表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷ic外壳的制作方法
表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷ic外壳的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，包括一陶瓷底板基片、一引线框架和一陶瓷盖板基片，所述陶瓷底板基片中部设置有第一矩形凹槽，所述第一矩形凹槽表面设置有低熔玻璃用于固定所述引线框架，所述引线框架具有48条引线，所述引线内端均匀分布于第一矩形凹槽四周，所述引线外端均匀分布于陶瓷底板基片两侧，所述陶瓷盖板基片中部设置有第二矩形凹槽，所述第二矩形凹槽表面设置有低熔玻璃，所述第二矩形凹槽大于所述第一矩形凹槽。本实用新型体积小，重量轻，安装应用方便。
【专利说明】表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳。
【背景技术】
[0002]集成电路芯片封装的主要目的之一即为提供IC芯片的保护，避免不适当的电、热、汽、化学及机械等因素的破坏。在外来环境的侵害中，水汽是引起IC芯片损坏最主要因素，由于IC芯片中导线的间距极小，在导体间很容易建立起一个强大的电场，如果有水汽侵入，在不同金属间将因电解反应引发金属腐蚀；在相同金属间则产生电解反应使阳极处的导体逐渐溶解，阴极处的导体则产生镀着或所谓的树枝状成长。这些效应都将造成IC芯片的短路、断路与破坏。
[0003]陶瓷封装能提供高可靠度与密封性是利用玻璃与陶瓷及Kovar或Alloy42合金引脚架材料间能形成紧密接合的特性。先将金属引脚架以暂时软化的玻璃固定在釉化表面的氧化铝陶瓷基板上，完成IC芯片粘结及打线键合后，以陶瓷封盖覆于其上，再置于400°C左右的热处理炉中完成密封。
[0004]过去至今国内外低温玻璃熔封陶瓷IC外壳大多采用双列直插式(即DIP型)封装，具有体积大、重量大、安装应用不便等缺点，正在被逐步减少并淘汰。
[0005]目前国内同类表贴式外壳只有引线数为8线、14线、16线的外壳，引线间距一般都为 1.27mm。
【发明内容】
[0006]本实用新型的目的在于提供一种表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，该外壳引线数为48根，引线间距0.635mm。
[0007]为实现上述目的本实用新型采用以下技术方案实现:一种表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:包括一陶瓷底板基片、一引线框架和一陶瓷盖板基片，所述陶瓷底板基片的表面设置有用于固定所述引线框架的低熔玻璃；所述陶瓷底板基片中部开设有第一矩形凹槽，所述引线框架具有48条引线，所述引线内端均匀分布于第一矩形凹槽四周，所述引线外端均匀分布于陶瓷底板基片两侧，所述陶瓷盖板基片中部设置有第二矩形凹槽，所述第二矩形凹槽表面设置有低熔玻璃，所述第二矩形凹槽大于所述第一矩形凹槽。
[0008]在本实用新型一实施例中，所述引线宽度为0.25mm。
[0009]在本实用新型一实施例中，所述相邻两引线的间距为0.635mm。
[0010]在本实用新型一实施例中，所述位于陶瓷底板基片一侧的第一条引线设置有一凸部用于确定引线编号。
[0011]在本实用新型一实施例中，所述引线的末端固定于一矩形框架上，用于保护所述引线。
[0012]在本实用新型一实施例中，所述陶瓷盖板基片和陶瓷底板基片表面的长为16mm，宽为9.65mm,所述两基板的厚度为1.(Tl.1mm。
[0013]在本实用新型一实施例中，所述陶瓷盖板基片外边缘设置有一半圆形凹槽用于确定其方向。
[0014]在本实用新型一实施例中，所述引线内端的表面覆盖有铝层。
[0015]本实用新型与现有技术相比具有以下有益效果:本实用新型为表贴式的外壳，安装应用方便；本实用新型具有48条引线，突破了现有表贴式8线、14线、16线外壳的局限性；本实用新型引线间距为0.635mm，使得外壳体积重量大幅度减小。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是本实用新型半剖结构示意图。
[0017]图2是本实用新型侧视半剖结构示意图。
[0018]图3是本实用新型使用状态示意图。
[0019]图中:1 一陶瓷底板基片11 一第一矩形凹槽 2—引线框架21—凸形触片
[0020]22—引线 3—陶瓷盖板基片31—第二矩形凹槽32—半圆形凹槽
[0021]4-低熔玻璃 5—覆盖有铝层的引线区6 — IC芯片7—娃铝丝或金丝。
【具体实施方式】
[0022]下面结合附图及实施例对本实用新型做进一步说明。
