用于tab封装的载带及其制造方法
用于tab封装的载带及其制造方法
【专利说明】用于TAB封装的载带及其制造方法
[0001]本申请是申请日为2010年2月23日、申请号为201010121334.6、发明名称为“用于TAB封装的载带及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求2009年11月2日提交的韩国专利申请第10-2009-0105177号的优先权，该专利申请通过引用全文并入本文。
技术领域
[0004]本发明涉及用于TAB封装的载带及其制造方法。
【背景技术】
[0005]通常，半导体芯片可以通过多种方法电连接至衬底。例如，将半导体芯片电连接至衬底的方法可包括导线接合法、焊接法和带式自动接合(TAB)法。
[0006]带式自动接合(TAB)技术可采用内引线接合(ILB)进行内部连接。TAB技术还可利用卷绕型带式布线板提供卷至卷封装组合件。通过TAB制造的封装被称为TAB封装。
[0007]带式封装是利用带式衬底的半导体封装。带式封装可分为带载封装(TCP)或膜上芯片(COF)封装。
[0008]TCP可具有如下结构:半导体芯片通过内引线接合(ILB)工艺接合至通过带式衬底的窗口(器件孔)暴露出的内引线。TCP使得半导体芯片可以内引线接合至TAB带。内引线接合部可使用液体模塑料通过底部填充工艺(under-fill process)进行密封。
[0009]COF封装可具有如下结构:半导体芯片安装在无窗口的带式衬底上，并且通过倒装芯片接合工艺安装。例如，COF封装的半导体芯片可以安装在基膜上。在该情况下，在半导体芯片的外围区域形成凸点并且通过倒装芯片接合工艺将半导体芯片经所述凸点安装在所述基膜上。
[0010]换言之，常规的COF封装与TCP封装在多个方面存在差异。例如，TCP经常在带中形成有裁切的窗口以使背侧可见并为安装的半导体芯片提供通路，而COF封装通常没有窗
□ O
【发明内容】
[0011]因此，本发明可在半导体封装制造过程中提供可靠性，其原因是在驱动集成电路(IC)和芯片/驱动集成电路(IC)之间进行组装过程时由驱动辊产生摩擦的齿孔行处不存在铜或金属图案层，由此避免了诸如铜颗粒的缺陷。
[0012]在本发明的一个通用方面中，包括在基膜上形成的布线图案和金属镀覆层的TAB带包括传送区，所述传送区包括沿所述基膜的边缘以预定间隔排列的齿孔行，其中所述传送区包括从中暴露出所述基膜的暴露区。
[0013]在一些示例性实施方案中，所述传送区可包括在所述齿孔行的外周形成的金属镀覆层图案。
[0014]在一些示例性实施方案中，所述金属镀覆层图案可形成在与所述齿孔行相邻的图案区或者在与所述齿孔行分离的图案区。特别地，与所述齿孔行分离的图案区可形成有包括与所述齿孔行分离的至少一个或更多个镀覆线的结构。
[0015]在TAB带中形成金属镀覆层的金属可包括Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金。
[0016]在本发明的另一通用方面中，一种制造用于TAB封装的载带的方法包括:在基膜上形成包括齿孔行和输入/输出端子图案的电路图案，其中在所述基膜边缘形成的传送区处形成暴露区。
[0017]在一些示例性实施方案中，形成电路图案的步骤包括:在绝缘膜的表面活化处理工艺之后通过光刻工艺形成电路图案，其中通过选择性蚀刻工艺形成在所述传送区处形成的暴露区。
[0018]在一些示例性实施方案中，所述表面活化处理工艺可使用Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金形成单层或多层的镀覆处理层。
[0019]在一些示例性实施方案中，形成暴露区的步骤可包括:(al)涂覆光刻胶层；和(a2)通过光刻工艺，利用配有选择性移除区域图案的光掩模在所述传送区上形成光刻胶层O
【附图说明】
[0020]附图用以提供对本发明的进一步理解，并且所述附图并入本申请中并构成本申请的一部分，附图与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
[0021]图1是示出TAB带式封装的概念图；
