一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器的制造方法
一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子领域，具体是指一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器。
【背景技术】
[0002]倍频器使输出信号频率等于输入信号频率整数倍的电路。随着电子技术的不断发展，倍频器应用越来越广泛，如发射机采用倍频器后可使主振器振荡在较低频率，以提高频率稳定度；调频设备用倍频器来增大频率偏移；在相位键控通信机中，倍频器是载波恢复电路的一个重要组成单元。然而目前使用的倍频器因产生大量谐波使输出信号相位不稳定，从而使倍频器噪音过大。其倍频次数越高，倍频噪声就越大，使倍频器的应用受到限制，尤其在要求倍频噪声较小的设备中则无法使用。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服目前的倍频器噪音过大的缺陷，提供一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器。
[0004]本发明的目的用以下技术方案实现:一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路，设置在锁相环电路输出端的相位处理电路，以及设置在控制电路和锁相环电路之间的共源极放大电路组成。
[0005]进一步的，所述共源极放大电路由场效应管Q1，场效应管Q2，三极管VT8，负极与场效应管Ql的栅极相连接、正极则与控制电路相连接的极性电容C16，N极与场效应管Ql的栅极相连接、P极则与三极管VT8的基极相连接的二极管D8，一端与场效应管Ql的漏极相连接、另一端经电阻R18后接地的电阻R17，一端与场效应管Ql的源极相连接、另一端则经电阻R15后接12V电压的电阻R16，正极与电阻R15和电阻R16的连接点相连接、负极则与场效应管Q2的漏极相连接的极性电容C17，N极与极性电容C17的负极相连接、P极则与场效应管Q2的栅极相连接的二极管D9，以及一端与三极管VT8的集电极相连接、另一端则与场效应管Q2的源极相连接的电阻R19组成；所述三极管VT8的基极与电阻R17和电阻R18的连接点相连接、其发射极则与场效应管Q2的栅极相连接；所述场效应管Q2的源极分别与三极管VT8的基极以及锁相环电路相连接。
[0006]所述的相位处理电路由移相芯片Ul，三极管VT6，三极管VT7，一端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片Ul的INl管脚相连接的电阻R12，负极经电阻Rll后与移相芯片Ul的INl管脚相连接、正极与移相芯片Ul的IN2管脚相连接的极性电容C13，正极经电阻R13后与移相芯片Ul的NC管脚相连接、负极与三极管VT6的集电极相连接的极性电容C15，正极与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C14，一端与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端作为信号的一输出端的电位器R14，P极与移相芯片Ul的OFFl管脚相连接、N极与三极管VT6的基极相连接的二极管D6，以及P极与移相芯片Ul的0FF2管脚相连接、N极与三极管VT7的发射极相连接的二极管D7组成；所述移相芯片Ul的INl管脚与锁相环电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT6的发射极与三极管VT7的基极相连接，三极管VT7的集电极作为信号的另一输出端，极性电容C13的负极与锁相环电路相连接。
[0007]所述的缓冲电路包括极性电容Cl，极性电容C2，电感LI，电感L2 ;极性电容Cl的负极经电感LI和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，极性电容C2的负极与电感LI和电感L2的连接点相连接、正极与极性电容Cl的正极相连接。
[0008]所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻Rl后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与微波电路相连接的极性电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的极性电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚经电感L2后与极性电容C2的负极相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚与极性电容Cl的正极相连接、THRES管脚与TRIG管脚相连接。
[0009]所述的微波电路由二极管Dl，二极管D2，二极管D3，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9组成；二极管D2的P极与极性电容C6的负极相连接、N极与控制电路相连接，二极管Dl的P极与极性电容C5的正极相连接、N极经极性电容C8和二极管D3以及极性电容C7后与极性电容C5的正极相连接，极性电容C9的负极同时与极性电容C5的正极和控制电路相连接、正极同时与极性电容C8和二极管D3的连接点以及控制电路相连接。
[0010]所述的控制电路由三极管VTl，三极管VT2，P极与极性电容C9的负极相连接、N极与三极管VTl的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VTl的发射极相连接的电阻R3，以及P极与三极管VTl的集电极相连接、N极与极性电容C9的正极相连接的二极管D5组成；所述三极管VTl的发射极与三极管VT2的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT2的集电极接地、发射极同时与极性电容C9的正极以及极性电容C16的正极相连接，稳压二极管D4的P极还与锁相环电路相连接。
