一种面向单层电容触摸屏的改良结构的制作方法
专利名称：一种面向单层电容触摸屏的改良结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电容屏制造技术领域，更具体地说，涉及一种面向单层电容触摸屏的改良结构。
背景技术：
电容屏是既电阻屏应用后迅速崛起的移动终端屏幕类型，并广泛应用于移动终端。电容屏有多种类型，其中单层互容触摸屏的结构由单层纳米铟锡金属氧化物ITOI实现，结合图1a-图1b所示:可视区域2供用户实现人机交互，在可视区域2的边沿设置有不透光区域3，用于遮挡驱动可视区域2的元器件，参见图lb，所述单层互容触摸屏上还设置有覆盖层4，该种结构使用互容触摸屏原理实现触摸定位，即在所述触摸屏上通过计算驱动电极与所有接收电极间的耦合电容值变化量，确定触摸点坐标。以现有的单层互容触摸屏为例，所述不透光区域3的相对介电常数与所述覆盖层4的相对介电常数不同，因而所述可视区域2与所述不透光区域3在检测触摸点时的耦合电容值变化量将不同，从而在不透光区域3检测到触摸点，同样的报点条件，将出现报点数据不准确的技术问题。因而，如何提高所述不透光区域的报点准确性，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型提供一种面向单层电容触摸屏的改良结构，以实现提高单层电容屏中不透光区域的报点准确性的技术目的。一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括:所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层，所述补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。可选地，在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下通过真空溅镀或涂布形成所述补偿层；所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常
数一致。可选地，所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分平铺于所述不透光区域上。
可选地，所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域与所述ITO层之间。可选地，所述补偿层覆盖所述ITO层内表面。[0013]可选地，所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接。可选地，所述补偿层设置于单层电容触摸屏的ITO层内表面，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿在同一竖直线上。从上述的技术方案可以看出，本实用新型实施例的面向单层电容触摸屏的改良结构，通过在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置与不透光区域的相对介电常数匹配的补偿层，优选为设置与不透光区域的相对介电常数相同的补偿层，使单层触摸屏中的可视区域与所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量一致，从而提高所述不透光区域的报点准确性。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1a为本实用新型公开的现有面向单层电容触摸屏的正视结构示意图；图1b为本实用新型公开的现有面向单层电容触摸屏的纵剖面结构示意图；图2为本实用新型实施例公开的面向单层电容触摸屏的纵剖面结构示意图；图3为本实用新型又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图；图4为本实用新型又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图；图5为本实用新型又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图图6为本实用新型又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。现有的单层互容触摸屏中，如图1a-图lb，在同样的报点条件下，单层互容触摸屏在所述不透光区域3 (Black matrix)内的报点将出现不准确的情况，原因在于，所述不透光区域3的相对介电常数与所述覆盖层4的相对介电常数不同，从而造成所述不透光区域3与可视区域(View area)2出现报点条件不一致的情况，也就是在同样的报点条件下所述不透光区域3报点不准确。现有解决上述不透光区域3报点不准确的问题所采取的方式是通过软件算法进行修正，而由于覆盖层4的材料与所述不透光区域3的材料的相对介电常数时常变化，因而软件算法不仅复杂度高且修正准确度得不到保证。本实用新型实施例公开了一种面向单层电容触摸屏的改良结构，以实现提高单层电容屏中不透光区域的报点准确性的技术目的。图2示出了一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括:补偿层21，所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层22内表面以下，所述补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域23的相对介电常数匹配。在实施例中，所述补偿层21设置于覆盖层22内表面，图中ITO层24设置于所述不透光区域23与所述补偿层21内表面。作为优选，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致。并且，所述补偿层可通过真空溅镀或涂布设置形成。当所述单层电容触摸屏中具备了该补偿层后，所述驱动电极与接收电机之间的耦合电容值变化量，可表不为ACdibm:Δ Ciiibm-Ciii1bm-Ciii0bm-f (ε CL, ε BM, Cf) _f ( ε Cl> ε βμ)，其中:Cdi0bm= f( ε CL, ε ΒΜ)是在不透光区域未检测到触摸点时，驱动电极与接收电极之间耦合电容，CmlBM =f(eCL, ε BM, Cf)是不透光区域在检测到触摸点时，驱动电极与接收电极之间耦合电容，所述为覆盖层的相对介电常数，所述εΒΜ为不透光区域材料的相对介电常数，Cf人体与驱动电极之间的耦合电容。优选地，当所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致时，所述耦合电容值变化量，可表示为:Δ Ciiibm- Δ CmVA-CmlvA-Cm0VA-f ( ε CL, Cf) _f ( ε CL)。上述实施例从单层互容触摸屏的工作原理角度验证，采用本实用新型中的改良工艺，将改观现有单层触摸屏中的可视区域2与所述不透光区域3在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量不一致的情况。