自锁频式微片激光器的制作方法

xiaoxiao2020-8-1  2

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专利名称:自锁频式微片激光器的制作方法
技术领域
本发明涉及一种微片激光器,特别涉及一种自锁频式微片激光器结构。
技术背景 在常见的微片激光器中,采用两片相同厚度的单纵模微片激光器,微片激光器 可以产生锁频现象, 一般需要采用两套激光器包括两套泵浦系统、两套温控系统和合束系统, 这种产生锁频现象不易操作和控制,因此不易于产转化成产品
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种结构简单、且易于生产和制造的自锁频式微片 激光器。
本发明所述的一种自锁频式微片激光器,包含泵浦源和光学耦合系统,所述自锁频式微 片激光器还包含两组光学材料、厚度完全相同的独立微片激光腔,所述两组独立微片激光腔 通过光胶、胶合或深化光胶构成单一整体。
所述每组独立微片激光腔是产生基波或腔内倍频的微片激光器。
所述每组独立微片激光腔是单纵模激光器,亦可以是产生一个波长以上的微片激光器。 所述每组独立微片激光腔是一片或一片以上光学元件前后镀膜构成。
所述每组独立微片激光腔均有自己独立的前后腔膜,或者两组独立微片激光腔之间亦可 以为共用腔膜。
所述每组独立微片激光腔是由一激光增益介质构成产生基波的微片式激光器。 所述每组独立微片激光腔是由一激光增益介质和一倍频晶体构成的独立腔内倍频微片式 激光器。
所述每组独立微片激光腔是由激光增益介质、倍频晶体、倍频非线性晶体、OPO晶体或 拉曼晶体、被动调Q晶体或walk—off晶体、波片晶体构成的独立腔内倍频微片式激光器, 倍频晶体、倍频非线性晶体、OPO晶体或拉曼晶体、被动调Q晶体或walk—off晶体、波片 晶体之间的位置可以变化。
所述泵浦源为半导体激光器。
相比较于先前的技术,本专利采用两组厚度相同,各自独立产生激光的独立微片激光腔, 通过单一泵浦源使两组独立微片激光腔激光空间共线,并通过中间腔膜的光反馈相互作用产 生锁频现象,从而为制作廉价可大规模生产高度稳定高性能的激光器提供了可能性。


