镀膜静电消除装置的制作方法
专利名称：镀膜静电消除装置的制作方法
技术领域：
本发明属于镀膜技术领域，具体涉及一种镀膜静电消除装置。
背景技术：
镀铝产品膜上均附带静电离子，因原材料、涂层及环境温度、湿度等因素影响，镀铝时产生放静电火光使产品变形、膜邹及黑线条等现象，且在BOPP转移膜等非极性塑料薄膜上镀铝时会产生静电树纹，常用解决方法是增加一道电晕机处理，而增加电晕机后会使膜变形，速度只能达到60M/MIN，造成产品合格率与效率低下。
发明内容
本发明所要解决的技术问题便是针对上述现有技术的不足，提供一种镀膜静电消除装置，可有效解决镀铝产品变形、膜邹及黑线条等现象，提高产品合格率及生产效率。本发明所采用的技术方案是一种镀膜静电消除装置，包括真空镀膜室，所述真空镀膜室内设有放卷气涨轴、导辊和镀膜辊，所述放卷气涨轴上有原膜，所述原膜穿过导辊进入镀膜辊后收卷，所述真空镀膜室内安装有阳极膜线性离子源，该阳极膜线性离子源的正面发射沟道朝向所述原膜所在平面，所述阳极膜线性离子源连接高纯氩气瓶。作为优选，所述阳极膜线性离子源为⑶NY-YJM1000。作为优选，所述阳极膜线性离子源的正面发射沟道上安装挡板。作为优选，所述阳极膜线性离子源安装在放卷气涨轴与第一根导辊之间的原膜下方平行间距彡200mm以上。作为优选，所述阳极膜线性离子源的阴阳电极连接至离子源控制柜。作为优选，所述离子源控制柜上设有质量流量计。作为优选，所述质量流量计为日本山武质量流量计MPC9200BBRSW10000。作为优选，所述阳极膜线性离子源上连接冷却水源。作为优选，所述阳极膜线性离子源与所述高纯氩气瓶之间安装减压阀。本发明的有益效果在于本发明通过阳极膜线性离子源解决了镀铝产品变形、膜邹及黑线条等现象，使复合膜合格率83%提高到94%以上，并且解决了 BOPP转移膜的静电树纹，无需增加电晕机处理，避免膜变形，可有效去除膜表面的有机污染物及氧化层，直接联机处理速度可达到350M/MIN以上，提高生产效率及产品质量合格率。
图I为本发明结构示意 图2为本发明侧视图。图中1、真空镀膜室；2、放卷气涨轴；3、导辊；4、原膜；5、高纯氩气瓶；6、离子源控制柜；7、冷却水源；8、质量流量计；9、阳极膜线性离子源；10、挡板；11、镀膜辊。
具体实施例方式下面将结合附图及具体实施例对本发明作进一步详细说明。实施例一如图I和图2所示，一种镀膜静电消除装置，包括真空镀膜室1，所述真空镀膜室I内设有放卷气涨轴2、导辊3和镀膜辊11，所述放卷气涨轴2有原膜4，所述原膜4先经过阳极膜线性离子源9处理后穿入导辊3进入镀膜辊11再到收卷，所述真空镀膜室I内安装有阳极膜线性离子源9，该阳极膜线性离子源9的正面发射沟道朝向所述原膜4所在平面，如图2所示，所述阳极膜线性离子 源9安装在放卷气涨轴2与第一根导辊3之间的原膜4下方平行彡200mm位置，本实施例的阳极膜线性离子源9为⑶NY-YJM1000离子源。所述阳极膜线性离子源9连接高纯氩气瓶5，以接入高纯氩气，所述阳极膜线性离子源9与所述高纯氩气瓶5之间安装减压阀，将压力控制在2. OMpa0所述阳极膜线性离子源9的阴阳电极连接至离子源控制柜6，本实施例采用CDNY-DCM05控制柜，所述离子源控制柜6上设有质量流量计8，本实施例采用日本山武质量流量计MPC9200BBRSW10000，用于控制离子能量大小及真空度(下室为8. 0*10-2Pa，上室为5. 0*10_lPa)。所述阳极膜线性离子源9上连接冷却水源7，通18-28°C冷却水散热离子源磁场热能，控制频率、占空比、电流、电压及流量大小。所述阳极膜线性离子源9的阴阳电极线与高纯氩气瓶5和冷却水源7的连接线均由f 48_高真空波纹管导出真空镀膜室1，为避免漏真空，所述高真空波纹管通过法兰与密封垫圈与所述真空镀膜室I相连。