一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备的制作方法
专利名称：一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种太阳能电池的制掩膜设备，具体涉及一种晶体硅太阳能电池制二氧化硅掩膜的设备。
背景技术：
近年来，光伏行业竞争激烈。提高行业竞争力的重要方法之一就是提高太阳能电池的转化效率。行业内各家公司通过各种手段来提高电池效率，其中选择性发射极电池成为各个企业主要采取的技术手段，该技术手段需要制备掩膜来抵抗局部区域的二次磷源扩散，因而掩膜的质量影响到选择性发射极原理能否实现。现有技术的晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，氧气直接通入反应腔室，通入氧气的温度不可控制，对制备的二氧化硅膜的致密性产生影响
发明内容
本发明的目的针对上述问题而提出的一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，可以在制作二次扩散选择性发射极电池中的第一次扩散步骤中形成结构致密、成膜均匀的一层二氧化硅层，能够有效低挡二次扩散中的重掺杂磷元素的进一步扩散。本发明的目的可以通过以下技术方案实现一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，包括反应腔室、磷源输出装置、恒温加热装置，其特征在于还包括去离子水装置，所述的去离子水装置设置在恒温加热装置上方。所述的反应腔室连接排气管道。所述的恒温加热装置上设有温度控制器，对去离子水装置内部的温度进行控制。该晶体硅太阳能电池制掩膜设备对硅片镀膜及扩散的反应流程为制掩膜工艺进行时，加热装置将反应腔体加热至所需温度，反应气体以一定比例进入反应腔室。其中磷源在氮气的携带下通入主管道，氧气在经过去离子水湿润后通入主管道，之后进入腔室完成与硅片反应。通过排气管道对反应尾气进行抽排处理。本发明的有益效果本发明通过在恒温加热装置上方设置去离子水装置，该去离子水装置内部的温度由温度控制器进行控制，使用该设备可以在潮湿的环境下对硅片进行磷扩撒及表面氧化，使表面形成的二氧化硅掩膜层结构更加致密，膜层更均匀，能够有效阻挡磷源的二次扩散，反应完成后的废气由排气管道排出。
图I为本发明结构示意图。图中1、大流量氮气进口，2、小流量氮气进口，3、氧气进口，4、磷源输出装置，5、去离子水装置，6、恒温加热装置，7、温度控制器，8、排气管道，9、反应腔室。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
如图I所示。一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，包括反应腔室9、磷源输出装置4、恒温加热装置6，其特征在于还包括去离子水装置5，所述的去离子水装置5设置在恒温加热装置6上方。所述的反应腔室9连接排气管道8。所述的恒温加热装置6上设有温度控制器7，对去离子水装置5内部的温度进行控制。该晶体硅太阳能电池制掩膜的设备对硅片表面制掩膜的反应流程为制掩膜工艺进行时，由小流量氮气进口 2通入的氮气进入三氯氧磷装置4，携带液态三氯氧磷后进入反应腔室9，沉积于硅片表面形成表面扩散，由氧气进口 3通入的氧气通入去离子水装置5后形成潮湿氛围，通入反应腔室9后起到氧化作用，使表面含磷原子的硅受到氧化，形成均匀的二氧化硅掩膜层，最后由大流量氮气进气口 I通入氮气进行吹扫，废气由排气管道8排出。实施例I硅片送入反应腔室9后，反应腔室9升温至790摄氏度，由小流量氮气进口 2通入的氮气经过磷源输出装置4，携带液态三氯氧磷流量lOOOsccm后进入反应腔室9，沉积于硅片表面形成表面扩散，氧气进口 3通入氧气流量9000sCCm，通入去离子水装置5后形成潮湿氛围，通入反应腔室9后起到氧化作用，使表面含磷原子的硅受到氧化，形成均匀的二氧化硅掩膜层，反应废气由大流量氮气进口 I通入氮气吹扫10分钟，废气排气管道8排出。
权利要求
1.一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，包括反应腔室(9)、磷源输出装置(4)、恒温加热装置(6)，其特征在于还包括去离子水装置(5)，所述的去离子水装置(5)设置在恒温加热装置(6)上方。
2.根据权利要求I所述的一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，其特征在于所述的反应腔室(9)连接排气管道(8)。
3.根据权利要求I所述的一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，其特征在于所述的恒温加热装置(6)上设有温度控制器(7)，对去离子水装置(5)内部的温度进行控制。
全文摘要
本发明公开一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，包括反应腔室、磷源输出装置、恒温加热装置，其特征在于还包括去离子水装置，所述的去离子水装置设置在恒温加热装置上方。本发明的有益效果本发明通过在恒温加热装置上方设置去离子水装置，该去离子水装置内部的温度由温度控制器进行控制，使用该设备可以在潮湿的环境下对硅片进行磷扩撒及表面氧化，使表面形成的二氧化硅掩膜层结构更加致密，膜层更均匀，能够有效阻挡磷源的二次扩散，反应完成后的废气由排气管道排出。
文档编号H01L31/18GK102931279SQ20121045416
公开日2013年2月13日 申请日期2012年11月14日 优先权日2012年11月14日
