一种驱动电路的制作方法

xiaoxiao2020-9-10  2

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一种驱动电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种驱动电路,包括电压控制端POW_ON/OFF、三极管Q1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻RA1、第四电阻RA2、第一MOS管QA1、第一电容CA1和N个扩展电路,N≥1;所述三极管Q1的基极和所述第一电阻R1连接,所述三极管Q1的集电极和所述第四电阻RA2连接,所述三极管Q1的发射极接地,所述第一MOS管源极和栅极之间连接第一电容CA1,所述第一MOS管的栅极或者所述三极管Q1的集电极连接所述扩展电路。本实用新型能够实现一个三极管驱动多个相同逻辑的MOS管开关电路的功能,电路简单,成本低廉且易控制。
【专利说明】—种驱动电路【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子【技术领域】,尤其涉及一种驱动电路。
【背景技术】
[0002]在现有的三极管驱动MOS管(又称为场效应晶体管)的开关电路中,一般一个三极管只能驱动一个MOS管,如图1所示,该电路的工作原理如下:
[0003]当控制端P0W_0N/0FF为高电平时,三极管Ql导通,从而MOS管QAl导通,电流从MOS管QAl的源极流向漏极;当控制端P0W_0N/0FF为低电平时,三极管Ql截止,从而MOS管QAl的源极到漏极截止。
[0004]当需要驱动多个MOS管时,就必须使用多个三极管来驱动,不仅电路复杂,而且生产成本高。

【发明内容】

[0005]本实用新型提出一种驱动电路,实现一个三极管驱动多个相同逻辑的MOS管开关电路的功能,电路简单,成本低廉且易控制。
[0006]本实用新型提供一种驱动电路,包括压控制端P0W_0N/0FF、三极管Q1、第一电阻R1、第三电阻RA1、第四电阻RA2、第一 MOS管QA1、第一电容CAl和N个扩展电路,N≥I ;
[0007]所述第一电阻Rl的一端和所述电压控制端POW _0N/0FF连接,所述第一电阻Rl的另一端和所述三极管Ql的基极连接;
[0008]所述第四电阻RA2的一端连接第二电源VCC-A,所述第四电阻RA2的另一端和所述三极管Ql的集电极连接,所述三极管Ql的发射极接地;
[0009]所述第三电阻RAl的一端和所述三极管Ql的集电极连接,所述第三电阻RAl的另一端和所述第一 MOS管的栅极连接;
[0010]所述第一电容CAl的一端和所述第一 MOS管QAl的栅极连接,所述第一电容CAl的另一端和所述第一 MOS管QAl的源极连接,所述第一 MOS管QAl的源极还连接第二电源VCC-A,所述第一 MOS管QAl的漏极连接第三电源VCC-A ’ ;
[0011]所述第一 MOS管的栅极连接所述扩展电路,或者所述三极管Ql的集电极连接所述扩展电路。
[0012]在一个实施方式中,所述扩展电路包括第二 MOS管QBl和第三电容CBl ;所述第
二MOS管的栅极和所述第一 MOS管的栅极连接,所述第二 MOS管QBl的源极连接第四电源VCC-B,所述第二 MOS管QBl的漏极连接第五电源VCC-B ’ ;所述第三电容CBl的一端和所述第二 MOS管QBl的源极连接,所述第三电容CBl的另一端和所述第二 MOS管的栅极连接。
[0013]在另一个实施方式中,所述扩展电路包括第五电阻RB1、第二 MOS管QBl和第三电容CBl ;所述第五电阻RBl的一端和所述三极管Ql的集电极连接,所述第五电阻RBl的另一端和所述第二 MOS管QBl的栅极连接;所述第三电容CBl的一端和所述第二 MOS管QBl的源极连接,所述第三电容CBl的另一端和所述第二 MOS管的栅极连接;所述第二 MOS管QBl的源极连接第四电源VCC-B,所述第二 MOS管QBl的漏极连接第五电源VCC-B '。
[0014]较佳地,所述三极管Ql为NPN型三极管,所述第一 MOS管QAl和所述第二 MOS管QA2均为P-MOS管。
[0015]本实用新型实施例提供的驱动电路,使用一个三极管驱动多个相同逻辑的MOS管,电路简单,成本低廉且易控制,适用于逻辑电路的三极管驱动电路扩展。此外,在MOS管的栅极和漏极之间连接一个电容,而MOS管的驱动相当于该电容充电和放电的过程,因而,调节电容的大小可以对MOS管导通和截止起到延时作用。
【专利附图】

