恒功率自耦升压式镇流器的制造方法
恒功率自耦升压式镇流器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种恒功率自耦升压式镇流器，该镇流器包括磁芯、磁轭、磁分路块和线包，所述的磁芯与磁轭相连形成一体的L形块，L形块的竖直段为磁芯，横向段为磁轭，两个相同的L形块相对拼接形成内部具有矩形空间的矩形框体，并且其中一L形块的竖直段上开有漏磁孔；所述的磁分路块为一个，呈一字形并竖直设于矩形空间中间，两个线包分别绕置在相应的L形块竖直段上。由于该磁芯和磁轭为一体式结构，磁分路块也仅采用一块，因此具有体积小、结构简单、加工方便、省料、装配简单、接缝少等优点，并且磁芯的磁路短，磁损较小。
【专利说明】恒功率自耦升压式镇流器
【技术领域】
[0001]本发明涉及镇流器，更具体地说，涉及一种恒功率自耦升压式镇流器。
【背景技术】
[0002]传统的超前顶峰式镇流器10的结构如图1所示，其包括T形芯柱11、L形磁轭14、一字形磁分路块13和线包12，T形芯柱11上开有漏磁孔15，两L形磁轭14对称设于芯柱两侧并与其相拼接，两磁分路块13分别横向设于T形芯柱11与L形磁轭14拼接形成的两空间内，线包12分别置于芯柱上，并由磁分路块13隔开。另外，所述的T形芯柱11、L形磁轭
14、一字形磁分路块13均由相应形状的硅钢片叠置而成。此镇流器的优点是磁芯体积小、磁路短，并可获得较高的开路电压，线路功率因数可达0.9。在电源电压起伏较大的情况下，对稳定灯的功率、维护灯的性能起到较好的调节作用。甚至在电源电压跌落30%?40%时还能使灯继续工作。请结合图2所示，此镇流器在使用时，磁力线在芯柱11的两侧吸收较佳，而在四角处的磁力线因无法吸收而处于游离状态，分布不均匀，造成磁损较大。另外，该镇流器10的部件较多(需要冲制多种不同形状的硅钢片)、结构较为复杂，芯柱11与磁轭14的接缝也较多(共四处)，使得加工、生产难度大，磁芯体积大原材料浪费较多，成本较高。
【发明内容】
[0003]针对现有技术中存在的上述缺点，本发明的目的是提供一种恒功率自耦升压式镇流器，该镇流器能够有利于减少磁芯的磁路损失。
[0004]为实现上述目的，本发明采用如下技术方案:
[0005]该恒功率自耦升压式镇流器，包括磁芯、磁轭、磁分路块和线包，所述的磁芯与磁轭相连形成一体的L形块，L形块的竖直段为磁芯，横向段为磁轭，两个相同的L形块相对拼接形成内部具有矩形空间的矩形框体，并且其中一 L形块的竖直段上开有漏磁孔；所述的磁分路块为一个，呈一字形并竖直设于矩形空间中间，两个线包分别绕置在相应的L形块竖直段上。
[0006]所述的每个L形块均由相同的L形硅钢片叠置而成。
[0007]所述的磁分路块由相同的矩形硅钢片叠置而成。
[0008]所述的L形块的竖直段的宽度为7.5cm,高度为11cm。
[0009]所述的磁分路块的竖直长度与矩形空间的竖直长度相适配，将矩形空间隔成等分的两个空间供绕置线包的容纳。
[0010]在上述技术方案中，本发明的恒功率自耦升压式镇流器包括磁芯、磁轭、磁分路块和线包,所述的磁芯与磁轭相连形成一体的L形块,L形块的竖直段为磁芯,横向段为磁轭，两个相同的L形块相对拼接形成内部具有矩形空间的矩形框体，并且其中一 L形块的竖直段上开有漏磁孔；所述的磁分路块为一个，呈一字形并竖直设于矩形空间中间，两个线包分别绕置在相应的L形块竖直段上。由于该磁芯和磁轭为一体式结构，磁分路块也仅采用一块，因此具有磁芯体积小、结构简单、加工方便、省料、装配简单、接缝少等优点，并且磁路较 短，磁损较少。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1是现有技术的超前顶峰式镇流器的结构分解示意图；
[0012]图2是现有技术的超前顶峰式镇流器的磁力线吸收示意图；
[0013]图3是本发明的恒功率自耦升压式镇流器的装配示意图；
[0014]图4是本发明的恒功率自耦升压式镇流器的结构分解示意图(无线包)。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和实施例进一步说明本发明的技术方案。
[0016]请参阅图3、图4所示，本发明的恒功率自耦升压式镇流器20同样也包括磁芯21、磁轭22、磁分路块23和线包24,不同的是,所述的磁芯21与磁轭22相连形成一体的L形块25，每个L形块25的竖直段为磁芯21，横向段为磁轭22，两个相同的L形块25相对拼接形成内部具有矩形空间的矩形框体，并且其中一 L形块25的竖直段上开有漏磁孔26 ;所述的磁分路块23为一个，呈一字形并竖直设于矩形空间中间，两个线包24分别绕置在相应的L形块25竖直段上。所述的每个L形块25均由相同的L形硅钢片叠置而成。而所述的磁分路块23则由相同的矩形硅钢片叠置而成。并且所述的L形块25的竖直段的宽度为7.5cm,高度为11cm，较传统T形芯柱11的宽度缩小1.5cm (传统T形芯柱11的宽度为9cm，高度为11cm)。另外，所述的磁分路块23的竖直长度与矩形空间的竖直长度相适配，将矩形空间隔成等分的两个空间供相应的线包24容入。
