印刷电路板和半导体封装及其制造方法及电气和电子设备的制作方法

专利名称：：印刷电路板和半导体封装及其制造方法及电气和电子设备的制作方法
技术领域：
：本发明构思涉及一种半导体封装，更具体地，涉及一种包括一层布线图案(one-layerwirepattern)的印刷电路板(PCB)、制造该PCB的方法、包括该PCB的半导体封装以及制造该半导体封装的方法。
背景技术：
：通常，通过在晶片上进行各种半导体制造工艺，从晶片制造多个半导体芯片。此后，为了在PCB上安装每个半导体芯片，通过在晶片上进行封装工艺来封装半导体芯片。半导体封装可以包括半导体芯片、其上安装半导体芯片的PCB、将半导体芯片电连接到PCB的键合线(bondingwire)或凸块(bump)以及密封半导体芯片的密封构件。近来，由于半导体芯片被高度集成，所以半导体芯片的尺寸减小，因而半导体封装也小型化，允许诸如芯片级封装(CSP)或晶片级封装(WLP)。PCB的成本占据半导体封装的材料成本的很大一部分，从而增加了半导体封装的总成本。
发明内容本发明构思提供包括一层布线图案的印刷电路板(PCB)、包括该印刷电路板的半导体封装、包括该半导体封装的电气和电子设备(electricalandelectronicapparatus)、制造该印刷电路板的方法和制造该半导体封装的方法，通过简化印刷电路板的结构，该印刷电路板具有低的处理成本和高产量，并且在进行倒装芯片键合工艺时能够提高微凸块(minutebump)的可靠性和连接特性。根据本发明构思的一个方面，提供了一种包括布线图案的印刷电路板(PCB)，通过简化印刷电路板的结构，该印刷电路板具有低的处理成本和高产量，并且在进行倒装芯片键合工艺时能够提高微凸块的可靠性和连接特性。该PCB包括体树脂层，具有下表面和上表面；布线图案，在体树脂层的上表面和下表面之一上或在体树脂层的上表面和下表面之一内；至少一个通孔接触(through-holecontact)，从布线图案穿过体树脂层延伸；以及阻焊剂，在体树脂层的上表面和下表面上，阻焊剂的开口对应于焊料球焊盘(solderballland)和凸块焊盘(bumpland)中至少之一，焊料球焊盘和凸块焊盘配置为将印刷电路板耦接至一装置。该装置可以是半导体芯片或主板。也就是，半导体芯片通过凸块焊盘上的凸块耦接到PCB，主板通过焊料球焊盘上的焊料球耦接到PCB。如果焊料球焊盘在所述一层布线图案上，则凸块焊盘位于通孔接触上，而如果凸块焊盘在布线图案上，则焊料球焊盘位于通孔接触上。当所述一层布线图案在体树脂层的下表面上，则通孔接触可以从体树脂层的上表面突出。所述一层布线图案可以是掩埋型，其中该一层布线图案形成在体树脂层中，或者所述一层布线图案可以是正常型，其中该一层布线图案形成在体树脂层的外侧。根据本发明构思的一个方面，提供了一种半导体封装，包括半导体芯片；所述印刷电路板(PCB)，半导体芯片通过使用引线键合法或倒装芯片键合法结合到PCB上；以及密封半导体芯片的密封构件。填充在半导体芯片与PCB之间的空间内的密封构件可以与覆盖半导体封装的外侧的密封构件相同，因为半导体封装通过使用模塑底部填充(moldedunderfill,MUF)工艺形成。密封构件可以包括覆盖半导体芯片的外侧的外部密封树脂以及填充在半导体芯片与PCB之间的空间中的底填充物(underfill)。根据本发明构思的一个方面，提供了一种电气和电子设备，包括输入/输出单元，配置为接收和输出数据；接口单元，配置为接收和传输数据；存储单元，配置为存储数据；控制单元，配置为至少控制输入/输出单元和接口单元；以及总线，配置为在输入/输出单元、接口单元、存储单元和控制单元之间传输数据。接口单元、存储单元和控制单元中的至少之一包括半导体封装。根据本发明构思的一个方面，提供了一种制造印刷电路板(PCB)的方法，包括形成至少一个金属膜；在金属膜上形成布线图案；在布线图案的一部分上形成至少一个通孔接触；在至少一个通孔接触和布线图案上形成体树脂层；除去至少一个金属膜；以及在体树脂层的上表面和下表面上涂敷阻焊剂。布线图案和通孔接触可以通过使用镀敷法(platingmethod)形成。体树脂层的形成可以包括将体树脂层挤压到通孔接触和布线图案的上表面上，使得通孔接触穿过体树脂层。金属膜的形成可以包括在粘结层的两个表面上形成两个金属膜以制造两个PCB。这样，当制造两个PCB时，在从形成布线图案到形成体树脂的工艺中，可以对每个金属膜进行相同的工艺，该方法还可以包括在除去金属膜之前除去粘结层。根据本发明构思的一个方面，提供了一种制造半导体封装的方法，包括形成PCB；通过使用引线键合法或倒装芯片键合法在PCB上安装半导体芯片；以及形成密封构件以密封半导体芯片。在半导体芯片的安装中，当半导体芯片通过使用倒装芯片键合法安装时，半导体芯片可以通过使用凸块焊盘中的微凸块而与通孔接触结合。