一种托盘以及腔室的制作方法
一种托盘以及腔室的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体设备制造领域，尤其涉及一种托盘以及腔室。
【背景技术】
[0002]在半导体生产工艺中，在各类腔体内经常需要使用托盘来承载晶片，为了提高工艺效率，一个托盘上通常设置有多个用于放置晶片的放片槽。
[0003]现有的托盘结构如图1所示，托盘I上设置有多个放片槽2，且放片槽2的侧壁上沿设置有缺口 3，以便于通过该缺口 3在放片槽2中取放晶片。现有的放片槽的剖视图如图2所示，放片槽2的侧壁采用斜边设计，且上宽下窄，这样，能够对晶片4的位置产生一定的修正作用，当晶片4放置的位置稍偏时，能够在其自身重力的作用下沿斜边滑到放片槽2的底表面。
[0004]现有的放片槽的底表面的面积须略大于晶片的面积，以便于容纳晶片，然而，这使得晶片放置在放片槽中时，放片槽底表面的边缘部分将暴露在工艺环境中，尤其在溅射工艺中，会导致放片槽底表面的边缘产生沉积物，如图3所示，当再次将晶片4放置在放片槽2中时，晶片4可能会搭在沉积物5上，导致晶片4悬空，影响托盘对晶片的热传导，同时影响在晶片4上所沉积的薄膜的均匀性，因此，需要频繁地清洗托盘，增加了成本。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明的目的在于提供一种托盘以及腔室，以减少放片槽边缘的沉积物对晶片的影响，并且降低托盘清洗的频率。
[0006]为实现上述目的，本发明提供一种托盘，用于承载晶片，所述托盘上设置多个有放片槽，所述放片槽的底面边缘处设置有沉积槽。
[0007]优选地，所述沉积槽环绕所述放片槽的底面设置。
[0008]优选地，当所述晶片设置在所述放片槽内时，所述放片槽底面被所述晶片覆盖。
[0009]优选地，所述沉积槽的宽度与所述沉积槽的深度比在2?4之间。
[0010]优选地，所述沉积槽的宽度在0.5mm?2mm之间。
[0011]优选地，针对LED生产线的直径为2英寸的晶片，所述沉积槽的宽度在0.5mm?
1.2mm之间。
[0012]优选地，所述托盘上表面至所述放片槽底面的距离与所述晶片的厚度比在0.4?I之间。
[0013]优选地，所述放片槽的侧壁为斜面，且所述斜面相对于所述放片槽的底面向外倾斜。
[0014]优选地，所述放片槽侧壁的上沿设置有缺口。
[0015]相应地，本发明还提供一种腔室，所述腔室内设置有基座，所述腔室还包括上述本发明所提供的托盘，所述托盘设置在所述基座上。
[0016]可见，本发明通过在放片槽的边缘设置沉积槽，使得工艺过程中溅射至放片槽边缘的溅射物能够沉积在沉积槽中，而不影响放置在放片槽底面的晶片的水平度。本发明仅需在沉积槽容纳满了沉积物后清洗托盘，与现有技术相比，延长了托盘需要清洗的周期，节约了成本。
【附图说明】
[0017]附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中:
[0018]图1为现有的托盘结构示意图；
[0019]图2为现有的放片槽剖视图；
[0020]图3为现有的放片槽沉积物影响示意图；
[0021]图4为本发明所提供的放片槽剖视图，具体展示了所述沉积槽的宽度；
[0022]图5为本发明所提供的沉积物与晶片位置示例图；
[0023]图6为本发明所提供的晶片放置示例图；
[0024]图7为本发明所提供的另一晶片放置示例图；
[0025]图8为本发明所提供的放片槽剖视图，具体展示了所述放片槽的深度；
[0026]图9为本发明所提供的托盘示例图。
[0027]附图标记说明
[0028]1、10-托盘;2、11-放片槽;3、14-缺P ;4、30_晶片;5、20_沉积物；12~沉积槽；13-放片槽底面。
