基板处理装置的制造方法
基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]这里所公开的本发明涉及一种基板处理装置，更具体地涉及一种包括用于排出初级腔室内部的气体的下排气口的基板处理装置。
【背景技术】
[0002]一般来说，选择外延处理涉及沉积反应和蚀刻反应。该沉积反应和蚀刻反应可以以相对不同的反应率同时发生在多晶层以及外延层中。在沉积处理期间，在单晶表面上形成外延层，而现有的多晶层和/或非晶形层则沉积在至少一个第二层上。但是，该已沉积的多晶层通常以比外延层的蚀刻率大的蚀刻率被蚀刻。由此，随着蚀刻气体浓度的改变，净选择处理导致外延材料的沉积或者有限或无限多晶材料的沉积。例如，该选择外延处理可导致在单晶硅表面上形成由含硅材料形成的外延层，而不允许在隔板上留有沉积材料。
[0003]通常，选择外延处理会具有许多限制。为了在外延处理期间保持选择性，应该以沉积处理上的化学浓度和反应温度来调整和控制前驱物。如果硅前驱物供应不足，则会启动蚀刻反应来降低整个处理速率。而且，可能出现对基板特征的有害的过度蚀刻。如果蚀刻剂前驱物供应不足，则沉积反应会导致相对于在基板表面上形成单晶和多晶材料的选择性减少。而且，典型的选择外延处理一般需要大约800°C的高反应温度，例如大约1000°C或以上的反应温度。而由于可能的不受控的氮化反应以及基板表面上的热积存，因此在制造处理期间并不期望高温。
【发明内容】
[0004]技术问题
[0005]本发明提供了一种基板处理装置，其能够有效地排出初级腔室内部的气体。
[0006]本发明还提供了一种基板处理装置，其能够使初级腔室内的基板的污染最小化。
[0007]参阅下面的详细描述以及附图将可了解本发明的其它目的。
[0008]技术方案
[0009]本发明的实施方式提供了一种基板处理装置，该基板处理装置包括:处理腔室，在该处理腔室中执行关于基板的处理；初级腔室，该初级腔室连接至所述处理腔室，所述初级腔室具有供所述基板进出的通道；阻挡板，该阻挡板将所述初级腔室的内部分隔成保持区和传送区；基板保持件，在该基板保持件上加载有至少一个基板，所述基板保持件能切换进入加载位置和处理位置，在所述加载位置，所述基保持件被布置在所述保持区，在所述处理位置，所述基板保持件被布置在所述处理腔室；基板传送单元，该基板传送单元将所述基板保持件从所述加载位置传送至所述处理位置，所述基板传送单元包括连接至所述基板保持件的传送臂以及操作该传送臂的驱动器；气体供应口，该气体供应口将惰性气体供应至所述初级腔室中；以及下排气口，该下排气口连接至所述传送区并且布置在所述气体供应口的上方，以排出所述初级腔室内部的气体，其中所述下排气口被布置成相比于距所述初级腔室的顶面更靠近所述初级腔室的底面。
[0010]在一些实施方式中，所述阻挡板可以具有上排气孔和下排气孔，在所述基板保持件位于所述加载位置的状态下，所述上排气孔定位成高于所述基板保持件且所述下排气孔定位成低于所述基板保持件，并且所述保持区与所述传送区通过所述上排气孔和所述下排气孔而彼此连通。
[0011]在其它一些实施方式中，在所述基板保持件位于所述加载位置的状态下，所述气体供应口可以定位成低于所述基板保持件。
[0012]在又一些其它实施方式中，所述基板处理装置可以进一步包括连接至所述处理腔室以排出所述处理腔室内部的气体的上排气口，以及连接至所述上排气口和所述下排气口的主排气管线。
[0013]有益效果
[0014]根据本发明的实施方式，可以有效地对初级腔室排气，并且可以使初级腔室内的基板的污染最小化。
【附图说明】
[0015]图1是根据本发明实施方式的基板处理装置的示意图；
[0016]图2是其中图1的基板保持件被切换至处理位置的状态的视图；以及
[0017]图3是示出了图1的初级腔室内的气流的视图。
【具体实施方式】
[0018]下面将参照图1至图3对本发明的示例性实施方式详细地进行描述。但是，本发明可以以不同的形式被实施而不应被理解为限于这里所提出的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开全面且完整，并且向本领域技术人员更充分地传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见放大了层和区域的厚度。
