矮形薄膜写头的制作方法

专利名称：：矮形薄膜写头的制作方法
技术领域：
：本发明涉及薄膜写头，并更具体地涉及一种薄膜写头，这种薄膜写头上的窄道宽第二极尖可以和第二极靴同时成形和电镀。一个薄膜写头具有在极尖区和在本底间隔上磁性相连的第一极靴和第二极靴。在极尖区上第一极靴和第二极靴备有由薄绝缘间隔层隔离的第一极尖和第二极尖。极尖区由磁头表面以及磁头表面和本底间隔之间的零喉度高度所定义。磁头的本体部位于零喉度高度和本底间隔之间。磁头的本体部上设有一层或多层扁平线圈和多个绝缘层。扁平线圈把磁通耦合到磁靴上和/或接收磁通。每层绝缘层在极尖区附近具有一个顶点，从这个顶点起始该绝缘层。各顶点位于零喉部高度或者在零喉部高度和本底间隔之间。在现有技术中第一极靴上的第一绝缘层的顶点位于零喉部高度并定义零喉部高度。在其顶点至其在第一极靴之上的最高处之间各绝缘层具有陡坡度的表面。该斜面是由加热绝缘层的工艺工序所造成的。该加热工艺逐出溶剂，使绝缘层收缩并造成从顶点到最高处的斜面。第二极靴具有一个扩张点，在扩张点上第二极靴加宽超过第二极尖的宽度以形成一个大的主体部。该扩张点位于零喉部高度和本底间隔之间。如果扩张点太靠向本底间隔，由于必须经其传送磁通的窄性材料的长度额外增加，磁通会从极靴上漏泄。但是，把扩张点太靠向零喉部高度，如后面更详细说明那样的，会妨碍同时制造第二极靴和高分辨率窄道宽第二极尖。第二极尖和第一极尖之间的间隔层的长度和第二极尖的形状是薄膜写头中的最关键要素。磁头表面上间隔层的长度决定磁头的线密度，即磁头在每直线英寸磁性介质上能写的多少个位数。第二极尖的宽度决定磁头道宽，其确定磁性介质每英寸宽度上可由磁头写上多少条磁道。这两个因素的乘积为面密度。当今日需存储和处理大量的数据，诸如在高清晰度电视(HDTV)中，从而深深认识到需要一种通过高分辨率、窄道宽的第二极尖而具备高面密度的薄膜写头。通过镜象转换工艺后再通过活性离子蚀刻法可以得到高分辨率第二极尖。通常镜象转换工艺用不受活性离子蚀刻的金属模式掩蔽保护层的上表面。未被掩模覆盖的地区为电镀极尖的区域，该区域通过活性离子蚀刻法成形。金属模式沉积工序和蚀刻工序成本极高。第二极尖也可以通过离子束蚀刻法获得，在这种方法里用离子轰击第二极尖以形成具有所需道宽的第二极尖。该工艺的成本也极高。在这两种方法里，第二极尖都是单独构造的，然后通过普通的光刻法把第二极靴的剩余部分接合到第二极上。成本最低的制造第二极尖的工艺是用构造第二极靴的相同工艺工序构造第二极尖。这些工艺工序采用单个光致抗蚀层，该光致抗蚀层可被成形以在单步操作中一起电镀整个第二极靴以及第二极尖。但是，用相同的工艺工序构造第二极靴和第二极尖的现有技术方法不能提供高分辨率第二极尖。当用常规的光刻法同时构造第二极靴和第二极尖时，在磁头的本体部和极尖区上旋转涂敷一层光致抗蚀层。该光致抗蚀层位于极尖区的间隔层上面和本体区的绝缘层组的上面。在间隔层上的绝缘堆通常为7至8微米(μm)厚。而且随着第一绝缘层向零喉部高度上的顶点过渡该绝缘堆具有明显的坡度。当抗蚀剂能涂敷成薄片时，抗蚀剂沿本体部和极尖区铺展，使得极尖区的抗蚀剂明显厚于磁头本体部的抗蚀剂。磁头本体部抗蚀剂的厚度由第二极尖的所需厚度所决定。例如，如果本体部第二极靴为4μm厚，则光致抗蚀层应为4.5μm厚。当常规的绝缘堆约为8μm时，这造成极尖区里的抗蚀剂层约为11μm厚。