光电转化集成前置放大器的制造方法

光电转化集成前置放大器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种光电转化集成前置放大器，涉及一种放大器，包括光电二极管，所述光电二极管与场效应管电连接，该场效应管分别与三极管和反馈电阻连接；所述光电二极管由晶片、N型硅层、P型硅层、高阻硅层、氮化硅膜、二氧化硅膜、阳极和阴极组成。与现有的相比，本实用新型保护的光电转化集成前置放大器能够提高输出信号信噪比，且性能稳定可靠。
【专利说明】光电转化集成前置放大器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种放大器，特别涉及一种光电转化集成前置放大器。
【背景技术】
[0002]目前，光电检测装置中的光电二极管和前置放大器需要分别安装，之间存在一定的距离，当光电二极管接收信号为微瓦级功耗的光束时，由于输出光电信号为IOnA级别，长距离传输到前置放大器的过程中易受外界环境影响，信噪比较差。
[0003]另一方面，性能也不稳定可靠，且对蓝紫色的光也不敏感。

【发明内容】

[0004]针对上述不足之处，本实用新型的目的就在于提供一种光电转化集成前置放大器，该光电转化集成前置放大器能够提高输出信号信噪比，且性能稳定可靠。
[0005]本实用新型的技术方案是:一种光电转化集成前置放大器，包括光电二极管，所述光电二极管与场效应管电连接，该场效应管分别与三极管和反馈电阻连接；所述光电二极管由晶片、N型硅层、P型硅层、高阻硅层、氮化硅膜、二氧化硅膜、阳极和阴极组成。
[0006]作为优选，所述晶片、N型硅层均为环形。
[0007]与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于:能够提高输出信号信噪比，且性能稳定可靠，对蓝紫色光敏感。
【专利附图】

【附图说明】
[0008]图1为本实用新型的电路原理图；
[0009]图2为本实用新型光电二极管示意图。
【具体实施方式】
[0010]下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。
[0011]如图1-2所示，一种光电转化集成前置放大器，包括光电二极管，光电二极管与场效应管电连接，该场效应管分别与三极管和反馈电阻连接，从而输出电压信号。
[0012]光电二极管由晶片1、N型硅层4、P型硅层3、高阻硅层2、氮化硅膜5、二氧化硅膜8、阳极6和阴极7组成。
[0013]晶片1、N型硅层4均为环形。
[0014]上述实施方式仅作为本实用新型的说明而非限制，本实用新型保护范围还应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的转换、转化、变化或替代，以及在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。
【权利要求】
1.一种光电转化集成前置放大器，包括光电二极管，其特征在于:所述光电二极管与场效应管电连接，该场效应管分别与三极管和反馈电阻连接；所述光电二极管由晶片、N型硅层、P型硅层、高阻硅层、氮化硅膜、二氧化硅膜、阳极和阴极组成。
2.根据权利要求1所述的光电转化集成前置放大器，其特征在于:所述晶片、N型硅层均为环形。
【文档编号】H03F1/26GK203445840SQ201320422026
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2013年7月17日 优先权日:2013年7月17日
【发明者】宋刚 申请人:成都精容电子有限公司