下面参照附图对本发明作进一步的说明
图1是本发明微片激光器的结构示意图2是本发明两组独立微片激光腔胶合之一的结构示意图;图3是本发明两组独立微片激光腔胶合之二的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图1所示,是本发明第一个实施例的结构示意图,包含由相同厚度、 同一激光增益材料制成的激光增益介质101、 102构成的微片激光器,半导体激光器用作泵浦 源1和光学耦合系统2。其中,激光增益介质101设有自己独立膜层1011和1012构成独立 的微片激光腔,激光增益介质102亦有自己独立膜层1021、 1022构成独立的微片激光腔,独 立膜层1012与1021亦可以为共用膜层激光腔。
其原理是采用两组相同厚度激光增益介质IOI、 102构成的独立微片激光腔,同时将这 两个微片通过光胶,胶合或深化光胶胶合为一体。采用同一泵浦源对两个相互平行粘在一起 微片激光腔进行泵浦,泵浦光同时为两个微片激光腔吸收,从而产生相同或几乎相同波长的 激光输出,由于采用相同泵浦光,所以两个激光在空间上共线,同时由于两组微片腔膜使两 个微片腔光腔的部分光透过独立膜层1021、 1012的相互作用,从而产生锁频。
请参阅图2,是本发明独立微片激光腔第二个实施例的结构示意图。其中两组独立微片 激光腔包含激光增益介质101和102、倍频晶体、倍频非线性晶体、OPO晶体或拉曼晶体 103和104,激光增益介质101和倍频晶体、倍频非线性晶体、OPO晶体或拉曼晶体103设 有自己独立膜层1011和1012构成独立的微片激光腔,激光增益介质102、倍频晶体、倍频 非线性晶体、OPO晶体或拉曼晶体104设有自己独立膜层1021和1022构成独立的微片激 光腔,其厚度与结构完全相同。
请参阅图3,是本发明独立微片激光腔第三个实施例的结构示意图。其两组输出相同波 长的激光器分别包括激光增益介质101和102、倍频晶体、倍频非线性晶体、OPO晶体或拉 曼晶体103和104、被动调Q晶体或walk—off晶体105和106、波片晶体107和108,并且 倍频晶体、倍频非线性晶体、OPO晶体或拉曼晶体103、 104、被动调Q晶体或walk—off 晶体105、 106与波片晶体107、 108之间的位置可以变化。每组微片激光器可以输出单纵模, 或一个波长以上的激光。
本专利采用两组厚度相同,各自独立产生激光的微片激光腔,通过单一泵浦源使两组微 片激光腔输出激光空间共线,并通过中间膜层光反馈相互作用产生锁频现象,从而为制作廉 价可大规模生产高度稳定高性能的激光器提供了可能性。
权利要求
1、一种自锁频式微片激光器,包含半导体激光器泵浦源和光学耦合系统,其特征在于还包含两组光学材料、厚度完全相同的独立微片激光腔,上述两组独立微片激光腔胶合成单一整体。
2、 根据权利要求l所述的自锁频式微片激光器,其特征在于所述每组独立微片激光腔 是产生基波或腔内倍频的微片激光器。
3、 根据权利要求l所述的自锁频式微片激光器,其特征在于所述每组独立微片激光腔 是单纵模激光器,或者是产生一个波长以上的微片激光器。
4、 根据权利要求l、 2或3所述的自锁频式微片激光器,其特征在于所述每组独立微 片激光腔是一片或一片以上光学元件前后镀膜构成。
5、 根据权利要求4所述的自锁频式微片激光器,其特征在于所述每组独立微片激光腔 是由一激光增益介质构成产生基波的微片式激光器。
6、 根据权利要求4所述的自锁频式微片激光器,其特征在于所述每组独立微片激光腔 是由一激光增益介质和一倍频晶体构成的独立腔内倍频微片式激光器。
7、 根据权利要求4所述的自锁频式微片激光器,其特征在于所述每组独立微片激光腔是由激光增益介质、倍频晶体、倍频非线性晶体、0P0晶体或拉曼晶体、被动调Q晶体或walk 一off晶体、波片晶体构成的独立腔内倍频微片式激光器,倍频晶体、倍频非线性晶体、OPO 晶体或拉曼晶体、被动调Q晶体或walk—off晶体、波片晶体之间的位置可以变化。
8、 根据权利要求l、 2或3所述的自锁频式微片激光器,其特征在于所述每组独立微 片激光腔均有自己独立前后腔膜,或者两组独立微片激光腔之间亦可以为共用腔膜。
9、 根据权利要求l所述的自锁频式微片激光器,其特征在于所述所述泵浦源为半导体 激光器。
全文摘要
本发明提供一种结构简洁、且易于生产和制造的自锁频式微片激光器,其包含泵浦源和光学耦合系统,还包含两组光学材料、厚度完全相同的独立微片激光腔,所述两组独立微片激光腔胶合成单一整体,所述每组独立微片激光腔是产生基波或腔内倍频的微片激光器,或者是单纵模激光器,或者是产生一个波长以上的微片激光器,是一片或一片以上光学元件构成,本发明的结构简洁且结构稳定,为制作廉价、可大规模生产以及高度稳定高性能激光器提供了可能性。
文档编号H01S3/081GK101431211SQ200810072329
公开日2009年5月13日 申请日期2008年12月11日 优先权日2008年12月11日
发明者凌吉武, 卢秀爱, 砺 吴 申请人:福州高意通讯有限公司

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