[0019]尽管下面将外延处理作为实施例进行描述，但是除了外延处理之外，本发明还可以应用于各种半导体制造处理。
[0020]图1是根据本发明实施方式的基板处理装置的示意图，并且图2是其中图1的基板保持件被切换至处理位置的状态的视图。参照图1，基板处理装置包括具有敞开的上部的下腔室20。而且，该下腔室具有通道21，基板被传送通过该通道。可以通过通道21将基板加载至下腔室20中。可以在通道21的外部安装闸阀(未示出)，并且可以通过该闸阀打开或关闭通道21。
[0021]基板保持件50容纳多个基板。这里，所述多个基板可以被竖直地加载到基板保持件50上。如图1所示，当基板保持件50被定位在下腔室20的初级腔室23和29中(或者“加载位置”处)时，可以将基板加载到基板保持件50内。如下面将描述的，基板孔是能提升的。当将基板加载到基板保持件50的插槽上时，基板保持件50升高以将基板加载到基板保持件50的下一个插槽上。当将基板全部加载到基板保持件50上时，基板保持件50可以移动进入处理腔室35中(或移动到“处理位置”)，以在处理腔室35中执行外延处理，如图2所示。
[0022]基座45布置在基板保持件50的下部上，并与基板保持件50 —起被提升。当基板保持件50被切换到处理位置时，基座45被紧密地附接至凸缘26的底面，以从外部封闭处理腔室35，如图2所示。基座45可以由陶瓷或石英或在金属上涂布陶瓷的材料形成，以避免在处理进行时处理腔室35内的热传递进入初级腔室23和29中。
[0023]阻挡板42直立在初级腔室23和29内，以将初级腔室23和29分隔成保持区23和传送区29。阻挡板42具有分别与保持区23和传送区29连通的上排气孔42a和下排气孔42b。上排气孔42a被限定在位于加载位置的基板保持件50的上方，并且下排气孔42b被限定在位于加载位置的基板保持件50的下方。
[0024]基板保持件50布置在保持区23中，并且用于升高基板保持件50的驱动器被布置在传送区29中。在传送臂41连接至基座45的状态下，传送臂41通过具有窄长形状且限定在阻挡板42中的移动插槽(未示出)而连接至所述驱动器。所述驱动器包括升降螺杆44、托架46和驱动马达48。托架46被布置在升降螺杆44上，以通过升降螺杆44的旋转而上升或下降，并且驱动马达48使升降螺杆44旋转。
[0025]下腔室20包括下排气口 71。这里，下排气口 71被布置成相比于距初级腔室23和29的顶面更靠近该初级腔室的底面。下排气口 71被布置在传送区29中并连接至排气管线81。通过下排气口 71和排气管线81，可排出初级腔室23和29内部的气体。
[0026]气体供应口 61和62连接至初级腔室23和29，以分别向初级腔室23和29中供应惰性气体。气体供应口 61将惰性气体(例如，诸如氮气)供应至保持区23中，并且气体供应口 62将惰性气 体供应至传送区29中。
[0027]内反应管34和外反应管32布置在凸缘26的上方，并且凸缘26布置在下腔室20的上部上。限定在内反应管34中的处理腔室35以及限定在下腔室20内部的初级腔室23和29通过限定在凸缘26的中央部分中的开口而彼此连通。如上所述，当将基板完全加载到基板保持件50上时，基板保持件50可通过所述开口被传送至处理腔室35中。
[0028]内反应管34被布置在外反应管32内，以对处理腔室35内的基板执行外延处理。内反应管34的直径可以小于外反应管32的直径，并且大于基板保持件50的尺寸。由此，内反应管34可提供相对于基板的最小反应空间，以使反应气体的用量最少并且将反应气体集中到基板上。
[0029]供应喷嘴38布置在处理腔室35的一侧上，并且具有不同的高度。供应喷嘴38可连接至反应气体源(未示出)。该反应气体源可供应沉积气体(硅气体(例如SiCl4、SiHCl3、SiH2ClrSiH3CKSi2Hf^SiH4)和载体气体(例如队和/或!12))或蚀刻气体。该选择外延处理涉及沉积反应与蚀刻反应。尽管在当前实施方式中未示出，但如果需要外延层包括掺杂物，则可供应含掺杂物的气体(例如AsH3、PH#P /或B 2H6)。
