一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置的制造方法
一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
【背景技术】
[0002]有机电致发光显示装置，由于具有亮度、对比度高、可视角度大和色彩鲜艳等优点，目前已经被广泛关注并逐渐应用于各个领域。
[0003]有机电致发光显示装置中，阵列基板在非显示区部分，具有阴极层和源漏极金属层的整体叠层，阴极层包括金属层(如银或银合金构成的金属层)和金属层之上的像素电极层，阴极层和源漏极金属层分别在各自的层上形成不同的电极图形。在现有的制备工艺中，在对阴极层进行刻蚀(通常采用湿法刻蚀)时容易发生原电池效应导致源漏极金属层被损坏，使得显示面装置的良率降低。所谓的原电池效应(贾凡尼效应)是指活动性(即氧化性)不同的两种金属或金属和其他导电材料(如非金属和氧化物)，浸在电解质溶液(如硫酸、双氧水等酸性物质)中发生氧化还原反应，使得活动性较强(即还原性较强)的金属发生氧化而导致不断被腐蚀的现象。
[0004]现有技术中，为了解决对阵列基板的非显示区内的阴极层进行刻蚀(通常采用湿法刻蚀)时源漏极金属层被损坏的问题，已经考虑选用特殊的源漏极金属材料，如钛或者钛与其他金属的叠层，提供源漏极金属层的抗腐蚀能力，但是采用钛或者钛与其他金属的叠层成本较高，且需要重新研发沉积和构图工艺，还无法提供较好的可行性方案。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以解决现有技术的有机电致发光显示装置的阵列基板制备工艺中，对非显示区内的阴极层进行刻蚀时会导致源漏极金属层被损坏的问题。
[0006]本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
[0007]本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和除显示区之外的非显示区，方法包括:
[0008]在衬底基板上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括位于所述显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于所述非显示区的第一电极；
[0009]在所述源漏极金属层之上形成保护层，使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度；
[0010]在所述保护层之上形成阴极层，去除位于所述非显示区的所述阴极层；
[0011]去除位于所述非显示区的所述保护层。
[0012]本实施例中，阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致所述源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0013]优选的，在衬底基板上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括位于所述显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于所述非显示区的第一电极，包括:
[0014]以铝薄膜、钼薄膜和钨薄膜中任意一种单层膜层或至少两种构成的复合膜层形成源漏极金属薄膜，或者以铝、钼和钨中至少两种的合金形成源漏极金属薄膜；
[0015]通过一道构图工艺使所述源漏极金属薄膜形成包括所述第一电极、所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的源漏极金属层。
[0016]优选的，在所述源漏极金属层之上形成保护层，使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度，包括:
[0017]在所述源漏极金属层之上形成平坦化膜层，通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度。
[0018]优选的，在在所述源漏极金属层之上形成平坦化膜层，通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度，具体包括:
[0019]以有机光阻材料在所述源漏极金属层之上形成厚度为8000埃?20000埃的所述平坦化膜层作为所述保护层，
[0020]通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层减薄至厚度为1000埃?8000埃。
[0021]优选的，在所述保护层之上形成阴极层，去除位于所述非显示区的所述阴极层，包括:
[0022]通过溅射或蒸镀工艺在所述保护层至少形成阴极层，通过一道构图工艺，去除位于所述非显示区的所述阴极层。
[0023]优选的，去除位于非显示区的所述保护层，包括:
[0024]在所述阴极层之上形成像素定义层，采用灰化工艺去除所述非显示区内所述像素定义层的图形覆盖之外的所述保护层。
[0025]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致所述源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0026]本发明实施例提供一种阵列基板，采用如上实施例提供的制备方法制备。
[0027]优选的，所述第一电极的厚度为1000埃?5000埃。
[0028]优选的，所述阴极层包括阴极金属层和形成于所述阴极金属层之上的像素电极层，所述阴极金属层的材料包括银或银合金，所述阴极层的厚度为1000埃?5000埃。
[0029]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致所述源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0030]本发明实施例提供一种显示面板，包括如上实施例提供的所述阵列基板。
