高分辨率有机发光二极管器件的制作方法
高分辨率有机发光二极管器件的制作方法
【专利说明】
[0001] 对相关申请的交叉引用 该申请要求2013年1月17日提交的美国临时专利申请号61/753, 692和2013年9月 18日提交的美国非临时申请号14/030,776的优先权，其两者通过引用整体地结合在本文 中。
技术领域
[0002] 本公开内容的方面大体上设及电子显示器和用于制作电子显示器的方法。更具体 而言，本公开内容的方面设及在衬底上沉积有机发光层W制造高分辨率显示器。
【背景技术】
[0003] 在本文中使用的段落标题仅为了组织的目的并且不要被理解为W任何方式限制 描述的主题内容。
[0004] 电子显示器存在于许多不同种类的电子设备(诸如比如电视屏幕、计算机监视器、 手机、智能手机、平板电脑、手持游戏控制台等)中。一种类型的电子显示器依赖于有机发光 二极管（0LED)技术。0L邸技术利用夹在设置在衬底上的两个电极之间的有机发光层。电 压能够跨过电极来施加，从而引起电荷载流子被激发和被注入到有机发光层中。光发射能 够当电荷载流子弛豫回到正常能态时通过光致发射来发生。因为每个像素能够单独被寻址 W仅在被寻址的像素内产生光发射，所W0L邸技术能够提供带有相对高对比率的显示器。 由于像素的发射性质，0L邸显示器也能够提供广的观看角度。0L邸显示器的功率效率与其 它显示技术相比能够被改进，因为0L邸像素仅当直接被驱动时才消耗功率。额外地，由于 该技术的光生成性质，产生的面板能够比在其它显示技术中薄得多，从而消除对在显示器 本身和薄的器件结构内的光源的需要。由于有源0L邸层的柔顺的性质，0L邸显示器也能 够被制造成柔性的和可弯曲的。
[0005] 喷墨印刷是能够在0L邸制造中被利用的技术，并且可W减少制造成本。喷墨印刷 使用从喷嘴W高速度喷出的含有0L邸层材料和一个或多个载液的墨的液滴W产生一个或 多个有源0L邸层，该一个或多个有源0L邸层包含比如空穴注入层、空穴输运层、电子阻挡 层、有机光发射层、电子输运层、电子注入层、和空穴阻挡层。
[0006] 为了形成子像素并且防止0L邸墨免于在限定的子像素之间扩展，在衬底上提供 诸如岸（bank)的限制结构W限定限制井。喷墨印刷方法能够要求相当大的精确度。特别 地，随着像素密度增加，限制井的限制面积减少并且在液滴放置中的小误差能够引起液滴 被沉积在预期的井外。另外，液滴体积能够关于限制井太大并且液滴能够非期望地溢出到 邻近的子像素中。此外，由于薄膜干燥非理想性，能够在限制井的边缘处形成不均匀性。随 着限制井面积减少，不均匀性能够侵占像素的有源发射区域，从而创建由不均匀性引起的 在来自像素的光发射中的非期望视觉伪象。此外，由于限制结构，减少每个像素的有源区域 与总区域(有源区域和非有源区域两者）的比率(被称为"填充因子")，该进而能够减少显示 器的寿命，因为每个像素必须使用更多的电流来驱动W实现等同的显示亮度级并且使用更 多的电流来驱动每个像素对减少像素寿命是已知的。
[0007] 尽管传统喷墨方法处理与0L邸制造相关联的一些挑战，但是存在对改进的持续 的需要。比如，存在对下述的持续的需要：特别地针对具有高分辨率(即高像素密度)的0L邸 显示器，减少0L邸制造工艺对液滴放置精确度的灵敏度。另外，存在对下述的需要；减少由 高分辨率显示器中的有机发光层的沉积创建的非期望视觉伪象。也存在对下述的需要：通 过改进每个像素的填充因子使得增加与有源元件相关联的面积来改进器件寿命。进一步， 存在对在下述方面的改进的需要；使用和制造高分辨率显示器应用中的0L邸显示器，该高 分辨率显示器应用包含但不被限制到比如：高分辨率移动电话和平板计算机，该提出在实 现可接受的分辨率、功率效率、显示器寿命、和制造成本中的挑战。
【发明内容】
[0008] 本公开内容可W解决W上提及的问题中的一个或多个和/或实现W上提及的期 望的特征中的一个或多个。其它特征和/或优点可W从下面的描述变为显而易见的。
[0009] 依据本公开内容的示范性实施例，制造有机发光二极管（0LED)显示器的方法能够 包含；在衬底上提供与第一子像素相关联的第一电极和与第二子像素相关联的第二电极， 其中在第一电极和第二电极之间形成间隙并且其中第一电极和第二电极被定位在井中，该 井具有由衬底上的限制结构限定的边界。该方法也能够包含；在带有定位在其中的电极的 井中沉积有源0L邸材料W形成有源0L邸材料的基本上连续的层，该基本上连续的层跨越 井的边界使得背对衬底的有源0L邸材料的层的表面具有非平面形貌。沉积能够经由喷墨 印刷。本公开内容也设想依据W上方法制作的有机发光二极管（0LED)显示器。
[0010] 依据本公开内容的额外示范性实施例，有机发光二极管（0LED)显示器能够包含： 第一电极，设置在衬底上，其中第一电极与第一子像素相关联；和第二电极，设置在衬底上 并且与第一电极间隔开W提供在第一电极和第二电极之间的间隙，其中第二电极与第二子 像素相关联。显示器能够进一步包含；限制结构，定位在衬底上W限定含有第一电极和第二 电极的井的边界；和基本上连续的有源0L邸材料层，该基本上连续的有源OLm)材料层跨越 井的边界并且被设置在第一电极和第二电极之上，其中背对衬底的有源0L邸材料层的表 面具有非平面形貌。
[0011] 额外的对象和优点将在下面的描述中部分地被阐明，并且从该描述将部分地明 显，或可W通过实践本教导被了解。本公开内容的对象和优点中的至少一些可W借助于在 所附权利要求书中特别指出的要素和组合来实现和得到。
[0012] 要理解：前述大体描述和下面详细描述两者仅是示范性和解释性的，并且不是对 如要求被保护的发明的约束。应该理解；在该发明的最广的意思上，在不具有该些示范性方 面和实施例的一个或多个特征的情况下能够实践该发明。
【附图说明】
[0013] 被合并在该说明书中并且构成该说明书的部分的附图连同描述一起图解本公开 内容的一些示范性实施例，用来解释特定原理。在附图中， 图1是传统像素布置的部分平面视图； 图2是依据本公开内容的示范性像素布置的部分平面视图； 图3A是依据本公开内容的示范性实施例的沿着图1中的线3A-3A的限制井的横截面 视图； 图3B是依据本公开内容的示范性实施例的沿着图1中的线3B-3B的多个限制井的横 截面视图； 图4是类似于图3A的视图的依据本公开内容的限制井的另一个示范性实施例的横截 面视图； 图5A是类似于图3A的视图的依据本公开内容的限制井的另一个示范性实施例的横截 面视图； 图5B是类似于图3B的视图的依据本公开内容的限制井的另一个实施例的横截面视 图； 图6是依据本公开内容的限制井的又一个示范性实施例的横截面视图； 图7是依据本公开内容的限制井的又一个示范性实施例的横截面视图； 图8-11是依据本公开内容的限制井的另一个示范性实施例的横截面视图和用于创建 0L邸显示器的示范性步骤； 图12-19是依据本公开内容的各种示范性像素布置的部分平面视图； 图20是包含依据本公开内容的电子显示器的示范性设备的前视图；并且 图21是包含依据本公开内容的电子显示器的另一个示范性设备的前视图。
【具体实施方式】
[0014] 现在对本公开内容的各种示范性实施例将进行详细参考，在附图中图解本公开内 容的示例。只要有可能，贯穿附图，相同的参考数字将被用来指的是相同或相似的部分。
[0015] 对该说明书和所附权利要求书而言，除非另外指示，在说明书和权利要求书中使 用的表达数量、百分比、或比例的所有数字和其它数值要理解为在所有实例中通过术语"大 约"被修改到它们尚未被如此修改的程度。所W，除非相反地指示，在下面说明书和所附权 利要求书中阐明的数字参数是可W取决于设法得到的期望属性而变化的近似。起码并且不 作为限制等同原则到权利要求书范围的应用的企图，每个数字参数至少应该根据报告的有 效数字的数目并且通过应用普通的舍入技术来理解。
[0016] 指出的是，如在该说明书和所附权利要求书中使用的，单数形式"一（a)"、"一个 (an)"、和"该（the)"W及任何单词的任何单数使用包含复数指示物，除非明确地和不含糊 地被限制到一个指示物。如在本文中使用的，术语"包含"和它的文法异体意图是非限制的， 使得在列表中的项目的叙述不排除能够代替或被添加到所列项目的其它相似项目。
[0017] 进一步，该说明的术语不意图限制该发明。比如，空间相对的术语诸如"在...下 方"、"在...之下"、"下"、"顶部"、"底部"、"在...上方"、"上"、"水平的"、"垂直的"等等可 W被用来描述一个要素或特征与另一个要素或特征的关系，如在附图中图解的。该些空间 相对的术语意图涵盖在使用或操作中的器件的不同定位（即位置）和定向（即旋转放置)，除 了在附图中示出的定位和定向之外。比如，如果在附图中的器件被翻转，被描述为"在其它 要素或特征之下"或"在其它要素或特征下方"的要素则将是"在其它要素或特征上方"或 "在其它要素或特征之上"。因而，示范性术语"在...之下"能够取决于器件的整体定向来 涵盖"在...上方"和"在...之下"的定位和定向两者。器件可别的方式被定向（被 旋转90度或处于其它定向）并且在本文中使用的空间相对的描述符被相应地解释。
[0018] 如在本文中使用的，"像素"意图表示发光像素阵列的最小的功能完整和重复单 元。术语"子像素"意图表示像素的部分，该像素的部分组成像素的分立发光部分，但是不 必要是发光部分中的所有。比如，在全彩显示器中，像素能够包含=基色子像素，诸如红色、 绿色、和藍色。在单色显示器中，术语子像素和像素是等同的，并且可W可互换地使用。
[0019] 术语"禪合"当被用来指的是电子部件时意图表示两个或更多个电子部件、电路、 系统或者（1)至少一个电子部件、（2 )至少一个电路、或（3 )至少一个系统的任何组合W如 下该样的方式的连接、链接、或联合：使得信号(例如，电流、电压、或光信号）能够彼此传递。 两个或更多个电子部件、电路或系统的连接、链接、或联合能够是直接的；替选地可W存在 居间的连接、链接、或联合，并且因而禪合不必要要求物理连接。
[0020] 本领域一位普通技术人员通常将接受术语"高分辨率"表示大于100像素/英寸 (PPi)的分辨率，其中300ppi有时能够被称为非常高的分辨率。本领域一位普通技术人员 也将意识到像素密度不直接与显示器的尺寸相关。在本文中公开的各种示范性实施例能够 被用来在小的显示器尺寸中和在大的显示器尺寸中实现高分辨率。比如，具有大约3英寸 到大约11英寸的尺寸的显示器能够被实施为高分辨率显示器。另外，具有更大尺寸的显示 器，诸如高到55''和超过55''的电视显示器，也能够与在本文中描述的各种示范性实施例 一起使用W实现高分辨率显示器。
[0021] 如在本文中使用的，在"表面上"的层或结构包含下述情形两者；该层直接邻近该 表面和与该表面直接接触，在该表面之上形成该层；W及在表面之上形成的该层或结构之 间存在居间层或结构。
[0022] 各种因素能够影响在0L邸显示器制造技术中的有机光发射层的沉积精确度，该 样的因素比如包含；显示器分辨率；液滴尺寸；目标液滴面积；液滴放置误差；与0L邸层材 料(例如，有源0L邸材料）墨相关联的流体属性(例如，表面张力、粘性、沸点)，该0L邸层材 料墨由0L邸层材料和一个或多个载液的组合组成；和速率，液滴W该速率被沉积。随着显 示器分辨率增加，比如大于100ppi或比如大于300ppi,在使用用于0L邸显示器制造的喷 墨印刷技术中产生各种问题。在传统印刷技术中使用的高精确度喷墨头能够产生范围为大 约1皮升（pU到大约50皮升（pL)的液滴尺寸，其中对于高精确度喷墨印刷应用而言大约 10pL是相对常见的尺寸。传统的喷墨印刷系统的液滴放置准确度大约是±10ym。在各 种示范性实施例中，在衬底上能够提供限制井W对液滴放置误差进行补偿。限制井能够是 防止0L邸材料免于迁移超过期望的子像素区域的结构。为了确保液滴准确地落在衬底上 的期望位置处，诸如整体地在限制井内，各种示范性实施例将限制井配置为与液滴直径加 上两倍系统的液滴放置误差一样宽。比如，10pL液滴的直径大约是25ym并且因而前述 的参数将指示使用在它的最小尺度中的至少45ym(25ym+ (2*10ym))的限制井。甚 至对于IpL的液滴而言，液滴直径是12ym，该指示在它的最小尺度中的至少32ym的限 制井。
[0023] 依赖于在它的最小尺度中的至少45ym的限制井的各种像素布局能够被用在具 有高到100ppi的分辨率的0L邸显示器中。然而，比如在大于100ppi的高分辨率显示器 中，10pL液滴太大并且液滴放置准确度太差而不能可靠地提供液滴到围绕每个子像素的 限制井中的一致加载。此外，如W上指出的，对于高分辨率显示器，W用来限定限制井的结 构来覆盖增加数量的显示区域能够负面地影响每个像素的填充因子，其中填充因子被限定 为像素的发光面积相对于总的像素面积的比率。随着填充因子减小，必须更强力地驱动每 个像素W实现相同的总体显示亮度，由此减小显示器的每个像素的寿命和性能。
[0024]为了进一步图解与非常高的分辨率显示器一起工作的W上提及的挑战中的一些， 图1图解一个传统的像素布局1700。像素1750能够包括W并排配置来布置的子像素1720、 1730、1740,子像素1720与在红色光谱范围中的光发射相关联，子像素1730与在绿色光谱 范围中的光发射相关联，并且子像素1740与在藍色光谱范围中的光发射相关联。每个子像 素能够被限制结构1704围绕，该限制结构1704形成直接对应于子像素1720、1730、1740的 限制井。一个子像素电极能够与每个限制井相关联，使得电极1726对应于子像素1720,电 极1736对应于子像素1730,并且电极1746对应于子像素1740。子像素1720能够具有宽 度D，子像素1730能够具有宽度C，并且子像素1740能够具有宽度B，其可W彼此相同或不 同。如所示出的，所有的子像素能够具有长度A。此外，尺度E、F、和G能够指示在限审阱开 口之间的间隔。在一些实例中分配给尺度E、F、G的值能够非常大，例如特定地在较低分辨 率显示器中大于100ym。然而，对于更高分辨率显示器，期望的是最小化该些尺度W最大 化有源像素面积并且因而最大化填充因子。如在图1中图解的，由阴影区指示的有源像素 区域是在子像素限制井中的每个内的整个区域。
[00巧]各种因素能够影响尺度E、F、G，诸如比如针对该些尺度的最小值能够受处理方法 约束。比如，在本文中描述的各种图解的实施例中，E=F=G=12ym作为最小尺度。比如，在 具有326ppi分辨率的显示器中，像素节距能够等于78ym并且E=F=G=12ym。与子像素 1720、1730、1740中的每个相关联的限制井能够具有14ymX66ym(即尺度BXA、CXA、和 DXA)的目标液滴面积，其中14ym显著地小于W上关于使用具有10pL体积的喷墨液滴 讨论的45ym最小尺度。它也小于W上针对1pL液滴讨论的32ym尺度。此外，限定为 有源像素面积（即与光发射相关联的面积）和总的像素面积的比率的像素填充因子是46%。 换句话说，像素面积的54%对应于限制结构1704。沿着相同的线，在具有440ppi分辨率的 显示器中，像素节距？能够等于58^111并且6=。=6=12^111。与发射子像素1720、1730、1740 中的每个相关联的限制井能够具有比如7ymX46ym的目标液滴面积，其中7ym的尺度 显著地小于W上针对10pL和1pL喷墨液滴两者的准确液滴放置来讨论的最小尺度。在 该个实例中，用于具有440ppi的显示器的填充因子大约是30%。
[0026] 在本文中描述的依据各种示范性实施例的沉积技术能够提供在限制井的加载和 用于电子显示器诸如比如高分辨率显示器的有源0L邸层的沉积方面的改进的可靠性。有 源0L邸层能够比如包含下面层中的一个或多个：空穴注入层、空穴输运层、电子阻挡层、有 机光发射层、电子输运层、电子注入层、和空穴阻挡层。W上识别的有源0L邸层中的一些的 实施是优选的并且一些有源0L邸层的实施对电子显示器是可选的。比如，至少一个空穴导 电层诸如空穴注入层或空穴输运层W及有机光发射层必须存在。所有其它W上识别的层可 W根据需要被包含W变更(例如改进）电子显示器诸如0L邸显示器的光发射和功率效率。
[0027] 在本文中描述的限制井配置的各种示范性实施例能够增加限制井的尺寸同时维 持高像素分辨率。比如，各种示范性实施例使用跨越多个子像素的相对大的限制井，由此能 够实现使用相对可获得的液滴尺寸和在有源0LED层的沉积中的传统印刷系统准确度，同 时也实现相对高的像素密度。相应地，沉积范围为1pL到50pL的液滴体积的喷墨喷嘴能 够被使用，而不要求特殊配置或重新配置的带有更小液滴体积的喷头（printhead)和新的 印刷系统，其可W是或可W不是可获得的。另外，通过使用该样更大的限制井，小的制造误 差对沉积精确度将不具有显著的负面效果，并且沉积的有源0L邸层能够保持被含在限制 井内。
[0028] 依据各种示范性实施例，喷墨印刷技术能够提供有源0L邸层的足够均匀的沉积。 比如，典型地在0L邸显示器中使用的各种部件产生下述形貌；该形貌在限制井的顶部表面 层上具有变化的高度，比如相差大约100纳米（nm)或更多的高度。比如，诸如电极的部件 可W被沉积在衬底上，使得在相邻电极之间形成间隙W形成分开可寻址的电极，该电极每 个与不同子像素相关联。不管哪些有源0L邸层被沉积在设置在显示器的衬底上的电极之 上，在相邻电极之间的区中在显示器的衬底的顶部表面和电极的顶部表面的平面之间的高 度差能够促成随后沉积的0L邸层的形貌。依据本公开内容的示范性喷墨印刷技术和产生 的显示器允许有源0L邸层被沉积，使得有源0L邸层的厚度比如在有源电极区之上是足够 均匀的，其中有源电极区能够是与有源子像素区域相关联的电极的区，光从该有源子像素 区域发射。在示范性实施例中，至少在有源电极区之上的0L邸层的厚度能够小于子像素电 极的厚度。在有源电极区域之上的0L邸层的足够均匀的厚度能够减少非期望的视觉伪象。 比如，0L邸墨配方和印刷工艺能够被实施W在给定沉积区域(甚至当那个区域包含电极和 非电极区两者时)内最小化在沉积的薄膜厚度中的不均匀性。换句话说，不被电极结构覆盖 的沉积区域内的部分能够促成0LED层的形貌，使得0LED层能够与在下面的结构足够一致， 在沉积区域内将0L邸层沉积在该结构之上。当特定子像素电极被寻址并且被激活时，最小 化 在沉积的薄膜厚度中的不均匀性能够提供基本上均匀的光发射。
[0029] 依据又其它示范性实施例，由本公开内容设想的像素布局配置能够增加有源区面 积。比如，限制结构能够限定限制井，该限制井具有跨越多个子像素的邻近区域，使得减少 显示器的非有源部分(例如，与限制结构相关联的衬底区域)。比如，多个单独寻址的子像素 电极能够被限制结构围绕，其中每个子像素电极能够与不同像素相关联，而不是如在各种 传统0L邸显示器中限制结构围绕每个子像素电极。通过减少由限制结构占据的面积，能够 最大化填充因子，因为增加每个像素的非有源区对有源区的比率。实现填充因子的该样的 增加能够在更小尺寸显示器中实现高分辨率W及改进显示器的寿命。
[0030] 依据又其它示范性实施例，本公开内容设想包含设置在衬底上的限制结构的有机 光发射显示器，其中限制结构限定在阵列配置中的多个井。显示器进一步包含设置在每个 井内并且彼此间隔开的多个电极。显示器进一步能够包含在多个井的至少一个中的第一、 第二、和第=有机发光层，每个层分别具有第一、第二、和第=光发射波长范围。设置在与第 一和第二有机光发射层相关联的井内的电极的数目与设置在与第=有机光发射层相关联 的井内的电极的数目不同。
[0031] 依据又其它示范性实施例，本公开内容设想包含设置在衬底上的限制结构的有 机光发射显示器，其中限制结构限定在阵列配置中的多个井(包含第一井、第二井、和第= 井)。显示器进一步能够包含；设置在第一井内并且与不同像素相关联的第一多个电极，设 置在第二井内并且与不同像素相关联的第二多个电极，W及设置在第=井内的至少一个第 =电极，其中设置在第一和第二井中的每个内的电极的数目与设置在第=井内的电极的数 目不同。显示器能够进一步包含；设置在第一井中的具有第一光发射波长范围的第一有机 光发射层，设置在第二井中的具有第二光发射波长范围的第二有机光发射层，w及设置在 第=井中的具有第=光发射波长范围的第=有机光发射层。
[0032] 依据各种其它示范性实施例，像素布局配置能够被布置成延长器件的寿命。比如， 子像素电极尺寸能够基于对应的有机光发射层波长范围。比如，与在藍色波长范围中的光 发射相关联的子像素电极能够分别大于与在红色或绿色波长范围中的光发射相关联的子 像素电极。在0L邸器件中的与藍色光发射相关联的有机层相对于与红色或绿色光发射相 关联的有机层典型地具有缩短的寿命。此外，操作0L邸器件W实现减少的亮度级增加器件 的寿命。通过增加藍色子像素分别相对于红色和绿色子像素的发射面积，除了驱动藍色子 像素W实现小于红色和绿色子像素的亮度的相对亮度(例如，通过调节当寻址子像素时供 应的电流，如本领域普通技术人员熟悉的）之外，藍色子像素能够用来更好平衡不同色彩的 子像素的寿命，同时仍提供显示器的合适的总体色彩平衡。寿命的该个改进的平衡能够通 过延长藍色子像素的寿命来增加显示器的总体寿命。
[0033] 图2图解依据本公开内容的示范性实施例的有机发光二极管（0LED)显示器100的 一个示范性像素布置的部分平面视图。图3A图解衬底的一个示范性实施例的沿着在图2 中识别的截面3A-3A的横截面视图，从而描绘用于形成0L邸显示器的各种结构。图3B图 解衬底的一个示范性实施例的沿着在图2中识别的截面3B-3B的横截面视图，从而描绘用 于形成0L邸显示器的各种结构。
[0034] 0LED显示器100大体上包含例如诸如由点线边界150、151、152限定的多个像素， 当选择性地驱动该多个像素时，该多个像素发射能够创建要被显示给用户的图像的光。在 全彩显示器中，像素150、151、152能够包含不同色彩的多个子像素。比如，如在图2中图解 的，像素150能够包含红色子像素R、绿色子像素G、W及藍色子像素B。如能够在图2的示 范性实施例中看到的，子像素不需要是相同尺寸，尽管在示范性实施例中它们能够是相同 尺寸。像素150、151、152能够通过引起光发射的驱动电路来限定，使得不必须额外的结构 来限定像素。替选地，本公开内容的示范性实施例设想能够被包含在显示器100内W描绘 多个像素150、151、152的像素限定结构的各种新布置。本领域普通技术人员对下述是熟悉 的：用来在像素和子像素之间提供更明快描绘的传统像素限定结构的材料和布置。
[0035] 除了图2之外，参考图3A和3B，0LED显示器100能够包含衬底102。衬底102能 够是任何刚性或柔性的结构，该任何刚性或柔性的结构能够包含一个或多个材料的一个或 多个层。衬底102能够比如包含玻璃、聚合物、金属、陶瓷、或其组合。虽然为了简明未被图 解，衬底102能够包含本领域普通技术人员熟悉的额外的电子部件、电路、或导电构件。比 如，薄膜晶体管（TFT)(未被示出）能够在沉积W下进一步详细讨论的任何其它结构之前被 形成在衬底上。TFT能够包含比如有源半导体层的薄膜、电介质层、和金属接触中的至少一 个，其中本领域普通技术人员将熟悉在该样的TFT的制造中使用的材料。任何有源0L邸层 能够被沉积W与由TFT或形成在衬底102上的其它结构创建的任何形貌一致，如W下讨论 的。
[0036] 限制结构104能够被设置在衬底102上，使得限制结构104限定多个限制井。比 如，限制结构104能够是岸结构。多个子像素能够与每个限制井相关联并且沉积在每个限 制井内的有机光发射材料允许与限制井相关联的所有子像素具有相同的光发射色彩。比 如，在图2的布置中，限制井120能够接收与发射由R指示的红色光的子像素相关联的0L邸 墨的液滴，限制井130能够接收与发射由G指示的绿色光的子像素相关联的OL邸墨的液 滴，并且限制井140能够接收与发射由B指示的藍色光的子像素相关联的0L邸墨的液滴。 如W下将进一步解释的，本领域普通技术人员将意识到限制井也能够接收各种其它有源 0L邸层，该各种其它有源0L邸层包含但不被限制到比如：额外的有机光发射材料和空穴导 电层。
[0037] 限制结构104能够限定限制井120、130、140W限制与多个子像素相关联的材料。 此外，限制结构104能够防止0L邸墨扩展到邻近的井中，和/或能够辅助加载和干燥工艺 (通过合适的几何形状和表面化学)，使得沉积的薄膜在由限制结构104定界的区内是连续 的。比如，沉积的薄膜的边缘能够接触围绕限制井120、130、140的限制结构104。限制结构 104能够是单个结构或能够由形成限制结构104的多个分开的结构组成。
[0038] 限制结构104能够由下述各种材料形成；诸如比如光致抗蚀剂材料，诸如光可成 像聚合物或光敏娃酬电介质。限制结构104能够包括一个或多个有机成分，该一个或多个 有机成分在处理后对0L邸墨的腐蚀作用基本上惰性、具有低的除气作用、在限制井边缘处 具有浅的(例如<25度)侦幢斜率、和/或具有对要被沉积在限制井中的0L邸墨中的一个或 多个的高的亲疏性，并且可W基于期望的应用来选择。合适的材料的示例包含但不被限制 至IJ;PMMA谏甲基丙締酸甲醋XPMGI(聚甲基戊二酷亚胺XDNQ-酪醒树脂(带有不同酪醒树 脂的化学邻叠氮蒙酿的组合)、SU-8抗蚀剂（由Micro化em公司制造的一类广泛使用的、专 有环氧树脂基抗蚀剂)、传统光致抗蚀剂的氣化变化、和/或在本文中列出的前述材料中的 任何一个、和有机娃酬抗蚀剂，其中的每个能够进一步与一个或多个添加剂组合或彼此组 合W进一步调整限制结构104的期望的特征。
[0039] 限制结构104能够限定具有任何形状、配置、或布置的限制井。比如，限制井120、 130、140能够具有任何形状，诸如长方形、方形、圆形、六边形等。在单个显示器衬底中的限 制井能够具有相同的形状和/或尺寸或不同的形状和/或尺寸。与不同光发射色彩相关联 的限制井能够具有不同或相同的形状和/或尺寸。另外，邻近的限制井能够与交替的光发 射色彩相关联或邻近的限制井能够与相同的光发射色彩相关联。此外，限制井能够W列和 /或行来布置，其中列和/或行能够具有均匀或不均匀的对准。
[0040] 限制井能够使用下述多种制造方法中的任何一个来形成：诸如比如喷墨印刷、喷 嘴印刷、狭缝涂布、旋转涂布、喷洒涂布、丝网印刷、真空热蒸发、瓣射(或其它物理气相沉积 方法)、化学气相沉积等，并且在沉积技术期间另外未被实现的任何额外的图案化能够通过 使用阴影遮掩、一个或多个光刻步骤(例如，光致抗蚀剂涂布、曝光、显影、和脱模)、湿法刻 蚀、干法刻蚀、剥离等来实现。
[0041] 如在图2中图解的，依据各种示范性实施例的限制井120、130、140能够由限制结 构104限定，使得它们跨越多个像素150、151、152。比如，像素150包含是不同的限制井 120、130、140的每个部分的红色子像素R、绿色子像素G、和藍色子像素B。每个限制井120、 130、140 能够包含多个电极，诸如 106、107、108、109、136、137、138、139、142、144,其中在限 制井120、130、140内的电极能够彼此间隔开，使得在限制井内在邻近电极之间形成间隙S。 在示范性实施例中，间隙S能够具有足够尺寸W将电极与任何邻近电极电隔离，并且特定 地邻近电极的有源电极区能够彼此隔离。间隙或空间S能够减少电流泄漏并且改进子像素 限定和总体像素限定。
