电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的电子设备的制作方法
专利名称：电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的电子设备的制作方法
技术领域：
本发明，例如，涉及电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的电 子设备。
背景技术：
近年来，在显示装置上，尤其是采用了薄膜晶体管的液晶显示装置中 搭载光传感器功能的技术的开发正在逸艮(例如专利文献1)。搭栽光传感器的目的可举出3个(1)通过对外光进行测定而对辉度等进行调整， 由此谋求消耗电力降低、像质提高；(2)对背光源进行测定，对辉度或者 色度进行调整；(3 )对手指、光笔的位置进行辨认而作为触摸键进行使用。 作为光传感器可举出薄膜晶体管，PIN (p-intrinsic-n， p-本征-n)二极管， PN二极管等。在任何情况下感光部都是硅薄膜，为了不使制造上的成本增 大，优选以与构成显示的开关元件的硅薄膜同一制造工序所制造。在以薄 膜晶体管、PIN二极管、PN二极管等构成光传感器的情况下，流通传感器 的电流成为相应于进行照射的光的照度进行变化的光电流与以传感器的绝 对温度的指数函数增大的热电流之和。因此，为了即使在比较高温时也得 到正确的照度必须有效地去除该热电流。因此，存在配置用于热电流参考 的被遮光的遮光传感器、与未被遮光的受光传感器的情况。此时，在(1) 、 (3)的目的中需要使得背光源的光不入射到传感器 地对与外光入射侧相反侧进行遮光。作为背光源的遮光材料，虽然关于(1) 的目的而言，在光传感器处于显示装置的外周部的情况下，能够采用构成 组件的金属框、遮光带等，但是近年来，因为设计上的制约等，所以要求 在尽量靠近于显示区域、或者在显示区域的内侧"i殳置光传感器。另一方面，关于(3)的目的而言，因为其功能，所以必须在显示区域的内侧内置光传 感器。并且，在(2)的目的中，必须相反地对外光进行遮光，并使得外光 不影响到背光源的照度检测地对光传感器进行遮光。由于这些要求，必须 在光传感器设置某种遮光膜。专利文献1特开2006—118965号7>才艮发明内容若使遮光电极、透明电极与光传感器重叠进行配置，则因为由于遮光 电极、透明电极的电位而使热电流变化，所以热电流不能正确地去除。本 发明为了解决该问题，使施加于遮光电极与透明电极的电位最优化，并提 出可以使之实现的结构、电路。并且，因为在将遮光传感器与受光传感器置于显示区域附近的情况下， 来自显示区域的光成为杂散光而一部分照射于受光传感器与遮光传感器， 所以杂散光的量的光电流成为误差而被检测。并且，在受光传感器与遮光 传感器间产生温度差，热电流变得不均匀，该热电流也成为误差。在本发 明中对这些问题进行解决，实现具备有更高精度的光敏传感器的电光装置。本发明，为电光装置，其具备在第1及第2 141间夹持电光物质(在 实施方式中，为向列相液晶材料922)的面板(在实施方式中，为液晶面 板911)，向该面板的前述第1 (在实施方式中，为有源矩阵基板101)或 第2 1 (在实施方式中，为对向 1 912 )的面照射光的照明装置(在 实施方式中，为背光源单元926、导光板927)，对周围的光的照度进行检 测的光检测部(在实施方式中，为检测电路360、受光传感器350P及其他)， 和相应于前述光检测部的检测结果而对前述照明装置进行控制的照明控制 部(在实施方式中，为中央运算电路781、外部电源电路784);前述光检 测部，设置于前述第1或第2基板；具备纟皮外光所照射的第1光传感器 (在实施方式中，为受光传感器350P)，被遮断外光的照射的第2光传感 器(在实施方式中，为遮光传感器350D)，与前述第1光传感器通过绝缘 层俯视重叠地所构成的第1电极(在实施方式中，为背光源遮光电极611P、透明电极612P)，与前迷第2光传感器通过绝缘层俯视重叠地所构成的第 2电极(在实施方式中，为背光源遮光电极611D、透明电极612D)，和 对前述第1电极的电位(在实施方式中，为布线PBT的电位VPBT (在实 施方式中，为3.6V))与前述第2电极的电位(在实施方式中，为布线 DBT的电位VDBT(在实施方式中，为1.4V))进行控制的电位施加部(在 实施方式中，为自校正电压电路361 )。并且，更具体地，前述电位施加部，使得前述第H或第2光传感器 的光电流量基本成为最大值地对前述第1 l或第2电极的电位进行控制。并且，更具体地，前述第1或第2基长，具备形成于前述基板上的晶 体管(在实施方式中，为第6的N型晶体管N11,第6的P型晶体管P11， 第7的N型晶体管N21,第7的P型晶体管P21);前述电位施加部，通 过前述晶体管的阈值电压(在实施方式中，为Vth)对施加于前述第H 或第2电极的电位进行控制。本发明，为半导体器件，其形成于M上；具备被外光所照射的第 l光传感器(在实施方式中，为受光传感器350P),被遮断外光的照射的 第2光传感器(在实施方式中，为遮光传感器350D )，与前述第1光传感 器通过绝缘层俯视重叠地所构成的第1电极(在实施方式中，为背光源遮 光电极611P、透明电极612P)，与前述第2光传感器通过绝缘层俯视重 叠地所构成的第2电极(在实施方式中，为背光源遮光电极611D、透明电 极612D )，和对前迷第1电极与前述第2电极施加使得前述笫1光传感器 ;sj或第2光传感器的光电流量基本成为最大值的电位(在实施方式中，为 布线PBT的电位VPBT (在实施方式中，为3.6V)与布线DBT的电位 VDBT (在实施方式中，为1.4V))的电位施加部(在实施方式中，为自 校正电压电路361)。虽然现有使前迷第1电极的电位与前述第2电极的电位相同，典型性 地使之成为浮置，或使之连接于组件的GND，但是通过如上迷地构成能够 使第1光传感器与第2光传感器的热电流变得相等地使电位最优化。并且，更具体地，优选前述第l光传感器(在实施方式中，为350P) 为光敏二极管(在实施方式中，为350P-1)，前述第2光传感器(在实施方式中，为350D)为光敏二极管(在实施方式中，为350D-1);若设前 述第1光传感器的阴极电极(在实施方式中，为350P-1N)与第1电极(在 实施方式中，为背光源遮光电极611P、透明电极612P)的电位差为VI， 设前述第1光传感器的阴极电极(在实施方式中，为350P-1N)与第1光 传感器的阳极电极(在实施方式中，为350P-1P)的电位差为VD1，设前 述第2光传感器的阴极电极(在实施方式中，为350D-1N)与第2电极(在 实施方式中，为背光源遮光电极611D、透明电极612D)的电位差为V2， 设前述第2光传感器的阴极电极(在实施方式中，为350D-1N)与第2光 传感器的阳极电极(在实施方式中，为350D-1P)的电位差为VD2，则IV1 -V2| < IVD1I且I VI - V2| < |VD2|，更优选| VI - V2| < IV。通过如此地对电位进行设定，能够基本忽略第1光传感器与第2光传 感器的热电流之差异。进而还提出V1-0V， V2-0V， V1-VD1， V2 = VD2的任一种的半 导体器件。即通过对第1光传感器的阴极电极、源电极、阳极电极、漏电 极任一个与第1电极，或第2光传感器的阴极电极、源电极、阳极电极、 漏电极任一个与第2电极进行连接，能够使第1光传感器与第2光传感器 的热电流之差异基本消除，并且使布线数成为最低限度。在此，在本发明中，提出半导体器件，其中所谓的第1电极是对光进 行遮光的第1遮光电极(在实施方式中，为背光源遮光电极611P)，所谓 的笫2电极是对光进行遮光的第2遮光电极(在实施方式中，为背光源遮 光电极611D );及所谓的第1电极是对光不进行遮光的第1透明电极(在 实施方式中，为透明电极612P)，所谓的第2电极是对光不进行遮光的第 2透明电极(在实施方式中，为透明电极612D);以及所谓的第l电极是 用于对光进行遮光的第1遮光电极和对光不进行遮光的第1透明电极，第 2电极是用于对光进行遮光的第2遮光电极和对光不进行遮光的第2透明 电极。当使如此地对来自多余的方向的光进行遮光的遮光电极、使来自入射 方向的光进行透射并作为电磁噪声屏蔽器件而起作用的透明电极与光传感 器相重叠时，若如前述地对电位进行设定，则不会使检测精度降低。进而本发明，提出半导体器件，其中，在前述第1遮光电极与前述第2遮光电极之间形成有未形成遮光电极的遮光电极间隙区域，在与前述遮 光电极间隙区域重叠的区域形成有非透明性的间隙遮光体。虽然如此地为了对第1遮光电极与第2遮光电极施加分别的电位必须 在遮光电极设置遮光电极间隙区域，但是从该间隙，背光源的光进行入射， 并以玻璃、电介质的表面引起多重散射而成为杂散光，若其入射于第l光 传感器或第2光传感器则使检测精度下降。于是通过在与遮光电极间隙区域重叠的区域形成非透明性的间隙遮光 体，能够对从遮光电极间隙区域入射进来的光以间隙遮光体进行吸收，而 避免如此的精度降低。进而本发明，提出以下半导体器件其中，在前述第l遮光电极与前 述第2遮光电极之间存在未形成遮光电极的遮光电极间隙区域(在实施方 式中，为611G),在前述第1透明电极与前述第2透明电极之间存在未形 成透明电极的透明电极间隙区域(在实施方式中，为612G),前述遮光电 极间隙区域与前述透明电极间隙区域在前述基板的铅垂方向上互不重叠地 形成。虽然如此地为了施加分别的电位而在遮光电极、透明电极分别必须设 置遮光电极间隙区域、透明电极间隙区域，但是若电磁噪声从这些间隙进 入则使传感器的检测精度下降。因此若前述遮光电极间隙区域与前述透明电极间隙区域互不重叠地进 行配置，则因为任一电极都能够屏蔽从各自的间隙i^的电磁噪声，所以 相比较于将前述遮光电极间隙区域与前述透明电极间隙区域形成于相同的 位置的情况，精度提高。进而本发明，提出以下半导体器件前述第1遮光电极与前述第1透 明电极为同一电位，前述第2遮光电极与前述第2透明电极为同一电位。若采取如此的构成，则因为能够以同一条布线供给施加于遮光电极与 透明电极的电位，所以能够节约布线数、安装端子数、电路面积。并且， 因为遮光电极与透明电极的总电容变大，所以电磁屏蔽性提高。而且在本发明中，提出以下半导体器件前述电位施加部具备通过晶体管所构成的自校正电压电路，前述自校正电路输出对应于前述晶体管的 阈值电压进行变化的电压地构成，前述输出连接于前述第1电极^或前述第2电极。因为最能得到光电流的遮光电极或者透明电极的最佳电位的制造不一 致，与在同一半导体器件上形成有晶体管的情况下、晶体管的阈值电压 (Vth)的制造不一致具有相关性，所以若采用输出对应于晶体管的阈值 电压进行变化的电压的自校正电压电路，则即使存在制造不一致也能够总 是将最佳电位施加于遮光电极或透明电极。并且本发明，特征为前述第1光传感器及前述第2光传感器为采用 了薄膜多晶硅的PIN结二极管或PN结二极管。虽然如此的二极管具有能够无需制造上的追加工序地形成于采用了 多晶硅薄膜晶体管的半导体器件上的优点，但热电力W目对于光电流之比、 比形成于单晶晶片上的光敏传感器类大，并且由于通过俯视重叠的电极所 施加的电位而使热电流容易变动，所以适合应用本发明。并且本发明，为电光装置，其具备有在第l及第2基板间夹持电光 物质(在实施方式中，为向列相液晶材料922)的形成有显示区域的面板 (在实施方式中，为液晶面板911)，和对前述面板的周围光的照度进行 检测的光检测部(在实施方式中，为检测电路360、受光传感器350P及其 他)；前述光检测部，设置于前述第1或第2M的前述显示区域周缘部； 具备被外光所照射的第l光传感器(受光传感器350P),和被遮断外光 的照射的第2光传感器(在实施方式中，为遮光传感器350D);前述第1 光传感器与前述第2光传感器在前述显示区域周缘部配置多个。若如此地进行配置，则能够防止由于手指、小的阴影而使检测结果显 著地发生变化，并防止由于起因于装置内的温度分布的热电流差产生的精 度降低。并且本发明，为以下电光装置具备向前述面板的显示区域照射光的 光源(在实施方式中，为背光源单元926);前述光源，在显示区域周缘 部，配置于未配置前述第1光传感器与第2光传感器的边。若如此地进行构成，则因为能够使由于光源的温度梯度引起的前述第1光传感器与前述第2光传感器间的热电流的差异尽量变小，所以能够高 精度地消除热电流。并且本发明，为前述第1光传感器与前述第2光传感器互相交替地配 置的电光装置。若如此地进行配置，则即使在显示装置内存在温度分布，也因为在第 1光传感器与第2光传感器的平均温度中并无大的差异，所以能够更高精 度地消除热电流。并且本发明，为电光装置，其特征为前述第1光传感器与相邻于其 地配置的前述第2光传感器，互相离开前述显示区域的边界边(在实施方 式中，为表示显示区域310的边界边的虚线)的距离基本相等。若如此地进行配置，则因为因来自显示区域的光以玻璃141、绝缘膜 的界面所多重反射而产生的所谓杂散光在第1光传感器与第2光传感器均 等地照射，所以通过取第1光传感器与第2光传感器的电流差而不会产生 由于杂散光引起的精度降低。并且本发明为电光装置，其特征为使用于向前述第1光传感器照射 前述面板的周围光而设置于第1或第2!41的多个开口部(在实施方式中， 为受光开口部9卯-1~990-10)尺寸，形成为在与配置有前述开口部的显 示区域周缘部的边界边平行的方向为0.5mm以上且20mm以下的范围，并 且在与配置有前述开口部的前述显示区域周缘部的边界边相正交的方向为 0.05mm以上且为前述对向^4l的厚度以下。若如此地设定开口部，则因为杂散光减少、起因于装置内的温度分布 的热电流差也变小，所以能够防止精度降低。并且本发明，为电光装置，其特征为前述多个开口部，在前述显示 区域周缘部，具备配置于对向于配置有前述光源的配置边的边的第1开 口部(在实施方式中，为受光开口部9卯-1~990-6)，和配置于基本正交于 配置边的边的第2开口部(在实施方式中，为受光开口部9卯-7~990-10); 前述第1开口部的开口面积，比前述第2开口面积大。而且，在温度梯度因开口部的配置部位而不同的情况下，若温度梯度 越大使开口部的尺寸越小则能够减小温度梯度的影响。更具体地，为前述显示区域的四条边之中的接近于前述第1开口部的边与接近于前述第2开 口部的边互不相同的显示装置。温度梯度越大的边，只要^f吏开口部的尺寸 越小即可。并且，本发明提出采用了这些半导体器件的显示装置。由此，制造成 本不会升高，使设置于显示装置上的光敏传感器的温度相关性提高，能够 与温度无关地进行相应于外光环境的显示设定，光敏传感器的配置位置也 可以极接近于显示区域。并且在本发明中提出采用了这些显示装置的电子设备。由此，例如在 数字静止相机、亏更携电话机、PDA (Personal Digital Assistant,个人数字 助理)等的电子i殳备中，因为内置与温度无关的高精度的光传感器，所以 容易相应于外光而能够对背光源进行控制，不会使消耗电力毫无意义地增 大，成本也不会升高。并且，因为能够在显示区域附近配置光敏传感器， 所以设计的自由度也有所提高。
图1是本发明的实施例中的液晶显示装置910的立体图。图2是本发明的第1实施例中的有源矩阵a 101的构成图。图3是本发明的实施例中的有源矩阵基板101的像素电路图。图4是表示本发明的电子设备的实施例的框图。图5是本发明的实施例中的有源矩阵基板101的像素部的俯视图。图6是沿图5A—A，的剖面图。图7是沿图5B—B，的剖面图。图8是本发明的第1实施例中的受光传感器350P-l、遮光传感器 350D-1的俯视图。图9是沿图8C—C'的剖面图。 图10是沿图8D—D，的剖面图。图ll是本发明的第1实施例中的受光传感器350P-l 350P-6、遮光传 感器350D-1-350D-6的等效电路图。图12是本发明的第1实施例中的受光传感器350P-l 350P-6、遮光传感器350D-l~350D-6的简化了的等效电路图。图13是表示构成本发明的第1实施例中的受光传感器350P-l 350P-6、 遮光传感器350D-l 350D-6的PIN 二极管的特性的曲线图。图14是本发明的第1实施例中的检测电路360的电路图。图15是本发明的第1实施例中的PIN二极管的电流与遮光电极-阴极 电极间电位的曲线图。图16是表示本发明的实施例中的薄膜晶体管与PIN 二极管的特性相 关性的分布图。图17是本发明的第1实施例的别的构成例中的第2自校正电压电路 361'的电路图。图18是本发明中的实施例中的外部光的检测照度与背光源辉度的设 定图。图19是用于半透射液晶显示装置的外部光的检测照度与背光源辉度 的设定图。图20是本发明的第2实施例中的液晶显示装置910B的立体图。图21是本发明的第2实施例中的有源矩阵基板101B的框图。图22是本发明的第2实施例中的检测电路362的电路图。图23是本发明的第2实施例中的受光传感器351P-l、遮光传感器351D-1的俯视图。图24是本发明的第2实施例中的PIN 二极管的电流与遮光电极-阴极电极间电位的曲线图。图25是本发明的第2实施例的其他构成例中的受光传感器351P-1、遮光传感器351D-1的俯视图。 符号说明101、 101B…有源矩阵M (本发明的"第ia"、"半导体器件" 的一例)，102…伸出部，201画l 201-480…扫描线，202画1 202-1920…数据 线，301…扫描线驱动电路，302…数据线驱动电路，320…信号输入端子， 330-l 330-2…对向导通部，335…共用电位布线，350P-1 350P画6 、 351P-l 351P-6…受光传感器(本发明的"第1光传感器"的一例)，页350D-l~350D-6、 351D-l 351D-6…遮光传感器(本发明的"第2光传感器" 的一例)，360、 362…检测电路(本发明的"光检测部"的一例)，361、 361，...自校正电压电路(本发明的"电位施加部，，的一例)，611P、 611P-l 611P-6、 611D、 611D-l 611D-6…背光源遮光电极(611P为本发 明的"第1电极"，611D为本发明的"第2电极"的一例)，612P、 612P-l~612P-6、 612D、 612D-l 612D-6…透明电极(612P为本发明的"第 1电极，，，612D为本发明的"第2电极，，的一例)，781…中央运算电路， 784…外部电源电路，910…液晶显示装置，911…液晶面板(本发明的"面 板"的一例)，912…对向絲(本发明的"第2絲"的一例)，922... 向列相液晶材料，923…密封材料，926…背光源单元，927…导iUl， 940… 黑矩阵，9卯-l 990-6…受光开口部，VPBT…布线PBT的电位(本发明的 "第1电极的电位"的一例)，VDBT…布线DBT的电位(本发明的"第 2电极的电位，，的一例)，LA…外光，LB…背光源光。
具体实施方式