[0031]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致所述源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0032]本发明实施例提供一种显示装置，包括如上实施例提供的所述显示面板。
[0033]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致所述源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
【附图说明】
[0034]图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程图；
[0035]图2为本发明实施例中形成源漏极金属层的示意图；
[0036]图3为本发明实施例中形成减薄的平坦化膜层作为保护层的示意图；
[0037]图4为本发明实施例中湿法刻蚀阴极层的示意图；
[0038]图5为本发明实施例中以灰化工艺去除部分减薄的平坦化膜层的示意图；
[0039]图6为本发明实施例中去除部分减薄的平坦化膜层后的示意图。
【具体实施方式】
[0040]下面结合说明书附图对本发明实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
[0041]参见图1，本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，阵列基板包括显示区和除显示区之外的非显示区，方法包括:
[0042]101，在衬底基板上形成源漏极金属层，源漏极金属层包括位于显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于非显示区的第一电极。
[0043]优选的，可以采用铝薄膜、钼薄膜和钨薄膜中任意一种单层膜层或至少两种构成的复合膜层形成源漏极金属薄膜，或者以铝、钼和钨中至少两种的合金形成源漏极金属薄膜。本实施例中，源漏极金属薄膜的制备不需要特殊的金属材料。
[0044]通过一道构图工艺使源漏极金属薄膜形成包括第一电极、薄膜晶体管的源电极和漏电极的源漏极金属层。
[0045]优选的，形成的源漏极金属层的厚度可以为1000埃?5000埃。
[0046]102，在源漏极金属层之上形成保护层，使非显示区的保护层的厚度小于显示区的保护层的厚度。
[0047]通常，在源漏极金属层之上形成平坦化膜层，通过半色调掩膜工艺使非显示区的保护层的厚度小于显示区的保护层的厚度。
[0048]具体包括:
[0049]以有机光阻材料在源漏极金属层之上形成厚度为8000埃?20000埃为平坦化膜层作为保护层，通过半色调掩膜工艺使非显示区的保护层减薄至厚度为1000埃?8000埃。
[0050]当然，平坦化膜层的减薄程度依对刻蚀的影响可以进行调整，以尽量薄且能阻止刻蚀损坏为目的。
[0051]需要说明的是，由于后续形成的阴极层的刻蚀工艺通常采用湿法刻蚀工艺，因此该平坦化膜层的主要作用是阻止源漏极金属层和阴极层之间产生原电 极效应，避免发生原电池效应导致源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏。
[0052]103，在保护层之上形成阴极层，去除位于非显示区的阴极层。
[0053]优选的，通过溅射或蒸镀工艺在保护层之上形成阴极层，通过一道构图工艺，去除位于非显示区的阴极层。
[0054]由于现有技术中非显示区的阴极层的图案与下方的第一电极的图案是一样的，因此刻蚀时需要考虑第一电极的图案。在本步骤中，可以去除非显示区内的全部阴极层。当然，如果需要保留部分阴极层，可以在需要保留的部分阴极层的上方形成如步骤104中指出的像素定义层进行遮挡。
[0055]本实施例中的阴极层可以为ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)膜层和阴极金属层的叠层，阴金属层可以为银膜层或银合金膜层。因此，阴极层可以如下:例如，阴极层为银膜层之上形成ITO膜层的叠层；又例如，阴极层为银合金的膜层之上形成ITO膜层的叠层。
[0056]可以以1000埃?5000埃的厚度形成阴极层，优选的，以1500埃?4000埃的厚度形成阴极层。
[0057]104，去除位于非显示区的保护层。
[0058]优选的，在阴极层之上形成像素定义层，采用灰化工艺去除非显示区内像素定义层的图形覆盖之外的保护层。
[0059]需要说明的是，有机电致发光显示装置的阵列基板，通常采用低温多晶硅制备薄膜晶体管的有源层，低温多晶硅相对于非晶硅阵列基板具有高迀移率(可达非晶硅的数百倍)的优点，薄膜晶体管尺寸可以做得很小，并且反应速度快。
[0060]为了清晰的对本实施例提供的阵列基板的制备方法进行描述，结合图2至图6 (图2至图6的附图标记含义相同)，为了使附图更直观且便于理解，因此仅以非显示区内，在需要刻蚀掉的阴极层所对应的部分为例，具体说明如下:
[0061]参见图2，形成源漏极金属层I。
[0062]参见图3，在源漏极金属层I上形成平坦化膜层后，通过半色调掩膜工艺使平坦化膜层减薄，虚线部分22为减薄时去除的平坦化膜层，保留减薄膜的平坦化膜层作为保护层
21ο
[0063]参见图4，在保护层21上形成阴极层3，具体工艺包括溅射或蒸镀，并以构图工艺10图案化阴极层3，构图工艺10可以包括曝光、显影、刻蚀等。在本实施例中，为了便于说明，该阴极层3均为需要刻蚀后去除的部分。
[0064]参见图5，构图工艺10完成后的阴极层3上形成像素定义层4，并以灰化工艺11去除非显示区内像素定义层4覆盖区域之外的保护层21。
[0065]参见图6，已经去除非显示区内像素定义层4覆盖区域之外的保护层21所保留的源漏极金属层I的部分保护层21，由于在构图工艺10实施时，保护层21对源漏极金属层I进行保护，且保护层21隔绝源漏极金属层I和阴极层3，使得源漏极金属层I不会被腐蚀，也避免产生原电极效应被损坏。
[0066]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0067]根据同一发明构思，本发明实施例还提供一种阵列基板，采用如上实施例提供的制备方法制备。
