发光器件及其制造方法
专利名称：发光器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及到具有薄膜晶体管(以下称为TFT)组成的电路的半导体器件以及这种半导体器件的制造方法。确切地说，本发明涉及到一种电子器件，其上具有典型为液晶显示平板的电光器件和以有机化合物发光层为组成部分的发光显示器件。本说明书中的半导体器件意味着诸如电光器件、半导体电路、以及电子器件之类的各种各样的半导体器件。
背景技术：
近年来，对以EL元件作为自发光元件的发光器件的研究变得朝气蓬勃。确切地说，采用有机材料作为EL材料的发光器件已经吸引了人们的注意。这种发光器件也被称为 EL显示器。注意，EL元件包括借助于施加电场而发光的含有有机化合物的层(以下称为EL层)、阳极、以及阴极。有机化合物产生的发光是当电子从单重激发态返回到基态时产生的荧光以及当电子从三重激发态返回到基态时产生的磷光。利用淀积设备和淀积方法制造的发光器件可应用于这ニ种发光。发光器件由于其不同于液晶显示器件的自发光性质而不存在视角问题。此发光器件因而比液晶显示器件更适合于户外使用。对发光器件已经提出了各种用法。EL元件具有这样ー种叠层结构，其中ー对电极将EL元件夹在中间。典型地说，通常都知道Kodak Eastman公司Tang等人提出的“空穴输运层、发光层、电子输运层”叠层结构。此结构具有非常高的发光效率，并被目前正在开发的几乎所有发光器件采用。诸如“阳极、空穴输运层、发光层、电子输运层”或“阳极、空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、电子注入层”之类的其它结构，也是可以被采用的。可以将荧光颜料掺入到发光层中。可以采用低分子材料或高分子材料来制作这些层。在本说明书中，EL层是用来表示形成在阴极与阳极之间的所有各个层的通用术语。因此，所有各个上述空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、电子注入层，都是EL层。在本说明书中，由阴极、EL层、阳极形成的发光元件，被称为EL元件。有ニ种形成EL元件的方法；一种是简单矩阵，其中EL层被夹在ニ种彼此正交延伸的条形电极之间，另一种是有源矩阵，其中EL层被夹在排列成矩阵且连接到TFT的象素电极与反电极之间。当象素密度变高时，由于有源矩阵在各个象素(或各个点)中具有开关而能够在低电压下驱动，故认为有源矩阵优越于简单矩阵。由于EL材料会因为被氧化或吸收氧或潮气而退化，故存在着发光元件发光效率下降或其寿命缩短的问题。通常，借助于用其中包含干燥空气的包封外壳将发光元件包封起来，并将干燥剂粘贴到包封外売，来防止氧或潮气渗透到发光元件中。在常规的发光器件结构中，具有其中在衬底上形成ー个电极作为阳极、在阳极上形成有机化合物层，并在有机化合物层上形成阴极的发光元件，且有机化合物层中产生的光通过形成为TFT透明电极的阳极而发射(以下将这种结构称为底部发射)。虽然包封外壳有可能覆盖上述底部发射结构中的发光元件，但在衬底上形成ー个电极作为阳极、在阳极上形成有机化合物层、并形成阴极作为透明电极的结构(以下将这种结构称为顶部发射)无法使用由遮光材料制成的包封外売。在顶部发射结构中，象素部分上的干燥剂干扰了显示。而且，为了不吸收，要求小心处置和快速封闭干燥剂。与底部发射结构相比，顶部发射结构所需的在有机化合物层中产生的光通过其中被发射的材料层少，因而能够抑制反射率不同的各个材料层之间的杂散光。
发明内容
本发明的目的是提供一种发光器件以及ー种制作此发光器件的方法，通过此方法，防止了氧或潮气渗透进入发光元件中。本发明的另一目的是用很少的步骤来包封发光元件而不包入干燥剂。本发明具有顶部表面发射结构，其中，其上制作有发光元件的衬底被键合到透明密封衬底。当ニ个衬底键合时，象素区被透明的第二密封材料覆盖整个表面，并被包含用来維持ニ个衬底之间的间隙的间隙材料(填料、细小颗粒等)的第一密封材料(其粘度高于第二密封材料)环绕。第一密封材料和第二密封材料于是将发光元件密封。若第一密封材料的密封图形形状被形成为正方形、反“c”形、或“U”形，且借助于在其上滴注粘度低的第二密封材料而键合ニ个衬底，则气泡有可能保留在角落处。因此，在本发明中，第一密封材料的图形形状被形成为无弯曲部分的图形(线状)，不使图形形状成为正方形、反“ c”形、或“ U”形。在角落处形成开ロ部分(4个位置)，使气泡通过其中逸出。借助于形成这些开ロ部分，当用粘度低的第二密封材料键合ニ个衬底时，粘度低的第二密封材料沿各个角落的开ロ部分方向被推出。ニ个衬底于是能够被密封而气泡不至于混入到象素区上。此外，粘度高的第一密封材料的图形可以稍许弯曲，使之不形成气泡。而且，密封侧上的衬底表面最好平滑并具有优异的平整度，使气泡不混入。而且，存在着这样的情况，其中，依赖于第二密封材料的粘度及其被推出的方式，第二密封材料的周边部分会从开ロ部分(4个位置)扩展开，形成凸出形状。还存在着这样的情况，其中，第二密封材料的周边部分会形成进入开ロ部分内部的形状。注意，若提供了凸出形状，则能够提高ニ个衬底之间的粘合強度，以便増大接触粘合表面的面积。无论在那种情况下，粘度高的第一密封材料都用来通过间隙材料維持衬底间隙，并调整粘度低的第二密封材料的平面形状。而且，当分割衬底时，第一密封材料还能够用作定位标识。例如，当在一个衬底上制造多个平板时，亦即在所谓多图形的情况下，可以沿第一密封材料分割衬底。而且，当接受到来自外部的冲击时，施加的最大负载的位置能够被设定到排列在象素区外面的第一密封材料的位置(仅仅第一密封材料具有间隙材料)，从而能够防止负载被施加到象素部分。而且，这种结构中的第一密封材料被对称地排列，从而均匀地施加负载，具有良好的平衡。因而能够均匀地分散来自外部的冲击。而且，第一密封材料具有对称的形状，并被对称地排列，从而能够维持非常恒定的间隙。亦即，利用本发明的结构，能够制 造机械强度甚至更高的发光器件。
而且，对于顶部表面发射结构，发光元件发射的光从中通过的衬底薄是可取的。但薄的衬底的缺点是对于冲击来说显得脆弱。尽管如此，即使倾向于比较容易破裂的玻璃衬底之类被用作发光元件发射的光从中通过的衬底，根据本发明也能够制造可承受来自外部的冲击的发光器件。而且，对所用的透明衬底没有特别的限制，例如能够采用塑料衬底等。为了保持粘合強度，成对的衬底最好采用热膨胀系数相同的衬底。
而且，借助于使第一密封材料的密封图形成为简单的形状，除了分配器装置之外，还能够采用例如印刷方法之类的其它密封图形形成方法。而且，发光元件被第一密封材料、第二密封材料、以及衬底密封，从而能够有效地阻挡潮气和氧。注意，在降低了的压カ下或在氮气气氛中进行成对衬底的键合是可取的。根据本说明书中公开的本发明的一种情况，提供了一种发光器件，它包括在成对衬底之间具有多个发光元件的象素部分，成对衬底中至少ー个具有透光性，此发光元件分别具有第一电极；第一电极上且与第一电极接触的有机化合物层；以及有机化合物层上且与有机化合物层接触的第二电极；其特征在于该对衬底被排列环绕象素部分的第一密封材料和与第一密封材料接触并覆盖象素部分的第二密封材料固定；且第一密封材料在4个角落处具有开ロ。在上述结构中，其特征在于第一密封材料具有线性形状并被排列在衬底平面内，与X或y方向平行。而且，如图1A-1C所示，在上述结构中，其特征在于第二密封材料被开ロ暴露，且被暴露的第二密封材料的周边被弯曲。也可以采用这样ー种结构，其中如图IA所示，第二密封材料在开ロ处被暴露，且被暴露的第二密封材料的周边从开ロ凸出。或者，也可以采用这样ー种结构，其中如图IC所示，第二密封材料在开ロ处被暴露，且被暴露的第二密封材料的周边从开ロ向内凹陷。而且，根据本发明的另ー种情况，提供了一种发光器件，它包括在成对衬底之间具有多个发光元件的象素部分，成对衬底中至少ー个具有透光性，此发光元件分别具有第一电极；第一电极上与第一电极接触的有机化合物层；以及有机化合物层上与有机化合物层接触的第二电极；其特征在于将象素部分夹在中间的ー对第一密封材料沿X方向被排列，而另ー对第一密封材料沿I方向被排列；第二密封材料填充至少ー对第一密封材料之间的空间；且倘若第二密封材料被对称地排列将象素部分夹在中间，则第二密封材料的形状具有双向対称性，且不局限于线性形状。而且，在上述各个结构中，第一密封材料包含保持成对衬底之间的间隙的间隙材料。
而且，在上述各个结构中，其特征在干，第二密封材料的透光性高于第一密封材料。而且，在上述各个结构中，其特征在于，第二电极的薄膜厚度为l-10nm。而且，在上述各个结构中，其特征在于，在第二电极与第二密封材料之间提供有具有透光性的由CaF2、MgF2或BaF2制成的保护层。而且，上述各个结构是ー种发光器件，其特征在于，发光元件发射的光通过第二密封材料和衬底中的一个衬底出射。而且，本发明还能够被应用于ニ侧发光元件。在此情况下，上述各结构成为发光器件，其特征在于，发光元件发射的光包括通过第二密封材料和衬底中的一个衬底出射的光以及通过另一村底出射的光。而且，根据本发明的另ー种情况，为了实现上述的各个结构，提供有ー种制造发光器件的方法，其特征是包括下列步骤在第一衬底上形成ー对沿X方向的第一密封材料以及ー对沿y方向的第一密封材料，对总共4个第一密封材料，在各对第一密封材料之间开出间隙；将具有透光性的第二密封材料滴注到第一密封材料环绕的区域上；将第二密封材料扩展开，使之在键合其上制作配备有发光元件的象素部分的第一衬底与第二衬底时至少填充相互面对的第一密封材料之间的空间，致使象素部分被排列在第一密封材料环绕的区域中；以及对第一密封材料和第二密封材料进行固化。而且，根据本发明的另ー种情况，为了实现图IA的顶部表面结构，提供有ー种制造发光器件的方法，其特征是包括下列步骤在第一衬底上形成ー对沿X方向的第一密封材料以及ー对沿y方向的第一密封材料，对总共4个第一密封材料，在各对第一密封材料之间开出间隙；将具有透光性的第二密封材料滴注到第一密封材料环绕的区域上；将第二密封材料扩展开，使之在键合其上制作配备有发光元件的象素部分的第一衬底与第二衬底时从相邻第一密封材料之间凸出，致使象素部分被排列在第一密封材料环绕的区域中；以及对第一密封材料和第二密封材料进行固化。而且，第一密封材料和第二密封材料也可以被形成在其上形成象素部分的第二衬底上。根据有关其制造方法的本发明的另ー种情况，提供有一种制造半导体器件的方法，其特征是包括下列步骤在其上制作配备有发光元件的象素部分的第一衬底上，形成ー对沿X方向的第一密封材料以及ー对沿y方向的第一密封材料，对总共4个第一密封材料，在各对第一密封材料之间开出间隙，以便环绕象素部分；将具有透光性的第二密封材料滴注到象素部分上；将第二密封材料扩展开，使之在键合第一衬底与第二衬底时至少填充相互面对的第一密封材料之间的空间；以及
