一种软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
一种软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种阵列基板，尤其涉及一种软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]软性电子是将电子电路制作并设置在软性基板上的技术，产品具有柔软可弯曲的特性。与此相关的技术项目或产品可以包括，例如，软性基板(Flexible substrate)、有机电子(Organic electronics)材料、大面积制程(Large area processing)、有机电致发光二极管(Organic Light Emitting D1de，OLED)、高分子半导体(PolymerSemiconductor)、软性电子电路设计等。
[0003]以软性显示制程为例，在现有技术中，其首先在玻璃基板上制作离型层界面(debonding layer interface)，薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)制作在离型层上，然后再贴合软性基板于薄膜晶体管的上方，接着再分离(debonding)薄膜晶体管与玻璃基板。为了实现集成电路(IC)或柔性印刷电路(flexible printed circuit)的黏合，往往需要以过孔(through hole)方式导通至下方。一般地，采用干蚀刻(dry etching)制程工艺来形成上述过孔，但是，因软性基板会盖住接合焊盘，蚀刻时无法准确地挖出过孔，而且还极有可能伤害到下方的离型层。由于离型层被损坏，所以会导致接合焊盘区域在后续分离时并不能顺利进行，严重影响了制程良率，并大幅增加了离型制程的时间成本。
[0004]有鉴于此，如何设计一种软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，以克服现有技术中的上述缺陷和不足，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
【发明内容】
[0005]针对现有技术中的软性薄膜晶体管阵列基板由于离型层被损坏所产生的上述缺陷，本发明提供了一种新颖的、软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
[0006]依据本发明的一个方面，提供了一种软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括以下步骤:
[0007]形成一离型层于玻璃基板的上方；
[0008]形成一导电层于所述离型层的上方；
[0009]利用湿蚀刻制程对所述导电层进行图案化，从而形成一接合焊盘；
[0010]形成一薄膜晶体管以及一过孔，所述薄膜晶体管藉由所述过孔电性耦接至所述接合焊盘；以及
[0011]利用所述离型层从所述玻璃基板分离所述薄膜晶体管。
[0012]在其中的一实施例，该制造方法还包括:在分离所述薄膜晶体管之后，黏合所述接合焊盘至一外部的连接部。
[0013]在其中的一实施例，该连接部为集成电路或柔性印刷电路。
[0014]在其中的一实施例，上述形成薄膜晶体管和过孔的步骤还包括:形成一绝缘层于所述离型层和所述接合焊盘的上方；形成所述薄膜晶体管于所述绝缘层的上方；以及对所述绝缘层进行干蚀刻以形成所述过孔。
[0015]在其中的一实施例，该制造方法还包括:在分离所述薄膜晶体管之后，形成一软性基板于所述薄膜晶体管的上方。
[0016]在其中的一实施例，所述导电层由氧化铟锡材质制成。
[0017]依据本发明的另一个方面，提供了一种软性薄膜晶体管阵列基板，包括:
[0018]一图案化的导电层，包括对应于图案的一接合焊盘；
[0019]一绝缘层，设置于所述图案化的导电层的上方；
[0020]一薄膜晶体管，设置于所述绝缘层的上方；
[0021]一过孔，与所述接合焊盘的位置相对应，用于电性耦接所述接合焊盘与所述薄膜晶体管；以及
[0022]一软性基板，设置于所述薄膜晶体管的上方。
[0023]在其中的一实施例，所述软性薄膜晶体管阵列基板采用离型制程制作而成。
[0024]在其中的一实施例，上述离型制程包括以下步骤:形成一离型层于玻璃基板的上方；形成所述导电层于所述离型层的上方；利用湿蚀刻制程对所述导电层进行图案化，以形成所述接合焊盘；形成所述薄膜晶体管和所述过孔；以及利用所述离型层从所述玻璃基板分离所述薄膜晶体管。
[0025]在其中的一实施例，所述导电层由氧化铟锡材质制成。
[0026]采用本发明的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，首先形成离型层于玻璃基板的上方，然后形成导电层于离型层的上方，接着利用湿蚀刻制程对导电层进行图案化从而形成一接合焊盘，再形成一薄膜晶体管以及一过孔并藉由过孔电性耦接薄膜晶体管与接合焊盘，从而利用离型层将薄膜晶体管成功地分离出来。相比于现有技术，本发明在离型层上方设置导电层，从而使形成过孔时的干蚀刻制程并不会穿透图案化导电层而伤害到离型层，因此可避免后续制程出现分离失败的不良情形。