[0068]优选的，第一电极的厚度为1000埃?5000埃。
[0069]优选的，阴极层包括阴极金属层和形成于阴极金属层之上的像素电极层，阴极金属层的材料包括银或银合金，阴极层的厚度为1000埃?5000埃。
[0070]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0071]本发明实施例还提供一种显示面板，包括如上实施例提供的阵列基板。
[0072]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0073]本发明实施例还提供一种显示装置，包括如上实施例提供的显示面板，所述显示装置可以为:电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件的显示装置。
[0074]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0075]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和除显示区之外的非显示区，其特征在于，方法包括: 在衬底基板上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括位于所述显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于所述非显示区的第一电极； 在所述源漏极金属层之上形成保护层，使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度； 在所述保护层之上形成阴极层，去除位于所述非显示区的所述阴极层； 去除位于所述非显示区的所述保护层。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括位于所述显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于所述非显示区的第一电极，包括: 以铝薄膜、钼薄膜和钨薄膜中任意一种单层膜层或至少两种构成的复合膜层形成源漏极金属薄膜，或者以铝、钼和钨中至少两种的合金形成源漏极金属薄膜； 通过一道构图工艺使所述源漏极金属薄膜形成包括所述第一电极、所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的源漏极金属层。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述源漏极金属层之上形成保护层，使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度，包括: 在所述源漏极金属层之上形成平坦化膜层，通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述源漏极金属层之上形成平坦化膜层，通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度，具体包括: 以有机光阻材料在所述源漏极金属层之上形成厚度为8000埃?20000埃的所述平坦化膜层作为所述保护层， 通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层减薄至厚度为1000埃?8000埃。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述保护层之上形成阴极层，去除位于所述非显示区的所述阴极层，包括: 通过溅射或蒸镀工艺在所述保护层之上形成阴极层，通过一道构图工艺，去除位于所述非显示区的所述阴极层。6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除位于所述非显示区的所述保护层，包括: 在所述阴极层之上形成像素定义层，采用灰化工艺去除所述非显示区内所述像素定义层的图形覆盖之外的所述保护层。7.—种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1至6任一项所述的制备方法制备。8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极的厚度为1000埃?5000埃。9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阴极层包括阴极金属层和形成于所述阴极金属层之上的像素电极层，所述阴极金属层的材料包括银或银合金，所述阴极层的厚度为1000埃?5000埃。10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求7至9任一项所述的阵列基板。11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以解决现有技术的有机电致发光显示装置的阵列基板制备工艺中，对非显示区内的阴极层进行刻蚀时会导致源漏极金属层被损坏的问题。阵列基板包括显示区和除显示区之外的非显示区，方法包括：在衬底基板上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括位于所述显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于所述非显示区的第一电极；在所述源漏极金属层之上形成保护层，使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度；在所述保护层之上形成阴极层，去除位于所述非显示区的所述阴极层；去除位于所述非显示区的所述保护层。
【IPC分类】H01L27/12, H01L51/50, H01L51/56, H01L21/77, H01L51/52
【公开号】CN104900656
【申请号】CN201510263070
【发明人】刘政, 李栋, 李小龙
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年5月21日
