一种有效填充深沟槽的解决方法
一种有效填充深沟槽的解决方法
【专利摘要】本发明公开了一种有效填充深沟槽的解决方法，即在硅衬底上先淀积氧化膜和/或氮化膜来作为阻挡层，然后通过光刻和刻蚀形成深沟槽之后，先后填充一层台阶覆盖能力较好的底膜以及一层流动性较好的涂层，涂层是为了后续刻蚀保护底膜不被过度刻蚀，避免硅衬底损伤，然后用刻蚀的方式将底膜和涂层去除，然后用湿法刻蚀的药液将沟槽中残留的涂层的残留物去除，最后将深沟槽填满。采用本发明的方法可有效降低高深宽比的深沟槽的填充的难度，能够进行无缝填充，避免填充产生空洞，从而提高器件良率；同时工艺简单，便于实现，成本降低。
【专利说明】一种有效填充深沟槽的解决方法【技术领域】
[0001]本发明属于半导体集成电路中的半导体工艺方法，涉及一种填充深沟槽的方法，尤其涉及一种有效填充深沟槽的解决方法。
【背景技术】
[0002]在现今的半导体应用中已出现了越来越多的需使用深沟槽结构来实现功能的器件，深沟槽一般深宽比(AR ratio)较大，用传统方法填充易产生空洞，会造成器件失效，良率低下。
[0003]传统方法是采用化学气相沉积(CVD)的方式将沟槽填满，但是该类方法所需机台特殊，成本较高，工艺较难实现。
【发明内容】
[0004]本发明解决的技术问题是提供一种有效填充深沟槽的解决方法，采用本发明的方法可有效降低高深宽比的深沟槽的填充的难度，能够进行无缝填充；同时工艺简单，便于实现。
[0005]为解决上述技术问题，本发明提供一种有效填充深沟槽的解决方法，包括如下步骤:
[0006]1.1在硅衬底上 淀积一层或数层氧化膜和/或氮化膜，作为阻挡层；
[0007]1.2淀积光刻胶，显影后刻蚀阻挡层，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底；
[0008]1.3去除光刻胶，然后利用阻挡层，刻蚀出具有高深宽比的深沟槽的图形；
[0009]1.4在全娃片上淀积一层底膜；
[0010]1.5在全硅片上生长一层流动性较好的涂层；
[0011]1.6用刻蚀的方法将底膜和涂层去除，同时达到了降低深沟槽的深宽比的目的，便于后续的填充；
[0012]1.7用刻蚀的方法将剩余的涂层去除；
[0013]1.8进行后续轮次的填充，将深沟槽填满。
[0014]步骤1.1中，所述阻挡层的厚度为1000~5000埃，其采用LPCVD工艺、或PECVD工艺，或APCVD工艺淀积。
[0015]步骤1.2中，所述阻挡层刻蚀宽度为0.f 50微米，刻蚀深度以硅损失小于100埃，所述刻蚀方法采用干法或湿法刻蚀工艺。
[0016]步骤1.3中，所述深沟槽由干法刻蚀方法产生，所述深沟槽的深度为f 100微米，宽度为0.1~50微米。
[0017]步骤1.4中，所述底膜采用常压或低压化学气相淀积生长工艺淀积，所述底膜的生长方向为底部生长的成膜方式；所述底膜为氧化膜或氮化膜，该底膜的膜质与阻挡层顶层膜的膜质不同；该底膜的生长厚度为1000-10000埃，该底膜的生长厚度为深沟槽深度的1/2到1/5，优选为1/3。[0018]步骤1.5中，所述涂层的厚度为1000~5000埃，所述涂层的生长方式为涂布或沉积。所述涂层采用抗反射有机物或其它流动性较好物质，优选抗反射有机物。
[0019]步骤1.6中，所述刻蚀方法中，底膜相对于涂层的刻蚀速率选择比较高，在5:1~100:1之间；底膜相对阻挡层的刻蚀速率选择比较高，在5:1~100:1之间；所述刻蚀方法采用干法或湿法工艺。所述刻蚀的终点为在阻挡层上，阻挡层的损失量在100~300埃。
[0020]步骤1.7中，所述刻蚀方法中，涂层相对于阻挡层的刻蚀速率选择比较高，在1:5~1:20之间，刻蚀方法为湿法或干法刻蚀。
[0021]步骤1.8中，填充深沟槽的顶膜的厚度为100(Tl0000埃，该顶膜的膜质与生长方式可以与步骤1.4的底膜相同，亦可不同，直至将深沟槽填满。