[0030]类似地，排气喷嘴37布置在处理腔室35的另一侧上，并且具有不同的高度。排气喷嘴37连接至上排气口 36，并且上排气口 36连接至排气管线81。通过上排气口 36和排气管线81，可排出处理腔室35内部的气体。
[0031]在基板保持件50被切换至处理位置的状态下，各供应喷嘴38和排气喷嘴37均可以与加载到基板保持件50上的各基板大致齐平。供应喷嘴38分别向加载于基板保持件50的基板上喷射反应气体。结果，可在处理腔室35内产生未反应气体和副产物。排气喷嘴37抽吸该未反应气体和副产物，以通过排气管线81将该未反应气体和副产物排放到外部。加热单元30可布置成围绕外反应管32。由此，处理腔室35可被加热单元30加热，而达到执行外延处理的温度。
[0032]图3是示出了图1的初级腔室内的气流的视图。下面将参照图3对初级腔室内的气流进行描述。
[0033]如上所述，将基板加载到基板保持件50上。然后，在基板的加载完成时，通过闸阀关闭通道21。此后，通过气体供应口 61和62将惰性气体供应至初级腔室23和29中。然后，通过下排气口 71排出初级腔室23和29内部的气体，由此用惰性气体排掉初级腔室23和29内的空气。此后，使基板保持件50从对应于加载位置的初级腔室23和29移动进入对应于处理位置的处理腔室35中。基座45被紧密附接至凸缘26的底面，并且处理腔室35以及初级腔室23和29彼此隔离。然后，对已经加载到处理腔室35内的基板保持件50上的基板执行外延处理。
[0034]在上述处理中，通过气体供应口 61供应的惰性气体朝向上排气孔42a和下排气孔42b流动，以形成从保持区23至传送区29的气流，从而避免了保持区23内的基板被传送区29内的(由升降螺杆44或托架46产生的)异物污染。通过上排气孔42a和下排气孔42b引入传送区29中的惰性气体通过下排气口 71被排放。
[0035]而且，由于下排气口 71被布置成相比于距传送区29的顶面(或上排气孔42a)更靠近底面(或下排气孔42b)，因此大部分的气流形成为朝向下排气孔42b。这里，该气体会与沉淀在保持区23的下部上的异物一起流入传送区29中，然后通过下排气口 71被排出。这里，由于气流形成为朝向基板保持件50的下部，因此该气流会将异物分散，以避免加载至基板保持件50上的基板被污染。
[0036]通过上排气孔42a形成的气流可清空保持区23的内部，并且用作气帘以防止处理腔室35内的热传递进入基板保持件50中。即，朝向上排气孔42a流动的气体吸收了从处理腔室35朝向保持区23传递的热。然后，吸收热的气体通过上排气孔42a流入传送区29，并且通过下排气口 71被排放至外部。
[0037]尽管参照示例性实施方式详细地描述了本发明，但是本发明可以以许多不同的形式被实施。由此，下面阐述的权利要求的技术思想和范围不限于优选实施方式。
[0038]工业实用性
[0039]本发明可应用于各种类型的半导体制造设备以及半导体制造方法。
【主权项】
1.一种基板处理装置，该基板处理装置包括: 处理腔室，在该处理腔室中执行关于基板的处理； 初级腔室，该初级腔室连接至所述处理腔室，所述初级腔室具有供所述基板进出的通道; 阻挡板，该阻挡板将所述初级腔室的内部分隔成保持区和传送区； 基板保持件，在该基板保持件上加载有至少一个基板，所述基板保持件能切换进入加载位置和处理位置，在所述加载位置，所述基保持件被布置在所述保持区，在所述处理位置，所述基板保持件被布置在所述处理腔室； 基板传送单元，该基板传送单元将所述基板保持件从所述加载位置传送至所述处理位置，所述基板传送单元包括连接至所述基板保持件的传送臂以及操作该传送臂的驱动器；气体供应口，该气体供应口将惰性气体供应至所述初级腔室中；以及下排气口，该下排气口连接至所述传送区并且布置在所述气体供应口的上方，以排出所述初级腔室内部的气体， 其中，所述下排气口被布置成相比于距所述初级腔室的顶面更靠近所述初级腔室的底面。