加工方法
加工方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及加工方法，特别是涉及与器件对应地对在晶片的背面粘贴的DAF进行分割的加工方法。
【背景技术】
[0002]在半导体器件的制造过程中，通过将在正面形成有多个IC或LSI等器件的半导体晶片(以下，有时简称为晶片)分割成一个个器件，来形成半导体器件。
[0003]被分割出的半导体器件被芯片接合(粘接)于金属制基板(引线框)或带基板等，通过分割这些金属性基板或带基板，制造出一个个半导体芯片。这样制造出的半导体芯片被广泛使用在便携电话或计算机等电子设备中。
[0004]为了将半导体器件芯片接合到基板上，使用了如下方法:向基板上的半导体器件搭载位置供给焊锡或Au-Si共晶、树脂胶等粘接剂，将半导体器件载置于所述半导体器件搭载位置上进行粘接。
[0005]近年来，广泛采用例如在日本特开平11-219962号公报中所公开那样预先在半导体晶片的背面粘接被称为DAF (粘片膜)的粘接膜的方法。
[0006]S卩，通过将在背面粘接有粘片膜的半导体晶片分割成一个个器件，由此形成在背面安装有粘接膜的半导体器件。然后，通过半导体器件背面的DAF将半导体器件芯片接合在基板上，由此，具有能够最低限度地使用粘接剂并且能够使半导体器件的搭载区域最小这样的优点。
[0007]另一方面，近年来，要求便携电话或计算机等电气设备更轻量化、小型化，从而要求更薄的器件。作为将晶片分割成更薄的器件的技术，开发了称作所谓的先切割法(DicingBefore Grinding)的分割技术，并使其实用化(例如，参照日本特开平11-40520号公报)。
[0008]该先切割法是这样的技术:从半导体晶片的正面沿着分割预定线形成规定的深度(与器件的完工厚度相当的深度)的分割槽，然后，对在正面形成有分割槽的半导体晶片的背面进行磨削而使分割槽在该背面露出，由此将半导体晶片分割为一个个器件，该先切割法能够将器件的厚度加工至100 μπι以下。
[0009]并且，在晶片的激光加工方法中，已知如下方法:将对于晶片具有透射性的波长(例如1064nm)的激光束的聚光点定位到与分割预定线对应的晶片的内部，沿着分割预定线照射激光束来在晶片内部形成改性层，然后施加外力将晶片分割为一个个器件(例如，参照日本特许第3408805号公报)。
[0010]然而，利用该方法在晶片的内部形成改性层，再在晶片背面粘贴DAF，之后对晶片施加外力来分割为一个个器件，在这样的方法中存在难以在分割晶片的同时切断DAF的问题。
[0011]作为解决该问题的方法，在日本特开2007-27250号公报中记载有如下技术:在通过先切割法分割成一个个器件的晶片、或者沿着分割预定线在晶片的内部形成有改性层的晶片的背面隔着DAF粘贴扩展带，通过扩张扩展带来扩大器件与器件的间隔，同时与器件对应地分割DAF。
[0012]专利文献1:日本特开平11-219962号公报
[0013]专利文献2:日本特开平11-40520号公报
[0014]专利文献3:日本特开2007-272505号公报
[0015]但是，在专利文献3所公开的DAF的分割方法中，虽然可以冷却DAF来使耐力降低或者在扩展带扩张时施加加速度来提高分割力，但是仍存在难以对应于一个个器件可靠地分割DAF这样的问题。
【发明内容】
[0016]本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够对应于一个个器件可靠地分割DAF的加工方法。
[0017]根据本发明，提供一种加工方法，该加工方法是对应于一个个器件来分割在晶片的背面粘贴的DAF的加工方法，该晶片被形成为格子状的分割预定线划分而在正面形成有多个器件，其特征在于，所述加工方法包括如下工序:晶片准备工序，在该晶片准备工序中，准备在晶片的沿着分割预定线的内部形成有改性层的晶片、或者沿着分割预定线分割为一个个器件的晶片；晶片配设工序，在该晶片配设工序中，将在晶片准备工序中准备好的晶片定位到具有收纳晶片的开口部的环状框架中，隔着DAF将晶片的背面配设到扩展带上；以及DAF分割工序，在实施了晶片配设工序后，使扩展带扩张，使拉伸力经由DAF作用于晶片，使相邻的器件之间的间隔扩大，同时对应于器件来分割DAF，在DAF分割工序中，将DAF加热至规定的温度来使DAF软化。。