[0023]请参照图1和图2，本实施例提供一种表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:包括一陶瓷底板基片1、一引线框架2和一陶瓷盖板基片3，所述陶瓷底板基片I的表面设置有用于固定所述引线框架2的低熔玻璃4 ;所述陶瓷底板基片I中部开设有第一矩形凹槽11，所述引线框架2具有48条引线22，所述引线22内端均匀分布于第一矩形凹槽11四周，所述引线22外端均匀分布于陶瓷底板基片I两侧，所述陶瓷盖板基片3中部设置有第二矩形凹槽31，所述第二矩形凹槽31表面设置有低熔玻璃4，所述第二矩形凹槽31大于所述第一矩形凹槽11。
[0024]于本实施例中，所述弓丨线22宽度为0.25mm。
[0025]于本实施例中，所述相邻两引线22的间距为0.635mm。
[0026]请参考图1，所述位于陶瓷底板基片I 一侧的第一条引线22设置有一凸部用于确定引线22编号。
[0027]请继续参照图1，所述引线22的末端固定于一矩形框架上，用于保护所述引线22。
[0028]于本实施例中，所述陶瓷盖板基片3和陶瓷底板基片I表面的长为16mm，宽为9.65mm,所述两基板的厚度为1.0^1.1_。
[0029]请继续参考图1，所述陶瓷盖板基片3外边缘设置有一半圆形凹槽32用于确定其方向。
[0030]于本实施例中，所述引线22内端的表面覆盖有铝层。
[0031]为了让一般技术人员更好的理解本实用新型的技术方案，以下结合本实用新型的附图对表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳进行详细介绍。
[0032]如图1和图2所示，通过冲压或者刻蚀的办法加工引线框架2，并使用真空蒸镀，或磁控溅射、离子镀等方法在引线中部打线键合区镀上一定厚度的铝层形成引线复铝区5。
[0033]将氧化铝经配料、造粒、干压成形、高温烧结、检验等工序制成陶瓷底板基片I和陶瓷盖板基片3。
[0034]将陶瓷底板基片I和陶瓷盖板基片3采用丝网印刷的方法将低熔玻璃4浆料印刷到上面，经排胶烧结使低熔玻璃4与陶瓷紧密结合在一起。
[0035]将烧结好玻璃的陶瓷底板基片I与引线框架2准确定位经400°C左右烧到一起，经检验合格，与印刷好玻璃的陶瓷盖板基片3 —起提供用户使用。
[0036]如图3所述，在使用过程中，将型号配对的IC芯片6置于第一矩形凹槽11内，再用硅铝丝或金丝7将IC芯片上的触点与覆盖有铝层的引线区5连接起来使两者充分接触，最后将陶瓷盖板基片3盖在引线框架2上方，该处由于第二矩形凹槽大于第一矩形凹槽，使得IC芯片的触点引出的硅铝丝或金丝7可以和裸露在外的引线接触。
[0037]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。
【权利要求】
1.一种表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:包括一陶瓷底板基片、一引线框架和一陶瓷盖板基片，所述陶瓷底板基片的表面设置有用于固定所述引线框架的低熔玻璃；所述陶瓷底板基片中部开设有第一矩形凹槽，所述引线框架具有48条引线，所述引线内端均匀分布于第一矩形凹槽四周，所述引线外端均匀分布于陶瓷底板基片两侧，所述陶瓷盖板基片中部设置有第二矩形凹槽，所述第二矩形凹槽表面设置有低熔玻璃，所述第二矩形凹槽大于所述第一矩形凹槽。
2.根据权利要求1所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述引线宽度为0.25mm。
3.根据权利要求2所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述相邻两引线的间距为0.635mm。
4.根据权利要求3所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述位于陶瓷底板基片一侧的第一条引线设置有一凸部用于确定引线编号。
5.根据权利要求4所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述引线的末端固定于一矩形框架上，用于保护所述弓I线。
6.根据权利要求1所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述陶瓷盖板基片和陶瓷底板基片表面的长为16mm，宽为9.65mm，所述两基板的厚度为 1.0?L Imnin
7.根据权利要求6所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述陶瓷盖板基片外边缘设置有一半圆形凹槽用于确定其方向。
8.根据权利要求1所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述引线内端的表面覆盖有铝层。
【文档编号】H01L23/495GK204216032SQ201420685626
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年11月17日 优先权日:2014年11月17日
