振幅偏移键制解调器及无线射频辨识系统的制作方法
专利名称：振幅偏移键制解调器及无线射频辨识系统的制作方法
技术领域：
本发明是有关于无线通信领域，且特别是有关于一种振幅偏移键制解调器 及采用此种振幅偏移键制解调器的无线射频辨识系统。
背景技术：
随着无线通信需求的快速发展以及宽带无线网络的蓬勃发展，无线射频辨
识(Radio Frequency Identification, RFID)系统近年来成为一个非常热门 的话题。无线射频辨识系统针对传统的接触式系统的缺点，利用无线电波方式 传送数字数据，因此感应器不需与接收器接触便可传递数据，减少因接触所造 成的装置损耗且提升了使用上的便利性。此外，若能同时与目前的显示器产业 作结合，直接整合于显示器上，其应用性势必将更为广泛。
因此， 一方面，如何设计出一种允许较低振幅的输入信号的解调器，其可 以适合无线相关应用其输入信号较小的系统(例如无线射频辨识系统)；另一 方面，如何设计出一种无线射频辨识系统，其可以整合于采用像低温复晶硅 (Low Temperature Poly-Silicon， LTPS)这种高阈值电压制程的显示器上， 均为目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明的一 目的就是在提供一种振幅偏移键制解调器，其允许较低振幅的 输入信号从而适合无线相关应用其输入信号较小的系统。
本发明的再一目的是提供一种无线射频辨识系统，其可以整合于显示器上。
本发明一实施例提出一种振幅偏移键制解调器，适于解调一交流输入信号 而产生一解调封包信号；此振幅偏移键制解调器包括一信号输入端子组、 一输 入整流电路、 一电流镜电路、 一输出级电路及一低通滤波电路。信号输入端子 组包括一第一输入端与一第二输入端，信号输入端子组接收此交流输入信号。输入整流电路电性耦接至信号输入端子组以对此交流输入信号进行一全波整 流操作，其中，输入整流电路包含两个以上相电性耦接的晶体管且每一晶体管 采用其栅极不与源极及漏极相耦接的连接方式存在于输入整流电路中。电流镜 电路电性耦接至输入整流电路，并根据流经输入整流电路的一输入电流而产生 一镜像电流。输出级电路电性耦接至电流镜电路以接收镜像电流，输出级电路 并根据镜像电流而产生一输出电流。低通滤波电路电性耦接至输出级电路以接 收输出电流，低通滤波电路使输出电流经过低通滤波操作后产生此解调封包信 号。
在本发明一实施例中，上述的输入整流电路包括一第一N型晶体管、 一第 二 N型晶体管、 一第一 P型晶体管及一第二 P型晶体管。第一 N型晶体管具有 栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第一N型晶体管的栅极接收一第一控制电 压，且第一 N型晶体管的第一源/漏极电性耦接至上述的第一输入端。第二N 型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第二N型晶体管的栅极接收 第一控制电压，且第二 N型晶体管的第一源/漏极电性耦接至上述的第二输入 端。第一P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第一P型晶体管 的栅极接收一第二控制电压，且第一 P型晶体管的第一源/漏极电性耦接至上 述的第一输入端。第二P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第 二 P型晶体管的栅极接收第二控制电压，且第二 P型晶体管的第一源/漏极电 性耦接至上述的第二输入端。
在本发明一实施例中，上述的振幅偏移键制解调器还包括一偏压电路，此 偏压电路包括一第一电流源、 一第三N型晶体管、 一第二电流源及一第三P 型晶体管。第一电流源的一端电性耦接于一第一工作电压，另一端电性耦接于 第一 N型晶体管的栅极。第三N型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/ 漏极，第三N型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接于第一 N型晶体管的栅 极，第三N型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第一偏压电压。第二电流源 的一端电性耦接于一第二工作电压，另一端电性耦接于第一 P型晶体管的栅 极。第三P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第三P型晶体管 的栅极与第二源/漏极电性耦接于第一 P型晶体管的栅极，第三P型晶体管的 第一源/漏极电性耦接于第一偏压电压。
在本发明一实施例中，上述的电流镜电路包括一第四P型晶体管、 一第四N型晶体管、 一第五P型晶体管及一第五N型晶体管。第四P型晶体管具有栅 极、第一源/漏极与第二源/漏极，第四P型晶体管的栅极与第二源/漏极电性
耦接至第一与第二 N型晶体管的第二源/漏极，第四P型晶体管的第一源/漏极 电性耦接于一第一工作电压。第四N型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二 源/漏极，第四N型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接至第一与第二 P型晶 体管的第二源/漏极，第四N型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第二工作电 压。第五P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第五P型晶体管 的栅极电性耦接至第四P型晶体管的栅极，第五P型晶体管的第一源/漏极电 性耦接于第一工作电压，第五P型晶体管的第二源/漏极电性耦接至输出级电 路以提供镜像电流。第五N型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极， 第五N型晶体管的栅极电性耦接至第四N型晶体管的栅极，第五N型晶体管的 第一源/漏极电性耦接于第二工作电压，第五N型晶体管的第二源/漏极电性耦 接至输出级电路。
在本发明一实施例中，上述的输出级电路包括一第六P型晶体管、 一第七 P型晶体管、 一第八P型晶体管及一第九P型晶体管。第六P型晶体管具有栅 极、第一源/漏极与第二源/漏极，第六P型晶体管的第一源/漏极电性耦接至 第一工作电压。第七P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第七 P型晶体管的第一源/漏极电性耦接至第一工作电压，第七P型晶体管的栅极 电性耦接至第六P型晶体管的栅极，且第七P型晶体管的第二源/漏极电性耦 接至第五P型晶体管的第二源/漏极。第八P型晶体管具有栅极、第一源/漏极 与第二源/漏极，第八P型晶体管的栅极电性耦接至一第二偏压电压，第八P 型晶体管的第一源/漏极电性耦接至第六P型晶体管的第二源/漏极，且第八P 型晶体管的第二源/漏极电性耦接至第六P型晶体管的栅极与第五N型晶体管 的第二源/漏极。第九P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第 九P型晶体管的栅极电性耦接至第二偏压电压，第九P型晶体管的第一源/漏 极电性耦接至第七P型晶体管的第二源/漏极，且第九P型晶体管的第二源/ 漏极电性耦接至低通滤波电路以提供输出电流。
本发明还提出一种无线射频辨识系统，包括 一无线接收模块、 一上述的 振幅偏移键制解调器及一处理模块。无线接收模块接收一无线射频信号，并将 无线射频信号转换为相对应的一交流输入信号；振幅偏移键制解调器电性耦接至无线接收模块以接收交流输入信号进而产生一解调封包信号；处理模块电性 耦接至振幅偏移键制解调器以接收解调封包信号，处理模块根据解调封包信号 而执行相对应的操作。
