半导体器件及其制造方法
专利名称：半导体器件及其制造方法
技术领域：
本发明的技术领域涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、电路、电路的制造方法、二极管、二极管的制造方法、天线、天线的制造方法等。
背景技术：
为了实现普遍存在的计算，经由天线执行无线通信的半导体器件(还称作RFID标签、无线标签、IC芯片、无线芯片、非接触信号处理设备、或半导体集成电路芯片)的开发有了进展(例如，专利文献1)。
(专利文献1) 日本已公开专利申请No. 2007-5778
发明内容
一般而言，在半导体器件中使用的元件的特性值在元件形成之后不能被改变，元件特性值主要由设计中所确定的参数来决定。
但是，在已制造的半导体器件中，有些情况下电路不按照设计中所确定的参数来工作。
在该情况下，有必要改变其设计并再次制造半导体器件，从而导致制造成本增加并延迟产品交货。
本文所描述的本发明的目的在于提供能够在元件形成之后改变元件特性值的结构，以便于防止制造成本增加和产品交货延迟。
作为本说明书中描述的具有能够被改变的特性值的元件，有以下两种元件使用二极管的元件和使用天线的元件。
为了解决以上所述问题，根据本发明，多个二极管串联连接。
然后，通过布线使多个二极管的一部分短路。具体而言，二极管和布线并联连接。
多个二极管的短路连接使通过布线短路的二极管不运行。
二极管和布线并联连接，由此电流优先流入布线中，使得二极管可被认为是不存在的。
然后，如果使用多个二极管的元件的阈值电压或电流值不是预定值，在一部分布线处切割布线，由此使在切割前并联连接至布线的二极管运行，使得使用多个二极管的元件的阈值电压或电流值可被调节。
作为使用多个二极管的元件的阈值电压或电流值不是预定值的情形的示例，有以下情形未通过布线短路的二极管中出现漏电流的情形；未通过布线短路的每个和个别二极管的阈值电压或电流值不是在设计时所采取的阈值电压或电流值的情形；以及类似情形。
当未通过布线短路的二极管称作初级二极管，通过布线短路的二极管称作次级二极管，初级二极管称作第一单元，且包括布线和次级二极管的结构称作第二单元时，多个第一单元和多个第二单元串联连接。
在本说明书中，形容词“多个”与名称“群”同义。(例如，“多个二极管”与“二极管群”同义，且“多个小环”与“小环群”同义。) 替代地，可替代布线设置开关元件以便调节阈值电压或电流值。
但是，该情形在设计中是不利的，因为开关元件的形成和开关元件的控制器占用了用于布置另一电路的区域。
此外，在使用开关元件的方法中，使用控制器来在多个二极管的一部分短路期间保持对开关元件的栅极端子施加电压是必要的，这增大功耗。
因此，考虑到功耗和设计便利，可认为使用利用布线的结构是更优选的。
另一方面，使用开关元件的结构的优选之处在阈值电压或电流值可被调节任何次数。
即，任何方法具有一些缺点和优点，并取决于需求适当地优选使用。
作为用于切割使用布线的结构的方法示例，可应用诸如激光切割、使用剪刀切割、 使用切割器切割、使用针切割的各种方法。
但是，归因于切割时的应力，剪刀、切割器、针、或类似物的使用可造成置于要切割的布线周围的电路或层间绝缘膜的损坏。
此外，在密封后使用剪刀、切割器、针、或类似物切割时，会破坏密封。
因此，在不造成应力损坏或密封损坏的情况下执行切割时，激光切割是更优选的。
尤其，在使用薄膜的半导体器件中激光切割是优选的。
这是因为即使在布线用层间绝缘膜、密封材料、或类似物覆盖的情况下，激光切割也允许选择性地仅切割布线。
注意，用于形成层间绝缘膜的诸如聚酰亚胺的材料，用于密封的诸如聚酯胶片或环氧的材料、或类似物可由波长为355nm的YAG激光器切割，但是不能由波长为1064nm的 YAG激光器、波长为532nm的YAG激光器、波长为1047nm的YLF激光器等来切割。
因此，为了有选择地仅切割布线而不破坏层间绝缘膜和密封，优选使用波长为 1064nm的YAG激光器、波长为532nm的YAG激光器、波长为1047nm的YLF激光器等。在层间绝缘膜和/或密封被破坏也没关系的情况下，可使用任何种类的激光器。
作为二极管，可使用诸如二极管接法的晶体管、PIN 二极管、PN 二极管或肖特基二极管的任何种类的二极管。
为了在形成作为另一电路元件的晶体管、电阻器、或电容器的同时形成二极管，优选二极管接法的晶体管、PIN 二极管、PN 二极管等。
此外，优选并联连接至布线的二极管(该二极管称作次级二极管)在垂直于电流流向的方向上的宽度小于未并联连接至布线的二极管(该二极管称作初级二级管)在垂直于电流流向的方向上的宽度。
次级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度的变小减小次级二极管的面积，其有助于半导体器件的精密化。
此外，次级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度减小降低流入次级二极管的电流量，从而通过切割布线并使次级二极管工作来校正的阈值电压的量变小。
阈值电压的小量校正允许对于阈值电压或电流值进行精细的电压调节。
注意，二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度，例如在二极管包含晶体管的情形下为晶体管的沟道宽度。
此外，相关于面积减少，初级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于次级二极管垂直于电流流向的方向上的宽度是可接受的。
S卩，二极管被设计成初级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度与次级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度不同。
本发明的申请范围不仅包括二极管，还包括天线。
在天线的情况下，天线长度可增大，以使电感可增大(在其中串联连接天线的元件的情形下，上述“天线长度”描述为元件长度)。
天线长度意味着在天线内从天线输入端子到天线输出端子的最短距离。
当天线(或包含天线的元件)的电流改变时，电感是天线(或者包含天线的元件) 中产生的电动势除以电流改变速率的比。
根据以上结构，可提供能够改变特性值(阈值电压、电流值、电感等)的半导体器件。
举例而言，根据本发明，可提供如下半导体器件。
根据本发明，可提供包含一元件的半导体器件，在该元件中串联连接的二极管群并联连接至布线。
根据本发明，可提供包含一元件的半导体器件，该元件中第一二极管群和第二二极管群串联连接，其中第二二极管群中的各二极管并联连接至布线，且第二二极管群中的各二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于第一二极管群中的各二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度。
根据本发明，可提供包含一元件的半导体器件的制造方法，该元件中一部分串联连接的二极管群并联连接至布线，其中通过切割布线来调节元件的阈值或电流值。
根据本发明，可提供包含一元件的半导体器件的制造方法，该元件中第一二极管群和第二二极管群串联连接，其中第二二极管群中的各二极管并联连接至布线，且第二二极管群中的各二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于第一二极管群中的各二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度，其中可通过切割布线来调节元件的阈值电压或电流值。
此外，优选二极管和布线各自使用薄膜形成，且通过激光切割来进行切割。
根据本发明，可提供一半导体器件，其中一部分串联连接的天线群并联连接至布线。
根据本发明，可提供包含天线的半导体器件，该天线具有大环和连接至大环的小环群。
根据本发明，可提供包含一元件的半导体器件的制造方法，该元件中一部分串联连接的天线群并联连接至布线，其中通过切割布线来调节元件的电感。
根据本发明，可提供包含一天线的半导体器件的制造方法，该天线具有大环和连接至大环的小环群，其中通过切割大环来调节天线的电感。
多个元件串联连接且其中的一部分并联连接至布线，从而可提供一结构，该结构能够在形成元件后改变元件的特性值。
为了在元件形成后改变元件的特性值，通过激光切割或类似手段来切割布线。
尤其在使用薄膜的半导体器件中，优选使用激光切割，其允许甚至例如在形成层间绝缘膜后或密封后切割。
在使用二极管的情况下，次级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于初级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度，由此有助于半导体器件的精密化并精细地调节阈值电压或电流值。
以上描述的串联连接结构不仅可应用于二极管还可应用于天线或另一元件。
附图简述 图IA至ID各自示出串联连接二极管群的示例。
图2A至2D各自示出串联连接二极管群的示例。
图3是示出串联连接二极管群的特性示例的曲线图。
图4是串联连接二极管群的俯视图示例。
图5是串联连接二极管群的仰视图示例。
图6是串联连接二极管群的俯视图示例。
图7是串联连接二极管群的俯视图示例。
图8是串联连接二极管群的仰视图示例。
图9是串联连接二极管群的俯视图示例。
图10是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图11是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图12是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图13是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图14是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图15是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图16是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图17是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图18是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图19是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图20A至20C各自示出天线的示例。
图21A和21B各自示出天线的示例。
图22A和22B各自示出天线的示例。
图23是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图M是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图25是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图沈是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图27示出经由天线进行无线通信的半导体器件的示例。
图28A至28C各自示出串联连接二极管群的示例。
图29A至29C各自示出串联连接二极管群的示例。
具体实施例方式 将使用附图具体描述本发明的诸实施例。
本领域普通技术人员容易理解，可对本发明的模式和细节作出各种改变，只要不背离本发明的范围和精神即可。
因此，本发明不被解释为限于以下所描述的诸实施例的描述。
在以下给出的结构中，贯穿诸附图，相同部分或具有相同功能的部分由相同附图标记来表示，且不再重复其解释。
以下实施例可适当地组合以便实施。
实施例1 在本实施例中，将使用图IA至1D、2A至2D以及图3来描述包含多个二极管的元件。
图IA至ID各自示出其中多个二极管串联连接且多个元件的一部分并联连接至布线的结构。
在图IA中示出二极管，且二极管接法的晶体管、PIN二极管、PIN二极管、肖特基二极管等可用作该二极管。
图IB示出其中η沟道晶体管连接成二极管的结构。
图IC示出其中ρ沟道晶体管连接成二极管的结构。
图ID中示出PIN 二极管。
注意，虽然在本实施例中八个二极管串联连接，但是在本发明中二极管的数量不限于八个。
在图IA至ID中，二极管11-18串联连接。
附图标记“输入(IN) ”表示包含多个二极管的元件的输入端子，且“输出(OUT) ”表示包含多个二极管的元件的输出端子。
输入端子IN电连接至二极管11的输入端子。
输出端子OUT电连接至二极管18的输出端子。
在此，二极管11-14称作初级二极管，且二极管15-18称作次级二极管。
此外，作为次级二极管的二极管15-18并联连接至其各自的被虚线部分21-M包围的布线。