所述阳极膜线性离子源9正面发射沟道上安装有挡板10，所述挡板10通过不锈钢支架连接。本发明的原理如下阳极膜离子源是一种具有闭合电子迁移和发射沟道的冷阴极离子源，其主要组成部分包括磁路、阴极、阳极、布气机构和驱动电源等部分。其中离子发射沟道和阳极被磁路所包围。放电沟道内具有很强的磁场，将电子约束在其中，在正的电子与气体发生碰撞时，气体电离为离子和电子。当直流正电位施加在阳极上时，阳极表面形成电场，在此电场作用下，离子被加速发射出放电沟道形成离子束，离子束对基材进行轰击清洗、消除正负静电离子等。其具体操作如下
1、打开冷却循环水，水温度控制在18-28°C之间；
2、将真空镀膜室抽至本地压强，下室8.0*10-2Pa，5. 0*10_lPa ；
3、旋开闻纯氩i气瓶开关，调压阀调至O.2kg ；
4、打开离子源电源上电空气开关；
5、设置氩气流量计参数，使真空镀膜室达到预定真空度；
6、镀铝蒸发舟调整好后，启动卷绕使膜慢慢走，防止电弧起辉时把膜烫断，再启动离子源控制电源；
7、将电流调节旋钮逐渐增加放电电流，离子源将起辉，把工作电流设定至所需数值(0-10A)；
8、当镀铝到要停机关闭蒸发挡板时，先停止离子源工作，再关闭氩气流量计；
9、真空镀膜室放气打开清理时，把离子源保护罩盖好，避免铝灰飞到离子发射沟道和阳极磁场；使用前先清理检查无灰尘后再用；10、调整状态离子源有两种放电模式，第一种为聚焦放电模式，其特点为放电时出现明细的离子束，此时放电电压高，放电电流小；第二种为散焦放电模式，其特点为放电时等离子体发散至很大空间，未出现明细的离子束；
11、电源控制模式恒流控制模式，即放电电流恒定，放电电压随其他参数变化而变
化；
12、占空比调整主要目的是调整离子源的工作状态，抑制离子源光放电对薄膜或基体的损伤；占空比增加，在相同条件下离子源达到的最大放电电流增加，弧光放电抑制作用减小；反之，最大放电电流减小，弧光放电抑制作用增加；
13、频率调整范围20-30KHZ。本发明使用前先测试产品膜上静电离子正负大小，再调整离子源输出正负离子大小，达到中和消除作用，又能起到去除基片表面的有机污染物和氧化层，增加附着力作用，通过阳极膜线性离子源解决了镀铝产品变形、膜邹及黑线条等现象，使复合膜合格率83%提高到94%以上，并且解决了 BOPP转移膜的静电树纹，无需增加电晕机处理，避免膜变形，可有效去除膜表面的有机污染物及氧化层，直接联机处理速度可达到350M/MIN，提高生产效率及产品质量合格率。以上所述，仅为本发明较佳实施例而已，故不能以此限定本发明实施的范围，即依本发明申请专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本发明专利涵盖的范围内。
权利要求
1.一种镀膜静电消除装置，包括真空镀膜室，所述真空镀膜室内设有放卷气涨轴、导辊和镀膜辊，所述放卷气涨轴上有原膜，所述原膜穿过导辊进入镀膜辊后收卷，其特征在于所述真空镀膜室内安装有阳极膜线性离子源，该阳极膜线性离子源的正面发射沟道朝向所述原膜所在平面，所述阳极膜线性离子源连接高纯氩气瓶。
2.根据权利要求I所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述阳极膜线性离子源为CDNY-YJMlOOO。
3.根据权利要求I或2所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述阳极膜线性离子源的正面发射沟道上安装挡板。
4.根据权利要求I或2所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述阳极膜线性离子源安装在放卷气涨轴与第一根导辊之间的原膜下方平行间距> 200mm以上。
