电光装置及其制造方法和电子设备的制作方法
专利名称：电光装置及其制造方法和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶装置等电光装置及其制造方法和例如液晶投影仪等电 子设备的技术领域。
背景技术：
在这种电光装置中，例如在一对基板间封入了液晶等电光物质。在一 对基板中的元件14l上的显示区域中，通过层间绝缘膜以层叠结构制作了 像素电极、用于进行该像素电极的选择性驱动的扫描线、数据线和作为像素开关用元件的TFT(Thin Film Transistor),形成可以进4亍有源矩阵驱 动的结构。此外，在元件基板上的显示区域周围的周边区域，以层叠结构 制作了扫描线驱动电路、数据线驱动电路等各种电路及图像信号线等各种 布线。另外，以高对比度化等为目的，通常在TFT与像素电极间设置了存 储电容。这样的存储电容，在各像素的非开口区域内由扫描线及数据线、 晶体管等构成。关于这样的存储电容，在例如专利文献1中，公开了通过利用隔离绝 缘膜增大下侧电极的端面与上侧电极的端面的层间距离而防止在上下电极 的端面间发生电流泄漏(以下，称为r端面泄漏』)的技术。另外，为了降低电光物质的取向状态发生紊乱的可能性，对由上述层 叠结构引起的在元件基板的表面发生的凹凸，大多进行化学的研磨处理等 平坦化处理。[专利文献l]特开2006-276118号公报但是，上述隔离绝缘膜例如对在非开口区域形成的各存储电容设置而 在开口区域不设置时，将由于隔离绝缘膜的膜厚而增大非开口区域与开口 区域间的元件基板上的段差，所以，存在难于将元件基板的表面均匀地平 坦化的技术难题。发明内容本发明就是鉴于例如上述问题而提出的，目的旨在提供可以提高基板 表面的平坦性从而可以进行高品位的图像显示的电光装置及其制造方法和 具有该电光装置的电子设备。为了解决上述问题，本发明的电光装置的特征在于，在基板上具有多 个像素电极；晶体管，其设置在将各该像素电极的开口区域相互隔开的非开 口区域，与上述像素电极电气连接;存储电容，其至少隔着一层层间绝缘膜 配置在上述像素电极的下层侧，设置在上述非开口区域，并由下侧电极、 电介质膜和上侧电极顺序层叠而成，上述下侧电极具有，在上述M上从 平面看与上述上侧电极重叠的下侧电极本体部和从该下侧电极本体部的一 部分以与上述上侧电极不重叠的方式延伸的下侧电极延伸部；隔离绝缘膜， 其配置在上述下侧电极的基底面的上层侧并且上述上侧电极的下层侧，在 上述基板上从平面看，在包含上述下侧电极本体部和上述下侧电极延伸部 的边界的区域中，以除了上述下侧电极本体部的上述一部分外不与其他部 分重叠的方式形成；和第l虚设图形，其设置在上述开口区域，由与上述隔 离绝缘膜相同的膜构成。按照本发明的电光装置，在其动作时，例如，选择与扫描线电气连接 的各像素的晶体管进行驱动时，例如通过晶体管将从数据线供给的数据信 号(例如图像信号)加到像素电极上，可以进行有源矩阵驱动。这时，利用 存储电容，可以提高像素电极的电位保持特性，从而可以实现显示的高对 比度化。这里，晶体管、存储电容和例如数据线、扫描线等各种布线，在基板 上从平面看，设置在将各像素电极(即与像素电极对应的各像素)的开口区 域(即，在各^^素中透过或反射对显示实际有贡献的光的区域)相互隔开的 非开口区域内。即，晶体管、存储电容和各种布线，为了不妨碍显示，不 是设置在各像素的开口区域，而是设置在非开口区域。在本发明中，对存储电容，设置了隔离绝缘膜。构成存储电容的下侧 电极具有在基板上从平面看与上侧电极重叠的下侧电极本体部和从该下侧电极本体部的 一部分与上侧电极不重叠地延伸的下侧电极延伸部。隔离绝 缘膜配置在上述下侧电极的基底面的上层侧及上述上侧电极的下层侧，在 上述基板上从平面看在包含上述下侧电极本体部和上述下侧电极延伸部的 边界的区域中除了上述下侧电极本体部的上述一部分外，不与其他部分重 叠。即，隔离绝缘膜在典型的基板上的层叠结构的上侧电极和下侧电极间 形成使下侧电极本体部的一部分与下侧电极延伸部重叠(即，包含下侧电极 本体部与下侧电极延伸部的边界)。此外，隔离绝缘膜除了下侧电极本体部的一部分外，不与其他部分重叠。即，在基板上的层叠结构的下侧电极本 体部的其他部分与上侧电极间形成电介质膜，但是，不形成隔离绝缘膜。 即，下侧电极本体部的其他部分实际上是作为电容电极起作用的部分。隔 离绝缘膜只要在基板上的层叠结构的上侧电极与下侧电极间形成就行，可以配置在电介质膜的上层侧，也可以配置在电^h质膜的下层侧，另外，也 可以具有从在14l上的层叠结构的上侧电极和下侧电极间形成的部分与下 側电极不重叠地在下侧电极的基底面上延伸的部分。因此，隔离绝缘膜介于基板上的层叠结构的下侧电极本体部的一部分 与上侧电极间，同时，上侧电极的端面在下侧电极本体部的一部分与下侧 电极延伸部的边界配置在隔离绝缘膜上。因此，在下侧电极本体部的一部 分与下侧电极延伸部的边界，由于存在隔离绝缘膜，与不存在隔离绝缘膜 的情况相比，可以增大下侧电极的端面与上侧电极的端面的层间距离。这 样，就可以阻止端面泄漏的发生或防患于未然。这里所说的层间距离，是 指沿着与层叠结构的基板相交的方向或垂直方向的层叠方向的距离。此外， 在下侧电极本体部的一部分上，由于隔离绝缘膜的存在，可以防止通过刻 蚀等切断上侧电极时而切断到电介质膜和下侧电极(换言之，由于隔离绝缘 膜的存在，可以通过刻蚀等很容易加工上侧电极的端部，即，可以提高上 侧电极的端部的加工性)。因此，可以防止上侧电极的端面和下侧电极的端 面通过层间绝缘膜等接近配置而引起的端面泄漏的发生。在本发明中，在各像素电极的开口区域特别设置了由与隔离绝缘膜相 同的膜构成的第l虛设图形。本发明的所谓相同的膜，是指在制造工序的 相同机会中形成的膜，是同一种类的膜。所谓由相同的膜构成，并不是要求使用一张膜连续的部分，只要是从相同的膜中相互切断的膜就可以。第 1虚设图形在例如像素区域中排列成矩阵状的多个像素电极的各开口区域 的中央设置成岛状，具有矩阵状的图形形状。因此，可以降低开口区域与非开口区域间的^的表面上发生的段差。 即，可以利用在像素电极的开口区域内由与隔离绝缘膜相同的膜形成的第 1虚设图形模拟由设置在非开口区域内的隔离绝缘膜的膜厚引起的基板表 面的段差。换言之，可以利用第l虚设图形几乎均匀地发生基板上的开口 区域和非开口区域的表面的凹凸。因此，对于J41的表面(或基板上层叠的 像素电极的下层侧的层间绝缘膜的表面)上发生的凹凸，可以提高通过进行CMP等平坦化处理除去凹凸之后的基板表面的平坦性。这样，可以降低例 如液晶等电光物质的取向状态发生紊乱的可能性。或者，可以降低例如在 第1虛设图形和隔离绝缘膜的上层侧的层间绝缘膜上形成的布线发生断线 的可能性。此外，由于第1虚设图形由与隔离绝缘膜相同的膜形成，所以，几乎 不会或完全不会导致141上的层叠结构的复杂化或制造工序的复杂化。如上所述，按照本发明的电光装置，由于在多个像素电极的各开口区 域设置了由与隔离绝缘膜相同的膜构成的第1虚设图形，所以，可以降低 开口区域和非开口区域间的M的表面发生的段差，从而可以提高基板的 表面的平坦性。在本发明的电光装置的一种形态中，至少对层间绝缘膜中的某一个进 4亍平坦4t处理。按照该形态，在存储电容的上层侧具有例如进行了 CMP等平坦化处理 的层间绝缘膜。因此，可以提高层间绝缘膜的表面的平滑性从而可以使层 间绝缘膜的表面平坦。这里，特别是利用第l虚设图形的存在，降低开口 区域与非开口区域间的基敗的表面发生的段差，可以提高进行平坦化处理 后层间绝缘膜的表面的平坦性。在本发明的电光装置的其他形态中，作为上述的一种层间绝缘膜，具 有配置在上述上側电极上的第l层间绝缘膜，上述上侧电极具有与上述下 侧电极本体部重叠的上侧电极本体部和从该上侧电极本体部与上述下侧电极不重叠地在上述基底面上延伸的上侧电极延伸部，上述第l虛设图形的 边缘部分中面对上述上侧电极延伸部的部分与上述上侧电极延伸部的间隔小于上述层间绝缘膜的膜厚的值乘以上述第l层间绝缘膜的覆盖率的2倍。 按照该形态，上侧电极具有与下侧电极本体部重叠的上侧电极本体部 和从上侧电极本体部与下侧电极不重叠地在基底面上延伸的上侧电极延伸 部。即，上侧电极延伸部从与下侧电极本体部重叠的上侧电极本体部覆盖侧电极的基底面上延伸。因此，利用到下侧电极本体部的端面也可以确保 更大的电容面积。因此，不增大存储电容本身在基板上的配置面积就可以 在基板上的有限的区域即非开口区域内增大电容值。另外，上侧电极延伸 部可以具有在下部电极的基底面上隔着电介质膜形成的部分，也可以具有 在该基底面上直接形成的部分。此外，按照该形态，第1虛设图形的边缘部分中面对上側电极延伸部 的部分与上侧电极延伸部的间隔小于第1层间绝缘膜的膜厚的值乘以第1 层间绝缘膜的覆盖率的2倍。即，(第l虚设图形的边缘部分中面对上侧电 极延伸部的部分与上侧电极延伸部的间隔)〈(第1层间绝缘膜的膜厚)x (第1层间绝缘膜的覆盖率)x2的关系式成立。这里，本发明的所谓覆盖率， 表示膜覆盖物体的情况，定义为覆盖物体的上表面的部分的膜厚与覆盖侧 面的膜的膜厚的比率。即，覆盖率-(覆盖物体的侧面的部分的膜厚)/(覆盖 物体的上表面的部分的膜厚)的关系式成立。因此，第l虚设图形的边缘部 分中面对上侧电极延伸部的部分与上侧电极延伸部的距离小于第1层间绝 缘膜的膜厚的值乘以第1层间绝缘膜的覆盖率的2倍。于是，不会由第1 虚设图形的侧面、下侧电极的基底面和上侧电极延伸部的侧面的3个面形 成幅度宽的凹部。因此，可以由第l层间绝缘膜几乎或完全将由第l虚设 图形的侧面、下侧电极的基底面和上侧电极延伸部的侧面的3个面形成的 凹部掩埋，从而可以几乎或完全消除在第1层间绝缘膜的表面发生的段差。 换言之，第l层间绝缘膜通过覆盖幅度宽的凹部，可以防止在第l层间绝 缘膜的表面发生大的凹部。在上述具有第1层绝缘膜的形态中，具有由配置在上述第1层间绝缘膜上的导电膜构成的第1布线，上述间隔大于上述第1布线的膜厚的值乘以上述第1布线的覆盖率的2倍。这时，在第l层间绝缘膜上，形成例如数据线、电容线等的第l布线。 此外，第1虚设图形的边缘部分中面对上侧电极延伸部的部分与上侧电极 延伸部的间隔大于第l布线的膜厚的值乘以第l布线的覆盖率的2倍。即， (第1虚设图形的边缘部分中面对上侧电极延伸部的部分与上侧电极延伸 部的间隔)〉(第l布线的膜厚)x (第l布线的覆盖率)x2的关系式成立。因 此，第1虚设图形的边缘部分中面对上侧电极延伸部的部分与上侧电极延 伸部的距离大于第l布线的膜厚的值乘以第l布线的覆盖率的2倍。于是， 可以使由第l虛设图形的侧面、下侧电极的基底面和上侧电极延伸部的侧 面的3个面形成的凹部的幅度扩大到不会对第1布线的形成产生不良影响 的程度。即，在第1层间绝缘膜上形成第1布线的前驱膜之后，通过对该 前驱膜进行刻蚀而形成第l布线时，可以避免在由第l虚设图形的侧面、 下侧电极的基底面和上侧电极延伸部的侧面的3个面形成的凹部引起的第 1层间绝缘膜的避免发生的凹部内残留一部分前驱膜。另外，第1布线的 膜厚小于第l层间绝缘膜的膜厚。在本发明的电光装置的其他形态中，具有设置在位于上述基板上设置电极的周边电路部。按照该形态，用于驱动多个像素电极的包含例如扫描线驱动电路、数 据线驱动电路等周边电路及例如图像信号线、电源线等周边布线的周边电 路部设置在周边区域。周边电路部由与例如构成晶体管、在存储电容等的 像素区域形成的各种布线或电子元件半导体膜或导电膜相同的膜形成。这 里，在周边区域以比形成像素区域的晶体管、存储电容、数据线或扫描线 的密度高的高密度形成周边电路部。因此，利用在像素区域的各开口区域 设置的第l虚设图形，可以降低由基板上的凹凸的密度发生的起伏或段差 即全面的段差。