[0022] 图1为发明实例的基底金属层的制作示意图；
[0023]图2为发明实例介质层的制作示意图；
[0024] 图3为发明实例纳米介质层的制作流程图。
【具体实施方式】
[0025] 下面结合附图和实例对本发明作进一步说明。
[0026] 1)衬底清洗
[0027] 11)衬底所用晶片为带有2ym二氧化娃层的娃晶片。具体清洗步骤如下；利用超 声机，将娃晶片浸泡于丙酬中W40%的功率超声15min，将娃晶片浸泡于异丙醇中W40% 的功率超声15min，去罔子水洗净，吹干；
[002引将娃晶片浸泡于浓硫酸和双氧水巧：1)的混合液中，于70°C加热15min，去离 子水洗净；
[0029] 蝴将娃晶片浸泡于水、双氧水和氨水（7 ;2 ;1)的混合液中，于70°C加热15min;
[0030] 14)将娃晶片浸泡于水、双氧水和浓盐酸（7:2 ;1)的混合液中，于70°C加热 15min，去离子水洗净，吹干；
[0031] 2)金属层薄膜制备
[00对 21)利用匀胶机，不涂胶W3000巧m的速度空转3min。将40yL的ZEP520光刻胶 均匀覆盖于娃晶片上，W3000巧m的转速匀胶3min。利用热台，对娃基片于150°C加热3min， 形成如图1所示的掩膜a。
[0033] 22)利用电子束曝光仪器，W230C/cm2的曝光剂量对ZEP520光刻胶薄膜进行曝 光，曝光图案为0. 3ymXO. 3ym的正方形。令娃晶片依次浸泡于对二甲苯中3min，异丙醇 中2min，正己烧中40s，自然干燥，完成显影、定影和正负离子交换，形成如图1所示的掩膜 b;
[0034] 23)利用氧等离子刻蚀机对ZEP520光刻胶去残胶，背底真空为0.6Torr，通入氧气 流量为30sccm，功率SOwatt，时间40s ;
[003引 24)利用电子束蒸发仪蒸锻金属层薄膜，背底真空为祀可ibar，在48mA的束流下， W0.6>Vs的速度蒸锻60nm铁薄膜。自然冷却lOh，取出娃晶片，形成如图1所示的金属层a;
[0036] 25)将娃晶片浸泡于装有了酬溶液的玻璃器皿中5min，将娃晶片从玻璃器皿中取 出，清水洗净，吹干，完成剥离，形成如图1所示的金属层b;
[0037] 3)介质层掩膜的制备
[003引 31)利用匀胶机，将第2)步制备完毕的娃晶片不涂胶W4000rpm的转速空转 3min，W使娃晶片上的有机溶剂挥发干净；
[0039] 32)将40yL的ZEP520均匀覆盖于娃晶片上，W4000巧m的转速涂覆ZEP520光刻 胶3min，利用热台，对娃基片于150°C加热3min，形成ZEP520光刻胶，形成如图2所示的掩 膜C;
[0040] 33)利用电子束曝光仪器，W230C/cm2的曝光剂量对ZEP520光刻胶进行曝光， 曝光图案为0. 5ymXO. 5ym的正方形。令娃晶片依次浸泡于对二甲苯中3min，异丙醇中 2min，正己烧中40s，自然干燥，完成显影、定影和正负离子交换；
[0041] 34)利用氧等离子刻蚀机对ZEP520光刻胶去残胶，背底真空为0. 6Torr，通入氧气 流量为30sccm，功率SOwatt，时间40s，形成如图2所示的掩膜do
[0042] 4)介质层薄膜的制备
[0043] 令烘箱1.化升温至150°C，然后将娃晶片放入烘箱恒温氧化60min，热氧化处理正 方形内的金属层薄膜。之后，置于空气中自然冷却至室温。
[0044] 5)利用超声机对掩膜进行剥离
[0045] 将娃晶片浸泡于装有了酬溶液的玻璃器皿中，将玻璃器皿置于热台上加热15min， 再将玻璃器皿放入超声机W40%的功率超声3min，将娃晶片从玻璃器皿中取出，清水洗 净，吹干，完成剥离，形成如图2所示的介质层。
[0046] 综上所述，图3给出了纳米介质层的制作流程图。
