玻璃层叠体及其制造方法、以及带有机硅树脂层的支撑基材的制作方法
玻璃层叠体及其制造方法、以及带有机硅树脂层的支撑基材的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及玻璃层叠体及其制造方法，特别是具有显示出规定的弹性模量的有机 硅树脂层的玻璃层叠体及其制造方法。
[0002] 另外，本发明涉及带有机硅树脂层的支撑基材，特别是涉及带有可剥离地层叠在 玻璃基板表面的有机硅树脂层的支撑基材及其制造方法。
【背景技术】
[0003] 近年来，进行着太阳能电池（PV)、液晶面板（IXD)、有机EL面板（OLED)等器件（电 子设备）的薄型化、轻量化，并且进行着在这些器件中使用的玻璃基板的薄板化。由薄板化 导致玻璃基板的强度不足时，在器件的制造工序中，玻璃基板的操作性降低。
[0004] 因此，以往，广泛采用下述方法：在比最终厚度厚的玻璃基板上形成器件用构件 (例如，薄膜晶体管），然后通过化学蚀刻处理将玻璃基板薄板化。
[0005] 但是，对于该方法而言，例如，将1片玻璃基板的厚度从〇· 7mm薄板化为0· 2mm、 0.1 mm时，用蚀刻液将原来的玻璃基板的材料的大部分削去，因此从生产率、原材料的使用 效率的观点方面考虑不优选。另外，在基于上述的化学蚀刻的玻璃基板的薄板化方法中， 在玻璃基板表面存在微细的划痕时，有时由于蚀刻处理造成以划痕为起点形成微细的凹陷 (蚀坑），成为光学缺陷。
[0006] 最近，为了应对上述课题，提出了准备将薄板玻璃基板和增强板层叠而得到的玻 璃层叠体，在玻璃层叠体的薄板玻璃基板上形成显示装置等电子器件用构件后，从薄板玻 璃基板分离支撑板的方法（例如，专利文献1)。增强板具有支撑板和固定在该支撑板上的 有机硅树脂层，有机硅树脂层与薄板玻璃基板可剥离地粘附。将玻璃层叠体的有机硅树脂 层与薄板玻璃基板的界面剥离，从薄板玻璃基板分离的增强板与新的薄板玻璃基板层叠， 从而能够作为玻璃层叠体再利用。
[0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] 专利文献1 :国际公开第2007/018028号
【发明内容】
[0010] 发明所要解决的问题
[0011] 关于专利文献1中记载的玻璃层叠体，近年来要求更高的耐热性。伴随着形成在 玻璃层叠体的玻璃基板上的电子器件用构件的高功能化、复杂化，形成电子器件用构件时 的温度变得更高并且需要长时间暴露于该高温下的情况也不少。另外，使用的玻璃基板也 更薄膜化，其操作性变难。
[0012] 专利文献1中记载的玻璃层叠体能耐受在大气中300°C、1小时的处理。但是， 根据本发明人的研宄，参照专利文献1，对使用了厚度更薄的玻璃基板的玻璃层叠体进行 360°C、1小时的处理时，将玻璃基板从有机硅树脂层表面剥离时，未将玻璃基板从树脂层表 面剥离而其一部分被破坏、或在玻璃基板上残留树脂层的树脂的一部分，结果有时导致电 子器件的生产率的降低。
[0013] 本发明鉴于上述课题而作出，其目的在于提供一种玻璃层叠体及其制造方法，即 使在高温加热处理后玻璃基板与有机硅树脂层的剥离强度的升高也被抑制，可以容易地剥 离玻璃基板。
[0014] 另外，本发明的目的在于提供在该玻璃层叠体的制造中使用的带有机硅树脂层的 支撑基材。
[0015] 用于解决问题的手段
[0016] 本发明人等为了解决上述课题而进行了深入研宄，结果完成了本发明。
[0017] 即，本发明的第一方式涉及一种玻璃层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层 和玻璃基板，支撑基材与有机硅树脂层的界面的剥离强度大于有机硅树脂层与玻璃基板的 界面的剥离强度，其中，有机硅树脂层的有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交联物，并且 通过纳米压痕法测定的有机硅树脂层的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。
[0018] 在第一方式中，可交联有机聚硅氧烷的交联物优选为使具有烯基的有机聚硅氧烷 与具有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷反应而得到的交联物。
[0019] 在第一方式中，烯基与氢甲硅烷基的混合摩尔比（烯基的摩尔数/氢甲硅烷基的 摩尔数）优选为1/1~1/0. 8。
[0020] 在第一方式中，有机娃树脂层优选还含有硅油。
[0021] 在第一方式中，有机硅树脂层的厚度优选为2~100 μ m。
[0022] 在第一方式中，支撑基材优选为玻璃板。
[0023] 本发明的第二方式涉及一种制造第一方式的玻璃层叠体的方法，其中，在支撑基 材的单面形成含有可交联有机聚硅氧烷的层，在支撑基材面上使可交联有机聚硅氧烷交联 而形成有机硅树脂层，然后在有机硅树脂层的表面层叠玻璃基板。
[0024] 本发明的第三方式涉及一种带有机硅树脂层的支撑基材，其具有支撑基材和设置 在所述支撑基材面上的有机硅树脂层，其中，有机硅树脂层的有机硅树脂为可交联有机聚 硅氧烷的交联物，并且通过纳米压痕法测定的有机硅树脂层的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。
[0025] 发明的效果
[0026] 根据本发明，可以提供一种玻璃层叠体及其制造方法，即使在高温加热处理后玻 璃基板与有机硅树脂层的剥离强度的升高也被抑制，可以容易地剥离玻璃基板。
[0027] 另外，根据本发明，还可以提供一种带有机硅树脂层的支撑基材，其用于该玻璃层 叠体的制造。
【附图说明】
[0028] 图1是本发明所涉及的玻璃层叠体的一个实施方式的剖视示意图。
[0029] 图2 (A)~图2 (D)是按照工序步骤表示的本发明所涉及的带构件的玻璃基板的制 造方法的一个实施方式的剖视示意图。
【具体实施方式】
[0030] 以下，对用于实施本发明的方式参照附图进行说明，但本发明不限于以下的实施 方式，在不脱离本发明的范围的情况下，可以对以下的实施方式加入各种变形和置换。
[0031] 本发明的玻璃层叠体依次具备支撑基材、有机硅树脂层和玻璃基板。即，在支撑基 材与玻璃基板之间具有有机硅树脂层，因此，有机硅树脂层的一侧与支撑基材接触，另一侧 与玻璃基板接触。
[0032] 作为本发明的玻璃层叠体的特点之一，可以举出通过纳米压痕法测定的有机硅树 脂层的弹性模量处于规定的范围内。特别是在支撑基材上形成的有机硅树脂层的弹性模量 处于规定的范围内。弹性模量处于规定的范围内的有机硅树脂层与以往的有机硅树脂层相 比更柔软。使用这样的柔软的有机硅树脂层时，可以与配置在该有机硅树脂层上的玻璃基 板进行某种程度粘附从而防止其位置偏移，并且较容易地剥离玻璃基板。获得如上特性的 详细理由不明，但推测如下。首先，在有机硅树脂层上层叠玻璃基板时，由于有机硅树脂层 柔软，因此追随玻璃基板表面的形状而变形，不会在有机硅树脂层与玻璃基板之间产生空 隙等，从而有机硅树脂层与玻璃基板良好地粘附。另外，在高温加热处理后将玻璃基板从有 机硅树脂层剥离时，由于有机硅树脂层容易变形，因此也可以抑制局部地对玻璃基板施加 应力，结果可以容易地剥离玻璃基板。
[0033] 图1是本发明所涉及的玻璃层叠体的一例的剖视示意图。
[0034] 如图1所示，玻璃层叠体10为支撑基材12和玻璃基板16与在它们之间存在有机 硅树脂层14的层叠体。有机硅树脂层14的一个面与支撑基材12接触，并且其另一个面与 玻璃基板16的第1主面16a接触。换言之，有机硅树脂层14与玻璃基板16的第1主面 16a接触。
[0035] 包含支撑基材12和有机硅树脂层14的两层部分在制造液晶面板等电子器件用构 件的构件形成工序中，增强玻璃基板16。需要说明的是，将为了玻璃层叠体10的制造而预 先制造的包含支撑基材12和有机硅树脂层14的2层部分称为带有机硅树脂层的支撑基材 18。
[0036] 使用该玻璃层叠体10直到后述的构件形成工序。即，使用该玻璃层叠体10直到 在该玻璃基板16的第2主面16b表面上形成液晶显示装置等电子器件用构件为止。之后， 形成有电子器件用构件的玻璃层叠体被分离为带有机硅树脂层的支撑基材18和带电子器 件用构件的玻璃基板，带有机硅树脂层的支撑基材18不成为构成电子器件的部分。可以在 带有机硅树脂层的支撑基材18上层叠新的玻璃基板16,作为新的玻璃层叠体10再利用。
[0037] 支撑基材12与有机硅树脂层14的界面具有剥离强度（X)，对支撑基材12与有机 硅树脂层14的界面施加超过剥离强度（X)的剥离方向的应力时，支撑基材12与有机硅树 脂层14的界面剥离。有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面具有剥离强度（y)，对有机硅 树脂层14与玻璃基板16的界面施加超过剥离强度（y)的剥离方向的应力时，有机硅树脂 层14与玻璃基板16的界面剥离。
[0038] 在玻璃层叠体10(也指后述的带电子器件用构件的层叠体）中，上述剥离强度（X) 大于（高于）上述剥离强度（y)。因此，对玻璃层叠体10施加将支撑基材12和玻璃基板 16剥离的方向的应力时，本发明的玻璃层叠体10在有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面 剥离，从而分离为玻璃基板16和带有机硅树脂层的支撑基材18。
[0039] 也就是说，有机硅树脂层14被固定在支撑基材12上而形成带有机硅树脂层的支 撑基材18,玻璃基板16在有机硅树脂层14上可剥离地粘附。
[0040] 优选剥离强度（X)与剥离强度（y)相比足够高。提高剥离强度（X)意味着提高有 机硅树脂层14对支撑基材12的附着力，并且加热处理后可以保持对玻璃基板16相对更高 的附着力。
[0041] 为了提高有机硅树脂层14对支撑基材12的附着力，如后所述，优选在支撑基材12 上使可交联有机聚硅氧烷交联固化而形成有机硅树脂层14。通过交联固化时的胶粘力，可 以形成以高结合力与支撑基材12结合的有机硅树脂层14。
[0042] 另一方面，交联固化后的可交联有机聚硅氧烷的固化物对玻璃基板16的结合力 通常比在上述交联固化时产生的结合力低。因此，优选在支撑基材12上使可交联有机聚硅 氧烷交联固化而形成有机硅树脂层14,之后在有机硅树脂层14的面上层叠玻璃基板16,从 而制造玻璃层叠体10。
[0043] 作为本发明的第1方式的玻璃层叠体依次具备支撑基材、有机硅树脂层和玻璃基 板，支撑基材与有机硅树脂层的界面的剥离强度大于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥 离强度，其中，有机硅树脂层的有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交联物，并且通过纳米 压痕法测定的所述有机硅树脂层的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。
[0044] 以下，首先，对构成玻璃层叠体10的各层（支撑基材12、玻璃基板16、有机硅树脂 层14)进行详细叙述，之后，对玻璃层叠体及带电子器件用构件的玻璃基板的制造方法进 行详细叙述。
[0045] [支撑基材]
[0046] 支撑基材12支撑并增强玻璃基板16,防止在后述的构件形成工序（制造电子器件 用构件的工序）中在制造电子器件用构件时玻璃基板16的变形、划伤、破损等。
[0047] 作为支撑基材12,可以使用例如玻璃板、塑料板、SUS板等金属板等。通常，由于构 件形成工序伴随着热处理，因此支撑基材12优选由与玻璃基板16的平均线膨胀系数之差 小的材料形成，更优选由与玻璃基板16相同的材料形成，支撑基材12优选为玻璃板。特别 是支撑基材12优选为包含与玻璃基板16相同的玻璃材料的玻璃板。
[0048] 支撑基材12的厚度可以比玻璃基板16厚，也可以比玻璃基板16薄。优选基于玻 璃基板16的厚度、有机硅树脂层14的厚度和玻璃层叠体10的厚度选择支撑基材12的厚 度。例如，现行的构件形成工序为了处理厚度0. 5_的基板而设计，玻璃基板16的厚度与 有机硅树脂层14的厚度之和为0.1 mm时，将支撑基材12的厚度设定为0. 4mm。支撑基材 12的厚度在通常的情况下优选为0. 2~5. 0mm。
[0049] 支撑基材12为玻璃板时，出于容易操作、不易破裂等理由，玻璃板的厚度优选为 0. 08mm以上。另外，出于在形成电子器件用构件后剥离时，期望适度地弯曲而不破裂这样的 刚性的理由，玻璃板的厚度优选为1.0 mm以下。
[0050] 支撑基材12与玻璃基板16的25~300 °C下的平均线膨胀系数之差优选为 500X 10_7/°C以下，更优选为300X 10_7/°C以下，进一步优选为200 X 10_7/°C以下。上述平 均线膨胀系数之差过大时，在构件形成工序中的加热冷却时，有可能玻璃层叠体10严重翘 曲、或支撑基材12与玻璃基板16剥离。在支撑基材12的材料与玻璃基板16的材料相同 时，由于可以抑制产生这样的问题，因此优选支撑基材为玻璃板。
[0051] [玻璃基板]
[0052] 玻璃基板16的第1主面16a与有机硅树脂层14接触，在与有机硅树脂层14侧相 反侧的第2主面16b设置电子器件用构件。
[0053] 玻璃基板16的种类可以为通常的种类，可以列举 例如：IXD、OLED等显示装置用的 玻璃基板等。玻璃基板16的耐化学品性、耐透湿性优良并且热收缩率低。作为热收缩率的 指标，使用JIS R 3102(1995年修订）中规定的平均线膨胀系数。
[0054] 玻璃基板16的平均线膨胀系数大时，构件形成工序经常伴随加热处理，因此容易 产生各种不良情况。例如，在玻璃基板16上形成TFT的情况下，在加热下将形成有TFT的 玻璃基板16冷却时，由于玻璃基板16的热收缩，有可能导致TFT的位置偏移过大。
[0055] 通过将玻璃原料熔融，并将熔融玻璃成形为板状而得到玻璃基板16。这样的成形 方法可以为通常的方法，可以使用例如浮法、熔融法、流孔下引法、有槽垂直引上（ 一;LO法、吹筒（7パ一ス）法等。另外，特别是厚度薄的玻璃基板16可以通过将暂时成形 为板状的玻璃加热至可成形的温度，并利用拉伸等方法拉长而变薄的方法（重新引下法） 进行成形而得到。
[0056] 玻璃基板16的玻璃的种类没有特别限定，优选无碱硼硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、钠 钙玻璃、高硅氧玻璃、其它以氧化硅作为主要成分的氧化物类玻璃。作为氧化物类玻璃，优 选基于氧化物换算的氧化硅的含量为40~90质量％的玻璃。
[0057] 作为玻璃基板16的玻璃，采用适合于电子器件用构件的种类、其制造工序的玻 璃。例如，由于碱金属成分的溶出容易对液晶造成影响，因此液晶面板用的玻璃基板包含实 质上不含碱金属成分的玻璃（无碱玻璃）（但是，通常包含碱土金属成分）。像这样，玻璃基 板16的玻璃可以基于应用的器件的种类及其制造工序而适当选择。
[0058] 从玻璃基板16的薄型化和/或轻量化的观点考虑，玻璃基板16的厚度优选为 0· 3mm以下，更优选为0· 20mm以下，进一步优选为0· 15mm以下，特别优选为0· IOmm以下。 玻璃基板16的厚度为0. 3mm以下时，能够赋予玻璃基板16良好的柔性。玻璃基板16的厚 度为0. 15mm以下时，能够将玻璃基板16卷绕为卷筒状。
[0059] 另外，出于容易制造玻璃基板16、容易操作玻璃基板16等理由，玻璃基板16的厚 度优选为〇. 〇3mm以上。
[0060] 需要说明的是，玻璃基板16可以包含2层以上，此时，形成各层的材料可以为同种 材料，也可以为不同种材料。另外，此时，"玻璃基板16的厚度"是指所有的层的合计的厚 度。
[0061] [有机硅树脂层]
[0062] 有机硅树脂层实质上包含有机硅树脂，该有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交 联物，并且通过纳米压痕法测定的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。支撑基材与有机硅树脂层的 界面的剥离强度大于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度。
[0063] 有机硅树脂层14在进行分离玻璃基板16和支撑基材12的操作之前防止玻璃基 板16的位置偏移、并且防止由分离操作导致玻璃基板16等破损。有机硅树脂层14的与玻 璃基板16接触的表面（有机硅树脂层的第1主面）14a与玻璃基板16的第1主面16a可 剥离地粘附。另一方面，有机硅树脂层14固定于支撑基材12上。因此，有机硅树脂层14 以弱的结合力与玻璃基板16的第1主面16a结合，其界面的剥离强度（y)低于有机硅树脂 层14与支撑基材12之间的界面的剥离强度（X)。
[0064] 即，在分离玻璃基板16和支撑基材12时，在玻璃基板16的第1主面16a与有机 娃树脂层14的界面剥离，在支撑基材12与有机娃树脂层14的界面不容易剥离。因此，有 机硅树脂层14与玻璃基板16的第1主面16a粘附，但具有可以容易地剥离玻璃基板16的 表面特性。即，有机硅树脂层14在与玻璃基板16的第1主面16a以某种程度的结合力结 合从而防止玻璃基板16的位置偏移等的同时，在剥离玻璃基板16时，以不会破坏玻璃基板 16而能够容易地剥离的程度的结合力结合。本发明中，将该有机硅树脂层14表面的能够容 易地剥离的性质称为剥离性。另一方面，支撑基材12的第1主面与有机硅树脂层14以相 对不容易剥离的结合力结合。
[0065] 需要说明的是，有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面的结合力在玻璃层叠体10 的玻璃基板16的面（第2主面16b)上形成电子器件用构件的前后可以变化（即，剥离强 度（X)、剥离强度（y)可以变化）。但是，即使在形成电子器件用构件后，剥离强度（y)也低 于剥离强度（X)。
[0066] 认为有机硅树脂层14与玻璃基板16以弱胶粘力、起因于范德华力的结合力结合。 认为在形成有机硅树脂层14后在其表面层叠玻璃基板16时，有机硅树脂层14的有机硅树 脂以不表现出胶粘力的程度充分交联时以起因于范德华力的结合力结合。但是，有机硅树 脂层14的有机硅树脂具有某种程度的弱胶粘力的情况并不少。认为即使在例如胶粘性极 低的情况下，在玻璃层叠体10制造后在该层叠体上形成电子器件用构件时，通过加热操作 等有机硅树脂层14的有机硅树脂与玻璃基板16面胶粘，有机硅树脂层14与玻璃基板16 之间的结合力升高。
[0067] 根据情况，也可以对层叠前的有机硅树脂层14的表面、层叠前的玻璃基板16的第 1主面16a进行减弱两者间的结合力的处理后进行层叠。通过对层叠的面进行非胶粘性处 理等之后进行层叠，可以减弱有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面的结合力、降低剥离强 度ω。
[0068] 另外，有机硅树脂层14以胶粘力、粘合力等强的结合力结合于支撑基材12表面。 例如，如上所述，通过在支撑基材12表面使可交联有机聚硅氧烷交联固化，可以将作为交 联物的有机硅树脂胶粘于支撑基材12表面，从而得到高结合力。另外，可以在支撑基材12 表面与有机硅树脂层14之间实施产生强的结合力的处理（例如，使用偶联剂的处理）从而 提高支撑基材12表面与有机硅树脂层14之间的结合力。