[0018]优选的是，规定的温度在50°C?150°C的范围内。
[0019]根据本发明，由于在加热DAF后扩张扩展带，因此，位于器件与器件之间的DAF随着扩展带的扩张而扩张，从而能够对应于一个个器件可靠地分割DAF。
【附图说明】
[0020]图1是半导体晶片的正面侧立体图。
[0021]图2是示出先切割法中的切削工序的立体图。
[0022]图3是示出切削工序的放大剖视图。
[0023]图4是示出分割工序的立体图。
[0024]图5是示出改性层形成工序的立体图。
[0025]图6是示出改性层形成工序的剖视图。
[0026]图7是对隔着DAF将晶片配设于扩展带上的晶片配设工序进行说明的立体图。
[0027]图8是分割装置的立体图。
[0028]图9是示出DAF分割工序的局部剖切侧视图。
[0029]标号说明
[0030]6:切削刀具；
[0031]8:切削槽；
[0032]11:半导体晶片；
[0033]13:分割预定线；
[0034]15:器件；
[0035]17:保护带；
[0036]18:磨轮；
[0037]19:改性层；
[0038]21:DAF ；
[0039]24:磨削磨具；
[0040]28:聚光器；
[0041]30:分割装置；
[0042]32:框架保持构件；
[0043]34:带扩张构件；
[0044]40:扩张筒；
[0045]50:加热工作台。
【具体实施方式】
[0046]以下，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。参照图1，示出了半导体晶片(以下，有时简称为晶片)11的正面侧立体图。
[0047]在半导体晶片11的正面Ila上，呈格子状形成有多条分割预定线(间隔道)13，并且在由分割预定线13划分出的各区域中形成有IC、LSI等器件15。Ilb是晶片11的背面。晶片11例如是硅晶片，其厚度约为700 μπι。
[0048]在本发明的加工方法中，首先实施准备作为加工对象的晶片的晶片准备工序。晶片准备工序的第I实施方式是通过先切割法将晶片分割为一个个器件来准备使晶片分割为一个个器件而成的晶片的实施方式，参照图2至图4进行说明。
[0049]在该先切割法中，利用未图示的切削装置的卡盘工作台对晶片11的背面Ilb侧进行抽吸保持，并如图2和图3所示这样实施如下这样的切削工序:利用在切削单元2的主轴4的末端安装的切削刀具6沿着分割预定线13切削晶片11的正面11a，来形成达到晶片11的完工厚度的切削槽8 (槽的深度大约100 μ m左右)。
[0050]在切削工序中，一边使抽吸保持着晶片11的卡盘工作台沿着图2中的箭头Xl方向进行加工进给，一边使向箭头A方向高速旋转(例如30000rpm)的切削刀具6沿着在第I方向上延伸的分割预定线13切入晶片11的正面11a，形成达到晶片11的完工厚度的切削槽8。
[0051]每隔分割预定线13的间距对切削刀具6进行分度进给，并对在第I方向上延伸的所有分割预定线13进行切削而形成同样的切削槽8。接下来，将抽吸保持着晶片11的未图示的卡盘工作台旋转90°，然后沿着在与第I方向垂直的第2方向上延伸的分割预定线13形成相同的切削槽8。
[0052]在实施了切削工序后实施分割步骤，在分割步骤中，对晶片11的背面Ilb进行磨肖IJ，使晶片11变薄至完工厚度，并使切削槽8在晶片11的背面Ilb露出，从而将晶片11分割为一个个器件芯片15。
[0053]参照图4，对该分割步骤进行说明。在分割步骤中，如图4的(A)所示，在晶片11的正面粘贴保护带17，利用磨削装置的卡盘工作台10隔着保护带17对晶片11的正面Ila侧进行抽吸保持，使晶片11的背面Ilb侧露出。
[0054]磨削装置的磨削单元12由下述部分构成:由马达驱动而旋转的主轴14 ;固定于主轴14的末端的轮座16 ;和利用多个螺钉20以能够装卸的方式固定于轮座16的磨轮18。磨轮18由环状的轮基座22、和呈环状固定安装在 轮基座22的下端外周部上的多个磨削磨具24构成。