[0022]和现有技术相比，本发明具有以下有益效果:本发明采用了一种新型的工艺流程，即在硅衬底上先淀积氧化膜和/或氮化膜来作为阻挡层(hardmask)，然后通过光刻和刻蚀形成深沟槽之后，先后填充一层台阶覆盖能力较好的底膜以及一层流动性较好的涂层，涂层是为了后续刻蚀保护底膜不被过度刻蚀，避免硅衬底损伤，然后用刻蚀的方式将底膜和涂层去除，然后用湿法刻蚀的药液将沟槽中残留的涂层的残留物去除，最后将深沟槽填满。采用本发明的方法可有效降低高深宽比的深沟槽的填充的难度，能够进行无缝填充，避免填充产生空洞，从而提高器件良率；同时工艺简单，便于实现，成本降低。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1-图10是本发明方法的流程示意图；其中，图1、图2是本发明方法步骤I的结构示意图；图3、图 4是本发明方法步骤2的结构示意图；图5是本发明方法步骤3完成后的结构示意图；图6是本 发明方法步骤4完成后的结构示意图；图7是本发明方法步骤5完成后的结构示意图；图8是本发明方法步骤6完成后的结构示意图；图9是本发明方法步骤7完成后的结构示意图；图10是本发明方法步骤8完成后的结构示意图。
[0024]图中附图标记说明如下:
[0025]`1为硅衬底，2为阻挡层，3为光刻胶，4为底膜，5为涂层，6为顶膜。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
[0027]如图1-图10所示，本发明提供一种有效填充深沟槽的解决方法，包括如下步骤:
[0028]1.提供一硅衬底1(见图1 )，在硅衬底I上淀积一层或数层氧化膜和/或氮化膜，作为阻挡层2 (见图2);阻挡层2的厚度为1000-5000埃，其采用LPCVD (低压化学气相淀积)工艺、或PECVD (等离子体增强化学气相淀积)工艺，或APCVD (常压化学气相淀积)工艺淀积。
[0029]2.在阻挡层2上淀积光刻胶3 (见图3)，显影后刻蚀阻挡层2，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底1 (见图4);所述刻蚀阻挡层2的刻蚀宽度为0.1-50微米；刻蚀深度以硅(硅衬底1)损失小于100埃为优选，所述刻蚀方法采用干法或湿法刻蚀工艺。
[0030]3.去除光刻胶3，然后利用阻挡层2，刻蚀出具有高深宽比的深沟槽的图形(见图5);深沟槽由干法刻蚀方法产生，深沟槽的深度为1-100微米左右，宽度尺寸为0.1-50微米。[0031]4.在全硅片上淀积一层底膜4，该底膜4可以是氧化膜或氮化膜，该底膜4的膜质与阻挡层2顶层膜的膜质不同；如果阻挡层2是氧化膜，则底膜4是氮化膜；如果阻挡层2是氮化膜，则底膜4是氧化膜；如果阻挡层2由氧化膜+氮化膜多层膜组成，如该阻挡层2的顶层膜是氧化膜，则底膜4是氮化膜，如其顶层膜是氮化膜，则底膜4是氧化膜；优选生长方向为底部生长的(bottom up)的成膜方式(见图6);该步骤采用常压或低压化学气相淀积生长工艺，底膜4的生长厚度为1000-10000埃，一般填充厚度为深沟槽深度的1/2到1/5，优选1/3。在本实施例中，在全硅片上淀积一层台阶覆盖能力较好的氧化膜作为底膜4，其厚度为深沟槽深度的1/2。
[0032]5.在全硅片上生长一层流动性较好的涂层5，以降低硅片表面形貌段差(如图7所示);该涂层5的厚度为1000~5000埃，可采用涂布或沉积方式生长，该涂层5可采用抗反射有机物涂层。该步骤生长的涂层5不仅局限于抗反射有机物涂层，亦可为其它流动性较好物质，其目地在于降低其表面形貌以及保护沟槽底部底膜4不被过度刻蚀，避免硅损伤。 [0033]6.用刻蚀的方法将底膜4和涂层5去除，同时达到了降低深沟槽的深宽比的目的，便于后续的填充(如图8所示)；该步骤刻蚀速率选择比(前述底膜4相对后续填充的涂层5以及底膜4相对阻挡层2)较高，在5:1~100:1之间。其刻蚀方法可以为干法或湿法工艺，刻蚀终点可选为在阻挡层2上，阻挡层2的损失量在100~300埃。
[0034]7.用刻蚀的方法将剩余的涂层5去除(如图9所示)，所述刻蚀方法中的刻蚀速率选择比(涂层5相对阻挡层2)较高，在1:5~1:20之间，刻蚀方法可为湿法或干法刻蚀。本实施例中使用湿法刻蚀的方法去除深沟槽内的抗反射有机物涂层5的残留物。