[0069] 有机硅树脂层14与支撑基材12以高结合力结合意味着两者的界面的剥离强度 (X)尚。
[0070] 通过纳米压痕法测定的有机硅树脂层14的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。其中，从玻 璃基板16的剥离性更优良的方面考虑，优选有机硅树脂层14的弹性模量为0. 5~2. OMPa， 更优选为〇· 5~I. 2MPa。
[0071] 有机硅树脂层14的弹性模量小于0. 5MPa时，产生有机硅树脂层14的破坏，有机 硅树脂层14的弹性模量超过2. 5MPa时，玻璃基板16与有机硅树脂层14难以剥离。需要 说明的是，上述弹性模量是将在有机硅树脂层14表面的任意5处以上的点测定的弹性模量 算术平均而得到的平均值。
[0072] 为了将通过纳米压痕法测定的弹性模量控制在上述范围内，如后所述，可以通过 使有机硅树脂层为规定的有机硅树脂层、使有机硅树脂层含有硅油、有机硅树脂层的形成 方法等来控制。
[0073] 本发明中，作为基于纳米压痕法的弹性模量测定方法，可以通过将 JKR(Johnson-Kendall-Roberts)分析与使用原子力显微镜的力值测量组合而得到弹性模 量（杨氏模量）。该方法中，使悬臂相对于试样面垂直移动，测定相对于悬臂的位置的负荷。 相对于悬臂的弹簧常数充分硬的试样不会发生试样变形，但对于柔软的试样而言，利用试 样会根据负荷发生变形这点，可以得到负荷与试样变形量的关系。在压入小、试样柔软的范 围内最适合JKR分析。
[0074] 关于上述弹性模量测定方法的详细情况，在高分子论文集第69卷，第7期，435~ 442中公开。需要说明的是，关于弹性模量的测定步骤，在后述的实施例栏中详细叙述。
[0075] 有机硅树脂层14的厚度没有特别限定，但优选为2~100 μπι，更优选为3~ 50 μ m，进一步优选为7~20 μ m。有机硅树脂层14的厚度在这样的范围内时，即使有时在 有机硅树脂层14与玻璃基板16之间存在气泡、异物，也能抑制玻璃基板16的歪曲缺陷的 产生。另外，有机硅树脂层14的厚度过厚时，形成需要时间及材料，因此有时不经济、耐热 性降低。另外，有机硅树脂层14的厚度过薄时，有时有机硅树脂层14与玻璃基板16的粘 附性降低。
[0076] 需要说明的是，有机硅树脂层14可以包含2层以上。此时"有机硅树脂层14的厚 度"是指所有的层的合计的厚度。
[0077] 另外，有机硅树脂层14包含2层以上时，形成各层的树脂可以为不同的交联有机 娃树脂。
[0078] 有机硅树脂层14中包含的有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交联物，通常，形 成三维网状结构。
[0079] 可交联有机聚硅氧烷的种类没有特别限制，只要是通过规定的交联反应交联固 化，从而得到构成有机硅树脂的交联物（固化物），其结构就没有特别限定，只要具有规定 的交联性即可。交联的方式没有特别限制，可以根据可交联有机聚硅氧烷中包含的可交联 基团的种类而采用适当公知的方式。可以列举例如氢甲硅烷基化反应、缩合反应、或加热处 理、高能射线处理或利用自由基聚合引发剂的自由基反应等。
[0080] 更具体而言，可交联有机聚硅氧烷具有烯基或炔基等自由基反应性基团时，通过 利用上述自由基反应的自由基反应性基团之间的反应进行交联而得到固化物（交联有机 硅树脂）。
[0081] 另外，可交联有机聚硅氧烷具有硅醇基时，通过硅醇基之间的缩合反应进行交联 而得到固化物。
[0082] 此外，可交联有机聚硅氧烷含有具有与娃原子键合的條基（乙條基等）的有机聚 硅氧烷（即，有机烯基聚硅氧烷）、和具有与硅原子键合的氢原子（氢甲硅烷基）的有机聚 硅氧烷（即，有机氢化聚硅氧烷）时，在氢甲硅烷基化催化剂（例如，铂类催化剂）的存在 下，通过氢甲硅烷基化反应进行交联而得到固化物。
[0083] 其中，从容易形成有机硅树脂层14、玻璃基板16的剥离性更优良方面考虑，可交 联有机聚硅氧烷优选为含有在两末端和/或侧链具有條基的有机聚硅氧烷（以后，适当也 称为有机聚硅氧烷A)和在两末端和/或侧链具有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷（以后，适当 也称为有机聚硅氧烷B)的方式。
[0084] 需要说明的是，作为烯基没有特别限定，可以列举例如乙烯基、烯丙基（2-丙烯 基）、丁烯基、戊烯基、己烯基等，其中从耐热性优良的方面考虑，优选乙烯基。
[0085] 另外，作为有机聚硅氧烷A中包含的烯基以外的基团和有机聚硅氧烷B中包含的 氢甲硅烷基以外的基团，可以列举烷基（特别是碳原子数4以下的烷基）。
[0086] 有机聚硅氧烷A中的烯基的位置没有特别限制，但有机聚硅氧烷A为直链时，烯基 可以存在于下述所示的M单元和D单元中的任一个，也可以存在于M单元与D单元的两者。 从固化速度方面考虑，优选至少存在于M单元，优选存在于2个M单元的两者。
[0087] 需要说明的是，M单元和D单元是有机聚硅氧烷的基本构成单元的例子，M单元是 指3个有机基团键合而得到的单官能的硅氧烷单元，D单元是指2个有机基团键合而得到 的双官能的硅氧烷单元。在硅氧烷单元中，硅氧烷键为2个硅原子隔着1个氧原子键合而 形成的键，将硅氧烷键中的每1个硅原子的氧原子视为1/2个，表示为式中01/2。
[0088]
[0089] 有机聚硅氧烷A中的烯基的数量没有特别限制，在1分子中优选1~3个，更优选 2个。
[0090] 作为有机聚硅氧烷A的优选的结构，为直链或环状，在1分子中具有2个以上的烯 基，该烯基在2个M单元的两者中存在1个以上。
[0091] 有机聚硅氧烷B中的氢甲娃烷基的位置没有特别限制，但有机聚硅氧烷A为直链 时，氢甲硅烷基可以存在于M单元和D单元中任一个，也可以存在于M单元与D单元的两者。 从固化速度的方面考虑，优选至少存在于D单元。
[0092] 有机聚硅氧烷B中的氢甲硅烷基的数目没有特别限制，但优选在1分子中具有至 少3个，更优选为3个。
[0093] 作为有机聚硅氧烷B的优选的结构，在有机聚硅氧烷A为直链或环状的情况下，优 选在1分子中具有2个以上氢甲硅烷基，氢甲硅烷基的摩尔含有率为30%以上。
[0094] 有机聚硅氧烷A与有机聚硅氧烷B的混合比率没有特别限制，但为了将得到的有 机硅树脂层的基于纳米压痕法的弹性模量调节为规定的范围，可以调节有机聚硅氧烷A与 有机聚硅氧烷B的混合比率。从玻璃基板的剥离性更优良的方面考虑，优选将有机聚硅氧 烷A中的全部烯基与有机聚硅氧烷B中的氢甲硅烷基（与硅原子键合的氢原子）的摩尔比 (烯基的摩尔数/氢甲硅烷基的摩尔数）调节为1/1~1/0. 8。其中，优选将混合比率调节 为 1/1 ~1/0. 9〇
[0095] 作为可交联有机聚硅氧烷的优选的结构和混合比率，作为有机聚硅氧烷A，优选： 为直链或环状，在1分子中具有2个以上的烯基，该烯基在2个M单元的两者中存在1个以 上，作为有机聚硅氧烷B，优选：在1分子中具有2个以上的氢甲娃烷基，氢甲娃烷基的摩尔 含有率为30%以上，优选调节使得有机聚硅氧烷A中的全部烯基与有机聚硅氧烷B中的氢 甲硅烷基（与硅原子键合的 氢原子）的摩尔比（烯基的摩尔数/氢甲硅烷基的摩尔数）为 1/1 ~1/0. 8〇
[0096] 作为氢甲硅烷基化催化剂，优选使用铂族金属类催化剂。作为铂族金属类催化剂， 可以列举铂类、钯类、铑类等催化剂，从经济性、反应性方面考虑，特别优选使用铂类催化 剂。作为铂族金属类催化剂，可以使用公知的铂族金属类催化剂。具体而言，可以列举铂微 粉、钼黑、氯亚铂酸、氯铂酸等氯铂酸、四氯化铂、氯铂酸的醇化合物、醛化合物、或铂的烯烃 络合物、烯基硅氧烷络合物、羰基络合物等。
[0097] 作为氢甲硅烷基化催化剂的使用量，相对于有机聚硅氧烷A与有机聚硅氧烷B的 合计质量100质量份，优选为〇. 1~20质量份，更优选为1~10质量份。作为铂成分，相 对于有机聚硅氧烷A与有机聚硅氧烷B的合计质量100质量份，优选为2~400ppm，更优选 为 2 ~300ppm。
[0098] 可交联有机聚硅氧烷的重量平均分子量没有特别限制，但从操作性优良，并且 成膜性也优良，在高温处理条件下的有机硅树脂的分解被进一步抑制的方面考虑，基 于GPC(凝胶渗透色谱法）测定的按聚苯乙烯换算的重量平均分子量优选为1，000~ 5, 000, 000,更优选为 2, 000 ~3, 000, 000。
[0099] 可交联有机聚硅氧烷的粘度优选为10~5000mPa *s，更优选为15~3000mPa *s。 需要说明的是，在本说明书中，在没有特别规定的情况下，粘度是在25°C下测定时的值。 [0100] 在本发明中的固化性有机硅树脂组合物中，出于调节催化剂活性的目的优选进一 步将具有抑制催化剂活性的作用的活性抑制剂（也称为反应抑制剂、阻滞剂等的化合物） 与催化剂并用。作为活性抑制剂，可以列举例如：各种有机氮化合物、有机磷化合物、炔类化 合物、肟化合物、有机氯化合物等。作为炔类化合物，具体而言，可以列举1-乙炔基-1-环 己醇、3, 5-二甲基-1-己炔-3-醇、4-乙基-1-辛炔-3-醇等。根据需要，在不损害本发明 的效果的范围内，可以还含有各种二氧化硅、碳酸钙、氧化铁等无机填料等。另外，作为耐热 性提高剂，可以含有金属氧化物等金属化合物。
[0101] 另外，己烷、庚烷、辛烷、甲苯、二甲苯等有机溶剂、水等分散介质虽然为不构成固 化有机硅树脂的成分，但出于提高为了涂布固化性有机硅树脂组合物的操作性等目的，可 以在本发明中的固化性有机硅树脂组合物中配合并使用。
[0102] 有机硅树脂层14中可以含有硅油。通过在有机硅树脂层中含有硅油，也可以将通 过纳米压痕法测定的有机硅树脂层的弹性模量控制为规定的值。硅油与上述可交联有机聚 硅氧烷不同，不与可交联有机聚硅氧烷反应，为不具有交联性的非交联性（非反应性）的有 机聚硅氧烷。
[0103] 硅油的种类没有特别限定，可以例示二甲基聚硅氧烷、甲基苯基聚硅氧烷、二苯基 聚硅氧烷等直链硅油；在直链硅油的侧链或末端引入了聚醚基、卤素基等的改性硅油。
[0104] 需要说明的是，作为硅油的具体市售的商品名或型号，作为具有芳香族基团（例 如苯基）的硅油，可以列举KTSF433(迈图高新材料日本合同会社制）、KF-50、KF-53、 KF-54(信越化学工业公司制）、SH550 (东丽道康宁公司制）等。
[0105] 作为不具有芳香族基团的硅油，可以列举SH200(东丽道康宁公司制）、 KNS-330(信越化学公司制）等。
[0106] 硅油的粘度没有特别限制，从在有机硅树脂层14表面容易渗出、玻璃基板16的剥 离性更优良的方面以及剥离后的玻璃基板16的透明性更优良的方面考虑，优选为100~ 6000mm2/s，更优选为 100 ~3000mm2/s，进一步优选为 125 ~1000 mmVs。
[0107] 有机硅树脂层14中的硅油的含有比例没有特别限制，从玻璃基板16的剥离性优 良、并且剥离后的玻璃基板的透明性更优良的方面考虑，相对于有机硅树脂100质量份，优 选为6~20质量份，更优选为6~15质量份，进一步优选为8~15质量份。
[0108] [玻璃层叠体及其制造方法]
[0109] 本发明的玻璃层叠体10如上所述是支撑基材12与玻璃基板16和在它们之间存 在有机硅树脂层14的层叠体。
[0110] 本发明的玻璃层叠体10的制造方法没有特别限制，可以采用公知的方法。例如， 优选在支撑基材12上固定化有机硅树脂层14后的带有机硅树脂层的支撑基材18的有机 硅树脂层14上层叠玻璃基板16的方法。其中，为了得到剥离强度（X)高于剥离强度（y) 的层叠体，优选在支撑基材12表面上使规定的可交联有机聚硅氧烷交联固化而形成有机 硅树脂层14的方法。即，在支撑基材12的表面形成含有可交联有机聚硅氧烷的层，在支撑 基材12表面上使可交联有机聚硅氧烷交联而形成有机硅树脂层14(交联有机硅树脂），然 后，在有机硅树脂层14的有机硅树脂面层叠玻璃基板16,从而制造玻璃层叠体10的方法。 另外，通过在支撑基材12表面上使规定的可交联有机聚硅氧烷交联固化，也可以将基于纳 米压痕法的弹性模量控制在规定的范围内。
[0111] 认为使可交联有机聚硅氧烷在支撑基材12表面固化时，通过固化反应时与支撑 基材12表面的相互作用而胶粘，有机硅树脂与支撑基材12表面的剥离强度提高。因此，即 使玻璃基板16和支撑基材12包含相同的材质，也可以对有机硅树脂层14与两者间的剥离 强度设置差。
[0112] 以下，将在支撑基材12的表面形成包含可交联有机聚硅氧烷的层、在支撑基材12 表面上使可交联有机聚硅氧烷交联而形成有机硅树脂层14的工序称为树脂层形成工序； 将在有机硅树脂层14的有机硅树脂面层叠玻璃基板16而得到玻璃层叠体10的工序称为 层叠工序，对各工序的步骤进行详细叙述。
[0113] (树脂层形成工序）
[0114] 在树脂层形成工序中，在支撑基材12的表面形成包含可交联有机聚硅氧烷的层， 并在支撑基材12表面上使可交联有机聚硅氧烷交联而形成有机硅树脂层14。
[0115] 为了在支撑基材12上形成含有可交联有机聚硅氧烷的层，优选：使用将可交联有 机聚硅氧烷溶解于溶剂中而得到的涂布用组合物，在支撑基材12上涂布该组合物而形成 溶液的层，然后除去溶剂而得到含有可交联有机聚硅氧烷的层。通过调节组合物中的可交 联有机聚硅氧烷的浓度等，可以控制含有可交联有机聚硅氧烷的层的厚度。
[0116] 作为溶剂，只要是在操作环境下能够容易地溶解可交联有机聚硅氧烷且能够容 易挥发除去的溶剂，就没有特别限定。具体而言，可以例示例如：乙酸丁酯、庚烷、2-庚酮、 1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、甲苯、二甲苯、THF、氯仿等。
[0117] 在支撑基材12表面上涂布含有可交联有机聚硅氧烷的组合物的方法没有特别限 定，可以使用公知的方法。可以列举例如：喷涂法、口模式涂布法、旋涂法、浸涂法、辊涂法、 刮棒涂布法、丝网印刷法、凹版涂布法等。
[0118] 之后，根据需要，可以实施用于除去溶剂的干燥处理。干燥处理的方法没有特别限 制，可以列举例如在减压条件下除去溶剂的方法、在不进行可交联有机聚硅氧烷的固化这 样的温度下加热的方法等。
[0119] 然后，使支撑基材12上的可交联有机聚硅氧烷交联，从而形成有机硅树脂层14。 更具体而言，如图2 (A)所示，在该工序中在支撑基材12的至少单面的表面上形成有机硅树 脂层14。
[0120] 固化（交联）的方法如上所述可以根据可交联有机聚硅氧烷的交联方式而适当选 择最合适的方法，可以列举例如加热处理、曝光处理。其中，可交联有机聚硅氧烷通过氢甲 硅烷基化反应、缩合反应、自由基反应而交联时，从得到对玻璃基板16的粘附性和耐热性 优良的有机硅树脂方面考虑，优选通过热固化制造有机硅树脂层14。
[0121] 以下，对热固化的方式进行详细叙述。
[0122] 使可交联有机聚硅氧烷热固化的温度条件在能够提高有机硅树脂层14的耐热 性、将与玻璃基板16层叠后的剥离强度（y)如上所述控制的范围内没有特别限制，但优选 为150~300°C，更优选为180~250°C。另外，加热时间通常优选为10~120分钟，更优 选为30~60分钟。热固化的温度过低时，耐热性、有机硅树脂层14的平坦性降低，另一方 面，温度过高时，剥离强度（y)变得过低，无论如何都有玻璃基板16与有机硅树脂层14的 粘附性变弱的情况。
[0123] 需要说明的是，可交联有机聚硅氧烷可以在进行预固化后进行后固化（主固化） 而使其固化。通过进行预固化，可以得到耐热性更优良的有机硅树脂层14。预固化优选紧 接着溶剂的除去进行，此时从层除去溶剂而形成含有可交联有机聚硅氧烷和硅油的层的工 序和进行预固化的工序没有特别区别。
[0124] (层叠工序）
[0125] 层叠工序是在通过上述的树脂层形成工序得到的有机硅树脂层14的有机硅树脂 面上层叠玻璃基板16,从而得到依次具备支撑基材12、有机硅树脂层14和玻璃基板16的 玻璃层叠体10的工序。更具体而言，如图2(B)所示，将与有机硅树脂层14的支撑基材12 侧相反侧的表面（有机硅树脂层的第1主面）14a和具有第1主面16a和第2主面16b的 玻璃基板16的第1主面16a作为层叠面，将有机硅树脂层14与玻璃基板16层叠，从而得 到玻璃层叠体10。
[0126] 将玻璃基板16层叠在有机硅树脂层14上的方法没有特别限制，可以采用公知的 方法。
[0127] 可以列举例如在常压环境下在有机硅树脂层14的表面上重叠玻璃基板16的方 法。需要说明的是，根据需要，可以在有机硅树脂层14的表面上重叠玻璃基板16后，使用 辊、压机使玻璃基板16与有机硅树脂层14压接。通过利用辊或压机的压接，可以较容易地 除去在有机硅树脂层14与玻璃基板16之间混入的气泡，因此优选。
[0128] 通过真空层压法、真空压制法进行压接时，可以抑制气泡的混入、确保良好的粘 附，因此优选。通过在真空下压接，即使在残留微小的气泡的情况下，也存在不会由加热引 起气泡生长、不易导致玻璃基板16的歪曲缺陷的优点。
[0129] 在层叠玻璃基板16时，优选将与有机硅树脂层14接触的玻璃基板16的表面充分 清洗，在洁净度高的环境中进行层叠。洁净度越高，则玻璃基板16的平坦性越良好，因此优 选。
[0130] 需要说明的是，在层叠玻璃基板16后，根据需要可以进行预退火处理（加热处 理）。通过进行该预退火处理，层叠后的玻璃基板16对有机硅树脂层14的粘附性提高，可 以得到适当的剥离强度（y)，在后述的构件形成工序时不易产生电子器件用构件的位置偏 移等，电子器件的生产率提高。
[0131] 预退火处理的条件可以根据所使用的有机硅树脂层14的种类而适当选择最适合 的条件，但从使玻璃基板16与有机硅树脂层14之间的剥离强度（y)更适当的方面考虑，优 选在300°C以上（优选为300~400°C )进行5分钟以上（优选为5~30分钟）加热处理。
[0132] 需要说明的是，有机硅树脂层14的形成不限于上述方法。
[0133] 例如，使用对有机硅树脂表面的粘附性比玻璃基板16高的材质的支撑基材12时， 可以将可交联有机聚硅氧烷在任何可剥离表面上固化而制造有机硅树脂的膜，使该膜存在 于玻璃基板16与支撑基材12之间并同时进行层叠。
[0134] 另外，由可交联有机聚硅氧烷的固化产生的胶粘性对玻璃基板16充分低且该胶 粘性对支撑基材12充分高时，可以在玻璃基板16与支撑基材12之间使可交联有机聚硅氧 烷固化而形成有机硅树脂层14。
[0135] 此外，即使在支撑基材12包含与玻璃基板16同样的玻璃材料的情况下，也可以通 过实施提高支撑基材12表面的胶粘性的处理而提高对有机硅树脂层14的剥离强度。可以 例示例如硅烷偶联剂等化学地使固定力提高的化学方法（底涂处理）、火焰处理等使表面 活性基团增加的物理方法、喷砂处理等通过使表面的粗糙度增加而使连接（引〇扣扣*9 ) 增加的机械处理方法等。
[0136] (玻璃层叠体）
[0137] 本发明的玻璃层叠体10可以在各种用途中使用，可以列举例如：制造后述的显示 装置用面板、PV、薄膜二次电池、在表面形成有电路的半导体晶片等的电子部件的用途等。 需要说明的是，在该用途中，多数情况下将玻璃层叠体10暴露在高温条件（例如360°c以 上）下（例如1小时以上）。