根据本发明构思的另一方面，提供了一种制造至少两个印刷电路板(PCB)的方法，包括在粘结膜的一侧上形成第一金属膜；在粘结膜的第二侧上形成第二金属膜；在第一金属膜和第二金属膜上分别形成布线图案；在布线图案的部分上形成通孔接触；在第一金属膜和第二金属膜上分别形成体树脂层；以及除去粘结膜。通过下面结合附图的详细描述，本发明构思的示例实施例将被更清楚地理解，在附图中图1是根据本发明构思的示例实施例的包括一层布线图案的印刷电路板(PCB)的截面图；图2是根据本发明构思的示例实施例的半导体封装的截面图；图3A和图3B是根据本发明构思的另一示例实施例的半导体封装的截面图；图4A和图4B是根据本发明构思的另一示例实施例的半导体封装的截面图；图5是根据本发明构思的另一示例实施例的半导体封装的截面图6是根据本发明构思的示例实施例的电气和电子设备的方框图；图7A至图7F是示出根据本发明构思的示例实施例的PCB的制造方法的截面图；图8A至图8G是示出根据本发明构思的另一示例实施例的PCB的制造方法的截面图；以及图9A至图9D是示出根据本发明构思的示例实施例的半导体封装的制造方法的截面图。具体实施例方式参照附图以获得对本发明构思、其优点以及实施本发明构思所实现的目的的充分理解，附图示出本发明构思的示例实施例。在下文，将通过参照附图解释示例实施例来详细描述本发明构思。在附图中，为了清楚可以夸大层和区域的长度和尺寸。在附图中相同的附图标记代表相同的元件。应当理解，尽管这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但是这些元件不应受限于这些术语。这些术语用于将一个元件与另一个元件区别开。因而，下面所讨论的第一元件可以被称为第二元件，而不背离本发明构思的教导。应当理解，当称诸如层、区域或基板的元件在另一元件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时，它可以直接在另一元件上、直接连接到或耦接到另一元件，或者还可以存在插入的元件或层。相反，当称一个元件“直接在”另一元件或层上、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在插入的元件或层。相同的附图标记始终指代相同的元件。如此处所用的，术语“和/或”包括一个或多个所列相关项目的任何及所有组合。这里所用的术语仅是为了描述特定示例实施例，并非要限制本发明构思。如此处所用的，除非上下文另有明确表述，否则单数形式“一”和“该”均同时旨在包括复数形式。还应当理解，术语“包括”和/或“包含”，当在本说明书中使用时，指定了所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或增加。除非另行定义，此处使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有本发明构思所属领域内的普通技术人员所通常理解的同样的含义。还应当理解，诸如通用词典中所定义的术语，除非此处加以明确定义，否则应当被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义相一致的含义，而不应被解释为理想化的或过度形式化的意义。图1是根据本发明构思的示例实施例的包括一层布线图案的印刷电路板(PCB)100的截面图。参照图1，PCB100包括体树脂110、布线图案120、通孔接触122和阻焊剂130a和130b。体树脂110可以是预浸树脂(pr印regresin)，其是通过将热固树脂浸入玻璃纤维中而形成的半硬化状态的树脂。然而，体树脂110不限于预浸树脂，可以通过使用各种其他树脂中的任何一种而形成。例如，体树脂110可以由包括热固环氧树脂、热塑环氧树脂或填充剂的树脂形成。布线图案120形成在体树脂110的上表面和下表面之一上。这样，布线图案形成在体单元上(例如形成在体树脂的一个表面上)的结构被称为一层布线图案。然而，布线图案形成在体树脂的两个表面上的结构被称作两层布线图案。根据本发明构思的示例实施例的PCB100具有一层布线图案，其中布线图案120形成在体树脂110的一个表面上。如图1所示，布线图案120可以是掩埋型，也就是布线图案120形成在体树脂110中。然而，根据本发明构思的示例实施例的布线图案120不限于此，可以是正常型，也就是布线图案120形成在体树脂110上。如将参照图7A至图7F和/或参照图8A至图8G描述的，布线图案120可以通过镀敷法形成为具有在金属薄膜上的形状，对应于体树脂110的预浸树脂通过将预浸树脂挤压到布线图案120上而与布线图案120结合。然而，形成布线图案120的方法不限于此，例如布线图案120可以通过使用光致抗蚀剂(PR)图案蚀刻镀敷或沉积在体树脂110的整个表面上的金属薄膜而形成。