发光二极管装置与其制造方法
发光二极管装置与其制造方法
【专利摘要】本发明揭露一种发光二极管装置与其制造方法。发光二极管装置包含导电支架、发光二极管芯片与第一导电层。导电支架具有第一导电部、第二导电部与绝缘部。绝缘部用以间隔第一导电部与第二导电部。发光二极管芯片设置于第二导电部上，且发光二极管芯片的表面具有第一电极与第二电极。第一导电层形成于第一导电部上且位于发光二极管芯片的一侧。第一导电层的第一边缘被加工形成可弯折的第一导电延伸脚，且第一导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第一电极。
【专利说明】发光二极管装置与其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关一种发光二极管装置与其制造方法。
【背景技术】
[0002]—般而言,发光二极管模块包含发光芯片、底座与透镜。透镜覆盖于发光芯片上，使发光芯片发出的光线较为均匀。举例来说，发光芯片可以为蓝光的发光芯片，透镜可以具有黄色荧光粉。当蓝光经过黄色荧光粉后，发光二极管模块便可发出白光的光线。此外，发光芯片设置于底座上，且发光芯片的表面具有正极接点与负极接点。底座紧邻发光芯片旁的表面具有正极导电层与负极导电层。发光芯片的正极接点与负极接点需分别通过传统型式的导线连接底座的正极导电层与负极导电层。其中，传统型式的导线常通过打线(wirebonding)的方式固定于发光芯片与底座之间。
[0003]如此一来，发光二极管模块至少会形成四个焊接的接点，不仅导线的成本高，且因接点数量多可能产生假焊的情况，使得发光芯片可能未电性连接于底座，造成发光二极管模块的可靠度降低。
【发明内容】
[0004]本发明的一技术方案为提供一种发光二极管装置。
[0005]根据本发明一实施方式,一种发光二极管装置包含导电支架、发光二极管芯片与第一导电层。导电支架具有第一导电部、第二导电部与绝缘部。绝缘部用以间隔第一导电部与第二导电部。发光二极管芯片设置于第二导电部上，且发光二极管芯片的表面具有第一电极与第二电极。第一导电层形成于第一导电部上且位于发光二极管芯片的一侧。第一导电层的第一边缘被加工形成可弯折的第一导电延伸脚，且第一导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第一电极。
[0006]在本发明一实施方式中，上述第一导电延伸脚的厚度介于0.005至0.002英寸之间。
[0007]在本发明一实施方式中，上述发光二极管芯片的表面是包含上表面与下表面。
[0008]在本发明一实施方式中，上述第一电极与第二电极分别位于发光二极管芯片的上表面与下表面上，且第二电极接触第二导电部。
[0009]在本发明一实施方式中，上述第一电极与第二电极位于发光二极管芯片的上表面上，且发光二极管装置还包含第二导电层。第二导电层形成于第二导电部上且位于发光二极管芯片的另一侧。第二导电层的第二边缘被加工形成可弯折的第二导电延伸脚，且第二导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第二电极。
[0010]在本发明一实施方式中，上述第二导电延伸脚的厚度介于0.005至0.002英寸之间。
[0011]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置还包含反射杯与封装胶。反射杯容置导电支架与发光二极管芯片。封装胶位于反射杯中，用以覆盖发光二极管芯片。[0012]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置还包含透镜覆盖发光二极管芯片。
[0013]本发明的一技术方案为一种发光二极管装置的制造方法。
[0014]根据本发明一实施方式，一种发光二极管装置的制造方法包含:(a)提供导电支架；(b)形成第一导电层于导电支架的第一导电部上；(C)铳削或切削第一导电层，使第一导电层的第一边缘形成可弯折的第一导电延伸脚；(d)设置发光二极管芯片于导电支架的第二导电部上；以及(e)连接第一导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第一电极。
[0015]在本发明一实施方式中，上述步骤(C)中的铳削第一导电层是移动导电支架至紧邻一转动的刀具的位置，使第一导电层接触刀具。
[0016]在本发明一实施方式中，上述步骤(C)中的切削第一导电层是移动刀具至紧邻导电支架的位置，使刀具接触第一导电层。
[0017]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含浸泡第一导电层与刀具于一硅油中。
[0018]在本发明一实施方式中，上述步骤(e)包含热压或超音波振动于第一导电延伸脚，使第一导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第一电极。
[0019]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含:(f)形成第二导电层于导电支架的第二导电部上；(g)铳削或切削第二导电层，使第二导电层的第二边缘形成可弯折的第二导电延伸脚；以及(h)连接第二导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第二电极。
[0020]在本发明一实施方式中，上述步骤(g)中的铳削第二导电层是移动导电支架至紧邻一转动的刀具的位置，使第二导电层接触刀具。
[0021]在本发明一实施方式中，上述步骤(g)中的切削第二导电层是移动一刀具至紧邻导电支架的位置，使刀具接触第二导电层。
[0022]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含浸泡第二导电层与刀具于一硅油中。
[0023]在本发明一实施方式中，上述步骤(h)包含热压或超音波振动于第二导电延伸脚，使第二导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第二电极。
[0024]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含容置导电支架与发光二极管芯片于反射杯中，以及填充一封装胶于反射杯中，使发光二极管芯片被封装胶覆盖。
[0025]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含设置透镜于导电支架上，使发光二极管芯片被透镜覆盖。
[0026]在本发明上述实施方式中，由于发光二极管装置的第一导电层的第一边缘被加工形成可弯折的第一导电延伸脚，且第一导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第一电极，因此发光二极管装置不需设置额外传统型式的导线来连接第一导电层与发光二极管芯片，因此可节省导线的成本。此外，由于第一导电层与发光二极管芯片之间不具传统型式的导线，因此发光二极管装置可减少焊接导线的接点而降低假焊发生的机率。如此一来，发光二极管装置的合格率与可靠度得以提升。