[0011]所述锁相环电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C10，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端经电阻R4和电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接的电阻R6，负极经电阻R8和电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接、正极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C11，以及负极经电阻RlO和电阻R9后与其正极相连接的极性电容C12组成；所述三极管VT5的集电极与极性电容C12的负极相连接、发射极与三极管VT4的发射极相连接、基极与极性电容Cll的负极相连接，三极管VT4的基极与极性电容C12的正极相连接、发射极与三极管VT3的集电极相连接，三极管VT3的集电极与三极管VT2的发射极相连接，电阻R4和电阻R5的连接点与极性电容ClO的负极相连接，电阻RlO和电阻R9的连接点与电阻R8和电阻R7的连接点、以及电阻R6和电阻R4的连接点相互连接的同时与移相芯片Ul的INl管脚相连接，三极管VT5的发射极与极性电容C13的负极相连接；所述三极管VT3的集电极还与场效应管Q2的源极相连接。
[0012]为了达到更好的使用效果，所述的振荡芯片U优选为ΝΕ555集成芯片，而移相芯片Ul优选为LM741集成芯片来实现。
[0013]本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0014](I)本发明通过设置有相位处理电路，其能够使倍频器的相位更加稳定，从而可以彻底的过滤掉噪音信号。
[0015](2)本发明采用共源极放大电路对倍频信号进行放大，从而可以更彻底的滤波掉噪音信号。
[0016](3)本发明噪音低，使倍频器的应用范围更广。
【附图说明】
[0017]图1为本发明的整体结构示意图。
[0018]图2为本发明的共源极放大电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]下面结合具体实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0020]实施例
[0021]如图1所示，本发明由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路，设置在锁相环电路输出端的相位处理电路，以及设置在控制电路和锁相环电路之间的共源极放大电路组成。
[0022]所述的相位处理电路由移相芯片Ul，三极管VT6，三极管VT7，一端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片Ul的INl管脚相连接的电阻R12，负极经电阻Rll后与移相芯片Ul的INl管脚相连接、正极与移相芯片Ul的IN2管脚相连接的极性电容C13，正极经电阻R13后与移相芯片Ul的NC管脚相连接、负极与三极管VT6的集电极相连接的极性电容C15，正极与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C14，一端与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端作为信号的一输出端的电位器R14，P极与移相芯片Ul的OFFl管脚相连接、N极与三极管VT6的基极相连接的二极管D6，以及P极与移相芯片Ul的0FF2管脚相连接、N极与三极管VT7的发射极相连接的二极管D7组成。
[0023]连接时，该移相芯片Ul的皿管脚需与锁相环电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT6的发射极与三极管VT7的基极相连接，三极管VT7的集电极作为信号的另一输出端，极性电容C13的负极与锁相环电路相连接。相位处理电路，能够使倍频器的相位更加稳定，从而可以彻底的过滤掉噪音信号。为了保证实施效果，所述的移相芯片Ul优选为LM741集成芯片来实现。
[0024]所述的缓冲电路包括极性电容Cl，极性电容C2，电感LI，电感L2。实施时，该极性电容Cl的负极经电感LI和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，极性电容C2的负极与电感LI和电感L2的连接点相连接、正极与极性电容Cl的正极相连接，由此则可以起到更好的缓冲作用。
[0025]所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻Rl后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与微波电路相连接的极性电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的极性电容C4组成。所述振荡芯片U的DISCH管脚经电感L2后与极性电容C2的负极相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚与极性电容Cl的正极相连接、THRES管脚与TRIG管脚相连接。为了起到更好的振荡效果，该振荡芯片U优选为NE555集成芯片来实现。
[0026]所述的微波电路由二极管Dl，二极管D2，二极管D3，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9组成。
[0027]二极管D2的P极与极性电容C6的负极相连接、N极与控制电路相连接，二极管Dl的P极与极性电容C5的正极相连接、N极经极性电容C8和二极管D3以及极性电容C7后与极性电容C5的正极相连接，即二极管D1、极性电容C8、二极管D3以及极性电容C7形成一个回路。