在本发明一实施例中，上述的无线射频辨识系统更包括一显示模块，此显 示模块根据处理模块的控制而显示解调封包信号中所包含的内容。
本发明实施例提出的振幅偏移键制解调器，其输入整流电路采用两个以上 相电性耦接的晶体管来进行整流操作，且每一晶体管采用其栅极不与源极及漏 极相耦接的连接方式存在于输入整流电路中；故可以不采用二极管架构来进行 整流操作，从而可减少二极管带来压降。因此，本发明实施例提出的振幅偏移 键制解调器允许较低振幅的输入信号，从而可适合无线相关应用其输入信号较 小的系统(例如，无线射频辨识系统)；此外，此种输入整流电路因采用全波 整流方式，输出的解调封包信号拥有较小的涟波问题(Ri卯le Issue)。进一 步的，由于本发明实施例提出的振幅偏移键制解调器可以减少二极管带来压 降，在低温复晶硅的制程中，此电路可带来较好的效果，避免传入的信号因经 过二极管压降而衰减，故采用此种振幅偏移键制解调器的无线射频辨识系统可 整合于采用像低温复晶硅这种高阀值电压制程的显示器上。
图1为本发明实施例提出的一种无线射频辨识系统的结构方块图； 图2为本发明实施例提出的
其中，附图标记 10:无线接收模块 30:处理模块 21:信号输入端子组 23:偏压电路 25:输出级电路 XC:交流输入信号
VC1、 Ve2:偏压电压
VDD、 VSS:工作电压
IB1、 IB2:电流源
种振幅偏移键制解调器的电路结构图。
20:振幅偏移键制
40:显示模块
22:输入整流电路
24:电流镜电路
26:低通滤波电路
Ve0:解调封包信号
vcl、V。2:控制电压
Ie():输出电流Mh M3、 Mbl、 M5、 M7: N型晶体管
M2、 M4、 Mb2、 M6、 M8~M12: P型晶体管
R:电阻 C:电容
具体实施例方式
参见图1及图2，本发明一实施例提出的一种无线射频辨识系统100，其 包括无线接收模块10、振幅偏移键制解调器20、处理模块30及显示模块 40。无线接收模块10接收一无线射频信号(图中未显示)并将无线射频信号 转换为相对应的交流输入信号Xc (如图2所示)；振幅偏移键制解调器20 电性耦接至无线接收模块10以接收交流输入信号Xc，并解调交流输入信号Xc 以产生解调封包信号L (如图2所示)；处理模块30电性耦接至振幅偏移键 制解调器20以接收解调封包信号VB。，处理模块30根据解调封包信号V。。而执 行相对应的操作；显示模块40根据处理模块30的控制而显示解调封包信号 Vs。中所包含的内容。
下面将结合图2具体描述振幅偏移键制解调器20的一种电路结构配置； 如图2所示，振幅偏移键制解调器20包括信号输入端子组21、输入整流电 路22、偏压电路23、电流镜电路24、输出级电路25及低通滤波电路26。
其中，信号输入端子组21包含一正(+ )输入端及一负(-)输入端且用 于接收交流输入信号Xc。
输入整流电路22包含两个以上相电性耦接的晶体管且每一晶体管采用其 栅极不与源极及漏极相耦接的连接方式存在于输入整流电路22中，输入整流 电路22根据信号输入端子组21输入的交流输入信号Xc产生一输入电流(图 中未显示)至电流镜电路24。具体地，在本实施例中，输入整流电路22包含 N型晶体管M^ M3以及P型晶体管M2、 M4。 N型晶体管Mi具有栅极、源极与漏 极；N型晶体管MJ勺栅极接收控制电压V。,，其源极电性耦接至信号输入端子 组21的正输入端。N型晶体管M:,具有栅极、源与漏极；N型晶体管M3的栅极 接收控制电压V。n其源极电性耦接至信号输入端子端21的负输入端。P型晶 体管M2具有栅极、源极与漏极；P型晶体管M2的栅极接收控制电压V。2，其源 极电性耦接至信号输入端子组21的正输入端。P型晶体管M4具有栅极、源极 与漏极；P型晶体管M4的栅极接收控制电压V。2，其源极电性耦接至信号输入端子组21的负输入端。
偏压电路23用以向输入整流电路22提供控制电压L及V。2。具体地，在 本实施例中，偏压电路23包括电流源IB2、 N型晶体管Mbi、电流源lM及P型 晶体管Mb2。电流源IB2的一端电性耦接于工作电压VDD，另一端电性耦接于N 型晶体管Mi的栅极。N型晶体管Mw具有栅极、源极与漏极，且以二极管连接 方式(亦即，栅极与漏极或源极相耦接)存在于偏压电路23中；N型晶体管 MH的栅极与漏极电性耦接于N型晶体管M1的栅极，其源极电性耦接于偏压电 压V 。电流源IB1的一端电性耦接于工作电压VSS，另一端电性耦接于P型晶 体管M2的栅极。P型晶体管Mb2具有栅极、源极与漏极，且以二极管连接方式 存在于偏压电路23中；P型晶体管Mb2的栅极与漏极电性耦接于P型晶体管M2 的栅极，其源极电性耦接于偏压电压Vw。
电流镜电路24电性耦接至输入整流电路22，并根据流经输入整流电路22 的输入电流而产生一镜像电流(图中未显示)。具体地，在本实施例中，电流 镜电路24包括P型晶体管M6、 N型晶体管M5、 P型晶体管Ms及N型晶体管 M7。 P型晶体管M6具有栅极、源极与漏极；P型晶体管M6的栅极与漏极电性耦 接至N型晶体管Ml及M3的漏极，其源极电性耦接于工作电压VDD。 N型晶体 管Ms具有栅极、源极与漏极；N型晶体管M5的栅极与漏极电性耦接至P型晶体 管M2及M4的漏极，其源极电性耦接于工作电压VSS。 P型晶体管M8具有栅极、 源极与漏极；P型晶体管M8的栅极电性耦接至P型晶体管M6的栅极，其源极电 性耦接于工作电压VDD，其漏极电性耦接至输出级电路25以提供镜像电流。N 型晶体管M7具有栅极、源极与漏极；N型晶体管M7的栅极电性耦接至N型晶体 管M5的栅极，其源极电性耦接于工作电压VSS，其漏极电性耦接至输出级电路 25。
输出级电路25电性耦接至电流镜电路24以接收镜像电流，并根据镜像电 流而产生一输出电流L。具体地，在本实施例中，输出级电路25包括P型晶 体管M9、 M1Q、 Mn及M^ P型晶体管Mg具有栅极、源极与漏极；P型晶体管M9 的源极电性耦接至工作电压VDD。 P型晶体管Mw具有栅极、源极与漏极；P型 晶体管M10的源极电性耦接至工作电压VDD，其栅极电性耦接至P型晶体管M9 的栅极，且其漏极电性耦接至P型晶体管M8的漏极。P型晶体管Mu具有栅极、 源极与漏极；P型晶体管Mu的栅极电性耦接至偏压电压V。2，其源极电性耦接至P型晶体管M9的漏极，且其漏极电性耦接至P型晶体管Mg的栅极与N型晶 体管M7的漏极。P型晶体管M^具有栅极、源极与漏极；P型晶体管M^的栅极 电性耦接至偏压电压Ve2，其源极电性耦接至P型晶体管Mw的漏极，且其漏极 电性耦接至低通滤波电路26以提供输出电流I6。。
低通滤波电路26电性耦接至输出级电路25以接收输出电流L。，此低通 滤波电路26使输出电流L。经过低通滤波操作后产生解调封包信号VsQ。本实 施例中，低通滤波电路26包括并联耦接的电阻R与电容C。
综上所述，本发明实施例提出的振幅偏移键制解调器，其输入整流电路 22采用两个以上相电性耦接的晶体管来进行整流操作，且每一晶体管采用其 栅极不与源极及漏极相耦接的连接方式存在于输入整流电路22中；故可以不 采用二极管架构来进行整流操作，从而可减少二极管带来压降。因此，本发明 实施例提出的振幅偏移键制解调器20允许较低振幅的输入信号，从而可适合 无线相关应用其输入信号较小的系统(例如，无线射频辨识系统100)。此外， 输入整流电路22因采用全波整流方式，输出的解调封包信号拥有较小的涟波 问题(Ripple Issue)。另外，藉由偏压电路23来调整输入整流电路22的晶 体管的控制电压，还可以克服因制程漂移所造成的阀值变化影响。进一步的， 由于本发明实施例提出的振幅偏移键制解调器可以减少二极管带来压降，在低 温复晶硅的制程中，此电路可带来较好的效果，避免传入的信号因经过二极管 压降而衰减，故采用此种振幅偏移键制解调器的无线射频辨识系统可整合于采 用像低温复晶硅这种高阀值电压制程的显示器上。
需要说明的是，本发明实施例中各N型晶体管及P型晶体管的源极与漏极