[0138] 此处，显示装置用面板包括IXD、OLED、电子纸、等离子体显示面板、场发射面板、量 子点LED面板、MEMS(微机电系统）快门式面板等。
[0139] [带构件的玻璃基板及其制造方法]
[0140] 在本发明中，使用上述的层叠体，制造包含玻璃基板和电子器件用构件的带构件 的玻璃基板（带电子器件用构件的玻璃基板）。
[0141] 该带构件的玻璃基板的制造方法没有特别限定，但从电子器件的 生产率优良的方 面考虑，优选在上述玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子器件用构件而制造带电子器件用 构件的层叠体，从得到的带电子器件用构件的层叠体将有机硅树脂层的玻璃基板侧界面作 为剥离面而分离为带构件的玻璃基板和带有机硅树脂层的支撑基材的方法。
[0142] 以下，将在上述玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子器件用构件而制造带电子器 件用构件的层叠体的工序称为构件形成工序、将从带电子器件用构件的层叠体将有机硅树 脂层的玻璃基板侧界面作为剥离面而分离为带构件的玻璃基板和带有机硅树脂层的支撑 基材的工序称为分离工序。
[0143] 以下，对各工序中使用的材料及步骤进行详细叙述。
[0144] (构件形成工序）
[0145] 构件形成工序是在上述层叠工序中得到的玻璃层叠体10中的玻璃基板16上形成 电子器件用构件的工序。更具体而言，如图2(C)所示，在玻璃基板16的第2主面16b (露 出表面）上形成电子器件用构件20,从而得到带电子器件用构件的层叠体22。
[0146] 首先，对本工序中使用的电子器件用构件20进行详细叙述，之后对工序的步骤进 行详细叙述。
[0147] (电子器件用构件（功能性元件））
[0148] 电子器件用构件20是形成在玻璃层叠体10中的玻璃基板16上并构成电子器件 的至少一部分的构件。更具体地，作为电子器件用构件20,可以列举在显示装置用面板、太 阳能电池、薄膜二次电池、或在表面形成有电路的半导体晶片等电子部件等中使用的构件 (例如，显示装置用构件、太阳能电池用构件、薄膜二次电池用构件、电子部件用电路）。
[0149] 例如，作为太阳能电池用构件，对于硅型而言，可以列举正极的氧化锡等透明电 极、P层/i层/n层所表示的硅层和负极的金属等，除此以外，还可以列举与化合物型、色素 敏化型、量子点型等对应的各种构件等。
[0150] 另外，作为薄膜二次电池用构件，对于锂离子型而言，可以列举正极和负极的金属 或金属氧化物等透明电极、电解质层的锂化合物、集电层的金属、作为密封层的树脂等，除 此以外，可以列举与镍氢型、聚合物型、陶瓷电解质型等对应的各种构件等。
[0151] 另外，作为电子部件用电路，对于CCD、CMOS而言，可以列举导电部的金属、绝缘部 的氧化硅、氮化硅等，除此以外，还可以列举与压力传感器?加速度传感器等各种传感器、刚 性印刷基板、柔性印刷基板、刚性-柔性印刷基板等对应的各种构件等。
[0152] (工序的步骤）
[0153] 上述的带电子器件用构件的层叠体22的制造方法没有特别限定，根据电子器件 用构件的构成构件的种类，通过以往公知的方法在玻璃层叠体10的玻璃基板16的第2主 面16b表面上形成电子器件用构件20。
[0154] 需要说明的是，电子器件用构件20可以不是在玻璃基板16的第2主面16b最终形 成的构件的全部（以下称为"整个构件"），而是整个构件的一部分（以下称为部分构件）。 也可以将从有机硅树脂层14剥离的带部分构件的玻璃基板在之后的工序中制成带全部构 件的玻璃基板（相当于后述的电子器件）。
[0155] 另外，从有机硅树脂层14剥离的带全部构件的玻璃基板可以在其剥离面（第1主 面16a)形成其它电子器件用构件。另外，也可以将带全部构件的层叠体组装，然后从带全 部构件的层叠体将支撑基材12剥离，从而制造电子器件。此外，也可以使用2片带全部构 件的层叠体并将其组装，然后从带全部构件的层叠体将2片支撑基材12剥离，从而制造具 有2片玻璃基板的带构件的玻璃基板。
[0156] 例如，以制造 OLED的情况为例，为了在与玻璃层叠体10的玻璃基板16的有机硅 树脂层14侧相反侧的表面上（相当于玻璃基板16的第2主面16b)形成有机EL结构体， 进行以下各种层形成、处理：形成透明电极，然后在形成有透明电极的面上蒸镀空穴注入 层?空穴传输层?发光层?电子传输层等，形成背面电极，使用密封板进行密封等。作为这 些层形成、处理，具体而言，可以列举例如成膜处理、蒸镀处理、密封板的胶粘处理等。
[0157] 另外，例如，制造 TFT-IXD时，包括以下各种工序：在玻璃层叠体10的玻璃基板16 的第2主面16b上，使用抗蚀剂液对通过CVD法和溅射法等通常的成膜法形成的金属膜和 金属氧化膜等进行图案形成而形成薄膜晶体管（TFT)的TFT形成工序、在另一玻璃层叠体 10的玻璃基板16的第2主面16b上在图案形成中使用蚀刻液而形成彩色滤光片（CF)的 CF形成工序、将通过TFT形成工序得到的带TFT的层叠体和通过CF形成工序得到的带CF 的层叠体层叠并使其贴合的工序等。
[0158] 在TFT形成工序、CF形成工序中，使用公知的光刻技术、蚀刻技术等，在玻璃基板 16的第2主面16b形成TFT、CF。此时，使用抗蚀剂液作为图案形成用的涂布液。
[0159] 需要说明的是，在形成TFT、CF之前，根据需要，可以清洗玻璃基板16的第2主面 16b。作为清洗方法，可以使用公知的干式清洗、湿式清洗。
[0160] 在贴合工序中，使带TFT的层叠体的薄膜晶体管形成面与带CF的层叠体的彩色滤 光片形成面对置，使用密封剂（例如，盒形成用紫外线固化型密封剂）使其贴合。之后，在由 带TFT的层叠体和带CF的层叠体形成的盒内，注入液晶材料。作为注入液晶材料的方法， 例如有减压注入法、滴加注入法。
[0161] (分离工序）
[0162] 分离工序如图2(D)所示，是如下工序：从通过上述构件形成工序得到的带电子器 件用构件的层叠体22,将有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面作为剥离面，分离为层叠有 电子器件用构件20的玻璃基板16 (带构件的玻璃基板24)和支撑基材12,从而得到包含电 子器件用构件20和玻璃基板16的带构件的玻璃基板24的工序。
[0163] 剥离时的玻璃基板16上的电子器件用构件20为必要的全部构成构件的形成的一 部分时，也可以在分尚后在玻璃基板16上形成剩余的构成构件。
[0164] 将玻璃基板16和支撑基材12剥离的方法特别限定。具体而言，例如，可以在玻璃 基板16与有机硅树脂层14的界面插入锋利的刀具状物品，产生剥离的开端，然后喷吹水与 压缩空气的混合流体而进行剥离。优选以带电子器件用构件的层叠体22的支撑基材12为 上侧、电子器件用构件20侧为下侧的方式设置在平台上，在平台上真空吸附电子器件用构 件20侧（在两面层叠支撑基材时依次进行），在该状态下首先在玻璃基板16-有机硅树脂 层14界面插入刀具。然后，利用多个真空吸附垫吸附支撑基材12侧，从插入了刀具的位置 附近依次使真空吸附垫升高。于是，在有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面、有机硅树脂 层14的凝聚破坏面形成空气层，该空气层扩展至界面、凝聚破坏面的整个面，从而可以容 易地剥离支撑基材12。
[0165] 另外，支撑基材12与新的玻璃基板层叠，从而可以制造本发明的玻璃层叠体10。
[0166] 需要说明的是，从带电子器件用构件的层叠体22分离带构件的玻璃基板24时，通 过利用离子发生器的喷吹、控制湿度，可以进一步抑制有机硅树脂层14的碎片静电吸附于 带构件的玻璃基板24。
[0167] 上述带构件的玻璃基板24的制造方法适合于在手机、PDA等移动终端中使用的小 型显示装置的制造。显示装置主要为IXD或OLED，作为IXD，包括TN型、STN型、FE型、TFT 型、MM型、IPS型、VA型等。基本上可以应用于被动驱动型、主动驱动型中的任一种显示装 置的情况。
[0168] 作为通过上述方法制造的带构件的玻璃基板24,可以列举：具有玻璃基板和显示 装置用构件的显示装置用面板、具有玻璃基板和太阳能电池用构件的太阳能电池、具有玻 璃基板和薄膜二次电池用构件的薄膜二次电池、具有玻璃基板和电子器件用构件的电子部 件等。作为显示装置用面板，包括液晶面板、有机EL面板、等离子体显示面板、场发射面板 等。
[0169] 作为本发明的第3方式的带有机硅树脂层的支撑基材是具有支撑基材和设置在 支撑基材面上的有机硅树脂层的带有机硅树脂层的支撑基材，有机硅树脂层的有机硅树脂 为可交联有机聚硅氧烷的交联物，并且通过纳米压痕法测定的所述有机硅树脂层的弹性模 量为 0· 5 ~2. 5MPa。
[0170] 带有机硅树脂层的支撑基材是通过将与第1方式中所述的同样的有机硅树脂层 形成在与第1方式中所述的同样的支撑基材的表面上而得到的支撑基材。通过在支撑基材 表面形成有机硅树脂层、或从所述层叠体剥离玻璃基板或带构件的玻璃基板而得到这样的 带有机硅树脂层的支撑基材。
[0171] 实施例
[0172] 以下，通过实施例等对本发明进行具体说明，但本发明不限于这些例子。
[0173] 以下的实施例1~9、比较例1~2中，使用包含无碱硼硅酸玻璃的玻璃板（长 200mm，宽200mm，板厚0. 2mm，平均线膨胀系数38 X 1(T/°C，旭硝子公司制商品名"AN100"） 作为玻璃基板。另外，使用相同的包含无碱硼硅酸玻璃的玻璃板（长240mm，宽240mm，板厚 0. 5mm，平均线膨胀系数38X 1(TV°C，旭硝子公司制商品名"AN100"）作为支撑基材。
[0174] 〈实施例1>
[0175] 首先，对板厚0. 5mm的支撑基材进行纯水清洗，然后进一步进行UV清洗而清洁化。
[0176] 接着，配合荒川化学公司制主剂（ASA-VOl) (100质量份）和荒川化学公司制固化 剂（ASA-XOl) (13质量份）。相对于（ASA-VOl) 100质量份添加5重量份荒川化学公司制催 化剂（ASA-COl)。然后，添加庚烷而制作含有可交联有机聚硅氧烷的溶液X。用旋涂机（转 速：30〇rpm，15秒）在支撑基材的第1主面上涂布该溶液X，从而在支撑基材上设置含有未 固化的可交联有机聚硅氧烷的层（涂布量20g/m2)。
[0177] 接着，在230°C在大气中加热固化10分钟，从而在支撑基材的第1主面上形成了厚 度10 μ m的有机硅树脂层。
[0178] 之后，在室温下利用真空压机使玻璃基板与支撑基材的有机硅树脂层面贴合，从 而得到了玻璃层叠体A。
[0179] 在得到的玻璃层叠体A中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0180] 接着，在氮气气氛下在360°C对玻璃层叠体A进行60分钟加热处理，并冷却至室 温，结果没有观察到玻璃层叠体A的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白 化等外观上的变化。
[0181] 然后，在玻璃层叠体A的4处中的1处角部中的玻璃基板与支撑有机硅树脂层的 界面插入厚度0.1 mm的不锈钢制刀具而形成剥离的缺口部，同时使真空吸附垫吸附于玻璃 基板和支撑基材各自的非剥离面，沿玻璃基板与支撑基材相互分离的方向施加外力，在不 破坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。此处在从离子发生器（基恩士公司制）向 该界面喷吹除电性流体的同时进行刀具的插入。具体而言，在持续从离子发生器向形成的 空隙喷吹除电性流体的同时拉起真空吸附垫。
[0182] 需要说明的是，有机硅树脂层与支撑基材一起从玻璃基板分离，根据该结果，确认 了支撑基材与有机硅树脂层的界面的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面 的剥离强度（y)。
[0183] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为2. 36MPa。
[0184] 纳米压痕法的测定条件同下。
[0185] 使用 Omicron NanoTechnology 日本株式会社制的 TI_950Tribo Indenter (纳米 原位测量仪），进行了有机硅树脂层的各物性值的测定。即，使用Conical 5um型的三棱锥 压头作为使用压头，以位移速度恒定模式30nm/秒施加压入负荷，达到最大负荷2 μ N后，同 样地以阶梯状将压入负荷卸荷。在25°C的恒温条件下进行测定，使测定装置和样品的温度 充分稳定后，对压入强度〇. 2 μ N、深度200nm下的弹性模量进行测定，将5次的连续测定的 平均值作为测定值。
[0186] 〈实施例2>
[0187] 在含有可交联有机聚硅氧烷的溶液X中进一步加入甲基苯基硅油（信越化学工业 公司制，KF-50,粘度100mm2/S)，除此以外，通过与实施例1同样的方法，得到了玻璃层叠体 B0
[0188] 需要说明的是，相对于有机硅树脂100质量份，甲基苯基硅油的使用量为5质量 份。
[0189] 在得到的玻璃层叠体B中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0190] 接着，对玻璃层叠体B进行与实施例1同样的加热处理，结果没有观察到玻璃层叠 体B的支撑基材与玻璃基板 的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0191] 然后，对玻璃层叠体B通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不破坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0192] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为2. 29MPa。
[0193] 〈实施例3>
[0194] 除了将甲基苯基硅油（信越化学工业公司制，KF-50,粘度IOOmmVs)的使用量从 5质量份变更为15质量份以外，通过与实施例2同样的方法，得到了玻璃层叠体C。
[0195] 在得到的玻璃层叠体C中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0196] 接着，对玻璃层叠体C进行与实施例1同样的加热处理，结果没有观察到玻璃层叠 体C的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0197] 然后，对玻璃层叠体C通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0198] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为2. 09MPa。
[0199] 〈实施例4>
[0200] 除了将甲基苯基硅油（信越化学工业公司制，KF-50,粘度IOOmmVs)的使用量从 5质量份变更为20质量份以外，通过与实施例2同样的方法，得到了玻璃层叠体D。
[0201] 在得到的玻璃层叠体D中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0202] 接着，对玻璃层叠体D进行与实施例1同样的加热处理，结果，没有观察到玻璃层 叠体D的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0203] 然后，对玻璃层叠体D通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0204] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为I. 15MPa。
[0205] 〈实施例5>
[0206] 除了使用甲基苯基硅油（东丽道康宁公司制，SH200,粘度200mm2/s)代替甲基苯 基硅油（信越化学工业公司制，KF-50,粘度IOOmmVs)以外，通过与实施例2同样的方法， 得到了玻璃层叠体E。
[0207] 在得到的玻璃层叠体E中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0208] 接着，对玻璃层叠体E进行与实施例1同样的加热处理，结果，没有观察到玻璃层 叠体E的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0209] 然后，对玻璃层叠体E通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0210] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为2. 34MPa。
[0211] 〈实施例6>
[0212] 将甲基苯基硅油（东丽道康宁公司制，SH200,粘度200mm2/s)的使用量从5质量 份变更为10质量份，除此以外，通过与实施例5同样的方法，得到了玻璃层叠体F。
[0213] 在得到的玻璃层叠体F中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0214] 接着，对玻璃层叠体F进行与实施例1同样的加热处理，结果，没有观察到玻璃层 叠体F的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0215] 然后，对玻璃层叠体F通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0216] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为2. 3 IMPa。
[0217] 〈实施例7>
[0218] 除了将甲基苯基硅油（东丽道康宁公司制，SH200,粘度200mm2/s)的使用量从5质 量份变更为15质量份以外，通过与实施例5同样的方法，得到了玻璃层叠体G。
[0219] 在得到的玻璃层叠体G中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0220] 接着，对玻璃层叠体G进行与实施例1同样的加热处理，结果，没有观察到玻璃层 叠体G的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0221] 然后，对玻璃层叠体G通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0222] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为2. 09MPa。
[0223] 〈实施例8>
[0224] 使用以下的含有可交联有机聚硅氧烷的溶液Y代替含有可交联有机聚硅氧烷的 溶液X，除此以外，通过与实施例1同样的方法，得到了玻璃层叠体H。
[0225] (含有可交联有机聚硅氧烷的溶液Y)
