检测方法
检测方法
【专利摘要】一种检测方法，适用于量测胶膜上已彼此劈裂的数个晶粒，包含以下步骤：提供一个标准间距范围与一个临界间距范围，并量测及记录所述晶粒彼此间的间距，再将所记录的所述晶粒的间距与所提供的间距范围比较，以判断是否依序对所述晶粒进行检测。本发明在检测前，预先量测并记录所述晶粒彼此间的间距，并利用标准间距范围与临界间距范围而可选择对间距差异过大的相邻晶粒不检测或整片晶粒不检测，以减少检测误差，若要检测，也能考虑相邻晶粒之间的间距，而能对晶粒的光性检测结果进行补正以提高检测结果的正确性，因此，本发明有助于获得更正确的检测数据。
【专利说明】检测方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体制程，特别是涉及一种晶粒(die)的检测方法。
【背景技术】
[0002]以往的一种晶粒的检测方法，适用于量测黏着于胶膜上且已彼此劈裂的数个晶粒，由于以往在检测晶粒时，并不考虑到晶粒之间彼此的间距所造成的影响，也就是说，以往皆将晶粒间的间距视为相同，但实际上的情况为，在劈裂扩张后，晶粒彼此间的间距并不相同。而且晶粒之间不同的间距在进行光性检测(optics measurement)时,会对检测结果
产生一定的误差影响。
[0003]因此，一种可以将晶粒的间距纳入晶粒检测标准以减少误差影响，及晶粒依据晶粒间距而加入光性检测补正的检测方法，已成为目前相关业者的研发目标之一。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种可以将晶粒的间距作为是否要对晶粒进行检测的标准，及晶粒依据晶粒彼此间的间距而加入光性检测补正的检测方法。
[0005]本发明检测方法，适用于量测黏着于胶膜上且已彼此劈裂的数个晶粒，该检测方法包含以下步骤:
[0006](A)提供一个针对晶粒间距的标准间距范围，及一个大于该标准间距范围的临界间距范围；
[0007](B)量测并记录所述晶粒彼此间的间距；
[0008](C)将所记录的所述晶粒彼此间的间距分别与该标准间距范围及该临界间距范围进行比较；及
[0009](D)依比较结果判断是否对所述晶粒进行检测；
[0010]其中，步骤(A)与步骤(B)的顺序可互换。
[0011]本发明的检测方法，包含一个实施于该步骤(B)后的步骤(E)，在该步骤(E)中，是依据该步骤(B)所测得的晶粒彼此间的间距关系绘制出一个对应图面。
[0012]本发明的检测方法，包含一个实施于该步骤(D)后的步骤(F)，在该步骤(F)中，针对间距超过该临界间距范围的晶粒省略检测。
[0013]本发明的检测方法，包含一个实施于该步骤(D)后的步骤(G)，在该步骤(G)中，对间距未超出该临界间距范围的晶粒进行检测。
[0014]本发明的检测方法，包含一个实施于该步骤(G)后的步骤(H)，在该步骤(H)中，根据已记录的所述晶粒彼此间的间距，对间距超过该标准间距范围的晶粒的检测结果进行换算补正。
[0015]本发明的检测方法，该步骤(G)所进行的检测为光性检测。
[0016]本发明检测方法的有益效果在于:在进行检测以前，就先量测并记录所述晶粒彼此间的间距，因此，可以在检测前就先判断相邻晶粒的间距是否超出标准间距范围或临界间距范围，作为晶粒是否检测的判断依据。接着，依判断结果依序对所述晶粒进行检测，并根据所述晶粒彼此间的间距对晶粒的光性检测结果进行补正，因而能提高检测结果的准确度。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1是一个流程图，说明本发明检测方法的一个较佳实施例；
[0018]图2是一个示意图，说明本较佳实施例的数个晶粒；
[0019]图3是一个示意图，说明本较佳实施例依据所记录的晶粒的间距关系绘制出的对应图面，本图由计算机软件绘制，仅为说明本发明一种对应图面的绘制态样，因此对于权利要求的保护范围并无影响，仅起到说明功效的作用。
【具体实施方式】
[0020]下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
[0021]参阅图1与图2，本发明检测方法的一个较佳实施例，适用于量测黏着于胶膜I上且已彼此劈裂的数个晶粒2，由于间距大小对晶粒的光性检测数据影响较大，以下的检测方法是以光性检测为例进行说明，需要进行光性检测的晶粒主要是应用于LED等发光元件上。该检测方法包含以下步骤:
[0022]首先，进行一步骤101，针对晶粒2间距，提供一个标准间距范围，及一个大于该标准间距范围的临界间距范围。该标准间距范围及该临界间距范围可依据所用的晶粒类型、晶粒的用途或设计需求分别设定，并使标准间距范围被涵盖在临界间距范围内。
[0023]再进行一步骤100，量测并记录所述晶粒2彼此间的间距。其中，步骤101与步骤100的顺序不受限，即使互换，仍然能够获得预定的效果。
[0024]接续地，进行一步骤200，依据该步骤100所测得的晶粒2彼此间的间距关系绘制成对应图面，以让使用者可以观看对应图面掌控检测流程。
[0025]而后，进行一步骤300，将所记录的所述晶粒彼此间的间距分别与该标准间距范围及该临界间距范围进行比较。
[0026]步骤400是依比较结果判断是否对所述晶粒进行检测。在本实施例中，将出现两种判断结果，当所述晶粒的间距超出该临界间距范围时，表示间距差异过大，进行检测将增加检测时间而影响制程效率，此时将选择进行步骤401，对间距超出该临界间距范围的相邻晶粒省略检测。当所述晶粒的间距未超出该临界间距范围时，则进行步骤500，依序对间距符合检测标准的所述晶粒进行光性检测。
[0027]步骤600，是依据步骤100所测得并记录的所述晶粒2彼此间的间距，对步骤500所量测的所述晶粒2的光性检测结果进行换算补正，以提高所述晶粒2检测结果的准确度。其中，换算补正主要依晶粒的类型或客户设计需求不同而设定不同的补正因子。例如，可以设定对间距在该标准间距范围的晶粒乘以100%的补正因子(相当于不进行补正)，对间距小于该标准间距范围下限的晶粒乘以一数值大于100%的补正因子，并对间距大于该标准间距范围上限的晶粒乘以一数值小于100%的补正因子。另外，也可以再将间距小于该标准间距范围下限及大于该标准间距范围上限的间距进一步细分为不同的次间距范围，并对每一个次间距范围分别规定补正因子，通常距离该标准间距范围越远的次间距范围所指定的补正因子与标准间距范围内所对应的补正因子的差值也会越大。借由增加标准间距范围外的次间距范围的数目，可以再提升检测数据的正确性等级，并能适用于对质量要求更高的广品的晶粒的检测。
[0028]值得说明的是，步骤200可与步骤300结合，也就是在绘制所述晶粒2彼此间的间距关系的对应图面时，可依所述间距与该标准间距范围及该临界间距范围的比较结果，以不同的符号分别标示间距在该标准间距范围内的相邻晶粒2、间距超过(包含大于上限与小于下限)该标准间距范围的相邻晶粒2，及间距超过该临界间距范围的相邻晶粒2，借此，可依间距好(位于该标准间距范围内或接近该标准间距范围)或坏(超出该临界间距范围或远离该标准间距范围)，绘制成与间距好坏有关的对应图面，让使用者可以再依据图面快速地判定是否对特定晶粒2继续后续的量测。
[0029]参阅图2与图3，其中图3是根据步骤200与步骤300所述方式，针对一检测区域10内的晶粒2量测间距后，依所记录的晶粒2的间距绘制的对应图面的一示意图，该圆形的检测区域10中的每一个检测点2'分别对应一个晶粒2，在图3中虽然只是以灰阶方式呈现所述检测点2'，但实际绘制时是根据该检测点2'所对应的晶粒2与其相邻晶粒2的间距范围，而以不同颜色的彩色点标示该检测点2'，借此，使用者可根据所述检测点2'的颜色，快速辨识出与该检测点2，对应的晶粒2与相邻晶粒2之间的间距范围，而能快速判断是否对该晶粒2进行检测，而且进行检测后也能依颜色提供的区别效果而能较快速地对晶粒2的检测结果进行相应的换算补正，除了能获得较正确的检测结果外，也有助于快速完成检测作业。另外，图3中左侧的长条形图标主要以不同颜色的方格对应不同间距范围，并记录了不同间距范围分别对应的晶粒数量，例如，第5个方格对应间距范围0.6?0.8μπι的晶粒2，其颜色为蓝色，方格中的数字表示该间距范围的晶粒2数量有20个，也就是说在该圆形的检测区域10中的蓝色检测点2'所对应的晶粒2与相邻晶粒2的间距落在0.6?0.8 μ m的范围，且量测结果显示该检测区域10中共有20个呈现该种蓝色的检测点2'，余此类推。当然，本发明较佳实施例绘制的对应图面也可不以不同颜色的彩色点标示检测点，而以不同的符号标示检测点说明晶粒彼此间距关系，对应图面中晶粒的态样不以本实施例为限。
[0030]需要补充说明的是，图3中左侧的长条形图标是以间距范围对应不同颜色的方格来呈现分别对应不同间距范围的晶粒数量及其在检测区域10中的分布情形，但实务上也可以直接以距离百分比或补正因子取代该间距范围的标示。例如，假设将间距2.4?