【附图说明】
[0027]读者在参照附图阅读了本发明的【具体实施方式】以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中，
[0028]图1A示出现有技术中的一种采用干蚀刻形成过孔时的结构示意图；
[0029]图1B示出现有技术中的另一种采用干蚀刻形成过孔时的结构示意图；
[0030]图2示出依据本发明的一实施方式，软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法的流程框图；以及
[0031]图3A至图3E分别示出图2的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法的步骤分解示意图。
【具体实施方式】
[0032]为了使本申请所揭示的技术内容更加详尽与完备，可参照附图以及本发明的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本发明所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。
[0033]下面参照附图，对本发明各个方面的【具体实施方式】作进一步的详细描述。
[0034]图1A示出现有技术中的一种采用干蚀刻形成过孔时的结构示意图。参照图1A，数字标记100表示离型层(debonding layer)，102表示过孔或贯通孔(through hole)，104表示基板。在图1A中，离型层100形成于基板104的上表面。如前文所述，当采用干蚀刻(dry etching)制程工艺来形成过孔102时，往往并不能够准确地挖出过孔。一旦过孔的深度过大，这将极有可能伤害到下方的离型层100。由于离型层100被损坏，会导致后续的分离制程无法顺利进行，严重影响制程良率，并大幅增加离型所耗费的时间。
[0035]图1B示出现有技术中的另一种采用干蚀刻形成过孔时的结构示意图。
[0036]类似于图1A，在图1B中，离型层200形成于玻璃基板204的上表面。当采用干蚀刻形成过孔202时，由于过孔202的底部直接与离型层200相接触，如果蚀刻过程中的过孔精度较低，则很容易破坏到离型层200，这会后续的分离操作将产生不良影响。
[0037]为了解决如图1A和图1B所示的现有技术中的缺陷和不足 ，本发明提供了一种新的软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。图2示出依据本发明的一实施方式，软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法的流程框图。图3A至图3E分别示出图2的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法的步骤分解示意图。
[0038]参照图2以及图3A?3E，在该实施方式中，本发明的制造方法首先执行步骤S11，形成一离型层(debonding layer) 302于玻璃基板300的上方，如图3A中的黑色矩形框所示。然后，在步骤S13中，形成一导电层(conductive layer) 304于离型层302的上方，如图3A中的网格线所示。例如，该导电层由氧化铟锡(ITO)材质制成。接着，在步骤S15中，利用湿蚀刻(wet etching)制程对导电层304进行图案化，从而形成一接合焊盘(bondingpad) 306，如图3B所示。
[0039]接下来，在步骤S17中，依次形成一薄膜晶体管(thin film transistor) 310以及一过孔H，如图3C所示。其中，薄膜晶体管310藉由过孔H电性耦接至接合焊盘306。在一具体实施例中，该步骤可先形成一绝缘层308于离型层302和接合焊盘306的上方，然后形成薄膜晶体管310于绝缘层308的上方，再对绝缘层308进行干蚀刻(dry etching)以形成过孔H。由上述可知，本发明在制造过程中，由于在离型层302的上方设置了导电层304并对其进行图案化得到接合焊盘306，从而使形成过孔H时的干蚀刻制程并不会穿透接合焊盘306而伤害到离型层302，因此可避免后续制程出现分离失败的不良情形。
[0040]最后，执行步骤S19，利用离型层302从玻璃基板300分离薄膜晶体管310。较佳地，在分离薄膜晶体管310之后，还可将接合焊盘306黏合至一外部的连接部314。例如，该连接部为集成电路(IC)或柔性印刷电路(Flexible Printed Circuit，FPC)。此外，在其它的一些实施例中，于分离薄膜晶体管310之后，还可形成一软性基板312于薄膜晶体管310的上方。
[0041]本领域的技术人员应当理解，图3A?图3E不仅可示意性地说明本发明的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，还可揭露一种采用该制造方法形成的软性薄膜晶体管阵列基板，该基板采用离型制程制作而成。