极尖区的这个厚度再加上极尖区附近的第一绝缘层的陡坡度造成很难通过相继的光刻法工序构造窄道宽第二极尖。在一种制造高分辨率写头的可行加工工艺中光致抗蚀层对极尖带宽的尺寸比应为4比1的数量级。因此，光致抗蚀剂的厚度不应超过第二极尖所需带宽的四倍。在沉积光致抗蚀层之后，通过对光致抗蚀层的一个或多个区域感光来成形，经过相继的溶解被感光光致抗蚀层工序这个或这几个区域被消去。由于极尖区光致抗蚀剂的厚度，为了穿透光致抗蚀剂的全部厚度，成形光线的强度必须很高。当光的强度高时，用来成形微细特性的窄狭缝在狭缝边缘产生光的折射分量，它将在光照射光致抗蚀剂时造成光的散射。这将造成低分辨率。但是，更严重的问题在于从零喉部高度后面的陡绝缘层上对极尖区的光的反射。在一种夸大的情况下假设第二极尖的扩张点和零喉部高度处于相同平面。被成形的光致抗蚀层从零喉部高度开始扩张并且迅速地以第二极靴的全宽度向本底间隔加宽。这样在极尖区后面立即暴露绝缘层非常宽阔的斜面部分。当光照射到这些区域时光以入射角从绝缘层的斜面部分大量地反射到不希望反射到的极尖区上。其结果是反射光对极尖区的光致抗蚀层造成刻痕，很明显地降低第二极尖的分辨率。对这种类型的成形结果进行电镀产生一种具有不规则侧壁和低劣线性宽度的第二极尖。解决反射问题的一个办法是把扩张点进一步移离零喉部高度以便靠近本底间隔。如果把扩张点移得足够远，反射光不会到达极尖区。光只不过会反射到零喉部高度之后的极靴的狭窄部分上，在这部分上所出现的刻痕不会对第二极尖造成明显的损害。但是，向后移动扩张点增大了该狭窄部分的长度，当磁通从第二极尖区的宽阔部分向第二极尖传导时必须通过该狭窄部分，从而在狭窄部分上产生磁通漏泄，这会降低磁头的性能。本发明的一个目的是在同一的光刻成形工艺过程中制造第二极靴和高密度第二极尖。另一个目的是不经过影像转换工艺、活性离子蚀刻工艺或离子束工艺来制造高密度薄膜写头。再一个目的是提供一种紧凑的高密度薄膜写头。还有一个目的是克服当采用光刻工艺同时构造第二极靴和第二极尖时所出现的极尖区刻痕问题。还有一个目的是提供一种能以低成本构造的更有效的高密度薄膜写头。还有一个目的是提供一种薄膜写头，其具有高分辨率第二极尖，其扩张点靠近零喉部高度以及其磁头高度低于现有技术中的磁头高度。本发明的其它目的、优点和特性将随连同附图一起阅读下述详尽说明获得更清晰的理解。本发明采用常规光致抗蚀剂成形工艺以同时构造第二极靴和窄道宽高分辨率第二极尖。这主要是通过利用除第一绝缘层之外的某一绝缘层定义零喉部高度实现的。在我的发明的一种最佳实施方案里，第二绝缘层的顶点被固定并定义零喉部高度。在这种布局下我发现适当定位第一绝缘层会大大地提高磁头的质量。现可把第一绝缘层向后移向本底间隔，从而在光刻工艺期间其斜面部分不再把光反射到极尖区。通过把第一绝缘层的顶点定为距离零喉部高度约为5μm，可以达到这个目标。其次，第一绝缘层可以造得要比现有技术的第一绝缘层薄得多。按照本发明第一绝缘层的厚度从现有技术的约为1.8μm减至约0.5μm。这种减小大大有助于磁头本体部较矮的构形。第三绝缘层可以在磁头上更远地后移，从而它不再影响第二极尖的成形。因为极尖区光致抗蚀剂的厚度约为现有技术中厚度的一半，光刻期间光照强度可被减小。由于第二绝缘层的斜面是唯一靠近极尖区的斜面，在照射光致抗蚀剂的期间只有很少的光从这个斜面上反射到极尖区上。