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述阻挡板具有上排气孔和下排气孔，在所述基板保持件位于所述加载位置的状态下，所述上排气孔定位成高于所述基板保持件且所述下排气孔定位成低于所述基板保持件，并且 所述保持区与所述传送区通过所述上排气孔和所述下排气孔而彼此连通。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，在所述基板保持件位于所述加载位置的状态下，所述气体供应口定位成低于所述基板保持件。4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，该基板处理装置进一步包括连接至所述处理腔室以排出所述处理腔室内部的气体的上排气口，以及连接至所述上排气口和所述下排气口的主排气管线。
【专利摘要】本发明提供了一种基板处理装置，其包括：处理腔室，在其中执行关于基板的处理；初级腔室，其连接至处理腔室并具有供基板进出的通道；阻挡板，其将初级腔室的内部分成保持区和传送区；基板保持件，在其上加载有至少一个基板，能切换进入加载位置和处理位置，在加载位置，基保持件被布置在保持区，在处理位置，基板保持件被布置在处理腔室；基板传送单元，其将基板保持件从加载位置传送至处理位置，并包括连接至基板保持件的传送臂及操作传送臂的驱动器；气体供应口，其将惰性气体供应至初级腔室中；和下排气口，其连接至传送区并布置在气体供应口的上方以排出初级腔室内部的气体。下排气口布置成相比于距初级腔室的顶面更靠近初级腔室的底面。
【IPC分类】H01L21/20, H01L21/205
【公开号】CN104903994
【申请号】CN201480003769
【发明人】梁日光, 宋炳奎, 金劲勋, 金龙基, 申良湜
【申请人】株式会社Eugene科技
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2014年1月9日
【公告号】US20150337460, WO2014112747A1
【技术领域】
[0001]这里所公开的本发明涉及一种基板处理装置，更具体地涉及一种包括用于排出初级腔室内部的气体的下排气口的基板处理装置。
【背景技术】
[0002]一般来说，选择外延处理涉及沉积反应和蚀刻反应。该沉积反应和蚀刻反应可以以相对不同的反应率同时发生在多晶层以及外延层中。在沉积处理期间，在单晶表面上形成外延层，而现有的多晶层和/或非晶形层则沉积在至少一个第二层上。但是，该已沉积的多晶层通常以比外延层的蚀刻率大的蚀刻率被蚀刻。由此，随着蚀刻气体浓度的改变，净选择处理导致外延材料的沉积或者有限或无限多晶材料的沉积。例如，该选择外延处理可导致在单晶硅表面上形成由含硅材料形成的外延层，而不允许在隔板上留有沉积材料。
[0003]通常，选择外延处理会具有许多限制。为了在外延处理期间保持选择性，应该以沉积处理上的化学浓度和反应温度来调整和控制前驱物。如果硅前驱物供应不足，则会启动蚀刻反应来降低整个处理速率。而且，可能出现对基板特征的有害的过度蚀刻。如果蚀刻剂前驱物供应不足，则沉积反应会导致相对于在基板表面上形成单晶和多晶材料的选择性减少。而且，典型的选择外延处理一般需要大约800°C的高反应温度，例如大约1000°C或以上的反应温度。而由于可能的不受控的氮化反应以及基板表面上的热积存，因此在制造处理期间并不期望高温。
【发明内容】
[0004]技术问题
[0005]本发明提供了一种基板处理装置，其能够有效地排出初级腔室内部的气体。
[0006]本发明还提供了一种基板处理装置，其能够使初级腔室内的基板的污染最小化。
[0007]参阅下面的详细描述以及附图将可了解本发明的其它目的。
[0008]技术方案