【专利附图】
【附图说明】[0027]图1绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置的剖面图；
[0028]图2绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置的剖面图；
[0029]图3绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置的剖面图；
[0030]图4绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置的剖面图；
[0031]图5绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置的制造方法的流程图；
[0032]图6绘示导电支架往刀具移动时的示意图；
[0033]图7绘示图6的刀具铳削第一导电层时的示意图；
[0034]图8绘示图7的第二导电部设置发光二极管芯片后的示意图；
[0035]图9绘示图6的刀具铳削第一导电层与第二导电层后的示意图；
[0036]图10绘示图9的第二导电部设置发光二极管芯片后的示意图；
[0037]图11绘示刀具于硅油中铳削第一导电层时的示意图；
[0038]图12绘示刀具往第一导电层移动时的示意图；
[0039]图13绘示图12的刀 具切削第一导电层时的示意图。
[0040]【主要元件符号说明】
[0041]100a:发光二极管装置IOOb:发光二极管装置
[0042]IOOc:发光二极管装置IOOd:发光二极管装置
[0043]110:导电支架112:第一导电部
[0044]114:第二导电部116:绝缘部
[0045]120:发光二极管芯片121:上表面
[0046]122:第一电极123:下表面
[0047]124:第二电极130:第一导电层
[0048]131:第一边缘132:第一导电延伸脚
[0049]133:—端140:第二导电层
[0050]141:第二边缘142:第二导电延伸脚
[0051]143: 一端150:反射杯
[0052]151:开160:封装胶
[0053]170:透镜180:刀具
[0054]190:油槽192:硅油
[0055]200:刀具Dl:方向
[0056]D2:方向D3:方向
[0057]S1:步骤S2:步骤
[0058]S3:步骤S4:步骤
[0059]S5:步骤
【具体实施方式】
[0060]以下将以附图揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。[0061]图1绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置IOOa的剖面图。如图所示，发光二极管装置IOOa包含导电支架110、发光二极管芯片120与第一导电层130。其中，导电支架110具有第一导电部112、第二导电部114与绝缘部116。绝缘部116位于第一导电部112与第二导电部114之间，用以间隔第一导电部112与第二导电部114，使得第一导电部112与第二导电部114不会电性连接。此外，发光二极管芯片120设置于第二导电部114上，且发光二极管芯片120的表面具有第一电极122与第二电极124。上述发光二极管芯片120的表面是包含上表面121与下表面123。第一电极122与第二电极124可以分别为正极与负极，亦可分别为负极与正极，并不以限制本发明。
[0062]在本实施方式中，第一电极122与第二电极124分别位于发光二极管芯片120的上表面121与下表面123上。位于下表面123的第二电极124接触并电性连接第二导电部114。第一导电层130形成于第一导电部112上且位于发光二极管芯片120的一侧。此外，第一导电层130的第一边缘131被加工形成可弯折的第一导电延伸脚132,且第一导电延伸脚132的一端133连接于发光二极管芯片120的第一电极122。
[0063]更具体地说，第一导电层130与第一导电延伸脚132为一体成型的金属(例如铜)。第一导电延伸脚132可通过铳削或切削第一导电层130的第一边缘131来形成。在本实施方式中，第一导电延伸脚132的任一截面的厚度介于0.005至0.002英寸之间，使第一导电延伸脚132具有可弯折的特性。此外,第一导电延伸脚132的一端133可米用热压、超音波振动、或同步热压与超音波振动的打线方式使其连接于发光二极管芯片120的第一电极122。热压的制程温度介于280至320°C之间，为高温的打线方式。超音波振动、同步热压与超音波振动的制程温度介于100至200°C之间，为低温的打线方式。设计者可依实际需求选用适当的连接方式，但不以上述连接方式为限。
[0064]在本实施方式中，发光二极管装置IOOa为垂直式(vertical)的发光二极管装置。由于发光二极管装置IOOa的第一导电层130的第一边缘131被加工形成可弯折的第一导电延伸脚132,且第一导电延伸脚132的一端133连接于发光二极管芯片120的第一电极122，因此发光二极管装置IOOa不需设置额外传统型式的导线来连接第一导电层130与发光二极管芯片120,因此可节省导线的成本。此外，由于第一导电层130与发光二极管芯片120之间不具传统型式导线，因此发光二极管装置IOOa可减少焊接导线的接点而降低假焊发生的机率。与已知发光二极管装置相较(例如具有四个导线焊接的接点的发光二极管)，此发光二极管装置IOOa的合格率与可靠度得以提升。
[0065]图2绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置IOOb的剖面图。发光二极管装置IOOb包含导电支架110、发光二极管芯片120与第一导电层130。与图1的实施方式不同的地方在于:第一电极122与第二电极124均位于发光二极管芯片120的上表面121上，且发光二极管装置IOOb还包含第二导电层140。
[0066]在本实施方式中，第二导电层140形成于第二导电部114上且位于发光二极管芯片120的另一侧。第二导电层140的第二边缘141被加工形成可弯折的第二导电延伸脚142，且第二导电延伸脚142的一端143连接于发光二极管芯片120的第二电极124。第二导电层140与第二导电延伸脚142为一体成型的金属(例如铜)，且第二导电延伸脚142可通过铳削或切削第二导电层140的第二边缘141来形成。第二导电延伸脚142的任一截面的厚度介于0.005至0.002英寸之间，使第二导电延伸脚142具有可弯折的特性。此外，由于第二导电延伸脚142的一端143与发光二极管芯片120的第二电极124的连接方式与前述实施方式第一导电延伸脚132的一端133与发光二极管芯片120的第一电极122的连接方式雷同，故不重复赘述。
[0067]为求简洁，已经在上述实施方式中叙述过的元件连接关系将不再重复赘述。在以下叙述中，仅说明发光二极管装置IOOb还可包含的其他元件，合先叙明。