于是，在例如具有这样的层叠结构的a和与其相对的对 向基板之间封入液晶等电光物质时，由于基板表面几乎没有起伏段差，是 平坦的，所以，可以降低电光物质的取向状态发生紊乱的可能性，从而可以进行更高品位的显示。假如有起伏段差时，在像素区域内靠近中央的区 域和靠近周边的区域，将发生对比度模糊或亮度模糊，但是，按照本发明， 可以降低这样的现象或防患于未然。在上述具有周边电路部的形态中，在上述周边区域，也可以具有由与上述隔离绝缘膜相同的膜构成的第2虚设图形。这时，第2虚设图形在例如周边区域形成片状。因此，在例如周边区 域中的周边电路部的密度比较低时，利用第2虛设图形可以降低J41表面 发生的起伏段差。为了解决上述问题，本发明的电子设备具有上述本发明的电光装置(其 中，包含各种形态)。由于本发明的电子设备具有上述本发明的电光装置，所以，可以实现 可显示高品位的图像的电视机、手机、电子记事簿、文字处理器、取景器 型或监视器直视型的录像机、工作站、可视电话、P0S终端、触摸屏等以 及将电光装置作为曝光用记录头使用的打印机、复印机、传真机等的图像 形成装置等各种电子设备。另外，作为本发明的电子设备，也可以实现例 如电子纸张等电泳装置、电子放射装置等。为了解决上述问题，本发明的电光装置的制造方法，是制造在基板上 具有多个像素电极、晶体管、存储电容的电光装置的电光装置制造方法， 其特征在于，包括:在将上述各像素电极的开口区域相互隔开的非开口区域 形成晶体管的工序；在上述非开口区域顺序层叠下侧电极、电介质膜和上侧 电极而形成上述存储电容的工序；和隔着至少一层层间绝缘膜在上述存储 电容的上层侧以与上述晶体管电气连接的方式形成上述像素电极的工序； 其中，形成上述存储电容的工序包括:形成下侧电极使之具有在上述141上 从平面看与上述上侧电极重叠的下侧电极本体部和从该下侧电极本体部的 一部分以与上述上侧电极不重叠的方式延伸的下侧电极延伸部的工序；和 在上述下側电极的基底面的上层侧并且上述上侧电极的下层侧，在上述基 板上从平面看，在包含上述下側电极本体部与上述下侧电极延伸部的边界 的区域中，以除了上述下侧电极本体部的上述一部分外不与其他部分重叠 的方式形成隔离绝缘膜，并且在上述开口区域形成由与上述隔离绝缘膜相同的膜构成的虚设图形的工序。按照本发明的电光装置的制造方法，可以制造上述本发明的电光装置。 这里，特别是虚设图形由与隔离绝缘膜相同的膜形成，所以，不会导致制 造工序的复杂化，从而可以提高基板的表面的平坦性。本发明的作用和其他优点，通过下面说明的用于实施的最佳的形态即 明白。二)三)
图l是表示实施例1的液晶装置的全体结构的平面图。图2是图i的n-ii'剖面图。图3是实施例i的液晶装置的多个像素部的等效电路图。图4是实施例1的液晶装置的多个像素部的平面图。 图5是图4的V-V'剖面图。图6是表示存储电容、隔离绝缘膜和虚设图形的配置关系的平面图。图7是图6的VII-VII'剖面图。图8是变形例与图7相同意思的剖面图。图9是表示实施例1的液晶装置的制造工艺的各工序的工序图(之一)。 图10是表示实施例1的液晶装置的制造工艺的各工序的工序图(之图11是表示实施例1的液晶装置的制造工艺的各工序的工序图(之图12是表示作为应用电光装置的电子设备的一例的投影仪的结构的平面图具体实施方式
下面，参照
本发明的实施例。在以下的实施例中，以作为本 发明的电光装置的一例的驱动电路内置型的TFT有源矩阵驱动方式的液晶 装置为例。实施例1.参照图1 ~图7说明实施例1的液晶装置。 首先，参照图l和图2说明本实施例的液晶装置的全体结构。 图l是表示本实施例的液晶装置的结构的平面图，图2是图1的II-II '剖面图。在图1和图2中，在本实施例的液晶装置中，相对配置了 TFT阵列基 板10和对向基板20。液晶层封入到TFT阵列基板10和对向M 20之间， TFT阵列基板10和对向皿20利用设置在位于作为本发明的像素区域的 一例的像素显示区域10a的周围的密封材料52相互粘接。在图1中，规定图像显示区域10a的边框区域的遮光性的边框遮光膜 53与配置了密封材料52的密封区域的内侧平行地设置在对向基板20侧。 另夕卜，在图像素显示区域10a的周边存在周边区域。在本实施例中，从TFT 阵列基板10的中心看，从该边框遮光膜53开始的以远区域规定为周边区 域。在周边区域中位于配置了密封材料52的密封区域的外侧的区域，沿 TFT阵列M 10的一边设置了数据线驱动电路101和外部电路连接端子 102。在沿该一边的密封区域的内側，覆盖边框遮光膜53而设置了取样电 路7。在沿与该一边相邻的2边的密封区域的内侧，覆盖边框遮光膜53设置 了扫描线驱动电路104。在TFT阵列基板10上，在与对向基板2的4个角 部相对的区域，配置了用于由上下导通材料107将两个基板间连接的上下 导通端子106。这样，就可以使TFT阵列基板1Q与对向基板20之间电气 导通。在TFT阵列基板10上的周边区域，形成了用于将外部电路连接端子 102、数据线驱动电路IOI、扫描线驱动电路104、上下导通端子106等电 气连接的连接布线90。连接布线90包含例如用于供给图像信号的图像信 号线和用于供给电源电位的电源电位线。外部电路连接端子102、数据线 驱动电路IOI、扫描线驱动电路104、上下导通端子106和连接布线90构成本发明的周边电路部的一例。在图2中，在TFT阵列基板10上的图像显示区域10a,形成制作进了作为驱动元件的像素开关用的TFT及扫描线、数据线等的布线的层叠结构。 在图像显示区域10a，在像素开关用TFT及扫描线、数据线等布线的上层， 像素电极9a设置成矩阵状。在像素电极9a上，形成取向膜。另一方面， 在对向基板20与TFT阵列基板10的相对面上，形成遮光膜23。遮光膜23 由例如遮光性金属膜等形成，在对向基板20上的图像显示区域10a内，形 成例如格子状等图形。并且，在遮光膜23上，由ITO等透明材料构成的对 向电极21与多个像素电极9a相对地形成片状。在对向电极21上，形成取 向膜。另外，液晶层50由例如将一种或数种向列液晶混合的液晶构成，在 一对取向膜间形成指定的取向状态。这里虽然未图示，但是，在TFT阵列基板10上的周边区域，除了数据 线驱动电路101和扫描线驱动电路104外，也可以形成用于检查制造途中 或出厂时该液晶装置的品质、缺陷等的检查电路、检查用图形等。 下面，参照图3说明本实施例的液晶装置的像素部的原理结构。 图3是本实施例的液晶装置的多个像素的各种元件、布线等的等效电 路图。在图3中，在构成本实施例的液晶装置的图像显示区域10a的形成矩 阵状的多个像素中，分别形成像素电极9a和用于开关控制该像素电极9a 的TFT30。 TFT30是本发明的晶体管的一例，其源极与供给图傳 f言号的数据 线6a电气连接。写入数据线6a的图像信号Sl、 S2、…、Sn可以顺序按线顺序供给， 也可以对相邻的多个数据线6a之间按组供给。扫描线lla与TFT30的栅极电气连接，在指定的时刻，顺序按线顺序将扫描信号G1、G2.....Gm脉沖式加到扫描线lla上。像素电极9a与TFT30的漏极电气连接，通过使作为开关元件的TFT30在一定期间关闭，在指定 的时刻写入从数据线6a供给的图像信号Sl、 S2..... Sn。通过像素电极9a写入作为电光物质的一例的液晶的指定电平的图像信 号S1、 S2、…、Sn在与对向基板20上形成的对向电极21之间保持一定期 间。液晶通过所加的电压电平而改变分子集合的取向或秩序，从而调制光， 从而可以进行灰度显示。如是常白模式，就根据按各像素单位所加的电压减少对入射光的透过率，如果是常黑模式，就根据按各像素单位所加的电 压增加对入射光的透过率，而总体上从液晶装置出射具有与图^象信号相应 的对比度的光。为了防止这里所保持的图像信号发生泄漏，附加了与在^象素电极9a和 对向电极21(参见图2)之间形成的液晶电容电气并联的存储电容70。存储 电容70的一方的电极与像素电极9a电气并联地与TFT30的漏极连接，另 一方的电极与电位固定的电容布线300电气连接而成为恒定电位。下面，参照图4和图5说明本实施例的液晶装置的像素部的具体的结构。图4是相邻的多个像素部的平面图，图5是图4的V-V'剖面图。在图 4和图5中，由于使各层和各部件在图面上达到可以识别的大小，所以， 各层和各部件的大小比例不同。关于这一点，在图6以后的各图也一样。 另外，在图4和图5中，为了便于说明，省略了位于像素电极9a上侧的部 分的图示。在图4中，像素电极9a在TFT阵列141 10上设置成矩阵状。分别沿 像素电极9a的纵横的边界设置了数据线6a和扫描线ll(即，扫描线lla 和llb)。扫描线lla和llb分别沿X方向延伸，数据线6a分别与扫描线 lla和lib交叉，沿Y方向延伸。在扫描线11和数据线6a相互交叉的各 个地方设置了像素开关用的TFT30。扫描线ll、数据线6a、存储电容70、中继层93和TFT30在TFT阵列 基板10上从平面看配置在将与像素电极9a对应的各像素的开口区域(即在 各像素中，实际对显示有贡献的光透过或反射的区域)相互隔开的非开口区 域内。即，这些扫描线ll、存储电容70、数据线6a和TFT30为了不妨碍 显示，不是配置在各像素的开口区域，而是配置在非开口区域内。在图4和图5中，TFT30包含半导体层la和栅极3a。半导体层la由例如多晶硅构成，由沟道区域la'、低浓度源极区域 lb及低浓度漏极区域lc和高浓度源极区域ld及高浓度漏极区域le构成。 即，TFT30具有LDD(Lightly Doped Drain)结构。低浓度源极区域lb、低 浓度漏极区域lc、高浓度源极区域ld及高浓度漏极区域le是例如通过离子注入法等的杂质搀入而将杂质搀入半导体层la的杂质区域。利用这样的 杂质区域，在TFT30的非动作时，可以降低源极区域和漏极区域流通的截 止电流，并且，可以抑制TFT30动作时流通的导通电流的降低。另夕卜，TFT30 虽然最好具有LDD结构，但是，可以是不对低浓度源极区域lb、低浓度漏 极区域lc进行杂质搀入的偏置结构，也可以是将栅极3a作为掩模而将杂 质高浓度注入从而形成高浓度源极区域和高浓度漏极区域的自整合型结 构。如图4和图5所示，栅极3a作为扫描线lla的一部分而形成，例如， 由导电性多晶硅形成。扫描线lla具有图4中沿X方向延伸的主线部和与 TFT30的沟道区域la'中该主线部不重叠的区域重叠而沿Y方向从主线部 延伸的部分。这样的扫描线lla中与沟道区域la'重叠的部分起栅极3a 的功能。如图5所示，TFT阵列基板10的层叠结构的栅极3a和半导体层la间 (即，在与TFT阵列基板10的a面垂直的方向，栅极3a和半导体层la 间)，由栅极绝缘膜2(更具体而言，由2层的绝缘膜2a和2b)所绝缘。在图4和图5中，配置在半导体层la的下层侧的栅极3b作为扫描线 llb的一部分而形成。即，在本实施例中，在半导体层la的上层侧和下层 侧设置了 2种扫描线lla和llb。半导体层la下层侧的扫描线llb，从平 面看，具有在图4中沿X方向图形化的本线部和从该本线部沿Y方向延伸 的部分。这样的扫描线lib中与沟道区域la'重叠的部分在半导体层la 的下层侧起栅极3b的功能。这样，TFT30就具有双栅极结构。按照这样的 结构，与仅在半导体层la的上层侧或下层侧的一方形成栅极的情况相比， 可以增大TFT30的导通电流。扫描线lib利用例如钨、钛、氮化钛等高熔点金属材料等的遮光性的 导电材料在半导体层la的下层侧形成，可以降低返回TFT阵列基板10的 光中入射到TFT30的沟道区域la'的光。如图5所示，半导体层la的下层侧的扫描线lib和半导体层la间由 基底绝缘膜12所绝缘。基底绝缘膜12除了从扫描线lib将TFT3Q绝缘外， 通过在TFT阵列基板10的整个面上形成，可以防止TFT阵列基板10的表面研磨时的粗糙以及在清洗之后残留的污垢等引起像素开关用的TFT30的 特性劣化。