【附图说明】
[0016]图1是现有技术中的三极管驱动电路的结构示意图;
[0017]图2是本实用新型提供的驱动电路的一个实施例的结构示意图;
[0018]图3是本实用新型提供的驱动电路的另一个实施例的结构示意图;
[0019]图4是本实用新型提供的驱动电路的又一个实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0021]参见图2,是本实用新型提供的驱动电路的一个实施例的结构示意图。
[0022]本实施例提供一种驱动电路,包括电压控制端P0W_0N/0FF、三极管Ql、第一电阻R1、第三电阻RA1、第四电阻RA2、第一 MOS管QA1、第一电容CAl和N个扩展电路,N≤I。
[0023]第一电阻Rl的一端和电压控制端P0W_0N/0FF连接,第一电阻Rl的另一端和三极管Ql的基极连接。
[0024]第四电阻RA2的一端连接第二电源VCC-A,第四电阻RA2的另一端和三极管Ql的集电极连接,三极管Ql的发射极接地。
[0025]第三电阻RAl的一端和三极管Ql的集电极连接,第三电阻RAl的另一端和第一MOS管的栅极连接。
[0026]第一电容CAl的一端和第一 MOS管QAl的栅极连接,第一电容CAl的另一端和第一 MOS管QAl的源极连接,第一 MOS管QAl的源极还连接第二电源VCC-A,第一 MOS管QAl的漏极连接第三电源VCC-A ^。
[0027]第一 MOS管的栅极连接扩展电路,或者三极管Ql的集电极连接扩展电路。
[0028]进一步的,驱动电路还包括第二电容CA2 ;第二电容CA2的一端和第一 MOS管QAl的栅极连接,第二电容CA2的另一端和第一 MOS管QAl的漏极连接。
[0029]再进一步的,驱动电路还包括第二电阻R2 ;第二电阻R2的一端和电压控制端P0W_0N/0FF连接,第二电阻R2的另一端连接第一电源VCC。
[0030]在一个实施方式中,如图2所示,扩展电路包括第二 MOS管QBl和第三电容CBl ;第二 MOS管的栅极和第一 MO S管的栅极连接,第二 MOS管QBl的源极连接第四电源VCC-B,第二 MOS管QBl的漏极连接第五电源VCC-B ’ ;第三电容CBl的一端和第二 MOS管QBl的源极连接,第三电容CBl的另一端和第二 MOS管的栅极连接。
[0031]进一步,上述扩展电路还包括第四电容CB2 ;第四电容CB2的一端和第二 MOS管QBl的栅极连接,第四电容CB2的另一端和第二 MOS管QBl的漏极连接。
[0032]优选的,上述三极管Ql为NPN型三极管,上述第一 MOS管QAl和上述第二 MOS管QA2均为P-MOS管。
[0033]参见图3,是本实用新型提供的驱动电路的另一个实施例的结构示意图。
[0034]在另一个实施方式中,如图3所示,扩展电路包括第五电阻RB1、第二 MOS管QBl和第三电容CBl ;第五电阻RBl的一端和三极管Ql的集电极连接,第五电阻RBl的另一端和第二 MOS管QBl的栅极连接;第三电容CBl的一端和第二 MOS管QBl的源极连接,第三电容CBl的另一端和第二 MOS管的栅极连接;第二 MOS管QBl的源极连接第四电源VCC-B,第二MOS管QBl的漏极连接第五电源VCC-B ’。
[0035]进一步的,上述扩展电路还包括第四电容CB2 ;第四电容CB2的一端和第二 MOS管QBl的栅极连接,第四电容CB2的另一端和第二 MOS管QBl的漏极连接。
[0036]优选的,上述三极管Ql为NPN型三极管,上述第一 MOS管QAl和上述第二 MOS管QA2均为P-MOS管。
[0037]下面对本实用新型提供的驱动电路的工作原理进行详细说明。
[0038]当电压控制端P0W_0N/0FF输入高电平时,三极管Ql导通,从而第一 MOS管QAl和第二 MOS 管 QBl 导通,VCC-A ^ VCC-A ;,VCC-B ^ VCC-B ;。
[0039]当电压控制端P0W_0N/0FF输入低电平时,三极管Ql截止,从而第一 MOS管QAl和第二 MOS 管 QBl 截止,VCC-A ; =0,VCC-B ; =0。其中 VCC-A>VCC_B。
[0040]其中,电路中的第一电容CAl可以对MOS管的导通和截止起到延时作用,MOS管的驱动相当于第一电容CAl充电和放电过程。根据米勒效应,第二电容CA2进一步起到延时MOS管开关的作用。
[0041]需要说明的是,上述图2和图3所述的实施例,仅以驱动电路能够实现一个三极管驱动两个MOS管的功能进行描述。
[0042]在具体实施当中,根据系统上掉电时序的要求,驱动电路可以扩展为两路(一个三极管驱动两个MOS管)。而在掉电时序要求不严格的情况下,还可以扩展为多路(即N≥2,一个三极管驱动多个MOS管),只要保证电源电压值不超过VCC-A即可。