[0042] 虽然为了清楚和方便图解而省略驱动电路，但是驱动电路能够被设置在衬底102 上，并且该样的电路能够被设置在有源像素区域（即发光区）下方或在非有源像素区域（即 非发光区）内。此外，虽然未被图解，电路也能够被设置在限制结构104下。驱动电路能够 被禪合到每个电极，使得每个电极能够独立于在限制井内的其它电极选择性地被寻址。由 于在电极之间的间隙S导致的不均匀形貌的区W下进一步被详细描述。
[0043]在限制井 120、130、140 内的每个电极 106、107、108、109、136、137、138、139、142、 144能够与不同子像素相关联。比如，如在图2中图解的，限制井120能够与红色光发射相 关联。电极106、107、108、109能够被定位在限制井120内，其中每个电极可操作成寻址不同 像素(例如图解的像素151和152)的子像素。至少两个电极能够被定位在每个限制井120、 130、140内。被定位在每个限制井120、130、140内的电极的数目能够与其它限制井相同或 不同。比如，如在图2中图解的，限制井140能够包含与藍色光发射相关联的两个子像素 电极142、144,并且限制井130能够包含与绿色光发射相关联的四个子像素电极136、137、 138、139。
[0044] 在示范性实施例中，限制结构104能够被设置在电极106、107、108、109、136、137、 138、139、142、144的部分上。如在图3A和3B中图解的，限制井120能够由限制结构104限 定，其中限制结构104被部分设置在电极106、108的部分之上，并且被部分直接设置在衬底 102之上而不在电极之上。替选地，限制结构104能够被设置在邻近限制井的电极之间的 衬底102之上。比如，限制结构104能够W在与不同子像素发射色彩相关联的电极之间形 成的空间被设置在衬底102上，使得限制结构104直接被设置在衬底102上并且不被设置 在电极的任何部分之上。在该样的配置(未被图解）中，对应于子像素的电极能够W下述方 式来设置；直接邻近限制结构1〇4(与限制结构104邻接)，或电极能够与限制结构104间隔 开，使得能够实现子像素限定。
[0045]当电压选择性地施加到电极 106、107、108、109、136、137、138、139、142、144 时，光 发射能够在像素诸如像素150、151、152的子像素内生成。电极106、107、108、109、136、137、 138、139、142、144能够是透明或反射的，并且能够由下述形成；导电材料诸如金属、混合金 属、合金、金属氧化物、混合氧化物、或其组合。比如，在各种示范性实施例中，电极可W由铜 锡氧化物、儀银、或侣制成。电极106、107、108、109、136、137、138、139、142、144能够具有任 何形状、布置、或配置。比如，参考图 3A，电极 106、107、108、109、136、137、138、139、142、144 能够具有轮廓，使得顶部表面106a、108a能够基本上是平面的并且与衬底102的表面平行， 而电极的侧边缘10化、108b能够基本上与衬底的表面垂直或能够关于衬底的表面成角和/ 或变圆。
[0046] 进一步指出电极的有源部分，即与光发射相关联的部分，是直接设置在沉积的 0L邸层下方而没有在电极表面和0L邸层之间的任何居间绝缘衬底结构的电极的那些部 分。作为示例，再次参考图3A，设置在限制结构104下方的电极106和108的部分从电极区 域的有源部分排除，然而电极106和108的区的剩余部分被包含在电极区域的有源部分中。
[0047] 电极可各种方式诸如通过热蒸发、化学气相沉积、或瓣射方法来沉积。电极的 图案化可W比如使用阴影遮掩或光刻来实现。如W上提及的，电极1〇6、107、108、109、136、 137、138、139、142、144能够具有厚度并且间隔开，使得在衬底102上形成形貌，该在各种横 截面视图中诸如在图3A中最佳示出。在示范性实施例中，电极106、107、108、109、136、137、 138、139、142、144能够具有范围为60皿到120皿的厚度，尽管该个范围是非限制的并且 更大或更小的厚度也是可能的。
[004引一个或多个有源0L邸层能够在每个限制井120、130、140内被提供，诸如在图3A和3B中示出的空穴导电层110和有机光发射层112。有源0L邸层能够被沉积使得它们能够 与形貌足够一致，该形貌由下述产生：在限制井120、130、140内的电极106、107、108、109、 136、137、138、139、142、144 之间的间隔和在限制井 120、130、140 内的电极 106、107、108、 109、 136、137、138、139、142、144的厚度，W及分别的有源0LED层的厚度。比如，有源0LED 层能够在井内是连续的并且具有厚度W足够符合和遵循设置在每个限制井内的在下面的 电极结构的产生的形貌。
[0049] 沉积的0L邸层因此可W导致下述表面形貌；该表面形貌不位于与衬底平行且跨 过整个限制井的单个平面中。比如，由于与包含设置在衬底102上的电极的任何表面特征 相关联的相对凹陷或凸出，0L邸层110、112中的一个或两者能够在显示器的单个平面中是 非平面和不连续的（其中显示器的平面意图为与衬底102平行的平面)。如所示出的，0LED 层110、112能够与在下面的表面特征形貌足够一致，使得0LED层的顶部表面能够具有产生 的形貌，该产生的形貌遵循在下面的表面特征的形貌。换句话说，每个沉积的0LED层与所 有在下面的层和/或设置在衬底102上的表面特征足够一致，使得那些在下面的层在0L邸 层被沉积后促成0L邸层的产生的非平面顶部表面形貌。该样，在跨过限制井的与显示器的 平面平行的平面中，在层110或112或两者中的不连续性能够当（一个或多个）层相对于平 面升高和/或落下而产生，其中从限制井中的电极、电路、像素限定层等提供现有的表面特 征。虽然有源0L邸层110和/或112不需要与在下面的表面形貌完美地一致（比如，如W 下解释的，在边缘区等等周围的厚度中可W存在局部不均匀性)，但是在其中不存在显著的 材料积累或耗尽的足够共形的涂层能够促进更平坦、均匀和可重复的涂层。
[0050] 如在图3A中示出的，每个层110、112能够在整个限制井120内基本上是连续的， 使得每个层被设置在限制井120内的基本上所有的表面特征(例如，子像素电极、电路、像 素限定层等)之上，其中每个层的边缘接触围绕限制井120的限制结构104。在各种示范性 实施例中，有源0L邸层材料能够被沉积W形成整个在限制井内的分立的连续层，W基本上 防止在井内在层中的任何不连续性(换句话说，在井内的没有有源0L邸层材料的区)。该样 的不连续性能够引起在子像素的发射区内的非期望的视觉伪象。值得指出的是尽管每个层 110、112在限制井内基本上是连续的，但是由于层的升高和/或落下它能够在单个平面中 是非连续的，如W上指出的，因为它与设置在限制井中的特征的现有形貌(该些层被沉积在 其上）足够一致。比如，在示范性实施例中，如果该样的升高和/或落下是W大于在井内的 沉积层的最薄部分的厚度(例如50nm)的量(例如100nm)，则0LED材料层在井内在与显示 器平行的平面中将不是连续的。
[0051] 层11〇、112能够在每个限制井内具有基本上均匀的厚度，该可W提供更均匀的光 发射。对本申请而言，基本上均匀的厚度能够指的是在平面表面区之上诸如在有源电极区 之上的0L邸层的平均厚度，但是也能够涵盖如W下描述的在厚度中的微小变化或局部不 均匀性。在图3A中的平面表面区例如106a、108a和间隙的底部表面之上，预期的是对于基 本上均匀的0L邸涂层而言来自0L邸层的平均厚度的厚度变化能够小于±20%，诸如小于 ±10% 或小于 ±5〇/〇。
[0052]如W上指出的，然而设想的是在厚度中的局部不均匀性可能产生在围绕表面形貌 和/或表面化学中的改变的层11〇、112的部分中，并且在该样的区中薄膜厚度能够局部地 与W上指定的±20%、±10%、或±5%参数基本上偏离。比如，由于与设置在衬底102上的 表面特征相关联的形貌和/或在设置在衬底102上(诸如在限制井结构104的边缘处、在 像素限定层下被讨论)的边缘处、在电极边缘侧壁上(例如沿着10化、108b)、或在电极交 会衬底表面处）的表面特征之间在表面化学中的改变，连续层的厚度中的局部不均匀性能 够发生。局部不均匀性能够导致在薄膜厚度中的偏离。比如，局部不均匀性能够与层110、 112的厚度偏离，该层110、112被提供在电极106、108的有源电极区之上(例如，沿着106a、 108a)。不均匀性能够在该样的表面特征周围创建在近似5ym-10ym的范围内的通常局 部化的"边缘效应"偏离，该表面特征被设置在限制井中在衬底102上，诸如在电极、电路、 像素限定层等的边缘处。对本申请而言，当将0L邸薄膜涂层描述为在井内具有"基本上均 匀的厚度"时，意图涵盖该样的"边缘效应"偏离。
[0053]在示范性实施例中，每个层110、112的厚度能够等于或小于电极的厚度，使得由 于因为层横跨在电极的有源区之间的间隙而形成的在薄膜中的下倾（dip),每个层的上表 面不位于与显示器的平面平行的单个平面（即与衬底平行的平面 ）中。该比如在图3A中图 解，其中提供虚线W图解与衬底102的平面平行的平面P。如所示出，层110、112能够每个 具有平均厚度，该平均厚度在电极106、108的有源电极区之上在层110、112的区内基本上 是均匀的。然而，层11〇、112也能够在下述区域中包含小的和局部化的不均匀厚度，该区域 与由诸如在那些表面特征的边缘(例如，邻近间隙的电极106、108的边缘）周围的表面特征 引起的形貌改变相关联。
[0054] 层110、112能够使用任何制造方法来沉积。在示范性实施例中，空穴导电层110和 有机光发射层112能够使用喷墨印刷技术来沉积。比如，空穴导电层110的材料能够与载液 混合W形成喷墨，该喷墨被配制W提供到限制井中的可靠和均匀的加载。用于沉积空穴导 电层110的墨能够W高速度从喷墨头喷嘴被递送到衬底的每个限制井中。在各种示范性实 施例中，相同的空穴导电材料能够被递送到限制井120、130、140中的所有，W提供在限制 井120、130、140中的所有内沉积相同的空穴导电层110。在材料被加载到限制井中W形成 空穴导电层110之后，显示器100能够被干燥W允许任何载液蒸发，该是能够包含在设定时 段之内将显示器暴露到热、真空、或环境条件的工艺。在干燥后，显示器可升高的温度 被烘干，W比如将沉积的薄膜材料处理成诱发对沉积的薄膜的质量或对总体工艺有益的化 学反应或薄膜形态的改变。与每个有机光发射层112相关联的材料能够与载液诸如有机溶 剂或溶剂的混合物来类似地混合W形成喷墨，该喷墨被配制W提供到限制井中的可靠和均 匀的加载。该些墨随后能够使用喷墨工艺被喷墨沉积在与每个发射色彩相关联的合适的限 制井120、130、140内。比如，与红色有机光发射层相关联的墨、与绿色有机光发射层相关联 的墨、和与藍色有机光发射层相关联的墨被分开沉积在对应的限制井120、130、140中。不 同的有机光发射层112能够被同时或顺序地沉积。在用与有机光发射层相关联的一个或多 个墨加载之后，显示器能够类似被干燥和烘干，如W上对空穴导电层描述的。
[0055]虽然未被图解，但是材料的额外有源0LED层能够被设置在限制井内。比如，0LED显示器100能够进一步包含空穴注入层、空穴输运层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子输运 层、电子注入层、湿气保护层、封装层等，本领域普通技术人员对其中的所有是熟悉的，而该 里未对此详细讨论。
[0056] 空穴导电层110能够包含促进空穴注入到有机光发射层112中的材料的一层或多 层。比如，空穴导电层110能够包含空穴导电材料的单层，诸如比如空穴注入层。替选地， 空穴导电层110能够包含多层，诸如下述中的至少一个；空穴注入层，诸如聚（3,4-亚己二 氧基唾吩);聚(苯己締横酸）（P邸0T;PSS);和空穴输运层，诸如N，N' -二苯基-N，N' -(1-蒙 基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺（NPB)。
[0057] 有机光发射层112能够被沉积在空穴导电层110之上，使得有机光发射层112与 由电极创建的形貌、在电极之间的空间、和空穴导电层的形貌足够一致。有机光发射层112 能够包含用于促进光发射的材料，诸如有机光致发光材料。
[005引在示范性实施例中，0L邸堆叠(例如，在限制井内在电极之上沉积的所有有源 0L邸层）的厚度能够从10nm变动到250nm。比如，空穴输运层能够具有范围为10nm到 40nm的厚度；空穴注入层能够具有范围为60nm到150nm的厚度；有机光发射层能够具 有范围为30nm到150nm的厚度，并且可选地，空穴阻挡层、电子输运层、和电子注入层具 有范围为10皿到60皿的组合的厚度。
[0059] 在示范性实施例中，设想具有大约10pL或更少的体积的液滴可W被用来产生层 110、112中的每个。在各种示范性实施例中，5pL或更少、3pL或更少、或2pL或更少的液 滴体积可W被使用。0L邸层110、112能够使用具有W上描述的体积的从1到20液滴来形 成。
[0060] 在一个示范性和非限制的实施例中，本公开内容设想限制井被布置成使得针对具 有326ppi(例如，节距=78um)的分辨率的显示器，与红色、绿色、或藍色光发射相关联 的井120、130、140的面积能够是66ymX66ym，其中在该个实施例中在相邻井之间的 宽度能够是12ym。与该样的布置的红色或绿色子像素光发射相关联的面积能够是31. 5 ymX31. 5ym，并且与藍色子像素光发射相关联的面积能够是66ymX30ym，从而导致 65%的总体像素填充因子，如与参考图1描述的针对传统RGB并排布局的46%的填充因子相 比较。对于另一个示范性和非限制的实施例，具有440ppi(例如，节距=58ym)的分辨率的 显示器，设想的是布置限制井使得与红色、绿色、或藍色光发射相关联的井120、130、140的 面积能够是46ymX46ym，其中在该个实施例中在相邻井之间的宽度再次是12ym。与 该样的显示器结构的红色或绿色子像素光发射相关联的面积能够是20.3ymX20. 3ym， 而与藍色子像素光发射相关联的面积能够是76ymX49.1ym，由此产生近似46%的填充 因子，如与参考图1描述的针对传统RGB并排布局的30%的填充因子相比较。在该些实施 例中，在邻近井之间的宽度能够是12ym，但是如W上讨论的，该个宽度能够取不同的值， 并且同时更小的值可W是期望的提供分配到有源电极区域的衬底面积的更大比例)，从 而处理对井结构的形成的约束并且电路布局约束可W有效地对该个尺度设定更低的界限。 12ym的值被选择为该些示例的代表，但是本领域普通技术人员将意识到可W使用其它尺 度，比如更大的尺度像20ym，或更小的尺度像8ym、6ym、或甚至1ym，而没有脱离本 公开内容和权利要求的范围。本领域普通技术人员能够进一步意识到尽管在W上示例中红 色、绿色、和藍色限制井每个具有等同的尺度，但是其它布置是可能的。比如，与不同发射色 彩相关联的两个限制井能够具有相同的尺度并且与又一个不同发射色彩相关联的一个限 制井能够具有不同的尺度或与每个发射色彩相关联的限制井能够具有不同的尺度。
[0061] 依据本公开内容的该些示范性、非限制的布置甚至对440ppi的非常高的分辨率 情形提供具有大于45ym的最小井尺度的限制井，并且因此能够允许使用比如大约10pL 的液滴体积，由此通过允许使用从现有喷墨印刷可获得的液滴体积来简化制造。此外，如与 传统RGB并排布局相比较，W上示范性、非限制的布置分别对326ppi和440ppi情形W大 约43%和84%增加像素填充因子。更一般地，依据本公开内容的各种示范性实施例提供使 用喷墨来制造的高分辨率显示器的填充因子的提升，诸如非常高的分辨率显示器，对其40% 或更多的提升是可能的。
[0062] 如本领域普通技术人员熟悉的，公共电极(未被示出）能够被设置在沉积之后的有 机光发射层112之上。在沉积公共电极后，公共电极的产生的形貌能够与有机光发射层112 的形貌足够一致。公共电极能够使用任何制造技术比如通过真空热蒸发、瓣射、化学气相沉 积、喷洒涂布、喷墨印刷、或其它技术来沉积。公共电极能够是透明的或反射的，并且能够由 下述形成；导电材料诸如金属、混合金属、合金、金属氧化物、混合氧化物、或其组合。比如， 铜锡氧化物或儀银的薄层。公共电极的厚度能够范围为近似30nm到500nm。
[0063] 此外，公共电极能够具有任何形状、布置、或配置。比如，公共电极能够被设置为与 单个子像素或单个像素相关联的分立层。替选地，公共电极能够被设置在多个子像素或像 素之上，比如在显示器100的整个像素布置之上。比如，公共电极能够被地毯式沉积在限制 井120、130、140内W及在限制结构104之上。额外的有源0L邸层（为了简化未被示出）能 够在沉积公共电极前被沉积到有机光发射层112上，诸如电子输运层、电子注入层、和/或 空穴阻挡层。该样的额外0L邸层能够通过喷墨印刷、通过真空热蒸发、或通过另一种方法 来沉积。
[0064] 依据示范性实施例，0L邸器件100能够具有顶部发射配置或底部发射配置。比如， 如在图3A中图解的，在顶部发射配置中，电极106、108能够是反射电极并且设置在有机光 发射层之上的公共电极能够是透明电极。替选地，在底部发射配置中，电极106、108能够是 透明的并且公共电极能够是反射的。
[0065] 在另一个示范性实施例中，0LED显示器100能够是有源矩阵0LED(AM0LED)。如 与无源矩阵0LED(PM0LED)显示器相比较，AM0LED显示器能够提升显示性能，但是依赖于在 衬底上的包含薄膜晶体管（TFT)的有源驱动电路并且该样的电路不是透明的。尽管PM0LED 显示器具有一些元件，诸如不透明的导电总线线路，但是AM0L邸显示器具有基本上更多不 透明的元件。结果，对于底部发射AM0L邸显示器，与PM0L邸相比较，填充因子可能减少，因 为光仅能够在不透明的电路元件之间经过衬底的底部来发射。出于该个原因，可W期望对 AM0L邸显示器使用顶部发射配置，由于使用该样的配置可W允许在该样的不透明有源电路 元件的顶部上构建0L邸器件。因而，光能够发射穿过0L邸器件的顶部，而不关屯、在下面的 元件的不透明性。一般地，使用顶部发射结构能够增加显示器100的每个像素150的填充 因子，因为光发射不被沉积在衬底102上的额外的不透明元件(例如，驱动电路部件的TFT 等）阻挡。
[0066] 此外，每个像素的非有源区域能够被限制到在衬底102上形成的限制结构、表面 特征、和/或像素限定层(其示例W下进一步被详细描述)。导电栅格也能够被设置在衬底 102上W防止跨过显示器100的非期望的电压降，该能够产生，因为在顶部发射0L邸结构中 使用的透明顶部电极典型地具有低导电率。当公共电极被地毯式沉积在限制井120、130、 140内W及在限制结构104之上时，导电栅格能够被设置在衬底102的非有源部分上并且通 过在选择的限制结构104中形成的通孔被禪合到公共电极。然而，本公开内容不被限制到 顶部发射有源矩阵OL邸配置。在本文中讨论的技术和布置能够与下述一起使用：任何其它 类型的显示器，诸如底部发射和/或无源显示器，W及本领域普通技术人员将理解如何使 用合适的修改来制作的那些显示器。
[0067] 在示范性实施例中，如在图3A中图解的，每个限制井能够包含多个有源子像素 区，该多个有源子像素区分别跨越化和W2、被间隙S分开、并且被限制在具有宽度CW的井 内。尺度化、W2、和CW主要与像素节距有关，该像素节距与显示器的分辨率(例如，326ppi、 440ppi)相关。间隙S的尺度与约束和布局有关，该约束与制造技术和工艺相关联。一般 地，可W期望最小化与间隙S相关联的尺度。比如3ym可W是最小尺度；然而本领域普通 技术人员将意识到从与1ym-样小到大于10ym的尺度是可能的。限制结构104的高度 H也与处理约束而不是特定的显示器布局或分辨率有关。尽管限制结构104的高度H的示 范性值可W是1.5ym，但是在各种示范性实施例中高度H能够范围为0.5ym到5ym。 参考图3B，BW是在邻近井(例如，在图3B中的井120和130)之间的限制结构104的宽度。 如W上描述的，可W期望最小化该个尺度并且示范性值是12ym。然而，本领域普通技术人 员将理解；在一些实例中，取决于可W对BW允许该样小的值的制造技术和工艺，该个值能 够任意大（比如，几百微米）并且也能够与1ym-样小。
[0068]现在参考图4,图解显示器200的限制井220的示范性实施例的横截面视图。图4 的布置类似于W上参考图3A描述的布置，其中相似的数字被用来表示相似的元件，除了使 用与100系列相对的200系列之外。然而如图解的，0LED显示器200也包含在电极206、 208之间在间隙S中设置的额外表面特征216。
[0069] 表面特征216能够是任何结构，该任何结构不直接提供到设置在它之上的0L邸薄 膜中的电流，由此包括在与电极206、208相关联的有源区之间的像素区域的非有源区。比 如，表面特征216能够进一步包括不透明材料。如在图4中描绘的，空穴导电层210和有机 光发射层212能够被沉积在该样的电路元件的部分之上，如由表面特征216形貌上表示的。 在表面特征216含有电元件的情形中，该样的元件可W用电绝缘材料进一步涂布W将那些 元件与沉积到表面特征216上的0L邸薄膜电隔离。
[0070] 在示范性实施例中，表面特征216能够包含驱动电路，该驱动电路包含但不被限 制到比如互连、总线线路、晶体管、和本领域普通技术人员熟悉的其它电路。在一些显示器 中，驱动电路被设置成接近被该样的电路驱动的像素的有源区W最小化复杂的互连并且减 少电压降。在一些情形中，限制井将围绕单独子像素并且该样的电路能够在限制井区外，使 得电路将不用有源0LED层来涂布。然而，在图4的示范性实施例W及在本文中描述的其它 中，因为限制井220能够含有与不同像素相关联的多个子像素，所W该样的驱动电路元件 能够被提供在限制井内，该可W优化驱动电子设备的电性能、优化驱动电子设备布局、和/ 或优化填充因子。
[0071] 空穴导电层210和有机光发射层212能够被沉积巧日之前比如参考图3A和3B讨 论的)到由限制井结构204限定的区中W及在表面特征216之上，使得层210、212与在下面 的表面特征形貌足够一致并且在限制井中具有基本上均匀的厚度，从而导致层210和212 具有非平面顶部表面。在其中表面特征216 W大于层210和212中的一个或两者的厚度的 距离在电极的顶部表面的平面上方延伸的配置中，则那些层中的一个或两者在井220内在 与显示器的平面平行的平面中也将是不连续的。因而，由于与表面特征216相关联的凸出， 一个或两者层210、212在与显示器的平面平行的平面中将是非平面的并且不连续的。如W 上，该比如通过图解平面P的虚线来图解，该平面P与设置在电极206、208之上的212的表 面共面。如所示出，层212跨过整个限制井不是平面的并且替代地与在下面的形貌足够一 致，使得由于间隙区S和凸出216，层212具有总体非平面顶部表面。换句话说，层210、212 中的一个或两者跨过限制井将升高和落下，W与在层210、212的沉积之前的井的现有形貌 足够一致。
[0072] 尽管在图4中将表面特征216图解为具有大于电极的厚度，但是表面特征216能 够替选地具有小于或等于电极的厚度。另外，尽管在图4中表面特征216被图解为设置在衬 底202上，但是表面特征216能够被进一步设置在电极206、208中的一个或两者之上。表 面特征216能够针对在阵列中的每个限制井而不同并且不是所有的限制井必须包含表面 特征。表面特征216能够进一步起像素限定层的作用，其中表面特征216的不透明属性能 够被用来限定总体像素布置或子像素的部分。
[0073] 现在参考图5A和5B，图解依据本公开内容的显示器限制井的另一个示范性实施 例的部分横截面视图。图5A和5B的布置类似于W上参考图3A和3B描述的布置，其中相 似的数字被用来表示相似的元件，除了使用与100系列相对的300系列之外。然而如在图 5A和5B中图解的，0L邸显示器300也包含限定层314。限定层314能够被沉积在衬底302 上，其中限制结构304能够被设置在限定层314之上。此外，限定层314能够被设置在电极 306、308的非有源部分之上。限定层314能够是具有被用来限定0L邸显示器300的部分的 电绝缘属性的任何物理结构。在实施例中，限定层314能够是像素限定层，该像素限定层能 够是被用来在像素阵列内描绘像素的任何物理结构。限定层314也能够描绘子像素。
[0074] 如图解的，在示范性实施例中，限定层314能够延伸超过限制结构304到电极306、 308的部分之上。限定层314能够由电阻性材料制成，使得限定层314防止电流流动并且因 而能够通过基本上防止穿过子像素的边缘的光发射来减少不想要的视觉伪象。限定层314 也能够被提供W具有用来减轻或防止形成不均匀性的结构和化学性质，其中0L邸薄膜涂 布在限定层的边缘之上。该样，限定层314能够辅助遮掩在表面特征周围形成的薄膜不均 匀性，该薄膜不均匀性另外将被包含在像素区域的有源区中并且随后促成像素不均匀性； 该样的不均匀性能够比如发生在其中0L邸薄膜接触限制井的每个子像素的外部边缘处， 或在其中0L邸薄膜接触衬底表面的每个子像素的内部边缘处。
[0075] 空穴导电层310和有机光发射层312能够每个被沉积在由限制结构304限定的区 内W及在像素限定层之上，W形成在限制井320内的连续层。如W上关于图3A和3B描述 的，层310、312能够与限制井的总体形貌足够一致，并且因而可W具有非平面表面和/或在 显示器的平面中是不连续的，如比如由在图5A中的平面P图解的。如W上参考图3A的示 范性实施例解释的，空穴导电层310和有机光发射层312的厚度能够基本上均匀，如W上描 述的。
[0076] 在示范性实施例中，如在图5A中图解的，每个限制井能够包含多个有源子像素 区，该多个有源子像素区包含被间隙S分开的化和W2并且被含在具有宽度CW的限制井 内，其中化、W2、和CW主要与像素节距有关，如W上参考图3A讨论的。类似地，间隙S的尺 度与制造和处理技术W及布局有关，其中在示范性实施例中s可w范围为1ym到大于10 ym，其中3ym是针对S的示范性尺度。限制结构304的高度H可W如W上参考图3A描 述的。参考图5B，如W上描述的，BW是在邻近井之间的限制结构304的宽度，并且能够如W 上参考图3B描述的那样来选择。
[0077] 基于制造技术和处理条件W及使用的限定层材料的类型，与限定层的厚度相关联 的尺度T能够是可变的。在各种示范性实施例中，与限定层的厚度相关联的尺度T能够范 围为25皿到2.5ym，但是从100皿到500皿能够被认为最典型的范围。能够如期望选 择在图5A中标示为B1、B2并且在图5B中标示为B1、B1'的尺度，该尺度与在限制井内的超 过限制结构104边缘的限定层的延伸相关联。然而，更大尺度可W通过减少可获得的有源 像素电极区域的量来促成填充因子的减少。因此，可W期望选择将服务期望功能的最小尺 度，该通常从有源电极区域排除边缘不均匀性。在各种示范性实施例中，该个尺度能够范围 为1ym到20ym，并且可W比如范围为2ym到5ym。
