高速高精度源极跟随电路的制作方法
高速高精度源极跟随电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种高速高精度源极跟随电路，包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极连接直流电源VAA，栅极连接输入电压VIN，漏极连接输出端；所述第二PMOS管2的源极与直流电源VAA连接，栅极与输入电压VIN连接，漏极连接输出端；所述第一PMOS源极上并联有输出电压VOUT。这种高速高精度源极跟随电路使PMOS管的输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大，线性度好。
【专利说明】 高速高精度源极跟随电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种源极跟随电路，尤其涉及一种高速高精度源极跟随电路。
【背景技术】
[0002]缓冲电路一般是指需要驱动大的负载的时候，往往用一个缓冲电路来驱动。该电路将输入信号的波形传递到输出上，并输出足够的电流来驱动输出点的电容和电阻负载。衡量缓冲的性能指标主要有带宽、线性度、低频电压增益，输出电压和输入电压越接近越好，期望增益为I。而源极跟随电路已被广泛的运用到缓冲中。
[0003]如附图1所示一种现有的源极跟随电路，其主要缺点是，低频增益为0.8-0.9左右，对高精度的缓冲不适用，输入到输出有直流电压降，线性度比较差，并且依赖于输入电压和电压空间。
[0004]为了解决直流压降的问题，可以使用两级源级跟随电路如附图2和附图3所示，但是这种情况下的低频增益为两级的低频增益的乘积，只有0.7左右。
[0005]当工艺提供两种不同的阈值电压的MOS管时，可以使用附图4所示电路提高增益。Ml为阈值电压较高的MOS管，M2为阈值电压较低的MOS管。Ml和M2的阈值电压差为Ml的源漏级电压。由于M1，M2的阈值电压差为基本不随输入电压变化，Ml的源漏级电压也基本不随输入电压变化，导致Ml管的输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大。主要缺点是工艺需要两种不同的阈值电压，且这种工艺比较昂贵。
【发明内容】
[0006]本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种能够使低频电压增益变大的高速高精度源极跟随电路。
[0007]为了解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种高速高精度源极跟随电路，包括第一 PMOS管和第二 PMOS管，所述第一 PMOS管的源极连接直流电源VAA，栅极连接输入电压VIN，漏极连接输出端；所述第二 PMOS管2的源极与直流电源VAA连接，栅极与输入电压VIN连接，漏极连接输出端。
[0008]优选的，所述第一 PMOS源极上并联有输出电压V0UT。
[0009]与现有技术相比，本实用新型的有益之处是:这种高速高精度源极跟随电路使PMOS管的输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大，线性度好。
[0010]【专利附图】
【附图说明】:
[0011]下面结合附图对本实用新型进一步说明。
[0012]图1是已有的源级跟随电路结构不意图；
[0013]图2、图3是已有的两级源级跟随电路结构不意图；
[0014]图4是采用两种阈值电压的源级跟随电路结构示意图；
[0015]图5是本实用新型高速高精度源极跟随电路结构示意图。
[0016]图中:1、第一PMOS 管；2、第二 PMOS 管。[0017]【具体实施方式】:
[0018]下面结合附图及【具体实施方式】对本实用新型进行详细描述:
[0019]图5所示一种高速高精度源极跟随电路，包括第一PMOS管I和第二PMOS管2，所述第一 PMOS管I的源极连接直流电源VAA，且源极上还并联有输出电压V0UT，所述第一 PMOS管I栅极连接输入电压VIN，漏极连接输出端；所述第二 PMOS管2的源极与直流电源VAA连接，栅极与输入电压VIN连接，漏极连接输出端。
[0020]这种高速高精度源极跟随电路使第一 PMOS管I的源漏级电压差约为第一 PMOS管I的阈值电压加上第二PMOS管2的阈值电压，基本和输入电压无关，输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大，线性度好。
[0021]需要强调的是:以上仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
【权利要求】
1.一种高速高精度源极跟随电路，其特征在于:包括第一 PMOS管(I)和第二 PMOS管(2)，所述第一 PMOS管(I)的源极连接直流电源(VAA)，栅极连接输入电压(VIN)，漏极连接输出端；所述第二 PMOS管(2)的源极与直流电源(VAA)连接，栅极与输入电压(VIN)连接，漏极连接输出端。
2.根据权利要求1所述的高速高精度源极跟随电路，其特征在于:所述第一PMOS管(I)源极上并联有输出电压(V0UT)。
【文档编号】H03K19/094GK203406848SQ201320529298
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年8月29日 优先权日:2013年8月29日