对第一密封材料和第二密封材料进行固化。在有关上述各个制造方法的结构中，对第一密封材料和第二密封材料进行固化的步骤，是辐照紫外光的步骤或热处理步骤。而且，在有关上述各个制造方法的结构中，其特征在于，第二密封材料的粘度低于第一密封材料。而且，在有关上述各个制造方法的结构中，其特征在于，还存在着在固化第一密封材料和第二密封材料之后，沿第一密封材料分割第一衬底和第二衬底的步骤。而且，在本发明中，虽然具有薄膜厚度且光从其中通过的金属膜，典型是以铝作为其主要成分的膜，被用作第二电极(阴极或阳极)，但金属膜倾向于容易氧化，导致其电阻值増大。而且，存在着第二电极与密封材料中所含组分发生反应的危险。因此，希望用例如CaF2, MgF2、或BaF2的透明保护膜覆盖形成在含有有机化合物的层上的第二电极(阴极或阳极)，从而防止第二电极与密封材料之间的反应，并有效地阻挡氧和潮气而无须使用干燥齐U。而且，有可能用蒸发方法来形成CaF2、MgF2、和BaF2。借助于用蒸发方法相继形成阴极和透明保护层，能够防止杂质混入，并能够防止电极表面被暴露于大气。而且，与LiF相比， CaF2, MgF2, BaF2是稳定的材料，不会扩散到TFT，从而几乎不造成不利影响。而且，利用其分子结构中没有氧原子的金属(功函数大的材料)，例如氮化钽膜作为第一电极，利用其分子结构中没有氧原子的金属(功函数小的材料)，例如铝薄膜作为第ニ电极，并用CaF2、MgF2、或BaF2将它们覆盖，第一电极与第二电极之间的区域能够保持浓度尽可能接近O的无氧状态。而且，虽然对用作第二密封材料的材料没有特别的限制，只要是ー种高度透明的材料，但采用阻挡氧和潮气的材料是可取的。而且，若紫外固化树脂被用作第二密封材料，则在固化过程中，紫外光也被辐照到象素部分。因此，希望在透明保护膜上形成一个仅仅吸收或反射紫外光的层，例如ZnO等。根据本说明书公开的本发明的另ー种情况，提供了一种发光器件，它包括在成对衬底之间具有多个发光元件的象素部分，成对衬底中至少ー个具有透光性，此发光元件分别具有第一电极；第一电极上与第一电极接触的包含有机化合物的层；以及包含有机化合物的层上与包含有机化合物的层接触的第二电极；第二电极上由CaF2、MgF2、或BaF2制成的具有透光性的保护层；以及保护膜上的具有透光性的密封材料；其特征在于第一电极是各个金属层的叠层；且第二电极由厚度为I-IOnm的金属薄膜的单层组成。在上述结构中，此金属薄膜采用铝作为其主要组分。在各个金属层的叠层中，与含有有机化合物的层相接触的层是由氮化钛组成的层。而且，此金属层也可以是由氮化钛组成的单层而不是叠层。而且，在上述结构中，其特征在于，第一电极接触TFT的源区或漏区，即第一电极被电连接到TFT的源区或漏区。而且，在上述结构中，金属薄膜位于由CaF2、MgF2、或BaF2制成的膜厚度比金属层小的层上并与此层相接触。此外，在金属薄膜上存在着由CaF2、MgF2、或BaF2制成的膜厚度比金属薄膜厚的层并与金属薄膜相接触。亦即，金属薄膜被CaF2、MgF2、或BaF2制成的层夹在中间并被保护。而且，在上述结构中，其特征在于成对的衬底被排列环绕象素部分的第一密封材料和接触第一密封材料并覆盖象素部分的第二密封材料固定，且第一密封材料在其4个角落具有开ロ。注意，发光元件(EL元件)具有包含有机化合物的层(以下称为EL层)、阳极、以及阴极，在EL层中，借助于施加电场而产生发光(电致发光)。从单重激发态返回到基态时的光发射(荧光)以及从三重激发态返回到基态时的光发射(磷光)，以有机化合物发光的形式存在。根据本发明制造的发光器件能够被应用于其中任何一种光发射。具有EL层的发光元件(EL元件)具有EL层被夹在成对的电极之间的结构，且EL层通常具有叠层结构。已经由Eastman Kodak公司的Tang等人提出的由空穴输运层、发光层、以及电子输运层组成的叠层结构可以作为典型的例子。此结构具有极高的发光效率，且目前正在研发的几乎所有发光器件都采用这种结构。 而且，也可以采用空穴注入层、空穴输运层、发光层、以及电子输运层依次层叠在阳极上的结构。还可以采用空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、以及电子注入层依次层叠在阳极上的结构。还可以将荧光顔料等掺入到发光层中。而且，可以利用所有低分子量材料来形成这些层，也可以利用所有聚合物材料来形成这些层。而且，也可以采用包含无机材料的层。注意，在本说明书中，形成在阴极与阳极之间的所有的层都被通称为EL层。因此，空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、以及电子注入层都被包括在EL层分类中。而且，对在本发明的显示器件中驱动屏幕显示的方法没有特别的限制。例如，可以采用逐点驱动方法、逐行驱动方法、逐面驱动方法等。典型采用逐行驱动方法，也可以适当地采用时分灰度驱动方法或表面积灰度驱动方法。而且，输入到发光器件源线的图象信号可以是模拟信号和数字信号。可以根据所用的图象信号来适当地设计驱动电路等。
在附图中图1A-1C示出了实施方案模式I ;图2A和2B示出了实施方案模式I ;图3A-3C示出了实施方案模式2 ；图4A-4E示出了实施方案模式3 ；图5A和5B示出了有源矩阵发光器件的结构(实施方案I)；图6示出了实施方案模式I ;图7A和7B示出了实施方案2 ;图8示出了密封材料的透射率；图9示出了填充剂直径与粘合強度之间的关系；图10A-10F示出了电子装置的例子(实施方案3);而图IIA-IIC示出了电子装置的例子(实施方案3)。
具体实施例方式下面解释本发明的实施方案模式。实施方案模式I图IA是实施本发明的有源矩阵发光器件的俯视图。在图IA中，參考号11表不第一衬底，參考号12表不第二衬底，参考号13表不象素部分，參考号14表不驱动电路部分,參考号15表不端子部分,參考号16表不第一密封材料，而參考号17a表不第二密封材料。对用于衬底11的材料没有特别的限制。但对于第一衬底11和第二衬底12，由于此ニ个衬底被键合到一起，故最好采用热膨胀系数完全相同的衬底。若要制造底部表面发射的发光器件，则采用具有透光性的衬底，例如玻璃衬底、石英衬底、或塑料衬底作为第一衬底11的材料。而且，若要制造顶部表面发射的发光器件，则也可以采用半导体衬底或金属衬底。具有多个发光元件的象素部分13、驱动电路部分14、以及端子部分15被制作在第ー衬底11上。此处示出了ー个例子，其中第一密封材料16被排列环绕象素部分13和驱动电路部分14。而且,第一密封材料16之一的一部分与端子部分15 (即从端子电极延伸的布线)重叠。注意，第一密封材料16包含间隙材料，以便保持成对衬底之间的空间。第一密封材料16包含间隙材料，因此，第一密封材料16最好不与各个元件(例如TFT)重叠，使当施加某种负载时不出现短路等。而且，第一密封材料的顶部表面形状为线性的，并在4个角落中有开ロ。換言之，第一密封材料16中的ニ个沿X方向平行排列，将象素部分夹在中间，且第一密封材料16中的ニ个沿y方向平行排列，将象素部分夹在中间。排列的第一密封材料的总数是4。而且，第二密封材料17a至少填充ー对第一密封材料16之间的空间。成对的衬底被排列环绕象素部分的第一密封材料16以及接触第一密封材料和覆盖象素部分的第二密封材料17a固定。而且，第二密封材料17a是无色的透明材料，且不包含间隙材料。因此具有比第一密封材料16更高的光透射率。第二密封材料17a被暴露于间隙或各个第一密封材料之间的开口中，且其顶部表面形状中被暴露的第二密封材料17a的周边具有弯曲的形状。下面用图2A和2B来解释第二密封材料17a取图IA所示形状的机制。图2A示出了键合之前密封衬底(第二衬底22)的俯视图例子。图2A示出了从ー对衬底形成具有一个象素部分的发光器件的例子。首先，利用分配器在第二衬底22上形成4个第一密封材料26，然后在其上滴注粘度比第一密封材料低的第二密封材料。注意，其上滴注了第二密封材料的第二衬底的俯视图对应于图2A。然后，将其上形成具有发光元件的象素部分23或驱动电路部分24以及端子部分25的第一衬底键合到第二衬底。图2B示出了成对衬底刚刚被键合之后的俯视图。第一密封材料的粘度高，故在键合时扩展很小。但第二密封材料的粘度低，故第二密封材料在键合时平坦地扩展开，如图2B所示。第二密封材料在各个第一密封材料26之间被推出，亦即沿图2B所示方向向着开ロ部分被推出。因而能够阻止气泡存在于被第二密封材料填充的第 一密封材料26之间的区域内。第一密封材料26与第二密封材料27b即使存在着接触也不混合，且第一密封材料26的粘度 使得其形成位置不被第二密封材料27b改变。在图2B中，第二密封材料27b被暴露于开口中，且被暴露的第二密封材料27的周边从各个开ロ凸出。借助于第二密封材料27b从开ロ凸出，能够使周围环境与象素部分之间的距离更大，此外，能够阻挡氧和潮气。而且，也増大了总的接触表面积，因而也提高了键合强度。而且，第二密封材料27b的周边在开口中被弯曲。注意，此处示出了在第二衬底22上形成第一密封材料或第二密封材料之后键合各个衬底的例子，但本发明不具体局限于这种结构。第一密封材料或第二密封材料也可以被形成在其上形成各个元件的第一衬底上。然后，借助于执行热处理或紫外光辐照来固化第一密封材料26和第二密封材料27b。接着，对第二衬底22的各个部分进行分割。图2B中虚线区段所示的各个线成为衬底切割线。分割时可以沿形成在端子部分25上的第一密封材料平行地设定各个切割线。于是，根据上述的手续，就能够得到图IA所示的第二密封材料17a的形状。而且，虽然图IA示出了第二密封材料17a从各个开ロ凸出的例子，但借助于适当地改变用于第二密封材料的材料粘度或数量，也可以形成其它的形状。例如，如图IB所示，第二密封材料17b可以被暴露于开口中，且被暴露的第二密封材料的周边可以被弯曲。在图IB中，第二密封材料不从开ロ凸出。第二密封材料的周边取填充各个第一密封材料的间隙的形状，形成ー个弧。而且，如图IC所示，第二密封材料17c可以被暴露于开口中，且被暴露的第二密封材料的周边可以从开ロ部分向内凹陷被弯曲。而且，倘若第一密封材料具有双向対称性且对称地排列将象素部分夹在中间，则第一密封材料不局限于线性形状。例如，如图6所示，第一密封材料的形状可以稍许弯曲，使粘度小的第二密封材料在键合时容易扩展开。实施方案模式2此处在图3A中示出了本发明的象素部分剖面结构的一部分。在图3A中，参考号300表不第一衬底,参考号30Ia和301b表不绝缘层，參考号302表不TFT,參考号308表不第一电极，而參考号309表不绝缘体。参考号310表不EL层，參考号311表不第二电极,参考号312表不透明的保护层，參考号313表不第二密封材料,而参考号314表不第二衬底。制作在第一衬底300上的TFT 302 (P沟道TFT)是用来控制发光EL层310中流动的电流的元件，且參考号304表示其漏区(或源区)。而且，參考号306表示连接第一电极与漏区(或源区)的漏电极(或源电极)。而且，用相同的エ艺，与漏电极同时形成诸如电源线或源布线之类的布线307。此处示出了第一电极与漏电极被分别形成的例子，但它们也可以被同时形成。在第一衬底300上形成成为基底绝缘膜的绝缘层301a(此处氮化物绝缘膜作为下层，氧化物绝缘膜作为上层)，并在栅电极305与有源层之间形成栅绝缘膜。而且。參考号301b表示由有机材料或无机材料组成的层间绝缘膜。而且，虽然此处未示出，但在ー个象素中也可以制作额外的TFT (η沟道TFT或P沟道TFT)，或在一个象素中也可以制作多个TFT。而且，虽然此处示出了具有一个沟道形成区303的TFT，但本发明不特别局限于此，而是也可以采用具有多个沟道的TFT。