此外，除第二绝缘层之外的所有其它的绝缘层都向后地靠近本底间隔定位，因此在极尖区不会出现厚的光致抗蚀层。这允许扩张点可比现有技术磁头中大大靠近零喉部高度。按照本发明扩张点离零喉部高度可以大约为3μm。由于缩短了零喉部高度和扩张点之间窄的第二极靴材料的长度，这样减小了磁通漏泄量。还发现能使第一绝缘层顶部上的各层大大变薄。发现线圈层可减小约20％，第二绝缘层可减小约三分之一，第三绝缘层可减小约25％以及第二极尖可减小约25％。根据本发明极尖区光致抗蚀区的高度可约为6.5μm，这样现在有可能得到2Gb(吉伯)第二极尖的尺寸比。和现有技术中8μm的绝缘堆高度相比，按照本发明还能把绝缘堆的高度保持约为5μm。图1是应用于诸如磁盘机的磁性介质驱动器里的本矮形薄膜写头的示意方块图。图2是矮形写头的剖面侧视图，矮形写头用于和MR读头相结合以构成组合式MR磁头。图3是现有技术写头前部的剖面侧视图。图4和图3类似，不同之处在于显示了用于成形第二极靴和第二极尖的光致抗蚀层。图5是一个示意立方图，表示在现有技术磁头的制造过程中绝缘层的斜面部分把光反射到极尖区。图6是现有技术中的另一种磁头，其中第三绝缘层定义零喉部高度。图7和图6类似，不同之处在于显示了用于成形第二极靴和第二极尖的光致抗蚀层。图8是本发明一种实施方案的剖面侧视图，其中第二绝缘层的顶点定义零喉部高度。图9是本发明另一种实施方案的截面侧视图，其中第三绝缘层定义零喉部高度。图10—图14是示意图，说明制造图8所示本矮形写头所涉及的各种工序。图15和图9类似，不同之处在于显示了用于成形第二极靴和第二极尖的光致抗蚀层。图16是一个示意图，说明现有技术的写头和本矮形写头之间外形的差异。现参见附图，其中相同的参照数字表示附图中相同或类似的部分。在图1中表示磁盘机20。磁盘机20包括支架和旋转磁盘24的主轴22。主轴22由马达26旋转，马达26由马达控制器28控制。磁头30，其可能是用于记录和读出的组合式MR磁头，安装在浮动块32上。浮动块32又由悬浮和致动器臂34支承。悬浮和致动器臂34定位浮动块32，以使磁头30相对于磁盘24的表面处于传导关系。当马达26转动盘24时浮动块轻微地悬浮在盘表面之上的薄气垫(空气轴承)上，其数量级为0.075μm。此时磁头30被用来把信息写到盘24表面上的多个环形磁道上以及用来从磁道上读出信息。信息信号以及把浮动块移动到不同磁道上的控制信号由驱动电路36处理。图2是本发明的组合式MR头30前部的剖面侧视图。组合式MR头包括叠加在MR读头部分顶部上的写头部分。MR读头部分包括MR条40，其夹在第一和第二间隔层42和44之间，第一和第二间隔层42和44又夹在第一和第二屏蔽层46和48之间。在组合式MR头里第二屏蔽层48用作为写头的第一极靴。在背负式MR头(未示出)里写头部分的第一极靴是MR读头第二屏蔽层顶部上的一个独立层。间隔层50夹在磁性上连接在本底间隔53处的第一极靴48和第二极靴52之间。极靴48和52的前端分别形成第一和第二极尖54和56，在传导关系上间隔层50磁性上分隔第一和第二极尖54和56。第二极尖是写头的最关键部件，因为它是把磁通信号感应到邻近磁头表面的运动磁性介质上的最后一个极尖。从而它的宽度在确定磁头的宽度性能上是非常重要的。线圈层58和第二绝缘层60夹在第一和第三绝缘层62和64之间，而第一和第二绝缘层62和64又夹在第一和第二极靴48和52之间。