[0068]图3绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置IOOc的剖面图。发光二极管装置IOOc包含导电支架110、发光二极管芯片120、第一导电层130与第二导电层140。与图2的实施方式不同的地方在于:发光二极管装置IOOc还可包含反射杯150与封装胶160。反射杯150容置导电支架110与发光二极管芯片120，且具有开口 151。封装胶160位于反射杯150中，并覆盖发光二极管芯片120。当发光二极管芯片120发光时，光线可穿过封装胶160并由反射杯150的开口 151发出。
[0069]在本实施方式中，发光二极管装置IOOc为塑胶晶粒承载封装(Plastic LeadedChip Carrier ；PLCC)的发光二极管装置。封装胶160可以包含荧光粉。发光二极管芯片120发出的光线可激发封装胶160中的突光粉,而使发光二极管装置IOOc产生与发光二极管芯片120不同颜色的光线。举例来说，当发光二极管芯片120为蓝光发光二极管芯片且封装胶160包含黄色突光粉时,发光二极管装置IOOc可发出白色的光线。在制作发光二极管装置IOOc时，可先将导电支架110与发光二极管芯片120容置于反射杯150中。之后填充封装胶160于反射杯150中，使发光二极管芯片120被封装胶160覆盖。
[0070]图4绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置IOOd的剖面图。发光二极管装置IOOd包含导电支架110、发光二极管芯片120、第一导电层130与第二导电层140。与图2的实施方式不同的地方在于:发光二极管装置IOOd还包含透镜170覆盖发光二极管芯片120。当发光二极管芯片120发光时，光线可穿过透镜170而发出。在本实施方式中，发光二极管装置IOOd为发射体(Emitter)的发光二极管装置。在制作发光二极管装置IOOd时，可将透镜170设置于导电支架110上，使发光二极管芯片120可被透镜170覆盖。
[0071]图5绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置的制造方法的流程图。发光二极管装置的制造方法包含下列步骤:首先在步骤SI中，提供导电支架。接着在步骤S2中，形成第一导电层于导电支架的第一导电部上。之后在步骤S3中,铳削或切削第一导电层，使第一导电层的第一边缘形成可弯折的第一导电延伸脚。接着在步骤S4中，设置发光二极管芯片于导电支架的第二导电部上。最后在步骤S5中，连接第一导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第一电极。
[0072]经由步骤SI至步骤S5可制作图1的发光二极管装置100a。然而，当制作图2的发光二极管装置IOOb时，还需包含下列步骤:形成第二导电层于导电支架的第二导电部上；铳削或切削第二导电层，使第二导电层的第二边缘形成可弯折的第二导电延伸脚；以及连接第二导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第二电极。
[0073]在以下叙述中，将详细说明发光二极管装置的第一导电延伸脚与第二导电延伸脚的形成方式。然而，第一导电延伸脚与第二导电延伸脚的形成方式相同，因此主要以第一导电延伸脚来作说明，合先叙明。
[0074]图6绘示导电支架110往刀具180移动时的示意图。图7绘示图6的刀具180铳削第一导电层130时的示意图。同时参阅图6与图7，第一导电层130的第一边缘131是以铳削的方式形成可弯折的第一导电延伸脚132。铳削第一导电层130意指移动导电支架110至紧邻一转动的刀具180的位置，使第一导电层130接触刀具180。
[0075]在本实施方式中，刀具180于固定位置以方向Dl转动，导电支架110可通过移动的承载台(未绘示于图)以方向D2往刀具180移动。当位于导电支架110的第一导电部112上的第一导电层130接触刀具180时，刀具180铳削第一导电层130，使第一导电层130的第一边缘131形成可弯折的第一导电延伸脚132。
[0076]图8绘示图7的第二导电部114设置发光二极管芯片120后的示意图。当第一导电层130的第一导电延伸脚132形成后,发光二极管芯片120可设置于导电支架110的第二导电部114上。接着便可通过热压、超音波振动、或同步热压与超音波振动的打线方式将第一导电延伸脚132的一端133连接于发光二极管芯片120的第一电极122，便可得到图1绘示的发光二极管装置100a。
[0077]图9绘示图6的刀具180铳削第一导电层130与第二导电层140后的示意图。图10绘示图9的第二导电部114设置发光二极管芯片120后的示意图。同时参阅图9与图10，当第一导电层130的第一导电延伸脚132与第二导电层140的第二导电延伸脚142形成后，发光二极管芯片120可设置于导电支架110的第二导电部114上。接着便可通过热压、超音波振动、或同步热压与超音波振动的打线方式将第一导电延伸脚132的一端133与第二导电延伸脚142的一端143分别连接于发光二极管芯片120的第一电极122与第二电极124，便可得到图2绘示的发光二极管装置100b。
[0078]图11绘示刀具180于硅油192中铳削第一导电层130时的示意图。油槽190容置硅油192，第一导电层130与刀具180浸泡于硅油192中。刀具180于硅油192中以方向Dl转动，导电支架110于娃油192中通过移动的承载台(未绘不于图)以方向D2往刀具180移动。
[0079]当位于导电支架110的第一导电部112上的第一导电层130接触刀具180时，刀具180铳削第一导电层130。硅油192的冷却性良好，不仅可避免刀具180铳削第一导电层130时产生过高的温度，并可使铳削第一导电层130产生的碎屑迅速沉淀。
[0080]图12绘示刀具200往第一导电层130移动时的示意图。图13绘示图12的刀具200切削第一导电层130时的示意图。同时参阅图12与图13，第一导电层130的第一边缘131是以切削的方式形成可弯折的第一导电延伸脚132。切削第一导电层130意指移动刀具200至紧邻导电支架110的位置，使刀具200接触第一导电层130。
[0081]在本实施方式中，刀具200以方向D3移动，导电支架110不动。当刀具200接触位于导电支架110的第一导电部112上的第一导电层130时，刀具200切削第一导电层130，使第一导电层130的第一边缘131形成可弯折的第一导电延伸脚132。
[0082]由于第二导电延伸脚的形成方式与第一导电延伸脚相同，因此可参考前述第一导电延伸脚的形成方式。当制作图2的发光二极管装置IOOb时，需先形成第二导电层于导电支架的第二导电部上。接着，铳削或切削第二导电层，使第二导电层的第二边缘形成可弯折的第二导电延伸脚。之后，连接第二导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第二电极。其中，铳削第二导电层是移动导电支架至紧邻一转动的刀具的位置，使第二导电层接触刀具。切削第二导电层是移动一刀具至紧邻导电支架的位置，使刀具接触第二导电层。此外，亦可浸泡第二导电层与刀具于一硅油中来进行铳削或切削的程序。当连接第二导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第二电极时，可通过热压或超音波振动于第二导电延伸脚，使第二导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第二电极。