[007引现在参考图6,图解显示器400的限制井420的示范性实施例的横截面视图。图6的布置类似于W上参考图5A和5B描述的布置，其中相似的数字被用来表示相似的元件， 除了使用与300系列相对的400系列之外。然而如所示出，0 L邸显示器400也包含在电极 406、408之间在间隙S中设置的额外限定层416。如在图6中示出，限定层416能够是具有 与图4的表面特征有点不同的结构的表面特征，因为额外限定层416的部分贯穿在衬底402 上的间隙SW及在邻近间隙的电极406、408的部分之上延伸。额外限定层416能够具有任 何形貌，其中在图6中图解的一个仅是示范性的。如在图6中图解的，槽口 417能够在背对 衬底102的额外限定层416的表面中存在。槽口 417能够使用各种方法来形成。比如，槽 口 417可W由制造工艺产生，使得在额外限定层416的沉积期间层416能够一般地与在限 制井内存在的任何形貌诸如电极406、408 -致，其中槽口 417通过在电极406、408之上的 基本上均匀的厚度和与电极406、407的顶部表面不相关联的表面的基本上不均匀的厚度 之间的不同厚度来形成。替选地，槽口 417能够被省略并且额外限定层416的顶部表面能够 具有基本上平面的形貌，比如在如下情形中：额外限定层416使用非共形沉积方法来沉积， 使得平滑在下面的表面形貌。
[0079] 在任一配置中，空穴导电层410和/或有机光发射层412能够被沉积巧日之前讨论 的，比如参考图3A和3B)，使得层410、412与额外限定层416的形貌足够一致并且具有基本 上均匀的厚度，如W上已被描述的。
[0080] 在额外限定层416的顶部表面巧P背对衬底的表面)和衬底402之间的距离能够大 于或小于在电极406、408的顶部表面和衬底402之间的距离。替选地，在额外限定层416 的顶部表面和衬底402之间的距离能够基本上等于在电极406、408的顶部表面和衬底402 之间的距离。换句话说，额外限定层416的厚度能够使得它范围为被定位在衬底的顶部表 面和周围的限制结构404的顶部表面之间，或使得它基本上位于与限制结构404的顶部表 面相同的平面中。替选地，额外限定层416能够与电极406、408基本上相同的高度，使得额 外限定层416不交叠电极406、408的部分，而是在它们之间在间隙S中填充。
[0081] 空穴导电层410和有机光发射层412能够被设置在延伸超过限制结构404W及到 井420中的限定层414的部分之上，并且层410、412能够在由限制结构404限定的限制井 420内在额外限定层416之上延伸。额外限定层416能够由电阻性材料制成，使得额外限定 层416能够防止电流流动并且因而可W通过防止穿过子像素的边缘的光发射来减少不想 要的视觉伪象。限定层414和额外限定层416可W由相同或不同材料制成。
[0082] 在示范性实施例中，如在图6中图解的，每个限制井能够包含多个有源子像素区， 该多个有源子像素区包含被间隙S分开的化和W2并且被含在具有宽度CW的限制井内，其 中W1、W2、CW和S主要与像素节距有关，如W上讨论的。如W上，3ym可W是针对S的最 小尺度，但是本领域普通技术人员将意识到从与1ym-样小到甚至大于10ym的尺度是 可能的。限制结构404的高度H能够被选择并且比如具有如W上参考图3A和3B描述的范 围。
[0083] 基于制造技术、处理条件和使用的限定层材料的类型，与限定层的厚度相关联的 尺度T1和与额外限定层的厚度相关联的尺度T2能够是可变的。结果，与限定层的厚度相 关联的尺度T1和与额外限定层的厚度相关联的尺度T2能够范围为50nm到2.5ym，比 如从100nm到500nm。与在限制井的边缘内部的限定层的延伸相关联的尺度SBUSB2、和 B2能够如期望地来选择。然而，更大尺度可W将通过减少可获得的有源像素电极区域的量 来促成填充因子的减少。因此，可W期望选择将服务期望功能的最小尺度，该通常从有源电 极区域排除边缘不均匀性。在各种示范性实施例中，该个尺度能够范围为1ym到20ym， 并且可W比如范围为2ym到5ym。
[0084] 如基于本公开内容本领域技术人员将意识到的，任何公开的限定层配置能够W不 同方式的任何组合来使用W实现期望的像素限定配置。比如，限定层414和/或额外限定 层416能够被配置成限定任何像素和/或子像素区或任何部分像素和/或子像素区，其中 限定层414能够与沉积在任何限定结构404下的限定层相关联并且额外限定层416能够与 在电极之间的限制井内诸如在限制井420中沉积的任何限定层相关联。本领域普通技术人 员将意识到，在本公开内容内示出的横截面仅是图解的横截面并且因此本公开内容不被限 制到图解的特定横截面。比如，尽管图3A和3B分别沿着线3A-3A和3B-3B来图解，但是沿 着不同线来取的比如包含在与3A-3A和3B-3B正交的方向中的不同横截面视图可W反映不 同限定层配置。在示范性实施例中，限定层能够W组合来使用W描画像素诸如在图2中图 解的像素150、151、152的轮廓。替选地，限定层能够被配置成限定子像素，使得限定层完全 或部分地围绕限制井内的子像素电极。
[0085] 现在参考图7,图解又一个示范性实施例的横截面视图。0L邸显示器500能够包 含表面特征516和限定层514。图7的布置类似于W上参考图4描述的布置，其中相似的数 字被用来表示相似的元件，除了使用与200系列相对的500系列之外。然而如在图7中图 解的，0L邸显示器500进一步包含限定层514,该限定层514被设置在限制结构504下。限 定层514能够是被用来限定0L邸显示器500的部分的任何物理结构。在实施例中，限定层 514能够是像素限定层，该像素限定层能够是被用来在像素阵列和/或带有像素的子像素 内描绘像素的任何物理结构。如图解的，在示范性实施例中，限定层514能够超过限制结构 504W及在电极506、508的部分之上延伸。限定层514能够由电阻性材料制成，使得限定层 514防止电流流动并且因而能够通过防止光发射穿过子像素的边缘来减少不想要的视觉伪 象。该样，限定层514能够辅助遮掩薄膜层不均匀性，该不均匀性在每个子像素的边缘处形 成，该不均匀性由于边缘干燥效应可W发生。空穴导电层510和有机光发射层512能够被 沉积巧日之前比如参考图3A和3B讨论的)，使得层510、512与在下面的表面特征形貌足够 一致并且具有基本上均匀的厚度，如w上已被描述的。
[0086]本领域普通技术人员将意识到各种布置和结构例如表面特征、限定层等仅是示范 性的，并且各种其它组合和布置可W被预见且落在本公开内容的范围内。
[0087] 现在参考图8-11，图解在制造0L邸显示器600的示范性方法期间展示各种示范 性步骤的衬底的部分横截面视图。尽管W下参考显示器600将讨论制造的方法，但是任何 描述的步骤和/或描述的步骤中的所有能够被用在制造其它0L邸显示器比如W上描述的 0LED显示器100、200、300、400、和500中。如在图8中图解的，电极606、608和表面特征616 能够被提供在衬底602之上。电极606、608和表面特征616能够使用任何制造方法诸如 喷墨印刷、喷嘴印刷、狭缝涂布、旋转涂布、真空热蒸发、瓣射(或其它物理气相沉积方法)、 化学气相沉积等来形成，并且在沉积技术中另外未被包含的任何额外的图案化能够通过使 用阴影遮掩、光刻(光致抗蚀剂涂布、曝光、显影、和脱模)、湿法刻蚀、干法刻蚀、剥离等来实 现。电极606、608能够与表面特征616同时形成或与首先形成的电极或表面特征顺序地形 成。
[008引限定层614和额外限定层618随后能够被沉积在表面特征616和电极606、608之 上，如在图9中图解的。层614和618能够使用任何制造方法诸如喷墨印刷、喷嘴印刷、狭缝 涂布、旋转涂布、真空热蒸发、瓣射(或其它物理气相沉积方法)、化学气相沉积等来形成，并 且在沉积技术中另外未被包含的任何需要的额外图案化能够通过使用阴影遮掩、光刻(光 致抗蚀剂涂布、曝光、显影、和脱模)、湿法刻蚀、干法刻蚀、剥离等来实现。限定层614能够 与额外限定层618同时形成或层614、618能够与首先形成的层614或618顺序地形成。
[0089] 限制结构604被提供在限定层614之上。限制结构604能够被形成W限定限制 井620,该限制井620围绕多个子像素电极606、608同时跨越多个像素。限制结构604能 够使用任何制造方法诸如喷墨印刷、喷嘴印刷、狭缝涂布、旋转涂布、真空热蒸发、瓣射(或 其它物理气相沉积方法)、化学气相沉积等来形成，并且在沉积技术中另外未被包含的任何 额外的图案化能够通过使用阴影遮掩、光刻(光致抗蚀剂涂布、曝光、显影、和脱模)、湿法刻 蚀、干法刻蚀、剥离等来实现。在一个示范性技术中，如在图10中图解的，限制结构材料能 够W连续层604'被沉积在衬底602之上，并且该层随后能够使用掩膜607被图案化，使得 层604'的部分605能够被去除W暴露子像素电极606、608。限制结构604通过在去除部 分605后剩余的层604'的材料来形成。替选地，限制结构604能够通过如下来形成：活性 地沉积材料W仅形成限制结构，使得沉积的限制结构604能够限定边界并且限制井被形成 在沉积的限制结构604的边界内。
[0090]在示范性实施例中，如在图10中图解的，每个限制井能够包含多个有源子像素 区，该多个有源子像素区包含被间隙S分开的W1和W2。如W上，尺度W1、W2、和CW主要与 像素节距有关。并且间隙S的尺度与约束和布局有关，该约束与制造技术和处理相关联，并 且间隙S的尺度可W范围为lym到甚至大于10ym，其中3ym是示范性的最小尺度。与 在限制井的边缘内部的限定层的延伸相关联的尺度SB1和SB2能够如期望的那样来选择。 然而，更大尺度将通过减少可获得的有源像素电极区域的量来促成填充因子的减少。因此， 可W期望选择将服务期望功能的最小尺度，该通常从有源电极区域排除边缘不均匀性。在 各种示范性实施例中，该个尺度能够范围为1ym到20ym，并且可W比如范围为2ym到 5ym。
[0091] 如在图11中图解的，空穴导电层610随后能够使用喷墨印刷被沉积在限制井620 内。比如，喷墨喷嘴650能够在目标区域内引导空穴导电材料的(一个或多个)液滴651，该 目标区域被限定在限制井620内。空穴导电层610可W进一步包括两个分立层，比如空穴 注入层和空穴输运层，并且该些层能够通过如在本文中描述的喷墨方法顺序地被沉积。此 夕F，有机光发射层612能够使用喷墨印刷在空穴导电层610之上在限制井620内被沉积。喷 墨喷嘴650能够在空穴导电层610之上在目标区域内引导有机光发射材料的(一个或多个） 液滴651。本领域普通技术人员将意识到尽管参考图11讨论单个喷嘴，但是多个喷嘴能够 被实施W在多个限制井内提供含有空穴导电材料或有机光发射材料的液滴。如本领域普通 技术人员熟悉的，在一些实施例中，能够从多个喷墨喷嘴头同时沉积相同或不同色彩的有 机光发射材料。此外，在目标衬底表面上的液滴喷出和放置能够使用本领域普通技术人员 所知的技术来执行。
[0092] 在示范性实施例中，单个有机光发射层612能够被沉积在限制井620内，诸如红 色、绿色、或藍色层。在替选的示范性实施例中，多个有机光发射层能够在限制井620内在 彼此之上被沉积。该样的布置比如当光发射层具有不同光发射波长范围时能够起作用，使 得当一个光发射层被激活W发光时，另一个光发射层不发光或干扰第一个有机光发射层的 光发射。比如，红色有机光发射层或绿色有机光发射层能够被沉积在限制井620内并且随 后藍色有机光发射层能够被沉积在红色或绿色有机光发射层之上。该样，尽管限制井能够 包含两个不同的光发射层，但是仅一个光发射层被配置成在限制井内发光。
[0093] 层610和612能够被沉积W与限定层614、表面结构616、额外限定层618、和电极 606、608的形貌足够一致，如W上已被描述的，并且能够具有基本上均匀的厚度，如W上描 述的。
[0094]W上参考图3A-11描述的各种方面能够被用于依据本公开内容的多种像素和子 像素布局，其中图2是一个示范性和非限制的该样的布局。由本公开内容设想的各种额外 示范性布局被描绘在图12-18中。各种示范性布局图解存在用来实施在本文中描述的示范 性实施例的许多方式；在许多情形中，任何特定布局的选择被下述各种因素驱动，诸如比如 电路的在下面的布局、期望的像素形状(其在图解的实施例中被描绘为长方形和六边形，但 是也能够是其它形状，诸如人字形、圆形、六边形、S角形等等)，W及与显示器的视觉外观 有关的因素(诸如能够对显示内容诸如文本、图形、或动态视频的不同类型和对不同配置观 察到的视觉伪象)。本领域普通技术人员将意识到多个其它布局落在本公开内容的范围内， 并且能够通过修改且基于在本文中描述的原理来得到。进一步，本领域普通技术人员将理 解尽管为了简化W下在图12-18的描述中仅描述限定限制井的限制结构，但是包含W上参 考图3A-11描述的表面特征、电路、像素限定层、和其它层的任何特征能够结合在本文中的 任何像素布局来使用。
[0095] 图12描绘用于0L邸显示器700的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平面 视图，并且类似于图2的布局，其中W下描述布局的进一步方面。限制结构704,比如如W上 讨论的岸结构，能够被提供在衬底上W限定在被排列的配置中的多个限制井720、730、740。 每个限制井720、730、740能够包含0L邸材料的基本上连续的层（由阴影区指示)，使得有机 层延伸穿过限制井720、730、740到围绕限制井的限制结构704,比如在每个井720、730、740 中的0L邸材料的层的边缘可W接触限制结构704。0L邸层能够包含比如下述中的一个或 多个；空穴注入材料、空穴输运材料、电子输运材料、电子注入材料、空穴阻挡材料、和提供 发射不同光发射波长范围的有机光发射材料。比如，限制井720能够包含与在红色波长范 围内的光发射相关联的有机光发射层并且由R指示，限制井730能够包含与在由G指示的 绿色波长范围内的光发射相关联的有机光发射层，并且限制井740能够包含与在由B指示 的藍色波长范围内的光发射相关联的有机光发射层。井720、730、740能够具有多种布置和 配置，关于彼此包含(例如布局)。比如，如在图12中图解的，分别含有红色有机光发射层R 和绿色有机光发射层G的限制井720和限制井730W交替的布置被设置在行Ri、Rs中。与 行Ri和R3交替的是含有藍色有机光发射层B的限制井740的行R2和R4。限制井720、730 也能够被替选地布置在行Ri、Rs内。
[0096]多个电极 706、707、708、709 ;736、737、738、739;和 742、744 能够分别被设置在每 个限制井720、730、740内，其中每个电极能够与子像素相关联，该子像素与特定光发射色 彩诸如红色、绿色、或藍色光发射相关联。在图12中由虚线识别的像素750、751、752、753能 够被限定成包含具有红色光发射的一个子像素、具有绿色光发射的一个子像素、和具有藍 色光发射的一个子像素。比如，每个限制井720、730、740能够分别包含多个电极706、707、 708、709 ;736、737、738、739 ;和742、744,该多个电极被配置成使得它们的相关联电极有源 区对应于在图12中示出的电极轮廓，被彼此间隔开。限制井720、730、740能够在限制井内 具有电极的不同数目和/或布置。替选地，额外的布置是可能的，诸如带有除了红色、绿色、 和藍色W外的其它色彩集合的、包含设及多于=个子像素色彩的色彩组合的布置。其它布 置也是可能的，在其中单个色彩的多于一个子像素与特定像素相关联，比如每个像素能够 具有与它相关联的一个红色、一个绿色、和两个藍色子像素、或特定色彩和色彩的其它组合 的子像素的数目的其它组合。另外，如果不同的光发射材料的多层被定位在彼此之上，则设 想不同色彩子像素可W彼此交叠。如在图12中图解的，子像素电极能够与限定限制井的结 构间隔开。在替选的实施例中，子像素电极能够被沉积，使得它们直接邻近限制井结构，使 得在电极和限制结构之间不发生间隙。此外，限制井结构能够被设置在子像素电极的部分 之上。
[0097] 此外，邻近限制井能够具有不同的子像素布置。比如，如在图12中图解的，限制井 720和730包含2 X 2有源电极区布置，并且限制井740包含1 X 2有源电极区布置，其中在 2X2布置中的有源电极区是相同尺寸的方形，并且在1X2布置中的有源电极区是相同尺 寸的长方形。如W上指出的，在不同限制井内的电极能够具有有源区的不同表面积。
[0098] 在一个示范性布置中，与用来寻址在藍色波长范围B内的光发射的子像素的电极 相关联的有源区能够比与用来寻址在红色和/或绿色波长范围R、G内的光发射的电极相关 联的有源区具有更大的表面积。可W期望的是与具有在藍色波长范围B中的光发射的子像 素相关联的电极的有源区具有比与关联于红色或绿色光发射的子像素电极相关联的有源 区更大的表面积，因为当操作在相同面积亮度级时，与藍色光发射相关联的子像素经常比 与具有红色或绿色光发射相关联的子像素具有基本上更短的寿命。增加与藍色光发射相关 联的子像素的相对有源面积能够实现操作在相对更低的面积亮度级同时仍维持相同总体 显示亮度，由此增加与藍色光发射相关联的子像素的寿命和显示器的总体寿命。指出可W 关于与藍色光发射相关联的子像素相应地减少与红色和绿色光发射相关联的子像素。该能 够导致关于与藍色光发射相关联的子像素W更高亮度级来驱动与红色和绿色光发射相关 联的子像素，该能够减少红色和绿色OL邸器件寿命。然而，与红色和绿色光发射相关联的 子像素的寿命能够比与关联于藍色子像素的子像素相关联的寿命显著地更长，与藍色光发 射相关联的子像素关于总体显示器寿命保持为限制性子像素。尽管在限制井740内的电极 的有源区被图解为W它们的在图12中水平延伸的延长方向来布置，但是电极能够替选地 被布置成使得它们的延长方向在图12中垂直地延伸。
[0099] 在邻近限制井之间的空隙能够贯穿像素布局相等或能够变化。比如，参考图12， 在限制井720、730之间的空隙b'能够大于或等于在限制井720或730和740之间的空隙 f'。换句话说，在图12的定向中，在行中在邻近限制井之间的水平空隙可W与在邻近行中 在邻近限制井之间的垂直空隙不同。另外，在行Ri、R3中的水平空隙b'可W等于在行R2、R4 中的水平空隙a'，或与在行R2、R4中的水平空隙a'不同。
[0100] 在不同的限制井720、730、740中的每个内在电极的有源区之间的间隔（间隙)也能 够相同或不同并且可W取决于间隔的方向（例如水平或垂直)来变化。在一个示范性实施例 中，在限制井720、730内在电极的有源区之间的间隙d和e能够相同并 且能够与在限制井 740内在电极的有源区之间的间隙不同。进一步，在各种示范性实施例中，在相同或不同行 中，在限制井内在邻近有源电极区之间的间隙小于在相邻限制井中在邻近有源电极区之间 的间隙。比如，在图12中c、t和e可W每个小于a、b、或f。
[0101] 在图12中在每个限制井例如720的内部边缘和在那个限制井内相关联的有源电 极区例如706、707、708、709中的每个的外部边缘之间存在示出的间隙。然而，如在图2中图 解的，依据各种示范性实施例，该样的间隙可W不存在并且有源电极区中的每个的外部边 缘可W与限制井的内部边缘相同。该个配置能够比如使用像在图3A中图解的一个结构的 结构来实现，其中在图12中示出的配置(在其中存在该样的间隙）能够比如使用像在图5A 中图解的一个结构的结构来实现。然而，其它结构也可W能够实现在图2和12中图解的相 同配置。
[0102] 像素750、751、752、753能够基于限制井布置和对应的子像素布局被限定。像素 750、751、752、753的总体间隔、或节距能够基于显示器的分辨率。比如，显示器分辨率越高， 节距越小。此外，邻近像素能够具有不同的子像素布置。比如，如在图12中图解的，像素750 包含在顶部左部分中的红色子像素R、在顶部右部分中的绿色子像素G、和在跨越像素的底 部部分的大部分中的藍色子像素B。像素751的子像素布局类似于像素750的子像素布局， 除了绿色子像素G和红色子像素R的相对定位被交换(其中绿色子像素G在顶部左部分中， 红色子像素R在顶部右部分中）之外。分别邻近像素751、750并且在像素751、750下方的 像素752和753分别是像素751和750的镜像。因而，像素752包含在顶部部分中的藍色 子像素B、在底部左部分中的绿色子像素G、和在底部右部分中的红色子像素R。并且像素 753包含在顶部部分中的藍色子像素、在底部左部分中的绿色子像素、和在底部右部分中的 红色子像素。
[0103] 在针对依据图12的并且具有326像素/英寸（ppi)的高分辨率显示器的示范性实 施例中，包含红色子像素、绿色子像素和藍色子像素的像素能够具有近似78ymX78ym 的总体尺度，从而对应于为实现326ppi所需要的显示器的总体节距。针对该个实施例假 定a' =b' =f'=12ym，如之前讨论的，反映在限制区之间的现有技术水平的最小间隔，进一 步假定a=b=f=12ym+6]im=18ym，反映在其中利用在限制井边缘内部延伸3ym的限 定层的情形，并且最后假定c=d=e=3ym作为在限制井内在电极有源区之间的典型间隙，与 红色和绿色子像素中的每个相关联的面积能够是28.5ymX28. 5ym并且与藍色子像素 相关联的面积能够是60ymX27ym。藍色子像素的表面积能够大于红色和绿色子像素 中的每个W增加总体显示器寿命，如W上描述的。该样的布局能够具有与具有66ymX66 ym的尺度的2X2红色和绿色子像素的群组相关联的限制井，和与具有66ymX66ym的 尺度的1X2藍色子像素的群组相关联的限制井。该样的尺度提供用传统喷墨印刷头和印 刷系统对有源OL邸材料的直接加载，同时也提供带有大于50%诸如53%的高填充因子的高 分辨率显示器。该样的尺度也提供在具有限定层的结构中的该样的特征，该限定层能够通 过阻挡穿过紧接邻近限制井壁的薄膜区的电流流动而在有源电极区内提供提升的薄膜均 匀性。
[0104] 在针对具有440像素/英寸（ppi)的高分辨率显示器的对应的示范性实施例中， 包含红色子像素、绿色子像素、和藍色子像素的像素能够具有近似58ymX58ym的总体 尺度，其中假定针对尺度a、b、C、te、f、a'、b'、和f'的值与在紧接之前示例中相同，与红 色和绿色子像素中的每个相关联的面积能够是18.5ymX18. 5ym并且与藍色子像素相 关联的面积能够是40ymX17ym。藍色子像素的表面积能够大于红色和绿色子像素中的 每个W增加总体显示器寿命，如W上描述的。该样的布局能够具有与具有46ymX46ym 的尺度的2X2红色和绿色子像素的群组相关联的限制井，和与具有46ymX46ym的尺 度的1X2藍色子像素的群组相关联的限制井。该样的尺度提供用传统喷墨印刷头和印刷 系统对有源0L邸材料的相对直接的加载，同时也提供带有40%的高填充因子的高分辨率显 示器。
[0105] 在每个W上示范性实施例中，能够实施针对尺度a、b、c、te、f、a'、b'、和f'的各 种值。然而，本领域普通技术人员将意识到该些尺度变化。比如在限制壁（a'、b'、f')之间 的间隔能够变化，如之前讨论的，对大ppi而言从与1ym-样小到与几百微米一样大。在 限制井（C、d、e)内在有源电极区之间的间隙能够变化，如W上讨论的，从与1ym-样小到 与几十微米一样大。在有源电极区和限制壁的边缘之间的间隙(有效地分别是在a'和a、b' 和b、化及f'和f之间的差的一半）也能够变化，如W上讨论的，从与1ym-样小到与10 ym-样大。此外，因为该些尺度是变化的，所W它们连同ppi(确定显示器的总体节距)一 起施加约束，该约束限制对限制井尺度和含在其中的有源电极区所允许的值的范围。在W 上示范性实施例中，为了简化，相同尺度的方形限制井被用于所有的S个色彩。然而，限制 井不需要是方形，并且不需要所有都是相同尺寸。此外，在图12中提供的尺度指示各种常 见尺度，比如，在红色限制井和绿色限制井内在有源电极区之间的间隙，但是在一些示范性 实施例中那些间隙不是常见尺度而是彼此不同。
[0106] 图13描绘0L邸显示器800的另一个示范性像素/子像素布局的部分平面视图。 与之前讨论的示范性实施例共同的特征不被描述。为了简化，将讨论不同。
[0107] 与比如在图12中图解的显示器700的子像素电极相比，显示器800能够具有在限 制井内的与子像素电极相关联的有源区之间的更大的分开。在分别限制井820、830、840内 在与电极806、807、808、809;836、837、838、839;和842、844相关联的邻近有源区之间的间 隔能够大于在邻近限制井中在邻近有源电极区之间的空隙。比如，与电极836相关联的有 源区能够W预确定距离g彼此间隔开，并且类似地对与电极838相关联的有源区而言。在 相邻限制井820、830中在邻近有源电极区之间的空隙k能够小于在与电极836、838相关联 的有源区之间的空隙g，并且在与电极842 (并且类似地对电极844)相关联的有源区之间 的空隙m能够大于在相邻限制井840和限制井820、830中在邻近有源电极区之间的空隙 n。该样的间隔能够在设置在限制井内并且与相同光发射色彩相关联的子像素电极之间提 供更大间隔同时提供与单个限定像素相关联的子像素电极的更紧密的布置。该个间隔能够 减少不期望的视觉伪象，使得显示器看似是紧密布置的RGB=元组的阵列而不是紧密布置 的RRRR四元组、GGGG四元组、和BB对的阵列。
[010引在图14中描绘依据本公开内容的用于显示器的另一个示范性像素/子像素布局。 限制结构904能够被提供在衬底上W限定在被排列的配置中的多个限制井920、930、940。 每个限制井920、930、940能够包含0L邸材料的基本上连续的层（由阴影区指示)，使得有机 层的边缘延伸贯穿限制井920、930、940到围绕限制井的限制结构904,比如在每个井920、 930、940中的0L邸材料层的边缘可W接触限制结构904。有源0LED层比如能够包含而没 有限制下述中的一个或多个；空穴注入材料、空穴输运材料、电子输运材料、电子注入材料、 空穴阻挡材料、和提供发射不同光发射波长范围的有机光发射材料。比如，限制井920能够 包含与在红色波长范围R内的光发射相关联的有机光发射层，限制井930能够包含与在绿 色波长范围G内的光发射相关联的有机光发射层，并且限制井940能够包含与在藍色波长 范围B内的光发射相关联的有机光发射层。有机光发射层能够W任何布置和/或配置被设 置在井内。比如，设置在限制井920、930、940中的有机光发射层被布置成在每行内具有交 替布置。邻近行能够具有相同布置或不同布置。此外，尽管限制井920、930、940的邻近行 被图解为具有均匀对准，但是限制井920、930、940的邻近行能够替选地具有不均匀对准， 诸如偏移布置。另外，限制井920和930能够W替选图案被颠倒。
[0109] 每个井920、930、940的配置能够具有长方形形状，使得每个井在垂直方向中被延 长。井920、930、940在延长的垂直方向中能够具有近似相同的尺度。此外，井920、930、940 能够具有近似相同的宽度。然而，与藍色有机光发射层相关联的整个井940能够与单个子 像素并且因而与像素相关，而与红色和绿色有机光发射层相关联的井920、930能够与多个 子像素并且因而与多个像素相关。比如，限制井920、930能够包含多个电极，使得每个电极 与不同像素的不同子像素相关联。如在图14中图解的，井920包含两个电极926、928并且 与两个不同像素950、951相关联。