可根据不同的电路设计需要而交换位置，其同样可达成本发明的功效。此外， 本领域技术人员可根据实际需要对本发明实施例的输入整流电路22、偏压电 路23、电流镜电路24、输出级电路25及低通滤波电路26作适当的电路结构 变更，只要其不偏离本发明的精神均可。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，但其并非用以限定本发明，任何本 领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与修改， 因此本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定者为准。
1权利要求
1. 一种振幅偏移键制解调器，适于解调一交流输入信号而产生一解调封包信号，其特征在于，该振幅偏移键制解调器包括一信号输入端子组，包括一第一输入端与一第二输入端，该信号输入端子组接收该交流输入信号；一输入整流电路，包括一第一N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第一N型晶体管的栅极接收一第一控制电压，且该第一N型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第一输入端；一第二N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第二N型晶体管的栅极接收该第一控制电压，且该第二N型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第二输入端；一第一P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第一P型晶体管的栅极接收一第二控制电压，且该第一P型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第一输入端；以及一第二P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第二P型晶体管的栅极接收该第二控制电压，且该第二P型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第二输入端；一电流镜电路，电性耦接至该输入整流电路，并根据流经该输入整流电路的一输入电流而产生一镜像电流；一输出级电路，电性耦接至该电流镜电路以接收该镜像电流，该输出级电路并根据该镜像电流而产生一输出电流；以及一低通滤波电路，电性耦接至该输出级电路以接收该输出电流，该低通滤波电路使该输出电流经过低通滤波操作后产生该解调封包信号。
2. 如权利要求1所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，还包括一偏压 电路，该偏压电路包括一第一电流源， 一端电性耦接于一第一工作电压，另一端电性耦接于该第 一N型晶体管的栅极；一第三N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第三N型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接于该第一 N型晶体管的栅极，该第三N型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第一偏压电压；一第二电流源， 一端电性耦接于一第二工作电压，另一端电性耦接于该第 一P型晶体管的栅极；以及一第三P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第三P 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接于该第一 P型晶体管的栅极，该第三 P型晶体管的第一源/漏极电性耦接于该第一偏压电压。
3. 如权利要求1所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，该电流镜电路 包括一第四P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第四P 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接至该第一与第二 N型晶体管的第二源 /漏极，该第四P型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第一工作电压；一第四N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第四N 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接至该第一与第二 P型晶体管的第二源 /漏极，该第四N型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第二工作电压；一第五P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第五P 型晶体管的栅极电性耦接至该第四P型晶体管的栅极，该第五P型晶体管的第 一源/漏极电性耦接于该第一工作电压，该第五P型晶体管的第二源/漏极电性 耦接至该输出级电路以提供该镜像电流；以及一第五N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第五N 型晶体管的栅极电性耦接至该第四N型晶体管的栅极，该第五N型晶体管的第 一源/漏极电性耦接于该第二工作电压，该第五N型晶体管的第二源/漏极电性耦接至该输出级电路。
4. 如权利要求3所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，该输出级电路包括一第六P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第六P 型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第一工作电压；一第七P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第七P 型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第一工作电压，该第七P型晶体管的栅 极电性耦接至该第六P型晶体管的栅极，且该第七P型晶体管的第二源/漏极电性耦接至该第五P型晶体管的第二源/漏极；一第八p型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第八p 型晶体管的栅极电性耦接至一第二偏压电压，该第八p型晶体管的第一源/漏 极电性耦接至该第六p型晶体管的第二源/漏极，且该第八p型晶体管的第二源/漏极电性耦接至该第六P型晶体管的栅极与该第五N型晶体管的第二源/ 漏极；以及一第九P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第九P 型晶体管的栅极电性耦接至该第二偏压电压，该第九P型晶体管的第一源/漏 极电性耦接至该第七P型晶体管的第二源/漏极，且该第九P型晶体管的第二 源/漏极电性耦接至该低通滤波电路以提供该输出电流。
5. —种使用如权利要求1所述的振幅偏移键制解调器的无线射频辨识系 统，其特征在于，包括一无线接收模块，接收一无线射频信号，并将该无线射频信号转换为相对 应的一交流输入信号；一如权利要求1所述的振幅偏移键制解调器，电性耦接至该无线接收模块 以接收该交流输入信号；以及一处理模块，电性耦接至该振幅偏移键制解调器以接收该解调封包信号， 该处理模块根据该解调封包信号而执行相对应的操作。
6. 如权利要求5所述的无线射频辨识系统，其特征在于，还包括一显示模 块，该显示模块根据该处理模块的控制而显示该解调封包信号中所包含的内 容。