第二绝缘层60的前端头或顶点65被定位并且规定零喉部高度(ZTH)。在零喉部高度之前的所有各层的前端形成磁头表面66，它即磁盘机里所谓的空气轴承表面(ABS)。通过精研磁头的前沿构造该空气轴承表面。极尖区位于磁头表面66和零喉部高度之间，磁头具有位于零喉部高度和本底间隔之间的本体区。第一、第二和第三绝缘层62、60和64位于本体区里的第一极靴的上面，并通常称为绝缘堆。每一层绝缘层具有一个顶点，该绝缘层开始于该顶点，而且各绝缘层从顶点延伸到本底间隔。图3是现有技术的薄膜磁写头70的前部。该写头可以仅是一个感应磁头，或可以是组合式MR磁头的写头部分，或可以是背负式MR磁头的写头部分。现有技术的磁头中通常第一绝缘层62的顶点72定义零喉部高度。第一绝缘层62从它的顶点向上倾斜到一个平展部分，在平展部分上构造线圈58和第二绝缘层70。第二绝缘层60从它的顶点向上倾斜到一个一般是平展的部分，在这个部分上构造第三绝缘层64。第三绝缘层64从它的顶点74向上倾斜到一个一般是平展的部分上。第三绝缘层把第二绝缘层里由线圈层58所形成的波纹平面化掉。在构造第二极靴52时，由于形成重复第一、第二和第三绝缘层各斜面部分的依次相连的斜面部分，第二极靴52具有高的外形。第二极靴具有一个扩张点76，扩张点大约位于零喉部高度后面的10μm处。扩张点是这样一个位置，在这个位置上第二极靴52从等于第二极尖宽度的窄宽度开始向第二极靴的大的扩张部分张开。大顶点角α和第一、第二和第三绝缘层的大斜率部分对构造窄宽度第二极尖56造成了问题。如图4所示，当把光致抗蚀剂旋转涂敷到部分完成的磁头的顶部，以使光致抗蚀剂沿绝缘堆的沿极尖区铺展时，问题出现了。铺到极尖区的光致抗蚀剂通常为12μm厚，而绝缘堆上的光致抗蚀剂通常为4.5μm厚。当为光成形目的把光照射到厚抗蚀剂层时损失了分辨率。为了照射全部厚度的光致抗蚀层光必须是强的。当强光通过用于成形的窄狭缝时，光在狭缝的边缘上折射，造成低劣的影像。在构造第二极尖过程中造成低劣分辨率的更严重问题是由于光照射工序期间从第一、第二和第三绝缘层的斜面部分的顶部上反射光造成的。为说明这个问题的严重，图5是一个夸大的例子，图中把扩张点82直接放在零喉部高度(第一绝缘层62的顶点72)之上。当光穿越扩张点82后面区域上的光致抗蚀剂时，光按入射角穿过各绝缘层的斜表面84、86和88。这造成把光直接反射到极尖区里。该反射光穿过第二极尖预定侧壁之外的极尖区里的光致抗蚀剂时。这称之为刻痕并对极尖成形造成低劣形成的光致抗蚀剂壁。其后果是当电镀极尖时，极尖带有低劣确定的直线宽度和低劣的分辨率。为了克服这个问题，现有技术把扩张点从零喉部高度向后有效地移动一个距离，诸如10μm，如图3中所示。按照这种布局，在紧靠着极尖区的后面，各绝缘层的斜面部分上只有很窄的区域(和第二极尖相同的宽度)受到光的照射。从而，进行光照射工序时实际上没有光从绝缘层的斜面部分上反射来刻痕极尖区。该方法的问题在于当磁通从磁轭点流向零喉部高度时必须经过该很窄的部分，这会造成明显的磁通漏泄。最理想的是如果把扩张点放在约离零喉部高度3μm的位置上从而可把磁通漏泄减为最小。在图6中示出现有技术的另一种磁头90。在这种磁头里第三绝缘层64的顶点74定位在零喉部高度以构成零喉部高度。在该实施例中，在构成第一绝缘层、线圈层和第二绝缘层之后构成第三绝缘层64。