2.6 μ m设定为标准间距范围时，可以经由计算机程序的设计将该间距的标示改为距离百分t匕，并将与2.4?2.6对应的方格旁的2.4与2.6之数字标示改为100，及将位于上方的「间距(ym)」的标示改为「距离百分比(%)」，并以2.4?2.6之间距为100的基准，运算其他间距对应的距离百分比数值并将此结果制成类似图3的对应图，如此即可由该对应图看出距离百分比低于100或高于100的晶粒数量与其分布情形，此外，也可以通过计算机程序运算对不同间距分别要求的补正因子，并以标示补正因子的方式取代原来图3中的间距标示，如此即可看出搭配不同补正因子的晶粒数量与其分布情形，并快速得知该检测区域10整体的补正幅度。
[0031]以下以一个具体例说明依据对特定类型的晶粒进行间距量测，以及依所记录的所述晶粒2间距进行换算补正的情形:[0032]本具体例是针对一个产品编号为LED 1023的晶粒进行检测，该类型晶粒的平均尺寸大小为长23 μ m，宽10 μ m。进行检测时依客户需求设定的标准间距范围为3?4 μ m，且所设定的临界间距范围为9 μ m，由于临界间距范围设定为9 μ m，因此，对超过间距范围9μπι的晶粒省略检测，只针对间距范围g 9μπι的所述晶粒进行换算补正，补正规则如下:
[0033](I)与相邻晶粒的间距在标准间距范围(3?4 μ m)的晶粒，不补正，其最终检测数据为检测原始值X 100%。
[0034](2)与相邻晶粒的间距在O?3μπι的范围内的晶粒，其最终检测数据为检测原始值 X101%。
[0035](3)与相邻晶粒的间距在4?6 μ m的范围内的晶粒，其最终检测数据为检测原始值 X 99%ο
[0036](4)与相邻晶粒的间距在6?9 μ m的范围内的晶粒，其最终检测数据为检测原始值 X 98%ο
[0037]经由上述的补正处理后，可以让检测过程中在相邻晶粒干扰下测得的检测原始值获得补正，并能获得较接近被检测晶粒的真实性能的数据，正确地反应所述晶粒的性能标准，进而能够对其提供更精确有效的应用。
[0038]需要补充说明的是，可以依晶粒的类型不同，以及客户所订的规格标准与对准确的检测结果的要求，分别调整标准间距范围的补正因子的数值、每一补正因子所对应间距范围、标准间距范围及临界间距范围等参数。因此，上述具体例当用于不同晶粒或不同应用需求时，也有可能对与相邻晶粒的间距在标准间距范围内的晶粒的原始检测值乘以一大于100%的补正因子或乘以一小于100%的补正因子进行补正，并对应地调整其他间距范围的补正值，而补正间距范围的分组方式也可依实际需求调整，例如，也可分别针对间距在O?I μ m> I?2μηι、2?3μηι、...、8?9μηι的范围分别设定不同的补正因子，以进行更高规格的换算补正，对规格要求相对较低的产品，也可以只针对标准间距范围、标准间距范围下限与O之间、标准间距范围上限与临界间距之间的三组范围分别设定相应的补正因子，以在符合产品规格的条件下加快检测效率。此外，临界间距范围的设定也不受限，以上述具体例来说，也可以设定6 μ m为临界间距范围，当相邻晶粒的间距大于6 μ m就省略检测，当然，也可以设定12 μ m为临界间距范围，并于相邻晶粒的间距大于12 μ m时才省略检测。
[0039]综上所述，由于在进行检测之前，即先量测并记录所述晶粒2彼此间的间距，作为晶粒是否检测的标准。其后，在检测时还能够考虑相邻晶粒2的间距，作为光性检测结果的补正标准，因而能提高所述晶粒2检测结果的准确度，确实能达到本发明的目的。
[0040]以上所述者，仅为本发明的较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即凡依权利要求书及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利的范围。