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
【背景技术】
[0002]有机电致发光显示装置，由于具有亮度、对比度高、可视角度大和色彩鲜艳等优点，目前已经被广泛关注并逐渐应用于各个领域。
[0003]有机电致发光显示装置中，阵列基板在非显示区部分，具有阴极层和源漏极金属层的整体叠层，阴极层包括金属层(如银或银合金构成的金属层)和金属层之上的像素电极层，阴极层和源漏极金属层分别在各自的层上形成不同的电极图形。在现有的制备工艺中，在对阴极层进行刻蚀(通常采用湿法刻蚀)时容易发生原电池效应导致源漏极金属层被损坏，使得显示面装置的良率降低。所谓的原电池效应(贾凡尼效应)是指活动性(即氧化性)不同的两种金属或金属和其他导电材料(如非金属和氧化物)，浸在电解质溶液(如硫酸、双氧水等酸性物质)中发生氧化还原反应，使得活动性较强(即还原性较强)的金属发生氧化而导致不断被腐蚀的现象。
[0004]现有技术中，为了解决对阵列基板的非显示区内的阴极层进行刻蚀(通常采用湿法刻蚀)时源漏极金属层被损坏的问题，已经考虑选用特殊的源漏极金属材料，如钛或者钛与其他金属的叠层，提供源漏极金属层的抗腐蚀能力，但是采用钛或者钛与其他金属的叠层成本较高，且需要重新研发沉积和构图工艺，还无法提供较好的可行性方案。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以解决现有技术的有机电致发光显示装置的阵列基板制备工艺中，对非显示区内的阴极层进行刻蚀时会导致源漏极金属层被损坏的问题。
[0006]本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
[0007]本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和除显示区之外的非显示区，方法包括:
[0008]在衬底基板上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括位于所述显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于所述非显示区的第一电极；
[0009]在所述源漏极金属层之上形成保护层，使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度；
[0010]在所述保护层之上形成阴极层，去除位于所述非显示区的所述阴极层；
[0011]去除位于所述非显示区的所述保护层。
[0012]本实施例中，阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致所述源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0013]优选的，在衬底基板上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括位于所述显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于所述非显示区的第一电极，包括:
[0014]以铝薄膜、钼薄膜和钨薄膜中任意一种单层膜层或至少两种构成的复合膜层形成源漏极金属薄膜，或者以铝、钼和钨中至少两种的合金形成源漏极金属薄膜；
[0015]通过一道构图工艺使所述源漏极金属薄膜形成包括所述第一电极、所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的源漏极金属层。
[0016]优选的，在所述源漏极金属层之上形成保护层，使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度，包括:
[0017]在所述源漏极金属层之上形成平坦化膜层，通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度。
[0018]优选的，在在所述源漏极金属层之上形成平坦化膜层，通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度，具体包括:
[0019]以有机光阻材料在所述源漏极金属层之上形成厚度为8000埃?20000埃的所述平坦化膜层作为所述保护层，
[0020]通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层减薄至厚度为1000埃?8000埃。
[0021]优选的，在所述保护层之上形成阴极层，去除位于所述非显示区的所述阴极层，包括:
[0022]通过溅射或蒸镀工艺在所述保护层至少形成阴极层，通过一道构图工艺，去除位于所述非显示区的所述阴极层。
[0023]优选的，去除位于非显示区的所述保护层，包括:
[0024]在所述阴极层之上形成像素定义层，采用灰化工艺去除所述非显示区内所述像素定义层的图形覆盖之外的所述保护层。
[0025]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致所述源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0026]本发明实施例提供一种阵列基板，采用如上实施例提供的制备方法制备。
[0027]优选的，所述第一电极的厚度为1000埃?5000埃。
[0028]优选的，所述阴极层包括阴极金属层和形成于所述阴极金属层之上的像素电极层，所述阴极金属层的材料包括银或银合金，所述阴极层的厚度为1000埃?5000埃。
[0029]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致所述源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0030]本发明实施例提供一种显示面板，包括如上实施例提供的所述阵列基板。