7. —种振幅偏移键制解调器，适于解调一交流输入信号而产生一解调封包 信号，其特征在于，该振幅偏移键制调便器包括一信号输入端子组，包括一第一输入端与一第二输入端，该信号输入端子 组接收该交流输入信号；一输入整流电路，电性耦接至该信号输入端子组以对该交流输入信号进行 一全波整流操作，其中，该输入整流电路包含两个以上相电性耦接的晶体管， 且每一该些晶体管采用其栅极不与源极及漏极相耦接的连接方式存在于该输 入整流电路中；一电流镜电路，电性耦接至该输入整流电路，并根据流经该输入整流电路的一输入电流而产生一镜像电流；一输出级电路，电性耦接至该电流镜电路以接收该镜像电流，该输出级电 路并根据该镜像电流而产生一输出电流；以及一低通滤波电路，电性耦接至该输出级电路以接收该输出电流，该低通滤 波电路使该输出电流经过低通滤波操作后产生该解调封包信号。
8. 如权利要求7所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，该输入整流电 路包括一第一N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第一N 型晶体管的栅极接收一第一控制电压，且该第一 N型晶体管的第一源/漏极电 性耦接至该第一输入端；一第二N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第二N 型晶体管的栅极接收该第一控制电压，且该第二N型晶体管的第一源/漏极电 性耦接至该第二输入端；一第一P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第一P 型晶体管的栅极接收一第二控制电压，且该第一 P型晶体管的第一源/漏极电 性耦接至该第一输入端；以及一第二P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第二P 型晶体管的栅极接收该第二控制电压，且该第二 P型晶体管的第一源/漏极电 性耦接至该第二输入端。
9. 如权利要求8所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，还包括一偏压 电路，该偏压电路包括一第一电流源， 一端电性耦接于一第一工作电压，另一端电性耦接于该第 一N型晶体管的栅极；一第三N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第三N 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接于该第一N型晶体管的栅极，该第三 N型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第一偏压电压；一第二电流源， 一端电性耦接于一第二工作电压，另一端电性耦接于该第 一P型晶体管的栅极；以及一第三P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第三P 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接于该第一 P型晶体管的栅极，该第三P型晶体管的第一源/漏极电性耦接于该第一偏压电压。
10. 如权利要求8所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，该电流镜电 路包括一第四P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第四P 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接至该第一与第二 N型晶体管的第二源 /漏极，该第四P型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第一工作电压；一第四N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第四N 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接至该第一与第二 P型晶体管的第二源/漏极，该第四N型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第二工作电压；一第五p型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第五p 型晶体管的栅极电性耦接至该第四p型晶体管的栅极，该第五p型晶体管的第 一源/漏极电性耦接于该第一工作电压，该第五p型晶体管的第二源/漏极电性耦接至该输出级电路以提供该镜像电流；以及一第五N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第五N 型晶体管的栅极电性耦接至该第四N型晶体管的栅极，该第五N型晶体管的第 一源/漏极电性耦接于该第二工作电压，该第五N型晶体管的第二源/漏极电性 耦接至该输出级电路。
11. 如权利要求IO所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，该输出级电 路包括一第六P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第六P 型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第一工作电压；一第七P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第七P 型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第一工作电压，该第七P型晶体管的栅 极电性耦接至该第六P型晶体管的栅极，且该第七P型晶体管的第二源/漏极 电性耦接至该第五P型晶体管的第二源/漏极；一第八P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第八P 型晶体管的栅极电性耦接至一第二偏压电压，该第八P型晶体管的第一源/漏 极电性耦接至该第六P型晶体管的第二源/漏极，且该第八P型晶体管的第二 源/漏极电性耦接至该第六P型晶体管的栅极与该第五N型晶体管的第二源/ 漏极；以及一第九P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第九P 型晶体管的栅极电性耦接至该第二偏压电压，该第九P型晶体管的第一源/漏 极电性耦接至该第七P型晶体管的第二源/漏极，且该第九P型晶体管的第二 源/漏极电性耦接至该低通滤波电路以提供该输出电流。
12. —种使用如权利要求7所述的振幅偏移键制解调器的无线射频辨识系 统，其特征在于，包括一无线接收模块，接收一无线射频信号，并将该无线射频信号转换为相对 应的一交流输入信号；一如权利要求7所述的振幅偏移键制解调器，电性耦接至该无线接收模块 以接收该交流输入信号；以及一处理模块，电性耦接至该振幅偏移键制解调器以接收该解调封包信号， 该处理模块根据该解调封包信号而执行相对应的操作。
13. 如权利要求12所述的无线射频辨识系统，其特征在于，还包括一显示 模块，该显示模块根据该处理模块的控制而显示该解调封包信号中所包含的内 容。
全文摘要
本发明公开了一种振幅偏移键制解调器及无线射频辨识系统。该振幅偏移键制解调器包括信号输入端子组、输入整流电路、电流镜电路、输出级电路及低通滤波电路。输入整流电路电性耦接至信号输入端子组以对一交流输入信号进行全波整流操作，其由两个以上电性耦接的晶体管组成且每一晶体管采用其栅极不与源极及漏极相耦接的连接方式。电流镜电路电性耦接至输入整流电路并根据流经输入整流电路的一输入电流而产生一镜像电流。输出级电路电性耦接至电流镜电路以根据镜像电流产生一输出电流。低通滤波电路耦接至输出级电路以对输出电流进行低通滤波操作而产生一解调封包信号。
文档编号H04L27/06GK101478515SQ200910005510