通孔接触122形成在布线图案120的被选择的图案区域上，并且可以形成为从布线图案120的被选择的图案区域穿过体树脂110延伸。也就是，当布线图案120形成在体树脂110的上表面上时，通孔接触122可以通过从布线图案120延伸而形成为穿过体树脂110延伸，使得通孔接触122的表面暴露在体树脂110的下表面上。如图7A至图7F和/或图8A至图8G所示，在通过使用镀敷法使布线图案120形成在金属薄膜上并且通孔接触122形成在部分布线图案120上之后，可以通过将包括布线图案120和通孔接触122的所得产物结合到对应于体树脂110的预浸树脂上而实现PCB100。然而，形成通孔接触122的方法不限于此。例如，在通过使用ra图案掩模将用于形成通孔接触122的过孔(viahole)形成在体树脂110的与形成有布线图案120的表面相反的表面上之后，可以通过用金属材料填充该过孔而形成通孔接触122。阻焊剂130a和130b可以形成在体树脂110的上表面和下表面上。多个开口H形成在阻焊剂130a和130b的区域上，开口H可以形成在凸块焊盘上和焊料球焊盘上，在后续工艺中，半导体芯片将结合到凸块焊盘，焊料球将结合到焊料球焊盘。在本发明构思的当前示例实施例中，当布线图案120形成在体树脂110的将结合半导体芯片的上表面上时，凸块焊盘可以形成在体树脂Iio的形成有布线图案120的上表面上，焊料球焊盘可以形成在体树脂110的暴露通孔接触122的下表面上。然而，当布线图案120形成在体树脂110的将结合焊料球的下表面上时，焊料球焊盘可以形成在体树脂110的形成有布线图案120的下表面上，凸块焊盘形成在体树脂110的暴露通孔接触122的上表面上。当布线图案120形成在体树脂110的将结合焊料球的下表面上并且半导体芯片通过使用倒装芯片键合法结合在体树脂110的上表面上时，通孔接触122可以形成为从体树脂110的上表面突出。这样，通孔接触122具有从体树脂110的上表面突出的结构，因此当通孔接触122通过使用倒装芯片键合法与半导体芯片结合时，通孔接触122与半导体芯片之间的凸块连接特性(bumpjoiningcharacteristic)提高，由此提高半导体封装的可靠性。在根据本发明构思的示例实施例的PCB100中，布线图案形成在体树脂的表面之一上，并且通孔接触通过从布线图案穿过体树脂延伸而形成到相反的表面。因此，可以实现具有简单结构的PCB100。也就是，在常规的双层布线图案中，布线图案形成在PCB主体的两个表面上并且金属接触连接布线图案，复杂的制造工艺导致高的PCB成本。具体地，用于形成金属接触的过孔的工艺具有高成本，并且与可靠性问题有关，产量降低。然而，根据本发明构思的示例实施例的PCB100具有一层布线图案，其具有相对简单的结构，因此具有简单的制造工艺，因而可以降低PCB制造成本。如图7A至图7F和/或图8A至图8G所示，PCB100可以容易地被制造，也就是布线图案120和通孔接触122通过使用镀敷法形成，并且PCB100通过以压力将布线图案120和通孔接触122结合到对应于体树脂110的预浸树脂而简单地形成。因此，不需要进行用于形成过孔的工艺，从而降低了PCB制造成本并解决低产量问题。图2是根据本发明构思的示例实施例的半导体封装1000的截面图。参照图2，半导体封装1000包括PCB100’、半导体芯片200、密封构件300和焊料球400。PCB100’包括参照图1所述的一层布线图案。也就是，PCB100’包括体树脂110、布线图案120、通孔接触122以及阻焊剂130a和130b。PCB100’具有这样的结构，其中布线图案120形成在体树脂110的上表面上，并且通孔接触122从布线图案120穿过体树脂110延伸并暴露在体树脂110的下表面上。当然，与此相反，PCB100’可以具有这样的结构，其中布线图案120形成在体树脂的下表面上，并且通孔接触122可以通过体树脂110暴露在体树脂110的上表面上。半导体芯片200通过使用粘结剂220与PCB100’结合，形成在半导体芯片200中的电子器件通过键合引线230和连接引线240电连接到PCB100’的布线图案120。半导体芯片200可以是诸如动态随机存取存储器(DRAM)或闪存的存储芯片，或者是构成控制器的逻辑芯片。由于半导体芯片200通过键合引线230连接到PCB100’，所以用于减小接触电阻的镀金衬垫140可以形成在布线图案120的被开口H暴露的上表面上。密封构件300通过密封半导体芯片200而保护半导体芯片200免受外部影响。密封构件300可以由热固环氧树脂或热塑环氧树脂形成。焊料球400形成在PCB100’的下表面的焊料球焊盘中，并且从布线图案120穿过体树脂Iio延伸的通孔接触122的表面暴露在焊料球焊盘中。焊料球400可以与通孔接触122的被暴露的表面结合。