次级二极管和布线并联连接，由此电流优先流入布线中，使得次级二极管不工作。
与此相反，如图2A-2D所示，切割虚线部分的布线使次级二极管工作。
举例而言，虚线部分21的布线被切割成如图2A所示，由此使二极管15工作，使得工作的二极管数量为5个。
此外，虚线部分22的布线被切割成如图2B所示，由此使除了二极管15之外二极管16也工作，使得工作的二极管数量为6个。
此外，虚线部分23的布线被切割成如图2C所示，由此使除了二极管15和16之外二极管17也工作，使得工作的二极管数量为7个。
此外，虚线部分M的布线被切割成如图2D所示，由此使除了二极管15、16和17 之外二极管18也工作，使得工作的二极管数量为8个。
虽然在图2A-2D中从左侧开始进行布线切割，切割不必以图2A-2D所示的顺序进行，因为布线的切割使得切割以前并联连接至该同一布线的次级二极管工作。
在此，作为用于切割布线的方法示例，可应用诸如激光切割、使用剪刀切割、使用切割器切割、以及使用针切割的各种方法。
但是，归因于切割时的应力，剪刀、切割器、针、或类似物的使用造成置于要切割的布线周围的电路或层间绝缘膜的损坏。
此外，在密封后使用剪刀、切割器、针、或类似物切割时，会破坏密封。
因此，在不造成应力破坏或密封破坏的情况下执行切割时，激光切割是更优选的。
尤其，在使用薄膜的半导体器件中激光切割是优选的。
这是因为即使在布线用层间绝缘膜、密封材料、或类似物覆盖的情况下，激光切割也允许选择性地仅切割布线。
注意，用于形成层间绝缘膜的诸如聚酰亚胺的材料，用于密封的诸如聚酯胶片或环氧的材料、或类似物可由波长为355nm的YAG激光器切割，但是不能由波长为1064nm的 YAG激光器、波长为532nm的YAG激光器、波长为1047nm的YLF激光器等来切割。
因此，为了有选择地仅切割布线而不破坏层间绝缘膜，优选使用波长为1064nm的 YAG激光器、波长为532nm的YAG激光器、波长为1047nm的YLF激光器等。在层间绝缘膜被破坏也没关系的情况下，可使用任何种类的激光器。
图3示出包含多个二极管的元件的阈值电压根据二极管数量的增加的改变。
图3的横轴指示电压V且纵轴指示电流I。
此外，附图标记m、m+l、m+2、m+3以及m+4(m是自然数)各自指示二极管的数量。
此外，附图标记Vm、Vm+1、Vm+2、Vm+3以及Vm+4指示分别包括多个二极管的元件的在二极管的数量为m、m+l、m+2、m+3以及m+4时的各自的阈值电压。
从图3发现包括多个二极管的元件的阈值电压随着二极管数量增大而增大。
以该方式，切割布线来由此使次级二极管工作，以使包括多个二极管的元件的阈值电压可被调节。
此外，在初级二极管损坏而造成漏电流的情况下，包含多个二极管的元件可通过使次级二极管工作来修复。
尤其，因为薄膜晶体管中的栅极绝缘膜往往甚至被低电压破坏，所以在二极管使用薄膜晶体管的情况下修复处理具有重要性。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例2 在本实施例中，将描述分别对应于图1A-1D、2A_2D和图3的元件的俯视图和仰视图，该元件中各自使用η沟道薄膜晶体管的二极管串联连接。
图4、6、7和9是俯视图，且图5和8是仰视图。
虽然图4-9中示出的任何薄膜晶体管是顶栅型晶体管，但可替代地使用底栅型晶体管。
可使用除薄膜晶体管之外的任何可接受的开关元件。
图4-9所示的元件分别包括半导体层350a_350h、栅电极550a_550h、以及布线 850a-850ho 此外，图6和9中所示的虚线部分21- 对应于图1A-1D、2A_2D和图3所示的其各自的虚线部分21-24。
包括半导体层350a_350d、栅电极550a_550d、以及布线850a_850d的部分对应于图1A-1D、2A-2D和图3中的初级二极管部分。
包括半导体层350e_350h、栅电极550e_550h、以及布线850e的部分对应于图 1A-1D、2A-2D和图3中的次级二极管部分。
栅电极设置成隔着栅极绝缘膜与半导体层交叠。
此外，半导体层中的源区和漏区分别通过在层间绝缘膜中形成的接触孔电连接至布线。
此外，栅电极电连接至布线。
在此，图4-6所示的元件形成为初级二极管和次级二极管各自的沟道宽度(各沟道宽度为在垂直于电流流向的方向上的宽度)彼此相等。
在此，图7-9所示的元件形成为初级二极管和次级二极管各自的沟道宽度(各沟道宽度为在垂直于电流流向的方向上的宽度)彼此不同。
具体而言，图7-9所示的元件形成为使次级二极管的沟道宽度8002小于初级二极管的沟道宽度8001。
通过形成如图7-9所示的元件以使次级二极管的沟道宽度8002小于初级二极管的沟道宽度8001，可减小次级二极管面积，其有助于半导体器件的精密化。
此外，次级二极管的沟道宽度减小降低流入次级二极管的电流量，从而通过切割布线并使次级二极管工作来校正的阈值电压或电流值的量变小。
阈值电压或电流值的小量校正允许相对于阈值电压进行精细的电压调节。
虽然在本实施例中使用η沟道薄膜晶体管，但在不限于该种晶体管的情况下，通过将图7-9所示的元件设计成次级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度比初级二极管的小，可获得与本实施例的效果相同或基本相同的效果。
即，次级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于初级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度，由此有助于半导体器件的精密化并精细地调节阈值电压或电流值。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例3 在本实施例中，将描述半导体器件的制造方法的一示例。
首先，在衬底100上形成基绝缘膜200，并在基绝缘膜200上形成岛状半导体层 301-305(图 10)。
岛状半导体层301是在η沟道薄膜晶体管中使用的半导体层。
岛状半导体层302是在ρ沟道薄膜晶体管中使用的半导体层。
岛状半导体层303是在电容器中使用的半导体层。
岛状半导体层304是在PIN 二极管中使用的半导体层。
岛状半导体层305是在电阻器中使用的半导体层。
虽然在本实施例中作为一示例描述同时制造5种元件的方法，可制造5种元件中的一种或部分(例如，仅制造η沟道薄膜晶体管、ρ沟道薄膜晶体管、以及电容器)。
在从衬底100的背面侧进行激光切割的情况下，用眼睛识别激光切割部分并发射激光是必要的，且因此优选使用透光衬底作为衬底100。
在从衬底100的正面侧进行激光切割的情况下，衬底100不必具有对于可见光的透光性。
作为透光衬底，可使用玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底等。
作为不具有透光性的衬底，可使用金属衬底等。
作为基绝缘膜200，可使用氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜寸。
基绝缘膜200可以是单层或者是叠层。
基绝缘膜200可通过CVD法、溅射法等形成。
优选基绝缘膜200的厚度为IOnm至500nm。
可省略基绝缘膜200的形成。
与衬底100的材料类似，在从衬底100的背面侧进行激光切割的情况下，用眼睛识别激光切割部分并发射激光是必要的，且因此优选使用透光绝缘膜作为基绝缘膜200。
注意，透光绝缘膜的示例有氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜等。
作为各岛状半导体层301-305的材料，可使用硅、硅锗、氧化半导体、有机半导体寸。
非晶、微晶、多晶、单晶等的结晶状态可用于岛状半导体层301-305。
岛状半导体层301-305各自可通过CVD法、溅射法、气相沉积法等形成。
优选各岛状半导体层301-305的厚度为IOnm至lOOOnm。
在切割布线或栅极布线时，可能切割与切割部分交叠的一部分岛状半导体层 301-305，从而造成元件破坏。
因此，优选各岛状半导体层301-305设置成不与切割部分交叠。
接下来，在岛状半导体层301-305上形成栅极绝缘膜400，在栅极绝缘膜400上形成掩模111、112和114，且用掩模111、112和114向岛状半导体层303和305添加赋予导电类型的含杂质元素的杂质(图11)。
在添加杂质后，移除掩模111、112和114。
注意，掩模111形成为与岛状半导体层301交叠。
掩模112形成为与岛状半导体层302交叠。
掩模114形成为与岛状半导体层304交叠。
作为栅极绝缘膜400，可使用氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜等。
栅极绝缘膜400可以是单层或者是叠层。
栅极绝缘膜400可通过CVD法、溅射法等形成。
优选栅极绝缘膜400的厚度为IOnm至200nm。
与衬底100的材料类似，在从衬底100的背面侧进行激光切割的情况下，用眼睛识别激光切割部分并发射激光是必要的，且因此优选使用透光绝缘膜作为栅极绝缘膜400。
注意，透光绝缘膜的示例有氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜等。
作为掩模111、112和114，可使用诸如光刻胶的有机材料。
除使用光刻胶的方法外，可使用通过喷墨法施加诸如聚酰亚胺或丙烯酸的有机材料来形成掩模的方法等。
作为向半导体赋予导电类型的杂质元素有给体元素(N型)和受体元素(P型)。
作为给体元素(N型)的示例有磷、砷等。
作为受体元素(P型)的示例有硼等。
在利用进行质量分离的离子注入法来进行添加的情况下，给体元素或受体元素可单独地来添加。
在利用热扩散进行添加的情况下，在没有进行质量分离的离子掺杂方法或类似方法中，可使用磷化氢(磷)、乙硼烷(硼)等。
注意，岛状半导体层303是电容器的一部分，岛状半导体层304是电阻器的一部分，因此添加的元素可以是给体元素(N型)或受体元素(P型)。
至于电阻值调节而言，给体元素的电阻值调节比受体元素的电阻值调节相对容易，因此优选添加给体元素。
接下来，在栅极绝缘膜400上形成栅电极501-503以及栅极布线(图12)。
注意，栅电极501形成为与岛状半导体层301交叠。
栅电极502形成为与岛状半导体层302交叠。
栅电极503形成为与岛状半导体层303交叠。
作为各栅电极501-503和栅极布线的材料，可使用钨、钼、铝、钛、硅等。
栅电极501-503和栅极布线各自可以是单层或叠层。
栅电极501-503和栅极布线可各自通过CVD法、溅射法等形成。
优选栅电极501-503和栅极布线各自的厚度为IOOnm至lOOOnm。
在切割布线时，可能切割与切割部分交叠的一部分的栅电极501-503或栅极布线，从而造成短路。
因此，优选各栅电极501-503和栅极布线设置成不与切割部分交叠。
但是，切割布线的情况下，布线设置成与切割部分交叠。
接下来，形成掩模122-125，并且通过利用掩模122-125和作为掩模的栅电极501 向岛状半导体层301中的区域301a和301b添加给体元素(N型)(图13)。
在添加给体元素(N型)后，移除掩模122-125。
作为掩模和给体元素(N型)，可使用以上所述的掩模和给体元素(N型)。
注意，掩模122形成为与岛状半导体层302交叠。
掩模123形成为与岛状半导体层303交叠。
掩模124形成为与岛状半导体层304交叠。
掩模125形成为与岛状半导体层305交叠。
区域301a和301b位于半导体层301中以不与栅电极501交叠。
接下来，形成掩模131、133、134和135，且通过利用掩模131、133、134和135以及作为掩模的栅电极502向区域3(^a、302b和30 添加受体元素(P型)(图14)。
在添加受体元素(P型)后，移除掩模131、133、134和135。
作为掩模和受体元素(P型)，可使用以上所述的掩模和受体元素(P型)。
注意，掩模131形成为与岛状半导体层301交叠。
掩模133形成为与岛状半导体层303交叠。
掩模134形成为与岛状半导体层304交叠。
掩模135形成为与岛状半导体层305交叠。
区域30 和302b位于岛状半导体层302中以不与栅电极502交叠，且用作ρ沟道薄膜晶体管的源区和漏区。
区域30 被布置成形成PIN 二极管的ρ型杂质区。
接下来，设置用于形成侧壁的绝缘膜以覆盖栅电极501-503以及栅极布线，且对用于形成侧壁的绝缘膜进行内蚀刻以在栅电极501-503的各侧面壁上形成侧壁(图15)。
侧壁601a和601b在栅电极501的侧面壁上形成。
侧壁60 和602b在栅电极502的侧面壁上形成。
侧壁603a和60 在栅电极503的侧面壁上形成。
此外，除与栅电极、栅极布线和侧壁交叠的位置以外，移除栅极绝缘膜400，从而形成栅极绝缘膜401-403。
注意，栅极绝缘膜401形成为与岛状半导体层301交叠。