[0226] 配合在两末端分别引入了 1个乙烯基的二甲基聚硅氧烷（56mPa*s) (100质量份） 作为主剂，配合甲基含氢硅油（甲基：氢（摩尔比）=2:1，氢甲硅烷基的摩尔含有率为 33. 3%，104mPa *s) (10质量份）作为固化剂。相对于树脂成分，添加以钼计3ppm Karstedt 催化剂。相对于树脂成分添加0.2质量份1-乙炔基-1-环己醇作为阻滞剂。然后，添加庚 烷从而制作了含有可交联有机聚硅氧烷的溶液Y。配合使得主剂的乙烯基与固化剂的氢基 的摩尔比（烯基的摩尔数/氢甲硅烷基的摩尔数）为1摩尔：0.8摩尔。
[0227] 在得到的玻璃层叠体H中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0228] 接着，对玻璃层叠体H进行与实施例1同样的加热处理，结果，没有观察到玻璃层 叠体H的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0229] 然后，对玻璃层叠体H通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0230] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为〇. 65MPa。
[0231] 〈实施例9>
[0232] 除了使用以下的含有可交联有机聚硅氧烷的溶液Z代替含有可交联有机聚硅氧 烷的溶液X以外，通过与实施例1同样的方法，得到了玻璃层叠体I。
[0233] (含有可交联有机聚硅氧烷的溶液Z)
[0234] 配合荒川化学公司制主剂（A78)(100质量份）和荒川化学公司制固化剂 (ASA-XOl) (15质量份）。相对于（A78) 100质量份添加5重量份荒川化学公司制催化剂 (ASA-COl)。然后，添加庚烷而制作了含有可交联有机聚硅氧烷的溶液Z。
[0235] 在得到的玻璃层叠体I中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0236] 接着，对玻璃层叠体I进行与实施例1同样的加热处理，结果，没有观察到玻璃层 叠体I的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0237] 然后，对玻璃层叠体I通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0238] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为I. l〇MPa。
[0239] 〈比较例1>
[0240] 除了使用以下的含有可交联有机聚硅氧烷的溶液W代替含有可交联有机聚硅氧 烷的溶液X以外，通过与实施例1同样的方法，得到了玻璃层叠体J。
[0241] (含有可交联有机聚硅氧烷的溶液W)
[0242] 配合 ADEKA 公司制 FX-T153Vi-5K(900mPa，s) (100 质量份）和 ADEKA 公司制固化 剂FX-T153H-5K(1240mPa · s) (10质量份）。然后，添加十二烷而制作了含有可交联有机聚 硅氧烷的溶液W。配合使得烯基与氢甲硅烷基的摩尔比为1 :1。
[0243] 对得到的玻璃层叠体J通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，有机硅树脂层与玻璃基板难以剥离，玻璃基板破裂，或有机硅树脂层被破坏，其大 部分附着于玻璃基板上。
[0244] 需要说明的是，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂 层的弹性模量，结果为〇. 23MPa。
[0245] 〈比较例2>
[0246] 除了使用以下的含有可交联有机聚硅氧烷的溶液V代替含有可交联有机聚硅氧 烷的溶液X以外，通过与实施例1同样的方法，得到了玻璃层叠体K。
[0247] (含有可交联有机聚硅氧烷的溶液V)
[0248] 配合荒川化学公司制主剂（A41)(100质量份）和荒川化学公司制固化剂 (ASA-XOl) (13质量份）使得烯基与氢甲硅烷基的摩尔比为1 :1。相对于（A41) 100质量份 添加5重量份荒川化学公司制催化剂（ASA-COl)。然后，添加十二烷而制作了含有可交联有 机聚硅氧烷的溶液V。
[0249] 对得到的玻璃层叠体K通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，有机硅树脂层与玻璃基板难以剥离，玻璃基板破裂，或有机硅树脂层被破坏，其大 部分附着于玻璃基板上。
[0250] 需要说明的是，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂 层的弹性模量，结果为3. 15MPa。
[0251] 以下汇总显示上述实施例和比较例的结果。
[0252] 需要说明的是，表1中，对于"剥离性"，将没有玻璃基板和有机硅树脂层的破坏， 可以从玻璃层叠体剥离玻璃基板的情况评价为"〇"，将在玻璃基板的剥离时，产生玻璃基 板或有机硅树脂层的破坏的情况评价为" X "。
[0253] 另外，对在360°C进行60分钟的加热处理后的玻璃层叠体A~K进行以下的剥离 试验，测定了玻璃基板的剥离强度（N/25mm)。
[0254] 准备宽 25mm ·长 70mm 的玻璃层叠体 A ~K，使用 Autograph AG_20/50kNXDplus (岛 津制作所）进行玻璃基板的剥离。需要说明的是，剥离速度为30mm/分钟。将检测负荷的 地点设为0,将距离该位置I. 5_的位置的剥离强度作为测定值。
[0255] [表 1]
[0256]
[0257] 从上述表1可知，确认了有机硅树脂层的弹性模量在规定的范围（0. 5~2. 5MPa) 内时，玻璃基板的剥离性优良。
[0258] 另一方面，在有机硅树脂层的弹性模量过低的比较例1及过高的比较例2中，玻璃 基板的剥离性差。
[0259] 〈实施例 10>
[0260] 本例中，使用实施例1中得到的玻璃层叠体A制造0LED。
[0261] 首先，在玻璃层叠体A中的玻璃基板的第2主面上通过等离子体CVD法依次将氮 化硅、氧化硅、非晶硅成膜。接着，通过离子掺杂装置在非晶硅层中注入低浓度的硼，并在氮 气气氛下在450°C加热处理60分钟而进行脱氢处理。接着，通过激光退火装置进行非晶硅 层的结晶化处理。接着，由使用光刻法的蚀刻和离子掺杂装置向非晶硅层注入低浓度的磷， 形成N型和P型的TFT区域。接着，在玻璃基板的第2主面侧，通过等离子体CVD法将氧化 硅膜成膜而形成栅绝缘膜，然后通过溅射法将钼成膜，并通过使用光刻法的蚀刻形成栅极。 接着，通过光刻法和离子掺杂装置，向N型、P型各自所期望的区域注入高浓度的硼和磷，形 成源区域和漏区域。接着，在玻璃基板的第2主面侧，对通过基于等离子体CVD法的氧化硅 的成膜而形成的层间绝缘膜通过溅射法进行铝的成膜以及通过使用光刻法的蚀刻而形成 TFT电极。接着，在氢气气氛下在450°C加热处理60分钟而进行氢化处理，然后通过基于等 离子体CVD法的氮化硅的成膜而形成钝化层。接着，在玻璃基板的第2主面侧涂布紫外线 固化性树脂，并通过光刻法形成平坦化层和接触孔。接着，通过溅射法将氧化铟锡成膜，并 通过使用光刻法的蚀刻形成像素电极。
[0262] 接着，通过蒸镀法，在玻璃基板的第2主面侧依次将4, 4'，4"-三（3-甲基苯基 氨基）三苯基胺成膜作为空穴注入层，将双[(N-萘基）-N-苯基]联苯胺成膜作为空穴传 输层，将在8-羟基喹啉铝络合物（Alq3)中混合40体积％的2, 6-双[4-[N_(4-甲氧基苯 基）-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1，5-二甲腈（BSN-BCN)而得到的混合物成膜作为发光 层，将Alq3成膜作为电子传输层。接着，通过溅射法将铝成膜，通过使用光刻法的蚀刻形成 对置电极。接着，在玻璃基板的第2主面侧经由紫外线固化型胶粘层贴合另一张玻璃基板 并密封。根据上述步骤，在玻璃基板上形成有机EL结构体。在玻璃基板上具有有机EL结 构体的玻璃层叠体A(以下，称为面板A)为本发明的带电子器件用构件的层叠体（带支撑 基材的显示装置用面板）。
[0263] 接着，使面板A的密封体侧真空吸附在平台上，然后在面板A的角部的玻璃基板与 有机娃树脂层的界面插入厚度0.1 mm的不镑钢制刀具，从而在玻璃基板与有机娃树脂层的 界面产生剥离的开端。然后，用真空吸附垫吸附面板A的支撑基材表面，然后使吸附垫升 高。此处在从离子发生器（基恩士公司制）向该界面喷吹除电性流体的同时进行刀具的插 入。接着，从离子发生器向形成的空隙持续喷吹除电性流体的同时拉起真空吸附垫。其结 果是，在平台上仅残留形成有有机EL结构体的玻璃基板，可以剥离带有机硅树脂层的支撑 基材。
[0264] 接着，清洁通过与实施例1同样的方法分离的玻璃基板的剥离面，使用激光切割 机或划线-折断法将分离的玻璃基板切断，分割为多个单元后，将形成有有机EL结构体的 玻璃基板与对置基板组装，实施模块形成工序而制作OLED。这样得到的OLED在特性上不会 产生问题。
[0265] 〈实施例 11>
[0266] 本例中，使用实施例1中得到的玻璃层叠体A制造 IXD。
[0267] 首先，准备2片玻璃层叠体A，在一个玻璃层叠体Al中的玻璃基板的第2主面上， 通过等离子体CVD法依次将氮化硅、氧化硅、非晶硅成膜。接着，通过离子掺杂装置向非晶 硅层注入低浓度的硼，在氮气气氛下在450°C加热处理60分钟而进行脱氢处理。接着，利用 激光退火装置进行非晶硅层的结晶化处理。接着，由使用光刻法的蚀刻及离子掺杂装置向 非晶硅层注入低浓度的磷，形成N型和P型的TFT区域。接着，在玻璃基板的第2主面侧， 通过等离子体CVD法将氧化硅膜成膜而形成栅绝缘膜，然后通过溅射法将钼成膜，通过使 用光刻法的蚀刻而形成栅极。接着，通过光刻法和离子掺杂装置，向N型、P型各自所期望 的区域注入高浓度的硼和磷，形成源区域和漏区域。接着，在玻璃基板的第2主面侧，对通 过基于等离子体CVD法的氧化硅的成膜形成的层间绝缘膜通过溅射法进行铝的成膜以及 通过使用光刻法的蚀刻而形成TFT电极。接着，在氢气气氛下在450°C加热处理60分钟而 进行氢化处理，然后通过基于等离子体CVD法的氮化硅的成膜，形成钝化层。接着，在玻璃 基板的第2主面侧，涂布紫外线固化性树脂，通过光刻法形成平坦化层和接触孔。接着，通 过溅射法将氧化铟锡成膜，并通过使用光刻法的蚀刻形成像素电极。
[0268] 接着，在大气气氛下在450°C对另一个玻璃层叠体A2加热处理60分钟。接着，在 玻璃层叠体A中的玻璃基板的第2主面上，通过溅射法将铬成膜，并通过使用光刻法的蚀刻 形成遮光层。接着，在玻璃基板的第2主面侧，通过口模式涂布法涂布彩色光阻剂，通过光 刻法和热固化形成彩色滤光片层。接着，通过溅射法将氧化铟锡成膜，形成对置电极。接 着，在玻璃基板的第2主面侧，通过口模式涂布法涂布紫外线固化树脂液，通过光刻法和热 固化形成柱状间隔物。接着，通过辊涂法涂布聚酰亚胺树脂液，通过热固化形成取向层，并 进行摩擦。
[0269] 接着，通过滴注液晶法将密封用树脂液描绘为框状，在框内通过滴注液晶法滴入 液晶，然后使用上述形成有像素电极的玻璃层叠体A1，使2片玻璃层叠体A的玻璃基板的第 2主面侧彼此贴合，通过紫外线固化和热固化而得到LCD面板。
[0270] 接着，使玻璃层叠体Al的第2主面真空吸附于平台，在玻璃层叠体A2的角部的玻 璃基板与有机硅树脂层的界面插入厚度〇. Imm的不锈钢制刀具，产生玻璃基板的第1主面 与有机硅树脂层的可剥离表面的剥离的开端。此处在从离子发生器（基恩士公司制）向该 界面喷吹除电性流体的同时进行刀具的插入。接着，在从离子发生器向形成的空隙持续喷 吹除电性流体的同时拉起真空吸附垫。然后，利用真空吸附垫吸附玻璃层叠体A2的支撑基 材的第2主面，然后使吸附垫升高。其结果是，在平台上仅残留带有玻璃层叠体Al的支撑 基材的LCD的空盒，可以剥离带有机硅树脂层的支撑基材。
[0271] 接着，使在第1主面形成有彩色滤光片的玻璃基板的第2主面真空吸附于平台，在 玻璃层叠体Al的角部的玻璃基板与有机硅树脂层的界面插入厚度0.1 mm的不锈钢制刀具， 产生玻璃基板的第1主面与有机硅树脂层的可剥离表面的剥离的开端。然后，用真空吸附 垫吸附玻璃层叠体Al的支撑基材的第2主面，然后使吸附垫升高。其结果是，在平台上仅 残留LCD盒，可以剥离固定有有机硅树脂层的支撑基材。这样得到由厚度0.1 mm的玻璃基 板构成的多个LCD的盒。
[0272] 接着，通过切断工序，分割为多个LCD的盒。实施向完成的各LCD盒粘贴偏振板的 工序，接着实施模块形成工序而得到LCD。这样得到的LCD在特性上不会产生问题。
[0273] 〈实施例 12>
[0274] 本例中，使用实施例1中得到的玻璃层叠体A制造 OLED。
[0275] 首先，在玻璃层叠体A中的玻璃基板的第2主面上，通过溅射法将钼成膜，并通过 使用光刻法的蚀刻形成栅极。接着，通过等离子体CVD法，在玻璃基板的第2主面侧进一步 将氮化硅成膜而形成栅绝缘膜，接着通过溅射法将氧化铟镓锌成膜并通过使用光刻法的蚀 刻形成氧化物半导体层。接着，通过等离子体CVD法，在玻璃基板的第2主面侧进一步将氮 化硅成膜而形成沟槽保护层，接着通过溅射法将钼成膜并通过使用光刻法的蚀刻形成源极 和漏极。接着，在大气中在450°C进行60分钟加热处理。接着，在玻璃基板的第2主面侧进 一步通过等离子体CVD法将氮化硅成膜而形成钝化层，接着通过溅射法将氧化铟锡成膜并 通过使用光刻法的蚀刻形成像素电极。
[0276] 接着，通过蒸镀法，在玻璃基板的第2主面侧，依次将4, 4'，4" -三（3-甲基苯基 氨基）三苯基胺成膜作为空穴注入层，将双[(N-萘基）-N-苯基]联苯胺成膜作为空穴传 输层，将在8-羟基喹啉铝络合物（Alq3)中混合40体积％的2, 6-双[4-[N_(4-甲氧基苯 基）-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1，5-二甲腈（BSN-BCN)而得到的混合物成膜作为发光 层，将Alq3成膜作为电子传输层。接着，通过溅射法将铝成膜，并通过使用光刻法的蚀刻形 成对电极。接着，在玻璃基板的第2主面侧，经由紫外线固化型胶粘层贴合另一片玻璃基板 并密封。根据上述步骤，在玻璃基板上形成有机EL结构体。在玻璃基板上具有有机EL结 构体的玻璃层叠体A(以下，称为面板A。）为本发明的带电子器件用构件的层叠体（带支 撑基材的显示装置用面板）。
[0277] 接着，使面板A的密封体侧真空吸附于平台，然后在面板A的角部的玻璃基板与有 机硅树脂层的界面插入厚度0.1 mm的不锈钢制刀具，产生玻璃基板与有机硅树脂层的界面 剥离的开端。然后，用真空吸附垫吸附面板A的支撑基材表面，然后使吸附垫升高。此处在 从离子发生器（基恩士公司制）向该界面喷吹除电性流体的同时进行刀具的插入。接着， 在从离子发生器向形成的空隙持续喷吹除电性流体的同时拉起真空吸附垫。其结果是，在 平台上仅残留形成有有机EL结构体的玻璃基板，可以剥离带有机硅树脂层的支撑基材。
[0278] 接着，清洁通过与实施例1同样的方法分离的玻璃基板的剥离面，使用激光切割 机或划线-折断法将分离的玻璃基板切断，分割为多个单元后，将形成有有机EL结构体的 玻璃基板和对置基板组装，实施模块形成工序而制作OLED。这样得到的OLED在特性上不会 产生问题。
[0279] 本申请基于2012年12月28日申请的日本专利申请2012-286768,其内容作为参 照并入本文中。
[0280] 附图标记
[0281] 10玻璃层叠体
[0282] 12支撑基材
[0283] 14有机硅树脂层
[0284] 14a有机硅树脂层的第1主面
[0285] 16玻璃基板
[0286] 16a玻璃基板的第1主面
[0287] 16b玻璃基板的第2主面
[0288] 18带有机硅树脂层的支撑基材
[0289] 20电子器件用构件
[0290] 22带电子器件用构件的层叠体
[0291] 24带构件的玻璃基板
【主权项】
1. 一种玻璃层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和玻璃基板，所述支撑基材与 所述有机硅树脂层的界面的剥离强度大于所述有机硅树脂层与所述玻璃基板的界面的剥 离强度，其中， 所述有机硅树脂层的有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交联物，并且 通过纳米压痕法测定的所述有机硅树脂层的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。2. 如权利要求1所述的玻璃层叠体，其中，所述可交联有机聚硅氧烷的交联物是使具 有條基的有机聚硅氧烷与具有氛甲娃烷基的有机聚硅氧烷反应而得到的交联物。3. 如权利要求2所述的玻璃层叠体，其中，所述烯基与所述氢甲硅烷基的混合摩尔比 (烯基的摩尔数/氢甲硅烷基的摩尔数）为1/1~1/0. 8。4. 如权利要求1~3中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述有机硅树脂层还含有硅 油。5. 如权利要求1~4中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述有机硅树脂层的厚度为 2 ~100um〇6. 如权利要求1~5中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述支撑基材为玻璃板。7. -种制造权利要求1~6中任一项所述的玻璃层叠体的方法，其中，在支撑基材的单 面形成含有可交联有机聚硅氧烷的层，在所述支撑基材面上使所述可交联有机聚硅氧烷交 联而形成有机硅树脂层，然后在所述有机硅树脂层的表面层叠玻璃基板。8. -种带有机硅树脂层的支撑基材，其具有支撑基材和设置在所述支撑基材面上的有 机硅树脂层，其中， 所述有机硅树脂层的有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交联物，并且 通过纳米压痕法测定的所述有机硅树脂层的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。
【专利摘要】本发明涉及一种玻璃层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和玻璃基板，支撑基材与有机硅树脂层的界面的剥离强度高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度，其中，有机硅树脂层的有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交联物，并且通过纳米压痕法测定的有机硅树脂层的弹性模量为0.5～2.5MPa。
【IPC分类】B32B17/10, C03C27/10, B32B27/00
【公开号】CN104903095
【申请号】CN201380068732
【发明人】宫古强臣, 照井弘敏, 内田大辅, 山内优
【申请人】旭硝子株式会社
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2013年12月9日