与经由键合引线230的结合类似，用于减小接触电阻的镀金衬垫140可以形成在通孔接触122的被暴露的表面上。在本发明构思的当前示例实施例中，半导体芯片经由键合引线安装在图2的PCB100’上，因此可以容易地实现半导体封装。图3A和图3B是根据本发明构思的另一示例实施例的半导体封装1000a的截面图。参照图3A，半导体封装1000a包括PCB100”、半导体芯片200、密封构件300和焊料球400。PCB100”包括参照图1描述的一层布线图案。然而，与图2的半导体封装1000不同，半导体芯片200经由倒装芯片键合法与PCB100”结合。因此，适合于倒装芯片键合的布线图案120形成在体树脂110的上表面上。也就是，在图2的半导体封装1000中，布线图案120的在PCB100’两侧的部分被敞开；然而，在半导体封装1000a中，布线图案120的中心部分被敞开用于倒装芯片键合。通常，在倒装芯片键合的情形下，布线图案120的通过凸块250与半导体芯片结合的部分被称作凸块焊盘B。半导体芯片200通过如上所述的倒装芯片键合法与PCB100”结合，也就是，半导体芯片200的主表面通过凸块250与PCB100”结合。图3B示出半导体芯片200通过凸块250与PCB100”结合的具体结构。与图2中的半导体封装1000类似，密封构件300阻挡并保护半导体芯片200不受外部的影响，并可以由热固环氧树脂或热塑环氧树脂形成。与半导体封装1000的情况类似，在当前示例实施例中，密封构件300可以通过使用模塑底部填充(moldedunderfill,MUF)工艺形成。这里，MUF工艺指这样的工艺，其中不仅半导体芯片200的外侧区域而且半导体芯片200与PCB100”之间的空间都用密封构件300填充，没有额外进行填充工艺，这样半导体芯片200与PCB100”之间的空间被底填充物(underfill)填充。当密封构件300通过使用MUF工艺形成时，覆盖半导体芯片200的外侧区域的密封构件300由与填充在半导体芯片200与PCB100”之间的空间的密封构件300相同的材料形成。然而，密封构件300可以通过使用常规工艺而不是MUF工艺形成。也就是，在半导体芯片200与PCB100”之间的空间用底填充物填充之后，可以通过使用外部密封树脂进行覆盖半导体芯片200的外侧区域的工艺而形成密封构件300。这里，填充半导体芯片200与PCB100”之间的空间的底填充物可以与覆盖半导体芯片200的外侧区域的外部密封树脂相同，或者可以不同。如图2的半导体封装1000所示，焊料球400形成在PCB100”的下表面上的焊料球焊盘A中。也就是，焊料球400与从布线图案120穿过体树脂110延伸的通孔接触122的暴露表面结合。在图3B中，没有包括镀金衬垫；然而，也可以在通孔接触122的暴露表面上形成用于减小接触电阻的镀金衬垫。图3B示出其中半导体芯片200通过凸块250与PCB100结合的具体结构。这里，凸块250可以包括微凸块(minutebump)252和凸块衬垫(bumppad)254。凸块衬垫254可以具有这样的结构，其中凸块衬垫254与半导体芯片200的衬垫或半导体芯片衬垫上的下部凸块金属(underbumpmetal,UBM)结合。凸块250通过形成在布线图案120上的凸块焊盘B与布线图案120结合。在根据本发明构思的示例实施例的半导体封装1000a中，如图3B所示，半导体芯片200和PCB100”的结合高度可以等于凸块250的高度hi，也就是微凸块252和凸块衬垫254的高度之和。具有上述结构的半导体封装1000a的高度取决于凸块250的高度。在具有上述结构的半导体封装1000a中，由于布线图案120在体树脂110的上表面上形成为掩埋结构，所以凸块焊盘结构可以具有“掩埋(buried)+阻焊剂定义(soldermaskdefined,SMD)”结构。图4A和图4B是根据本发明构思的另一示例实施例的半导体封装IOOOb的截面图。参照图4A，半导体封装IOOOb包括PCB100a、半导体芯片200、密封构件300和焊料球400。PCBIOOa具有与图3A的PCB100”不同的结构。也就是，在PCBIOOa中，布线图案120形成在体树脂110的下表面上，因此与焊料球结合的焊料球焊盘A’形成在布线图案120上。此外，将与半导体芯片200结合的凸块焊盘B’形成在从布线图案120穿过体树脂110延伸的通孔接触122’上。这样，当凸块焊盘B’形成在通孔接触122上时，如图4A所示，通过增加通孔接触122’的高度，通孔接触122’能够形成为从体树脂110的上表面突出。当通孔接触122’从体树脂110的上表面突出时，能够提高凸块250的连接特性。关于半导体封装IOOOb没有描述的元件与图3A的半导体封装1000a的元件相同或相似，因此将不重复其描述。参照图4B，根据当前示例实施例的半导体封装IOOOb具有这样的结构，其中通孔接触122’从体树脂110的上表面突出。