以下，关于本发明中的电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的 电子设备的实施方式，基于附图而进行说明。 第1实施方式图l是本实施例中的液晶显示装置910的立体构成图(部分剖面图)。 液晶显示装置910，具备使有源矩阵a 101与对向M 912通过密封 材料923以一定的间隔相贴合、夹持有向列相液晶材料922的液晶面板 911。在有源矩阵141101上虽然未进行图示，但是涂敷由聚酰亚胺等构成 的取向材料、进行摩擦处理而形成有取向膜。并且，对向^ 912，虽然 未进行图示，但是形成有对应于像素的滤色器，由用于防止光泄漏、使 对比度提高的低反射、低透射率树脂构成的黑矩阵940，和与有源矩阵基 板101上的对向导通部330-1-330-2短路的被供给共用电位的由ITO膜形 成的对向电极930。在与向列相液晶材料922相接触的面涂敷由聚酰亚胺 等构成的取向材料，在与有源矩阵J41101的取向膜的摩擦处理的方向相 正交的方向,皮实施摩擦处理。进而在对向J41912的外侧、有源矩阵J^L101的外侧，分别配置上 偏振板924、下偏振板925，并且互相的偏振方向相正交地(十字尼科耳状) 进行配置。进而在下偏痴& 925下，配置背光源单元926与导光板927， 从背光源单元926朝向导光板927照射光，导光板927通过使来自背光源 单元926的光朝向有源矩阵M 101成为垂直且均匀的面光源地使光进行 反射弯折，而作为液晶显示装置910的光源起作用。背光源单元926，虽 然在本实施例中为LED单元，但是也可以为冷阴极管(CCFL)。虽然背 光源单元926通过连接器929而连接于电子设备主体，被供给电源，但是 在本实施例中通过将电源调整为适宜恰当的电流、电压而具有调整来自背 光源单元926的光量的功能。虽然未进行图示，但是进而根据需要，既可以以外壳覆盖周围，或者 也可以在上偏#^1924之上安装保护用的玻璃、丙烯酸板，还可以为了视 场角改善而贴附光学补偿膜。并且，在液晶显示装置910的外周部"^殳置光传感器受光开口部990。 并且，有源矩阵基板101，设置有从对向基板912伸出的伸出部102，对处 于该伸出部102的信号输入端子320,安装FPC (柔性141) 928而电连 接。FPC (柔性a) 928连接于电子设备主体，供给必需的电源、控制 信号等。进而在液晶显示装置910上设置6个光传感器的受光开口部 990-1 990-6。该受光开口部990-1 990-6通过部分去除对向电极930上的 黑矩阵940所形成，使得外部的光到达有源矩阵Ml01上。各受光开口 部990-1~990-6的周围并不去除对向电极930上的黑矩阵940，使得外光不 会到达有源矩阵基板101上。图2是有源矩阵Hl 101的框图。在有源矩阵M 101上，480条扫 描线201-1~201-480与1920条数据线202-1-202-1920相正交所形成，480 条电容线203-1~203-480与扫描线201-1~201-480并行地配置。电容线 203-1-203-480相互短路，与共用电位布线335连接，进而与2个对向导通 部330-1 330-2连接而从信号输入端子320被提供0V 5V的反相信号、反 相时间为35 ^t秒的共用电位。扫描线201-l 201-480连接于扫描线驱动电路301，并且数据线202-1~202-1920连接于数据线驱动电路302，分别适 当地4皮驱动。并且扫描线驱动电路301、数据线驱动电路302从信号输入端子320 4皮供给驱动所必需的信号。信号输入端子320，配置于伸出部102上。另 一方面，扫描线驱动电路301、数据线驱动电路302配置于与对向基板912 重叠的区域、即伸出部102夕卜。扫描线驱动电路301、数据线驱动电路302, 由通过低温多晶硅TFT工艺在有源矩阵基板上集成驱动中必需的电路功 能的玻璃上系统(SOG， System On Glass)技术，通过在有源矩阵J^Ji 集成多晶硅薄膜晶体管所形成，以与后述的像素开关元件401-n-m同一工 序所制造，成为所谓的驱动电路内置型的液晶显示装置。并且在与6个受光开口部9卯-l 990-6俯^L重叠的区域分别形成6个 受光传感器350P-l 350P-6 ，与其交替地形成6个遮光传感器 350D-l 350D-6 。 该受光传感器350P-l 350P-6与遮光传感器 350D-l 350D-6也通过玻璃上系统(SOG)技术，形成于有源矩阵基板上。 通过如此地在玻璃基板上以与像素开关元件401-n-m同一工序进行制造， 能够降低制造成本。虽然受光传感器350P-l 350P-6与受光开口部990-1 990-6俯#见重叠而 外光到达于传感器，但是遮光传感器350D-l 350D-6并不与受光开口部 990-1 9卯-6俯视重叠，外光以对向电极930上的黑矩阵940所吸收而几乎 不会到达。受光传感器350P-l 350P-6与布线PBT、布线VSH、布线SENSE 连接，遮光传感器350D-1 350D-6与布线DBT、布线VSL、布线SENSE 连接。这些布线PBT、布线VSH、布线SENSE、布线DBT、布线VSL 连接于检测电路360。检测电路360变换成对应于来自受光传感器 350P-1-350P-6与遮光传感器350D-l 350D-6的与外光照度具有相关性的 输出模拟电流的脉沖长度的二值输出信号OUT，并向信号输入端子320进 行输出。并且，布线VCHG、布线RST、布线VSL、布线VSH也通过信 号输入端子320而供给于检测电路360。详情后述，构成为，受光传感器350P-l 350P-6与背光源遮光电极 611P-l~611P-6 ,遮光传感器350D-l 350D-6与背光源遮光电极611D-1-611D-6分别俯视重叠，因为分别遮蔽来自背光源的光，所以外光 的检测精度不会由于来自背光源的光而下降。并且，受光传感器 350P-l 350P-6与透明电极612P-l 612P-6,遮光传感器350D-l~350D-6与 透明电极612D-1-612D-6也重叠，使得检测精度也不会由于对显示区域310 (虛线表示显示区域310的边界边。)进行驱动时产生的电磁噪声而下降。 通过这些构成，因为即使受光传感器350P-1-350P-6及遮光传感器 350D-l 350D-6配置于显示区域310附近，检测精度也不会下降，所以设 计的自由度比现有的产品有所提高。在此关于受光开口部990-l 990-6如示于本实施例地，优选分割成多 个，并尽量M于宽广的范围而进行配置。例如如果考虑到即^f吏手指等的 阴影部分地覆盖液晶显示装置910上，也减少对外光检测的影响，则优选 受光开口部的总面积尽量宽广，但是因为若^f吏面积大的受光传感器集中于 一处，则不得不使其与遮光传感器的距离离开，会在液晶显示装置910内 产生温度分布，所以在受光传感器部与遮光传感器部产生平均温度差。因 此如本实施例地将传感器分割成几个，并进而优选交替地进行配置，则能 够使受光传感器部与遮光传感器部的平均温度基本相等。虽然在本实施例 中分割为6个，但是不用i兌既可以比这少，也可以比这多。并且此时，〗吏从各受光开口部990-1 9卯-6的端部到显示区域310的 距离相等地进行配置即可。同样地使从各受光传感器350P-l 350P-6、各 遮光传感器350D-l~350D-6到显示区域310的距离相等地进行配置即可。 虽然从显示区域310向外部用于显示所透射的光例如以构成有源矩阵M 101、对向141912的玻璃、上偏振板924的表面、各种绝缘膜的界面等所 多次反射， 一部分杂散光进入各光传感器，但是此时，因为若如上述地进 行配置，则在各受光传感器350P-l 350P-6、各遮光传感器350D-l 350D-6 间，杂散光的光量基本一定，所以如本实施例地若取各受光传感器 350P-l 350P-6与各遮光传感器350D-l 350D-6间的电流差的量，则能够 基本去除杂散光的量。从该观点来看，也因为若受光开口部990-1-990-6 分割成多个，并尽量^L于宽广范围进行配置，则变得难以影响到显示区 域310的显示图形，所以优选。并且，优选各受光传感器350P-l 350P-6 、各遮光传感器 350D-l 350D-6如示于本实施例地配置于与背光源单元926尽量远离的边。 这是因为以下缘故因为背光源单元926不管是LED还是CCFL都成为 热源，所以越接近于背光源单元926，在有源矩阵141101内热梯度变得 越大，在各受光传感器350P-l 350P-6、各遮光传感器350D-l 350D-6之 间越容易出现温度差。并且，关于受光开口部9卯-1~990-6的尺寸，若在平行于配置有该受 光开口部990-1 990-6的显示区域310的周缘部的边界边的方向(以下， 称为X方向)变大，则受温度分布、杂散光的影响。并且，若关于正交于 显示区域310的边界边的方向(以下，称为Y方向)变大，则框缘区域变 大而除了液晶显示装置910的外形尺寸变大之外，以对向14^912与上偏 924的界面所反射的显示区域310的光作为杂散光，强烈照射于各受 光传感器350P-l 350P-6、各遮光传感器350D-l 350D-6，成为测定误差的 原因。在另一方面，若关于X方向变得太小则配置效率变低，PIN二极管 的沟道宽度(W)变小；若关于Y方向变小则光的取入效率变差，对检测 精度产生影响。基于如上的条件进行了研究的结果，得出了优选关于X方 向为0.5mm 20mm，关于Y方向为0.05mm 对向141 912的板厚(在本 实施例中为0.6mm)的范围内的结论。根据以上，在本实施例中尺寸为 X方向i殳定为10mm， Y方向i殳定为0.3mm。并且，从受光开口部990-1 990-6的端部到显示区域310的距离，为 0.5mm。受光开口部990-1 990-6的配置间距为20mm,并且4吏受光传感器 350P-1与遮光传感器350D-1的间距为10mm，遮光传感器350D-1的间距 与受光传感器350P-2的间距也为10mm地，将受光传感器350P-1-350P-6 与遮光传感器350D-l~350D-6以10mm间距交替地配置。图3是以图2的虚线310部表示的显示区域的第m条数据线202-m与 第n条扫描线201-n的交叉部附近的电路图。在扫描线201-n与数据线 202-m的各交点处形成由N沟道型场效应多晶硅薄膜晶体管构成的像素开 关元件401-n-m,其栅电极连接于扫描线201-n,源、漏电极分别连接于数据线202-m与像素电极402 画n-m。 与像素电极402-n画m及同^电位短路的 电极，与电容线203-n形成辅助电容器403-n-m，并当作为液晶显示装置 所组装时，夹持液晶元件而与对向电极930 (共用电极)也形成电容器。图4是表示本实施例的电子设备的具体的构成的框图。液晶显示装置 910是以图l进行了说明的液晶显示装置，外部电源电路784、图像处理电 路780通过FPC (柔性M) 928及连接器929将必需的信号与电源供给 于液晶显示装置910。中央运算电路781通过外部I/F电路782取得来自输 入输出设备783的输入数据。在此所谓的输入输出设备783例如为键盘、 鼠标、轨迹球、LED、扬声器、天线等。中央运算电路781基于来自外部 的数据进行各种运算处理，将结果作为指令向图像处理电路780或者外部 I/F电路782进4亍传送。图像处理电路780基于来自中央运算电路781的指令对图像信息进行 更新，并通过对向液晶显示装置910的信号进行变更，液晶显示装置910 的显示图像进行变化。并且，来自液晶显示装置910上的检测电路360的 二值输出信号OUT通过FPC (柔性a) 928输入到中央运算电路781， 中央运算电路781将二值输出信号OUT的脉冲长度变换成相对应的离散 值。接着中央运算电路781访问由EEPROM ( Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory,电可擦除可编程只读存储器)构成的 参照表785，并将进行了变换的离散值再变换成适当的对应于背光源单元 926的电压的值，并发送到外部电源电路784。外部电源电路784将对应于 该发送来的值的电压的电位电源通过连接器929供给于液晶显示装置910 内的背光源单元926。因为背光源单元926的辉度根据从外部电源电路784 所供给的电压而进行变化，所以液晶显示装置910的全白显示时辉度也进 行变化。在此所谓的电子设备具体地为监视器、TV、笔记本型个人计算机、 PDA、数字相机、摄像机、便携电话机、便携照片阅览器、便携视频播放 器、便携DVD播放器、便携音频播放器等。还有，虽然在本实施例中通过电子设备上的中央运算电路781对背光 源单元926的辉度进行了控制，但是也可以例如为在液晶显示装置910内 具备有驱动IC及EEPROM的构成，并使该驱动IC具有从二值输出信号OUT向离"ft值的变换功能、参照EEPROM的再变换功能、对向背光源单 元926的输出电压的调整功能。并且，也可以不用参照表，通过数值计算 从离散值再变换成对应于背光源单元926的电压的值地构成。图5是表示以图3示出的图像显示区域的电路图的实际的构成的俯视 图。如示于图5的凡例地，各网紋不同的部位表示为分别不同的材料布线， 以相同的网紋示出的部位表示为相同的材料布线。由铬薄膜(Cr)、多晶 硅薄膜(Poly-Si)、钼薄膜(Mo)、铝钕合金薄膜(AlNd)、氧化铟锡 薄膜(Indium Tin Oxiced = ITO )的5层薄膜所构成，在各自的层间形成 氧化硅、氮化硅、有机绝缘膜的任一种或者叠层了它们的绝缘膜。具体地铬薄膜(Cr)膜厚为100nm、多晶硅薄膜(Poly-Si)膜厚为 50nm、钼薄膜(Mo)膜厚为200nm、铝钕合金薄膜(AlNd )膜厚为500nm、 氧化铟锡薄膜(ITO)膜厚为lOOnm。并且，在铬薄膜(Cr)与多晶硅薄 膜(Poly-Si)之间形成叠层有100nm的氮化珪膜与100nm的氧化硅膜的 基底绝缘膜，在多晶硅薄膜(Poly-Si)与钼薄膜(Mo )之间形成由100nm 的氧化硅膜构成的栅绝缘膜，在钼薄膜(Mo)与铝钕合金薄膜(AlNd) 之间形成叠层有200nm的氮化珪膜与500nm的氧化硅膜的层间绝缘膜， 在铝钕合金薄膜(AlNd )与氧化铟锡薄膜(ITO )的之间形成叠层有200nm 的氮化硅膜与平均lpm的有机平坦化膜的保护绝缘膜，使互相的布线间 进行绝缘，在适当的位置开设接触孔而互相连接。还有，在图5中并不存 在铬薄膜(Cr)图形。如以图5而示地，数据线202-m通过铝钕合金薄膜(AlNd)所形成， 通过接触孔连接于像素开关元件401-n-m的源电极。扫描线201-n以钼薄 膜(Mo)所构成，兼用作像素开关元件401-n-m的栅电极。电容线203-n 由与扫描线201-n相同的布线材料所构成，像素电极402-n-m由氧化铟锡 薄膜构成，通过接触孔连接于像素开关元件401-n-m的漏电极。并且，像 素开关元件401-n-m的漏电极还连接于通过高浓度渗畴的n +型多晶硅薄 膜构成的电容部电极605，与电容线203-n俯视重叠而构成辅助电容器 403-n-m。图6是用于对像素开关元件401-n-m的结构进行说明的表示对应于图5的A—A，线部分的液晶显示装置910的一部分的剖面结构的图。还有， 为了使图易看，比例尺并不固定。有源矩阵MlOl为由无碱玻璃构成的 厚度0.6mm的绝缘基板，在其上通过叠层有200nm的氮化珪膜与300nm 的氧化硅膜的基底绝缘膜而配置由多晶硅薄膜构成的硅岛(silicon island ) 602，扫描线201-n与硅島602夹持前述的栅绝缘膜而配置于上方。在与扫描线201-n相重叠的区域中，硅岛602为完全不掺、或者只掺 极低浓度的磷离子的^i半导体区域6021，在其左右存在低浓度地,离 子的薄层(sheet)电阻为20kQ程度的n-区域602L、并进而在其左右存 在高浓度地,离子的薄膜电阻为lkQ程度的n+区域602N，其为LDD (Lightly Doped Drain,轻掺杂漏)结构。左右的n +区域602N通过分别 形成于层间绝缘膜的接触孔与源电极603、漏电极604连接，源电极603 与数据线202-m、漏电极604与形成于平坦化绝缘膜上的像素电极402-n-m 分别连接。在像素电极402-n-m与对向141912上的对向电极930之间存 在向列相液晶材料922。并且，黑矩阵940与像素电极402-n-m—部分重 叠地形成于对向141912上。还有，在像素开关元件401-n-m的光泄漏电 流成为问题的情况下，也可以在硅岛602下形成由Cr膜构成的遮光层。 因为在本实施例中光泄漏电流基本上不是问题，且若采取如此的结构，则 像素开关元件401-n-m的迁移率下降，所以选择了去除硅岛602下的Cr 膜的构成。图7是用于对辅助电容器403-n-m的结构进行说明的表示对应于图5 的B—B，线部分的液晶显示装置910的一部分的剖面结构的图，与漏电极 604连接的电容部电极605,与电容线203-n夹持栅绝缘膜重叠，由此形成 存储电容。图8是受光传感器350P-1 (第1光传感器)与遮光传感器350D-1 (第 2光传感器)附近的放大俯视图。还有，为了使图易看，纵向与横向的比 例尺并不固定。并且，凡例与图5同样。受光传感器350P-1与以粗虛线表 示的受光开口部990-1俯视重叠，使外光#1照射上去。受光传感器350P-1 通过4处孤立的受光部350P-1I、相邻于其的连接于布线SENSE的阳极 区域350P-1P，和连接于布线VSH的阴极区域350P-1N所构成。受光部350P-1I、阳极区域350P-1P、阴极区域350P-1N都通过同一多晶硅薄膜岛 根据掺杂浓度不同分离所构成，阳极区域350P-1P掺杂比较高浓度的硼离 子，阴极区域350P-1N掺杂比较高浓度的磷离子，受光部350P-1I只以极 低浓度包括硼离子、磷离子。并且，阳极区域350P-1P、阴极区域350P-1N、受光部350P-1I宽度分 别为10jim，受光部350P-1I的长度分别为lOOOiam。如此地，受光传感 器350P-1构成多个并联连接的PIN结二极管。虽然在受光传感器350P-1 及遮光传感器350D-1的接近于显示区域310侧配置共用电位布线335，但 是在本实施例中并不连接于受光传感器350P-1及遮光传感器350D-l，用 于避免电磁噪声的影响而离开lOOjam进行配置。遮光传感器350D-1通过4处孤立的受光部350D-1I、相邻于其的连 接于布线VSL的阳极区域350D-1P,和连接于布线SENSE的阴极区域 350D-1N所构成。因为除了连接阴极与阳极的布线不同，和不与受光开口 部990-1俯^f见重叠以外，受光传感器350P-1与遮光传感器350D-1为同一 构成，所以对除此以外的说明进行省略。并且，因为受光传感器 350P-2~350P-5与受光传感器350P-1，遮光传感器350D-2~350D-5与遮光 传感器350D-1，除了配置位置分别不同之外，为同样的构成，所以对说明 进行省略。图9是用于对受光传感器350P-1的结构进行说明的表示对应于图8的 线C—C，线部分的液晶显示装置910的一部分的剖面结构的图。在有源 矩阵基板101上通过基底绝缘膜配置背光源遮光电极611P-1 (第1遮光电 极)，在其上夹持栅绝缘膜形成由薄膜多晶硅构成的受光传感器350P-1。 受光传感器350P-1通过4处的受光部350P-1I、相邻于其的连接于布线 VSL的阳极区域350P-1P,和连接于布线SENSE的阴极区域350P-1N所 构成，如前所述。在受光传感器350P-1的上方通过层间绝缘膜、平坦化绝 缘膜配置由氧化铟锡薄膜(ITO )构成的透明电极612P-K第1透明电极)， 作为对于受光部350P-1I的电场屏蔽膜而起作用。透明电极612P-1的上方封入有向列相液晶材料922，配置有对向M 912上的对向电极930。还有，有时也根据受光传感器350P-1配置位置的不同而配置密封材料923代替向列相液晶材料922。受光开口部9卯-l通过 部分去除对向基才反912上的黑矩阵940所形成。虽未图示，但是因为在遮 光传感器350D-1上并不存在受光开口部，所以不去除黑矩阵940。成为下述构成从对向基板912的上方照射外光LA，另一方面，从 有源矩阵^41101的下方照射来自背光源单元926的光(背光源光LB)。 还有，虽然在本实施例中并未实施，但是也可以在受光开口部990-1 ;^V 光学校正层。例如也可以与受光开口部9卯-l重叠而形成构成形成于对向 基板912的对应于像素的滤色器的色材之中的一个或者几个，使视见度分 光特性与受光传感器350P-1更加一致。例如若重叠于受光开口部990-1上 而形成对应于绿色的像素的色材，则因为对短波长与长波长侧进行截去， 所以即使受光传感器350P-1的分光特性与视见度分光特性相比向短波长 或者长波长偏移，也能够进行校正。此外，相应于目的，将反射防止膜、 干涉层、偏光层等与受光开口部990-1部进行重叠即可。并且，虽然在本 图中并未图示，但是上偏振板924既可以与受光开口部990-1重叠，也可 以去掉。相重叠时受光开口部990-1变得不明显，若去掉则感光灵敏度会 提高。因为在本实施例中为了液晶显示装置910的低消耗电力化，进行向共 用电位布线335施加>^相信号的共用电极反相驱动(共用AC驱动)，所 以对对向电极930施加振幅为0V 5V、频率为14KHz的AC信号。但是 因为由对向电极930产生的电磁波通过透明电极612P-1所屏蔽，所以当对 向电极930反相时基本不对受光传感器350P-1施加噪声。同样地对于来自 下方的电磁噪声，背光源遮光电极611P-1作为屏蔽器件而起作用。图10 U示对应于图8的线D—D，线部分的液晶显示装置910的一 部分的剖面结构的图。形成于基底绝缘膜上的背光源遮光电极611P-1 (第 1遮光电极)与背光源遮光电极611D-1 (第2遮光电极)通过遮光电极间 隙611G互相分离，被提供分别的电位。并且形成于平坦化绝缘膜上的透 明电极612P-1 (第1透明电极)与透明电极612D-1 (第2透明电极)也通 过透明电极间隙612G互相分离，被提供分别的电位。背光源遮光电极 611P-1与透明电极612P-1相互通过形成于栅绝缘膜、层间绝缘膜及平坦化绝缘膜的接触孔和中间电极613P-1连接，最终连接于布线PBT。背光 源遮光电极611D-1与透明电极612D-1相互通过形成于栅绝缘膜、层间绝 缘膜及平坦化绝缘膜的接触孔和中间电极613D-1连接，最终连接于布线 DBT。在此遮光电极间隙611G与透明电极间隙612G在有源矩阵基板101 及对向基板912的铅垂方向上互不重叠。若如此地构成，则因为平面地上 下不存在未受屏蔽的区域，所以从间隙进入的电磁噪声难以左右扩展，能 够减轻由间隙引起的屏蔽性能的降低。并且，与遮光电极间隙611G相重叠地形成由钼薄膜(Mo)构成的间 隙遮光体610。由此，能够飞跃性地减轻通过遮光电极间隙611G进入的 背光源光以各种绝缘膜、玻璃的界面等多次反射、成为杂散光而到达于受 光传感器350P-1、遮光传感器350D-1的比例。图11是如以上的构成的受光传感器350P-l 350P-6、遮光传感器 350D-l 350D-6的等效电路图。各受光传感器350P-l 350P-6、遮光传感器 350D-l 350D-6，分别并联连接4个PIN 二极管。并且，各受光传感器 350P-l 350P-6也互相并联连接，遮光传感器350D-l~350D-6也互相并联 连接。所以最终图ll与图12的电路图等效。即，遮光传感器350D-l 350D-6为沟道宽度为24000 jam、沟道长度 为10nm的PIN 二极管，其阳极连接于布线VSL，其阴极连接于布线 SENSE。并且，与遮光传感器350D-l 350D-6俯视重叠的背光源遮光电极 611D-l~611D-6及透明电极612D-l 612D-6连接于布线DBT。受光传感器 350P-l~350P-6为沟道宽度为24000 u m、沟道长度为10 /a m的PIN 二极 管，其阳极连接于布线SENSE,其阴极连接于布线VSH。