[0083]本发明上述实施方式与先前技术相较，由于发光二极管装置的导电层的边缘被加工形成可弯折的导电延伸脚，且导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的电极，因此发光二极管装置不需设置额外传统型式的导线来连接导电层与发光二极管芯片，因此可节省导线的成本。此外，与已知具有四个导线焊接接点的发光二极管装置相较，由于此发光二极管装置的导电层与发光二极管芯片之间不具传统型式的导线，而是通过导电层的导电延伸脚来连接发光二极管芯片，因此发光二极管装置可减少焊接导线的接点而降低假焊发生的机率。如此一来，发光二极管装置的合格率与可靠度得以提升。
[0084]虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
【权利要求】
1.一种发光二极管装置，其特征在于，包含: 一导电支架，具有一第一导电部、一第二导电部与一绝缘部用以间隔该第一导电部与该第二导电部； 一发光二极管芯片，设置于该第二导电部上，且该发光二极管芯片的表面具有一第一电极与一第二电极；以及 一第一导电层，形成于该第一导电部上且位于该发光二极管芯片的一侧，其中该第一导电层的一第一边缘被加工形成可弯折的一第一导电延伸脚，且该第一导电延伸脚的一端连接于该发光二极管芯片的该第一电极。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一导电延伸脚的厚度介于0.005至0.002英寸之间。
3.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该发光二极管芯片的表面是包含一上表面与一下表面。
4.根据权利要求3所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一电极与该第二电极分别位于该发光二极管芯片的该上表面与该下表面上，且该第二电极接触该第二导电部。
5.根据权利要求3所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一电极与该第二电极位于该发光二极管芯片的该上表面上，且该发光二极管装置还包含: 一第二导电层，形成于该第二导电部上且位于该发光二极管芯片的另一侧，其中该第二导电层的一第二边缘被加工形成可弯折的一第二导电延伸脚，且该第二导电延伸脚的一端连接于该发光二极管芯片的该第二电极。`
6.根据权利要求5所述的发光二极管装置，其特征在于，该第二导电延伸脚的厚度介于0.005至0.002英寸之间。
7.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，还包含: 一反射杯，容置该导电支架与该发光二极管芯片；以及 一封装胶，位于该反射杯中，用以覆盖该发光二极管芯片。
8.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，还包含: 一透镜，覆盖该发光二极管芯片。
9.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，包含: (a)提供一导电支架； (b)形成一第一导电层于该导电支架的一第一导电部上； (C)铳削或切削该第一导电层，使该第一导电层的一第一边缘形成可弯折的一第一导电延伸脚； (d)设置一发光二极管芯片于该导电支架的一第二导电部上；以及 (e)连接该第一导电延伸脚的一端于该发光二极管芯片的一第一电极。
10.根据权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该步骤(c)中的铳削该第一导电层是移动该导电支架至紧邻一转动的刀具的位置，使该第一导电层接触该刀具。
11.根据权利要求10所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: 浸泡该第一导电层与该刀具于一硅油中。
12.根据权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该步骤(c)中的切削该第一导电层是移动一刀具至紧邻该导电支架的位置，使该刀具接触该第一导电层。
13.根据权利要求12所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: 浸泡该第一导电层与该刀具于一硅油中。
14.根据权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该步骤(e)包含: 热压或超音波振动于该第一导电延伸脚，使该第一导电延伸脚的一端连接于该发光二极管芯片的该第一电极。
15.根据权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: (f)形成一第二导电层于该导电支架的该第二导电部上； (g)铳削或切削该第二导电层，使该第二导电层的一第二边缘形成可弯折的一第二导电延伸脚；以及 (h)连接该第二导电延伸脚的一端于该发光二极管芯片的一第二电极。
16.根据权利要求15所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该步骤(g)中的铳削该第二导电层是移动该导电支架至紧邻一转动的刀具的位置，使该第二导电层接触该刀具。
17.根据权利要求16所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: 浸泡该第二导电层与该刀具于一硅油中。
18.根据权利要求15所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该步骤(g)中的切削该第二导电层是移动一刀具至紧邻该导电支架的位置，使该刀具接触该第二导电层。
19.根据权利要求18所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: 浸泡该第二导电层与该刀具于一硅油中。
20.根据权利要求15所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该步骤(h)包含: 热压或超音波振动于该第二导电延伸脚，使该第二导电延伸脚的一端连接于该发光二极管芯片的该第二电极。
21.根据权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: 容置该导电支架与该发光二极管芯片于一反射杯中；以及 填充一封装胶于该反射杯中，使该发光二极管芯片被该封装胶覆盖。
22.根据权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: 设置一透镜于该导电支架上，使该发光二极管芯片被该透镜覆盖。
【文档编号】H01L33/62GK103682065SQ201210337038
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月12日 优先权日:2012年8月31日