按照这种布局第三绝缘层掩盖第二绝缘层60的波纹，从而在电镀第二极尖时不会把该波纹复制到第二极尖上。但是，这种结构具有类似于图3所示现有技术磁头的高外形。当旋转涂敷光致抗蚀层时，如图7中所示，光致抗蚀剂沿极尖区铺开，使该区上的光致抗蚀剂很厚、这造成和上面图3所示现有技术磁头中论及到的相同的折射和反射问题。图3所示现有技术磁头各层的典型厚度如下写间隔50为0.4μm，第一绝缘层62为1.8μm，第二绝缘层60为4.3μm，线圈层58为3.5μm，第三绝缘层64为0.8μm以及第二极靴52为5μm。图8说明根据本发明的矮形写头100。第一绝缘层62不用来定义零喉部高度。第一绝缘层的顶点72从零喉部高度朝本底间隔向后移动约5μm。扁平式线圈层58则被构造在第一绝缘层62的顶部上，且第一个线圈从距离零喉部高度约15μm的地方开始。再把第二绝缘层60构造在线圈层58的顶部上，并把第二绝缘层的顶点65定位在零喉部高度以定义零喉部高度。这种布局的一个优点在于第一绝缘层62可保持为相对地薄，和现有技术第一绝缘层1.8μm厚度相比为0.5μm数量级。这明显地降低了绝缘堆的厚度。为平面化构造第二极靴52的结构，第三绝缘层64构造在第二绝缘层60的顶部上。第三绝缘层的顶点74可以约在零喉部高度后面的10μm处。因为在极尖区后面高外形的绝缘堆已被降为最小，扩张点75向前移，约在零喉部高度之后的3μm处。由于本发明中扩张点向前移动，和现有技术线圈层3.5μm的厚度相比，线圈层58的厚度可约为2.8μm，磁通漏泄也变小了。从而，和现有技术4.3μm的第二绝缘层相比，第二绝缘层可大约为2.5μm。顶点角α也大大减小。因为磁通不需要经过扩张点和零喉部高度间的长距离，第二极靴可变薄。和现有技术4至5μm的极靴相比，第二极靴52可大约为3μm。根据本发明绝缘堆的高度可保持在约为5μm。下述题目为“层定位图”、“层离零喉部高度的位置”和“层厚度”的图表中说明本发明中各层的推荐的和最佳的位置和厚度。层离零喉部高度(ZTH)的位置<tablesid="table1"num="001"><tablewidth="537">层推荐最佳I13.0μm以上至离线圈2μm5.0μm线圈10-以上15.0μmI2(8-13)-00I30-(8-13)10.0μm扩张点3μm-以上3μm-以上</table></tables>层厚度<p>如下面将解释的那样，由于本发明的层的厚度和特别由于各绝缘层的定位可以制造带有非常窄道宽的第二极尖。替代地，第三绝缘层64的顶点74可按照本发明用以定义零喉部高度，如图9中的磁头110所示。第一绝缘层62可被放在离零喉部高度大约为5μm，第二绝缘层60可被放在离零喉部高度大约为12μm。线圈区中各层的厚度可大体上和图8所示磁头100的厚度相同并如图表中所示。磁头110具有矮的外形，类似于矮形磁头100。在图10—14中说明本发明的方法。在图10中约在零喉部高度之后5μm处在间隔层50的顶部上构造厚约0.5μm的第一绝缘层62。在图11中约在零喉部高度之后的15μm处在第一绝缘层62的顶部上构造厚约为2.6至3μm的线圈层58。在图12中在线圈层58、第一绝缘层62和间隔层50的上面构造厚约为2.5μm的第二绝缘层60，并把第二绝缘层的顶点定位定义为零喉部高度。