【权利要求】
1.一种检测方法，适用于量测黏着于胶膜上且已彼此劈裂的数个晶粒，其特征在于:该检测方法包含以下步骤: (A)提供一个针对晶粒间距的标准间距范围，及一个大于该标准间距范围的临界间距范围； (B)量测并记录所述晶粒彼此间的间距； (C)将所记录的所述晶粒彼此间的间距分别与该标准间距范围及该临界间距范围进行比较；及 (D)依比较结果判断是否对所述晶粒进行检测； 其中，步骤(A)与步骤(B)的顺序可互换。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于:所述检测方法还包含一个实施于该步骤(B)后的步骤(E)，在该步骤(E)中，是依据该步骤(B)所测得的晶粒彼此间的间距关系绘制出一个对应图面。
3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于:所述检测方法还包含一个实施于该步骤(D)后的步骤(F)，在该步骤(F)中，针对间距超过该临界间距范围的晶粒省略检测。
4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于:所述检测方法还包含一个实施于该步骤(D)后的步骤(G)，在该步骤(G)中，对间距未超出该临界间距范围的晶粒进行检测。
5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于:所述检测方法还包含一个实施于该步骤(G)后的步骤(H)，在该步骤(H)中，根据已记录的所述晶粒彼此间的间距，对间距超过该标准间距范围的晶粒的检测结果进行换算补正。
6.根据权利要求5所述的检测方法，其特征在于:该步骤(G)所进行的检测为光性检测。
【文档编号】H01L21/66GK103681394SQ201210352665
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月20日 优先权日:2012年9月20日
【发明者】赖允晋, 徐秋田, 谢宜昇 申请人:惠特科技股份有限公司
【专利摘要】一种检测方法，适用于量测胶膜上已彼此劈裂的数个晶粒，包含以下步骤：提供一个标准间距范围与一个临界间距范围，并量测及记录所述晶粒彼此间的间距，再将所记录的所述晶粒的间距与所提供的间距范围比较，以判断是否依序对所述晶粒进行检测。本发明在检测前，预先量测并记录所述晶粒彼此间的间距，并利用标准间距范围与临界间距范围而可选择对间距差异过大的相邻晶粒不检测或整片晶粒不检测，以减少检测误差，若要检测，也能考虑相邻晶粒之间的间距，而能对晶粒的光性检测结果进行补正以提高检测结果的正确性，因此，本发明有助于获得更正确的检测数据。
【专利说明】检测方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体制程，特别是涉及一种晶粒(die)的检测方法。
【背景技术】
[0002]以往的一种晶粒的检测方法，适用于量测黏着于胶膜上且已彼此劈裂的数个晶粒，由于以往在检测晶粒时，并不考虑到晶粒之间彼此的间距所造成的影响，也就是说，以往皆将晶粒间的间距视为相同，但实际上的情况为，在劈裂扩张后，晶粒彼此间的间距并不相同。而且晶粒之间不同的间距在进行光性检测(optics measurement)时,会对检测结果
产生一定的误差影响。
[0003]因此，一种可以将晶粒的间距纳入晶粒检测标准以减少误差影响，及晶粒依据晶粒间距而加入光性检测补正的检测方法，已成为目前相关业者的研发目标之一。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种可以将晶粒的间距作为是否要对晶粒进行检测的标准，及晶粒依据晶粒彼此间的间距而加入光性检测补正的检测方法。