【发明者】林建志, 李育群 申请人:隆达电子股份有限公司
【专利摘要】本发明揭露一种发光二极管装置与其制造方法。发光二极管装置包含导电支架、发光二极管芯片与第一导电层。导电支架具有第一导电部、第二导电部与绝缘部。绝缘部用以间隔第一导电部与第二导电部。发光二极管芯片设置于第二导电部上，且发光二极管芯片的表面具有第一电极与第二电极。第一导电层形成于第一导电部上且位于发光二极管芯片的一侧。第一导电层的第一边缘被加工形成可弯折的第一导电延伸脚，且第一导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第一电极。
【专利说明】发光二极管装置与其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明是有关一种发光二极管装置与其制造方法。
【背景技术】
[0002]—般而言,发光二极管模块包含发光芯片、底座与透镜。透镜覆盖于发光芯片上，使发光芯片发出的光线较为均匀。举例来说，发光芯片可以为蓝光的发光芯片，透镜可以具有黄色荧光粉。当蓝光经过黄色荧光粉后，发光二极管模块便可发出白光的光线。此外，发光芯片设置于底座上，且发光芯片的表面具有正极接点与负极接点。底座紧邻发光芯片旁的表面具有正极导电层与负极导电层。发光芯片的正极接点与负极接点需分别通过传统型式的导线连接底座的正极导电层与负极导电层。其中，传统型式的导线常通过打线(wirebonding)的方式固定于发光芯片与底座之间。
[0003]如此一来，发光二极管模块至少会形成四个焊接的接点，不仅导线的成本高，且因接点数量多可能产生假焊的情况，使得发光芯片可能未电性连接于底座，造成发光二极管模块的可靠度降低。
【发明内容】
[0004]本发明的一技术方案为提供一种发光二极管装置。
[0005]根据本发明一实施方式,一种发光二极管装置包含导电支架、发光二极管芯片与第一导电层。导电支架具有第一导电部、第二导电部与绝缘部。绝缘部用以间隔第一导电部与第二导电部。发光二极管芯片设置于第二导电部上，且发光二极管芯片的表面具有第一电极与第二电极。第一导电层形成于第一导电部上且位于发光二极管芯片的一侧。第一导电层的第一边缘被加工形成可弯折的第一导电延伸脚，且第一导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第一电极。
[0006]在本发明一实施方式中，上述第一导电延伸脚的厚度介于0.005至0.002英寸之间。
[0007]在本发明一实施方式中，上述发光二极管芯片的表面是包含上表面与下表面。
[0008]在本发明一实施方式中，上述第一电极与第二电极分别位于发光二极管芯片的上表面与下表面上，且第二电极接触第二导电部。
[0009]在本发明一实施方式中，上述第一电极与第二电极位于发光二极管芯片的上表面上，且发光二极管装置还包含第二导电层。第二导电层形成于第二导电部上且位于发光二极管芯片的另一侧。第二导电层的第二边缘被加工形成可弯折的第二导电延伸脚，且第二导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第二电极。
[0010]在本发明一实施方式中，上述第二导电延伸脚的厚度介于0.005至0.002英寸之间。
[0011]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置还包含反射杯与封装胶。反射杯容置导电支架与发光二极管芯片。封装胶位于反射杯中，用以覆盖发光二极管芯片。[0012]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置还包含透镜覆盖发光二极管芯片。
[0013]本发明的一技术方案为一种发光二极管装置的制造方法。
[0014]根据本发明一实施方式，一种发光二极管装置的制造方法包含:(a)提供导电支架；(b)形成第一导电层于导电支架的第一导电部上；(C)铳削或切削第一导电层，使第一导电层的第一边缘形成可弯折的第一导电延伸脚；(d)设置发光二极管芯片于导电支架的第二导电部上；以及(e)连接第一导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第一电极。
[0015]在本发明一实施方式中，上述步骤(C)中的铳削第一导电层是移动导电支架至紧邻一转动的刀具的位置，使第一导电层接触刀具。
[0016]在本发明一实施方式中，上述步骤(C)中的切削第一导电层是移动刀具至紧邻导电支架的位置，使刀具接触第一导电层。
[0017]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含浸泡第一导电层与刀具于一硅油中。
[0018]在本发明一实施方式中，上述步骤(e)包含热压或超音波振动于第一导电延伸脚，使第一导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第一电极。
[0019]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含:(f)形成第二导电层于导电支架的第二导电部上；(g)铳削或切削第二导电层，使第二导电层的第二边缘形成可弯折的第二导电延伸脚；以及(h)连接第二导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第二电极。
[0020]在本发明一实施方式中，上述步骤(g)中的铳削第二导电层是移动导电支架至紧邻一转动的刀具的位置，使第二导电层接触刀具。
[0021]在本发明一实施方式中，上述步骤(g)中的切削第二导电层是移动一刀具至紧邻导电支架的位置，使刀具接触第二导电层。
[0022]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含浸泡第二导电层与刀具于一硅油中。
[0023]在本发明一实施方式中，上述步骤(h)包含热压或超音波振动于第二导电延伸脚，使第二导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第二电极。
[0024]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含容置导电支架与发光二极管芯片于反射杯中，以及填充一封装胶于反射杯中，使发光二极管芯片被封装胶覆盖。
[0025]在本发明一实施方式中，上述发光二极管装置的制造方法还包含设置透镜于导电支架上，使发光二极管芯片被透镜覆盖。
[0026]在本发明上述实施方式中，由于发光二极管装置的第一导电层的第一边缘被加工形成可弯折的第一导电延伸脚，且第一导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第一电极，因此发光二极管装置不需设置额外传统型式的导线来连接第一导电层与发光二极管芯片，因此可节省导线的成本。此外，由于第一导电层与发光二极管芯片之间不具传统型式的导线，因此发光二极管装置可减少焊接导线的接点而降低假焊发生的机率。如此一来，发光二极管装置的合格率与可靠度得以提升。
