延时电路的制作方法

xiaoxiao2020-9-10  10

延时电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型提出了一种延时电路,其包括RC充放电电路单元、第一开关单元和第二开关单元,所述第一开关单元包括三极管,第二开关单元包括MOS管,RC充放电电路单元与电源输入端以及信号输入端相连,三极管的基极和发射极与RC充放电电路单元相连,三极管的发射极还接地端,三极管的集电极与MOS管的栅极相连,MOS管的源极与信号输入端相连,MOS管的漏极与信号输出端相连。该延时电路简化了电路结构,降低了产品成本,精确度也高。
【专利说明】延时电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及集成电路【技术领域】,尤其涉及一种延时电路。
【背景技术】
[0002]目前市场上,在需要进行延时控制的控制电路中,大多数采用机械式定时单元或数字式定时单元,如555定时器。特别是有单片机或可编程控制器组成的数字式定时单元,由于其定时准确,定时时间设置方便,广泛应用于各种精确定时的控制电路中。但是,这些具有长时间延时的机械式定时单元或数字式定时单元,由于其结构复杂,成本较高,较适用于对定时精度要求较高的长时间延时控制电路中,若用于对延时时间不长的延时电路,则是既不经济,也不实惠,更没必要的。
实用新型内容
[0003]本实用新型需解决的技术问题是提供一种结构简单,成本低,精确高的延时电路。
[0004]为解决上述的技术问题,本实用新型设计了一种延时电路,其包括RC充放电电路单元、第一开关单元和第二开关单元,所述第一开关单元包括三极管,第二开关单元包括MOS管,RC充放电电路单元与电源输入端以及信号输入端相连,三极管的基极和发射极与RC充放电电路单元相连,三极管的发射极还接地端,三极管的集电极与MOS管的栅极相连,MOS管的源极与信号输入端相连,MOS管的漏极与信号输出端相连。 [0005]作为本实用新型 进一步改进,所述RC充放电电路单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容和第二电容;第一电阻的第一端与电源输入端相连,第一电阻的第二端分别与第一电容的第一端以及第二电容的第一端相连,第二电阻的第一端与第一电阻的第二端相连,第二电阻的第二端与三极管的基极相连,第三电阻的第一端与第二电阻的第二端相连,第三电阻的第二端与三极管的发射极相连,第一电容的第一端以及第二电容的第一端串联第四电阻以与信号输入端相连,第一电容的第二端以及第二电容的第二端分别接地端,第一电阻的第二端还串联第五电阻以接地端。
[0006]作为本实用新型进一步改进,所述延时电路还包括滤波电路,所述滤波电路包括至少一个滤波电容,滤波电容的第一端与信号输出端以及MOS管的漏极相连,滤波电容的第二端接地端。
[0007]作为本实用新型进一步改进,所述延时电路还包括通断电路,所述通断电路包括第六电阻和第三电容,第六电阻的第一端以及第三电容的第一端与MOS管的源极相连,第六电阻的第二端以及第三电容的第二端与MOS管的栅极相连。
[0008]与现有技术相比,本实用新型延时电路结构简单,成本低,精确度也高。
【专利附图】