[0022]图2a和2b分别是TAB带的结构图和包括根据本发明的TAB带的传送区的放大视图；
[0023]图2c是制造根据本发明的TAB带的流程图；
[0024]图3是示出图1的TAB带的传送区中的缺陷产生程度和在根据本发明的TAB带的传送区中的缺陷产生程度的图像照片。
【具体实施方式】
[0025]下文中，将参照附图详细描述本发明的实施。为了简明和清楚起见，省略了公知的功能、配置或结构的详细说明，以免使本发明因不必要的细节而不清楚。
[0026]本文所用的术语仅用于描述具体实施的目的，而无意于限制本发明。本文中的无数量词限定的要素意图包括单数和复数的形式，除非在上下文中有明确相反的指示。
[0027]此外，相同的附图标记将指示【附图说明】中相同的要素，并且将省略相互重复的说明。
[0028]参照图la，TAB封装(I)可具有如下结构:半导体芯片(10)通过内引线接合工艺接合至TAB带(20)的布线图案(23)。内引线接合部可使用液体模塑料通过底部填充工艺进行密封或保护。
[0029]半导体芯片(10)的有效表面可形成有输入/输出(I/O)垫(14、16)，I/O垫(14、16)具有微细间距以解决I/O垫(14、16)数目增多的问题，并且I/O垫(14、16)可以实现为在有效表面(12)外周处形成的边缘垫型半导体芯片。
[0030]TAB带(20)可具有在基膜(21)上形成布线图案(23)的结构。半导体从基膜(21)的中心处内引线接合至布线图案(23)，并且沿基膜(21)的边缘以预定间隔设置齿孔(29)行。
[0031]布线图案(23)可包括相对于半导体芯片(10)延伸至基膜(21) —侧的输入端子图案(25)和相对于半导体芯片(10)延伸至基膜(21)另一侧的输出端子图案(27)。
[0032]输入端子图案(25)和输出端子图案(27)的末端可平行于齿孔(29)的排列延伸。
[0033]每个输入端子图案(25a)的一端可内引线接合至输入垫(14a)以供电或接地，而其它端可分别组合用于供电或接地。
[0034]然而，包括上述构造的TAB封装的TAB带的缺点在于:形成在基膜一侧上的导电金属层(例如铜层或Cu+Sn层)在显示装置的驱动期间不可避免地在Cu表面或Sn表面上产生擦痕，从而导致产生失效和缺陷。另一缺点在于Cu附聚物在组装期间渗漏到面板和驱动IC之间，从而降低生产率并因缺陷增加而使可靠性变差。
[0035]本发明提供一种用于TAB封装的载带及其制造方法，其通过选择性蚀刻移除TAB带传送区的金属层并形成暴露出基膜的暴露区而基本不产生金属颗粒，由此能够提高产品的可靠性。
[0036]图2a是示出根据本发明的TAB带的示意图。
[0037]更具体而言，图2a是图1a的TAB带的一般构造，尤其是包括齿孔(150)行的传送区(X)。本发明的TAB带可用于前述TCP或COF的任意结构，尤其可用于COF封装。
[0038]本发明的示例性实施方案将着重于COF封装。
[0039]根据本发明具有TAB封装的TAB带可主要包括输出和输入电路图案(130、140)、作为内引线区的安装芯片的区域(120)和形成有齿孔(150)行以通过辊传送的传送区(X)。
[0040]根据本发明的传送区(X)在结构层方面可与常规传送区不同。也就是说，常规传送区形成有如下结构:整个TAP带形成有Cu或Sn金属层，其中所述金属层形成在整个传送区上，而该过程是一个导致产生大量瑕疵或缺陷的过程。
[0041]而本发明具有如下结构:在传送区内暴露出基膜，即存在根据本发明的不形成金属图案层如Cu或Sn层的区域，从而大幅减少缺陷的产生。
[0042]现在将参照图2b描述传送区的形成结构。
[0043]参照图2b(a)，传送区⑴包括暴露出基膜的暴露区(160)以及齿孔行，每个齿孔均以预定间隔形成。可以以距离齿孔预定的间隔形成至少一个或更多个镀覆线(170)。也就是说，可以在齿孔的外周处形成金属镀覆层图案。在本发明的示例性实施方案中，在镀覆线(170)的结构中形成“金属镀覆层图案”。
[0044]图2b (b)示出其中齿孔被“金属镀覆层图案”包裹的结构(171)。虽然附图显示齿孔的整个外周均被金属镀覆层图案均匀包裹的结构，但是本发明的示例性实施方案不限于该结构。相反， 显然可以形成其中只有一个齿孔被金属镀覆层图案包裹的结构。