[0110] 不同数目的电极926、928、936、938、946能够被设置在不同限制井内。比如，一些 限制井920、930能够包含多个电极926、928 ;和936、938W选择性地寻址设置在相同限制 井中的电极但是针对在不同像素中的不同子像素产生光发射，而其它限制井940仅包含一 个电极946W寻址设置在与一个像素相关联的一个限制井中的电极。替选地，设置在限制 井940中的电极的数目能够是设置在其它限制井920、930中的电极的数目的一半。此外， 在不同限制井内的电极能够具有不同表面积。比如，与在藍色波长范围内的光发射相关联 的电极能够比与在红色和/或绿色波长范围内的光发射相关联的电极具有更大的表面积 W改进显示器900的寿命并且减少功耗。
[0111] 像素950、951能够基于限制井布置和对应的子像素布局被限定。像素950、951的 总体间隔或节距能够基于显示器的分辨率。比如，显示器分辨率越高，节距越小。此外，邻 近像素能够具有不同的子像素布置。比如，如在图14中图解的，像素950能够包含在左的 绿色子像素G、在中间的藍色子像素B、和在右的红色子像素R。像素951能够包含在左的红 色子像素R、在中间的藍色子像素B、和在右的绿色子像素G。
[0112] 图15描绘用于0L邸显示器1000的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平 面视图。与W上讨论的实施例共同的特征不被描述(尽管类似标示能够在图15中W1000系 列被找到)。为了简化，将讨论不同。限制结构1004能够被配置成限定多个井1020、1030、 1040。井1020、1030、1040能够被布置，使得井1020、1030、1040在均匀的行中被对准，其中 与红色光发射和绿色光发射相关联的井（比如，1020U030)在单个行内交替并且与藍色光 发射相关联的井（比如，1040)在单个行内。此外，井1020、1030、1040能够被配置，使得井 1020、1030、1040在均匀的列内被对准，从而使得井1020、1040的列与井1030、1040的列交 替。限制井1020和1030能够被替选地布置，使得限制井1030开始交替图案。
[0113] 每个限制井1020、1030、1040能够是近似相同的尺寸。然而，与每个井1020、1030、 1040相关联的电极的数目能够不同。比如，如在图15中图解的，与红色光发射相关联的井 1020能够包含电极1026、1027、1028、1029,与绿色光发射相关联的井1030能够包含电极 1036、1037、1038、1039,并且与藍色光发射相关联的井1040能够包含电极1046、1048。尽管 在限制井1040内的电极被图解为水平间隔来布置，但是电极能够替选地被布置W垂直被 间隔。
[0114]尽管电极 1026、1027、1028、1029、1036、1037、1038、1039 在图 15 中被图解为具有 方形形状并且电极1046U048被图解为具有长方形形状，但是具有任何形状的电极被设想 为在本公开内容的范围内，诸如比如圆形的、人字形、六边形的、不对称的、不规则弯曲等。 多个不同形状电极能够被实施在单个限制井内。此外，不同限制井能够具有不同形状的电 极。电极的尺寸和形状能够影响在电极之间的距离并且因而影响显示器的总体布局。比如， 当形状是互补的时，电极能够一起被间隔得更紧密同时仍维持在邻近电极之间的电隔离。 此外，电极的形状和间隔能够影响创建的视觉伪象的程度。电极形状能够被选择成减少不 期望的视觉伪象并且提升图像合成W产生连续图像。
[0115]W虚线示出的像素1050U051能够基于限制井布置和对应的子像素布局被限定。 像素1050、1051的总体间隔或节距能够基于显示器的分辨率。比如，显示器分辨率越高，节 距越小。此外，像素能够被限定为具有不对称的形状。比如，如在图15中图解的，像素1050、 1051能够具有"L"形状。
[0116] 图16描绘用于0L邸显示器1100的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平 面视图。与W上讨论的示范性实施例共同的特征将不被描述(尽管带有1100系列的类似标 示能够在图16中被找到)。限制结构1104能够被配置为限定在多个列。八2^3八4中的多 个限制井1120、1130、1140。列。、〔2、〔3、〔4能够被布置成产生错列的布置。比如，在列(：1和 C3中的限制井能够与列C2和C4偏移，从而产生错列的行布置同时维持均匀的列布置。像素 1150U151能够基于限制井布置的节距被限定。限制井布置的节距能够基于显示器的分辨 率。比如，节距越小，显示器分辨率越高。此外，像素能够被限定为具有不对称的形状。比 如，如在图16中由虚线图解的，像素1150、1151能够具有不均匀形状。
[0117] 图17描绘用于0L邸显示器1200的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平 面视图。与W上讨论的实施例共同的特征不被描述(尽管带有1200系列的类似标示能够在 图17中被找到)。如在图17中图解的，限制结构1204能够被配置为限定多个限制井1220、 1230、1240。每个限制井1220、1230、1240能够具有不同的面积。比如，与红色光发射R相关 联的井1220能够具有比与绿色光发射G相关联的井1230更大的面积。此外，限制井1220、 1230、1240能够与不同数目的像素相关联。比如，限制井1220能够与像素1251、1252、1254、 1256相关联并且限制井1230、1240能够与像素1251、1252相关联。井1220、1230、1240能 够W均匀的行Ri、R2、Rs、R4、Rs被配置。行R2、Rs和Rs能够与藍色光发射井1240相关联， 并且行Ri和R4能够与交替的红色光发射井1220和绿色光发射井1230相关联。限制结构 1204能够具有多种尺度〇1、〇2、〇3、〇4。比如，能够大于〇2、〇3、或D"化能够小于D 1、〇3、或 〇4,并且能够近似等于〇4。
[0118] 图18描绘用于0L邸显示器1300的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平 面视图。与W上比如图17讨论的实施例共同的特征不被描述(尽管带有1300系列的类似标 示能够在图18中被找到)。限制结构1304能够被配置为限定多个限制井1320、1330、1340。 井1320、1330、1340能够被布置使得与红色光发射1320和绿色光发射1330相关联的井能 够在行内和与藍色光发射1340相关联的井交替。
[0119] 尽管W上描述各种像素和子像素布局，但是示范性实施例绝不限制如所描述的跨 越多个像素的限制井的形状、布置、和/或配置。替代地，与本公开内容相关联的限制井与 喷墨印刷制造方法结合允许选择灵活的像素布局布置。
[0120] 设想能够使用喷墨印刷来实现高分辨率0L邸显示器的各种像素布局。比如，如在 图19中图解的，限制结构1404能够创建六边形图案，使得像素1450能够包括与红色发射 R相关联的限制井1420、与绿色发射G相关联的限制井1430、和与藍色发射B相关联的限 制井1440。由于节距，限制井的形状、和将限制井更紧密包在一起的能力，具有高分辨率的 0L邸显示器能够使用喷墨印刷来创建。
[0121] 在本文中公开的实施例能够被用来在任何0L邸显示器中实现高分辨率。所W， 它能够被应用到各种电子显示器设备。该样的电子显示器设备的一些非限制性示例包含： 电视显示器、视频相机、数字相机、头戴式显示器、汽车导航系统、包含显示器的音频系统、 膝上型个人计算机、数字游戏机设备、便携式信息终端(诸如平板电脑、移动计算机、移动电 话、移动游戏机设备或电子书)、配备有记录媒介的图像回放装置。在图20和21中图解电 子显示器设备的两个类型的示范性实施例。
[0122] 图20图解结合依据本公开内容的任何0L邸显示器的电视监视器和/或台式个人 计算机的监视器。监视器1500能够包含框架1502、支撑物1504、和显示器部分1506。在本 文中公开的0L邸显示器实施例能够被用作显示器部分1506。监视器1500能够是任何尺寸 的显示器，比如高到55' '和超过55' '。
[0123] 图21图解结合依据本公开内容的任何0L邸显示器的移动装置1600(诸如蜂窝电 话、平板电脑、个人数据助理等）的示范性实施例。移动装置1600能够包含主体1062、显示 器部分1604、和操作开关1606。在本文中公开的0L邸显示器实施例能够被用作显示器部 分 1604。
[0124] 使用依据本公开内容的示范性实施例的各种方面，一些示范性尺度和参数能够在 获得具有增加的填充因子的高分辨率0L邸显示器中是有用的。表1-3包含与具有326ppi 的分辨率的0L邸显示器相关联的传统的尺度和参数W及依据本公开内容的示范性实施例 的预言的、非限制性的示例，其中表1描述与红色光发射相关联的子像素，表2描述与绿色 光发射相关联的子像素，并且表3描述与藍色光发射相关联的子像素。表4-6包含与具有 440ppi的分辨率的显示器相关联的传统的尺度和参数W及依据本公开内容的示范性实施 例的预言的、非限制性的示例，其中表4描述与红色光发射相关联的子像素，表5描述与绿 色光发射相关联的子像素，并且表6描述与藍色光发射相关联的子像素。
[0125]表 1
[0131] 表7包含与在具有326ppi的分辨率的显示器内的像素相关联的传统的尺度和参 数W及依据本公开内容的示范性实施例的预言的、非限制性的示例，其中像素包含红色子 像素、绿色子像素、和绿色子像素。
[0132] 表 7 * (有源面积/总面积）上舍入到最近百分点。
[0133] 如W上在表7中图解的，设想依据本公开内容的各种示范性实施例能够与传统限 审IJ结构相比实现填充因子改进。比如，针对设想在图3A和3B中图解的限制结构的显示器的 填充因子能够与传统结构相比W大约43%增加填充因子，由此实现65%的总填充因子。在 另一个实施例中，针对设想在图5A和5B中图解的限制结构的显示器的填充因子能够与传 统结构相比W大约51%改进填充因子，由此实现53%的总填充因子。
[0134] 表8包含与在具有440ppi的分辨率的显示器内的像素相关联的传统的尺度和参 数W及依据本公开内容的示范性实施例的预言的、非限制性的示例，其中像素包含红色子 像素、绿色子像素、和绿色子像素。
[0135] 表8
* (有源面积/总面积）上舍入到最近百分点。
[0136] 如W上在表8中图解的，设想依据本公开内容的各种示范性实施例能够与传统限 审IJ结构相比实现填充因子改进。比如，针对设想在图3A和3B中图解的限制结构的显示器的 填充因子能够与传统结构相比W大约84%改进填充因子，由此实现55%的总填充因子。在 另一个实施例中，针对设想在图5A和5B中图解的限制结构的显示器的填充因子能够与传 统结构相比W大约116%改进填充因子，由此实现40%的总填充因子。
[0137] 依据本公开内容，W上描述的并且依照本公开内容的各种示范性实施例能够通过 增加0LED材料液滴被加载到其中的限制井的尺寸而允许具有相对高的像素密度和增加的 填充因子的0L邸显示器的喷墨印刷，并且由此能够实现使用可得到的液滴尺寸和可得到 的喷墨系统液滴放置准确度。由于更大的限制井面积，高分辨率0L邸显示器能够使用足够 大喷墨液滴体积和可得到的液滴放置准确度来制造，而不需要利用太小的液滴体积或过分 高的液滴放置准确度，该能够在喷墨设备设计和印刷技术中造成抑制的挑战。在不实施依 据本公开内容的跨越多个子像素的限制井的情况下，液滴尺寸和系统液滴放置误差能够显 著地增加在使用现有喷墨头制造的任何高分辨率显示器中的问题，因为液滴将具有太大的 体积并且将溢出每个子像素井并且传统液滴放置准确度将导致将液滴整体或部分误放在 目标限制井外部，其两者将导致在薄膜沉积中的非期望误差和在最终显示器外观中的对应 的视觉缺陷。W现有液滴体积和液滴放置准确度来实现高像素密度的能力能够使在本文中 描述的技术被用于制造针对许多应用的相对高分辨率的显示器，从小尺寸显示器诸如比如 在智能电话和/或平板电脑中找到，化及大尺寸显示器诸如比如超高分辨率电视。另外，依 据示范性实施例，实现与在下面形貌基本上一致的基本上均匀的厚度的0L邸材料层(一个 或多个）能够提升总体0L邸显示器性能和质量，并且特别地能够允许在高分辨率0L邸显 示器中实现期望的性能和质量。W上描述的实施例中的一个或多个能够实现减少的填充因 子。在传统的像素布置中，针对具有在300-440ppi的范围中的分辨率的显示器的填充因子 具有小于40%并且经常小于30%的填充因子。相反，针对具有在300-440ppi的范围中的 分辨率的显示器，本公开内容的示范性实施例可W实现大于40%并且在一些实例中与60% 一样高的填充因子。示范性实施例能够被用于任何像素尺寸和布置，包含在高分辨率显示 器内的像素布置。
[013引示范性实施例能够与任何尺寸显示器一起使用并且更具体而言与具有高分辨率 的小显示器一起使用。比如，本公开内容的示范性实施例能够与具有在3-70英寸范围中的 对角线尺寸并且具有大于100ppi比如大于300ppi的分辨率的显示器一起使用。
[0139] 尽管描述的各种示范性实施例设想利用喷墨印刷技术，但是在本文中描述的各种 像素和子像素布局和产生用于0L邸显示器的那些布局的方式也能够使用其它制造技术诸 如热蒸发、有机气相沉积、有机蒸汽喷印来制造。在示范性实施例中，也能够执行替选的有 机层图案化。比如，图案化方法能够包含阴影遮掩(连同热蒸发一起）和有机蒸汽喷印。特 别地，尽管在本文中描述的像素布局(在其中相同色彩的多个子像素被群组在一起并且在 其中沉积的0L邸薄膜层跨越在被群组的子像素区内的实体形貌）针对喷墨印刷应用已被 构思，但是该样的布局也能够对用于0L邸薄膜层沉积的真空热蒸发技术(在其中图案化步 骤使用阴影遮掩来实现）具有有益的替选应用。如在本文中描述的该样的布局提供更大的 阴影掩模孔和在该样的孔之间的增加的距离，由此潜在地改进该样的阴影掩模的一般实用 性和总体机械稳定性。尽管带有阴影掩模的真空热蒸发技术可能不与喷墨技术一样低成 本，但是使用依据本公开内容的像素布局和使用跨越在被群组的与相同色彩相关联的子像 素区内的实体形貌的0L邸薄膜层涂层也表示在本文中描述的本公开内容的潜在重要的应 用。
[0140] 尽管W上已详细描述仅一些示范性实施例，但是本领域技术人员将容易意识到在 示例实施例中许多修改是可能的，而没有本质上脱离该公开内容。所W，所有该样的修改意 图被包含在如在所附权利要求中限定的该公开内容的范围内。
[0141] 在下面部分公开进一步方面。
[0142] 第一方面设及有机发光二极管（0LED)显示器。第一方面能够包含设置在衬底上 的第一电极。第一电极能够与第一子像素相关联。第一方面能够进一步包含第二电极，该 第二电极被设置在衬底上并且与第一电极间隔开W提供在第一和第二电极之间的间隙。第 二电极能够与第二子像素相关联。限制结构能够被定位在衬底上W限定含有第一电极和第 二电极的井的边界。0L邸显示器也能够包含基本上连续的有源0L邸材料层，该基本上连续 的有源0L邸材料层跨越井的边界并且被设置在第一电极和第二电极之上。背对衬底的有 源0LED材料层的表面能够具有非平面形貌。
[0143] 依据第一方面的第二方面，0L邸显示器能够进一步包含具有基本上均匀厚度的有 源0LED材料的层。
[0144] 依据前述方面中的任何一个的第S方面，0L邸显示器能够进一步包含有源0LED 材料的层，该有源0L邸材料的层包含厚度中的局部不均匀性。
[0145] 依据前述方面中的任何一个的第四方面，0L邸显示器能够进一步包含在井中的表 面特征的边缘的5ym-10ym内的厚度中的局部不均匀性。
[0146] 依据前述方面中的任何一个的第五方面，0L邸显示器能够进一步包含具有小于第 一电极和第二电极的厚度的厚度的有源0LED材料的层。
[0147] 依据前述方面中的任何一个的第六方面，0L邸显示器能够进一步包含有源0LED 材料，该有源0L邸材料包括光发射材料和/或空穴导电材料。
[014引依据前述方面中的任何一个的第走方面，0L邸显示器能够进一步包含空穴导电材 料，该空穴导电材料包括空穴注入材料和/或空穴输运材料。
[0149] 依据前述方面中的任何一个的第八方面，0L邸显示器能够进一步包含在第一电极 和第二电极之间的间隙内在衬底上提供结构和/或在该结构上沉积第一限定层。
[0150] 依据前述方面中的任何一个的第九方面，OL邸显示器能够进一步包含在第一电极 和第二电极的部分W及衬底上沉积第二限定层并且随后在第二限定层之上沉积限制结构。
[0151] 依据前述方面中的任何一个的第十方面，0L邸显示器能够进一步包含第一限定层 和/或第二限定层，该第一限定层和/或第二限定层包括电阻性材料。
[0152] 依据前述方面中的任何一个的第十一方面，0L邸显示器能够进一步包含具有大于 40%比如大于60%的填充因子的显示器。
[0153] 依据前述方面中的任何一个的第十二方面，0L邸显示器能够进一步包含具有至少 100ppi比如至少300ppi的分辨率的显示器。
[0154] 依据前述方面中的任何一个的第十S方面，0L邸显示器能够进一步包含显示器， 该显示器是顶部发射显示器。
[0巧5] 第十四方面设及制造有机发光二极管（0LED)显示器的方法。第十四方面能够包 含在衬底上提供与第一子像素相关联的第一电极和与第二子像素相关联的第二电极，其中 在第一电极和第二电极之间形成间隙并且其中第一电极和第二电极被定位在具有由衬底 上的限制结构限定的边界的井中。方法也能够包含在带有被定位在其中的电极的井中沉积 有源0L邸材料W形成有源0L邸材料的基本上连续的层，该有源0L邸材料的基本上连续的 层跨越井的边界，使得背对衬底的有源0L邸材料的层的表面具有非平面形貌。沉积能够经 由喷墨印刷。
[0156] 第十五方面能够进一步包含使用依据方面十四的方法形成的设备。
[0157] 第十六方面设及有机发光二极管（0LED)显示器。第十六方面能够包含在衬底上 提供的限制结构。限制结构能够限定在阵列配置中的多个井。0L邸显示器也能够包含设置 在每个井内的多个电极，其中多个电极能够彼此间隔开。具有第一光发射波长范围的第一 有机光发射层能够被设置在多个井中的至少一个中。具有第二光发射波长范围的第二有机 光发射层能够被设置在多个井中的至少一个中，并且具有第=光发射波长范围的第=有机 光发射层能够被设置在多个井中的至少一个中。设置在与第一和第二有机光发射层相关联 的井内的电极的数目能够与设置在与第=有机光发射层相关联的井内的电极的数目不同。 [015引依据第十六方面的第十走方面，0L邸显示器能够进一步包含与红色光发射相关联 的第一光发射波长范围、与绿色光发射相关联的第二光发射波长范围、和与藍色光发射相 关联的第=光发射波长范围。
[0159] 依据第十六方面和第十走方面的第十八方面，0L邸显示器能够进一步包含能够与 限定的像素边界不同的每个井的边界。
[0160] 依据第十六方面到第十八方面的第十九方面，0L邸显示器能够进一步包含设置在 分别井内的多个电极中的每个能够与不同像素相关联。
[0161] 依据第十六方面到第十九方面的第二十方面，0L邸显示器能够进一步包含与第一 有机光发射层和/或第二光发射层相关联的井能够具有2X2电极布置。
[0162] 依据第十六方面到第二十方面的第二十一方面，0L邸显示器能够进一步包含具有 1X2电极布置的与第=有机光发射层相关联的井。
[0163] 依据第十六方面到第二十一方面的第二十二方面，0L邸显示器能够进一步包含在 与第一有机光发射层和第二有机光发射层相关联的井之间的空隙大于或等于在与第一有 机光发射层和第=有机光发射层相关联的井之间的空隙。
[0164]依据第十六方面到第二十二方面的第二十S方面，OL邸显示器能够进一步包含在 与第一有机光发射层和第二有机光发射层相关联的井之间的空隙大于或等于在与第=光 发射层相关联的两个邻近井之间的空隙。
[0165]依据第十六方面到第二十=方面的第二十四方面，0L邸显示器能够进一步包含设 置在W大于在邻近井之间的距离的空隙彼此间隔开的井中的至少一个中的多个电极。
[0166]依据第十六方面到第二十四方面的第二十五方面，0L邸显示器能够进一步是顶部 发射显示器和/或有源矩阵显示器。
[0167]依据第十六方面到第二十五方面的第二十六方面，0L邸显示器能够进一步具有大 于40%比如大于60%的填充因子。
[016引依据第十六方面到第二十六方面的第二十走方面，0L邸显示器能够具有大于100ppi比如大于300ppi的分辨率。
[0169] 第二十八方面设及有机发光二极管（0LED)显示器。第二十八方面能够包含在衬底 上提供的限制结构。限制结构能够限定在阵列配置中的多个井。多个井能够包含第一井、 第二井、和第=井。第一多个电极能够被设置在第一井内，其中在第一井中的每个电极能够 与不同像素相关联。第二多个电极能够被设置在第二井内，其中在第二井中的每个电极与 不同像素相关联。至少一个第=电极能够被设置在第=井内。具有第一光发射波长范围的 第一有机光发射层能够被设置在第一井中。具有第二光发射波长范围的第二有机光发射层 能够被设置在第二井中。具有第=光发射波长范围的第=有机光发射层能够被设置在第= 井中。设置在第一和第二井中的每个内的电极的数目能够与设置在第=井内的电极的数目 不同。
[0170]依据第二十八方面的第二十九方面，0L邸显示器能够进一步包含设置在第S井内 的多个电极并且在第=井内的每个电极能够与显示器的不同像素相关联。
[0171]依据第二十八方面和第二十九方面的第=十方面，0L邸显示器能够进一步包含设 置在第S井中的电极的数目能够是设置在第一井中的电极的数目的一半。
[0172]依据第二十八方面到第=十方面的第=十一方面，0L邸显示器能够进一步包含显 示器的像素，该显示器的像素包含与第一井相关联的子像素、与第二井相关联的子像素、和 与第=井相关联的子像素。
[0173]依据第二十八方面到第=十一方面的第=十二方面，0L邸显示器能够进一步包含 与包含具有第一表面积的有源电极区的第一和第二井中的每个相关联的子像素W及与包 含具有第二表面积的有源电极区的第=井相关联的子像素，其中第二表面积能够大于第一 表面积。
[0174]依据第二十八方面到第S十二方面的第S十S方面，0L邸显示器能够进一步包含 具有不对称形状的显示器的像素。
[0175]依据第二十八方面到第=十=方面的第=十四方面，0L邸显示器能够进一步是顶 部发射显示器和/或有源矩阵器件。
[0176]依据第二十八方面到第=十四方面的第=十五方面，0L邸显示器能够进一步具有 大于40%比如大于60%的填充因子。
[0177]依据第二十八方面到第=十五方面的第=十六方面，0L邸显示器能够进一步具有 大于100ppi比如大于300ppi的分辨率。
[017引要理解在本文中示出和描述的各种实施例要取作示范性的。元件和材料W及那些 元件和材料的布置可W代替在本文中图解和描述的那些，并且可W颠倒部分，所有该些在 具有在本文中描述的益处后对本领域技术人员将是显而易见的。可W在本文中描述的元件 中做出改变而没有脱离本公开内容和所附权利要求(包含它们的等价物）的精神和范围。
[0179] 本领域普通技术人员将意识到可W对在本文中描述的示范性实施例的配置和方 法论做出各种修改而没有脱离本教导的范围。
[0180] 本领域普通技术人员也将意识到关于在本文中的一个示范性实施例公开的各种 特征可W与带有合适修改的其它示范性实施例组合使用，即使该样的组合在本文中未被明 确公开。
[0181] 将对本领域普通技术人员显而易见的是，能够对本公开内容的器件、方法、和系统 做出各种修改和变化，而没有脱离本公开内容和所附的权利要求的范围。本公开内容的其 它实施例通过考虑在本文中公开的公开内容的实践和说明书对本领域技术人员将是显而 易见的。意图说明书和示例被认为仅是示范性的。
【主权项】
1. 一种有机发光二极管（OLED)显示器，包括： 第一电极，设置在衬底上，其中所述第一电极与第一子像素相关联； 第二电极，设置在衬底上并且与所述第一电极间隔开以提供在第一和第二电极之间的 间隙，其中所述第二电极与第二子像素相关联； 限制结构，被定位在衬底上以限定含有所述第一电极和所述第二电极的井的边界；以 及 基本上连续的有源OLED材料层，跨越井的边界并且被设置在所述第一电极和所述第 二电极之上，其中背对衬底的有源OLED材料层的表面具有非平面形貌。2. 权利要求1的所述显示器，其中有源OLED材料的层具有基本上均匀的厚度。3. 权利要求1或2的所述显示器，其中有源OLED材料的层包含厚度中的局部不均匀 性，比如厚度中的局部不均匀性在井中的表面特征的边缘的5ym-10ym内。4. 依据任何前述权利要求的所述显示器，有源OLED材料的层具有小于所述第一电极 和所述第二电极的厚度的厚度。5. 依据任何前述权利要求的所述显示器，其中有源OLED材料包括光发射材料和/或空 穴导电材料。6. 权利要求5的所述显示器，其中所述空穴导电材料是空穴注入材料和/或空穴输运 材料。7. 依据任何前述权利要求的所述显示器，进一步包括在第一电极和第二电极之间的间 隙内在衬底上提供结构和/或在所述结构上沉积第一限定层。8. 依据任何前述权利要求的所述显示器，进一步包括在衬底以及第一电极和第二电极 的部分上沉积第二限定层并且随后在第二限定层之上沉积限制结构。9. 依据权利要求7或8的所述显示器，其中所述第一限定层和/或所述第二限定层包 括电阻性材料。10. 依据任何前述权利要求的所述显示器，其中所述显示器具有大于40%比如大于60% 的填充因子。11. 依据任何前述权利要求的所述显示器，其中所述显示器具有至少100PPi比如至 少300ppi的分辨率。12. 依据任何前述权利要求的所述显示器，其中所述显示器是顶部发射显示器。13. 依据任何前述权利要求的所述显示器，其中所述显示器是有源矩阵器件。14. 一种制造有机发光二极管（OLED)显示器的方法，包括： 在衬底上提供与第一子像素相关联的第一电极和与第二子像素相关联的第二电极，其 中在所述第一电极和所述第二电极之间形成间隙并且其中所述第一电极和所述第二电极 被定位在具有由衬底上的限制结构限定的边界的井中；并且 在带有被定位在其中的电极的井中沉积有源OLED材料以形成有源OLED材料的基本上 连续的层，该有源OLED材料的基本上连续的层跨越井的边界，使得背对衬底的有源OLED材 料的层的表面具有非平面形貌，其中沉积经由喷墨印刷。15. -种使用依据权利要求14的方法形成的设备。
【专利摘要】一种制造有机发光二极管（OLED）显示器的方法能够包含：在衬底上提供与第一子像素相关联的第一电极和与第二子像素相关联的第二电极，其中在第一电极和第二电极之间形成间隙并且其中第一电极和第二电极被定位在具有由衬底上的限制结构限定的边界的井中。方法也能够包含在带有被定位在其中的电极的井中沉积有源OLED材料以形成有源OLED材料的基本上连续的层，该有源OLED材料的基本上连续的层跨越井的边界，使得背对衬底的有源OLED材料的层的表面具有非平面形貌。沉积能够经由喷墨印刷。
【IPC分类】H01L27/32, H01L51/00
【公开号】CN104904015
【申请号】CN201380070779
【发明人】C.马迪根
【申请人】科迪华公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2013年9月19日
【公告号】EP2946405A1, US20140197385, WO2014113079A1