而且，參考号308表示OLED的第一电极亦即阳极(或阴极)。选自Ti、TiN、TiSixNy、Ni、W、WSix、WNx、WSixNy、NbN、Mo、Cr、Pt、Zn、Sn、In、Mo 的元素的薄膜，或以这些元素之一作为其主要成分的合金材料或化合物材料，或这些薄膜的叠层，可以被用作第一电极308，其总厚度为100-800nm。此处，氮化钛膜被用作第一电极308。当采用氮化钛膜作为第一电极308时，最好借助于辐照紫外光或在表面上用氯气进行等离子体处理来提高功函数。 而且，绝缘体309(也称为堤坝、侧壁、坝体等)覆盖着第一电极308(以及布线307)的边沿部分。无机材料(例如氧化硅、氮化硅、以及氮氧化硅)、光敏有机材料和非光敏有机材料(例如聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂、以及苯并环丁烯)、这些材料的叠层等，能够被用作绝缘体309。此处采用被氮化硅膜覆盖的光敏有机树脂。当例如采用正性光敏丙烯酸作为有机树脂材料时，最好仅仅在绝缘体的上边沿部分提供具有曲率半径的弯曲表面。而且，由于曝光而成为不溶于腐蚀剂的负性光敏有机材料，以及由于曝光而成为可溶于腐蚀剂的正性光敏有机材料，能够被用作此绝缘体。而且，用蒸发方法或涂敷方法，形成包含有机化合物的层310。注意，在形成包含有机化合物的层310之前，最好执行真空热处理，从而进行除气，以便改善可靠性。例如，若采用蒸发方法，则在已经被抽空到压カ等于或小于5X10_3乇(0.665Pa)，最好为10_6_10_4Pa的成膜工作室中执行蒸发。当进行蒸发时，用电阻加热方法预先使有机化合物气化，并借助于在蒸发时打开快门而使有机化合物向着衬底弥散。被气化了的有机化合物向上弥散，并在通过制作在金属掩模中的窗ロ部分之后，被淀积在衬底上。例如，借助于用蒸发方法依次层叠Alq3、其中部分地掺入了是为红色发光颜料的尼罗红的Alq3、Alq3、p_EtTAZ、以及TH)(芳香族ニ胺)，能够得到白色。而且，若用甩涂涂敷方法形成包含有机化合物的层，则最好在涂敷之后用真空热处理方法对此层进行焙烧。例如，用作空穴注入层的聚(亚こ基ニ氧基噻吩)和聚(苯こ烯磺酸)(PED0T/PSS)的水溶液可以被涂敷在整个表面上并焙烧。然后，可以将用作发光层的掺有发光中心颜料(1，1，4，4_四苯基-1，3-丁ニ烯(TPB)、4_ ニ氰基ニ甲基-2-甲基-6-(p-ニ甲胺-苯こ烯基)-4H-吡喃(DCMl)、尼罗红、香豆素6之类)的聚こ烯咔唑(PVK)的溶液涂敷在整个表面上并焙烧。注意，水被用作不溶于有机溶剂的PED0T/PSS的溶齐U。随后，若PVK被涂敷其上，就没有重新溶解的危险。而且，PED0T/PSS和PVK的溶剂不同，因此，最好对二者不使用一个成膜工作室。而且，包含有机化合物的层310能够被制作成单层，且具有电子输运特性的1，3，4-p恶ニ唑衍生物(PBD)，可以被分散在具有空穴输运特性的聚こ烯咔唑(PVK)中。此外，借助于分散30%重量比的PBD作为电子输运剂，并分散适当量的4种颜料(TPB、香豆素6、DCM1、以及尼罗红)，能够得到白色发光。而且，參考号311表示由导电膜组成的第二电极，亦即OLED的阴极(或阳极)。诸如MgAg、MgIn, AlLi、CaF2、CaN之类的合金膜，或具有透光性的用铝与周期表I族或2族元素协同蒸发形成的膜，可以被用作第二电极311的材料。此处要制造通过第二电极发光的顶部发射型发光器件，因而采用厚度为I-IOnm的铝膜或包含少量Li的铝膜。若采用铝膜的结构被用作第二电极311，则利用氧化物之外的材料，有可能形成接触包含有机化合物的层310的材料，从而能够提高发光器件的可靠性。而且，在形成I-IOnm的铝膜之前，也可以将具有透光性的由CaF2、MgF2、或BaF2组成的层(膜厚度为l_5nm)形成为阴极缓冲层。
而且，为了使阴极具有较低的电阻，还可以在不成为发光区的区域中，在第二电极311上形成互补电极。而且，可以利用根据蒸发的电阻加热方法，并利用蒸发掩模，在阴极形成时选择性地形成阴极。而且，參考号312表示用蒸发方法形成的透明保护层，此保护层保护着由金属薄膜组成的第二电极311。此外，透明保护层312被第二密封材料313覆盖。第二电极311是非常薄的金属膜，因而暴露于氧时倾向于出现氧化。存在着第二电极311与密封材料所含溶剂发生反应而改变其性质的危险。借助于用透明保护层312，例如CaF2、MgF2、或BaF2覆盖由这种金属薄膜组成的第二电极311，防止了第二电极311与包含在第二密封材料313中的溶剂等的反应。同时还能够有效地阻挡氧和潮气而无须使用干燥剂。而且，有可能用蒸发方法来形成CaF2、MgF2、和BaF2。借助于用蒸发方法连续地形成阴极和透明保护层，在电极表面暴露于大气的时候，能够防止杂质混入。此外，若采用蒸发方法，则能够在对包含有机化合物的层几乎不引起损伤的情况下形成透明保护层312。借助于在第二电极311上下形成由CaF2、MgF2、或BaF2组成的具有透光性的各个层，从而将第二电极311夹在中间，还能够进ー步保护第二电极311。
而且，利用其分子结构中没有氧原子的金属(功函数大的材料)，例如氮化钽膜作为第一电极，利用其分子结构中没有氧原子的金属(功函数小的材料)，例如铝薄膜作为第ニ电极，并借助于用CaF2、MgF2、或BaF2覆盖这些电极，第一电极与第二电极之间的区域能够保持浓度尽可能接近零的无氧状态。而且，第二密封材料313用实施方案模式I的方法键合第二衬底314与第一衬底300。倘若材料具有透光性质，则对第二密封材料313没有特别的限制，典型地采用紫外线固化的环氧树脂和热固化的环氧树脂。此处采用抗热性高的紫外线环氧树脂(Electix)Iite公司制造的，产品名为2500Clear)，其折射率等于I. 50，粘度等于500cps，肖氏D硬度等于90，抗张强度等于3000psi，Tg点为150°C，体电阻率等于I X IO15 Ω cm,而耐压为450V/mil。而且，借助于在成对衬底之间填充第二密封材料313，能够提高总透射率。对于下列各种情况得到了透射率当第二密封材料填充成对玻璃衬底之间的空间时；当第一密封材料填充成对玻璃衬底之间的空间时；以及当氮气填充成对衬底之间的空间时。如图8所示，当第ニ密封材料填充成对玻璃衬底之间的空间时，透射率在可见光区域显示的数值等于或大于90%。注意，在图8中，沿垂直轴示出了光透射率，水平轴示出了波长。而且，图3B示出了发光区中层叠结构的简化形式。发射的光沿图3B所示箭头的方向出射。而且，如图3C所示，若由透明导电膜组成的第一电极318被用来取代金属层组成的第一电极308，则发射的光能够从顶部表面和底部表面二者出射。ITO (氧化铟锡合金)、氧化铟和氧化锌的合金(In2O3-ZnO),氧化锌(ZnO)等，可以被用作此透明导电膜。而且，本实施方案模式能够与实施方案模式I自由组合。实施方案模式3图4A-4E示出了在一个衬底上形成多个象素部分的情况，亦即多图形的例子。此处示出了用一个衬底形成4个平板的例子。首先，在惰性气氛下，用分配装置在第二衬底31的预定位置形成第一密封材料32 (见图4A)。包含填充剂(直径为6-24微米)且粘度为370Pa · s的材料被用作第一密封材料32的透明密封材料。而且，图9示出了包含在此密封材料中的填充剂的尺寸与粘合強度之间的关系。而且，由于第一密封材料32具有简单的密封图形，故可以用印刷工艺来形成第一密封材料32。接着，将透明的第二密封材料33滴注在第一密封材料32 (4个角落中具有开ロ)环绕的区域上(见图4B)。
而且，此处采用了折射率为I. 50而粘度为500cps的抗热性高的紫外线环氧树脂(Electrolite公司制造的，产品名为2500C Iear)。然后，其上形成象素部分34的第一衬底以及其上形成密封材料的第二衬底被键合(见图4C)。注意，在刚刚要用密封材料键合成对衬底之前，最好在真空中进行退火，从而执行除气。第二密封材料33扩展开，以便形成图IB所示的形状，并使之填充第一密封材料32之间的空间。依赖于第一密封材料32的形状和排列，能够使第二密封材料33填充此空间而不引入气泡。接着进行紫外光辐照，使第一密封材料32和第二密封材料33固化。注意，除了紫外线辐照之外，还可以执行热处理。接着，用划片装置形成虚线所示的划痕线35(见图4D)。可以沿第一密封材料形成划痕线35。接着，用破裂装置分割衬底(见图4E)。于是从一个衬底能够制造4个平板。而且，本实施方案模式能够与实施方案模式I或实施方案模式2自由组合。具有上述结构的本发明的更为详细的解释将由下面所示的各个实施方案给出。实施方案实施方案I參照图5,在本实施方案中将描述发光器件,它具有包括作为发光层的有机化合物层的发光兀件。图5A是发光器件的俯视图，而图5B是沿图5A中A-A’的剖面图。虚线1101是源信号线驱动电路，1102是象素部分，而1103是栅信号线驱动电路。参考号1104是封闭的衬底，而1105是密封剂。被第一密封剂1105封闭的内部，被第二透明密封剂1107填充。第ニ密封剂1107在4个角落处被暴露。參考号1108是源信号线驱动电路和用来将输入的信号传输到栅信号线驱动电路103并从外部输入端子FPC 1109接收视频信号和时钟信号的布线。虽然此处仅仅示出了FPC，但可以将印刷电路板(PWB)固定到FPC。本说明书中的发光器件不仅包括发光器件本体，而且还包括FPC或PWB连接于其上的发光器件。接着，參照图5B来解释剖面结构。驱动电路和象素部分被制作在衬底1110上。此处，制作了作为驱动电路的源信号线驱动电路1101和象素部分1102。借助于组合n沟道TFT 1123和p沟道TFT 1124，而形成CMOS电路作为源信号线驱动电路1101。TFT形成的驱动电路可以由熟知的CMOS电路、PMOS电路、或NMOS电路组成。本实施方案示出了ー种内建驱动器，其中，驱动电路被制作在衬底上，但不局限于此。此驱动电路可以不制作在衬底上而制作在其外部。象素部分1102由多个包括开关TFT 1111、电流控制TFT 1112、以及电连接到电流控制TFT 1112的漏的第一电极(阳极)1113的象素组成。由于第一电极1113直接接触到TFT的漏，故第一电极1113的底层由能够与漏形成欧姆接触的硅材料组成。接触到有机化合物层的第一电极1113的表面最好由功函数大的材料制成。当第一电极由三层结构，例如氮化钛膜、铝基膜、和氮化钛膜组成时，第一电极能够抑制低电阻用作布线，形成对漏的良好欧姆接触，并用作阳极。此外，第一电极1113可以由氮化钛膜的单层或3层或更多层的叠层结构形成。而且，在第一电极(阳极)1113的ニ端形成绝缘体(称为堤坝、势垒等)1114。绝缘体1114可以由有机树脂膜或含硅的绝缘膜组成。此处，如图5所示，正性光敏丙烯酸树脂膜被用来形成绝缘体1114。可以用氮化铝膜、氮氧化铝膜、或氮化硅膜制成的保护膜来覆盖绝缘体1114。此保护膜是ー种用直流溅射或射频溅射方法形成的由氮化硅或氮氧化硅作为主要成分组成的绝缘膜。当硅靶被用来在含有氮和氩的气氛中形成保护膜吋，能够形成氮化硅膜。也可以采用氮化硅靶。可以利用遥控等离子体淀积装置来形成保护膜。为了光通过其中，保护膜的厚度最好形成为尽可能薄。利用蒸发掩模，用蒸发方法，或用喷墨方法，在第一电极(阳极)1113上选择性地形成有机化合物层1115。在有机化合物层1115上形成第二电极(阴极)1116。从而形成了由第一电极(阳极)1113、有机化合物层1115、以及第二电极(阴极)1116组成的发光元件1118。由于此处示出了发光元件发射白色光的例子，故提供了由成色层1131和BM 1132(为便于说明，未示出涂敷层)组成的滤色器。若分别形成能够得到红、绿、蓝发光的有机化合物层，则能够实现全色显示而无须滤色器。为了包封衬底1110上的发光元件1118，用第一密封剂1105和第二密封剂1107来粘合封闭的衬底1104。第一密封剂1105和第二密封剂1107的优选材料是环氧树脂。第一密封剂1105和第二密封剂1107最好尽可能不渗透潮气或氧。在本实施方案中，除了玻璃衬底或石英衬底之外，由FRP (玻璃纤维加固的塑料)、PVF(聚氟こ烯)、Mylar、聚酯、丙烯酸之类制成的塑料衬底可以被用作封闭衬底1104。在用第一密封剂1105和第二密封剂1107粘合封闭衬底之后，可以用第三密封剂来粘合封闭衬底1104以覆盖侧面(暴露面)。