在图5中，隔着第1层间绝缘膜41在TFT阵列基板10上的TFT30的 上层侧设置了存储电容70。第1层间绝缘膜41由例如NSG(非硅酸盐玻璃)、PSG(硅酸盐玻璃)、 BSG(硼硅玻璃)、BPSG(硼砩玻璃)等硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等构成。存储电容70由下侧电极71和上侧电极301隔着电^h质膜75相对配置 而形成。上側电极301形成电容布线300的一部分。电容布线300从配置了像 素电极9a的图像显示区域10a在其周围延伸。上侧电极301通过电容布线 300与恒压源电气连接，起维持为固定电位的固定电位侧电容电极的功能。 上侧电极301(换言之，电容布线300)由例如包含A1、 Ag等的金属或合金 的非透明的金属膜形成，可以起将向TFT30入射的光遮光的上侧遮光膜的 功能。上侧电极301可以由包含例如Ti、 Cr、 W、 Ta、 Mo、 Pd等的高熔点 金属中的至少1个金属单体、合金、金属硅化物、多晶硅以及它们的层叠 等构成。下侧电极71与TFT30的高浓度漏极区域le和像素电极9a电气连接， 起像素电位侧电容电极的功能。更具体而言，下侧电极71通过接触孔83 与高浓度漏极区域le电气连接，同时，通过接触孔84与中继层93电气连 接。此外，中继层93通过接触孔85与像素电极9a电气连接。即，下侧电 极71和中继层93 —起中继高浓度漏极区域le和像素电极9a间的电气连 接。下側电极71由例如导电性的多晶硅形成。另外，下侧电极71除了起 像素电位侧电容电极的功能外，也起配置在作为上侧遮光膜的上侧电极 301与TFT30间的光吸收层或遮光膜的功能。电介质膜75具有由例如HTO (高温氧化)膜、LTO (低温氧化)膜等氧 化硅膜或氮化硅膜等构成的单层结构或多层结构。这里，在本实施例中，在将电容70的同一层，形成隔离绝缘膜49和 由与该隔离绝缘膜49相同的膜构成的虛设图形。关于它们的详细结构，后 面参照图6和图7进行说明。在图5中，隔着第2层间绝缘膜42在TFT阵列M 10上的存储电容 70的上层侧设置了数据线6a和中继层93。第2层间绝缘膜42和上述第1层间绝缘膜41 一样，由例如NSG等构成。数据线6a通过贯穿第1层间绝缘膜41和第2层绝缘膜42而开孔的接 触孔81与半导体层la的高浓度源极区域ld电气连接。数据线6a和接触 孔81内部，由例如Al-Si-Cu、 Al-Cu等含有Al的材料或Al单体或者Al 层和TiN层等的多层膜构成。数据线6a可以起对TFT30进行遮光的遮光膜 的功能。中继层93在第2层间绝缘膜42上由与数据线6a相同的膜形成。因此， 在制造液晶装置时，可以在同一工序中形成数据线6a和中继层93，所以， 可以使装置的制造工艺简便。在图5中，^象素电极9a隔着第3层间绝缘膜43在数据线6a的上层侧形成。第3层间绝缘膜43与上述层间绝缘膜41和42 —样，由例如NSG等构 成。此外，第3层间绝缘膜43进行了平坦化处理。即，作为本发明的平坦 化处理的一例，对第3层间绝缘膜43的表面进行了 CMP研磨处理。另夕卜， 作为平坦化处理，可以例如将第3层间绝缘膜43加热使之流动化即进行熔 融的流动化处理，或者，也可以通过旋涂而形成平坦化膜进行平坦化处理。像素电极9a通过下侧电极71、接触孔83、 84及85和中继层93与半 导体层la的高浓度漏极区域le电气连接。接触孔85通过在贯穿层间绝缘 层43而形成的孔部的内壁由IT0等构成像素电极9a的导电材料成膜而形 成的。在像素电极9a的上侧表面设置进行了摩擦处理等指定的取向处理的 取向膜。如图4所示，以上说明的^f象素部的结构对各像素部是共同的。在图像 显示区域10a(参见图1),周期性地形成这样的像素部。另一方面，在本实 施例的液晶装置中，在位于图像显示区域10a的周边的周边区域，如参照 图1和图2的上述那样，形成扫描线驱动电路104和数据线驱动电路101 等周边电路部。下面，参照图6和图7说明本实施例中特征的隔离绝缘膜和由与该隔 离绝缘膜相同的膜构成的虚设图形的结构。图6是表示存储电容的上侧电极和下侧电极与隔离绝缘膜、虛设图形 的配置关系的平面图，图7是图6的VII-Vir剖面图。在图7中特别着 眼于存储电容、隔离绝缘膜和虛设图形的配置关系而详细地表示了其结构， 对于其他部分，对与图5相同的结构省略了图示。关于这一点，对后面所 述的图8也一样。在图6和图7中，构成存储电容70的下侧电极71具有在TFT阵列基 板10上从平面看与上侧电极301重叠的下侧电极本体部71 a和从该下侧电 极本体部71a的一部分71al与上侧电极301不重叠地延伸的下侧电极延伸 部71b。下侧电极本体部71a起对存储电容70的电容形成部分地有贡献的 电容电极的功能。下侧电极延伸部71b由于与上侧电极301不重叠，所以， 可以避开上侧电极301形成用于将下侧电极71和中继层93相互电气连接 的接触孔84。即，下侧电极延伸部71b起通过接触孔84与中继层93(换言 之，通过接触孔84与中继层93电气连接的像素电极9a)电气连接的接触 部分的功能。在图6和图7中，对存储电容70设置了隔离绝缘膜49。隔离绝缘膜 49将下侧电极延伸部71b覆盖。更具体而言，隔离绝缘膜49配置在下侧 电极71的基底面(即笫1层间绝缘膜41的表面)41s的上层侧和上侧电极 301的下层侧，在TFT阵列基板10上从平面看，在包含下侧电极本体部71a 和下侧电极延伸部71b的边界Bd的区域，不与除了下侧电极本体部71a 的一部分71al以外的其他部分71a2重叠。即，隔离绝缘膜49在TFT阵列 M 10上的层叠结构的上侧电极301和下侧电极71之间，与下侧电极本 体部71a的一部分71al和下侧电极延伸部71b重叠(即，下侧电极本体部 71a的一部分71al和下侧电极延伸部71b的边界Bd)。此外，隔离绝缘膜 49与下侧电极本体部71a的其他部分71a2不重叠。即，在TFT阵列J^l 10上的层叠结构的下側电极本体部的其他部分71a2与上侧电极301之间 形成了电介质膜75,而不形成隔离绝缘膜49。即，下侧电极本体部的其他 部分71a2实际上M电容电极的功能的部分。因此，在TFT阵列14110上的层叠结构的下侧电极本体部的其他部分 71a2与上侧电极301之间，存在隔离绝缘膜49，同时，上侧电极301的端 面在下侧电极本体部71a与下侧电极延伸部71b的边界Bd配置在隔离绝缘 膜49上。于是，在下侧电极本体部71a与下侧电极延伸部71b的边界Bd， 由于隔离绝缘膜49的存在，与不存在隔离绝缘膜49的情况相比，可以增 大下侧电极71的端面与上侧电极301的端面的层间距离。这样，就可以阻 止端面泄漏的发生，或者防患于未然。此外，在下侧电极本体部的一部分 71al，由于隔离绝缘膜49的存在，可以防止在通过刻蚀等切断上侧电极 301时切断到下侧电极71。因此，可以防止上侧电极301的端面与下侧电 极71的端面靠近配置而引起的端面泄漏的发生。另外，隔离绝缘膜49也 可以配置在TFT阵列基板10上的层叠结构的电介质膜75与上侧电极301 之间。在图6和图7中，上侧电极301具有与下侧电极本体部71a重叠的上 侧电极本体部301a和从上侧电极本体部301a与下侧电极71不重叠地在下 侧电极71的基底面41s上延伸的上侧电极延伸部301b。上側电极延伸部 301b从与下侧电极本体部71a重叠的上侧电极本体部301a覆盖下侧电极 本体部71a的其他部分71a2的端面而在基底面41s上延伸。因此，通过利 用到下侧电极本体部71a的其他部分71a2的端面，可以确保进一步增大电 容面积。于是，不增大存储电容70本身的TFT阵列基板10上的配置面积， 在TFT阵列基4！ 10上的有限的区域即非开口区域R2内就可以增大电容值。 另夕卜，上側电极延伸部301b也可以隔着电介质膜75在下侧电极71的基底 面41s上形成。按照本实施例的液晶装置，由于具有上述结构的存储电容70，所以， 可以进行明亮并且高对比度的高品位的图像显示。在图6和图7中，本实施例特别在各像素电极9a的开口区域R1中设 置了由与隔离绝缘膜49相同的膜构成的虛设图形910。即，虛设图形910是在制造工序中在与隔离绝缘膜49相同的机会中形 成的膜，是与隔离绝缘膜49相同种类的膜。此外，虚设图形910通过在图 像显示区域10a排列成矩阵状的多个像素电极9a的各开口区域R1的中央设置成岛状，具有矩阵状的图形形状。虛设图形910在各开口区域R1与隔 离绝缘膜49连续地形成。另外，虛设图形910也可以与隔离绝缘膜40相 互分割地形成。利用这样的虚设图形910，可以降低在开口区域Rl与非开口区域R2 之间的TFT阵列J4110的表面产生的段差B1。即，利用在像素电极9a的 开口区域R1内由与隔离绝缘膜49相同的膜形成的虛设图形910可以模拟 由设置在非开口区域R2内的隔离绝缘膜49的膜厚T1引起的TFT阵列J4！ 10的表面的段差。换言之，利用虚设图形910可以使TFT阵列基板10上 的开口区域R1和非开口区域R2的表面的凹凸几乎均匀。因此，可以提高 对形成像素电极9a的第3层间绝缘膜43的表面产生的凹凸进行CMP等平 坦化处理而除去凹凸之后的第3层间绝缘膜43的表面的平坦性。这样，就 可以降低液晶的取向状态发生紊乱的可能性。此外，如上所述，由于虛i殳图形910由与隔离绝缘膜49相同的膜形成， 所以，几乎或完全不会导致TFT阵列基板10上的层叠结构的复杂化或制造 工序的复杂化。此外，在图6和图7中，本实施例特别使虚设图形910和上侧电极延 伸部301b的虚设图形910的边缘部分中面对上侧电极延伸部301b的部分 910a与上侧电极延伸部301b的间隔D小于第2层间绝缘膜42的膜厚T2 的值乘以第2层间绝缘膜42的覆盖率Cvl的2倍。覆盖率Cvl表示第2 层间绝缘膜42覆盖上側电极延伸部301b(或者虛设图形910)的情况，定义 为覆盖上侧电极延伸部301b的上表面的部分的膜厚Ta(即隔离绝缘膜49 的膜厚Tl)与覆盖侧面的部分的膜厚Tb的比率。即，覆盖率Cvl-膜厚Tb/ 膜厚Ta关系式成立。因此，间隔Dl〈膜厚T2x覆盖率Cvlx2的关系式成立。这里，假如间隔Dl大于第2层间绝缘膜42的膜厚T2的值乘以第2层 间绝缘膜42的覆盖率Cvl的2倍时，由虚设图形910的侧面、下侧电极具有大于第2层间绝缘膜42中覆盖上侧电极延伸部301b的侧面的部分的 膜厚和第2层间绝缘膜42中覆盖虚设图形910的侧面的部分的膜厚的膜厚 之和的宽的幅度。因此，不能由第2层间绝缘膜42将幅度宽的凹部完全埋没，有可能增大在第2层间绝缘膜42的表面发生的段差。在这样的本实施例中，如上所述，间隔Dl〈膜厚T2x覆盖率Cvlx2的 关系式成立。因此，可以将由虚设图形910的侧面、基底面41s和上侧电 极延伸部301b的侧面的3个面所形成的凹部610形成具有窄的幅度的形 态。于是，可以由第2层间绝缘膜42将凹部610几乎或完全埋没，从而可 以更可靠地降低在第2层间绝缘膜42的表面发生的段差。 图8是变形例的与图7相同意思的剖面图。如图8作为变形例所示的那样，可以具有由配置在第2层间绝缘膜42 上的导电膜构成的布线810，使间隔Dl大于布线810的膜厚T3的值乘以 布线810的覆盖率Cv2的2倍。即，也可以构成使间隔Dl〉膜厚T3x覆盖率 Cv2x2的关系式成立。按照这样的结构，可以使由虚设图形910的側面、 下侧电极71的基底面和上侧电极延伸部301的侧面的3个面形成的凹部 620的幅度增大到对布线810的形成不会产生不良影响的程度。即，在第2 层间绝缘膜42上，在例如TFT阵列基板10上的全面上形成布线810的前 驱膜后，在对该前驱膜进行刻蚀而形成布线810时，可以避免在由凹部620 引起的第2层间绝缘膜42的表面发生的凹部内残留一部分前驱膜。