并且，与受光 传感器350P-l 350P-6俯视重叠的背光源遮光电极611P-1-611P-6及透明 电极612P-l 612P-6连接于布线PBT。图13是表示当一定的外光照度LX照射于液晶显示装置910时的构成 受光传感器350P-l 350P-6与遮光传感器350D-l~350D-6的PIN 二极管的 特性的曲线图。横轴为偏置电位Vd (=阳极电位-阴极电位)，纵轴为流 通于阳极-阴极间的电流量Id。以实线表示的曲线(A)为受光传感器350P-l 350P-6的特性，以虛线表示的曲线(B)为遮光传感器 350D-1-350D-6的特性。如此地虽然在正向偏置区域(Id > 0 )中二者基本 相一致，但是在反向偏置区域(ld<0)中，受光传感器350P-l 350P-6的 曲线(B)的一方的电流的绝对值变大。这是因为以下原因虽然因为不 对遮光传感器350D-l 350D-6照射外光，所以仅流通起因于温度的热电流 量Ileak，但是因为若对构成受光传感器350P-1-350P-6的PIN 二极管的受 光部350P-1I 350P-6I照射光则生成栽流子对，光电流量Iphoto流通，所 以在受光传感器350P-1-350P-6中光电流量与热电流量之和、Iphoto + Ileak流通。在此，所谓热电流量Ileak，是指在图13的左侧的反向偏置区 域(ld<0)中，当施加电压至负几V时流通的电流，半导体由于温度而 一点点地产生电子与空穴，其使电流流通而产生。热电流量Ileak表示Vd (=阳极电位-阴极电位)相关性，并能够在 -5.0<Vd< -1.5的区域中作为斜率为KA (KA>0)的直线进行近似。 在此，KA为相对于温度的函数，若温度升高则以指数函数的方式上升。 在该Vd区域(Vd = - 5.0 < Vd < - 1，5 )中流通于受光传感器 350P-l 350P-6的光电流量Iphoto具有基本一定的值，并正比于外光照度 LX(以下，设为Iphoto = LX x k)。所以流通于受光传感器350P-l 350P-6 的电流(曲线(A))、流通于遮光传感器350D-l 350D-6的电流(曲线 (B))在-5.0<Vd< -l.S的区域中都为斜率为KA (KA>0)的直线。在此，若4吏受光传感器350P-1-350P-6与遮光传感器350D-l 350D-6 的Vd变得相同地对偏置电位进行设定、即将布线SENSE的电位VSENSE值的(WSH + WSL) +2，则流通于受光传感器350P-l~350P-6与遮光 传感器350D-l~350D-6的热电流量Ileak完全相一致。此时，因为流通于 布线VSH的电流量(-流通于受光传感器350P-l 350P-6的电流量)为 Iphoto + Ileak，流通于布线VSL的电流量(-流通于遮光传感器 350D-l 350D-6的电流量)为Ileak，所以根据基尔霍夫第1定律，流通于 布线SENSE的电流量成为Iphoto = LX x k，正比于外光照度LX。还有虽 然在实施例中将受光传感器连接于高电位侧，将遮光传感器连接于低电位侧，但是不用说即使以其它方式连接也无妨，结论相同。图14是检测电路360的电路图。布线VCHG、布线RST、布线VSL、 布线VSH、布线OUT与信号输入端子320相连接，并且布线VSL、布线 VSH、布线SENSE、布线PBT、布线DBT连接于受光传感器350P-1-350P-6 及遮光传感器350D-l 350D-6。在此布线VCHG、布线VSL、布线VSH 连接于由外部电源电路784所供给的DC电源，VCHG布线被供给电位 WCHG ( = 2.0V) ， VSL布线4皮供给电位WSL ( = 0.0V) ， VSH布线 被供给电位VVSH ( =5.0V)。还有，在此VSL布线的电位WSL为液 晶显示装置910的GND。布线SENSE连接于第1电容器Cl与第3电容器C3的各一端。并且， 连接于初始充电晶体管NC的漏电极。第3电容器C3的另一端连接于布 线VSL。第1电容器Cl的另一端连接于节点A。初始充电晶体管NC的 源电极连接于布线VCHG，被供给电位WCHG ( =2.0V)电源。初始充 电晶体管NC的栅电极连接于布线RST。节点A还连接于第IN型晶体管 Nl的栅电极与第IP型晶体管Pl的栅电极与复位晶体管NR的漏电极， 还连接于第2电容器C2的一端。第2电容器C2的另 一端连接于布线RST。第IN型晶体管Nl的漏电极与第IP型晶体管PI的漏电极与复位晶 体管NR的源电极连接于节点B。节点B还连接于第2N型晶体管N2的栅 电极与第2P型晶体管P2的栅电极。第2N型晶体管N2的漏电极与第2P 型晶体管P2的漏电极连接于节点C，节点C还连接于第3N型晶体管N3 的栅电极与第3P型晶体管P3的栅电极。第3N型晶体管N3的漏电极与 第3P型晶体管P3的漏电极连接于节点D，节点D还连接于第4N型晶体 管N4的栅电极与第4 P型晶体管P4的栅电极。第4N型晶体管N4的漏 电极与第4 P型晶体管P4的漏电极连接于布线OUT,布线OUT还连接于 第5N型晶体管N5的漏电极。第5N型晶体管N5的栅电极与第5P型晶体 管P5的栅电极连接于布线RST，第5P型晶体管P5的漏电极连接于第4P 型晶体管P4的源电极。第1 第5N型晶体管N1 N5的源电极连接于布线 VSL，被供给电位WSL ( -0V)。并且第1~第3P型晶体管P1 P3及第 5P型晶体管P5的源电极连接于布线VSH，被供给电位WSH( - + 5V)。并且，在检测电路360还具备对施加于布线PBT与布线DBT的电位 根据晶体管的阈值电压(Vth)自动地进行校正的自校正电压电路361。自 校正电压电路361构成为第6N型晶体管Nil与第6P型晶体管Pll的 漏电极及栅电极分别连接于布线PBT，第7N型晶体管N21与第7P型晶 体管P21的漏电极及栅电极分别连接于布线DBT，第6N型晶体管Nil与 第7N型晶体管N21的源电极连接于布线VSL而被供给电位WSL (= 0V )，第6P型晶体管Pll与第7P型晶体管P21的源电极连接于布线VSH， 被供给电位WSH ( = + 5V)。并且，检测电路360通过以与构成像素电极402-n-m的氧化铟锡薄膜 (ITO)为同一膜的膜所形成的屏蔽电极369覆盖整面。屏蔽电极369通 过布线VSL连接于液晶显示装置910的GND电位，作为对于电磁噪声的 屏蔽器件而起作用。在此在本实施例中，第1N型晶体管N1的沟道宽度为10jim，第2N 型晶体管N2的沟道宽度为35 pm,第3N型晶体管N3的沟道宽度为100 第4N型晶体管N4的沟道宽度为150 nm，第5N型晶体管N5的沟 道宽度为150pm，第6N型晶体管N11的沟道宽度为4"m，第7N型晶 体管N21的沟道宽度为200jam，第1P型晶体管Pl的沟道宽度为10jLim, 第2P型晶体管P2的沟道宽度为35 |a m,第3P型晶体管P3的沟道宽度为 lOOlim，第4P型晶体管P4的沟道宽度为300pm，第5P型晶体管P5的 沟道宽度为300jam，第6P型晶体管Pll的沟道宽度为200|am，第7P型 晶体管P21的沟道宽度为4iim，复位晶体管NR的沟道宽度为2jam，初 始充电晶体管NC的沟道宽度为50 ji m，全部的N型晶体管的沟道长度都 为8iam，全部的P型晶体管的沟道长度都为6pm,全部的N型晶体管的 迁移率都为80cm2/Vsec，全部的P型晶体管的迁移率都为60cmVVsec，全 部的N型晶体管的阈值电压(Vth)都为+1.0V,全部的P型晶体管的阈 值电压(Vth )都为-l.OV，第1电容器Cl的电容值为lpF，第2电容器 C2的电容值为100fF，第3电容器C3的电容值为100pF。布线RST为电位振幅为0-5V的脉冲波，在每个周期510m秒，在脉 沖长度为100 y秒期间，保持为高电位(5V )，在剩余的509.9m秒期间保持为低电位(0V)。若RST布线每510m秒成为高(5V)，则初始充电 晶体管NC与复位晶体管NR导通，对布线SENSE充电VCHG布线的电 位(2.0V)，节点A与节点B短路。因为第1N型晶体管N1与第1P型晶 体管Pl构成反相电路，所以反相电路的IN/OUT被短路。此时，节点A 与节点B的电位最终达到由以下的数式所表示的电位VS (详细的计算例 如参照Kang Leblebici著"CMOS Digital Integrated Circuits" Third Edition P206等)。 式lVS = [ Vthn + SQRT( WpLn |ii p/WnLp ja n) x ( WSH - VVSL + Vthp )] / [ 1 + SQRT ( WpLn |i p/WnLp |i n )]在此，因为Wn:为第1N型晶体管N1的沟道宽度，Ln:为第IN型 晶体管Nl的沟道长度，为第1N型晶体管Nl的迁移率，Vthn:为 第1N型晶体管N1的阈值电压，Wp:为第IP型晶体管PI的沟道宽度， Lp:为第1P型晶体管P1的沟道长度，|Lip:为第1P型晶体管P1的迁移 率，Vthp:为第IP型晶体管PI的阈值电压，所以在本实施例中计算为 VS = 2.5V。还有，布线RST为高(5V)期间因为第5N型晶体管N5导通、 且第5个P型晶体管P5截止，所以OUT布线为0V。若RST布线在100 u秒后变成低(0V)，则复位晶体管NR截止、节 点A与节点B电断开。此时，以第1N型晶体管N1与第IP型晶体管PI 所构成的反相电路，若节点A的电位比VS低则向节点B输出比VS高的 电位，若节点A的电位比VS高则向节点B输出比VS低的电位。第2N 型晶体管N2与第2 P型晶体管P2及第3N型晶体管N3与第3 P型晶体管 P3也分别构成反相电路，同样地若输入级的电位比VS低则输出比VS高 的电位，若输入级的电位比VS高则输出比VS低的电位。此时，输出级的 电位与VS之差变得比输入级的电位与VS之差大，向布线VSH的电位 VVSH ( = + 5V)或布线VSL的电位WSL ( =0V)靠近。结果，若节点 A的电位比VS低则节点D基本成为VSH布线的电位WSH ( = + 5V)， 若节点A的电位比VS高，则节点D基本成为VSL布线的电位WSL(= 0V)。因为第4N型晶体管N4及第5N型晶体管N5、第4P型晶体管P4及第5P型晶体管P5构成"或非"电路，所以在RST布线的电位为低(0V) 期间，若节点D为高(+5V)则将低(0V)、若节点D为低(0V)则将 高(+5V),分别向布线OUT进行输出。即，在RST布线的电位为低(OV) 期间，若节点A的电位比VS低则向布线OUT的输出为低(0V)，若节 点A的电位比VS高则向布线OUT的输出为高(+5V)。节点A如前述，虽然布线RST成为低(0V)、复位晶体管NR截止， 节点A与节点B电断开，但是与此同时由于第2电容器C2的耦合而其电 位与布线RST同时下降。在此，若第1电容器C1的电容值CC1 ( -lpF) 比第2电容器C2的电容值CC2 ( - 100fF)及第1N型晶体管Nl、第1P 型晶体管Pl、复位晶体管NR的栅漏间电容值(在本实施例中都为10fF 以下)足够大，并且若复位晶体管NR的写入阻抗与第1电容器Cl的电 容值之积(在本实施中约为l)i秒)比布线RST的电位的下降期间(在本 实施例中为100n秒)足够大，则当布线RST变成低(0V)时(以下，设 此时间为t = 0)的节点A的电位(以下，设为VA(t))可由以下的式表 示。式2VA " = 0 ) = VS - ( CC2/CC1) x (VVSH - WSL) 在本实施例中成为VA(t-O) =2.0V。此时，加在受光传感器350P-1 的偏置电位为Vd= -3.0V，加在遮光传感器350D-1的偏置电位为Vd- -2.0V 。如根据图13的说明而明确地，此时，构成受光传感器350P-1与遮 光传感器350D-1的PIN 二极管的热电流量Ileak之差以KA x 1.0所表示。 从而，在布线SENSE中流通着对相应于照射到受光传感器350P-1的外光 的光电流量Iphoto增加了电流量KA x 1.0的电流。在此，若KA < < Iphoto 则流通于布线SENSE的电流量能够近似为仅Iphoto，能够去掉热电流的 贡献。在本实施例中工作保证温度上限的7(TC时的KA与照度10勒克斯 下的Iphoto变得相等。由此，若外光照度为100勒克斯以上，则在工作保 证温度范围内能够有效地去除热泄漏电流。在此外光与Iphoto的关系如前述，在该偏置条件下外光正比于照射受 光传感器350P-1的外光照度LX而与Vd无关地成为Iphoto - LX k (k为一定的系数)。若RST布线成为低(0V)，则因为节点A为浮置状态， 所以如果忽略第2电容器C2的电容值CC2及第1N型晶体管Nl、第1 P 型晶体管Pl的栅-源间电容值，则有效的电容值基本上成为仅第3电容器 C3的电容值CC3，布线SENSE的电位VSENSE如以下的式表示地进行 变化。 式3VSENSE (t) - WCHG + (LX x k/CC3 ) x t还有，在此用于说明而忽略在受光传感器350P-1及遮光传感器 350D-1、及引绕布线的附加电容值进行说明。这些附加电容值的量加在上 述的CC3即可。并且，在受光传感器350P-1及遮光传感器350D-1、及引 绕布线的附加电容值足够大的情况下，也可以不设置第3电容器C3。从而， CC3的值根据受光传感器350P-1及遮光传感器350D-l、及引绕布线的附 加电容值确定下限。若VSENSE (t)发生变化则VA (t)因电容耦合而变化相同的电位的 量。从而，节点A的电位VA可由以下的式表示。式4VA (t) - VS - ( CC2/CC1) x (WSH - WSL) + ( LX x k/CC3 )x t在此成为VA(t) -VS的时间tO，可由以下的式表示。 tO= (CC2xCC3/CCl xLXxk ) x (WSH-WSL) 即，在时间t0时OUT输出从低(0V)向高(5V)进行反相，根据该 时间t0，外光照度LX容易求出。检测电路360在RST布线为低(0V)期间，节点A成为浮置状态， 若在此电磁噪声i^则节点A的电位发生变化而发生误工作。从而，电磁 噪声的防止极其重要，为此而配置屏蔽电极369。如本构成的横向结构的PIN型二极管、PN型二极管存在光电流量 Iphoto相对于垂直方向的电场进行变化的问题。若针对于本实施例具体而 言，则连接于布线PBT的透明电极612P-l 612P-6与背光源遮光电极 611P-l 611P-6的电位(以下，为VPBT)、连接于布线DBT的透明电极612D-l 612D-6与背光源遮光电极611P-l 611P-6的电位(以下，为VDBT ) 分别影响受光传感器350P-l 350P-6的特性、遮光传感器350D-l 350D-6的特性。图15是关于构成受光传感器350P-l 350P-6及遮光传感器 350D-l 350D-6的二极管的特性，将遮光电极(及透明电极)-阴极电极间 的电位差取为横轴，将PIN二极管在23X:、偏置电位为Vd= -2.5V、外 光为1000勒克斯的条件下的阳极-阴极间电流取为纵轴时的曲线。在本实 施例中冲黄轴在受光传感器350P-l 350P-6中相当于VPBT-VVSH，在遮光 传感器350D-l 350D-6中相当于VDBT-VSENSE。实线(A)为表示峰值电流的横轴的电压值测定了多个釆样数之中的， 表示了中央值的采样的结果；点线(B)相同地为表示峰值电流的横轴的 电压值进行了多次采样测定之中的，表示了最大值的采样的结果；虛线(C) 相同地为表示峰值电流的横轴的电压值进行了多次采样测定之中的，表示 了最小值的采样的结果。可知都在峰值具有某恰当电压(将该光电流成为 峰值的遮光电极(及透明电极)一阴极电极间的电位差以下称为VMAX)。 这是因为以下原因若遮光电极(及透明电极)-阴极电极间的电位差为恰 当电压，则PIN结二极管的受光部(图8中的受光部350P-1I、受光部 350D-1I相当)耗尽化而在整个区域通过光激发载流子；相对于此，若遮 光电极(及透明电极)-阴极电极间的电位差与恰当电压相比为正，则受光 部N型化，同样地若与恰当电压相比为负，则受光部P型化，*层的宽 度变窄，通过光激发载流子的面积被限制。从而，用于充分得到光电流而 必须对VPBT、 VDBT适当地进行控制，并使得成为VMAX点。如根据图 15的曲线(A)可知地，优选在制造不一致的中央值处，遮光层及透明 电极的电位为从施加于阴极电极的电位低1.4V程度的电位。但是，如对曲 线(A)与曲线(B)与曲线(C)进行比较而知地，实际上恰当电位VMAX 由于制造不一致稍微偏离。这是因为多晶硅薄膜中的缺陷能级、基底绝缘 膜/栅绝缘膜界面的固定电荷等在制造工序中不一致而发生的现象。图16是表示在同一基板上制作的薄膜晶体管与PIN 二极管的相关性 的分布图。将N型薄膜晶体管的阁值电压(VthN)与P型薄膜晶体管的阈值电压(VthP)的平均值作为横轴，以使PIN二极管的光电流成为最大 的恰当电位VMAX作为纵轴。如从图16所知地，薄膜晶体管的阈值与使 PIN 二极管的光电流成为最大的恰当电位VMAX具有强的正相关性。在本 实施例中如图16的曲线(A)地，当遮光电极(及透明电极)相比较于阴 极电极电位低1.4V程度时光电流呈现最大值(VMAX)，此时的N型薄 膜晶体管的阈值电压(VthN)为+1.0V、与P型薄膜晶体管的阈值电压 (VthP)为-1.0V为制造不一致中的平均的状态，呈现在制造不一致中若 VthN与VthP的平均值偏离IV则VMAX也偏离IV的，基本y-x (虚 线)的正相关性。根据以上，在本实施例中采用基于薄膜晶体管的阈值(Vth)对电压 进行自校正，在布线PBT与布线DBT施加电压的自校正电压电路361。 在本实施例的制造不一致中的平均的值中，VthN= +1.0、 VthP= -1.0， 此时自校正电压电路361对布线PBT施加3.6V，对布线DBT施加1.4V。 因为在受光传感器350P-l 350P-6中阴极与布线VSH相连接而为5.0V， 所以背光源遮光电极611P-1 611P - 6及透明电极612P-1与阴极的电位差 成为-1.4V，其成为得到光电流的最佳电位(VMAX)。因制造不一致而 使晶体管的特性发生变动，并且例如若VthN- +1.5、 VthP= -0.5则在布 线PBT施加4.1V、在布线DBT施加1.9V 。同样地例如若VthN- +0.5、 VthP = -1.5则分别在布线PBT、布线DBT施加3.1V、 0.9V。因为不管 在哪种情况下若晶体管的阈值发生变动则与其相应地施加于布线PBT与 布线DBT的电位也都发生变动，所以总是基本最大地得到光电流。图17是表示作为图16的自校正电压电路361的另外的构成的第2自 校正电压电路361'的电路图。第8N型晶体管N31的栅电极与漏电极与 第8P型晶体管P31的栅电极与漏电极全都连接于节点E。并且，节点E 也连接于第9P型晶体管P41的栅电极、与第9N型晶体管N41的栅电极。 第9P型晶体管P41的源电极连接于布线PBT,漏电极连接于布线VSL。 并且，第10P型晶体管P42的漏电极连接于布线PBT，源电极连接于布线 VSH，栅电极连接于调整电源布线Voffl。第9N型晶体管N41的源电极 连接于布线DBT,漏电极连接于布线VSH。第10N型晶体管N42的漏电极连接于布线DBT，源电极连接于布线VSL，栅电极连接于调整电源布线 Voff2。调整电源布线Voffl及调整电源布线Voff2为通过信号输入端子320 由外部电源电路784所供给的电源，调整电源布线Voffl设定为3.9V,调 整电源布线Voff2设定为I.IV。在此，第8N型晶体管N31的沟道宽度为 10jum，第8P型晶体管P31的沟道宽度为10Mm，第9N型晶体管N41 的沟道宽度为100jum，第ION型晶体管N42的沟道宽度为100jim，第 9P型晶体管P41的沟道宽度为100 um,第10P型晶体管P42的沟道宽度 为100pm，全部的N型晶体管的沟道长度都为8um，全部的P型晶体管 的沟道长度都为6|Lim，全部的N型晶体管的迁移率都为80cmVVsec，全 部的P型晶体管的迁移率都为60cm2/Vsec。若如以上地进行构成，则从第 2自校正电压电路361，输出于布线DBT的电压及输出于布线PBT的电压 与薄膜型晶体管的阈值电压(Vth)的关系变得与图14的自校正电压电路 361之时完全相同。与图14的自校正电压电路361的构成相比较，图17的第2自校正电 压电路361'的构成有以下优点通过对调整电源布线Voffl及调整电源 布线Voff2的电位进行调整而在不改变有源矩阵141101的情况下，可以 调整输出于布线DBT的电压及输出于布线PBT的电压。另一方面，因为 元件数、布线数、端子数增多，从电路面积的观点来看成为不利的构成， 所以到底采用何种构成，可以根据各自的优缺点任意决定。并且，本发明 并不限定于这些电路构成，此外，也可以使用已知的所有的电压电路代替 自校正电压电路361。并且，也可以将布线DBT及布线PBT，通过信号输 入端子320连接于外部电源电路784，从外部电源电路784供给适当的电 位。在该情况下，通过将从外部电源电路784输出的电位的设定值按每个 产品地写入于EEPROM等还可以进行对于产品不一致的控制。还有，虽然在此次的实施例中将连接于受光传感器350P-l~350P-6及 遮光传感器350D-l 350D-6的电源的布线VSH与电源的布线VSL用作了 检测电路360的驱动电源，但是它们也可以作为别的电源布线。