【专利说明】
[0001] 对相关申请的交叉引用 该申请要求2013年1月17日提交的美国临时专利申请号61/753, 692和2013年9月 18日提交的美国非临时申请号14/030,776的优先权，其两者通过引用整体地结合在本文 中。
技术领域
[0002] 本公开内容的方面大体上设及电子显示器和用于制作电子显示器的方法。更具体 而言，本公开内容的方面设及在衬底上沉积有机发光层W制造高分辨率显示器。
【背景技术】
[0003] 在本文中使用的段落标题仅为了组织的目的并且不要被理解为W任何方式限制 描述的主题内容。
[0004] 电子显示器存在于许多不同种类的电子设备(诸如比如电视屏幕、计算机监视器、 手机、智能手机、平板电脑、手持游戏控制台等)中。一种类型的电子显示器依赖于有机发光 二极管（0LED)技术。0L邸技术利用夹在设置在衬底上的两个电极之间的有机发光层。电 压能够跨过电极来施加，从而引起电荷载流子被激发和被注入到有机发光层中。光发射能 够当电荷载流子弛豫回到正常能态时通过光致发射来发生。因为每个像素能够单独被寻址 W仅在被寻址的像素内产生光发射，所W0L邸技术能够提供带有相对高对比率的显示器。 由于像素的发射性质，0L邸显示器也能够提供广的观看角度。0L邸显示器的功率效率与其 它显示技术相比能够被改进，因为0L邸像素仅当直接被驱动时才消耗功率。额外地，由于 该技术的光生成性质，产生的面板能够比在其它显示技术中薄得多，从而消除对在显示器 本身和薄的器件结构内的光源的需要。由于有源0L邸层的柔顺的性质，0L邸显示器也能 够被制造成柔性的和可弯曲的。
[0005] 喷墨印刷是能够在0L邸制造中被利用的技术，并且可W减少制造成本。喷墨印刷 使用从喷嘴W高速度喷出的含有0L邸层材料和一个或多个载液的墨的液滴W产生一个或 多个有源0L邸层，该一个或多个有源0L邸层包含比如空穴注入层、空穴输运层、电子阻挡 层、有机光发射层、电子输运层、电子注入层、和空穴阻挡层。
[0006] 为了形成子像素并且防止0L邸墨免于在限定的子像素之间扩展，在衬底上提供 诸如岸（bank)的限制结构W限定限制井。喷墨印刷方法能够要求相当大的精确度。特别 地，随着像素密度增加，限制井的限制面积减少并且在液滴放置中的小误差能够引起液滴 被沉积在预期的井外。另外，液滴体积能够关于限制井太大并且液滴能够非期望地溢出到 邻近的子像素中。此外，由于薄膜干燥非理想性，能够在限制井的边缘处形成不均匀性。随 着限制井面积减少，不均匀性能够侵占像素的有源发射区域，从而创建由不均匀性引起的 在来自像素的光发射中的非期望视觉伪象。此外，由于限制结构，减少每个像素的有源区域 与总区域(有源区域和非有源区域两者）的比率(被称为"填充因子")，该进而能够减少显示 器的寿命，因为每个像素必须使用更多的电流来驱动W实现等同的显示亮度级并且使用更 多的电流来驱动每个像素对减少像素寿命是已知的。
[0007] 尽管传统喷墨方法处理与0L邸制造相关联的一些挑战，但是存在对改进的持续 的需要。比如，存在对下述的持续的需要：特别地针对具有高分辨率(即高像素密度)的0L邸 显示器，减少0L邸制造工艺对液滴放置精确度的灵敏度。另外，存在对下述的需要；减少由 高分辨率显示器中的有机发光层的沉积创建的非期望视觉伪象。也存在对下述的需要：通 过改进每个像素的填充因子使得增加与有源元件相关联的面积来改进器件寿命。进一步， 存在对在下述方面的改进的需要；使用和制造高分辨率显示器应用中的0L邸显示器，该高 分辨率显示器应用包含但不被限制到比如：高分辨率移动电话和平板计算机，该提出在实 现可接受的分辨率、功率效率、显示器寿命、和制造成本中的挑战。
【发明内容】
[0008] 本公开内容可W解决W上提及的问题中的一个或多个和/或实现W上提及的期 望的特征中的一个或多个。其它特征和/或优点可W从下面的描述变为显而易见的。
[0009] 依据本公开内容的示范性实施例，制造有机发光二极管（0LED)显示器的方法能够 包含；在衬底上提供与第一子像素相关联的第一电极和与第二子像素相关联的第二电极， 其中在第一电极和第二电极之间形成间隙并且其中第一电极和第二电极被定位在井中，该 井具有由衬底上的限制结构限定的边界。该方法也能够包含；在带有定位在其中的电极的 井中沉积有源0L邸材料W形成有源0L邸材料的基本上连续的层，该基本上连续的层跨越 井的边界使得背对衬底的有源0L邸材料的层的表面具有非平面形貌。沉积能够经由喷墨 印刷。本公开内容也设想依据W上方法制作的有机发光二极管（0LED)显示器。
[0010] 依据本公开内容的额外示范性实施例，有机发光二极管（0LED)显示器能够包含： 第一电极，设置在衬底上，其中第一电极与第一子像素相关联；和第二电极，设置在衬底上 并且与第一电极间隔开W提供在第一电极和第二电极之间的间隙，其中第二电极与第二子 像素相关联。显示器能够进一步包含；限制结构，定位在衬底上W限定含有第一电极和第二 电极的井的边界；和基本上连续的有源0L邸材料层，该基本上连续的有源OLm)材料层跨越 井的边界并且被设置在第一电极和第二电极之上，其中背对衬底的有源0L邸材料层的表 面具有非平面形貌。
[0011] 额外的对象和优点将在下面的描述中部分地被阐明，并且从该描述将部分地明 显，或可W通过实践本教导被了解。本公开内容的对象和优点中的至少一些可W借助于在 所附权利要求书中特别指出的要素和组合来实现和得到。
[0012] 要理解：前述大体描述和下面详细描述两者仅是示范性和解释性的，并且不是对 如要求被保护的发明的约束。应该理解；在该发明的最广的意思上，在不具有该些示范性方 面和实施例的一个或多个特征的情况下能够实践该发明。
【附图说明】
[0013] 被合并在该说明书中并且构成该说明书的部分的附图连同描述一起图解本公开 内容的一些示范性实施例，用来解释特定原理。在附图中， 图1是传统像素布置的部分平面视图； 图2是依据本公开内容的示范性像素布置的部分平面视图； 图3A是依据本公开内容的示范性实施例的沿着图1中的线3A-3A的限制井的横截面 视图； 图3B是依据本公开内容的示范性实施例的沿着图1中的线3B-3B的多个限制井的横 截面视图； 图4是类似于图3A的视图的依据本公开内容的限制井的另一个示范性实施例的横截 面视图； 图5A是类似于图3A的视图的依据本公开内容的限制井的另一个示范性实施例的横截 面视图； 图5B是类似于图3B的视图的依据本公开内容的限制井的另一个实施例的横截面视 图； 图6是依据本公开内容的限制井的又一个示范性实施例的横截面视图； 图7是依据本公开内容的限制井的又一个示范性实施例的横截面视图； 图8-11是依据本公开内容的限制井的另一个示范性实施例的横截面视图和用于创建 0L邸显示器的示范性步骤； 图12-19是依据本公开内容的各种示范性像素布置的部分平面视图； 图20是包含依据本公开内容的电子显示器的示范性设备的前视图；并且 图21是包含依据本公开内容的电子显示器的另一个示范性设备的前视图。
【具体实施方式】
[0014] 现在对本公开内容的各种示范性实施例将进行详细参考，在附图中图解本公开内 容的示例。只要有可能，贯穿附图，相同的参考数字将被用来指的是相同或相似的部分。
[0015] 对该说明书和所附权利要求书而言，除非另外指示，在说明书和权利要求书中使 用的表达数量、百分比、或比例的所有数字和其它数值要理解为在所有实例中通过术语"大 约"被修改到它们尚未被如此修改的程度。所W，除非相反地指示，在下面说明书和所附权 利要求书中阐明的数字参数是可W取决于设法得到的期望属性而变化的近似。起码并且不 作为限制等同原则到权利要求书范围的应用的企图，每个数字参数至少应该根据报告的有 效数字的数目并且通过应用普通的舍入技术来理解。
[0016] 指出的是，如在该说明书和所附权利要求书中使用的，单数形式"一（a)"、"一个 (an)"、和"该（the)"W及任何单词的任何单数使用包含复数指示物，除非明确地和不含糊 地被限制到一个指示物。如在本文中使用的，术语"包含"和它的文法异体意图是非限制的， 使得在列表中的项目的叙述不排除能够代替或被添加到所列项目的其它相似项目。
[0017] 进一步，该说明的术语不意图限制该发明。比如，空间相对的术语诸如"在...下 方"、"在...之下"、"下"、"顶部"、"底部"、"在...上方"、"上"、"水平的"、"垂直的"等等可 W被用来描述一个要素或特征与另一个要素或特征的关系，如在附图中图解的。该些空间 相对的术语意图涵盖在使用或操作中的器件的不同定位（即位置）和定向（即旋转放置)，除 了在附图中示出的定位和定向之外。比如，如果在附图中的器件被翻转，被描述为"在其它 要素或特征之下"或"在其它要素或特征下方"的要素则将是"在其它要素或特征上方"或 "在其它要素或特征之上"。因而，示范性术语"在...之下"能够取决于器件的整体定向来 涵盖"在...上方"和"在...之下"的定位和定向两者。器件可别的方式被定向（被 旋转90度或处于其它定向）并且在本文中使用的空间相对的描述符被相应地解释。
[0018] 如在本文中使用的，"像素"意图表示发光像素阵列的最小的功能完整和重复单 元。术语"子像素"意图表示像素的部分，该像素的部分组成像素的分立发光部分，但是不 必要是发光部分中的所有。比如，在全彩显示器中，像素能够包含=基色子像素，诸如红色、 绿色、和藍色。在单色显示器中，术语子像素和像素是等同的，并且可W可互换地使用。
[0019] 术语"禪合"当被用来指的是电子部件时意图表示两个或更多个电子部件、电路、 系统或者（1)至少一个电子部件、（2 )至少一个电路、或（3 )至少一个系统的任何组合W如 下该样的方式的连接、链接、或联合：使得信号(例如，电流、电压、或光信号）能够彼此传递。 两个或更多个电子部件、电路或系统的连接、链接、或联合能够是直接的；替选地可W存在 居间的连接、链接、或联合，并且因而禪合不必要要求物理连接。
[0020] 本领域一位普通技术人员通常将接受术语"高分辨率"表示大于100像素/英寸 (PPi)的分辨率，其中300ppi有时能够被称为非常高的分辨率。本领域一位普通技术人员 也将意识到像素密度不直接与显示器的尺寸相关。在本文中公开的各种示范性实施例能够 被用来在小的显示器尺寸中和在大的显示器尺寸中实现高分辨率。比如，具有大约3英寸 到大约11英寸的尺寸的显示器能够被实施为高分辨率显示器。另外，具有更大尺寸的显示 器，诸如高到55''和超过55''的电视显示器，也能够与在本文中描述的各种示范性实施例 一起使用W实现高分辨率显示器。
[0021] 如在本文中使用的，在"表面上"的层或结构包含下述情形两者；该层直接邻近该 表面和与该表面直接接触，在该表面之上形成该层；W及在表面之上形成的该层或结构之 间存在居间层或结构。
[0022] 各种因素能够影响在0L邸显示器制造技术中的有机光发射层的沉积精确度，该 样的因素比如包含；显示器分辨率；液滴尺寸；目标液滴面积；液滴放置误差；与0L邸层材 料(例如，有源0L邸材料）墨相关联的流体属性(例如，表面张力、粘性、沸点)，该0L邸层材 料墨由0L邸层材料和一个或多个载液的组合组成；和速率，液滴W该速率被沉积。随着显 示器分辨率增加，比如大于100ppi或比如大于300ppi,在使用用于0L邸显示器制造的喷 墨印刷技术中产生各种问题。在传统印刷技术中使用的高精确度喷墨头能够产生范围为大 约1皮升（pU到大约50皮升（pL)的液滴尺寸，其中对于高精确度喷墨印刷应用而言大约 10pL是相对常见的尺寸。传统的喷墨印刷系统的液滴放置准确度大约是±10ym。在各 种示范性实施例中，在衬底上能够提供限制井W对液滴放置误差进行补偿。限制井能够是 防止0L邸材料免于迁移超过期望的子像素区域的结构。为了确保液滴准确地落在衬底上 的期望位置处，诸如整体地在限制井内，各种示范性实施例将限制井配置为与液滴直径加 上两倍系统的液滴放置误差一样宽。比如，10pL液滴的直径大约是25ym并且因而前述 的参数将指示使用在它的最小尺度中的至少45ym(25ym+ (2*10ym))的限制井。甚 至对于IpL的液滴而言，液滴直径是12ym，该指示在它的最小尺度中的至少32ym的限 制井。
[0023] 依赖于在它的最小尺度中的至少45ym的限制井的各种像素布局能够被用在具 有高到100ppi的分辨率的0L邸显示器中。然而，比如在大于100ppi的高分辨率显示器 中，10pL液滴太大并且液滴放置准确度太差而不能可靠地提供液滴到围绕每个子像素的 限制井中的一致加载。此外，如W上指出的，对于高分辨率显示器，W用来限定限制井的结 构来覆盖增加数量的显示区域能够负面地影响每个像素的填充因子，其中填充因子被限定 为像素的发光面积相对于总的像素面积的比率。随着填充因子减小，必须更强力地驱动每 个像素W实现相同的总体显示亮度，由此减小显示器的每个像素的寿命和性能。
[0024]为了进一步图解与非常高的分辨率显示器一起工作的W上提及的挑战中的一些， 图1图解一个传统的像素布局1700。像素1750能够包括W并排配置来布置的子像素1720、 1730、1740,子像素1720与在红色光谱范围中的光发射相关联，子像素1730与在绿色光谱 范围中的光发射相关联，并且子像素1740与在藍色光谱范围中的光发射相关联。每个子像 素能够被限制结构1704围绕，该限制结构1704形成直接对应于子像素1720、1730、1740的 限制井。一个子像素电极能够与每个限制井相关联，使得电极1726对应于子像素1720,电 极1736对应于子像素1730,并且电极1746对应于子像素1740。子像素1720能够具有宽 度D，子像素1730能够具有宽度C，并且子像素1740能够具有宽度B，其可W彼此相同或不 同。如所示出的，所有的子像素能够具有长度A。此外，尺度E、F、和G能够指示在限审阱开 口之间的间隔。在一些实例中分配给尺度E、F、G的值能够非常大，例如特定地在较低分辨 率显示器中大于100ym。然而，对于更高分辨率显示器，期望的是最小化该些尺度W最大 化有源像素面积并且因而最大化填充因子。如在图1中图解的，由阴影区指示的有源像素 区域是在子像素限制井中的每个内的整个区域。
[00巧]各种因素能够影响尺度E、F、G，诸如比如针对该些尺度的最小值能够受处理方法 约束。比如，在本文中描述的各种图解的实施例中，E=F=G=12ym作为最小尺度。比如，在 具有326ppi分辨率的显示器中，像素节距能够等于78ym并且E=F=G=12ym。与子像素 1720、1730、1740中的每个相关联的限制井能够具有14ymX66ym(即尺度BXA、CXA、和 DXA)的目标液滴面积，其中14ym显著地小于W上关于使用具有10pL体积的喷墨液滴 讨论的45ym最小尺度。它也小于W上针对1pL液滴讨论的32ym尺度。此外，限定为 有源像素面积（即与光发射相关联的面积）和总的像素面积的比率的像素填充因子是46%。 换句话说，像素面积的54%对应于限制结构1704。沿着相同的线，在具有440ppi分辨率的 显示器中，像素节距？能够等于58^111并且6=。=6=12^111。与发射子像素1720、1730、1740 中的每个相关联的限制井能够具有比如7ymX46ym的目标液滴面积，其中7ym的尺度 显著地小于W上针对10pL和1pL喷墨液滴两者的准确液滴放置来讨论的最小尺度。在 该个实例中，用于具有440ppi的显示器的填充因子大约是30%。
[0026] 在本文中描述的依据各种示范性实施例的沉积技术能够提供在限制井的加载和 用于电子显示器诸如比如高分辨率显示器的有源0L邸层的沉积方面的改进的可靠性。有 源0L邸层能够比如包含下面层中的一个或多个：空穴注入层、空穴输运层、电子阻挡层、有 机光发射层、电子输运层、电子注入层、和空穴阻挡层。W上识别的有源0L邸层中的一些的 实施是优选的并且一些有源0L邸层的实施对电子显示器是可选的。比如，至少一个空穴导 电层诸如空穴注入层或空穴输运层W及有机光发射层必须存在。所有其它W上识别的层可 W根据需要被包含W变更(例如改进）电子显示器诸如0L邸显示器的光发射和功率效率。
[0027] 在本文中描述的限制井配置的各种示范性实施例能够增加限制井的尺寸同时维 持高像素分辨率。比如，各种示范性实施例使用跨越多个子像素的相对大的限制井，由此能 够实现使用相对可获得的液滴尺寸和在有源0LED层的沉积中的传统印刷系统准确度，同 时也实现相对高的像素密度。相应地，沉积范围为1pL到50pL的液滴体积的喷墨喷嘴能 够被使用，而不要求特殊配置或重新配置的带有更小液滴体积的喷头（printhead)和新的 印刷系统，其可W是或可W不是可获得的。另外，通过使用该样更大的限制井，小的制造误 差对沉积精确度将不具有显著的负面效果，并且沉积的有源0L邸层能够保持被含在限制 井内。
[0028] 依据各种示范性实施例，喷墨印刷技术能够提供有源0L邸层的足够均匀的沉积。 比如，典型地在0L邸显示器中使用的各种部件产生下述形貌；该形貌在限制井的顶部表面 层上具有变化的高度，比如相差大约100纳米（nm)或更多的高度。比如，诸如电极的部件 可W被沉积在衬底上，使得在相邻电极之间形成间隙W形成分开可寻址的电极，该电极每 个与不同子像素相关联。不管哪些有源0L邸层被沉积在设置在显示器的衬底上的电极之 上，在相邻电极之间的区中在显示器的衬底的顶部表面和电极的顶部表面的平面之间的高 度差能够促成随后沉积的0L邸层的形貌。依据本公开内容的示范性喷墨印刷技术和产生 的显示器允许有源0L邸层被沉积，使得有源0L邸层的厚度比如在有源电极区之上是足够 均匀的，其中有源电极区能够是与有源子像素区域相关联的电极的区，光从该有源子像素 区域发射。在示范性实施例中，至少在有源电极区之上的0L邸层的厚度能够小于子像素电 极的厚度。在有源电极区域之上的0L邸层的足够均匀的厚度能够减少非期望的视觉伪象。 比如，0L邸墨配方和印刷工艺能够被实施W在给定沉积区域(甚至当那个区域包含电极和 非电极区两者时)内最小化在沉积的薄膜厚度中的不均匀性。换句话说，不被电极结构覆盖 的沉积区域内的部分能够促成0LED层的形貌，使得0LED层能够与在下面的结构足够一致， 在沉积区域内将0L邸层沉积在该结构之上。当特定子像素电极被寻址并且被激活时，最小 化 在沉积的薄膜厚度中的不均匀性能够提供基本上均匀的光发射。
[0029] 依据又其它示范性实施例，由本公开内容设想的像素布局配置能够增加有源区面 积。比如，限制结构能够限定限制井，该限制井具有跨越多个子像素的邻近区域，使得减少 显示器的非有源部分(例如，与限制结构相关联的衬底区域)。比如，多个单独寻址的子像素 电极能够被限制结构围绕，其中每个子像素电极能够与不同像素相关联，而不是如在各种 传统0L邸显示器中限制结构围绕每个子像素电极。通过减少由限制结构占据的面积，能够 最大化填充因子，因为增加每个像素的非有源区对有源区的比率。实现填充因子的该样的 增加能够在更小尺寸显示器中实现高分辨率W及改进显示器的寿命。
[0030] 依据又其它示范性实施例，本公开内容设想包含设置在衬底上的限制结构的有机 光发射显示器，其中限制结构限定在阵列配置中的多个井。显示器进一步包含设置在每个 井内并且彼此间隔开的多个电极。显示器进一步能够包含在多个井的至少一个中的第一、 第二、和第=有机发光层，每个层分别具有第一、第二、和第=光发射波长范围。设置在与第 一和第二有机光发射层相关联的井内的电极的数目与设置在与第=有机光发射层相关联 的井内的电极的数目不同。
[0031] 依据又其它示范性实施例，本公开内容设想包含设置在衬底上的限制结构的有 机光发射显示器，其中限制结构限定在阵列配置中的多个井(包含第一井、第二井、和第= 井)。显示器进一步能够包含；设置在第一井内并且与不同像素相关联的第一多个电极，设 置在第二井内并且与不同像素相关联的第二多个电极，W及设置在第=井内的至少一个第 =电极，其中设置在第一和第二井中的每个内的电极的数目与设置在第=井内的电极的数 目不同。显示器能够进一步包含；设置在第一井中的具有第一光发射波长范围的第一有机 光发射层，设置在第二井中的具有第二光发射波长范围的第二有机光发射层，w及设置在 第=井中的具有第=光发射波长范围的第=有机光发射层。
[0032] 依据各种其它示范性实施例，像素布局配置能够被布置成延长器件的寿命。比如， 子像素电极尺寸能够基于对应的有机光发射层波长范围。比如，与在藍色波长范围中的光 发射相关联的子像素电极能够分别大于与在红色或绿色波长范围中的光发射相关联的子 像素电极。在0L邸器件中的与藍色光发射相关联的有机层相对于与红色或绿色光发射相 关联的有机层典型地具有缩短的寿命。此外，操作0L邸器件W实现减少的亮度级增加器件 的寿命。通过增加藍色子像素分别相对于红色和绿色子像素的发射面积，除了驱动藍色子 像素W实现小于红色和绿色子像素的亮度的相对亮度(例如，通过调节当寻址子像素时供 应的电流，如本领域普通技术人员熟悉的）之外，藍色子像素能够用来更好平衡不同色彩的 子像素的寿命，同时仍提供显示器的合适的总体色彩平衡。寿命的该个改进的平衡能够通 过延长藍色子像素的寿命来增加显示器的总体寿命。
[0033] 图2图解依据本公开内容的示范性实施例的有机发光二极管（0LED)显示器100的 一个示范性像素布置的部分平面视图。图3A图解衬底的一个示范性实施例的沿着在图2 中识别的截面3A-3A的横截面视图，从而描绘用于形成0L邸显示器的各种结构。图3B图 解衬底的一个示范性实施例的沿着在图2中识别的截面3B-3B的横截面视图，从而描绘用 于形成0L邸显示器的各种结构。
[0034] 0LED显示器100大体上包含例如诸如由点线边界150、151、152限定的多个像素， 当选择性地驱动该多个像素时，该多个像素发射能够创建要被显示给用户的图像的光。在 全彩显示器中，像素150、151、152能够包含不同色彩的多个子像素。比如，如在图2中图解 的，像素150能够包含红色子像素R、绿色子像素G、W及藍色子像素B。如能够在图2的示 范性实施例中看到的，子像素不需要是相同尺寸，尽管在示范性实施例中它们能够是相同 尺寸。像素150、151、152能够通过引起光发射的驱动电路来限定，使得不必须额外的结构 来限定像素。替选地，本公开内容的示范性实施例设想能够被包含在显示器100内W描绘 多个像素150、151、152的像素限定结构的各种新布置。本领域普通技术人员对下述是熟悉 的：用来在像素和子像素之间提供更明快描绘的传统像素限定结构的材料和布置。
[0035] 除了图2之外，参考图3A和3B，0LED显示器100能够包含衬底102。衬底102能 够是任何刚性或柔性的结构，该任何刚性或柔性的结构能够包含一个或多个材料的一个或 多个层。衬底102能够比如包含玻璃、聚合物、金属、陶瓷、或其组合。虽然为了简明未被图 解，衬底102能够包含本领域普通技术人员熟悉的额外的电子部件、电路、或导电构件。比 如，薄膜晶体管（TFT)(未被示出）能够在沉积W下进一步详细讨论的任何其它结构之前被 形成在衬底上。TFT能够包含比如有源半导体层的薄膜、电介质层、和金属接触中的至少一 个，其中本领域普通技术人员将熟悉在该样的TFT的制造中使用的材料。任何有源0L邸层 能够被沉积W与由TFT或形成在衬底102上的其它结构创建的任何形貌一致，如W下讨论 的。
[0036] 限制结构104能够被设置在衬底102上，使得限制结构104限定多个限制井。比 如，限制结构104能够是岸结构。多个子像素能够与每个限制井相关联并且沉积在每个限 制井内的有机光发射材料允许与限制井相关联的所有子像素具有相同的光发射色彩。比 如，在图2的布置中，限制井120能够接收与发射由R指示的红色光的子像素相关联的0L邸 墨的液滴，限制井130能够接收与发射由G指示的绿色光的子像素相关联的OL邸墨的液 滴，并且限制井140能够接收与发射由B指示的藍色光的子像素相关联的0L邸墨的液滴。 如W下将进一步解释的，本领域普通技术人员将意识到限制井也能够接收各种其它有源 0L邸层，该各种其它有源0L邸层包含但不被限制到比如：额外的有机光发射材料和空穴导 电层。
[0037] 限制结构104能够限定限制井120、130、140W限制与多个子像素相关联的材料。 此外，限制结构104能够防止0L邸墨扩展到邻近的井中，和/或能够辅助加载和干燥工艺 (通过合适的几何形状和表面化学)，使得沉积的薄膜在由限制结构104定界的区内是连续 的。比如，沉积的薄膜的边缘能够接触围绕限制井120、130、140的限制结构104。限制结构 104能够是单个结构或能够由形成限制结构104的多个分开的结构组成。
[0038] 限制结构104能够由下述各种材料形成；诸如比如光致抗蚀剂材料，诸如光可成 像聚合物或光敏娃酬电介质。限制结构104能够包括一个或多个有机成分，该一个或多个 有机成分在处理后对0L邸墨的腐蚀作用基本上惰性、具有低的除气作用、在限制井边缘处 具有浅的(例如<25度)侦幢斜率、和/或具有对要被沉积在限制井中的0L邸墨中的一个或 多个的高的亲疏性，并且可W基于期望的应用来选择。合适的材料的示例包含但不被限制 至IJ;PMMA谏甲基丙締酸甲醋XPMGI(聚甲基戊二酷亚胺XDNQ-酪醒树脂(带有不同酪醒树 脂的化学邻叠氮蒙酿的组合)、SU-8抗蚀剂（由Micro化em公司制造的一类广泛使用的、专 有环氧树脂基抗蚀剂)、传统光致抗蚀剂的氣化变化、和/或在本文中列出的前述材料中的 任何一个、和有机娃酬抗蚀剂，其中的每个能够进一步与一个或多个添加剂组合或彼此组 合W进一步调整限制结构104的期望的特征。
[0039] 限制结构104能够限定具有任何形状、配置、或布置的限制井。比如，限制井120、 130、140能够具有任何形状，诸如长方形、方形、圆形、六边形等。在单个显示器衬底中的限 制井能够具有相同的形状和/或尺寸或不同的形状和/或尺寸。与不同光发射色彩相关联 的限制井能够具有不同或相同的形状和/或尺寸。另外，邻近的限制井能够与交替的光发 射色彩相关联或邻近的限制井能够与相同的光发射色彩相关联。此外，限制井能够W列和 /或行来布置，其中列和/或行能够具有均匀或不均匀的对准。
[0040] 限制井能够使用下述多种制造方法中的任何一个来形成：诸如比如喷墨印刷、喷 嘴印刷、狭缝涂布、旋转涂布、喷洒涂布、丝网印刷、真空热蒸发、瓣射(或其它物理气相沉积 方法)、化学气相沉积等，并且在沉积技术期间另外未被实现的任何额外的图案化能够通过 使用阴影遮掩、一个或多个光刻步骤(例如，光致抗蚀剂涂布、曝光、显影、和脱模)、湿法刻 蚀、干法刻蚀、剥离等来实现。
[0041] 如在图2中图解的，依据各种示范性实施例的限制井120、130、140能够由限制结 构104限定，使得它们跨越多个像素150、151、152。比如，像素150包含是不同的限制井 120、130、140的每个部分的红色子像素R、绿色子像素G、和藍色子像素B。每个限制井120、 130、140 能够包含多个电极，诸如 106、107、108、109、136、137、138、139、142、144,其中在限 制井120、130、140内的电极能够彼此间隔开，使得在限制井内在邻近电极之间形成间隙S。 在示范性实施例中，间隙S能够具有足够尺寸W将电极与任何邻近电极电隔离，并且特定 地邻近电极的有源电极区能够彼此隔离。间隙或空间S能够减少电流泄漏并且改进子像素 限定和总体像素限定。