[0028]同时，该极性电容C9 的负极同时与极性电容C5的正极和控制电路相连接、正极同时与极性电容C8和二极管D3的连接点以及控制电路相连接。
[0029]为了使振荡频率严格的锁定在输入频率的倍乘值上，因此设置了控制电路。所述的控制电路由三极管VTl，三极管VT2，P极与极性电容C9的负极相连接、N极与三极管VTl的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VTl的发射极相连接的电阻R3，以及P极与三极管VTl的集电极相连接、N极与极性电容C9的正极相连接的二极管D5组成；所述三极管VTl的发射极与三极管VT2的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT2的集电极接地、发射极同时与极性电容C9的正极以及共源极放大电路相连接，稳压二极管D4的P极还与锁相环电路相连接。
[0030]所述锁相环电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C10，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端经电阻R4和电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接的电阻R6，负极经电阻R8和电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接、正极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C11，以及负极经电阻RlO和电阻R9后与其正极相连接的极性电容C12组成。
[0031]为了更好的对倍频信号进行相位锁定，该三极管VT5的集电极需与极性电容C12的负极相连接、发射极与三极管VT4的发射极相连接、基极与极性电容Cll的负极相连接，三极管VT4的基极与极性电容C12的正极相连接、发射极与三极管VT3的集电极相连接，三极管VT3的集电极与三极管VT2的发射极相连接，电阻R4和电阻R5的连接点与极性电容ClO的负极相连接，电阻RlO和电阻R9的连接点与电阻R8和电阻R7的连接点、以及电阻R6和电阻R4的连接点相互连接的同时与移相芯片Ul的INl管脚相连接，三极管VT5的发射极与极性电容C13的负极相连接。同时，该三极管VT3的集电极还需要与共源极放大电路相连接。
[0032]如图2所示，该共源极放大电路由场效应管Q1，场效应管Q2，三极管VT8，电阻R15，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，极性电容C16，极性电容C17，二极管D8以及二极管D9组成。
[0033]连接时，该极性电容C16的负极与场效应管Ql的栅极相连接、其正极则与控制电路相连接，二极管D8的N极与场效应管Ql的栅极相连接、其P极则与三极管VT8的基极相连接，电阻R17的一端与场效应管Ql的漏极相连接、其另一端经电阻R18后接地，电阻R16的一端与场效应管Ql的源极相连接、其另一端则经电阻R15后接12V电压，极性电容C17的正极与电阻R15和电阻R16的连接点相连接、其负极则与场效应管Q2的漏极相连接，二极管D9的N极与极性电容C17的负极相连接、其P极则与场效应管Q2的栅极相连接，电阻R19的一端与三极管VT8的集电极相连接、其另一端则与场效应管Q2的源极相连接。
[0034]所述三极管VT8的基极与电阻R17和电阻R18的连接点相连接、其发射极则与场效应管Q2的栅极相连接。所述场效应管Q2的源极分别与三极管VT8的基极以及锁相环电路相连接。其中，该场效应管Q1、三极管VT8、场效应管Q2以及电阻R19构成一个共源极放大器。通过该共源极放大电路的放大处理，从而可以更彻底的滤波掉噪音信号。
[0035]如上所述，便可很好的实现本发明。
【主权项】
1.一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路，以及设置在锁相环电路输出端的相位处理电路组成；其特征在于，在控制电路和锁相环电路之间还设置有共源极放大电路；所述共源极放大电路由场效应管Ql，场效应管Q2，三极管VT8，负极与场效应管Ql的栅极相连接、正极则与控制电路相连接的极性电容C16，N极与场效应管Ql的栅极相连接、P极则与三极管VT8的基极相连接的二极管D8，一端与场效应管Ql的漏极相连接、另一端经电阻R18后接地的电阻R17，一端与场效应管Ql的源极相连接、另一端则经电阻R15后接12V电压的电阻R16，正极与电阻R15和电阻R16的连接点相连接、负极则与场效应管Q2的漏极相连接的极性电容C17，N极与极性电容C17的负极相连接、P极则与场效应管Q2的栅极相连接的二极管D9，以及一端与三极管VT8的集电极相连接、另一端则与场效应管Q2的源极相连接的电阻R19组成；所述三极管VT8的基极与电阻R17和电阻R18的连接点相连接、其发射极则与场效应管Q2的栅极相连接；所述场效应管Q2的源极分别与三极管VT8的基极以及锁相环电路相连接。2.根据权利要求1所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的相位处理电路由移相芯片Ul，三极管VT6，三极管VT7，一端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片Ul的INl管脚相连接的电阻R12，负极经电阻Rll后与移相芯片Ul的INl管脚相连接、正极与移相芯片Ul的IN2管脚相连接的极性电容C13，正极经电阻R13后与移相芯片Ul的NC管脚相连接、负极与三极管VT6的集电极相连接的极性电容C15，正极与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C14，一端与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端作为信号的一输出端的电位器R14，P极与移相芯片Ul的OFFl管脚相连接、N极与三极管VT6的基极相连接的二极管D6，以及P极与移相芯片Ul的0FF2管脚相连接、N极与三极管VT7的发射极相连接的二极管D7组成；所述移相芯片Ul的INl管脚与锁相环电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT6的发射极与三极管VT7的基极相连接，三极管VT7的集电极作为信号的另一输出端，极性电容C13的负极与锁相环电路相连接。