若如此地 进行构成，则一方面布线、端子数增多，但是另一方面有检测电路360的 工作噪声难以影响到受光传感器350P-l 350P-6及遮光传感器350D-l 350D-6的优点。在本实施例中，中央运算电路781对端子OUT的信号进行监视，并 根据发生了反盯的时间t0首先得到离散值V10。离散值VIO,被采样任意 次数，得到其的平均值V10—。根据V10—而对参照表785进行参照，得到 对应于V10—的适当的背光源单元926的电压设定值V20。中央运算电路 781通过将该V20的值传送给外部电源电路784而改变背光源单元926的 辉度。由此液晶显示装置910的全白显示时辉度发生变化，通过抑制对于 用户而言过量的辉度而使辨认性提高并能抑制消耗电力的增大。在本实施例中外部光的检测照度与背光源辉度的关系如图18地进行 了设定。直至检测照度300 (勒克斯)为止而使背光源的照度緩慢上升， 在300勒克斯以上使斜率比较大而升高照度。在检测照度2000勒克斯时， 辉度成为MAX而以后成为相同的状态。若如此地进行设定，则能够在外 光在300勒克斯以下而周围极暗、用户的瞳孔张开时将背光源抑制为不刺 眼的程度，在300勒克斯 2000勒克斯的外光映入到液晶面板的区域中， 一致于周围的明亮度使辉度急速上升而不使辨认性降低。另一方面，在并非如本实施例地为透射型、而使用半透射型液晶的情 况下，只要如图19地即可。虽然直至外光照度为5000勒克斯为止为同样， 但是因为在其以上仅以反射部分就达到足够的辨认性，因此使背光源完全 关闭，使得能够节约消耗电力，所以尤其在室外进行使用时，其搭载着的 电子i殳备的电池驱动时间飞跃地延长。不用说，该控制曲线为一例，相应于用途，既可以进行各种各样的曲 线的设定，也可以为了抑制闪烁而使曲线具有滞后等。并且，也可以并非 每次测定都进行辉度调整，而进行多次测定，并取平均值、中央值而对辉 度进行调整等。以光敏晶体管构成受光传感器350P-l~350P-6及遮光传感器 350D-l 350D-6的情况也基本上如以本实施例描述地，优选对施加于与 受光传感器350P-l 350P-6及遮光传感器350D-l~350D-6俯视重叠的电极 的电压分别地进行最优化。这是因为光敏晶体管中的^层的扩展也受俯 -观重叠的电极的影响。第2实施方式图20是第2实施例中的液晶显示装置910B的立体构成图(部分剖面 图)，代替第1实施例中的以图1所说明的液晶显示装置910。以下，对 与在第1实施例的图1的液晶显示装置910的差异进行说明。在本实施例中，代替受光开口部9卯-l 990-6，配置10个受光开口部 991-1 991-10。在此受光开口部991-1 991-6配置于离伸出部102远而相对 向的周缘部，受光开口部991-7 991-10配置于正交于伸出部102的周缘部 的边。并且，代替有源矩阵基板IOI，使用有源矩阵141101B，对向J4！ 912替换为对向基板912B。在此对向基板912B除了其厚度为0.25mm，为 与对向M912同样的构成。因为其他之点与在第1实施例的图l并无不 同，所以附加相同的符号而对说明进行省略。图21是第2实施例中的有源矩阵ai01B的框图，代替第1实施例 中的以图2所i兌明的有源矩阵皿101，以下，以与在第1实施例的图2 的有源矩阵141101的不同点为中心进行说明。在本实施例中布线DBT、 布线PBT并不存在，受光传感器350P-1-350P-6 、遮光传感器 350D-l 350D-6分别4皮替换为受光传感器351P-1~351P-10、遮光传感器 351D-1 351D-10 。在此，受光传感器351P-l 351P-6及遮光传感器 351D-1 351D-10配置于与设置有受光开口部991-1-991-6的周缘部相同的 边，受光传感器351P-l~351P-6与受光开口部991-1~991-6俯^L重叠地配置 构成。并且受光传感器351P-7 351P-10及遮光传感器351D-7 351D-10配 置于与设置有受光开口部991-1-991-6的周缘部相同的边，受光传感器 351P-l 351P-6与受光开口部991-1 991-6俯^L重叠地配置构成。受光传感 器351P-1 351P-10连接于布线SENSE及布线VSH,遮光传感器 351D-1~351D-10连接于布线VSL与布线SENSE与布线VCHG。检测电 路360被替换为检测电路362。因为在其他之点上与第1实施例并无任何 不同，所以通过附加相同的符号而对说明进行省略。并且，向本实施例中 的布线VSH所提供的电位为5.0V，向布线VSL所提供的电位为O.OV，向 布线VCHG所提供的电位为2.0V，向布线RST所提供的信号为电位振幅 为0-5V的脉沖波，在每个周期510m秒，在脉冲长度为100 n秒期间保持为高电位(5V)，在剩余的509.9m秒期间保持为低电位(0V)，这也与 第1实施例并无不同。图22是检测电路362的电路图，对与第1实施例的示于图14的检测 电路360的不同点进行说明。在本实施例中布线DBT、布线PBT并不存 在，并且自校正电压电路361也不存在。代之而使布线VCHG直接向遮光 传感器351D-1 351D-10进行输出。并且，屏蔽电极369不存在。由此， 相比较于第1实施例，虽然电路的附加电容变小，可以更高速且高精度进 行工作，但是在另一方面耐电磁噪声变弱，屏蔽电极369的有无根据由检 测电路的配置位置等引起的电磁噪声的大小确定即可。因为第1电容器 Cl、第2电容器C2、第3电容器C3的连接及电容值，初始充电晶体管 NC、初始充电晶体管NC、第1 第5N型晶体管N1 N5、第1~第5P型晶体管Pi P5的构成、尺寸、迁移率、阈值电压(vth)的^:定全都与第i 实施例同样，所以对说明进行省略。图23是受光传感器351P-K第1光传感器)与遮光传感器351D-K第 1光传感器)附近的放大俯视图。与第1实施例的图8进行比较而进行说 明。受光传感器351P-1与受光开口部990-1俯视重叠而被照射外光，通过 受光部351P-11、阳极区域351P-1P、阴极区域351P-1N所构成；遮光传感 器351D-1不与受光开口部990-1俯视重叠，通过受光部351D-1L阳极区 域351D-1P、阴极区域351D-1N所构成。因为受光部351P-1I、阳极区域 351P-1P、阴极区域351P-1N、受光部351D-11、阳极区域351D-1P、阴极 区域351D-1N与第1实施例中的受光部350P-1L阳极区域350P-1P、阴 极区域350P-1N、受光部350D-11、阳极区域350D-1P、阴极区域350D-1N 分别在构成、尺寸、连接目的地等并无任何改变，所以对说明进行省略。 在本实施例中，与受光传感器351P-1重叠的背光源遮光电极614P-1通过 中间电极616P-1连接于布线VSH，与遮光传感器351D-1重叠的背光源遮 光电极614D-1通过中间电极616D-1连接于布线VCHG。并且，重叠于受 光传感器351P-1的透明电极615也重叠于遮光传感器351D-1,并不互相 分离，从而第1实施例中的透明电极间隙612G并不存在。透明电极614 配置有配置于受光传感器351P-1及遮光传感器351D-1的接近于显示区域310之侧的共用电位布线335，被提供共用电位。在本实施例中在共用电位 布线335施加DC电位，其电位为4.0V。受光传感器351P-2-351P-10与受 光传感器351P-1、遮光传感器351D-2 351D-10与遮光传感器351D-1，因 为除了配置的位置、间距、方向之外，完全相同，所以对说明进行省略。在本实施例中对受光传感器351P-l~351P-6的背光源遮光电极 614P-l 614P-6连接与阴极相同的电位WSH ( =5V)。另一方面，对遮 光传感器350D-1-350D-6的背光源遮光电极614D-l 614D-6连接电位 WCHG ( =2.0V)，在RST信号刚从高(5V)变成低(0V)之后为与阴 极相同的电位，因为在输出于布线OUT的电位从低(0V)变成高(5V) 的瞬间，阴极的电位升高为2.5V,所以成为比其低0.5V的电位。图24是关于构成受光传感器351P-1-351P-6及遮光传感器 351D-l 351D-6的二极管的特性，将遮光电极-阴极电极间的电位差取为横 轴，将PIN二极管在23匸、偏置电位Vd- - 2.5V、外光为1000勒克斯条 件下的阳极-阴极间电流取为纵轴时的曲线，是代替第1实施例的图15的 曲线。实线(A)为表示峰值电流的横轴的电压值测定了多次采样之中的， 表示了中央值的采样的结果；点线(B)相同地为表示峰值电流的横轴的 电压值进行了多次采样之中的，表示了最大值的采样的结果；虚线(C) 相同地为表示峰值电流的横轴的电压值进行了多次采样之中的，表示了最 小值的采样的结果。与第1实施例相比较，在本实施例中实线(A)、点 线(B)、虛线(C)间的差异较小，可以将遮光电极-阴极电极间的电位 差固定为0 0.5V。通过如此的构成，相比于第1实施例而有能够减少元件 数、布线数的优点。并且，因为在本实施例的构成中，背光源遮光电极614P-1 及背光源遮光电极614D-1的电位与外部电源电路的电源相连接，所以输出 阻抗比第1实施例那样地连接于自校正电压电路361变得低，还有相对于 电磁噪声的屏蔽性能提高的优点。到底是如第1实施例地设置自校正电压 电路还是如本实施例地不设置自校正电压电路而将固定电位施加于遮光 层，可以对制造工序的不一致进行测定而进行判断。并且，在本实施例中，透明电极615重叠于遮光传感器351D-l 351D-6、 受光传感器351P-1-351P-6双方，被施加相同的电位(共用电位)。在本实施例中，背光源遮光电极614P-1与作为受光层的受光部351P-1I之间的 每单位面积的电容值及背光源遮光电极614D-1与作为受光层的受光部 351D-1I之间的每单位面积的电容值为222 p F/ |i m2,透明电极615与作为 受光层的受光部351P-1I之间的每单位面积的电容值及透明电极615与作 为受光层的受光部351D-1I之间的每单位面积的电容值为18|iF/jam2。从 而，关于电位对受光层的影响，背光源遮光电极614P-1、背光源遮光电极 614D-1的一方比透明电极615大，为12倍以上。例如，背光源遮光电极 614P-1 、背光源遮光电极614D-1的电位偏离IV时的影响等于透明电极615 的电位偏离12V时的影响。在本实施例中，透明电极615的电位与受光传感器351P-1的阴极区域 351P-1N间的电位差为-l.OV，透明电极615的电位与遮光传感器351D-1 的阴极区域351D-1N间的电位差为+2.0~2.5V,虽然最大有3.5V的差异， 但是这若换算成背光源遮光电极的电位则只仅为0.3V程度的差异，能够忽 略。在与受光层俯视重叠的电极存在多个的情况下，若使与受光层的每单 位面积的电容值大的侧的电极的电位最优化，则与受光层的每单位面积的 电容值小的侧的电极的电位也可以不必最优化。在本实施例中通过4吏透明 电极614作为一片大的电极与遮光传感器351D-l~351D-6、受光传感器 351P-l 351P-6重叠，连接于输出阻抗低的共用电位电源，使相对于遮光 传感器351D-l 351D-6、受光传感器351P-l 351P-6的电磁噪声的屏蔽性 育巨，ifj 。还有，此次所公开的实施方式，应当认为以全部的点为例示而非限制。 本发明的范围，并非通过上述的实施方式的说明而是通过技术方案的范围 所表示，而且包括与技术方案的范围等同的意思及在范围内的所有的改变。例如，虽然在本实施例中将透明电极614与共用电位布线335进行了 连接，但是只要是输出阻抗比较低的布线也可以为其他的布线，例如也可 以与连接于液晶显示装置910的GND的布线VSL进行连接。关于采用了有源矩阵M 101B的液晶显示装置的实施例，因为仅将 示于第1实施例的图1的液晶显示装置910的有源矩阵皿101替换为有 源矩阵^S41101B，所以对说明进行省略。并且，关于采用了液晶显示装置910的电子设备，也因为与第1实施例的图4的说明相同，所以对详情进 行省略。关于受光开口部991-l 991-6的尺寸，在平行于配置有该受光开口部 990-1 9卯-6的显示区域310的周缘部的边界边的方向(以下，称为X方 向)与第1实施例相同为10mm。另一方面，受光开口部991-7 991-10的 X方向的尺寸考虑到为接近于背光源单元926的边而温度梯度变大，缩短 为7mm。相应于此，受光开口部991-1 991-6的配置间距为20mm,受光 开口部991-7 991-10的配置间3巨为14mm。关于正交于显示区域310的边界边的方向(以下，称为Y方向)，因 为对向^i41 912B的厚度为0.25mm，与第1实施例相同在0.3mm时杂散 光加强，测定精度下降，所以受光开口部991-1 991-10全都在Y方向设定 为0.2mm的尺寸。如本实施例地，若在多条边配置受光传感器，则因为更能消除手指、 小阴影的影响，所以越发优选，但是必须才艮据与光源的位置关系而注意温 度梯度。在本实施例中虽然在2边配置有受光传感器，但是当然，也可以 在3边或者4边进行配置。并且，虽然在本实施例中根据边的不同改变了 传感器间距及开口部的尺寸，但是只要在同 一边之中温度梯度显著不同， 也可以在同一边内改变传感器间距及开口部的尺寸。还有，也可以在本实施例中，将中间电极616D-l 616D-6、中间电极 616P-l~616P-6分别连接于作为阴极电极的阴极区域351D-1N 351D-6N、 作为阴极电极的阴极区域351P-1N 351P-6N而废止布线VCHG。采取如此 的构成时的受光传感器351P-1与遮光传感器351D-1的别的俯视图是图 25。若采取如此的构成，则因为背光源遮光电极614P-l 614P-6与阴极区 域351P-1N 351P-6N间的电位差及背光源遮光电极614D-l 614D-6与阴极 区域351D-1N 351D-6N间的电位差总是为0V，所以有流通于受光传感器 351P-l 351P-6与遮光传感器351D-l 351D-6的热电流量Ileak总是为 一定 的优点，但是另一方面因为背光源遮光电极614D-1连接于布线SENSE， 布线SENSE在布线RST的电位为低(OV)的期间并未连接于电位，为浮 置状态，所以有容易受到电磁噪声的影响的问题点。到底选择哪种方案可以对电磁噪声的影响等进行评估而确定。本发明并不限定于实施例的方式，也可以在并非为TN模式而是垂直 取向模式(VA模式)、利用了横向电场的IPS模式、利用了边缘电场的 FFS模式等的液晶显示装置中进行利用。并且，既可以是全透射型，也可 以是全反射型、透射^Jt兼用型。并且，既可以用于并非液晶显示装置、 而是有机EL显示器、场致发射型显示器中，也可以用于液晶显示装置以外的半导体器件中。并且，不仅用于以本实施例示出的一致于外光的显示辉度的控制中， 也可以用于对显示装置的辉度、色度进行测定而对此进行反馈、没有不一 致、长时间变化的显示装置中。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于，具备在第1及第2基板之间夹持有电光物质的面板，向前述面板的前述第1或第2基板的面照射光的照明装置，对周围的光的照度进行检测的光检测部，和相应于前述光检测部的检测结果而对前述照明装置进行控制的照明控制部；前述光检测部，设置于前述第1或第2基板，具备被照射外光的第1光传感器，被遮断外光的照射的第2光传感器，与前述第1光传感器通过绝缘层俯视重叠地构成的第1电极，与前述第2光传感器通过绝缘层俯视重叠地构成的第2电极，和对前述第1电极的电位与前述第2电极的电位进行控制的电位施加部。
2. 按照权利要求l所述的电光装置，其特征在于 前述电位施加部，使得前述第1 ;SJ或第2光传感器的光电流量基本成为最大值地，对前述第1 ;sj或第2电极的电位进行控制。
3. 按照权利要求2所述的电光装置，其特征在于 前述第1或第2^，具备形成于前述基板上的晶体管； 前述电位施加部，通过前述晶体管的阈值电压对施加于前述第1或第2电极的电位进行控制。
4. 一种半导体器件，其形成于基板上；其特征在于，具备 被照射外光的第1光传感器， 被遮断外光的照射的第2光传感器，与前述第1光传感器俯视重叠地构成的第1电极， 与前述第2光传感器俯视重叠地构成的第2电极，和 向前述第1电极与前述第2电极施加使前述第1光传感器;5L/或第2光 传感器的光电流量基本成为最大值的电位的电位施加部。
5. 按照权利要求4所述的半导体器件，其特征在于 前述第1光传感器为光敏二极管，前述第2光传感器为光敏二极管；当设前述第1光传感器的阴极电极与第1电极的电位差为VI、 设前述第1光传感器的阴极电极与笫1光传感器的阳极电极的电位差 为VD1、设前述第2光传感器的阴极电极与第2电极的电位差为V2、 设前述第2光传感器的阴极电极与第2光传感器的阳极电极的电位差 为VD2时，I VI - V2| < IVD1I且I VI - V2| < |VD2|，及/或| VI - V2| < IV。
6. 按照权利要求5所述的半导体器件，其特征在于前述电位差vi为vi = ov， ；sj或前述电位差V2为V2 = ov, ;^/或前述电位差VI与VD1为VI = VD1， l或前述电位差V2与VD2为V2 = VD2。
7. 按照权利要求4所述的半导体器件，其特征在于前述第1电极与第2电极，包括用于对光进行遮光的第1遮光电极 与第2遮光电极，不对光进行遮光的第l透明电极与第2透明电极，或对 光进行遮光的第1遮光电极与不对光进行遮光的第1透明电极、及对光进 行遮光的第2遮光电极与不对光进行遮光的第2透明电极的任一对。
8. 按照权利要求7所述的半导体器件，其特征在于在前述第1遮光电极与第2遮光电极之间形成有未形成遮光电极的遮 光电极间隙区域；在与前述遮光电极间隙区域重叠的区域形成有非透明性的间隙遮光体。
9. 按照权利要求7所述的半导体器件，其特征在于在前述第1遮光电极与第2遮光电极之间形成有未形成遮光电极的遮 光电极间隙区域；在前述第1透明电极与前述第2透明电极之间形成有未形成透明电极 的透明电极间隙区域；前述遮光电极间隙区域与前述透明电极间隙区域，在前述i4l的铅垂 方向上互不重叠地形成。
10. 按照权利要求7所述的半导体器件，其特征在于 前述第l遮光电极与前述第l透明电极为同一电位， 前述第2遮光电极与前述第2透明电极为同一电位。
11. 按照权利要求4所述的半导体器件，其特征在于 前述电位施加部具备通过晶体管所构成的自校正电压电路， 前述自校正电路构成为，输出对应于前述晶体管的阈值电压进行变化的电压，前述输出连接于前述第1电极A/或前述第2电极。
12. 按照权利要求4所述的半导体器件，其特征在于前述第1光传感器及前述第2光传感器为采用了薄膜多晶硅的PIN结 二极管或PN结二极管。
13. —种显示装置，其特征在于 具备权利要求4所述的半导体器件。
14. 一种电光装置，其具备在第l及第2^间夹持有电光物质的 形成有显示区域的面板，和对前述面板的周围光的照度进行检测的光检测部；其特征在于，前述光检测部，设置于前述第1或第2^的前述显示区域周缘部，具备被照射外光的第1光传感器，和 被遮断外光的照射的第2光传感器；前述第1光传感器与前述第2光传感器在前述显示区域周缘部配置有 多个。
15. 按照权利要求14所述的电光装置，其特征在于 具备向前述面板的显示区域照射光的光源；前述光源，在显示区域周缘部，配置于未配置前述第1光传感器与第 2光传感器的边。
16. 按照权利要求14所述的电光装置，其特征在于 前述第1光传感器与前述第2光传感器互相交替配置。
17. 按照权利要求14所述的电光装置，其特征在于前述第1光传感器和与其相邻地配置的前述第2光传感器，离开前述 显示区域的边界边的距离互相基本相等。
18. 按照权利要求14所述的电光装置，其特征在于， 使用于向前述第1光传感器照射前述面板的周围光而设置于第1或第2基板的多个开口部的尺寸形成为在与配置有前述开口部的显示区域周缘部的边界边平行的方向为 0.5mm以上且20mm以下的范围，并在与配置有前述开口部的前述显示区 域周缘部的边界边相正交的方向为0.05mm以上且为前述对向J^l的厚度以下。
19. 按照权利要求18所述的电光装置，其特征在于， 前述多个开口部，在前述显示区域周缘部，具备配置于对向于配置有前述光源的配置边的边的第l开口部，和配置于基本正交于配置边的边 的第2开口部；前述第1开口部的开口面积，比前述第2开口面积大。
20. —种电子设备，其特征在于 具备权利要求14所述的电光装置。
全文摘要
本发明涉及电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的电子设备。有效地去除光传感器的热电流并提高耐电磁噪声性。具备被外光所照射的受光传感器(350P)，被遮断外光的遮光传感器(350D)，与前述受光传感器(350P)俯视重叠地构成的背光源遮光电极(611P)，与前述遮光传感器(350D)俯视重叠地构成的背光源遮光电极(611D)，和向前述各背光源遮光电极施加使前述受光传感器及遮光传感器的光电流量基本成为最大值的电位的自校正电压电路(361)。如此地，使光敏传感器2个串联进行配置，并单侧遮蔽外光。此时，对覆盖2个光敏传感器的背光源遮光电极分别施加不同的电位而使光电流最优化。
文档编号H01L27/144GK101256294SQ20081008065