[0045]也就是说，根据本发明的“金属镀覆层图案”涉及“金属镀覆层图案”形成于齿孔的外周上的概念，并且还涉及“金属镀覆层图案”与齿孔相邻或与齿孔分离形成的其它图案结构概念。
[0046]也就是说，本示例性实施方案的构思为选择性地移除在整个传送区表面上形成的金属层，并且形成暴露区以暴露出除“金属镀覆层图案”之外的整个基膜，以获得在传送操作期间缠绕在辊上的基膜的机械强度。暴露区的图案形成的变化应该明显属于本发明的主题。
[0047]此时，相邻的含义是指金属镀覆层图案的至少一个预定表面或预定区域与齿孔接触。
[0048]图2b (C)示出通过与齿孔相邻的镀覆线(172)形成“金属镀覆层图案”的一个实例。当然，如图2b(d)所示，可以通过移除传送区的所有金属层而在整个传送区上形成暴露区，目的是通过调整基膜的厚度来获得机械强度。
[0049]图2c是根据本发明的制造TAB带的流程图，其显示形成传送区的暴露区和金属镀覆层图案的过程。
[0050]用于TAB封装的载带的制造方法主要可以包括:在基膜上形成包括齿孔行和输入/输出端子图案的电路图案(第一步)；和在基膜边缘形成的传送区处形成暴露区。
[0051]更具体而言，第一步可包括在基膜(110)上形成金属层(111)和金属镀覆层
(112)，其中金属层或金属镀覆层至多形成至通过机械冲孔工艺(SI)形成有齿孔的传送区⑴。
[0052]随后，在金属层(111)和金属镀覆层图案(112)的上表面上涂覆光刻胶(113)，并且利用曝光掩模(114)进行曝光和显影以形成图案(S2)。
[0053]特别地，将光照射到与传送区对应的光刻胶(113)上以在光刻胶显影期间移除部分光刻胶(113)。当然，相反地在使用负光敏剂的情况下执行曝光过程也应该是明显的。
[0054]此后，利用光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻金属层和金属镀覆层(112)，其中优选暴露出传送区⑴的基膜(I1)的表面(S3)。特别地，在形成与传送区⑴对应的曝光图案时，不通过蚀刻移除整个光刻胶，但是形成必要的预定部分以实施图案化和显影，由此可以在蚀刻步骤期间在传送区上同时形成暴露区和金属镀覆层图案，例如图2b中的171和178。金属镀覆层图案的实施已经通过图2b进行了说明。
[0055]将蚀刻过程之后的剩余光刻胶(113)移除以完成根据本发明的TAB带(S4)。
[0056]也就是说，本发明的优点在于，通过选择性或完全移除包括TAB带的传送区的金属层或金属镀覆层图案来形成暴露出基膜的暴露区，由此显著降低金属异物的形成。
[0057]图3是在根据本发明的制造过程中实际制造的产品的传送区的图像。
[0058]图3 (a)示出在传送区(Xl)上形成Cu或Cu+Sn层的常规TAB带的实际摄影图像，其中右侧的图像示出齿孔周围的异物产生程度。
[0059]图3(b)示出在传送区(X2)上形成暴露区且通过镀覆线形成金属镀覆层图案的结构，其中，如通过右侧的齿孔周围的放大图像所示，可证实几乎不产生金属异物如Sn等。
[0060]图3(c)示出在传送区(X3)上形成暴露区且在齿孔周围形成金属镀覆层图案的结构，其中，如通过右侧的齿孔周围的放大图像所示，可证实几乎也不产生金属异物如Sn等。
[0061]图3(d)示出完全移除传送区(X4)的金属层的结构，其中可证实几乎不产生金属异物如Sn等。
[0062]本发明的有益效果在于，在驱动IC和芯片/驱动IC和面板之间的组装工作期间通过驱动辊产生摩擦的齿孔部分处不存在Cu层或金属层以避免产生异物如Cu颗粒，由此提尚广品的可靠性。
[0063]本领域的技术人员将会理解，可以在不脱离本发明精神或范围的情况下进行各种修改和变化。因此，如果本发明的修改方案和变化方案落在所附权利要求及其等同方案的范围内，则本发明也涵盖这些修改方案和变化方案。
[0064]附记
[0065]本发明还涉及以下实施方案。
[0066]L 一种 TAB 带，包括:
[0067]基膜；
[0068]形成在所述基膜上的布线图案和金属镀覆层；
[0069]传送区，其包括沿所述基膜的边缘以预定间隔排列的齿孔行，