3.根据权利要求2所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的缓冲电路包括极性电容Cl，极性电容C2，电感LI，电感L2 ;极性电容Cl的负极经电感LI和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，极性电容C2的负极与电感LI和电感L2的连接点相连接、正极与极性电容Cl的正极相连接。4.根据权利要求3所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻Rl后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与微波电路相连接的极性电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的极性电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚经电感L2后与极性电容C2的负极相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚与极性电容Cl的正极相连接、THRES管脚与TRIG管脚相连接。5.根据权利要求4所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的微波电路由二极管D1，二极管D2，二极管D3，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9组成；二极管D2的P极与极性电容C6的负极相连接、N极与控制电路相连接，二极管Dl的P极与极性电容C5的正极相连接、N极经极性电容C8和二极管D3以及极性电容C7后与极性电容C5的正极相连接，极性电容C9的负极同时与极性电容C5的正极和控制电路相连接、正极同时与极性电容C8和二极管D3的连接点以及控制电路相连接。6.根据权利要求5所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的控制电路由三极管VTl，三极管VT2，P极与极性电容C9的负极相连接、N极与三极管VTl的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VTl的发射极相连接的电阻R3，以及P极与三极管VTl的集电极相连接、N极与极性电容C9的正极相连接的二极管D5组成；所述三极管VTl的发射极与三极管VT2的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT2的集电极接地、发射极同时与极性电容C9的正极以及极性电容C16的正极相连接，稳压二极管D4的P极还与锁相环电路相连接。7.根据权利要求6所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述锁相环电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C10，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端经电阻R4和电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接的电阻R6，负极经电阻R8和电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接、正极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容ClL以及负极经电阻RlO和电阻R9后与其正极相连接的极性电容C12组成；所述三极管VT5的集电极与极性电容C12的负极相连接、发射极与三极管VT4的发射极相连接、基极与极性电容Cll的负极相连接，三极管VT4的基极与极性电容C12的正极相连接、发射极与三极管VT3的集电极相连接，三极管VT3的集电极与三极管VT2的发射极相连接，电阻R4和电阻R5的连接点与极性电容ClO的负极相连接，电阻RlO和电阻R9的连接点与电阻R8和电阻R7的连接点、以及电阻R6和电阻R4的连接点相互连接的同时与移相芯片Ul的INl管脚相连接，三极管VT5的发射极与极性电容C13的负极相连接；所述三极管VT3的集电极还与场效应管Q2的源极相连接。8.根据权利要求7所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的振荡芯片U为NE555集成芯片。9.根据权利要求7所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的移相芯片Ul为LM741集成芯片。
【专利摘要】本发明公开了一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路，以及设置在锁相环电路输出端的相位处理电路组成；其特征在于，在控制电路和锁相环电路之间还设置有共源极放大电路；本发明设置有相位处理电路，其能够使倍频器的相位更加稳定，从而可以彻底的过滤掉噪音信号。同时，本发明采用共源极放大电路对倍频信号进行放大，从而可以更彻底的滤波掉噪音信号。
【IPC分类】H03B19/14
【公开号】CN104901626
【申请号】CN201510317300
【发明人】周云扬
【申请人】成都冠深科技有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月10日
【公告号】CN104467684A