[0009]本发明的实施方式提供了一种基板处理装置，该基板处理装置包括:处理腔室，在该处理腔室中执行关于基板的处理；初级腔室，该初级腔室连接至所述处理腔室，所述初级腔室具有供所述基板进出的通道；阻挡板，该阻挡板将所述初级腔室的内部分隔成保持区和传送区；基板保持件，在该基板保持件上加载有至少一个基板，所述基板保持件能切换进入加载位置和处理位置，在所述加载位置，所述基保持件被布置在所述保持区，在所述处理位置，所述基板保持件被布置在所述处理腔室；基板传送单元，该基板传送单元将所述基板保持件从所述加载位置传送至所述处理位置，所述基板传送单元包括连接至所述基板保持件的传送臂以及操作该传送臂的驱动器；气体供应口，该气体供应口将惰性气体供应至所述初级腔室中；以及下排气口，该下排气口连接至所述传送区并且布置在所述气体供应口的上方，以排出所述初级腔室内部的气体，其中所述下排气口被布置成相比于距所述初级腔室的顶面更靠近所述初级腔室的底面。
[0010]在一些实施方式中，所述阻挡板可以具有上排气孔和下排气孔，在所述基板保持件位于所述加载位置的状态下，所述上排气孔定位成高于所述基板保持件且所述下排气孔定位成低于所述基板保持件，并且所述保持区与所述传送区通过所述上排气孔和所述下排气孔而彼此连通。
[0011]在其它一些实施方式中，在所述基板保持件位于所述加载位置的状态下，所述气体供应口可以定位成低于所述基板保持件。
[0012]在又一些其它实施方式中，所述基板处理装置可以进一步包括连接至所述处理腔室以排出所述处理腔室内部的气体的上排气口，以及连接至所述上排气口和所述下排气口的主排气管线。
[0013]有益效果
[0014]根据本发明的实施方式，可以有效地对初级腔室排气，并且可以使初级腔室内的基板的污染最小化。
【附图说明】
[0015]图1是根据本发明实施方式的基板处理装置的示意图；
[0016]图2是其中图1的基板保持件被切换至处理位置的状态的视图；以及
[0017]图3是示出了图1的初级腔室内的气流的视图。
【具体实施方式】
[0018]下面将参照图1至图3对本发明的示例性实施方式详细地进行描述。但是，本发明可以以不同的形式被实施而不应被理解为限于这里所提出的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开全面且完整，并且向本领域技术人员更充分地传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见放大了层和区域的厚度。
[0019]尽管下面将外延处理作为实施例进行描述，但是除了外延处理之外，本发明还可以应用于各种半导体制造处理。
[0020]图1是根据本发明实施方式的基板处理装置的示意图，并且图2是其中图1的基板保持件被切换至处理位置的状态的视图。参照图1，基板处理装置包括具有敞开的上部的下腔室20。而且，该下腔室具有通道21，基板被传送通过该通道。可以通过通道21将基板加载至下腔室20中。可以在通道21的外部安装闸阀(未示出)，并且可以通过该闸阀打开或关闭通道21。
[0021]基板保持件50容纳多个基板。这里，所述多个基板可以被竖直地加载到基板保持件50上。如图1所示，当基板保持件50被定位在下腔室20的初级腔室23和29中(或者“加载位置”处)时，可以将基板加载到基板保持件50内。如下面将描述的，基板孔是能提升的。当将基板加载到基板保持件50的插槽上时，基板保持件50升高以将基板加载到基板保持件50的下一个插槽上。当将基板全部加载到基板保持件50上时，基板保持件50可以移动进入处理腔室35中(或移动到“处理位置”)，以在处理腔室35中执行外延处理，如图2所示。
[0022]基座45布置在基板保持件50的下部上，并与基板保持件50 —起被提升。当基板保持件50被切换到处理位置时，基座45被紧密地附接至凸缘26的底面，以从外部封闭处理腔室35，如图2所示。基座45可以由陶瓷或石英或在金属上涂布陶瓷的材料形成，以避免在处理进行时处理腔室35内的热传递进入初级腔室23和29中。
[0023]阻挡板42直立在初级腔室23和29内，以将初级腔室23和29分隔成保持区23和传送区29。阻挡板42具有分别与保持区23和传送区29连通的上排气孔42a和下排气孔42b。上排气孔42a被限定在位于加载位置的基板保持件50的上方，并且下排气孔42b被限定在位于加载位置的基板保持件50的下方。