即，由 于由凹部620引起的在第2层间绝缘膜42的表面发生的凹部的幅度窄，所 以，可以避免难于通过刻蚀除去该凹部内的前驱膜的情况。此外，如以上参照图l和图2所述的那样，在本实施例中，在位于图 像显示区域10a的周边的周边区域，设置了包含扫描线驱动电路104、数 据线驱动电路101等驱动电路及连接布线90的周边电路部。周边电路部由 与构成TFT30、存储电容70等的各像素形成的各种布线或电子元件的半导 体膜或导电膜相同的膜形成。这里，周边电路部以比形成图像显示区域10a 的TFT30、存储电容70、数据线6a或扫描线11等的密度高的高密度在周 边区域形成。因此，利用设置在图像显示区域10a的各开口区域Rl的虚设 图形910,可以降低由TFT阵列基板10上的凹凸的密度发生的起伏或段差 即全局段差。因此，按照本实施例，由于在TFT阵列1^110的表面几乎没 有全局段差，平坦性高，所以，可以降低构成液晶层50的液晶的取向状态 发生紊乱的可能性，从而可以进行更高品位的显示。假如有全局段差，在图像显示区域10a内靠近中央的区域和靠近周边的区域将会发生对比度模 糊或亮度模糊，但是，按照本实施例，可以降低这样的现象或防患于未然。另外，在周边区域，也可以将由与隔离绝缘膜49相同的膜构成的虚设 图形形成例如片状。这样，在周边区域的周边电路部的密度比较低时，也 可以降低在TFT阵列基板10的表面发生的全局段差。如上所述，按照本实施例的液晶装置，由于在多个像素电极9a的各开 口区域R1设置了由与隔离绝缘膜49相同的膜构成的虚设图形810，所以， 可以降低开口区域Rl与非开口区域R2之间的TFT阵列基板10的表面发生 的段差，从而可以提高TFT阵列^10的表面的平坦性。(制造方法)下面，参照图9~图ll说明上述实施例的液晶装置的制造工艺。图9~图11是表示本实施例的液晶装置的制造工艺的各工序的工序 图，图9和图11以与图5对应的剖面表示，图10以与图7对应的剖面表 示。这里，主要说明本实施例的液晶装置中作为主要部分的扫描线、TFT、 数据线、存储电容和像素电极的形成工序。另外，特别详细地说明存储电 容和虛设图形的形成工序。首先，在图9所示的工序中，在TFT阵列基板10上形成扫描线11 ~第 1层间绝缘膜41的各层结构。这时，将TFT30形成在与扫描线11 (即扫描 线lla和llb)和后形成的数据线6a的交叉对应的区域。在各工序中，可 以使用通常的半导体集成技术。另外，在第1层间绝缘膜41形成之后，可 以利用CMP处理等使其表面平坦化。其次，对第1层间绝缘膜41的表面的指定位置进行刻蚀，开设深度到 达高浓度漏极区域le的接触孔83。然后，按指定的图形层叠导电性的多 晶硅膜等，形成下侧电极71。这时，将下侧电极71形成为具有与后形成 的上侧电极301 (参见图10 (b))重叠的下侧电极本体部71a和从该下侧电极 本体部71a的一部分与上侧电极301不重叠地延伸的下侧电极延伸部71b。然后，在图10(a)所示的工序中，在第1层间绝缘膜41和下侧电极71 上，层叠透明的绝缘膜，覆盖该绝缘膜上应形成隔离绝缘膜49和虛设图形 910的区域层叠指定图形的抗刻蚀剂500，通过进行刻蚀，形成隔离绝缘膜49和虚设图形910。这时，使隔离绝缘膜49位于下侧电极延伸部71b和下 侧电极本体部的一部分71al之上，并且，与下侧电极本体部的其他部分 71a2不重叠。此外，如以上参照图6所述的那样，在开口区域R1将虛设 图形910形成岛状。这样，在本实施例中，由于由与隔离绝缘膜49相同的 膜形成虚设图形910，所以，不会导致制造工序的复杂化。另外，在图10(b)所示的工序中，使用溅射或CVD法等层叠电介质膜 75。然后，在电介质膜75上层叠上侧电极301。接着，层叠指定图形的抗刻蚀剂510，进行刻蚀，通过切断上侧电极 301和电介质膜75，形成各像素的存储电容70。这时，将上侧电极301形 成为具有与下侧电极本体部71a重叠的上侧电极本体部301a和从上侧电极 本体部301a与下侧电极71不重叠地延伸的上侧电极延伸部301b。其次，在图ll所示的工序中，层叠第2层间绝缘膜42。然后，对其表 面的指定位置进行刻蚀，开设接触孔81和84。进而，在第2层间绝缘膜 42上，形成数据线6a和中继层93。数据线6a通过贯穿第2层间绝缘膜 42和41的接触孔81与高浓度源极区域ld连接。中继层93通过贯穿第2 层间绝缘膜42和隔离绝缘膜49的接触孔84与下侧电极71 (更正确地说下 側电极延伸部71b)连接。然后，在TFT阵列aiO的整个面上，形成第3层间绝缘膜43的前 驱膜43a。在前驱膜43a的表面发生由存储电容70及隔离绝缘膜49等引 起的凹凸。因此，增厚前驱膜43a，通过例如CMP处理削减到图中虚线的 位置，通过4吏该表面平坦化，得到第3层间绝缘膜43。这里，如上所述， 形成隔离绝缘膜49时，由与隔离绝缘膜49相同的膜形成虛设图形910， 所以，可以得到表面平坦性高的第3层间绝缘膜43。然后，对第3层间绝缘膜43的表面的指定位置进行刻蚀，开i殳接触孔 85(参见图4和图5)。进而，在第3层间绝缘膜43的表面的指定位置形成 像素电极9a(参见图4和图5)。按照以上说明的液晶装置的制造方法，可以制造上述本实施例的液晶 装置。这里，特别由与隔离绝缘膜49相同的膜形成虛设图形910，所以， 不会导致制造工(电子设备)下面，说明将上述作为电光装置的液晶装置应用于各种电子设备的情 况。以下，说明将该液晶装置作为光阀使用的投影仪。图12是表示投影仪的结构例的平面图。如图12所示，在投影仪1100的内部，设置了由卣素灯等白色光源构 成的灯单元1102。从该灯单元1102射出的投射光由导光器1104内配置的 4个反射镜1106和2个分色镜1108分离为RGB的3原色，入射到与各原 色对应的作为光阀的液晶屏1110R、 1110B和1110G上。液晶屏1110R、 1110B和1110G的结构与上述液晶装置相同，分别由从 图像信号处理电路供给的R、 G、 B的原色信号所驱动。并且，由这些液晶 屏调制的光从3个方向入射到分色棱镜1112上。在该分色棱镜1112中，R 和B的光折射90度，而G的光直线前进。因此，各色的图像合成的结果， 通过投影透镜1114将彩色图像投影到屏幕等上。这里，若着眼于各液晶屏1110R、 1110B和1110G的显示像，则液晶屏 1110G的显示#4目对液晶屏1110R、 1110B的显示像必须左右反相。由于利用分色镜110 8将与RGB的各原色对应的光入射到液晶屏111 OR 、 1110B和1110G上，所以，不必设置滤色镜。除了参照图12说明的电子设备夕卜，还有便携式电脑、手机、液晶电视、 取景器型和监视器直视型的录像机、汽车导向装置、呼机、电子记事簿、 电子计算器、文字处理器、工作站、可视电话、POS终端、具有触摸屏的 装置等。并且，都可以应用于这些各种电子设备。另外，本发明除了上述实施例说明的液晶装置以外，也可以应用于在 硅a上形成元件的反射型液晶装置(LCOS)、等离子体显示器(PDP)、电场 发射型显示器(FED、 SED)、有机EL显示器、数字微镜器件(固D)、电泳装 置等。本发明不限于上述实施例，在专利要求的范围和不违反本发明的主旨 或思想的范围内可以适当地变更，伴随该变更的电光装置、电光装置的制 造方法和具有该电光装置的电子设备也包含在本发明的技术范围内。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于，在基板上具有多个像素电极；晶体管，其设置在将各该像素电极的开口区域相互隔开的非开口区域，与上述像素电极电气连接；存储电容，其至少隔着一层层间绝缘膜配置在上述像素电极的下层侧，设置在上述非开口区域，并由下侧电极、电介质膜和上侧电极顺序层叠而成，上述下侧电极具有，在上述基板上从平面看与上述上侧电极重叠的下侧电极本体部和从该下侧电极本体部的一部分以与上述上侧电极不重叠的方式延伸的下侧电极延伸部；隔离绝缘膜，其配置在上述下侧电极的基底面的上层侧并且上述上侧电极的下层侧，在上述基板上从平面看，在包含上述下侧电极本体部和上述下侧电极延伸部的边界的区域中，以除了上述下侧电极本体部的上述一部分外不与其他部分重叠的方式形成；和第1虚设图形，其设置在上述开口区域，由与上述隔离绝缘膜相同的膜构成。
2 . 按权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述至少一层层间绝缘膜中的至少一层^^皮实施了平坦化处理。
3. 按权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于， 作为上述至少一层层间绝缘膜，具有配置在上述上侧电极上的第l层间绝缘膜，上述上侧电极具有与上述下侧电极本体部重叠的上侧电极本体部和从 该上侧电极本体部以与上述下侧电极不重叠的方式在上述基底面上延伸的 上侧电极延伸部，上述第1虚设图形的边缘部分中面对上述上侧电极延伸部的部分与上 述上侧电极延伸部的间隔，小于上述第1层间绝缘膜的膜厚的值乘以上述 第1层间绝缘膜的覆盖率所得值的2倍。
4. 按权利要求3所述的电光装置，其特征在于， 具有由配置在上述第l层间绝缘膜上的导电膜构成的第l布线， 上述间隔大于上述第1布线的膜厚值乘以上述第1布线的覆盖率所得值的2倍。
5. 按权利要求1~4的任一项所迷的电光装置，其特征在于，具有 设置在位于上述基板上设置有上述多个像素电极的像素区域的周边的周边 区域，用于驱动上述多个像素电极的周边电路部。
6. 按权利要求5所迷的电光装置，其特征在于，在上述周边区域具 有由与上述隔离绝缘膜相同的膜构成的第2虚设图形。
7. —种电子设备，其特征在于，具备权利要求1~6的任一项所述 的电光装置。
8. —种电光装置制造方法，是制造在M上具有多个像素电极、晶 体管、存储电容的电光装置的电光装置制造方法，其特征在于，包括在将上述各像素电极的开口区域相互隔开的非开口区域形成晶体管的工序；在上述非开口区域顺序层叠下侧电极、电介质膜和上侧电极而形成上 述存储电容的工序；和隔着至少一层层间绝缘膜在上述存储电容的上层侧以与上述晶体管电 气连接的方式形成上述像素电极的工序；其中，形成上述存储电容的工序包括形成下侧电极使之具有在上述基板上从平面看与上述上侧电极重叠的 下側电极本体部和从该下侧电极本体部的一部分以与上述上侧电极不重叠 的方式延伸的下侧电极延伸部的工序；和在上述下侧电极的基底面的上层侧并且上迷上侧电极的下层侧，在上 迷基板上从平面看，在包含上述下侧电极本体部与上述下侧电极延伸部的 边界的区域中，以除了上述下侧电极本体部的上述一部分外不与其他部分 重叠的方式形成隔离绝缘膜，并且在上述开口区域形成由与上述隔离绝缘 膜相同的膜构成的虚设图形的工序。
全文摘要
本发明涉及电光装置及其制造方法和电子设备。电光装置具有存储电容(70)和隔离绝缘膜(49)，上述存储电容通过在基板上设置在非开口区域(R2)同时层叠下侧电极(71)、电介质膜(75)和上侧电极(301)而成，下侧电极具有与上侧电极重叠的下侧电极本体部(71a)和从该下侧电极本体部的一部分(71a1)与上侧电极不重叠地延伸的下侧电极延伸部(71b)，上述隔离绝缘膜在包含配置在下侧电极的基底面(41s)的上层每和上侧电极的下层侧的下侧电极本体部与下侧电极延伸部的边界(Bd)的区域形成与下侧电极本体部的其他部分(71a2)不重叠的形态。此外，具有设置在开口区域(R1)上的由与隔离绝缘膜相同的膜构成的虚设图形(910)。
文档编号H01L21/84GK101252135SQ200810081208
公开日2008年8月27日 申请日期2008年2月19日 优先权日2007年2月19日