用第一密封剂1105和第二密封剂1107包封的发光兀件能够与外界完全隔开,从而防止引起有机化合物层退化的潮气或氧的滲透。因此，能够制造高度可靠的发光器件。本实施方案能够与实施方案模式1-3中的任何ー个自由组合。实施方案2在本实施方案中，图7不出了不同于实施方案模式2的剖面结构。在图7A中，參考号700是第一衬底，701a和701b是绝缘层，702是TFT，710是EL层，711是第二电极，712是透明保护层，713是第二密封剂，而714是第二衬底。制作在衬底700上的TFT 702 (p沟道TFT)控制着流过用来发光的EL层710的电流。參考号704是漏区(或源区)。虽然此处未示出，但为ー个象素提供了ー个额外的TFT (n沟道TFT或p沟道TFT)或多个TFT。此处示出了具有一个沟道形成区703的TFT，但不局限于此，TFT可以具有多个沟道。图7A示出了这样ー种结构，其中，形成由金属叠层组成的第一电极708a_708c，然后，在形成用来覆盖第一电极ニ端的绝缘体709(也称为堤坝、势垒等)之后，用此绝缘体 709作为掩模，以自对准方式进行腐蚀，第一电极的中央部分就被薄薄地腐蚀，利用一部分绝缘体被腐蚀，就在其ニ端处形成台阶。利用这ー腐蚀，第一电极的中央部分被减薄且变平，而第一电极的ニ端部分较厚，亦即形成凹陷形状。然后，在第一电极上形成有机化合物层710和第二电极711，从而完成发光元件。图7A所示的结构是为了借助于用形成在第一电极台阶部分中的斜坡反射或会聚横向光而提高沿一定方向(通过第二电极的方向)出射的发光量。于是，斜坡部分708b最好由反射光的金属组成，例如由铝或银作为主要成分制作的材料。中央部分708a最好由功函数大的阳极材料或功函数小的阴极材料組成。由于诸如电源线或源线之类的布线707被同时形成，故最好选择低阻材料。优选倾斜角(也称为锥角)大于50度而小于60度，54. 7度更优选。为了使第一电极斜坡面反射的光不被弥散或杂散，需要适当地设定倾斜角、有机化合物层的材料和厚度、或第ニ电极的材料和厚度。在本实施方案中，參考号708a是钛膜(厚度为60nm)和氮化钛膜(厚度为IOOnm) 的叠层，708b是含有少量钛的铝膜(厚度为350nm)，而708c是钛膜(厚度为IOOnm)。708c保护着708b，以防止铝膜的析出或退化。也可以用氮化钛膜作为708c，以便赋予其遮光性质并防止铝膜的反射。为了使708a对硅组成的704形成良好的欧姆接触，钛膜被用于708a的底层，但不局限于此，也可以采用其它的金属膜。708a可以由氮化钛膜的单层组成。在本实施方案中，由于氮化钛膜被用作阳极，故需要进行紫外线处理或等离子体处理。但对氮化钛膜表面的等离子体处理与对708b和708c的腐蚀同时进行，氮化钛膜从而能够得到作为阳极那样大的功函数。 能够代替氮化钛膜的阳极材料是选自Ni、W、WSix、WNX、WSixNy, NbN, Mo、Cr、Pt、Zn、Sn、In、或Mo的元素、由上述元素作为主要成分组成的合金材料或化合物材料。可以采用总厚度为100-800nm的由上述元素或材料组成的膜或叠层膜。在图7A所示的结构中，由于用绝缘体709作为掩模以自对准的方式进行腐蚀，故不需要增加更多的掩模。因而能够以很少的掩模和步骤来制造顶部发射结构的发光器件。图7B示出了不同于图7A的结构。绝缘层801c被用作层间绝缘膜，并在不同的层处提供第一电极和漏电极(或源电极)。因而增加了掩模的数目，但能够增大发光面积。在图7B中，參考号800是第一衬底，801a、801b、801c是绝缘层，802是TFT(p沟道TFT)，803是沟道形成区，804是漏区(或源区)，805是栅电极，806是漏电极(或源电极)，807是布线，808是第一电极、809是绝缘体，810是EL层，811是第二电极，812是透明保护层，813是第二密封剂，而814是第二衬底。若透明导电膜被用作第一电极808,则顶部和底部发射结构的发光器件都能够被制造。本实施方案能够与实施方案模式1-3和实施方案I中的任何ー个自由组合。实施方案3借助于实施本发明，完成了用具有有机化合物层的模块(有源矩阵型EL模块、无源矩阵型EL模块)集成的所有电子装置。作为这种电子装置，指出了 摄象机、数码相机、头戴式显示器(风镜式显示器)、车辆导航装置、投影仪、汽车立体声、个人计算机、便携式信息終端(移动计算机、便携式电话、或电子图书等)等。图10和11示出了这些例子。图IOA是ー种个人计算机，它包括主体2001、图象输入部分2002、显示部分2003、以及键盘2004。图IOB是ー种摄象机，它包括主体2101、显示部分2102、声音输入部分2103、操作开关2104、电池2105、以及图象接收部分2106。图IOC是ー种移动计算机，它包括主体2201、相机部分2202、图象接收部分2203、操作开关2204、以及显示部分2205。图IOD是ー种风镜式显示器，它包括主体2301、显示部分2302、以及镜臂部分2303。图IOE是ー种采用记录有程序的记录媒质(以下称为记录媒质)的游戏机，它包括主体2401、显示部分2402、扬声器部分2403、记录媒质2404、以及操作开关2405。而且，此游戏机采用DVD (数字万能碟盘)或CD作为记录媒质，井能够欣赏音乐，欣赏电影，以及玩游戏或上网。图IOF是ー种数码相机，它包括主体2501、显示部分2502、目镜部分2503、操作开关2504、以及图象接收部分(未示出)。图IlA是ー种便携式电话，它包括主体2901、声音输出部分2902、声音输入部分2903、显示部分2904、操作开关2905、天线2906、以及图象输入部分(CXD，图象传感器)2907。图IlB是ー种便携式图书(电子图书)，它包括主体3001、显示部分3002和3003、记录媒质3004、操作开关3005、天线3006。图IlC是ー种显示器，它包括主体3101、支座3102、以及显示部分3103。顺便说一下，图IlC所示的显示器是中小型或大型屏幕尺寸的，例如5-20英寸的屏幕尺寸。而且，为了制作这种尺寸的显示部分，最好采用衬底边为I米的显示部分并借助于产生许多切片而进行大規模生产。如上所述，本发明的应用范围非常广阔，可应用于制造所有领域电子装置的方法。而且，利用包含实施方案模式1-3以及实施方案I和2的任何组合的结构，能够实现本实施方案的各种电子装置。根据本发明，在键合成对的衬底时，能够使透明密封材料填充空间而不包含气泡。因此，能够得到具有高可靠性的发光器件。而且，利用其分子结构中没有氧原子的金属(功函数大的材料)，例如氮化钽膜作 为第一电极，利用其分子结构中没有氧原子的金属(功函数小的材料)，例如铝薄膜作为第ニ电极，并用CaF2、MgF2、或BaF2覆盖它们，第一电极与第二电极之间的区域能够保持浓度尽可能接近0的无氧状态。因此，能够得到具有高可靠性的发光器件。
权利要求
1.一种制造发光器件的方法，包含 在第一衬底之上形成ー对沿X方向的第一密封材料以及ー对沿y方向的第一密封材料，对总共4个第一密封材料，在每对第一密封材料之间开出间隙； 在第一密封材料环绕的区域之上滴注具有透光性的第二密封材料； 将第二密封材料扩展开，使之在键合第二衬底与其上制作配备有发光元件的象素部分的第一衬底时至少填充相互相対的第一密封材料之间的空间，致使象素部分被排列在第一密封材料环绕的区域中；以及 对第一密封材料和第二密封材料进行固化。
2.一种制造发光器件的方法，包含 在第一衬底上形成ー对沿X方向的第一密封材料以及ー对沿y方向的第一密封材料， 对总共4个第一密封材料，在每对第一密封材料之间开出间隙； 在第一密封材料环绕的区域之上滴注具有透光性的第二密封材料； 将第二密封材料扩展开，使之在键合第二衬底与其上制作配备有发光元件的象素部分的第一衬底时从相邻第一密封材料之间凸出，致使象素部分被排列在第一密封材料环绕的区域中；以及 对第一密封材料和第二密封材料进行固化。
3.—种制造半导体器件的方法，包含 在其上制作配备有发光元件的象素部分的第一衬底之上，形成ー对沿X方向的第一密封材料以及ー对沿y方向的第一密封材料，对总共4个第一密封材料，在每对第一密封材料之间开出间隙，以便环绕象素部分； 在象素部分之上滴注具有透光性的第二密封材料； 将第二密封材料扩展开，使之在键合第一衬底与第二衬底时至少填充相互面对的第一密封材料之间的空间；以及 对第一密封材料和第二密封材料进行固化。
4.根据权利要求I的制造发光器件的方法，其中，对第一密封材料和第二密封材料进行固化的步骤，是辐照紫外光的步骤或热处理步骤。
5.根据权利要求2的制造发光器件的方法，其中，对第一密封材料和第二密封材料进行固化的步骤，是辐照紫外光的步骤或热处理步骤。
6.根据权利要求3的制造发光器件的方法，其中，对第一密封材料和第二密封材料进行固化的步骤，是辐照紫外光的步骤或热处理步骤。
7.根据权利要求I的制造发光器件的方法，其中，第二密封材料的粘度低于第一密封材料。
8.根据权利要求2的制造发光器件的方法，其中，第二密封材料的粘度低于第一密封材料。
9.根据权利要求3的制造发光器件的方法，其中，第二密封材料的粘度低于第一密封材料。
10.根据权利要求I的制造发光器件的方法，其中，还存在着在固化第一密封材料和第ニ密封材料之后，沿第一密封材料分割第一衬底和第二衬底的步骤。
11.根据权利要求2的制造发光器件的方法，其中，还存在着在固化第一密封材料和第ニ密封材料之后，沿第一密封材料分割第一衬底和第二衬底的步骤。
12.根据权利要求3的制造发光器件的方法，其中，还存在着在固化第一密封材料和第ニ密封材料之后，沿第一密封材料分割第一衬底和第二衬底的步骤。
13.—种制造半导体器件的制造方法,包含 形成被形成在第一衬底之上的象素部分； 在第一衬底之上形成在象素部分外侧的第一密封材料，第一密封材料具有多个开ロ ； 在象素部分之上滴注具有透光性的第二密封材料； 将第二衬底键合到具有象素部分的第一衬底，第一密封材料和第二密封材料位于其间，使得第二密封材料被扩展开而覆盖象素部分并且与第一密封材料接触；以及 对第一密封材料和第二密封材料进行固化。
14.根据权利要求13的制造发光器件的方法，其中，对第一密封材料和第二密封材料进行固化的步骤，是辐照紫外光的步骤或热处理步骤。
15.根据权利要求13的制造发光器件的方法，其中，第二密封材料的粘度低于第一密封材料。
16.根据权利要求13的制造发光器件的方法,其中，还存在着在固化第一密封材料和第二密封材料之后，沿第一密封材料分割第一衬底和第二衬底的步骤。
17.根据权利要求13的制造发光器件的方法，其中，第二密封材料在多个开ロ处被暴露，且被暴露的第二密封材料的周边被弯曲并从多个开ロ凸出。
18.根据权利要求13的制造发光器件的方法，其中，第一密封材料朝向象素部分被凸出弯曲。
全文摘要
提供了一种具有防止氧和潮气到达发光元件的结构的发光器件及其制造方法。而且，用不多的工艺步骤将发光元件密封而无须封入干燥剂。本发明具有顶部表面发射结构。其上形成发光元件的衬底被键合到透明密封衬底。在此结构中，当键合二个衬底时，透明的第二密封材料覆盖着象素区的整个表面，而包含用来保护二个衬底之间的间隙的间隙材料(填充剂，细小颗粒等)的第一密封材料(其粘度大于第二密封材料)环绕着象素区。二个衬底被第一密封材料和第二密封材料密封。而且，借助于用透明保护层例如CaF2、MgF2、或BaF2覆盖各个电极，能够防止发光元件的电极(阴极或阳极)与密封材料之间的反应。
文档编号H05B33/26GK102651458SQ20121014613
公开日2012年8月29日 申请日期2003年7月4日 优先权日2002年7月5日