栅极绝缘膜402形成为与岛状半导体层302交叠。
栅极绝缘膜403形成为与岛状半导体层303交叠。
可使用不移除栅极绝缘膜400的条件进行对用于形成侧壁的绝缘膜的内蚀刻。
作为用于形成侧壁的绝缘膜，可使用氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜等。
用于形成侧壁的绝缘膜可以是单层或者是叠层。
用于形成侧壁的绝缘膜可通过CVD法、溅射法等形成。
用于形成侧壁的绝缘膜的厚度设定为大于各栅电极的高度。
接下来，形成掩模142、144和145，且通过利用掩模142、144和145以及作为掩模的栅电极501、侧壁601a和601b、栅电极503、以及侧壁603a和603b向区域301e、301f、 304b、303a以及30 添加给体元素(N型)(图16)。
在添加给体元素(N型)后，移除掩模142、144和145。
作为掩模和给体元素(N型)，可使用以上所述的掩模和给体元素(N型)。
注意，掩模142形成为与岛状半导体层302交叠。
掩模144形成为与岛状半导体层304交叠。
掩模145形成为与岛状半导体层305交叠。
区域301c和301d布置成形成η沟道薄膜晶体管的LDD区。
区域301e和301f布置成形成η沟道薄膜晶体管的源区和漏区。
区域303a和303b布置成形成电容器的接触区。
区域304b布置成形成PIN 二极管的η型杂质区。
接下来，形成覆盖岛状半导体层、栅电极以及侧壁的层间绝缘膜701，在该层间绝缘膜701中形成接触孔，且在该层间绝缘膜701上形成布线801a-801c、8(^a-802c、803a和 803b,804a 和 804b、以及 805a 和 805b (图 17 禾口 18)。
图18是与图10-17的位置不同的位置处的截面图。
注意，布线801a通过接触孔电连接至岛状半导体层301中的源区和漏区中的一个。
布线801b通过接触孔电连接至岛状半导体层301中的源区和漏区中的另一个。
布线801c通过接触孔电连接至栅电极501。
布线80 通过接触孔电连接至岛状半导体层302中的源区和漏区中的一个。
布线802b通过接触孔电连接至岛状半导体层302中的源区和漏区中的另一个。
布线802c通过接触孔电连接至栅电极502。
布线803a通过接触孔电连接至岛状半导体层中的接触区。
布线803a设置成使岛状半导体层中的接触区相互连接，以使包括岛状半导体层 303的元件不作为晶体管而作为电容器工作。
布线80 通过接触孔电连接至栅电极503。
布线80 通过接触孔电连接至岛状半导体层304中的ρ型杂质区。
布线804b通过接触孔电连接至岛状半导体层304中的η型杂质区。
布线80 和80 通过接触孔电连接至岛状半导体层305。
在此，包括岛状半导体层301的元件为η沟道薄膜晶体管。
包括岛状半导体层302的元件为ρ沟道薄膜晶体管。
包括岛状半导体层303的元件为电容器。
包括岛状半导体层304的元件为PIN 二极管。
包括岛状半导体层305的元件为电阻器。
作为层间绝缘膜701，可使用氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜等。
层间绝缘膜701可以是单层或者是叠层。
层间绝缘膜701可通过CVD法、溅射法等形成。
优选层间绝缘膜701的厚度为200nm至5 μ m。
与衬底100的材料类似，在从衬底100的背面侧进行激光切割的情况下，用眼睛识别激光切割部分并发射激光是必要的，且因此优选使用透光绝缘膜作为层间绝缘膜701。
注意，透光绝缘膜的示例有氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜、聚酰亚胺、丙烯酸、硅氧烷聚合物等。
可使用诸如铝、钛、钼、钨、金、银或铜的金属、或诸如ITO(铟锡氧化物)的透明导体来形成布线。
各布线可以是单层或叠层。
各布线可通过CVD法、溅射法等形成。
优选各布线厚度为IOOnm至5000nm。
注意，用于形成层间绝缘膜的材料、用于密封的材料或类似物可由波长为355nm 的YAG激光器切割，但是不能由波长为1064nm的YAG激光器、波长为532nm的YAG激光器、 波长为1047nm的YLF激光器等来切割。
因此，为了有选择地仅切割布线而不破坏层间绝缘膜，优选使用波长为1064nm的 YAG激光器、波长为532nm的YAG激光器、波长为1047nm的YLF激光器等。在层间绝缘膜被破坏也没关系的情况下，可使用任何种类的激光器。
此外，在从布线的顶面侧进行激光照射的情况下，不在布线上设置与布线交叠的任何遮光膜是重要的。
与此相反，在从布线的底面侧进行激光照射的情况下，不在布线下设置与布线交叠的任何遮光膜是重要的。
即，没有任何遮光膜设置在激光照射路径上是重要的。
具体而言，栅极材料、天线材料等的反光导电膜(金属膜)可设置成不与布线交叠，且透光绝缘膜可用作绝缘膜。
没有任何遮光膜设置在激光照射路径上的结构使激光切割部分的可见性可得到确保以实现精确对准并选择性地仅在布线上进行激光切割。
接下来，在形成于层间绝缘膜701上的布线800a和800b上形成层间绝缘膜702， 在层间绝缘膜702中形成接触孔，并在层间绝缘膜702上形成天线900(图19)。
注意，布线800a 和 800b 与布线 801a-801c、802a_802c、803a 和 803b、804a和 804b、 805a和805b同时形成。
图19是与图10-17和图18的位置不同的位置处的截面图。
注意，天线900的一端子通过接触孔电连接至布线800a。
天线900的另一端子通过接触孔电连接至布线800b。
可使用与层间绝缘膜701的材料类似的材料形成层间绝缘膜702。
可使用铝、钛、钼、金、银、铜等形成天线900。
天线900可以是单层或叠层。
天线900可通过CVD法、溅射法等形成。
优选天线900的厚度为1 μ m至10 μ m。
之后，在天线上形成保护膜并进行密封和/或类似操作，从而完成经由天线进行无线通信的半导体器件。
虽然在本实施例中将经由天线进行无线通信的半导体器件作为示例描述，但通过使用与本实施例类似的方法可制造其它半导体器件(例如，显示装置和CPU)。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例4 将在本实施例中描述天线顶面形状的示例。
图20A-20C是图19中所示的天线900以及布线800a和800b的俯视图。
图20A所示的天线900包括线性形状部分。
包括线性形状部分的天线(易于对其应用接收无线电波的系统)适于以高频波 (例如，在UHF下)通信。
图20B所示的天线900包括螺旋形状部分。
包括螺旋形状部分的天线(易于对其应用接收磁波的系统)适于以低频波(例如，在HF下)通信。
图20B所示的螺旋为矩形，且具有多个数量的卷。
图20C所示的天线900具有曲线形状，其中卷的数量为1。
注意，与图20C所示的天线900类似，图20B的螺旋可具有曲线形状且卷的数量可以是1。
本实施例中所描述的天线形状是示例。
任何天线形状都具有缺点和优点，且因此可适当地确定天线形状。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例5 将在本实施例中描述天线电感的调节。
在该情况下，天线900a和天线900b串联连接，且天线900b并联连接至由虚线部分8003指示的布线(图21A)。
举例而言，可采用其中如图21所示地螺旋形状天线串联连接且作为第二端子的布线800c在由虚线部分8003指示的部分处短路的方法。
作为第一端子的布线800a电连接至天线900a。
这里重要的是虚线部分8003的长度应当短于螺旋形状天线900b的长度。
因为虚线部分8003的长度短于螺旋形状天线900b的长度，所以天线900b的电阻可视为极高，从而电流优先流入虚线部分8003。
具体而言，当螺旋形状天线900b的长度至少为虚线部分8003长度的100倍时，天线900b的电阻可视为极高。
之后，虚线部分8003被切割以使天线900b工作，由此增大天线长度，从而可增大天线电感。
此外，图22A和22B示出另一示例。
在图22A中，并联连接至虚线部分8004a、8004b和80(Mc的各天线是次级天线。
具体而言，在图22B所示的形状中，可通过切割虚线部分8004a、8004b和80(Mc来增大天线长度。
图22B所示的形状示出小环群8006连接至大环8005的一条边的结构。
在图22B中小环群针对矩形环的一条边设置，但是在曲线环的情况下，小环群可针对包括在曲线环中的一条线设置。
即，可设置连接至大环的小环群，且大环的一部分被切割以打开小环群中的小环。
通过打开小环来调节电感。
在本实施例中描述作为天线的用途应用。
另一方面，天线是线圈的一种模式。
因此，在本说明书中的本实施例和其它实施例描述的各天线的形状可应用于线圈的任何模式。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例6 将在本实施例中描述柔性半导体器件的制造方法示例，该柔性半导体器件为实施例3(图10-19)的变形示例。
在所示视图中，在天线900形成后在天线上形成保护膜703(图23)。
该保护膜703可按照与层间绝缘膜701和702的方式类似的方式来形成。
图23和图10-19的不同点在于，在衬底100和基绝缘膜200之间形成分离层150。
作为分离层150，可使用在金属膜上层叠绝缘膜的结构、单层半导体膜、单层金属膜等。
在金属膜上层叠绝缘膜的结构中，可使用钨膜、钼膜、钛膜、钽膜等作为金属膜。
金属膜可通过CVD法、溅射法等形成。
优选金属膜的厚度为IOOnm至1 OOOnm。
然后，在形成金属膜后，用含氧的氩气溅射硅靶，由此形成由氧化硅形成的绝缘膜。
此时，金属膜表面被氧氧化，其允许在稍后的分离步骤通过机械力来分离。
替代地，硅靶可用含氮的氩气溅射，由此对金属膜表面进行氮化，并形成由氮化硅膜形成的绝缘膜。
此外，在形成绝缘膜之前，可对金属膜表面进行氧等离子体处理或氮等离子体处理以形成分离层。
在使用利用硅形成的分离层的情况下，在稍后的分离步骤中可通过蚀刻硅来进行分离，蚀刻硅通过使用卤素氟化物(例如，氯氟(ClF)、三氟化氯(ClF3)、溴氟(BrF)、三氟化溴(BrF3)、碘氟(IF)、或三氟化碘(IF3))来进行。
卤素氟化物具有蚀刻硅、金属(例如，铝)等的作用。
因此，作为分离层可使用金属(例如，铝)替代硅，且卤素氟化物可用作分离层的蚀刻材料。
接下来，通过热压缩使密封材料接合在保护膜703上，在该密封材料中毡状体浸渍有机树脂314(图M)。
作为有机树脂314，可使用热硬化性树脂、热塑性树脂等。
作为热硬化性树脂的示例有环氧树脂、不饱和聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、氰酸盐树脂等。
作为热塑性树脂的示例有聚苯醚树脂、聚醚酰亚胺树脂、氟树脂等。
允许热压缩接合的热硬化性树脂或热塑性树脂具有优点，因为制造工艺被简化。
毡状体313是机织织物或非机织织物。
机织织物是通过机织多纤维制成的布。
非机织织物不是通过机织多纤维制成的布，但是例如通过熔化、接合或缠绕纤维来制成。
作为纤维，可使用的材料如下聚乙烯醇纤维、聚酯纤维、聚酰胺纤维、聚乙烯纤维、芳族聚酸胺纤维、聚对亚苯基苯并二噁唑(polyparaphenylene benzobisoxazole)纤维、碳纤维等。
作为玻璃纤维示例，有使用E玻璃的玻璃纤维、使用S玻璃的玻璃纤维、使用D玻璃的玻璃纤维、使用Q玻璃的玻璃纤维等。
注意，可通过仅使用多个纤维材料中的一种材料或使用其中的多种材料来形成毡状体。
作为密封材料，还可使用诸如环氧树脂或芳族聚酸胺树脂的绝缘体。
浸渍有机树脂的绝缘体还称作聚酯胶片。
典型地如下地形成聚酯胶片毡状体浸渍有清漆，其中基质树脂用有机溶剂稀释， 然后进行干燥，以使有机溶剂挥发并使基质树脂半固化。
因为可保护电路对抗压力和应力，所以优选使用聚酯胶片密封。
接下来，在密封材料的热压缩接合之后，施加机械力(例如，通过拉或推)，由此执行分离衬底100的分离步骤(图25)。
在该情况下，因为分离层的金属膜表面被氧化或被氮化，金属膜和绝缘膜之间的粘合力弱。
从而通过施加机械力来选择性地分离衬底100。
在选择性地分离衬底100时，从侧面注入水分。
在注入水分时，水分进入分离界面，其通过水分导致电路侧和衬底侧之间的电连接。
分离时产生静电；但是，通过水分获得的电连接较大地倾向于防止分离时的静电破坏问题。
注意，为了改善水分的导电性，可使用诸如盐水或碳酸水的水溶液。因为盐对电路有不利影响，优选碳酸水。
在形成单层膜来替代叠层结构的情况下，作为分离层的由硅形成的分离层被卤素氟化物蚀刻，由此选择性地分离衬底100。
通过使用分离层以该方式选择性地分离至少衬底100的步骤称作分离步骤。
通过分离步骤选择性的分离衬底后的电路在本说明书中称作分离电路。
衬底被分离以使仅留下如皮肤般薄的电路，因此电路还可称作剥离电路。