公开日2008年9月3日 申请日期2008年2月26日 优先权日2007年2月26日
发明者小桥裕 申请人:爱普生映像元器件有限公司
技术领域：
本发明，例如，涉及电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的电 子设备。
背景技术：
近年来，在显示装置上，尤其是采用了薄膜晶体管的液晶显示装置中 搭载光传感器功能的技术的开发正在逸艮(例如专利文献1)。搭栽光传感器的目的可举出3个(1)通过对外光进行测定而对辉度等进行调整， 由此谋求消耗电力降低、像质提高；(2)对背光源进行测定，对辉度或者 色度进行调整；(3 )对手指、光笔的位置进行辨认而作为触摸键进行使用。 作为光传感器可举出薄膜晶体管，PIN (p-intrinsic-n， p-本征-n)二极管， PN二极管等。在任何情况下感光部都是硅薄膜，为了不使制造上的成本增 大，优选以与构成显示的开关元件的硅薄膜同一制造工序所制造。在以薄 膜晶体管、PIN二极管、PN二极管等构成光传感器的情况下，流通传感器 的电流成为相应于进行照射的光的照度进行变化的光电流与以传感器的绝 对温度的指数函数增大的热电流之和。因此，为了即使在比较高温时也得 到正确的照度必须有效地去除该热电流。因此，存在配置用于热电流参考 的被遮光的遮光传感器、与未被遮光的受光传感器的情况。此时，在(1) 、 (3)的目的中需要使得背光源的光不入射到传感器 地对与外光入射侧相反侧进行遮光。作为背光源的遮光材料，虽然关于(1) 的目的而言，在光传感器处于显示装置的外周部的情况下，能够采用构成 组件的金属框、遮光带等，但是近年来，因为设计上的制约等，所以要求 在尽量靠近于显示区域、或者在显示区域的内侧"i殳置光传感器。另一方面，关于(3)的目的而言，因为其功能，所以必须在显示区域的内侧内置光传 感器。并且，在(2)的目的中，必须相反地对外光进行遮光，并使得外光 不影响到背光源的照度检测地对光传感器进行遮光。由于这些要求，必须 在光传感器设置某种遮光膜。专利文献1特开2006—118965号7>才艮发明内容若使遮光电极、透明电极与光传感器重叠进行配置，则因为由于遮光 电极、透明电极的电位而使热电流变化，所以热电流不能正确地去除。本 发明为了解决该问题，使施加于遮光电极与透明电极的电位最优化，并提 出可以使之实现的结构、电路。并且，因为在将遮光传感器与受光传感器置于显示区域附近的情况下， 来自显示区域的光成为杂散光而一部分照射于受光传感器与遮光传感器， 所以杂散光的量的光电流成为误差而被检测。并且，在受光传感器与遮光 传感器间产生温度差，热电流变得不均匀，该热电流也成为误差。在本发 明中对这些问题进行解决，实现具备有更高精度的光敏传感器的电光装置。本发明，为电光装置，其具备在第1及第2 141间夹持电光物质(在 实施方式中，为向列相液晶材料922)的面板(在实施方式中，为液晶面 板911)，向该面板的前述第1 (在实施方式中，为有源矩阵基板101)或 第2 1 (在实施方式中，为对向 1 912 )的面照射光的照明装置(在 实施方式中，为背光源单元926、导光板927)，对周围的光的照度进行检 测的光检测部(在实施方式中，为检测电路360、受光传感器350P及其他)， 和相应于前述光检测部的检测结果而对前述照明装置进行控制的照明控制 部(在实施方式中，为中央运算电路781、外部电源电路784);前述光检 测部，设置于前述第1或第2基板；具备纟皮外光所照射的第1光传感器 (在实施方式中，为受光传感器350P)，被遮断外光的照射的第2光传感 器(在实施方式中，为遮光传感器350D)，与前述第1光传感器通过绝缘 层俯视重叠地所构成的第1电极(在实施方式中，为背光源遮光电极611P、透明电极612P)，与前迷第2光传感器通过绝缘层俯视重叠地所构成的第 2电极(在实施方式中，为背光源遮光电极611D、透明电极612D)，和 对前述第1电极的电位(在实施方式中，为布线PBT的电位VPBT (在实 施方式中，为3.6V))与前述第2电极的电位(在实施方式中，为布线 DBT的电位VDBT(在实施方式中，为1.4V))进行控制的电位施加部(在 实施方式中，为自校正电压电路361 )。并且，更具体地，前述电位施加部，使得前述第H或第2光传感器 的光电流量基本成为最大值地对前述第1 l或第2电极的电位进行控制。并且，更具体地，前述第1或第2基长，具备形成于前述基板上的晶 体管(在实施方式中，为第6的N型晶体管N11,第6的P型晶体管P11， 第7的N型晶体管N21,第7的P型晶体管P21);前述电位施加部，通 过前述晶体管的阈值电压(在实施方式中，为Vth)对施加于前述第H 或第2电极的电位进行控制。本发明，为半导体器件，其形成于M上；具备被外光所照射的第 l光传感器(在实施方式中，为受光传感器350P),被遮断外光的照射的 第2光传感器(在实施方式中，为遮光传感器350D )，与前述第1光传感 器通过绝缘层俯视重叠地所构成的第1电极(在实施方式中，为背光源遮 光电极611P、透明电极612P)，与前述第2光传感器通过绝缘层俯视重 叠地所构成的第2电极(在实施方式中，为背光源遮光电极611D、透明电 极612D )，和对前迷第1电极与前述第2电极施加使得前述笫1光传感器 ;sj或第2光传感器的光电流量基本成为最大值的电位(在实施方式中，为 布线PBT的电位VPBT (在实施方式中，为3.6V)与布线DBT的电位 VDBT (在实施方式中，为1.4V))的电位施加部(在实施方式中，为自 校正电压电路361)。虽然现有使前迷第1电极的电位与前述第2电极的电位相同，典型性 地使之成为浮置，或使之连接于组件的GND，但是通过如上迷地构成能够 使第1光传感器与第2光传感器的热电流变得相等地使电位最优化。并且，更具体地，优选前述第l光传感器(在实施方式中，为350P) 为光敏二极管(在实施方式中，为350P-1)，前述第2光传感器(在实施方式中，为350D)为光敏二极管(在实施方式中，为350D-1);若设前 述第1光传感器的阴极电极(在实施方式中，为350P-1N)与第1电极(在 实施方式中，为背光源遮光电极611P、透明电极612P)的电位差为VI， 设前述第1光传感器的阴极电极(在实施方式中，为350P-1N)与第1光 传感器的阳极电极(在实施方式中，为350P-1P)的电位差为VD1，设前 述第2光传感器的阴极电极(在实施方式中，为350D-1N)与第2电极(在 实施方式中，为背光源遮光电极611D、透明电极612D)的电位差为V2， 设前述第2光传感器的阴极电极(在实施方式中，为350D-1N)与第2光 传感器的阳极电极(在实施方式中，为350D-1P)的电位差为VD2，则IV1 -V2| < IVD1I且I VI - V2| < |VD2|，更优选| VI - V2| < IV。通过如此地对电位进行设定，能够基本忽略第1光传感器与第2光传 感器的热电流之差异。进而还提出V1-0V， V2-0V， V1-VD1， V2 = VD2的任一种的半 导体器件。即通过对第1光传感器的阴极电极、源电极、阳极电极、漏电 极任一个与第1电极，或第2光传感器的阴极电极、源电极、阳极电极、 漏电极任一个与第2电极进行连接，能够使第1光传感器与第2光传感器 的热电流之差异基本消除，并且使布线数成为最低限度。在此，在本发明中，提出半导体器件，其中所谓的第1电极是对光进 行遮光的第1遮光电极(在实施方式中，为背光源遮光电极611P)，所谓 的笫2电极是对光进行遮光的第2遮光电极(在实施方式中，为背光源遮 光电极611D );及所谓的第1电极是对光不进行遮光的第1透明电极(在 实施方式中，为透明电极612P)，所谓的第2电极是对光不进行遮光的第 2透明电极(在实施方式中，为透明电极612D);以及所谓的第l电极是 用于对光进行遮光的第1遮光电极和对光不进行遮光的第1透明电极，第 2电极是用于对光进行遮光的第2遮光电极和对光不进行遮光的第2透明 电极。当使如此地对来自多余的方向的光进行遮光的遮光电极、使来自入射 方向的光进行透射并作为电磁噪声屏蔽器件而起作用的透明电极与光传感 器相重叠时，若如前述地对电位进行设定，则不会使检测精度降低。进而本发明，提出半导体器件，其中，在前述第1遮光电极与前述第2遮光电极之间形成有未形成遮光电极的遮光电极间隙区域，在与前述遮 光电极间隙区域重叠的区域形成有非透明性的间隙遮光体。虽然如此地为了对第1遮光电极与第2遮光电极施加分别的电位必须 在遮光电极设置遮光电极间隙区域，但是从该间隙，背光源的光进行入射， 并以玻璃、电介质的表面引起多重散射而成为杂散光，若其入射于第l光 传感器或第2光传感器则使检测精度下降。于是通过在与遮光电极间隙区域重叠的区域形成非透明性的间隙遮光 体，能够对从遮光电极间隙区域入射进来的光以间隙遮光体进行吸收，而 避免如此的精度降低。进而本发明，提出以下半导体器件其中，在前述第l遮光电极与前 述第2遮光电极之间存在未形成遮光电极的遮光电极间隙区域(在实施方 式中，为611G),在前述第1透明电极与前述第2透明电极之间存在未形 成透明电极的透明电极间隙区域(在实施方式中，为612G),前述遮光电 极间隙区域与前述透明电极间隙区域在前述基板的铅垂方向上互不重叠地 形成。虽然如此地为了施加分别的电位而在遮光电极、透明电极分别必须设 置遮光电极间隙区域、透明电极间隙区域，但是若电磁噪声从这些间隙进 入则使传感器的检测精度下降。因此若前述遮光电极间隙区域与前述透明电极间隙区域互不重叠地进 行配置，则因为任一电极都能够屏蔽从各自的间隙i^的电磁噪声，所以 相比较于将前述遮光电极间隙区域与前述透明电极间隙区域形成于相同的 位置的情况，精度提高。进而本发明，提出以下半导体器件前述第1遮光电极与前述第1透 明电极为同一电位，前述第2遮光电极与前述第2透明电极为同一电位。若采取如此的构成，则因为能够以同一条布线供给施加于遮光电极与 透明电极的电位，所以能够节约布线数、安装端子数、电路面积。并且， 因为遮光电极与透明电极的总电容变大，所以电磁屏蔽性提高。而且在本发明中，提出以下半导体器件前述电位施加部具备通过晶体管所构成的自校正电压电路，前述自校正电路输出对应于前述晶体管的 阈值电压进行变化的电压地构成，前述输出连接于前述第1电极^或前述第2电极。因为最能得到光电流的遮光电极或者透明电极的最佳电位的制造不一 致，与在同一半导体器件上形成有晶体管的情况下、晶体管的阈值电压 (Vth)的制造不一致具有相关性，所以若采用输出对应于晶体管的阈值 电压进行变化的电压的自校正电压电路，则即使存在制造不一致也能够总 是将最佳电位施加于遮光电极或透明电极。并且本发明，特征为前述第1光传感器及前述第2光传感器为采用 了薄膜多晶硅的PIN结二极管或PN结二极管。虽然如此的二极管具有能够无需制造上的追加工序地形成于采用了 多晶硅薄膜晶体管的半导体器件上的优点，但热电力W目对于光电流之比、 比形成于单晶晶片上的光敏传感器类大，并且由于通过俯视重叠的电极所 施加的电位而使热电流容易变动，所以适合应用本发明。并且本发明，为电光装置，其具备有在第l及第2基板间夹持电光 物质(在实施方式中，为向列相液晶材料922)的形成有显示区域的面板 (在实施方式中，为液晶面板911)，和对前述面板的周围光的照度进行 检测的光检测部(在实施方式中，为检测电路360、受光传感器350P及其 他)；前述光检测部，设置于前述第1或第2M的前述显示区域周缘部； 具备被外光所照射的第l光传感器(受光传感器350P),和被遮断外光 的照射的第2光传感器(在实施方式中，为遮光传感器350D);前述第1 光传感器与前述第2光传感器在前述显示区域周缘部配置多个。若如此地进行配置，则能够防止由于手指、小的阴影而使检测结果显 著地发生变化，并防止由于起因于装置内的温度分布的热电流差产生的精 度降低。并且本发明，为以下电光装置具备向前述面板的显示区域照射光的 光源(在实施方式中，为背光源单元926);前述光源，在显示区域周缘 部，配置于未配置前述第1光传感器与第2光传感器的边。若如此地进行构成，则因为能够使由于光源的温度梯度引起的前述第1光传感器与前述第2光传感器间的热电流的差异尽量变小，所以能够高 精度地消除热电流。并且本发明，为前述第1光传感器与前述第2光传感器互相交替地配 置的电光装置。若如此地进行配置，则即使在显示装置内存在温度分布，也因为在第 1光传感器与第2光传感器的平均温度中并无大的差异，所以能够更高精 度地消除热电流。并且本发明，为电光装置，其特征为前述第1光传感器与相邻于其 地配置的前述第2光传感器，互相离开前述显示区域的边界边(在实施方 式中，为表示显示区域310的边界边的虚线)的距离基本相等。若如此地进行配置，则因为因来自显示区域的光以玻璃141、绝缘膜 的界面所多重反射而产生的所谓杂散光在第1光传感器与第2光传感器均 等地照射，所以通过取第1光传感器与第2光传感器的电流差而不会产生 由于杂散光引起的精度降低。并且本发明为电光装置，其特征为使用于向前述第1光传感器照射 前述面板的周围光而设置于第1或第2!41的多个开口部(在实施方式中， 为受光开口部9卯-1~990-10)尺寸，形成为在与配置有前述开口部的显 示区域周缘部的边界边平行的方向为0.5mm以上且20mm以下的范围，并 且在与配置有前述开口部的前述显示区域周缘部的边界边相正交的方向为 0.05mm以上且为前述对向^4l的厚度以下。若如此地设定开口部，则因为杂散光减少、起因于装置内的温度分布 的热电流差也变小，所以能够防止精度降低。并且本发明，为电光装置，其特征为前述多个开口部，在前述显示 区域周缘部，具备配置于对向于配置有前述光源的配置边的边的第1开 口部(在实施方式中，为受光开口部9卯-1~990-6)，和配置于基本正交于 配置边的边的第2开口部(在实施方式中，为受光开口部9卯-7~990-10); 前述第1开口部的开口面积，比前述第2开口面积大。而且，在温度梯度因开口部的配置部位而不同的情况下，若温度梯度 越大使开口部的尺寸越小则能够减小温度梯度的影响。更具体地，为前述显示区域的四条边之中的接近于前述第1开口部的边与接近于前述第2开 口部的边互不相同的显示装置。温度梯度越大的边，只要^f吏开口部的尺寸 越小即可。并且，本发明提出采用了这些半导体器件的显示装置。由此，制造成 本不会升高，使设置于显示装置上的光敏传感器的温度相关性提高，能够 与温度无关地进行相应于外光环境的显示设定，光敏传感器的配置位置也 可以极接近于显示区域。并且在本发明中提出采用了这些显示装置的电子设备。由此，例如在 数字静止相机、亏更携电话机、PDA (Personal Digital Assistant,个人数字 助理)等的电子i殳备中，因为内置与温度无关的高精度的光传感器，所以 容易相应于外光而能够对背光源进行控制，不会使消耗电力毫无意义地增 大，成本也不会升高。并且，因为能够在显示区域附近配置光敏传感器， 所以设计的自由度也有所提高。
图1是本发明的实施例中的液晶显示装置910的立体图。图2是本发明的第1实施例中的有源矩阵a 101的构成图。图3是本发明的实施例中的有源矩阵基板101的像素电路图。图4是表示本发明的电子设备的实施例的框图。图5是本发明的实施例中的有源矩阵基板101的像素部的俯视图。图6是沿图5A—A，的剖面图。图7是沿图5B—B，的剖面图。图8是本发明的第1实施例中的受光传感器350P-l、遮光传感器 350D-1的俯视图。图9是沿图8C—C'的剖面图。 图10是沿图8D—D，的剖面图。图ll是本发明的第1实施例中的受光传感器350P-l 350P-6、遮光传 感器350D-1-350D-6的等效电路图。图12是本发明的第1实施例中的受光传感器350P-l 350P-6、遮光传感器350D-l~350D-6的简化了的等效电路图。图13是表示构成本发明的第1实施例中的受光传感器350P-l 350P-6、 遮光传感器350D-l 350D-6的PIN 二极管的特性的曲线图。图14是本发明的第1实施例中的检测电路360的电路图。图15是本发明的第1实施例中的PIN二极管的电流与遮光电极-阴极 电极间电位的曲线图。图16是表示本发明的实施例中的薄膜晶体管与PIN 二极管的特性相 关性的分布图。图17是本发明的第1实施例的别的构成例中的第2自校正电压电路 361'的电路图。图18是本发明中的实施例中的外部光的检测照度与背光源辉度的设 定图。图19是用于半透射液晶显示装置的外部光的检测照度与背光源辉度 的设定图。图20是本发明的第2实施例中的液晶显示装置910B的立体图。图21是本发明的第2实施例中的有源矩阵基板101B的框图。图22是本发明的第2实施例中的检测电路362的电路图。图23是本发明的第2实施例中的受光传感器351P-l、遮光传感器351D-1的俯视图。图24是本发明的第2实施例中的PIN 二极管的电流与遮光电极-阴极电极间电位的曲线图。图25是本发明的第2实施例的其他构成例中的受光传感器351P-1、遮光传感器351D-1的俯视图。 符号说明101、 101B…有源矩阵M (本发明的"第ia"、"半导体器件" 的一例)，102…伸出部，201画l 201-480…扫描线，202画1 202-1920…数据 线，301…扫描线驱动电路，302…数据线驱动电路，320…信号输入端子， 330-l 330-2…对向导通部，335…共用电位布线，350P-1 350P画6 、 351P-l 351P-6…受光传感器(本发明的"第1光传感器"的一例)，页350D-l~350D-6、 351D-l 351D-6…遮光传感器(本发明的"第2光传感器" 的一例)，360、 362…检测电路(本发明的"光检测部"的一例)，361、 361，...自校正电压电路(本发明的"电位施加部，，的一例)，611P、 611P-l 611P-6、 611D、 611D-l 611D-6…背光源遮光电极(611P为本发 明的"第1电极"，611D为本发明的"第2电极"的一例)，612P、 612P-l~612P-6、 612D、 612D-l 612D-6…透明电极(612P为本发明的"第 1电极，，，612D为本发明的"第2电极，，的一例)，781…中央运算电路， 784…外部电源电路，910…液晶显示装置，911…液晶面板(本发明的"面 板"的一例)，912…对向絲(本发明的"第2絲"的一例)，922... 向列相液晶材料，923…密封材料，926…背光源单元，927…导iUl， 940… 黑矩阵，9卯-l 990-6…受光开口部，VPBT…布线PBT的电位(本发明的 "第1电极的电位"的一例)，VDBT…布线DBT的电位(本发明的"第 2电极的电位，，的一例)，LA…外光，LB…背光源光。
具体实施方式