从该图可以看出，与图3和图5中所示现有技术写头各绝缘层所造成的混合斜面部分84、86和88相比较，第二绝缘层60的斜面部分86从其顶点65开始延续一短的距离。在第二绝缘层的顶部上构造厚约为1μm的第三绝缘层64，并使第三绝缘层的顶点74位于零喉部高度之后的大约10μm处。这三个绝缘层构成一个大约为5μm的低外形绝缘堆高度。在图14中把光致抗蚀剂旋转涂敷到所有各层的顶部上，从而造成在磁头本体上光致抗蚀层的厚度约为3.5μm而在极尖区光致抗蚀层的厚度约为6.5μm。本发明的极尖区中光致抗蚀剂6.5μm的厚度大大低于现有技术的极尖区中光致抗蚀剂11μm的厚度。现在可把扩张点76放在零喉部高度之后的大约3μm处，从而磁头具有最小的磁通漏泄因此更为有效。于是，当为了成形用光照射光致抗蚀层时，因为被照斜面部分80的宽度和被照的极尖区的宽度相同，从第二绝缘层的斜面部分86上向极尖区只反射非常少的光。在光刻处理后在图14中同时电镀第二极靴和第二极尖。在把光致抗蚀剂成形层排除掉之后极靴和极尖的形状如图8所示。极尖具有很好形成的壁和优良的直线宽度。因为在极尖区光致抗蚀层的厚度仅约为6.5μm，采用前面提及的所需的为4的尺寸比，可以构造2Gb写头。图15表示用来构造图9所示矮形磁头的光致抗蚀层的布局。在这种磁头里第三绝缘层64的顶点74定义零喉部高度。极尖区里光致抗蚀层的厚度约为6.5μm，和图14中所示的厚度相同。由于这种低的外形，可为这种磁头构造好的第二极尖。如图16中所示，本薄膜写头的绝缘堆120大大低于现有技术中薄膜写头的绝缘堆130。从而，本矮形写头比现有技术的写头重量更轻、结构更紧凑。根据本发明利用常规的光刻方法，同时构造第二极靴和非常高分辨率、高密度的第二极尖、本发明允许扩张点优化地靠近零喉部高度，从而磁通漏泄为最小并且提高了磁头的性能。很清楚，基于本说明普通熟练的技术人员容易提出其它实施方式和修改。例如，在本发明的广义概念上，绝缘堆可以仅由两层绝缘层组成，其中一层绝缘层用来定义零喉部高度，另一层绝缘层使它的顶点向着本底间隔的方向至少离开零喉部高度3μm。从而，本发明只受到下述权利要求书的限制，包括上述说明和相应附图中的所有实施例和修改方案。权利要求1.一种矮形薄膜写头，包括磁头表面、本底间隔和位于磁头表面和本底间隔之间的零喉部高度；位于磁头表面和零喉部高度之间的极尖区和位于零喉部高度和本底间隔之间的本体区；位于极尖区和本体区里的第一和第二极靴；在本体区里覆盖第一极靴的多个绝缘层，各绝缘层具有一个顶点，各绝缘层从其顶点开始并向本底间隔延伸；绝缘层的第一层为最靠近第一极靴的绝缘层，其顶点位于从零喉部高度到本底间隔至少3μm的地方；以及另一绝缘层的顶点位于和定义零喉部高度。2.一种包括如权利要求1中所述的写头的磁性介质驱动器，该驱动器特征在于包括机壳；安装在机壳上支持磁头的支架；安装在机壳上的介质运动装置，用于在一种传送关系下运动磁性介质以通过磁头；和该支架相连的定位装置，用于把磁头移动到相对于运动磁性介质的多个位置上，从而相对于磁性介质上的多个磁道处理信号；以及和磁头相连的控制装置、磁介质运动装置和定位装置，用于控制和处理有关磁头的信号，控制磁介质的运动和磁头的位置。3.如权利要求1中所述的写头，其特征包括所述多个绝缘层包括第二和第三绝缘层；所述另一绝缘层的顶点为第二绝缘层的顶点。4.如权利要求3中所述的写头，其特征在于第一绝缘层具有0.5±20％μm的厚度。