抗反射膜及其制造方法

xiaoxiao2020-7-2  2

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专利名称:抗反射膜及其制造方法
技术领域
本发明涉及以防止外部光在窗、显示器等的表面发生反射为目的而设置的抗反射膜。特别涉及设置于液晶显示器(LCD)、CRT显示器、有机电致发光显示器(ELD)、等离子体显示板(PDP)、表面电场显示器(SED)、场致发射显示器(FED)等显示器的表面的抗反射膜。特别涉及设置于液晶显示器(LCD)表面的抗反射膜。进ー步涉及设置于透射型液晶显示器(LCD)表面的抗反射膜。
背景技术
一般而言显示器不论是在室内还是室外使用,都是在外部光等入射的环境下使用。这ー外部光等入射光在显示器表面等发生正反射,由其导致的反射像与显示图像混合,从而降低屏幕显示品质。因此,必须赋予显示器表面等以抗反射功能,并且对抗反射功能的高性能化、抗反射功能以外的功能的复合化提出了要求。 抗反射功能一般通过在透明基材上形成多层结构的防反射层而获得,所述多层结构的防反射层基于由金属氧化物等透明材料形成的高折射率层和低折射率层的重复结构而成。这些具有多层结构的防反射层可通过化学蒸镀(CVD)法、物理蒸镀(PVD)法这样的干式成膜法而形成。在使用干式成膜法形成防反射层的情况下,具有可精密控制低折射率层、高折射率层的膜厚的优点,另ー方面,由于在真空中进行成膜,因此存在生产率低、不适于大量生产这样的问题。另ー方面,作为防反射层的形成方法,利用能实现大面积化、连续生产、低成本化的使用涂液的湿式成膜法来生产抗反射膜受到人们的注目。另外,这些在透明基材上设置有防反射层的抗反射膜由于其表面比较柔软,因此为了赋予表面硬度,通常使用如下技木设置将丙烯酸类材料固化而获得的硬涂层,在其上形成防反射层。此硬涂层通过采用丙烯酸类材料而具有高的表面硬度、光泽性、透明性、耐擦伤性。通过湿式成膜法形成防反射层的情况下,通过在将这些电离放射线固化型材料固化而获得的硬涂层之上至少涂布低折射率层而制造,与干式成膜法相比存在有可廉价制造的优点,因而广泛进入市场。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2005-202389号公报专利文献2 :日本特开2005-199707号公报专利文献3 :日本特开平11-92750号公报专利文献4 :日本特开2007-121993号公报专利文献5 :日本特开2005-144849号公报专利文献6 :日本特开2006-159415号公报专利文献7 :日本特开2007-332181号公报