[0035]8.进行后续轮次的填充，将深沟槽填满(如图10所示)，填充的顶膜6的厚度为1000^10000埃，顶膜6的膜质与生长方式可以与步骤4所述底膜4相同，亦可不同(生长方式包括常压化学气相沉积或低压化学气相沉积工艺)，直至将深沟槽填满。
【权利要求】
1.一种有效填充深沟槽的解决方法，其特征在于:包括如下步骤: 1.1在硅衬底上淀积一层或数层氧化膜和/或氮化膜，作为阻挡层； 1.2淀积光刻胶，显影后刻蚀阻挡层，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底； 1.3去除光刻胶，然后利用阻挡层，刻蚀出具有高深宽比的深沟槽的图形； 1.4在全娃片上淀积一层底膜； 1.5在全硅片上生长一层流动性较好的涂层； 1.6用刻蚀的方法将底膜和涂层去除，同时达到了降低深沟槽的深宽比的目的，便于后续的填充； 1.7用刻蚀的方法将剩余的涂层去除； 1.8进行后续轮次的填充，将深沟槽填满。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.1中，所述阻挡层的厚度为1000^5000埃，其采用LPCVD工艺、或PECVD工艺，或APCVD工艺淀积。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.2中，所述阻挡层刻蚀宽度为0.1~50微米，刻蚀深度以硅损失小于100埃，所述刻蚀方法采用干法或湿法刻蚀工艺。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.3中，所述深沟槽由干法刻蚀方法产生，所述深沟槽的深度为广100微米，宽度为0.1~50微米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.4中，所述底膜采用常压或低压化学气相淀积生长工艺淀积，所述底膜的生长方向为底部生长的成膜方式；所述底膜为氧化膜或氮化膜，该底膜的膜质与阻挡层顶层膜的膜质不同；该底膜的生长厚度为1000-10000埃，该底膜的生长厚度为深沟槽深度的1/2到1/5。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤1.4中，所述底膜的生长厚度为深沟槽深度的1/3。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.5中，所述涂层的厚度为1000~5000埃，所述涂层的生长方式为涂布或沉积。
8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，步骤1.5中，所述涂层采用抗反射有机物。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.6中，所述刻蚀方法中，底膜相对于涂层的刻蚀速率选择比较高，在5:1~100:1之间；底膜相对阻挡层的刻蚀速率选择比较高，在5:1~100:1之间；所述刻蚀方法采用干法或湿法工艺。
10.根据权利要求1或9所述的方法，其特征在于，步骤1.6中，所述刻蚀的终点为在阻挡层上，阻挡层的损失量在100~300埃。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.7中，所述刻蚀方法中，涂层相对于阻挡层的刻蚀速率选择比较高，在1:5~1:20之间，刻蚀方法为湿法或干法刻蚀。
12.根据权利要求 1所述的方法，其特征在于，步骤1.8中，填充深沟槽的顶膜的厚度为1000^10000埃，该顶膜的膜质与生长方式与步骤1.4的底膜相同，直至将深沟槽填满。
【文档编号】H01L21/02GK103681235SQ201210345937
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月17日 优先权日:2012年9月17日
【发明者】刘继全, 钱志刚, 罗啸 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