[0070]其中所述传送区包括从中暴露出所述基膜的暴露区。
[0071]2.如I所述的TAB带，其中所述传送区还包括在所述齿孔行的外周处形成的金属镀覆层图案。
[0072]3.如2所述的TAB带，其中所述金属镀敷层图案形成在与所述齿孔行相邻的图案区处。
[0073]4.如2所述的TAB带，其中所述金属镀覆层图案是与所述齿孔行分离的图案区。
[0074]5.如4所述的TAB带，其中与所述齿孔行分离的所述图案区形成为具有包括与所述齿孔行分离的至少一个或更多个镀覆线的结构。
[0075]6.如I?5中任一项所述的TAB带，其中形成所述金属镀覆层的金属包括Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金。
[0076]7.一种制造用于TAB封装的载带的方法，包括:
[0077]在基膜上形成包括齿孔行和输入/输出端子图案的电路图案，其中在所述基膜边缘处形成的传送区上形成暴露区。
[0078]8.如7所述的方法，其中所述电路图案的形成包括:
[0079]实施绝缘膜的表面活化处理过程；和
[0080]通过光刻工艺形成预定的电路图案。
[0081]9.如8所述的方法，其中所述表面活化处理过程利用包括Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金形成单层或多层的镀覆处理层。
[0082]10.如7所述的方法，其中通过选择性蚀刻工艺形成在所述传送区上形成的所述暴露区。
[0083]11.如7所述的方法，其中所述暴露区的形成包括:
[0084]在所述基膜上涂覆光刻胶层；和
[0085]通过光刻工艺，利用配置有选择性移除区域图案的光掩模在所述传送区上形成光刻胶层图案。
【主权项】
1.一种制造载带的方法，包括: 在基膜上形成包括输入/输出端子图案的电路图案、以及包括形成在所述基膜的边缘处的齿孔行的传送区， 其中在所述传送区上形成暴露区，以及 其中在所述齿孔之间的所述暴露区是连续的使得所述基膜在各齿孔与相邻的齿孔之间是连续地暴露的， 其中金属图案在所述传送区处形成并且与所述输入/输出端子图案分离地形成。2.如权利要求1所述的方法，其中所述金属图案形成为线的结构。3.如权利要求2所述的方法，其中所述线的结构是形成在多个齿孔的两侧的并且沿所述齿孔的延伸方向距离所述齿孔预定间隔的一对镀覆线。4.如权利要求1所述的方法，其中所述电路图案的形成包括: 实施绝缘膜的表面活化处理过程；和 通过光刻工艺形成预定的电路图案。5.如权利要求4所述的方法，其中所述表面活化处理过程利用包括Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金形成单层或多层的镀覆处理层O6.如权利要求1所述的方法，其中通过选择性蚀刻工艺形成在所述传送区上形成的所述暴露区。7.如权利要求1所述的方法，其中所述暴露区的形成包括: 在所述基膜上涂覆光刻胶层；和 通过光刻工艺，利用配置有选择性移除区域图案的光掩模在所述传送区上形成光刻胶层图案。
【专利摘要】本发明涉及用于TAB封装的载带及其制造方法，其中包括在基膜上形成的布线图案和金属镀覆层的TAB载带包括传送区，所述传送区包括沿基膜的边缘以预定间隔排列的齿孔行，并且其中传送区包括从中暴露出基膜的暴露区，因此本发明具有如下有益效果：在驱动IC和芯片/驱动IC和面板之间的组装工作期间通过驱动辊产生摩擦的齿孔部分处不存在Cu层或金属层以避免产生异物如Cu颗粒，由此提高产品的可靠性。
【IPC分类】H01L21/48, H01L23/12
【公开号】CN104900537
【申请号】CN201510187668
【发明人】洪大基, 赵东国, 具汉谟, 林埈永, 朴起台, 赵相基, 俞大成, 宋洛浩, 金周澈, 赵在升
【申请人】Lg伊诺特有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2010年2月23日
【公告号】CN102054792A, CN102054792B, US8791370, US9105631, US20110100687, US20140291004, US20150311176
【专利说明】用于TAB封装的载带及其制造方法