【专利附图】
【附图说明】[0027]图1绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置的剖面图；
[0028]图2绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置的剖面图；
[0029]图3绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置的剖面图；
[0030]图4绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置的剖面图；
[0031]图5绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置的制造方法的流程图；
[0032]图6绘示导电支架往刀具移动时的示意图；
[0033]图7绘示图6的刀具铳削第一导电层时的示意图；
[0034]图8绘示图7的第二导电部设置发光二极管芯片后的示意图；
[0035]图9绘示图6的刀具铳削第一导电层与第二导电层后的示意图；
[0036]图10绘示图9的第二导电部设置发光二极管芯片后的示意图；
[0037]图11绘示刀具于硅油中铳削第一导电层时的示意图；
[0038]图12绘示刀具往第一导电层移动时的示意图；
[0039]图13绘示图12的刀 具切削第一导电层时的示意图。
[0040]【主要元件符号说明】
[0041]100a:发光二极管装置IOOb:发光二极管装置
[0042]IOOc:发光二极管装置IOOd:发光二极管装置
[0043]110:导电支架112:第一导电部
[0044]114:第二导电部116:绝缘部
[0045]120:发光二极管芯片121:上表面
[0046]122:第一电极123:下表面
[0047]124:第二电极130:第一导电层
[0048]131:第一边缘132:第一导电延伸脚
[0049]133:—端140:第二导电层
[0050]141:第二边缘142:第二导电延伸脚
[0051]143: 一端150:反射杯
[0052]151:开160:封装胶
[0053]170:透镜180:刀具
[0054]190:油槽192:硅油
[0055]200:刀具Dl:方向
[0056]D2:方向D3:方向
[0057]S1:步骤S2:步骤
[0058]S3:步骤S4:步骤
[0059]S5:步骤
【具体实施方式】
[0060]以下将以附图揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。[0061]图1绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置IOOa的剖面图。如图所示，发光二极管装置IOOa包含导电支架110、发光二极管芯片120与第一导电层130。其中，导电支架110具有第一导电部112、第二导电部114与绝缘部116。绝缘部116位于第一导电部112与第二导电部114之间，用以间隔第一导电部112与第二导电部114，使得第一导电部112与第二导电部114不会电性连接。此外，发光二极管芯片120设置于第二导电部114上，且发光二极管芯片120的表面具有第一电极122与第二电极124。上述发光二极管芯片120的表面是包含上表面121与下表面123。第一电极122与第二电极124可以分别为正极与负极，亦可分别为负极与正极，并不以限制本发明。
[0062]在本实施方式中，第一电极122与第二电极124分别位于发光二极管芯片120的上表面121与下表面123上。位于下表面123的第二电极124接触并电性连接第二导电部114。第一导电层130形成于第一导电部112上且位于发光二极管芯片120的一侧。此外，第一导电层130的第一边缘131被加工形成可弯折的第一导电延伸脚132,且第一导电延伸脚132的一端133连接于发光二极管芯片120的第一电极122。
[0063]更具体地说，第一导电层130与第一导电延伸脚132为一体成型的金属(例如铜)。第一导电延伸脚132可通过铳削或切削第一导电层130的第一边缘131来形成。在本实施方式中，第一导电延伸脚132的任一截面的厚度介于0.005至0.002英寸之间，使第一导电延伸脚132具有可弯折的特性。此外,第一导电延伸脚132的一端133可米用热压、超音波振动、或同步热压与超音波振动的打线方式使其连接于发光二极管芯片120的第一电极122。热压的制程温度介于280至320°C之间，为高温的打线方式。超音波振动、同步热压与超音波振动的制程温度介于100至200°C之间，为低温的打线方式。设计者可依实际需求选用适当的连接方式，但不以上述连接方式为限。
[0064]在本实施方式中，发光二极管装置IOOa为垂直式(vertical)的发光二极管装置。由于发光二极管装置IOOa的第一导电层130的第一边缘131被加工形成可弯折的第一导电延伸脚132,且第一导电延伸脚132的一端133连接于发光二极管芯片120的第一电极122，因此发光二极管装置IOOa不需设置额外传统型式的导线来连接第一导电层130与发光二极管芯片120,因此可节省导线的成本。此外，由于第一导电层130与发光二极管芯片120之间不具传统型式导线，因此发光二极管装置IOOa可减少焊接导线的接点而降低假焊发生的机率。与已知发光二极管装置相较(例如具有四个导线焊接的接点的发光二极管)，此发光二极管装置IOOa的合格率与可靠度得以提升。
[0065]图2绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置IOOb的剖面图。发光二极管装置IOOb包含导电支架110、发光二极管芯片120与第一导电层130。与图1的实施方式不同的地方在于:第一电极122与第二电极124均位于发光二极管芯片120的上表面121上，且发光二极管装置IOOb还包含第二导电层140。
[0066]在本实施方式中，第二导电层140形成于第二导电部114上且位于发光二极管芯片120的另一侧。第二导电层140的第二边缘141被加工形成可弯折的第二导电延伸脚142，且第二导电延伸脚142的一端143连接于发光二极管芯片120的第二电极124。第二导电层140与第二导电延伸脚142为一体成型的金属(例如铜)，且第二导电延伸脚142可通过铳削或切削第二导电层140的第二边缘141来形成。第二导电延伸脚142的任一截面的厚度介于0.005至0.002英寸之间，使第二导电延伸脚142具有可弯折的特性。此外，由于第二导电延伸脚142的一端143与发光二极管芯片120的第二电极124的连接方式与前述实施方式第一导电延伸脚132的一端133与发光二极管芯片120的第一电极122的连接方式雷同，故不重复赘述。
[0067]为求简洁，已经在上述实施方式中叙述过的元件连接关系将不再重复赘述。在以下叙述中，仅说明发光二极管装置IOOb还可包含的其他元件，合先叙明。