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子领域，具体是指一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器。
【背景技术】
[0002]倍频器使输出信号频率等于输入信号频率整数倍的电路。随着电子技术的不断发展，倍频器应用越来越广泛，如发射机采用倍频器后可使主振器振荡在较低频率，以提高频率稳定度；调频设备用倍频器来增大频率偏移；在相位键控通信机中，倍频器是载波恢复电路的一个重要组成单元。然而目前使用的倍频器因产生大量谐波使输出信号相位不稳定，从而使倍频器噪音过大。其倍频次数越高，倍频噪声就越大，使倍频器的应用受到限制，尤其在要求倍频噪声较小的设备中则无法使用。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服目前的倍频器噪音过大的缺陷，提供一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器。
[0004]本发明的目的用以下技术方案实现:一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路，设置在锁相环电路输出端的相位处理电路，以及设置在控制电路和锁相环电路之间的共源极放大电路组成。
[0005]进一步的，所述共源极放大电路由场效应管Q1，场效应管Q2，三极管VT8，负极与场效应管Ql的栅极相连接、正极则与控制电路相连接的极性电容C16，N极与场效应管Ql的栅极相连接、P极则与三极管VT8的基极相连接的二极管D8，一端与场效应管Ql的漏极相连接、另一端经电阻R18后接地的电阻R17，一端与场效应管Ql的源极相连接、另一端则经电阻R15后接12V电压的电阻R16，正极与电阻R15和电阻R16的连接点相连接、负极则与场效应管Q2的漏极相连接的极性电容C17，N极与极性电容C17的负极相连接、P极则与场效应管Q2的栅极相连接的二极管D9，以及一端与三极管VT8的集电极相连接、另一端则与场效应管Q2的源极相连接的电阻R19组成；所述三极管VT8的基极与电阻R17和电阻R18的连接点相连接、其发射极则与场效应管Q2的栅极相连接；所述场效应管Q2的源极分别与三极管VT8的基极以及锁相环电路相连接。
[0006]所述的相位处理电路由移相芯片Ul，三极管VT6，三极管VT7，一端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片Ul的INl管脚相连接的电阻R12，负极经电阻Rll后与移相芯片Ul的INl管脚相连接、正极与移相芯片Ul的IN2管脚相连接的极性电容C13，正极经电阻R13后与移相芯片Ul的NC管脚相连接、负极与三极管VT6的集电极相连接的极性电容C15，正极与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C14，一端与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端作为信号的一输出端的电位器R14，P极与移相芯片Ul的OFFl管脚相连接、N极与三极管VT6的基极相连接的二极管D6，以及P极与移相芯片Ul的0FF2管脚相连接、N极与三极管VT7的发射极相连接的二极管D7组成；所述移相芯片Ul的INl管脚与锁相环电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT6的发射极与三极管VT7的基极相连接，三极管VT7的集电极作为信号的另一输出端，极性电容C13的负极与锁相环电路相连接。
[0007]所述的缓冲电路包括极性电容Cl，极性电容C2，电感LI，电感L2 ;极性电容Cl的负极经电感LI和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，极性电容C2的负极与电感LI和电感L2的连接点相连接、正极与极性电容Cl的正极相连接。
[0008]所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻Rl后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与微波电路相连接的极性电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的极性电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚经电感L2后与极性电容C2的负极相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚与极性电容Cl的正极相连接、THRES管脚与TRIG管脚相连接。
[0009]所述的微波电路由二极管Dl，二极管D2，二极管D3，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9组成；二极管D2的P极与极性电容C6的负极相连接、N极与控制电路相连接，二极管Dl的P极与极性电容C5的正极相连接、N极经极性电容C8和二极管D3以及极性电容C7后与极性电容C5的正极相连接，极性电容C9的负极同时与极性电容C5的正极和控制电路相连接、正极同时与极性电容C8和二极管D3的连接点以及控制电路相连接。
[0010]所述的控制电路由三极管VTl，三极管VT2，P极与极性电容C9的负极相连接、N极与三极管VTl的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VTl的发射极相连接的电阻R3，以及P极与三极管VTl的集电极相连接、N极与极性电容C9的正极相连接的二极管D5组成；所述三极管VTl的发射极与三极管VT2的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT2的集电极接地、发射极同时与极性电容C9的正极以及极性电容C16的正极相连接，稳压二极管D4的P极还与锁相环电路相连接。