[0001]本申请是申请日为2010年2月23日、申请号为201010121334.6、发明名称为“用于TAB封装的载带及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求2009年11月2日提交的韩国专利申请第10-2009-0105177号的优先权，该专利申请通过引用全文并入本文。
技术领域
[0004]本发明涉及用于TAB封装的载带及其制造方法。
【背景技术】
[0005]通常，半导体芯片可以通过多种方法电连接至衬底。例如，将半导体芯片电连接至衬底的方法可包括导线接合法、焊接法和带式自动接合(TAB)法。
[0006]带式自动接合(TAB)技术可采用内引线接合(ILB)进行内部连接。TAB技术还可利用卷绕型带式布线板提供卷至卷封装组合件。通过TAB制造的封装被称为TAB封装。
[0007]带式封装是利用带式衬底的半导体封装。带式封装可分为带载封装(TCP)或膜上芯片(COF)封装。
[0008]TCP可具有如下结构:半导体芯片通过内引线接合(ILB)工艺接合至通过带式衬底的窗口(器件孔)暴露出的内引线。TCP使得半导体芯片可以内引线接合至TAB带。内引线接合部可使用液体模塑料通过底部填充工艺(under-fill process)进行密封。
[0009]COF封装可具有如下结构:半导体芯片安装在无窗口的带式衬底上，并且通过倒装芯片接合工艺安装。例如，COF封装的半导体芯片可以安装在基膜上。在该情况下，在半导体芯片的外围区域形成凸点并且通过倒装芯片接合工艺将半导体芯片经所述凸点安装在所述基膜上。
[0010]换言之，常规的COF封装与TCP封装在多个方面存在差异。例如，TCP经常在带中形成有裁切的窗口以使背侧可见并为安装的半导体芯片提供通路，而COF封装通常没有窗
□ O
【发明内容】
[0011]因此，本发明可在半导体封装制造过程中提供可靠性，其原因是在驱动集成电路(IC)和芯片/驱动集成电路(IC)之间进行组装过程时由驱动辊产生摩擦的齿孔行处不存在铜或金属图案层，由此避免了诸如铜颗粒的缺陷。
[0012]在本发明的一个通用方面中，包括在基膜上形成的布线图案和金属镀覆层的TAB带包括传送区，所述传送区包括沿所述基膜的边缘以预定间隔排列的齿孔行，其中所述传送区包括从中暴露出所述基膜的暴露区。
[0013]在一些示例性实施方案中，所述传送区可包括在所述齿孔行的外周形成的金属镀覆层图案。
[0014]在一些示例性实施方案中，所述金属镀覆层图案可形成在与所述齿孔行相邻的图案区或者在与所述齿孔行分离的图案区。特别地，与所述齿孔行分离的图案区可形成有包括与所述齿孔行分离的至少一个或更多个镀覆线的结构。
[0015]在TAB带中形成金属镀覆层的金属可包括Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金。
[0016]在本发明的另一通用方面中，一种制造用于TAB封装的载带的方法包括:在基膜上形成包括齿孔行和输入/输出端子图案的电路图案，其中在所述基膜边缘形成的传送区处形成暴露区。
[0017]在一些示例性实施方案中，形成电路图案的步骤包括:在绝缘膜的表面活化处理工艺之后通过光刻工艺形成电路图案，其中通过选择性蚀刻工艺形成在所述传送区处形成的暴露区。
[0018]在一些示例性实施方案中，所述表面活化处理工艺可使用Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金形成单层或多层的镀覆处理层。
[0019]在一些示例性实施方案中，形成暴露区的步骤可包括:(al)涂覆光刻胶层；和(a2)通过光刻工艺，利用配有选择性移除区域图案的光掩模在所述传送区上形成光刻胶层O
【附图说明】
[0020]附图用以提供对本发明的进一步理解，并且所述附图并入本申请中并构成本申请的一部分，附图与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
[0021]图1是示出TAB带式封装的概念图；
[0022]图2a和2b分别是TAB带的结构图和包括根据本发明的TAB带的传送区的放大视图；