[0055]在分割步骤中，使卡盘工作台10向箭头a方向以例如300rpm旋转，并使磨轮18向与卡盘工作台10相同的方向、即箭头b方向以例如6000rpm旋转，同时使未图示的磨削单元进给机构动作，使磨削磨具24与晶片11的背面Ilb接触。
[0056]然后，将磨轮18以规定的磨削进给速度向下方磨削进给规定的量，实施晶片11的磨削。在继续磨削而使晶片11变薄至完工厚度(例如90 μm)时，如图4的(B)所示，切削槽8在晶片11的背面Ilb露出，晶片11被分割为一个个器件芯片15。
[0057]接下来，参照图5和图6，对晶片准备工序的第2实施方式进行说明。在该第2实施方式中，沿着晶片11的分割预定线13在晶片内部形成改性层。图5是示出改性层形成工序的立体图，图6是其剖视图。
[0058]在改性层形成工序中，将对于晶片11具有透射性的波长(例如1064nm)的激光束的聚光点定位到与分割预定线13对应的晶片11的内部，一边使卡盘工作台26向箭头Xl方向移动，一边沿着分割预定线13照射激光束，在晶片11内部形成改性层19。
[0059]如图6的⑶所示，从聚光器28照射出的激光束到达晶片11的端部后，停止激光束的照射，同时停止卡盘工作台26的加工进给。
[0060]每隔分割预定线13的间距对晶片11进行分度进给，并沿着在第I方向上延伸的分割预定线13在晶片内部形成改性层19。接下来，在将卡盘工作台26旋转90°后，沿着在与第I方向垂直的第2方向上延伸的分割预定线13在晶片内部形成相同的改性层19。
[0061]这样，在第2实施方式的晶片准备工序中，准备了沿着分割预定线13在晶片内部形成有改性层19的晶片11。
[0062]在实施了晶片准备工序后，如图7所示这样实施晶片配设工序，在该晶片配设工序中，将晶片11定位到具有收纳晶片11的开口部的环状框架F中，隔着粘贴在晶片11的背面的DAF21将晶片11配置在扩展带Tl上。扩展带Tl是预先形成有DAF21的带DAF的扩展带，扩展带Tl的外周部被粘贴于环状框架F而形成晶片单元23。
[0063]在晶片单元23中，背面粘贴有DAF21的晶片11借助扩展带Tl被支承于环状框架Fo图7所示的晶片11是通过先切割法被分割为一个个器件15的晶片11，在分割工序时粘贴于晶片11的正面Ila的保护带17在图7所示的状态下被剥离。
[0064]图7所示的晶片单元23的晶片11是通过先切割法被分割为一个个器件15的晶片，但也可以是在晶片准备工序中说明的沿着分割预定线13在晶片内部形成有改性层19的第2实施方式的晶片。
[0065]在实施了晶片配设工序后，实施DAF分割工序，在该DAF分割工序中，使扩展带Tl扩张而使拉伸力作用于晶片11，来扩大相邻的器件15的间隔，同时与器件15对应地分割DAF21。在该分割工序中，使用例如图8所示的分割装置30。
[0066]图8所示的分割装置30具备:框架保持构件32，其保持环状框架F ;和带扩张构件34，其使在保持于框架保持构件32的环状框架F上安装的扩展带Tl扩张。
[0067]框架保持构件32由环状的框架保持部件36、和在框架保持部件36的外周配置的作为固定构件的多个夹紧件38构成。框架保持部件36的上表面形成为载置环状框架F的载置面36a，环状框架F被载置在该载置面36a上。
[0068]并且，载置在载置面36a上的环状框架F借助夹紧件38被固定于框架保持部件36。这样构成的框架保持构件32被带扩张构件34支承成能够沿上下方向移动。
[0069]带扩张构件34具备在环状的框架保持部件36的内侧配设的扩张筒40。该扩张筒40具有比环状框架F的内径小、且比在安装于该环状框架F的扩展带Tl上粘贴的半导体晶片11的外径大的内径。
[0070]扩张筒40具有一体地形成在其下端的支承凸缘42。带扩张构件34还具备使环状的框架保持部件36沿上下方向移动的驱动构件44。该驱动构件44由配设在支承凸缘42上的多个气缸46构成，其活塞杆48与框架保持部件36的下表面连结。
[0071]由多个气缸46构成的驱动构件44使环状的框架保持部件36沿上下方向在其载置面36a与扩张筒40的上端处于大致相同的高度的基准位置、和比扩张筒40的上端靠下方规定的量的扩张位置之间移动。