【附图说明】
[0009]图1是本实用新型延时电路的方框结构图;
[0010]图2是本实用新型延时电路的电路连接关系图。【具体实施方式】
[0011]为了使本领域相关技术人员更好地理解本实用新型的技术方案,下面将结合本实用新型实施方式的附图,对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式仅仅是本实用新型一部分实施方式,而不是全部的实施方式。
[0012]本实用新型提供一种延时电路,该延时电路简化了电路结构,降低了产品成本。
[0013]如图1所示,该延时电路包括RC充放电电路单元、与RC充放电电路单元相连的第一开关单元、和与第一开关单元相连的第二开关单元。RC充放电电路单元在充电一段时间后,其中的电容两端电压足以使第一开关单元导通时,第一开关单元导通,并驱动第二开关单元导通。其充电时间足以使第一开关单元导通的时间即为延时时间。
[0014]如图2所示,在本实施例中,RC充放电电路单元包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容Cl和第二电容C2。其中,第一电阻R1、第一电容Cl和第二电容C2组成充电电路;第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容Cl和第二电容C2组成放电电路。第一开关单元包括三极管Q1。第二开关单元包括MOS管Q2。
[0015]第一电阻Rl的第一端与电源输入端VDD相连,第一电阻Rl的第二端分别与第一电容Cl的第一端以及第二电容C2的第一端相连,第二电阻R2的第一端与第一电阻Rl的第二端相连,第二电阻R2的第二端与三极管Ql的基极相连,第三电阻R3的第一端与第二电阻R2的第二端相连,第三电阻R3的第二端与三极管Ql的发射极相连,第一电容Cl的第一端以及第二电容C2的第一端串联第四电阻R4以与信号输入端D相连,第一电容Cl的第二端以及第二电容C2的第二端分别接地端,第一电阻Rl的第二端还串联第五电阻R5以接地端。本实用新型RC充放电电路单元利用对电容充电,使其两端电压上升至第一开关单元导通。
[0016]需要说明的是,本实用新型RC充放电电路单元不限于本实施例的结构,其他利用其原理的RC充放电电路均属于本实用新型范围。
[0017]三极管Ql的集电极与MOS管Q2的栅极相连,三极管Ql的发射极接地端,MOS管Q2的源极与信号输入端D相连,MOS管Q2的漏极与信号输出端OUT相连,在三极管Ql的集电极与MOS管Q2的栅极之间还可串联一第七电阻R7。
[0018]所述延时电路还包括通断电路,通断电路包括第六电阻R6和第三电容C3,第六电阻R6的第一端以及第三电容C3的第一端与MOS管Q2的源极相连,第六电阻R6的第二端以及第三电容C3的第二端与MOS管Q2的栅极相连。
[0019]更优的是,本实施例延时电路还包括滤波电路,所述滤波电路包括三个并联的滤波电容C4、C5、C6,三个并联的滤波电容C4、C5、C6的第一端与信号输出端以及MOS管Q2的漏极相连,其第二端接地端。
[0020]本实用新型延时电路的工作原理是:当电源输入端VDD接通电源时,开始对第一电容Cl、第二 C2充电,当充电一段时间t至第一电容Cl、第二 C2两端电压足以使三极管Ql导通时,三极管Ql导通,三极管集电极既为低电平,也即是MOS管Q2栅极电压为低电平,此时,Q2源极与信号输入端相连,信号输入端的电压为3.3V,Q2源极的电压高(3.3V),栅极电压低(近似于0V),栅源两端电压Ugs为负,且低于MOS管Ql的阈值电压Vth,M0S管Ql导通,从而输出信号输入端的电压VDD—3P3=3.3V。[0021]当第一电容Cl、第二电容C2两端电压低于三极管Ql的导通电压时,三极管Ql处于截止状态,三极管Ql集电极为高电平,也即是MOS管Q2栅极电压为高电平,此时,MOS管Q2源极电压为3.3V,栅极电压高(近似于无穷大),栅源两端电压Ugs为正,远高于MOS管Q2的阈值电压Vth,MOS管Q2截止,从而输出电压Vdd 3P3=0V。
[0022]本实用新型延时电路三极管Ql导通,MOS管Q2则导通;三极管Ql截止,MOS管Q2则截止,相当于三极管Ql驱动MOS管Q2导通。延时时间t即为RC充放电电路单元充电电路足以使三极管Ql导通的时间,延时时间t由RC充放电电路决定。
[0023]本实用新型延时电路结构简单,成本低,精确度也高。
[0024]以上仅表达了本实用新型的一种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1.一种延时电路,其特征在于,包括Re充放电电路单元、第一开关单元和第二开关单元,所述第一开关单元包括三极管,第二开关单元包括MOS管,RC充放电电路单元与电源输入端以及信号输入端相连,三极管的基极和发射极与RC充放电电路单元相连,三极管的发射极还接地端,三极管的集电极与MOS管的栅极相连,MOS管的源极与信号输入端相连,MOS管的漏极与信号输出端相连。
2.根据权利要求1所述的延时电路,其特征在于:所述RC充放电电路单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容和第二电容;第一电阻的第一端与电源输入端相连,第一电阻的第二端分别与第一电容的第一端以及第二电容的第一端相连,第二电阻的第一端与第一电阻的第二端相连,第二电阻的第二端与三极管的基极相连,第三电阻的第一端与第二电阻的第二端相连,第三电阻的第二端与三极管的发射极相连,第一电容的第一端以及第二电容的第一端串联第四电阻以与信号输入端相连,第一电容的第二端以及第二电容的第二端分别接地端,第一电阻的第二端还串联第五电阻以接地端。
3.根据权利要求1所述的延时电路,其特征在于:所述延时电路还包括滤波电路,所述滤波电路包括至少一个滤波电容,滤波电容的第一端与信号输出端以及MOS管的漏极相连,滤波电容的第二端接地端。
4.根据权利要求1所述的延时电路,其特征在于:所述延时电路还包括通断电路,所述通断电路包括第六电阻和第三电容,第六电阻的第一端以及第三电容的第一端与MOS管的源极相连,第六电阻的第二端以及第三电容的第二端与MOS管的栅极相连。
【文档编号】H03K17/28GK203522680SQ201320613697
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年9月29日 优先权日:2013年9月29日
【发明者】赵静, 李水亮, 李成亚, 任晓亮, 张宁 申请人:上海斐讯数据通信技术有限公司

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