5.根据权利要求I所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述阳极膜线性离子源的阴阳电极连接至离子源控制柜。
6.根据权利要求5所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述离子源控制柜上设有质量流量计。
7.根据权利要求6所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述质量流量计为日本山武质量流量计MPC9200BBRSW10000。
8.根据权利要求I所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述阳极膜线性离子源上连接冷却水源。
9.根据权利要求I所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述阳极膜线性离子源与所述高纯氩气瓶之间安装减压阀。
全文摘要
本发明公开一种镀膜静电消除装置，包括真空镀膜室，所述真空镀膜室内设有放卷气涨轴、导辊和镀膜辊，所述放卷气涨轴上有原膜，所述原膜先经过离子源处理后穿过导辊进入镀膜辊再到收卷，所述真空镀膜室内安装有阳极膜线性离子源，该阳极膜线性离子源的正面发射沟道朝向所述原膜所在平面，所述阳极膜线性离子源连接高纯氩气瓶。本发明通过阳极膜线性离子源解决了镀铝产品变形、膜邹及黑线条等现象，并且解决了BOPP转移膜的静电树纹，无需增加电晕机处理，避免膜变形，可有效去除膜表面的有机污染物及氧化层，直接联机处理速度可达到350M/MIN以上，提高生产效率及产品质量合格率。
文档编号H05F3/04GK102644060SQ20121013105
公开日2012年8月22日 申请日期2012年5月2日 优先权日2012年5月2日
发明者王创茂 申请人:福建泰兴特纸有限公司
技术领域：
本发明属于镀膜技术领域，具体涉及一种镀膜静电消除装置。
背景技术：
镀铝产品膜上均附带静电离子，因原材料、涂层及环境温度、湿度等因素影响，镀铝时产生放静电火光使产品变形、膜邹及黑线条等现象，且在BOPP转移膜等非极性塑料薄膜上镀铝时会产生静电树纹，常用解决方法是增加一道电晕机处理，而增加电晕机后会使膜变形，速度只能达到60M/MIN，造成产品合格率与效率低下。
发明内容
本发明所要解决的技术问题便是针对上述现有技术的不足，提供一种镀膜静电消除装置，可有效解决镀铝产品变形、膜邹及黑线条等现象，提高产品合格率及生产效率。本发明所采用的技术方案是一种镀膜静电消除装置，包括真空镀膜室，所述真空镀膜室内设有放卷气涨轴、导辊和镀膜辊，所述放卷气涨轴上有原膜，所述原膜穿过导辊进入镀膜辊后收卷，所述真空镀膜室内安装有阳极膜线性离子源，该阳极膜线性离子源的正面发射沟道朝向所述原膜所在平面，所述阳极膜线性离子源连接高纯氩气瓶。作为优选，所述阳极膜线性离子源为⑶NY-YJM1000。作为优选，所述阳极膜线性离子源的正面发射沟道上安装挡板。作为优选，所述阳极膜线性离子源安装在放卷气涨轴与第一根导辊之间的原膜下方平行间距彡200mm以上。作为优选，所述阳极膜线性离子源的阴阳电极连接至离子源控制柜。作为优选，所述离子源控制柜上设有质量流量计。作为优选，所述质量流量计为日本山武质量流量计MPC9200BBRSW10000。作为优选，所述阳极膜线性离子源上连接冷却水源。作为优选，所述阳极膜线性离子源与所述高纯氩气瓶之间安装减压阀。本发明的有益效果在于本发明通过阳极膜线性离子源解决了镀铝产品变形、膜邹及黑线条等现象，使复合膜合格率83%提高到94%以上，并且解决了 BOPP转移膜的静电树纹，无需增加电晕机处理，避免膜变形，可有效去除膜表面的有机污染物及氧化层，直接联机处理速度可达到350M/MIN以上，提高生产效率及产品质量合格率。
