一种基于ltcc高密度热流的散热腔体的制作方法
一种基于ltcc高密度热流的散热腔体的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，它包括可伐腔体（1）、镶块（2）、芯片（3）和陶瓷基片（4），镶块（2）通过锡焊镶嵌于可伐腔体（1）的底部，芯片（3）设置于镶块（2）上方，陶瓷基片（4）烧结于镶块（2）一侧的可伐腔体（1）底部，芯片（3）与陶瓷基片（4）通过金丝（5）键合；所述的镶块（2）为高导热材料制成。本实用新型的优点在于：使可伐腔体与钨铜块结合成一体，既保证了可伐腔体与陶瓷基片相近的膨胀系数，不会引起热应力损坏，又保证了芯片在钨铜块上的散热良好。
【专利说明】一种基于LTCC高密度热流的散热腔体
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及散热腔体，特别是一种基于LTCC高密度热流的散热腔体。
【背景技术】
[0002]任何电子器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗变成热量。小功率器件损耗小，无需散热装置，而大功率器件损耗大，若不采取散热措施，则器件的温度可达到或超过允许的结温，器件将受到损坏，因此必须加散热装置。最常用的是采用高导热率的材料作为腔体，但是往往导热率高的材料，热应力比较大，难以满足电子设备低热应力，高导热率的要求。
[0003]T/R组件是相控阵雷达的核心部件，是实现和保证雷达整机性能的关键所在。T/R封装材料往往追求材料的热膨胀系数(CTE)要与芯片材料如S1、砷化镓(GaAs)以及陶瓷基板材料如A1203、BeO等相匹配，在(3?7) X 10-6°C -1之间，以避免芯片的热应力损坏。随着电子晶片不断向高性能、高速度和高集成度的方向发展，电子元件的发热量及相对热流量越来越高，散热问题逐渐成为T/R组件首先要解决的关键技术之一，直接影响到组件的可靠性和寿命。选择一种合理的结构材料成为T/R组件结构设计的关键部分。
实用新型内容
[0004]本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种导热率高和热应力低的基于LTCC高密度热流的散热腔体，使可伐腔体与钨铜块结合成一体，既保证了可伐腔体与陶瓷基片相近的膨胀系数，不会引起热应力损坏，又保证了芯片在钨铜块上的散热良好。
[0005]本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，它包括可伐腔体、镶块、芯片和陶瓷基片，镶块通过锡焊镶嵌于可伐腔体的底部，芯片设置于镶块上方，陶瓷基片烧结于镶块一侧的可伐腔体底部，芯片与陶瓷基片通过金丝键入口 ο
[0006]所述的镶块为高导热材料制成。
[0007]所述的镶块为钨铜块，芯片烧结于钨铜块上。
[0008]本实用新型具有以下优点:本实用新型使可伐腔体与钨铜块结合成一体，既保证了可伐腔体与陶瓷基片相近的膨胀系数，不会引起热应力损坏，又保证了芯片在钨铜块上的散热良好。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的结构示意图；
[0010]图中:1-可伐腔体，2_懷块，3_芯片，4_陶瓷基片，5_金丝。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图对本实用新型做进一步的描述，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
[0012]如图1所示，一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，它包括可伐腔体1、镶块2、芯片3和陶瓷基片4，镶块2通过锡焊镶嵌于可伐腔体I的底部，芯片3设置于镶块2上方，陶瓷基片4烧结于镶块2 —侧的可伐腔体I底部，芯片3与陶瓷基片4通过金丝5键合。
[0013]所述的镶块2为高导热材料制成。
[0014]所述的镶块2为钨铜块，芯片烧结于钨铜块上。
[0015]本实用新型的工作过程如下:钨铜块采用锡焊的方式镶嵌在可伐腔体I的底部，陶瓷基片4与可伐腔体I烧结，芯片3烧结在钨铜块上，可伐腔体I与钨铜块结合成一体，既保证了可伐腔体I与陶瓷基片4相近的膨胀系数，不会引起热应力损坏，又保证了芯片3在钨铜块上的散热良好。
【权利要求】
1.一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，其特征在于:它包括可伐腔体(I)、镶块(2)、芯片(3)和陶瓷基片(4)，镶块(2)通过锡焊镶嵌于可伐腔体(I)的底部，芯片(3)设置于镶块(2)上方，陶瓷基片(4)烧结于镶块(2) —侧的可伐腔体(I)底部，芯片(3)与陶瓷基片(4)通过金丝(5)键合。
2.根据权利要求1所述的一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，其特征在于:所述的镶块(2)为高导热材料制成。
3.根据权利要求1或2所述的一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，其特征在于:所述的镶块(2)为钨铜块，芯片(3)烧结于钨铜块上。
【文档编号】H01L23/373GK204204832SQ201420686693
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月17日 优先权日:2014年11月17日