[0042]详细而言，参照图3A?图3E，该基板主要包括一图案化的导电层304、一绝缘层308、一薄膜晶体管310、一过孔H以及一软性基板312。其中，图案化的导电层304包括对应于图案的一接合焊盘306。绝缘层308设置于图案化的导电层304(或接合焊盘306)的上方。薄膜晶体管310设置于绝缘层308的上方。过孔H与接合焊盘306的位置相对应，用于电性耦接接合焊盘306与薄膜晶体管310。软性基板312设置于薄膜晶体管310的上方。本领域的技术人员应当理解，关于离型制程的说明已在前文部分予以详细描述，此处不再赘述。
[0043]采用本发明的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，首先形成离型层于玻璃基板的上方，然后形成导电层于离型层的上方，接着利用湿蚀刻制程对导电层进行图案化从而形成一接合焊盘，再形成一薄膜晶体管以及一过孔并藉由过孔电性耦接薄膜晶体管与接合焊盘，从而利用离型层将薄膜晶体管成功地分离出来。相比于现有技术，本发明在离型层上方设置导电层，从而使形成过孔时的干蚀刻制程并不会穿透图案化导电层而伤害到离型层，因此可避免后续制程出现分离失败的不良情形。
[0044]上文中，参照附图描述了本发明的【具体实施方式】。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，还可以对本发明的【具体实施方式】作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本发明权利要求书所限定的范围内。
【主权项】
1.一种软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤: 形成一离型层于玻璃基板的上方； 形成一导电层于所述离型层的上方； 利用湿蚀刻制程对所述导电层进行图案化，从而形成一接合焊盘； 形成一薄膜晶体管以及一过孔，所述薄膜晶体管藉由所述过孔电性耦接至所述接合焊盘；以及 利用所述离型层从所述玻璃基板分离所述薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括: 在分离所述薄膜晶体管之后，黏合所述接合焊盘至一外部的连接部。3.根据权利要求2所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该连接部为集成电路或柔性印刷电路。4.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，上述形成薄膜晶体管和过孔的步骤还包括: 形成一绝缘层于所述离型层和所述接合焊盘的上方； 形成所述薄膜晶体管于所述绝缘层的上方；以及 对所述绝缘层进行干蚀刻以形成所述过孔。5.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括: 在分离所述薄膜晶体管之后，形成一软性基板于所述薄膜晶体管的上方。6.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述导电层由氧化铟锡材质制成。7.一种软性薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述软性薄膜晶体管阵列基板包括: 一图案化的导电层，包括对应于图案的一接合焊盘； 一绝缘层，设置于所述图案化的导电层的上方； 一薄膜晶体管，设置于所述绝缘层的上方； 一过孔，与所述接合焊盘的位置相对应，用于电性耦接所述接合焊盘与所述薄膜晶体管；以及 一软性基板，设置于所述薄膜晶体管的上方。8.根据权利要求7所述的软性薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述软性薄膜晶体管阵列基板采用离型制程制作而成。9.根据权利要求8所述的软性薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，上述离型制程包括以下步骤: 形成一离型层于玻璃基板的上方； 形成所述导电层于所述离型层的上方； 利用湿蚀刻制程对所述导电层进行图案化，以形成所述接合焊盘； 形成所述薄膜晶体管和所述过孔；以及 利用所述离型层从所述玻璃基板分离所述薄膜晶体管。10.根据权利要求7所述的软性薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述导电层由氧化铟锡材质制成。
【专利摘要】本发明提供一种软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。该制造方法包括以下步骤：形成一离型层于玻璃基板的上方；形成一导电层于离型层的上方；利用湿蚀刻制程对导电层进行图案化，从而形成一接合焊盘；形成一薄膜晶体管以及一过孔，藉由过孔电性耦接薄膜晶体管与接合焊盘；以及利用离型层从玻璃基板分离薄膜晶体管。相比于现有技术，本发明在离型层上方设置导电层，从而使形成过孔时的干蚀刻制程并不会穿透图案化导电层而伤害到离型层，因此可避免后续制程出现分离失败的不良情形。
【IPC分类】H01L21/3205, H01L27/12, H01L21/306
【公开号】CN104900659
【申请号】CN201510347608
【发明人】柯聪盈, 郑贵宁
【申请人】友达光电股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月23日