因此，当半导体芯片200通过使用倒装芯片键合法与PCBIOOa结合时，能够提高凸块250的连接特性。而且，如图4B所示，半导体芯片200与PCBIOOa的结合高度可以为高度h2，高度h2等于凸块250的厚度与通孔接触122’的突出高度之和，并且高度h2可以大于图3B的高度hi。因此，能够容易地进行底部填充工艺，半导体芯片200与PCBIOOa之间的空间能够在MUF工艺中被充分地填充，也就是能够提高MUF处理能力，从而提高半导体封装IOOOb的可靠性。这里，通孔接触122’突出到与上阻焊剂130a相同的高度，因此凸块焊盘结构能够具有非阻焊剂定义(non-soldermaskdefined)结构。因此，即使当倒装芯片键合法应用到具有非常精细尺寸的精细节距凸块时，也能够毫无问题地实现半导体封装1000b。图5是根据本发明构思的另一示例实施例的半导体封装1000c的截面图。参照图5，半导体封装1000c具有与图3A的半导体封装1000a基本上相同的结构。如参照图3A的半导体封装1000a所述的，密封构件300通过彼此单独地形成的底填充物310和外部密封构件320形成。通常，底填充物310和外部密封构件320由彼此不同的材料形成；然而，它们可以由相同的材料形成。这样，包括底填充物310和外部密封构件320的密封构件300不仅能够应用到图3A的半导体封装1000a的结构，而且能够应用到图4A的半导体封装IOOOb的结构。图6是根据本发明构思的示例实施例的电气和电子设备500的方框图。参照图6，电气和电子设备500包括控制单元510、输入/输出单元520、存储单元530、接口单元540和总线550。控制单元510、输入/输出单元520、存储单元530和接口单元540通过总线550彼此连接。控制单元510可以包括例如微处理器、数字信号处理器和微控制器中的至少之ο输入/输出单元520可以从电气和电子设备500的外部接收数据或信号，或者可以输出数据或信号到电气和电子设备500的外部。输入/输出单元520可以包括键盘、键区(keypad)或显示器件。存储单元530可以存储由控制单元510指示的命令，并可以包括诸如DRAM和闪存的各种存储器。接口单元540可以通过与网络通讯而交换数据。在根据当前示例实施例的电气和电子设备500中，控制单元510、存储单元530和接口单元540中至少之一可以由半导体封装1000、1000a、IOOOb和IOOOc中之一形成。也就是，分别在图2至图5中的每个半导体封装1000、1000a、1000b和1000c可以是用于存储芯片或逻辑芯片的半导体封装，该存储芯片或逻辑芯片构成控制单元510、存储单元530和接口单元540中至少之一。根据当前示例实施例的电气和电子设备500能够用于移动系统，例如PDA、便携式电脑、网络写字板(webtablet)、无线电话、手机、数字音乐发生器、存储卡和数据传输或接收器。图7A至图7F是示出根据本发明构思的示例实施例的PCB的制造方法的截面图。参照图7A，布线图案120形成在充当载体的金属薄膜105上。金属薄膜105可以是铜薄膜或镀铜薄膜。金属薄膜105也可以由不同的材料形成。布线图案120可以通过使用掩模的镀敷形成为具有期望的图案。然而，布线图案120也可以通过使用不同于镀敷法的方法形成。布线图案120可以由与用于形成金属薄膜105的材料相同的材料形成，例如铜，但不限于此。布线图案120也可以由与用于形成金属薄膜105的金属不同的金属形成。参照图7B，通孔接触122形成在布线图案120的被选择的部分上。通孔接触122可以形成为具有考虑到体树脂厚度的适当的高度，该体树脂在后续工艺中将会与通孔接触122结合。例如，与图3A的半导体封装1000a相似，当通孔接触122的上表面用作焊料球焊盘时，通孔接触122可以形成为使得布线图案120和通孔接触122的结合高度与体树脂110的厚度相似。而且，与图4A的半导体封装IOOOb相似，当通孔接触122的上表面用作凸块焊盘时，由于通孔接触122可以从体树脂110突出，所以通孔接触122可以形成为使得布线图案120与通孔接触122的结合高度大于体树脂110的厚度。通孔接触122可以通过使用镀敷法由与用于形成布线图案120的材料相同的材料也就是铜形成。然而，方法和材料不限于镀敷法和铜，也就是，通孔接触122可以通过使用其他材料和方法形成。参照图7C和图7D，通过将通孔接触122用力挤压到体树脂110上直到通孔接触122穿过体树脂110，形成所得产物。在图7D中，布线图案120和通孔接触122都插入到体树脂110中；然而，在一些情形中，可以仅通孔接触122插入到体树脂110中。当仅通孔接触122插入到体树脂110中时，仅通孔接触122的高度相对于体树脂110的厚度来考虑，此外，布线图案120之间的空间可以被材料预填充以具有与布线图案120相同的厚度。