[0043]参见图4,是本实用新型提供的驱动电路的又一个实施例的结构示意图。本驱动电路扩展为多路,N > 2,一个三极管能够驱动多个MOS管。其中,每个扩展电路的结构采用图2所示的扩展电路的结构。需要说明的是,每个扩展电路的结构还可以采用图3所示的扩展电路的结构。
[0044]本实用新型实施例提供的驱动电路,使用一个三极管驱动多个相同逻辑的MOS管开关,实现了三极管驱动扩展的目的。具有电路简单,成本低且易控制的优点。
[0045]以上所述是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本【技术领域】的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种驱动电路,其特征在于,包括电压控制端POW_ON/OFF、三极管Ql、第一电阻R1、第三电阻RA1、第四电阻RA2、第一 MOS管QA1、第一电容CAl和N个扩展电路,N≥1 ; 所述第一电阻Rl的一端和所述电压控制端P0W_0N/0FF连接,所述第一电阻Rl的另一端和所述三极管Ql的基极连接; 所述第四电阻RA2的一端连接第二电源VCC-A,所述第四电阻RA2的另一端和所述三极管Ql的集电极连接,所述三极管Ql的发射极接地; 所述第三电阻RAl的一端和所述三极管Ql的集电极连接,所述第三电阻RAl的另一端和所述第一 MOS管的栅极连接; 所述第一电容CAl的一端和所述第一MOS管QAl的栅极连接,所述第一电容CAl的另一端和所述第一 MOS管QAl的源极连接,所述第一 MOS管QAl的源极还连接第二电源VCC-A,所述第一 MOS管QAl的漏极连接第三电源VCC-A丨; 所述第一 MOS管的栅极连接所述扩展电路,或者所述三极管Ql的集电极连接所述扩展电路。
2.如权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述驱动电路还包括第二电容CA2; 所述第二电容CA2的一端和所述第一 MOS管QAl的栅极连接,所述第二电容CA2的另一端和所述第一 MOS管QAl的漏极连接。
3.如权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述驱动电路还包括第二电阻R2;所述第二电阻R2的一端和所述电压控制端P0W_0N/0FF连接,所述第二电阻R2的另一端连接第一电源VCC。
4.如权利要求1至3任一项所述的驱动电路,其特征在于,所述扩展电路包括第二MOS管QBl和第三电容CBl ; 所述第二 MOS管的栅极和所述第一 MOS管的栅极连接,所述第二 MOS管QBl的源极连接第四电源VCC-B,所述第二 MOS管QBl的漏极连接第五电源VCC-B丨; 所述第三电容CBl的一端和所述第二 MOS管QBl的源极连接,所述第三电容CBl的另一端和所述第二 MOS管的栅极连接。
5.如权利要求4所述的驱动电路,其特征在于,所述扩展电路还包括第四电容CB2; 所述第四电容CB2的一端和所述第二 MOS管QBl的栅极连接,所述第四电容CB2的另一端和所述第二 MOS管QBl的漏极连接。
6.如权利要求4所述的驱动电路,其特征在于,所述三极管Ql为NPN型三极管,所述第一 MOS管QAl和所述第二 MOS管QA2均为P-MOS管。
7.如权利要求1至3任一项所述的驱动电路,其特征在于,所述扩展电路包括第五电阻RB1、第二 MOS管QBl和第三电容CBl ; 所述第五电阻RBl的一端和所述三极管Ql的集电极连接,所述第五电阻RBl的另一端和所述第二 MOS管QBl的栅极连接; 所述第三电容CBl的一端和所述第二 MOS管QBl的源极连接,所述第三电容CBl的另一端和所述第二 MOS管的栅极连接; 所述第二 MOS管QBl的源极连接第四电源VCC-B,所述第二 MOS管QBl的漏极连接第五电源 VCC-B ;。
8.如权利要求 7所述的驱动电路,其特征在于,所述扩展电路还包括第四电容CB2;所述第四电容CB2的一端和所述第二 MOS管QBl的栅极连接,所述第四电容CB2的另一端和所述第二 MOS管QBl的漏极连接。
9.如权利要求7所述的驱动电路,其特征在于,所述三极管Ql为NPN型三极管,所述第一MOS管QAl和所述第二 M`OS管QA2均为P-MOS管。
【文档编号】H03K17/687GK203434955SQ201320466432
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年8月1日 优先权日:2013年8月1日
【发明者】张通, 张荫来, 李定松, 覃佚龙, 陈荣坚 申请人:广州视源电子科技股份有限公司

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