[0072]分割构件30还具备在扩张筒40的内侧配置的加热工作台50。加热工作台50在其内部内置有珀耳帖元件等，通过控制施加的电流，能够控制加热工作台50的表面温度。加热工作台50借助未图示的驱动构件能够沿上下方向移动。
[0073]参照图9的㈧和图9的(B)对使用如以上那样构成的分割装置30实施的分割工序进行说明。如图9的(A)所示，将借助扩展带Tl对背面粘贴有DAF21的晶片11进行支承的环状框架F载置到框架保持部件36的载置面36a上，并利用夹紧件38固定框架保持部件36。此时，框架保持部件36被定位在其载置面36a与扩张筒40的上端成为大致相同的高度的基准位置。
[0074]在该状态下使加热工作台50上升并与扩展带Tl接触，隔着扩展带Tl对在晶片11的背面粘贴的DAF21进行加热。优选的是，利用加热工作台50将DAF21加热至50°C?150°C的范围内的温度。通过该加热，DAF21被软化，成为容易断裂的状态。
[0075]DAF21被充分加热到规定的温度后，使加热工作台50下降。然后，驱动气缸46使框架保持部件36下降到图9的(B)所示的扩张位置。由此，在框架保持部件36的载置面36a上固定的环状框架F也下降，因此粘贴在环状框架F上的扩展带Tl与扩张筒40的上端缘抵接，并主要在半径方向上扩张。
[0076]其结果为，拉伸力呈放射状作用到粘贴在扩展带Tl上的DAF21和晶片11。这样，当作用力呈放射状作用到晶片11和DAF21时，在晶片11中，相邻的器件15之间的间隔随着扩展带Tl的扩张而扩大，同时，由于位于相邻的器件15之间的DAF21被加热至规定温度而变得容易扩张，因此，所述DAF21在半径方向上扩张，DAF21与一个个器件15对应着被可靠地分割。
[0077]在上述的第2实施方式的晶片准备工序中准备的晶片11中，由于在晶片内部沿着分割预定线13形成有改性层19，因此，当扩张扩展带Tl时，晶片11沿着形成有改性层19而使得强度降低的分割预定线13被分割为一个个器件15，并且，由于DAF21被加热至规定的温度而容易扩张，因此所述DAF21在半径方向上扩张，DAF21与一个个器件15对应着被可靠地分割。
【主权项】
1.一种加工方法，该加工方法是对应于一个个器件来分割在晶片的背面粘贴的DAF的加工方法，该晶片被形成为格子状的分割预定线划分而在正面形成有多个器件，其特征在于， 所述加工方法包括如下工序: 晶片准备工序，在该晶片准备工序中，准备在晶片的沿着分割预定线的内部形成有改性层的晶片、或者沿着分割预定线分割为一个个器件的晶片； 晶片配设工序，在该晶片配设工序中，将在晶片准备工序中准备好的晶片定位到具有收纳晶片的开口部的环状框架中，隔着DAF将晶片的背面配设到扩展带上；以及 DAF分割工序，在实施了晶片配设工序后，使扩展带扩张，使拉伸力经由DAF作用于晶片，使相邻的器件之间的间隔扩大，并且对应于器件来分割DAF， 在DAF分割工序中，将DAF加热至规定的温度来使DAF软化。2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于， 所述规定的温度在50°C?150°C的范围内。
【专利摘要】本发明提供加工方法，该加工方法是对应于一个个器件来分割在晶片的背面粘贴的DAF的方法，晶片被形成为格子状的分割预定线划分而在正面形成有多个器件，特征在于，包括如下工序：晶片准备工序，准备在晶片的沿着分割预定线的内部形成有改性层的晶片、或者沿着分割预定线分割为一个个器件的晶片；晶片配设工序，将在晶片准备工序中准备好的晶片定位到具有收纳晶片的开口部的环状框架中，隔着DAF将晶片的背面配设到扩展带上；和DAF分割工序，在实施了晶片配设工序后，使扩展带扩张，使拉伸力经由DAF作用于晶片，使相邻的器件之间的间隔扩大，同时对应于器件来分割DAF，在DAF分割工序中，将DAF加热至规定的温度来使DAF软化。
【IPC分类】H01L21/301
【公开号】CN104900506
【申请号】CN201510092472
【发明人】中村胜
【申请人】株式会社迪思科
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年3月2日
【技术领域】