如上所述，当通过将布线图案120插入到体树脂110中而在体树脂110内形成布线图案120时，布线图案120是掩埋型布线图案；当布线图案120形成在体树脂110的表面上而没有插入到体树脂110中时，布线图案120是正常型布线图案。这里，体树脂110可以由预浸树脂或各种其他树脂中的任何一种形成。例如，体树脂110可以由包含热固环氧树脂或热塑环氧树脂或填充剂的树脂形成。参照图7E，当体树脂110与布线图案120和通孔接触122完全地结合时，通过蚀刻除去体树脂110上的金属薄膜105。参照图7F，在除去金属薄膜105之后，形成阻焊剂130a和130b以完全覆盖体树脂110的上表面和下表面。此后，暴露通孔接触122和布线图案120的表面的开口H形成在体树脂110的将形成焊料球焊盘和凸块焊盘的位置上。如果需要，镀金衬垫可以形成在由开口H暴露的通孔接触122的表面上或布线图案120的表面上。如上所述，焊料球焊盘和凸块焊盘之一可以形成在布线图案120上，而另一个可以形成在通孔接触122上。具体地，当通孔接触122’如图4A所示从体树脂110的上表面突出时，焊料球焊盘可以形成在布线图案120上而凸块焊盘可以形成在通孔接触122’上。图8A至图8G是示出根据本发明构思的另一示例实施例的PCB的制造方法的截面图。该方法展示了在单个工艺中制造两个PCB。参照图8A，作为载体的金属薄膜10和10形成在粘结层101的两个表面上。如上所述，金属薄膜105a和105b可以是铜薄膜或镀铜薄膜，但是不限于此。参照图8B，布线图案120a和120b分别形成在金属薄膜105a和105b上。布线图案120a和120b可以通过使用镀敷工艺由与金属薄膜105a和105b相同的材料例如铜形成；然而，材料和方法不限于此。参照图8C，通孔接触122a和122b分别形成在部分布线图案120a和120b上。通孔接触122a和122b可以通过使用镀敷工艺由与用于形成布线图案120的材料相同的材料形成；然而，材料和方法不限于此。此外，通孔接触122a和122b的高度可以考虑体树脂110的厚度而被适当地控制。参照图8D，通过将通孔接触122a和122b用力挤压到体树脂IlOa和IlOb中，通孔接触122a和122b分别与例如预浸树脂的体树脂IlOa和IlOb结合。根据布线图案120a和120b是否插入到体树脂IlOa和IlOb中，布线图案120a和120b可以是掩埋型布线图案或正常型布线图案。体树脂IlOa和IlOb可以由预浸树脂形成，但不限于此。参照图8E，在体树脂IlOa和IlOb与布线图案120a和120b以及通孔接触122a和122b结合之后，在形成阻焊剂之前，通过除去粘结层101而制造两个初级PCB(pre-PCB)IOOp0在后续工艺中，用于两个初级PCBIOOp的工艺相同，因此，在下文将关于两个初级PCBIOOp中的一个来描述工艺。参照图8F，通过蚀刻除去初级PCBIOOp的下表面上的金属薄膜105a。参照图8G，在除去金属薄膜105a之后，阻焊剂130a和130b形成为完全覆盖体树脂IlOa的上表面和下表面。此后，暴露布线图案120a和通孔接触122a的开口H形成在焊料球焊盘和凸块焊盘将所在的位置上。根据本发明构思的示例实施例的制造PCB的方法能够在单个工艺中制造两个PCB，从而降低了工艺成本并提高生产率。图9A至图9D是示出根据本发明构思的示例实施例制造半导体封装的方法的截面图。参照图9A，形成包括一层布线图案的PCBIOOa0PCBIOOa能够通过参照图7A至图7F或图8A至图8G描述的工艺制造。在当前示例实施例中，通孔接触122’从体树脂110的上表面突出从而形成图4A所示的半导体封装IOOOb；然而，当形成类似于图3A的半导体封装1000a的半导体封装时，通孔接触122可以不从体树脂110的上表面突出。参照图9B，通过使用倒装芯片键合法(也就是通过凸块250)，半导体芯片200与PCBIOOa结合。在当前示例实施例中，使用倒装芯片键合法。然而，半导体芯片200也可以通过使用如图2所示的引线键合法与PCBIOOa结合。当半导体芯片200通过使用引线键合法与PCBIOOa结合时，布线图案120可以形成在体树脂110的上表面上，并且暴露布线图案120的开口可以形成在PCBIOOa两侧的外上表面(outer-uppersurface)上。此外，用于减小与键合线的接触电阻的镀金衬垫可以形成在布线图案120的暴露表面上。参照图9C，在半导体芯片200与PCBIOOa结合之后，通过使用密封构件300将半导体芯片200密封。如上所述，密封构件300可以通过使用MUF工艺形成，但不限于此。例如，在预先形成底填充物(其是常规方法)之后，可以通过使用外部密封树脂来密封半导体芯片200。参照图9D，在形成密封构件300之后，焊料球400形成在PCBIOOa的下侧上。