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种阵列基板，尤其涉及一种软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]软性电子是将电子电路制作并设置在软性基板上的技术，产品具有柔软可弯曲的特性。与此相关的技术项目或产品可以包括，例如，软性基板(Flexible substrate)、有机电子(Organic electronics)材料、大面积制程(Large area processing)、有机电致发光二极管(Organic Light Emitting D1de，OLED)、高分子半导体(PolymerSemiconductor)、软性电子电路设计等。
[0003]以软性显示制程为例，在现有技术中，其首先在玻璃基板上制作离型层界面(debonding layer interface)，薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)制作在离型层上，然后再贴合软性基板于薄膜晶体管的上方，接着再分离(debonding)薄膜晶体管与玻璃基板。为了实现集成电路(IC)或柔性印刷电路(flexible printed circuit)的黏合，往往需要以过孔(through hole)方式导通至下方。一般地，采用干蚀刻(dry etching)制程工艺来形成上述过孔，但是，因软性基板会盖住接合焊盘，蚀刻时无法准确地挖出过孔，而且还极有可能伤害到下方的离型层。由于离型层被损坏，所以会导致接合焊盘区域在后续分离时并不能顺利进行，严重影响了制程良率，并大幅增加了离型制程的时间成本。
[0004]有鉴于此，如何设计一种软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，以克服现有技术中的上述缺陷和不足，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
【发明内容】
[0005]针对现有技术中的软性薄膜晶体管阵列基板由于离型层被损坏所产生的上述缺陷，本发明提供了一种新颖的、软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
[0006]依据本发明的一个方面，提供了一种软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括以下步骤:
[0007]形成一离型层于玻璃基板的上方；
[0008]形成一导电层于所述离型层的上方；
[0009]利用湿蚀刻制程对所述导电层进行图案化，从而形成一接合焊盘；
[0010]形成一薄膜晶体管以及一过孔，所述薄膜晶体管藉由所述过孔电性耦接至所述接合焊盘；以及
[0011]利用所述离型层从所述玻璃基板分离所述薄膜晶体管。
[0012]在其中的一实施例，该制造方法还包括:在分离所述薄膜晶体管之后，黏合所述接合焊盘至一外部的连接部。
[0013]在其中的一实施例，该连接部为集成电路或柔性印刷电路。
[0014]在其中的一实施例，上述形成薄膜晶体管和过孔的步骤还包括:形成一绝缘层于所述离型层和所述接合焊盘的上方；形成所述薄膜晶体管于所述绝缘层的上方；以及对所述绝缘层进行干蚀刻以形成所述过孔。
[0015]在其中的一实施例，该制造方法还包括:在分离所述薄膜晶体管之后，形成一软性基板于所述薄膜晶体管的上方。
[0016]在其中的一实施例，所述导电层由氧化铟锡材质制成。
[0017]依据本发明的另一个方面，提供了一种软性薄膜晶体管阵列基板，包括:
[0018]一图案化的导电层，包括对应于图案的一接合焊盘；
[0019]一绝缘层，设置于所述图案化的导电层的上方；
[0020]一薄膜晶体管，设置于所述绝缘层的上方；
[0021]一过孔，与所述接合焊盘的位置相对应，用于电性耦接所述接合焊盘与所述薄膜晶体管；以及
[0022]一软性基板，设置于所述薄膜晶体管的上方。
[0023]在其中的一实施例，所述软性薄膜晶体管阵列基板采用离型制程制作而成。
[0024]在其中的一实施例，上述离型制程包括以下步骤:形成一离型层于玻璃基板的上方；形成所述导电层于所述离型层的上方；利用湿蚀刻制程对所述导电层进行图案化，以形成所述接合焊盘；形成所述薄膜晶体管和所述过孔；以及利用所述离型层从所述玻璃基板分离所述薄膜晶体管。
[0025]在其中的一实施例，所述导电层由氧化铟锡材质制成。
[0026]采用本发明的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，首先形成离型层于玻璃基板的上方，然后形成导电层于离型层的上方，接着利用湿蚀刻制程对导电层进行图案化从而形成一接合焊盘，再形成一薄膜晶体管以及一过孔并藉由过孔电性耦接薄膜晶体管与接合焊盘，从而利用离型层将薄膜晶体管成功地分离出来。相比于现有技术，本发明在离型层上方设置导电层，从而使形成过孔时的干蚀刻制程并不会穿透图案化导电层而伤害到离型层，因此可避免后续制程出现分离失败的不良情形。
【附图说明】
[0027]读者在参照附图阅读了本发明的【具体实施方式】以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中，