发明者中村康男, 西毅 申请人:株式会社半导体能源研究所
技术领域：
本发明涉及到具有薄膜晶体管(以下称为TFT)组成的电路的半导体器件以及这种半导体器件的制造方法。确切地说，本发明涉及到一种电子器件，其上具有典型为液晶显示平板的电光器件和以有机化合物发光层为组成部分的发光显示器件。本说明书中的半导体器件意味着诸如电光器件、半导体电路、以及电子器件之类的各种各样的半导体器件。
背景技术：
近年来，对以EL元件作为自发光元件的发光器件的研究变得朝气蓬勃。确切地说，采用有机材料作为EL材料的发光器件已经吸引了人们的注意。这种发光器件也被称为 EL显示器。注意，EL元件包括借助于施加电场而发光的含有有机化合物的层(以下称为EL层)、阳极、以及阴极。有机化合物产生的发光是当电子从单重激发态返回到基态时产生的荧光以及当电子从三重激发态返回到基态时产生的磷光。利用淀积设备和淀积方法制造的发光器件可应用于这ニ种发光。发光器件由于其不同于液晶显示器件的自发光性质而不存在视角问题。此发光器件因而比液晶显示器件更适合于户外使用。对发光器件已经提出了各种用法。EL元件具有这样ー种叠层结构，其中ー对电极将EL元件夹在中间。典型地说，通常都知道Kodak Eastman公司Tang等人提出的“空穴输运层、发光层、电子输运层”叠层结构。此结构具有非常高的发光效率，并被目前正在开发的几乎所有发光器件采用。诸如“阳极、空穴输运层、发光层、电子输运层”或“阳极、空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、电子注入层”之类的其它结构，也是可以被采用的。可以将荧光颜料掺入到发光层中。可以采用低分子材料或高分子材料来制作这些层。在本说明书中，EL层是用来表示形成在阴极与阳极之间的所有各个层的通用术语。因此，所有各个上述空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、电子注入层，都是EL层。在本说明书中，由阴极、EL层、阳极形成的发光元件，被称为EL元件。有ニ种形成EL元件的方法；一种是简单矩阵，其中EL层被夹在ニ种彼此正交延伸的条形电极之间，另一种是有源矩阵，其中EL层被夹在排列成矩阵且连接到TFT的象素电极与反电极之间。当象素密度变高时，由于有源矩阵在各个象素(或各个点)中具有开关而能够在低电压下驱动，故认为有源矩阵优越于简单矩阵。由于EL材料会因为被氧化或吸收氧或潮气而退化，故存在着发光元件发光效率下降或其寿命缩短的问题。通常，借助于用其中包含干燥空气的包封外壳将发光元件包封起来，并将干燥剂粘贴到包封外売，来防止氧或潮气渗透到发光元件中。在常规的发光器件结构中，具有其中在衬底上形成ー个电极作为阳极、在阳极上形成有机化合物层，并在有机化合物层上形成阴极的发光元件，且有机化合物层中产生的光通过形成为TFT透明电极的阳极而发射(以下将这种结构称为底部发射)。虽然包封外壳有可能覆盖上述底部发射结构中的发光元件，但在衬底上形成ー个电极作为阳极、在阳极上形成有机化合物层、并形成阴极作为透明电极的结构(以下将这种结构称为顶部发射)无法使用由遮光材料制成的包封外売。在顶部发射结构中，象素部分上的干燥剂干扰了显示。而且，为了不吸收，要求小心处置和快速封闭干燥剂。与底部发射结构相比，顶部发射结构所需的在有机化合物层中产生的光通过其中被发射的材料层少，因而能够抑制反射率不同的各个材料层之间的杂散光。
发明内容
本发明的目的是提供一种发光器件以及ー种制作此发光器件的方法，通过此方法，防止了氧或潮气渗透进入发光元件中。本发明的另一目的是用很少的步骤来包封发光元件而不包入干燥剂。本发明具有顶部表面发射结构，其中，其上制作有发光元件的衬底被键合到透明密封衬底。当ニ个衬底键合时，象素区被透明的第二密封材料覆盖整个表面，并被包含用来維持ニ个衬底之间的间隙的间隙材料(填料、细小颗粒等)的第一密封材料(其粘度高于第二密封材料)环绕。第一密封材料和第二密封材料于是将发光元件密封。若第一密封材料的密封图形形状被形成为正方形、反“c”形、或“U”形，且借助于在其上滴注粘度低的第二密封材料而键合ニ个衬底，则气泡有可能保留在角落处。因此，在本发明中，第一密封材料的图形形状被形成为无弯曲部分的图形(线状)，不使图形形状成为正方形、反“ c”形、或“ U”形。在角落处形成开ロ部分(4个位置)，使气泡通过其中逸出。借助于形成这些开ロ部分，当用粘度低的第二密封材料键合ニ个衬底时，粘度低的第二密封材料沿各个角落的开ロ部分方向被推出。ニ个衬底于是能够被密封而气泡不至于混入到象素区上。此外，粘度高的第一密封材料的图形可以稍许弯曲，使之不形成气泡。而且，密封侧上的衬底表面最好平滑并具有优异的平整度，使气泡不混入。而且，存在着这样的情况，其中，依赖于第二密封材料的粘度及其被推出的方式，第二密封材料的周边部分会从开ロ部分(4个位置)扩展开，形成凸出形状。还存在着这样的情况，其中，第二密封材料的周边部分会形成进入开ロ部分内部的形状。注意，若提供了凸出形状，则能够提高ニ个衬底之间的粘合強度，以便増大接触粘合表面的面积。无论在那种情况下，粘度高的第一密封材料都用来通过间隙材料維持衬底间隙，并调整粘度低的第二密封材料的平面形状。而且，当分割衬底时，第一密封材料还能够用作定位标识。例如，当在一个衬底上制造多个平板时，亦即在所谓多图形的情况下，可以沿第一密封材料分割衬底。而且，当接受到来自外部的冲击时，施加的最大负载的位置能够被设定到排列在象素区外面的第一密封材料的位置(仅仅第一密封材料具有间隙材料)，从而能够防止负载被施加到象素部分。而且，这种结构中的第一密封材料被对称地排列，从而均匀地施加负载，具有良好的平衡。因而能够均匀地分散来自外部的冲击。而且，第一密封材料具有对称的形状，并被对称地排列，从而能够维持非常恒定的间隙。亦即，利用本发明的结构，能够制 造机械强度甚至更高的发光器件。
而且，对于顶部表面发射结构，发光元件发射的光从中通过的衬底薄是可取的。但薄的衬底的缺点是对于冲击来说显得脆弱。尽管如此，即使倾向于比较容易破裂的玻璃衬底之类被用作发光元件发射的光从中通过的衬底，根据本发明也能够制造可承受来自外部的冲击的发光器件。而且，对所用的透明衬底没有特别的限制，例如能够采用塑料衬底等。为了保持粘合強度，成对的衬底最好采用热膨胀系数相同的衬底。
而且，借助于使第一密封材料的密封图形成为简单的形状，除了分配器装置之外，还能够采用例如印刷方法之类的其它密封图形形成方法。而且，发光元件被第一密封材料、第二密封材料、以及衬底密封，从而能够有效地阻挡潮气和氧。注意，在降低了的压カ下或在氮气气氛中进行成对衬底的键合是可取的。根据本说明书中公开的本发明的一种情况，提供了一种发光器件，它包括在成对衬底之间具有多个发光元件的象素部分，成对衬底中至少ー个具有透光性，此发光元件分别具有第一电极；第一电极上且与第一电极接触的有机化合物层；以及有机化合物层上且与有机化合物层接触的第二电极；其特征在于该对衬底被排列环绕象素部分的第一密封材料和与第一密封材料接触并覆盖象素部分的第二密封材料固定；且第一密封材料在4个角落处具有开ロ。在上述结构中，其特征在于第一密封材料具有线性形状并被排列在衬底平面内，与X或y方向平行。而且，如图1A-1C所示，在上述结构中，其特征在于第二密封材料被开ロ暴露，且被暴露的第二密封材料的周边被弯曲。也可以采用这样ー种结构，其中如图IA所示，第二密封材料在开ロ处被暴露，且被暴露的第二密封材料的周边从开ロ凸出。或者，也可以采用这样ー种结构，其中如图IC所示，第二密封材料在开ロ处被暴露，且被暴露的第二密封材料的周边从开ロ向内凹陷。而且，根据本发明的另ー种情况，提供了一种发光器件，它包括在成对衬底之间具有多个发光元件的象素部分，成对衬底中至少ー个具有透光性，此发光元件分别具有第一电极；第一电极上与第一电极接触的有机化合物层；以及有机化合物层上与有机化合物层接触的第二电极；其特征在于将象素部分夹在中间的ー对第一密封材料沿X方向被排列，而另ー对第一密封材料沿I方向被排列；第二密封材料填充至少ー对第一密封材料之间的空间；且倘若第二密封材料被对称地排列将象素部分夹在中间，则第二密封材料的形状具有双向対称性，且不局限于线性形状。而且，在上述各个结构中，第一密封材料包含保持成对衬底之间的间隙的间隙材料。
而且，在上述各个结构中，其特征在干，第二密封材料的透光性高于第一密封材料。而且，在上述各个结构中，其特征在于，第二电极的薄膜厚度为l-10nm。而且，在上述各个结构中，其特征在于，在第二电极与第二密封材料之间提供有具有透光性的由CaF2、MgF2或BaF2制成的保护层。而且，上述各个结构是ー种发光器件，其特征在于，发光元件发射的光通过第二密封材料和衬底中的一个衬底出射。而且，本发明还能够被应用于ニ侧发光元件。在此情况下，上述各结构成为发光器件，其特征在于，发光元件发射的光包括通过第二密封材料和衬底中的一个衬底出射的光以及通过另一村底出射的光。而且，根据本发明的另ー种情况，为了实现上述的各个结构，提供有ー种制造发光器件的方法，其特征是包括下列步骤在第一衬底上形成ー对沿X方向的第一密封材料以及ー对沿y方向的第一密封材料，对总共4个第一密封材料，在各对第一密封材料之间开出间隙；将具有透光性的第二密封材料滴注到第一密封材料环绕的区域上；将第二密封材料扩展开，使之在键合其上制作配备有发光元件的象素部分的第一衬底与第二衬底时至少填充相互面对的第一密封材料之间的空间，致使象素部分被排列在第一密封材料环绕的区域中；以及对第一密封材料和第二密封材料进行固化。而且，根据本发明的另ー种情况，为了实现图IA的顶部表面结构，提供有ー种制造发光器件的方法，其特征是包括下列步骤在第一衬底上形成ー对沿X方向的第一密封材料以及ー对沿y方向的第一密封材料，对总共4个第一密封材料，在各对第一密封材料之间开出间隙；将具有透光性的第二密封材料滴注到第一密封材料环绕的区域上；将第二密封材料扩展开，使之在键合其上制作配备有发光元件的象素部分的第一衬底与第二衬底时从相邻第一密封材料之间凸出，致使象素部分被排列在第一密封材料环绕的区域中；以及对第一密封材料和第二密封材料进行固化。而且，第一密封材料和第二密封材料也可以被形成在其上形成象素部分的第二衬底上。根据有关其制造方法的本发明的另ー种情况，提供有一种制造半导体器件的方法，其特征是包括下列步骤在其上制作配备有发光元件的象素部分的第一衬底上，形成ー对沿X方向的第一密封材料以及ー对沿y方向的第一密封材料，对总共4个第一密封材料，在各对第一密封材料之间开出间隙，以便环绕象素部分；将具有透光性的第二密封材料滴注到象素部分上；将第二密封材料扩展开，使之在键合第一衬底与第二衬底时至少填充相互面对的第一密封材料之间的空间；以及