【公告号】WO2014103678A1
【技术领域】
[0001] 本发明涉及玻璃层叠体及其制造方法，特别是具有显示出规定的弹性模量的有机 硅树脂层的玻璃层叠体及其制造方法。
[0002] 另外，本发明涉及带有机硅树脂层的支撑基材，特别是涉及带有可剥离地层叠在 玻璃基板表面的有机硅树脂层的支撑基材及其制造方法。
【背景技术】
[0003] 近年来，进行着太阳能电池（PV)、液晶面板（IXD)、有机EL面板（OLED)等器件（电 子设备）的薄型化、轻量化，并且进行着在这些器件中使用的玻璃基板的薄板化。由薄板化 导致玻璃基板的强度不足时，在器件的制造工序中，玻璃基板的操作性降低。
[0004] 因此，以往，广泛采用下述方法：在比最终厚度厚的玻璃基板上形成器件用构件 (例如，薄膜晶体管），然后通过化学蚀刻处理将玻璃基板薄板化。
[0005] 但是，对于该方法而言，例如，将1片玻璃基板的厚度从〇· 7mm薄板化为0· 2mm、 0.1 mm时，用蚀刻液将原来的玻璃基板的材料的大部分削去，因此从生产率、原材料的使用 效率的观点方面考虑不优选。另外，在基于上述的化学蚀刻的玻璃基板的薄板化方法中， 在玻璃基板表面存在微细的划痕时，有时由于蚀刻处理造成以划痕为起点形成微细的凹陷 (蚀坑），成为光学缺陷。
[0006] 最近，为了应对上述课题，提出了准备将薄板玻璃基板和增强板层叠而得到的玻 璃层叠体，在玻璃层叠体的薄板玻璃基板上形成显示装置等电子器件用构件后，从薄板玻 璃基板分离支撑板的方法（例如，专利文献1)。增强板具有支撑板和固定在该支撑板上的 有机硅树脂层，有机硅树脂层与薄板玻璃基板可剥离地粘附。将玻璃层叠体的有机硅树脂 层与薄板玻璃基板的界面剥离，从薄板玻璃基板分离的增强板与新的薄板玻璃基板层叠， 从而能够作为玻璃层叠体再利用。
[0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] 专利文献1 :国际公开第2007/018028号
【发明内容】
[0010] 发明所要解决的问题
[0011] 关于专利文献1中记载的玻璃层叠体，近年来要求更高的耐热性。伴随着形成在 玻璃层叠体的玻璃基板上的电子器件用构件的高功能化、复杂化，形成电子器件用构件时 的温度变得更高并且需要长时间暴露于该高温下的情况也不少。另外，使用的玻璃基板也 更薄膜化，其操作性变难。
[0012] 专利文献1中记载的玻璃层叠体能耐受在大气中300°C、1小时的处理。但是， 根据本发明人的研宄，参照专利文献1，对使用了厚度更薄的玻璃基板的玻璃层叠体进行 360°C、1小时的处理时，将玻璃基板从有机硅树脂层表面剥离时，未将玻璃基板从树脂层表 面剥离而其一部分被破坏、或在玻璃基板上残留树脂层的树脂的一部分，结果有时导致电 子器件的生产率的降低。
[0013] 本发明鉴于上述课题而作出，其目的在于提供一种玻璃层叠体及其制造方法，即 使在高温加热处理后玻璃基板与有机硅树脂层的剥离强度的升高也被抑制，可以容易地剥 离玻璃基板。
[0014] 另外，本发明的目的在于提供在该玻璃层叠体的制造中使用的带有机硅树脂层的 支撑基材。
[0015] 用于解决问题的手段
[0016] 本发明人等为了解决上述课题而进行了深入研宄，结果完成了本发明。
[0017] 即，本发明的第一方式涉及一种玻璃层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层 和玻璃基板，支撑基材与有机硅树脂层的界面的剥离强度大于有机硅树脂层与玻璃基板的 界面的剥离强度，其中，有机硅树脂层的有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交联物，并且 通过纳米压痕法测定的有机硅树脂层的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。
[0018] 在第一方式中，可交联有机聚硅氧烷的交联物优选为使具有烯基的有机聚硅氧烷 与具有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷反应而得到的交联物。
[0019] 在第一方式中，烯基与氢甲硅烷基的混合摩尔比（烯基的摩尔数/氢甲硅烷基的 摩尔数）优选为1/1~1/0. 8。
[0020] 在第一方式中，有机娃树脂层优选还含有硅油。
[0021] 在第一方式中，有机硅树脂层的厚度优选为2~100 μ m。
[0022] 在第一方式中，支撑基材优选为玻璃板。
[0023] 本发明的第二方式涉及一种制造第一方式的玻璃层叠体的方法，其中，在支撑基 材的单面形成含有可交联有机聚硅氧烷的层，在支撑基材面上使可交联有机聚硅氧烷交联 而形成有机硅树脂层，然后在有机硅树脂层的表面层叠玻璃基板。
[0024] 本发明的第三方式涉及一种带有机硅树脂层的支撑基材，其具有支撑基材和设置 在所述支撑基材面上的有机硅树脂层，其中，有机硅树脂层的有机硅树脂为可交联有机聚 硅氧烷的交联物，并且通过纳米压痕法测定的有机硅树脂层的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。
[0025] 发明的效果
[0026] 根据本发明，可以提供一种玻璃层叠体及其制造方法，即使在高温加热处理后玻 璃基板与有机硅树脂层的剥离强度的升高也被抑制，可以容易地剥离玻璃基板。
[0027] 另外，根据本发明，还可以提供一种带有机硅树脂层的支撑基材，其用于该玻璃层 叠体的制造。
【附图说明】
[0028] 图1是本发明所涉及的玻璃层叠体的一个实施方式的剖视示意图。
[0029] 图2 (A)~图2 (D)是按照工序步骤表示的本发明所涉及的带构件的玻璃基板的制 造方法的一个实施方式的剖视示意图。
【具体实施方式】
[0030] 以下，对用于实施本发明的方式参照附图进行说明，但本发明不限于以下的实施 方式，在不脱离本发明的范围的情况下，可以对以下的实施方式加入各种变形和置换。
[0031] 本发明的玻璃层叠体依次具备支撑基材、有机硅树脂层和玻璃基板。即，在支撑基 材与玻璃基板之间具有有机硅树脂层，因此，有机硅树脂层的一侧与支撑基材接触，另一侧 与玻璃基板接触。
[0032] 作为本发明的玻璃层叠体的特点之一，可以举出通过纳米压痕法测定的有机硅树 脂层的弹性模量处于规定的范围内。特别是在支撑基材上形成的有机硅树脂层的弹性模量 处于规定的范围内。弹性模量处于规定的范围内的有机硅树脂层与以往的有机硅树脂层相 比更柔软。使用这样的柔软的有机硅树脂层时，可以与配置在该有机硅树脂层上的玻璃基 板进行某种程度粘附从而防止其位置偏移，并且较容易地剥离玻璃基板。获得如上特性的 详细理由不明，但推测如下。首先，在有机硅树脂层上层叠玻璃基板时，由于有机硅树脂层 柔软，因此追随玻璃基板表面的形状而变形，不会在有机硅树脂层与玻璃基板之间产生空 隙等，从而有机硅树脂层与玻璃基板良好地粘附。另外，在高温加热处理后将玻璃基板从有 机硅树脂层剥离时，由于有机硅树脂层容易变形，因此也可以抑制局部地对玻璃基板施加 应力，结果可以容易地剥离玻璃基板。
[0033] 图1是本发明所涉及的玻璃层叠体的一例的剖视示意图。
[0034] 如图1所示，玻璃层叠体10为支撑基材12和玻璃基板16与在它们之间存在有机 硅树脂层14的层叠体。有机硅树脂层14的一个面与支撑基材12接触，并且其另一个面与 玻璃基板16的第1主面16a接触。换言之，有机硅树脂层14与玻璃基板16的第1主面 16a接触。
[0035] 包含支撑基材12和有机硅树脂层14的两层部分在制造液晶面板等电子器件用构 件的构件形成工序中，增强玻璃基板16。需要说明的是，将为了玻璃层叠体10的制造而预 先制造的包含支撑基材12和有机硅树脂层14的2层部分称为带有机硅树脂层的支撑基材 18。
[0036] 使用该玻璃层叠体10直到后述的构件形成工序。即，使用该玻璃层叠体10直到 在该玻璃基板16的第2主面16b表面上形成液晶显示装置等电子器件用构件为止。之后， 形成有电子器件用构件的玻璃层叠体被分离为带有机硅树脂层的支撑基材18和带电子器 件用构件的玻璃基板，带有机硅树脂层的支撑基材18不成为构成电子器件的部分。可以在 带有机硅树脂层的支撑基材18上层叠新的玻璃基板16,作为新的玻璃层叠体10再利用。
[0037] 支撑基材12与有机硅树脂层14的界面具有剥离强度（X)，对支撑基材12与有机 硅树脂层14的界面施加超过剥离强度（X)的剥离方向的应力时，支撑基材12与有机硅树 脂层14的界面剥离。有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面具有剥离强度（y)，对有机硅 树脂层14与玻璃基板16的界面施加超过剥离强度（y)的剥离方向的应力时，有机硅树脂 层14与玻璃基板16的界面剥离。
[0038] 在玻璃层叠体10(也指后述的带电子器件用构件的层叠体）中，上述剥离强度（X) 大于（高于）上述剥离强度（y)。因此，对玻璃层叠体10施加将支撑基材12和玻璃基板 16剥离的方向的应力时，本发明的玻璃层叠体10在有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面 剥离，从而分离为玻璃基板16和带有机硅树脂层的支撑基材18。
[0039] 也就是说，有机硅树脂层14被固定在支撑基材12上而形成带有机硅树脂层的支 撑基材18,玻璃基板16在有机硅树脂层14上可剥离地粘附。
[0040] 优选剥离强度（X)与剥离强度（y)相比足够高。提高剥离强度（X)意味着提高有 机硅树脂层14对支撑基材12的附着力，并且加热处理后可以保持对玻璃基板16相对更高 的附着力。
[0041] 为了提高有机硅树脂层14对支撑基材12的附着力，如后所述，优选在支撑基材12 上使可交联有机聚硅氧烷交联固化而形成有机硅树脂层14。通过交联固化时的胶粘力，可 以形成以高结合力与支撑基材12结合的有机硅树脂层14。
[0042] 另一方面，交联固化后的可交联有机聚硅氧烷的固化物对玻璃基板16的结合力 通常比在上述交联固化时产生的结合力低。因此，优选在支撑基材12上使可交联有机聚硅 氧烷交联固化而形成有机硅树脂层14,之后在有机硅树脂层14的面上层叠玻璃基板16,从 而制造玻璃层叠体10。
[0043] 作为本发明的第1方式的玻璃层叠体依次具备支撑基材、有机硅树脂层和玻璃基 板，支撑基材与有机硅树脂层的界面的剥离强度大于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥 离强度，其中，有机硅树脂层的有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交联物，并且通过纳米 压痕法测定的所述有机硅树脂层的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。
[0044] 以下，首先，对构成玻璃层叠体10的各层（支撑基材12、玻璃基板16、有机硅树脂 层14)进行详细叙述，之后，对玻璃层叠体及带电子器件用构件的玻璃基板的制造方法进 行详细叙述。
[0045] [支撑基材]
[0046] 支撑基材12支撑并增强玻璃基板16,防止在后述的构件形成工序（制造电子器件 用构件的工序）中在制造电子器件用构件时玻璃基板16的变形、划伤、破损等。
[0047] 作为支撑基材12,可以使用例如玻璃板、塑料板、SUS板等金属板等。通常，由于构 件形成工序伴随着热处理，因此支撑基材12优选由与玻璃基板16的平均线膨胀系数之差 小的材料形成，更优选由与玻璃基板16相同的材料形成，支撑基材12优选为玻璃板。特别 是支撑基材12优选为包含与玻璃基板16相同的玻璃材料的玻璃板。
[0048] 支撑基材12的厚度可以比玻璃基板16厚，也可以比玻璃基板16薄。优选基于玻 璃基板16的厚度、有机硅树脂层14的厚度和玻璃层叠体10的厚度选择支撑基材12的厚 度。例如，现行的构件形成工序为了处理厚度0. 5_的基板而设计，玻璃基板16的厚度与 有机硅树脂层14的厚度之和为0.1 mm时，将支撑基材12的厚度设定为0. 4mm。支撑基材 12的厚度在通常的情况下优选为0. 2~5. 0mm。
[0049] 支撑基材12为玻璃板时，出于容易操作、不易破裂等理由，玻璃板的厚度优选为 0. 08mm以上。另外，出于在形成电子器件用构件后剥离时，期望适度地弯曲而不破裂这样的 刚性的理由，玻璃板的厚度优选为1.0 mm以下。
[0050] 支撑基材12与玻璃基板16的25~300 °C下的平均线膨胀系数之差优选为 500X 10_7/°C以下，更优选为300X 10_7/°C以下，进一步优选为200 X 10_7/°C以下。上述平 均线膨胀系数之差过大时，在构件形成工序中的加热冷却时，有可能玻璃层叠体10严重翘 曲、或支撑基材12与玻璃基板16剥离。在支撑基材12的材料与玻璃基板16的材料相同 时，由于可以抑制产生这样的问题，因此优选支撑基材为玻璃板。
[0051] [玻璃基板]
[0052] 玻璃基板16的第1主面16a与有机硅树脂层14接触，在与有机硅树脂层14侧相 反侧的第2主面16b设置电子器件用构件。
[0053] 玻璃基板16的种类可以为通常的种类，可以列举 例如：IXD、OLED等显示装置用的 玻璃基板等。玻璃基板16的耐化学品性、耐透湿性优良并且热收缩率低。作为热收缩率的 指标，使用JIS R 3102(1995年修订）中规定的平均线膨胀系数。
[0054] 玻璃基板16的平均线膨胀系数大时，构件形成工序经常伴随加热处理，因此容易 产生各种不良情况。例如，在玻璃基板16上形成TFT的情况下，在加热下将形成有TFT的 玻璃基板16冷却时，由于玻璃基板16的热收缩，有可能导致TFT的位置偏移过大。
[0055] 通过将玻璃原料熔融，并将熔融玻璃成形为板状而得到玻璃基板16。这样的成形 方法可以为通常的方法，可以使用例如浮法、熔融法、流孔下引法、有槽垂直引上（ 一;LO法、吹筒（7パ一ス）法等。另外，特别是厚度薄的玻璃基板16可以通过将暂时成形 为板状的玻璃加热至可成形的温度，并利用拉伸等方法拉长而变薄的方法（重新引下法） 进行成形而得到。
[0056] 玻璃基板16的玻璃的种类没有特别限定，优选无碱硼硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、钠 钙玻璃、高硅氧玻璃、其它以氧化硅作为主要成分的氧化物类玻璃。作为氧化物类玻璃，优 选基于氧化物换算的氧化硅的含量为40~90质量％的玻璃。
[0057] 作为玻璃基板16的玻璃，采用适合于电子器件用构件的种类、其制造工序的玻 璃。例如，由于碱金属成分的溶出容易对液晶造成影响，因此液晶面板用的玻璃基板包含实 质上不含碱金属成分的玻璃（无碱玻璃）（但是，通常包含碱土金属成分）。像这样，玻璃基 板16的玻璃可以基于应用的器件的种类及其制造工序而适当选择。
[0058] 从玻璃基板16的薄型化和/或轻量化的观点考虑，玻璃基板16的厚度优选为 0· 3mm以下，更优选为0· 20mm以下，进一步优选为0· 15mm以下，特别优选为0· IOmm以下。 玻璃基板16的厚度为0. 3mm以下时，能够赋予玻璃基板16良好的柔性。玻璃基板16的厚 度为0. 15mm以下时，能够将玻璃基板16卷绕为卷筒状。
[0059] 另外，出于容易制造玻璃基板16、容易操作玻璃基板16等理由，玻璃基板16的厚 度优选为〇. 〇3mm以上。
[0060] 需要说明的是，玻璃基板16可以包含2层以上，此时，形成各层的材料可以为同种 材料，也可以为不同种材料。另外，此时，"玻璃基板16的厚度"是指所有的层的合计的厚 度。
[0061] [有机硅树脂层]
[0062] 有机硅树脂层实质上包含有机硅树脂，该有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交 联物，并且通过纳米压痕法测定的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。支撑基材与有机硅树脂层的 界面的剥离强度大于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度。
[0063] 有机硅树脂层14在进行分离玻璃基板16和支撑基材12的操作之前防止玻璃基 板16的位置偏移、并且防止由分离操作导致玻璃基板16等破损。有机硅树脂层14的与玻 璃基板16接触的表面（有机硅树脂层的第1主面）14a与玻璃基板16的第1主面16a可 剥离地粘附。另一方面，有机硅树脂层14固定于支撑基材12上。因此，有机硅树脂层14 以弱的结合力与玻璃基板16的第1主面16a结合，其界面的剥离强度（y)低于有机硅树脂 层14与支撑基材12之间的界面的剥离强度（X)。
[0064] 即，在分离玻璃基板16和支撑基材12时，在玻璃基板16的第1主面16a与有机 娃树脂层14的界面剥离，在支撑基材12与有机娃树脂层14的界面不容易剥离。因此，有 机硅树脂层14与玻璃基板16的第1主面16a粘附，但具有可以容易地剥离玻璃基板16的 表面特性。即，有机硅树脂层14在与玻璃基板16的第1主面16a以某种程度的结合力结 合从而防止玻璃基板16的位置偏移等的同时，在剥离玻璃基板16时，以不会破坏玻璃基板 16而能够容易地剥离的程度的结合力结合。本发明中，将该有机硅树脂层14表面的能够容 易地剥离的性质称为剥离性。另一方面，支撑基材12的第1主面与有机硅树脂层14以相 对不容易剥离的结合力结合。
[0065] 需要说明的是，有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面的结合力在玻璃层叠体10 的玻璃基板16的面（第2主面16b)上形成电子器件用构件的前后可以变化（即，剥离强 度（X)、剥离强度（y)可以变化）。但是，即使在形成电子器件用构件后，剥离强度（y)也低 于剥离强度（X)。
[0066] 认为有机硅树脂层14与玻璃基板16以弱胶粘力、起因于范德华力的结合力结合。 认为在形成有机硅树脂层14后在其表面层叠玻璃基板16时，有机硅树脂层14的有机硅树 脂以不表现出胶粘力的程度充分交联时以起因于范德华力的结合力结合。但是，有机硅树 脂层14的有机硅树脂具有某种程度的弱胶粘力的情况并不少。认为即使在例如胶粘性极 低的情况下，在玻璃层叠体10制造后在该层叠体上形成电子器件用构件时，通过加热操作 等有机硅树脂层14的有机硅树脂与玻璃基板16面胶粘，有机硅树脂层14与玻璃基板16 之间的结合力升高。
[0067] 根据情况，也可以对层叠前的有机硅树脂层14的表面、层叠前的玻璃基板16的第 1主面16a进行减弱两者间的结合力的处理后进行层叠。通过对层叠的面进行非胶粘性处 理等之后进行层叠，可以减弱有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面的结合力、降低剥离强 度ω。
[0068] 另外，有机硅树脂层14以胶粘力、粘合力等强的结合力结合于支撑基材12表面。 例如，如上所述，通过在支撑基材12表面使可交联有机聚硅氧烷交联固化，可以将作为交 联物的有机硅树脂胶粘于支撑基材12表面，从而得到高结合力。另外，可以在支撑基材12 表面与有机硅树脂层14之间实施产生强的结合力的处理（例如，使用偶联剂的处理）从而 提高支撑基材12表面与有机硅树脂层14之间的结合力。