[0031]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致所述源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0032]本发明实施例提供一种显示装置，包括如上实施例提供的所述显示面板。
[0033]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致所述源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
【附图说明】
[0034]图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程图；
[0035]图2为本发明实施例中形成源漏极金属层的示意图；
[0036]图3为本发明实施例中形成减薄的平坦化膜层作为保护层的示意图；
[0037]图4为本发明实施例中湿法刻蚀阴极层的示意图；
[0038]图5为本发明实施例中以灰化工艺去除部分减薄的平坦化膜层的示意图；
[0039]图6为本发明实施例中去除部分减薄的平坦化膜层后的示意图。
【具体实施方式】
[0040]下面结合说明书附图对本发明实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
[0041]参见图1，本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，阵列基板包括显示区和除显示区之外的非显示区，方法包括:
[0042]101，在衬底基板上形成源漏极金属层，源漏极金属层包括位于显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于非显示区的第一电极。
[0043]优选的，可以采用铝薄膜、钼薄膜和钨薄膜中任意一种单层膜层或至少两种构成的复合膜层形成源漏极金属薄膜，或者以铝、钼和钨中至少两种的合金形成源漏极金属薄膜。本实施例中，源漏极金属薄膜的制备不需要特殊的金属材料。
[0044]通过一道构图工艺使源漏极金属薄膜形成包括第一电极、薄膜晶体管的源电极和漏电极的源漏极金属层。
[0045]优选的，形成的源漏极金属层的厚度可以为1000埃?5000埃。
[0046]102，在源漏极金属层之上形成保护层，使非显示区的保护层的厚度小于显示区的保护层的厚度。
[0047]通常，在源漏极金属层之上形成平坦化膜层，通过半色调掩膜工艺使非显示区的保护层的厚度小于显示区的保护层的厚度。
[0048]具体包括:
[0049]以有机光阻材料在源漏极金属层之上形成厚度为8000埃?20000埃为平坦化膜层作为保护层，通过半色调掩膜工艺使非显示区的保护层减薄至厚度为1000埃?8000埃。
[0050]当然，平坦化膜层的减薄程度依对刻蚀的影响可以进行调整，以尽量薄且能阻止刻蚀损坏为目的。
[0051]需要说明的是，由于后续形成的阴极层的刻蚀工艺通常采用湿法刻蚀工艺，因此该平坦化膜层的主要作用是阻止源漏极金属层和阴极层之间产生原电 极效应，避免发生原电池效应导致源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏。
[0052]103，在保护层之上形成阴极层，去除位于非显示区的阴极层。
[0053]优选的，通过溅射或蒸镀工艺在保护层之上形成阴极层，通过一道构图工艺，去除位于非显示区的阴极层。
[0054]由于现有技术中非显示区的阴极层的图案与下方的第一电极的图案是一样的，因此刻蚀时需要考虑第一电极的图案。在本步骤中，可以去除非显示区内的全部阴极层。当然，如果需要保留部分阴极层，可以在需要保留的部分阴极层的上方形成如步骤104中指出的像素定义层进行遮挡。
[0055]本实施例中的阴极层可以为ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)膜层和阴极金属层的叠层，阴金属层可以为银膜层或银合金膜层。因此，阴极层可以如下:例如，阴极层为银膜层之上形成ITO膜层的叠层；又例如，阴极层为银合金的膜层之上形成ITO膜层的叠层。
[0056]可以以1000埃?5000埃的厚度形成阴极层，优选的，以1500埃?4000埃的厚度形成阴极层。
[0057]104，去除位于非显示区的保护层。
[0058]优选的，在阴极层之上形成像素定义层，采用灰化工艺去除非显示区内像素定义层的图形覆盖之外的保护层。
[0059]需要说明的是，有机电致发光显示装置的阵列基板，通常采用低温多晶硅制备薄膜晶体管的有源层，低温多晶硅相对于非晶硅阵列基板具有高迀移率(可达非晶硅的数百倍)的优点，薄膜晶体管尺寸可以做得很小，并且反应速度快。
[0060]为了清晰的对本实施例提供的阵列基板的制备方法进行描述，结合图2至图6 (图2至图6的附图标记含义相同)，为了使附图更直观且便于理解，因此仅以非显示区内，在需要刻蚀掉的阴极层所对应的部分为例，具体说明如下:
[0061]参见图2，形成源漏极金属层I。
[0062]参见图3，在源漏极金属层I上形成平坦化膜层后，通过半色调掩膜工艺使平坦化膜层减薄，虚线部分22为减薄时去除的平坦化膜层，保留减薄膜的平坦化膜层作为保护层
21ο
[0063]参见图4，在保护层21上形成阴极层3，具体工艺包括溅射或蒸镀，并以构图工艺10图案化阴极层3，构图工艺10可以包括曝光、显影、刻蚀等。在本实施例中，为了便于说明，该阴极层3均为需要刻蚀后去除的部分。
[0064]参见图5，构图工艺10完成后的阴极层3上形成像素定义层4，并以灰化工艺11去除非显示区内像素定义层4覆盖区域之外的保护层21。
[0065]参见图6，已经去除非显示区内像素定义层4覆盖区域之外的保护层21所保留的源漏极金属层I的部分保护层21，由于在构图工艺10实施时，保护层21对源漏极金属层I进行保护，且保护层21隔绝源漏极金属层I和阴极层3，使得源漏极金属层I不会被腐蚀，也避免产生原电极效应被损坏。
[0066]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0067]根据同一发明构思，本发明实施例还提供一种阵列基板，采用如上实施例提供的制备方法制备。
[0068]优选的，第一电极的厚度为1000埃?5000埃。