以下，关于本发明中的电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的 电子设备的实施方式，基于附图而进行说明。 第1实施方式图l是本实施例中的液晶显示装置910的立体构成图(部分剖面图)。 液晶显示装置910，具备使有源矩阵a 101与对向M 912通过密封 材料923以一定的间隔相贴合、夹持有向列相液晶材料922的液晶面板 911。在有源矩阵141101上虽然未进行图示，但是涂敷由聚酰亚胺等构成 的取向材料、进行摩擦处理而形成有取向膜。并且，对向^ 912，虽然 未进行图示，但是形成有对应于像素的滤色器，由用于防止光泄漏、使 对比度提高的低反射、低透射率树脂构成的黑矩阵940，和与有源矩阵基 板101上的对向导通部330-1-330-2短路的被供给共用电位的由ITO膜形 成的对向电极930。在与向列相液晶材料922相接触的面涂敷由聚酰亚胺 等构成的取向材料，在与有源矩阵J41101的取向膜的摩擦处理的方向相 正交的方向,皮实施摩擦处理。进而在对向J41912的外侧、有源矩阵J^L101的外侧，分别配置上 偏振板924、下偏振板925，并且互相的偏振方向相正交地(十字尼科耳状) 进行配置。进而在下偏痴& 925下，配置背光源单元926与导光板927， 从背光源单元926朝向导光板927照射光，导光板927通过使来自背光源 单元926的光朝向有源矩阵M 101成为垂直且均匀的面光源地使光进行 反射弯折，而作为液晶显示装置910的光源起作用。背光源单元926，虽 然在本实施例中为LED单元，但是也可以为冷阴极管(CCFL)。虽然背 光源单元926通过连接器929而连接于电子设备主体，被供给电源，但是 在本实施例中通过将电源调整为适宜恰当的电流、电压而具有调整来自背 光源单元926的光量的功能。虽然未进行图示，但是进而根据需要，既可以以外壳覆盖周围，或者 也可以在上偏#^1924之上安装保护用的玻璃、丙烯酸板，还可以为了视 场角改善而贴附光学补偿膜。并且，在液晶显示装置910的外周部"^殳置光传感器受光开口部990。 并且，有源矩阵基板101，设置有从对向基板912伸出的伸出部102，对处 于该伸出部102的信号输入端子320,安装FPC (柔性141) 928而电连 接。FPC (柔性a) 928连接于电子设备主体，供给必需的电源、控制 信号等。进而在液晶显示装置910上设置6个光传感器的受光开口部 990-1 990-6。该受光开口部990-1 990-6通过部分去除对向电极930上的 黑矩阵940所形成，使得外部的光到达有源矩阵Ml01上。各受光开口 部990-1~990-6的周围并不去除对向电极930上的黑矩阵940，使得外光不 会到达有源矩阵基板101上。图2是有源矩阵Hl 101的框图。在有源矩阵M 101上，480条扫 描线201-1~201-480与1920条数据线202-1-202-1920相正交所形成，480 条电容线203-1~203-480与扫描线201-1~201-480并行地配置。电容线 203-1-203-480相互短路，与共用电位布线335连接，进而与2个对向导通 部330-1 330-2连接而从信号输入端子320被提供0V 5V的反相信号、反 相时间为35 ^t秒的共用电位。扫描线201-l 201-480连接于扫描线驱动电路301，并且数据线202-1~202-1920连接于数据线驱动电路302，分别适 当地4皮驱动。并且扫描线驱动电路301、数据线驱动电路302从信号输入端子320 4皮供给驱动所必需的信号。信号输入端子320，配置于伸出部102上。另 一方面，扫描线驱动电路301、数据线驱动电路302配置于与对向基板912 重叠的区域、即伸出部102夕卜。扫描线驱动电路301、数据线驱动电路302, 由通过低温多晶硅TFT工艺在有源矩阵基板上集成驱动中必需的电路功 能的玻璃上系统(SOG， System On Glass)技术，通过在有源矩阵J^Ji 集成多晶硅薄膜晶体管所形成，以与后述的像素开关元件401-n-m同一工 序所制造，成为所谓的驱动电路内置型的液晶显示装置。并且在与6个受光开口部9卯-l 990-6俯^L重叠的区域分别形成6个 受光传感器350P-l 350P-6 ，与其交替地形成6个遮光传感器 350D-l 350D-6 。 该受光传感器350P-l 350P-6与遮光传感器 350D-l 350D-6也通过玻璃上系统(SOG)技术，形成于有源矩阵基板上。 通过如此地在玻璃基板上以与像素开关元件401-n-m同一工序进行制造， 能够降低制造成本。虽然受光传感器350P-l 350P-6与受光开口部990-1 990-6俯#见重叠而 外光到达于传感器，但是遮光传感器350D-l 350D-6并不与受光开口部 990-1 9卯-6俯视重叠，外光以对向电极930上的黑矩阵940所吸收而几乎 不会到达。受光传感器350P-l 350P-6与布线PBT、布线VSH、布线SENSE 连接，遮光传感器350D-1 350D-6与布线DBT、布线VSL、布线SENSE 连接。这些布线PBT、布线VSH、布线SENSE、布线DBT、布线VSL 连接于检测电路360。检测电路360变换成对应于来自受光传感器 350P-1-350P-6与遮光传感器350D-l 350D-6的与外光照度具有相关性的 输出模拟电流的脉沖长度的二值输出信号OUT，并向信号输入端子320进 行输出。并且，布线VCHG、布线RST、布线VSL、布线VSH也通过信 号输入端子320而供给于检测电路360。详情后述，构成为，受光传感器350P-l 350P-6与背光源遮光电极 611P-l~611P-6 ,遮光传感器350D-l 350D-6与背光源遮光电极611D-1-611D-6分别俯视重叠，因为分别遮蔽来自背光源的光，所以外光 的检测精度不会由于来自背光源的光而下降。并且，受光传感器 350P-l 350P-6与透明电极612P-l 612P-6,遮光传感器350D-l~350D-6与 透明电极612D-1-612D-6也重叠，使得检测精度也不会由于对显示区域310 (虛线表示显示区域310的边界边。)进行驱动时产生的电磁噪声而下降。 通过这些构成，因为即使受光传感器350P-1-350P-6及遮光传感器 350D-l 350D-6配置于显示区域310附近，检测精度也不会下降，所以设 计的自由度比现有的产品有所提高。在此关于受光开口部990-l 990-6如示于本实施例地，优选分割成多 个，并尽量M于宽广的范围而进行配置。例如如果考虑到即^f吏手指等的 阴影部分地覆盖液晶显示装置910上，也减少对外光检测的影响，则优选 受光开口部的总面积尽量宽广，但是因为若^f吏面积大的受光传感器集中于 一处，则不得不使其与遮光传感器的距离离开，会在液晶显示装置910内 产生温度分布，所以在受光传感器部与遮光传感器部产生平均温度差。因 此如本实施例地将传感器分割成几个，并进而优选交替地进行配置，则能 够使受光传感器部与遮光传感器部的平均温度基本相等。虽然在本实施例 中分割为6个，但是不用i兌既可以比这少，也可以比这多。并且此时，〗吏从各受光开口部990-1 9卯-6的端部到显示区域310的 距离相等地进行配置即可。同样地使从各受光传感器350P-l 350P-6、各 遮光传感器350D-l~350D-6到显示区域310的距离相等地进行配置即可。 虽然从显示区域310向外部用于显示所透射的光例如以构成有源矩阵M 101、对向141912的玻璃、上偏振板924的表面、各种绝缘膜的界面等所 多次反射， 一部分杂散光进入各光传感器，但是此时，因为若如上述地进 行配置，则在各受光传感器350P-l 350P-6、各遮光传感器350D-l 350D-6 间，杂散光的光量基本一定，所以如本实施例地若取各受光传感器 350P-l 350P-6与各遮光传感器350D-l 350D-6间的电流差的量，则能够 基本去除杂散光的量。从该观点来看，也因为若受光开口部990-1-990-6 分割成多个，并尽量^L于宽广范围进行配置，则变得难以影响到显示区 域310的显示图形，所以优选。并且，优选各受光传感器350P-l 350P-6 、各遮光传感器 350D-l 350D-6如示于本实施例地配置于与背光源单元926尽量远离的边。 这是因为以下缘故因为背光源单元926不管是LED还是CCFL都成为 热源，所以越接近于背光源单元926，在有源矩阵141101内热梯度变得 越大，在各受光传感器350P-l 350P-6、各遮光传感器350D-l 350D-6之 间越容易出现温度差。并且，关于受光开口部9卯-1~990-6的尺寸，若在平行于配置有该受 光开口部990-1 990-6的显示区域310的周缘部的边界边的方向(以下， 称为X方向)变大，则受温度分布、杂散光的影响。并且，若关于正交于 显示区域310的边界边的方向(以下，称为Y方向)变大，则框缘区域变 大而除了液晶显示装置910的外形尺寸变大之外，以对向14^912与上偏 924的界面所反射的显示区域310的光作为杂散光，强烈照射于各受 光传感器350P-l 350P-6、各遮光传感器350D-l 350D-6，成为测定误差的 原因。在另一方面，若关于X方向变得太小则配置效率变低，PIN二极管 的沟道宽度(W)变小；若关于Y方向变小则光的取入效率变差，对检测 精度产生影响。基于如上的条件进行了研究的结果，得出了优选关于X方 向为0.5mm 20mm，关于Y方向为0.05mm 对向141 912的板厚(在本 实施例中为0.6mm)的范围内的结论。根据以上，在本实施例中尺寸为 X方向i殳定为10mm， Y方向i殳定为0.3mm。并且，从受光开口部990-1 990-6的端部到显示区域310的距离，为 0.5mm。受光开口部990-1 990-6的配置间距为20mm,并且4吏受光传感器 350P-1与遮光传感器350D-1的间距为10mm，遮光传感器350D-1的间距 与受光传感器350P-2的间距也为10mm地，将受光传感器350P-1-350P-6 与遮光传感器350D-l~350D-6以10mm间距交替地配置。图3是以图2的虚线310部表示的显示区域的第m条数据线202-m与 第n条扫描线201-n的交叉部附近的电路图。在扫描线201-n与数据线 202-m的各交点处形成由N沟道型场效应多晶硅薄膜晶体管构成的像素开 关元件401-n-m,其栅电极连接于扫描线201-n,源、漏电极分别连接于数据线202-m与像素电极402 画n-m。 与像素电极402-n画m及同^电位短路的 电极，与电容线203-n形成辅助电容器403-n-m，并当作为液晶显示装置 所组装时，夹持液晶元件而与对向电极930 (共用电极)也形成电容器。图4是表示本实施例的电子设备的具体的构成的框图。液晶显示装置 910是以图l进行了说明的液晶显示装置，外部电源电路784、图像处理电 路780通过FPC (柔性M) 928及连接器929将必需的信号与电源供给 于液晶显示装置910。中央运算电路781通过外部I/F电路782取得来自输 入输出设备783的输入数据。在此所谓的输入输出设备783例如为键盘、 鼠标、轨迹球、LED、扬声器、天线等。中央运算电路781基于来自外部 的数据进行各种运算处理，将结果作为指令向图像处理电路780或者外部 I/F电路782进4亍传送。图像处理电路780基于来自中央运算电路781的指令对图像信息进行 更新，并通过对向液晶显示装置910的信号进行变更，液晶显示装置910 的显示图像进行变化。并且，来自液晶显示装置910上的检测电路360的 二值输出信号OUT通过FPC (柔性a) 928输入到中央运算电路781， 中央运算电路781将二值输出信号OUT的脉冲长度变换成相对应的离散 值。接着中央运算电路781访问由EEPROM ( Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory,电可擦除可编程只读存储器)构成的 参照表785，并将进行了变换的离散值再变换成适当的对应于背光源单元 926的电压的值，并发送到外部电源电路784。外部电源电路784将对应于 该发送来的值的电压的电位电源通过连接器929供给于液晶显示装置910 内的背光源单元926。因为背光源单元926的辉度根据从外部电源电路784 所供给的电压而进行变化，所以液晶显示装置910的全白显示时辉度也进 行变化。在此所谓的电子设备具体地为监视器、TV、笔记本型个人计算机、 PDA、数字相机、摄像机、便携电话机、便携照片阅览器、便携视频播放 器、便携DVD播放器、便携音频播放器等。还有，虽然在本实施例中通过电子设备上的中央运算电路781对背光 源单元926的辉度进行了控制，但是也可以例如为在液晶显示装置910内 具备有驱动IC及EEPROM的构成，并使该驱动IC具有从二值输出信号OUT向离"ft值的变换功能、参照EEPROM的再变换功能、对向背光源单 元926的输出电压的调整功能。并且，也可以不用参照表，通过数值计算 从离散值再变换成对应于背光源单元926的电压的值地构成。图5是表示以图3示出的图像显示区域的电路图的实际的构成的俯视 图。如示于图5的凡例地，各网紋不同的部位表示为分别不同的材料布线， 以相同的网紋示出的部位表示为相同的材料布线。由铬薄膜(Cr)、多晶 硅薄膜(Poly-Si)、钼薄膜(Mo)、铝钕合金薄膜(AlNd)、氧化铟锡 薄膜(Indium Tin Oxiced = ITO )的5层薄膜所构成，在各自的层间形成 氧化硅、氮化硅、有机绝缘膜的任一种或者叠层了它们的绝缘膜。具体地铬薄膜(Cr)膜厚为100nm、多晶硅薄膜(Poly-Si)膜厚为 50nm、钼薄膜(Mo)膜厚为200nm、铝钕合金薄膜(AlNd )膜厚为500nm、 氧化铟锡薄膜(ITO)膜厚为lOOnm。并且，在铬薄膜(Cr)与多晶硅薄 膜(Poly-Si)之间形成叠层有100nm的氮化珪膜与100nm的氧化硅膜的 基底绝缘膜，在多晶硅薄膜(Poly-Si)与钼薄膜(Mo )之间形成由100nm 的氧化硅膜构成的栅绝缘膜，在钼薄膜(Mo)与铝钕合金薄膜(AlNd) 之间形成叠层有200nm的氮化珪膜与500nm的氧化硅膜的层间绝缘膜， 在铝钕合金薄膜(AlNd )与氧化铟锡薄膜(ITO )的之间形成叠层有200nm 的氮化硅膜与平均lpm的有机平坦化膜的保护绝缘膜，使互相的布线间 进行绝缘，在适当的位置开设接触孔而互相连接。还有，在图5中并不存 在铬薄膜(Cr)图形。如以图5而示地，数据线202-m通过铝钕合金薄膜(AlNd)所形成， 通过接触孔连接于像素开关元件401-n-m的源电极。扫描线201-n以钼薄 膜(Mo)所构成，兼用作像素开关元件401-n-m的栅电极。电容线203-n 由与扫描线201-n相同的布线材料所构成，像素电极402-n-m由氧化铟锡 薄膜构成，通过接触孔连接于像素开关元件401-n-m的漏电极。并且，像 素开关元件401-n-m的漏电极还连接于通过高浓度渗畴的n +型多晶硅薄 膜构成的电容部电极605，与电容线203-n俯视重叠而构成辅助电容器 403-n-m。图6是用于对像素开关元件401-n-m的结构进行说明的表示对应于图5的A—A，线部分的液晶显示装置910的一部分的剖面结构的图。还有， 为了使图易看，比例尺并不固定。有源矩阵MlOl为由无碱玻璃构成的 厚度0.6mm的绝缘基板，在其上通过叠层有200nm的氮化珪膜与300nm 的氧化硅膜的基底绝缘膜而配置由多晶硅薄膜构成的硅岛(silicon island ) 602，扫描线201-n与硅島602夹持前述的栅绝缘膜而配置于上方。在与扫描线201-n相重叠的区域中，硅岛602为完全不掺、或者只掺 极低浓度的磷离子的^i半导体区域6021，在其左右存在低浓度地,离 子的薄层(sheet)电阻为20kQ程度的n-区域602L、并进而在其左右存 在高浓度地,离子的薄膜电阻为lkQ程度的n+区域602N，其为LDD (Lightly Doped Drain,轻掺杂漏)结构。左右的n +区域602N通过分别 形成于层间绝缘膜的接触孔与源电极603、漏电极604连接，源电极603 与数据线202-m、漏电极604与形成于平坦化绝缘膜上的像素电极402-n-m 分别连接。在像素电极402-n-m与对向141912上的对向电极930之间存 在向列相液晶材料922。并且，黑矩阵940与像素电极402-n-m—部分重 叠地形成于对向141912上。还有，在像素开关元件401-n-m的光泄漏电 流成为问题的情况下，也可以在硅岛602下形成由Cr膜构成的遮光层。 因为在本实施例中光泄漏电流基本上不是问题，且若采取如此的结构，则 像素开关元件401-n-m的迁移率下降，所以选择了去除硅岛602下的Cr 膜的构成。图7是用于对辅助电容器403-n-m的结构进行说明的表示对应于图5 的B—B，线部分的液晶显示装置910的一部分的剖面结构的图，与漏电极 604连接的电容部电极605,与电容线203-n夹持栅绝缘膜重叠，由此形成 存储电容。图8是受光传感器350P-1 (第1光传感器)与遮光传感器350D-1 (第 2光传感器)附近的放大俯视图。还有，为了使图易看，纵向与横向的比 例尺并不固定。并且，凡例与图5同样。受光传感器350P-1与以粗虛线表 示的受光开口部990-1俯视重叠，使外光#1照射上去。受光传感器350P-1 通过4处孤立的受光部350P-1I、相邻于其的连接于布线SENSE的阳极 区域350P-1P，和连接于布线VSH的阴极区域350P-1N所构成。受光部350P-1I、阳极区域350P-1P、阴极区域350P-1N都通过同一多晶硅薄膜岛 根据掺杂浓度不同分离所构成，阳极区域350P-1P掺杂比较高浓度的硼离 子，阴极区域350P-1N掺杂比较高浓度的磷离子，受光部350P-1I只以极 低浓度包括硼离子、磷离子。并且，阳极区域350P-1P、阴极区域350P-1N、受光部350P-1I宽度分 别为10jim，受光部350P-1I的长度分别为lOOOiam。如此地，受光传感 器350P-1构成多个并联连接的PIN结二极管。虽然在受光传感器350P-1 及遮光传感器350D-1的接近于显示区域310侧配置共用电位布线335，但 是在本实施例中并不连接于受光传感器350P-1及遮光传感器350D-l，用 于避免电磁噪声的影响而离开lOOjam进行配置。遮光传感器350D-1通过4处孤立的受光部350D-1I、相邻于其的连 接于布线VSL的阳极区域350D-1P,和连接于布线SENSE的阴极区域 350D-1N所构成。因为除了连接阴极与阳极的布线不同，和不与受光开口 部990-1俯^f见重叠以外，受光传感器350P-1与遮光传感器350D-1为同一 构成，所以对除此以外的说明进行省略。并且，因为受光传感器 350P-2~350P-5与受光传感器350P-1，遮光传感器350D-2~350D-5与遮光 传感器350D-1，除了配置位置分别不同之外，为同样的构成，所以对说明 进行省略。图9是用于对受光传感器350P-1的结构进行说明的表示对应于图8的 线C—C，线部分的液晶显示装置910的一部分的剖面结构的图。在有源 矩阵基板101上通过基底绝缘膜配置背光源遮光电极611P-1 (第1遮光电 极)，在其上夹持栅绝缘膜形成由薄膜多晶硅构成的受光传感器350P-1。 受光传感器350P-1通过4处的受光部350P-1I、相邻于其的连接于布线 VSL的阳极区域350P-1P,和连接于布线SENSE的阴极区域350P-1N所 构成，如前所述。在受光传感器350P-1的上方通过层间绝缘膜、平坦化绝 缘膜配置由氧化铟锡薄膜(ITO )构成的透明电极612P-K第1透明电极)， 作为对于受光部350P-1I的电场屏蔽膜而起作用。透明电极612P-1的上方封入有向列相液晶材料922，配置有对向M 912上的对向电极930。还有，有时也根据受光传感器350P-1配置位置的不同而配置密封材料923代替向列相液晶材料922。受光开口部9卯-l通过 部分去除对向基才反912上的黑矩阵940所形成。虽未图示，但是因为在遮 光传感器350D-1上并不存在受光开口部，所以不去除黑矩阵940。成为下述构成从对向基板912的上方照射外光LA，另一方面，从 有源矩阵^41101的下方照射来自背光源单元926的光(背光源光LB)。 还有，虽然在本实施例中并未实施，但是也可以在受光开口部990-1 ;^V 光学校正层。例如也可以与受光开口部9卯-l重叠而形成构成形成于对向 基板912的对应于像素的滤色器的色材之中的一个或者几个，使视见度分 光特性与受光传感器350P-1更加一致。例如若重叠于受光开口部990-1上 而形成对应于绿色的像素的色材，则因为对短波长与长波长侧进行截去， 所以即使受光传感器350P-1的分光特性与视见度分光特性相比向短波长 或者长波长偏移，也能够进行校正。此外，相应于目的，将反射防止膜、 干涉层、偏光层等与受光开口部990-1部进行重叠即可。并且，虽然在本 图中并未图示，但是上偏振板924既可以与受光开口部990-1重叠，也可 以去掉。相重叠时受光开口部990-1变得不明显，若去掉则感光灵敏度会 提高。因为在本实施例中为了液晶显示装置910的低消耗电力化，进行向共 用电位布线335施加>^相信号的共用电极反相驱动(共用AC驱动)，所 以对对向电极930施加振幅为0V 5V、频率为14KHz的AC信号。但是 因为由对向电极930产生的电磁波通过透明电极612P-1所屏蔽，所以当对 向电极930反相时基本不对受光传感器350P-1施加噪声。同样地对于来自 下方的电磁噪声，背光源遮光电极611P-1作为屏蔽器件而起作用。图10 U示对应于图8的线D—D，线部分的液晶显示装置910的一 部分的剖面结构的图。形成于基底绝缘膜上的背光源遮光电极611P-1 (第 1遮光电极)与背光源遮光电极611D-1 (第2遮光电极)通过遮光电极间 隙611G互相分离，被提供分别的电位。并且形成于平坦化绝缘膜上的透 明电极612P-1 (第1透明电极)与透明电极612D-1 (第2透明电极)也通 过透明电极间隙612G互相分离，被提供分别的电位。背光源遮光电极 611P-1与透明电极612P-1相互通过形成于栅绝缘膜、层间绝缘膜及平坦化绝缘膜的接触孔和中间电极613P-1连接，最终连接于布线PBT。背光 源遮光电极611D-1与透明电极612D-1相互通过形成于栅绝缘膜、层间绝 缘膜及平坦化绝缘膜的接触孔和中间电极613D-1连接，最终连接于布线 DBT。在此遮光电极间隙611G与透明电极间隙612G在有源矩阵基板101 及对向基板912的铅垂方向上互不重叠。若如此地构成，则因为平面地上 下不存在未受屏蔽的区域，所以从间隙进入的电磁噪声难以左右扩展，能 够减轻由间隙引起的屏蔽性能的降低。并且，与遮光电极间隙611G相重叠地形成由钼薄膜(Mo)构成的间 隙遮光体610。由此，能够飞跃性地减轻通过遮光电极间隙611G进入的 背光源光以各种绝缘膜、玻璃的界面等多次反射、成为杂散光而到达于受 光传感器350P-1、遮光传感器350D-1的比例。图11是如以上的构成的受光传感器350P-l 350P-6、遮光传感器 350D-l 350D-6的等效电路图。各受光传感器350P-l 350P-6、遮光传感器 350D-l 350D-6，分别并联连接4个PIN 二极管。并且，各受光传感器 350P-l 350P-6也互相并联连接，遮光传感器350D-l~350D-6也互相并联 连接。所以最终图ll与图12的电路图等效。即，遮光传感器350D-l 350D-6为沟道宽度为24000 jam、沟道长度 为10nm的PIN 二极管，其阳极连接于布线VSL，其阴极连接于布线 SENSE。并且，与遮光传感器350D-l 350D-6俯视重叠的背光源遮光电极 611D-l~611D-6及透明电极612D-l 612D-6连接于布线DBT。受光传感器 350P-l~350P-6为沟道宽度为24000 u m、沟道长度为10 /a m的PIN 二极 管，其阳极连接于布线SENSE,其阴极连接于布线VSH。并且，与受光 传感器350P-l 350P-6俯视重叠的背光源遮光电极611P-1-611P-6及透明 电极612P-l 612P-6连接于布线PBT。