注意，可通过诸如衬底被蚀刻剂移除的用于制造剥离电路的方法、对柔性衬底设置短路的用于制造剥离电路的方法等另一方法来形成剥离电路。
因为剥离电路非常薄，所以其非常不耐受来自外部的牵引、压力等。
与此相反，具有毡状体的绝缘体(毡状体浸渍有机树脂)耐牵引，且可分散来自外部的压力。
因此，通过将包括薄膜晶体管的剥离电路夹在绝缘体之间，该绝缘体中毡状体浸渍有机树脂，可保护该剥离电路对抗来自外部的牵引和压力。
因此，通过热压使密封材料接合在基绝缘膜200的底表面上，在该密封材料中毡状体315浸渍有机树脂316 (图沈)。
毡状体315可按照与毡状体313的方式类似的方式形成。
有机树脂316可按照与有机树脂314的方式类似的方式形成。
注意，虽然聚酯胶片被用作密封材料，也可使用诸如环氧树脂或芳族聚酸胺树脂的不包括毡状体的绝缘体。
但是在使用剥离电路的情况下优选使用聚酯胶片，因为可使用具有对来自外部的牵引和压力的耐受性的柔性半导体器件。
剥离电路非常易碎，且因此优选使用激光切割作为切割方法。
剪刀、切割器、针等除了切割布线还切割其它元件。
此外，使用剪刀、切割器、针等切割提供易碎剥离电路归因于应力或重压被破坏的高可能性。
为了甚至在密封后进行激光切割，优选密封材料为透光材料。
可用作密封材料的聚酯胶片、芳族聚酸胺树脂等具有透光性。
对于环氧树脂而言，可从市场上购买透光环氧树脂和不透光环氧树脂，且因此，优选使用透光环氧树脂。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例7 将在本实施例中描述经由天线进行无线通信的半导体器件的示例。
根据本实施例的半导体器件包括天线1001、谐振电容器1002、限幅电路1003、 开关1004、解调电路1005、调制电路1006、整流电路1007、电压检测电路1008、恒压电路 1009、以及逻辑电路1010 (图27)。
附图标记Vdd表示固定电源电位或高电源电位。
附图标记Vss表示低电源电位或GND (接地电压，0V)。
只要Vdd的电位相对高于Vss的电位，则对于Vdd和Vss各自的电压电平没有限制。
作为通过其发射和接收电磁波的天线1001，可使用本说明书的另一实施例中所描述的任何天线。
尤其，优选使用可调节电感的天线。
注意，天线1001的一端子电连接至谐振电容器1002、限幅电路1003、开关1004、解调电路1005、调制电路1006以及整流电路1007。
天线1001的另一端子电连接至Vss。
谐振电容器1002设置成调节接收和/或发射的电磁波的谐振频率。
电容器可用作谐振电容器1002。
可使用任何电容器；例如，可使用在实施例3中描述的电容器。
谐振电容器1002的一端子电连接至限幅电路1003、开关1004、解调电路1005、调制电路1006以及整流电路1007。
谐振电容器1002的另一端子电连接至Vss。
限幅电路1003设置成可防止解调电路1005、调制电路1006、整流电路1007等被在其中流动的过电流破坏。
因此，限幅电路1003的一端子可设置成电连接在天线1001的一端子与解调电路 1005、调制电路1006以及整流电路1007的各输入端子之间。
限幅电路1003的另一端子电连接至Vss以使过电流流向Vss。
作为限幅电路1003，例如，可使用串联连接的二极管。
作为二极管，优选使用具有针对过电流的高破坏强度的PIN 二极管、PN 二极管等。
此外，作为限幅电路1003，优选使用利用二极管形成的可调节阈值电压的元件。
如果限幅电路1003的阈值电压低于设计时采取的值，则不仅是过电流，连正常电流也被检测为过电流而流向Vss。
如果正常电流流向Vss，则其它电路操作会停止。
因此，当阈值电压低于设计时采取的值时，需要增大阈值电压的调节。
开关1004被设置成使得通过根据来自电压检测电路1008的信号将发射自天线的信号提供至Vss来保护其它电路。
因此，开关1004的源极和漏极中的一个设置成电连接在天线1001的一端子与解调电路1005、调制电路1006以及整流电路1007的各输入端子之间。
开关1004的源极和漏极中的另一个电连接至Vss。
此外，开关1004的栅极电连接至电压检测电路1008中的晶体管和电阻器之间的连接部分。
作为开关1004，可使用晶体管。
注意，虽然在图27中将η沟道晶体管用作开关1004，还可使用ρ沟道晶体管。
解调电路1005是进行解调的电路。
调制电路1006是进行调制的电路。
整流电路1007是对发射自天线的信号进行整流的电路。
整流电路1007中的二极管的输入端子电连接至天线的一端子。
整流电路1007中的二极管的输出端子输出Vdc且经由电容器电连接至Vss。
通过在整流电路1007中使用含二极管的可调节阈值电压的元件，可增大整流电路的输出的阈值电压。
通过增大整流电路1007的输出的阈值电压，可防止过电流流过。
但是，当整流电路1007的输出的阈值电压增大时，半导体器件的通信距离减小。
因此，调节包括在电压检测电路1008中的二极管的阈值电压以防止过电流流过是更有利的。
相应地，优选在整流电路1007中不使用含二极管的可调节阈值电压的元件，而在电压检测电路1008中使用含二极管的可调节阈值电压的元件。
电压检测电路1008包括第一电阻器、第二电阻器、ρ沟道晶体管、以及包括二极管的元件。
整流电路1007的输出Vdc电连接至第一电阻器的一端子、以及ρ沟道晶体管的源极和漏极中的一个。
第一电阻器的另一端子电连接至ρ沟道晶体管的栅极以及包括二极管的元件的输入端子。
ρ沟道晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至第二电阻器的一端子以及开关 1004的栅极。
包括二极管的元件的输出端子和第二电阻器的另一端子电连接至Vss。
在该结构中，通过第一电阻器向包括二极管的元件的输入端子施加减小至低于 Vdc的电压。
然后，在减小至低于Vdc的电压比包括二极管的元件的阈值电压低的情况下，没有电流流过包括二极管的元件。
当没有电流流过包括二极管的元件时，ρ沟道晶体管不导通。
另一方面，在减小至低于Vdc的电压比包括二极管的元件的阈值电压高的情况下，电流流过包括二极管的元件。
当电流流过包括二极管的元件时，ρ沟道晶体管导通。
当ρ沟道晶体管导通时，开关1004导通，从而导致来自天线的信号在信号输入至整流电路之前流向Vss。
S卩，开关1004和电压检测电路1008被包括在与限幅电路1003不同的限幅电路中。
第一电阻器被设置成使得在ρ沟道晶体管的栅极和P沟道晶体管的源极和漏极中的一个的电位之间提供差值。
19 第二电阻器被设置成向开关1004的栅极施加电压。
在本实施例中，作为包括二极管的元件，使用如图IB所示的其中二极管接法的η 沟道晶体管串联连接的元件。
电压检测电路1008用于检测整流电路的输出电压；因此施加到电压检测电路的电压低于输入到限幅电路1003的电压。
此外，由整流电路1007整流后的电流通过恒定电压电路1009流入逻辑电路；且因此，优选整流电路是精确控制的。
因此，在电压检测电路1008中优选使用利用晶体管形成的通过设计易于控制其阈值电压的二极管，而非PIN 二极管、PN 二极管等。
S卩，优选直接从天线流出的大电流被在限幅电路1003中使用的PIN 二极管限制， 且从整流电路的流出的小电流被使用晶体管形成的在电压检测电路中使用的二极管精确控制。
注意，以上描述不限制PIN 二极管、PIN 二极管等的应用，因此，PIN 二极管、PN 二极管等也可应用于电压检测电路1008。
恒定电压电路1009被设置成将Vdc转换成预定电压用于向逻辑电路供给。
逻辑电路1010被设置成响应于来自解调电路的信号供给信号。
以该方式，非常优选将本发明应用于经由天线进行无线通信的半导体器件。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例8 在以上所述的其它实施例中，描述包括串联连接的初级二极管群的单元和包括串联连接的次级二极管群的单元串联连接的结构示例。
此外，在由布线短路的次级二极管和未由布线短路的初级二极管串联连接时，可调节阈值电压。
举例而言，可交替地排列由布线短路的次级二极管和未由布线短路的初级二极管 (图 28Α)。
替代地，可随机地排列由布线短路的次级二极管和未由布线短路的各初级二极管 (图 28Β)。
替代地，可仅串联连接由布线短路的各二极管(图^C)。
此外，可连接一个初级二极管和多个次级二极管(图^A)。
替代地，可连接多个初级二极管和一个次级二极管(图^B)。
替代地，可连接一个初级二极管和一个次级二极管(图^C)。
另外，在向天线应用元件特性值可被调节的技术思想的情况下，可应用与二极管排列类似的排列。
本发明不限于在本实施例中描述的结构。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例9 经由天线进行无线通信的半导体器件(RFID标签、无线标签、IC芯片、无线芯片、 无接触信号处理装置、半导体集成电路芯片等)可具有诸如附连到产品或有生命的物体 (诸如，人、动物、以及植物)表面、嵌入至产品或有生命的物体(诸如，人、动物、以及植物)等应用方式。
经由天线进行无线通信的半导体器件能够在没有接触的情况下管理信息。
由于无线特性，本发明导致可在任何时候任何地方无意识地使用信息和通信技术。
本发明还可应用于除经由天线进行无线通信的半导体器件之外的半导体器件中。
经由天线进行无线通信的半导体器件之外的半导体器件的示例有诸如显示装置、 光IC和CPU的各种装置。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
本申请基于2008年10月16日向日本专利局提交的日本专利申请S/ N. 2008-267427，该申请的全部内容通过引用结合于此。
权利要求
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤形成一元件，在所述元件中串联连接的二极管群的一部分并联连接至布线；以及切割所述布线以调节所述元件的阈值电压。
2.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤形成包括多个第一二极管的第一二极管群和包括多个二极管的第二二极管群，所述多个第一二极管串联连接且所述多个第二二极管串联连接，其中所述多个第二二极管的各二极管并联连接至多个布线的相应布线；以及切割所述多个布线的至少一个以调节元件的阈值电压，其中，所述第二二极管群中所包括的二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于所述第一二极管群中所包括的二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度。
3.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述二极管和布线均使用薄膜形成，且其中，所述切割通过激光切割进行。
4.如权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述切割通过激光切割进行。
5.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤形成一元件，所述元件中串联连接的天线群的一部分并联连接至布线；以及切割所述布线以调节所述元件的电感。
6.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤形成一天线，所述天线包括大环和连接至所述大环的小环群，以及切割所述大环以调节所述天线的电感。
7.一种包括一元件的半导体器件，所述元件中串联连接的二极管群的一部分并联连接至布线。
8.一种包括一元件的半导体器件，所述元件中第一二极管群包括多个第一二极管且第二二极管群包括多个第二二极管，所述多个第一二极管串联连接且所述多个第二二极管串联连接，其中，所述多个第二二极管各自并联连接至布线，以及其中，所述第二二极管群中所包括的二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于所述第一二极管群中所包括的二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度。
9.一种包括一元件的半导体器件，所述元件中串联连接的天线群的一部分并联连接至布线。
10.一种包括一天线的半导体器件，所述天线包括大环和连接至所述大环的小环群。
全文摘要
一结构能够在元件形成之后改变元件的特性值，以便防止制造成本增加和产品交货延迟。多个二极管串联连接。然后，通过布线使多个二极管的一部分短路。具体而言，二极管和布线并联连接，由此电流优先流入布线中，使得二极管可被认为是不存在的。然后，在一部分布线处切割布线，由此使在切割前并联连接至布线的二极管工作。
文档编号G06K19/077GK102187454SQ200980141548