[0005]本发明检测方法，适用于量测黏着于胶膜上且已彼此劈裂的数个晶粒，该检测方法包含以下步骤:
[0006](A)提供一个针对晶粒间距的标准间距范围，及一个大于该标准间距范围的临界间距范围；
[0007](B)量测并记录所述晶粒彼此间的间距；
[0008](C)将所记录的所述晶粒彼此间的间距分别与该标准间距范围及该临界间距范围进行比较；及
[0009](D)依比较结果判断是否对所述晶粒进行检测；
[0010]其中，步骤(A)与步骤(B)的顺序可互换。
[0011]本发明的检测方法，包含一个实施于该步骤(B)后的步骤(E)，在该步骤(E)中，是依据该步骤(B)所测得的晶粒彼此间的间距关系绘制出一个对应图面。
[0012]本发明的检测方法，包含一个实施于该步骤(D)后的步骤(F)，在该步骤(F)中，针对间距超过该临界间距范围的晶粒省略检测。
[0013]本发明的检测方法，包含一个实施于该步骤(D)后的步骤(G)，在该步骤(G)中，对间距未超出该临界间距范围的晶粒进行检测。
[0014]本发明的检测方法，包含一个实施于该步骤(G)后的步骤(H)，在该步骤(H)中，根据已记录的所述晶粒彼此间的间距，对间距超过该标准间距范围的晶粒的检测结果进行换算补正。
[0015]本发明的检测方法，该步骤(G)所进行的检测为光性检测。
[0016]本发明检测方法的有益效果在于:在进行检测以前，就先量测并记录所述晶粒彼此间的间距，因此，可以在检测前就先判断相邻晶粒的间距是否超出标准间距范围或临界间距范围，作为晶粒是否检测的判断依据。接着，依判断结果依序对所述晶粒进行检测，并根据所述晶粒彼此间的间距对晶粒的光性检测结果进行补正，因而能提高检测结果的准确度。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1是一个流程图，说明本发明检测方法的一个较佳实施例；
[0018]图2是一个示意图，说明本较佳实施例的数个晶粒；
[0019]图3是一个示意图，说明本较佳实施例依据所记录的晶粒的间距关系绘制出的对应图面，本图由计算机软件绘制，仅为说明本发明一种对应图面的绘制态样，因此对于权利要求的保护范围并无影响，仅起到说明功效的作用。
【具体实施方式】
[0020]下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
[0021]参阅图1与图2，本发明检测方法的一个较佳实施例，适用于量测黏着于胶膜I上且已彼此劈裂的数个晶粒2，由于间距大小对晶粒的光性检测数据影响较大，以下的检测方法是以光性检测为例进行说明，需要进行光性检测的晶粒主要是应用于LED等发光元件上。该检测方法包含以下步骤:
[0022]首先，进行一步骤101，针对晶粒2间距，提供一个标准间距范围，及一个大于该标准间距范围的临界间距范围。该标准间距范围及该临界间距范围可依据所用的晶粒类型、晶粒的用途或设计需求分别设定，并使标准间距范围被涵盖在临界间距范围内。
[0023]再进行一步骤100，量测并记录所述晶粒2彼此间的间距。其中，步骤101与步骤100的顺序不受限，即使互换，仍然能够获得预定的效果。
[0024]接续地，进行一步骤200，依据该步骤100所测得的晶粒2彼此间的间距关系绘制成对应图面，以让使用者可以观看对应图面掌控检测流程。
[0025]而后，进行一步骤300，将所记录的所述晶粒彼此间的间距分别与该标准间距范围及该临界间距范围进行比较。