需要说明的是:所述补偿层可采用透明树脂类作为相对介电常数的补偿材料，所述透明树脂类具有良好的耐化学性、耐热性能，可选用丙烯树脂、环氧树脂好、聚酰亚胺树脂、硅树脂等，并不局限。上述实施例中所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配但不一致的情况下，可借助软件算法辅助实现不透光区域3报点准确性提闻的技术目的。所述补偿层的厚度可由实际应用和相对介电常数的设置不同而调整，此处不做过多局限。所述覆盖层通常为玻璃基板，一般地，其厚度约为0.7mm在本说明书的实施例中，补偿层、ITO层及不透光区域均以该玻璃基板为基础进行溅镀或涂布。图3示出了又一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括:在本实施例中，补偿层31设置于所述覆盖层32内表面与所述ITO层34之间,所述补偿层31对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域33与所述ITO层34之间，图中所述补偿层31与所述不透光区域33的平面在所述覆盖层32内表面。[0045]图4示出了又一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括:在本实施例中，补偿层41覆盖所述ITO层44内表面，所述ITO层44的边沿设置不透光区域43，覆盖层42平铺在所述ITO层44与所述不透光区域43表面。图5示出了又一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括:在本实施例中，补偿层51设置于所述覆盖层52内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层54之间，图中所述补偿层51与所述不透光区域53的平面在所述覆盖层52内表面。图6示出了又一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括:在本实施例中，所述补偿层61设置于所述ITO层64内表面，且所述补偿层61的边沿与所述不透光区域63边沿在同一竖直线上，所述ITO层64与所述不透光区域63表面在覆盖层62的内表面。上述实施例中的改良结构，从硬件上改进了现有的单层电容触摸屏层叠结构，使单层触摸屏中的可视区域与所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量匹配，从而提高所述不透光区域的报点准确性。综上所述:本实用新型实施例中的面向单层电容触摸屏的改良结构，通过在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置与不透光区域的相对介电常数匹配的补偿层，优选为设置与不透光区域的相对介电常数相同的补偿层，使单层触摸屏中的可视区域与所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量一致，从而提高所述不透光区域的报点准确性。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型实施例的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型实施例将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
权利要求1.一种面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，包括: 所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层； 所述补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域； 所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。
2.如权利要求1所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于， 在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下通过真空溅镀或涂布形成所述补偿层； 所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致。
3.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括: 所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分平铺于所述不透光区域上。
4.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括: 所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域与所述ITO层之间。
5.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括: 所述补偿层覆盖所述ITO层内表面。
6.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括: 所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接。
7.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括: 所述补偿层设置于单层电容触摸屏的ITO层内表面，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿在同一竖直线上。
专利摘要本实用新型实施例公开了一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层，所述补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。本实用新型实施例的面向单层电容触摸屏的改良结构，通过在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置与不透光区域的相对介电常数匹配的补偿层，优选为设置与不透光区域的相对介电常数相同的补偿层，使单层触摸屏中的可视区域与所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量一致，从而提高所述不透光区域的报点准确性。
文档编号G06F3/044GK202976044SQ20122061047
公开日2013年6月5日 申请日期2012年11月16日 优先权日2012年11月16日
发明者王朋, 侯卫京, 郭明, 李华, 刘伯政, 刘辉 申请人:敦泰科技有限公司
技术领域：
本实用新型涉及电容屏制造技术领域，更具体地说，涉及一种面向单层电容触摸屏的改良结构。
