阵列基板及其制造方法、显示装置的制造方法
阵列基板及其制造方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示技术领域，特别是指一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
【背景技术】
[0002] 目前平板显示方式主要包括LCD(液晶显示器）、PDP(等离子显示屏）和OLED(有 机电致发光）。与LCD相比，OLED具有功耗低、重量轻、厚度薄、可折叠等优点，所WOL邸有 可能取代LCD成为新的主流显示技术。OL邸的驱动可W分为有源驱动（AMOLED)和无源驱 动（PMOLED)。AMOL邸能够实现大尺寸显示，较省电，解析度高，但制备工艺复杂，TFT稳定 性要求较高；PMOLED制程较简单，结构简单，但难W实现大尺寸化。
[0003] 为了使观看者有更好的视觉享受，窄边框显示器是目前的流行趋势。现有窄边框 显示器通常采用的技术是压缩处于非显示区域的封框胶宽度、GOA(将栅电极驱动电路集成 在阵列基板上）电路设计宽度、Bonding(绑定）区的宽度，在此基础上，压缩显示面板边缘 到显示器外壳的距离，W减小显示器的边框宽度，从而实现窄边框的目的。对于采用G0A技 术的AM0L邸显示装置而言，G0A减少了Bonding区域的宽度，但是G0A仍然需要一定的区 域进行布线，因此，在G0A电路区域还是存在部分未能进行显示的区域，由于减小G0A尺寸 面临工艺和设计上的困难，因此，现有的AM0L邸显示装置只能减小边框而无法实现无边框 显示。
【发明内容】
[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，能够实 现显示装置的窄边框甚至无边框。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
[0006] 一方面，提供一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外的栅电极驱动 G0A电路区域，所述G0A电路区域形成有无源矩阵有机发光二极管PM0LED显示阵列。
[0007] 进一步地，所述显示区域形成有多个成矩阵排列的AM0L邸显示单元和与所述 AM0LED显示单元--对应的像素薄膜晶体管TFT;
[000引 所述PM0LED显示阵列包括多个成矩阵排列的PM0LED显示单元和与每行PM0LED显示单元对应的选通TFT，所述选通TFT与每行像素TFT对应设置，每个选通TFT的栅电极 与对应行像素TFT的栅电极接收同样的控制信号。
[0009] 进一步地，所述PM0LED显示单元与所述AM0LED显示单元大小相同。
[0010] 进一步地，所述选通TFT的源电极连接预设的高电平，所述选通TFT的漏电极与高 电阻元件连接。
[0011] 进一步地，所述高电阻元件为栅电极和漏电极连接的TFT，所述TFT的源电极与所 述选通TFT的漏电极连接。
[0012] 本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0013] 本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和 位于所述显示区域外的栅电极驱动GOA电路区域，所述制作方法包括：
[0014] 在所述G0A电路区域形成无源矩阵有机发光二极管PM0L邸显示阵列。
[0015] 进一步地，所述制作方法包括：
[0016] 在所述显示区域形成多个成矩阵排列的AM0L邸显示单元和与所述AM0L邸显示单 元一一对应的像素薄膜晶体管TFT;
[0017] 在所述GOA电路区域形成多个成矩阵排列的PM0LED显示单元和与每行PM0LED显 示单元对应的选通TFT，所述选通TFT与每行像素TFT对应设置，每个选通TFT的栅电极与 对应行像素TFT的栅电极接收同样的控制信号。
[0018] 进一步地，所述制作方法具体包括：
[0019] 形成大小相同的PM0LED显示单元和AM0LED显示单元。
[0020] 进一步地，所述制作方法具体包括：
[0021] 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的有源层和所述选通TFT的有源层；
[0022] 形成栅绝缘层；
[0023] 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的栅电极和所述选通TFT的栅电极；
[0024] 形成中间绝缘层；
[0025] 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的源电极、漏电极和所述选通TFT的源电极、 漏电极；
[0026] 形成平坦层；
[0027] 通过一次构图工艺利用导电层形成AM0LED显示单元的阳极，同时利用导电层形 成条状的行电极作为PM0L邸显示单元的阳极；
[002引形成像素界定层；
[0029] 在像素界定层限定出的像素区域内制备AM0L邸显示单元的发光层和PM0L邸的发 光层；
[0030] 通过一次构图工艺利用透明导电层形成AM0LED显示单元的阴极，同时利用透明 导电层形成条状的列电极作为PM0L邸显示单元的阴极。
[0031] 本发明的实施例具有W下有益效果：
[0032] 上述方案中，在G0A电路区域形成PM0LED显示阵列，能够与显示区域的AM0LED显 示单元进行衔接，共同显示画面，该样在G0A电路区域也可W进行显示，从而实现显示装置 的窄边框或无边框。
【附图说明】
[0033] 图1为本发明实施例阵列基板的平面示意图；
[0034] 图2为图1所示阵列基板A部分的放大示意图；
[0035] 图3为本发明实施例阵列基板上薄膜晶体管的截面示意图；
[0036] 图4为本发明实施例选通TFT的连接示意图；
[0037] 图5为本发明实施例阵列基板的截面示意图。
[003引附图标记
[0039] 1AM0LED显示区域 2PM0L邸显示区域
[0040] 4AM0LED显示区域最外侧的像素5PM0LED行电极
[0041] 6PMOL邸列电极 7、32选通TFT
[0042] 8驱动PMOLED的恒流源 9PMOLED显示区域的像素
[0043] 10高电阻元件 31像素TFT
[0044] 33GOA电路区域的TFT 11衬底基板
[0045] 12有源层 13栅绝缘层
[0046] 14栅电极 15中间绝缘层
[0047] 16源电极 17漏电极
[0048] 18平坦层 19阳极
[0049] 20行电极 21像素界定层
【具体实施方式】
[0050] 为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合 附图及具体实施例进行详细描述。
[0051] 本发明的实施例针对现有技术中由于GOA电路区域的存在，AMOL邸显示装置无法 实现无边框显示的问题，提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，能够实现显示装置的 窄边框甚至无边框。
[00巧实施例一
[0化3] 本实施例提供一种阵列基板，包括显示区域和位于显示区域外的栅电极驱动GOA 电路区域，其中，GOA电路区域形成有无源矩阵有机发光二极管PMOL邸显示阵列。