[0001]本发明涉及加工方法，特别是涉及与器件对应地对在晶片的背面粘贴的DAF进行分割的加工方法。
【背景技术】
[0002]在半导体器件的制造过程中，通过将在正面形成有多个IC或LSI等器件的半导体晶片(以下，有时简称为晶片)分割成一个个器件，来形成半导体器件。
[0003]被分割出的半导体器件被芯片接合(粘接)于金属制基板(引线框)或带基板等，通过分割这些金属性基板或带基板，制造出一个个半导体芯片。这样制造出的半导体芯片被广泛使用在便携电话或计算机等电子设备中。
[0004]为了将半导体器件芯片接合到基板上，使用了如下方法:向基板上的半导体器件搭载位置供给焊锡或Au-Si共晶、树脂胶等粘接剂，将半导体器件载置于所述半导体器件搭载位置上进行粘接。
[0005]近年来，广泛采用例如在日本特开平11-219962号公报中所公开那样预先在半导体晶片的背面粘接被称为DAF (粘片膜)的粘接膜的方法。
[0006]S卩，通过将在背面粘接有粘片膜的半导体晶片分割成一个个器件，由此形成在背面安装有粘接膜的半导体器件。然后，通过半导体器件背面的DAF将半导体器件芯片接合在基板上，由此，具有能够最低限度地使用粘接剂并且能够使半导体器件的搭载区域最小这样的优点。
[0007]另一方面，近年来，要求便携电话或计算机等电气设备更轻量化、小型化，从而要求更薄的器件。作为将晶片分割成更薄的器件的技术，开发了称作所谓的先切割法(DicingBefore Grinding)的分割技术，并使其实用化(例如，参照日本特开平11-40520号公报)。
[0008]该先切割法是这样的技术:从半导体晶片的正面沿着分割预定线形成规定的深度(与器件的完工厚度相当的深度)的分割槽，然后，对在正面形成有分割槽的半导体晶片的背面进行磨削而使分割槽在该背面露出，由此将半导体晶片分割为一个个器件，该先切割法能够将器件的厚度加工至100 μπι以下。
[0009]并且，在晶片的激光加工方法中，已知如下方法:将对于晶片具有透射性的波长(例如1064nm)的激光束的聚光点定位到与分割预定线对应的晶片的内部，沿着分割预定线照射激光束来在晶片内部形成改性层，然后施加外力将晶片分割为一个个器件(例如，参照日本特许第3408805号公报)。
[0010]然而，利用该方法在晶片的内部形成改性层，再在晶片背面粘贴DAF，之后对晶片施加外力来分割为一个个器件，在这样的方法中存在难以在分割晶片的同时切断DAF的问题。
[0011]作为解决该问题的方法，在日本特开2007-27250号公报中记载有如下技术:在通过先切割法分割成一个个器件的晶片、或者沿着分割预定线在晶片的内部形成有改性层的晶片的背面隔着DAF粘贴扩展带，通过扩张扩展带来扩大器件与器件的间隔，同时与器件对应地分割DAF。
[0012]专利文献1:日本特开平11-219962号公报
[0013]专利文献2:日本特开平11-40520号公报
[0014]专利文献3:日本特开2007-272505号公报
[0015]但是，在专利文献3所公开的DAF的分割方法中，虽然可以冷却DAF来使耐力降低或者在扩展带扩张时施加加速度来提高分割力，但是仍存在难以对应于一个个器件可靠地分割DAF这样的问题。
【发明内容】
[0016]本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够对应于一个个器件可靠地分割DAF的加工方法。
[0017]根据本发明，提供一种加工方法，该加工方法是对应于一个个器件来分割在晶片的背面粘贴的DAF的加工方法，该晶片被形成为格子状的分割预定线划分而在正面形成有多个器件，其特征在于，所述加工方法包括如下工序:晶片准备工序，在该晶片准备工序中，准备在晶片的沿着分割预定线的内部形成有改性层的晶片、或者沿着分割预定线分割为一个个器件的晶片；晶片配设工序，在该晶片配设工序中，将在晶片准备工序中准备好的晶片定位到具有收纳晶片的开口部的环状框架中，隔着DAF将晶片的背面配设到扩展带上；以及DAF分割工序，在实施了晶片配设工序后，使扩展带扩张，使拉伸力经由DAF作用于晶片，使相邻的器件之间的间隔扩大，同时对应于器件来分割DAF，在DAF分割工序中，将DAF加热至规定的温度来使DAF软化。。