【专利摘要】本发明公开了一种有效填充深沟槽的解决方法，即在硅衬底上先淀积氧化膜和/或氮化膜来作为阻挡层，然后通过光刻和刻蚀形成深沟槽之后，先后填充一层台阶覆盖能力较好的底膜以及一层流动性较好的涂层，涂层是为了后续刻蚀保护底膜不被过度刻蚀，避免硅衬底损伤，然后用刻蚀的方式将底膜和涂层去除，然后用湿法刻蚀的药液将沟槽中残留的涂层的残留物去除，最后将深沟槽填满。采用本发明的方法可有效降低高深宽比的深沟槽的填充的难度，能够进行无缝填充，避免填充产生空洞，从而提高器件良率；同时工艺简单，便于实现，成本降低。
【专利说明】一种有效填充深沟槽的解决方法【技术领域】
[0001]本发明属于半导体集成电路中的半导体工艺方法，涉及一种填充深沟槽的方法，尤其涉及一种有效填充深沟槽的解决方法。
【背景技术】
[0002]在现今的半导体应用中已出现了越来越多的需使用深沟槽结构来实现功能的器件，深沟槽一般深宽比(AR ratio)较大，用传统方法填充易产生空洞，会造成器件失效，良率低下。
[0003]传统方法是采用化学气相沉积(CVD)的方式将沟槽填满，但是该类方法所需机台特殊，成本较高，工艺较难实现。
【发明内容】
[0004]本发明解决的技术问题是提供一种有效填充深沟槽的解决方法，采用本发明的方法可有效降低高深宽比的深沟槽的填充的难度，能够进行无缝填充；同时工艺简单，便于实现。
[0005]为解决上述技术问题，本发明提供一种有效填充深沟槽的解决方法，包括如下步骤:
[0006]1.1在硅衬底上 淀积一层或数层氧化膜和/或氮化膜，作为阻挡层；
[0007]1.2淀积光刻胶，显影后刻蚀阻挡层，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底；
[0008]1.3去除光刻胶，然后利用阻挡层，刻蚀出具有高深宽比的深沟槽的图形；
[0009]1.4在全娃片上淀积一层底膜；
[0010]1.5在全硅片上生长一层流动性较好的涂层；
[0011]1.6用刻蚀的方法将底膜和涂层去除，同时达到了降低深沟槽的深宽比的目的，便于后续的填充；
[0012]1.7用刻蚀的方法将剩余的涂层去除；
[0013]1.8进行后续轮次的填充，将深沟槽填满。
[0014]步骤1.1中，所述阻挡层的厚度为1000~5000埃，其采用LPCVD工艺、或PECVD工艺，或APCVD工艺淀积。
[0015]步骤1.2中，所述阻挡层刻蚀宽度为0.f 50微米，刻蚀深度以硅损失小于100埃，所述刻蚀方法采用干法或湿法刻蚀工艺。
[0016]步骤1.3中，所述深沟槽由干法刻蚀方法产生，所述深沟槽的深度为f 100微米，宽度为0.1~50微米。
[0017]步骤1.4中，所述底膜采用常压或低压化学气相淀积生长工艺淀积，所述底膜的生长方向为底部生长的成膜方式；所述底膜为氧化膜或氮化膜，该底膜的膜质与阻挡层顶层膜的膜质不同；该底膜的生长厚度为1000-10000埃，该底膜的生长厚度为深沟槽深度的1/2到1/5，优选为1/3。[0018]步骤1.5中，所述涂层的厚度为1000~5000埃，所述涂层的生长方式为涂布或沉积。所述涂层采用抗反射有机物或其它流动性较好物质，优选抗反射有机物。
[0019]步骤1.6中，所述刻蚀方法中，底膜相对于涂层的刻蚀速率选择比较高，在5:1~100:1之间；底膜相对阻挡层的刻蚀速率选择比较高，在5:1~100:1之间；所述刻蚀方法采用干法或湿法工艺。所述刻蚀的终点为在阻挡层上，阻挡层的损失量在100~300埃。
[0020]步骤1.7中，所述刻蚀方法中，涂层相对于阻挡层的刻蚀速率选择比较高，在1:5~1:20之间，刻蚀方法为湿法或干法刻蚀。
[0021]步骤1.8中，填充深沟槽的顶膜的厚度为100(Tl0000埃，该顶膜的膜质与生长方式可以与步骤1.4的底膜相同，亦可不同，直至将深沟槽填满。