[0054] 由于对于AMOLED显示来说，每一个AMOLED显示单元都需要有对应的TFT(薄膜晶 体管）来驱动，而阵列基板的GOA电路区域存在诸多走线，在GOA电路区域无法形成TFT阵 列，因此在GOA区域无法形成AMOLED显示阵列；而对于PMOLED显示来说，每一行PMOLED显 示单元采用一个选通TFT来驱动，利用该一点，本实施例在G0A电路区域形成PM0L邸显示 阵列，与显示区域的AM0L邸显示单元进行衔接，共同显示画面，该样在G0A电路区域也可W 进行显示，从而实现显示装置的窄边框或无边框。
[0055] 进一步地，显示区域形成有多个成矩阵排列的AMOLED显示单元和与AMOLED显示 单元--对应的像素TFT;PM0LED显示阵列包括多个成矩阵排列的PMOLED显示单元和与每 行PMOLED显示单元对应的选通TFT，选通TFT与每行像素TFT对应设置，每个选通TFT的 栅电极与对应行像素TFT的栅电极接收同样的控制信号，该样可W实现PM0L邸显示单元与 AMOLED显示单元相互配合，共同显示画面。
[0056] 为了使PMOLED显示单元能够和AMOLED显示单元的亮度匹配，优选地，PMOLED显 示单元与AMOLED显示单元大小相同。
[0化7] 进一步地，为了使PMOLED显示阵列的行电极在接收到扫描信号后接通高电位、点 亮0LED，选通TFT的源电极连接预设的高电平，选通TFT的漏电极与高电阻元件连接。
[0化引具体地，高电阻元件可W为栅电极和漏电极连接的TFT，该TFT的源电极与选通TFT的漏电极连接。
[0059] 实施例二
[0060] 本实施例提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。所述显示装置可W为；显示 面板、电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
[0061] 实施例S
[0062] 本实施例提供了一种阵列基板的制作方法，阵列基板包括显示区域和位于显示区 域外的栅电极驱动GOA电路区域，制作方法包括；
[0063] 在GOA电路区域形成无源矩阵有机发光二极管PMOLED显示阵列。
[0064] 由于对于AMOLED显示来说，每一个AMOLED显示单元都需要有对应的TFT来驱动， 而阵列基板的GOA电路区域存在诸多走线，在GOA电路区域无法形成TFT阵列，因此在GOA 区域无法形成AMOLED显示阵列；而对于PMOLED显示来说，每一行PMOLED显示单元采用一 个选通TFT来驱动，利用该一点，本实施例在G0A电路区域形成PMOLED显示阵列，与显示区 域的AM0L邸显示单元进行衔接，共同显示画面，该样在G0A电路区域也可W进行显示，从而 实现显示装置的窄边框或无边框。
[00化]进一步地，所述制作方法包括：
[0066] 在显示区域形成多个成矩阵排列的AMOLED显示单元和与AMOLED显示单元--对 应的像素TFT;
[0067] 在GOA电路区域形成多个成矩阵排列的PMOLED显示单元和与每行PMOLED显示单 元对应的选通TFT，选通TFT与每行像素TFT对应设置，每个选通TFT的栅电极与对应行像 素TFT的栅电极接收同样的控制信号，该样可W实现PMOLED显示单元与AMOLED显示单元 相互配合，共同显示画面。
[0068] 进一步地，所述制作方法具体包括：
[0069] 形成大小相同的PMOLED显示单元和AMOLED显示单元，该样能够使PMOLED显示单 元能够和AMOLED显示单元的亮度匹配。
[0070] 进一步地，所述制作方法具体包括：
[0071] 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的有源层和所述选通TFT的有源层；
[0072] 形成栅绝缘层；
[0073] 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的栅电极和所述选通TFT的栅电极；
[0074] 形成中间绝缘层；
[0075] 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的源电极、漏电极和所述选通TFT的源电极、 漏电极；
[0076] 形成平坦层；
[0077] 通过一次构图工艺利用导电层形成AMOLED显示单元的阳极，同时利用导电层形 成条状的行电极作为PM0L邸显示单元的阳极；
[007引形成像素界定层；
[0079] 在像素界定层限定出的像素区域内制备AM0L邸显示单元的发光层和PM0L邸的发 光层；
[0080] 通过一次构图工艺利用透明导电层形成AMOLED显示单元的阴极，同时利用透明 导电层形成条状的列电极作为PM0L邸显示单元的阴极。
[0081] 实施例四
[0082] 下面结合附图W及具体的实施例对本发明的技术方案进行进一步介绍：
[0083] 0LED依据驱动方式的不同，可分为无源矩阵有机发光二极管（PMOLED)与有源矩 阵有机发光二极管（AMOLED)两种。其中，PMOLEDW阴极、阳极构成矩阵状，W扫描方式点 亮阵列中的像素，每个像素都是操作在短脉冲模式下，为瞬间高亮度发光，其结构简单，可W有效降低制造成本。
[0084] PMOL邸的显示区域包括N*M(N和M均为自然数）个呈矩阵状排布的显示单元，每 个显示单元对应一个OLED，N*M个OLED的阴极为整平面电极。于对于AMOLED显示来说，每 一个AMOL邸显示单元都需要有对应的TFT来驱动，而阵列基板的GOA电路区域存在诸多走 线，在GOA电路区域无法形成TFT阵列，因此在GOA区域无法形成AMOL邸显示阵列；而对于 PMOLED显示来说，每一行PMOLED显示单元采用一个选通TFT来驱动，需要的TFT数量比较 少，利用该一点，本实施例在GOA电路区域形成PMOLED显示阵列，与显示区域的AMOLED显 示单元进行衔接，共同显示画面，该样在G0A电路区域也可W进行显示，从而实现显示装置 的窄边框或无边框。
[0085] 具体地，如图1和图2所示，本实施例的阵列基板包括AMOLED显示区域1和PMOLED 显示区域2,PMOLED显示区域2位于AMOLED显示区域最外侧的像素4的外侧，PMOLED显示 阵列包括多个条状的PM0L邸行电极5和多个条状的PM0L邸列电极6,在PMOLED显示阵列 工作时，选通TFT7导通PM0L邸行电极5,并通过恒流源8驱动PM0L邸列电极6,PM0L邸行 电极5和PMOLED列电极6限定出多个PMOLED显示区域的像素9。
[0086] 本实施例的阵列基板的制作方法具体包括W下步骤：
[0087] 步骤1、提供一衬底基板11，并在衬底基板11上形成TFT，如图3所示，在衬底基板 11上形成的TFT包括AMOLED显示区域的像素TFT3UPM0L邸行电极选通所用的选通TFT32 和G0A区域的TFT33 ;
[008引形成TFT的过程具体包括W下步骤：
[0089] 步骤11、提供一衬底基板11，并在衬底基板11上形成有源层12 ;
[0090] 衬底基板11可W为石英基板或玻璃基板，具体地，衬底基板11可W为厚度在 0. 4-0. 7mm之间的玻璃基板。对衬底基板11进行清洗，待衬底基板11洁净无尘后在衬底 基板11上沉积一层厚度为400-600A的非晶娃层a-Si:H，对非晶娃层进行ELA(准分子激 光）晶化形成多晶娃层，在多晶娃层上涂覆光刻胶，进行曝光、显影和干法刻蚀，形成有源 层12的图形。