[0018]优选的是，规定的温度在50°C?150°C的范围内。
[0019]根据本发明，由于在加热DAF后扩张扩展带，因此，位于器件与器件之间的DAF随着扩展带的扩张而扩张，从而能够对应于一个个器件可靠地分割DAF。
【附图说明】
[0020]图1是半导体晶片的正面侧立体图。
[0021]图2是示出先切割法中的切削工序的立体图。
[0022]图3是示出切削工序的放大剖视图。
[0023]图4是示出分割工序的立体图。
[0024]图5是示出改性层形成工序的立体图。
[0025]图6是示出改性层形成工序的剖视图。
[0026]图7是对隔着DAF将晶片配设于扩展带上的晶片配设工序进行说明的立体图。
[0027]图8是分割装置的立体图。
[0028]图9是示出DAF分割工序的局部剖切侧视图。
[0029]标号说明
[0030]6:切削刀具；
[0031]8:切削槽；
[0032]11:半导体晶片；
[0033]13:分割预定线；
[0034]15:器件；
[0035]17:保护带；
[0036]18:磨轮；
[0037]19:改性层；
[0038]21:DAF ；
[0039]24:磨削磨具；
[0040]28:聚光器；
[0041]30:分割装置；
[0042]32:框架保持构件；
[0043]34:带扩张构件；
[0044]40:扩张筒；
[0045]50:加热工作台。
【具体实施方式】
[0046]以下，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。参照图1，示出了半导体晶片(以下，有时简称为晶片)11的正面侧立体图。
[0047]在半导体晶片11的正面Ila上，呈格子状形成有多条分割预定线(间隔道)13，并且在由分割预定线13划分出的各区域中形成有IC、LSI等器件15。Ilb是晶片11的背面。晶片11例如是硅晶片，其厚度约为700 μπι。
[0048]在本发明的加工方法中，首先实施准备作为加工对象的晶片的晶片准备工序。晶片准备工序的第I实施方式是通过先切割法将晶片分割为一个个器件来准备使晶片分割为一个个器件而成的晶片的实施方式，参照图2至图4进行说明。
[0049]在该先切割法中，利用未图示的切削装置的卡盘工作台对晶片11的背面Ilb侧进行抽吸保持，并如图2和图3所示这样实施如下这样的切削工序:利用在切削单元2的主轴4的末端安装的切削刀具6沿着分割预定线13切削晶片11的正面11a，来形成达到晶片11的完工厚度的切削槽8 (槽的深度大约100 μ m左右)。
[0050]在切削工序中，一边使抽吸保持着晶片11的卡盘工作台沿着图2中的箭头Xl方向进行加工进给，一边使向箭头A方向高速旋转(例如30000rpm)的切削刀具6沿着在第I方向上延伸的分割预定线13切入晶片11的正面11a，形成达到晶片11的完工厚度的切削槽8。
[0051]每隔分割预定线13的间距对切削刀具6进行分度进给，并对在第I方向上延伸的所有分割预定线13进行切削而形成同样的切削槽8。接下来，将抽吸保持着晶片11的未图示的卡盘工作台旋转90°，然后沿着在与第I方向垂直的第2方向上延伸的分割预定线13形成相同的切削槽8。
[0052]在实施了切削工序后实施分割步骤，在分割步骤中，对晶片11的背面Ilb进行磨肖IJ，使晶片11变薄至完工厚度，并使切削槽8在晶片11的背面Ilb露出，从而将晶片11分割为一个个器件芯片15。
[0053]参照图4，对该分割步骤进行说明。在分割步骤中，如图4的(A)所示，在晶片11的正面粘贴保护带17，利用磨削装置的卡盘工作台10隔着保护带17对晶片11的正面Ila侧进行抽吸保持，使晶片11的背面Ilb侧露出。
[0054]磨削装置的磨削单元12由下述部分构成:由马达驱动而旋转的主轴14 ;固定于主轴14的末端的轮座16 ;和利用多个螺钉20以能够装卸的方式固定于轮座16的磨轮18。磨轮18由环状的轮基座22、和呈环状固定安装在 轮基座22的下端外周部上的多个磨削磨具24构成。
[0055]在分割步骤中，使卡盘工作台10向箭头a方向以例如300rpm旋转，并使磨轮18向与卡盘工作台10相同的方向、即箭头b方向以例如6000rpm旋转，同时使未图示的磨削单元进给机构动作，使磨削磨具24与晶片11的背面Ilb接触。