焊料球400可以在将半导体封装安装在大的外部基板诸如系统板的后续工艺中使用。尽管已经参照本发明构思的示例实施例具体示出并描述了本发明构思，但是应当理解，可以在其中进行形式和细节上的各种变化而不脱离权利要求的精神和范围。本申请要求于2010年2月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2010-0017197的优先权，其全部内容通过引用结合于此。权利要求1.一种印刷电路板，包括体树脂层，具有下表面和上表面；布线图案，在所述体树脂层的所述上表面和所述下表面之一上或在所述体树脂层的所述上表面和所述下表面之一内；至少一个通孔接触，从所述布线图案穿过所述体树脂层延伸；以及阻焊剂，在所述体树脂层的所述上表面和所述下表面上，所述阻焊剂定义与焊料球焊盘和凸块焊盘中至少之一相对应的开口，所述焊料球焊盘和所述凸块焊盘配置为将所述印刷电路板耦接至一装置，其中如果所述焊料球焊盘在所述布线图案上，则所述凸块焊盘在所述至少一个通孔接触上，如果所述凸块焊盘在所述布线图案上，则所述焊料球焊盘在所述至少一个通孔接触上。2.根据权利要求1所述的印刷电路板，其中如果所述布线图案在所述体树脂层的所述上表面上，则所述凸块焊盘在所述布线图案中，而如果所述布线图案在所述体树脂层的所述下表面上，则所述焊料球焊盘在所述布线图案中。3.根据权利要求1所述的印刷电路板，其中如果所述布线图案在所述体树脂层的所述下表面上，则所述至少一个通孔接触从所述体树脂层的所述上表面突出。4.根据权利要求1所述的印刷电路板，其中所述体树脂层是包括预浸树脂、热固环氧树脂、热塑环氧树脂或填充剂中至少之一的树脂。5.一种半导体封装，包括印刷电路板，所述印刷电路板包括体树脂层，具有下表面和上表面；布线图案，在所述体树脂层的所述上表面和所述下表面之一上或在所述体树脂层的所述上表面和所述下表面之一内；至少一个通孔接触，从所述布线图案穿过所述体树脂层延伸；和阻焊剂，在所述体树脂层的所述上表面和所述下表面上，所述阻焊剂定义与焊料球焊盘和凸块焊盘中至少之一相对应的开口，所述焊料球焊盘和所述凸块焊盘配置为将所述印刷电路板耦接至一装置，其中如果所述焊料球焊盘在所述布线图案上，则所述凸块焊盘在所述至少一个通孔接触上，如果所述凸块焊盘在所述布线图案上，则所述焊料球焊盘在所述至少一个通孔接触上；半导体芯片，通过引线键合或倒装芯片键合连接到所述印刷电路板；以及密封构件，配置为密封所述半导体芯片。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中如果所述布线图案在所述体树脂层的所述上表面上，则所述凸块焊盘形成在所述布线图案中，而如果所述布线图案在所述体树脂层的所述下表面上，则所述焊料球焊盘在所述布线图案中。7.根据权利要求5所述的半导体封装，其中如果所述布线图案在所述体树脂层的所述下表面上，则所述至少一个通孔接触从所述体树脂层的所述上表面突出，并且所述半导体芯片通过所述凸块焊盘中的微凸块连接到所述至少一个通孔接触。8.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述密封构件是单一材料。9.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述密封构件包括覆盖所述半导体芯片的外侧的外部密封树脂以及在所述半导体芯片与所述印刷电路板之间的空间中的底填充物。10.根据权利要求5所述的半导体封装，其中焊料球形成在所述印刷电路板的下表面上的所述焊料球焊盘中。11.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述半导体芯片包括存储芯片和逻辑芯片中至少之一。12.一种电气和电子设备，包括输入/输出单元，配置为接收和输出数据；接口单元，配置为接收和发送所述数据；存储单元，配置为存储所述数据；控制单元，配置为至少控制所述输入/输出单元和所述接口单元；以及总线，配置为在所述输入/输出单元、所述接口单元、所述存储单元和所述控制单元之间传输所述数据；其中所述接口单元、所述存储单元和所述控制单元中至少之一包括半导体封装，该半导体封装具有印刷电路板，该印刷电路板包括体树脂层，具有下表面和上表面；布线图案，在所述体树脂层的所述上表面和下表面之一上或在所述体树脂层的所述上表面和下表面之一内；至少一个通孔接触，从所述布线图案穿过所述体树脂层延伸；和阻焊剂，在所述体树脂层的所述上表面和所述下表面上，所述阻焊剂定义与焊料球焊盘和凸块焊盘中至少之一相对应的开口，所述焊料球焊盘和所述凸块焊盘配置为将所述印刷电路板耦接至一装置，其中如果所述焊料球焊盘在所述布线图案上，则所述凸块焊盘位于所述至少一个通孔接触上，如果所述凸块焊盘在所述布线图案上，则所述焊料球焊盘位于所述至少一个通孔接触上；和半导体芯片，通过引线键合或倒装芯片键合连接到所述印刷电路板；和密封构件，配置为密封所述半导体芯片。