[0026]步骤400是依比较结果判断是否对所述晶粒进行检测。在本实施例中，将出现两种判断结果，当所述晶粒的间距超出该临界间距范围时，表示间距差异过大，进行检测将增加检测时间而影响制程效率，此时将选择进行步骤401，对间距超出该临界间距范围的相邻晶粒省略检测。当所述晶粒的间距未超出该临界间距范围时，则进行步骤500，依序对间距符合检测标准的所述晶粒进行光性检测。
[0027]步骤600，是依据步骤100所测得并记录的所述晶粒2彼此间的间距，对步骤500所量测的所述晶粒2的光性检测结果进行换算补正，以提高所述晶粒2检测结果的准确度。其中，换算补正主要依晶粒的类型或客户设计需求不同而设定不同的补正因子。例如，可以设定对间距在该标准间距范围的晶粒乘以100%的补正因子(相当于不进行补正)，对间距小于该标准间距范围下限的晶粒乘以一数值大于100%的补正因子，并对间距大于该标准间距范围上限的晶粒乘以一数值小于100%的补正因子。另外，也可以再将间距小于该标准间距范围下限及大于该标准间距范围上限的间距进一步细分为不同的次间距范围，并对每一个次间距范围分别规定补正因子，通常距离该标准间距范围越远的次间距范围所指定的补正因子与标准间距范围内所对应的补正因子的差值也会越大。借由增加标准间距范围外的次间距范围的数目，可以再提升检测数据的正确性等级，并能适用于对质量要求更高的广品的晶粒的检测。
[0028]值得说明的是，步骤200可与步骤300结合，也就是在绘制所述晶粒2彼此间的间距关系的对应图面时，可依所述间距与该标准间距范围及该临界间距范围的比较结果，以不同的符号分别标示间距在该标准间距范围内的相邻晶粒2、间距超过(包含大于上限与小于下限)该标准间距范围的相邻晶粒2，及间距超过该临界间距范围的相邻晶粒2，借此，可依间距好(位于该标准间距范围内或接近该标准间距范围)或坏(超出该临界间距范围或远离该标准间距范围)，绘制成与间距好坏有关的对应图面，让使用者可以再依据图面快速地判定是否对特定晶粒2继续后续的量测。
[0029]参阅图2与图3，其中图3是根据步骤200与步骤300所述方式，针对一检测区域10内的晶粒2量测间距后，依所记录的晶粒2的间距绘制的对应图面的一示意图，该圆形的检测区域10中的每一个检测点2'分别对应一个晶粒2，在图3中虽然只是以灰阶方式呈现所述检测点2'，但实际绘制时是根据该检测点2'所对应的晶粒2与其相邻晶粒2的间距范围，而以不同颜色的彩色点标示该检测点2'，借此，使用者可根据所述检测点2'的颜色，快速辨识出与该检测点2，对应的晶粒2与相邻晶粒2之间的间距范围，而能快速判断是否对该晶粒2进行检测，而且进行检测后也能依颜色提供的区别效果而能较快速地对晶粒2的检测结果进行相应的换算补正，除了能获得较正确的检测结果外，也有助于快速完成检测作业。另外，图3中左侧的长条形图标主要以不同颜色的方格对应不同间距范围，并记录了不同间距范围分别对应的晶粒数量，例如，第5个方格对应间距范围0.6?0.8μπι的晶粒2，其颜色为蓝色，方格中的数字表示该间距范围的晶粒2数量有20个，也就是说在该圆形的检测区域10中的蓝色检测点2'所对应的晶粒2与相邻晶粒2的间距落在0.6?0.8 μ m的范围，且量测结果显示该检测区域10中共有20个呈现该种蓝色的检测点2'，余此类推。当然，本发明较佳实施例绘制的对应图面也可不以不同颜色的彩色点标示检测点，而以不同的符号标示检测点说明晶粒彼此间距关系，对应图面中晶粒的态样不以本实施例为限。
[0030]需要补充说明的是，图3中左侧的长条形图标是以间距范围对应不同颜色的方格来呈现分别对应不同间距范围的晶粒数量及其在检测区域10中的分布情形，但实务上也可以直接以距离百分比或补正因子取代该间距范围的标示。例如，假设将间距2.4?