发明者小山田晋 申请人:精工爱普生株式会社
技术领域：
本发明涉及液晶装置等电光装置及其制造方法和例如液晶投影仪等电 子设备的技术领域。
背景技术：
在这种电光装置中，例如在一对基板间封入了液晶等电光物质。在一 对基板中的元件14l上的显示区域中，通过层间绝缘膜以层叠结构制作了 像素电极、用于进行该像素电极的选择性驱动的扫描线、数据线和作为像素开关用元件的TFT(Thin Film Transistor),形成可以进4亍有源矩阵驱 动的结构。此外，在元件基板上的显示区域周围的周边区域，以层叠结构 制作了扫描线驱动电路、数据线驱动电路等各种电路及图像信号线等各种 布线。另外，以高对比度化等为目的，通常在TFT与像素电极间设置了存 储电容。这样的存储电容，在各像素的非开口区域内由扫描线及数据线、 晶体管等构成。关于这样的存储电容，在例如专利文献1中，公开了通过利用隔离绝 缘膜增大下侧电极的端面与上侧电极的端面的层间距离而防止在上下电极 的端面间发生电流泄漏(以下，称为r端面泄漏』)的技术。另外，为了降低电光物质的取向状态发生紊乱的可能性，对由上述层 叠结构引起的在元件基板的表面发生的凹凸，大多进行化学的研磨处理等 平坦化处理。[专利文献l]特开2006-276118号公报但是，上述隔离绝缘膜例如对在非开口区域形成的各存储电容设置而 在开口区域不设置时，将由于隔离绝缘膜的膜厚而增大非开口区域与开口 区域间的元件基板上的段差，所以，存在难于将元件基板的表面均匀地平 坦化的技术难题。发明内容本发明就是鉴于例如上述问题而提出的，目的旨在提供可以提高基板 表面的平坦性从而可以进行高品位的图像显示的电光装置及其制造方法和 具有该电光装置的电子设备。为了解决上述问题，本发明的电光装置的特征在于，在基板上具有多 个像素电极；晶体管，其设置在将各该像素电极的开口区域相互隔开的非开 口区域，与上述像素电极电气连接;存储电容，其至少隔着一层层间绝缘膜 配置在上述像素电极的下层侧，设置在上述非开口区域，并由下侧电极、 电介质膜和上侧电极顺序层叠而成，上述下侧电极具有，在上述M上从 平面看与上述上侧电极重叠的下侧电极本体部和从该下侧电极本体部的一 部分以与上述上侧电极不重叠的方式延伸的下侧电极延伸部；隔离绝缘膜， 其配置在上述下侧电极的基底面的上层侧并且上述上侧电极的下层侧，在 上述基板上从平面看，在包含上述下侧电极本体部和上述下侧电极延伸部 的边界的区域中，以除了上述下侧电极本体部的上述一部分外不与其他部 分重叠的方式形成；和第l虚设图形，其设置在上述开口区域，由与上述隔 离绝缘膜相同的膜构成。按照本发明的电光装置，在其动作时，例如，选择与扫描线电气连接 的各像素的晶体管进行驱动时，例如通过晶体管将从数据线供给的数据信 号(例如图像信号)加到像素电极上，可以进行有源矩阵驱动。这时，利用 存储电容，可以提高像素电极的电位保持特性，从而可以实现显示的高对 比度化。这里，晶体管、存储电容和例如数据线、扫描线等各种布线，在基板 上从平面看，设置在将各像素电极(即与像素电极对应的各像素)的开口区 域(即，在各^^素中透过或反射对显示实际有贡献的光的区域)相互隔开的 非开口区域内。即，晶体管、存储电容和各种布线，为了不妨碍显示，不 是设置在各像素的开口区域，而是设置在非开口区域。在本发明中，对存储电容，设置了隔离绝缘膜。构成存储电容的下侧 电极具有在基板上从平面看与上侧电极重叠的下侧电极本体部和从该下侧电极本体部的 一部分与上侧电极不重叠地延伸的下侧电极延伸部。隔离绝 缘膜配置在上述下侧电极的基底面的上层侧及上述上侧电极的下层侧，在 上述基板上从平面看在包含上述下侧电极本体部和上述下侧电极延伸部的 边界的区域中除了上述下侧电极本体部的上述一部分外，不与其他部分重 叠。即，隔离绝缘膜在典型的基板上的层叠结构的上侧电极和下侧电极间 形成使下侧电极本体部的一部分与下侧电极延伸部重叠(即，包含下侧电极 本体部与下侧电极延伸部的边界)。此外，隔离绝缘膜除了下侧电极本体部的一部分外，不与其他部分重叠。即，在基板上的层叠结构的下侧电极本 体部的其他部分与上侧电极间形成电介质膜，但是，不形成隔离绝缘膜。 即，下侧电极本体部的其他部分实际上是作为电容电极起作用的部分。隔 离绝缘膜只要在基板上的层叠结构的上侧电极与下侧电极间形成就行，可以配置在电介质膜的上层侧，也可以配置在电^h质膜的下层侧，另外，也 可以具有从在14l上的层叠结构的上侧电极和下侧电极间形成的部分与下 側电极不重叠地在下侧电极的基底面上延伸的部分。因此，隔离绝缘膜介于基板上的层叠结构的下侧电极本体部的一部分 与上侧电极间，同时，上侧电极的端面在下侧电极本体部的一部分与下侧 电极延伸部的边界配置在隔离绝缘膜上。因此，在下侧电极本体部的一部 分与下侧电极延伸部的边界，由于存在隔离绝缘膜，与不存在隔离绝缘膜 的情况相比，可以增大下侧电极的端面与上侧电极的端面的层间距离。这 样，就可以阻止端面泄漏的发生或防患于未然。这里所说的层间距离，是 指沿着与层叠结构的基板相交的方向或垂直方向的层叠方向的距离。此外， 在下侧电极本体部的一部分上，由于隔离绝缘膜的存在，可以防止通过刻 蚀等切断上侧电极时而切断到电介质膜和下侧电极(换言之，由于隔离绝缘 膜的存在，可以通过刻蚀等很容易加工上侧电极的端部，即，可以提高上 侧电极的端部的加工性)。因此，可以防止上侧电极的端面和下侧电极的端 面通过层间绝缘膜等接近配置而引起的端面泄漏的发生。在本发明中，在各像素电极的开口区域特别设置了由与隔离绝缘膜相 同的膜构成的第l虛设图形。本发明的所谓相同的膜，是指在制造工序的 相同机会中形成的膜，是同一种类的膜。所谓由相同的膜构成，并不是要求使用一张膜连续的部分，只要是从相同的膜中相互切断的膜就可以。第 1虚设图形在例如像素区域中排列成矩阵状的多个像素电极的各开口区域 的中央设置成岛状，具有矩阵状的图形形状。因此，可以降低开口区域与非开口区域间的^的表面上发生的段差。 即，可以利用在像素电极的开口区域内由与隔离绝缘膜相同的膜形成的第 1虚设图形模拟由设置在非开口区域内的隔离绝缘膜的膜厚引起的基板表 面的段差。换言之，可以利用第l虚设图形几乎均匀地发生基板上的开口 区域和非开口区域的表面的凹凸。因此，对于J41的表面(或基板上层叠的 像素电极的下层侧的层间绝缘膜的表面)上发生的凹凸，可以提高通过进行CMP等平坦化处理除去凹凸之后的基板表面的平坦性。这样，可以降低例 如液晶等电光物质的取向状态发生紊乱的可能性。或者，可以降低例如在 第1虛设图形和隔离绝缘膜的上层侧的层间绝缘膜上形成的布线发生断线 的可能性。此外，由于第1虚设图形由与隔离绝缘膜相同的膜形成，所以，几乎 不会或完全不会导致141上的层叠结构的复杂化或制造工序的复杂化。如上所述，按照本发明的电光装置，由于在多个像素电极的各开口区 域设置了由与隔离绝缘膜相同的膜构成的第1虚设图形，所以，可以降低 开口区域和非开口区域间的M的表面发生的段差，从而可以提高基板的 表面的平坦性。在本发明的电光装置的一种形态中，至少对层间绝缘膜中的某一个进 4亍平坦4t处理。按照该形态，在存储电容的上层侧具有例如进行了 CMP等平坦化处理 的层间绝缘膜。因此，可以提高层间绝缘膜的表面的平滑性从而可以使层 间绝缘膜的表面平坦。这里，特别是利用第l虚设图形的存在，降低开口 区域与非开口区域间的基敗的表面发生的段差，可以提高进行平坦化处理 后层间绝缘膜的表面的平坦性。在本发明的电光装置的其他形态中，作为上述的一种层间绝缘膜，具 有配置在上述上側电极上的第l层间绝缘膜，上述上侧电极具有与上述下 侧电极本体部重叠的上侧电极本体部和从该上侧电极本体部与上述下侧电极不重叠地在上述基底面上延伸的上侧电极延伸部，上述第l虛设图形的 边缘部分中面对上述上侧电极延伸部的部分与上述上侧电极延伸部的间隔小于上述层间绝缘膜的膜厚的值乘以上述第l层间绝缘膜的覆盖率的2倍。 按照该形态，上侧电极具有与下侧电极本体部重叠的上侧电极本体部 和从上侧电极本体部与下侧电极不重叠地在基底面上延伸的上侧电极延伸 部。即，上侧电极延伸部从与下侧电极本体部重叠的上侧电极本体部覆盖侧电极的基底面上延伸。因此，利用到下侧电极本体部的端面也可以确保 更大的电容面积。因此，不增大存储电容本身在基板上的配置面积就可以 在基板上的有限的区域即非开口区域内增大电容值。另外，上侧电极延伸 部可以具有在下部电极的基底面上隔着电介质膜形成的部分，也可以具有 在该基底面上直接形成的部分。此外，按照该形态，第1虛设图形的边缘部分中面对上側电极延伸部 的部分与上侧电极延伸部的间隔小于第1层间绝缘膜的膜厚的值乘以第1 层间绝缘膜的覆盖率的2倍。即，(第l虚设图形的边缘部分中面对上侧电 极延伸部的部分与上侧电极延伸部的间隔)〈(第1层间绝缘膜的膜厚)x (第1层间绝缘膜的覆盖率)x2的关系式成立。这里，本发明的所谓覆盖率， 表示膜覆盖物体的情况，定义为覆盖物体的上表面的部分的膜厚与覆盖侧 面的膜的膜厚的比率。即，覆盖率-(覆盖物体的侧面的部分的膜厚)/(覆盖 物体的上表面的部分的膜厚)的关系式成立。因此，第l虚设图形的边缘部 分中面对上侧电极延伸部的部分与上侧电极延伸部的距离小于第1层间绝 缘膜的膜厚的值乘以第1层间绝缘膜的覆盖率的2倍。于是，不会由第1 虚设图形的侧面、下侧电极的基底面和上侧电极延伸部的侧面的3个面形 成幅度宽的凹部。因此，可以由第l层间绝缘膜几乎或完全将由第l虚设 图形的侧面、下侧电极的基底面和上侧电极延伸部的侧面的3个面形成的 凹部掩埋，从而可以几乎或完全消除在第1层间绝缘膜的表面发生的段差。 换言之，第l层间绝缘膜通过覆盖幅度宽的凹部，可以防止在第l层间绝 缘膜的表面发生大的凹部。在上述具有第1层绝缘膜的形态中，具有由配置在上述第1层间绝缘膜上的导电膜构成的第1布线，上述间隔大于上述第1布线的膜厚的值乘以上述第1布线的覆盖率的2倍。这时，在第l层间绝缘膜上，形成例如数据线、电容线等的第l布线。 此外，第1虚设图形的边缘部分中面对上侧电极延伸部的部分与上侧电极 延伸部的间隔大于第l布线的膜厚的值乘以第l布线的覆盖率的2倍。即， (第1虚设图形的边缘部分中面对上侧电极延伸部的部分与上侧电极延伸 部的间隔)〉(第l布线的膜厚)x (第l布线的覆盖率)x2的关系式成立。因 此，第1虚设图形的边缘部分中面对上侧电极延伸部的部分与上侧电极延 伸部的距离大于第l布线的膜厚的值乘以第l布线的覆盖率的2倍。于是， 可以使由第l虛设图形的侧面、下侧电极的基底面和上侧电极延伸部的侧 面的3个面形成的凹部的幅度扩大到不会对第1布线的形成产生不良影响 的程度。即，在第1层间绝缘膜上形成第1布线的前驱膜之后，通过对该 前驱膜进行刻蚀而形成第l布线时，可以避免在由第l虚设图形的侧面、 下侧电极的基底面和上侧电极延伸部的侧面的3个面形成的凹部引起的第 1层间绝缘膜的避免发生的凹部内残留一部分前驱膜。另外，第1布线的 膜厚小于第l层间绝缘膜的膜厚。在本发明的电光装置的其他形态中，具有设置在位于上述基板上设置电极的周边电路部。按照该形态，用于驱动多个像素电极的包含例如扫描线驱动电路、数 据线驱动电路等周边电路及例如图像信号线、电源线等周边布线的周边电 路部设置在周边区域。周边电路部由与例如构成晶体管、在存储电容等的 像素区域形成的各种布线或电子元件半导体膜或导电膜相同的膜形成。这 里，在周边区域以比形成像素区域的晶体管、存储电容、数据线或扫描线 的密度高的高密度形成周边电路部。因此，利用在像素区域的各开口区域 设置的第l虚设图形，可以降低由基板上的凹凸的密度发生的起伏或段差 即全面的段差。于是，在例如具有这样的层叠结构的a和与其相对的对 向基板之间封入液晶等电光物质时，由于基板表面几乎没有起伏段差，是 平坦的，所以，可以降低电光物质的取向状态发生紊乱的可能性，从而可以进行更高品位的显示。