[0023]图2c是制造根据本发明的TAB带的流程图；
[0024]图3是示出图1的TAB带的传送区中的缺陷产生程度和在根据本发明的TAB带的传送区中的缺陷产生程度的图像照片。
【具体实施方式】
[0025]下文中，将参照附图详细描述本发明的实施。为了简明和清楚起见，省略了公知的功能、配置或结构的详细说明，以免使本发明因不必要的细节而不清楚。
[0026]本文所用的术语仅用于描述具体实施的目的，而无意于限制本发明。本文中的无数量词限定的要素意图包括单数和复数的形式，除非在上下文中有明确相反的指示。
[0027]此外，相同的附图标记将指示【附图说明】中相同的要素，并且将省略相互重复的说明。
[0028]参照图la，TAB封装(I)可具有如下结构:半导体芯片(10)通过内引线接合工艺接合至TAB带(20)的布线图案(23)。内引线接合部可使用液体模塑料通过底部填充工艺进行密封或保护。
[0029]半导体芯片(10)的有效表面可形成有输入/输出(I/O)垫(14、16)，I/O垫(14、16)具有微细间距以解决I/O垫(14、16)数目增多的问题，并且I/O垫(14、16)可以实现为在有效表面(12)外周处形成的边缘垫型半导体芯片。
[0030]TAB带(20)可具有在基膜(21)上形成布线图案(23)的结构。半导体从基膜(21)的中心处内引线接合至布线图案(23)，并且沿基膜(21)的边缘以预定间隔设置齿孔(29)行。
[0031]布线图案(23)可包括相对于半导体芯片(10)延伸至基膜(21) —侧的输入端子图案(25)和相对于半导体芯片(10)延伸至基膜(21)另一侧的输出端子图案(27)。
[0032]输入端子图案(25)和输出端子图案(27)的末端可平行于齿孔(29)的排列延伸。
[0033]每个输入端子图案(25a)的一端可内引线接合至输入垫(14a)以供电或接地，而其它端可分别组合用于供电或接地。
[0034]然而，包括上述构造的TAB封装的TAB带的缺点在于:形成在基膜一侧上的导电金属层(例如铜层或Cu+Sn层)在显示装置的驱动期间不可避免地在Cu表面或Sn表面上产生擦痕，从而导致产生失效和缺陷。另一缺点在于Cu附聚物在组装期间渗漏到面板和驱动IC之间，从而降低生产率并因缺陷增加而使可靠性变差。
[0035]本发明提供一种用于TAB封装的载带及其制造方法，其通过选择性蚀刻移除TAB带传送区的金属层并形成暴露出基膜的暴露区而基本不产生金属颗粒，由此能够提高产品的可靠性。
[0036]图2a是示出根据本发明的TAB带的示意图。
[0037]更具体而言，图2a是图1a的TAB带的一般构造，尤其是包括齿孔(150)行的传送区(X)。本发明的TAB带可用于前述TCP或COF的任意结构，尤其可用于COF封装。
[0038]本发明的示例性实施方案将着重于COF封装。
[0039]根据本发明具有TAB封装的TAB带可主要包括输出和输入电路图案(130、140)、作为内引线区的安装芯片的区域(120)和形成有齿孔(150)行以通过辊传送的传送区(X)。
[0040]根据本发明的传送区(X)在结构层方面可与常规传送区不同。也就是说，常规传送区形成有如下结构:整个TAP带形成有Cu或Sn金属层，其中所述金属层形成在整个传送区上，而该过程是一个导致产生大量瑕疵或缺陷的过程。
[0041]而本发明具有如下结构:在传送区内暴露出基膜，即存在根据本发明的不形成金属图案层如Cu或Sn层的区域，从而大幅减少缺陷的产生。
[0042]现在将参照图2b描述传送区的形成结构。
[0043]参照图2b(a)，传送区⑴包括暴露出基膜的暴露区(160)以及齿孔行，每个齿孔均以预定间隔形成。可以以距离齿孔预定的间隔形成至少一个或更多个镀覆线(170)。也就是说，可以在齿孔的外周处形成金属镀覆层图案。在本发明的示例性实施方案中，在镀覆线(170)的结构中形成“金属镀覆层图案”。
[0044]图2b (b)示出其中齿孔被“金属镀覆层图案”包裹的结构(171)。虽然附图显示齿孔的整个外周均被金属镀覆层图案均匀包裹的结构，但是本发明的示例性实施方案不限于该结构。相反， 显然可以形成其中只有一个齿孔被金属镀覆层图案包裹的结构。