[0028]图1A示出现有技术中的一种采用干蚀刻形成过孔时的结构示意图；
[0029]图1B示出现有技术中的另一种采用干蚀刻形成过孔时的结构示意图；
[0030]图2示出依据本发明的一实施方式，软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法的流程框图；以及
[0031]图3A至图3E分别示出图2的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法的步骤分解示意图。
【具体实施方式】
[0032]为了使本申请所揭示的技术内容更加详尽与完备，可参照附图以及本发明的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本发明所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。
[0033]下面参照附图，对本发明各个方面的【具体实施方式】作进一步的详细描述。
[0034]图1A示出现有技术中的一种采用干蚀刻形成过孔时的结构示意图。参照图1A，数字标记100表示离型层(debonding layer)，102表示过孔或贯通孔(through hole)，104表示基板。在图1A中，离型层100形成于基板104的上表面。如前文所述，当采用干蚀刻(dry etching)制程工艺来形成过孔102时，往往并不能够准确地挖出过孔。一旦过孔的深度过大，这将极有可能伤害到下方的离型层100。由于离型层100被损坏，会导致后续的分离制程无法顺利进行，严重影响制程良率，并大幅增加离型所耗费的时间。
[0035]图1B示出现有技术中的另一种采用干蚀刻形成过孔时的结构示意图。
[0036]类似于图1A，在图1B中，离型层200形成于玻璃基板204的上表面。当采用干蚀刻形成过孔202时，由于过孔202的底部直接与离型层200相接触，如果蚀刻过程中的过孔精度较低，则很容易破坏到离型层200，这会后续的分离操作将产生不良影响。
[0037]为了解决如图1A和图1B所示的现有技术中的缺陷和不足 ，本发明提供了一种新的软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。图2示出依据本发明的一实施方式，软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法的流程框图。图3A至图3E分别示出图2的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法的步骤分解示意图。
[0038]参照图2以及图3A?3E，在该实施方式中，本发明的制造方法首先执行步骤S11，形成一离型层(debonding layer) 302于玻璃基板300的上方，如图3A中的黑色矩形框所示。然后，在步骤S13中，形成一导电层(conductive layer) 304于离型层302的上方，如图3A中的网格线所示。例如，该导电层由氧化铟锡(ITO)材质制成。接着，在步骤S15中，利用湿蚀刻(wet etching)制程对导电层304进行图案化，从而形成一接合焊盘(bondingpad) 306，如图3B所示。
[0039]接下来，在步骤S17中，依次形成一薄膜晶体管(thin film transistor) 310以及一过孔H，如图3C所示。其中，薄膜晶体管310藉由过孔H电性耦接至接合焊盘306。在一具体实施例中，该步骤可先形成一绝缘层308于离型层302和接合焊盘306的上方，然后形成薄膜晶体管310于绝缘层308的上方，再对绝缘层308进行干蚀刻(dry etching)以形成过孔H。由上述可知，本发明在制造过程中，由于在离型层302的上方设置了导电层304并对其进行图案化得到接合焊盘306，从而使形成过孔H时的干蚀刻制程并不会穿透接合焊盘306而伤害到离型层302，因此可避免后续制程出现分离失败的不良情形。
[0040]最后，执行步骤S19，利用离型层302从玻璃基板300分离薄膜晶体管310。较佳地，在分离薄膜晶体管310之后，还可将接合焊盘306黏合至一外部的连接部314。例如，该连接部为集成电路(IC)或柔性印刷电路(Flexible Printed Circuit，FPC)。此外，在其它的一些实施例中，于分离薄膜晶体管310之后，还可形成一软性基板312于薄膜晶体管310的上方。
[0041]本领域的技术人员应当理解，图3A?图3E不仅可示意性地说明本发明的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，还可揭露一种采用该制造方法形成的软性薄膜晶体管阵列基板，该基板采用离型制程制作而成。
[0042]详细而言，参照图3A?图3E，该基板主要包括一图案化的导电层304、一绝缘层308、一薄膜晶体管310、一过孔H以及一软性基板312。其中，图案化的导电层304包括对应于图案的一接合焊盘306。绝缘层308设置于图案化的导电层304(或接合焊盘306)的上方。薄膜晶体管310设置于绝缘层308的上方。过孔H与接合焊盘306的位置相对应，用于电性耦接接合焊盘306与薄膜晶体管310。软性基板312设置于薄膜晶体管310的上方。本领域的技术人员应当理解，关于离型制程的说明已在前文部分予以详细描述，此处不再赘述。