公开日2011年9月14日 申请日期2009年9月18日 优先权日2008年10月16日
发明者田所麻美, 藤田雅史 申请人:株式会社半导体能源研究所
技术领域：
本发明的技术领域涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、电路、电路的制造方法、二极管、二极管的制造方法、天线、天线的制造方法等。
背景技术：
为了实现普遍存在的计算，经由天线执行无线通信的半导体器件(还称作RFID标签、无线标签、IC芯片、无线芯片、非接触信号处理设备、或半导体集成电路芯片)的开发有了进展(例如，专利文献1)。
(专利文献1) 日本已公开专利申请No. 2007-5778
发明内容
一般而言，在半导体器件中使用的元件的特性值在元件形成之后不能被改变，元件特性值主要由设计中所确定的参数来决定。
但是，在已制造的半导体器件中，有些情况下电路不按照设计中所确定的参数来工作。
在该情况下，有必要改变其设计并再次制造半导体器件，从而导致制造成本增加并延迟产品交货。
本文所描述的本发明的目的在于提供能够在元件形成之后改变元件特性值的结构，以便于防止制造成本增加和产品交货延迟。
作为本说明书中描述的具有能够被改变的特性值的元件，有以下两种元件使用二极管的元件和使用天线的元件。
为了解决以上所述问题，根据本发明，多个二极管串联连接。
然后，通过布线使多个二极管的一部分短路。具体而言，二极管和布线并联连接。
多个二极管的短路连接使通过布线短路的二极管不运行。
二极管和布线并联连接，由此电流优先流入布线中，使得二极管可被认为是不存在的。
然后，如果使用多个二极管的元件的阈值电压或电流值不是预定值，在一部分布线处切割布线，由此使在切割前并联连接至布线的二极管运行，使得使用多个二极管的元件的阈值电压或电流值可被调节。
作为使用多个二极管的元件的阈值电压或电流值不是预定值的情形的示例，有以下情形未通过布线短路的二极管中出现漏电流的情形；未通过布线短路的每个和个别二极管的阈值电压或电流值不是在设计时所采取的阈值电压或电流值的情形；以及类似情形。
当未通过布线短路的二极管称作初级二极管，通过布线短路的二极管称作次级二极管，初级二极管称作第一单元，且包括布线和次级二极管的结构称作第二单元时，多个第一单元和多个第二单元串联连接。
在本说明书中，形容词“多个”与名称“群”同义。(例如，“多个二极管”与“二极管群”同义，且“多个小环”与“小环群”同义。) 替代地，可替代布线设置开关元件以便调节阈值电压或电流值。
但是，该情形在设计中是不利的，因为开关元件的形成和开关元件的控制器占用了用于布置另一电路的区域。
此外，在使用开关元件的方法中，使用控制器来在多个二极管的一部分短路期间保持对开关元件的栅极端子施加电压是必要的，这增大功耗。
因此，考虑到功耗和设计便利，可认为使用利用布线的结构是更优选的。
另一方面，使用开关元件的结构的优选之处在阈值电压或电流值可被调节任何次数。
即，任何方法具有一些缺点和优点，并取决于需求适当地优选使用。
作为用于切割使用布线的结构的方法示例，可应用诸如激光切割、使用剪刀切割、 使用切割器切割、使用针切割的各种方法。
但是，归因于切割时的应力，剪刀、切割器、针、或类似物的使用可造成置于要切割的布线周围的电路或层间绝缘膜的损坏。
此外，在密封后使用剪刀、切割器、针、或类似物切割时，会破坏密封。
因此，在不造成应力损坏或密封损坏的情况下执行切割时，激光切割是更优选的。
尤其，在使用薄膜的半导体器件中激光切割是优选的。
这是因为即使在布线用层间绝缘膜、密封材料、或类似物覆盖的情况下，激光切割也允许选择性地仅切割布线。
注意，用于形成层间绝缘膜的诸如聚酰亚胺的材料，用于密封的诸如聚酯胶片或环氧的材料、或类似物可由波长为355nm的YAG激光器切割，但是不能由波长为1064nm的 YAG激光器、波长为532nm的YAG激光器、波长为1047nm的YLF激光器等来切割。
因此，为了有选择地仅切割布线而不破坏层间绝缘膜和密封，优选使用波长为 1064nm的YAG激光器、波长为532nm的YAG激光器、波长为1047nm的YLF激光器等。在层间绝缘膜和/或密封被破坏也没关系的情况下，可使用任何种类的激光器。
作为二极管，可使用诸如二极管接法的晶体管、PIN 二极管、PN 二极管或肖特基二极管的任何种类的二极管。
为了在形成作为另一电路元件的晶体管、电阻器、或电容器的同时形成二极管，优选二极管接法的晶体管、PIN 二极管、PN 二极管等。
此外，优选并联连接至布线的二极管(该二极管称作次级二极管)在垂直于电流流向的方向上的宽度小于未并联连接至布线的二极管(该二极管称作初级二级管)在垂直于电流流向的方向上的宽度。
次级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度的变小减小次级二极管的面积，其有助于半导体器件的精密化。
此外，次级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度减小降低流入次级二极管的电流量，从而通过切割布线并使次级二极管工作来校正的阈值电压的量变小。
阈值电压的小量校正允许对于阈值电压或电流值进行精细的电压调节。
注意，二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度，例如在二极管包含晶体管的情形下为晶体管的沟道宽度。
此外，相关于面积减少，初级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于次级二极管垂直于电流流向的方向上的宽度是可接受的。
S卩，二极管被设计成初级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度与次级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度不同。
本发明的申请范围不仅包括二极管，还包括天线。
在天线的情况下，天线长度可增大，以使电感可增大(在其中串联连接天线的元件的情形下，上述“天线长度”描述为元件长度)。
天线长度意味着在天线内从天线输入端子到天线输出端子的最短距离。
当天线(或包含天线的元件)的电流改变时，电感是天线(或者包含天线的元件) 中产生的电动势除以电流改变速率的比。
根据以上结构，可提供能够改变特性值(阈值电压、电流值、电感等)的半导体器件。
举例而言，根据本发明，可提供如下半导体器件。
根据本发明，可提供包含一元件的半导体器件，在该元件中串联连接的二极管群并联连接至布线。
根据本发明，可提供包含一元件的半导体器件，该元件中第一二极管群和第二二极管群串联连接，其中第二二极管群中的各二极管并联连接至布线，且第二二极管群中的各二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于第一二极管群中的各二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度。
根据本发明，可提供包含一元件的半导体器件的制造方法，该元件中一部分串联连接的二极管群并联连接至布线，其中通过切割布线来调节元件的阈值或电流值。
根据本发明，可提供包含一元件的半导体器件的制造方法，该元件中第一二极管群和第二二极管群串联连接，其中第二二极管群中的各二极管并联连接至布线，且第二二极管群中的各二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于第一二极管群中的各二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度，其中可通过切割布线来调节元件的阈值电压或电流值。
此外，优选二极管和布线各自使用薄膜形成，且通过激光切割来进行切割。
根据本发明，可提供一半导体器件，其中一部分串联连接的天线群并联连接至布线。
根据本发明，可提供包含天线的半导体器件，该天线具有大环和连接至大环的小环群。
根据本发明，可提供包含一元件的半导体器件的制造方法，该元件中一部分串联连接的天线群并联连接至布线，其中通过切割布线来调节元件的电感。
根据本发明，可提供包含一天线的半导体器件的制造方法，该天线具有大环和连接至大环的小环群，其中通过切割大环来调节天线的电感。
多个元件串联连接且其中的一部分并联连接至布线，从而可提供一结构，该结构能够在形成元件后改变元件的特性值。
为了在元件形成后改变元件的特性值，通过激光切割或类似手段来切割布线。
尤其在使用薄膜的半导体器件中，优选使用激光切割，其允许甚至例如在形成层间绝缘膜后或密封后切割。
在使用二极管的情况下，次级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于初级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度，由此有助于半导体器件的精密化并精细地调节阈值电压或电流值。
以上描述的串联连接结构不仅可应用于二极管还可应用于天线或另一元件。
附图简述 图IA至ID各自示出串联连接二极管群的示例。
图2A至2D各自示出串联连接二极管群的示例。
图3是示出串联连接二极管群的特性示例的曲线图。
图4是串联连接二极管群的俯视图示例。
图5是串联连接二极管群的仰视图示例。
图6是串联连接二极管群的俯视图示例。
图7是串联连接二极管群的俯视图示例。
图8是串联连接二极管群的仰视图示例。
图9是串联连接二极管群的俯视图示例。
图10是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图11是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图12是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图13是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图14是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图15是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图16是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图17是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图18是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图19是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图20A至20C各自示出天线的示例。
图21A和21B各自示出天线的示例。
图22A和22B各自示出天线的示例。
图23是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图M是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图25是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图沈是示出半导体器件的制造方法的截面图示例。
图27示出经由天线进行无线通信的半导体器件的示例。
图28A至28C各自示出串联连接二极管群的示例。
图29A至29C各自示出串联连接二极管群的示例。
具体实施例方式 将使用附图具体描述本发明的诸实施例。
本领域普通技术人员容易理解，可对本发明的模式和细节作出各种改变，只要不背离本发明的范围和精神即可。
因此，本发明不被解释为限于以下所描述的诸实施例的描述。
在以下给出的结构中，贯穿诸附图，相同部分或具有相同功能的部分由相同附图标记来表示，且不再重复其解释。
以下实施例可适当地组合以便实施。
实施例1 在本实施例中，将使用图IA至1D、2A至2D以及图3来描述包含多个二极管的元件。
图IA至ID各自示出其中多个二极管串联连接且多个元件的一部分并联连接至布线的结构。
在图IA中示出二极管，且二极管接法的晶体管、PIN二极管、PIN二极管、肖特基二极管等可用作该二极管。
图IB示出其中η沟道晶体管连接成二极管的结构。
图IC示出其中ρ沟道晶体管连接成二极管的结构。
图ID中示出PIN 二极管。
注意，虽然在本实施例中八个二极管串联连接，但是在本发明中二极管的数量不限于八个。
在图IA至ID中，二极管11-18串联连接。
附图标记“输入(IN) ”表示包含多个二极管的元件的输入端子，且“输出(OUT) ”表示包含多个二极管的元件的输出端子。
输入端子IN电连接至二极管11的输入端子。
输出端子OUT电连接至二极管18的输出端子。
在此，二极管11-14称作初级二极管，且二极管15-18称作次级二极管。
此外，作为次级二极管的二极管15-18并联连接至其各自的被虚线部分21-M包围的布线。
