一种有机电致发光显示器的封装方法
专利名称：一种有机电致发光显示器的封装方法
技术领域：
本发明涉及一种有机电致发光显示器的封装方法。
技术背景随着人们对视觉要求的逐日提高，显示技术快速发展，已日趋百花齐放的局面，从阴极射线管显示(CRT)、液晶显示(LCD)、等离子显示(PDP)到有机 电致发光显示(OLED)以及场致发光显示(FED)，不一而足。科学技术的发展 曰新月异，显示技术领域也在发生一场革命，各种新型的平板显示技术(FPD) 应运而生。阴极射线管显示(CRT)存在体积大、功耗高和辐射性的缺点，逐渐 失去显示领域的霸主地位；而平板显示技术被誉为一种朝阳技术，是二十一世 纪显示技术发展的主流，因而受到了人们的广泛重视，它不仅要具有完美的显 示品质，而且需在体积、节能等方面有更多的改进。LCD、 PDP和0LED是平板 显示的三大主流，OLED显示器件，包括PLED (高分子有机电致发光显示)与 其它显示器件相比具有更大的优势，具体表现为工作电压低、制作成本低、能 耗小、更薄、亮度和清晰度更高等优点。柔板显示是0LED/PLED显示器件的发 展方向之一，但由于目前封装技术所存在的问题，影响了 0LED平板显示器件 的寿命。OLED器件的寿命一方面决定于所选用的有机材料，另一方面还取决于器件 的封装方、法；因为有机材料很不稳定，如果OLED器件封装不好，有机材料就 会与真空腔内的水蒸汽、氧气等气体发生反应，很容易就会失效，导致整个OLED器件寿命降低。因而，为使OLED在长期工作过程中的退化和失效得到抑制，稳 定工作达到足够的寿命，对封装材料的阻隔性有很高要求。发明内容本发明为了解决0LED/PLED显示器件寿命低的问题，提供了一种可显著提 高器件寿命的有机电致发光显示器的封装方法。为达到上述目的，本发明是采取如下技术方案予以实现的一种有机电致发光显示器的封装方法，其特征在于，先在玻璃基板上表面 自下而上依次设置IT0导电层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，所 述的阴极层设置用于与直流电压负极相连接的引出导体膜片，然后在阴极层表 面采用真空蒸镀、粒子溅射或M^溅射工艺形成一层薄膜封装层，该薄膜封装 层同时将空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层侧边密封。上述方案中，所述的薄膜封装层用在空气中比较稳定的材料硒、碲、锑等 通过真空蒸镀、粒子溅射或磁控溅射工艺形成；真空蒸镀时的真空度为1X10—3Pa 以下，真空蒸镀厚度为80nm以上。所述的阴极层由金属铝或者钙/铝、镁/银低 功函数材料制成。本发明在0LED/PLED阴极的外面通过高真空条件下的真空蒸镀、粒子溅射、 磁控溅射等成膜方法制备一层致密、不易氧化的薄膜封装层，实现对显示器件 的封装，减少水、氧等对于器件内部的侵蚀，形成对阴极、有机材料的有效保 护，使OLED在长期工作过程中的退化和失效得到抑制，实现稳定工作达到足够 的寿命。
图1是一种有机电致发光显示器采用本发明方法薄膜封装后的结构图。具体实Jfe^式下面结合附图及实施例对本发明作进一步的详细说明。如图l所示， 一种有机电致发光显示器的封装方法，先在玻璃基板6上表 面自下而上依次设置IT0 (氧化铟与氧化锡复合膜材)导电层5、空穴传输层4、 发光层(荧光材料)3、电子传输层2和由金属铝或者钙/铝、镁/银等低功函数 材料制成阴极层1，再在阴极层1上设置用于与直流电压负极相连接的引出导体 膜片，然后在阴极层1表面采用真空蒸镀、粒子溅射或磁控溅射工艺形成一层 薄膜封装层7，该薄膜封装层7同时将空穴传输层4、发光层3、电子传输层2 和阴极层1侧边密封。薄膜封装层7可用在空气中比较稳定的材料，如硒、碲、 锑等，通过真空蒸镀、粒子溅射或磁控溅射工艺形成。这些薄膜材料具有对水 气、氧气等良好的阻隔性。本发明一个具体实施例为采用常规制备工艺分别在玻璃基板6上表面自下 而上依次设置IT0导电层5、空穴传输层4、发光层3、电子传输层2和由金属铝材料制成阴极层1,然后在真空室内金属阴极1上原位直接用硒材料通过真空 蒸镀工艺蒸镀形成薄膜封装层7，真空蒸镀时的真空度为1X10—3Pa以下；真空 蒸镀后薄膜封装层7的厚度为80nm。封装完毕后，ITO导电层5和阴极层1分别与直流电压的正负电极相连。本发明从提高OLED封装的阻隔性，延长OLED器件寿命出发，通过在完成各功能层设置以后，在真空室内金属阴极上原位直接蒸镀薄膜封装层，不但简 化了生产工艺，更有效的延长了OLED器件的寿命。