公开日2009年7月8日 申请日期2009年1月19日 优先权日2009年1月19日
发明者李原江, 李宇轩, 游岳华, 陈怡然 申请人:友达光电股份有限公司
技术领域：
本发明是有关于无线通信领域，且特别是有关于一种振幅偏移键制解调器 及采用此种振幅偏移键制解调器的无线射频辨识系统。
背景技术：
随着无线通信需求的快速发展以及宽带无线网络的蓬勃发展，无线射频辨
识(Radio Frequency Identification, RFID)系统近年来成为一个非常热门 的话题。无线射频辨识系统针对传统的接触式系统的缺点，利用无线电波方式 传送数字数据，因此感应器不需与接收器接触便可传递数据，减少因接触所造 成的装置损耗且提升了使用上的便利性。此外，若能同时与目前的显示器产业 作结合，直接整合于显示器上，其应用性势必将更为广泛。
因此， 一方面，如何设计出一种允许较低振幅的输入信号的解调器，其可 以适合无线相关应用其输入信号较小的系统(例如无线射频辨识系统)；另一 方面，如何设计出一种无线射频辨识系统，其可以整合于采用像低温复晶硅 (Low Temperature Poly-Silicon， LTPS)这种高阈值电压制程的显示器上， 均为目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明的一 目的就是在提供一种振幅偏移键制解调器，其允许较低振幅的 输入信号从而适合无线相关应用其输入信号较小的系统。
本发明的再一目的是提供一种无线射频辨识系统，其可以整合于显示器上。
本发明一实施例提出一种振幅偏移键制解调器，适于解调一交流输入信号 而产生一解调封包信号；此振幅偏移键制解调器包括一信号输入端子组、 一输 入整流电路、 一电流镜电路、 一输出级电路及一低通滤波电路。信号输入端子 组包括一第一输入端与一第二输入端，信号输入端子组接收此交流输入信号。输入整流电路电性耦接至信号输入端子组以对此交流输入信号进行一全波整 流操作，其中，输入整流电路包含两个以上相电性耦接的晶体管且每一晶体管 采用其栅极不与源极及漏极相耦接的连接方式存在于输入整流电路中。电流镜 电路电性耦接至输入整流电路，并根据流经输入整流电路的一输入电流而产生 一镜像电流。输出级电路电性耦接至电流镜电路以接收镜像电流，输出级电路 并根据镜像电流而产生一输出电流。低通滤波电路电性耦接至输出级电路以接 收输出电流，低通滤波电路使输出电流经过低通滤波操作后产生此解调封包信 号。
在本发明一实施例中，上述的输入整流电路包括一第一N型晶体管、 一第 二 N型晶体管、 一第一 P型晶体管及一第二 P型晶体管。第一 N型晶体管具有 栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第一N型晶体管的栅极接收一第一控制电 压，且第一 N型晶体管的第一源/漏极电性耦接至上述的第一输入端。第二N 型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第二N型晶体管的栅极接收 第一控制电压，且第二 N型晶体管的第一源/漏极电性耦接至上述的第二输入 端。第一P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第一P型晶体管 的栅极接收一第二控制电压，且第一 P型晶体管的第一源/漏极电性耦接至上 述的第一输入端。第二P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第 二 P型晶体管的栅极接收第二控制电压，且第二 P型晶体管的第一源/漏极电 性耦接至上述的第二输入端。
在本发明一实施例中，上述的振幅偏移键制解调器还包括一偏压电路，此 偏压电路包括一第一电流源、 一第三N型晶体管、 一第二电流源及一第三P 型晶体管。第一电流源的一端电性耦接于一第一工作电压，另一端电性耦接于 第一 N型晶体管的栅极。第三N型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/ 漏极，第三N型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接于第一 N型晶体管的栅 极，第三N型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第一偏压电压。第二电流源 的一端电性耦接于一第二工作电压，另一端电性耦接于第一 P型晶体管的栅 极。第三P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第三P型晶体管 的栅极与第二源/漏极电性耦接于第一 P型晶体管的栅极，第三P型晶体管的 第一源/漏极电性耦接于第一偏压电压。
在本发明一实施例中，上述的电流镜电路包括一第四P型晶体管、 一第四N型晶体管、 一第五P型晶体管及一第五N型晶体管。第四P型晶体管具有栅 极、第一源/漏极与第二源/漏极，第四P型晶体管的栅极与第二源/漏极电性
耦接至第一与第二 N型晶体管的第二源/漏极，第四P型晶体管的第一源/漏极 电性耦接于一第一工作电压。第四N型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二 源/漏极，第四N型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接至第一与第二 P型晶 体管的第二源/漏极，第四N型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第二工作电 压。第五P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第五P型晶体管 的栅极电性耦接至第四P型晶体管的栅极，第五P型晶体管的第一源/漏极电 性耦接于第一工作电压，第五P型晶体管的第二源/漏极电性耦接至输出级电 路以提供镜像电流。第五N型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极， 第五N型晶体管的栅极电性耦接至第四N型晶体管的栅极，第五N型晶体管的 第一源/漏极电性耦接于第二工作电压，第五N型晶体管的第二源/漏极电性耦 接至输出级电路。
在本发明一实施例中，上述的输出级电路包括一第六P型晶体管、 一第七 P型晶体管、 一第八P型晶体管及一第九P型晶体管。第六P型晶体管具有栅 极、第一源/漏极与第二源/漏极，第六P型晶体管的第一源/漏极电性耦接至 第一工作电压。第七P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第七 P型晶体管的第一源/漏极电性耦接至第一工作电压，第七P型晶体管的栅极 电性耦接至第六P型晶体管的栅极，且第七P型晶体管的第二源/漏极电性耦 接至第五P型晶体管的第二源/漏极。第八P型晶体管具有栅极、第一源/漏极 与第二源/漏极，第八P型晶体管的栅极电性耦接至一第二偏压电压，第八P 型晶体管的第一源/漏极电性耦接至第六P型晶体管的第二源/漏极，且第八P 型晶体管的第二源/漏极电性耦接至第六P型晶体管的栅极与第五N型晶体管 的第二源/漏极。第九P型晶体管具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，第 九P型晶体管的栅极电性耦接至第二偏压电压，第九P型晶体管的第一源/漏 极电性耦接至第七P型晶体管的第二源/漏极，且第九P型晶体管的第二源/ 漏极电性耦接至低通滤波电路以提供输出电流。
本发明还提出一种无线射频辨识系统，包括 一无线接收模块、 一上述的 振幅偏移键制解调器及一处理模块。无线接收模块接收一无线射频信号，并将 无线射频信号转换为相对应的一交流输入信号；振幅偏移键制解调器电性耦接至无线接收模块以接收交流输入信号进而产生一解调封包信号；处理模块电性 耦接至振幅偏移键制解调器以接收解调封包信号，处理模块根据解调封包信号 而执行相对应的操作。