[0045]也就是说，根据本发明的“金属镀覆层图案”涉及“金属镀覆层图案”形成于齿孔的外周上的概念，并且还涉及“金属镀覆层图案”与齿孔相邻或与齿孔分离形成的其它图案结构概念。
[0046]也就是说，本示例性实施方案的构思为选择性地移除在整个传送区表面上形成的金属层，并且形成暴露区以暴露出除“金属镀覆层图案”之外的整个基膜，以获得在传送操作期间缠绕在辊上的基膜的机械强度。暴露区的图案形成的变化应该明显属于本发明的主题。
[0047]此时，相邻的含义是指金属镀覆层图案的至少一个预定表面或预定区域与齿孔接触。
[0048]图2b (C)示出通过与齿孔相邻的镀覆线(172)形成“金属镀覆层图案”的一个实例。当然，如图2b(d)所示，可以通过移除传送区的所有金属层而在整个传送区上形成暴露区，目的是通过调整基膜的厚度来获得机械强度。
[0049]图2c是根据本发明的制造TAB带的流程图，其显示形成传送区的暴露区和金属镀覆层图案的过程。
[0050]用于TAB封装的载带的制造方法主要可以包括:在基膜上形成包括齿孔行和输入/输出端子图案的电路图案(第一步)；和在基膜边缘形成的传送区处形成暴露区。
[0051]更具体而言，第一步可包括在基膜(110)上形成金属层(111)和金属镀覆层
(112)，其中金属层或金属镀覆层至多形成至通过机械冲孔工艺(SI)形成有齿孔的传送区⑴。
[0052]随后，在金属层(111)和金属镀覆层图案(112)的上表面上涂覆光刻胶(113)，并且利用曝光掩模(114)进行曝光和显影以形成图案(S2)。
[0053]特别地，将光照射到与传送区对应的光刻胶(113)上以在光刻胶显影期间移除部分光刻胶(113)。当然，相反地在使用负光敏剂的情况下执行曝光过程也应该是明显的。
[0054]此后，利用光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻金属层和金属镀覆层(112)，其中优选暴露出传送区⑴的基膜(I1)的表面(S3)。特别地，在形成与传送区⑴对应的曝光图案时，不通过蚀刻移除整个光刻胶，但是形成必要的预定部分以实施图案化和显影，由此可以在蚀刻步骤期间在传送区上同时形成暴露区和金属镀覆层图案，例如图2b中的171和178。金属镀覆层图案的实施已经通过图2b进行了说明。
[0055]将蚀刻过程之后的剩余光刻胶(113)移除以完成根据本发明的TAB带(S4)。
[0056]也就是说，本发明的优点在于，通过选择性或完全移除包括TAB带的传送区的金属层或金属镀覆层图案来形成暴露出基膜的暴露区，由此显著降低金属异物的形成。
[0057]图3是在根据本发明的制造过程中实际制造的产品的传送区的图像。
[0058]图3 (a)示出在传送区(Xl)上形成Cu或Cu+Sn层的常规TAB带的实际摄影图像，其中右侧的图像示出齿孔周围的异物产生程度。
[0059]图3(b)示出在传送区(X2)上形成暴露区且通过镀覆线形成金属镀覆层图案的结构，其中，如通过右侧的齿孔周围的放大图像所示，可证实几乎不产生金属异物如Sn等。
[0060]图3(c)示出在传送区(X3)上形成暴露区且在齿孔周围形成金属镀覆层图案的结构，其中，如通过右侧的齿孔周围的放大图像所示，可证实几乎也不产生金属异物如Sn等。
[0061]图3(d)示出完全移除传送区(X4)的金属层的结构，其中可证实几乎不产生金属异物如Sn等。
[0062]本发明的有益效果在于，在驱动IC和芯片/驱动IC和面板之间的组装工作期间通过驱动辊产生摩擦的齿孔部分处不存在Cu层或金属层以避免产生异物如Cu颗粒，由此提尚广品的可靠性。
[0063]本领域的技术人员将会理解，可以在不脱离本发明精神或范围的情况下进行各种修改和变化。因此，如果本发明的修改方案和变化方案落在所附权利要求及其等同方案的范围内，则本发明也涵盖这些修改方案和变化方案。
[0064]附记
[0065]本发明还涉及以下实施方案。
[0066]L 一种 TAB 带，包括:
[0067]基膜；
[0068]形成在所述基膜上的布线图案和金属镀覆层；
[0069]传送区，其包括沿所述基膜的边缘以预定间隔排列的齿孔行，
[0070]其中所述传送区包括从中暴露出所述基膜的暴露区。