假如有起伏段差时，在像素区域内靠近中央的区 域和靠近周边的区域，将发生对比度模糊或亮度模糊，但是，按照本发明， 可以降低这样的现象或防患于未然。在上述具有周边电路部的形态中，在上述周边区域，也可以具有由与上述隔离绝缘膜相同的膜构成的第2虚设图形。这时，第2虚设图形在例如周边区域形成片状。因此，在例如周边区 域中的周边电路部的密度比较低时，利用第2虛设图形可以降低J41表面 发生的起伏段差。为了解决上述问题，本发明的电子设备具有上述本发明的电光装置(其 中，包含各种形态)。由于本发明的电子设备具有上述本发明的电光装置，所以，可以实现 可显示高品位的图像的电视机、手机、电子记事簿、文字处理器、取景器 型或监视器直视型的录像机、工作站、可视电话、P0S终端、触摸屏等以 及将电光装置作为曝光用记录头使用的打印机、复印机、传真机等的图像 形成装置等各种电子设备。另外，作为本发明的电子设备，也可以实现例 如电子纸张等电泳装置、电子放射装置等。为了解决上述问题，本发明的电光装置的制造方法，是制造在基板上 具有多个像素电极、晶体管、存储电容的电光装置的电光装置制造方法， 其特征在于，包括:在将上述各像素电极的开口区域相互隔开的非开口区域 形成晶体管的工序；在上述非开口区域顺序层叠下侧电极、电介质膜和上侧 电极而形成上述存储电容的工序；和隔着至少一层层间绝缘膜在上述存储 电容的上层侧以与上述晶体管电气连接的方式形成上述像素电极的工序； 其中，形成上述存储电容的工序包括:形成下侧电极使之具有在上述141上 从平面看与上述上侧电极重叠的下侧电极本体部和从该下侧电极本体部的 一部分以与上述上侧电极不重叠的方式延伸的下侧电极延伸部的工序；和 在上述下側电极的基底面的上层侧并且上述上侧电极的下层侧，在上述基 板上从平面看，在包含上述下側电极本体部与上述下侧电极延伸部的边界 的区域中，以除了上述下侧电极本体部的上述一部分外不与其他部分重叠 的方式形成隔离绝缘膜，并且在上述开口区域形成由与上述隔离绝缘膜相同的膜构成的虚设图形的工序。按照本发明的电光装置的制造方法，可以制造上述本发明的电光装置。 这里，特别是虚设图形由与隔离绝缘膜相同的膜形成，所以，不会导致制 造工序的复杂化，从而可以提高基板的表面的平坦性。本发明的作用和其他优点，通过下面说明的用于实施的最佳的形态即 明白。二)三)
图l是表示实施例1的液晶装置的全体结构的平面图。图2是图i的n-ii'剖面图。图3是实施例i的液晶装置的多个像素部的等效电路图。图4是实施例1的液晶装置的多个像素部的平面图。 图5是图4的V-V'剖面图。图6是表示存储电容、隔离绝缘膜和虚设图形的配置关系的平面图。图7是图6的VII-VII'剖面图。图8是变形例与图7相同意思的剖面图。图9是表示实施例1的液晶装置的制造工艺的各工序的工序图(之一)。 图10是表示实施例1的液晶装置的制造工艺的各工序的工序图(之图11是表示实施例1的液晶装置的制造工艺的各工序的工序图(之图12是表示作为应用电光装置的电子设备的一例的投影仪的结构的平面图具体实施方式
下面，参照
本发明的实施例。在以下的实施例中，以作为本 发明的电光装置的一例的驱动电路内置型的TFT有源矩阵驱动方式的液晶 装置为例。实施例1.参照图1 ~图7说明实施例1的液晶装置。 首先，参照图l和图2说明本实施例的液晶装置的全体结构。 图l是表示本实施例的液晶装置的结构的平面图，图2是图1的II-II '剖面图。在图1和图2中，在本实施例的液晶装置中，相对配置了 TFT阵列基 板10和对向基板20。液晶层封入到TFT阵列基板10和对向M 20之间， TFT阵列基板10和对向皿20利用设置在位于作为本发明的像素区域的 一例的像素显示区域10a的周围的密封材料52相互粘接。在图1中，规定图像显示区域10a的边框区域的遮光性的边框遮光膜 53与配置了密封材料52的密封区域的内侧平行地设置在对向基板20侧。 另夕卜，在图像素显示区域10a的周边存在周边区域。在本实施例中，从TFT 阵列基板10的中心看，从该边框遮光膜53开始的以远区域规定为周边区 域。在周边区域中位于配置了密封材料52的密封区域的外侧的区域，沿 TFT阵列M 10的一边设置了数据线驱动电路101和外部电路连接端子 102。在沿该一边的密封区域的内側，覆盖边框遮光膜53而设置了取样电 路7。在沿与该一边相邻的2边的密封区域的内侧，覆盖边框遮光膜53设置 了扫描线驱动电路104。在TFT阵列基板10上，在与对向基板2的4个角 部相对的区域，配置了用于由上下导通材料107将两个基板间连接的上下 导通端子106。这样，就可以使TFT阵列基板1Q与对向基板20之间电气 导通。在TFT阵列基板10上的周边区域，形成了用于将外部电路连接端子 102、数据线驱动电路IOI、扫描线驱动电路104、上下导通端子106等电 气连接的连接布线90。连接布线90包含例如用于供给图像信号的图像信 号线和用于供给电源电位的电源电位线。外部电路连接端子102、数据线 驱动电路IOI、扫描线驱动电路104、上下导通端子106和连接布线90构成本发明的周边电路部的一例。在图2中，在TFT阵列基板10上的图像显示区域10a,形成制作进了作为驱动元件的像素开关用的TFT及扫描线、数据线等的布线的层叠结构。 在图像显示区域10a，在像素开关用TFT及扫描线、数据线等布线的上层， 像素电极9a设置成矩阵状。在像素电极9a上，形成取向膜。另一方面， 在对向基板20与TFT阵列基板10的相对面上，形成遮光膜23。遮光膜23 由例如遮光性金属膜等形成，在对向基板20上的图像显示区域10a内，形 成例如格子状等图形。并且，在遮光膜23上，由ITO等透明材料构成的对 向电极21与多个像素电极9a相对地形成片状。在对向电极21上，形成取 向膜。另外，液晶层50由例如将一种或数种向列液晶混合的液晶构成，在 一对取向膜间形成指定的取向状态。这里虽然未图示，但是，在TFT阵列基板10上的周边区域，除了数据 线驱动电路101和扫描线驱动电路104外，也可以形成用于检查制造途中 或出厂时该液晶装置的品质、缺陷等的检查电路、检查用图形等。 下面，参照图3说明本实施例的液晶装置的像素部的原理结构。 图3是本实施例的液晶装置的多个像素的各种元件、布线等的等效电 路图。在图3中，在构成本实施例的液晶装置的图像显示区域10a的形成矩 阵状的多个像素中，分别形成像素电极9a和用于开关控制该像素电极9a 的TFT30。 TFT30是本发明的晶体管的一例，其源极与供给图傳 f言号的数据 线6a电气连接。写入数据线6a的图像信号Sl、 S2、…、Sn可以顺序按线顺序供给， 也可以对相邻的多个数据线6a之间按组供给。扫描线lla与TFT30的栅极电气连接，在指定的时刻，顺序按线顺序将扫描信号G1、G2.....Gm脉沖式加到扫描线lla上。像素电极9a与TFT30的漏极电气连接，通过使作为开关元件的TFT30在一定期间关闭，在指定 的时刻写入从数据线6a供给的图像信号Sl、 S2..... Sn。通过像素电极9a写入作为电光物质的一例的液晶的指定电平的图像信 号S1、 S2、…、Sn在与对向基板20上形成的对向电极21之间保持一定期 间。液晶通过所加的电压电平而改变分子集合的取向或秩序，从而调制光， 从而可以进行灰度显示。如是常白模式，就根据按各像素单位所加的电压减少对入射光的透过率，如果是常黑模式，就根据按各像素单位所加的电 压增加对入射光的透过率，而总体上从液晶装置出射具有与图^象信号相应 的对比度的光。为了防止这里所保持的图像信号发生泄漏，附加了与在^象素电极9a和 对向电极21(参见图2)之间形成的液晶电容电气并联的存储电容70。存储 电容70的一方的电极与像素电极9a电气并联地与TFT30的漏极连接，另 一方的电极与电位固定的电容布线300电气连接而成为恒定电位。下面，参照图4和图5说明本实施例的液晶装置的像素部的具体的结构。图4是相邻的多个像素部的平面图，图5是图4的V-V'剖面图。在图 4和图5中，由于使各层和各部件在图面上达到可以识别的大小，所以， 各层和各部件的大小比例不同。关于这一点，在图6以后的各图也一样。 另外，在图4和图5中，为了便于说明，省略了位于像素电极9a上侧的部 分的图示。在图4中，像素电极9a在TFT阵列141 10上设置成矩阵状。分别沿 像素电极9a的纵横的边界设置了数据线6a和扫描线ll(即，扫描线lla 和llb)。扫描线lla和llb分别沿X方向延伸，数据线6a分别与扫描线 lla和lib交叉，沿Y方向延伸。在扫描线11和数据线6a相互交叉的各 个地方设置了像素开关用的TFT30。扫描线ll、数据线6a、存储电容70、中继层93和TFT30在TFT阵列 基板10上从平面看配置在将与像素电极9a对应的各像素的开口区域(即在 各像素中，实际对显示有贡献的光透过或反射的区域)相互隔开的非开口区 域内。即，这些扫描线ll、存储电容70、数据线6a和TFT30为了不妨碍 显示，不是配置在各像素的开口区域，而是配置在非开口区域内。在图4和图5中，TFT30包含半导体层la和栅极3a。半导体层la由例如多晶硅构成，由沟道区域la'、低浓度源极区域 lb及低浓度漏极区域lc和高浓度源极区域ld及高浓度漏极区域le构成。 即，TFT30具有LDD(Lightly Doped Drain)结构。低浓度源极区域lb、低 浓度漏极区域lc、高浓度源极区域ld及高浓度漏极区域le是例如通过离子注入法等的杂质搀入而将杂质搀入半导体层la的杂质区域。利用这样的 杂质区域，在TFT30的非动作时，可以降低源极区域和漏极区域流通的截 止电流，并且，可以抑制TFT30动作时流通的导通电流的降低。另夕卜，TFT30 虽然最好具有LDD结构，但是，可以是不对低浓度源极区域lb、低浓度漏 极区域lc进行杂质搀入的偏置结构，也可以是将栅极3a作为掩模而将杂 质高浓度注入从而形成高浓度源极区域和高浓度漏极区域的自整合型结 构。如图4和图5所示，栅极3a作为扫描线lla的一部分而形成，例如， 由导电性多晶硅形成。扫描线lla具有图4中沿X方向延伸的主线部和与 TFT30的沟道区域la'中该主线部不重叠的区域重叠而沿Y方向从主线部 延伸的部分。这样的扫描线lla中与沟道区域la'重叠的部分起栅极3a 的功能。如图5所示，TFT阵列基板10的层叠结构的栅极3a和半导体层la间 (即，在与TFT阵列基板10的a面垂直的方向，栅极3a和半导体层la 间)，由栅极绝缘膜2(更具体而言，由2层的绝缘膜2a和2b)所绝缘。在图4和图5中，配置在半导体层la的下层侧的栅极3b作为扫描线 llb的一部分而形成。即，在本实施例中，在半导体层la的上层侧和下层 侧设置了 2种扫描线lla和llb。半导体层la下层侧的扫描线llb，从平 面看，具有在图4中沿X方向图形化的本线部和从该本线部沿Y方向延伸 的部分。这样的扫描线lib中与沟道区域la'重叠的部分在半导体层la 的下层侧起栅极3b的功能。这样，TFT30就具有双栅极结构。按照这样的 结构，与仅在半导体层la的上层侧或下层侧的一方形成栅极的情况相比， 可以增大TFT30的导通电流。扫描线lib利用例如钨、钛、氮化钛等高熔点金属材料等的遮光性的 导电材料在半导体层la的下层侧形成，可以降低返回TFT阵列基板10的 光中入射到TFT30的沟道区域la'的光。如图5所示，半导体层la的下层侧的扫描线lib和半导体层la间由 基底绝缘膜12所绝缘。基底绝缘膜12除了从扫描线lib将TFT3Q绝缘外， 通过在TFT阵列基板10的整个面上形成，可以防止TFT阵列基板10的表面研磨时的粗糙以及在清洗之后残留的污垢等引起像素开关用的TFT30的 特性劣化。在图5中，隔着第1层间绝缘膜41在TFT阵列基板10上的TFT30的 上层侧设置了存储电容70。