2.6 μ m设定为标准间距范围时，可以经由计算机程序的设计将该间距的标示改为距离百分t匕，并将与2.4?2.6对应的方格旁的2.4与2.6之数字标示改为100，及将位于上方的「间距(ym)」的标示改为「距离百分比(%)」，并以2.4?2.6之间距为100的基准，运算其他间距对应的距离百分比数值并将此结果制成类似图3的对应图，如此即可由该对应图看出距离百分比低于100或高于100的晶粒数量与其分布情形，此外，也可以通过计算机程序运算对不同间距分别要求的补正因子，并以标示补正因子的方式取代原来图3中的间距标示，如此即可看出搭配不同补正因子的晶粒数量与其分布情形，并快速得知该检测区域10整体的补正幅度。
[0031]以下以一个具体例说明依据对特定类型的晶粒进行间距量测，以及依所记录的所述晶粒2间距进行换算补正的情形:[0032]本具体例是针对一个产品编号为LED 1023的晶粒进行检测，该类型晶粒的平均尺寸大小为长23 μ m，宽10 μ m。进行检测时依客户需求设定的标准间距范围为3?4 μ m，且所设定的临界间距范围为9 μ m，由于临界间距范围设定为9 μ m，因此，对超过间距范围9μπι的晶粒省略检测，只针对间距范围g 9μπι的所述晶粒进行换算补正，补正规则如下:
[0033](I)与相邻晶粒的间距在标准间距范围(3?4 μ m)的晶粒，不补正，其最终检测数据为检测原始值X 100%。
[0034](2)与相邻晶粒的间距在O?3μπι的范围内的晶粒，其最终检测数据为检测原始值 X101%。
[0035](3)与相邻晶粒的间距在4?6 μ m的范围内的晶粒，其最终检测数据为检测原始值 X 99%ο
[0036](4)与相邻晶粒的间距在6?9 μ m的范围内的晶粒，其最终检测数据为检测原始值 X 98%ο
[0037]经由上述的补正处理后，可以让检测过程中在相邻晶粒干扰下测得的检测原始值获得补正，并能获得较接近被检测晶粒的真实性能的数据，正确地反应所述晶粒的性能标准，进而能够对其提供更精确有效的应用。
[0038]需要补充说明的是，可以依晶粒的类型不同，以及客户所订的规格标准与对准确的检测结果的要求，分别调整标准间距范围的补正因子的数值、每一补正因子所对应间距范围、标准间距范围及临界间距范围等参数。因此，上述具体例当用于不同晶粒或不同应用需求时，也有可能对与相邻晶粒的间距在标准间距范围内的晶粒的原始检测值乘以一大于100%的补正因子或乘以一小于100%的补正因子进行补正，并对应地调整其他间距范围的补正值，而补正间距范围的分组方式也可依实际需求调整，例如，也可分别针对间距在O?I μ m> I?2μηι、2?3μηι、...、8?9μηι的范围分别设定不同的补正因子，以进行更高规格的换算补正，对规格要求相对较低的产品，也可以只针对标准间距范围、标准间距范围下限与O之间、标准间距范围上限与临界间距之间的三组范围分别设定相应的补正因子，以在符合产品规格的条件下加快检测效率。此外，临界间距范围的设定也不受限，以上述具体例来说，也可以设定6 μ m为临界间距范围，当相邻晶粒的间距大于6 μ m就省略检测，当然，也可以设定12 μ m为临界间距范围，并于相邻晶粒的间距大于12 μ m时才省略检测。
[0039]综上所述，由于在进行检测之前，即先量测并记录所述晶粒2彼此间的间距，作为晶粒是否检测的标准。其后，在检测时还能够考虑相邻晶粒2的间距，作为光性检测结果的补正标准，因而能提高所述晶粒2检测结果的准确度，确实能达到本发明的目的。
[0040]以上所述者，仅为本发明的较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即凡依权利要求书及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利的范围。
【权利要求】
1.一种检测方法，适用于量测黏着于胶膜上且已彼此劈裂的数个晶粒，其特征在于:该检测方法包含以下步骤: (A)提供一个针对晶粒间距的标准间距范围，及一个大于该标准间距范围的临界间距范围； (B)量测并记录所述晶粒彼此间的间距； (C)将所记录的所述晶粒彼此间的间距分别与该标准间距范围及该临界间距范围进行比较；及 (D)依比较结果判断是否对所述晶粒进行检测； 其中，步骤(A)与步骤(B)的顺序可互换。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于:所述检测方法还包含一个实施于该步骤(B)后的步骤(E)，在该步骤(E)中，是依据该步骤(B)所测得的晶粒彼此间的间距关系绘制出一个对应图面。
3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于:所述检测方法还包含一个实施于该步骤(D)后的步骤(F)，在该步骤(F)中，针对间距超过该临界间距范围的晶粒省略检测。
4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于:所述检测方法还包含一个实施于该步骤(D)后的步骤(G)，在该步骤(G)中，对间距未超出该临界间距范围的晶粒进行检测。
5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于:所述检测方法还包含一个实施于该步骤(G)后的步骤(H)，在该步骤(H)中，根据已记录的所述晶粒彼此间的间距，对间距超过该标准间距范围的晶粒的检测结果进行换算补正。
6.根据权利要求5所述的检测方法，其特征在于:该步骤(G)所进行的检测为光性检测。
【文档编号】H01L21/66GK103681394SQ201210352665
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月20日 优先权日:2012年9月20日
【发明者】赖允晋, 徐秋田, 谢宜昇 申请人:惠特科技股份有限公司
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