[0091] 步骤12、形成栅绝缘层13,在栅绝缘层13上形成栅电极14 ;
[0092] 具体地，可W采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD)方法，在经过步骤11的衬 底基板11上沉积厚度约为1000-6000A的栅绝缘层13,其中，栅绝缘层材料可W选用氧化 物、氮化物或者氮氧化物，栅绝缘层可W为单层、双层或多层结构，栅绝缘层可W采用SiNx， Si化或Si(ON)X，具体地，栅绝缘层可W为厚度为5(X)A的Si化和厚度为lOOOA的Si〇2组 成的双层结构。
[0093] 之后，可W采用瓣射或热蒸发的方法在栅绝缘层13上沉积一层厚度为 2500-16000A的栅金属层，栅金属层可W是加，A1，Ag，Mo,Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等 金属W及该些金属的合金，栅金属层可W为单层结构或者多层结构，多层结构比如化\Mo，TiV：u\Ti，Mo\Al\Mo等。在栅金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使 光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅线、栅电 极14的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形W外的区域；进行显影处理，光 刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀 工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成栅线、栅电极14 的图形。
[0094] 步骤13、形成包括有绝缘层过孔的中间绝缘层15的图形；
[0095] 具体地，可W在经过步骤12的衬底基板11上采用磁控瓣射、热蒸发、阳CVD或其 它成膜方法沉积厚度为400-5000A的中间绝缘层材料，其中，中间绝缘层材料可W选用氧 化物、氮化物或氮氧化物，具体地，中间绝缘层可W采用Si化，Si化或Si(ON)x。中间绝缘 层可W是单层结构，也可W是采用氮化娃和氧化娃构成的两层结构，具体地，中间绝缘层可 W为厚度为3000A的Si化和厚度为2000A的Si〇2组成的双层结构。
[0096] 在中间绝缘层材料上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶 形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于中间绝缘层15的 图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形W外的区域；进行显影处理，光刻胶未保 留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全 刻蚀掉光刻胶未保留区域的中间绝缘层材料，剥离剩余的光刻胶，形成包括绝缘层过孔的 中间绝缘层15的图形。
[0097] 步骤14;形成源电极16和漏电极17的图形；
[009引具体地，可W在经过步骤13的衬底基板11上采用磁控瓣射、热蒸发或其它成膜方 法沉积一层厚度约为2000-6000A的源漏金属层，源漏金属层可W是化，A1，Ag，Mo,化， Nd,Ni,Mn,Ti,化,W專金属W及该些金属的合金。源漏金属层可W是单层结构或者多层结 构，多层结构比如化\Mo，Ti\化\Ti，Mo\Al\Mo等。具体地，源漏金属层可W为厚度为500A 的Ti、厚度为2000A的A1、厚度为500A的Ti组成的S层结构。
[0099] 在源漏金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成 光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源电极16和漏电极 17、数据线的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形W外的区域；进行显影 处 理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过 刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成源电极 16和漏电极17、数据线。
[0100] 经过上述步骤11-14即可形成如图3所示的结构。对于PM0L邸的选通TFT来说， 为了使行电极在选通TFT导通时接通高电压ELVDD，在选通TFT的源电极需要连接较大的电 阻。如果采用多晶娃来形成TFT的有源层，那么可W同时利用多晶娃来形成与选通TFT的 源电极连接的高电阻元件，其阻值可W通过注入来调节；如果不是利用多晶娃来形成TFT 的有源层，那么可如图4所示的TFT10来作为高电阻元件，该TFT的栅电极和源电极短 路，该TFT的源电极与选通TFT的漏电极连接。
[0101] 在衬底基板11上制备TFT后，本实施例的阵列基板的制作方法还包括：
[0102] 步骤2、形成包括有平坦层过孔的平坦层18 ;
[0103] 具体地，可W在经过步骤14的衬底基板11上涂覆一层树脂材料，其中，树脂的材 料可W是感光树脂，也可W是非感光树脂；采用掩膜板对树脂材料进行曝光，然后通过显影 或干法刻蚀工艺进行刻蚀，形成包括平坦层过孔的平坦层18的图形。
[0104] 步骤3、形成AMOLED的阳极19和PMOLED的行电极20 ;
[01化]具体地，可W在经过步骤2的衬底基板11上采用磁控瓣射、热蒸发或其它成膜方 法沉积一层厚度约为2000-6000A的导电层，该导电层可W采用ITO、IZO、Ag等材料，该导 电层可W是单层结构或者多层结构。具体地，该导电层可W为厚度为100A的ITO、厚度为lOOOA的Ag、厚度为lOOA的ITO组成的立层结构。
[0106] 在导电层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻 胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于阳极19和行电极20的图形 所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形W外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区 域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀 掉光刻胶未保留区域的导电薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成阳极19和条状的行电极20,阳 极19通过平坦层过孔与TFT31的漏电极17连接，条状的行电极20通过平坦层过孔与选通 TFT32的漏电极17连接，由图5可W看出，条状的行电极20覆盖在G0A电路区域上，该行电 极作为PMOLED的阳极，在接收到扫描信号后接通高电位，点亮0LED，未选通时接地。
[0107] 进一步地，在形成阳极和行电极的同时，还可W利用同一次构图工艺形成公共电 极。