[0024]基板保持件50布置在保持区23中，并且用于升高基板保持件50的驱动器被布置在传送区29中。在传送臂41连接至基座45的状态下，传送臂41通过具有窄长形状且限定在阻挡板42中的移动插槽(未示出)而连接至所述驱动器。所述驱动器包括升降螺杆44、托架46和驱动马达48。托架46被布置在升降螺杆44上，以通过升降螺杆44的旋转而上升或下降，并且驱动马达48使升降螺杆44旋转。
[0025]下腔室20包括下排气口 71。这里，下排气口 71被布置成相比于距初级腔室23和29的顶面更靠近该初级腔室的底面。下排气口 71被布置在传送区29中并连接至排气管线81。通过下排气口 71和排气管线81，可排出初级腔室23和29内部的气体。
[0026]气体供应口 61和62连接至初级腔室23和29，以分别向初级腔室23和29中供应惰性气体。气体供应口 61将惰性气体(例如，诸如氮气)供应至保持区23中，并且气体供应口 62将惰性气 体供应至传送区29中。
[0027]内反应管34和外反应管32布置在凸缘26的上方，并且凸缘26布置在下腔室20的上部上。限定在内反应管34中的处理腔室35以及限定在下腔室20内部的初级腔室23和29通过限定在凸缘26的中央部分中的开口而彼此连通。如上所述，当将基板完全加载到基板保持件50上时，基板保持件50可通过所述开口被传送至处理腔室35中。
[0028]内反应管34被布置在外反应管32内，以对处理腔室35内的基板执行外延处理。内反应管34的直径可以小于外反应管32的直径，并且大于基板保持件50的尺寸。由此，内反应管34可提供相对于基板的最小反应空间，以使反应气体的用量最少并且将反应气体集中到基板上。
[0029]供应喷嘴38布置在处理腔室35的一侧上，并且具有不同的高度。供应喷嘴38可连接至反应气体源(未示出)。该反应气体源可供应沉积气体(硅气体(例如SiCl4、SiHCl3、SiH2ClrSiH3CKSi2Hf^SiH4)和载体气体(例如队和/或!12))或蚀刻气体。该选择外延处理涉及沉积反应与蚀刻反应。尽管在当前实施方式中未示出，但如果需要外延层包括掺杂物，则可供应含掺杂物的气体(例如AsH3、PH#P /或B 2H6)。
[0030]类似地，排气喷嘴37布置在处理腔室35的另一侧上，并且具有不同的高度。排气喷嘴37连接至上排气口 36，并且上排气口 36连接至排气管线81。通过上排气口 36和排气管线81，可排出处理腔室35内部的气体。
[0031]在基板保持件50被切换至处理位置的状态下，各供应喷嘴38和排气喷嘴37均可以与加载到基板保持件50上的各基板大致齐平。供应喷嘴38分别向加载于基板保持件50的基板上喷射反应气体。结果，可在处理腔室35内产生未反应气体和副产物。排气喷嘴37抽吸该未反应气体和副产物，以通过排气管线81将该未反应气体和副产物排放到外部。加热单元30可布置成围绕外反应管32。由此，处理腔室35可被加热单元30加热，而达到执行外延处理的温度。
[0032]图3是示出了图1的初级腔室内的气流的视图。下面将参照图3对初级腔室内的气流进行描述。
[0033]如上所述，将基板加载到基板保持件50上。然后，在基板的加载完成时，通过闸阀关闭通道21。此后，通过气体供应口 61和62将惰性气体供应至初级腔室23和29中。然后，通过下排气口 71排出初级腔室23和29内部的气体，由此用惰性气体排掉初级腔室23和29内的空气。此后，使基板保持件50从对应于加载位置的初级腔室23和29移动进入对应于处理位置的处理腔室35中。基座45被紧密附接至凸缘26的底面，并且处理腔室35以及初级腔室23和29彼此隔离。然后，对已经加载到处理腔室35内的基板保持件50上的基板执行外延处理。
[0034]在上述处理中，通过气体供应口 61供应的惰性气体朝向上排气孔42a和下排气孔42b流动，以形成从保持区23至传送区29的气流，从而避免了保持区23内的基板被传送区29内的(由升降螺杆44或托架46产生的)异物污染。通过上排气孔42a和下排气孔42b引入传送区29中的惰性气体通过下排气口 71被排放。