对第一密封材料和第二密封材料进行固化。在有关上述各个制造方法的结构中，对第一密封材料和第二密封材料进行固化的步骤，是辐照紫外光的步骤或热处理步骤。而且，在有关上述各个制造方法的结构中，其特征在于，第二密封材料的粘度低于第一密封材料。而且，在有关上述各个制造方法的结构中，其特征在于，还存在着在固化第一密封材料和第二密封材料之后，沿第一密封材料分割第一衬底和第二衬底的步骤。而且，在本发明中，虽然具有薄膜厚度且光从其中通过的金属膜，典型是以铝作为其主要成分的膜，被用作第二电极(阴极或阳极)，但金属膜倾向于容易氧化，导致其电阻值増大。而且，存在着第二电极与密封材料中所含组分发生反应的危险。因此，希望用例如CaF2, MgF2、或BaF2的透明保护膜覆盖形成在含有有机化合物的层上的第二电极(阴极或阳极)，从而防止第二电极与密封材料之间的反应，并有效地阻挡氧和潮气而无须使用干燥齐U。而且，有可能用蒸发方法来形成CaF2、MgF2、和BaF2。借助于用蒸发方法相继形成阴极和透明保护层，能够防止杂质混入，并能够防止电极表面被暴露于大气。而且，与LiF相比， CaF2, MgF2, BaF2是稳定的材料，不会扩散到TFT，从而几乎不造成不利影响。而且，利用其分子结构中没有氧原子的金属(功函数大的材料)，例如氮化钽膜作为第一电极，利用其分子结构中没有氧原子的金属(功函数小的材料)，例如铝薄膜作为第ニ电极，并用CaF2、MgF2、或BaF2将它们覆盖，第一电极与第二电极之间的区域能够保持浓度尽可能接近O的无氧状态。而且，虽然对用作第二密封材料的材料没有特别的限制，只要是ー种高度透明的材料，但采用阻挡氧和潮气的材料是可取的。而且，若紫外固化树脂被用作第二密封材料，则在固化过程中，紫外光也被辐照到象素部分。因此，希望在透明保护膜上形成一个仅仅吸收或反射紫外光的层，例如ZnO等。根据本说明书公开的本发明的另ー种情况，提供了一种发光器件，它包括在成对衬底之间具有多个发光元件的象素部分，成对衬底中至少ー个具有透光性，此发光元件分别具有第一电极；第一电极上与第一电极接触的包含有机化合物的层；以及包含有机化合物的层上与包含有机化合物的层接触的第二电极；第二电极上由CaF2、MgF2、或BaF2制成的具有透光性的保护层；以及保护膜上的具有透光性的密封材料；其特征在于第一电极是各个金属层的叠层；且第二电极由厚度为I-IOnm的金属薄膜的单层组成。在上述结构中，此金属薄膜采用铝作为其主要组分。在各个金属层的叠层中，与含有有机化合物的层相接触的层是由氮化钛组成的层。而且，此金属层也可以是由氮化钛组成的单层而不是叠层。而且，在上述结构中，其特征在于，第一电极接触TFT的源区或漏区，即第一电极被电连接到TFT的源区或漏区。而且，在上述结构中，金属薄膜位于由CaF2、MgF2、或BaF2制成的膜厚度比金属层小的层上并与此层相接触。此外，在金属薄膜上存在着由CaF2、MgF2、或BaF2制成的膜厚度比金属薄膜厚的层并与金属薄膜相接触。亦即，金属薄膜被CaF2、MgF2、或BaF2制成的层夹在中间并被保护。而且，在上述结构中，其特征在于成对的衬底被排列环绕象素部分的第一密封材料和接触第一密封材料并覆盖象素部分的第二密封材料固定，且第一密封材料在其4个角落具有开ロ。注意，发光元件(EL元件)具有包含有机化合物的层(以下称为EL层)、阳极、以及阴极，在EL层中，借助于施加电场而产生发光(电致发光)。从单重激发态返回到基态时的光发射(荧光)以及从三重激发态返回到基态时的光发射(磷光)，以有机化合物发光的形式存在。根据本发明制造的发光器件能够被应用于其中任何一种光发射。具有EL层的发光元件(EL元件)具有EL层被夹在成对的电极之间的结构，且EL层通常具有叠层结构。已经由Eastman Kodak公司的Tang等人提出的由空穴输运层、发光层、以及电子输运层组成的叠层结构可以作为典型的例子。此结构具有极高的发光效率，且目前正在研发的几乎所有发光器件都采用这种结构。 而且，也可以采用空穴注入层、空穴输运层、发光层、以及电子输运层依次层叠在阳极上的结构。还可以采用空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、以及电子注入层依次层叠在阳极上的结构。还可以将荧光顔料等掺入到发光层中。而且，可以利用所有低分子量材料来形成这些层，也可以利用所有聚合物材料来形成这些层。而且，也可以采用包含无机材料的层。注意，在本说明书中，形成在阴极与阳极之间的所有的层都被通称为EL层。因此，空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、以及电子注入层都被包括在EL层分类中。而且，对在本发明的显示器件中驱动屏幕显示的方法没有特别的限制。例如，可以采用逐点驱动方法、逐行驱动方法、逐面驱动方法等。典型采用逐行驱动方法，也可以适当地采用时分灰度驱动方法或表面积灰度驱动方法。而且，输入到发光器件源线的图象信号可以是模拟信号和数字信号。可以根据所用的图象信号来适当地设计驱动电路等。
在附图中图1A-1C示出了实施方案模式I ;图2A和2B示出了实施方案模式I ;图3A-3C示出了实施方案模式2 ；图4A-4E示出了实施方案模式3 ；图5A和5B示出了有源矩阵发光器件的结构(实施方案I)；图6示出了实施方案模式I ;图7A和7B示出了实施方案2 ;图8示出了密封材料的透射率；图9示出了填充剂直径与粘合強度之间的关系；图10A-10F示出了电子装置的例子(实施方案3);而图IIA-IIC示出了电子装置的例子(实施方案3)。
具体实施例方式下面解释本发明的实施方案模式。实施方案模式I图IA是实施本发明的有源矩阵发光器件的俯视图。在图IA中，參考号11表不第一衬底，參考号12表不第二衬底，参考号13表不象素部分，參考号14表不驱动电路部分,參考号15表不端子部分,參考号16表不第一密封材料，而參考号17a表不第二密封材料。对用于衬底11的材料没有特别的限制。但对于第一衬底11和第二衬底12，由于此ニ个衬底被键合到一起，故最好采用热膨胀系数完全相同的衬底。若要制造底部表面发射的发光器件，则采用具有透光性的衬底，例如玻璃衬底、石英衬底、或塑料衬底作为第一衬底11的材料。而且，若要制造顶部表面发射的发光器件，则也可以采用半导体衬底或金属衬底。具有多个发光元件的象素部分13、驱动电路部分14、以及端子部分15被制作在第ー衬底11上。此处示出了ー个例子，其中第一密封材料16被排列环绕象素部分13和驱动电路部分14。而且,第一密封材料16之一的一部分与端子部分15 (即从端子电极延伸的布线)重叠。注意，第一密封材料16包含间隙材料，以便保持成对衬底之间的空间。第一密封材料16包含间隙材料，因此，第一密封材料16最好不与各个元件(例如TFT)重叠，使当施加某种负载时不出现短路等。而且，第一密封材料的顶部表面形状为线性的，并在4个角落中有开ロ。換言之，第一密封材料16中的ニ个沿X方向平行排列，将象素部分夹在中间，且第一密封材料16中的ニ个沿y方向平行排列，将象素部分夹在中间。排列的第一密封材料的总数是4。而且，第二密封材料17a至少填充ー对第一密封材料16之间的空间。成对的衬底被排列环绕象素部分的第一密封材料16以及接触第一密封材料和覆盖象素部分的第二密封材料17a固定。而且，第二密封材料17a是无色的透明材料，且不包含间隙材料。因此具有比第一密封材料16更高的光透射率。第二密封材料17a被暴露于间隙或各个第一密封材料之间的开口中，且其顶部表面形状中被暴露的第二密封材料17a的周边具有弯曲的形状。下面用图2A和2B来解释第二密封材料17a取图IA所示形状的机制。图2A示出了键合之前密封衬底(第二衬底22)的俯视图例子。图2A示出了从ー对衬底形成具有一个象素部分的发光器件的例子。首先，利用分配器在第二衬底22上形成4个第一密封材料26，然后在其上滴注粘度比第一密封材料低的第二密封材料。注意，其上滴注了第二密封材料的第二衬底的俯视图对应于图2A。然后，将其上形成具有发光元件的象素部分23或驱动电路部分24以及端子部分25的第一衬底键合到第二衬底。图2B示出了成对衬底刚刚被键合之后的俯视图。第一密封材料的粘度高，故在键合时扩展很小。但第二密封材料的粘度低，故第二密封材料在键合时平坦地扩展开，如图2B所示。第二密封材料在各个第一密封材料26之间被推出，亦即沿图2B所示方向向着开ロ部分被推出。因而能够阻止气泡存在于被第二密封材料填充的第 一密封材料26之间的区域内。第一密封材料26与第二密封材料27b即使存在着接触也不混合，且第一密封材料26的粘度 使得其形成位置不被第二密封材料27b改变。在图2B中，第二密封材料27b被暴露于开口中，且被暴露的第二密封材料27的周边从各个开ロ凸出。借助于第二密封材料27b从开ロ凸出，能够使周围环境与象素部分之间的距离更大，此外，能够阻挡氧和潮气。而且，也増大了总的接触表面积，因而也提高了键合强度。而且，第二密封材料27b的周边在开口中被弯曲。注意，此处示出了在第二衬底22上形成第一密封材料或第二密封材料之后键合各个衬底的例子，但本发明不具体局限于这种结构。第一密封材料或第二密封材料也可以被形成在其上形成各个元件的第一衬底上。然后，借助于执行热处理或紫外光辐照来固化第一密封材料26和第二密封材料27b。接着，对第二衬底22的各个部分进行分割。图2B中虚线区段所示的各个线成为衬底切割线。分割时可以沿形成在端子部分25上的第一密封材料平行地设定各个切割线。于是，根据上述的手续，就能够得到图IA所示的第二密封材料17a的形状。而且，虽然图IA示出了第二密封材料17a从各个开ロ凸出的例子，但借助于适当地改变用于第二密封材料的材料粘度或数量，也可以形成其它的形状。例如，如图IB所示，第二密封材料17b可以被暴露于开口中，且被暴露的第二密封材料的周边可以被弯曲。在图IB中，第二密封材料不从开ロ凸出。第二密封材料的周边取填充各个第一密封材料的间隙的形状，形成ー个弧。而且，如图IC所示，第二密封材料17c可以被暴露于开口中，且被暴露的第二密封材料的周边可以从开ロ部分向内凹陷被弯曲。而且，倘若第一密封材料具有双向対称性且对称地排列将象素部分夹在中间，则第一密封材料不局限于线性形状。例如，如图6所示，第一密封材料的形状可以稍许弯曲，使粘度小的第二密封材料在键合时容易扩展开。实施方案模式2此处在图3A中示出了本发明的象素部分剖面结构的一部分。在图3A中，参考号300表不第一衬底,参考号30Ia和301b表不绝缘层，參考号302表不TFT,參考号308表不第一电极，而參考号309表不绝缘体。参考号310表不EL层，參考号311表不第二电极,参考号312表不透明的保护层，參考号313表不第二密封材料,而参考号314表不第二衬底。制作在第一衬底300上的TFT 302 (P沟道TFT)是用来控制发光EL层310中流动的电流的元件，且參考号304表示其漏区(或源区)。而且，參考号306表示连接第一电极与漏区(或源区)的漏电极(或源电极)。而且，用相同的エ艺，与漏电极同时形成诸如电源线或源布线之类的布线307。此处示出了第一电极与漏电极被分别形成的例子，但它们也可以被同时形成。在第一衬底300上形成成为基底绝缘膜的绝缘层301a(此处氮化物绝缘膜作为下层，氧化物绝缘膜作为上层)，并在栅电极305与有源层之间形成栅绝缘膜。而且。參考号301b表示由有机材料或无机材料组成的层间绝缘膜。而且，虽然此处未示出，但在ー个象素中也可以制作额外的TFT (η沟道TFT或P沟道TFT)，或在一个象素中也可以制作多个TFT。而且，虽然此处示出了具有一个沟道形成区303的TFT，但本发明不特别局限于此，而是也可以采用具有多个沟道的TFT。