权利要求
1.一种有机电致发光显示器的封装方法，其特征在于，先在玻璃基板上表面自下而上依次设置ITO导电层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，所述的阴极层设置用于与直流电压负极相连接的引出导体膜片，然后在阴极层表面采用真空蒸镀、粒子溅射或磁控溅射工艺形成一层薄膜封装层，该薄膜封装层同时将空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层侧边密封。
2. 如权利要求1所述的有机电致发光显示器的封装方法，其特征在于，所 述的薄膜封装层用硒、碲、锑之一的材料通过真空蒸镀、粒子溅射或磁控溅射 工艺形成。
3. 如权利要求2所述的有机电致发光显示器的封装方法，其特征在于，所 述薄膜封装层用硒通过真空蒸镀工艺形成，真空蒸镀时的真空度为lX10，a以 下。
4. 如权利要求3所述的有机电致发光显示器的封装方法，其特征在于，所 述的薄膜封装层的真空蒸镀厚度至少为80nm。
5. 如权利要求1-4任一项所述的有机电致发光显示器的封装方法，其特征在于，所述的阴极层由金属铝或者钙/铝、m/银低功函数材料制成。
全文摘要
本发明公开了一种可显著提高器件寿命的有机电致发光显示器的封装方法其特征在于，先在玻璃基板上表面自下而上依次设置ITO导电层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，所述的阴极层设置用于与直流电压负极相连接的引出导体膜片，然后在阴极层表面采用真空蒸镀、粒子溅射或磁控溅射工艺形成一层薄膜封装层，该薄膜封装层同时将空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层侧边密封。
文档编号H05B33/10GK101217837SQ20071030773
公开日2008年7月9日 申请日期2007年12月26日 优先权日2007年12月26日
发明者张志刚, 张方辉, 欣 李, 强 牟, 矫士博 申请人:陕西科技大学;彩虹集团公司
技术领域：
本发明涉及一种有机电致发光显示器的封装方法。
技术背景随着人们对视觉要求的逐日提高，显示技术快速发展，已日趋百花齐放的局面，从阴极射线管显示(CRT)、液晶显示(LCD)、等离子显示(PDP)到有机 电致发光显示(OLED)以及场致发光显示(FED)，不一而足。科学技术的发展 曰新月异，显示技术领域也在发生一场革命，各种新型的平板显示技术(FPD) 应运而生。阴极射线管显示(CRT)存在体积大、功耗高和辐射性的缺点，逐渐 失去显示领域的霸主地位；而平板显示技术被誉为一种朝阳技术，是二十一世 纪显示技术发展的主流，因而受到了人们的广泛重视，它不仅要具有完美的显 示品质，而且需在体积、节能等方面有更多的改进。LCD、 PDP和0LED是平板 显示的三大主流，OLED显示器件，包括PLED (高分子有机电致发光显示)与 其它显示器件相比具有更大的优势，具体表现为工作电压低、制作成本低、能 耗小、更薄、亮度和清晰度更高等优点。柔板显示是0LED/PLED显示器件的发 展方向之一，但由于目前封装技术所存在的问题，影响了 0LED平板显示器件 的寿命。OLED器件的寿命一方面决定于所选用的有机材料，另一方面还取决于器件 的封装方、法；因为有机材料很不稳定，如果OLED器件封装不好，有机材料就 会与真空腔内的水蒸汽、氧气等气体发生反应，很容易就会失效，导致整个OLED器件寿命降低。因而，为使OLED在长期工作过程中的退化和失效得到抑制，稳 定工作达到足够的寿命，对封装材料的阻隔性有很高要求。发明内容本发明为了解决0LED/PLED显示器件寿命低的问题，提供了一种可显著提 高器件寿命的有机电致发光显示器的封装方法。为达到上述目的，本发明是采取如下技术方案予以实现的一种有机电致发光显示器的封装方法，其特征在于，先在玻璃基板上表面 自下而上依次设置IT0导电层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，所 述的阴极层设置用于与直流电压负极相连接的引出导体膜片，然后在阴极层表 面采用真空蒸镀、粒子溅射或M^溅射工艺形成一层薄膜封装层，该薄膜封装 层同时将空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层侧边密封。