[0108] 步骤4 ;形成像素界定层、有机发光层和阴极、列电极。
[0109] 具体地，可W在经过步骤3的衬底基板11上涂覆PI(聚酷亚胺），并进行曝光显 影，形成像素界定层21如图5所示。之后在像素界定层21之间的阳极19和行电极20上 形成有机发光层，有机发光层通常包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子 阻挡层、电子传输层、电子注入层等。
[0110] 在形成有有机发光层的衬底基板11上采用磁控瓣射、热蒸发或其它成膜方法沉 积一层厚度约为2000-6000A的透明导电层，该透明导电层可W采用IT0、IZ0、Ag等材料， 该透明导电层可W是单层结构或者多层结构。在透明导电层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜 板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保 留区域对应于阴极和列电极的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形W外的区 域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度 保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的导电薄膜，剥离剩余的光刻胶，形 成阴极和列电极，从而最终形成了本实施例的阵列基板。在AM0L邸显示区域，阴极制备成 一个整体且与公共电极连接，而在PM0L邸显示区域，PMOLED的阴极为条状的列电极，与恒 流源驱动信号连接。
[0111] 在制备像素界定层时，PMOLED的像素区大小要与AMOLED的像素区相同，或者根据 PM0L邸显示区域的亮度调至需要的大小，W使其能够和AM0L邸显示区域的亮度匹配。对于 PM0L邸像素发光强度的控制，可W通过控制对列电极施加的化ta信号来实现，由于PMOLED 驱动为电流驱动，所W，若需要与AM0L邸实现良好的匹配，可W对化ta信号进行放大或者 电流变换，也可W单独选择PM0L邸的驱动使其单独处理图像边缘的信号，达到与AM0L邸同 步显不〇
[0112] G0A电路区域的PMOLED显示阵列可W与显示区域的AMOLED显示单元一起显示一 个整体的画面，也可w用于显示多种功能键，比如在阵列基板用于手机时，可从隐功能键转 移到显示屏幕一侧，将功能键通过PMOL邸显示阵列显示出来，便于操作。如果需要PMOLED 显示阵列只用来显示功能键，不需要很高的分辨率，可W将PMOL邸显示单元做大，该样既 能减小电极电阻，又易于制备。此时PMOL邸显示阵列的行电极可W选择隔行连接，即奇数 行引出，用来显示，偶数行不引出，不用作显示，对应地，需要调节刷新频率来减小闪烁等现 象。
[0113]W上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可W作出若干改进和润饰，该些改进和润饰也 应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外的栅电极驱动GOA电路区域， 其特征在于，所述GOA电路区域形成有无源矩阵有机发光二极管PMOLED显示阵列。2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域形成有多个成矩阵排 列的AMOLED显示单元和与所述AMOLED显示单元--对应的像素薄膜晶体管TFT; 所述PMOLED显示阵列包括多个成矩阵排列的PMOLED显示单元和与每行PMOLED显示 单元对应的选通TFT，所述选通TFT与每行像素TFT对应设置，每个选通TFT的栅电极与对 应行像素TFT的栅电极接收同样的控制信号。3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述PMOLED显示单元与所述AMOLED 显示单元大小相同。4. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述选通TFT的源电极连接预设的高 电平，所述选通TFT的漏电极与高电阻元件连接。5. 根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述高电阻元件为栅电极和漏电极 连接的TFT，所述TFT的源电极与所述选通TFT的漏电极连接。6. -种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。7. -种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和位于所述显示区域外的栅 电极驱动GOA电路区域，其特征在于，所述制作方法包括： 在所述GOA电路区域形成无源矩阵有机发光二极管PMOLED显示阵列。8. 根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 在所述显示区域形成多个成矩阵排列的AMOLED显示单元和与所述AMOLED显示单元 --对应的像素薄膜晶体管TFT; 在所述GOA电路区域形成多个成矩阵排列的PMOLED显示单元和与每行PMOLED显示单 元对应的选通TFT，所述选通TFT与每行像素TFT对应设置，每个选通TFT的栅电极与对应 行像素TFT的栅电极接收同样的控制信号。9. 根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括： 形成大小相同的PMOLED显示单元和AMOLED显示单元。10. 根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包 括： 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的有源层和所述选通TFT的有源层； 形成栅绝缘层； 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的栅电极和所述选通TFT的栅电极； 形成中间绝缘层； 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的源电极、漏电极和所述选通TFT的源电极、漏电 极； 形成平坦层； 通过一次构图工艺利用导电层形成AMOLED显示单元的阳极，同时利用导电层形成条 状的行电极作为PMOLED显示单元的阳极； 形成像素界定层； 在像素界定层限定出的像素区域内制备AMOLED显示单元的发光层和PMOLED的发光 层；
【专利摘要】本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外的栅电极驱动GOA电路区域，所述GOA电路区域形成有无源矩阵有机发光二极管PMOLED显示阵列。本发明的技术方案能够实现显示装置的窄边框甚至无边框。
【IPC分类】H01L27/32, H01L21/77
【公开号】CN104900676
【申请号】CN201510212292
【发明人】陈立强, 高涛, 高静, 许晨
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年4月29日