5.如权利要求3中所述的写头，其特征在于包括第一、第二和第三绝缘层构成一个绝缘堆；该绝缘堆的总厚度为5±10％μm。6.如权利要求3中所述的写头，其特征在于第一绝缘层的顶点大体上距离零喉部高度5μm。7.如权利要求6中所述的写头，其特征在于第二极具有离零喉部高度为3μm或更远的扩张点。8.如权利要求7中所述的写头，其特征在于线圈层的开端距离零喉部高度为10μm或更远。9.如权利要求8中所述的写头，其特征在于包括扩张点大体上距离零喉部高度3μm；以及线圈层的开端大体上距离零喉部高度15μm。10.如权利要求9中所述的写头，其特征在于第一绝缘层具有0.5±10％μm的厚度。11.如权利要求10中所述的写头，其特征在于包括第一、第二和第三绝缘层构成一个绝缘堆；该绝缘堆的总厚度为0.5±10％μm。12.一种包括如权利要求11中所述的写头的磁性介质驱动器，该驱动器特征在于包括机壳；安装在机壳上支持磁头的支架；安装在机壳上的介质运动装置，用于在传感关系下运动磁性介质以通过磁头；和该支架相连的定位装置，用于把磁头移动到相对于运动磁性介质的多个位置上，从而相对于磁性介质上的多个磁道处理信号；以及和磁头相连的控制装置、磁性介质运动装置和定位装置，用于控制和处理有关磁头的信号，控制磁性介质的运动和磁头的位置。13.如权利要求3中所述的写头，其特征在于包括第一绝缘层实际上位于具有部分第二绝缘层的一个公共平面上。14.如权利要求13中所述的写头，其特征在于包括把扩张点置于零喉部高度和第一绝缘层顶点之间的一个区间上。15.如权利要求13中所述的写头，其特征在于包括把第三绝缘层的顶点放在第一绝缘层顶点和本底间隔之间的一个区间上。16.如权利要求15中所述的写头，其特征在于包括线圈层位于磁头本体里的第一绝缘层的上面；以及该线圈层开始于第三绝缘层顶点和本底间隔之间的一个区间上。17.一种包含如权利要求16中所述写头的磁性介质驱动器，该驱动器特征在于包括机壳；安装在机壳上支持磁头的支架；安装在机壳上的介质运动装置，用于在某种传感关系下运动磁性介质以通过磁头；和该支架相连的定位装置，用于把磁头移动到相对于运动磁性介质的多个位置上，从而相对于磁性介质上的多个磁道处理信号；以及和磁头相连的控制装置、磁性介质运动装置和定位装置，用于控制和处理磁头的信号，控制磁性介质的运动和磁头的位置。18.如权利要求16中所述的写头，其特征在于第一绝缘层的顶点大体上距离零喉部高度5μm。19.如权利要求18中所述的写头，其特征在于第二极具有一个距离零喉部高度为3μm或更远的扩张点。20.如权利要求19中所述的写头，其特征在于线圈层的开端距离零喉部高度为10μm或更远。21.如权利要求20中所述的写头，其特征包括扩张点大体上距离零喉部高度为3μm；以及线圈层的开端大体上距离零喉部高度为15μm。22.如权利要求21中所述的写头，其特征在于第一绝缘层具有0.5±10μm的厚度。23.如权利要求22中所述的写头，其特征包括第一、第二和第三绝缘层构成一个绝缘堆；该绝缘堆的总厚度为5±10％μm。24.一种包括如权利要求23中所述的写头的磁性介质驱动器，该驱动器特征在于包括机壳；安装在机壳上支持磁头的支架；安装在机壳上的介质运动装置，用于在一种传感关系下运动磁性介质以通过磁头；和该支架相连的定位装置，用于把磁头移动到相对于运动磁性介质的多个位置上，从而相对于磁性介质上的多个磁道处理信号；以及和磁头相连的控制装置、磁性介质运动装置和定位装置，用于控制和处理有关磁头的信号，控制磁性介质的运动和磁头的位置。