发明者史孟杰, 黄仑, 吴俊清, 王金伟, 全余生 申请人:东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司
技术领域：
本发明涉及一种太阳能电池的制掩膜设备，具体涉及一种晶体硅太阳能电池制二氧化硅掩膜的设备。
背景技术：
近年来，光伏行业竞争激烈。提高行业竞争力的重要方法之一就是提高太阳能电池的转化效率。行业内各家公司通过各种手段来提高电池效率，其中选择性发射极电池成为各个企业主要采取的技术手段，该技术手段需要制备掩膜来抵抗局部区域的二次磷源扩散，因而掩膜的质量影响到选择性发射极原理能否实现。现有技术的晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，氧气直接通入反应腔室，通入氧气的温度不可控制，对制备的二氧化硅膜的致密性产生影响
发明内容
本发明的目的针对上述问题而提出的一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，可以在制作二次扩散选择性发射极电池中的第一次扩散步骤中形成结构致密、成膜均匀的一层二氧化硅层，能够有效低挡二次扩散中的重掺杂磷元素的进一步扩散。本发明的目的可以通过以下技术方案实现一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，包括反应腔室、磷源输出装置、恒温加热装置，其特征在于还包括去离子水装置，所述的去离子水装置设置在恒温加热装置上方。所述的反应腔室连接排气管道。所述的恒温加热装置上设有温度控制器，对去离子水装置内部的温度进行控制。该晶体硅太阳能电池制掩膜设备对硅片镀膜及扩散的反应流程为制掩膜工艺进行时，加热装置将反应腔体加热至所需温度，反应气体以一定比例进入反应腔室。其中磷源在氮气的携带下通入主管道，氧气在经过去离子水湿润后通入主管道，之后进入腔室完成与硅片反应。通过排气管道对反应尾气进行抽排处理。本发明的有益效果本发明通过在恒温加热装置上方设置去离子水装置，该去离子水装置内部的温度由温度控制器进行控制，使用该设备可以在潮湿的环境下对硅片进行磷扩撒及表面氧化，使表面形成的二氧化硅掩膜层结构更加致密，膜层更均匀，能够有效阻挡磷源的二次扩散，反应完成后的废气由排气管道排出。
图I为本发明结构示意图。图中1、大流量氮气进口，2、小流量氮气进口，3、氧气进口，4、磷源输出装置，5、去离子水装置，6、恒温加热装置，7、温度控制器，8、排气管道，9、反应腔室。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
如图I所示。一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，包括反应腔室9、磷源输出装置4、恒温加热装置6，其特征在于还包括去离子水装置5，所述的去离子水装置5设置在恒温加热装置6上方。所述的反应腔室9连接排气管道8。所述的恒温加热装置6上设有温度控制器7，对去离子水装置5内部的温度进行控制。该晶体硅太阳能电池制掩膜的设备对硅片表面制掩膜的反应流程为制掩膜工艺进行时，由小流量氮气进口 2通入的氮气进入三氯氧磷装置4，携带液态三氯氧磷后进入反应腔室9，沉积于硅片表面形成表面扩散，由氧气进口 3通入的氧气通入去离子水装置5后形成潮湿氛围，通入反应腔室9后起到氧化作用，使表面含磷原子的硅受到氧化，形成均匀的二氧化硅掩膜层，最后由大流量氮气进气口 I通入氮气进行吹扫，废气由排气管道8排出。实施例I硅片送入反应腔室9后，反应腔室9升温至790摄氏度，由小流量氮气进口 2通入的氮气经过磷源输出装置4，携带液态三氯氧磷流量lOOOsccm后进入反应腔室9，沉积于硅片表面形成表面扩散，氧气进口 3通入氧气流量9000sCCm，通入去离子水装置5后形成潮湿氛围，通入反应腔室9后起到氧化作用，使表面含磷原子的硅受到氧化，形成均匀的二氧化硅掩膜层，反应废气由大流量氮气进口 I通入氮气吹扫10分钟，废气排气管道8排出。
权利要求
1.一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，包括反应腔室(9)、磷源输出装置(4)、恒温加热装置(6)，其特征在于还包括去离子水装置(5)，所述的去离子水装置(5)设置在恒温加热装置(6)上方。
2.根据权利要求I所述的一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，其特征在于所述的反应腔室(9)连接排气管道(8)。
3.根据权利要求I所述的一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，其特征在于所述的恒温加热装置(6)上设有温度控制器(7)，对去离子水装置(5)内部的温度进行控制。
全文摘要
本发明公开一种晶体硅太阳能电池制掩膜的设备，包括反应腔室、磷源输出装置、恒温加热装置，其特征在于还包括去离子水装置，所述的去离子水装置设置在恒温加热装置上方。本发明的有益效果本发明通过在恒温加热装置上方设置去离子水装置，该去离子水装置内部的温度由温度控制器进行控制，使用该设备可以在潮湿的环境下对硅片进行磷扩撒及表面氧化，使表面形成的二氧化硅掩膜层结构更加致密，膜层更均匀，能够有效阻挡磷源的二次扩散，反应完成后的废气由排气管道排出。
文档编号H01L31/18GK102931279SQ20121045416
公开日2013年2月13日 申请日期2012年11月14日 优先权日2012年11月14日
发明者史孟杰, 黄仑, 吴俊清, 王金伟, 全余生 申请人:东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司
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