【具体实施方式】
[0029]以下结合附图对本发明的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
[0030]作为本发明的一个方面，提供一种托盘，该托盘可以用于承载晶片，如图4至图9所示，托盘10上可以设置有多个放片槽11 (图中仅示出了一个)，且放片槽11的底面边缘处可以设置有沉积槽12。
[0031]现有技术中，当托盘承载晶片在腔室中进行沉积工艺时，溅射物溅射到放片槽边缘后会产生沉积物，使得下一次将晶片放置在放片槽中时可能导致晶片悬空，影响托盘与晶片之间的热传导，同时，晶片倾斜后还会影响在其上沉积的薄膜的均匀性。
[0032]为克服这一问题，如图4和图5所示，本发明在每一个放片槽11的底面边缘处设置沉积槽12，该沉积槽12可以用于容纳工艺过程中溅射至放片槽11的底面边缘的沉积物20，使得沉积物20能够沉积在沉积槽12中，而使得下一次将晶片30放置在放片槽11中时，沉积物20不会影响晶片30的水平度，同时也不会影响晶片30与放片槽11底面的接触。可见，本发明能够有效地克服现有技术中，放片槽边缘的沉积物可能会导致晶片悬空的问题。
[0033]更进一步地，沉积槽12可以环绕放片槽11的底面设置。通常，晶片的形状为圆形，而放片槽11的底面形状也为与晶片相匹配的圆形，为能够使溅射至放片槽11边缘的沉积物均沉积在沉积槽12内，可以将沉积槽12环绕放片槽11的底面设置。
[0034]更进一步地，可以如图6和图7所示，当晶片30设置在放片槽内时，放片槽底面13被晶片30覆盖。具体地，在承载晶片30时，放片槽底面13和晶片30直接接触以支撑晶片，因此，需要避免在工艺过程中，溅射物溅射在放片槽底面13上而产生沉积。为实现这一效果，可以使放片槽在承载晶片30时，放片槽底面13完全被晶片30覆盖，S卩，在加工放片槽时，可以使放片槽底面13小于或等于晶片30的横截面，例如，若晶片30为圆形，则可以使放片槽底面13的半径小于或等于晶片30的半径。优选地，可以使得放片槽底面13小于晶片30的横截面，从而如图7所示，能够在晶片30的一端与放片槽侧壁接触时，放片槽底面13也能够被晶片完全覆盖。
[0035]更进一步地，沉积槽12的宽度和深度比可以在2?4之间。为便于沉积槽12的加工，同时，为了使得沉积槽12能够容纳溅射至放片槽11边缘的沉积物，如图4所示，沉积槽12的宽度L和沉积槽12的深度H之间的比值可以在2?4之间，即L的值可以是H的值的2倍到4倍之间。
[0036]通常，托盘还用于对晶片加热，以控制晶片的温度，因此，为了保证托盘与晶片之间的热传导，沉积槽12的宽度不宜过宽，优选地，沉积槽的宽度可以在0.5mm?2mm之间，具体地，可以根据实际需求加工沉积槽的宽度，例如，优选地，当将托盘应用于生产直径为2英寸的晶片的LED生产线时，沉积槽12的宽度可以在0.5mm?1.2mm之间，当将托盘应用于生产直径为4英寸的晶片的LED生产线时，沉积槽12的宽度可以在0.8mm?2mm之间。
[0037]更进一步地，如图8所示，托盘10的上表面至放片槽底面13的距离D与晶片的厚度的比例可以在0.4?I之间。即，当晶片放置在放片槽底面13上时，晶片的上表面可以与托盘10的上表面平齐，或者，晶片的上表面也可以凸出于托盘10的上表面以便于晶片的取放，此外，在薄膜沉积等工艺中，托盘10的上表面会沉积有溅射物并形成颗粒，当托盘10的上表面的沉积物的高度过高时，沉积物颗粒可能滑落至晶片的上表面，或者受溅射物撞击后弹落至晶片的上表面，导致对晶片造成污染，因此，若使晶片的上表面凸出于托盘10的上表面，还能有效减少上述对晶片造成的颗粒污染。当晶片的上表面凸出于托盘10的上表面时，为防止晶片的滑移，优选地，托盘10的上表面至放片槽底面13的距离D与晶片的厚度的比可以大于0.4。