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示技术领域，特别是指一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
【背景技术】
[0002] 目前平板显示方式主要包括LCD(液晶显示器）、PDP(等离子显示屏）和OLED(有 机电致发光）。与LCD相比，OLED具有功耗低、重量轻、厚度薄、可折叠等优点，所WOL邸有 可能取代LCD成为新的主流显示技术。OL邸的驱动可W分为有源驱动（AMOLED)和无源驱 动（PMOLED)。AMOL邸能够实现大尺寸显示，较省电，解析度高，但制备工艺复杂，TFT稳定 性要求较高；PMOLED制程较简单，结构简单，但难W实现大尺寸化。
[0003] 为了使观看者有更好的视觉享受，窄边框显示器是目前的流行趋势。现有窄边框 显示器通常采用的技术是压缩处于非显示区域的封框胶宽度、GOA(将栅电极驱动电路集成 在阵列基板上）电路设计宽度、Bonding(绑定）区的宽度，在此基础上，压缩显示面板边缘 到显示器外壳的距离，W减小显示器的边框宽度，从而实现窄边框的目的。对于采用G0A技 术的AM0L邸显示装置而言，G0A减少了Bonding区域的宽度，但是G0A仍然需要一定的区 域进行布线，因此，在G0A电路区域还是存在部分未能进行显示的区域，由于减小G0A尺寸 面临工艺和设计上的困难，因此，现有的AM0L邸显示装置只能减小边框而无法实现无边框 显示。
【发明内容】
[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，能够实 现显示装置的窄边框甚至无边框。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
[0006] 一方面，提供一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外的栅电极驱动 G0A电路区域，所述G0A电路区域形成有无源矩阵有机发光二极管PM0LED显示阵列。
[0007] 进一步地，所述显示区域形成有多个成矩阵排列的AM0L邸显示单元和与所述 AM0LED显示单元--对应的像素薄膜晶体管TFT;
[000引 所述PM0LED显示阵列包括多个成矩阵排列的PM0LED显示单元和与每行PM0LED显示单元对应的选通TFT，所述选通TFT与每行像素TFT对应设置，每个选通TFT的栅电极 与对应行像素TFT的栅电极接收同样的控制信号。
[0009] 进一步地，所述PM0LED显示单元与所述AM0LED显示单元大小相同。
[0010] 进一步地，所述选通TFT的源电极连接预设的高电平，所述选通TFT的漏电极与高 电阻元件连接。
[0011] 进一步地，所述高电阻元件为栅电极和漏电极连接的TFT，所述TFT的源电极与所 述选通TFT的漏电极连接。
[0012] 本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0013] 本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和 位于所述显示区域外的栅电极驱动GOA电路区域，所述制作方法包括：
[0014] 在所述G0A电路区域形成无源矩阵有机发光二极管PM0L邸显示阵列。
[0015] 进一步地，所述制作方法包括：
[0016] 在所述显示区域形成多个成矩阵排列的AM0L邸显示单元和与所述AM0L邸显示单 元一一对应的像素薄膜晶体管TFT;
[0017] 在所述GOA电路区域形成多个成矩阵排列的PM0LED显示单元和与每行PM0LED显 示单元对应的选通TFT，所述选通TFT与每行像素TFT对应设置，每个选通TFT的栅电极与 对应行像素TFT的栅电极接收同样的控制信号。
[0018] 进一步地，所述制作方法具体包括：
[0019] 形成大小相同的PM0LED显示单元和AM0LED显示单元。
[0020] 进一步地，所述制作方法具体包括：
[0021] 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的有源层和所述选通TFT的有源层；
[0022] 形成栅绝缘层；
[0023] 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的栅电极和所述选通TFT的栅电极；
[0024] 形成中间绝缘层；
[0025] 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的源电极、漏电极和所述选通TFT的源电极、 漏电极；
[0026] 形成平坦层；
[0027] 通过一次构图工艺利用导电层形成AM0LED显示单元的阳极，同时利用导电层形 成条状的行电极作为PM0L邸显示单元的阳极；
[002引形成像素界定层；
[0029] 在像素界定层限定出的像素区域内制备AM0L邸显示单元的发光层和PM0L邸的发 光层；
[0030] 通过一次构图工艺利用透明导电层形成AM0LED显示单元的阴极，同时利用透明 导电层形成条状的列电极作为PM0L邸显示单元的阴极。
[0031] 本发明的实施例具有W下有益效果：
[0032] 上述方案中，在G0A电路区域形成PM0LED显示阵列，能够与显示区域的AM0LED显 示单元进行衔接，共同显示画面，该样在G0A电路区域也可W进行显示，从而实现显示装置 的窄边框或无边框。
【附图说明】
[0033] 图1为本发明实施例阵列基板的平面示意图；
[0034] 图2为图1所示阵列基板A部分的放大示意图；
[0035] 图3为本发明实施例阵列基板上薄膜晶体管的截面示意图；
[0036] 图4为本发明实施例选通TFT的连接示意图；
[0037] 图5为本发明实施例阵列基板的截面示意图。
[003引附图标记
[0039] 1AM0LED显示区域 2PM0L邸显示区域
[0040] 4AM0LED显示区域最外侧的像素5PM0LED行电极
[0041] 6PMOL邸列电极 7、32选通TFT
[0042] 8驱动PMOLED的恒流源 9PMOLED显示区域的像素
[0043] 10高电阻元件 31像素TFT
[0044] 33GOA电路区域的TFT 11衬底基板
[0045] 12有源层 13栅绝缘层
[0046] 14栅电极 15中间绝缘层
[0047] 16源电极 17漏电极
[0048] 18平坦层 19阳极
[0049] 20行电极 21像素界定层
【具体实施方式】
[0050] 为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合 附图及具体实施例进行详细描述。
[0051] 本发明的实施例针对现有技术中由于GOA电路区域的存在，AMOL邸显示装置无法 实现无边框显示的问题，提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，能够实现显示装置的 窄边框甚至无边框。
[00巧实施例一
[0化3] 本实施例提供一种阵列基板，包括显示区域和位于显示区域外的栅电极驱动GOA 电路区域，其中，GOA电路区域形成有无源矩阵有机发光二极管PMOL邸显示阵列。