图I为本发明结构示意 图2为本发明侧视图。图中1、真空镀膜室；2、放卷气涨轴；3、导辊；4、原膜；5、高纯氩气瓶；6、离子源控制柜；7、冷却水源；8、质量流量计；9、阳极膜线性离子源；10、挡板；11、镀膜辊。
具体实施例方式下面将结合附图及具体实施例对本发明作进一步详细说明。实施例一如图I和图2所示，一种镀膜静电消除装置，包括真空镀膜室1，所述真空镀膜室I内设有放卷气涨轴2、导辊3和镀膜辊11，所述放卷气涨轴2有原膜4，所述原膜4先经过阳极膜线性离子源9处理后穿入导辊3进入镀膜辊11再到收卷，所述真空镀膜室I内安装有阳极膜线性离子源9，该阳极膜线性离子源9的正面发射沟道朝向所述原膜4所在平面，如图2所示，所述阳极膜线性离子 源9安装在放卷气涨轴2与第一根导辊3之间的原膜4下方平行彡200mm位置，本实施例的阳极膜线性离子源9为⑶NY-YJM1000离子源。所述阳极膜线性离子源9连接高纯氩气瓶5，以接入高纯氩气，所述阳极膜线性离子源9与所述高纯氩气瓶5之间安装减压阀，将压力控制在2. OMpa0所述阳极膜线性离子源9的阴阳电极连接至离子源控制柜6，本实施例采用CDNY-DCM05控制柜，所述离子源控制柜6上设有质量流量计8，本实施例采用日本山武质量流量计MPC9200BBRSW10000，用于控制离子能量大小及真空度(下室为8. 0*10-2Pa，上室为5. 0*10_lPa)。所述阳极膜线性离子源9上连接冷却水源7，通18-28°C冷却水散热离子源磁场热能，控制频率、占空比、电流、电压及流量大小。所述阳极膜线性离子源9的阴阳电极线与高纯氩气瓶5和冷却水源7的连接线均由f 48_高真空波纹管导出真空镀膜室1，为避免漏真空，所述高真空波纹管通过法兰与密封垫圈与所述真空镀膜室I相连。所述阳极膜线性离子源9正面发射沟道上安装有挡板10，所述挡板10通过不锈钢支架连接。本发明的原理如下阳极膜离子源是一种具有闭合电子迁移和发射沟道的冷阴极离子源，其主要组成部分包括磁路、阴极、阳极、布气机构和驱动电源等部分。其中离子发射沟道和阳极被磁路所包围。放电沟道内具有很强的磁场，将电子约束在其中，在正的电子与气体发生碰撞时，气体电离为离子和电子。当直流正电位施加在阳极上时，阳极表面形成电场，在此电场作用下，离子被加速发射出放电沟道形成离子束，离子束对基材进行轰击清洗、消除正负静电离子等。其具体操作如下
1、打开冷却循环水，水温度控制在18-28°C之间；
2、将真空镀膜室抽至本地压强，下室8.0*10-2Pa，5. 0*10_lPa ；
3、旋开闻纯氩i气瓶开关，调压阀调至O.2kg ；
4、打开离子源电源上电空气开关；
5、设置氩气流量计参数，使真空镀膜室达到预定真空度；
6、镀铝蒸发舟调整好后，启动卷绕使膜慢慢走，防止电弧起辉时把膜烫断，再启动离子源控制电源；
7、将电流调节旋钮逐渐增加放电电流，离子源将起辉，把工作电流设定至所需数值(0-10A)；
8、当镀铝到要停机关闭蒸发挡板时，先停止离子源工作，再关闭氩气流量计；
9、真空镀膜室放气打开清理时，把离子源保护罩盖好，避免铝灰飞到离子发射沟道和阳极磁场；使用前先清理检查无灰尘后再用；10、调整状态离子源有两种放电模式，第一种为聚焦放电模式，其特点为放电时出现明细的离子束，此时放电电压高，放电电流小；第二种为散焦放电模式，其特点为放电时等离子体发散至很大空间，未出现明细的离子束；
11、电源控制模式恒流控制模式，即放电电流恒定，放电电压随其他参数变化而变
化；
12、占空比调整主要目的是调整离子源的工作状态，抑制离子源光放电对薄膜或基体的损伤；占空比增加，在相同条件下离子源达到的最大放电电流增加，弧光放电抑制作用减小；反之，最大放电电流减小，弧光放电抑制作用增加；