在本发明一实施例中，上述的无线射频辨识系统更包括一显示模块，此显 示模块根据处理模块的控制而显示解调封包信号中所包含的内容。
本发明实施例提出的振幅偏移键制解调器，其输入整流电路采用两个以上 相电性耦接的晶体管来进行整流操作，且每一晶体管采用其栅极不与源极及漏 极相耦接的连接方式存在于输入整流电路中；故可以不采用二极管架构来进行 整流操作，从而可减少二极管带来压降。因此，本发明实施例提出的振幅偏移 键制解调器允许较低振幅的输入信号，从而可适合无线相关应用其输入信号较 小的系统(例如，无线射频辨识系统)；此外，此种输入整流电路因采用全波 整流方式，输出的解调封包信号拥有较小的涟波问题(Ri卯le Issue)。进一 步的，由于本发明实施例提出的振幅偏移键制解调器可以减少二极管带来压 降，在低温复晶硅的制程中，此电路可带来较好的效果，避免传入的信号因经 过二极管压降而衰减，故采用此种振幅偏移键制解调器的无线射频辨识系统可 整合于采用像低温复晶硅这种高阀值电压制程的显示器上。
图1为本发明实施例提出的一种无线射频辨识系统的结构方块图； 图2为本发明实施例提出的
其中，附图标记 10:无线接收模块 30:处理模块 21:信号输入端子组 23:偏压电路 25:输出级电路 XC:交流输入信号
VC1、 Ve2:偏压电压
VDD、 VSS:工作电压
IB1、 IB2:电流源
种振幅偏移键制解调器的电路结构图。
20:振幅偏移键制
40:显示模块
22:输入整流电路
24:电流镜电路
26:低通滤波电路
Ve0:解调封包信号
vcl、V。2:控制电压
Ie():输出电流Mh M3、 Mbl、 M5、 M7: N型晶体管
M2、 M4、 Mb2、 M6、 M8~M12: P型晶体管
R:电阻 C:电容
具体实施例方式
参见图1及图2，本发明一实施例提出的一种无线射频辨识系统100，其 包括无线接收模块10、振幅偏移键制解调器20、处理模块30及显示模块 40。无线接收模块10接收一无线射频信号(图中未显示)并将无线射频信号 转换为相对应的交流输入信号Xc (如图2所示)；振幅偏移键制解调器20 电性耦接至无线接收模块10以接收交流输入信号Xc，并解调交流输入信号Xc 以产生解调封包信号L (如图2所示)；处理模块30电性耦接至振幅偏移键 制解调器20以接收解调封包信号VB。，处理模块30根据解调封包信号V。。而执 行相对应的操作；显示模块40根据处理模块30的控制而显示解调封包信号 Vs。中所包含的内容。
下面将结合图2具体描述振幅偏移键制解调器20的一种电路结构配置； 如图2所示，振幅偏移键制解调器20包括信号输入端子组21、输入整流电 路22、偏压电路23、电流镜电路24、输出级电路25及低通滤波电路26。
其中，信号输入端子组21包含一正(+ )输入端及一负(-)输入端且用 于接收交流输入信号Xc。
输入整流电路22包含两个以上相电性耦接的晶体管且每一晶体管采用其 栅极不与源极及漏极相耦接的连接方式存在于输入整流电路22中，输入整流 电路22根据信号输入端子组21输入的交流输入信号Xc产生一输入电流(图 中未显示)至电流镜电路24。具体地，在本实施例中，输入整流电路22包含 N型晶体管M^ M3以及P型晶体管M2、 M4。 N型晶体管Mi具有栅极、源极与漏 极；N型晶体管MJ勺栅极接收控制电压V。,，其源极电性耦接至信号输入端子 组21的正输入端。N型晶体管M:,具有栅极、源与漏极；N型晶体管M3的栅极 接收控制电压V。n其源极电性耦接至信号输入端子端21的负输入端。P型晶 体管M2具有栅极、源极与漏极；P型晶体管M2的栅极接收控制电压V。2，其源 极电性耦接至信号输入端子组21的正输入端。P型晶体管M4具有栅极、源极 与漏极；P型晶体管M4的栅极接收控制电压V。2，其源极电性耦接至信号输入端子组21的负输入端。
偏压电路23用以向输入整流电路22提供控制电压L及V。2。具体地，在 本实施例中，偏压电路23包括电流源IB2、 N型晶体管Mbi、电流源lM及P型 晶体管Mb2。电流源IB2的一端电性耦接于工作电压VDD，另一端电性耦接于N 型晶体管Mi的栅极。N型晶体管Mw具有栅极、源极与漏极，且以二极管连接 方式(亦即，栅极与漏极或源极相耦接)存在于偏压电路23中；N型晶体管 MH的栅极与漏极电性耦接于N型晶体管M1的栅极，其源极电性耦接于偏压电 压V 。电流源IB1的一端电性耦接于工作电压VSS，另一端电性耦接于P型晶 体管M2的栅极。P型晶体管Mb2具有栅极、源极与漏极，且以二极管连接方式 存在于偏压电路23中；P型晶体管Mb2的栅极与漏极电性耦接于P型晶体管M2 的栅极，其源极电性耦接于偏压电压Vw。
电流镜电路24电性耦接至输入整流电路22，并根据流经输入整流电路22 的输入电流而产生一镜像电流(图中未显示)。具体地，在本实施例中，电流 镜电路24包括P型晶体管M6、 N型晶体管M5、 P型晶体管Ms及N型晶体管 M7。 P型晶体管M6具有栅极、源极与漏极；P型晶体管M6的栅极与漏极电性耦 接至N型晶体管Ml及M3的漏极，其源极电性耦接于工作电压VDD。 N型晶体 管Ms具有栅极、源极与漏极；N型晶体管M5的栅极与漏极电性耦接至P型晶体 管M2及M4的漏极，其源极电性耦接于工作电压VSS。 P型晶体管M8具有栅极、 源极与漏极；P型晶体管M8的栅极电性耦接至P型晶体管M6的栅极，其源极电 性耦接于工作电压VDD，其漏极电性耦接至输出级电路25以提供镜像电流。N 型晶体管M7具有栅极、源极与漏极；N型晶体管M7的栅极电性耦接至N型晶体 管M5的栅极，其源极电性耦接于工作电压VSS，其漏极电性耦接至输出级电路 25。
输出级电路25电性耦接至电流镜电路24以接收镜像电流，并根据镜像电 流而产生一输出电流L。具体地，在本实施例中，输出级电路25包括P型晶 体管M9、 M1Q、 Mn及M^ P型晶体管Mg具有栅极、源极与漏极；P型晶体管M9 的源极电性耦接至工作电压VDD。 P型晶体管Mw具有栅极、源极与漏极；P型 晶体管M10的源极电性耦接至工作电压VDD，其栅极电性耦接至P型晶体管M9 的栅极，且其漏极电性耦接至P型晶体管M8的漏极。P型晶体管Mu具有栅极、 源极与漏极；P型晶体管Mu的栅极电性耦接至偏压电压V。2，其源极电性耦接至P型晶体管M9的漏极，且其漏极电性耦接至P型晶体管Mg的栅极与N型晶 体管M7的漏极。P型晶体管M^具有栅极、源极与漏极；P型晶体管M^的栅极 电性耦接至偏压电压Ve2，其源极电性耦接至P型晶体管Mw的漏极，且其漏极 电性耦接至低通滤波电路26以提供输出电流I6。。
低通滤波电路26电性耦接至输出级电路25以接收输出电流L。，此低通 滤波电路26使输出电流L。经过低通滤波操作后产生解调封包信号VsQ。本实 施例中，低通滤波电路26包括并联耦接的电阻R与电容C。
综上所述，本发明实施例提出的振幅偏移键制解调器，其输入整流电路 22采用两个以上相电性耦接的晶体管来进行整流操作，且每一晶体管采用其 栅极不与源极及漏极相耦接的连接方式存在于输入整流电路22中；故可以不 采用二极管架构来进行整流操作，从而可减少二极管带来压降。因此，本发明 实施例提出的振幅偏移键制解调器20允许较低振幅的输入信号，从而可适合 无线相关应用其输入信号较小的系统(例如，无线射频辨识系统100)。此外， 输入整流电路22因采用全波整流方式，输出的解调封包信号拥有较小的涟波 问题(Ripple Issue)。另外，藉由偏压电路23来调整输入整流电路22的晶 体管的控制电压，还可以克服因制程漂移所造成的阀值变化影响。进一步的， 由于本发明实施例提出的振幅偏移键制解调器可以减少二极管带来压降，在低 温复晶硅的制程中，此电路可带来较好的效果，避免传入的信号因经过二极管 压降而衰减，故采用此种振幅偏移键制解调器的无线射频辨识系统可整合于采 用像低温复晶硅这种高阀值电压制程的显示器上。
需要说明的是，本发明实施例中各N型晶体管及P型晶体管的源极与漏极