图13是表示当一定的外光照度LX照射于液晶显示装置910时的构成 受光传感器350P-l 350P-6与遮光传感器350D-l~350D-6的PIN 二极管的 特性的曲线图。横轴为偏置电位Vd (=阳极电位-阴极电位)，纵轴为流 通于阳极-阴极间的电流量Id。以实线表示的曲线(A)为受光传感器350P-l 350P-6的特性，以虛线表示的曲线(B)为遮光传感器 350D-1-350D-6的特性。如此地虽然在正向偏置区域(Id > 0 )中二者基本 相一致，但是在反向偏置区域(ld<0)中，受光传感器350P-l 350P-6的 曲线(B)的一方的电流的绝对值变大。这是因为以下原因虽然因为不 对遮光传感器350D-l 350D-6照射外光，所以仅流通起因于温度的热电流 量Ileak，但是因为若对构成受光传感器350P-1-350P-6的PIN 二极管的受 光部350P-1I 350P-6I照射光则生成栽流子对，光电流量Iphoto流通，所 以在受光传感器350P-1-350P-6中光电流量与热电流量之和、Iphoto + Ileak流通。在此，所谓热电流量Ileak，是指在图13的左侧的反向偏置区 域(ld<0)中，当施加电压至负几V时流通的电流，半导体由于温度而 一点点地产生电子与空穴，其使电流流通而产生。热电流量Ileak表示Vd (=阳极电位-阴极电位)相关性，并能够在 -5.0<Vd< -1.5的区域中作为斜率为KA (KA>0)的直线进行近似。 在此，KA为相对于温度的函数，若温度升高则以指数函数的方式上升。 在该Vd区域(Vd = - 5.0 < Vd < - 1，5 )中流通于受光传感器 350P-l 350P-6的光电流量Iphoto具有基本一定的值，并正比于外光照度 LX(以下，设为Iphoto = LX x k)。所以流通于受光传感器350P-l 350P-6 的电流(曲线(A))、流通于遮光传感器350D-l 350D-6的电流(曲线 (B))在-5.0<Vd< -l.S的区域中都为斜率为KA (KA>0)的直线。在此，若4吏受光传感器350P-1-350P-6与遮光传感器350D-l 350D-6 的Vd变得相同地对偏置电位进行设定、即将布线SENSE的电位VSENSE值的(WSH + WSL) +2，则流通于受光传感器350P-l~350P-6与遮光 传感器350D-l~350D-6的热电流量Ileak完全相一致。此时，因为流通于 布线VSH的电流量(-流通于受光传感器350P-l 350P-6的电流量)为 Iphoto + Ileak，流通于布线VSL的电流量(-流通于遮光传感器 350D-l 350D-6的电流量)为Ileak，所以根据基尔霍夫第1定律，流通于 布线SENSE的电流量成为Iphoto = LX x k，正比于外光照度LX。还有虽 然在实施例中将受光传感器连接于高电位侧，将遮光传感器连接于低电位侧，但是不用说即使以其它方式连接也无妨，结论相同。图14是检测电路360的电路图。布线VCHG、布线RST、布线VSL、 布线VSH、布线OUT与信号输入端子320相连接，并且布线VSL、布线 VSH、布线SENSE、布线PBT、布线DBT连接于受光传感器350P-1-350P-6 及遮光传感器350D-l 350D-6。在此布线VCHG、布线VSL、布线VSH 连接于由外部电源电路784所供给的DC电源，VCHG布线被供给电位 WCHG ( = 2.0V) ， VSL布线4皮供给电位WSL ( = 0.0V) ， VSH布线 被供给电位VVSH ( =5.0V)。还有，在此VSL布线的电位WSL为液 晶显示装置910的GND。布线SENSE连接于第1电容器Cl与第3电容器C3的各一端。并且， 连接于初始充电晶体管NC的漏电极。第3电容器C3的另一端连接于布 线VSL。第1电容器Cl的另一端连接于节点A。初始充电晶体管NC的 源电极连接于布线VCHG，被供给电位WCHG ( =2.0V)电源。初始充 电晶体管NC的栅电极连接于布线RST。节点A还连接于第IN型晶体管 Nl的栅电极与第IP型晶体管Pl的栅电极与复位晶体管NR的漏电极， 还连接于第2电容器C2的一端。第2电容器C2的另 一端连接于布线RST。第IN型晶体管Nl的漏电极与第IP型晶体管PI的漏电极与复位晶 体管NR的源电极连接于节点B。节点B还连接于第2N型晶体管N2的栅 电极与第2P型晶体管P2的栅电极。第2N型晶体管N2的漏电极与第2P 型晶体管P2的漏电极连接于节点C，节点C还连接于第3N型晶体管N3 的栅电极与第3P型晶体管P3的栅电极。第3N型晶体管N3的漏电极与 第3P型晶体管P3的漏电极连接于节点D，节点D还连接于第4N型晶体 管N4的栅电极与第4 P型晶体管P4的栅电极。第4N型晶体管N4的漏 电极与第4 P型晶体管P4的漏电极连接于布线OUT,布线OUT还连接于 第5N型晶体管N5的漏电极。第5N型晶体管N5的栅电极与第5P型晶体 管P5的栅电极连接于布线RST，第5P型晶体管P5的漏电极连接于第4P 型晶体管P4的源电极。第1 第5N型晶体管N1 N5的源电极连接于布线 VSL，被供给电位WSL ( -0V)。并且第1~第3P型晶体管P1 P3及第 5P型晶体管P5的源电极连接于布线VSH，被供给电位WSH( - + 5V)。并且，在检测电路360还具备对施加于布线PBT与布线DBT的电位 根据晶体管的阈值电压(Vth)自动地进行校正的自校正电压电路361。自 校正电压电路361构成为第6N型晶体管Nil与第6P型晶体管Pll的 漏电极及栅电极分别连接于布线PBT，第7N型晶体管N21与第7P型晶 体管P21的漏电极及栅电极分别连接于布线DBT，第6N型晶体管Nil与 第7N型晶体管N21的源电极连接于布线VSL而被供给电位WSL (= 0V )，第6P型晶体管Pll与第7P型晶体管P21的源电极连接于布线VSH， 被供给电位WSH ( = + 5V)。并且，检测电路360通过以与构成像素电极402-n-m的氧化铟锡薄膜 (ITO)为同一膜的膜所形成的屏蔽电极369覆盖整面。屏蔽电极369通 过布线VSL连接于液晶显示装置910的GND电位，作为对于电磁噪声的 屏蔽器件而起作用。在此在本实施例中，第1N型晶体管N1的沟道宽度为10jim，第2N 型晶体管N2的沟道宽度为35 pm,第3N型晶体管N3的沟道宽度为100 第4N型晶体管N4的沟道宽度为150 nm，第5N型晶体管N5的沟 道宽度为150pm，第6N型晶体管N11的沟道宽度为4"m，第7N型晶 体管N21的沟道宽度为200jam，第1P型晶体管Pl的沟道宽度为10jLim, 第2P型晶体管P2的沟道宽度为35 |a m,第3P型晶体管P3的沟道宽度为 lOOlim，第4P型晶体管P4的沟道宽度为300pm，第5P型晶体管P5的 沟道宽度为300jam，第6P型晶体管Pll的沟道宽度为200|am，第7P型 晶体管P21的沟道宽度为4iim，复位晶体管NR的沟道宽度为2jam，初 始充电晶体管NC的沟道宽度为50 ji m，全部的N型晶体管的沟道长度都 为8iam，全部的P型晶体管的沟道长度都为6pm,全部的N型晶体管的 迁移率都为80cm2/Vsec，全部的P型晶体管的迁移率都为60cmVVsec，全 部的N型晶体管的阈值电压(Vth)都为+1.0V,全部的P型晶体管的阈 值电压(Vth )都为-l.OV，第1电容器Cl的电容值为lpF，第2电容器 C2的电容值为100fF，第3电容器C3的电容值为100pF。布线RST为电位振幅为0-5V的脉冲波，在每个周期510m秒，在脉 沖长度为100 y秒期间，保持为高电位(5V )，在剩余的509.9m秒期间保持为低电位(0V)。若RST布线每510m秒成为高(5V)，则初始充电 晶体管NC与复位晶体管NR导通，对布线SENSE充电VCHG布线的电 位(2.0V)，节点A与节点B短路。因为第1N型晶体管N1与第1P型晶 体管Pl构成反相电路，所以反相电路的IN/OUT被短路。此时，节点A 与节点B的电位最终达到由以下的数式所表示的电位VS (详细的计算例 如参照Kang Leblebici著"CMOS Digital Integrated Circuits" Third Edition P206等)。 式lVS = [ Vthn + SQRT( WpLn |ii p/WnLp ja n) x ( WSH - VVSL + Vthp )] / [ 1 + SQRT ( WpLn |i p/WnLp |i n )]在此，因为Wn:为第1N型晶体管N1的沟道宽度，Ln:为第IN型 晶体管Nl的沟道长度，为第1N型晶体管Nl的迁移率，Vthn:为 第1N型晶体管N1的阈值电压，Wp:为第IP型晶体管PI的沟道宽度， Lp:为第1P型晶体管P1的沟道长度，|Lip:为第1P型晶体管P1的迁移 率，Vthp:为第IP型晶体管PI的阈值电压，所以在本实施例中计算为 VS = 2.5V。还有，布线RST为高(5V)期间因为第5N型晶体管N5导通、 且第5个P型晶体管P5截止，所以OUT布线为0V。若RST布线在100 u秒后变成低(0V)，则复位晶体管NR截止、节 点A与节点B电断开。此时，以第1N型晶体管N1与第IP型晶体管PI 所构成的反相电路，若节点A的电位比VS低则向节点B输出比VS高的 电位，若节点A的电位比VS高则向节点B输出比VS低的电位。第2N 型晶体管N2与第2 P型晶体管P2及第3N型晶体管N3与第3 P型晶体管 P3也分别构成反相电路，同样地若输入级的电位比VS低则输出比VS高 的电位，若输入级的电位比VS高则输出比VS低的电位。此时，输出级的 电位与VS之差变得比输入级的电位与VS之差大，向布线VSH的电位 VVSH ( = + 5V)或布线VSL的电位WSL ( =0V)靠近。结果，若节点 A的电位比VS低则节点D基本成为VSH布线的电位WSH ( = + 5V)， 若节点A的电位比VS高，则节点D基本成为VSL布线的电位WSL(= 0V)。因为第4N型晶体管N4及第5N型晶体管N5、第4P型晶体管P4及第5P型晶体管P5构成"或非"电路，所以在RST布线的电位为低(0V) 期间，若节点D为高(+5V)则将低(0V)、若节点D为低(0V)则将 高(+5V),分别向布线OUT进行输出。即，在RST布线的电位为低(OV) 期间，若节点A的电位比VS低则向布线OUT的输出为低(0V)，若节 点A的电位比VS高则向布线OUT的输出为高(+5V)。节点A如前述，虽然布线RST成为低(0V)、复位晶体管NR截止， 节点A与节点B电断开，但是与此同时由于第2电容器C2的耦合而其电 位与布线RST同时下降。在此，若第1电容器C1的电容值CC1 ( -lpF) 比第2电容器C2的电容值CC2 ( - 100fF)及第1N型晶体管Nl、第1P 型晶体管Pl、复位晶体管NR的栅漏间电容值(在本实施例中都为10fF 以下)足够大，并且若复位晶体管NR的写入阻抗与第1电容器Cl的电 容值之积(在本实施中约为l)i秒)比布线RST的电位的下降期间(在本 实施例中为100n秒)足够大，则当布线RST变成低(0V)时(以下，设 此时间为t = 0)的节点A的电位(以下，设为VA(t))可由以下的式表 示。式2VA " = 0 ) = VS - ( CC2/CC1) x (VVSH - WSL) 在本实施例中成为VA(t-O) =2.0V。此时，加在受光传感器350P-1 的偏置电位为Vd= -3.0V，加在遮光传感器350D-1的偏置电位为Vd- -2.0V 。如根据图13的说明而明确地，此时，构成受光传感器350P-1与遮 光传感器350D-1的PIN 二极管的热电流量Ileak之差以KA x 1.0所表示。 从而，在布线SENSE中流通着对相应于照射到受光传感器350P-1的外光 的光电流量Iphoto增加了电流量KA x 1.0的电流。在此，若KA < < Iphoto 则流通于布线SENSE的电流量能够近似为仅Iphoto，能够去掉热电流的 贡献。在本实施例中工作保证温度上限的7(TC时的KA与照度10勒克斯 下的Iphoto变得相等。由此，若外光照度为100勒克斯以上，则在工作保 证温度范围内能够有效地去除热泄漏电流。在此外光与Iphoto的关系如前述，在该偏置条件下外光正比于照射受 光传感器350P-1的外光照度LX而与Vd无关地成为Iphoto - LX k (k为一定的系数)。若RST布线成为低(0V)，则因为节点A为浮置状态， 所以如果忽略第2电容器C2的电容值CC2及第1N型晶体管Nl、第1 P 型晶体管Pl的栅-源间电容值，则有效的电容值基本上成为仅第3电容器 C3的电容值CC3，布线SENSE的电位VSENSE如以下的式表示地进行 变化。 式3VSENSE (t) - WCHG + (LX x k/CC3 ) x t还有，在此用于说明而忽略在受光传感器350P-1及遮光传感器 350D-1、及引绕布线的附加电容值进行说明。这些附加电容值的量加在上 述的CC3即可。并且，在受光传感器350P-1及遮光传感器350D-1、及引 绕布线的附加电容值足够大的情况下，也可以不设置第3电容器C3。从而， CC3的值根据受光传感器350P-1及遮光传感器350D-l、及引绕布线的附 加电容值确定下限。若VSENSE (t)发生变化则VA (t)因电容耦合而变化相同的电位的 量。从而，节点A的电位VA可由以下的式表示。式4VA (t) - VS - ( CC2/CC1) x (WSH - WSL) + ( LX x k/CC3 )x t在此成为VA(t) -VS的时间tO，可由以下的式表示。 tO= (CC2xCC3/CCl xLXxk ) x (WSH-WSL) 即，在时间t0时OUT输出从低(0V)向高(5V)进行反相，根据该 时间t0，外光照度LX容易求出。检测电路360在RST布线为低(0V)期间，节点A成为浮置状态， 若在此电磁噪声i^则节点A的电位发生变化而发生误工作。从而，电磁 噪声的防止极其重要，为此而配置屏蔽电极369。如本构成的横向结构的PIN型二极管、PN型二极管存在光电流量 Iphoto相对于垂直方向的电场进行变化的问题。若针对于本实施例具体而 言，则连接于布线PBT的透明电极612P-l 612P-6与背光源遮光电极 611P-l 611P-6的电位(以下，为VPBT)、连接于布线DBT的透明电极612D-l 612D-6与背光源遮光电极611P-l 611P-6的电位(以下，为VDBT ) 分别影响受光传感器350P-l 350P-6的特性、遮光传感器350D-l 350D-6的特性。图15是关于构成受光传感器350P-l 350P-6及遮光传感器 350D-l 350D-6的二极管的特性，将遮光电极(及透明电极)-阴极电极间 的电位差取为横轴，将PIN二极管在23X:、偏置电位为Vd= -2.5V、外 光为1000勒克斯的条件下的阳极-阴极间电流取为纵轴时的曲线。在本实 施例中冲黄轴在受光传感器350P-l 350P-6中相当于VPBT-VVSH，在遮光 传感器350D-l 350D-6中相当于VDBT-VSENSE。实线(A)为表示峰值电流的横轴的电压值测定了多个釆样数之中的， 表示了中央值的采样的结果；点线(B)相同地为表示峰值电流的横轴的 电压值进行了多次采样测定之中的，表示了最大值的采样的结果；虛线(C) 相同地为表示峰值电流的横轴的电压值进行了多次采样测定之中的，表示 了最小值的采样的结果。可知都在峰值具有某恰当电压(将该光电流成为 峰值的遮光电极(及透明电极)一阴极电极间的电位差以下称为VMAX)。 这是因为以下原因若遮光电极(及透明电极)-阴极电极间的电位差为恰 当电压，则PIN结二极管的受光部(图8中的受光部350P-1I、受光部 350D-1I相当)耗尽化而在整个区域通过光激发载流子；相对于此，若遮 光电极(及透明电极)-阴极电极间的电位差与恰当电压相比为正，则受光 部N型化，同样地若与恰当电压相比为负，则受光部P型化，*层的宽 度变窄，通过光激发载流子的面积被限制。从而，用于充分得到光电流而 必须对VPBT、 VDBT适当地进行控制，并使得成为VMAX点。如根据图 15的曲线(A)可知地，优选在制造不一致的中央值处，遮光层及透明 电极的电位为从施加于阴极电极的电位低1.4V程度的电位。但是，如对曲 线(A)与曲线(B)与曲线(C)进行比较而知地，实际上恰当电位VMAX 由于制造不一致稍微偏离。这是因为多晶硅薄膜中的缺陷能级、基底绝缘 膜/栅绝缘膜界面的固定电荷等在制造工序中不一致而发生的现象。图16是表示在同一基板上制作的薄膜晶体管与PIN 二极管的相关性 的分布图。将N型薄膜晶体管的阁值电压(VthN)与P型薄膜晶体管的阈值电压(VthP)的平均值作为横轴，以使PIN二极管的光电流成为最大 的恰当电位VMAX作为纵轴。如从图16所知地，薄膜晶体管的阈值与使 PIN 二极管的光电流成为最大的恰当电位VMAX具有强的正相关性。在本 实施例中如图16的曲线(A)地，当遮光电极(及透明电极)相比较于阴 极电极电位低1.4V程度时光电流呈现最大值(VMAX)，此时的N型薄 膜晶体管的阈值电压(VthN)为+1.0V、与P型薄膜晶体管的阈值电压 (VthP)为-1.0V为制造不一致中的平均的状态，呈现在制造不一致中若 VthN与VthP的平均值偏离IV则VMAX也偏离IV的，基本y-x (虚 线)的正相关性。根据以上，在本实施例中采用基于薄膜晶体管的阈值(Vth)对电压 进行自校正，在布线PBT与布线DBT施加电压的自校正电压电路361。 在本实施例的制造不一致中的平均的值中，VthN= +1.0、 VthP= -1.0， 此时自校正电压电路361对布线PBT施加3.6V，对布线DBT施加1.4V。 因为在受光传感器350P-l 350P-6中阴极与布线VSH相连接而为5.0V， 所以背光源遮光电极611P-1 611P - 6及透明电极612P-1与阴极的电位差 成为-1.4V，其成为得到光电流的最佳电位(VMAX)。因制造不一致而 使晶体管的特性发生变动，并且例如若VthN- +1.5、 VthP= -0.5则在布 线PBT施加4.1V、在布线DBT施加1.9V 。同样地例如若VthN- +0.5、 VthP = -1.5则分别在布线PBT、布线DBT施加3.1V、 0.9V。因为不管 在哪种情况下若晶体管的阈值发生变动则与其相应地施加于布线PBT与 布线DBT的电位也都发生变动，所以总是基本最大地得到光电流。图17是表示作为图16的自校正电压电路361的另外的构成的第2自 校正电压电路361'的电路图。第8N型晶体管N31的栅电极与漏电极与 第8P型晶体管P31的栅电极与漏电极全都连接于节点E。并且，节点E 也连接于第9P型晶体管P41的栅电极、与第9N型晶体管N41的栅电极。 第9P型晶体管P41的源电极连接于布线PBT,漏电极连接于布线VSL。 并且，第10P型晶体管P42的漏电极连接于布线PBT，源电极连接于布线 VSH，栅电极连接于调整电源布线Voffl。第9N型晶体管N41的源电极 连接于布线DBT,漏电极连接于布线VSH。第10N型晶体管N42的漏电极连接于布线DBT，源电极连接于布线VSL，栅电极连接于调整电源布线 Voff2。调整电源布线Voffl及调整电源布线Voff2为通过信号输入端子320 由外部电源电路784所供给的电源，调整电源布线Voffl设定为3.9V,调 整电源布线Voff2设定为I.IV。在此，第8N型晶体管N31的沟道宽度为 10jum，第8P型晶体管P31的沟道宽度为10Mm，第9N型晶体管N41 的沟道宽度为100jum，第ION型晶体管N42的沟道宽度为100jim，第 9P型晶体管P41的沟道宽度为100 um,第10P型晶体管P42的沟道宽度 为100pm，全部的N型晶体管的沟道长度都为8um，全部的P型晶体管 的沟道长度都为6|Lim，全部的N型晶体管的迁移率都为80cmVVsec，全 部的P型晶体管的迁移率都为60cm2/Vsec。若如以上地进行构成，则从第 2自校正电压电路361，输出于布线DBT的电压及输出于布线PBT的电压 与薄膜型晶体管的阈值电压(Vth)的关系变得与图14的自校正电压电路 361之时完全相同。与图14的自校正电压电路361的构成相比较，图17的第2自校正电 压电路361'的构成有以下优点通过对调整电源布线Voffl及调整电源 布线Voff2的电位进行调整而在不改变有源矩阵141101的情况下，可以 调整输出于布线DBT的电压及输出于布线PBT的电压。另一方面，因为 元件数、布线数、端子数增多，从电路面积的观点来看成为不利的构成， 所以到底采用何种构成，可以根据各自的优缺点任意决定。并且，本发明 并不限定于这些电路构成，此外，也可以使用已知的所有的电压电路代替 自校正电压电路361。并且，也可以将布线DBT及布线PBT，通过信号输 入端子320连接于外部电源电路784，从外部电源电路784供给适当的电 位。在该情况下，通过将从外部电源电路784输出的电位的设定值按每个 产品地写入于EEPROM等还可以进行对于产品不一致的控制。还有，虽然在此次的实施例中将连接于受光传感器350P-l~350P-6及 遮光传感器350D-l 350D-6的电源的布线VSH与电源的布线VSL用作了 检测电路360的驱动电源，但是它们也可以作为别的电源布线。若如此地 进行构成，则一方面布线、端子数增多，但是另一方面有检测电路360的 工作噪声难以影响到受光传感器350P-l 350P-6及遮光传感器350D-l 350D-6的优点。