[0043]采用本发明的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，首先形成离型层于玻璃基板的上方，然后形成导电层于离型层的上方，接着利用湿蚀刻制程对导电层进行图案化从而形成一接合焊盘，再形成一薄膜晶体管以及一过孔并藉由过孔电性耦接薄膜晶体管与接合焊盘，从而利用离型层将薄膜晶体管成功地分离出来。相比于现有技术，本发明在离型层上方设置导电层，从而使形成过孔时的干蚀刻制程并不会穿透图案化导电层而伤害到离型层，因此可避免后续制程出现分离失败的不良情形。
[0044]上文中，参照附图描述了本发明的【具体实施方式】。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，还可以对本发明的【具体实施方式】作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本发明权利要求书所限定的范围内。
【主权项】
1.一种软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤: 形成一离型层于玻璃基板的上方； 形成一导电层于所述离型层的上方； 利用湿蚀刻制程对所述导电层进行图案化，从而形成一接合焊盘； 形成一薄膜晶体管以及一过孔，所述薄膜晶体管藉由所述过孔电性耦接至所述接合焊盘；以及 利用所述离型层从所述玻璃基板分离所述薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括: 在分离所述薄膜晶体管之后，黏合所述接合焊盘至一外部的连接部。3.根据权利要求2所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该连接部为集成电路或柔性印刷电路。4.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，上述形成薄膜晶体管和过孔的步骤还包括: 形成一绝缘层于所述离型层和所述接合焊盘的上方； 形成所述薄膜晶体管于所述绝缘层的上方；以及 对所述绝缘层进行干蚀刻以形成所述过孔。5.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括: 在分离所述薄膜晶体管之后，形成一软性基板于所述薄膜晶体管的上方。6.根据权利要求1所述的软性薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述导电层由氧化铟锡材质制成。7.一种软性薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述软性薄膜晶体管阵列基板包括: 一图案化的导电层，包括对应于图案的一接合焊盘； 一绝缘层，设置于所述图案化的导电层的上方； 一薄膜晶体管，设置于所述绝缘层的上方； 一过孔，与所述接合焊盘的位置相对应，用于电性耦接所述接合焊盘与所述薄膜晶体管；以及 一软性基板，设置于所述薄膜晶体管的上方。8.根据权利要求7所述的软性薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述软性薄膜晶体管阵列基板采用离型制程制作而成。9.根据权利要求8所述的软性薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，上述离型制程包括以下步骤: 形成一离型层于玻璃基板的上方； 形成所述导电层于所述离型层的上方； 利用湿蚀刻制程对所述导电层进行图案化，以形成所述接合焊盘； 形成所述薄膜晶体管和所述过孔；以及 利用所述离型层从所述玻璃基板分离所述薄膜晶体管。10.根据权利要求7所述的软性薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述导电层由氧化铟锡材质制成。
【专利摘要】本发明提供一种软性薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。该制造方法包括以下步骤：形成一离型层于玻璃基板的上方；形成一导电层于离型层的上方；利用湿蚀刻制程对导电层进行图案化，从而形成一接合焊盘；形成一薄膜晶体管以及一过孔，藉由过孔电性耦接薄膜晶体管与接合焊盘；以及利用离型层从玻璃基板分离薄膜晶体管。相比于现有技术，本发明在离型层上方设置导电层，从而使形成过孔时的干蚀刻制程并不会穿透图案化导电层而伤害到离型层，因此可避免后续制程出现分离失败的不良情形。
【IPC分类】H01L21/3205, H01L27/12, H01L21/306
【公开号】CN104900659
【申请号】CN201510347608
【发明人】柯聪盈, 郑贵宁
【申请人】友达光电股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月23日
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