[0042] 虽然为了清楚和方便图解而省略驱动电路，但是驱动电路能够被设置在衬底102 上，并且该样的电路能够被设置在有源像素区域（即发光区）下方或在非有源像素区域（即 非发光区）内。此外，虽然未被图解，电路也能够被设置在限制结构104下。驱动电路能够 被禪合到每个电极，使得每个电极能够独立于在限制井内的其它电极选择性地被寻址。由 于在电极之间的间隙S导致的不均匀形貌的区W下进一步被详细描述。
[0043]在限制井 120、130、140 内的每个电极 106、107、108、109、136、137、138、139、142、 144能够与不同子像素相关联。比如，如在图2中图解的，限制井120能够与红色光发射相 关联。电极106、107、108、109能够被定位在限制井120内，其中每个电极可操作成寻址不同 像素(例如图解的像素151和152)的子像素。至少两个电极能够被定位在每个限制井120、 130、140内。被定位在每个限制井120、130、140内的电极的数目能够与其它限制井相同或 不同。比如，如在图2中图解的，限制井140能够包含与藍色光发射相关联的两个子像素 电极142、144,并且限制井130能够包含与绿色光发射相关联的四个子像素电极136、137、 138、139。
[0044] 在示范性实施例中，限制结构104能够被设置在电极106、107、108、109、136、137、 138、139、142、144的部分上。如在图3A和3B中图解的，限制井120能够由限制结构104限 定，其中限制结构104被部分设置在电极106、108的部分之上，并且被部分直接设置在衬底 102之上而不在电极之上。替选地，限制结构104能够被设置在邻近限制井的电极之间的 衬底102之上。比如，限制结构104能够W在与不同子像素发射色彩相关联的电极之间形 成的空间被设置在衬底102上，使得限制结构104直接被设置在衬底102上并且不被设置 在电极的任何部分之上。在该样的配置(未被图解）中，对应于子像素的电极能够W下述方 式来设置；直接邻近限制结构1〇4(与限制结构104邻接)，或电极能够与限制结构104间隔 开，使得能够实现子像素限定。
[0045]当电压选择性地施加到电极 106、107、108、109、136、137、138、139、142、144 时，光 发射能够在像素诸如像素150、151、152的子像素内生成。电极106、107、108、109、136、137、 138、139、142、144能够是透明或反射的，并且能够由下述形成；导电材料诸如金属、混合金 属、合金、金属氧化物、混合氧化物、或其组合。比如，在各种示范性实施例中，电极可W由铜 锡氧化物、儀银、或侣制成。电极106、107、108、109、136、137、138、139、142、144能够具有任 何形状、布置、或配置。比如，参考图 3A，电极 106、107、108、109、136、137、138、139、142、144 能够具有轮廓，使得顶部表面106a、108a能够基本上是平面的并且与衬底102的表面平行， 而电极的侧边缘10化、108b能够基本上与衬底的表面垂直或能够关于衬底的表面成角和/ 或变圆。
[0046] 进一步指出电极的有源部分，即与光发射相关联的部分，是直接设置在沉积的 0L邸层下方而没有在电极表面和0L邸层之间的任何居间绝缘衬底结构的电极的那些部 分。作为示例，再次参考图3A，设置在限制结构104下方的电极106和108的部分从电极区 域的有源部分排除，然而电极106和108的区的剩余部分被包含在电极区域的有源部分中。
[0047] 电极可各种方式诸如通过热蒸发、化学气相沉积、或瓣射方法来沉积。电极的 图案化可W比如使用阴影遮掩或光刻来实现。如W上提及的，电极1〇6、107、108、109、136、 137、138、139、142、144能够具有厚度并且间隔开，使得在衬底102上形成形貌，该在各种横 截面视图中诸如在图3A中最佳示出。在示范性实施例中，电极106、107、108、109、136、137、 138、139、142、144能够具有范围为60皿到120皿的厚度，尽管该个范围是非限制的并且 更大或更小的厚度也是可能的。
[004引一个或多个有源0L邸层能够在每个限制井120、130、140内被提供，诸如在图3A和3B中示出的空穴导电层110和有机光发射层112。有源0L邸层能够被沉积使得它们能够 与形貌足够一致，该形貌由下述产生：在限制井120、130、140内的电极106、107、108、109、 136、137、138、139、142、144 之间的间隔和在限制井 120、130、140 内的电极 106、107、108、 109、 136、137、138、139、142、144的厚度，W及分别的有源0LED层的厚度。比如，有源0LED 层能够在井内是连续的并且具有厚度W足够符合和遵循设置在每个限制井内的在下面的 电极结构的产生的形貌。
[0049] 沉积的0L邸层因此可W导致下述表面形貌；该表面形貌不位于与衬底平行且跨 过整个限制井的单个平面中。比如，由于与包含设置在衬底102上的电极的任何表面特征 相关联的相对凹陷或凸出，0L邸层110、112中的一个或两者能够在显示器的单个平面中是 非平面和不连续的（其中显示器的平面意图为与衬底102平行的平面)。如所示出的，0LED 层110、112能够与在下面的表面特征形貌足够一致，使得0LED层的顶部表面能够具有产生 的形貌，该产生的形貌遵循在下面的表面特征的形貌。换句话说，每个沉积的0LED层与所 有在下面的层和/或设置在衬底102上的表面特征足够一致，使得那些在下面的层在0L邸 层被沉积后促成0L邸层的产生的非平面顶部表面形貌。该样，在跨过限制井的与显示器的 平面平行的平面中，在层110或112或两者中的不连续性能够当（一个或多个）层相对于平 面升高和/或落下而产生，其中从限制井中的电极、电路、像素限定层等提供现有的表面特 征。虽然有源0L邸层110和/或112不需要与在下面的表面形貌完美地一致（比如，如W 下解释的，在边缘区等等周围的厚度中可W存在局部不均匀性)，但是在其中不存在显著的 材料积累或耗尽的足够共形的涂层能够促进更平坦、均匀和可重复的涂层。
[0050] 如在图3A中示出的，每个层110、112能够在整个限制井120内基本上是连续的， 使得每个层被设置在限制井120内的基本上所有的表面特征(例如，子像素电极、电路、像 素限定层等)之上，其中每个层的边缘接触围绕限制井120的限制结构104。在各种示范性 实施例中，有源0L邸层材料能够被沉积W形成整个在限制井内的分立的连续层，W基本上 防止在井内在层中的任何不连续性(换句话说，在井内的没有有源0L邸层材料的区)。该样 的不连续性能够引起在子像素的发射区内的非期望的视觉伪象。值得指出的是尽管每个层 110、112在限制井内基本上是连续的，但是由于层的升高和/或落下它能够在单个平面中 是非连续的，如W上指出的，因为它与设置在限制井中的特征的现有形貌(该些层被沉积在 其上）足够一致。比如，在示范性实施例中，如果该样的升高和/或落下是W大于在井内的 沉积层的最薄部分的厚度(例如50nm)的量(例如100nm)，则0LED材料层在井内在与显示 器平行的平面中将不是连续的。
[0051] 层11〇、112能够在每个限制井内具有基本上均匀的厚度，该可W提供更均匀的光 发射。对本申请而言，基本上均匀的厚度能够指的是在平面表面区之上诸如在有源电极区 之上的0L邸层的平均厚度，但是也能够涵盖如W下描述的在厚度中的微小变化或局部不 均匀性。在图3A中的平面表面区例如106a、108a和间隙的底部表面之上，预期的是对于基 本上均匀的0L邸涂层而言来自0L邸层的平均厚度的厚度变化能够小于±20%，诸如小于 ±10% 或小于 ±5〇/〇。
[0052]如W上指出的，然而设想的是在厚度中的局部不均匀性可能产生在围绕表面形貌 和/或表面化学中的改变的层11〇、112的部分中，并且在该样的区中薄膜厚度能够局部地 与W上指定的±20%、±10%、或±5%参数基本上偏离。比如，由于与设置在衬底102上的 表面特征相关联的形貌和/或在设置在衬底102上(诸如在限制井结构104的边缘处、在 像素限定层下被讨论)的边缘处、在电极边缘侧壁上(例如沿着10化、108b)、或在电极交 会衬底表面处）的表面特征之间在表面化学中的改变，连续层的厚度中的局部不均匀性能 够发生。局部不均匀性能够导致在薄膜厚度中的偏离。比如，局部不均匀性能够与层110、 112的厚度偏离，该层110、112被提供在电极106、108的有源电极区之上(例如，沿着106a、 108a)。不均匀性能够在该样的表面特征周围创建在近似5ym-10ym的范围内的通常局 部化的"边缘效应"偏离，该表面特征被设置在限制井中在衬底102上，诸如在电极、电路、 像素限定层等的边缘处。对本申请而言，当将0L邸薄膜涂层描述为在井内具有"基本上均 匀的厚度"时，意图涵盖该样的"边缘效应"偏离。
[0053]在示范性实施例中，每个层110、112的厚度能够等于或小于电极的厚度，使得由 于因为层横跨在电极的有源区之间的间隙而形成的在薄膜中的下倾（dip),每个层的上表 面不位于与显示器的平面平行的单个平面（即与衬底平行的平面 ）中。该比如在图3A中图 解，其中提供虚线W图解与衬底102的平面平行的平面P。如所示出，层110、112能够每个 具有平均厚度，该平均厚度在电极106、108的有源电极区之上在层110、112的区内基本上 是均匀的。然而，层11〇、112也能够在下述区域中包含小的和局部化的不均匀厚度，该区域 与由诸如在那些表面特征的边缘(例如，邻近间隙的电极106、108的边缘）周围的表面特征 引起的形貌改变相关联。
[0054] 层110、112能够使用任何制造方法来沉积。在示范性实施例中，空穴导电层110和 有机光发射层112能够使用喷墨印刷技术来沉积。比如，空穴导电层110的材料能够与载液 混合W形成喷墨，该喷墨被配制W提供到限制井中的可靠和均匀的加载。用于沉积空穴导 电层110的墨能够W高速度从喷墨头喷嘴被递送到衬底的每个限制井中。在各种示范性实 施例中，相同的空穴导电材料能够被递送到限制井120、130、140中的所有，W提供在限制 井120、130、140中的所有内沉积相同的空穴导电层110。在材料被加载到限制井中W形成 空穴导电层110之后，显示器100能够被干燥W允许任何载液蒸发，该是能够包含在设定时 段之内将显示器暴露到热、真空、或环境条件的工艺。在干燥后，显示器可升高的温度 被烘干，W比如将沉积的薄膜材料处理成诱发对沉积的薄膜的质量或对总体工艺有益的化 学反应或薄膜形态的改变。与每个有机光发射层112相关联的材料能够与载液诸如有机溶 剂或溶剂的混合物来类似地混合W形成喷墨，该喷墨被配制W提供到限制井中的可靠和均 匀的加载。该些墨随后能够使用喷墨工艺被喷墨沉积在与每个发射色彩相关联的合适的限 制井120、130、140内。比如，与红色有机光发射层相关联的墨、与绿色有机光发射层相关联 的墨、和与藍色有机光发射层相关联的墨被分开沉积在对应的限制井120、130、140中。不 同的有机光发射层112能够被同时或顺序地沉积。在用与有机光发射层相关联的一个或多 个墨加载之后，显示器能够类似被干燥和烘干，如W上对空穴导电层描述的。
[0055]虽然未被图解，但是材料的额外有源0LED层能够被设置在限制井内。比如，0LED显示器100能够进一步包含空穴注入层、空穴输运层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子输运 层、电子注入层、湿气保护层、封装层等，本领域普通技术人员对其中的所有是熟悉的，而该 里未对此详细讨论。
[0056] 空穴导电层110能够包含促进空穴注入到有机光发射层112中的材料的一层或多 层。比如，空穴导电层110能够包含空穴导电材料的单层，诸如比如空穴注入层。替选地， 空穴导电层110能够包含多层，诸如下述中的至少一个；空穴注入层，诸如聚（3,4-亚己二 氧基唾吩);聚(苯己締横酸）（P邸0T;PSS);和空穴输运层，诸如N，N' -二苯基-N，N' -(1-蒙 基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺（NPB)。
[0057] 有机光发射层112能够被沉积在空穴导电层110之上，使得有机光发射层112与 由电极创建的形貌、在电极之间的空间、和空穴导电层的形貌足够一致。有机光发射层112 能够包含用于促进光发射的材料，诸如有机光致发光材料。
[005引在示范性实施例中，0L邸堆叠(例如，在限制井内在电极之上沉积的所有有源 0L邸层）的厚度能够从10nm变动到250nm。比如，空穴输运层能够具有范围为10nm到 40nm的厚度；空穴注入层能够具有范围为60nm到150nm的厚度；有机光发射层能够具 有范围为30nm到150nm的厚度，并且可选地，空穴阻挡层、电子输运层、和电子注入层具 有范围为10皿到60皿的组合的厚度。
[0059] 在示范性实施例中，设想具有大约10pL或更少的体积的液滴可W被用来产生层 110、112中的每个。在各种示范性实施例中，5pL或更少、3pL或更少、或2pL或更少的液 滴体积可W被使用。0L邸层110、112能够使用具有W上描述的体积的从1到20液滴来形 成。
[0060] 在一个示范性和非限制的实施例中，本公开内容设想限制井被布置成使得针对具 有326ppi(例如，节距=78um)的分辨率的显示器，与红色、绿色、或藍色光发射相关联 的井120、130、140的面积能够是66ymX66ym，其中在该个实施例中在相邻井之间的 宽度能够是12ym。与该样的布置的红色或绿色子像素光发射相关联的面积能够是31. 5 ymX31. 5ym，并且与藍色子像素光发射相关联的面积能够是66ymX30ym，从而导致 65%的总体像素填充因子，如与参考图1描述的针对传统RGB并排布局的46%的填充因子相 比较。对于另一个示范性和非限制的实施例，具有440ppi(例如，节距=58ym)的分辨率的 显示器，设想的是布置限制井使得与红色、绿色、或藍色光发射相关联的井120、130、140的 面积能够是46ymX46ym，其中在该个实施例中在相邻井之间的宽度再次是12ym。与 该样的显示器结构的红色或绿色子像素光发射相关联的面积能够是20.3ymX20. 3ym， 而与藍色子像素光发射相关联的面积能够是76ymX49.1ym，由此产生近似46%的填充 因子，如与参考图1描述的针对传统RGB并排布局的30%的填充因子相比较。在该些实施 例中，在邻近井之间的宽度能够是12ym，但是如W上讨论的，该个宽度能够取不同的值， 并且同时更小的值可W是期望的提供分配到有源电极区域的衬底面积的更大比例)，从 而处理对井结构的形成的约束并且电路布局约束可W有效地对该个尺度设定更低的界限。 12ym的值被选择为该些示例的代表，但是本领域普通技术人员将意识到可W使用其它尺 度，比如更大的尺度像20ym，或更小的尺度像8ym、6ym、或甚至1ym，而没有脱离本 公开内容和权利要求的范围。本领域普通技术人员能够进一步意识到尽管在W上示例中红 色、绿色、和藍色限制井每个具有等同的尺度，但是其它布置是可能的。比如，与不同发射色 彩相关联的两个限制井能够具有相同的尺度并且与又一个不同发射色彩相关联的一个限 制井能够具有不同的尺度或与每个发射色彩相关联的限制井能够具有不同的尺度。
[0061] 依据本公开内容的该些示范性、非限制的布置甚至对440ppi的非常高的分辨率 情形提供具有大于45ym的最小井尺度的限制井，并且因此能够允许使用比如大约10pL 的液滴体积，由此通过允许使用从现有喷墨印刷可获得的液滴体积来简化制造。此外，如与 传统RGB并排布局相比较，W上示范性、非限制的布置分别对326ppi和440ppi情形W大 约43%和84%增加像素填充因子。更一般地，依据本公开内容的各种示范性实施例提供使 用喷墨来制造的高分辨率显示器的填充因子的提升，诸如非常高的分辨率显示器，对其40% 或更多的提升是可能的。
[0062] 如本领域普通技术人员熟悉的，公共电极(未被示出）能够被设置在沉积之后的有 机光发射层112之上。在沉积公共电极后，公共电极的产生的形貌能够与有机光发射层112 的形貌足够一致。公共电极能够使用任何制造技术比如通过真空热蒸发、瓣射、化学气相沉 积、喷洒涂布、喷墨印刷、或其它技术来沉积。公共电极能够是透明的或反射的，并且能够由 下述形成；导电材料诸如金属、混合金属、合金、金属氧化物、混合氧化物、或其组合。比如， 铜锡氧化物或儀银的薄层。公共电极的厚度能够范围为近似30nm到500nm。
[0063] 此外，公共电极能够具有任何形状、布置、或配置。比如，公共电极能够被设置为与 单个子像素或单个像素相关联的分立层。替选地，公共电极能够被设置在多个子像素或像 素之上，比如在显示器100的整个像素布置之上。比如，公共电极能够被地毯式沉积在限制 井120、130、140内W及在限制结构104之上。额外的有源0L邸层（为了简化未被示出）能 够在沉积公共电极前被沉积到有机光发射层112上，诸如电子输运层、电子注入层、和/或 空穴阻挡层。该样的额外0L邸层能够通过喷墨印刷、通过真空热蒸发、或通过另一种方法 来沉积。
[0064] 依据示范性实施例，0L邸器件100能够具有顶部发射配置或底部发射配置。比如， 如在图3A中图解的，在顶部发射配置中，电极106、108能够是反射电极并且设置在有机光 发射层之上的公共电极能够是透明电极。替选地，在底部发射配置中，电极106、108能够是 透明的并且公共电极能够是反射的。
[0065] 在另一个示范性实施例中，0LED显示器100能够是有源矩阵0LED(AM0LED)。如 与无源矩阵0LED(PM0LED)显示器相比较，AM0LED显示器能够提升显示性能，但是依赖于在 衬底上的包含薄膜晶体管（TFT)的有源驱动电路并且该样的电路不是透明的。尽管PM0LED 显示器具有一些元件，诸如不透明的导电总线线路，但是AM0L邸显示器具有基本上更多不 透明的元件。结果，对于底部发射AM0L邸显示器，与PM0L邸相比较，填充因子可能减少，因 为光仅能够在不透明的电路元件之间经过衬底的底部来发射。出于该个原因，可W期望对 AM0L邸显示器使用顶部发射配置，由于使用该样的配置可W允许在该样的不透明有源电路 元件的顶部上构建0L邸器件。因而，光能够发射穿过0L邸器件的顶部，而不关屯、在下面的 元件的不透明性。一般地，使用顶部发射结构能够增加显示器100的每个像素150的填充 因子，因为光发射不被沉积在衬底102上的额外的不透明元件(例如，驱动电路部件的TFT 等）阻挡。
[0066] 此外，每个像素的非有源区域能够被限制到在衬底102上形成的限制结构、表面 特征、和/或像素限定层(其示例W下进一步被详细描述)。导电栅格也能够被设置在衬底 102上W防止跨过显示器100的非期望的电压降，该能够产生，因为在顶部发射0L邸结构中 使用的透明顶部电极典型地具有低导电率。当公共电极被地毯式沉积在限制井120、130、 140内W及在限制结构104之上时，导电栅格能够被设置在衬底102的非有源部分上并且通 过在选择的限制结构104中形成的通孔被禪合到公共电极。然而，本公开内容不被限制到 顶部发射有源矩阵OL邸配置。在本文中讨论的技术和布置能够与下述一起使用：任何其它 类型的显示器，诸如底部发射和/或无源显示器，W及本领域普通技术人员将理解如何使 用合适的修改来制作的那些显示器。
[0067] 在示范性实施例中，如在图3A中图解的，每个限制井能够包含多个有源子像素 区，该多个有源子像素区分别跨越化和W2、被间隙S分开、并且被限制在具有宽度CW的井 内。尺度化、W2、和CW主要与像素节距有关，该像素节距与显示器的分辨率(例如，326ppi、 440ppi)相关。间隙S的尺度与约束和布局有关，该约束与制造技术和工艺相关联。一般 地，可W期望最小化与间隙S相关联的尺度。比如3ym可W是最小尺度；然而本领域普通 技术人员将意识到从与1ym-样小到大于10ym的尺度是可能的。限制结构104的高度 H也与处理约束而不是特定的显示器布局或分辨率有关。尽管限制结构104的高度H的示 范性值可W是1.5ym，但是在各种示范性实施例中高度H能够范围为0.5ym到5ym。 参考图3B，BW是在邻近井(例如，在图3B中的井120和130)之间的限制结构104的宽度。 如W上描述的，可W期望最小化该个尺度并且示范性值是12ym。然而，本领域普通技术人 员将理解；在一些实例中，取决于可W对BW允许该样小的值的制造技术和工艺，该个值能 够任意大（比如，几百微米）并且也能够与1ym-样小。
[0068]现在参考图4,图解显示器200的限制井220的示范性实施例的横截面视图。图4 的布置类似于W上参考图3A描述的布置，其中相似的数字被用来表示相似的元件，除了使 用与100系列相对的200系列之外。然而如图解的，0LED显示器200也包含在电极206、 208之间在间隙S中设置的额外表面特征216。
[0069] 表面特征216能够是任何结构，该任何结构不直接提供到设置在它之上的0L邸薄 膜中的电流，由此包括在与电极206、208相关联的有源区之间的像素区域的非有源区。比 如，表面特征216能够进一步包括不透明材料。如在图4中描绘的，空穴导电层210和有机 光发射层212能够被沉积在该样的电路元件的部分之上，如由表面特征216形貌上表示的。 在表面特征216含有电元件的情形中，该样的元件可W用电绝缘材料进一步涂布W将那些 元件与沉积到表面特征216上的0L邸薄膜电隔离。
[0070] 在示范性实施例中，表面特征216能够包含驱动电路，该驱动电路包含但不被限 制到比如互连、总线线路、晶体管、和本领域普通技术人员熟悉的其它电路。在一些显示器 中，驱动电路被设置成接近被该样的电路驱动的像素的有源区W最小化复杂的互连并且减 少电压降。在一些情形中，限制井将围绕单独子像素并且该样的电路能够在限制井区外，使 得电路将不用有源0LED层来涂布。然而，在图4的示范性实施例W及在本文中描述的其它 中，因为限制井220能够含有与不同像素相关联的多个子像素，所W该样的驱动电路元件 能够被提供在限制井内，该可W优化驱动电子设备的电性能、优化驱动电子设备布局、和/ 或优化填充因子。
[0071] 空穴导电层210和有机光发射层212能够被沉积巧日之前比如参考图3A和3B讨 论的)到由限制井结构204限定的区中W及在表面特征216之上，使得层210、212与在下面 的表面特征形貌足够一致并且在限制井中具有基本上均匀的厚度，从而导致层210和212 具有非平面顶部表面。在其中表面特征216 W大于层210和212中的一个或两者的厚度的 距离在电极的顶部表面的平面上方延伸的配置中，则那些层中的一个或两者在井220内在 与显示器的平面平行的平面中也将是不连续的。因而，由于与表面特征216相关联的凸出， 一个或两者层210、212在与显示器的平面平行的平面中将是非平面的并且不连续的。如W 上，该比如通过图解平面P的虚线来图解，该平面P与设置在电极206、208之上的212的表 面共面。如所示出，层212跨过整个限制井不是平面的并且替代地与在下面的形貌足够一 致，使得由于间隙区S和凸出216，层212具有总体非平面顶部表面。换句话说，层210、212 中的一个或两者跨过限制井将升高和落下，W与在层210、212的沉积之前的井的现有形貌 足够一致。
[0072] 尽管在图4中将表面特征216图解为具有大于电极的厚度，但是表面特征216能 够替选地具有小于或等于电极的厚度。另外，尽管在图4中表面特征216被图解为设置在衬 底202上，但是表面特征216能够被进一步设置在电极206、208中的一个或两者之上。表 面特征216能够针对在阵列中的每个限制井而不同并且不是所有的限制井必须包含表面 特征。表面特征216能够进一步起像素限定层的作用，其中表面特征216的不透明属性能 够被用来限定总体像素布置或子像素的部分。
[0073] 现在参考图5A和5B，图解依据本公开内容的显示器限制井的另一个示范性实施 例的部分横截面视图。图5A和5B的布置类似于W上参考图3A和3B描述的布置，其中相 似的数字被用来表示相似的元件，除了使用与100系列相对的300系列之外。然而如在图 5A和5B中图解的，0L邸显示器300也包含限定层314。限定层314能够被沉积在衬底302 上，其中限制结构304能够被设置在限定层314之上。此外，限定层314能够被设置在电极 306、308的非有源部分之上。限定层314能够是具有被用来限定0L邸显示器300的部分的 电绝缘属性的任何物理结构。在实施例中，限定层314能够是像素限定层，该像素限定层能 够是被用来在像素阵列内描绘像素的任何物理结构。限定层314也能够描绘子像素。
[0074] 如图解的，在示范性实施例中，限定层314能够延伸超过限制结构304到电极306、 308的部分之上。限定层314能够由电阻性材料制成，使得限定层314防止电流流动并且因 而能够通过基本上防止穿过子像素的边缘的光发射来减少不想要的视觉伪象。限定层314 也能够被提供W具有用来减轻或防止形成不均匀性的结构和化学性质，其中0L邸薄膜涂 布在限定层的边缘之上。该样，限定层314能够辅助遮掩在表面特征周围形成的薄膜不均 匀性，该薄膜不均匀性另外将被包含在像素区域的有源区中并且随后促成像素不均匀性； 该样的不均匀性能够比如发生在其中0L邸薄膜接触限制井的每个子像素的外部边缘处， 或在其中0L邸薄膜接触衬底表面的每个子像素的内部边缘处。
[0075] 空穴导电层310和有机光发射层312能够每个被沉积在由限制结构304限定的区 内W及在像素限定层之上，W形成在限制井320内的连续层。如W上关于图3A和3B描述 的，层310、312能够与限制井的总体形貌足够一致，并且因而可W具有非平面表面和/或在 显示器的平面中是不连续的，如比如由在图5A中的平面P图解的。如W上参考图3A的示 范性实施例解释的，空穴导电层310和有机光发射层312的厚度能够基本上均匀，如W上描 述的。
[0076] 在示范性实施例中，如在图5A中图解的，每个限制井能够包含多个有源子像素 区，该多个有源子像素区包含被间隙S分开的化和W2并且被含在具有宽度CW的限制井 内，其中化、W2、和CW主要与像素节距有关，如W上参考图3A讨论的。类似地，间隙S的尺 度与制造和处理技术W及布局有关，其中在示范性实施例中s可w范围为1ym到大于10 ym，其中3ym是针对S的示范性尺度。限制结构304的高度H可W如W上参考图3A描 述的。参考图5B，如W上描述的，BW是在邻近井之间的限制结构304的宽度，并且能够如W 上参考图3B描述的那样来选择。
[0077] 基于制造技术和处理条件W及使用的限定层材料的类型，与限定层的厚度相关联 的尺度T能够是可变的。在各种示范性实施例中，与限定层的厚度相关联的尺度T能够范 围为25皿到2.5ym，但是从100皿到500皿能够被认为最典型的范围。能够如期望选 择在图5A中标示为B1、B2并且在图5B中标示为B1、B1'的尺度，该尺度与在限制井内的超 过限制结构104边缘的限定层的延伸相关联。然而，更大尺度可W通过减少可获得的有源 像素电极区域的量来促成填充因子的减少。因此，可W期望选择将服务期望功能的最小尺 度，该通常从有源电极区域排除边缘不均匀性。在各种示范性实施例中，该个尺度能够范围 为1ym到20ym，并且可W比如范围为2ym到5ym。