[0022]和现有技术相比，本发明具有以下有益效果:本发明采用了一种新型的工艺流程，即在硅衬底上先淀积氧化膜和/或氮化膜来作为阻挡层(hardmask)，然后通过光刻和刻蚀形成深沟槽之后，先后填充一层台阶覆盖能力较好的底膜以及一层流动性较好的涂层，涂层是为了后续刻蚀保护底膜不被过度刻蚀，避免硅衬底损伤，然后用刻蚀的方式将底膜和涂层去除，然后用湿法刻蚀的药液将沟槽中残留的涂层的残留物去除，最后将深沟槽填满。采用本发明的方法可有效降低高深宽比的深沟槽的填充的难度，能够进行无缝填充，避免填充产生空洞，从而提高器件良率；同时工艺简单，便于实现，成本降低。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1-图10是本发明方法的流程示意图；其中，图1、图2是本发明方法步骤I的结构示意图；图3、图 4是本发明方法步骤2的结构示意图；图5是本发明方法步骤3完成后的结构示意图；图6是本 发明方法步骤4完成后的结构示意图；图7是本发明方法步骤5完成后的结构示意图；图8是本发明方法步骤6完成后的结构示意图；图9是本发明方法步骤7完成后的结构示意图；图10是本发明方法步骤8完成后的结构示意图。
[0024]图中附图标记说明如下:
[0025]`1为硅衬底，2为阻挡层，3为光刻胶，4为底膜，5为涂层，6为顶膜。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
[0027]如图1-图10所示，本发明提供一种有效填充深沟槽的解决方法，包括如下步骤:
[0028]1.提供一硅衬底1(见图1 )，在硅衬底I上淀积一层或数层氧化膜和/或氮化膜，作为阻挡层2 (见图2);阻挡层2的厚度为1000-5000埃，其采用LPCVD (低压化学气相淀积)工艺、或PECVD (等离子体增强化学气相淀积)工艺，或APCVD (常压化学气相淀积)工艺淀积。
[0029]2.在阻挡层2上淀积光刻胶3 (见图3)，显影后刻蚀阻挡层2，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底1 (见图4);所述刻蚀阻挡层2的刻蚀宽度为0.1-50微米；刻蚀深度以硅(硅衬底1)损失小于100埃为优选，所述刻蚀方法采用干法或湿法刻蚀工艺。
[0030]3.去除光刻胶3，然后利用阻挡层2，刻蚀出具有高深宽比的深沟槽的图形(见图5);深沟槽由干法刻蚀方法产生，深沟槽的深度为1-100微米左右，宽度尺寸为0.1-50微米。[0031]4.在全硅片上淀积一层底膜4，该底膜4可以是氧化膜或氮化膜，该底膜4的膜质与阻挡层2顶层膜的膜质不同；如果阻挡层2是氧化膜，则底膜4是氮化膜；如果阻挡层2是氮化膜，则底膜4是氧化膜；如果阻挡层2由氧化膜+氮化膜多层膜组成，如该阻挡层2的顶层膜是氧化膜，则底膜4是氮化膜，如其顶层膜是氮化膜，则底膜4是氧化膜；优选生长方向为底部生长的(bottom up)的成膜方式(见图6);该步骤采用常压或低压化学气相淀积生长工艺，底膜4的生长厚度为1000-10000埃，一般填充厚度为深沟槽深度的1/2到1/5，优选1/3。在本实施例中，在全硅片上淀积一层台阶覆盖能力较好的氧化膜作为底膜4，其厚度为深沟槽深度的1/2。
[0032]5.在全硅片上生长一层流动性较好的涂层5，以降低硅片表面形貌段差(如图7所示);该涂层5的厚度为1000~5000埃，可采用涂布或沉积方式生长，该涂层5可采用抗反射有机物涂层。该步骤生长的涂层5不仅局限于抗反射有机物涂层，亦可为其它流动性较好物质，其目地在于降低其表面形貌以及保护沟槽底部底膜4不被过度刻蚀，避免硅损伤。 [0033]6.用刻蚀的方法将底膜4和涂层5去除，同时达到了降低深沟槽的深宽比的目的，便于后续的填充(如图8所示)；该步骤刻蚀速率选择比(前述底膜4相对后续填充的涂层5以及底膜4相对阻挡层2)较高，在5:1~100:1之间。其刻蚀方法可以为干法或湿法工艺，刻蚀终点可选为在阻挡层2上，阻挡层2的损失量在100~300埃。
[0034]7.用刻蚀的方法将剩余的涂层5去除(如图9所示)，所述刻蚀方法中的刻蚀速率选择比(涂层5相对阻挡层2)较高，在1:5~1:20之间，刻蚀方法可为湿法或干法刻蚀。本实施例中使用湿法刻蚀的方法去除深沟槽内的抗反射有机物涂层5的残留物。