[0035]而且，由于下排气口 71被布置成相比于距传送区29的顶面(或上排气孔42a)更靠近底面(或下排气孔42b)，因此大部分的气流形成为朝向下排气孔42b。这里，该气体会与沉淀在保持区23的下部上的异物一起流入传送区29中，然后通过下排气口 71被排出。这里，由于气流形成为朝向基板保持件50的下部，因此该气流会将异物分散，以避免加载至基板保持件50上的基板被污染。
[0036]通过上排气孔42a形成的气流可清空保持区23的内部，并且用作气帘以防止处理腔室35内的热传递进入基板保持件50中。即，朝向上排气孔42a流动的气体吸收了从处理腔室35朝向保持区23传递的热。然后，吸收热的气体通过上排气孔42a流入传送区29，并且通过下排气口 71被排放至外部。
[0037]尽管参照示例性实施方式详细地描述了本发明，但是本发明可以以许多不同的形式被实施。由此，下面阐述的权利要求的技术思想和范围不限于优选实施方式。
[0038]工业实用性
[0039]本发明可应用于各种类型的半导体制造设备以及半导体制造方法。
【主权项】
1.一种基板处理装置，该基板处理装置包括: 处理腔室，在该处理腔室中执行关于基板的处理； 初级腔室，该初级腔室连接至所述处理腔室，所述初级腔室具有供所述基板进出的通道; 阻挡板，该阻挡板将所述初级腔室的内部分隔成保持区和传送区； 基板保持件，在该基板保持件上加载有至少一个基板，所述基板保持件能切换进入加载位置和处理位置，在所述加载位置，所述基保持件被布置在所述保持区，在所述处理位置，所述基板保持件被布置在所述处理腔室； 基板传送单元，该基板传送单元将所述基板保持件从所述加载位置传送至所述处理位置，所述基板传送单元包括连接至所述基板保持件的传送臂以及操作该传送臂的驱动器；气体供应口，该气体供应口将惰性气体供应至所述初级腔室中；以及下排气口，该下排气口连接至所述传送区并且布置在所述气体供应口的上方，以排出所述初级腔室内部的气体， 其中，所述下排气口被布置成相比于距所述初级腔室的顶面更靠近所述初级腔室的底面。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述阻挡板具有上排气孔和下排气孔，在所述基板保持件位于所述加载位置的状态下，所述上排气孔定位成高于所述基板保持件且所述下排气孔定位成低于所述基板保持件，并且 所述保持区与所述传送区通过所述上排气孔和所述下排气孔而彼此连通。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，在所述基板保持件位于所述加载位置的状态下，所述气体供应口定位成低于所述基板保持件。4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，该基板处理装置进一步包括连接至所述处理腔室以排出所述处理腔室内部的气体的上排气口，以及连接至所述上排气口和所述下排气口的主排气管线。
【专利摘要】本发明提供了一种基板处理装置，其包括：处理腔室，在其中执行关于基板的处理；初级腔室，其连接至处理腔室并具有供基板进出的通道；阻挡板，其将初级腔室的内部分成保持区和传送区；基板保持件，在其上加载有至少一个基板，能切换进入加载位置和处理位置，在加载位置，基保持件被布置在保持区，在处理位置，基板保持件被布置在处理腔室；基板传送单元，其将基板保持件从加载位置传送至处理位置，并包括连接至基板保持件的传送臂及操作传送臂的驱动器；气体供应口，其将惰性气体供应至初级腔室中；和下排气口，其连接至传送区并布置在气体供应口的上方以排出初级腔室内部的气体。下排气口布置成相比于距初级腔室的顶面更靠近初级腔室的底面。
【IPC分类】H01L21/20, H01L21/205
【公开号】CN104903994
【申请号】CN201480003769
【发明人】梁日光, 宋炳奎, 金劲勋, 金龙基, 申良湜
【申请人】株式会社Eugene科技
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2014年1月9日
【公告号】US20150337460, WO2014112747A1
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