13.一种制造印刷电路板的方法，包括形成至少一个金属膜；在所述至少一个金属膜上形成布线图案；在所述布线图案的一部分上形成至少一个通孔接触；在所述至少一个通孔接触和所述布线图案上形成体树脂层；除去所述至少一个金属膜；以及在所述体树脂层的上表面和下表面上涂敷阻焊剂。14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述布线图案和形成所述至少一个通孔接触包括镀敷。15.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述至少一个金属膜包括在粘结层的两个表面上形成两个金属膜。16.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述体树脂层包括将所述体树脂层挤压到所述布线图案和所述至少一个通孔接触的上表面上，使得所述至少一个通孔接触穿过所述体树脂层。17.根据权利要求13所述的方法，还包括在所述布线图案中形成焊料球焊盘或凸块焊盘，其中，如果所述焊料球焊盘形成在所述布线图案中，则所述至少一个通孔接触的暴露表面对应于所述凸块焊盘，而如果所述凸块焊盘形成在所述布线图案中，则所述至少一个通孔接触的暴露表面对应于所述焊料球焊ο18.根据权利要求17所述的方法，其中如果所述至少一个通孔接触的暴露表面对应于所述凸块焊盘，则形成所述至少一个通孔接触将所述至少一个通孔接触形成为从所述体树脂层突出。19.根据权利要求13所述的方法，其中涂敷所述阻焊剂包括形成对应于焊料球焊盘或凸块焊盘的开口。20.根据权利要求13所述的方法，其中所述体树脂层包括预浸树脂、热固环氧树脂、热塑环氧树脂或填充剂。21.一种制造半导体封装的方法，包括形成印刷电路板，所述印刷电路板的形成包括形成至少一个金属膜；在所述至少一个金属膜上形成布线图案；在部分所述布线图案上形成至少一个通孔接触；在所述至少一个通孔接触和所述布线图案上形成体树脂层；除去所述至少一个金属膜；和在所述体树脂层的上表面和下表面上涂敷阻焊剂；通过引线键合或倒装芯片键合在所述印刷电路板上安装半导体芯片；和形成密封构件以密封所述半导体芯片。22.根据权利要求21所述的方法，其中形成所述密封构件包括模塑底部填充工艺。23.根据权利要求21所述的方法，其中形成所述密封构件包括在所述半导体芯片与所述印刷电路板之间的空间中填充底填充物；和形成密封所述半导体芯片的外侧的外部密封树脂。24.根据权利要求21所述的方法，其中如果所述半导体芯片通过倒装芯片键合法安装，则安装所述半导体芯片包括使用凸块焊盘将所述半导体芯片与所述至少一个通孔接触纟口口。25.根据权利要求21所述的方法，还包括在形成所述密封构件之后在焊料球焊盘中形成焊料球。26.根据权利要求21所述的方法，其中形成所述布线图案和形成所述至少一个通孔接触包括镀敷。27.根据权利要求21所述的方法，其中形成所述至少一个金属膜包括在粘结层的两个表面上形成两个金属膜。28.根据权利要求21所述的方法，其中形成所述体树脂层包括将所述体树脂层挤压到所述布线图案和所述至少一个通孔接触的上表面上，使得所述至少一个通孔接触穿过所述体树脂层。29.一种制造至少两个印刷电路板的方法，包括在粘结膜的第一侧上形成第一金属膜；在所述粘结膜的第二侧上形成第二金属膜；在所述第一金属膜和所述第二金属膜上分别形成布线图案；在部分所述布线图案上形成通孔接触；在所述第一金属膜和所述第二金属膜上分别形成体树脂层；和除去所述粘结膜。30.根据权利要求29所述的方法，还包括在除去所述粘结膜之后除去所述第一金属膜和所述第二金属膜。31.根据权利要求30所述的方法，还包括在所述体树脂层的上表面和下表面上涂敷阻焊剂。全文摘要本发明提供了印刷电路板(PCB)和半导体封装及其制造方法及电气和电子设备。该PCB包括布线图案，通过简化PCB的结构，该PCB具有低的处理成本和高产量，并且在进行倒装芯片键合工艺时能提高微凸块的可靠性和连接特性。该PCB包括具有上表面和下表面的体树脂层；布线图案，在体树脂层的上表面和下表面之一上或中；至少一个通孔接触，从布线图案穿过体树脂层延伸；以及阻焊剂，在体树脂层的上表面和下表面上，阻焊剂的开口对应于焊料球焊盘和凸块焊盘中的至少一个，焊料球焊盘和凸块焊盘配置为将PCB耦接到半导体芯片。如果焊料球焊盘在该一层布线图案上，则凸块焊盘在通孔接触上，如果凸块焊盘在该布线图案上，则焊料球焊盘在通孔接触上。文档编号H05K1/11GK102196663SQ20111004601公开日2011年9月21日申请日期2011年2月25日优先权日2010年2月25日发明者朴泰成,李镕官,金沅槿申请人:三星电子株式会社