【发明者】宁利华, 洪祖强, 赵桂林 申请人:福建省南平市三金电子有限公司
【专利摘要】本实用新型涉及一种表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，包括一陶瓷底板基片、一引线框架和一陶瓷盖板基片，所述陶瓷底板基片中部设置有第一矩形凹槽，所述第一矩形凹槽表面设置有低熔玻璃用于固定所述引线框架，所述引线框架具有48条引线，所述引线内端均匀分布于第一矩形凹槽四周，所述引线外端均匀分布于陶瓷底板基片两侧，所述陶瓷盖板基片中部设置有第二矩形凹槽，所述第二矩形凹槽表面设置有低熔玻璃，所述第二矩形凹槽大于所述第一矩形凹槽。本实用新型体积小，重量轻，安装应用方便。
【专利说明】表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳。
【背景技术】
[0002]集成电路芯片封装的主要目的之一即为提供IC芯片的保护，避免不适当的电、热、汽、化学及机械等因素的破坏。在外来环境的侵害中，水汽是引起IC芯片损坏最主要因素，由于IC芯片中导线的间距极小，在导体间很容易建立起一个强大的电场，如果有水汽侵入，在不同金属间将因电解反应引发金属腐蚀；在相同金属间则产生电解反应使阳极处的导体逐渐溶解，阴极处的导体则产生镀着或所谓的树枝状成长。这些效应都将造成IC芯片的短路、断路与破坏。
[0003]陶瓷封装能提供高可靠度与密封性是利用玻璃与陶瓷及Kovar或Alloy42合金引脚架材料间能形成紧密接合的特性。先将金属引脚架以暂时软化的玻璃固定在釉化表面的氧化铝陶瓷基板上，完成IC芯片粘结及打线键合后，以陶瓷封盖覆于其上，再置于400°C左右的热处理炉中完成密封。
[0004]过去至今国内外低温玻璃熔封陶瓷IC外壳大多采用双列直插式(即DIP型)封装，具有体积大、重量大、安装应用不便等缺点，正在被逐步减少并淘汰。
[0005]目前国内同类表贴式外壳只有引线数为8线、14线、16线的外壳，引线间距一般都为 1.27mm。
【发明内容】
[0006]本实用新型的目的在于提供一种表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，该外壳引线数为48根，引线间距0.635mm。
[0007]为实现上述目的本实用新型采用以下技术方案实现:一种表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:包括一陶瓷底板基片、一引线框架和一陶瓷盖板基片，所述陶瓷底板基片的表面设置有用于固定所述引线框架的低熔玻璃；所述陶瓷底板基片中部开设有第一矩形凹槽，所述引线框架具有48条引线，所述引线内端均匀分布于第一矩形凹槽四周，所述引线外端均匀分布于陶瓷底板基片两侧，所述陶瓷盖板基片中部设置有第二矩形凹槽，所述第二矩形凹槽表面设置有低熔玻璃，所述第二矩形凹槽大于所述第一矩形凹槽。
[0008]在本实用新型一实施例中，所述引线宽度为0.25mm。
[0009]在本实用新型一实施例中，所述相邻两引线的间距为0.635mm。
[0010]在本实用新型一实施例中，所述位于陶瓷底板基片一侧的第一条引线设置有一凸部用于确定引线编号。
[0011]在本实用新型一实施例中，所述引线的末端固定于一矩形框架上，用于保护所述引线。
[0012]在本实用新型一实施例中，所述陶瓷盖板基片和陶瓷底板基片表面的长为16mm，宽为9.65mm,所述两基板的厚度为1.(Tl.1mm。
[0013]在本实用新型一实施例中，所述陶瓷盖板基片外边缘设置有一半圆形凹槽用于确定其方向。
[0014]在本实用新型一实施例中，所述引线内端的表面覆盖有铝层。
[0015]本实用新型与现有技术相比具有以下有益效果:本实用新型为表贴式的外壳，安装应用方便；本实用新型具有48条引线，突破了现有表贴式8线、14线、16线外壳的局限性；本实用新型引线间距为0.635mm，使得外壳体积重量大幅度减小。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是本实用新型半剖结构示意图。
[0017]图2是本实用新型侧视半剖结构示意图。
[0018]图3是本实用新型使用状态示意图。
[0019]图中:1 一陶瓷底板基片11 一第一矩形凹槽 2—引线框架21—凸形触片
[0020]22—引线 3—陶瓷盖板基片31—第二矩形凹槽32—半圆形凹槽
[0021]4-低熔玻璃 5—覆盖有铝层的引线区6 — IC芯片7—娃铝丝或金丝。
【具体实施方式】
[0022]下面结合附图及实施例对本实用新型做进一步说明。
[0023]请参照图1和图2，本实施例提供一种表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:包括一陶瓷底板基片1、一引线框架2和一陶瓷盖板基片3，所述陶瓷底板基片I的表面设置有用于固定所述引线框架2的低熔玻璃4 ;所述陶瓷底板基片I中部开设有第一矩形凹槽11，所述引线框架2具有48条引线22，所述引线22内端均匀分布于第一矩形凹槽11四周，所述引线22外端均匀分布于陶瓷底板基片I两侧，所述陶瓷盖板基片3中部设置有第二矩形凹槽31，所述第二矩形凹槽31表面设置有低熔玻璃4，所述第二矩形凹槽31大于所述第一矩形凹槽11。