而且，參考号308表示OLED的第一电极亦即阳极(或阴极)。选自Ti、TiN、TiSixNy、Ni、W、WSix、WNx、WSixNy、NbN、Mo、Cr、Pt、Zn、Sn、In、Mo 的元素的薄膜，或以这些元素之一作为其主要成分的合金材料或化合物材料，或这些薄膜的叠层，可以被用作第一电极308，其总厚度为100-800nm。此处，氮化钛膜被用作第一电极308。当采用氮化钛膜作为第一电极308时，最好借助于辐照紫外光或在表面上用氯气进行等离子体处理来提高功函数。 而且，绝缘体309(也称为堤坝、侧壁、坝体等)覆盖着第一电极308(以及布线307)的边沿部分。无机材料(例如氧化硅、氮化硅、以及氮氧化硅)、光敏有机材料和非光敏有机材料(例如聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂、以及苯并环丁烯)、这些材料的叠层等，能够被用作绝缘体309。此处采用被氮化硅膜覆盖的光敏有机树脂。当例如采用正性光敏丙烯酸作为有机树脂材料时，最好仅仅在绝缘体的上边沿部分提供具有曲率半径的弯曲表面。而且，由于曝光而成为不溶于腐蚀剂的负性光敏有机材料，以及由于曝光而成为可溶于腐蚀剂的正性光敏有机材料，能够被用作此绝缘体。而且，用蒸发方法或涂敷方法，形成包含有机化合物的层310。注意，在形成包含有机化合物的层310之前，最好执行真空热处理，从而进行除气，以便改善可靠性。例如，若采用蒸发方法，则在已经被抽空到压カ等于或小于5X10_3乇(0.665Pa)，最好为10_6_10_4Pa的成膜工作室中执行蒸发。当进行蒸发时，用电阻加热方法预先使有机化合物气化，并借助于在蒸发时打开快门而使有机化合物向着衬底弥散。被气化了的有机化合物向上弥散，并在通过制作在金属掩模中的窗ロ部分之后，被淀积在衬底上。例如，借助于用蒸发方法依次层叠Alq3、其中部分地掺入了是为红色发光颜料的尼罗红的Alq3、Alq3、p_EtTAZ、以及TH)(芳香族ニ胺)，能够得到白色。而且，若用甩涂涂敷方法形成包含有机化合物的层，则最好在涂敷之后用真空热处理方法对此层进行焙烧。例如，用作空穴注入层的聚(亚こ基ニ氧基噻吩)和聚(苯こ烯磺酸)(PED0T/PSS)的水溶液可以被涂敷在整个表面上并焙烧。然后，可以将用作发光层的掺有发光中心颜料(1，1，4，4_四苯基-1，3-丁ニ烯(TPB)、4_ ニ氰基ニ甲基-2-甲基-6-(p-ニ甲胺-苯こ烯基)-4H-吡喃(DCMl)、尼罗红、香豆素6之类)的聚こ烯咔唑(PVK)的溶液涂敷在整个表面上并焙烧。注意，水被用作不溶于有机溶剂的PED0T/PSS的溶齐U。随后，若PVK被涂敷其上，就没有重新溶解的危险。而且，PED0T/PSS和PVK的溶剂不同，因此，最好对二者不使用一个成膜工作室。而且，包含有机化合物的层310能够被制作成单层，且具有电子输运特性的1，3，4-p恶ニ唑衍生物(PBD)，可以被分散在具有空穴输运特性的聚こ烯咔唑(PVK)中。此外，借助于分散30%重量比的PBD作为电子输运剂，并分散适当量的4种颜料(TPB、香豆素6、DCM1、以及尼罗红)，能够得到白色发光。而且，參考号311表示由导电膜组成的第二电极，亦即OLED的阴极(或阳极)。诸如MgAg、MgIn, AlLi、CaF2、CaN之类的合金膜，或具有透光性的用铝与周期表I族或2族元素协同蒸发形成的膜，可以被用作第二电极311的材料。此处要制造通过第二电极发光的顶部发射型发光器件，因而采用厚度为I-IOnm的铝膜或包含少量Li的铝膜。若采用铝膜的结构被用作第二电极311，则利用氧化物之外的材料，有可能形成接触包含有机化合物的层310的材料，从而能够提高发光器件的可靠性。而且，在形成I-IOnm的铝膜之前，也可以将具有透光性的由CaF2、MgF2、或BaF2组成的层(膜厚度为l_5nm)形成为阴极缓冲层。
而且，为了使阴极具有较低的电阻，还可以在不成为发光区的区域中，在第二电极311上形成互补电极。而且，可以利用根据蒸发的电阻加热方法，并利用蒸发掩模，在阴极形成时选择性地形成阴极。而且，參考号312表示用蒸发方法形成的透明保护层，此保护层保护着由金属薄膜组成的第二电极311。此外，透明保护层312被第二密封材料313覆盖。第二电极311是非常薄的金属膜，因而暴露于氧时倾向于出现氧化。存在着第二电极311与密封材料所含溶剂发生反应而改变其性质的危险。借助于用透明保护层312，例如CaF2、MgF2、或BaF2覆盖由这种金属薄膜组成的第二电极311，防止了第二电极311与包含在第二密封材料313中的溶剂等的反应。同时还能够有效地阻挡氧和潮气而无须使用干燥剂。而且，有可能用蒸发方法来形成CaF2、MgF2、和BaF2。借助于用蒸发方法连续地形成阴极和透明保护层，在电极表面暴露于大气的时候，能够防止杂质混入。此外，若采用蒸发方法，则能够在对包含有机化合物的层几乎不引起损伤的情况下形成透明保护层312。借助于在第二电极311上下形成由CaF2、MgF2、或BaF2组成的具有透光性的各个层，从而将第二电极311夹在中间，还能够进ー步保护第二电极311。
而且，利用其分子结构中没有氧原子的金属(功函数大的材料)，例如氮化钽膜作为第一电极，利用其分子结构中没有氧原子的金属(功函数小的材料)，例如铝薄膜作为第ニ电极，并借助于用CaF2、MgF2、或BaF2覆盖这些电极，第一电极与第二电极之间的区域能够保持浓度尽可能接近零的无氧状态。而且，第二密封材料313用实施方案模式I的方法键合第二衬底314与第一衬底300。倘若材料具有透光性质，则对第二密封材料313没有特别的限制，典型地采用紫外线固化的环氧树脂和热固化的环氧树脂。此处采用抗热性高的紫外线环氧树脂(Electix)Iite公司制造的，产品名为2500Clear)，其折射率等于I. 50，粘度等于500cps，肖氏D硬度等于90，抗张强度等于3000psi，Tg点为150°C，体电阻率等于I X IO15 Ω cm,而耐压为450V/mil。而且，借助于在成对衬底之间填充第二密封材料313，能够提高总透射率。对于下列各种情况得到了透射率当第二密封材料填充成对玻璃衬底之间的空间时；当第一密封材料填充成对玻璃衬底之间的空间时；以及当氮气填充成对衬底之间的空间时。如图8所示，当第ニ密封材料填充成对玻璃衬底之间的空间时，透射率在可见光区域显示的数值等于或大于90%。注意，在图8中，沿垂直轴示出了光透射率，水平轴示出了波长。而且，图3B示出了发光区中层叠结构的简化形式。发射的光沿图3B所示箭头的方向出射。而且，如图3C所示，若由透明导电膜组成的第一电极318被用来取代金属层组成的第一电极308，则发射的光能够从顶部表面和底部表面二者出射。ITO (氧化铟锡合金)、氧化铟和氧化锌的合金(In2O3-ZnO),氧化锌(ZnO)等，可以被用作此透明导电膜。而且，本实施方案模式能够与实施方案模式I自由组合。实施方案模式3图4A-4E示出了在一个衬底上形成多个象素部分的情况，亦即多图形的例子。此处示出了用一个衬底形成4个平板的例子。首先，在惰性气氛下，用分配装置在第二衬底31的预定位置形成第一密封材料32 (见图4A)。包含填充剂(直径为6-24微米)且粘度为370Pa · s的材料被用作第一密封材料32的透明密封材料。而且，图9示出了包含在此密封材料中的填充剂的尺寸与粘合強度之间的关系。而且，由于第一密封材料32具有简单的密封图形，故可以用印刷工艺来形成第一密封材料32。接着，将透明的第二密封材料33滴注在第一密封材料32 (4个角落中具有开ロ)环绕的区域上(见图4B)。
而且，此处采用了折射率为I. 50而粘度为500cps的抗热性高的紫外线环氧树脂(Electrolite公司制造的，产品名为2500C Iear)。然后，其上形成象素部分34的第一衬底以及其上形成密封材料的第二衬底被键合(见图4C)。注意，在刚刚要用密封材料键合成对衬底之前，最好在真空中进行退火，从而执行除气。第二密封材料33扩展开，以便形成图IB所示的形状，并使之填充第一密封材料32之间的空间。依赖于第一密封材料32的形状和排列，能够使第二密封材料33填充此空间而不引入气泡。接着进行紫外光辐照，使第一密封材料32和第二密封材料33固化。注意，除了紫外线辐照之外，还可以执行热处理。接着，用划片装置形成虚线所示的划痕线35(见图4D)。可以沿第一密封材料形成划痕线35。接着，用破裂装置分割衬底(见图4E)。于是从一个衬底能够制造4个平板。而且，本实施方案模式能够与实施方案模式I或实施方案模式2自由组合。具有上述结构的本发明的更为详细的解释将由下面所示的各个实施方案给出。实施方案实施方案I參照图5,在本实施方案中将描述发光器件,它具有包括作为发光层的有机化合物层的发光兀件。图5A是发光器件的俯视图，而图5B是沿图5A中A-A’的剖面图。虚线1101是源信号线驱动电路，1102是象素部分，而1103是栅信号线驱动电路。参考号1104是封闭的衬底，而1105是密封剂。被第一密封剂1105封闭的内部，被第二透明密封剂1107填充。第ニ密封剂1107在4个角落处被暴露。參考号1108是源信号线驱动电路和用来将输入的信号传输到栅信号线驱动电路103并从外部输入端子FPC 1109接收视频信号和时钟信号的布线。虽然此处仅仅示出了FPC，但可以将印刷电路板(PWB)固定到FPC。本说明书中的发光器件不仅包括发光器件本体，而且还包括FPC或PWB连接于其上的发光器件。接着，參照图5B来解释剖面结构。驱动电路和象素部分被制作在衬底1110上。此处，制作了作为驱动电路的源信号线驱动电路1101和象素部分1102。借助于组合n沟道TFT 1123和p沟道TFT 1124，而形成CMOS电路作为源信号线驱动电路1101。TFT形成的驱动电路可以由熟知的CMOS电路、PMOS电路、或NMOS电路组成。本实施方案示出了ー种内建驱动器，其中，驱动电路被制作在衬底上，但不局限于此。此驱动电路可以不制作在衬底上而制作在其外部。象素部分1102由多个包括开关TFT 1111、电流控制TFT 1112、以及电连接到电流控制TFT 1112的漏的第一电极(阳极)1113的象素组成。由于第一电极1113直接接触到TFT的漏，故第一电极1113的底层由能够与漏形成欧姆接触的硅材料组成。接触到有机化合物层的第一电极1113的表面最好由功函数大的材料制成。当第一电极由三层结构，例如氮化钛膜、铝基膜、和氮化钛膜组成时，第一电极能够抑制低电阻用作布线，形成对漏的良好欧姆接触，并用作阳极。此外，第一电极1113可以由氮化钛膜的单层或3层或更多层的叠层结构形成。而且，在第一电极(阳极)1113的ニ端形成绝缘体(称为堤坝、势垒等)1114。绝缘体1114可以由有机树脂膜或含硅的绝缘膜组成。此处，如图5所示，正性光敏丙烯酸树脂膜被用来形成绝缘体1114。可以用氮化铝膜、氮氧化铝膜、或氮化硅膜制成的保护膜来覆盖绝缘体1114。此保护膜是ー种用直流溅射或射频溅射方法形成的由氮化硅或氮氧化硅作为主要成分组成的绝缘膜。当硅靶被用来在含有氮和氩的气氛中形成保护膜吋，能够形成氮化硅膜。也可以采用氮化硅靶。可以利用遥控等离子体淀积装置来形成保护膜。为了光通过其中，保护膜的厚度最好形成为尽可能薄。利用蒸发掩模，用蒸发方法，或用喷墨方法，在第一电极(阳极)1113上选择性地形成有机化合物层1115。在有机化合物层1115上形成第二电极(阴极)1116。从而形成了由第一电极(阳极)1113、有机化合物层1115、以及第二电极(阴极)1116组成的发光元件1118。由于此处示出了发光元件发射白色光的例子，故提供了由成色层1131和BM 1132(为便于说明，未示出涂敷层)组成的滤色器。若分别形成能够得到红、绿、蓝发光的有机化合物层，则能够实现全色显示而无须滤色器。为了包封衬底1110上的发光元件1118，用第一密封剂1105和第二密封剂1107来粘合封闭的衬底1104。第一密封剂1105和第二密封剂1107的优选材料是环氧树脂。第一密封剂1105和第二密封剂1107最好尽可能不渗透潮气或氧。在本实施方案中，除了玻璃衬底或石英衬底之外，由FRP (玻璃纤维加固的塑料)、PVF(聚氟こ烯)、Mylar、聚酯、丙烯酸之类制成的塑料衬底可以被用作封闭衬底1104。在用第一密封剂1105和第二密封剂1107粘合封闭衬底之后，可以用第三密封剂来粘合封闭衬底1104以覆盖侧面(暴露面)。