次级二极管和布线并联连接，由此电流优先流入布线中，使得次级二极管不工作。
与此相反，如图2A-2D所示，切割虚线部分的布线使次级二极管工作。
举例而言，虚线部分21的布线被切割成如图2A所示，由此使二极管15工作，使得工作的二极管数量为5个。
此外，虚线部分22的布线被切割成如图2B所示，由此使除了二极管15之外二极管16也工作，使得工作的二极管数量为6个。
此外，虚线部分23的布线被切割成如图2C所示，由此使除了二极管15和16之外二极管17也工作，使得工作的二极管数量为7个。
此外，虚线部分M的布线被切割成如图2D所示，由此使除了二极管15、16和17 之外二极管18也工作，使得工作的二极管数量为8个。
虽然在图2A-2D中从左侧开始进行布线切割，切割不必以图2A-2D所示的顺序进行，因为布线的切割使得切割以前并联连接至该同一布线的次级二极管工作。
在此，作为用于切割布线的方法示例，可应用诸如激光切割、使用剪刀切割、使用切割器切割、以及使用针切割的各种方法。
但是，归因于切割时的应力，剪刀、切割器、针、或类似物的使用造成置于要切割的布线周围的电路或层间绝缘膜的损坏。
此外，在密封后使用剪刀、切割器、针、或类似物切割时，会破坏密封。
因此，在不造成应力破坏或密封破坏的情况下执行切割时，激光切割是更优选的。
尤其，在使用薄膜的半导体器件中激光切割是优选的。
这是因为即使在布线用层间绝缘膜、密封材料、或类似物覆盖的情况下，激光切割也允许选择性地仅切割布线。
注意，用于形成层间绝缘膜的诸如聚酰亚胺的材料，用于密封的诸如聚酯胶片或环氧的材料、或类似物可由波长为355nm的YAG激光器切割，但是不能由波长为1064nm的 YAG激光器、波长为532nm的YAG激光器、波长为1047nm的YLF激光器等来切割。
因此，为了有选择地仅切割布线而不破坏层间绝缘膜，优选使用波长为1064nm的 YAG激光器、波长为532nm的YAG激光器、波长为1047nm的YLF激光器等。在层间绝缘膜被破坏也没关系的情况下，可使用任何种类的激光器。
图3示出包含多个二极管的元件的阈值电压根据二极管数量的增加的改变。
图3的横轴指示电压V且纵轴指示电流I。
此外，附图标记m、m+l、m+2、m+3以及m+4(m是自然数)各自指示二极管的数量。
此外，附图标记Vm、Vm+1、Vm+2、Vm+3以及Vm+4指示分别包括多个二极管的元件的在二极管的数量为m、m+l、m+2、m+3以及m+4时的各自的阈值电压。
从图3发现包括多个二极管的元件的阈值电压随着二极管数量增大而增大。
以该方式，切割布线来由此使次级二极管工作，以使包括多个二极管的元件的阈值电压可被调节。
此外，在初级二极管损坏而造成漏电流的情况下，包含多个二极管的元件可通过使次级二极管工作来修复。
尤其，因为薄膜晶体管中的栅极绝缘膜往往甚至被低电压破坏，所以在二极管使用薄膜晶体管的情况下修复处理具有重要性。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例2 在本实施例中，将描述分别对应于图1A-1D、2A_2D和图3的元件的俯视图和仰视图，该元件中各自使用η沟道薄膜晶体管的二极管串联连接。
图4、6、7和9是俯视图，且图5和8是仰视图。
虽然图4-9中示出的任何薄膜晶体管是顶栅型晶体管，但可替代地使用底栅型晶体管。
可使用除薄膜晶体管之外的任何可接受的开关元件。
图4-9所示的元件分别包括半导体层350a_350h、栅电极550a_550h、以及布线 850a-850ho 此外，图6和9中所示的虚线部分21- 对应于图1A-1D、2A_2D和图3所示的其各自的虚线部分21-24。
包括半导体层350a_350d、栅电极550a_550d、以及布线850a_850d的部分对应于图1A-1D、2A-2D和图3中的初级二极管部分。
包括半导体层350e_350h、栅电极550e_550h、以及布线850e的部分对应于图 1A-1D、2A-2D和图3中的次级二极管部分。
栅电极设置成隔着栅极绝缘膜与半导体层交叠。
此外，半导体层中的源区和漏区分别通过在层间绝缘膜中形成的接触孔电连接至布线。
此外，栅电极电连接至布线。
在此，图4-6所示的元件形成为初级二极管和次级二极管各自的沟道宽度(各沟道宽度为在垂直于电流流向的方向上的宽度)彼此相等。
在此，图7-9所示的元件形成为初级二极管和次级二极管各自的沟道宽度(各沟道宽度为在垂直于电流流向的方向上的宽度)彼此不同。
具体而言，图7-9所示的元件形成为使次级二极管的沟道宽度8002小于初级二极管的沟道宽度8001。
通过形成如图7-9所示的元件以使次级二极管的沟道宽度8002小于初级二极管的沟道宽度8001，可减小次级二极管面积，其有助于半导体器件的精密化。
此外，次级二极管的沟道宽度减小降低流入次级二极管的电流量，从而通过切割布线并使次级二极管工作来校正的阈值电压或电流值的量变小。
阈值电压或电流值的小量校正允许相对于阈值电压进行精细的电压调节。
虽然在本实施例中使用η沟道薄膜晶体管，但在不限于该种晶体管的情况下，通过将图7-9所示的元件设计成次级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度比初级二极管的小，可获得与本实施例的效果相同或基本相同的效果。
即，次级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于初级二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度，由此有助于半导体器件的精密化并精细地调节阈值电压或电流值。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例3 在本实施例中，将描述半导体器件的制造方法的一示例。
首先，在衬底100上形成基绝缘膜200，并在基绝缘膜200上形成岛状半导体层 301-305(图 10)。
岛状半导体层301是在η沟道薄膜晶体管中使用的半导体层。
岛状半导体层302是在ρ沟道薄膜晶体管中使用的半导体层。
岛状半导体层303是在电容器中使用的半导体层。
岛状半导体层304是在PIN 二极管中使用的半导体层。
岛状半导体层305是在电阻器中使用的半导体层。
虽然在本实施例中作为一示例描述同时制造5种元件的方法，可制造5种元件中的一种或部分(例如，仅制造η沟道薄膜晶体管、ρ沟道薄膜晶体管、以及电容器)。
在从衬底100的背面侧进行激光切割的情况下，用眼睛识别激光切割部分并发射激光是必要的，且因此优选使用透光衬底作为衬底100。
在从衬底100的正面侧进行激光切割的情况下，衬底100不必具有对于可见光的透光性。
作为透光衬底，可使用玻璃衬底、石英衬底、塑料衬底等。
作为不具有透光性的衬底，可使用金属衬底等。
作为基绝缘膜200，可使用氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜寸。
基绝缘膜200可以是单层或者是叠层。
基绝缘膜200可通过CVD法、溅射法等形成。
优选基绝缘膜200的厚度为IOnm至500nm。
可省略基绝缘膜200的形成。
与衬底100的材料类似，在从衬底100的背面侧进行激光切割的情况下，用眼睛识别激光切割部分并发射激光是必要的，且因此优选使用透光绝缘膜作为基绝缘膜200。
注意，透光绝缘膜的示例有氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜等。
作为各岛状半导体层301-305的材料，可使用硅、硅锗、氧化半导体、有机半导体寸。
非晶、微晶、多晶、单晶等的结晶状态可用于岛状半导体层301-305。
岛状半导体层301-305各自可通过CVD法、溅射法、气相沉积法等形成。
优选各岛状半导体层301-305的厚度为IOnm至lOOOnm。
在切割布线或栅极布线时，可能切割与切割部分交叠的一部分岛状半导体层 301-305，从而造成元件破坏。
因此，优选各岛状半导体层301-305设置成不与切割部分交叠。
接下来，在岛状半导体层301-305上形成栅极绝缘膜400，在栅极绝缘膜400上形成掩模111、112和114，且用掩模111、112和114向岛状半导体层303和305添加赋予导电类型的含杂质元素的杂质(图11)。
在添加杂质后，移除掩模111、112和114。
注意，掩模111形成为与岛状半导体层301交叠。
掩模112形成为与岛状半导体层302交叠。
掩模114形成为与岛状半导体层304交叠。
作为栅极绝缘膜400，可使用氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜等。
栅极绝缘膜400可以是单层或者是叠层。
栅极绝缘膜400可通过CVD法、溅射法等形成。
优选栅极绝缘膜400的厚度为IOnm至200nm。
与衬底100的材料类似，在从衬底100的背面侧进行激光切割的情况下，用眼睛识别激光切割部分并发射激光是必要的，且因此优选使用透光绝缘膜作为栅极绝缘膜400。
注意，透光绝缘膜的示例有氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜等。
作为掩模111、112和114，可使用诸如光刻胶的有机材料。
除使用光刻胶的方法外，可使用通过喷墨法施加诸如聚酰亚胺或丙烯酸的有机材料来形成掩模的方法等。
作为向半导体赋予导电类型的杂质元素有给体元素(N型)和受体元素(P型)。
作为给体元素(N型)的示例有磷、砷等。
作为受体元素(P型)的示例有硼等。
在利用进行质量分离的离子注入法来进行添加的情况下，给体元素或受体元素可单独地来添加。
在利用热扩散进行添加的情况下，在没有进行质量分离的离子掺杂方法或类似方法中，可使用磷化氢(磷)、乙硼烷(硼)等。
注意，岛状半导体层303是电容器的一部分，岛状半导体层304是电阻器的一部分，因此添加的元素可以是给体元素(N型)或受体元素(P型)。
至于电阻值调节而言，给体元素的电阻值调节比受体元素的电阻值调节相对容易，因此优选添加给体元素。
接下来，在栅极绝缘膜400上形成栅电极501-503以及栅极布线(图12)。
注意，栅电极501形成为与岛状半导体层301交叠。
栅电极502形成为与岛状半导体层302交叠。
栅电极503形成为与岛状半导体层303交叠。
作为各栅电极501-503和栅极布线的材料，可使用钨、钼、铝、钛、硅等。
栅电极501-503和栅极布线各自可以是单层或叠层。
栅电极501-503和栅极布线可各自通过CVD法、溅射法等形成。
优选栅电极501-503和栅极布线各自的厚度为IOOnm至lOOOnm。
在切割布线时，可能切割与切割部分交叠的一部分的栅电极501-503或栅极布线，从而造成短路。
因此，优选各栅电极501-503和栅极布线设置成不与切割部分交叠。
但是，切割布线的情况下，布线设置成与切割部分交叠。
接下来，形成掩模122-125，并且通过利用掩模122-125和作为掩模的栅电极501 向岛状半导体层301中的区域301a和301b添加给体元素(N型)(图13)。
在添加给体元素(N型)后，移除掩模122-125。
作为掩模和给体元素(N型)，可使用以上所述的掩模和给体元素(N型)。
注意，掩模122形成为与岛状半导体层302交叠。
掩模123形成为与岛状半导体层303交叠。
掩模124形成为与岛状半导体层304交叠。
掩模125形成为与岛状半导体层305交叠。
区域301a和301b位于半导体层301中以不与栅电极501交叠。
接下来，形成掩模131、133、134和135，且通过利用掩模131、133、134和135以及作为掩模的栅电极502向区域3(^a、302b和30 添加受体元素(P型)(图14)。
在添加受体元素(P型)后，移除掩模131、133、134和135。
作为掩模和受体元素(P型)，可使用以上所述的掩模和受体元素(P型)。
注意，掩模131形成为与岛状半导体层301交叠。
掩模133形成为与岛状半导体层303交叠。
掩模134形成为与岛状半导体层304交叠。
掩模135形成为与岛状半导体层305交叠。
区域30 和302b位于岛状半导体层302中以不与栅电极502交叠，且用作ρ沟道薄膜晶体管的源区和漏区。
区域30 被布置成形成PIN 二极管的ρ型杂质区。
接下来，设置用于形成侧壁的绝缘膜以覆盖栅电极501-503以及栅极布线，且对用于形成侧壁的绝缘膜进行内蚀刻以在栅电极501-503的各侧面壁上形成侧壁(图15)。
侧壁601a和601b在栅电极501的侧面壁上形成。
侧壁60 和602b在栅电极502的侧面壁上形成。
侧壁603a和60 在栅电极503的侧面壁上形成。
此外，除与栅电极、栅极布线和侧壁交叠的位置以外，移除栅极绝缘膜400，从而形成栅极绝缘膜401-403。
注意，栅极绝缘膜401形成为与岛状半导体层301交叠。
栅极绝缘膜402形成为与岛状半导体层302交叠。