[0054] 由于对于AMOLED显示来说，每一个AMOLED显示单元都需要有对应的TFT(薄膜晶 体管）来驱动，而阵列基板的GOA电路区域存在诸多走线，在GOA电路区域无法形成TFT阵 列，因此在GOA区域无法形成AMOLED显示阵列；而对于PMOLED显示来说，每一行PMOLED显 示单元采用一个选通TFT来驱动，利用该一点，本实施例在G0A电路区域形成PM0L邸显示 阵列，与显示区域的AM0L邸显示单元进行衔接，共同显示画面，该样在G0A电路区域也可W 进行显示，从而实现显示装置的窄边框或无边框。
[0055] 进一步地，显示区域形成有多个成矩阵排列的AMOLED显示单元和与AMOLED显示 单元--对应的像素TFT;PM0LED显示阵列包括多个成矩阵排列的PMOLED显示单元和与每 行PMOLED显示单元对应的选通TFT，选通TFT与每行像素TFT对应设置，每个选通TFT的 栅电极与对应行像素TFT的栅电极接收同样的控制信号，该样可W实现PM0L邸显示单元与 AMOLED显示单元相互配合，共同显示画面。
[0056] 为了使PMOLED显示单元能够和AMOLED显示单元的亮度匹配，优选地，PMOLED显 示单元与AMOLED显示单元大小相同。
[0化7] 进一步地，为了使PMOLED显示阵列的行电极在接收到扫描信号后接通高电位、点 亮0LED，选通TFT的源电极连接预设的高电平，选通TFT的漏电极与高电阻元件连接。
[0化引具体地，高电阻元件可W为栅电极和漏电极连接的TFT，该TFT的源电极与选通TFT的漏电极连接。
[0059] 实施例二
[0060] 本实施例提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。所述显示装置可W为；显示 面板、电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
[0061] 实施例S
[0062] 本实施例提供了一种阵列基板的制作方法，阵列基板包括显示区域和位于显示区 域外的栅电极驱动GOA电路区域，制作方法包括；
[0063] 在GOA电路区域形成无源矩阵有机发光二极管PMOLED显示阵列。
[0064] 由于对于AMOLED显示来说，每一个AMOLED显示单元都需要有对应的TFT来驱动， 而阵列基板的GOA电路区域存在诸多走线，在GOA电路区域无法形成TFT阵列，因此在GOA 区域无法形成AMOLED显示阵列；而对于PMOLED显示来说，每一行PMOLED显示单元采用一 个选通TFT来驱动，利用该一点，本实施例在G0A电路区域形成PMOLED显示阵列，与显示区 域的AM0L邸显示单元进行衔接，共同显示画面，该样在G0A电路区域也可W进行显示，从而 实现显示装置的窄边框或无边框。
[00化]进一步地，所述制作方法包括：
[0066] 在显示区域形成多个成矩阵排列的AMOLED显示单元和与AMOLED显示单元--对 应的像素TFT;
[0067] 在GOA电路区域形成多个成矩阵排列的PMOLED显示单元和与每行PMOLED显示单 元对应的选通TFT，选通TFT与每行像素TFT对应设置，每个选通TFT的栅电极与对应行像 素TFT的栅电极接收同样的控制信号，该样可W实现PMOLED显示单元与AMOLED显示单元 相互配合，共同显示画面。
[0068] 进一步地，所述制作方法具体包括：
[0069] 形成大小相同的PMOLED显示单元和AMOLED显示单元，该样能够使PMOLED显示单 元能够和AMOLED显示单元的亮度匹配。
[0070] 进一步地，所述制作方法具体包括：
[0071] 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的有源层和所述选通TFT的有源层；
[0072] 形成栅绝缘层；
[0073] 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的栅电极和所述选通TFT的栅电极；
[0074] 形成中间绝缘层；
[0075] 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的源电极、漏电极和所述选通TFT的源电极、 漏电极；
[0076] 形成平坦层；
[0077] 通过一次构图工艺利用导电层形成AMOLED显示单元的阳极，同时利用导电层形 成条状的行电极作为PM0L邸显示单元的阳极；
[007引形成像素界定层；
[0079] 在像素界定层限定出的像素区域内制备AM0L邸显示单元的发光层和PM0L邸的发 光层；
[0080] 通过一次构图工艺利用透明导电层形成AMOLED显示单元的阴极，同时利用透明 导电层形成条状的列电极作为PM0L邸显示单元的阴极。
[0081] 实施例四
[0082] 下面结合附图W及具体的实施例对本发明的技术方案进行进一步介绍：
[0083] 0LED依据驱动方式的不同，可分为无源矩阵有机发光二极管（PMOLED)与有源矩 阵有机发光二极管（AMOLED)两种。其中，PMOLEDW阴极、阳极构成矩阵状，W扫描方式点 亮阵列中的像素，每个像素都是操作在短脉冲模式下，为瞬间高亮度发光，其结构简单，可W有效降低制造成本。
[0084] PMOL邸的显示区域包括N*M(N和M均为自然数）个呈矩阵状排布的显示单元，每 个显示单元对应一个OLED，N*M个OLED的阴极为整平面电极。于对于AMOLED显示来说，每 一个AMOL邸显示单元都需要有对应的TFT来驱动，而阵列基板的GOA电路区域存在诸多走 线，在GOA电路区域无法形成TFT阵列，因此在GOA区域无法形成AMOL邸显示阵列；而对于 PMOLED显示来说，每一行PMOLED显示单元采用一个选通TFT来驱动，需要的TFT数量比较 少，利用该一点，本实施例在GOA电路区域形成PMOLED显示阵列，与显示区域的AMOLED显 示单元进行衔接，共同显示画面，该样在G0A电路区域也可W进行显示，从而实现显示装置 的窄边框或无边框。
[0085] 具体地，如图1和图2所示，本实施例的阵列基板包括AMOLED显示区域1和PMOLED 显示区域2,PMOLED显示区域2位于AMOLED显示区域最外侧的像素4的外侧，PMOLED显示 阵列包括多个条状的PM0L邸行电极5和多个条状的PM0L邸列电极6,在PMOLED显示阵列 工作时，选通TFT7导通PM0L邸行电极5,并通过恒流源8驱动PM0L邸列电极6,PM0L邸行 电极5和PMOLED列电极6限定出多个PMOLED显示区域的像素9。
[0086] 本实施例的阵列基板的制作方法具体包括W下步骤：
[0087] 步骤1、提供一衬底基板11，并在衬底基板11上形成TFT，如图3所示，在衬底基板 11上形成的TFT包括AMOLED显示区域的像素TFT3UPM0L邸行电极选通所用的选通TFT32 和G0A区域的TFT33 ;
[008引形成TFT的过程具体包括W下步骤：
[0089] 步骤11、提供一衬底基板11，并在衬底基板11上形成有源层12 ;
[0090] 衬底基板11可W为石英基板或玻璃基板，具体地，衬底基板11可W为厚度在 0. 4-0. 7mm之间的玻璃基板。对衬底基板11进行清洗，待衬底基板11洁净无尘后在衬底 基板11上沉积一层厚度为400-600A的非晶娃层a-Si:H，对非晶娃层进行ELA(准分子激 光）晶化形成多晶娃层，在多晶娃层上涂覆光刻胶，进行曝光、显影和干法刻蚀，形成有源 层12的图形。
[0091] 步骤12、形成栅绝缘层13,在栅绝缘层13上形成栅电极14 ;