[0047] 性能检测
[0048] 利用X-射线光电子能谱仪畑巧定量分析介质层薄膜的组成成分，将娃晶片放置 于XI^S腔室内，当分析室真空度接近1X10E-中a时进行测试，采用单色化A1K。X射线源，电 压设置为15kV。编程序自动进行XI^S采谱。使用仪器自带的系统处理数据，利用标准CIS 峰位284. 8eV进行校准，根据手册确认元素种类、价态及其相对含量。测试结果为，介质层 薄膜的铁氧比为Ti:0 = 0.41:0. 59,所得氧化物为Ti〇i.44。
[0049] 利用光谱楠偏仪分析介质层薄膜的厚度，测得介质层薄膜的厚度为5. Onm。
[0050] 本发明说明书中未作详细描述的内容属本领域技术人员的公知技术。
【主权项】
1. 一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法，其特征在于步骤如下： 1) 对娃晶片衬底进行清洗； 2) 制备基底金属层，将基底金属层以电子束蒸发的方式置于硅晶片上； 3) 介质层掩膜的制备 31) 不涂胶以2000~6000rpm的转速空转硅晶片，以使硅晶片上的有机溶剂挥发干 净； 32) 以2000~6000rpm的转速涂覆ZEP520光刻胶1~5min，再在热台上150~200°C 前烘2~8min; 33) 利用电子束曝光，在基底金属层上曝光出0. 3ymXO. 3ym~IymXlym的正方 形，形成正方形掩膜； 34) 利用对二甲苯对ZEP520光刻胶进行显影1~5min，利用异丙醇对ZEP520光刻胶 进行定影1~3min，利用正己烷对ZEP520光刻胶进行正负离子交换20~60s，自然晾干； 35) 利用氧等离子体处理机，对步骤33)产生的正方形掩膜去残胶，获得介质层掩膜； 所述氧等离子体处理机背底真空为〇. 3~0.Horr，通入氧气流量10~50sccm，功率50~ 120watt，时间 20 ~60s; 4) 介质层薄膜的制备 令烘箱在1~2h升温至150~200°C，然后将硅晶片放入烘箱中，对掩膜内的基底金属 层表面进行热氧化处理，加热保持15~60min后，将硅晶片置于空气中自然冷却至室温，生 成纳米金属氧化物介质层； 5) 利用超声机对晶片进行光刻胶剥离 将带有掩膜的硅晶片浸泡于丁酮溶液中，置于热台上60°C加热15min，再在30~60% 的功率下超声2min，清水洗净，吹干。
【专利摘要】本发明一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法,属于微电子与固体电子学、纳米科学技术领域。利用电子束曝光技术，在基底金属层上打开一个正方形掩膜窗口。利用热氧化方法对掩膜窗口处暴露的基底金属层进行氧化，具体工艺条件为：置于烘箱150～200℃加热15～60min，丁酮试剂中经过加热、超声，完成掩膜剥离。表征结果显示，基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法可成功制备具有一定氧化比例和一定厚度的介质层薄膜。本发明采用一步法在基底金属层表面原位氧化生成介质层，制备工艺简单，无需添加材料，界面共格性好、缺陷少，有望广泛应用于科研与生产。
【IPC分类】B82Y30/00, B82Y40/00, H01L21/02
【公开号】CN104900485
【申请号】CN201510164402
【发明人】贺涛, 芦姗, 胡海峰, 韩运忠, 周傲松, 张涛, 王颖, 高文军, 徐明明
【申请人】北京空间飞行器总体设计部
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年4月9日
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