[007引现在参考图6,图解显示器400的限制井420的示范性实施例的横截面视图。图6的布置类似于W上参考图5A和5B描述的布置，其中相似的数字被用来表示相似的元件， 除了使用与300系列相对的400系列之外。然而如所示出，0 L邸显示器400也包含在电极 406、408之间在间隙S中设置的额外限定层416。如在图6中示出，限定层416能够是具有 与图4的表面特征有点不同的结构的表面特征，因为额外限定层416的部分贯穿在衬底402 上的间隙SW及在邻近间隙的电极406、408的部分之上延伸。额外限定层416能够具有任 何形貌，其中在图6中图解的一个仅是示范性的。如在图6中图解的，槽口 417能够在背对 衬底102的额外限定层416的表面中存在。槽口 417能够使用各种方法来形成。比如，槽 口 417可W由制造工艺产生，使得在额外限定层416的沉积期间层416能够一般地与在限 制井内存在的任何形貌诸如电极406、408 -致，其中槽口 417通过在电极406、408之上的 基本上均匀的厚度和与电极406、407的顶部表面不相关联的表面的基本上不均匀的厚度 之间的不同厚度来形成。替选地，槽口 417能够被省略并且额外限定层416的顶部表面能够 具有基本上平面的形貌，比如在如下情形中：额外限定层416使用非共形沉积方法来沉积， 使得平滑在下面的表面形貌。
[0079] 在任一配置中，空穴导电层410和/或有机光发射层412能够被沉积巧日之前讨论 的，比如参考图3A和3B)，使得层410、412与额外限定层416的形貌足够一致并且具有基本 上均匀的厚度，如W上已被描述的。
[0080] 在额外限定层416的顶部表面巧P背对衬底的表面)和衬底402之间的距离能够大 于或小于在电极406、408的顶部表面和衬底402之间的距离。替选地，在额外限定层416 的顶部表面和衬底402之间的距离能够基本上等于在电极406、408的顶部表面和衬底402 之间的距离。换句话说，额外限定层416的厚度能够使得它范围为被定位在衬底的顶部表 面和周围的限制结构404的顶部表面之间，或使得它基本上位于与限制结构404的顶部表 面相同的平面中。替选地，额外限定层416能够与电极406、408基本上相同的高度，使得额 外限定层416不交叠电极406、408的部分，而是在它们之间在间隙S中填充。
[0081] 空穴导电层410和有机光发射层412能够被设置在延伸超过限制结构404W及到 井420中的限定层414的部分之上，并且层410、412能够在由限制结构404限定的限制井 420内在额外限定层416之上延伸。额外限定层416能够由电阻性材料制成，使得额外限定 层416能够防止电流流动并且因而可W通过防止穿过子像素的边缘的光发射来减少不想 要的视觉伪象。限定层414和额外限定层416可W由相同或不同材料制成。
[0082] 在示范性实施例中，如在图6中图解的，每个限制井能够包含多个有源子像素区， 该多个有源子像素区包含被间隙S分开的化和W2并且被含在具有宽度CW的限制井内，其 中W1、W2、CW和S主要与像素节距有关，如W上讨论的。如W上，3ym可W是针对S的最 小尺度，但是本领域普通技术人员将意识到从与1ym-样小到甚至大于10ym的尺度是 可能的。限制结构404的高度H能够被选择并且比如具有如W上参考图3A和3B描述的范 围。
[0083] 基于制造技术、处理条件和使用的限定层材料的类型，与限定层的厚度相关联的 尺度T1和与额外限定层的厚度相关联的尺度T2能够是可变的。结果，与限定层的厚度相 关联的尺度T1和与额外限定层的厚度相关联的尺度T2能够范围为50nm到2.5ym，比 如从100nm到500nm。与在限制井的边缘内部的限定层的延伸相关联的尺度SBUSB2、和 B2能够如期望地来选择。然而，更大尺度可W将通过减少可获得的有源像素电极区域的量 来促成填充因子的减少。因此，可W期望选择将服务期望功能的最小尺度，该通常从有源电 极区域排除边缘不均匀性。在各种示范性实施例中，该个尺度能够范围为1ym到20ym， 并且可W比如范围为2ym到5ym。
[0084] 如基于本公开内容本领域技术人员将意识到的，任何公开的限定层配置能够W不 同方式的任何组合来使用W实现期望的像素限定配置。比如，限定层414和/或额外限定 层416能够被配置成限定任何像素和/或子像素区或任何部分像素和/或子像素区，其中 限定层414能够与沉积在任何限定结构404下的限定层相关联并且额外限定层416能够与 在电极之间的限制井内诸如在限制井420中沉积的任何限定层相关联。本领域普通技术人 员将意识到，在本公开内容内示出的横截面仅是图解的横截面并且因此本公开内容不被限 制到图解的特定横截面。比如，尽管图3A和3B分别沿着线3A-3A和3B-3B来图解，但是沿 着不同线来取的比如包含在与3A-3A和3B-3B正交的方向中的不同横截面视图可W反映不 同限定层配置。在示范性实施例中，限定层能够W组合来使用W描画像素诸如在图2中图 解的像素150、151、152的轮廓。替选地，限定层能够被配置成限定子像素，使得限定层完全 或部分地围绕限制井内的子像素电极。
[0085] 现在参考图7,图解又一个示范性实施例的横截面视图。0L邸显示器500能够包 含表面特征516和限定层514。图7的布置类似于W上参考图4描述的布置，其中相似的数 字被用来表示相似的元件，除了使用与200系列相对的500系列之外。然而如在图7中图 解的，0L邸显示器500进一步包含限定层514,该限定层514被设置在限制结构504下。限 定层514能够是被用来限定0L邸显示器500的部分的任何物理结构。在实施例中，限定层 514能够是像素限定层，该像素限定层能够是被用来在像素阵列和/或带有像素的子像素 内描绘像素的任何物理结构。如图解的，在示范性实施例中，限定层514能够超过限制结构 504W及在电极506、508的部分之上延伸。限定层514能够由电阻性材料制成，使得限定层 514防止电流流动并且因而能够通过防止光发射穿过子像素的边缘来减少不想要的视觉伪 象。该样，限定层514能够辅助遮掩薄膜层不均匀性，该不均匀性在每个子像素的边缘处形 成，该不均匀性由于边缘干燥效应可W发生。空穴导电层510和有机光发射层512能够被 沉积巧日之前比如参考图3A和3B讨论的)，使得层510、512与在下面的表面特征形貌足够 一致并且具有基本上均匀的厚度，如w上已被描述的。
[0086]本领域普通技术人员将意识到各种布置和结构例如表面特征、限定层等仅是示范 性的，并且各种其它组合和布置可W被预见且落在本公开内容的范围内。
[0087] 现在参考图8-11，图解在制造0L邸显示器600的示范性方法期间展示各种示范 性步骤的衬底的部分横截面视图。尽管W下参考显示器600将讨论制造的方法，但是任何 描述的步骤和/或描述的步骤中的所有能够被用在制造其它0L邸显示器比如W上描述的 0LED显示器100、200、300、400、和500中。如在图8中图解的，电极606、608和表面特征616 能够被提供在衬底602之上。电极606、608和表面特征616能够使用任何制造方法诸如 喷墨印刷、喷嘴印刷、狭缝涂布、旋转涂布、真空热蒸发、瓣射(或其它物理气相沉积方法)、 化学气相沉积等来形成，并且在沉积技术中另外未被包含的任何额外的图案化能够通过使 用阴影遮掩、光刻(光致抗蚀剂涂布、曝光、显影、和脱模)、湿法刻蚀、干法刻蚀、剥离等来实 现。电极606、608能够与表面特征616同时形成或与首先形成的电极或表面特征顺序地形 成。
[008引限定层614和额外限定层618随后能够被沉积在表面特征616和电极606、608之 上，如在图9中图解的。层614和618能够使用任何制造方法诸如喷墨印刷、喷嘴印刷、狭缝 涂布、旋转涂布、真空热蒸发、瓣射(或其它物理气相沉积方法)、化学气相沉积等来形成，并 且在沉积技术中另外未被包含的任何需要的额外图案化能够通过使用阴影遮掩、光刻(光 致抗蚀剂涂布、曝光、显影、和脱模)、湿法刻蚀、干法刻蚀、剥离等来实现。限定层614能够 与额外限定层618同时形成或层614、618能够与首先形成的层614或618顺序地形成。
[0089] 限制结构604被提供在限定层614之上。限制结构604能够被形成W限定限制 井620,该限制井620围绕多个子像素电极606、608同时跨越多个像素。限制结构604能 够使用任何制造方法诸如喷墨印刷、喷嘴印刷、狭缝涂布、旋转涂布、真空热蒸发、瓣射(或 其它物理气相沉积方法)、化学气相沉积等来形成，并且在沉积技术中另外未被包含的任何 额外的图案化能够通过使用阴影遮掩、光刻(光致抗蚀剂涂布、曝光、显影、和脱模)、湿法刻 蚀、干法刻蚀、剥离等来实现。在一个示范性技术中，如在图10中图解的，限制结构材料能 够W连续层604'被沉积在衬底602之上，并且该层随后能够使用掩膜607被图案化，使得 层604'的部分605能够被去除W暴露子像素电极606、608。限制结构604通过在去除部 分605后剩余的层604'的材料来形成。替选地，限制结构604能够通过如下来形成：活性 地沉积材料W仅形成限制结构，使得沉积的限制结构604能够限定边界并且限制井被形成 在沉积的限制结构604的边界内。
[0090]在示范性实施例中，如在图10中图解的，每个限制井能够包含多个有源子像素 区，该多个有源子像素区包含被间隙S分开的W1和W2。如W上，尺度W1、W2、和CW主要与 像素节距有关。并且间隙S的尺度与约束和布局有关，该约束与制造技术和处理相关联，并 且间隙S的尺度可W范围为lym到甚至大于10ym，其中3ym是示范性的最小尺度。与 在限制井的边缘内部的限定层的延伸相关联的尺度SB1和SB2能够如期望的那样来选择。 然而，更大尺度将通过减少可获得的有源像素电极区域的量来促成填充因子的减少。因此， 可W期望选择将服务期望功能的最小尺度，该通常从有源电极区域排除边缘不均匀性。在 各种示范性实施例中，该个尺度能够范围为1ym到20ym，并且可W比如范围为2ym到 5ym。
[0091] 如在图11中图解的，空穴导电层610随后能够使用喷墨印刷被沉积在限制井620 内。比如，喷墨喷嘴650能够在目标区域内引导空穴导电材料的(一个或多个)液滴651，该 目标区域被限定在限制井620内。空穴导电层610可W进一步包括两个分立层，比如空穴 注入层和空穴输运层，并且该些层能够通过如在本文中描述的喷墨方法顺序地被沉积。此 夕F，有机光发射层612能够使用喷墨印刷在空穴导电层610之上在限制井620内被沉积。喷 墨喷嘴650能够在空穴导电层610之上在目标区域内引导有机光发射材料的(一个或多个） 液滴651。本领域普通技术人员将意识到尽管参考图11讨论单个喷嘴，但是多个喷嘴能够 被实施W在多个限制井内提供含有空穴导电材料或有机光发射材料的液滴。如本领域普通 技术人员熟悉的，在一些实施例中，能够从多个喷墨喷嘴头同时沉积相同或不同色彩的有 机光发射材料。此外，在目标衬底表面上的液滴喷出和放置能够使用本领域普通技术人员 所知的技术来执行。
[0092] 在示范性实施例中，单个有机光发射层612能够被沉积在限制井620内，诸如红 色、绿色、或藍色层。在替选的示范性实施例中，多个有机光发射层能够在限制井620内在 彼此之上被沉积。该样的布置比如当光发射层具有不同光发射波长范围时能够起作用，使 得当一个光发射层被激活W发光时，另一个光发射层不发光或干扰第一个有机光发射层的 光发射。比如，红色有机光发射层或绿色有机光发射层能够被沉积在限制井620内并且随 后藍色有机光发射层能够被沉积在红色或绿色有机光发射层之上。该样，尽管限制井能够 包含两个不同的光发射层，但是仅一个光发射层被配置成在限制井内发光。
[0093] 层610和612能够被沉积W与限定层614、表面结构616、额外限定层618、和电极 606、608的形貌足够一致，如W上已被描述的，并且能够具有基本上均匀的厚度，如W上描 述的。
[0094]W上参考图3A-11描述的各种方面能够被用于依据本公开内容的多种像素和子 像素布局，其中图2是一个示范性和非限制的该样的布局。由本公开内容设想的各种额外 示范性布局被描绘在图12-18中。各种示范性布局图解存在用来实施在本文中描述的示范 性实施例的许多方式；在许多情形中，任何特定布局的选择被下述各种因素驱动，诸如比如 电路的在下面的布局、期望的像素形状(其在图解的实施例中被描绘为长方形和六边形，但 是也能够是其它形状，诸如人字形、圆形、六边形、S角形等等)，W及与显示器的视觉外观 有关的因素(诸如能够对显示内容诸如文本、图形、或动态视频的不同类型和对不同配置观 察到的视觉伪象)。本领域普通技术人员将意识到多个其它布局落在本公开内容的范围内， 并且能够通过修改且基于在本文中描述的原理来得到。进一步，本领域普通技术人员将理 解尽管为了简化W下在图12-18的描述中仅描述限定限制井的限制结构，但是包含W上参 考图3A-11描述的表面特征、电路、像素限定层、和其它层的任何特征能够结合在本文中的 任何像素布局来使用。
[0095] 图12描绘用于0L邸显示器700的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平面 视图，并且类似于图2的布局，其中W下描述布局的进一步方面。限制结构704,比如如W上 讨论的岸结构，能够被提供在衬底上W限定在被排列的配置中的多个限制井720、730、740。 每个限制井720、730、740能够包含0L邸材料的基本上连续的层（由阴影区指示)，使得有机 层延伸穿过限制井720、730、740到围绕限制井的限制结构704,比如在每个井720、730、740 中的0L邸材料的层的边缘可W接触限制结构704。0L邸层能够包含比如下述中的一个或 多个；空穴注入材料、空穴输运材料、电子输运材料、电子注入材料、空穴阻挡材料、和提供 发射不同光发射波长范围的有机光发射材料。比如，限制井720能够包含与在红色波长范 围内的光发射相关联的有机光发射层并且由R指示，限制井730能够包含与在由G指示的 绿色波长范围内的光发射相关联的有机光发射层，并且限制井740能够包含与在由B指示 的藍色波长范围内的光发射相关联的有机光发射层。井720、730、740能够具有多种布置和 配置，关于彼此包含(例如布局)。比如，如在图12中图解的，分别含有红色有机光发射层R 和绿色有机光发射层G的限制井720和限制井730W交替的布置被设置在行Ri、Rs中。与 行Ri和R3交替的是含有藍色有机光发射层B的限制井740的行R2和R4。限制井720、730 也能够被替选地布置在行Ri、Rs内。
[0096]多个电极 706、707、708、709 ;736、737、738、739;和 742、744 能够分别被设置在每 个限制井720、730、740内，其中每个电极能够与子像素相关联，该子像素与特定光发射色 彩诸如红色、绿色、或藍色光发射相关联。在图12中由虚线识别的像素750、751、752、753能 够被限定成包含具有红色光发射的一个子像素、具有绿色光发射的一个子像素、和具有藍 色光发射的一个子像素。比如，每个限制井720、730、740能够分别包含多个电极706、707、 708、709 ;736、737、738、739 ;和742、744,该多个电极被配置成使得它们的相关联电极有源 区对应于在图12中示出的电极轮廓，被彼此间隔开。限制井720、730、740能够在限制井内 具有电极的不同数目和/或布置。替选地，额外的布置是可能的，诸如带有除了红色、绿色、 和藍色W外的其它色彩集合的、包含设及多于=个子像素色彩的色彩组合的布置。其它布 置也是可能的，在其中单个色彩的多于一个子像素与特定像素相关联，比如每个像素能够 具有与它相关联的一个红色、一个绿色、和两个藍色子像素、或特定色彩和色彩的其它组合 的子像素的数目的其它组合。另外，如果不同的光发射材料的多层被定位在彼此之上，则设 想不同色彩子像素可W彼此交叠。如在图12中图解的，子像素电极能够与限定限制井的结 构间隔开。在替选的实施例中，子像素电极能够被沉积，使得它们直接邻近限制井结构，使 得在电极和限制结构之间不发生间隙。此外，限制井结构能够被设置在子像素电极的部分 之上。
[0097] 此外，邻近限制井能够具有不同的子像素布置。比如，如在图12中图解的，限制井 720和730包含2 X 2有源电极区布置，并且限制井740包含1 X 2有源电极区布置，其中在 2X2布置中的有源电极区是相同尺寸的方形，并且在1X2布置中的有源电极区是相同尺 寸的长方形。如W上指出的，在不同限制井内的电极能够具有有源区的不同表面积。
[0098] 在一个示范性布置中，与用来寻址在藍色波长范围B内的光发射的子像素的电极 相关联的有源区能够比与用来寻址在红色和/或绿色波长范围R、G内的光发射的电极相关 联的有源区具有更大的表面积。可W期望的是与具有在藍色波长范围B中的光发射的子像 素相关联的电极的有源区具有比与关联于红色或绿色光发射的子像素电极相关联的有源 区更大的表面积，因为当操作在相同面积亮度级时，与藍色光发射相关联的子像素经常比 与具有红色或绿色光发射相关联的子像素具有基本上更短的寿命。增加与藍色光发射相关 联的子像素的相对有源面积能够实现操作在相对更低的面积亮度级同时仍维持相同总体 显示亮度，由此增加与藍色光发射相关联的子像素的寿命和显示器的总体寿命。指出可W 关于与藍色光发射相关联的子像素相应地减少与红色和绿色光发射相关联的子像素。该能 够导致关于与藍色光发射相关联的子像素W更高亮度级来驱动与红色和绿色光发射相关 联的子像素，该能够减少红色和绿色OL邸器件寿命。然而，与红色和绿色光发射相关联的 子像素的寿命能够比与关联于藍色子像素的子像素相关联的寿命显著地更长，与藍色光发 射相关联的子像素关于总体显示器寿命保持为限制性子像素。尽管在限制井740内的电极 的有源区被图解为W它们的在图12中水平延伸的延长方向来布置，但是电极能够替选地 被布置成使得它们的延长方向在图12中垂直地延伸。
[0099] 在邻近限制井之间的空隙能够贯穿像素布局相等或能够变化。比如，参考图12， 在限制井720、730之间的空隙b'能够大于或等于在限制井720或730和740之间的空隙 f'。换句话说，在图12的定向中，在行中在邻近限制井之间的水平空隙可W与在邻近行中 在邻近限制井之间的垂直空隙不同。另外，在行Ri、R3中的水平空隙b'可W等于在行R2、R4 中的水平空隙a'，或与在行R2、R4中的水平空隙a'不同。
[0100] 在不同的限制井720、730、740中的每个内在电极的有源区之间的间隔（间隙)也能 够相同或不同并且可W取决于间隔的方向（例如水平或垂直)来变化。在一个示范性实施例 中，在限制井720、730内在电极的有源区之间的间隙d和e能够相同并 且能够与在限制井 740内在电极的有源区之间的间隙不同。进一步，在各种示范性实施例中，在相同或不同行 中，在限制井内在邻近有源电极区之间的间隙小于在相邻限制井中在邻近有源电极区之间 的间隙。比如，在图12中c、t和e可W每个小于a、b、或f。
[0101] 在图12中在每个限制井例如720的内部边缘和在那个限制井内相关联的有源电 极区例如706、707、708、709中的每个的外部边缘之间存在示出的间隙。然而，如在图2中图 解的，依据各种示范性实施例，该样的间隙可W不存在并且有源电极区中的每个的外部边 缘可W与限制井的内部边缘相同。该个配置能够比如使用像在图3A中图解的一个结构的 结构来实现，其中在图12中示出的配置(在其中存在该样的间隙）能够比如使用像在图5A 中图解的一个结构的结构来实现。然而，其它结构也可W能够实现在图2和12中图解的相 同配置。
[0102] 像素750、751、752、753能够基于限制井布置和对应的子像素布局被限定。像素 750、751、752、753的总体间隔、或节距能够基于显示器的分辨率。比如，显示器分辨率越高， 节距越小。此外，邻近像素能够具有不同的子像素布置。比如，如在图12中图解的，像素750 包含在顶部左部分中的红色子像素R、在顶部右部分中的绿色子像素G、和在跨越像素的底 部部分的大部分中的藍色子像素B。像素751的子像素布局类似于像素750的子像素布局， 除了绿色子像素G和红色子像素R的相对定位被交换(其中绿色子像素G在顶部左部分中， 红色子像素R在顶部右部分中）之外。分别邻近像素751、750并且在像素751、750下方的 像素752和753分别是像素751和750的镜像。因而，像素752包含在顶部部分中的藍色 子像素B、在底部左部分中的绿色子像素G、和在底部右部分中的红色子像素R。并且像素 753包含在顶部部分中的藍色子像素、在底部左部分中的绿色子像素、和在底部右部分中的 红色子像素。
[0103] 在针对依据图12的并且具有326像素/英寸（ppi)的高分辨率显示器的示范性实 施例中，包含红色子像素、绿色子像素和藍色子像素的像素能够具有近似78ymX78ym 的总体尺度，从而对应于为实现326ppi所需要的显示器的总体节距。针对该个实施例假 定a' =b' =f'=12ym，如之前讨论的，反映在限制区之间的现有技术水平的最小间隔，进一 步假定a=b=f=12ym+6]im=18ym，反映在其中利用在限制井边缘内部延伸3ym的限 定层的情形，并且最后假定c=d=e=3ym作为在限制井内在电极有源区之间的典型间隙，与 红色和绿色子像素中的每个相关联的面积能够是28.5ymX28. 5ym并且与藍色子像素 相关联的面积能够是60ymX27ym。藍色子像素的表面积能够大于红色和绿色子像素 中的每个W增加总体显示器寿命，如W上描述的。该样的布局能够具有与具有66ymX66 ym的尺度的2X2红色和绿色子像素的群组相关联的限制井，和与具有66ymX66ym的 尺度的1X2藍色子像素的群组相关联的限制井。该样的尺度提供用传统喷墨印刷头和印 刷系统对有源OL邸材料的直接加载，同时也提供带有大于50%诸如53%的高填充因子的高 分辨率显示器。该样的尺度也提供在具有限定层的结构中的该样的特征，该限定层能够通 过阻挡穿过紧接邻近限制井壁的薄膜区的电流流动而在有源电极区内提供提升的薄膜均 匀性。
[0104] 在针对具有440像素/英寸（ppi)的高分辨率显示器的对应的示范性实施例中， 包含红色子像素、绿色子像素、和藍色子像素的像素能够具有近似58ymX58ym的总体 尺度，其中假定针对尺度a、b、C、te、f、a'、b'、和f'的值与在紧接之前示例中相同，与红 色和绿色子像素中的每个相关联的面积能够是18.5ymX18. 5ym并且与藍色子像素相 关联的面积能够是40ymX17ym。藍色子像素的表面积能够大于红色和绿色子像素中的 每个W增加总体显示器寿命，如W上描述的。该样的布局能够具有与具有46ymX46ym 的尺度的2X2红色和绿色子像素的群组相关联的限制井，和与具有46ymX46ym的尺 度的1X2藍色子像素的群组相关联的限制井。该样的尺度提供用传统喷墨印刷头和印刷 系统对有源0L邸材料的相对直接的加载，同时也提供带有40%的高填充因子的高分辨率显 示器。
[0105] 在每个W上示范性实施例中，能够实施针对尺度a、b、c、te、f、a'、b'、和f'的各 种值。然而，本领域普通技术人员将意识到该些尺度变化。比如在限制壁（a'、b'、f')之间 的间隔能够变化，如之前讨论的，对大ppi而言从与1ym-样小到与几百微米一样大。在 限制井（C、d、e)内在有源电极区之间的间隙能够变化，如W上讨论的，从与1ym-样小到 与几十微米一样大。在有源电极区和限制壁的边缘之间的间隙(有效地分别是在a'和a、b' 和b、化及f'和f之间的差的一半）也能够变化，如W上讨论的，从与1ym-样小到与10 ym-样大。此外，因为该些尺度是变化的，所W它们连同ppi(确定显示器的总体节距)一 起施加约束，该约束限制对限制井尺度和含在其中的有源电极区所允许的值的范围。在W 上示范性实施例中，为了简化，相同尺度的方形限制井被用于所有的S个色彩。然而，限制 井不需要是方形，并且不需要所有都是相同尺寸。此外，在图12中提供的尺度指示各种常 见尺度，比如，在红色限制井和绿色限制井内在有源电极区之间的间隙，但是在一些示范性 实施例中那些间隙不是常见尺度而是彼此不同。
[0106] 图13描绘0L邸显示器800的另一个示范性像素/子像素布局的部分平面视图。 与之前讨论的示范性实施例共同的特征不被描述。为了简化，将讨论不同。
[0107] 与比如在图12中图解的显示器700的子像素电极相比，显示器800能够具有在限 制井内的与子像素电极相关联的有源区之间的更大的分开。在分别限制井820、830、840内 在与电极806、807、808、809;836、837、838、839;和842、844相关联的邻近有源区之间的间 隔能够大于在邻近限制井中在邻近有源电极区之间的空隙。比如，与电极836相关联的有 源区能够W预确定距离g彼此间隔开，并且类似地对与电极838相关联的有源区而言。在 相邻限制井820、830中在邻近有源电极区之间的空隙k能够小于在与电极836、838相关联 的有源区之间的空隙g，并且在与电极842 (并且类似地对电极844)相关联的有源区之间 的空隙m能够大于在相邻限制井840和限制井820、830中在邻近有源电极区之间的空隙 n。该样的间隔能够在设置在限制井内并且与相同光发射色彩相关联的子像素电极之间提 供更大间隔同时提供与单个限定像素相关联的子像素电极的更紧密的布置。该个间隔能够 减少不期望的视觉伪象，使得显示器看似是紧密布置的RGB=元组的阵列而不是紧密布置 的RRRR四元组、GGGG四元组、和BB对的阵列。
[010引在图14中描绘依据本公开内容的用于显示器的另一个示范性像素/子像素布局。 限制结构904能够被提供在衬底上W限定在被排列的配置中的多个限制井920、930、940。 每个限制井920、930、940能够包含0L邸材料的基本上连续的层（由阴影区指示)，使得有机 层的边缘延伸贯穿限制井920、930、940到围绕限制井的限制结构904,比如在每个井920、 930、940中的0L邸材料层的边缘可W接触限制结构904。有源0LED层比如能够包含而没 有限制下述中的一个或多个；空穴注入材料、空穴输运材料、电子输运材料、电子注入材料、 空穴阻挡材料、和提供发射不同光发射波长范围的有机光发射材料。比如，限制井920能够 包含与在红色波长范围R内的光发射相关联的有机光发射层，限制井930能够包含与在绿 色波长范围G内的光发射相关联的有机光发射层，并且限制井940能够包含与在藍色波长 范围B内的光发射相关联的有机光发射层。有机光发射层能够W任何布置和/或配置被设 置在井内。比如，设置在限制井920、930、940中的有机光发射层被布置成在每行内具有交 替布置。邻近行能够具有相同布置或不同布置。此外，尽管限制井920、930、940的邻近行 被图解为具有均匀对准，但是限制井920、930、940的邻近行能够替选地具有不均匀对准， 诸如偏移布置。另外，限制井920和930能够W替选图案被颠倒。
[0109] 每个井920、930、940的配置能够具有长方形形状，使得每个井在垂直方向中被延 长。井920、930、940在延长的垂直方向中能够具有近似相同的尺度。此外，井920、930、940 能够具有近似相同的宽度。然而，与藍色有机光发射层相关联的整个井940能够与单个子 像素并且因而与像素相关，而与红色和绿色有机光发射层相关联的井920、930能够与多个 子像素并且因而与多个像素相关。比如，限制井920、930能够包含多个电极，使得每个电极 与不同像素的不同子像素相关联。如在图14中图解的，井920包含两个电极926、928并且 与两个不同像素950、951相关联。