[0038]更进一步地，放片槽11的侧壁为斜面，且该斜面相对于放片槽底面向外倾斜。即，放片槽11的侧壁向放片槽底面的外沿方向倾斜，具体地，放片槽11可以加工为倒锥形的结构，使其侧壁为斜面，这样，可以使得当晶片的放置位置存在一定偏离时，晶片能够沿着该斜面，在其自身重力的作用下滑动至放片槽11的底面。
[0039]更进一步地，如图9所示，放片槽11的侧壁的上沿可以设置有缺口 14，以便于通过该缺口 14在放片槽11中取放晶片。
[0040]上述为对本发明所提供的托盘进行的描述，可见，本发明通过在放片槽的边缘设置沉积槽，使得工艺过程中溅射至放片槽边缘的溅射物能够沉积在沉积槽中，而不影响放置在放片槽底面的晶片的水平度，避免了现有技术中放片槽边缘的沉积物可能导致晶片悬空的问题。同时，本发明中的沉积槽能够容纳一定的沉积物，与现有技术相比，无需频繁地清洗托盘，而仅需在沉积槽容纳满了沉积物后清洗托盘，延长了托盘需要清洗的周期，节约了成本。
[0041]作为本发明的另一方面，提供一种腔室，该腔室设置有基座，同时，该腔室还包括上述本发明所提供的托盘，且该托盘设置在上述基座上。
[0042]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种托盘，用于承载晶片，其特征在于，所述托盘上设置多个有放片槽，所述放片槽的底面边缘处设置有沉积槽。2.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述沉积槽环绕所述放片槽的底面设置。3.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，当所述晶片设置在所述放片槽内时，所述放片槽底面被所述晶片覆盖。4.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述沉积槽的宽度与所述沉积槽的深度比在2?4之间。5.根据权利要求4所述的托盘，其特征在于，所述沉积槽的宽度在0.5mm?2mm之间。6.根据权利要求4所述的托盘，其特征在于，针对LED生产线的直径为2英寸的晶片，所述沉积槽的宽度在0.5mm?1.2mm之间。7.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述托盘上表面至所述放片槽底面的距离与所述晶片的厚度比在0.4?I之间。8.根据权利要求1至7中任意一项所述的托盘，其特征在于，所述放片槽的侧壁为斜面，且所述斜面相对于所述放片槽的底面向外倾斜。9.根据权利要求1至7中任意一项所述的托盘，其特征在于，所述放片槽侧壁的上沿设置有缺口。10.一种腔室，所述腔室内设置有基座，其特征在于，所述腔室还包括权利要求1至9中任意一项所述的托盘，所述托盘设置在所述基座上。
【专利摘要】本发明提供一种托盘，该托盘用于承载晶片，且该托盘上设置多个有放片槽，所述放片槽的底面边缘处设置有沉积槽。相应地，本发明还提供一种腔室，该腔室中设置有基座，且所述基座上设置有上述本发明所提供的托盘。本发明能够使得工艺过程中溅射至放片槽边缘的溅射物能够沉积在沉积槽中，而不影响放置在放片槽底面的晶片的水平度，此外，本发明仅需在沉积槽容纳满了沉积物后清洗托盘，与现有技术相比，延长了托盘需要清洗的周期，节约了成本。
【IPC分类】H01L21/683, H01L21/673
【公开号】CN104900567
【申请号】CN201410076411
【发明人】文莉辉, 武学伟, 赵梦欣, 丁培军
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2014年3月4日