[0071]2.如I所述的TAB带，其中所述传送区还包括在所述齿孔行的外周处形成的金属镀覆层图案。
[0072]3.如2所述的TAB带，其中所述金属镀敷层图案形成在与所述齿孔行相邻的图案区处。
[0073]4.如2所述的TAB带，其中所述金属镀覆层图案是与所述齿孔行分离的图案区。
[0074]5.如4所述的TAB带，其中与所述齿孔行分离的所述图案区形成为具有包括与所述齿孔行分离的至少一个或更多个镀覆线的结构。
[0075]6.如I?5中任一项所述的TAB带，其中形成所述金属镀覆层的金属包括Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金。
[0076]7.一种制造用于TAB封装的载带的方法，包括:
[0077]在基膜上形成包括齿孔行和输入/输出端子图案的电路图案，其中在所述基膜边缘处形成的传送区上形成暴露区。
[0078]8.如7所述的方法，其中所述电路图案的形成包括:
[0079]实施绝缘膜的表面活化处理过程；和
[0080]通过光刻工艺形成预定的电路图案。
[0081]9.如8所述的方法，其中所述表面活化处理过程利用包括Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金形成单层或多层的镀覆处理层。
[0082]10.如7所述的方法，其中通过选择性蚀刻工艺形成在所述传送区上形成的所述暴露区。
[0083]11.如7所述的方法，其中所述暴露区的形成包括:
[0084]在所述基膜上涂覆光刻胶层；和
[0085]通过光刻工艺，利用配置有选择性移除区域图案的光掩模在所述传送区上形成光刻胶层图案。
【主权项】
1.一种制造载带的方法，包括: 在基膜上形成包括输入/输出端子图案的电路图案、以及包括形成在所述基膜的边缘处的齿孔行的传送区， 其中在所述传送区上形成暴露区，以及 其中在所述齿孔之间的所述暴露区是连续的使得所述基膜在各齿孔与相邻的齿孔之间是连续地暴露的， 其中金属图案在所述传送区处形成并且与所述输入/输出端子图案分离地形成。2.如权利要求1所述的方法，其中所述金属图案形成为线的结构。3.如权利要求2所述的方法，其中所述线的结构是形成在多个齿孔的两侧的并且沿所述齿孔的延伸方向距离所述齿孔预定间隔的一对镀覆线。4.如权利要求1所述的方法，其中所述电路图案的形成包括: 实施绝缘膜的表面活化处理过程；和 通过光刻工艺形成预定的电路图案。5.如权利要求4所述的方法，其中所述表面活化处理过程利用包括Cu、N1、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金形成单层或多层的镀覆处理层O6.如权利要求1所述的方法，其中通过选择性蚀刻工艺形成在所述传送区上形成的所述暴露区。7.如权利要求1所述的方法，其中所述暴露区的形成包括: 在所述基膜上涂覆光刻胶层；和 通过光刻工艺，利用配置有选择性移除区域图案的光掩模在所述传送区上形成光刻胶层图案。
【专利摘要】本发明涉及用于TAB封装的载带及其制造方法，其中包括在基膜上形成的布线图案和金属镀覆层的TAB载带包括传送区，所述传送区包括沿基膜的边缘以预定间隔排列的齿孔行，并且其中传送区包括从中暴露出基膜的暴露区，因此本发明具有如下有益效果：在驱动IC和芯片/驱动IC和面板之间的组装工作期间通过驱动辊产生摩擦的齿孔部分处不存在Cu层或金属层以避免产生异物如Cu颗粒，由此提高产品的可靠性。
【IPC分类】H01L21/48, H01L23/12
【公开号】CN104900537
【申请号】CN201510187668
【发明人】洪大基, 赵东国, 具汉谟, 林埈永, 朴起台, 赵相基, 俞大成, 宋洛浩, 金周澈, 赵在升
【申请人】Lg伊诺特有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2010年2月23日
【公告号】CN102054792A, CN102054792B, US8791370, US9105631, US20110100687, US20140291004, US20150311176
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