[0017]采用本发明的恒功率自耦升压式镇流器20，与现有技术的超前顶峰式镇流器20相比，具有以下优点:
[0018]1、磁芯21和磁轭22为一体式结构、磁分路块23为单个,部件少、结构更为简单、加工方便；
[0019]2、接缝少(只有两处)，装配简单；
[0020]3、L形块25的竖直段宽度较小，体积小，磁路短，磁损小，节能。
[0021]4、硅钢片加工方便，利用率高(L形硅钢片的加工余料正好可制作磁分路块23)，省料。
[0022]本【技术领域】中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本发明的权利要求书范围内。
【权利要求】
1.一种恒功率自耦升压式镇流器，包括磁芯、磁轭、磁分路块和线包，其特征在于: 所述的磁芯与磁轭相连形成一体的L形块，L形块的竖直段为磁芯，横向段为磁轭，两个相同的L形块相对拼接形成内部具有矩形空间的矩形框体，并且其中一 L形块的竖直段上开有漏磁孔；所述的磁分路块为一个，呈一字形并竖直设于矩形空间中间，两个线包分别绕置在相应的L形块竖直段上。
2.如权利要求1所述的恒功率自耦升压式镇流器，其特征在于: 所述的每个L形块均由相同的L形硅钢片叠置而成。
3.如权利要求1所述的恒功率自耦升压式镇流器，其特征在于， 所述的磁分路块由相同的矩形硅钢片叠置而成。
4.如权利要求3所述的恒功率自耦升压式镇流器，其特征在于， 所述的L形块的竖直段的宽度为7.5cm，高度为11cm。
5.如权利要求1所述的恒功率自耦升压式镇流器，其特征在于， 所述的磁分路块的竖直长度与矩形空间的竖直长度相适配，将矩形空间隔成等分的两个空间供绕置线包的容纳。
【文档编号】H01F27/30GK103680895SQ201210337161
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月13日 优先权日:2012年9月13日
【发明者】周尧达, 张乃铫 申请人:宁波澳普网络通信设备有限公司
【专利摘要】本发明公开了一种恒功率自耦升压式镇流器，该镇流器包括磁芯、磁轭、磁分路块和线包，所述的磁芯与磁轭相连形成一体的L形块，L形块的竖直段为磁芯，横向段为磁轭，两个相同的L形块相对拼接形成内部具有矩形空间的矩形框体，并且其中一L形块的竖直段上开有漏磁孔；所述的磁分路块为一个，呈一字形并竖直设于矩形空间中间，两个线包分别绕置在相应的L形块竖直段上。由于该磁芯和磁轭为一体式结构，磁分路块也仅采用一块，因此具有体积小、结构简单、加工方便、省料、装配简单、接缝少等优点，并且磁芯的磁路短，磁损较小。
【专利说明】恒功率自耦升压式镇流器
【技术领域】
[0001]本发明涉及镇流器，更具体地说，涉及一种恒功率自耦升压式镇流器。
【背景技术】
[0002]传统的超前顶峰式镇流器10的结构如图1所示，其包括T形芯柱11、L形磁轭14、一字形磁分路块13和线包12，T形芯柱11上开有漏磁孔15，两L形磁轭14对称设于芯柱两侧并与其相拼接，两磁分路块13分别横向设于T形芯柱11与L形磁轭14拼接形成的两空间内，线包12分别置于芯柱上，并由磁分路块13隔开。另外，所述的T形芯柱11、L形磁轭
14、一字形磁分路块13均由相应形状的硅钢片叠置而成。此镇流器的优点是磁芯体积小、磁路短，并可获得较高的开路电压，线路功率因数可达0.9。在电源电压起伏较大的情况下，对稳定灯的功率、维护灯的性能起到较好的调节作用。甚至在电源电压跌落30%?40%时还能使灯继续工作。请结合图2所示，此镇流器在使用时，磁力线在芯柱11的两侧吸收较佳，而在四角处的磁力线因无法吸收而处于游离状态，分布不均匀，造成磁损较大。另外，该镇流器10的部件较多(需要冲制多种不同形状的硅钢片)、结构较为复杂，芯柱11与磁轭14的接缝也较多(共四处)，使得加工、生产难度大，磁芯体积大原材料浪费较多，成本较高。
【发明内容】
[0003]针对现有技术中存在的上述缺点，本发明的目的是提供一种恒功率自耦升压式镇流器，该镇流器能够有利于减少磁芯的磁路损失。
[0004]为实现上述目的，本发明采用如下技术方案:
[0005]该恒功率自耦升压式镇流器，包括磁芯、磁轭、磁分路块和线包，所述的磁芯与磁轭相连形成一体的L形块，L形块的竖直段为磁芯，横向段为磁轭，两个相同的L形块相对拼接形成内部具有矩形空间的矩形框体，并且其中一 L形块的竖直段上开有漏磁孔；所述的磁分路块为一个，呈一字形并竖直设于矩形空间中间，两个线包分别绕置在相应的L形块竖直段上。