[0056]然后，将磨轮18以规定的磨削进给速度向下方磨削进给规定的量，实施晶片11的磨削。在继续磨削而使晶片11变薄至完工厚度(例如90 μm)时，如图4的(B)所示，切削槽8在晶片11的背面Ilb露出，晶片11被分割为一个个器件芯片15。
[0057]接下来，参照图5和图6，对晶片准备工序的第2实施方式进行说明。在该第2实施方式中，沿着晶片11的分割预定线13在晶片内部形成改性层。图5是示出改性层形成工序的立体图，图6是其剖视图。
[0058]在改性层形成工序中，将对于晶片11具有透射性的波长(例如1064nm)的激光束的聚光点定位到与分割预定线13对应的晶片11的内部，一边使卡盘工作台26向箭头Xl方向移动，一边沿着分割预定线13照射激光束，在晶片11内部形成改性层19。
[0059]如图6的⑶所示，从聚光器28照射出的激光束到达晶片11的端部后，停止激光束的照射，同时停止卡盘工作台26的加工进给。
[0060]每隔分割预定线13的间距对晶片11进行分度进给，并沿着在第I方向上延伸的分割预定线13在晶片内部形成改性层19。接下来，在将卡盘工作台26旋转90°后，沿着在与第I方向垂直的第2方向上延伸的分割预定线13在晶片内部形成相同的改性层19。
[0061]这样，在第2实施方式的晶片准备工序中，准备了沿着分割预定线13在晶片内部形成有改性层19的晶片11。
[0062]在实施了晶片准备工序后，如图7所示这样实施晶片配设工序，在该晶片配设工序中，将晶片11定位到具有收纳晶片11的开口部的环状框架F中，隔着粘贴在晶片11的背面的DAF21将晶片11配置在扩展带Tl上。扩展带Tl是预先形成有DAF21的带DAF的扩展带，扩展带Tl的外周部被粘贴于环状框架F而形成晶片单元23。
[0063]在晶片单元23中，背面粘贴有DAF21的晶片11借助扩展带Tl被支承于环状框架Fo图7所示的晶片11是通过先切割法被分割为一个个器件15的晶片11，在分割工序时粘贴于晶片11的正面Ila的保护带17在图7所示的状态下被剥离。
[0064]图7所示的晶片单元23的晶片11是通过先切割法被分割为一个个器件15的晶片，但也可以是在晶片准备工序中说明的沿着分割预定线13在晶片内部形成有改性层19的第2实施方式的晶片。
[0065]在实施了晶片配设工序后，实施DAF分割工序，在该DAF分割工序中，使扩展带Tl扩张而使拉伸力作用于晶片11，来扩大相邻的器件15的间隔，同时与器件15对应地分割DAF21。在该分割工序中，使用例如图8所示的分割装置30。
[0066]图8所示的分割装置30具备:框架保持构件32，其保持环状框架F ;和带扩张构件34，其使在保持于框架保持构件32的环状框架F上安装的扩展带Tl扩张。
[0067]框架保持构件32由环状的框架保持部件36、和在框架保持部件36的外周配置的作为固定构件的多个夹紧件38构成。框架保持部件36的上表面形成为载置环状框架F的载置面36a，环状框架F被载置在该载置面36a上。
[0068]并且，载置在载置面36a上的环状框架F借助夹紧件38被固定于框架保持部件36。这样构成的框架保持构件32被带扩张构件34支承成能够沿上下方向移动。
[0069]带扩张构件34具备在环状的框架保持部件36的内侧配设的扩张筒40。该扩张筒40具有比环状框架F的内径小、且比在安装于该环状框架F的扩展带Tl上粘贴的半导体晶片11的外径大的内径。
[0070]扩张筒40具有一体地形成在其下端的支承凸缘42。带扩张构件34还具备使环状的框架保持部件36沿上下方向移动的驱动构件44。该驱动构件44由配设在支承凸缘42上的多个气缸46构成，其活塞杆48与框架保持部件36的下表面连结。
[0071]由多个气缸46构成的驱动构件44使环状的框架保持部件36沿上下方向在其载置面36a与扩张筒40的上端处于大致相同的高度的基准位置、和比扩张筒40的上端靠下方规定的量的扩张位置之间移动。
[0072]分割构件30还具备在扩张筒40的内侧配置的加热工作台50。加热工作台50在其内部内置有珀耳帖元件等，通过控制施加的电流，能够控制加热工作台50的表面温度。加热工作台50借助未图示的驱动构件能够沿上下方向移动。