在本实施例中，中央运算电路781对端子OUT的信号进行监视，并 根据发生了反盯的时间t0首先得到离散值V10。离散值VIO,被采样任意 次数，得到其的平均值V10—。根据V10—而对参照表785进行参照，得到 对应于V10—的适当的背光源单元926的电压设定值V20。中央运算电路 781通过将该V20的值传送给外部电源电路784而改变背光源单元926的 辉度。由此液晶显示装置910的全白显示时辉度发生变化，通过抑制对于 用户而言过量的辉度而使辨认性提高并能抑制消耗电力的增大。在本实施例中外部光的检测照度与背光源辉度的关系如图18地进行 了设定。直至检测照度300 (勒克斯)为止而使背光源的照度緩慢上升， 在300勒克斯以上使斜率比较大而升高照度。在检测照度2000勒克斯时， 辉度成为MAX而以后成为相同的状态。若如此地进行设定，则能够在外 光在300勒克斯以下而周围极暗、用户的瞳孔张开时将背光源抑制为不刺 眼的程度，在300勒克斯 2000勒克斯的外光映入到液晶面板的区域中， 一致于周围的明亮度使辉度急速上升而不使辨认性降低。另一方面，在并非如本实施例地为透射型、而使用半透射型液晶的情 况下，只要如图19地即可。虽然直至外光照度为5000勒克斯为止为同样， 但是因为在其以上仅以反射部分就达到足够的辨认性，因此使背光源完全 关闭，使得能够节约消耗电力，所以尤其在室外进行使用时，其搭载着的 电子i殳备的电池驱动时间飞跃地延长。不用说，该控制曲线为一例，相应于用途，既可以进行各种各样的曲 线的设定，也可以为了抑制闪烁而使曲线具有滞后等。并且，也可以并非 每次测定都进行辉度调整，而进行多次测定，并取平均值、中央值而对辉 度进行调整等。以光敏晶体管构成受光传感器350P-l~350P-6及遮光传感器 350D-l 350D-6的情况也基本上如以本实施例描述地，优选对施加于与 受光传感器350P-l 350P-6及遮光传感器350D-l~350D-6俯视重叠的电极 的电压分别地进行最优化。这是因为光敏晶体管中的^层的扩展也受俯 -观重叠的电极的影响。第2实施方式图20是第2实施例中的液晶显示装置910B的立体构成图(部分剖面 图)，代替第1实施例中的以图1所说明的液晶显示装置910。以下，对 与在第1实施例的图1的液晶显示装置910的差异进行说明。在本实施例中，代替受光开口部9卯-l 990-6，配置10个受光开口部 991-1 991-10。在此受光开口部991-1 991-6配置于离伸出部102远而相对 向的周缘部，受光开口部991-7 991-10配置于正交于伸出部102的周缘部 的边。并且，代替有源矩阵基板IOI，使用有源矩阵141101B，对向J4！ 912替换为对向基板912B。在此对向基板912B除了其厚度为0.25mm，为 与对向M912同样的构成。因为其他之点与在第1实施例的图l并无不 同，所以附加相同的符号而对说明进行省略。图21是第2实施例中的有源矩阵ai01B的框图，代替第1实施例 中的以图2所i兌明的有源矩阵皿101，以下，以与在第1实施例的图2 的有源矩阵141101的不同点为中心进行说明。在本实施例中布线DBT、 布线PBT并不存在，受光传感器350P-1-350P-6 、遮光传感器 350D-l 350D-6分别4皮替换为受光传感器351P-1~351P-10、遮光传感器 351D-1 351D-10 。在此，受光传感器351P-l 351P-6及遮光传感器 351D-1 351D-10配置于与设置有受光开口部991-1-991-6的周缘部相同的 边，受光传感器351P-l~351P-6与受光开口部991-1~991-6俯^L重叠地配置 构成。并且受光传感器351P-7 351P-10及遮光传感器351D-7 351D-10配 置于与设置有受光开口部991-1-991-6的周缘部相同的边，受光传感器 351P-l 351P-6与受光开口部991-1 991-6俯^L重叠地配置构成。受光传感 器351P-1 351P-10连接于布线SENSE及布线VSH,遮光传感器 351D-1~351D-10连接于布线VSL与布线SENSE与布线VCHG。检测电 路360被替换为检测电路362。因为在其他之点上与第1实施例并无任何 不同，所以通过附加相同的符号而对说明进行省略。并且，向本实施例中 的布线VSH所提供的电位为5.0V，向布线VSL所提供的电位为O.OV，向 布线VCHG所提供的电位为2.0V，向布线RST所提供的信号为电位振幅 为0-5V的脉沖波，在每个周期510m秒，在脉冲长度为100 n秒期间保持为高电位(5V)，在剩余的509.9m秒期间保持为低电位(0V)，这也与 第1实施例并无不同。图22是检测电路362的电路图，对与第1实施例的示于图14的检测 电路360的不同点进行说明。在本实施例中布线DBT、布线PBT并不存 在，并且自校正电压电路361也不存在。代之而使布线VCHG直接向遮光 传感器351D-1 351D-10进行输出。并且，屏蔽电极369不存在。由此， 相比较于第1实施例，虽然电路的附加电容变小，可以更高速且高精度进 行工作，但是在另一方面耐电磁噪声变弱，屏蔽电极369的有无根据由检 测电路的配置位置等引起的电磁噪声的大小确定即可。因为第1电容器 Cl、第2电容器C2、第3电容器C3的连接及电容值，初始充电晶体管 NC、初始充电晶体管NC、第1 第5N型晶体管N1 N5、第1~第5P型晶体管Pi P5的构成、尺寸、迁移率、阈值电压(vth)的^:定全都与第i 实施例同样，所以对说明进行省略。图23是受光传感器351P-K第1光传感器)与遮光传感器351D-K第 1光传感器)附近的放大俯视图。与第1实施例的图8进行比较而进行说 明。受光传感器351P-1与受光开口部990-1俯视重叠而被照射外光，通过 受光部351P-11、阳极区域351P-1P、阴极区域351P-1N所构成；遮光传感 器351D-1不与受光开口部990-1俯视重叠，通过受光部351D-1L阳极区 域351D-1P、阴极区域351D-1N所构成。因为受光部351P-1I、阳极区域 351P-1P、阴极区域351P-1N、受光部351D-11、阳极区域351D-1P、阴极 区域351D-1N与第1实施例中的受光部350P-1L阳极区域350P-1P、阴 极区域350P-1N、受光部350D-11、阳极区域350D-1P、阴极区域350D-1N 分别在构成、尺寸、连接目的地等并无任何改变，所以对说明进行省略。 在本实施例中，与受光传感器351P-1重叠的背光源遮光电极614P-1通过 中间电极616P-1连接于布线VSH，与遮光传感器351D-1重叠的背光源遮 光电极614D-1通过中间电极616D-1连接于布线VCHG。并且，重叠于受 光传感器351P-1的透明电极615也重叠于遮光传感器351D-1,并不互相 分离，从而第1实施例中的透明电极间隙612G并不存在。透明电极614 配置有配置于受光传感器351P-1及遮光传感器351D-1的接近于显示区域310之侧的共用电位布线335，被提供共用电位。在本实施例中在共用电位 布线335施加DC电位，其电位为4.0V。受光传感器351P-2-351P-10与受 光传感器351P-1、遮光传感器351D-2 351D-10与遮光传感器351D-1，因 为除了配置的位置、间距、方向之外，完全相同，所以对说明进行省略。在本实施例中对受光传感器351P-l~351P-6的背光源遮光电极 614P-l 614P-6连接与阴极相同的电位WSH ( =5V)。另一方面，对遮 光传感器350D-1-350D-6的背光源遮光电极614D-l 614D-6连接电位 WCHG ( =2.0V)，在RST信号刚从高(5V)变成低(0V)之后为与阴 极相同的电位，因为在输出于布线OUT的电位从低(0V)变成高(5V) 的瞬间，阴极的电位升高为2.5V,所以成为比其低0.5V的电位。图24是关于构成受光传感器351P-1-351P-6及遮光传感器 351D-l 351D-6的二极管的特性，将遮光电极-阴极电极间的电位差取为横 轴，将PIN二极管在23匸、偏置电位Vd- - 2.5V、外光为1000勒克斯条 件下的阳极-阴极间电流取为纵轴时的曲线，是代替第1实施例的图15的 曲线。实线(A)为表示峰值电流的横轴的电压值测定了多次采样之中的， 表示了中央值的采样的结果；点线(B)相同地为表示峰值电流的横轴的 电压值进行了多次采样之中的，表示了最大值的采样的结果；虚线(C) 相同地为表示峰值电流的横轴的电压值进行了多次采样之中的，表示了最 小值的采样的结果。与第1实施例相比较，在本实施例中实线(A)、点 线(B)、虛线(C)间的差异较小，可以将遮光电极-阴极电极间的电位 差固定为0 0.5V。通过如此的构成，相比于第1实施例而有能够减少元件 数、布线数的优点。并且，因为在本实施例的构成中，背光源遮光电极614P-1 及背光源遮光电极614D-1的电位与外部电源电路的电源相连接，所以输出 阻抗比第1实施例那样地连接于自校正电压电路361变得低，还有相对于 电磁噪声的屏蔽性能提高的优点。到底是如第1实施例地设置自校正电压 电路还是如本实施例地不设置自校正电压电路而将固定电位施加于遮光 层，可以对制造工序的不一致进行测定而进行判断。并且，在本实施例中，透明电极615重叠于遮光传感器351D-l 351D-6、 受光传感器351P-1-351P-6双方，被施加相同的电位(共用电位)。在本实施例中，背光源遮光电极614P-1与作为受光层的受光部351P-1I之间的 每单位面积的电容值及背光源遮光电极614D-1与作为受光层的受光部 351D-1I之间的每单位面积的电容值为222 p F/ |i m2,透明电极615与作为 受光层的受光部351P-1I之间的每单位面积的电容值及透明电极615与作 为受光层的受光部351D-1I之间的每单位面积的电容值为18|iF/jam2。从 而，关于电位对受光层的影响，背光源遮光电极614P-1、背光源遮光电极 614D-1的一方比透明电极615大，为12倍以上。例如，背光源遮光电极 614P-1 、背光源遮光电极614D-1的电位偏离IV时的影响等于透明电极615 的电位偏离12V时的影响。在本实施例中，透明电极615的电位与受光传感器351P-1的阴极区域 351P-1N间的电位差为-l.OV，透明电极615的电位与遮光传感器351D-1 的阴极区域351D-1N间的电位差为+2.0~2.5V,虽然最大有3.5V的差异， 但是这若换算成背光源遮光电极的电位则只仅为0.3V程度的差异，能够忽 略。在与受光层俯视重叠的电极存在多个的情况下，若使与受光层的每单 位面积的电容值大的侧的电极的电位最优化，则与受光层的每单位面积的 电容值小的侧的电极的电位也可以不必最优化。在本实施例中通过4吏透明 电极614作为一片大的电极与遮光传感器351D-l~351D-6、受光传感器 351P-l 351P-6重叠，连接于输出阻抗低的共用电位电源，使相对于遮光 传感器351D-l 351D-6、受光传感器351P-l 351P-6的电磁噪声的屏蔽性 育巨，ifj 。还有，此次所公开的实施方式，应当认为以全部的点为例示而非限制。 本发明的范围，并非通过上述的实施方式的说明而是通过技术方案的范围 所表示，而且包括与技术方案的范围等同的意思及在范围内的所有的改变。例如，虽然在本实施例中将透明电极614与共用电位布线335进行了 连接，但是只要是输出阻抗比较低的布线也可以为其他的布线，例如也可 以与连接于液晶显示装置910的GND的布线VSL进行连接。关于采用了有源矩阵M 101B的液晶显示装置的实施例，因为仅将 示于第1实施例的图1的液晶显示装置910的有源矩阵皿101替换为有 源矩阵^S41101B，所以对说明进行省略。并且，关于采用了液晶显示装置910的电子设备，也因为与第1实施例的图4的说明相同，所以对详情进 行省略。关于受光开口部991-l 991-6的尺寸，在平行于配置有该受光开口部 990-1 9卯-6的显示区域310的周缘部的边界边的方向(以下，称为X方 向)与第1实施例相同为10mm。另一方面，受光开口部991-7 991-10的 X方向的尺寸考虑到为接近于背光源单元926的边而温度梯度变大，缩短 为7mm。相应于此，受光开口部991-1 991-6的配置间距为20mm,受光 开口部991-7 991-10的配置间3巨为14mm。关于正交于显示区域310的边界边的方向(以下，称为Y方向)，因 为对向^i41 912B的厚度为0.25mm，与第1实施例相同在0.3mm时杂散 光加强，测定精度下降，所以受光开口部991-1 991-10全都在Y方向设定 为0.2mm的尺寸。如本实施例地，若在多条边配置受光传感器，则因为更能消除手指、 小阴影的影响，所以越发优选，但是必须才艮据与光源的位置关系而注意温 度梯度。在本实施例中虽然在2边配置有受光传感器，但是当然，也可以 在3边或者4边进行配置。并且，虽然在本实施例中根据边的不同改变了 传感器间距及开口部的尺寸，但是只要在同 一边之中温度梯度显著不同， 也可以在同一边内改变传感器间距及开口部的尺寸。还有，也可以在本实施例中，将中间电极616D-l 616D-6、中间电极 616P-l~616P-6分别连接于作为阴极电极的阴极区域351D-1N 351D-6N、 作为阴极电极的阴极区域351P-1N 351P-6N而废止布线VCHG。采取如此 的构成时的受光传感器351P-1与遮光传感器351D-1的别的俯视图是图 25。若采取如此的构成，则因为背光源遮光电极614P-l 614P-6与阴极区 域351P-1N 351P-6N间的电位差及背光源遮光电极614D-l 614D-6与阴极 区域351D-1N 351D-6N间的电位差总是为0V，所以有流通于受光传感器 351P-l 351P-6与遮光传感器351D-l 351D-6的热电流量Ileak总是为 一定 的优点，但是另一方面因为背光源遮光电极614D-1连接于布线SENSE， 布线SENSE在布线RST的电位为低(OV)的期间并未连接于电位，为浮 置状态，所以有容易受到电磁噪声的影响的问题点。到底选择哪种方案可以对电磁噪声的影响等进行评估而确定。本发明并不限定于实施例的方式，也可以在并非为TN模式而是垂直 取向模式(VA模式)、利用了横向电场的IPS模式、利用了边缘电场的 FFS模式等的液晶显示装置中进行利用。并且，既可以是全透射型，也可 以是全反射型、透射^Jt兼用型。并且，既可以用于并非液晶显示装置、 而是有机EL显示器、场致发射型显示器中，也可以用于液晶显示装置以外的半导体器件中。并且，不仅用于以本实施例示出的一致于外光的显示辉度的控制中， 也可以用于对显示装置的辉度、色度进行测定而对此进行反馈、没有不一 致、长时间变化的显示装置中。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于，具备在第1及第2基板之间夹持有电光物质的面板，向前述面板的前述第1或第2基板的面照射光的照明装置，对周围的光的照度进行检测的光检测部，和相应于前述光检测部的检测结果而对前述照明装置进行控制的照明控制部；前述光检测部，设置于前述第1或第2基板，具备被照射外光的第1光传感器，被遮断外光的照射的第2光传感器，与前述第1光传感器通过绝缘层俯视重叠地构成的第1电极，与前述第2光传感器通过绝缘层俯视重叠地构成的第2电极，和对前述第1电极的电位与前述第2电极的电位进行控制的电位施加部。
2. 按照权利要求l所述的电光装置，其特征在于 前述电位施加部，使得前述第1 ;SJ或第2光传感器的光电流量基本成为最大值地，对前述第1 ;sj或第2电极的电位进行控制。
3. 按照权利要求2所述的电光装置，其特征在于 前述第1或第2^，具备形成于前述基板上的晶体管； 前述电位施加部，通过前述晶体管的阈值电压对施加于前述第1或第2电极的电位进行控制。
4. 一种半导体器件，其形成于基板上；其特征在于，具备 被照射外光的第1光传感器， 被遮断外光的照射的第2光传感器，与前述第1光传感器俯视重叠地构成的第1电极， 与前述第2光传感器俯视重叠地构成的第2电极，和 向前述第1电极与前述第2电极施加使前述第1光传感器;5L/或第2光 传感器的光电流量基本成为最大值的电位的电位施加部。
5. 按照权利要求4所述的半导体器件，其特征在于 前述第1光传感器为光敏二极管，前述第2光传感器为光敏二极管；当设前述第1光传感器的阴极电极与第1电极的电位差为VI、 设前述第1光传感器的阴极电极与笫1光传感器的阳极电极的电位差 为VD1、设前述第2光传感器的阴极电极与第2电极的电位差为V2、 设前述第2光传感器的阴极电极与第2光传感器的阳极电极的电位差 为VD2时，I VI - V2| < IVD1I且I VI - V2| < |VD2|，及/或| VI - V2| < IV。
6. 按照权利要求5所述的半导体器件，其特征在于前述电位差vi为vi = ov， ；sj或前述电位差V2为V2 = ov, ;^/或前述电位差VI与VD1为VI = VD1， l或前述电位差V2与VD2为V2 = VD2。
7. 按照权利要求4所述的半导体器件，其特征在于前述第1电极与第2电极，包括用于对光进行遮光的第1遮光电极 与第2遮光电极，不对光进行遮光的第l透明电极与第2透明电极，或对 光进行遮光的第1遮光电极与不对光进行遮光的第1透明电极、及对光进 行遮光的第2遮光电极与不对光进行遮光的第2透明电极的任一对。
8. 按照权利要求7所述的半导体器件，其特征在于在前述第1遮光电极与第2遮光电极之间形成有未形成遮光电极的遮 光电极间隙区域；在与前述遮光电极间隙区域重叠的区域形成有非透明性的间隙遮光体。
9. 按照权利要求7所述的半导体器件，其特征在于在前述第1遮光电极与第2遮光电极之间形成有未形成遮光电极的遮 光电极间隙区域；在前述第1透明电极与前述第2透明电极之间形成有未形成透明电极 的透明电极间隙区域；前述遮光电极间隙区域与前述透明电极间隙区域，在前述i4l的铅垂 方向上互不重叠地形成。
10. 按照权利要求7所述的半导体器件，其特征在于 前述第l遮光电极与前述第l透明电极为同一电位， 前述第2遮光电极与前述第2透明电极为同一电位。
11. 按照权利要求4所述的半导体器件，其特征在于 前述电位施加部具备通过晶体管所构成的自校正电压电路， 前述自校正电路构成为，输出对应于前述晶体管的阈值电压进行变化的电压，前述输出连接于前述第1电极A/或前述第2电极。
12. 按照权利要求4所述的半导体器件，其特征在于前述第1光传感器及前述第2光传感器为采用了薄膜多晶硅的PIN结 二极管或PN结二极管。
13. —种显示装置，其特征在于 具备权利要求4所述的半导体器件。
14. 一种电光装置，其具备在第l及第2^间夹持有电光物质的 形成有显示区域的面板，和对前述面板的周围光的照度进行检测的光检测部；其特征在于，前述光检测部，设置于前述第1或第2^的前述显示区域周缘部，具备被照射外光的第1光传感器，和 被遮断外光的照射的第2光传感器；前述第1光传感器与前述第2光传感器在前述显示区域周缘部配置有 多个。
15. 按照权利要求14所述的电光装置，其特征在于 具备向前述面板的显示区域照射光的光源；前述光源，在显示区域周缘部，配置于未配置前述第1光传感器与第 2光传感器的边。
16. 按照权利要求14所述的电光装置，其特征在于 前述第1光传感器与前述第2光传感器互相交替配置。
17. 按照权利要求14所述的电光装置，其特征在于前述第1光传感器和与其相邻地配置的前述第2光传感器，离开前述 显示区域的边界边的距离互相基本相等。
18. 按照权利要求14所述的电光装置，其特征在于， 使用于向前述第1光传感器照射前述面板的周围光而设置于第1或第2基板的多个开口部的尺寸形成为在与配置有前述开口部的显示区域周缘部的边界边平行的方向为 0.5mm以上且20mm以下的范围，并在与配置有前述开口部的前述显示区 域周缘部的边界边相正交的方向为0.05mm以上且为前述对向J^l的厚度以下。
19. 按照权利要求18所述的电光装置，其特征在于， 前述多个开口部，在前述显示区域周缘部，具备配置于对向于配置有前述光源的配置边的边的第l开口部，和配置于基本正交于配置边的边 的第2开口部；前述第1开口部的开口面积，比前述第2开口面积大。
20. —种电子设备，其特征在于 具备权利要求14所述的电光装置。
全文摘要
本发明涉及电光装置、半导体器件、显示装置及具备其的电子设备。有效地去除光传感器的热电流并提高耐电磁噪声性。具备被外光所照射的受光传感器(350P)，被遮断外光的遮光传感器(350D)，与前述受光传感器(350P)俯视重叠地构成的背光源遮光电极(611P)，与前述遮光传感器(350D)俯视重叠地构成的背光源遮光电极(611D)，和向前述各背光源遮光电极施加使前述受光传感器及遮光传感器的光电流量基本成为最大值的电位的自校正电压电路(361)。如此地，使光敏传感器2个串联进行配置，并单侧遮蔽外光。此时，对覆盖2个光敏传感器的背光源遮光电极分别施加不同的电位而使光电流最优化。
文档编号H01L27/144GK101256294SQ20081008065
公开日2008年9月3日 申请日期2008年2月26日 优先权日2007年2月26日
发明者小桥裕 申请人:爱普生映像元器件有限公司
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