[0110] 不同数目的电极926、928、936、938、946能够被设置在不同限制井内。比如，一些 限制井920、930能够包含多个电极926、928 ;和936、938W选择性地寻址设置在相同限制 井中的电极但是针对在不同像素中的不同子像素产生光发射，而其它限制井940仅包含一 个电极946W寻址设置在与一个像素相关联的一个限制井中的电极。替选地，设置在限制 井940中的电极的数目能够是设置在其它限制井920、930中的电极的数目的一半。此外， 在不同限制井内的电极能够具有不同表面积。比如，与在藍色波长范围内的光发射相关联 的电极能够比与在红色和/或绿色波长范围内的光发射相关联的电极具有更大的表面积 W改进显示器900的寿命并且减少功耗。
[0111] 像素950、951能够基于限制井布置和对应的子像素布局被限定。像素950、951的 总体间隔或节距能够基于显示器的分辨率。比如，显示器分辨率越高，节距越小。此外，邻 近像素能够具有不同的子像素布置。比如，如在图14中图解的，像素950能够包含在左的 绿色子像素G、在中间的藍色子像素B、和在右的红色子像素R。像素951能够包含在左的红 色子像素R、在中间的藍色子像素B、和在右的绿色子像素G。
[0112] 图15描绘用于0L邸显示器1000的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平 面视图。与W上讨论的实施例共同的特征不被描述(尽管类似标示能够在图15中W1000系 列被找到)。为了简化，将讨论不同。限制结构1004能够被配置成限定多个井1020、1030、 1040。井1020、1030、1040能够被布置，使得井1020、1030、1040在均匀的行中被对准，其中 与红色光发射和绿色光发射相关联的井（比如，1020U030)在单个行内交替并且与藍色光 发射相关联的井（比如，1040)在单个行内。此外，井1020、1030、1040能够被配置，使得井 1020、1030、1040在均匀的列内被对准，从而使得井1020、1040的列与井1030、1040的列交 替。限制井1020和1030能够被替选地布置，使得限制井1030开始交替图案。
[0113] 每个限制井1020、1030、1040能够是近似相同的尺寸。然而，与每个井1020、1030、 1040相关联的电极的数目能够不同。比如，如在图15中图解的，与红色光发射相关联的井 1020能够包含电极1026、1027、1028、1029,与绿色光发射相关联的井1030能够包含电极 1036、1037、1038、1039,并且与藍色光发射相关联的井1040能够包含电极1046、1048。尽管 在限制井1040内的电极被图解为水平间隔来布置，但是电极能够替选地被布置W垂直被 间隔。
[0114]尽管电极 1026、1027、1028、1029、1036、1037、1038、1039 在图 15 中被图解为具有 方形形状并且电极1046U048被图解为具有长方形形状，但是具有任何形状的电极被设想 为在本公开内容的范围内，诸如比如圆形的、人字形、六边形的、不对称的、不规则弯曲等。 多个不同形状电极能够被实施在单个限制井内。此外，不同限制井能够具有不同形状的电 极。电极的尺寸和形状能够影响在电极之间的距离并且因而影响显示器的总体布局。比如， 当形状是互补的时，电极能够一起被间隔得更紧密同时仍维持在邻近电极之间的电隔离。 此外，电极的形状和间隔能够影响创建的视觉伪象的程度。电极形状能够被选择成减少不 期望的视觉伪象并且提升图像合成W产生连续图像。
[0115]W虚线示出的像素1050U051能够基于限制井布置和对应的子像素布局被限定。 像素1050、1051的总体间隔或节距能够基于显示器的分辨率。比如，显示器分辨率越高，节 距越小。此外，像素能够被限定为具有不对称的形状。比如，如在图15中图解的，像素1050、 1051能够具有"L"形状。
[0116] 图16描绘用于0L邸显示器1100的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平 面视图。与W上讨论的示范性实施例共同的特征将不被描述(尽管带有1100系列的类似标 示能够在图16中被找到)。限制结构1104能够被配置为限定在多个列。八2^3八4中的多 个限制井1120、1130、1140。列。、〔2、〔3、〔4能够被布置成产生错列的布置。比如，在列(：1和 C3中的限制井能够与列C2和C4偏移，从而产生错列的行布置同时维持均匀的列布置。像素 1150U151能够基于限制井布置的节距被限定。限制井布置的节距能够基于显示器的分辨 率。比如，节距越小，显示器分辨率越高。此外，像素能够被限定为具有不对称的形状。比 如，如在图16中由虚线图解的，像素1150、1151能够具有不均匀形状。
[0117] 图17描绘用于0L邸显示器1200的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平 面视图。与W上讨论的实施例共同的特征不被描述(尽管带有1200系列的类似标示能够在 图17中被找到)。如在图17中图解的，限制结构1204能够被配置为限定多个限制井1220、 1230、1240。每个限制井1220、1230、1240能够具有不同的面积。比如，与红色光发射R相关 联的井1220能够具有比与绿色光发射G相关联的井1230更大的面积。此外，限制井1220、 1230、1240能够与不同数目的像素相关联。比如，限制井1220能够与像素1251、1252、1254、 1256相关联并且限制井1230、1240能够与像素1251、1252相关联。井1220、1230、1240能 够W均匀的行Ri、R2、Rs、R4、Rs被配置。行R2、Rs和Rs能够与藍色光发射井1240相关联， 并且行Ri和R4能够与交替的红色光发射井1220和绿色光发射井1230相关联。限制结构 1204能够具有多种尺度〇1、〇2、〇3、〇4。比如，能够大于〇2、〇3、或D"化能够小于D 1、〇3、或 〇4,并且能够近似等于〇4。
[0118] 图18描绘用于0L邸显示器1300的像素和子像素布局的示范性实施例的部分平 面视图。与W上比如图17讨论的实施例共同的特征不被描述(尽管带有1300系列的类似标 示能够在图18中被找到)。限制结构1304能够被配置为限定多个限制井1320、1330、1340。 井1320、1330、1340能够被布置使得与红色光发射1320和绿色光发射1330相关联的井能 够在行内和与藍色光发射1340相关联的井交替。
[0119] 尽管W上描述各种像素和子像素布局，但是示范性实施例绝不限制如所描述的跨 越多个像素的限制井的形状、布置、和/或配置。替代地，与本公开内容相关联的限制井与 喷墨印刷制造方法结合允许选择灵活的像素布局布置。
[0120] 设想能够使用喷墨印刷来实现高分辨率0L邸显示器的各种像素布局。比如，如在 图19中图解的，限制结构1404能够创建六边形图案，使得像素1450能够包括与红色发射 R相关联的限制井1420、与绿色发射G相关联的限制井1430、和与藍色发射B相关联的限 制井1440。由于节距，限制井的形状、和将限制井更紧密包在一起的能力，具有高分辨率的 0L邸显示器能够使用喷墨印刷来创建。
[0121] 在本文中公开的实施例能够被用来在任何0L邸显示器中实现高分辨率。所W， 它能够被应用到各种电子显示器设备。该样的电子显示器设备的一些非限制性示例包含： 电视显示器、视频相机、数字相机、头戴式显示器、汽车导航系统、包含显示器的音频系统、 膝上型个人计算机、数字游戏机设备、便携式信息终端(诸如平板电脑、移动计算机、移动电 话、移动游戏机设备或电子书)、配备有记录媒介的图像回放装置。在图20和21中图解电 子显示器设备的两个类型的示范性实施例。
[0122] 图20图解结合依据本公开内容的任何0L邸显示器的电视监视器和/或台式个人 计算机的监视器。监视器1500能够包含框架1502、支撑物1504、和显示器部分1506。在本 文中公开的0L邸显示器实施例能够被用作显示器部分1506。监视器1500能够是任何尺寸 的显示器，比如高到55' '和超过55' '。
[0123] 图21图解结合依据本公开内容的任何0L邸显示器的移动装置1600(诸如蜂窝电 话、平板电脑、个人数据助理等）的示范性实施例。移动装置1600能够包含主体1062、显示 器部分1604、和操作开关1606。在本文中公开的0L邸显示器实施例能够被用作显示器部 分 1604。
[0124] 使用依据本公开内容的示范性实施例的各种方面，一些示范性尺度和参数能够在 获得具有增加的填充因子的高分辨率0L邸显示器中是有用的。表1-3包含与具有326ppi 的分辨率的0L邸显示器相关联的传统的尺度和参数W及依据本公开内容的示范性实施例 的预言的、非限制性的示例，其中表1描述与红色光发射相关联的子像素，表2描述与绿色 光发射相关联的子像素，并且表3描述与藍色光发射相关联的子像素。表4-6包含与具有 440ppi的分辨率的显示器相关联的传统的尺度和参数W及依据本公开内容的示范性实施 例的预言的、非限制性的示例，其中表4描述与红色光发射相关联的子像素，表5描述与绿 色光发射相关联的子像素，并且表6描述与藍色光发射相关联的子像素。
[0125]表 1
[0131] 表7包含与在具有326ppi的分辨率的显示器内的像素相关联的传统的尺度和参 数W及依据本公开内容的示范性实施例的预言的、非限制性的示例，其中像素包含红色子 像素、绿色子像素、和绿色子像素。
[0132] 表 7 * (有源面积/总面积）上舍入到最近百分点。
[0133] 如W上在表7中图解的，设想依据本公开内容的各种示范性实施例能够与传统限 审IJ结构相比实现填充因子改进。比如，针对设想在图3A和3B中图解的限制结构的显示器的 填充因子能够与传统结构相比W大约43%增加填充因子，由此实现65%的总填充因子。在 另一个实施例中，针对设想在图5A和5B中图解的限制结构的显示器的填充因子能够与传 统结构相比W大约51%改进填充因子，由此实现53%的总填充因子。
[0134] 表8包含与在具有440ppi的分辨率的显示器内的像素相关联的传统的尺度和参 数W及依据本公开内容的示范性实施例的预言的、非限制性的示例，其中像素包含红色子 像素、绿色子像素、和绿色子像素。
[0135] 表8
* (有源面积/总面积）上舍入到最近百分点。
[0136] 如W上在表8中图解的，设想依据本公开内容的各种示范性实施例能够与传统限 审IJ结构相比实现填充因子改进。比如，针对设想在图3A和3B中图解的限制结构的显示器的 填充因子能够与传统结构相比W大约84%改进填充因子，由此实现55%的总填充因子。在 另一个实施例中，针对设想在图5A和5B中图解的限制结构的显示器的填充因子能够与传 统结构相比W大约116%改进填充因子，由此实现40%的总填充因子。
[0137] 依据本公开内容，W上描述的并且依照本公开内容的各种示范性实施例能够通过 增加0LED材料液滴被加载到其中的限制井的尺寸而允许具有相对高的像素密度和增加的 填充因子的0L邸显示器的喷墨印刷，并且由此能够实现使用可得到的液滴尺寸和可得到 的喷墨系统液滴放置准确度。由于更大的限制井面积，高分辨率0L邸显示器能够使用足够 大喷墨液滴体积和可得到的液滴放置准确度来制造，而不需要利用太小的液滴体积或过分 高的液滴放置准确度，该能够在喷墨设备设计和印刷技术中造成抑制的挑战。在不实施依 据本公开内容的跨越多个子像素的限制井的情况下，液滴尺寸和系统液滴放置误差能够显 著地增加在使用现有喷墨头制造的任何高分辨率显示器中的问题，因为液滴将具有太大的 体积并且将溢出每个子像素井并且传统液滴放置准确度将导致将液滴整体或部分误放在 目标限制井外部，其两者将导致在薄膜沉积中的非期望误差和在最终显示器外观中的对应 的视觉缺陷。W现有液滴体积和液滴放置准确度来实现高像素密度的能力能够使在本文中 描述的技术被用于制造针对许多应用的相对高分辨率的显示器，从小尺寸显示器诸如比如 在智能电话和/或平板电脑中找到，化及大尺寸显示器诸如比如超高分辨率电视。另外，依 据示范性实施例，实现与在下面形貌基本上一致的基本上均匀的厚度的0L邸材料层(一个 或多个）能够提升总体0L邸显示器性能和质量，并且特别地能够允许在高分辨率0L邸显 示器中实现期望的性能和质量。W上描述的实施例中的一个或多个能够实现减少的填充因 子。在传统的像素布置中，针对具有在300-440ppi的范围中的分辨率的显示器的填充因子 具有小于40%并且经常小于30%的填充因子。相反，针对具有在300-440ppi的范围中的 分辨率的显示器，本公开内容的示范性实施例可W实现大于40%并且在一些实例中与60% 一样高的填充因子。示范性实施例能够被用于任何像素尺寸和布置，包含在高分辨率显示 器内的像素布置。
[013引示范性实施例能够与任何尺寸显示器一起使用并且更具体而言与具有高分辨率 的小显示器一起使用。比如，本公开内容的示范性实施例能够与具有在3-70英寸范围中的 对角线尺寸并且具有大于100ppi比如大于300ppi的分辨率的显示器一起使用。
[0139] 尽管描述的各种示范性实施例设想利用喷墨印刷技术，但是在本文中描述的各种 像素和子像素布局和产生用于0L邸显示器的那些布局的方式也能够使用其它制造技术诸 如热蒸发、有机气相沉积、有机蒸汽喷印来制造。在示范性实施例中，也能够执行替选的有 机层图案化。比如，图案化方法能够包含阴影遮掩(连同热蒸发一起）和有机蒸汽喷印。特 别地，尽管在本文中描述的像素布局(在其中相同色彩的多个子像素被群组在一起并且在 其中沉积的0L邸薄膜层跨越在被群组的子像素区内的实体形貌）针对喷墨印刷应用已被 构思，但是该样的布局也能够对用于0L邸薄膜层沉积的真空热蒸发技术(在其中图案化步 骤使用阴影遮掩来实现）具有有益的替选应用。如在本文中描述的该样的布局提供更大的 阴影掩模孔和在该样的孔之间的增加的距离，由此潜在地改进该样的阴影掩模的一般实用 性和总体机械稳定性。尽管带有阴影掩模的真空热蒸发技术可能不与喷墨技术一样低成 本，但是使用依据本公开内容的像素布局和使用跨越在被群组的与相同色彩相关联的子像 素区内的实体形貌的0L邸薄膜层涂层也表示在本文中描述的本公开内容的潜在重要的应 用。
[0140] 尽管W上已详细描述仅一些示范性实施例，但是本领域技术人员将容易意识到在 示例实施例中许多修改是可能的，而没有本质上脱离该公开内容。所W，所有该样的修改意 图被包含在如在所附权利要求中限定的该公开内容的范围内。
[0141] 在下面部分公开进一步方面。
[0142] 第一方面设及有机发光二极管（0LED)显示器。第一方面能够包含设置在衬底上 的第一电极。第一电极能够与第一子像素相关联。第一方面能够进一步包含第二电极，该 第二电极被设置在衬底上并且与第一电极间隔开W提供在第一和第二电极之间的间隙。第 二电极能够与第二子像素相关联。限制结构能够被定位在衬底上W限定含有第一电极和第 二电极的井的边界。0L邸显示器也能够包含基本上连续的有源0L邸材料层，该基本上连续 的有源0L邸材料层跨越井的边界并且被设置在第一电极和第二电极之上。背对衬底的有 源0LED材料层的表面能够具有非平面形貌。
[0143] 依据第一方面的第二方面，0L邸显示器能够进一步包含具有基本上均匀厚度的有 源0LED材料的层。
[0144] 依据前述方面中的任何一个的第S方面，0L邸显示器能够进一步包含有源0LED 材料的层，该有源0L邸材料的层包含厚度中的局部不均匀性。
[0145] 依据前述方面中的任何一个的第四方面，0L邸显示器能够进一步包含在井中的表 面特征的边缘的5ym-10ym内的厚度中的局部不均匀性。
[0146] 依据前述方面中的任何一个的第五方面，0L邸显示器能够进一步包含具有小于第 一电极和第二电极的厚度的厚度的有源0LED材料的层。
[0147] 依据前述方面中的任何一个的第六方面，0L邸显示器能够进一步包含有源0LED 材料，该有源0L邸材料包括光发射材料和/或空穴导电材料。
[014引依据前述方面中的任何一个的第走方面，0L邸显示器能够进一步包含空穴导电材 料，该空穴导电材料包括空穴注入材料和/或空穴输运材料。
[0149] 依据前述方面中的任何一个的第八方面，0L邸显示器能够进一步包含在第一电极 和第二电极之间的间隙内在衬底上提供结构和/或在该结构上沉积第一限定层。
[0150] 依据前述方面中的任何一个的第九方面，OL邸显示器能够进一步包含在第一电极 和第二电极的部分W及衬底上沉积第二限定层并且随后在第二限定层之上沉积限制结构。
[0151] 依据前述方面中的任何一个的第十方面，0L邸显示器能够进一步包含第一限定层 和/或第二限定层，该第一限定层和/或第二限定层包括电阻性材料。
[0152] 依据前述方面中的任何一个的第十一方面，0L邸显示器能够进一步包含具有大于 40%比如大于60%的填充因子的显示器。
[0153] 依据前述方面中的任何一个的第十二方面，0L邸显示器能够进一步包含具有至少 100ppi比如至少300ppi的分辨率的显示器。
[0154] 依据前述方面中的任何一个的第十S方面，0L邸显示器能够进一步包含显示器， 该显示器是顶部发射显示器。
[0巧5] 第十四方面设及制造有机发光二极管（0LED)显示器的方法。第十四方面能够包 含在衬底上提供与第一子像素相关联的第一电极和与第二子像素相关联的第二电极，其中 在第一电极和第二电极之间形成间隙并且其中第一电极和第二电极被定位在具有由衬底 上的限制结构限定的边界的井中。方法也能够包含在带有被定位在其中的电极的井中沉积 有源0L邸材料W形成有源0L邸材料的基本上连续的层，该有源0L邸材料的基本上连续的 层跨越井的边界，使得背对衬底的有源0L邸材料的层的表面具有非平面形貌。沉积能够经 由喷墨印刷。
[0156] 第十五方面能够进一步包含使用依据方面十四的方法形成的设备。
[0157] 第十六方面设及有机发光二极管（0LED)显示器。第十六方面能够包含在衬底上 提供的限制结构。限制结构能够限定在阵列配置中的多个井。0L邸显示器也能够包含设置 在每个井内的多个电极，其中多个电极能够彼此间隔开。具有第一光发射波长范围的第一 有机光发射层能够被设置在多个井中的至少一个中。具有第二光发射波长范围的第二有机 光发射层能够被设置在多个井中的至少一个中，并且具有第=光发射波长范围的第=有机 光发射层能够被设置在多个井中的至少一个中。设置在与第一和第二有机光发射层相关联 的井内的电极的数目能够与设置在与第=有机光发射层相关联的井内的电极的数目不同。 [015引依据第十六方面的第十走方面，0L邸显示器能够进一步包含与红色光发射相关联 的第一光发射波长范围、与绿色光发射相关联的第二光发射波长范围、和与藍色光发射相 关联的第=光发射波长范围。
[0159] 依据第十六方面和第十走方面的第十八方面，0L邸显示器能够进一步包含能够与 限定的像素边界不同的每个井的边界。
[0160] 依据第十六方面到第十八方面的第十九方面，0L邸显示器能够进一步包含设置在 分别井内的多个电极中的每个能够与不同像素相关联。
[0161] 依据第十六方面到第十九方面的第二十方面，0L邸显示器能够进一步包含与第一 有机光发射层和/或第二光发射层相关联的井能够具有2X2电极布置。
[0162] 依据第十六方面到第二十方面的第二十一方面，0L邸显示器能够进一步包含具有 1X2电极布置的与第=有机光发射层相关联的井。
[0163] 依据第十六方面到第二十一方面的第二十二方面，0L邸显示器能够进一步包含在 与第一有机光发射层和第二有机光发射层相关联的井之间的空隙大于或等于在与第一有 机光发射层和第=有机光发射层相关联的井之间的空隙。
[0164]依据第十六方面到第二十二方面的第二十S方面，OL邸显示器能够进一步包含在 与第一有机光发射层和第二有机光发射层相关联的井之间的空隙大于或等于在与第=光 发射层相关联的两个邻近井之间的空隙。
[0165]依据第十六方面到第二十=方面的第二十四方面，0L邸显示器能够进一步包含设 置在W大于在邻近井之间的距离的空隙彼此间隔开的井中的至少一个中的多个电极。
[0166]依据第十六方面到第二十四方面的第二十五方面，0L邸显示器能够进一步是顶部 发射显示器和/或有源矩阵显示器。
[0167]依据第十六方面到第二十五方面的第二十六方面，0L邸显示器能够进一步具有大 于40%比如大于60%的填充因子。
[016引依据第十六方面到第二十六方面的第二十走方面，0L邸显示器能够具有大于100ppi比如大于300ppi的分辨率。
[0169] 第二十八方面设及有机发光二极管（0LED)显示器。第二十八方面能够包含在衬底 上提供的限制结构。限制结构能够限定在阵列配置中的多个井。多个井能够包含第一井、 第二井、和第=井。第一多个电极能够被设置在第一井内，其中在第一井中的每个电极能够 与不同像素相关联。第二多个电极能够被设置在第二井内，其中在第二井中的每个电极与 不同像素相关联。至少一个第=电极能够被设置在第=井内。具有第一光发射波长范围的 第一有机光发射层能够被设置在第一井中。具有第二光发射波长范围的第二有机光发射层 能够被设置在第二井中。具有第=光发射波长范围的第=有机光发射层能够被设置在第= 井中。设置在第一和第二井中的每个内的电极的数目能够与设置在第=井内的电极的数目 不同。
[0170]依据第二十八方面的第二十九方面，0L邸显示器能够进一步包含设置在第S井内 的多个电极并且在第=井内的每个电极能够与显示器的不同像素相关联。
[0171]依据第二十八方面和第二十九方面的第=十方面，0L邸显示器能够进一步包含设 置在第S井中的电极的数目能够是设置在第一井中的电极的数目的一半。
[0172]依据第二十八方面到第=十方面的第=十一方面，0L邸显示器能够进一步包含显 示器的像素，该显示器的像素包含与第一井相关联的子像素、与第二井相关联的子像素、和 与第=井相关联的子像素。
[0173]依据第二十八方面到第=十一方面的第=十二方面，0L邸显示器能够进一步包含 与包含具有第一表面积的有源电极区的第一和第二井中的每个相关联的子像素W及与包 含具有第二表面积的有源电极区的第=井相关联的子像素，其中第二表面积能够大于第一 表面积。
[0174]依据第二十八方面到第S十二方面的第S十S方面，0L邸显示器能够进一步包含 具有不对称形状的显示器的像素。
[0175]依据第二十八方面到第=十=方面的第=十四方面，0L邸显示器能够进一步是顶 部发射显示器和/或有源矩阵器件。
[0176]依据第二十八方面到第=十四方面的第=十五方面，0L邸显示器能够进一步具有 大于40%比如大于60%的填充因子。
[0177]依据第二十八方面到第=十五方面的第=十六方面，0L邸显示器能够进一步具有 大于100ppi比如大于300ppi的分辨率。
[017引要理解在本文中示出和描述的各种实施例要取作示范性的。元件和材料W及那些 元件和材料的布置可W代替在本文中图解和描述的那些，并且可W颠倒部分，所有该些在 具有在本文中描述的益处后对本领域技术人员将是显而易见的。可W在本文中描述的元件 中做出改变而没有脱离本公开内容和所附权利要求(包含它们的等价物）的精神和范围。
[0179] 本领域普通技术人员将意识到可W对在本文中描述的示范性实施例的配置和方 法论做出各种修改而没有脱离本教导的范围。
[0180] 本领域普通技术人员也将意识到关于在本文中的一个示范性实施例公开的各种 特征可W与带有合适修改的其它示范性实施例组合使用，即使该样的组合在本文中未被明 确公开。
[0181] 将对本领域普通技术人员显而易见的是，能够对本公开内容的器件、方法、和系统 做出各种修改和变化，而没有脱离本公开内容和所附的权利要求的范围。本公开内容的其 它实施例通过考虑在本文中公开的公开内容的实践和说明书对本领域技术人员将是显而 易见的。意图说明书和示例被认为仅是示范性的。
【主权项】
1. 一种有机发光二极管（OLED)显示器，包括： 第一电极，设置在衬底上，其中所述第一电极与第一子像素相关联； 第二电极，设置在衬底上并且与所述第一电极间隔开以提供在第一和第二电极之间的 间隙，其中所述第二电极与第二子像素相关联； 限制结构，被定位在衬底上以限定含有所述第一电极和所述第二电极的井的边界；以 及 基本上连续的有源OLED材料层，跨越井的边界并且被设置在所述第一电极和所述第 二电极之上，其中背对衬底的有源OLED材料层的表面具有非平面形貌。2. 权利要求1的所述显示器，其中有源OLED材料的层具有基本上均匀的厚度。3. 权利要求1或2的所述显示器，其中有源OLED材料的层包含厚度中的局部不均匀 性，比如厚度中的局部不均匀性在井中的表面特征的边缘的5ym-10ym内。4. 依据任何前述权利要求的所述显示器，有源OLED材料的层具有小于所述第一电极 和所述第二电极的厚度的厚度。5. 依据任何前述权利要求的所述显示器，其中有源OLED材料包括光发射材料和/或空 穴导电材料。6. 权利要求5的所述显示器，其中所述空穴导电材料是空穴注入材料和/或空穴输运 材料。7. 依据任何前述权利要求的所述显示器，进一步包括在第一电极和第二电极之间的间 隙内在衬底上提供结构和/或在所述结构上沉积第一限定层。8. 依据任何前述权利要求的所述显示器，进一步包括在衬底以及第一电极和第二电极 的部分上沉积第二限定层并且随后在第二限定层之上沉积限制结构。9. 依据权利要求7或8的所述显示器，其中所述第一限定层和/或所述第二限定层包 括电阻性材料。10. 依据任何前述权利要求的所述显示器，其中所述显示器具有大于40%比如大于60% 的填充因子。11. 依据任何前述权利要求的所述显示器，其中所述显示器具有至少100PPi比如至 少300ppi的分辨率。12. 依据任何前述权利要求的所述显示器，其中所述显示器是顶部发射显示器。13. 依据任何前述权利要求的所述显示器，其中所述显示器是有源矩阵器件。14. 一种制造有机发光二极管（OLED)显示器的方法，包括： 在衬底上提供与第一子像素相关联的第一电极和与第二子像素相关联的第二电极，其 中在所述第一电极和所述第二电极之间形成间隙并且其中所述第一电极和所述第二电极 被定位在具有由衬底上的限制结构限定的边界的井中；并且 在带有被定位在其中的电极的井中沉积有源OLED材料以形成有源OLED材料的基本上 连续的层，该有源OLED材料的基本上连续的层跨越井的边界，使得背对衬底的有源OLED材 料的层的表面具有非平面形貌，其中沉积经由喷墨印刷。15. -种使用依据权利要求14的方法形成的设备。
【专利摘要】一种制造有机发光二极管（OLED）显示器的方法能够包含：在衬底上提供与第一子像素相关联的第一电极和与第二子像素相关联的第二电极，其中在第一电极和第二电极之间形成间隙并且其中第一电极和第二电极被定位在具有由衬底上的限制结构限定的边界的井中。方法也能够包含在带有被定位在其中的电极的井中沉积有源OLED材料以形成有源OLED材料的基本上连续的层，该有源OLED材料的基本上连续的层跨越井的边界，使得背对衬底的有源OLED材料的层的表面具有非平面形貌。沉积能够经由喷墨印刷。
【IPC分类】H01L27/32, H01L51/00
【公开号】CN104904015
【申请号】CN201380070779
【发明人】C.马迪根
【申请人】科迪华公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2013年9月19日
【公告号】EP2946405A1, US20140197385, WO2014113079A1
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