低温漂较窄带声表面波滤波器的制造方法

xiaoxiao2020-9-10  2

【专利下载】Tel:18215660330

低温漂较窄带声表面波滤波器的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种低温漂较窄带声表面波滤波器,包括制作于宽温度范围内低频率温度系数切型的压电单晶基片之上的两个并列的声表面波谐振通道和设于这两个声表面波谐振通道之间的声表面波横向耦合结构,能在较大的工作温度范围内保持器件频率特性参数较小的温度漂移;声表面波横向耦合结构的金属化比与叉指换能器的金属化比基本一致,可减小对声表面波横向模式分量的反射,加大两个声表面波谐振通道间声表面波的耦合度,增加声表面波窄带滤波器的频带宽度,较好地实现所要求的较窄带信号滤波功能。本实用新型可应用于移动通讯及无线局域网等电子信息领域。
【专利说明】低温漂较窄带声表面波滤波器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种声表面波滤波器,尤其是低温漂较窄带声表面波滤波器。
【背景技术】
[0002]声表面波滤波器是利用特定晶体的压电效应和声表面波传播特性而设计的一种滤波器件,其功能是允许某一频带宽度的信号通过而抑制其它频率的信号,其选频特性决定于压电基片的材料参数和滤波器金属电极图形的结构参数。
[0003]目前,一般采用横向耦合声表面波谐振滤波器结构实现窄带滤波功能。但现有横向耦合声表面波谐振滤波器因其横向耦合结构设计的不完善,带宽很窄,难以满足相关应用中带宽介于宽带和窄带之间的较窄带(3dB相对带宽>3%。)信号的滤波要求,且现有声表面波窄带滤波器的频率特性存在较大的温度漂移。
实用新型内容
[0004]本实用新型的目的是为克服目前声表面波窄带滤波器的上述缺点。
[0005]为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
[0006]提供一种低温漂较窄带声表面波滤波器,包括压电单晶基片,还包括制作于压电单晶基片之上的两个并列的声表面波谐振通道和设于这两个声表面波谐振通道之间的声表面波横向耦合结构;每个声表面波谐振通道包括叉指换能器、分列于叉指换能器两侧的金属短路指反射阵列以及信号电极和地电极。
[0007]所述声表面波横向耦合结构为短路指和开路指复合的金属条栅结构,其金属化t匕,即结构图形中金属指部分和非金属部分面积之比,与叉指换能器的金属化比相当。
[0008]所述压电单晶基片为宽温度范围内低频率温度系数切型的石英单晶基片。
[0009]本实用新型在宽温度范围内低频率温度系数切型的石英单晶基片上实现较窄带声表面波滤波器,能在较大的工作温度范围内保持器件频率特性参数较小的温度漂移;声表面波横向稱合结构的金属化比与叉指换能器的金属化比基本一致,可减小对声表面波横向模式分量的反射,加大两个声表面波谐振通道间声表面波的稱合度,增加声表面波窄带滤波器的频带宽度,较好地实现所要求的较窄带信号滤波功能。本实用新型可广泛应用于移动通讯及无线局域网等电子信息领域。
【专利附图】

【附图说明】
[0010]图1是本实用新型结构示意图;
[0011]图2是图1中声表面波横向耦合结构的示意图。
[0012]图中:1、石英压电单晶基片,2、声表面波谐振通道,21、叉指换能器,22、金属短路指反射阵列,3、声表面波横向耦合结构,31、金属条栅,32、全短路指金属条栅,311、短路指,312、开路指,4、信号电极,5、地电极。【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
[0014]图1是本实用新型结构示意图,包括35.50° Y-X切型的在宽温度范围内具有低频率温度系数的石英压电单晶基片1,制作在压电单晶基片I上的两个声表面波谐振通道2,其中叉指换能器21的指对数为83对,两侧金属短路指反射阵列22的总指条数各为100根;
[0015]图2是声表面波横向耦合结构的示意图,连接两个声表面波谐振通道2的声表面波横向耦合结构3,其中间部分为短路指311和开路指312相间的金属条栅31,两侧为全短路指311金属条栅32,其中短路指311的总指条数为182根,开路指312的总指条数为143根。
[0016]声表面波谐振通道2、声表面波横向f禹合结构3以及信号电极4和地电极5的金属图形结构均由含0.5%铜的磁控溅射铝膜光刻刻蚀而成,铝膜厚度为5600A,金属化比为1.1。
【权利要求】
1.一种低温漂较窄带声表面波滤波器,包括压电单晶基片,其特征在于: 还包括制作于压电单晶基片之上的两个并列的声表面波谐振通道和设于这两个声表面波谐振通道之间的声表面波横向耦合结构;每个声表面波谐振通道包括叉指换能器、分列于叉指换能器两侧的金属短路指反射阵列以及信号电极和地电极。
2.根据权利要求1所述的低温漂较窄带声表面波滤波器,其特征在于: 所述声表面波横向耦合结构为短路指和开路指复合的金属条栅结构,其金属化比为金属指部分和非金属部分面积之比,与叉指换能器的金属化比相同。
3.根据权利要求1所述的低温漂较窄带声表面波滤波器,其特征在于: 所述压电单晶基片为宽温度范围内低频率温度系数切型的石英单晶基片。
【文档编号】H03H9/64GK203482167SQ201320438902
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2013年7月23日 优先权日:2013年7月23日
【发明者】赵成, 陈磊, 石竹南, 胡经国 申请人:扬州大学

最新回复(0)