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体设备制造领域，尤其涉及一种托盘以及腔室。
【背景技术】
[0002]在半导体生产工艺中，在各类腔体内经常需要使用托盘来承载晶片，为了提高工艺效率，一个托盘上通常设置有多个用于放置晶片的放片槽。
[0003]现有的托盘结构如图1所示，托盘I上设置有多个放片槽2，且放片槽2的侧壁上沿设置有缺口 3，以便于通过该缺口 3在放片槽2中取放晶片。现有的放片槽的剖视图如图2所示，放片槽2的侧壁采用斜边设计，且上宽下窄，这样，能够对晶片4的位置产生一定的修正作用，当晶片4放置的位置稍偏时，能够在其自身重力的作用下沿斜边滑到放片槽2的底表面。
[0004]现有的放片槽的底表面的面积须略大于晶片的面积，以便于容纳晶片，然而，这使得晶片放置在放片槽中时，放片槽底表面的边缘部分将暴露在工艺环境中，尤其在溅射工艺中，会导致放片槽底表面的边缘产生沉积物，如图3所示，当再次将晶片4放置在放片槽2中时，晶片4可能会搭在沉积物5上，导致晶片4悬空，影响托盘对晶片的热传导，同时影响在晶片4上所沉积的薄膜的均匀性，因此，需要频繁地清洗托盘，增加了成本。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明的目的在于提供一种托盘以及腔室，以减少放片槽边缘的沉积物对晶片的影响，并且降低托盘清洗的频率。
[0006]为实现上述目的，本发明提供一种托盘，用于承载晶片，所述托盘上设置多个有放片槽，所述放片槽的底面边缘处设置有沉积槽。
[0007]优选地，所述沉积槽环绕所述放片槽的底面设置。
[0008]优选地，当所述晶片设置在所述放片槽内时，所述放片槽底面被所述晶片覆盖。
[0009]优选地，所述沉积槽的宽度与所述沉积槽的深度比在2?4之间。
[0010]优选地，所述沉积槽的宽度在0.5mm?2mm之间。
[0011]优选地，针对LED生产线的直径为2英寸的晶片，所述沉积槽的宽度在0.5mm?
1.2mm之间。
[0012]优选地，所述托盘上表面至所述放片槽底面的距离与所述晶片的厚度比在0.4?I之间。
[0013]优选地，所述放片槽的侧壁为斜面，且所述斜面相对于所述放片槽的底面向外倾斜。
[0014]优选地，所述放片槽侧壁的上沿设置有缺口。
[0015]相应地，本发明还提供一种腔室，所述腔室内设置有基座，所述腔室还包括上述本发明所提供的托盘，所述托盘设置在所述基座上。
[0016]可见，本发明通过在放片槽的边缘设置沉积槽，使得工艺过程中溅射至放片槽边缘的溅射物能够沉积在沉积槽中，而不影响放置在放片槽底面的晶片的水平度。本发明仅需在沉积槽容纳满了沉积物后清洗托盘，与现有技术相比，延长了托盘需要清洗的周期，节约了成本。
【附图说明】
[0017]附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中:
[0018]图1为现有的托盘结构示意图；
[0019]图2为现有的放片槽剖视图；
[0020]图3为现有的放片槽沉积物影响示意图；
[0021]图4为本发明所提供的放片槽剖视图，具体展示了所述沉积槽的宽度；
[0022]图5为本发明所提供的沉积物与晶片位置示例图；
[0023]图6为本发明所提供的晶片放置示例图；
[0024]图7为本发明所提供的另一晶片放置示例图；
[0025]图8为本发明所提供的放片槽剖视图，具体展示了所述放片槽的深度；
[0026]图9为本发明所提供的托盘示例图。
[0027]附图标记说明
[0028]1、10-托盘;2、11-放片槽;3、14-缺P ;4、30_晶片;5、20_沉积物；12~沉积槽；13-放片槽底面。
【具体实施方式】