可根据不同的电路设计需要而交换位置，其同样可达成本发明的功效。此外， 本领域技术人员可根据实际需要对本发明实施例的输入整流电路22、偏压电 路23、电流镜电路24、输出级电路25及低通滤波电路26作适当的电路结构 变更，只要其不偏离本发明的精神均可。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，但其并非用以限定本发明，任何本 领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与修改， 因此本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定者为准。
1权利要求
1. 一种振幅偏移键制解调器，适于解调一交流输入信号而产生一解调封包信号，其特征在于，该振幅偏移键制解调器包括一信号输入端子组，包括一第一输入端与一第二输入端，该信号输入端子组接收该交流输入信号；一输入整流电路，包括一第一N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第一N型晶体管的栅极接收一第一控制电压，且该第一N型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第一输入端；一第二N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第二N型晶体管的栅极接收该第一控制电压，且该第二N型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第二输入端；一第一P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第一P型晶体管的栅极接收一第二控制电压，且该第一P型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第一输入端；以及一第二P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第二P型晶体管的栅极接收该第二控制电压，且该第二P型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第二输入端；一电流镜电路，电性耦接至该输入整流电路，并根据流经该输入整流电路的一输入电流而产生一镜像电流；一输出级电路，电性耦接至该电流镜电路以接收该镜像电流，该输出级电路并根据该镜像电流而产生一输出电流；以及一低通滤波电路，电性耦接至该输出级电路以接收该输出电流，该低通滤波电路使该输出电流经过低通滤波操作后产生该解调封包信号。
2. 如权利要求1所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，还包括一偏压 电路，该偏压电路包括一第一电流源， 一端电性耦接于一第一工作电压，另一端电性耦接于该第 一N型晶体管的栅极；一第三N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第三N型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接于该第一 N型晶体管的栅极，该第三N型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第一偏压电压；一第二电流源， 一端电性耦接于一第二工作电压，另一端电性耦接于该第 一P型晶体管的栅极；以及一第三P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第三P 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接于该第一 P型晶体管的栅极，该第三 P型晶体管的第一源/漏极电性耦接于该第一偏压电压。
3. 如权利要求1所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，该电流镜电路 包括一第四P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第四P 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接至该第一与第二 N型晶体管的第二源 /漏极，该第四P型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第一工作电压；一第四N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第四N 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接至该第一与第二 P型晶体管的第二源 /漏极，该第四N型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第二工作电压；一第五P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第五P 型晶体管的栅极电性耦接至该第四P型晶体管的栅极，该第五P型晶体管的第 一源/漏极电性耦接于该第一工作电压，该第五P型晶体管的第二源/漏极电性 耦接至该输出级电路以提供该镜像电流；以及一第五N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第五N 型晶体管的栅极电性耦接至该第四N型晶体管的栅极，该第五N型晶体管的第 一源/漏极电性耦接于该第二工作电压，该第五N型晶体管的第二源/漏极电性耦接至该输出级电路。
4. 如权利要求3所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，该输出级电路包括一第六P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第六P 型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第一工作电压；一第七P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第七P 型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第一工作电压，该第七P型晶体管的栅 极电性耦接至该第六P型晶体管的栅极，且该第七P型晶体管的第二源/漏极电性耦接至该第五P型晶体管的第二源/漏极；一第八p型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第八p 型晶体管的栅极电性耦接至一第二偏压电压，该第八p型晶体管的第一源/漏 极电性耦接至该第六p型晶体管的第二源/漏极，且该第八p型晶体管的第二源/漏极电性耦接至该第六P型晶体管的栅极与该第五N型晶体管的第二源/ 漏极；以及一第九P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第九P 型晶体管的栅极电性耦接至该第二偏压电压，该第九P型晶体管的第一源/漏 极电性耦接至该第七P型晶体管的第二源/漏极，且该第九P型晶体管的第二 源/漏极电性耦接至该低通滤波电路以提供该输出电流。
5. —种使用如权利要求1所述的振幅偏移键制解调器的无线射频辨识系 统，其特征在于，包括一无线接收模块，接收一无线射频信号，并将该无线射频信号转换为相对 应的一交流输入信号；一如权利要求1所述的振幅偏移键制解调器，电性耦接至该无线接收模块 以接收该交流输入信号；以及一处理模块，电性耦接至该振幅偏移键制解调器以接收该解调封包信号， 该处理模块根据该解调封包信号而执行相对应的操作。
6. 如权利要求5所述的无线射频辨识系统，其特征在于，还包括一显示模 块，该显示模块根据该处理模块的控制而显示该解调封包信号中所包含的内 容。
