相位差值转换电路的制作方法

xiaoxiao2020-9-10  2

【专利下载】Tel:18215660330

相位差值转换电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种相位差值转换电路,具有NMOS管MD1、MD2,所述NMOS管MD1、MD2的源极和栅极均连接直流偏置VAA,所述NMOS管MD1的漏极连接第一MOS管和第二MOS管的源极,第一MOS管和第二MOS管的栅极分别连接输入信号CK1P、CK2P,所述NMOS管MD2的漏极连接第三MOS管和第四MOS管的源极,第三MOS管和第四MOS管的栅极分别连接输入信号CK2N、CK1N,所述第一MOS管和第四MOS管的漏极连接控制字IW1,第二MOS管和第三MOS管的漏极连接控制字IW2,所述NMOS管MD1、MD2的栅极与直流偏置之间各设置有一电阻。这种相位差值电路限制输出的摆幅,使得输出快速回到直流偏置,适合高速电路,同时保证了一定的线性度。
【专利说明】相位差值转换电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种差值电路,尤其涉及一种相位差值转换电路。
【背景技术】
[0002]相位差值电路,指的是一种电路,根据输入的两个不同相位信号,产生一个相位在两个输入信号相位中间的电路。
[0003]附图2所示一种已有的差分相位差值电路,所述控制字IWl和IW2分别控制输入信号CKl和CK2的权重,并可以根据控制字来调整输出的信号和这两个信号之间的差别。如IWl很大,IW2很小时,输出就和CKl非常类似,如IW2很大,Iffl很小时,输出就和CK2非常类似,如果IW1=IW2,输出则约为CKl和CK2的中间值。图2所示的输出为一个二极管接法的NMOS管(MD1,MD2),对小信号分析来说,二极管接法的NMOS管可近似为一个电阻;对大信号来说,NMOS管(MD1,MD2)建立起一个直流的偏置,输出信号范围将在该直流偏置电压附近;输出的摆幅小,回到直流偏置快,适合高速电路。但是由于大信号时,二极管接法的NMOS管的非线性,导致输出的相位的线性度变差。不适合用到高精度的差值电路中。
[0004]附图2所示另一种已有的相位差值电路,电路采用电阻作为输出负责,不论是大信号还是小信号,输出均比较线性,输出的摆幅大。但是为了产生合适的直流偏置输出电压,电阻的阻值和偏置电流乘积受到限制,因此输出的带宽受到限制,不适合高速电路。

【发明内容】

[0005]本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种能够适合高速电路的相位差值转换电路。
[0006]为了解决上述技术问题,本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种相位差值转换电路,具有NMOS管MD1、MD2,所述NMOS管MD1、MD2的源极和栅极均连接直流偏置VAA,所述NMOS管MDl的漏极连接第一 MOS管和第二 MOS管的源极,第一 MOS管和第二 MOS管的栅极分别连接输入信号CK1P、CK2P,所述NMOS管MD2的漏极连接第三MOS管和第四MOS管的源极,第三MOS管和第四MOS管的栅极分别连接输入信号CK2N、CK1N,所述第一 MOS管和第四MOS管的漏极连接控制字IWl,第二 MOS管和第三MOS管的漏极连接控制字IW2,所述NMOS管MD1、MD2的栅极与直流偏置之间各设置有一电阻。
[0007]与现有技术相比,本实用新型的有益之处是:这种相位差值电路限制输出的摆幅,使得输出快速回到直流偏置,适合高速电路,同时保证了一定的线性度。
[0008]【专利附图】

【附图说明】:
[0009]下面结合附图对本实用新型进一步说明。
[0010]图1、图2是现有相位差值电路结构示意图;
[0011]图3是本实用新型相位差值转换电路结构示意图。
[0012]图中:1、电阻;2、第一 MOS管;3、第二 MOS管;4、第三MOS管;5、第四MOS管。
[0013]【具体实施方式】:[0014]下面结合附图及【具体实施方式】对本实用新型进行详细描述:
[0015]图3所示一种相位差值电路,具有NMOS管MD1、MD2,所述NMOS管MD1、MD2的源极和栅极均连接直流偏置VAA,所述NMOS管MDl的漏极连接第一 MOS管2和第二 MOS管3的源极,第一 MOS管2和第二 MOS管3的栅极分别连接输入信号CK1P、CK2P,所述NMOS管MD2的漏极连接第三MOS管4和第四MOS管5的源极,第三MOS管4和第四MOS管5的栅极分别连接输入信号CK2N、CK1N,所述第一 MOS管2和第四MOS管5的漏极连接控制字IWl,第二 MOS管3和第三MOS管4的漏极连接控制字IW2,所述NMOS管MD1、MD2的栅极与直流偏置VAA之间各设置有一电阻I。
[0016]具体的,在低频的时候,由于NMOS管MD1、MD2的栅极没有直流电流,这种接法的NMOS管和二极管接法的NMOS管的特性是一样的。在高频的时候,由于电阻I的隔离作用和NMOS管MD1、MD2的栅极和源极之间的电容,导致NMOS管MD1、MD2的栅极将跟随源极,保持一定的电压,从而保证一定的电流流过该管,对输出端充电,从而限制输出的摆幅,使得输出快速回到直流偏置,适合高速电路,同时保证了一定的线性度。
[0017]需要强调的是:以上仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
【权利要求】
1.一种相位差值转换电路,具有NMOS管(MD1、MD2),所述NMOS管(MD1、MD2)的源极和栅极均连接直流偏置(VAA),所述NMOS管(MDl)的漏极连接第一 MOS管(2)和第二 MOS管(3)的源极,第一 MOS管(2)和第二 MOS管(3)的栅极分别连接输入信号(CK1P、CK2P),所述NMOS管(MD2)的漏极连接第三MOS管(4)和第四MOS管(5)的源极,第三MOS管(4)和第四MOS管(5)的栅极分别连接输入信号(CK2N、CK1N),所述第一 MOS管(2)和第四MOS管(5)的漏极连接控制字(IWl),第二 MOS管(3)和第三MOS管(4)的漏极连接控制字(IW2),其特征在于:所述NMOS管(MD1、MD2)的栅极与直流偏置(VAA)之间各设置有一电阻(I )。
【文档编号】H03K19/094GK203504527SQ201320529317
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年8月29日 优先权日:2013年8月29日
【发明者】刘雄 申请人:苏州苏尔达信息科技有限公司

最新回复(0)