用第一密封剂1105和第二密封剂1107包封的发光兀件能够与外界完全隔开,从而防止引起有机化合物层退化的潮气或氧的滲透。因此，能够制造高度可靠的发光器件。本实施方案能够与实施方案模式1-3中的任何ー个自由组合。实施方案2在本实施方案中，图7不出了不同于实施方案模式2的剖面结构。在图7A中，參考号700是第一衬底，701a和701b是绝缘层，702是TFT，710是EL层，711是第二电极，712是透明保护层，713是第二密封剂，而714是第二衬底。制作在衬底700上的TFT 702 (p沟道TFT)控制着流过用来发光的EL层710的电流。參考号704是漏区(或源区)。虽然此处未示出，但为ー个象素提供了ー个额外的TFT (n沟道TFT或p沟道TFT)或多个TFT。此处示出了具有一个沟道形成区703的TFT，但不局限于此，TFT可以具有多个沟道。图7A示出了这样ー种结构，其中，形成由金属叠层组成的第一电极708a_708c，然后，在形成用来覆盖第一电极ニ端的绝缘体709(也称为堤坝、势垒等)之后，用此绝缘体 709作为掩模，以自对准方式进行腐蚀，第一电极的中央部分就被薄薄地腐蚀，利用一部分绝缘体被腐蚀，就在其ニ端处形成台阶。利用这ー腐蚀，第一电极的中央部分被减薄且变平，而第一电极的ニ端部分较厚，亦即形成凹陷形状。然后，在第一电极上形成有机化合物层710和第二电极711，从而完成发光元件。图7A所示的结构是为了借助于用形成在第一电极台阶部分中的斜坡反射或会聚横向光而提高沿一定方向(通过第二电极的方向)出射的发光量。于是，斜坡部分708b最好由反射光的金属组成，例如由铝或银作为主要成分制作的材料。中央部分708a最好由功函数大的阳极材料或功函数小的阴极材料組成。由于诸如电源线或源线之类的布线707被同时形成，故最好选择低阻材料。优选倾斜角(也称为锥角)大于50度而小于60度，54. 7度更优选。为了使第一电极斜坡面反射的光不被弥散或杂散，需要适当地设定倾斜角、有机化合物层的材料和厚度、或第ニ电极的材料和厚度。在本实施方案中，參考号708a是钛膜(厚度为60nm)和氮化钛膜(厚度为IOOnm) 的叠层，708b是含有少量钛的铝膜(厚度为350nm)，而708c是钛膜(厚度为IOOnm)。708c保护着708b，以防止铝膜的析出或退化。也可以用氮化钛膜作为708c，以便赋予其遮光性质并防止铝膜的反射。为了使708a对硅组成的704形成良好的欧姆接触，钛膜被用于708a的底层，但不局限于此，也可以采用其它的金属膜。708a可以由氮化钛膜的单层组成。在本实施方案中，由于氮化钛膜被用作阳极，故需要进行紫外线处理或等离子体处理。但对氮化钛膜表面的等离子体处理与对708b和708c的腐蚀同时进行，氮化钛膜从而能够得到作为阳极那样大的功函数。 能够代替氮化钛膜的阳极材料是选自Ni、W、WSix、WNX、WSixNy, NbN, Mo、Cr、Pt、Zn、Sn、In、或Mo的元素、由上述元素作为主要成分组成的合金材料或化合物材料。可以采用总厚度为100-800nm的由上述元素或材料组成的膜或叠层膜。在图7A所示的结构中，由于用绝缘体709作为掩模以自对准的方式进行腐蚀，故不需要增加更多的掩模。因而能够以很少的掩模和步骤来制造顶部发射结构的发光器件。图7B示出了不同于图7A的结构。绝缘层801c被用作层间绝缘膜，并在不同的层处提供第一电极和漏电极(或源电极)。因而增加了掩模的数目，但能够增大发光面积。在图7B中，參考号800是第一衬底，801a、801b、801c是绝缘层，802是TFT(p沟道TFT)，803是沟道形成区，804是漏区(或源区)，805是栅电极，806是漏电极(或源电极)，807是布线，808是第一电极、809是绝缘体，810是EL层，811是第二电极，812是透明保护层，813是第二密封剂，而814是第二衬底。若透明导电膜被用作第一电极808,则顶部和底部发射结构的发光器件都能够被制造。本实施方案能够与实施方案模式1-3和实施方案I中的任何ー个自由组合。实施方案3借助于实施本发明，完成了用具有有机化合物层的模块(有源矩阵型EL模块、无源矩阵型EL模块)集成的所有电子装置。作为这种电子装置，指出了 摄象机、数码相机、头戴式显示器(风镜式显示器)、车辆导航装置、投影仪、汽车立体声、个人计算机、便携式信息終端(移动计算机、便携式电话、或电子图书等)等。图10和11示出了这些例子。图IOA是ー种个人计算机，它包括主体2001、图象输入部分2002、显示部分2003、以及键盘2004。图IOB是ー种摄象机，它包括主体2101、显示部分2102、声音输入部分2103、操作开关2104、电池2105、以及图象接收部分2106。图IOC是ー种移动计算机，它包括主体2201、相机部分2202、图象接收部分2203、操作开关2204、以及显示部分2205。图IOD是ー种风镜式显示器，它包括主体2301、显示部分2302、以及镜臂部分2303。图IOE是ー种采用记录有程序的记录媒质(以下称为记录媒质)的游戏机，它包括主体2401、显示部分2402、扬声器部分2403、记录媒质2404、以及操作开关2405。而且，此游戏机采用DVD (数字万能碟盘)或CD作为记录媒质，井能够欣赏音乐，欣赏电影，以及玩游戏或上网。图IOF是ー种数码相机，它包括主体2501、显示部分2502、目镜部分2503、操作开关2504、以及图象接收部分(未示出)。图IlA是ー种便携式电话，它包括主体2901、声音输出部分2902、声音输入部分2903、显示部分2904、操作开关2905、天线2906、以及图象输入部分(CXD，图象传感器)2907。图IlB是ー种便携式图书(电子图书)，它包括主体3001、显示部分3002和3003、记录媒质3004、操作开关3005、天线3006。图IlC是ー种显示器，它包括主体3101、支座3102、以及显示部分3103。顺便说一下，图IlC所示的显示器是中小型或大型屏幕尺寸的，例如5-20英寸的屏幕尺寸。而且，为了制作这种尺寸的显示部分，最好采用衬底边为I米的显示部分并借助于产生许多切片而进行大規模生产。如上所述，本发明的应用范围非常广阔，可应用于制造所有领域电子装置的方法。而且，利用包含实施方案模式1-3以及实施方案I和2的任何组合的结构，能够实现本实施方案的各种电子装置。根据本发明，在键合成对的衬底时，能够使透明密封材料填充空间而不包含气泡。因此，能够得到具有高可靠性的发光器件。而且，利用其分子结构中没有氧原子的金属(功函数大的材料)，例如氮化钽膜作 为第一电极，利用其分子结构中没有氧原子的金属(功函数小的材料)，例如铝薄膜作为第ニ电极，并用CaF2、MgF2、或BaF2覆盖它们，第一电极与第二电极之间的区域能够保持浓度尽可能接近0的无氧状态。因此，能够得到具有高可靠性的发光器件。
权利要求
1.一种制造发光器件的方法，包含 在第一衬底之上形成ー对沿X方向的第一密封材料以及ー对沿y方向的第一密封材料，对总共4个第一密封材料，在每对第一密封材料之间开出间隙； 在第一密封材料环绕的区域之上滴注具有透光性的第二密封材料； 将第二密封材料扩展开，使之在键合第二衬底与其上制作配备有发光元件的象素部分的第一衬底时至少填充相互相対的第一密封材料之间的空间，致使象素部分被排列在第一密封材料环绕的区域中；以及 对第一密封材料和第二密封材料进行固化。
2.一种制造发光器件的方法，包含 在第一衬底上形成ー对沿X方向的第一密封材料以及ー对沿y方向的第一密封材料， 对总共4个第一密封材料，在每对第一密封材料之间开出间隙； 在第一密封材料环绕的区域之上滴注具有透光性的第二密封材料； 将第二密封材料扩展开，使之在键合第二衬底与其上制作配备有发光元件的象素部分的第一衬底时从相邻第一密封材料之间凸出，致使象素部分被排列在第一密封材料环绕的区域中；以及 对第一密封材料和第二密封材料进行固化。
3.—种制造半导体器件的方法，包含 在其上制作配备有发光元件的象素部分的第一衬底之上，形成ー对沿X方向的第一密封材料以及ー对沿y方向的第一密封材料，对总共4个第一密封材料，在每对第一密封材料之间开出间隙，以便环绕象素部分； 在象素部分之上滴注具有透光性的第二密封材料； 将第二密封材料扩展开，使之在键合第一衬底与第二衬底时至少填充相互面对的第一密封材料之间的空间；以及 对第一密封材料和第二密封材料进行固化。
4.根据权利要求I的制造发光器件的方法，其中，对第一密封材料和第二密封材料进行固化的步骤，是辐照紫外光的步骤或热处理步骤。
5.根据权利要求2的制造发光器件的方法，其中，对第一密封材料和第二密封材料进行固化的步骤，是辐照紫外光的步骤或热处理步骤。
6.根据权利要求3的制造发光器件的方法，其中，对第一密封材料和第二密封材料进行固化的步骤，是辐照紫外光的步骤或热处理步骤。
7.根据权利要求I的制造发光器件的方法，其中，第二密封材料的粘度低于第一密封材料。
8.根据权利要求2的制造发光器件的方法，其中，第二密封材料的粘度低于第一密封材料。
9.根据权利要求3的制造发光器件的方法，其中，第二密封材料的粘度低于第一密封材料。
10.根据权利要求I的制造发光器件的方法，其中，还存在着在固化第一密封材料和第ニ密封材料之后，沿第一密封材料分割第一衬底和第二衬底的步骤。
11.根据权利要求2的制造发光器件的方法，其中，还存在着在固化第一密封材料和第ニ密封材料之后，沿第一密封材料分割第一衬底和第二衬底的步骤。
12.根据权利要求3的制造发光器件的方法，其中，还存在着在固化第一密封材料和第ニ密封材料之后，沿第一密封材料分割第一衬底和第二衬底的步骤。
13.—种制造半导体器件的制造方法,包含 形成被形成在第一衬底之上的象素部分； 在第一衬底之上形成在象素部分外侧的第一密封材料，第一密封材料具有多个开ロ ； 在象素部分之上滴注具有透光性的第二密封材料； 将第二衬底键合到具有象素部分的第一衬底，第一密封材料和第二密封材料位于其间，使得第二密封材料被扩展开而覆盖象素部分并且与第一密封材料接触；以及 对第一密封材料和第二密封材料进行固化。
14.根据权利要求13的制造发光器件的方法，其中，对第一密封材料和第二密封材料进行固化的步骤，是辐照紫外光的步骤或热处理步骤。
15.根据权利要求13的制造发光器件的方法，其中，第二密封材料的粘度低于第一密封材料。
16.根据权利要求13的制造发光器件的方法,其中，还存在着在固化第一密封材料和第二密封材料之后，沿第一密封材料分割第一衬底和第二衬底的步骤。
17.根据权利要求13的制造发光器件的方法，其中，第二密封材料在多个开ロ处被暴露，且被暴露的第二密封材料的周边被弯曲并从多个开ロ凸出。
18.根据权利要求13的制造发光器件的方法，其中，第一密封材料朝向象素部分被凸出弯曲。
全文摘要
提供了一种具有防止氧和潮气到达发光元件的结构的发光器件及其制造方法。而且，用不多的工艺步骤将发光元件密封而无须封入干燥剂。本发明具有顶部表面发射结构。其上形成发光元件的衬底被键合到透明密封衬底。在此结构中，当键合二个衬底时，透明的第二密封材料覆盖着象素区的整个表面，而包含用来保护二个衬底之间的间隙的间隙材料(填充剂，细小颗粒等)的第一密封材料(其粘度大于第二密封材料)环绕着象素区。二个衬底被第一密封材料和第二密封材料密封。而且，借助于用透明保护层例如CaF2、MgF2、或BaF2覆盖各个电极，能够防止发光元件的电极(阴极或阳极)与密封材料之间的反应。
文档编号H05B33/26GK102651458SQ20121014613
公开日2012年8月29日 申请日期2003年7月4日 优先权日2002年7月5日
发明者中村康男, 西毅 申请人:株式会社半导体能源研究所
最新回复(0)