栅极绝缘膜403形成为与岛状半导体层303交叠。
可使用不移除栅极绝缘膜400的条件进行对用于形成侧壁的绝缘膜的内蚀刻。
作为用于形成侧壁的绝缘膜，可使用氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜等。
用于形成侧壁的绝缘膜可以是单层或者是叠层。
用于形成侧壁的绝缘膜可通过CVD法、溅射法等形成。
用于形成侧壁的绝缘膜的厚度设定为大于各栅电极的高度。
接下来，形成掩模142、144和145，且通过利用掩模142、144和145以及作为掩模的栅电极501、侧壁601a和601b、栅电极503、以及侧壁603a和603b向区域301e、301f、 304b、303a以及30 添加给体元素(N型)(图16)。
在添加给体元素(N型)后，移除掩模142、144和145。
作为掩模和给体元素(N型)，可使用以上所述的掩模和给体元素(N型)。
注意，掩模142形成为与岛状半导体层302交叠。
掩模144形成为与岛状半导体层304交叠。
掩模145形成为与岛状半导体层305交叠。
区域301c和301d布置成形成η沟道薄膜晶体管的LDD区。
区域301e和301f布置成形成η沟道薄膜晶体管的源区和漏区。
区域303a和303b布置成形成电容器的接触区。
区域304b布置成形成PIN 二极管的η型杂质区。
接下来，形成覆盖岛状半导体层、栅电极以及侧壁的层间绝缘膜701，在该层间绝缘膜701中形成接触孔，且在该层间绝缘膜701上形成布线801a-801c、8(^a-802c、803a和 803b,804a 和 804b、以及 805a 和 805b (图 17 禾口 18)。
图18是与图10-17的位置不同的位置处的截面图。
注意，布线801a通过接触孔电连接至岛状半导体层301中的源区和漏区中的一个。
布线801b通过接触孔电连接至岛状半导体层301中的源区和漏区中的另一个。
布线801c通过接触孔电连接至栅电极501。
布线80 通过接触孔电连接至岛状半导体层302中的源区和漏区中的一个。
布线802b通过接触孔电连接至岛状半导体层302中的源区和漏区中的另一个。
布线802c通过接触孔电连接至栅电极502。
布线803a通过接触孔电连接至岛状半导体层中的接触区。
布线803a设置成使岛状半导体层中的接触区相互连接，以使包括岛状半导体层 303的元件不作为晶体管而作为电容器工作。
布线80 通过接触孔电连接至栅电极503。
布线80 通过接触孔电连接至岛状半导体层304中的ρ型杂质区。
布线804b通过接触孔电连接至岛状半导体层304中的η型杂质区。
布线80 和80 通过接触孔电连接至岛状半导体层305。
在此，包括岛状半导体层301的元件为η沟道薄膜晶体管。
包括岛状半导体层302的元件为ρ沟道薄膜晶体管。
包括岛状半导体层303的元件为电容器。
包括岛状半导体层304的元件为PIN 二极管。
包括岛状半导体层305的元件为电阻器。
作为层间绝缘膜701，可使用氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜等。
层间绝缘膜701可以是单层或者是叠层。
层间绝缘膜701可通过CVD法、溅射法等形成。
优选层间绝缘膜701的厚度为200nm至5 μ m。
与衬底100的材料类似，在从衬底100的背面侧进行激光切割的情况下，用眼睛识别激光切割部分并发射激光是必要的，且因此优选使用透光绝缘膜作为层间绝缘膜701。
注意，透光绝缘膜的示例有氧化硅膜、氮化硅膜、含氮的氧化硅膜、含氧的氮化硅膜、聚酰亚胺、丙烯酸、硅氧烷聚合物等。
可使用诸如铝、钛、钼、钨、金、银或铜的金属、或诸如ITO(铟锡氧化物)的透明导体来形成布线。
各布线可以是单层或叠层。
各布线可通过CVD法、溅射法等形成。
优选各布线厚度为IOOnm至5000nm。
注意，用于形成层间绝缘膜的材料、用于密封的材料或类似物可由波长为355nm 的YAG激光器切割，但是不能由波长为1064nm的YAG激光器、波长为532nm的YAG激光器、 波长为1047nm的YLF激光器等来切割。
因此，为了有选择地仅切割布线而不破坏层间绝缘膜，优选使用波长为1064nm的 YAG激光器、波长为532nm的YAG激光器、波长为1047nm的YLF激光器等。在层间绝缘膜被破坏也没关系的情况下，可使用任何种类的激光器。
此外，在从布线的顶面侧进行激光照射的情况下，不在布线上设置与布线交叠的任何遮光膜是重要的。
与此相反，在从布线的底面侧进行激光照射的情况下，不在布线下设置与布线交叠的任何遮光膜是重要的。
即，没有任何遮光膜设置在激光照射路径上是重要的。
具体而言，栅极材料、天线材料等的反光导电膜(金属膜)可设置成不与布线交叠，且透光绝缘膜可用作绝缘膜。
没有任何遮光膜设置在激光照射路径上的结构使激光切割部分的可见性可得到确保以实现精确对准并选择性地仅在布线上进行激光切割。
接下来，在形成于层间绝缘膜701上的布线800a和800b上形成层间绝缘膜702， 在层间绝缘膜702中形成接触孔，并在层间绝缘膜702上形成天线900(图19)。
注意，布线800a 和 800b 与布线 801a-801c、802a_802c、803a 和 803b、804a和 804b、 805a和805b同时形成。
图19是与图10-17和图18的位置不同的位置处的截面图。
注意，天线900的一端子通过接触孔电连接至布线800a。
天线900的另一端子通过接触孔电连接至布线800b。
可使用与层间绝缘膜701的材料类似的材料形成层间绝缘膜702。
可使用铝、钛、钼、金、银、铜等形成天线900。
天线900可以是单层或叠层。
天线900可通过CVD法、溅射法等形成。
优选天线900的厚度为1 μ m至10 μ m。
之后，在天线上形成保护膜并进行密封和/或类似操作，从而完成经由天线进行无线通信的半导体器件。
虽然在本实施例中将经由天线进行无线通信的半导体器件作为示例描述，但通过使用与本实施例类似的方法可制造其它半导体器件(例如，显示装置和CPU)。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例4 将在本实施例中描述天线顶面形状的示例。
图20A-20C是图19中所示的天线900以及布线800a和800b的俯视图。
图20A所示的天线900包括线性形状部分。
包括线性形状部分的天线(易于对其应用接收无线电波的系统)适于以高频波 (例如，在UHF下)通信。
图20B所示的天线900包括螺旋形状部分。
包括螺旋形状部分的天线(易于对其应用接收磁波的系统)适于以低频波(例如，在HF下)通信。
图20B所示的螺旋为矩形，且具有多个数量的卷。
图20C所示的天线900具有曲线形状，其中卷的数量为1。
注意，与图20C所示的天线900类似，图20B的螺旋可具有曲线形状且卷的数量可以是1。
本实施例中所描述的天线形状是示例。
任何天线形状都具有缺点和优点，且因此可适当地确定天线形状。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例5 将在本实施例中描述天线电感的调节。
在该情况下，天线900a和天线900b串联连接，且天线900b并联连接至由虚线部分8003指示的布线(图21A)。
举例而言，可采用其中如图21所示地螺旋形状天线串联连接且作为第二端子的布线800c在由虚线部分8003指示的部分处短路的方法。
作为第一端子的布线800a电连接至天线900a。
这里重要的是虚线部分8003的长度应当短于螺旋形状天线900b的长度。
因为虚线部分8003的长度短于螺旋形状天线900b的长度，所以天线900b的电阻可视为极高，从而电流优先流入虚线部分8003。
具体而言，当螺旋形状天线900b的长度至少为虚线部分8003长度的100倍时，天线900b的电阻可视为极高。
之后，虚线部分8003被切割以使天线900b工作，由此增大天线长度，从而可增大天线电感。
此外，图22A和22B示出另一示例。
在图22A中，并联连接至虚线部分8004a、8004b和80(Mc的各天线是次级天线。
具体而言，在图22B所示的形状中，可通过切割虚线部分8004a、8004b和80(Mc来增大天线长度。
图22B所示的形状示出小环群8006连接至大环8005的一条边的结构。
在图22B中小环群针对矩形环的一条边设置，但是在曲线环的情况下，小环群可针对包括在曲线环中的一条线设置。
即，可设置连接至大环的小环群，且大环的一部分被切割以打开小环群中的小环。
通过打开小环来调节电感。
在本实施例中描述作为天线的用途应用。
另一方面，天线是线圈的一种模式。
因此，在本说明书中的本实施例和其它实施例描述的各天线的形状可应用于线圈的任何模式。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例6 将在本实施例中描述柔性半导体器件的制造方法示例，该柔性半导体器件为实施例3(图10-19)的变形示例。
在所示视图中，在天线900形成后在天线上形成保护膜703(图23)。
该保护膜703可按照与层间绝缘膜701和702的方式类似的方式来形成。
图23和图10-19的不同点在于，在衬底100和基绝缘膜200之间形成分离层150。
作为分离层150，可使用在金属膜上层叠绝缘膜的结构、单层半导体膜、单层金属膜等。
在金属膜上层叠绝缘膜的结构中，可使用钨膜、钼膜、钛膜、钽膜等作为金属膜。
金属膜可通过CVD法、溅射法等形成。
优选金属膜的厚度为IOOnm至1 OOOnm。
然后，在形成金属膜后，用含氧的氩气溅射硅靶，由此形成由氧化硅形成的绝缘膜。
此时，金属膜表面被氧氧化，其允许在稍后的分离步骤通过机械力来分离。
替代地，硅靶可用含氮的氩气溅射，由此对金属膜表面进行氮化，并形成由氮化硅膜形成的绝缘膜。
此外，在形成绝缘膜之前，可对金属膜表面进行氧等离子体处理或氮等离子体处理以形成分离层。
在使用利用硅形成的分离层的情况下，在稍后的分离步骤中可通过蚀刻硅来进行分离，蚀刻硅通过使用卤素氟化物(例如，氯氟(ClF)、三氟化氯(ClF3)、溴氟(BrF)、三氟化溴(BrF3)、碘氟(IF)、或三氟化碘(IF3))来进行。
卤素氟化物具有蚀刻硅、金属(例如，铝)等的作用。
因此，作为分离层可使用金属(例如，铝)替代硅，且卤素氟化物可用作分离层的蚀刻材料。
接下来，通过热压缩使密封材料接合在保护膜703上，在该密封材料中毡状体浸渍有机树脂314(图M)。
作为有机树脂314，可使用热硬化性树脂、热塑性树脂等。
作为热硬化性树脂的示例有环氧树脂、不饱和聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、氰酸盐树脂等。
作为热塑性树脂的示例有聚苯醚树脂、聚醚酰亚胺树脂、氟树脂等。
允许热压缩接合的热硬化性树脂或热塑性树脂具有优点，因为制造工艺被简化。
毡状体313是机织织物或非机织织物。
机织织物是通过机织多纤维制成的布。
非机织织物不是通过机织多纤维制成的布，但是例如通过熔化、接合或缠绕纤维来制成。
作为纤维，可使用的材料如下聚乙烯醇纤维、聚酯纤维、聚酰胺纤维、聚乙烯纤维、芳族聚酸胺纤维、聚对亚苯基苯并二噁唑(polyparaphenylene benzobisoxazole)纤维、碳纤维等。
作为玻璃纤维示例，有使用E玻璃的玻璃纤维、使用S玻璃的玻璃纤维、使用D玻璃的玻璃纤维、使用Q玻璃的玻璃纤维等。
注意，可通过仅使用多个纤维材料中的一种材料或使用其中的多种材料来形成毡状体。
作为密封材料，还可使用诸如环氧树脂或芳族聚酸胺树脂的绝缘体。
浸渍有机树脂的绝缘体还称作聚酯胶片。
典型地如下地形成聚酯胶片毡状体浸渍有清漆，其中基质树脂用有机溶剂稀释， 然后进行干燥，以使有机溶剂挥发并使基质树脂半固化。
因为可保护电路对抗压力和应力，所以优选使用聚酯胶片密封。
接下来，在密封材料的热压缩接合之后，施加机械力(例如，通过拉或推)，由此执行分离衬底100的分离步骤(图25)。
在该情况下，因为分离层的金属膜表面被氧化或被氮化，金属膜和绝缘膜之间的粘合力弱。
从而通过施加机械力来选择性地分离衬底100。
在选择性地分离衬底100时，从侧面注入水分。
在注入水分时，水分进入分离界面，其通过水分导致电路侧和衬底侧之间的电连接。
分离时产生静电；但是，通过水分获得的电连接较大地倾向于防止分离时的静电破坏问题。
注意，为了改善水分的导电性，可使用诸如盐水或碳酸水的水溶液。因为盐对电路有不利影响，优选碳酸水。
在形成单层膜来替代叠层结构的情况下，作为分离层的由硅形成的分离层被卤素氟化物蚀刻，由此选择性地分离衬底100。
通过使用分离层以该方式选择性地分离至少衬底100的步骤称作分离步骤。
通过分离步骤选择性的分离衬底后的电路在本说明书中称作分离电路。
衬底被分离以使仅留下如皮肤般薄的电路，因此电路还可称作剥离电路。
注意，可通过诸如衬底被蚀刻剂移除的用于制造剥离电路的方法、对柔性衬底设置短路的用于制造剥离电路的方法等另一方法来形成剥离电路。