[0068]图3绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置IOOc的剖面图。发光二极管装置IOOc包含导电支架110、发光二极管芯片120、第一导电层130与第二导电层140。与图2的实施方式不同的地方在于:发光二极管装置IOOc还可包含反射杯150与封装胶160。反射杯150容置导电支架110与发光二极管芯片120，且具有开口 151。封装胶160位于反射杯150中，并覆盖发光二极管芯片120。当发光二极管芯片120发光时，光线可穿过封装胶160并由反射杯150的开口 151发出。
[0069]在本实施方式中，发光二极管装置IOOc为塑胶晶粒承载封装(Plastic LeadedChip Carrier ；PLCC)的发光二极管装置。封装胶160可以包含荧光粉。发光二极管芯片120发出的光线可激发封装胶160中的突光粉,而使发光二极管装置IOOc产生与发光二极管芯片120不同颜色的光线。举例来说，当发光二极管芯片120为蓝光发光二极管芯片且封装胶160包含黄色突光粉时,发光二极管装置IOOc可发出白色的光线。在制作发光二极管装置IOOc时，可先将导电支架110与发光二极管芯片120容置于反射杯150中。之后填充封装胶160于反射杯150中，使发光二极管芯片120被封装胶160覆盖。
[0070]图4绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置IOOd的剖面图。发光二极管装置IOOd包含导电支架110、发光二极管芯片120、第一导电层130与第二导电层140。与图2的实施方式不同的地方在于:发光二极管装置IOOd还包含透镜170覆盖发光二极管芯片120。当发光二极管芯片120发光时，光线可穿过透镜170而发出。在本实施方式中，发光二极管装置IOOd为发射体(Emitter)的发光二极管装置。在制作发光二极管装置IOOd时，可将透镜170设置于导电支架110上，使发光二极管芯片120可被透镜170覆盖。
[0071]图5绘示根据本发明一实施方式的发光二极管装置的制造方法的流程图。发光二极管装置的制造方法包含下列步骤:首先在步骤SI中，提供导电支架。接着在步骤S2中，形成第一导电层于导电支架的第一导电部上。之后在步骤S3中,铳削或切削第一导电层，使第一导电层的第一边缘形成可弯折的第一导电延伸脚。接着在步骤S4中，设置发光二极管芯片于导电支架的第二导电部上。最后在步骤S5中，连接第一导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第一电极。
[0072]经由步骤SI至步骤S5可制作图1的发光二极管装置100a。然而，当制作图2的发光二极管装置IOOb时，还需包含下列步骤:形成第二导电层于导电支架的第二导电部上；铳削或切削第二导电层，使第二导电层的第二边缘形成可弯折的第二导电延伸脚；以及连接第二导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第二电极。
[0073]在以下叙述中，将详细说明发光二极管装置的第一导电延伸脚与第二导电延伸脚的形成方式。然而，第一导电延伸脚与第二导电延伸脚的形成方式相同，因此主要以第一导电延伸脚来作说明，合先叙明。
[0074]图6绘示导电支架110往刀具180移动时的示意图。图7绘示图6的刀具180铳削第一导电层130时的示意图。同时参阅图6与图7，第一导电层130的第一边缘131是以铳削的方式形成可弯折的第一导电延伸脚132。铳削第一导电层130意指移动导电支架110至紧邻一转动的刀具180的位置，使第一导电层130接触刀具180。
[0075]在本实施方式中，刀具180于固定位置以方向Dl转动，导电支架110可通过移动的承载台(未绘示于图)以方向D2往刀具180移动。当位于导电支架110的第一导电部112上的第一导电层130接触刀具180时，刀具180铳削第一导电层130，使第一导电层130的第一边缘131形成可弯折的第一导电延伸脚132。
[0076]图8绘示图7的第二导电部114设置发光二极管芯片120后的示意图。当第一导电层130的第一导电延伸脚132形成后,发光二极管芯片120可设置于导电支架110的第二导电部114上。接着便可通过热压、超音波振动、或同步热压与超音波振动的打线方式将第一导电延伸脚132的一端133连接于发光二极管芯片120的第一电极122，便可得到图1绘示的发光二极管装置100a。
[0077]图9绘示图6的刀具180铳削第一导电层130与第二导电层140后的示意图。图10绘示图9的第二导电部114设置发光二极管芯片120后的示意图。同时参阅图9与图10，当第一导电层130的第一导电延伸脚132与第二导电层140的第二导电延伸脚142形成后，发光二极管芯片120可设置于导电支架110的第二导电部114上。接着便可通过热压、超音波振动、或同步热压与超音波振动的打线方式将第一导电延伸脚132的一端133与第二导电延伸脚142的一端143分别连接于发光二极管芯片120的第一电极122与第二电极124，便可得到图2绘示的发光二极管装置100b。
[0078]图11绘示刀具180于硅油192中铳削第一导电层130时的示意图。油槽190容置硅油192，第一导电层130与刀具180浸泡于硅油192中。刀具180于硅油192中以方向Dl转动，导电支架110于娃油192中通过移动的承载台(未绘不于图)以方向D2往刀具180移动。
[0079]当位于导电支架110的第一导电部112上的第一导电层130接触刀具180时，刀具180铳削第一导电层130。硅油192的冷却性良好，不仅可避免刀具180铳削第一导电层130时产生过高的温度，并可使铳削第一导电层130产生的碎屑迅速沉淀。
[0080]图12绘示刀具200往第一导电层130移动时的示意图。图13绘示图12的刀具200切削第一导电层130时的示意图。同时参阅图12与图13，第一导电层130的第一边缘131是以切削的方式形成可弯折的第一导电延伸脚132。切削第一导电层130意指移动刀具200至紧邻导电支架110的位置，使刀具200接触第一导电层130。
[0081]在本实施方式中，刀具200以方向D3移动，导电支架110不动。当刀具200接触位于导电支架110的第一导电部112上的第一导电层130时，刀具200切削第一导电层130，使第一导电层130的第一边缘131形成可弯折的第一导电延伸脚132。
[0082]由于第二导电延伸脚的形成方式与第一导电延伸脚相同，因此可参考前述第一导电延伸脚的形成方式。当制作图2的发光二极管装置IOOb时，需先形成第二导电层于导电支架的第二导电部上。接着，铳削或切削第二导电层，使第二导电层的第二边缘形成可弯折的第二导电延伸脚。之后，连接第二导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第二电极。其中，铳削第二导电层是移动导电支架至紧邻一转动的刀具的位置，使第二导电层接触刀具。切削第二导电层是移动一刀具至紧邻导电支架的位置，使刀具接触第二导电层。此外，亦可浸泡第二导电层与刀具于一硅油中来进行铳削或切削的程序。当连接第二导电延伸脚的一端于发光二极管芯片的第二电极时，可通过热压或超音波振动于第二导电延伸脚，使第二导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的第二电极。