[0029]以下结合附图对本发明的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
[0030]作为本发明的一个方面，提供一种托盘，该托盘可以用于承载晶片，如图4至图9所示，托盘10上可以设置有多个放片槽11 (图中仅示出了一个)，且放片槽11的底面边缘处可以设置有沉积槽12。
[0031]现有技术中，当托盘承载晶片在腔室中进行沉积工艺时，溅射物溅射到放片槽边缘后会产生沉积物，使得下一次将晶片放置在放片槽中时可能导致晶片悬空，影响托盘与晶片之间的热传导，同时，晶片倾斜后还会影响在其上沉积的薄膜的均匀性。
[0032]为克服这一问题，如图4和图5所示，本发明在每一个放片槽11的底面边缘处设置沉积槽12，该沉积槽12可以用于容纳工艺过程中溅射至放片槽11的底面边缘的沉积物20，使得沉积物20能够沉积在沉积槽12中，而使得下一次将晶片30放置在放片槽11中时，沉积物20不会影响晶片30的水平度，同时也不会影响晶片30与放片槽11底面的接触。可见，本发明能够有效地克服现有技术中，放片槽边缘的沉积物可能会导致晶片悬空的问题。
[0033]更进一步地，沉积槽12可以环绕放片槽11的底面设置。通常，晶片的形状为圆形，而放片槽11的底面形状也为与晶片相匹配的圆形，为能够使溅射至放片槽11边缘的沉积物均沉积在沉积槽12内，可以将沉积槽12环绕放片槽11的底面设置。
[0034]更进一步地，可以如图6和图7所示，当晶片30设置在放片槽内时，放片槽底面13被晶片30覆盖。具体地，在承载晶片30时，放片槽底面13和晶片30直接接触以支撑晶片，因此，需要避免在工艺过程中，溅射物溅射在放片槽底面13上而产生沉积。为实现这一效果，可以使放片槽在承载晶片30时，放片槽底面13完全被晶片30覆盖，S卩，在加工放片槽时，可以使放片槽底面13小于或等于晶片30的横截面，例如，若晶片30为圆形，则可以使放片槽底面13的半径小于或等于晶片30的半径。优选地，可以使得放片槽底面13小于晶片30的横截面，从而如图7所示，能够在晶片30的一端与放片槽侧壁接触时，放片槽底面13也能够被晶片完全覆盖。
[0035]更进一步地，沉积槽12的宽度和深度比可以在2?4之间。为便于沉积槽12的加工，同时，为了使得沉积槽12能够容纳溅射至放片槽11边缘的沉积物，如图4所示，沉积槽12的宽度L和沉积槽12的深度H之间的比值可以在2?4之间，即L的值可以是H的值的2倍到4倍之间。
[0036]通常，托盘还用于对晶片加热，以控制晶片的温度，因此，为了保证托盘与晶片之间的热传导，沉积槽12的宽度不宜过宽，优选地，沉积槽的宽度可以在0.5mm?2mm之间，具体地，可以根据实际需求加工沉积槽的宽度，例如，优选地，当将托盘应用于生产直径为2英寸的晶片的LED生产线时，沉积槽12的宽度可以在0.5mm?1.2mm之间，当将托盘应用于生产直径为4英寸的晶片的LED生产线时，沉积槽12的宽度可以在0.8mm?2mm之间。
[0037]更进一步地，如图8所示，托盘10的上表面至放片槽底面13的距离D与晶片的厚度的比例可以在0.4?I之间。即，当晶片放置在放片槽底面13上时，晶片的上表面可以与托盘10的上表面平齐，或者，晶片的上表面也可以凸出于托盘10的上表面以便于晶片的取放，此外，在薄膜沉积等工艺中，托盘10的上表面会沉积有溅射物并形成颗粒，当托盘10的上表面的沉积物的高度过高时，沉积物颗粒可能滑落至晶片的上表面，或者受溅射物撞击后弹落至晶片的上表面，导致对晶片造成污染，因此，若使晶片的上表面凸出于托盘10的上表面，还能有效减少上述对晶片造成的颗粒污染。当晶片的上表面凸出于托盘10的上表面时，为防止晶片的滑移，优选地，托盘10的上表面至放片槽底面13的距离D与晶片的厚度的比可以大于0.4。