25.一种制造矮形写头的方法，包括下述步骤构造具有极尖区和本体区的第一极靴，极尖区位于磁头表面和零喉部高度之间，本体区位于零喉部高度和本底间隔之间；在第一极靴上面的本体区里构造第一绝缘层，把第一绝缘层的顶点置于至少距离零喉部高度3μm朝向本底间隔；以及在本体部分里第一绝缘层的上面构造另一个绝缘层，使所述另一绝缘层的顶点位于零喉部高度并定义零喉部高度。26.如权利要求25中所述的方法，其特征在于所述另一层绝缘层为在第一绝缘层的顶部上所构造的第二绝缘层。27.如权利要求26中所述的方法，其特征在于包括步骤构造厚度大体上为0.5±20％μm的第一绝缘层。28.如权利要求26中所述的方法，其特征在于包括步骤大体上在距离零喉部高度5μm处构造第一绝缘层的顶点。29.如权利要求28中所述的方法，其特征在于包括步骤距离零喉部高度3μm或更远构造第二极靴的扩张点。30.如权利要求29中所述的方法，其特征在于包括步骤距离零喉部高度10μm或更远构造线圈的开端。31.如权利要求30中所述的方法，其特征在于包括下述步骤大体上距离零喉部高度3μm构造第二极靴的扩张点；以及大体上距离零喉部高度15μm构造线圈层的开端。32.如权利要求31中所述的方法，其特征在于包括步骤构造大体上厚度为0.5±20％μm的第一绝缘层。33.如权利要求26中所述的方法，其特征在于包括步骤在和第一绝缘层共同的一个平面里构造所述第二绝缘层的一部分。34.如权利要求33中所述的方法，其特征在于包括步骤构造第二极靴，使其扩张点位于零喉部高度和第一绝缘层顶点之间的一个区间上。35.如权利要求34中所述的方法，其特征在于包括步骤在第二绝缘层的顶部上构造第三绝缘层，该第三绝缘层具有一个顶点，其位于第一绝缘层顶点和本底间隔之间的一个区间上。36.如权利要求35中所述的方法，其特征在于包括步骤在第三绝缘层顶点和本底间隔之间构造线圈层。37.如权利要求36中所述的方法，其特征在于包括步骤大体上距离零喉部高度5μm构造第一绝缘层的顶点。38.如权利要求37中所述的方法，其特征在于包括步骤距离零喉部高度3μm或更远构造第二极靴的扩张点。39.如权利要求38中所述的方法，其特征在于包括步骤距离零喉部高度10μm或更远构造线圈的开端。40.如权利要求39中所述的方法，其特征在于包括下述步骤大体上距离零喉部高度3μm构造第二极靴的扩张点；以及大体上距离零喉部高度15μm构造线圈层的开端。41.如权利要求40中所述的方法，其特征在于包括步骤构造厚度大体上为0.5±20％μm的第一绝缘层。全文摘要提供一种矮形薄膜写头，其具有第一极靴和第二极靴，第一和第二极靴在极尖区里和在本底间隔上磁性相连。极尖区位于磁头表面和零喉部高度之间。磁头具有位于零喉部高度和本底间隔之间的本体区。多个绝缘层位于本体区里第一极靴的上面。各绝缘层具有一个该绝缘层从该处开始的顶点，并且各绝缘层从其顶点延伸到本底间隔。通常多个绝缘层包括第一、第二和第三绝缘层。文档编号G11B5/31GK1118495SQ9510964公开日1996年3月13日申请日期1995年7月27日优先权日1994年8月25日发明者雨果·艾博托·埃米里奥·桑提尼申请人:国际商业机器公司