[0069] 有机硅树脂层14与支撑基材12以高结合力结合意味着两者的界面的剥离强度 (X)尚。
[0070] 通过纳米压痕法测定的有机硅树脂层14的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。其中，从玻 璃基板16的剥离性更优良的方面考虑，优选有机硅树脂层14的弹性模量为0. 5~2. OMPa， 更优选为〇· 5~I. 2MPa。
[0071] 有机硅树脂层14的弹性模量小于0. 5MPa时，产生有机硅树脂层14的破坏，有机 硅树脂层14的弹性模量超过2. 5MPa时，玻璃基板16与有机硅树脂层14难以剥离。需要 说明的是，上述弹性模量是将在有机硅树脂层14表面的任意5处以上的点测定的弹性模量 算术平均而得到的平均值。
[0072] 为了将通过纳米压痕法测定的弹性模量控制在上述范围内，如后所述，可以通过 使有机硅树脂层为规定的有机硅树脂层、使有机硅树脂层含有硅油、有机硅树脂层的形成 方法等来控制。
[0073] 本发明中，作为基于纳米压痕法的弹性模量测定方法，可以通过将 JKR(Johnson-Kendall-Roberts)分析与使用原子力显微镜的力值测量组合而得到弹性模 量（杨氏模量）。该方法中，使悬臂相对于试样面垂直移动，测定相对于悬臂的位置的负荷。 相对于悬臂的弹簧常数充分硬的试样不会发生试样变形，但对于柔软的试样而言，利用试 样会根据负荷发生变形这点，可以得到负荷与试样变形量的关系。在压入小、试样柔软的范 围内最适合JKR分析。
[0074] 关于上述弹性模量测定方法的详细情况，在高分子论文集第69卷，第7期，435~ 442中公开。需要说明的是，关于弹性模量的测定步骤，在后述的实施例栏中详细叙述。
[0075] 有机硅树脂层14的厚度没有特别限定，但优选为2~100 μπι，更优选为3~ 50 μ m，进一步优选为7~20 μ m。有机硅树脂层14的厚度在这样的范围内时，即使有时在 有机硅树脂层14与玻璃基板16之间存在气泡、异物，也能抑制玻璃基板16的歪曲缺陷的 产生。另外，有机硅树脂层14的厚度过厚时，形成需要时间及材料，因此有时不经济、耐热 性降低。另外，有机硅树脂层14的厚度过薄时，有时有机硅树脂层14与玻璃基板16的粘 附性降低。
[0076] 需要说明的是，有机硅树脂层14可以包含2层以上。此时"有机硅树脂层14的厚 度"是指所有的层的合计的厚度。
[0077] 另外，有机硅树脂层14包含2层以上时，形成各层的树脂可以为不同的交联有机 娃树脂。
[0078] 有机硅树脂层14中包含的有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交联物，通常，形 成三维网状结构。
[0079] 可交联有机聚硅氧烷的种类没有特别限制，只要是通过规定的交联反应交联固 化，从而得到构成有机硅树脂的交联物（固化物），其结构就没有特别限定，只要具有规定 的交联性即可。交联的方式没有特别限制，可以根据可交联有机聚硅氧烷中包含的可交联 基团的种类而采用适当公知的方式。可以列举例如氢甲硅烷基化反应、缩合反应、或加热处 理、高能射线处理或利用自由基聚合引发剂的自由基反应等。
[0080] 更具体而言，可交联有机聚硅氧烷具有烯基或炔基等自由基反应性基团时，通过 利用上述自由基反应的自由基反应性基团之间的反应进行交联而得到固化物（交联有机 硅树脂）。
[0081] 另外，可交联有机聚硅氧烷具有硅醇基时，通过硅醇基之间的缩合反应进行交联 而得到固化物。
[0082] 此外，可交联有机聚硅氧烷含有具有与娃原子键合的條基（乙條基等）的有机聚 硅氧烷（即，有机烯基聚硅氧烷）、和具有与硅原子键合的氢原子（氢甲硅烷基）的有机聚 硅氧烷（即，有机氢化聚硅氧烷）时，在氢甲硅烷基化催化剂（例如，铂类催化剂）的存在 下，通过氢甲硅烷基化反应进行交联而得到固化物。
[0083] 其中，从容易形成有机硅树脂层14、玻璃基板16的剥离性更优良方面考虑，可交 联有机聚硅氧烷优选为含有在两末端和/或侧链具有條基的有机聚硅氧烷（以后，适当也 称为有机聚硅氧烷A)和在两末端和/或侧链具有氢甲硅烷基的有机聚硅氧烷（以后，适当 也称为有机聚硅氧烷B)的方式。
[0084] 需要说明的是，作为烯基没有特别限定，可以列举例如乙烯基、烯丙基（2-丙烯 基）、丁烯基、戊烯基、己烯基等，其中从耐热性优良的方面考虑，优选乙烯基。
[0085] 另外，作为有机聚硅氧烷A中包含的烯基以外的基团和有机聚硅氧烷B中包含的 氢甲硅烷基以外的基团，可以列举烷基（特别是碳原子数4以下的烷基）。
[0086] 有机聚硅氧烷A中的烯基的位置没有特别限制，但有机聚硅氧烷A为直链时，烯基 可以存在于下述所示的M单元和D单元中的任一个，也可以存在于M单元与D单元的两者。 从固化速度方面考虑，优选至少存在于M单元，优选存在于2个M单元的两者。
[0087] 需要说明的是，M单元和D单元是有机聚硅氧烷的基本构成单元的例子，M单元是 指3个有机基团键合而得到的单官能的硅氧烷单元，D单元是指2个有机基团键合而得到 的双官能的硅氧烷单元。在硅氧烷单元中，硅氧烷键为2个硅原子隔着1个氧原子键合而 形成的键，将硅氧烷键中的每1个硅原子的氧原子视为1/2个，表示为式中01/2。
[0088]
[0089] 有机聚硅氧烷A中的烯基的数量没有特别限制，在1分子中优选1~3个，更优选 2个。
[0090] 作为有机聚硅氧烷A的优选的结构，为直链或环状，在1分子中具有2个以上的烯 基，该烯基在2个M单元的两者中存在1个以上。
[0091] 有机聚硅氧烷B中的氢甲娃烷基的位置没有特别限制，但有机聚硅氧烷A为直链 时，氢甲硅烷基可以存在于M单元和D单元中任一个，也可以存在于M单元与D单元的两者。 从固化速度的方面考虑，优选至少存在于D单元。
[0092] 有机聚硅氧烷B中的氢甲硅烷基的数目没有特别限制，但优选在1分子中具有至 少3个，更优选为3个。
[0093] 作为有机聚硅氧烷B的优选的结构，在有机聚硅氧烷A为直链或环状的情况下，优 选在1分子中具有2个以上氢甲硅烷基，氢甲硅烷基的摩尔含有率为30%以上。
[0094] 有机聚硅氧烷A与有机聚硅氧烷B的混合比率没有特别限制，但为了将得到的有 机硅树脂层的基于纳米压痕法的弹性模量调节为规定的范围，可以调节有机聚硅氧烷A与 有机聚硅氧烷B的混合比率。从玻璃基板的剥离性更优良的方面考虑，优选将有机聚硅氧 烷A中的全部烯基与有机聚硅氧烷B中的氢甲硅烷基（与硅原子键合的氢原子）的摩尔比 (烯基的摩尔数/氢甲硅烷基的摩尔数）调节为1/1~1/0. 8。其中，优选将混合比率调节 为 1/1 ~1/0. 9〇
[0095] 作为可交联有机聚硅氧烷的优选的结构和混合比率，作为有机聚硅氧烷A，优选： 为直链或环状，在1分子中具有2个以上的烯基，该烯基在2个M单元的两者中存在1个以 上，作为有机聚硅氧烷B，优选：在1分子中具有2个以上的氢甲娃烷基，氢甲娃烷基的摩尔 含有率为30%以上，优选调节使得有机聚硅氧烷A中的全部烯基与有机聚硅氧烷B中的氢 甲硅烷基（与硅原子键合的 氢原子）的摩尔比（烯基的摩尔数/氢甲硅烷基的摩尔数）为 1/1 ~1/0. 8〇
[0096] 作为氢甲硅烷基化催化剂，优选使用铂族金属类催化剂。作为铂族金属类催化剂， 可以列举铂类、钯类、铑类等催化剂，从经济性、反应性方面考虑，特别优选使用铂类催化 剂。作为铂族金属类催化剂，可以使用公知的铂族金属类催化剂。具体而言，可以列举铂微 粉、钼黑、氯亚铂酸、氯铂酸等氯铂酸、四氯化铂、氯铂酸的醇化合物、醛化合物、或铂的烯烃 络合物、烯基硅氧烷络合物、羰基络合物等。
[0097] 作为氢甲硅烷基化催化剂的使用量，相对于有机聚硅氧烷A与有机聚硅氧烷B的 合计质量100质量份，优选为〇. 1~20质量份，更优选为1~10质量份。作为铂成分，相 对于有机聚硅氧烷A与有机聚硅氧烷B的合计质量100质量份，优选为2~400ppm，更优选 为 2 ~300ppm。
[0098] 可交联有机聚硅氧烷的重量平均分子量没有特别限制，但从操作性优良，并且 成膜性也优良，在高温处理条件下的有机硅树脂的分解被进一步抑制的方面考虑，基 于GPC(凝胶渗透色谱法）测定的按聚苯乙烯换算的重量平均分子量优选为1，000~ 5, 000, 000,更优选为 2, 000 ~3, 000, 000。
[0099] 可交联有机聚硅氧烷的粘度优选为10~5000mPa *s，更优选为15~3000mPa *s。 需要说明的是，在本说明书中，在没有特别规定的情况下，粘度是在25°C下测定时的值。 [0100] 在本发明中的固化性有机硅树脂组合物中，出于调节催化剂活性的目的优选进一 步将具有抑制催化剂活性的作用的活性抑制剂（也称为反应抑制剂、阻滞剂等的化合物） 与催化剂并用。作为活性抑制剂，可以列举例如：各种有机氮化合物、有机磷化合物、炔类化 合物、肟化合物、有机氯化合物等。作为炔类化合物，具体而言，可以列举1-乙炔基-1-环 己醇、3, 5-二甲基-1-己炔-3-醇、4-乙基-1-辛炔-3-醇等。根据需要，在不损害本发明 的效果的范围内，可以还含有各种二氧化硅、碳酸钙、氧化铁等无机填料等。另外，作为耐热 性提高剂，可以含有金属氧化物等金属化合物。
[0101] 另外，己烷、庚烷、辛烷、甲苯、二甲苯等有机溶剂、水等分散介质虽然为不构成固 化有机硅树脂的成分，但出于提高为了涂布固化性有机硅树脂组合物的操作性等目的，可 以在本发明中的固化性有机硅树脂组合物中配合并使用。
[0102] 有机硅树脂层14中可以含有硅油。通过在有机硅树脂层中含有硅油，也可以将通 过纳米压痕法测定的有机硅树脂层的弹性模量控制为规定的值。硅油与上述可交联有机聚 硅氧烷不同，不与可交联有机聚硅氧烷反应，为不具有交联性的非交联性（非反应性）的有 机聚硅氧烷。
[0103] 硅油的种类没有特别限定，可以例示二甲基聚硅氧烷、甲基苯基聚硅氧烷、二苯基 聚硅氧烷等直链硅油；在直链硅油的侧链或末端引入了聚醚基、卤素基等的改性硅油。
[0104] 需要说明的是，作为硅油的具体市售的商品名或型号，作为具有芳香族基团（例 如苯基）的硅油，可以列举KTSF433(迈图高新材料日本合同会社制）、KF-50、KF-53、 KF-54(信越化学工业公司制）、SH550 (东丽道康宁公司制）等。
[0105] 作为不具有芳香族基团的硅油，可以列举SH200(东丽道康宁公司制）、 KNS-330(信越化学公司制）等。
[0106] 硅油的粘度没有特别限制，从在有机硅树脂层14表面容易渗出、玻璃基板16的剥 离性更优良的方面以及剥离后的玻璃基板16的透明性更优良的方面考虑，优选为100~ 6000mm2/s，更优选为 100 ~3000mm2/s，进一步优选为 125 ~1000 mmVs。
[0107] 有机硅树脂层14中的硅油的含有比例没有特别限制，从玻璃基板16的剥离性优 良、并且剥离后的玻璃基板的透明性更优良的方面考虑，相对于有机硅树脂100质量份，优 选为6~20质量份，更优选为6~15质量份，进一步优选为8~15质量份。
[0108] [玻璃层叠体及其制造方法]
[0109] 本发明的玻璃层叠体10如上所述是支撑基材12与玻璃基板16和在它们之间存 在有机硅树脂层14的层叠体。
[0110] 本发明的玻璃层叠体10的制造方法没有特别限制，可以采用公知的方法。例如， 优选在支撑基材12上固定化有机硅树脂层14后的带有机硅树脂层的支撑基材18的有机 硅树脂层14上层叠玻璃基板16的方法。其中，为了得到剥离强度（X)高于剥离强度（y) 的层叠体，优选在支撑基材12表面上使规定的可交联有机聚硅氧烷交联固化而形成有机 硅树脂层14的方法。即，在支撑基材12的表面形成含有可交联有机聚硅氧烷的层，在支撑 基材12表面上使可交联有机聚硅氧烷交联而形成有机硅树脂层14(交联有机硅树脂），然 后，在有机硅树脂层14的有机硅树脂面层叠玻璃基板16,从而制造玻璃层叠体10的方法。 另外，通过在支撑基材12表面上使规定的可交联有机聚硅氧烷交联固化，也可以将基于纳 米压痕法的弹性模量控制在规定的范围内。
[0111] 认为使可交联有机聚硅氧烷在支撑基材12表面固化时，通过固化反应时与支撑 基材12表面的相互作用而胶粘，有机硅树脂与支撑基材12表面的剥离强度提高。因此，即 使玻璃基板16和支撑基材12包含相同的材质，也可以对有机硅树脂层14与两者间的剥离 强度设置差。
[0112] 以下，将在支撑基材12的表面形成包含可交联有机聚硅氧烷的层、在支撑基材12 表面上使可交联有机聚硅氧烷交联而形成有机硅树脂层14的工序称为树脂层形成工序； 将在有机硅树脂层14的有机硅树脂面层叠玻璃基板16而得到玻璃层叠体10的工序称为 层叠工序，对各工序的步骤进行详细叙述。
[0113] (树脂层形成工序）
[0114] 在树脂层形成工序中，在支撑基材12的表面形成包含可交联有机聚硅氧烷的层， 并在支撑基材12表面上使可交联有机聚硅氧烷交联而形成有机硅树脂层14。
[0115] 为了在支撑基材12上形成含有可交联有机聚硅氧烷的层，优选：使用将可交联有 机聚硅氧烷溶解于溶剂中而得到的涂布用组合物，在支撑基材12上涂布该组合物而形成 溶液的层，然后除去溶剂而得到含有可交联有机聚硅氧烷的层。通过调节组合物中的可交 联有机聚硅氧烷的浓度等，可以控制含有可交联有机聚硅氧烷的层的厚度。
[0116] 作为溶剂，只要是在操作环境下能够容易地溶解可交联有机聚硅氧烷且能够容 易挥发除去的溶剂，就没有特别限定。具体而言，可以例示例如：乙酸丁酯、庚烷、2-庚酮、 1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、甲苯、二甲苯、THF、氯仿等。
[0117] 在支撑基材12表面上涂布含有可交联有机聚硅氧烷的组合物的方法没有特别限 定，可以使用公知的方法。可以列举例如：喷涂法、口模式涂布法、旋涂法、浸涂法、辊涂法、 刮棒涂布法、丝网印刷法、凹版涂布法等。
[0118] 之后，根据需要，可以实施用于除去溶剂的干燥处理。干燥处理的方法没有特别限 制，可以列举例如在减压条件下除去溶剂的方法、在不进行可交联有机聚硅氧烷的固化这 样的温度下加热的方法等。
[0119] 然后，使支撑基材12上的可交联有机聚硅氧烷交联，从而形成有机硅树脂层14。 更具体而言，如图2 (A)所示，在该工序中在支撑基材12的至少单面的表面上形成有机硅树 脂层14。
[0120] 固化（交联）的方法如上所述可以根据可交联有机聚硅氧烷的交联方式而适当选 择最合适的方法，可以列举例如加热处理、曝光处理。其中，可交联有机聚硅氧烷通过氢甲 硅烷基化反应、缩合反应、自由基反应而交联时，从得到对玻璃基板16的粘附性和耐热性 优良的有机硅树脂方面考虑，优选通过热固化制造有机硅树脂层14。
[0121] 以下，对热固化的方式进行详细叙述。
[0122] 使可交联有机聚硅氧烷热固化的温度条件在能够提高有机硅树脂层14的耐热 性、将与玻璃基板16层叠后的剥离强度（y)如上所述控制的范围内没有特别限制，但优选 为150~300°C，更优选为180~250°C。另外，加热时间通常优选为10~120分钟，更优 选为30~60分钟。热固化的温度过低时，耐热性、有机硅树脂层14的平坦性降低，另一方 面，温度过高时，剥离强度（y)变得过低，无论如何都有玻璃基板16与有机硅树脂层14的 粘附性变弱的情况。
[0123] 需要说明的是，可交联有机聚硅氧烷可以在进行预固化后进行后固化（主固化） 而使其固化。通过进行预固化，可以得到耐热性更优良的有机硅树脂层14。预固化优选紧 接着溶剂的除去进行，此时从层除去溶剂而形成含有可交联有机聚硅氧烷和硅油的层的工 序和进行预固化的工序没有特别区别。
[0124] (层叠工序）
[0125] 层叠工序是在通过上述的树脂层形成工序得到的有机硅树脂层14的有机硅树脂 面上层叠玻璃基板16,从而得到依次具备支撑基材12、有机硅树脂层14和玻璃基板16的 玻璃层叠体10的工序。更具体而言，如图2(B)所示，将与有机硅树脂层14的支撑基材12 侧相反侧的表面（有机硅树脂层的第1主面）14a和具有第1主面16a和第2主面16b的 玻璃基板16的第1主面16a作为层叠面，将有机硅树脂层14与玻璃基板16层叠，从而得 到玻璃层叠体10。
[0126] 将玻璃基板16层叠在有机硅树脂层14上的方法没有特别限制，可以采用公知的 方法。
[0127] 可以列举例如在常压环境下在有机硅树脂层14的表面上重叠玻璃基板16的方 法。需要说明的是，根据需要，可以在有机硅树脂层14的表面上重叠玻璃基板16后，使用 辊、压机使玻璃基板16与有机硅树脂层14压接。通过利用辊或压机的压接，可以较容易地 除去在有机硅树脂层14与玻璃基板16之间混入的气泡，因此优选。
[0128] 通过真空层压法、真空压制法进行压接时，可以抑制气泡的混入、确保良好的粘 附，因此优选。通过在真空下压接，即使在残留微小的气泡的情况下，也存在不会由加热引 起气泡生长、不易导致玻璃基板16的歪曲缺陷的优点。
[0129] 在层叠玻璃基板16时，优选将与有机硅树脂层14接触的玻璃基板16的表面充分 清洗，在洁净度高的环境中进行层叠。洁净度越高，则玻璃基板16的平坦性越良好，因此优 选。
[0130] 需要说明的是，在层叠玻璃基板16后，根据需要可以进行预退火处理（加热处 理）。通过进行该预退火处理，层叠后的玻璃基板16对有机硅树脂层14的粘附性提高，可 以得到适当的剥离强度（y)，在后述的构件形成工序时不易产生电子器件用构件的位置偏 移等，电子器件的生产率提高。
[0131] 预退火处理的条件可以根据所使用的有机硅树脂层14的种类而适当选择最适合 的条件，但从使玻璃基板16与有机硅树脂层14之间的剥离强度（y)更适当的方面考虑，优 选在300°C以上（优选为300~400°C )进行5分钟以上（优选为5~30分钟）加热处理。
[0132] 需要说明的是，有机硅树脂层14的形成不限于上述方法。
[0133] 例如，使用对有机硅树脂表面的粘附性比玻璃基板16高的材质的支撑基材12时， 可以将可交联有机聚硅氧烷在任何可剥离表面上固化而制造有机硅树脂的膜，使该膜存在 于玻璃基板16与支撑基材12之间并同时进行层叠。
[0134] 另外，由可交联有机聚硅氧烷的固化产生的胶粘性对玻璃基板16充分低且该胶 粘性对支撑基材12充分高时，可以在玻璃基板16与支撑基材12之间使可交联有机聚硅氧 烷固化而形成有机硅树脂层14。
[0135] 此外，即使在支撑基材12包含与玻璃基板16同样的玻璃材料的情况下，也可以通 过实施提高支撑基材12表面的胶粘性的处理而提高对有机硅树脂层14的剥离强度。可以 例示例如硅烷偶联剂等化学地使固定力提高的化学方法（底涂处理）、火焰处理等使表面 活性基团增加的物理方法、喷砂处理等通过使表面的粗糙度增加而使连接（引〇扣扣*9 ) 增加的机械处理方法等。
[0136] (玻璃层叠体）
[0137] 本发明的玻璃层叠体10可以在各种用途中使用，可以列举例如：制造后述的显示 装置用面板、PV、薄膜二次电池、在表面形成有电路的半导体晶片等的电子部件的用途等。 需要说明的是，在该用途中，多数情况下将玻璃层叠体10暴露在高温条件（例如360°c以 上）下（例如1小时以上）。
[0138] 此处，显示装置用面板包括IXD、OLED、电子纸、等离子体显示面板、场发射面板、量 子点LED面板、MEMS(微机电系统）快门式面板等。