[0038]更进一步地，放片槽11的侧壁为斜面，且该斜面相对于放片槽底面向外倾斜。即，放片槽11的侧壁向放片槽底面的外沿方向倾斜，具体地，放片槽11可以加工为倒锥形的结构，使其侧壁为斜面，这样，可以使得当晶片的放置位置存在一定偏离时，晶片能够沿着该斜面，在其自身重力的作用下滑动至放片槽11的底面。
[0039]更进一步地，如图9所示，放片槽11的侧壁的上沿可以设置有缺口 14，以便于通过该缺口 14在放片槽11中取放晶片。
[0040]上述为对本发明所提供的托盘进行的描述，可见，本发明通过在放片槽的边缘设置沉积槽，使得工艺过程中溅射至放片槽边缘的溅射物能够沉积在沉积槽中，而不影响放置在放片槽底面的晶片的水平度，避免了现有技术中放片槽边缘的沉积物可能导致晶片悬空的问题。同时，本发明中的沉积槽能够容纳一定的沉积物，与现有技术相比，无需频繁地清洗托盘，而仅需在沉积槽容纳满了沉积物后清洗托盘，延长了托盘需要清洗的周期，节约了成本。
[0041]作为本发明的另一方面，提供一种腔室，该腔室设置有基座，同时，该腔室还包括上述本发明所提供的托盘，且该托盘设置在上述基座上。
[0042]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种托盘，用于承载晶片，其特征在于，所述托盘上设置多个有放片槽，所述放片槽的底面边缘处设置有沉积槽。2.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述沉积槽环绕所述放片槽的底面设置。3.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，当所述晶片设置在所述放片槽内时，所述放片槽底面被所述晶片覆盖。4.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述沉积槽的宽度与所述沉积槽的深度比在2?4之间。5.根据权利要求4所述的托盘，其特征在于，所述沉积槽的宽度在0.5mm?2mm之间。6.根据权利要求4所述的托盘，其特征在于，针对LED生产线的直径为2英寸的晶片，所述沉积槽的宽度在0.5mm?1.2mm之间。7.根据权利要求1所述的托盘，其特征在于，所述托盘上表面至所述放片槽底面的距离与所述晶片的厚度比在0.4?I之间。8.根据权利要求1至7中任意一项所述的托盘，其特征在于，所述放片槽的侧壁为斜面，且所述斜面相对于所述放片槽的底面向外倾斜。9.根据权利要求1至7中任意一项所述的托盘，其特征在于，所述放片槽侧壁的上沿设置有缺口。10.一种腔室，所述腔室内设置有基座，其特征在于，所述腔室还包括权利要求1至9中任意一项所述的托盘，所述托盘设置在所述基座上。
【专利摘要】本发明提供一种托盘，该托盘用于承载晶片，且该托盘上设置多个有放片槽，所述放片槽的底面边缘处设置有沉积槽。相应地，本发明还提供一种腔室，该腔室中设置有基座，且所述基座上设置有上述本发明所提供的托盘。本发明能够使得工艺过程中溅射至放片槽边缘的溅射物能够沉积在沉积槽中，而不影响放置在放片槽底面的晶片的水平度，此外，本发明仅需在沉积槽容纳满了沉积物后清洗托盘，与现有技术相比，延长了托盘需要清洗的周期，节约了成本。
【IPC分类】H01L21/683, H01L21/673
【公开号】CN104900567
【申请号】CN201410076411
【发明人】文莉辉, 武学伟, 赵梦欣, 丁培军
【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2014年3月4日
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