双端转单端电路的制作方法
双端转单端电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种双端单转电路，由第一NMOS管和第二NMOS管构成，所述第一NMOS管的源极连接阀值电压VAA，漏极通过输出电压Vout连接第二NMOS管的源极，第二NMOS管的漏极连接输出接口，且所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极分别连接差分信号VIP、VIN；所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极上均串联有电容，第一NMOS管和第二NMOS管的电容与栅极之间均并联有电阻，电阻连接参考电压Vbias。这种双端转单端电路没有电流镜，适合高速电路，第一NMOS管和第二NMOS管的直流偏置可单独调节，实现对输出的占空比，输出的上升、下降沿时间等能够灵活调整。
【专利说明】双端转单端电路【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电路，尤其涉及一种双端转单端电路。
【背景技术】
[0002]已有的双端转单端电路一般只用差分信号VIP，差分信号VIN的输入没有被实用，因此一方面浪费输入信号已有的功耗，另外，输出信号的占空比不是很好，输出的占空比在一定程度上和NMOS管的阀值电压有关。另外也有两种双端转单端电路，但是其不适合高度电路，且差分信号VIP和VIN的延迟和延迟倒相的延迟时间很难做到一致，输出的上升、下降沿速度受到影响。
【发明内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种适合高速电路，输出的上升、下降沿时间能够灵活调整的双端转单端电路。
[0004]为了解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种双端单转电路，由第一 NMOS管和第二 NMOS管构成，所述第一 NMOS管的源极连接阀值电压VAA，漏极通过输出电压Vout连接第二 NMOS管的源极，第二 NMOS管的漏极连接输出接口，且所述第
一NMOS管和第二 NMOS管的栅极分别连接差分信号VIP、VIN0
[0005]优选的，所述第 一 NMOS管和第二 NMOS管的栅极上均串联有电容，第一 NMOS管和第二 NMOS管的电容与栅极之间均并联有电阻，电阻连接参考电压Vbias。
[0006]与现有技术相比，本实用新型的有益之处是:这种双端转单端电路没有电流镜，适合高速电路，第一 NMOS管和第二 NMOS管的直流偏置可单独调节，实现对输出的占空比，输出的上升、下降沿时间等能够灵活调整。
[0007]【专利附图】
【附图说明】:
[0008]下面结合附图对本实用新型进一步说明。
[0009]图1是本实用新型双端转单转电路实施例一结构示意图；
[0010]图2是本实用新型双端转单转电路实施例一结构示意图。
[0011]图中:1、第一 NMOS管；2、第二 NMOS管；3、电容；4、电阻。
[0012]【具体实施方式】:
[0013]下面结合附图及【具体实施方式】对本实用新型进行详细描述:
[0014]实施了一:
[0015]图1所示一种双端单转电路，由第一 NMOS管I和第二 NMOS管2构成，所述第一NMOS管I的源极连接阀值电压VAA，漏极通过输出电压Vout连接第二 NMOS管2的源极，第
二NMOS管2的漏极连接输出接口，且所述第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的栅极分别连接差分信号VIP、VIN。
[0016]实施例二:
[0017]图2所示一种双端单转电路，由第一 NMOS管I和第二 NMOS管2构成，所述第一NMOS管I的源极连接阀值电压VAA，漏极通过输出电压Vout连接第二 NMOS管2的源极，第
二NMOS管2的漏极连接输出接口，且所述第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的栅极分别连接差分信号VIP、VIN ;所述第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的栅极上均串联有电容3，第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的电容3与栅极之间均并联有电阻4，电阻4连接参考电压Vbias。
[0018]具体地，当差分信号VIP变大时，差分信号VIN变小，第二 NMOS管2的栅极电压变小，导致第二 NMOS管2的电流变小，甚至没有。这一方面减小了输出漏电流，便于输出电压升高，另一方面第一 NMOS管I的电流也因此变小，导致第一 NMOS管I的栅极和源极之间的压降减少，因此第一 NMOS管I的源级将跟随栅极上升，而且上升的比栅极还多。第一NMOS管I的源级是输出电压Vout，栅极是差分信号VIP，因此输出电压Vout将跟随差分信号VIP上升。如果输出的负载是比较大的电容，输出上升需要大的充电电流，这种情况下，第二 NMOS管2的漏电流截止，输出充电电流由第一 NMOS管I提供。类似的是当差分信号VIP变小时，差分信号VIN变大时，第一 NMOS管I截止，第二 NMOS管2导通，对输出的电容放电，导致输出电压Vout变小。
[0019]这种双端转单端电路没有电流镜，适合高速电路，第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的直流偏置可单独调节，实现对输出的占空比，输出的上升、下降沿时间等能够灵活调整。
[0020]需要强调的是:以上仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
【权利要求】
1.一种双端单转电路，由第一 NMOS管(I)和第二 NMOS管(2)构成，其特征在于:所述第一 NMOS管(I)的源极连接阀值电压(VAA)，漏极通过输出电压(Vout)连接第二 NMOS管(2)的源极，第二 NMOS管(2)的漏极连接输出接口，且所述第一 NMOS管(I)和第二 NMOS管(2)的栅极分别连接差分信号(VIP、VIN)。
2.根据权利要求1所述的双端单转电路，其特征在于:所述第一NMOS管(I)和第二NMOS管(2)的栅极上均串联有电容(3)，第一 NMOS管(I)和第二 NMOS管(2)的电容(3)与栅极之间均并联有电阻(4)，电阻(4)连接参考电压(Vbias)。
【文档编号】H03K19/0175GK203406847SQ201320545538
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年9月4日 优先权日:2013年9月4日