[0139] [带构件的玻璃基板及其制造方法]
[0140] 在本发明中，使用上述的层叠体，制造包含玻璃基板和电子器件用构件的带构件 的玻璃基板（带电子器件用构件的玻璃基板）。
[0141] 该带构件的玻璃基板的制造方法没有特别限定，但从电子器件的 生产率优良的方 面考虑，优选在上述玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子器件用构件而制造带电子器件用 构件的层叠体，从得到的带电子器件用构件的层叠体将有机硅树脂层的玻璃基板侧界面作 为剥离面而分离为带构件的玻璃基板和带有机硅树脂层的支撑基材的方法。
[0142] 以下，将在上述玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子器件用构件而制造带电子器 件用构件的层叠体的工序称为构件形成工序、将从带电子器件用构件的层叠体将有机硅树 脂层的玻璃基板侧界面作为剥离面而分离为带构件的玻璃基板和带有机硅树脂层的支撑 基材的工序称为分离工序。
[0143] 以下，对各工序中使用的材料及步骤进行详细叙述。
[0144] (构件形成工序）
[0145] 构件形成工序是在上述层叠工序中得到的玻璃层叠体10中的玻璃基板16上形成 电子器件用构件的工序。更具体而言，如图2(C)所示，在玻璃基板16的第2主面16b (露 出表面）上形成电子器件用构件20,从而得到带电子器件用构件的层叠体22。
[0146] 首先，对本工序中使用的电子器件用构件20进行详细叙述，之后对工序的步骤进 行详细叙述。
[0147] (电子器件用构件（功能性元件））
[0148] 电子器件用构件20是形成在玻璃层叠体10中的玻璃基板16上并构成电子器件 的至少一部分的构件。更具体地，作为电子器件用构件20,可以列举在显示装置用面板、太 阳能电池、薄膜二次电池、或在表面形成有电路的半导体晶片等电子部件等中使用的构件 (例如，显示装置用构件、太阳能电池用构件、薄膜二次电池用构件、电子部件用电路）。
[0149] 例如，作为太阳能电池用构件，对于硅型而言，可以列举正极的氧化锡等透明电 极、P层/i层/n层所表示的硅层和负极的金属等，除此以外，还可以列举与化合物型、色素 敏化型、量子点型等对应的各种构件等。
[0150] 另外，作为薄膜二次电池用构件，对于锂离子型而言，可以列举正极和负极的金属 或金属氧化物等透明电极、电解质层的锂化合物、集电层的金属、作为密封层的树脂等，除 此以外，可以列举与镍氢型、聚合物型、陶瓷电解质型等对应的各种构件等。
[0151] 另外，作为电子部件用电路，对于CCD、CMOS而言，可以列举导电部的金属、绝缘部 的氧化硅、氮化硅等，除此以外，还可以列举与压力传感器?加速度传感器等各种传感器、刚 性印刷基板、柔性印刷基板、刚性-柔性印刷基板等对应的各种构件等。
[0152] (工序的步骤）
[0153] 上述的带电子器件用构件的层叠体22的制造方法没有特别限定，根据电子器件 用构件的构成构件的种类，通过以往公知的方法在玻璃层叠体10的玻璃基板16的第2主 面16b表面上形成电子器件用构件20。
[0154] 需要说明的是，电子器件用构件20可以不是在玻璃基板16的第2主面16b最终形 成的构件的全部（以下称为"整个构件"），而是整个构件的一部分（以下称为部分构件）。 也可以将从有机硅树脂层14剥离的带部分构件的玻璃基板在之后的工序中制成带全部构 件的玻璃基板（相当于后述的电子器件）。
[0155] 另外，从有机硅树脂层14剥离的带全部构件的玻璃基板可以在其剥离面（第1主 面16a)形成其它电子器件用构件。另外，也可以将带全部构件的层叠体组装，然后从带全 部构件的层叠体将支撑基材12剥离，从而制造电子器件。此外，也可以使用2片带全部构 件的层叠体并将其组装，然后从带全部构件的层叠体将2片支撑基材12剥离，从而制造具 有2片玻璃基板的带构件的玻璃基板。
[0156] 例如，以制造 OLED的情况为例，为了在与玻璃层叠体10的玻璃基板16的有机硅 树脂层14侧相反侧的表面上（相当于玻璃基板16的第2主面16b)形成有机EL结构体， 进行以下各种层形成、处理：形成透明电极，然后在形成有透明电极的面上蒸镀空穴注入 层?空穴传输层?发光层?电子传输层等，形成背面电极，使用密封板进行密封等。作为这 些层形成、处理，具体而言，可以列举例如成膜处理、蒸镀处理、密封板的胶粘处理等。
[0157] 另外，例如，制造 TFT-IXD时，包括以下各种工序：在玻璃层叠体10的玻璃基板16 的第2主面16b上，使用抗蚀剂液对通过CVD法和溅射法等通常的成膜法形成的金属膜和 金属氧化膜等进行图案形成而形成薄膜晶体管（TFT)的TFT形成工序、在另一玻璃层叠体 10的玻璃基板16的第2主面16b上在图案形成中使用蚀刻液而形成彩色滤光片（CF)的 CF形成工序、将通过TFT形成工序得到的带TFT的层叠体和通过CF形成工序得到的带CF 的层叠体层叠并使其贴合的工序等。
[0158] 在TFT形成工序、CF形成工序中，使用公知的光刻技术、蚀刻技术等，在玻璃基板 16的第2主面16b形成TFT、CF。此时，使用抗蚀剂液作为图案形成用的涂布液。
[0159] 需要说明的是，在形成TFT、CF之前，根据需要，可以清洗玻璃基板16的第2主面 16b。作为清洗方法，可以使用公知的干式清洗、湿式清洗。
[0160] 在贴合工序中，使带TFT的层叠体的薄膜晶体管形成面与带CF的层叠体的彩色滤 光片形成面对置，使用密封剂（例如，盒形成用紫外线固化型密封剂）使其贴合。之后，在由 带TFT的层叠体和带CF的层叠体形成的盒内，注入液晶材料。作为注入液晶材料的方法， 例如有减压注入法、滴加注入法。
[0161] (分离工序）
[0162] 分离工序如图2(D)所示，是如下工序：从通过上述构件形成工序得到的带电子器 件用构件的层叠体22,将有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面作为剥离面，分离为层叠有 电子器件用构件20的玻璃基板16 (带构件的玻璃基板24)和支撑基材12,从而得到包含电 子器件用构件20和玻璃基板16的带构件的玻璃基板24的工序。
[0163] 剥离时的玻璃基板16上的电子器件用构件20为必要的全部构成构件的形成的一 部分时，也可以在分尚后在玻璃基板16上形成剩余的构成构件。
[0164] 将玻璃基板16和支撑基材12剥离的方法特别限定。具体而言，例如，可以在玻璃 基板16与有机硅树脂层14的界面插入锋利的刀具状物品，产生剥离的开端，然后喷吹水与 压缩空气的混合流体而进行剥离。优选以带电子器件用构件的层叠体22的支撑基材12为 上侧、电子器件用构件20侧为下侧的方式设置在平台上，在平台上真空吸附电子器件用构 件20侧（在两面层叠支撑基材时依次进行），在该状态下首先在玻璃基板16-有机硅树脂 层14界面插入刀具。然后，利用多个真空吸附垫吸附支撑基材12侧，从插入了刀具的位置 附近依次使真空吸附垫升高。于是，在有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面、有机硅树脂 层14的凝聚破坏面形成空气层，该空气层扩展至界面、凝聚破坏面的整个面，从而可以容 易地剥离支撑基材12。
[0165] 另外，支撑基材12与新的玻璃基板层叠，从而可以制造本发明的玻璃层叠体10。
[0166] 需要说明的是，从带电子器件用构件的层叠体22分离带构件的玻璃基板24时，通 过利用离子发生器的喷吹、控制湿度，可以进一步抑制有机硅树脂层14的碎片静电吸附于 带构件的玻璃基板24。
[0167] 上述带构件的玻璃基板24的制造方法适合于在手机、PDA等移动终端中使用的小 型显示装置的制造。显示装置主要为IXD或OLED，作为IXD，包括TN型、STN型、FE型、TFT 型、MM型、IPS型、VA型等。基本上可以应用于被动驱动型、主动驱动型中的任一种显示装 置的情况。
[0168] 作为通过上述方法制造的带构件的玻璃基板24,可以列举：具有玻璃基板和显示 装置用构件的显示装置用面板、具有玻璃基板和太阳能电池用构件的太阳能电池、具有玻 璃基板和薄膜二次电池用构件的薄膜二次电池、具有玻璃基板和电子器件用构件的电子部 件等。作为显示装置用面板，包括液晶面板、有机EL面板、等离子体显示面板、场发射面板 等。
[0169] 作为本发明的第3方式的带有机硅树脂层的支撑基材是具有支撑基材和设置在 支撑基材面上的有机硅树脂层的带有机硅树脂层的支撑基材，有机硅树脂层的有机硅树脂 为可交联有机聚硅氧烷的交联物，并且通过纳米压痕法测定的所述有机硅树脂层的弹性模 量为 0· 5 ~2. 5MPa。
[0170] 带有机硅树脂层的支撑基材是通过将与第1方式中所述的同样的有机硅树脂层 形成在与第1方式中所述的同样的支撑基材的表面上而得到的支撑基材。通过在支撑基材 表面形成有机硅树脂层、或从所述层叠体剥离玻璃基板或带构件的玻璃基板而得到这样的 带有机硅树脂层的支撑基材。
[0171] 实施例
[0172] 以下，通过实施例等对本发明进行具体说明，但本发明不限于这些例子。
[0173] 以下的实施例1~9、比较例1~2中，使用包含无碱硼硅酸玻璃的玻璃板（长 200mm，宽200mm，板厚0. 2mm，平均线膨胀系数38 X 1(T/°C，旭硝子公司制商品名"AN100"） 作为玻璃基板。另外，使用相同的包含无碱硼硅酸玻璃的玻璃板（长240mm，宽240mm，板厚 0. 5mm，平均线膨胀系数38X 1(TV°C，旭硝子公司制商品名"AN100"）作为支撑基材。
[0174] 〈实施例1>
[0175] 首先，对板厚0. 5mm的支撑基材进行纯水清洗，然后进一步进行UV清洗而清洁化。
[0176] 接着，配合荒川化学公司制主剂（ASA-VOl) (100质量份）和荒川化学公司制固化 剂（ASA-XOl) (13质量份）。相对于（ASA-VOl) 100质量份添加5重量份荒川化学公司制催 化剂（ASA-COl)。然后，添加庚烷而制作含有可交联有机聚硅氧烷的溶液X。用旋涂机（转 速：30〇rpm，15秒）在支撑基材的第1主面上涂布该溶液X，从而在支撑基材上设置含有未 固化的可交联有机聚硅氧烷的层（涂布量20g/m2)。
[0177] 接着，在230°C在大气中加热固化10分钟，从而在支撑基材的第1主面上形成了厚 度10 μ m的有机硅树脂层。
[0178] 之后，在室温下利用真空压机使玻璃基板与支撑基材的有机硅树脂层面贴合，从 而得到了玻璃层叠体A。
[0179] 在得到的玻璃层叠体A中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0180] 接着，在氮气气氛下在360°C对玻璃层叠体A进行60分钟加热处理，并冷却至室 温，结果没有观察到玻璃层叠体A的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白 化等外观上的变化。
[0181] 然后，在玻璃层叠体A的4处中的1处角部中的玻璃基板与支撑有机硅树脂层的 界面插入厚度0.1 mm的不锈钢制刀具而形成剥离的缺口部，同时使真空吸附垫吸附于玻璃 基板和支撑基材各自的非剥离面，沿玻璃基板与支撑基材相互分离的方向施加外力，在不 破坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。此处在从离子发生器（基恩士公司制）向 该界面喷吹除电性流体的同时进行刀具的插入。具体而言，在持续从离子发生器向形成的 空隙喷吹除电性流体的同时拉起真空吸附垫。
[0182] 需要说明的是，有机硅树脂层与支撑基材一起从玻璃基板分离，根据该结果，确认 了支撑基材与有机硅树脂层的界面的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面 的剥离强度（y)。
[0183] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为2. 36MPa。
[0184] 纳米压痕法的测定条件同下。
[0185] 使用 Omicron NanoTechnology 日本株式会社制的 TI_950Tribo Indenter (纳米 原位测量仪），进行了有机硅树脂层的各物性值的测定。即，使用Conical 5um型的三棱锥 压头作为使用压头，以位移速度恒定模式30nm/秒施加压入负荷，达到最大负荷2 μ N后，同 样地以阶梯状将压入负荷卸荷。在25°C的恒温条件下进行测定，使测定装置和样品的温度 充分稳定后，对压入强度〇. 2 μ N、深度200nm下的弹性模量进行测定，将5次的连续测定的 平均值作为测定值。
[0186] 〈实施例2>
[0187] 在含有可交联有机聚硅氧烷的溶液X中进一步加入甲基苯基硅油（信越化学工业 公司制，KF-50,粘度100mm2/S)，除此以外，通过与实施例1同样的方法，得到了玻璃层叠体 B0
[0188] 需要说明的是，相对于有机硅树脂100质量份，甲基苯基硅油的使用量为5质量 份。
[0189] 在得到的玻璃层叠体B中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0190] 接着，对玻璃层叠体B进行与实施例1同样的加热处理，结果没有观察到玻璃层叠 体B的支撑基材与玻璃基板 的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0191] 然后，对玻璃层叠体B通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不破坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0192] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为2. 29MPa。
[0193] 〈实施例3>
[0194] 除了将甲基苯基硅油（信越化学工业公司制，KF-50,粘度IOOmmVs)的使用量从 5质量份变更为15质量份以外，通过与实施例2同样的方法，得到了玻璃层叠体C。
[0195] 在得到的玻璃层叠体C中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0196] 接着，对玻璃层叠体C进行与实施例1同样的加热处理，结果没有观察到玻璃层叠 体C的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0197] 然后，对玻璃层叠体C通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0198] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为2. 09MPa。
[0199] 〈实施例4>
[0200] 除了将甲基苯基硅油（信越化学工业公司制，KF-50,粘度IOOmmVs)的使用量从 5质量份变更为20质量份以外，通过与实施例2同样的方法，得到了玻璃层叠体D。
[0201] 在得到的玻璃层叠体D中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0202] 接着，对玻璃层叠体D进行与实施例1同样的加热处理，结果，没有观察到玻璃层 叠体D的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0203] 然后，对玻璃层叠体D通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0204] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为I. 15MPa。
[0205] 〈实施例5>
[0206] 除了使用甲基苯基硅油（东丽道康宁公司制，SH200,粘度200mm2/s)代替甲基苯 基硅油（信越化学工业公司制，KF-50,粘度IOOmmVs)以外，通过与实施例2同样的方法， 得到了玻璃层叠体E。
[0207] 在得到的玻璃层叠体E中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0208] 接着，对玻璃层叠体E进行与实施例1同样的加热处理，结果，没有观察到玻璃层 叠体E的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0209] 然后，对玻璃层叠体E通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0210] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为2. 34MPa。
[0211] 〈实施例6>
[0212] 将甲基苯基硅油（东丽道康宁公司制，SH200,粘度200mm2/s)的使用量从5质量 份变更为10质量份，除此以外，通过与实施例5同样的方法，得到了玻璃层叠体F。
[0213] 在得到的玻璃层叠体F中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0214] 接着，对玻璃层叠体F进行与实施例1同样的加热处理，结果，没有观察到玻璃层 叠体F的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0215] 然后，对玻璃层叠体F通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0216] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为2. 3 IMPa。
[0217] 〈实施例7>
[0218] 除了将甲基苯基硅油（东丽道康宁公司制，SH200,粘度200mm2/s)的使用量从5质 量份变更为15质量份以外，通过与实施例5同样的方法，得到了玻璃层叠体G。
[0219] 在得到的玻璃层叠体G中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0220] 接着，对玻璃层叠体G进行与实施例1同样的加热处理，结果，没有观察到玻璃层 叠体G的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0221] 然后，对玻璃层叠体G通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0222] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为2. 09MPa。
[0223] 〈实施例8>
[0224] 使用以下的含有可交联有机聚硅氧烷的溶液Y代替含有可交联有机聚硅氧烷的 溶液X，除此以外，通过与实施例1同样的方法，得到了玻璃层叠体H。
[0225] (含有可交联有机聚硅氧烷的溶液Y)
