半导体装置的制造设备的制作方法

专利名称：半导体装置的制造设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一半导体装置的制造设备，特别涉及一半导体装置的制造设备的抽气结构。
一般而言，此液晶显示装置(LCD，Liquid Crystal Display)具有上下层基板，被隔开并相互面对。排列在基板上的电极相互面对。一液晶层插入于上层基板和下层基板之间。一个电压经由每个基板上的电极施加到此液晶层，因此，依照施加的电压，此液晶分子改变其排列以显示图像。
此LCD装置的下层基板通常被称为一数组基板，其包含被排列成矩阵的像素电极和薄膜晶体管。此数组基板的制造是经由在一透明基板上沉积一薄膜，并将此薄膜图案化的工艺。这些工艺在一个制造此半导体装置的设备中，在真空状态下完成。此设备包括一个工艺反应室，其为一个密闭的反应容器、一个抽气系统，控制此反应室中的环境、和一个气体供应系统，其储存和供应反应气体。


图1是一现有技术的反应室，用以制造一半导体装置。在此反应室10中，经由注入此反应室10的气体的化学反应，一薄膜沉积在一基板1上，或在此基板上的一薄膜被图案化。此反应室10包括一个气体入口22、一个出口24。此气体入口22是反应气体的一条路径，此反应气体经由此气体入口22供应到此反应室10。此出口24被连接到一减压装置，如此反应室10外的一个泵P，且此气反应室10的内部压力，藉由此泵P经由此出口24抽出此反应室10中的气体来控制。
在此反应室10中，一个承载器30平行于此反应室10的下侧12安置，且此基板1被安置于此承载器30上。此承载器30其中通常具有一加热器(未显示)，加速此反应气体的化学反应。
此反应室10中也包括一注射器26，且注射器26被连接到此气体入口22。此注射器26均匀地扩散经由此气体入口22供应的反应气体。
图1中的反应室10中，此基板1安置于承载器30上，且此反应室10被密闭。接着，此气反应室10中的气体被泵P从此出口24抽出，此反应室10处于真空状态。此加热器产生热，所以此基板1被加热。此反应气体经由此气体入口22和注射器26被注入此反应室10，且藉此反应气体的化学反应实行沉积或图案化一薄膜的一道工艺。此时，反应残余物和一部分的反应气体持续的被此泵P抽出反应室10，所以此内部压力维持一致。此反应室10在下侧12有一个排出结构，以排出反应残余物和一部分的反应气体。
图2是图1的现有技术的反应室的概略平面图，且显示此反应室的排出结构。在图2中，第1到第5抽气孔20a、20b、20c、20d、20e排列在此反应室10的下侧12，且此第1到第5抽气孔20a、20b、20c、20d、20e被连接到抽出空洞20，其形成在此反应室10的下侧12，并围住一承载器支撑管30a。此承载器支撑管30a穿过此反应室10的下侧12。此反应室10的下侧12包括一排气孔21。此排气孔21被连接到此抽气空洞20和图1中的此出口24。
此排气孔21的尺寸比抽气孔20a、20b、20c、20d、20e大，且容纳相当大量的气体。即然此出口24被连接到此泵P，此反应残余物和此部分的反应气体在经由此抽气孔20a、20b、20c、20d、20e流到抽气空洞20后，经由此排气孔21和此出口24排出此反应室10。
然而，在反应室10中，此气体经由抽气孔20a、20b、20c、20d、20e进到抽气空洞20，只能经由排气孔21弃置，此排气孔21被形成在此下侧12的一边。因此，此排气孔21周围和此第3和第4抽气孔20c和20d的抽出压力比其它部分低，且此气体集中在靠近此排气孔21的区域。因此，此薄膜的沉积或图案化的实行不均匀，且一个完成装置的品质被降底了。此外，此工艺的可靠度下降。