第1层间绝缘膜41由例如NSG(非硅酸盐玻璃)、PSG(硅酸盐玻璃)、 BSG(硼硅玻璃)、BPSG(硼砩玻璃)等硅酸盐玻璃、氮化硅或氧化硅等构成。存储电容70由下侧电极71和上侧电极301隔着电^h质膜75相对配置 而形成。上側电极301形成电容布线300的一部分。电容布线300从配置了像 素电极9a的图像显示区域10a在其周围延伸。上侧电极301通过电容布线 300与恒压源电气连接，起维持为固定电位的固定电位侧电容电极的功能。 上侧电极301(换言之，电容布线300)由例如包含A1、 Ag等的金属或合金 的非透明的金属膜形成，可以起将向TFT30入射的光遮光的上侧遮光膜的 功能。上侧电极301可以由包含例如Ti、 Cr、 W、 Ta、 Mo、 Pd等的高熔点 金属中的至少1个金属单体、合金、金属硅化物、多晶硅以及它们的层叠 等构成。下侧电极71与TFT30的高浓度漏极区域le和像素电极9a电气连接， 起像素电位侧电容电极的功能。更具体而言，下侧电极71通过接触孔83 与高浓度漏极区域le电气连接，同时，通过接触孔84与中继层93电气连 接。此外，中继层93通过接触孔85与像素电极9a电气连接。即，下侧电 极71和中继层93 —起中继高浓度漏极区域le和像素电极9a间的电气连 接。下側电极71由例如导电性的多晶硅形成。另外，下侧电极71除了起 像素电位侧电容电极的功能外，也起配置在作为上侧遮光膜的上侧电极 301与TFT30间的光吸收层或遮光膜的功能。电介质膜75具有由例如HTO (高温氧化)膜、LTO (低温氧化)膜等氧 化硅膜或氮化硅膜等构成的单层结构或多层结构。这里，在本实施例中，在将电容70的同一层，形成隔离绝缘膜49和 由与该隔离绝缘膜49相同的膜构成的虛设图形。关于它们的详细结构，后 面参照图6和图7进行说明。在图5中，隔着第2层间绝缘膜42在TFT阵列M 10上的存储电容 70的上层侧设置了数据线6a和中继层93。第2层间绝缘膜42和上述第1层间绝缘膜41 一样，由例如NSG等构成。数据线6a通过贯穿第1层间绝缘膜41和第2层绝缘膜42而开孔的接 触孔81与半导体层la的高浓度源极区域ld电气连接。数据线6a和接触 孔81内部，由例如Al-Si-Cu、 Al-Cu等含有Al的材料或Al单体或者Al 层和TiN层等的多层膜构成。数据线6a可以起对TFT30进行遮光的遮光膜 的功能。中继层93在第2层间绝缘膜42上由与数据线6a相同的膜形成。因此， 在制造液晶装置时，可以在同一工序中形成数据线6a和中继层93，所以， 可以使装置的制造工艺简便。在图5中，^象素电极9a隔着第3层间绝缘膜43在数据线6a的上层侧形成。第3层间绝缘膜43与上述层间绝缘膜41和42 —样，由例如NSG等构 成。此外，第3层间绝缘膜43进行了平坦化处理。即，作为本发明的平坦 化处理的一例，对第3层间绝缘膜43的表面进行了 CMP研磨处理。另夕卜， 作为平坦化处理，可以例如将第3层间绝缘膜43加热使之流动化即进行熔 融的流动化处理，或者，也可以通过旋涂而形成平坦化膜进行平坦化处理。像素电极9a通过下侧电极71、接触孔83、 84及85和中继层93与半 导体层la的高浓度漏极区域le电气连接。接触孔85通过在贯穿层间绝缘 层43而形成的孔部的内壁由IT0等构成像素电极9a的导电材料成膜而形 成的。在像素电极9a的上侧表面设置进行了摩擦处理等指定的取向处理的 取向膜。如图4所示，以上说明的^f象素部的结构对各像素部是共同的。在图像 显示区域10a(参见图1),周期性地形成这样的像素部。另一方面，在本实 施例的液晶装置中，在位于图像显示区域10a的周边的周边区域，如参照 图1和图2的上述那样，形成扫描线驱动电路104和数据线驱动电路101 等周边电路部。下面，参照图6和图7说明本实施例中特征的隔离绝缘膜和由与该隔 离绝缘膜相同的膜构成的虚设图形的结构。图6是表示存储电容的上侧电极和下侧电极与隔离绝缘膜、虛设图形 的配置关系的平面图，图7是图6的VII-Vir剖面图。在图7中特别着 眼于存储电容、隔离绝缘膜和虛设图形的配置关系而详细地表示了其结构， 对于其他部分，对与图5相同的结构省略了图示。关于这一点，对后面所 述的图8也一样。在图6和图7中，构成存储电容70的下侧电极71具有在TFT阵列基 板10上从平面看与上侧电极301重叠的下侧电极本体部71 a和从该下侧电 极本体部71a的一部分71al与上侧电极301不重叠地延伸的下侧电极延伸 部71b。下侧电极本体部71a起对存储电容70的电容形成部分地有贡献的 电容电极的功能。下侧电极延伸部71b由于与上侧电极301不重叠，所以， 可以避开上侧电极301形成用于将下侧电极71和中继层93相互电气连接 的接触孔84。即，下侧电极延伸部71b起通过接触孔84与中继层93(换言 之，通过接触孔84与中继层93电气连接的像素电极9a)电气连接的接触 部分的功能。在图6和图7中，对存储电容70设置了隔离绝缘膜49。隔离绝缘膜 49将下侧电极延伸部71b覆盖。更具体而言，隔离绝缘膜49配置在下侧 电极71的基底面(即笫1层间绝缘膜41的表面)41s的上层侧和上侧电极 301的下层侧，在TFT阵列基板10上从平面看，在包含下侧电极本体部71a 和下侧电极延伸部71b的边界Bd的区域，不与除了下侧电极本体部71a 的一部分71al以外的其他部分71a2重叠。即，隔离绝缘膜49在TFT阵列 M 10上的层叠结构的上侧电极301和下侧电极71之间，与下侧电极本 体部71a的一部分71al和下侧电极延伸部71b重叠(即，下侧电极本体部 71a的一部分71al和下侧电极延伸部71b的边界Bd)。此外，隔离绝缘膜 49与下侧电极本体部71a的其他部分71a2不重叠。即，在TFT阵列J^l 10上的层叠结构的下側电极本体部的其他部分71a2与上侧电极301之间 形成了电介质膜75,而不形成隔离绝缘膜49。即，下侧电极本体部的其他 部分71a2实际上M电容电极的功能的部分。因此，在TFT阵列14110上的层叠结构的下侧电极本体部的其他部分 71a2与上侧电极301之间，存在隔离绝缘膜49，同时，上侧电极301的端 面在下侧电极本体部71a与下侧电极延伸部71b的边界Bd配置在隔离绝缘 膜49上。于是，在下侧电极本体部71a与下侧电极延伸部71b的边界Bd， 由于隔离绝缘膜49的存在，与不存在隔离绝缘膜49的情况相比，可以增 大下侧电极71的端面与上侧电极301的端面的层间距离。这样，就可以阻 止端面泄漏的发生，或者防患于未然。此外，在下侧电极本体部的一部分 71al，由于隔离绝缘膜49的存在，可以防止在通过刻蚀等切断上侧电极 301时切断到下侧电极71。因此，可以防止上侧电极301的端面与下侧电 极71的端面靠近配置而引起的端面泄漏的发生。另外，隔离绝缘膜49也 可以配置在TFT阵列基板10上的层叠结构的电介质膜75与上侧电极301 之间。在图6和图7中，上侧电极301具有与下侧电极本体部71a重叠的上 侧电极本体部301a和从上侧电极本体部301a与下侧电极71不重叠地在下 侧电极71的基底面41s上延伸的上侧电极延伸部301b。上側电极延伸部 301b从与下侧电极本体部71a重叠的上侧电极本体部301a覆盖下侧电极 本体部71a的其他部分71a2的端面而在基底面41s上延伸。因此，通过利 用到下侧电极本体部71a的其他部分71a2的端面，可以确保进一步增大电 容面积。于是，不增大存储电容70本身的TFT阵列基板10上的配置面积， 在TFT阵列基4！ 10上的有限的区域即非开口区域R2内就可以增大电容值。 另夕卜，上側电极延伸部301b也可以隔着电介质膜75在下侧电极71的基底 面41s上形成。按照本实施例的液晶装置，由于具有上述结构的存储电容70，所以， 可以进行明亮并且高对比度的高品位的图像显示。在图6和图7中，本实施例特别在各像素电极9a的开口区域R1中设 置了由与隔离绝缘膜49相同的膜构成的虛设图形910。即，虛设图形910是在制造工序中在与隔离绝缘膜49相同的机会中形 成的膜，是与隔离绝缘膜49相同种类的膜。此外，虚设图形910通过在图 像显示区域10a排列成矩阵状的多个像素电极9a的各开口区域R1的中央设置成岛状，具有矩阵状的图形形状。虛设图形910在各开口区域R1与隔 离绝缘膜49连续地形成。另外，虛设图形910也可以与隔离绝缘膜40相 互分割地形成。利用这样的虚设图形910，可以降低在开口区域Rl与非开口区域R2 之间的TFT阵列J4110的表面产生的段差B1。即，利用在像素电极9a的 开口区域R1内由与隔离绝缘膜49相同的膜形成的虛设图形910可以模拟 由设置在非开口区域R2内的隔离绝缘膜49的膜厚T1引起的TFT阵列J4！ 10的表面的段差。换言之，利用虚设图形910可以使TFT阵列基板10上 的开口区域R1和非开口区域R2的表面的凹凸几乎均匀。因此，可以提高 对形成像素电极9a的第3层间绝缘膜43的表面产生的凹凸进行CMP等平 坦化处理而除去凹凸之后的第3层间绝缘膜43的表面的平坦性。这样，就 可以降低液晶的取向状态发生紊乱的可能性。此外，如上所述，由于虛i殳图形910由与隔离绝缘膜49相同的膜形成， 所以，几乎或完全不会导致TFT阵列基板10上的层叠结构的复杂化或制造 工序的复杂化。此外，在图6和图7中，本实施例特别使虚设图形910和上侧电极延 伸部301b的虚设图形910的边缘部分中面对上侧电极延伸部301b的部分 910a与上侧电极延伸部301b的间隔D小于第2层间绝缘膜42的膜厚T2 的值乘以第2层间绝缘膜42的覆盖率Cvl的2倍。覆盖率Cvl表示第2 层间绝缘膜42覆盖上側电极延伸部301b(或者虛设图形910)的情况，定义 为覆盖上侧电极延伸部301b的上表面的部分的膜厚Ta(即隔离绝缘膜49 的膜厚Tl)与覆盖侧面的部分的膜厚Tb的比率。即，覆盖率Cvl-膜厚Tb/ 膜厚Ta关系式成立。因此，间隔Dl〈膜厚T2x覆盖率Cvlx2的关系式成立。这里，假如间隔Dl大于第2层间绝缘膜42的膜厚T2的值乘以第2层 间绝缘膜42的覆盖率Cvl的2倍时，由虚设图形910的侧面、下侧电极具有大于第2层间绝缘膜42中覆盖上侧电极延伸部301b的侧面的部分的 膜厚和第2层间绝缘膜42中覆盖虚设图形910的侧面的部分的膜厚的膜厚 之和的宽的幅度。因此，不能由第2层间绝缘膜42将幅度宽的凹部完全埋没，有可能增大在第2层间绝缘膜42的表面发生的段差。在这样的本实施例中，如上所述，间隔Dl〈膜厚T2x覆盖率Cvlx2的 关系式成立。因此，可以将由虚设图形910的侧面、基底面41s和上侧电 极延伸部301b的侧面的3个面所形成的凹部610形成具有窄的幅度的形 态。于是，可以由第2层间绝缘膜42将凹部610几乎或完全埋没，从而可 以更可靠地降低在第2层间绝缘膜42的表面发生的段差。 图8是变形例的与图7相同意思的剖面图。如图8作为变形例所示的那样，可以具有由配置在第2层间绝缘膜42 上的导电膜构成的布线810，使间隔Dl大于布线810的膜厚T3的值乘以 布线810的覆盖率Cv2的2倍。即，也可以构成使间隔Dl〉膜厚T3x覆盖率 Cv2x2的关系式成立。按照这样的结构，可以使由虚设图形910的側面、 下侧电极71的基底面和上侧电极延伸部301的侧面的3个面形成的凹部 620的幅度增大到对布线810的形成不会产生不良影响的程度。即，在第2 层间绝缘膜42上，在例如TFT阵列基板10上的全面上形成布线810的前 驱膜后，在对该前驱膜进行刻蚀而形成布线810时，可以避免在由凹部620 引起的第2层间绝缘膜42的表面发生的凹部内残留一部分前驱膜。即，由 于由凹部620引起的在第2层间绝缘膜42的表面发生的凹部的幅度窄，所 以，可以避免难于通过刻蚀除去该凹部内的前驱膜的情况。