[0073]参照图9的㈧和图9的(B)对使用如以上那样构成的分割装置30实施的分割工序进行说明。如图9的(A)所示，将借助扩展带Tl对背面粘贴有DAF21的晶片11进行支承的环状框架F载置到框架保持部件36的载置面36a上，并利用夹紧件38固定框架保持部件36。此时，框架保持部件36被定位在其载置面36a与扩张筒40的上端成为大致相同的高度的基准位置。
[0074]在该状态下使加热工作台50上升并与扩展带Tl接触，隔着扩展带Tl对在晶片11的背面粘贴的DAF21进行加热。优选的是，利用加热工作台50将DAF21加热至50°C?150°C的范围内的温度。通过该加热，DAF21被软化，成为容易断裂的状态。
[0075]DAF21被充分加热到规定的温度后，使加热工作台50下降。然后，驱动气缸46使框架保持部件36下降到图9的(B)所示的扩张位置。由此，在框架保持部件36的载置面36a上固定的环状框架F也下降，因此粘贴在环状框架F上的扩展带Tl与扩张筒40的上端缘抵接，并主要在半径方向上扩张。
[0076]其结果为，拉伸力呈放射状作用到粘贴在扩展带Tl上的DAF21和晶片11。这样，当作用力呈放射状作用到晶片11和DAF21时，在晶片11中，相邻的器件15之间的间隔随着扩展带Tl的扩张而扩大，同时，由于位于相邻的器件15之间的DAF21被加热至规定温度而变得容易扩张，因此，所述DAF21在半径方向上扩张，DAF21与一个个器件15对应着被可靠地分割。
[0077]在上述的第2实施方式的晶片准备工序中准备的晶片11中，由于在晶片内部沿着分割预定线13形成有改性层19，因此，当扩张扩展带Tl时，晶片11沿着形成有改性层19而使得强度降低的分割预定线13被分割为一个个器件15，并且，由于DAF21被加热至规定的温度而容易扩张，因此所述DAF21在半径方向上扩张，DAF21与一个个器件15对应着被可靠地分割。
【主权项】
1.一种加工方法，该加工方法是对应于一个个器件来分割在晶片的背面粘贴的DAF的加工方法，该晶片被形成为格子状的分割预定线划分而在正面形成有多个器件，其特征在于， 所述加工方法包括如下工序: 晶片准备工序，在该晶片准备工序中，准备在晶片的沿着分割预定线的内部形成有改性层的晶片、或者沿着分割预定线分割为一个个器件的晶片； 晶片配设工序，在该晶片配设工序中，将在晶片准备工序中准备好的晶片定位到具有收纳晶片的开口部的环状框架中，隔着DAF将晶片的背面配设到扩展带上；以及 DAF分割工序，在实施了晶片配设工序后，使扩展带扩张，使拉伸力经由DAF作用于晶片，使相邻的器件之间的间隔扩大，并且对应于器件来分割DAF， 在DAF分割工序中，将DAF加热至规定的温度来使DAF软化。2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于， 所述规定的温度在50°C?150°C的范围内。
【专利摘要】本发明提供加工方法，该加工方法是对应于一个个器件来分割在晶片的背面粘贴的DAF的方法，晶片被形成为格子状的分割预定线划分而在正面形成有多个器件，特征在于，包括如下工序：晶片准备工序，准备在晶片的沿着分割预定线的内部形成有改性层的晶片、或者沿着分割预定线分割为一个个器件的晶片；晶片配设工序，将在晶片准备工序中准备好的晶片定位到具有收纳晶片的开口部的环状框架中，隔着DAF将晶片的背面配设到扩展带上；和DAF分割工序，在实施了晶片配设工序后，使扩展带扩张，使拉伸力经由DAF作用于晶片，使相邻的器件之间的间隔扩大，同时对应于器件来分割DAF，在DAF分割工序中，将DAF加热至规定的温度来使DAF软化。
【IPC分类】H01L21/301
【公开号】CN104900506
【申请号】CN201510092472
【发明人】中村胜
【申请人】株式会社迪思科
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年3月2日
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