发明内容
因此，本发明是应用在一种半导体装置的制造设备，实质上消除一个或多个现有技术的限制和缺点。
本发明的一个优点在于提供一种半导体装置的制造设备，使得该抽出压力均匀，并改善该装置的品质。
以下说明本发明附加的特征和优点，从此描述中将会有部分是明显的，或从本发明的实施中得知。本发明的目的和其它优点将会由此结构实现并获得，此结构会在文字的描述和权利要求、及附图中指明。
为实现本发明的目的，如实施例和概括说明的这些优点和其它优点，一种半导体装置的制造设备包含一反应室，该反应室具有一第一侧、一第二侧、和一侧壁，此反应室包含经过该第二侧的一排气孔，该侧壁介于该第一侧和第二侧间；在该反应室中的一承载器托住一基板于其上，该承载器平行于该第二侧；一抽气板，介于该承载器和该第二侧间，该抽取板和该侧壁留有间隔；和一减压系统，在该反应室之外，该减压系统连接到该排气孔。
以上的概括描述和以下的详细描述用以举例和说明，并提供本发明权利要求的进一步说明。
图2为图1中现有技术的反应室的概略平面图。
图3为根据本发明的一实施例，显示一用以制造一半导体装置的反应室。
图4为图3中的该反应室的概略平面图。〖图号说明〗1、100 基板 10、110反应室12、112下侧20 抽气空洞20a、20b、20c、20d、20e抽气孔21、121排气孔 22、122气体入口24、124出口26、126注射器30、130承载器 30a、130a承载器支撑管110a反应区域 114侧壁120a抽气区域 150抽气板图3显示根据本发明的一个实施例的一个反应室，用以制造一半导体装置。在此反应室110中，藉由注入此反应室110的气体的化学反应，一薄膜沉积在一基板100上，或在此基板100上的一薄膜被图案化。此反应室110包括一个气体入口122和一个出口124。此气体入口122是反应气体的一条路径，此反应气体经由此气体入口122供应到此反应室110。此出口124被连接到一减压装置，如反应室110外的一个泵P，且此反应室110内部的气体，被此泵P经由此出口124抽出。因此，此反应室110的内部压力被控制。这里，此出口124被指为一个排气管。
在此反应室110中，一个承载器130平行于此反应室110的下侧112安置，且此基板100被置于此承载器130上。此承载器130被连接到一承载器支撑管130a，其穿过此反应室110的下侧112。虽然图中未显示，此承载器130其中通常具有一加热器，以加速此反应气体的化学反应。
此反应室110其中也包括一注射器126，且此注射器126被连接到此气体入口122。此注射器均匀地扩散经由此气体入口122供应的反应气体，在此注射器126和基板100之间的空间成为一反应区域110a。
此外，一抽气板150被形成在此反应室110中。此抽气板150被安置于此反应室110的承载器130和下侧112间，且和反应室110的一侧壁114有一间隔。因此在此反应室110的抽气板150和下侧112间，形成一个抽气区域120a。
图3中的此反应室110中，此基板100安置于此承载器130上，且此反应室110被密闭。接着，此反应室110中的气体被泵P从此出口124抽光，此反应室110处于真空状态。此加热器产生热，所以此基板100被加热。此反应气体经由此气体入口122和此注射器126被注入此反应室110，且藉此反应气体的化学反应，实行沉积或图案化的工艺。此时，反应残余物和一部分的反应气体持续的被此泵P排出此反应室110，所以内部压力保持一定。此反应室110在下侧112有一个排出结构，以排出此反应残余物和部分的反应气体。
图4是图3的反应室的一概略平面图，且显示此反应室的排出结构。如上述，在图3中的此反应室110包含此抽气板150，介于此反应室110的承载器130和下侧112间。此抽气板150的尺寸大于反应室110的承载器130，小于反应室110的下侧112。因此，此抽气板150和此反应室110在图3中的侧壁有一间隔，且在反应室110的抽气板150和下侧112间形成此抽气区域120a。此抽气区域120a围绕承载器支撑管130a。
这里，此反应室110的下侧112有一个排气孔121，被连接到此出口124，且此抽气板150覆盖住此排气孔121。因此，此抽气区域120a被连接到此排气孔121。
此承载器130和此抽气板150需要和此反应室110的下侧112具有相同的形状。图4中，虽然此反应室110的下侧112、此承载器130和此抽气板150具有一矩形的形状，此反应室110的下侧112、承载器130和抽气板150也可具有一圆形的形状。
在本发明的此反应室110中，若此泵P运作，此抽气区域120a的气压比此反应区域110a低。此反应区域110a中的此反应残余物和此部分的反应气体，经由反应室110的抽气板150和侧壁114间的空间流进抽气区域120a。接着，若箭头所指示，此反应残余物和此部分的反应气体经由此排气孔121和此出口124，被此泵P抽出。
尽管抽气压力会集中在此排气孔121附近的区域，此抽气压力被均匀的分散在此抽气区域120a。因此，此薄膜的沉积或图案化被均匀的完成，且包括此薄膜的此装置的品质被改善。此外，此工艺的可靠度增加了。此外，本发明的反应室具有简单的构造。
本领域普通技术人员可在不背离本发明精神和范围的情况下，对本发明的制造和应用，作不同的改变、组成和变型。因此本发明应包括落入权利要求及其等效体所划定的范围内的所有修饰和变型。
权利要求
1.一种半导体装置的制造设备，其特征在于，包含一反应室，具有一第一侧、一第二侧、和一侧壁，该反应室包含一排气孔，通过该第二侧，该侧壁介于该第一侧和该第二侧间；一承载器，在该反应室中，托住一基板于其上，该承载器平行于该第二侧；一抽气板，在该承载器和该第二侧间，该抽气板和该侧壁留有间隔；和一减压系统，在该反应室之外，该减压系统连接到该排气孔。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造设备，其特征在于该抽气板覆盖该排气孔。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造设备，其特征在于该抽气板的尺寸大于该承载器。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造设备，其特征在于该抽气板和该第二侧具有一矩形的形状。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造设备，其特征在于该抽气板和该第二侧具有一圆形的形状。
6.如权利要求1所述的半导体装置的制造设备，其特征在于该减压系统包含一泵。
7.如权利要求1所述的半导体装置的制造设备，其特征在于，还包含一排气管，介于该排气孔和该减压系统之间。
全文摘要
一种半导体装置的制造设备包含一反应室，该反应室具有一第一侧、一第二侧、和一侧壁，此反应室包含经过该第二侧的一排气孔，该侧壁介于该第一侧和第二侧间；在该反应室中的一承载器托住一基板于其上，该承载器平行于该第二侧；一抽气板，介于该承载器和第二侧间，该抽气板和侧壁留有间隔；和一减压系统，在该反应室之外，该减压系统连接到该排气孔。
文档编号H01L21/00GK1433048SQ03100370
公开日2003年7月30日 申请日期2003年1月13日 优先权日2002年1月14日
发明者李承善, 徐现模 申请人:周星工程股份有限公司