13、频率调整范围20-30KHZ。本发明使用前先测试产品膜上静电离子正负大小，再调整离子源输出正负离子大小，达到中和消除作用，又能起到去除基片表面的有机污染物和氧化层，增加附着力作用，通过阳极膜线性离子源解决了镀铝产品变形、膜邹及黑线条等现象，使复合膜合格率83%提高到94%以上，并且解决了 BOPP转移膜的静电树纹，无需增加电晕机处理，避免膜变形，可有效去除膜表面的有机污染物及氧化层，直接联机处理速度可达到350M/MIN，提高生产效率及产品质量合格率。以上所述，仅为本发明较佳实施例而已，故不能以此限定本发明实施的范围，即依本发明申请专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本发明专利涵盖的范围内。
权利要求
1.一种镀膜静电消除装置，包括真空镀膜室，所述真空镀膜室内设有放卷气涨轴、导辊和镀膜辊，所述放卷气涨轴上有原膜，所述原膜穿过导辊进入镀膜辊后收卷，其特征在于所述真空镀膜室内安装有阳极膜线性离子源，该阳极膜线性离子源的正面发射沟道朝向所述原膜所在平面，所述阳极膜线性离子源连接高纯氩气瓶。
2.根据权利要求I所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述阳极膜线性离子源为CDNY-YJMlOOO。
3.根据权利要求I或2所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述阳极膜线性离子源的正面发射沟道上安装挡板。
4.根据权利要求I或2所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述阳极膜线性离子源安装在放卷气涨轴与第一根导辊之间的原膜下方平行间距> 200mm以上。
5.根据权利要求I所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述阳极膜线性离子源的阴阳电极连接至离子源控制柜。
6.根据权利要求5所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述离子源控制柜上设有质量流量计。
7.根据权利要求6所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述质量流量计为日本山武质量流量计MPC9200BBRSW10000。
8.根据权利要求I所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述阳极膜线性离子源上连接冷却水源。
9.根据权利要求I所述的镀膜静电消除装置，其特征在于所述阳极膜线性离子源与所述高纯氩气瓶之间安装减压阀。
全文摘要
本发明公开一种镀膜静电消除装置，包括真空镀膜室，所述真空镀膜室内设有放卷气涨轴、导辊和镀膜辊，所述放卷气涨轴上有原膜，所述原膜先经过离子源处理后穿过导辊进入镀膜辊再到收卷，所述真空镀膜室内安装有阳极膜线性离子源，该阳极膜线性离子源的正面发射沟道朝向所述原膜所在平面，所述阳极膜线性离子源连接高纯氩气瓶。本发明通过阳极膜线性离子源解决了镀铝产品变形、膜邹及黑线条等现象，并且解决了BOPP转移膜的静电树纹，无需增加电晕机处理，避免膜变形，可有效去除膜表面的有机污染物及氧化层，直接联机处理速度可达到350M/MIN以上，提高生产效率及产品质量合格率。
文档编号H05F3/04GK102644060SQ20121013105
公开日2012年8月22日 申请日期2012年5月2日 优先权日2012年5月2日
发明者王创茂 申请人:福建泰兴特纸有限公司
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