[0226] 配合在两末端分别引入了 1个乙烯基的二甲基聚硅氧烷（56mPa*s) (100质量份） 作为主剂，配合甲基含氢硅油（甲基：氢（摩尔比）=2:1，氢甲硅烷基的摩尔含有率为 33. 3%，104mPa *s) (10质量份）作为固化剂。相对于树脂成分，添加以钼计3ppm Karstedt 催化剂。相对于树脂成分添加0.2质量份1-乙炔基-1-环己醇作为阻滞剂。然后，添加庚 烷从而制作了含有可交联有机聚硅氧烷的溶液Y。配合使得主剂的乙烯基与固化剂的氢基 的摩尔比（烯基的摩尔数/氢甲硅烷基的摩尔数）为1摩尔：0.8摩尔。
[0227] 在得到的玻璃层叠体H中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0228] 接着，对玻璃层叠体H进行与实施例1同样的加热处理，结果，没有观察到玻璃层 叠体H的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0229] 然后，对玻璃层叠体H通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0230] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为〇. 65MPa。
[0231] 〈实施例9>
[0232] 除了使用以下的含有可交联有机聚硅氧烷的溶液Z代替含有可交联有机聚硅氧 烷的溶液X以外，通过与实施例1同样的方法，得到了玻璃层叠体I。
[0233] (含有可交联有机聚硅氧烷的溶液Z)
[0234] 配合荒川化学公司制主剂（A78)(100质量份）和荒川化学公司制固化剂 (ASA-XOl) (15质量份）。相对于（A78) 100质量份添加5重量份荒川化学公司制催化剂 (ASA-COl)。然后，添加庚烷而制作了含有可交联有机聚硅氧烷的溶液Z。
[0235] 在得到的玻璃层叠体I中，支撑基材和玻璃基板与有机硅树脂层粘附而不产生气 泡，也没有歪曲状缺陷，平滑性也良好。
[0236] 接着，对玻璃层叠体I进行与实施例1同样的加热处理，结果，没有观察到玻璃层 叠体I的支撑基材与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
[0237] 然后，对玻璃层叠体I通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，在不损坏玻璃基板和支撑基材的情况下进行了分离。需要说明的是，有机硅树脂 层与支撑基材一起从玻璃基板分离。根据该结果，确认了支撑基材与有机硅树脂层的界面 的剥离强度（X)高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度（y)。
[0238] 另外，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂层的弹性 模量，结果为I. l〇MPa。
[0239] 〈比较例1>
[0240] 除了使用以下的含有可交联有机聚硅氧烷的溶液W代替含有可交联有机聚硅氧 烷的溶液X以外，通过与实施例1同样的方法，得到了玻璃层叠体J。
[0241] (含有可交联有机聚硅氧烷的溶液W)
[0242] 配合 ADEKA 公司制 FX-T153Vi-5K(900mPa，s) (100 质量份）和 ADEKA 公司制固化 剂FX-T153H-5K(1240mPa · s) (10质量份）。然后，添加十二烷而制作了含有可交联有机聚 硅氧烷的溶液W。配合使得烯基与氢甲硅烷基的摩尔比为1 :1。
[0243] 对得到的玻璃层叠体J通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，有机硅树脂层与玻璃基板难以剥离，玻璃基板破裂，或有机硅树脂层被破坏，其大 部分附着于玻璃基板上。
[0244] 需要说明的是，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂 层的弹性模量，结果为〇. 23MPa。
[0245] 〈比较例2>
[0246] 除了使用以下的含有可交联有机聚硅氧烷的溶液V代替含有可交联有机聚硅氧 烷的溶液X以外，通过与实施例1同样的方法，得到了玻璃层叠体K。
[0247] (含有可交联有机聚硅氧烷的溶液V)
[0248] 配合荒川化学公司制主剂（A41)(100质量份）和荒川化学公司制固化剂 (ASA-XOl) (13质量份）使得烯基与氢甲硅烷基的摩尔比为1 :1。相对于（A41) 100质量份 添加5重量份荒川化学公司制催化剂（ASA-COl)。然后，添加十二烷而制作了含有可交联有 机聚硅氧烷的溶液V。
[0249] 对得到的玻璃层叠体K通过与实施例1同样的方法进行支撑基材与玻璃基板的分 离，结果，有机硅树脂层与玻璃基板难以剥离，玻璃基板破裂，或有机硅树脂层被破坏，其大 部分附着于玻璃基板上。
[0250] 需要说明的是，通过纳米压痕法测定玻璃基板剥离后的支撑基材上的有机硅树脂 层的弹性模量，结果为3. 15MPa。
[0251] 以下汇总显示上述实施例和比较例的结果。
[0252] 需要说明的是，表1中，对于"剥离性"，将没有玻璃基板和有机硅树脂层的破坏， 可以从玻璃层叠体剥离玻璃基板的情况评价为"〇"，将在玻璃基板的剥离时，产生玻璃基 板或有机硅树脂层的破坏的情况评价为" X "。
[0253] 另外，对在360°C进行60分钟的加热处理后的玻璃层叠体A~K进行以下的剥离 试验，测定了玻璃基板的剥离强度（N/25mm)。
[0254] 准备宽 25mm ·长 70mm 的玻璃层叠体 A ~K，使用 Autograph AG_20/50kNXDplus (岛 津制作所）进行玻璃基板的剥离。需要说明的是，剥离速度为30mm/分钟。将检测负荷的 地点设为0,将距离该位置I. 5_的位置的剥离强度作为测定值。
[0255] [表 1]
[0256]
[0257] 从上述表1可知，确认了有机硅树脂层的弹性模量在规定的范围（0. 5~2. 5MPa) 内时，玻璃基板的剥离性优良。
[0258] 另一方面，在有机硅树脂层的弹性模量过低的比较例1及过高的比较例2中，玻璃 基板的剥离性差。
[0259] 〈实施例 10>
[0260] 本例中，使用实施例1中得到的玻璃层叠体A制造0LED。
[0261] 首先，在玻璃层叠体A中的玻璃基板的第2主面上通过等离子体CVD法依次将氮 化硅、氧化硅、非晶硅成膜。接着，通过离子掺杂装置在非晶硅层中注入低浓度的硼，并在氮 气气氛下在450°C加热处理60分钟而进行脱氢处理。接着，通过激光退火装置进行非晶硅 层的结晶化处理。接着，由使用光刻法的蚀刻和离子掺杂装置向非晶硅层注入低浓度的磷， 形成N型和P型的TFT区域。接着，在玻璃基板的第2主面侧，通过等离子体CVD法将氧化 硅膜成膜而形成栅绝缘膜，然后通过溅射法将钼成膜，并通过使用光刻法的蚀刻形成栅极。 接着，通过光刻法和离子掺杂装置，向N型、P型各自所期望的区域注入高浓度的硼和磷，形 成源区域和漏区域。接着，在玻璃基板的第2主面侧，对通过基于等离子体CVD法的氧化硅 的成膜而形成的层间绝缘膜通过溅射法进行铝的成膜以及通过使用光刻法的蚀刻而形成 TFT电极。接着，在氢气气氛下在450°C加热处理60分钟而进行氢化处理，然后通过基于等 离子体CVD法的氮化硅的成膜而形成钝化层。接着，在玻璃基板的第2主面侧涂布紫外线 固化性树脂，并通过光刻法形成平坦化层和接触孔。接着，通过溅射法将氧化铟锡成膜，并 通过使用光刻法的蚀刻形成像素电极。
[0262] 接着，通过蒸镀法，在玻璃基板的第2主面侧依次将4, 4'，4"-三（3-甲基苯基 氨基）三苯基胺成膜作为空穴注入层，将双[(N-萘基）-N-苯基]联苯胺成膜作为空穴传 输层，将在8-羟基喹啉铝络合物（Alq3)中混合40体积％的2, 6-双[4-[N_(4-甲氧基苯 基）-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1，5-二甲腈（BSN-BCN)而得到的混合物成膜作为发光 层，将Alq3成膜作为电子传输层。接着，通过溅射法将铝成膜，通过使用光刻法的蚀刻形成 对置电极。接着，在玻璃基板的第2主面侧经由紫外线固化型胶粘层贴合另一张玻璃基板 并密封。根据上述步骤，在玻璃基板上形成有机EL结构体。在玻璃基板上具有有机EL结 构体的玻璃层叠体A(以下，称为面板A)为本发明的带电子器件用构件的层叠体（带支撑 基材的显示装置用面板）。
[0263] 接着，使面板A的密封体侧真空吸附在平台上，然后在面板A的角部的玻璃基板与 有机娃树脂层的界面插入厚度0.1 mm的不镑钢制刀具，从而在玻璃基板与有机娃树脂层的 界面产生剥离的开端。然后，用真空吸附垫吸附面板A的支撑基材表面，然后使吸附垫升 高。此处在从离子发生器（基恩士公司制）向该界面喷吹除电性流体的同时进行刀具的插 入。接着，从离子发生器向形成的空隙持续喷吹除电性流体的同时拉起真空吸附垫。其结 果是，在平台上仅残留形成有有机EL结构体的玻璃基板，可以剥离带有机硅树脂层的支撑 基材。
[0264] 接着，清洁通过与实施例1同样的方法分离的玻璃基板的剥离面，使用激光切割 机或划线-折断法将分离的玻璃基板切断，分割为多个单元后，将形成有有机EL结构体的 玻璃基板与对置基板组装，实施模块形成工序而制作OLED。这样得到的OLED在特性上不会 产生问题。
[0265] 〈实施例 11>
[0266] 本例中，使用实施例1中得到的玻璃层叠体A制造 IXD。
[0267] 首先，准备2片玻璃层叠体A，在一个玻璃层叠体Al中的玻璃基板的第2主面上， 通过等离子体CVD法依次将氮化硅、氧化硅、非晶硅成膜。接着，通过离子掺杂装置向非晶 硅层注入低浓度的硼，在氮气气氛下在450°C加热处理60分钟而进行脱氢处理。接着，利用 激光退火装置进行非晶硅层的结晶化处理。接着，由使用光刻法的蚀刻及离子掺杂装置向 非晶硅层注入低浓度的磷，形成N型和P型的TFT区域。接着，在玻璃基板的第2主面侧， 通过等离子体CVD法将氧化硅膜成膜而形成栅绝缘膜，然后通过溅射法将钼成膜，通过使 用光刻法的蚀刻而形成栅极。接着，通过光刻法和离子掺杂装置，向N型、P型各自所期望 的区域注入高浓度的硼和磷，形成源区域和漏区域。接着，在玻璃基板的第2主面侧，对通 过基于等离子体CVD法的氧化硅的成膜形成的层间绝缘膜通过溅射法进行铝的成膜以及 通过使用光刻法的蚀刻而形成TFT电极。接着，在氢气气氛下在450°C加热处理60分钟而 进行氢化处理，然后通过基于等离子体CVD法的氮化硅的成膜，形成钝化层。接着，在玻璃 基板的第2主面侧，涂布紫外线固化性树脂，通过光刻法形成平坦化层和接触孔。接着，通 过溅射法将氧化铟锡成膜，并通过使用光刻法的蚀刻形成像素电极。
[0268] 接着，在大气气氛下在450°C对另一个玻璃层叠体A2加热处理60分钟。接着，在 玻璃层叠体A中的玻璃基板的第2主面上，通过溅射法将铬成膜，并通过使用光刻法的蚀刻 形成遮光层。接着，在玻璃基板的第2主面侧，通过口模式涂布法涂布彩色光阻剂，通过光 刻法和热固化形成彩色滤光片层。接着，通过溅射法将氧化铟锡成膜，形成对置电极。接 着，在玻璃基板的第2主面侧，通过口模式涂布法涂布紫外线固化树脂液，通过光刻法和热 固化形成柱状间隔物。接着，通过辊涂法涂布聚酰亚胺树脂液，通过热固化形成取向层，并 进行摩擦。
[0269] 接着，通过滴注液晶法将密封用树脂液描绘为框状，在框内通过滴注液晶法滴入 液晶，然后使用上述形成有像素电极的玻璃层叠体A1，使2片玻璃层叠体A的玻璃基板的第 2主面侧彼此贴合，通过紫外线固化和热固化而得到LCD面板。
[0270] 接着，使玻璃层叠体Al的第2主面真空吸附于平台，在玻璃层叠体A2的角部的玻 璃基板与有机硅树脂层的界面插入厚度〇. Imm的不锈钢制刀具，产生玻璃基板的第1主面 与有机硅树脂层的可剥离表面的剥离的开端。此处在从离子发生器（基恩士公司制）向该 界面喷吹除电性流体的同时进行刀具的插入。接着，在从离子发生器向形成的空隙持续喷 吹除电性流体的同时拉起真空吸附垫。然后，利用真空吸附垫吸附玻璃层叠体A2的支撑基 材的第2主面，然后使吸附垫升高。其结果是，在平台上仅残留带有玻璃层叠体Al的支撑 基材的LCD的空盒，可以剥离带有机硅树脂层的支撑基材。
[0271] 接着，使在第1主面形成有彩色滤光片的玻璃基板的第2主面真空吸附于平台，在 玻璃层叠体Al的角部的玻璃基板与有机硅树脂层的界面插入厚度0.1 mm的不锈钢制刀具， 产生玻璃基板的第1主面与有机硅树脂层的可剥离表面的剥离的开端。然后，用真空吸附 垫吸附玻璃层叠体Al的支撑基材的第2主面，然后使吸附垫升高。其结果是，在平台上仅 残留LCD盒，可以剥离固定有有机硅树脂层的支撑基材。这样得到由厚度0.1 mm的玻璃基 板构成的多个LCD的盒。
[0272] 接着，通过切断工序，分割为多个LCD的盒。实施向完成的各LCD盒粘贴偏振板的 工序，接着实施模块形成工序而得到LCD。这样得到的LCD在特性上不会产生问题。
[0273] 〈实施例 12>
[0274] 本例中，使用实施例1中得到的玻璃层叠体A制造 OLED。
[0275] 首先，在玻璃层叠体A中的玻璃基板的第2主面上，通过溅射法将钼成膜，并通过 使用光刻法的蚀刻形成栅极。接着，通过等离子体CVD法，在玻璃基板的第2主面侧进一步 将氮化硅成膜而形成栅绝缘膜，接着通过溅射法将氧化铟镓锌成膜并通过使用光刻法的蚀 刻形成氧化物半导体层。接着，通过等离子体CVD法，在玻璃基板的第2主面侧进一步将氮 化硅成膜而形成沟槽保护层，接着通过溅射法将钼成膜并通过使用光刻法的蚀刻形成源极 和漏极。接着，在大气中在450°C进行60分钟加热处理。接着，在玻璃基板的第2主面侧进 一步通过等离子体CVD法将氮化硅成膜而形成钝化层，接着通过溅射法将氧化铟锡成膜并 通过使用光刻法的蚀刻形成像素电极。
[0276] 接着，通过蒸镀法，在玻璃基板的第2主面侧，依次将4, 4'，4" -三（3-甲基苯基 氨基）三苯基胺成膜作为空穴注入层，将双[(N-萘基）-N-苯基]联苯胺成膜作为空穴传 输层，将在8-羟基喹啉铝络合物（Alq3)中混合40体积％的2, 6-双[4-[N_(4-甲氧基苯 基）-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1，5-二甲腈（BSN-BCN)而得到的混合物成膜作为发光 层，将Alq3成膜作为电子传输层。接着，通过溅射法将铝成膜，并通过使用光刻法的蚀刻形 成对电极。接着，在玻璃基板的第2主面侧，经由紫外线固化型胶粘层贴合另一片玻璃基板 并密封。根据上述步骤，在玻璃基板上形成有机EL结构体。在玻璃基板上具有有机EL结 构体的玻璃层叠体A(以下，称为面板A。）为本发明的带电子器件用构件的层叠体（带支 撑基材的显示装置用面板）。
[0277] 接着，使面板A的密封体侧真空吸附于平台，然后在面板A的角部的玻璃基板与有 机硅树脂层的界面插入厚度0.1 mm的不锈钢制刀具，产生玻璃基板与有机硅树脂层的界面 剥离的开端。然后，用真空吸附垫吸附面板A的支撑基材表面，然后使吸附垫升高。此处在 从离子发生器（基恩士公司制）向该界面喷吹除电性流体的同时进行刀具的插入。接着， 在从离子发生器向形成的空隙持续喷吹除电性流体的同时拉起真空吸附垫。其结果是，在 平台上仅残留形成有有机EL结构体的玻璃基板，可以剥离带有机硅树脂层的支撑基材。
[0278] 接着，清洁通过与实施例1同样的方法分离的玻璃基板的剥离面，使用激光切割 机或划线-折断法将分离的玻璃基板切断，分割为多个单元后，将形成有有机EL结构体的 玻璃基板和对置基板组装，实施模块形成工序而制作OLED。这样得到的OLED在特性上不会 产生问题。
[0279] 本申请基于2012年12月28日申请的日本专利申请2012-286768,其内容作为参 照并入本文中。
[0280] 附图标记
[0281] 10玻璃层叠体
[0282] 12支撑基材
[0283] 14有机硅树脂层
[0284] 14a有机硅树脂层的第1主面
[0285] 16玻璃基板
[0286] 16a玻璃基板的第1主面
[0287] 16b玻璃基板的第2主面
[0288] 18带有机硅树脂层的支撑基材
[0289] 20电子器件用构件
[0290] 22带电子器件用构件的层叠体
[0291] 24带构件的玻璃基板
【主权项】
1. 一种玻璃层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和玻璃基板，所述支撑基材与 所述有机硅树脂层的界面的剥离强度大于所述有机硅树脂层与所述玻璃基板的界面的剥 离强度，其中， 所述有机硅树脂层的有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交联物，并且 通过纳米压痕法测定的所述有机硅树脂层的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。2. 如权利要求1所述的玻璃层叠体，其中，所述可交联有机聚硅氧烷的交联物是使具 有條基的有机聚硅氧烷与具有氛甲娃烷基的有机聚硅氧烷反应而得到的交联物。3. 如权利要求2所述的玻璃层叠体，其中，所述烯基与所述氢甲硅烷基的混合摩尔比 (烯基的摩尔数/氢甲硅烷基的摩尔数）为1/1~1/0. 8。4. 如权利要求1~3中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述有机硅树脂层还含有硅 油。5. 如权利要求1~4中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述有机硅树脂层的厚度为 2 ~100um〇6. 如权利要求1~5中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述支撑基材为玻璃板。7. -种制造权利要求1~6中任一项所述的玻璃层叠体的方法，其中，在支撑基材的单 面形成含有可交联有机聚硅氧烷的层，在所述支撑基材面上使所述可交联有机聚硅氧烷交 联而形成有机硅树脂层，然后在所述有机硅树脂层的表面层叠玻璃基板。8. -种带有机硅树脂层的支撑基材，其具有支撑基材和设置在所述支撑基材面上的有 机硅树脂层，其中， 所述有机硅树脂层的有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交联物，并且 通过纳米压痕法测定的所述有机硅树脂层的弹性模量为0. 5~2. 5MPa。
【专利摘要】本发明涉及一种玻璃层叠体，其依次具备支撑基材、有机硅树脂层和玻璃基板，支撑基材与有机硅树脂层的界面的剥离强度高于有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度，其中，有机硅树脂层的有机硅树脂为可交联有机聚硅氧烷的交联物，并且通过纳米压痕法测定的有机硅树脂层的弹性模量为0.5～2.5MPa。
【IPC分类】B32B17/10, C03C27/10, B32B27/00
【公开号】CN104903095
【申请号】CN201380068732
【发明人】宫古强臣, 照井弘敏, 内田大辅, 山内优
【申请人】旭硝子株式会社
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2013年12月9日
【公告号】WO2014103678A1
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