7. —种振幅偏移键制解调器，适于解调一交流输入信号而产生一解调封包 信号，其特征在于，该振幅偏移键制调便器包括一信号输入端子组，包括一第一输入端与一第二输入端，该信号输入端子 组接收该交流输入信号；一输入整流电路，电性耦接至该信号输入端子组以对该交流输入信号进行 一全波整流操作，其中，该输入整流电路包含两个以上相电性耦接的晶体管， 且每一该些晶体管采用其栅极不与源极及漏极相耦接的连接方式存在于该输 入整流电路中；一电流镜电路，电性耦接至该输入整流电路，并根据流经该输入整流电路的一输入电流而产生一镜像电流；一输出级电路，电性耦接至该电流镜电路以接收该镜像电流，该输出级电 路并根据该镜像电流而产生一输出电流；以及一低通滤波电路，电性耦接至该输出级电路以接收该输出电流，该低通滤 波电路使该输出电流经过低通滤波操作后产生该解调封包信号。
8. 如权利要求7所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，该输入整流电 路包括一第一N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第一N 型晶体管的栅极接收一第一控制电压，且该第一 N型晶体管的第一源/漏极电 性耦接至该第一输入端；一第二N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第二N 型晶体管的栅极接收该第一控制电压，且该第二N型晶体管的第一源/漏极电 性耦接至该第二输入端；一第一P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第一P 型晶体管的栅极接收一第二控制电压，且该第一 P型晶体管的第一源/漏极电 性耦接至该第一输入端；以及一第二P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第二P 型晶体管的栅极接收该第二控制电压，且该第二 P型晶体管的第一源/漏极电 性耦接至该第二输入端。
9. 如权利要求8所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，还包括一偏压 电路，该偏压电路包括一第一电流源， 一端电性耦接于一第一工作电压，另一端电性耦接于该第 一N型晶体管的栅极；一第三N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第三N 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接于该第一N型晶体管的栅极，该第三 N型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第一偏压电压；一第二电流源， 一端电性耦接于一第二工作电压，另一端电性耦接于该第 一P型晶体管的栅极；以及一第三P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第三P 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接于该第一 P型晶体管的栅极，该第三P型晶体管的第一源/漏极电性耦接于该第一偏压电压。
10. 如权利要求8所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，该电流镜电 路包括一第四P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第四P 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接至该第一与第二 N型晶体管的第二源 /漏极，该第四P型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第一工作电压；一第四N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第四N 型晶体管的栅极与第二源/漏极电性耦接至该第一与第二 P型晶体管的第二源/漏极，该第四N型晶体管的第一源/漏极电性耦接于一第二工作电压；一第五p型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第五p 型晶体管的栅极电性耦接至该第四p型晶体管的栅极，该第五p型晶体管的第 一源/漏极电性耦接于该第一工作电压，该第五p型晶体管的第二源/漏极电性耦接至该输出级电路以提供该镜像电流；以及一第五N型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第五N 型晶体管的栅极电性耦接至该第四N型晶体管的栅极，该第五N型晶体管的第 一源/漏极电性耦接于该第二工作电压，该第五N型晶体管的第二源/漏极电性 耦接至该输出级电路。
11. 如权利要求IO所述的振幅偏移键制解调器，其特征在于，该输出级电 路包括一第六P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第六P 型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第一工作电压；一第七P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第七P 型晶体管的第一源/漏极电性耦接至该第一工作电压，该第七P型晶体管的栅 极电性耦接至该第六P型晶体管的栅极，且该第七P型晶体管的第二源/漏极 电性耦接至该第五P型晶体管的第二源/漏极；一第八P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第八P 型晶体管的栅极电性耦接至一第二偏压电压，该第八P型晶体管的第一源/漏 极电性耦接至该第六P型晶体管的第二源/漏极，且该第八P型晶体管的第二 源/漏极电性耦接至该第六P型晶体管的栅极与该第五N型晶体管的第二源/ 漏极；以及一第九P型晶体管，具有栅极、第一源/漏极与第二源/漏极，该第九P 型晶体管的栅极电性耦接至该第二偏压电压，该第九P型晶体管的第一源/漏 极电性耦接至该第七P型晶体管的第二源/漏极，且该第九P型晶体管的第二 源/漏极电性耦接至该低通滤波电路以提供该输出电流。
12. —种使用如权利要求7所述的振幅偏移键制解调器的无线射频辨识系 统，其特征在于，包括一无线接收模块，接收一无线射频信号，并将该无线射频信号转换为相对 应的一交流输入信号；一如权利要求7所述的振幅偏移键制解调器，电性耦接至该无线接收模块 以接收该交流输入信号；以及一处理模块，电性耦接至该振幅偏移键制解调器以接收该解调封包信号， 该处理模块根据该解调封包信号而执行相对应的操作。
13. 如权利要求12所述的无线射频辨识系统，其特征在于，还包括一显示 模块，该显示模块根据该处理模块的控制而显示该解调封包信号中所包含的内 容。
全文摘要
本发明公开了一种振幅偏移键制解调器及无线射频辨识系统。该振幅偏移键制解调器包括信号输入端子组、输入整流电路、电流镜电路、输出级电路及低通滤波电路。输入整流电路电性耦接至信号输入端子组以对一交流输入信号进行全波整流操作，其由两个以上电性耦接的晶体管组成且每一晶体管采用其栅极不与源极及漏极相耦接的连接方式。电流镜电路电性耦接至输入整流电路并根据流经输入整流电路的一输入电流而产生一镜像电流。输出级电路电性耦接至电流镜电路以根据镜像电流产生一输出电流。低通滤波电路耦接至输出级电路以对输出电流进行低通滤波操作而产生一解调封包信号。
文档编号H04L27/06GK101478515SQ200910005510
公开日2009年7月8日 申请日期2009年1月19日 优先权日2009年1月19日
发明者李原江, 李宇轩, 游岳华, 陈怡然 申请人:友达光电股份有限公司
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