[0024]于本实施例中，所述弓丨线22宽度为0.25mm。
[0025]于本实施例中，所述相邻两引线22的间距为0.635mm。
[0026]请参考图1，所述位于陶瓷底板基片I 一侧的第一条引线22设置有一凸部用于确定引线22编号。
[0027]请继续参照图1，所述引线22的末端固定于一矩形框架上，用于保护所述引线22。
[0028]于本实施例中，所述陶瓷盖板基片3和陶瓷底板基片I表面的长为16mm，宽为9.65mm,所述两基板的厚度为1.0^1.1_。
[0029]请继续参考图1，所述陶瓷盖板基片3外边缘设置有一半圆形凹槽32用于确定其方向。
[0030]于本实施例中，所述引线22内端的表面覆盖有铝层。
[0031]为了让一般技术人员更好的理解本实用新型的技术方案，以下结合本实用新型的附图对表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳进行详细介绍。
[0032]如图1和图2所示，通过冲压或者刻蚀的办法加工引线框架2，并使用真空蒸镀，或磁控溅射、离子镀等方法在引线中部打线键合区镀上一定厚度的铝层形成引线复铝区5。
[0033]将氧化铝经配料、造粒、干压成形、高温烧结、检验等工序制成陶瓷底板基片I和陶瓷盖板基片3。
[0034]将陶瓷底板基片I和陶瓷盖板基片3采用丝网印刷的方法将低熔玻璃4浆料印刷到上面，经排胶烧结使低熔玻璃4与陶瓷紧密结合在一起。
[0035]将烧结好玻璃的陶瓷底板基片I与引线框架2准确定位经400°C左右烧到一起，经检验合格，与印刷好玻璃的陶瓷盖板基片3 —起提供用户使用。
[0036]如图3所述，在使用过程中，将型号配对的IC芯片6置于第一矩形凹槽11内，再用硅铝丝或金丝7将IC芯片上的触点与覆盖有铝层的引线区5连接起来使两者充分接触，最后将陶瓷盖板基片3盖在引线框架2上方，该处由于第二矩形凹槽大于第一矩形凹槽，使得IC芯片的触点引出的硅铝丝或金丝7可以和裸露在外的引线接触。
[0037]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。
【权利要求】
1.一种表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:包括一陶瓷底板基片、一引线框架和一陶瓷盖板基片，所述陶瓷底板基片的表面设置有用于固定所述引线框架的低熔玻璃；所述陶瓷底板基片中部开设有第一矩形凹槽，所述引线框架具有48条引线，所述引线内端均匀分布于第一矩形凹槽四周，所述引线外端均匀分布于陶瓷底板基片两侧，所述陶瓷盖板基片中部设置有第二矩形凹槽，所述第二矩形凹槽表面设置有低熔玻璃，所述第二矩形凹槽大于所述第一矩形凹槽。
2.根据权利要求1所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述引线宽度为0.25mm。
3.根据权利要求2所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述相邻两引线的间距为0.635mm。
4.根据权利要求3所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述位于陶瓷底板基片一侧的第一条引线设置有一凸部用于确定引线编号。
5.根据权利要求4所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述引线的末端固定于一矩形框架上，用于保护所述弓I线。
6.根据权利要求1所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述陶瓷盖板基片和陶瓷底板基片表面的长为16mm，宽为9.65mm，所述两基板的厚度为 1.0?L Imnin
7.根据权利要求6所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述陶瓷盖板基片外边缘设置有一半圆形凹槽用于确定其方向。
8.根据权利要求1所述的表贴式低温玻璃熔封48线窄间距陶瓷IC外壳，其特征在于:所述引线内端的表面覆盖有铝层。
【文档编号】H01L23/495GK204216032SQ201420685626
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年11月17日 优先权日:2014年11月17日
【发明者】宁利华, 洪祖强, 赵桂林 申请人:福建省南平市三金电子有限公司
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