上述方案中，所述的薄膜封装层用在空气中比较稳定的材料硒、碲、锑等 通过真空蒸镀、粒子溅射或磁控溅射工艺形成；真空蒸镀时的真空度为1X10—3Pa 以下，真空蒸镀厚度为80nm以上。所述的阴极层由金属铝或者钙/铝、镁/银低 功函数材料制成。本发明在0LED/PLED阴极的外面通过高真空条件下的真空蒸镀、粒子溅射、 磁控溅射等成膜方法制备一层致密、不易氧化的薄膜封装层，实现对显示器件 的封装，减少水、氧等对于器件内部的侵蚀，形成对阴极、有机材料的有效保 护，使OLED在长期工作过程中的退化和失效得到抑制，实现稳定工作达到足够 的寿命。
图1是一种有机电致发光显示器采用本发明方法薄膜封装后的结构图。具体实Jfe^式下面结合附图及实施例对本发明作进一步的详细说明。如图l所示， 一种有机电致发光显示器的封装方法，先在玻璃基板6上表 面自下而上依次设置IT0 (氧化铟与氧化锡复合膜材)导电层5、空穴传输层4、 发光层(荧光材料)3、电子传输层2和由金属铝或者钙/铝、镁/银等低功函数 材料制成阴极层1，再在阴极层1上设置用于与直流电压负极相连接的引出导体 膜片，然后在阴极层1表面采用真空蒸镀、粒子溅射或磁控溅射工艺形成一层 薄膜封装层7，该薄膜封装层7同时将空穴传输层4、发光层3、电子传输层2 和阴极层1侧边密封。薄膜封装层7可用在空气中比较稳定的材料，如硒、碲、 锑等，通过真空蒸镀、粒子溅射或磁控溅射工艺形成。这些薄膜材料具有对水 气、氧气等良好的阻隔性。本发明一个具体实施例为采用常规制备工艺分别在玻璃基板6上表面自下 而上依次设置IT0导电层5、空穴传输层4、发光层3、电子传输层2和由金属铝材料制成阴极层1,然后在真空室内金属阴极1上原位直接用硒材料通过真空 蒸镀工艺蒸镀形成薄膜封装层7，真空蒸镀时的真空度为1X10—3Pa以下；真空 蒸镀后薄膜封装层7的厚度为80nm。封装完毕后，ITO导电层5和阴极层1分别与直流电压的正负电极相连。本发明从提高OLED封装的阻隔性，延长OLED器件寿命出发，通过在完成各功能层设置以后，在真空室内金属阴极上原位直接蒸镀薄膜封装层，不但简 化了生产工艺，更有效的延长了OLED器件的寿命。
权利要求
1.一种有机电致发光显示器的封装方法，其特征在于，先在玻璃基板上表面自下而上依次设置ITO导电层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，所述的阴极层设置用于与直流电压负极相连接的引出导体膜片，然后在阴极层表面采用真空蒸镀、粒子溅射或磁控溅射工艺形成一层薄膜封装层，该薄膜封装层同时将空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层侧边密封。
2. 如权利要求1所述的有机电致发光显示器的封装方法，其特征在于，所 述的薄膜封装层用硒、碲、锑之一的材料通过真空蒸镀、粒子溅射或磁控溅射 工艺形成。
3. 如权利要求2所述的有机电致发光显示器的封装方法，其特征在于，所 述薄膜封装层用硒通过真空蒸镀工艺形成，真空蒸镀时的真空度为lX10，a以 下。
4. 如权利要求3所述的有机电致发光显示器的封装方法，其特征在于，所 述的薄膜封装层的真空蒸镀厚度至少为80nm。
5. 如权利要求1-4任一项所述的有机电致发光显示器的封装方法，其特征在于，所述的阴极层由金属铝或者钙/铝、m/银低功函数材料制成。
全文摘要
本发明公开了一种可显著提高器件寿命的有机电致发光显示器的封装方法其特征在于，先在玻璃基板上表面自下而上依次设置ITO导电层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层，所述的阴极层设置用于与直流电压负极相连接的引出导体膜片，然后在阴极层表面采用真空蒸镀、粒子溅射或磁控溅射工艺形成一层薄膜封装层，该薄膜封装层同时将空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层侧边密封。
文档编号H05B33/10GK101217837SQ20071030773
公开日2008年7月9日 申请日期2007年12月26日 优先权日2007年12月26日
发明者张志刚, 张方辉, 欣 李, 强 牟, 矫士博 申请人:陕西科技大学;彩虹集团公司
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