[0092] 具体地，可W采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD)方法，在经过步骤11的衬 底基板11上沉积厚度约为1000-6000A的栅绝缘层13,其中，栅绝缘层材料可W选用氧化 物、氮化物或者氮氧化物，栅绝缘层可W为单层、双层或多层结构，栅绝缘层可W采用SiNx， Si化或Si(ON)X，具体地，栅绝缘层可W为厚度为5(X)A的Si化和厚度为lOOOA的Si〇2组 成的双层结构。
[0093] 之后，可W采用瓣射或热蒸发的方法在栅绝缘层13上沉积一层厚度为 2500-16000A的栅金属层，栅金属层可W是加，A1，Ag，Mo,Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等 金属W及该些金属的合金，栅金属层可W为单层结构或者多层结构，多层结构比如化\Mo，TiV：u\Ti，Mo\Al\Mo等。在栅金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使 光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅线、栅电 极14的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形W外的区域；进行显影处理，光 刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀 工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的栅金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成栅线、栅电极14 的图形。
[0094] 步骤13、形成包括有绝缘层过孔的中间绝缘层15的图形；
[0095] 具体地，可W在经过步骤12的衬底基板11上采用磁控瓣射、热蒸发、阳CVD或其 它成膜方法沉积厚度为400-5000A的中间绝缘层材料，其中，中间绝缘层材料可W选用氧 化物、氮化物或氮氧化物，具体地，中间绝缘层可W采用Si化，Si化或Si(ON)x。中间绝缘 层可W是单层结构，也可W是采用氮化娃和氧化娃构成的两层结构，具体地，中间绝缘层可 W为厚度为3000A的Si化和厚度为2000A的Si〇2组成的双层结构。
[0096] 在中间绝缘层材料上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶 形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于中间绝缘层15的 图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形W外的区域；进行显影处理，光刻胶未保 留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全 刻蚀掉光刻胶未保留区域的中间绝缘层材料，剥离剩余的光刻胶，形成包括绝缘层过孔的 中间绝缘层15的图形。
[0097] 步骤14;形成源电极16和漏电极17的图形；
[009引具体地，可W在经过步骤13的衬底基板11上采用磁控瓣射、热蒸发或其它成膜方 法沉积一层厚度约为2000-6000A的源漏金属层，源漏金属层可W是化，A1，Ag，Mo,化， Nd,Ni,Mn,Ti,化,W專金属W及该些金属的合金。源漏金属层可W是单层结构或者多层结 构，多层结构比如化\Mo，Ti\化\Ti，Mo\Al\Mo等。具体地，源漏金属层可W为厚度为500A 的Ti、厚度为2000A的A1、厚度为500A的Ti组成的S层结构。
[0099] 在源漏金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成 光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源电极16和漏电极 17、数据线的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形W外的区域；进行显影 处 理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过 刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成源电极 16和漏电极17、数据线。
[0100] 经过上述步骤11-14即可形成如图3所示的结构。对于PM0L邸的选通TFT来说， 为了使行电极在选通TFT导通时接通高电压ELVDD，在选通TFT的源电极需要连接较大的电 阻。如果采用多晶娃来形成TFT的有源层，那么可W同时利用多晶娃来形成与选通TFT的 源电极连接的高电阻元件，其阻值可W通过注入来调节；如果不是利用多晶娃来形成TFT 的有源层，那么可如图4所示的TFT10来作为高电阻元件，该TFT的栅电极和源电极短 路，该TFT的源电极与选通TFT的漏电极连接。
[0101] 在衬底基板11上制备TFT后，本实施例的阵列基板的制作方法还包括：
[0102] 步骤2、形成包括有平坦层过孔的平坦层18 ;
[0103] 具体地，可W在经过步骤14的衬底基板11上涂覆一层树脂材料，其中，树脂的材 料可W是感光树脂，也可W是非感光树脂；采用掩膜板对树脂材料进行曝光，然后通过显影 或干法刻蚀工艺进行刻蚀，形成包括平坦层过孔的平坦层18的图形。
[0104] 步骤3、形成AMOLED的阳极19和PMOLED的行电极20 ;
[01化]具体地，可W在经过步骤2的衬底基板11上采用磁控瓣射、热蒸发或其它成膜方 法沉积一层厚度约为2000-6000A的导电层，该导电层可W采用ITO、IZO、Ag等材料，该导 电层可W是单层结构或者多层结构。具体地，该导电层可W为厚度为100A的ITO、厚度为lOOOA的Ag、厚度为lOOA的ITO组成的立层结构。
[0106] 在导电层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻 胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于阳极19和行电极20的图形 所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形W外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区 域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀 掉光刻胶未保留区域的导电薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成阳极19和条状的行电极20,阳 极19通过平坦层过孔与TFT31的漏电极17连接，条状的行电极20通过平坦层过孔与选通 TFT32的漏电极17连接，由图5可W看出，条状的行电极20覆盖在G0A电路区域上，该行电 极作为PMOLED的阳极，在接收到扫描信号后接通高电位，点亮0LED，未选通时接地。
[0107] 进一步地，在形成阳极和行电极的同时，还可W利用同一次构图工艺形成公共电 极。