背景技术：
电容屏是既电阻屏应用后迅速崛起的移动终端屏幕类型，并广泛应用于移动终端。电容屏有多种类型，其中单层互容触摸屏的结构由单层纳米铟锡金属氧化物ITOI实现，结合图1a-图1b所示:可视区域2供用户实现人机交互，在可视区域2的边沿设置有不透光区域3，用于遮挡驱动可视区域2的元器件，参见图lb，所述单层互容触摸屏上还设置有覆盖层4，该种结构使用互容触摸屏原理实现触摸定位，即在所述触摸屏上通过计算驱动电极与所有接收电极间的耦合电容值变化量，确定触摸点坐标。以现有的单层互容触摸屏为例，所述不透光区域3的相对介电常数与所述覆盖层4的相对介电常数不同，因而所述可视区域2与所述不透光区域3在检测触摸点时的耦合电容值变化量将不同，从而在不透光区域3检测到触摸点，同样的报点条件，将出现报点数据不准确的技术问题。因而，如何提高所述不透光区域的报点准确性，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型提供一种面向单层电容触摸屏的改良结构，以实现提高单层电容屏中不透光区域的报点准确性的技术目的。一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括:所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层，所述补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。可选地，在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下通过真空溅镀或涂布形成所述补偿层；所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常
数一致。可选地，所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分平铺于所述不透光区域上。
可选地，所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域与所述ITO层之间。可选地，所述补偿层覆盖所述ITO层内表面。[0013]可选地，所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接。可选地，所述补偿层设置于单层电容触摸屏的ITO层内表面，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿在同一竖直线上。从上述的技术方案可以看出，本实用新型实施例的面向单层电容触摸屏的改良结构，通过在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置与不透光区域的相对介电常数匹配的补偿层，优选为设置与不透光区域的相对介电常数相同的补偿层，使单层触摸屏中的可视区域与所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量一致，从而提高所述不透光区域的报点准确性。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1a为本实用新型公开的现有面向单层电容触摸屏的正视结构示意图；图1b为本实用新型公开的现有面向单层电容触摸屏的纵剖面结构示意图；图2为本实用新型实施例公开的面向单层电容触摸屏的纵剖面结构示意图；图3为本实用新型又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图；图4为本实用新型又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图；图5为本实用新型又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图图6为本实用新型又一实施例公开的一种面向单层电容触摸屏的改良结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。现有的单层互容触摸屏中，如图1a-图lb，在同样的报点条件下，单层互容触摸屏在所述不透光区域3 (Black matrix)内的报点将出现不准确的情况，原因在于，所述不透光区域3的相对介电常数与所述覆盖层4的相对介电常数不同，从而造成所述不透光区域3与可视区域(View area)2出现报点条件不一致的情况，也就是在同样的报点条件下所述不透光区域3报点不准确。现有解决上述不透光区域3报点不准确的问题所采取的方式是通过软件算法进行修正，而由于覆盖层4的材料与所述不透光区域3的材料的相对介电常数时常变化，因而软件算法不仅复杂度高且修正准确度得不到保证。本实用新型实施例公开了一种面向单层电容触摸屏的改良结构，以实现提高单层电容屏中不透光区域的报点准确性的技术目的。图2示出了一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括:补偿层21，所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层22内表面以下，所述补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域23的相对介电常数匹配。在实施例中，所述补偿层21设置于覆盖层22内表面，图中ITO层24设置于所述不透光区域23与所述补偿层21内表面。作为优选，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致。并且，所述补偿层可通过真空溅镀或涂布设置形成。当所述单层电容触摸屏中具备了该补偿层后，所述驱动电极与接收电机之间的耦合电容值变化量，可表不为ACdibm:Δ Ciiibm-Ciii1bm-Ciii0bm-f (ε CL, ε BM, Cf) _f ( ε Cl> ε βμ)，其中:Cdi0bm= f( ε CL, ε ΒΜ)是在不透光区域未检测到触摸点时，驱动电极与接收电极之间耦合电容，CmlBM =f(eCL, ε BM, Cf)是不透光区域在检测到触摸点时，驱动电极与接收电极之间耦合电容，所述为覆盖层的相对介电常数，所述εΒΜ为不透光区域材料的相对介电常数，Cf人体与驱动电极之间的耦合电容。优选地，当所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致时，所述耦合电容值变化量，可表示为:Δ Ciiibm- Δ CmVA-CmlvA-Cm0VA-f ( ε CL, Cf) _f ( ε CL)。上述实施例从单层互容触摸屏的工作原理角度验证，采用本实用新型中的改良工艺，将改观现有单层触摸屏中的可视区域2与所述不透光区域3在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量不一致的情况。需要说明的是:所述补偿层可采用透明树脂类作为相对介电常数的补偿材料，所述透明树脂类具有良好的耐化学性、耐热性能，可选用丙烯树脂、环氧树脂好、聚酰亚胺树脂、硅树脂等，并不局限。