[0069]优选的，阴极层包括阴极金属层和形成于阴极金属层之上的像素电极层，阴极金属层的材料包括银或银合金，阴极层的厚度为1000埃?5000埃。
[0070]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0071]本发明实施例还提供一种显示面板，包括如上实施例提供的阵列基板。
[0072]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0073]本发明实施例还提供一种显示装置，包括如上实施例提供的显示面板，所述显示装置可以为:电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件的显示装置。
[0074]本发明实施例有益效果如下:阵列基板的制备工艺中，在阵列基板的非显示区内，形成阴极层之前，在源漏极金属层之上形成减薄的平坦化膜层作为保护层，再形成阴极层并刻蚀。由于保护层能够在刻蚀阴极层时，避免刻蚀液对源漏极金属层的腐蚀，并隔绝阴极层和源漏极金属层，避免发生原电池效应导致源漏极金属层发生氧化反应，从而避免源漏极金属层被损坏的问题；平坦化膜层的制备工序不需要单独研发，容易实现且成本较低。
[0075]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和除显示区之外的非显示区，其特征在于，方法包括: 在衬底基板上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括位于所述显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于所述非显示区的第一电极； 在所述源漏极金属层之上形成保护层，使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度； 在所述保护层之上形成阴极层，去除位于所述非显示区的所述阴极层； 去除位于所述非显示区的所述保护层。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括位于所述显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于所述非显示区的第一电极，包括: 以铝薄膜、钼薄膜和钨薄膜中任意一种单层膜层或至少两种构成的复合膜层形成源漏极金属薄膜，或者以铝、钼和钨中至少两种的合金形成源漏极金属薄膜； 通过一道构图工艺使所述源漏极金属薄膜形成包括所述第一电极、所述薄膜晶体管的源电极和漏电极的源漏极金属层。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述源漏极金属层之上形成保护层，使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度，包括: 在所述源漏极金属层之上形成平坦化膜层，通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述源漏极金属层之上形成平坦化膜层，通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度，具体包括: 以有机光阻材料在所述源漏极金属层之上形成厚度为8000埃?20000埃的所述平坦化膜层作为所述保护层， 通过半色调掩膜工艺使所述非显示区的所述保护层减薄至厚度为1000埃?8000埃。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述保护层之上形成阴极层，去除位于所述非显示区的所述阴极层，包括: 通过溅射或蒸镀工艺在所述保护层之上形成阴极层，通过一道构图工艺，去除位于所述非显示区的所述阴极层。6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除位于所述非显示区的所述保护层，包括: 在所述阴极层之上形成像素定义层，采用灰化工艺去除所述非显示区内所述像素定义层的图形覆盖之外的所述保护层。7.—种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1至6任一项所述的制备方法制备。8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极的厚度为1000埃?5000埃。9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阴极层包括阴极金属层和形成于所述阴极金属层之上的像素电极层，所述阴极金属层的材料包括银或银合金，所述阴极层的厚度为1000埃?5000埃。10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求7至9任一项所述的阵列基板。11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以解决现有技术的有机电致发光显示装置的阵列基板制备工艺中，对非显示区内的阴极层进行刻蚀时会导致源漏极金属层被损坏的问题。阵列基板包括显示区和除显示区之外的非显示区，方法包括：在衬底基板上形成源漏极金属层，所述源漏极金属层包括位于所述显示区的薄膜晶体管的源电极和漏电极、以及位于所述非显示区的第一电极；在所述源漏极金属层之上形成保护层，使所述非显示区的所述保护层的厚度小于所述显示区的所述保护层的厚度；在所述保护层之上形成阴极层，去除位于所述非显示区的所述阴极层；去除位于所述非显示区的所述保护层。
【IPC分类】H01L27/12, H01L51/50, H01L51/56, H01L21/77, H01L51/52
【公开号】CN104900656
【申请号】CN201510263070
【发明人】刘政, 李栋, 李小龙
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年5月21日
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