因为剥离电路非常薄，所以其非常不耐受来自外部的牵引、压力等。
与此相反，具有毡状体的绝缘体(毡状体浸渍有机树脂)耐牵引，且可分散来自外部的压力。
因此，通过将包括薄膜晶体管的剥离电路夹在绝缘体之间，该绝缘体中毡状体浸渍有机树脂，可保护该剥离电路对抗来自外部的牵引和压力。
因此，通过热压使密封材料接合在基绝缘膜200的底表面上，在该密封材料中毡状体315浸渍有机树脂316 (图沈)。
毡状体315可按照与毡状体313的方式类似的方式形成。
有机树脂316可按照与有机树脂314的方式类似的方式形成。
注意，虽然聚酯胶片被用作密封材料，也可使用诸如环氧树脂或芳族聚酸胺树脂的不包括毡状体的绝缘体。
但是在使用剥离电路的情况下优选使用聚酯胶片，因为可使用具有对来自外部的牵引和压力的耐受性的柔性半导体器件。
剥离电路非常易碎，且因此优选使用激光切割作为切割方法。
剪刀、切割器、针等除了切割布线还切割其它元件。
此外，使用剪刀、切割器、针等切割提供易碎剥离电路归因于应力或重压被破坏的高可能性。
为了甚至在密封后进行激光切割，优选密封材料为透光材料。
可用作密封材料的聚酯胶片、芳族聚酸胺树脂等具有透光性。
对于环氧树脂而言，可从市场上购买透光环氧树脂和不透光环氧树脂，且因此，优选使用透光环氧树脂。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例7 将在本实施例中描述经由天线进行无线通信的半导体器件的示例。
根据本实施例的半导体器件包括天线1001、谐振电容器1002、限幅电路1003、 开关1004、解调电路1005、调制电路1006、整流电路1007、电压检测电路1008、恒压电路 1009、以及逻辑电路1010 (图27)。
附图标记Vdd表示固定电源电位或高电源电位。
附图标记Vss表示低电源电位或GND (接地电压，0V)。
只要Vdd的电位相对高于Vss的电位，则对于Vdd和Vss各自的电压电平没有限制。
作为通过其发射和接收电磁波的天线1001，可使用本说明书的另一实施例中所描述的任何天线。
尤其，优选使用可调节电感的天线。
注意，天线1001的一端子电连接至谐振电容器1002、限幅电路1003、开关1004、解调电路1005、调制电路1006以及整流电路1007。
天线1001的另一端子电连接至Vss。
谐振电容器1002设置成调节接收和/或发射的电磁波的谐振频率。
电容器可用作谐振电容器1002。
可使用任何电容器；例如，可使用在实施例3中描述的电容器。
谐振电容器1002的一端子电连接至限幅电路1003、开关1004、解调电路1005、调制电路1006以及整流电路1007。
谐振电容器1002的另一端子电连接至Vss。
限幅电路1003设置成可防止解调电路1005、调制电路1006、整流电路1007等被在其中流动的过电流破坏。
因此，限幅电路1003的一端子可设置成电连接在天线1001的一端子与解调电路 1005、调制电路1006以及整流电路1007的各输入端子之间。
限幅电路1003的另一端子电连接至Vss以使过电流流向Vss。
作为限幅电路1003，例如，可使用串联连接的二极管。
作为二极管，优选使用具有针对过电流的高破坏强度的PIN 二极管、PN 二极管等。
此外，作为限幅电路1003，优选使用利用二极管形成的可调节阈值电压的元件。
如果限幅电路1003的阈值电压低于设计时采取的值，则不仅是过电流，连正常电流也被检测为过电流而流向Vss。
如果正常电流流向Vss，则其它电路操作会停止。
因此，当阈值电压低于设计时采取的值时，需要增大阈值电压的调节。
开关1004被设置成使得通过根据来自电压检测电路1008的信号将发射自天线的信号提供至Vss来保护其它电路。
因此，开关1004的源极和漏极中的一个设置成电连接在天线1001的一端子与解调电路1005、调制电路1006以及整流电路1007的各输入端子之间。
开关1004的源极和漏极中的另一个电连接至Vss。
此外，开关1004的栅极电连接至电压检测电路1008中的晶体管和电阻器之间的连接部分。
作为开关1004，可使用晶体管。
注意，虽然在图27中将η沟道晶体管用作开关1004，还可使用ρ沟道晶体管。
解调电路1005是进行解调的电路。
调制电路1006是进行调制的电路。
整流电路1007是对发射自天线的信号进行整流的电路。
整流电路1007中的二极管的输入端子电连接至天线的一端子。
整流电路1007中的二极管的输出端子输出Vdc且经由电容器电连接至Vss。
通过在整流电路1007中使用含二极管的可调节阈值电压的元件，可增大整流电路的输出的阈值电压。
通过增大整流电路1007的输出的阈值电压，可防止过电流流过。
但是，当整流电路1007的输出的阈值电压增大时，半导体器件的通信距离减小。
因此，调节包括在电压检测电路1008中的二极管的阈值电压以防止过电流流过是更有利的。
相应地，优选在整流电路1007中不使用含二极管的可调节阈值电压的元件，而在电压检测电路1008中使用含二极管的可调节阈值电压的元件。
电压检测电路1008包括第一电阻器、第二电阻器、ρ沟道晶体管、以及包括二极管的元件。
整流电路1007的输出Vdc电连接至第一电阻器的一端子、以及ρ沟道晶体管的源极和漏极中的一个。
第一电阻器的另一端子电连接至ρ沟道晶体管的栅极以及包括二极管的元件的输入端子。
ρ沟道晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至第二电阻器的一端子以及开关 1004的栅极。
包括二极管的元件的输出端子和第二电阻器的另一端子电连接至Vss。
在该结构中，通过第一电阻器向包括二极管的元件的输入端子施加减小至低于 Vdc的电压。
然后，在减小至低于Vdc的电压比包括二极管的元件的阈值电压低的情况下，没有电流流过包括二极管的元件。
当没有电流流过包括二极管的元件时，ρ沟道晶体管不导通。
另一方面，在减小至低于Vdc的电压比包括二极管的元件的阈值电压高的情况下，电流流过包括二极管的元件。
当电流流过包括二极管的元件时，ρ沟道晶体管导通。
当ρ沟道晶体管导通时，开关1004导通，从而导致来自天线的信号在信号输入至整流电路之前流向Vss。
S卩，开关1004和电压检测电路1008被包括在与限幅电路1003不同的限幅电路中。
第一电阻器被设置成使得在ρ沟道晶体管的栅极和P沟道晶体管的源极和漏极中的一个的电位之间提供差值。
19 第二电阻器被设置成向开关1004的栅极施加电压。
在本实施例中，作为包括二极管的元件，使用如图IB所示的其中二极管接法的η 沟道晶体管串联连接的元件。
电压检测电路1008用于检测整流电路的输出电压；因此施加到电压检测电路的电压低于输入到限幅电路1003的电压。
此外，由整流电路1007整流后的电流通过恒定电压电路1009流入逻辑电路；且因此，优选整流电路是精确控制的。
因此，在电压检测电路1008中优选使用利用晶体管形成的通过设计易于控制其阈值电压的二极管，而非PIN 二极管、PN 二极管等。
S卩，优选直接从天线流出的大电流被在限幅电路1003中使用的PIN 二极管限制， 且从整流电路的流出的小电流被使用晶体管形成的在电压检测电路中使用的二极管精确控制。
注意，以上描述不限制PIN 二极管、PIN 二极管等的应用，因此，PIN 二极管、PN 二极管等也可应用于电压检测电路1008。
恒定电压电路1009被设置成将Vdc转换成预定电压用于向逻辑电路供给。
逻辑电路1010被设置成响应于来自解调电路的信号供给信号。
以该方式，非常优选将本发明应用于经由天线进行无线通信的半导体器件。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例8 在以上所述的其它实施例中，描述包括串联连接的初级二极管群的单元和包括串联连接的次级二极管群的单元串联连接的结构示例。
此外，在由布线短路的次级二极管和未由布线短路的初级二极管串联连接时，可调节阈值电压。
举例而言，可交替地排列由布线短路的次级二极管和未由布线短路的初级二极管 (图 28Α)。
替代地，可随机地排列由布线短路的次级二极管和未由布线短路的各初级二极管 (图 28Β)。
替代地，可仅串联连接由布线短路的各二极管(图^C)。
此外，可连接一个初级二极管和多个次级二极管(图^A)。
替代地，可连接多个初级二极管和一个次级二极管(图^B)。
替代地，可连接一个初级二极管和一个次级二极管(图^C)。
另外，在向天线应用元件特性值可被调节的技术思想的情况下，可应用与二极管排列类似的排列。
本发明不限于在本实施例中描述的结构。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
实施例9 经由天线进行无线通信的半导体器件(RFID标签、无线标签、IC芯片、无线芯片、 无接触信号处理装置、半导体集成电路芯片等)可具有诸如附连到产品或有生命的物体 (诸如，人、动物、以及植物)表面、嵌入至产品或有生命的物体(诸如，人、动物、以及植物)等应用方式。
经由天线进行无线通信的半导体器件能够在没有接触的情况下管理信息。
由于无线特性，本发明导致可在任何时候任何地方无意识地使用信息和通信技术。
本发明还可应用于除经由天线进行无线通信的半导体器件之外的半导体器件中。
经由天线进行无线通信的半导体器件之外的半导体器件的示例有诸如显示装置、 光IC和CPU的各种装置。
本实施例可与本说明书中的要实现的任何其它实施例组合。
本申请基于2008年10月16日向日本专利局提交的日本专利申请S/ N. 2008-267427，该申请的全部内容通过引用结合于此。
权利要求
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤形成一元件，在所述元件中串联连接的二极管群的一部分并联连接至布线；以及切割所述布线以调节所述元件的阈值电压。
2.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤形成包括多个第一二极管的第一二极管群和包括多个二极管的第二二极管群，所述多个第一二极管串联连接且所述多个第二二极管串联连接，其中所述多个第二二极管的各二极管并联连接至多个布线的相应布线；以及切割所述多个布线的至少一个以调节元件的阈值电压，其中，所述第二二极管群中所包括的二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于所述第一二极管群中所包括的二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度。
3.如权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述二极管和布线均使用薄膜形成，且其中，所述切割通过激光切割进行。
4.如权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述切割通过激光切割进行。
5.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤形成一元件，所述元件中串联连接的天线群的一部分并联连接至布线；以及切割所述布线以调节所述元件的电感。
6.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤形成一天线，所述天线包括大环和连接至所述大环的小环群，以及切割所述大环以调节所述天线的电感。
7.一种包括一元件的半导体器件，所述元件中串联连接的二极管群的一部分并联连接至布线。
8.一种包括一元件的半导体器件，所述元件中第一二极管群包括多个第一二极管且第二二极管群包括多个第二二极管，所述多个第一二极管串联连接且所述多个第二二极管串联连接，其中，所述多个第二二极管各自并联连接至布线，以及其中，所述第二二极管群中所包括的二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度小于所述第一二极管群中所包括的二极管在垂直于电流流向的方向上的宽度。
9.一种包括一元件的半导体器件，所述元件中串联连接的天线群的一部分并联连接至布线。
10.一种包括一天线的半导体器件，所述天线包括大环和连接至所述大环的小环群。
全文摘要
一结构能够在元件形成之后改变元件的特性值，以便防止制造成本增加和产品交货延迟。多个二极管串联连接。然后，通过布线使多个二极管的一部分短路。具体而言，二极管和布线并联连接，由此电流优先流入布线中，使得二极管可被认为是不存在的。然后，在一部分布线处切割布线，由此使在切割前并联连接至布线的二极管工作。
文档编号G06K19/077GK102187454SQ200980141548
公开日2011年9月14日 申请日期2009年9月18日 优先权日2008年10月16日
发明者田所麻美, 藤田雅史 申请人:株式会社半导体能源研究所
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