[0083]本发明上述实施方式与先前技术相较，由于发光二极管装置的导电层的边缘被加工形成可弯折的导电延伸脚，且导电延伸脚的一端连接于发光二极管芯片的电极，因此发光二极管装置不需设置额外传统型式的导线来连接导电层与发光二极管芯片，因此可节省导线的成本。此外，与已知具有四个导线焊接接点的发光二极管装置相较，由于此发光二极管装置的导电层与发光二极管芯片之间不具传统型式的导线，而是通过导电层的导电延伸脚来连接发光二极管芯片，因此发光二极管装置可减少焊接导线的接点而降低假焊发生的机率。如此一来，发光二极管装置的合格率与可靠度得以提升。
[0084]虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。
【权利要求】
1.一种发光二极管装置，其特征在于，包含: 一导电支架，具有一第一导电部、一第二导电部与一绝缘部用以间隔该第一导电部与该第二导电部； 一发光二极管芯片，设置于该第二导电部上，且该发光二极管芯片的表面具有一第一电极与一第二电极；以及 一第一导电层，形成于该第一导电部上且位于该发光二极管芯片的一侧，其中该第一导电层的一第一边缘被加工形成可弯折的一第一导电延伸脚，且该第一导电延伸脚的一端连接于该发光二极管芯片的该第一电极。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一导电延伸脚的厚度介于0.005至0.002英寸之间。
3.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该发光二极管芯片的表面是包含一上表面与一下表面。
4.根据权利要求3所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一电极与该第二电极分别位于该发光二极管芯片的该上表面与该下表面上，且该第二电极接触该第二导电部。
5.根据权利要求3所述的发光二极管装置，其特征在于，该第一电极与该第二电极位于该发光二极管芯片的该上表面上，且该发光二极管装置还包含: 一第二导电层，形成于该第二导电部上且位于该发光二极管芯片的另一侧，其中该第二导电层的一第二边缘被加工形成可弯折的一第二导电延伸脚，且该第二导电延伸脚的一端连接于该发光二极管芯片的该第二电极。`
6.根据权利要求5所述的发光二极管装置，其特征在于，该第二导电延伸脚的厚度介于0.005至0.002英寸之间。
7.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，还包含: 一反射杯，容置该导电支架与该发光二极管芯片；以及 一封装胶，位于该反射杯中，用以覆盖该发光二极管芯片。
8.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，还包含: 一透镜，覆盖该发光二极管芯片。
9.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于，包含: (a)提供一导电支架； (b)形成一第一导电层于该导电支架的一第一导电部上； (C)铳削或切削该第一导电层，使该第一导电层的一第一边缘形成可弯折的一第一导电延伸脚； (d)设置一发光二极管芯片于该导电支架的一第二导电部上；以及 (e)连接该第一导电延伸脚的一端于该发光二极管芯片的一第一电极。
10.根据权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该步骤(c)中的铳削该第一导电层是移动该导电支架至紧邻一转动的刀具的位置，使该第一导电层接触该刀具。
11.根据权利要求10所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: 浸泡该第一导电层与该刀具于一硅油中。
12.根据权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该步骤(c)中的切削该第一导电层是移动一刀具至紧邻该导电支架的位置，使该刀具接触该第一导电层。
13.根据权利要求12所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: 浸泡该第一导电层与该刀具于一硅油中。
14.根据权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该步骤(e)包含: 热压或超音波振动于该第一导电延伸脚，使该第一导电延伸脚的一端连接于该发光二极管芯片的该第一电极。
15.根据权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: (f)形成一第二导电层于该导电支架的该第二导电部上； (g)铳削或切削该第二导电层，使该第二导电层的一第二边缘形成可弯折的一第二导电延伸脚；以及 (h)连接该第二导电延伸脚的一端于该发光二极管芯片的一第二电极。
16.根据权利要求15所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该步骤(g)中的铳削该第二导电层是移动该导电支架至紧邻一转动的刀具的位置，使该第二导电层接触该刀具。
17.根据权利要求16所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: 浸泡该第二导电层与该刀具于一硅油中。
18.根据权利要求15所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该步骤(g)中的切削该第二导电层是移动一刀具至紧邻该导电支架的位置，使该刀具接触该第二导电层。
19.根据权利要求18所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: 浸泡该第二导电层与该刀具于一硅油中。
20.根据权利要求15所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，该步骤(h)包含: 热压或超音波振动于该第二导电延伸脚，使该第二导电延伸脚的一端连接于该发光二极管芯片的该第二电极。
21.根据权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: 容置该导电支架与该发光二极管芯片于一反射杯中；以及 填充一封装胶于该反射杯中，使该发光二极管芯片被该封装胶覆盖。
22.根据权利要求9所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于，还包含: 设置一透镜于该导电支架上，使该发光二极管芯片被该透镜覆盖。
【文档编号】H01L33/62GK103682065SQ201210337038
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月12日 优先权日:2012年8月31日
【发明者】林建志, 李育群 申请人:隆达电子股份有限公司
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