[0108] 步骤4 ;形成像素界定层、有机发光层和阴极、列电极。
[0109] 具体地，可W在经过步骤3的衬底基板11上涂覆PI(聚酷亚胺），并进行曝光显 影，形成像素界定层21如图5所示。之后在像素界定层21之间的阳极19和行电极20上 形成有机发光层，有机发光层通常包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子 阻挡层、电子传输层、电子注入层等。
[0110] 在形成有有机发光层的衬底基板11上采用磁控瓣射、热蒸发或其它成膜方法沉 积一层厚度约为2000-6000A的透明导电层，该透明导电层可W采用IT0、IZ0、Ag等材料， 该透明导电层可W是单层结构或者多层结构。在透明导电层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜 板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保 留区域对应于阴极和列电极的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形W外的区 域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度 保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的导电薄膜，剥离剩余的光刻胶，形 成阴极和列电极，从而最终形成了本实施例的阵列基板。在AM0L邸显示区域，阴极制备成 一个整体且与公共电极连接，而在PM0L邸显示区域，PMOLED的阴极为条状的列电极，与恒 流源驱动信号连接。
[0111] 在制备像素界定层时，PMOLED的像素区大小要与AMOLED的像素区相同，或者根据 PM0L邸显示区域的亮度调至需要的大小，W使其能够和AM0L邸显示区域的亮度匹配。对于 PM0L邸像素发光强度的控制，可W通过控制对列电极施加的化ta信号来实现，由于PMOLED 驱动为电流驱动，所W，若需要与AM0L邸实现良好的匹配，可W对化ta信号进行放大或者 电流变换，也可W单独选择PM0L邸的驱动使其单独处理图像边缘的信号，达到与AM0L邸同 步显不〇
[0112] G0A电路区域的PMOLED显示阵列可W与显示区域的AMOLED显示单元一起显示一 个整体的画面，也可w用于显示多种功能键，比如在阵列基板用于手机时，可从隐功能键转 移到显示屏幕一侧，将功能键通过PMOL邸显示阵列显示出来，便于操作。如果需要PMOLED 显示阵列只用来显示功能键，不需要很高的分辨率，可W将PMOL邸显示单元做大，该样既 能减小电极电阻，又易于制备。此时PMOL邸显示阵列的行电极可W选择隔行连接，即奇数 行引出，用来显示，偶数行不引出，不用作显示，对应地，需要调节刷新频率来减小闪烁等现 象。
[0113]W上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可W作出若干改进和润饰，该些改进和润饰也 应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外的栅电极驱动GOA电路区域， 其特征在于，所述GOA电路区域形成有无源矩阵有机发光二极管PMOLED显示阵列。2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区域形成有多个成矩阵排 列的AMOLED显示单元和与所述AMOLED显示单元--对应的像素薄膜晶体管TFT; 所述PMOLED显示阵列包括多个成矩阵排列的PMOLED显示单元和与每行PMOLED显示 单元对应的选通TFT，所述选通TFT与每行像素TFT对应设置，每个选通TFT的栅电极与对 应行像素TFT的栅电极接收同样的控制信号。3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述PMOLED显示单元与所述AMOLED 显示单元大小相同。4. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述选通TFT的源电极连接预设的高 电平，所述选通TFT的漏电极与高电阻元件连接。5. 根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述高电阻元件为栅电极和漏电极 连接的TFT，所述TFT的源电极与所述选通TFT的漏电极连接。6. -种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。7. -种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和位于所述显示区域外的栅 电极驱动GOA电路区域，其特征在于，所述制作方法包括： 在所述GOA电路区域形成无源矩阵有机发光二极管PMOLED显示阵列。8. 根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 在所述显示区域形成多个成矩阵排列的AMOLED显示单元和与所述AMOLED显示单元 --对应的像素薄膜晶体管TFT; 在所述GOA电路区域形成多个成矩阵排列的PMOLED显示单元和与每行PMOLED显示单 元对应的选通TFT，所述选通TFT与每行像素TFT对应设置，每个选通TFT的栅电极与对应 行像素TFT的栅电极接收同样的控制信号。9. 根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括： 形成大小相同的PMOLED显示单元和AMOLED显示单元。10. 根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包 括： 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的有源层和所述选通TFT的有源层； 形成栅绝缘层； 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的栅电极和所述选通TFT的栅电极； 形成中间绝缘层； 通过一次构图工艺形成所述像素TFT的源电极、漏电极和所述选通TFT的源电极、漏电 极； 形成平坦层； 通过一次构图工艺利用导电层形成AMOLED显示单元的阳极，同时利用导电层形成条 状的行电极作为PMOLED显示单元的阳极； 形成像素界定层； 在像素界定层限定出的像素区域内制备AMOLED显示单元的发光层和PMOLED的发光 层；
【专利摘要】本发明提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外的栅电极驱动GOA电路区域，所述GOA电路区域形成有无源矩阵有机发光二极管PMOLED显示阵列。本发明的技术方案能够实现显示装置的窄边框甚至无边框。
【IPC分类】H01L27/32, H01L21/77
【公开号】CN104900676
【申请号】CN201510212292
【发明人】陈立强, 高涛, 高静, 许晨
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年4月29日
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