上述实施例中所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配但不一致的情况下，可借助软件算法辅助实现不透光区域3报点准确性提闻的技术目的。所述补偿层的厚度可由实际应用和相对介电常数的设置不同而调整，此处不做过多局限。所述覆盖层通常为玻璃基板，一般地，其厚度约为0.7mm在本说明书的实施例中，补偿层、ITO层及不透光区域均以该玻璃基板为基础进行溅镀或涂布。图3示出了又一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括:在本实施例中，补偿层31设置于所述覆盖层32内表面与所述ITO层34之间,所述补偿层31对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域33与所述ITO层34之间，图中所述补偿层31与所述不透光区域33的平面在所述覆盖层32内表面。[0045]图4示出了又一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括:在本实施例中，补偿层41覆盖所述ITO层44内表面，所述ITO层44的边沿设置不透光区域43，覆盖层42平铺在所述ITO层44与所述不透光区域43表面。图5示出了又一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括:在本实施例中，补偿层51设置于所述覆盖层52内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层54之间，图中所述补偿层51与所述不透光区域53的平面在所述覆盖层52内表面。图6示出了又一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括:在本实施例中，所述补偿层61设置于所述ITO层64内表面，且所述补偿层61的边沿与所述不透光区域63边沿在同一竖直线上，所述ITO层64与所述不透光区域63表面在覆盖层62的内表面。上述实施例中的改良结构，从硬件上改进了现有的单层电容触摸屏层叠结构，使单层触摸屏中的可视区域与所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量匹配，从而提高所述不透光区域的报点准确性。综上所述:本实用新型实施例中的面向单层电容触摸屏的改良结构，通过在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置与不透光区域的相对介电常数匹配的补偿层，优选为设置与不透光区域的相对介电常数相同的补偿层，使单层触摸屏中的可视区域与所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量一致，从而提高所述不透光区域的报点准确性。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型实施例的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型实施例将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
权利要求1.一种面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，包括: 所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层； 所述补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域； 所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。
2.如权利要求1所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于， 在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下通过真空溅镀或涂布形成所述补偿层； 所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数一致。
3.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括: 所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分平铺于所述不透光区域上。
4.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括: 所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的纳米铟锡金属氧化物ITO层之间，所述补偿层对应所述不透光区域的部分介于所述不透光区域与所述ITO层之间。
5.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括: 所述补偿层覆盖所述ITO层内表面。
6.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括: 所述补偿层设置于所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面与所述单层电容触摸屏的ITO层之间，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿相接。
7.如权利要求1或2所述的面向单层电容触摸屏的改良结构，其特征在于，所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层包括: 所述补偿层设置于单层电容触摸屏的ITO层内表面，所述补偿层的边沿与所述不透光区域边沿在同一竖直线上。
专利摘要本实用新型实施例公开了一种面向单层电容触摸屏的改良结构，包括所述单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置有补偿层，所述补偿层的面积至少包括除不透光区域以外的区域，所述补偿层的相对介电常数与所述单层电容触摸屏的不透光区域的相对介电常数匹配。本实用新型实施例的面向单层电容触摸屏的改良结构，通过在单层电容触摸屏的覆盖层内表面以下设置与不透光区域的相对介电常数匹配的补偿层，优选为设置与不透光区域的相对介电常数相同的补偿层，使单层触摸屏中的可视区域与所述不透光区域在检测触摸点时的耦合电容值和耦合电容值变化量一致，从而提高所述不透光区域的报点准确性。
文档编号G06F3/044GK202976044SQ20122061047
公开日2013年6月5日 申请日期2012年11月16日 优先权日2012年11月16日
发明者王朋, 侯卫京, 郭明, 李华, 刘伯政, 刘辉 申请人:敦泰科技有限公司
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