【发明者】刘雄 申请人:苏州苏尔达信息科技有限公司
【专利摘要】本实用新型涉及一种双端单转电路，由第一NMOS管和第二NMOS管构成，所述第一NMOS管的源极连接阀值电压VAA，漏极通过输出电压Vout连接第二NMOS管的源极，第二NMOS管的漏极连接输出接口，且所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极分别连接差分信号VIP、VIN；所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极上均串联有电容，第一NMOS管和第二NMOS管的电容与栅极之间均并联有电阻，电阻连接参考电压Vbias。这种双端转单端电路没有电流镜，适合高速电路，第一NMOS管和第二NMOS管的直流偏置可单独调节，实现对输出的占空比，输出的上升、下降沿时间等能够灵活调整。
【专利说明】双端转单端电路【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电路，尤其涉及一种双端转单端电路。
【背景技术】
[0002]已有的双端转单端电路一般只用差分信号VIP，差分信号VIN的输入没有被实用，因此一方面浪费输入信号已有的功耗，另外，输出信号的占空比不是很好，输出的占空比在一定程度上和NMOS管的阀值电压有关。另外也有两种双端转单端电路，但是其不适合高度电路，且差分信号VIP和VIN的延迟和延迟倒相的延迟时间很难做到一致，输出的上升、下降沿速度受到影响。
【发明内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种适合高速电路，输出的上升、下降沿时间能够灵活调整的双端转单端电路。
[0004]为了解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种双端单转电路，由第一 NMOS管和第二 NMOS管构成，所述第一 NMOS管的源极连接阀值电压VAA，漏极通过输出电压Vout连接第二 NMOS管的源极，第二 NMOS管的漏极连接输出接口，且所述第
一NMOS管和第二 NMOS管的栅极分别连接差分信号VIP、VIN0
[0005]优选的，所述第 一 NMOS管和第二 NMOS管的栅极上均串联有电容，第一 NMOS管和第二 NMOS管的电容与栅极之间均并联有电阻，电阻连接参考电压Vbias。
[0006]与现有技术相比，本实用新型的有益之处是:这种双端转单端电路没有电流镜，适合高速电路，第一 NMOS管和第二 NMOS管的直流偏置可单独调节，实现对输出的占空比，输出的上升、下降沿时间等能够灵活调整。
[0007]【专利附图】
【附图说明】:
[0008]下面结合附图对本实用新型进一步说明。
[0009]图1是本实用新型双端转单转电路实施例一结构示意图；
[0010]图2是本实用新型双端转单转电路实施例一结构示意图。
[0011]图中:1、第一 NMOS管；2、第二 NMOS管；3、电容；4、电阻。
[0012]【具体实施方式】:
[0013]下面结合附图及【具体实施方式】对本实用新型进行详细描述:
[0014]实施了一:
[0015]图1所示一种双端单转电路，由第一 NMOS管I和第二 NMOS管2构成，所述第一NMOS管I的源极连接阀值电压VAA，漏极通过输出电压Vout连接第二 NMOS管2的源极，第
二NMOS管2的漏极连接输出接口，且所述第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的栅极分别连接差分信号VIP、VIN。
[0016]实施例二:
[0017]图2所示一种双端单转电路，由第一 NMOS管I和第二 NMOS管2构成，所述第一NMOS管I的源极连接阀值电压VAA，漏极通过输出电压Vout连接第二 NMOS管2的源极，第
二NMOS管2的漏极连接输出接口，且所述第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的栅极分别连接差分信号VIP、VIN ;所述第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的栅极上均串联有电容3，第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的电容3与栅极之间均并联有电阻4，电阻4连接参考电压Vbias。
[0018]具体地，当差分信号VIP变大时，差分信号VIN变小，第二 NMOS管2的栅极电压变小，导致第二 NMOS管2的电流变小，甚至没有。这一方面减小了输出漏电流，便于输出电压升高，另一方面第一 NMOS管I的电流也因此变小，导致第一 NMOS管I的栅极和源极之间的压降减少，因此第一 NMOS管I的源级将跟随栅极上升，而且上升的比栅极还多。第一NMOS管I的源级是输出电压Vout，栅极是差分信号VIP，因此输出电压Vout将跟随差分信号VIP上升。如果输出的负载是比较大的电容，输出上升需要大的充电电流，这种情况下，第二 NMOS管2的漏电流截止，输出充电电流由第一 NMOS管I提供。类似的是当差分信号VIP变小时，差分信号VIN变大时，第一 NMOS管I截止，第二 NMOS管2导通，对输出的电容放电，导致输出电压Vout变小。
[0019]这种双端转单端电路没有电流镜，适合高速电路，第一 NMOS管I和第二 NMOS管2的直流偏置可单独调节，实现对输出的占空比，输出的上升、下降沿时间等能够灵活调整。
[0020]需要强调的是:以上仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
【权利要求】
1.一种双端单转电路，由第一 NMOS管(I)和第二 NMOS管(2)构成，其特征在于:所述第一 NMOS管(I)的源极连接阀值电压(VAA)，漏极通过输出电压(Vout)连接第二 NMOS管(2)的源极，第二 NMOS管(2)的漏极连接输出接口，且所述第一 NMOS管(I)和第二 NMOS管(2)的栅极分别连接差分信号(VIP、VIN)。
2.根据权利要求1所述的双端单转电路，其特征在于:所述第一NMOS管(I)和第二NMOS管(2)的栅极上均串联有电容(3)，第一 NMOS管(I)和第二 NMOS管(2)的电容(3)与栅极之间均并联有电阻(4)，电阻(4)连接参考电压(Vbias)。
【文档编号】H03K19/0175GK203406847SQ201320545538
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年9月4日 优先权日:2013年9月4日
【发明者】刘雄 申请人:苏州苏尔达信息科技有限公司
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