此外，如以上参照图l和图2所述的那样，在本实施例中，在位于图 像显示区域10a的周边的周边区域，设置了包含扫描线驱动电路104、数 据线驱动电路101等驱动电路及连接布线90的周边电路部。周边电路部由 与构成TFT30、存储电容70等的各像素形成的各种布线或电子元件的半导 体膜或导电膜相同的膜形成。这里，周边电路部以比形成图像显示区域10a 的TFT30、存储电容70、数据线6a或扫描线11等的密度高的高密度在周 边区域形成。因此，利用设置在图像显示区域10a的各开口区域Rl的虚设 图形910,可以降低由TFT阵列基板10上的凹凸的密度发生的起伏或段差 即全局段差。因此，按照本实施例，由于在TFT阵列1^110的表面几乎没 有全局段差，平坦性高，所以，可以降低构成液晶层50的液晶的取向状态 发生紊乱的可能性，从而可以进行更高品位的显示。假如有全局段差，在图像显示区域10a内靠近中央的区域和靠近周边的区域将会发生对比度模 糊或亮度模糊，但是，按照本实施例，可以降低这样的现象或防患于未然。另外，在周边区域，也可以将由与隔离绝缘膜49相同的膜构成的虚设 图形形成例如片状。这样，在周边区域的周边电路部的密度比较低时，也 可以降低在TFT阵列基板10的表面发生的全局段差。如上所述，按照本实施例的液晶装置，由于在多个像素电极9a的各开 口区域R1设置了由与隔离绝缘膜49相同的膜构成的虚设图形810，所以， 可以降低开口区域Rl与非开口区域R2之间的TFT阵列基板10的表面发生 的段差，从而可以提高TFT阵列^10的表面的平坦性。(制造方法)下面，参照图9~图ll说明上述实施例的液晶装置的制造工艺。图9~图11是表示本实施例的液晶装置的制造工艺的各工序的工序 图，图9和图11以与图5对应的剖面表示，图10以与图7对应的剖面表 示。这里，主要说明本实施例的液晶装置中作为主要部分的扫描线、TFT、 数据线、存储电容和像素电极的形成工序。另外，特别详细地说明存储电 容和虛设图形的形成工序。首先，在图9所示的工序中，在TFT阵列基板10上形成扫描线11 ~第 1层间绝缘膜41的各层结构。这时，将TFT30形成在与扫描线11 (即扫描 线lla和llb)和后形成的数据线6a的交叉对应的区域。在各工序中，可 以使用通常的半导体集成技术。另外，在第1层间绝缘膜41形成之后，可 以利用CMP处理等使其表面平坦化。其次，对第1层间绝缘膜41的表面的指定位置进行刻蚀，开设深度到 达高浓度漏极区域le的接触孔83。然后，按指定的图形层叠导电性的多 晶硅膜等，形成下侧电极71。这时，将下侧电极71形成为具有与后形成 的上侧电极301 (参见图10 (b))重叠的下侧电极本体部71a和从该下侧电极 本体部71a的一部分与上侧电极301不重叠地延伸的下侧电极延伸部71b。然后，在图10(a)所示的工序中，在第1层间绝缘膜41和下侧电极71 上，层叠透明的绝缘膜，覆盖该绝缘膜上应形成隔离绝缘膜49和虛设图形 910的区域层叠指定图形的抗刻蚀剂500，通过进行刻蚀，形成隔离绝缘膜49和虚设图形910。这时，使隔离绝缘膜49位于下侧电极延伸部71b和下 侧电极本体部的一部分71al之上，并且，与下侧电极本体部的其他部分 71a2不重叠。此外，如以上参照图6所述的那样，在开口区域R1将虛设 图形910形成岛状。这样，在本实施例中，由于由与隔离绝缘膜49相同的 膜形成虚设图形910，所以，不会导致制造工序的复杂化。另外，在图10(b)所示的工序中，使用溅射或CVD法等层叠电介质膜 75。然后，在电介质膜75上层叠上侧电极301。接着，层叠指定图形的抗刻蚀剂510，进行刻蚀，通过切断上侧电极 301和电介质膜75，形成各像素的存储电容70。这时，将上侧电极301形 成为具有与下侧电极本体部71a重叠的上侧电极本体部301a和从上侧电极 本体部301a与下侧电极71不重叠地延伸的上侧电极延伸部301b。其次，在图ll所示的工序中，层叠第2层间绝缘膜42。然后，对其表 面的指定位置进行刻蚀，开设接触孔81和84。进而，在第2层间绝缘膜 42上，形成数据线6a和中继层93。数据线6a通过贯穿第2层间绝缘膜 42和41的接触孔81与高浓度源极区域ld连接。中继层93通过贯穿第2 层间绝缘膜42和隔离绝缘膜49的接触孔84与下侧电极71 (更正确地说下 側电极延伸部71b)连接。然后，在TFT阵列aiO的整个面上，形成第3层间绝缘膜43的前 驱膜43a。在前驱膜43a的表面发生由存储电容70及隔离绝缘膜49等引 起的凹凸。因此，增厚前驱膜43a，通过例如CMP处理削减到图中虚线的 位置，通过4吏该表面平坦化，得到第3层间绝缘膜43。这里，如上所述， 形成隔离绝缘膜49时，由与隔离绝缘膜49相同的膜形成虛设图形910， 所以，可以得到表面平坦性高的第3层间绝缘膜43。然后，对第3层间绝缘膜43的表面的指定位置进行刻蚀，开i殳接触孔 85(参见图4和图5)。进而，在第3层间绝缘膜43的表面的指定位置形成 像素电极9a(参见图4和图5)。按照以上说明的液晶装置的制造方法，可以制造上述本实施例的液晶 装置。这里，特别由与隔离绝缘膜49相同的膜形成虛设图形910，所以， 不会导致制造工(电子设备)下面，说明将上述作为电光装置的液晶装置应用于各种电子设备的情 况。以下，说明将该液晶装置作为光阀使用的投影仪。图12是表示投影仪的结构例的平面图。如图12所示，在投影仪1100的内部，设置了由卣素灯等白色光源构 成的灯单元1102。从该灯单元1102射出的投射光由导光器1104内配置的 4个反射镜1106和2个分色镜1108分离为RGB的3原色，入射到与各原 色对应的作为光阀的液晶屏1110R、 1110B和1110G上。液晶屏1110R、 1110B和1110G的结构与上述液晶装置相同，分别由从 图像信号处理电路供给的R、 G、 B的原色信号所驱动。并且，由这些液晶 屏调制的光从3个方向入射到分色棱镜1112上。在该分色棱镜1112中，R 和B的光折射90度，而G的光直线前进。因此，各色的图像合成的结果， 通过投影透镜1114将彩色图像投影到屏幕等上。这里，若着眼于各液晶屏1110R、 1110B和1110G的显示像，则液晶屏 1110G的显示#4目对液晶屏1110R、 1110B的显示像必须左右反相。由于利用分色镜110 8将与RGB的各原色对应的光入射到液晶屏111 OR 、 1110B和1110G上，所以，不必设置滤色镜。除了参照图12说明的电子设备夕卜，还有便携式电脑、手机、液晶电视、 取景器型和监视器直视型的录像机、汽车导向装置、呼机、电子记事簿、 电子计算器、文字处理器、工作站、可视电话、POS终端、具有触摸屏的 装置等。并且，都可以应用于这些各种电子设备。另外，本发明除了上述实施例说明的液晶装置以外，也可以应用于在 硅a上形成元件的反射型液晶装置(LCOS)、等离子体显示器(PDP)、电场 发射型显示器(FED、 SED)、有机EL显示器、数字微镜器件(固D)、电泳装 置等。本发明不限于上述实施例，在专利要求的范围和不违反本发明的主旨 或思想的范围内可以适当地变更，伴随该变更的电光装置、电光装置的制 造方法和具有该电光装置的电子设备也包含在本发明的技术范围内。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于，在基板上具有多个像素电极；晶体管，其设置在将各该像素电极的开口区域相互隔开的非开口区域，与上述像素电极电气连接；存储电容，其至少隔着一层层间绝缘膜配置在上述像素电极的下层侧，设置在上述非开口区域，并由下侧电极、电介质膜和上侧电极顺序层叠而成，上述下侧电极具有，在上述基板上从平面看与上述上侧电极重叠的下侧电极本体部和从该下侧电极本体部的一部分以与上述上侧电极不重叠的方式延伸的下侧电极延伸部；隔离绝缘膜，其配置在上述下侧电极的基底面的上层侧并且上述上侧电极的下层侧，在上述基板上从平面看，在包含上述下侧电极本体部和上述下侧电极延伸部的边界的区域中，以除了上述下侧电极本体部的上述一部分外不与其他部分重叠的方式形成；和第1虚设图形，其设置在上述开口区域，由与上述隔离绝缘膜相同的膜构成。
2 . 按权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述至少一层层间绝缘膜中的至少一层^^皮实施了平坦化处理。
3. 按权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于， 作为上述至少一层层间绝缘膜，具有配置在上述上侧电极上的第l层间绝缘膜，上述上侧电极具有与上述下侧电极本体部重叠的上侧电极本体部和从 该上侧电极本体部以与上述下侧电极不重叠的方式在上述基底面上延伸的 上侧电极延伸部，上述第1虚设图形的边缘部分中面对上述上侧电极延伸部的部分与上 述上侧电极延伸部的间隔，小于上述第1层间绝缘膜的膜厚的值乘以上述 第1层间绝缘膜的覆盖率所得值的2倍。
4. 按权利要求3所述的电光装置，其特征在于， 具有由配置在上述第l层间绝缘膜上的导电膜构成的第l布线， 上述间隔大于上述第1布线的膜厚值乘以上述第1布线的覆盖率所得值的2倍。
5. 按权利要求1~4的任一项所迷的电光装置，其特征在于，具有 设置在位于上述基板上设置有上述多个像素电极的像素区域的周边的周边 区域，用于驱动上述多个像素电极的周边电路部。
6. 按权利要求5所迷的电光装置，其特征在于，在上述周边区域具 有由与上述隔离绝缘膜相同的膜构成的第2虚设图形。
7. —种电子设备，其特征在于，具备权利要求1~6的任一项所述 的电光装置。
8. —种电光装置制造方法，是制造在M上具有多个像素电极、晶 体管、存储电容的电光装置的电光装置制造方法，其特征在于，包括在将上述各像素电极的开口区域相互隔开的非开口区域形成晶体管的工序；在上述非开口区域顺序层叠下侧电极、电介质膜和上侧电极而形成上 述存储电容的工序；和隔着至少一层层间绝缘膜在上述存储电容的上层侧以与上述晶体管电 气连接的方式形成上述像素电极的工序；其中，形成上述存储电容的工序包括形成下侧电极使之具有在上述基板上从平面看与上述上侧电极重叠的 下側电极本体部和从该下侧电极本体部的一部分以与上述上侧电极不重叠 的方式延伸的下侧电极延伸部的工序；和在上述下侧电极的基底面的上层侧并且上迷上侧电极的下层侧，在上 迷基板上从平面看，在包含上述下侧电极本体部与上述下侧电极延伸部的 边界的区域中，以除了上述下侧电极本体部的上述一部分外不与其他部分 重叠的方式形成隔离绝缘膜，并且在上述开口区域形成由与上述隔离绝缘 膜相同的膜构成的虚设图形的工序。
全文摘要
本发明涉及电光装置及其制造方法和电子设备。电光装置具有存储电容(70)和隔离绝缘膜(49)，上述存储电容通过在基板上设置在非开口区域(R2)同时层叠下侧电极(71)、电介质膜(75)和上侧电极(301)而成，下侧电极具有与上侧电极重叠的下侧电极本体部(71a)和从该下侧电极本体部的一部分(71a1)与上侧电极不重叠地延伸的下侧电极延伸部(71b)，上述隔离绝缘膜在包含配置在下侧电极的基底面(41s)的上层每和上侧电极的下层侧的下侧电极本体部与下侧电极延伸部的边界(Bd)的区域形成与下侧电极本体部的其他部分(71a2)不重叠的形态。此外，具有设置在开口区域(R1)上的由与隔离绝缘膜相同的膜构成的虚设图形(910)。
文档编号H01L21/84GK101252135SQ200810081208
公开日2008年8月27日 申请日期2008年2月19日 优先权日2007年2月19日
发明者小山田晋 申请人:精工爱普生株式会社
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