【发明者】刘雄 申请人:苏州苏尔达信息科技有限公司
【专利摘要】本实用新型涉及一种高速高精度源极跟随电路，包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的源极连接直流电源VAA，栅极连接输入电压VIN，漏极连接输出端；所述第二PMOS管2的源极与直流电源VAA连接，栅极与输入电压VIN连接，漏极连接输出端；所述第一PMOS源极上并联有输出电压VOUT。这种高速高精度源极跟随电路使PMOS管的输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大，线性度好。
【专利说明】 高速高精度源极跟随电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种源极跟随电路，尤其涉及一种高速高精度源极跟随电路。
【背景技术】
[0002]缓冲电路一般是指需要驱动大的负载的时候，往往用一个缓冲电路来驱动。该电路将输入信号的波形传递到输出上，并输出足够的电流来驱动输出点的电容和电阻负载。衡量缓冲的性能指标主要有带宽、线性度、低频电压增益，输出电压和输入电压越接近越好，期望增益为I。而源极跟随电路已被广泛的运用到缓冲中。
[0003]如附图1所示一种现有的源极跟随电路，其主要缺点是，低频增益为0.8-0.9左右，对高精度的缓冲不适用，输入到输出有直流电压降，线性度比较差，并且依赖于输入电压和电压空间。
[0004]为了解决直流压降的问题，可以使用两级源级跟随电路如附图2和附图3所示，但是这种情况下的低频增益为两级的低频增益的乘积，只有0.7左右。
[0005]当工艺提供两种不同的阈值电压的MOS管时，可以使用附图4所示电路提高增益。Ml为阈值电压较高的MOS管，M2为阈值电压较低的MOS管。Ml和M2的阈值电压差为Ml的源漏级电压。由于M1，M2的阈值电压差为基本不随输入电压变化，Ml的源漏级电压也基本不随输入电压变化，导致Ml管的输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大。主要缺点是工艺需要两种不同的阈值电压，且这种工艺比较昂贵。
【发明内容】
[0006]本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种能够使低频电压增益变大的高速高精度源极跟随电路。
[0007]为了解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种高速高精度源极跟随电路，包括第一 PMOS管和第二 PMOS管，所述第一 PMOS管的源极连接直流电源VAA，栅极连接输入电压VIN，漏极连接输出端；所述第二 PMOS管2的源极与直流电源VAA连接，栅极与输入电压VIN连接，漏极连接输出端。
[0008]优选的，所述第一 PMOS源极上并联有输出电压V0UT。
[0009]与现有技术相比，本实用新型的有益之处是:这种高速高精度源极跟随电路使PMOS管的输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大，线性度好。
[0010]【专利附图】
【附图说明】:
[0011]下面结合附图对本实用新型进一步说明。
[0012]图1是已有的源级跟随电路结构不意图；
[0013]图2、图3是已有的两级源级跟随电路结构不意图；
[0014]图4是采用两种阈值电压的源级跟随电路结构示意图；
[0015]图5是本实用新型高速高精度源极跟随电路结构示意图。
[0016]图中:1、第一PMOS 管；2、第二 PMOS 管。[0017]【具体实施方式】:
[0018]下面结合附图及【具体实施方式】对本实用新型进行详细描述:
[0019]图5所示一种高速高精度源极跟随电路，包括第一PMOS管I和第二PMOS管2，所述第一 PMOS管I的源极连接直流电源VAA，且源极上还并联有输出电压V0UT，所述第一 PMOS管I栅极连接输入电压VIN，漏极连接输出端；所述第二 PMOS管2的源极与直流电源VAA连接，栅极与输入电压VIN连接，漏极连接输出端。
[0020]这种高速高精度源极跟随电路使第一 PMOS管I的源漏级电压差约为第一 PMOS管I的阈值电压加上第二PMOS管2的阈值电压，基本和输入电压无关，输出阻抗对低频电压的影响变小，低频电压增益变大，线性度好。
[0021]需要强调的是:以上仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
【权利要求】
1.一种高速高精度源极跟随电路，其特征在于:包括第一 PMOS管(I)和第二 PMOS管(2)，所述第一 PMOS管(I)的源极连接直流电源(VAA)，栅极连接输入电压(VIN)，漏极连接输出端；所述第二 PMOS管(2)的源极与直流电源(VAA)连接，栅极与输入电压(VIN)连接，漏极连接输出端。
2.根据权利要求1所述的高速高精度源极跟随电路，其特征在于:所述第一PMOS管(I)源极上并联有输出电压(V0UT)。
【文档编号】H03K19/094GK203406848SQ201320529298
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年8月29日 优先权日:2013年8月29日
【发明者】刘雄 申请人:苏州苏尔达信息科技有限公司
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