[0006]所述的每个L形块均由相同的L形硅钢片叠置而成。
[0007]所述的磁分路块由相同的矩形硅钢片叠置而成。
[0008]所述的L形块的竖直段的宽度为7.5cm,高度为11cm。
[0009]所述的磁分路块的竖直长度与矩形空间的竖直长度相适配，将矩形空间隔成等分的两个空间供绕置线包的容纳。
[0010]在上述技术方案中，本发明的恒功率自耦升压式镇流器包括磁芯、磁轭、磁分路块和线包,所述的磁芯与磁轭相连形成一体的L形块,L形块的竖直段为磁芯,横向段为磁轭，两个相同的L形块相对拼接形成内部具有矩形空间的矩形框体，并且其中一 L形块的竖直段上开有漏磁孔；所述的磁分路块为一个，呈一字形并竖直设于矩形空间中间，两个线包分别绕置在相应的L形块竖直段上。由于该磁芯和磁轭为一体式结构，磁分路块也仅采用一块，因此具有磁芯体积小、结构简单、加工方便、省料、装配简单、接缝少等优点，并且磁路较 短，磁损较少。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1是现有技术的超前顶峰式镇流器的结构分解示意图；
[0012]图2是现有技术的超前顶峰式镇流器的磁力线吸收示意图；
[0013]图3是本发明的恒功率自耦升压式镇流器的装配示意图；
[0014]图4是本发明的恒功率自耦升压式镇流器的结构分解示意图(无线包)。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和实施例进一步说明本发明的技术方案。
[0016]请参阅图3、图4所示，本发明的恒功率自耦升压式镇流器20同样也包括磁芯21、磁轭22、磁分路块23和线包24,不同的是,所述的磁芯21与磁轭22相连形成一体的L形块25，每个L形块25的竖直段为磁芯21，横向段为磁轭22，两个相同的L形块25相对拼接形成内部具有矩形空间的矩形框体，并且其中一 L形块25的竖直段上开有漏磁孔26 ;所述的磁分路块23为一个，呈一字形并竖直设于矩形空间中间，两个线包24分别绕置在相应的L形块25竖直段上。所述的每个L形块25均由相同的L形硅钢片叠置而成。而所述的磁分路块23则由相同的矩形硅钢片叠置而成。并且所述的L形块25的竖直段的宽度为7.5cm,高度为11cm，较传统T形芯柱11的宽度缩小1.5cm (传统T形芯柱11的宽度为9cm，高度为11cm)。另外，所述的磁分路块23的竖直长度与矩形空间的竖直长度相适配，将矩形空间隔成等分的两个空间供相应的线包24容入。
[0017]采用本发明的恒功率自耦升压式镇流器20，与现有技术的超前顶峰式镇流器20相比，具有以下优点:
[0018]1、磁芯21和磁轭22为一体式结构、磁分路块23为单个,部件少、结构更为简单、加工方便；
[0019]2、接缝少(只有两处)，装配简单；
[0020]3、L形块25的竖直段宽度较小，体积小，磁路短，磁损小，节能。
[0021]4、硅钢片加工方便，利用率高(L形硅钢片的加工余料正好可制作磁分路块23)，省料。
[0022]本【技术领域】中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本发明的权利要求书范围内。
【权利要求】
1.一种恒功率自耦升压式镇流器，包括磁芯、磁轭、磁分路块和线包，其特征在于: 所述的磁芯与磁轭相连形成一体的L形块，L形块的竖直段为磁芯，横向段为磁轭，两个相同的L形块相对拼接形成内部具有矩形空间的矩形框体，并且其中一 L形块的竖直段上开有漏磁孔；所述的磁分路块为一个，呈一字形并竖直设于矩形空间中间，两个线包分别绕置在相应的L形块竖直段上。
2.如权利要求1所述的恒功率自耦升压式镇流器，其特征在于: 所述的每个L形块均由相同的L形硅钢片叠置而成。
3.如权利要求1所述的恒功率自耦升压式镇流器，其特征在于， 所述的磁分路块由相同的矩形硅钢片叠置而成。
4.如权利要求3所述的恒功率自耦升压式镇流器，其特征在于， 所述的L形块的竖直段的宽度为7.5cm，高度为11cm。
5.如权利要求1所述的恒功率自耦升压式镇流器，其特征在于， 所述的磁分路块的竖直长度与矩形空间的竖直长度相适配，将矩形空间隔成等分的两个空间供绕置线包的容纳。
【文档编号】H01F27/30GK103680895SQ201210337161
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月13日 优先权日:2012年9月13日
【发明者】周尧达, 张乃铫 申请人:宁波澳普网络通信设备有限公司
最新回复(0)