[0035]8.进行后续轮次的填充，将深沟槽填满(如图10所示)，填充的顶膜6的厚度为1000^10000埃，顶膜6的膜质与生长方式可以与步骤4所述底膜4相同，亦可不同(生长方式包括常压化学气相沉积或低压化学气相沉积工艺)，直至将深沟槽填满。
【权利要求】
1.一种有效填充深沟槽的解决方法，其特征在于:包括如下步骤: 1.1在硅衬底上淀积一层或数层氧化膜和/或氮化膜，作为阻挡层； 1.2淀积光刻胶，显影后刻蚀阻挡层，露出后续流程需要刻蚀深沟槽的硅衬底； 1.3去除光刻胶，然后利用阻挡层，刻蚀出具有高深宽比的深沟槽的图形； 1.4在全娃片上淀积一层底膜； 1.5在全硅片上生长一层流动性较好的涂层； 1.6用刻蚀的方法将底膜和涂层去除，同时达到了降低深沟槽的深宽比的目的，便于后续的填充； 1.7用刻蚀的方法将剩余的涂层去除； 1.8进行后续轮次的填充，将深沟槽填满。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.1中，所述阻挡层的厚度为1000^5000埃，其采用LPCVD工艺、或PECVD工艺，或APCVD工艺淀积。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.2中，所述阻挡层刻蚀宽度为0.1~50微米，刻蚀深度以硅损失小于100埃，所述刻蚀方法采用干法或湿法刻蚀工艺。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.3中，所述深沟槽由干法刻蚀方法产生，所述深沟槽的深度为广100微米，宽度为0.1~50微米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.4中，所述底膜采用常压或低压化学气相淀积生长工艺淀积，所述底膜的生长方向为底部生长的成膜方式；所述底膜为氧化膜或氮化膜，该底膜的膜质与阻挡层顶层膜的膜质不同；该底膜的生长厚度为1000-10000埃，该底膜的生长厚度为深沟槽深度的1/2到1/5。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤1.4中，所述底膜的生长厚度为深沟槽深度的1/3。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.5中，所述涂层的厚度为1000~5000埃，所述涂层的生长方式为涂布或沉积。
8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，步骤1.5中，所述涂层采用抗反射有机物。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.6中，所述刻蚀方法中，底膜相对于涂层的刻蚀速率选择比较高，在5:1~100:1之间；底膜相对阻挡层的刻蚀速率选择比较高，在5:1~100:1之间；所述刻蚀方法采用干法或湿法工艺。
10.根据权利要求1或9所述的方法，其特征在于，步骤1.6中，所述刻蚀的终点为在阻挡层上，阻挡层的损失量在100~300埃。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1.7中，所述刻蚀方法中，涂层相对于阻挡层的刻蚀速率选择比较高，在1:5~1:20之间，刻蚀方法为湿法或干法刻蚀。
12.根据权利要求 1所述的方法，其特征在于，步骤1.8中，填充深沟槽的顶膜的厚度为1000^10000埃，该顶膜的膜质与生长方式与步骤1.4的底膜相同，直至将深沟槽填满。
【文档编号】H01L21/02GK103681235SQ201210345937
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月17日 优先权日:2012年9月17日
【发明者】刘继全, 钱志刚, 罗啸 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
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