【发明者】王博, 兰伟 申请人:成都泰格微电子研究所有限责任公司
【专利摘要】本实用新型涉及一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，它包括可伐腔体（1）、镶块（2）、芯片（3）和陶瓷基片（4），镶块（2）通过锡焊镶嵌于可伐腔体（1）的底部，芯片（3）设置于镶块（2）上方，陶瓷基片（4）烧结于镶块（2）一侧的可伐腔体（1）底部，芯片（3）与陶瓷基片（4）通过金丝（5）键合；所述的镶块（2）为高导热材料制成。本实用新型的优点在于：使可伐腔体与钨铜块结合成一体，既保证了可伐腔体与陶瓷基片相近的膨胀系数，不会引起热应力损坏，又保证了芯片在钨铜块上的散热良好。
【专利说明】一种基于LTCC高密度热流的散热腔体
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及散热腔体，特别是一种基于LTCC高密度热流的散热腔体。
【背景技术】
[0002]任何电子器件在工作时都有一定的损耗，大部分的损耗变成热量。小功率器件损耗小，无需散热装置，而大功率器件损耗大，若不采取散热措施，则器件的温度可达到或超过允许的结温，器件将受到损坏，因此必须加散热装置。最常用的是采用高导热率的材料作为腔体，但是往往导热率高的材料，热应力比较大，难以满足电子设备低热应力，高导热率的要求。
[0003]T/R组件是相控阵雷达的核心部件，是实现和保证雷达整机性能的关键所在。T/R封装材料往往追求材料的热膨胀系数(CTE)要与芯片材料如S1、砷化镓(GaAs)以及陶瓷基板材料如A1203、BeO等相匹配，在(3?7) X 10-6°C -1之间，以避免芯片的热应力损坏。随着电子晶片不断向高性能、高速度和高集成度的方向发展，电子元件的发热量及相对热流量越来越高，散热问题逐渐成为T/R组件首先要解决的关键技术之一，直接影响到组件的可靠性和寿命。选择一种合理的结构材料成为T/R组件结构设计的关键部分。
实用新型内容
[0004]本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种导热率高和热应力低的基于LTCC高密度热流的散热腔体，使可伐腔体与钨铜块结合成一体，既保证了可伐腔体与陶瓷基片相近的膨胀系数，不会引起热应力损坏，又保证了芯片在钨铜块上的散热良好。
[0005]本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，它包括可伐腔体、镶块、芯片和陶瓷基片，镶块通过锡焊镶嵌于可伐腔体的底部，芯片设置于镶块上方，陶瓷基片烧结于镶块一侧的可伐腔体底部，芯片与陶瓷基片通过金丝键入口 ο
[0006]所述的镶块为高导热材料制成。
[0007]所述的镶块为钨铜块，芯片烧结于钨铜块上。
[0008]本实用新型具有以下优点:本实用新型使可伐腔体与钨铜块结合成一体，既保证了可伐腔体与陶瓷基片相近的膨胀系数，不会引起热应力损坏，又保证了芯片在钨铜块上的散热良好。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的结构示意图；
[0010]图中:1-可伐腔体，2_懷块，3_芯片，4_陶瓷基片，5_金丝。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图对本实用新型做进一步的描述，但本实用新型的保护范围不局限于以下所述。
[0012]如图1所示，一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，它包括可伐腔体1、镶块2、芯片3和陶瓷基片4，镶块2通过锡焊镶嵌于可伐腔体I的底部，芯片3设置于镶块2上方，陶瓷基片4烧结于镶块2 —侧的可伐腔体I底部，芯片3与陶瓷基片4通过金丝5键合。
[0013]所述的镶块2为高导热材料制成。
[0014]所述的镶块2为钨铜块，芯片烧结于钨铜块上。
[0015]本实用新型的工作过程如下:钨铜块采用锡焊的方式镶嵌在可伐腔体I的底部，陶瓷基片4与可伐腔体I烧结，芯片3烧结在钨铜块上，可伐腔体I与钨铜块结合成一体，既保证了可伐腔体I与陶瓷基片4相近的膨胀系数，不会引起热应力损坏，又保证了芯片3在钨铜块上的散热良好。
【权利要求】
1.一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，其特征在于:它包括可伐腔体(I)、镶块(2)、芯片(3)和陶瓷基片(4)，镶块(2)通过锡焊镶嵌于可伐腔体(I)的底部，芯片(3)设置于镶块(2)上方，陶瓷基片(4)烧结于镶块(2) —侧的可伐腔体(I)底部，芯片(3)与陶瓷基片(4)通过金丝(5)键合。
2.根据权利要求1所述的一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，其特征在于:所述的镶块(2)为高导热材料制成。
3.根据权利要求1或2所述的一种基于LTCC高密度热流的散热腔体，其特征在于:所述的镶块(2)为钨铜块，芯片(3)烧结于钨铜块上。
【文档编号】H01L23/373GK204204832SQ201420686693
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月17日 优先权日:2014年11月17日
【发明者】王博, 兰伟 申请人:成都泰格微电子研究所有限责任公司
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