[0011]所述锁相环电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C10，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端经电阻R4和电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接的电阻R6，负极经电阻R8和电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接、正极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C11，以及负极经电阻RlO和电阻R9后与其正极相连接的极性电容C12组成；所述三极管VT5的集电极与极性电容C12的负极相连接、发射极与三极管VT4的发射极相连接、基极与极性电容Cll的负极相连接，三极管VT4的基极与极性电容C12的正极相连接、发射极与三极管VT3的集电极相连接，三极管VT3的集电极与三极管VT2的发射极相连接，电阻R4和电阻R5的连接点与极性电容ClO的负极相连接，电阻RlO和电阻R9的连接点与电阻R8和电阻R7的连接点、以及电阻R6和电阻R4的连接点相互连接的同时与移相芯片Ul的INl管脚相连接，三极管VT5的发射极与极性电容C13的负极相连接；所述三极管VT3的集电极还与场效应管Q2的源极相连接。
[0012]为了达到更好的使用效果，所述的振荡芯片U优选为ΝΕ555集成芯片，而移相芯片Ul优选为LM741集成芯片来实现。
[0013]本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0014](I)本发明通过设置有相位处理电路，其能够使倍频器的相位更加稳定，从而可以彻底的过滤掉噪音信号。
[0015](2)本发明采用共源极放大电路对倍频信号进行放大，从而可以更彻底的滤波掉噪音信号。
[0016](3)本发明噪音低，使倍频器的应用范围更广。
【附图说明】
[0017]图1为本发明的整体结构示意图。
[0018]图2为本发明的共源极放大电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]下面结合具体实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0020]实施例
[0021]如图1所示，本发明由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路，设置在锁相环电路输出端的相位处理电路，以及设置在控制电路和锁相环电路之间的共源极放大电路组成。
[0022]所述的相位处理电路由移相芯片Ul，三极管VT6，三极管VT7，一端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片Ul的INl管脚相连接的电阻R12，负极经电阻Rll后与移相芯片Ul的INl管脚相连接、正极与移相芯片Ul的IN2管脚相连接的极性电容C13，正极经电阻R13后与移相芯片Ul的NC管脚相连接、负极与三极管VT6的集电极相连接的极性电容C15，正极与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C14，一端与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端作为信号的一输出端的电位器R14，P极与移相芯片Ul的OFFl管脚相连接、N极与三极管VT6的基极相连接的二极管D6，以及P极与移相芯片Ul的0FF2管脚相连接、N极与三极管VT7的发射极相连接的二极管D7组成。
[0023]连接时，该移相芯片Ul的皿管脚需与锁相环电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT6的发射极与三极管VT7的基极相连接，三极管VT7的集电极作为信号的另一输出端，极性电容C13的负极与锁相环电路相连接。相位处理电路，能够使倍频器的相位更加稳定，从而可以彻底的过滤掉噪音信号。为了保证实施效果，所述的移相芯片Ul优选为LM741集成芯片来实现。
[0024]所述的缓冲电路包括极性电容Cl，极性电容C2，电感LI，电感L2。实施时，该极性电容Cl的负极经电感LI和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，极性电容C2的负极与电感LI和电感L2的连接点相连接、正极与极性电容Cl的正极相连接，由此则可以起到更好的缓冲作用。
[0025]所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻Rl后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与微波电路相连接的极性电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的极性电容C4组成。所述振荡芯片U的DISCH管脚经电感L2后与极性电容C2的负极相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚与极性电容Cl的正极相连接、THRES管脚与TRIG管脚相连接。为了起到更好的振荡效果，该振荡芯片U优选为NE555集成芯片来实现。
[0026]所述的微波电路由二极管Dl，二极管D2，二极管D3，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9组成。
[0027]二极管D2的P极与极性电容C6的负极相连接、N极与控制电路相连接，二极管Dl的P极与极性电容C5的正极相连接、N极经极性电容C8和二极管D3以及极性电容C7后与极性电容C5的正极相连接，即二极管D1、极性电容C8、二极管D3以及极性电容C7形成一个回路。
[0028]同时，该极性电容C9 的负极同时与极性电容C5的正极和控制电路相连接、正极同时与极性电容C8和二极管D3的连接点以及控制电路相连接。
[0029]为了使振荡频率严格的锁定在输入频率的倍乘值上，因此设置了控制电路。所述的控制电路由三极管VTl，三极管VT2，P极与极性电容C9的负极相连接、N极与三极管VTl的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VTl的发射极相连接的电阻R3，以及P极与三极管VTl的集电极相连接、N极与极性电容C9的正极相连接的二极管D5组成；所述三极管VTl的发射极与三极管VT2的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT2的集电极接地、发射极同时与极性电容C9的正极以及共源极放大电路相连接，稳压二极管D4的P极还与锁相环电路相连接。
[0030]所述锁相环电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C10，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端经电阻R4和电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接的电阻R6，负极经电阻R8和电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接、正极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C11，以及负极经电阻RlO和电阻R9后与其正极相连接的极性电容C12组成。
[0031]为了更好的对倍频信号进行相位锁定，该三极管VT5的集电极需与极性电容C12的负极相连接、发射极与三极管VT4的发射极相连接、基极与极性电容Cll的负极相连接，三极管VT4的基极与极性电容C12的正极相连接、发射极与三极管VT3的集电极相连接，三极管VT3的集电极与三极管VT2的发射极相连接，电阻R4和电阻R5的连接点与极性电容ClO的负极相连接，电阻RlO和电阻R9的连接点与电阻R8和电阻R7的连接点、以及电阻R6和电阻R4的连接点相互连接的同时与移相芯片Ul的INl管脚相连接，三极管VT5的发射极与极性电容C13的负极相连接。同时，该三极管VT3的集电极还需要与共源极放大电路相连接。
[0032]如图2所示，该共源极放大电路由场效应管Q1，场效应管Q2，三极管VT8，电阻R15，电阻R16，电阻R17，电阻R18，电阻R19，极性电容C16，极性电容C17，二极管D8以及二极管D9组成。
[0033]连接时，该极性电容C16的负极与场效应管Ql的栅极相连接、其正极则与控制电路相连接，二极管D8的N极与场效应管Ql的栅极相连接、其P极则与三极管VT8的基极相连接，电阻R17的一端与场效应管Ql的漏极相连接、其另一端经电阻R18后接地，电阻R16的一端与场效应管Ql的源极相连接、其另一端则经电阻R15后接12V电压，极性电容C17的正极与电阻R15和电阻R16的连接点相连接、其负极则与场效应管Q2的漏极相连接，二极管D9的N极与极性电容C17的负极相连接、其P极则与场效应管Q2的栅极相连接，电阻R19的一端与三极管VT8的集电极相连接、其另一端则与场效应管Q2的源极相连接。
[0034]所述三极管VT8的基极与电阻R17和电阻R18的连接点相连接、其发射极则与场效应管Q2的栅极相连接。所述场效应管Q2的源极分别与三极管VT8的基极以及锁相环电路相连接。其中，该场效应管Q1、三极管VT8、场效应管Q2以及电阻R19构成一个共源极放大器。通过该共源极放大电路的放大处理，从而可以更彻底的滤波掉噪音信号。
[0035]如上所述，便可很好的实现本发明。
【主权项】
1.一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路，以及设置在锁相环电路输出端的相位处理电路组成；其特征在于，在控制电路和锁相环电路之间还设置有共源极放大电路；所述共源极放大电路由场效应管Ql，场效应管Q2，三极管VT8，负极与场效应管Ql的栅极相连接、正极则与控制电路相连接的极性电容C16，N极与场效应管Ql的栅极相连接、P极则与三极管VT8的基极相连接的二极管D8，一端与场效应管Ql的漏极相连接、另一端经电阻R18后接地的电阻R17，一端与场效应管Ql的源极相连接、另一端则经电阻R15后接12V电压的电阻R16，正极与电阻R15和电阻R16的连接点相连接、负极则与场效应管Q2的漏极相连接的极性电容C17，N极与极性电容C17的负极相连接、P极则与场效应管Q2的栅极相连接的二极管D9，以及一端与三极管VT8的集电极相连接、另一端则与场效应管Q2的源极相连接的电阻R19组成；所述三极管VT8的基极与电阻R17和电阻R18的连接点相连接、其发射极则与场效应管Q2的栅极相连接；所述场效应管Q2的源极分别与三极管VT8的基极以及锁相环电路相连接。2.根据权利要求1所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的相位处理电路由移相芯片Ul，三极管VT6，三极管VT7，一端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片Ul的INl管脚相连接的电阻R12，负极经电阻Rll后与移相芯片Ul的INl管脚相连接、正极与移相芯片Ul的IN2管脚相连接的极性电容C13，正极经电阻R13后与移相芯片Ul的NC管脚相连接、负极与三极管VT6的集电极相连接的极性电容C15，正极与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C14，一端与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端作为信号的一输出端的电位器R14，P极与移相芯片Ul的OFFl管脚相连接、N极与三极管VT6的基极相连接的二极管D6，以及P极与移相芯片Ul的0FF2管脚相连接、N极与三极管VT7的发射极相连接的二极管D7组成；所述移相芯片Ul的INl管脚与锁相环电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT6的发射极与三极管VT7的基极相连接，三极管VT7的集电极作为信号的另一输出端，极性电容C13的负极与锁相环电路相连接。3.根据权利要求2所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的缓冲电路包括极性电容Cl，极性电容C2，电感LI，电感L2 ;极性电容Cl的负极经电感LI和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，极性电容C2的负极与电感LI和电感L2的连接点相连接、正极与极性电容Cl的正极相连接。4.根据权利要求3所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻Rl后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与微波电路相连接的极性电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的极性电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚经电感L2后与极性电容C2的负极相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚与极性电容Cl的正极相连接、THRES管脚与TRIG管脚相连接。5.根据权利要求4所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的微波电路由二极管D1，二极管D2，二极管D3，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9组成；二极管D2的P极与极性电容C6的负极相连接、N极与控制电路相连接，二极管Dl的P极与极性电容C5的正极相连接、N极经极性电容C8和二极管D3以及极性电容C7后与极性电容C5的正极相连接，极性电容C9的负极同时与极性电容C5的正极和控制电路相连接、正极同时与极性电容C8和二极管D3的连接点以及控制电路相连接。6.根据权利要求5所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的控制电路由三极管VTl，三极管VT2，P极与极性电容C9的负极相连接、N极与三极管VTl的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VTl的发射极相连接的电阻R3，以及P极与三极管VTl的集电极相连接、N极与极性电容C9的正极相连接的二极管D5组成；所述三极管VTl的发射极与三极管VT2的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT2的集电极接地、发射极同时与极性电容C9的正极以及极性电容C16的正极相连接，稳压二极管D4的P极还与锁相环电路相连接。7.根据权利要求6所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述锁相环电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C10，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端经电阻R4和电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接的电阻R6，负极经电阻R8和电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接、正极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容ClL以及负极经电阻RlO和电阻R9后与其正极相连接的极性电容C12组成；所述三极管VT5的集电极与极性电容C12的负极相连接、发射极与三极管VT4的发射极相连接、基极与极性电容Cll的负极相连接，三极管VT4的基极与极性电容C12的正极相连接、发射极与三极管VT3的集电极相连接，三极管VT3的集电极与三极管VT2的发射极相连接，电阻R4和电阻R5的连接点与极性电容ClO的负极相连接，电阻RlO和电阻R9的连接点与电阻R8和电阻R7的连接点、以及电阻R6和电阻R4的连接点相互连接的同时与移相芯片Ul的INl管脚相连接，三极管VT5的发射极与极性电容C13的负极相连接；所述三极管VT3的集电极还与场效应管Q2的源极相连接。8.根据权利要求7所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的振荡芯片U为NE555集成芯片。9.根据权利要求7所述的一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的移相芯片Ul为LM741集成芯片。
【专利摘要】本发明公开了一种基于共源极放大电路的移相式低噪音倍频器，其由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路，以及设置在锁相环电路输出端的相位处理电路组成；其特征在于，在控制电路和锁相环电路之间还设置有共源极放大电路；本发明设置有相位处理电路，其能够使倍频器的相位更加稳定，从而可以彻底的过滤掉噪音信号。同时，本发明采用共源极放大电路对倍频信号进行放大，从而可以更彻底的滤波掉噪音信号。
【IPC分类】H03B19/14
【公开号】CN104901626
【申请号】CN201510317300
【发明人】周云扬
【申请人】成都冠深科技有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年6月10日
【公告号】CN104467684A
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