发明内容
发明要解决的课题将抗反射膜设置于显示器表面,通过其抗反射功能可抑制外部光的反射,可提高亮处中的对比度。另外,由于可同时提高透射率,因此可更明亮地显示图像。另外可期待降低背光源的输出功率等的节能效果。在抗反射膜方面,要求开发出制造成本低的抗反射膜。另外,在抗反射膜方面,要求开发出抗反射性能优异、没有干涉不均的光学特性优异的抗反射膜。另外,由于抗反射膜设置于显示器表面,因此要求高的耐擦伤性。另外,在抗反射膜方面,为了防止灰尘附着而要求开发出具备抗静电功能的抗反射膜。本发明的课题在于提供ー种抗反射膜,其制造成 本低,另外具备优异的光学特性以及优异的耐擦伤性和抗静电功能。用于解决问题的方案为了解决上述课题,权利要求I的发明为抗反射膜,其特征在于,其为在透明基材的至少ー个面按照偏在层和低折射率层的顺序层叠而得到的抗反射膜,前述偏在层通过至少从透明基材侧将中间层、硬涂层、包含导电性材料的抗静电层、包含流平材料的流平层依序偏在而层叠得到。另外,权利要求2的发明为根据权利要求I所述的抗反射膜,其特征在于,前述抗反射膜的平行光线透射率为93%以上,且前述抗反射膜的雾度为1.0%以下的范围内,且前述抗反射膜的低折射率层表面的表面电阻值为1X105Q/Cm2以上1X1012Q/Cm2以下的范围内,且前述抗反射膜的低折射率层表面的纯水接触角为80°以上130°以下的范围内。另外,权利要求3的发明为根据权利要求I或2所述的抗反射膜,其特征在于,前述流平层中所含的流平材料是从具有酰胺基的化合物、具有丙烯酰基的化合物、具有丁ニ烯基的化合物、具有烯烃基的化合物中选出的。另外,权利要求4的发明为根据权利要求I 3中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,前述导电层中所含的导电性材料是从季铵盐材料、金属氧化物颗粒、导电性高分子中选出的。另外,权利要求5的发明为根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,前述导电层中所含的导电性材料包含季铵盐材料,且前述流平层中所含的流平材料包含具有酰胺基的化合物,且前述季铵盐材料的分子量(Q)为1000以上100000以下,且前述具有酰胺基的化合物的分子量(A)为100000以下。另外,权利要求6的发明为根据权利要求I 3中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,前述导电层中所含的导电性材料包含金属氧化物颗粒,且前述流平层中所含的流平材料包含具有酰胺基的化合物,且前述金属氧化物颗粒的平均粒径为500nm以下,且前述具有酰胺基的化合物的分子量(A)为100000以下。另外,权利要求7的发明为根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,前述导电层中所含的导电性材料包含导电性高分子,且前述流平层中所含的流平材料包含具有酰胺基的化合物,且前述导电性高分子的平均粒径为IOOOnm以下,且前述具有酰胺基的化合物的分子量(A)为100000以下。另外,权利要求8的发明为根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,前述导电层中所含的导电性材料包含季铵盐材料,且前述流平层中所含的流平材料包含具有丙烯酰基的化合物,且前述季铵盐材料的分子量(Q)为1000以上100000以下,且前述具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)为100000以下。另外,权利要求9的发明为根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,前述导电层中所含的导电性材料包含金属氧化物颗粒,且前述流平层中所含的流平材料包含具有丙烯酰基的化合物,且前述金属氧化物颗粒的平均粒径为500nm以下,且前述具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)为100000以下。另外,权利要求10的发明为根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,前述导电层中所含的导电性材料包含导电性高分子,且前述流平层中所含的流平材料包含具有丙烯酰基的化合物,且前述导电性高分子的平均粒径为IOOOnm以下,且前述 具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)为100000以下。另外,权利要求11的发明为根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,前述导电层中所含的导电性材料包含季铵盐材料,且前述流平层中所含的流平材料包含具有丁ニ烯基的化合物,且前述季铵盐材料的分子量(Q)为1000以上100000以下,且前述具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)为100000以下。另外,权利要求12的发明为根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,前述导电层中所含的导电性材料包含金属氧化物颗粒,且前述流平层中所含的流平材料包含具有丁ニ烯基的化合物,且前述金属氧化物颗粒的平均粒径为500nm以下,且前述具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)为100000以下。另外,权利要求13的发明为根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,前述导电层中所含的导电性材料包含导电性高分子,且前述流平层中所含的流平材料包含具有丁ニ烯基的化合物,且前述导电性高分子的平均粒径为IOOOnm以下,且前述具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)为100000以下。另外,权利要求14的发明为根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,前述导电层中所含的导电性材料包含季铵盐材料,且前述流平层中所含的流平材料包含具有烯烃基的化合物,且前述季铵盐材料的分子量(Q)为1000以上100000以下,且前述具有烯烃基的化合物的分子量(D)为100000以下。另外,权利要求15的发明为根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,前述导电层中所含的导电性材料包含金属氧化物颗粒,且前述流平层中所含的流平材料包含具有烯烃基的化合物,且前述金属氧化物颗粒的平均粒径为500nm以下,且前述具有烯烃基的化合物的分子量(D)为100000以下。另外,权利要求16的发明为根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,前述导电层中所含的导电性材料包含导电性高分子,且前述流平层中所含的流平材料包含具有烯烃基的化合物,且前述导电性高分子的平均粒径为IOOOnm以下,且前述具有烯烃基的化合物的分子量(D)为100000以下。另外,权利要求17的发明为抗反射膜的制造方法,其特征在于,其为在透明基材的至少ー个面将偏在层和低折射率层按照此顺序层叠而得到的抗反射膜的制造方法,其顺次具备如下エ序在前述透明基材的至少ー个面涂布包含电离放射线固化型材料和导电性材料和流平材料和溶剂的偏在层形成涂液而形成偏在层的涂膜的涂布エ序,对前述偏在层的涂膜实施第一次干燥和第二次干燥的干燥エ序,向前述偏在层的涂膜照射电离放射线而形成偏在层的硬膜化工序,涂布包含低折射率层形成材料和溶剂的低折射率层形成涂液而形成低折射率层的涂膜的涂布エ序,将前述低折射率层的涂膜干燥的干燥エ序,形成前述低折射率层的硬膜化工序;且前述偏在层通过将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠得到。另外,权利要求18的发明为根据权利要求17所述的抗反射膜的制造方法,其特征在于,前述偏在层形成涂液中所含的全部溶剂之中30wt%以上的溶剂为可溶解或溶胀透明基材的溶剤,且在前述偏在层形成涂液中以25wt %以上85wt%以下的范围内的比例包含溶剤。
另外,权利要求19的发明为根据权利要求17或18所述的抗反射膜的制造方法,其特征在于,将前述偏在层的涂膜干燥的干燥エ序包含在干燥温度15°C以上30°C以下的范围内进行的第一次干燥以及在干燥温度40°C以上150°C以下的范围内进行的第二次干燥这样的ニ阶段连续干燥。发明的效果根据本发明的抗反射膜以及抗反射膜的制造方法,可提供具备低制造成本以及优异光学特性、高耐擦伤性、高抗静电性能的抗反射膜。特别是可制成耐擦伤性优异的抗反射膜。


图I所示为本发明的一个实施例的抗反射膜的剖面模式图。图2所示为本发明的一个实施例的抗反射膜的制造エ序的示意图。
具体实施例方式对本发明的抗反射膜进行说明。图I表示本发明的抗反射膜(I)的剖面模式图。在本发明的抗反射膜⑴中,在透明基材(11)的至少ー个面从透明基材侧顺次具备偏在层(12)、低折射率层(13)。偏在层(12)包含作为粘合基质形成材料的电离放射线固化型材料、作为导电性材料的季铵盐材料或金属氧化物颗粒或导电性高分子、以及流平材料;用电离放射线将电离放射线材料等固化而形成粘合基质从而可赋予抗反射膜以高的表面硬度。此处,偏在层从透明基材侧顺次形成有中间层(12a)、硬涂层(12b)、使前述导电性材料偏在而得到的抗静电层(12c)、使流平材料偏在而得到的流平层(12d)。在透明基材(11)与偏在层(12)的界面形成有中间层(12a)。在中间层(12a)中混合存在有透明基材成分和偏在层的电离辐射固化型材料成分。在中间层(12a)中,在厚度方向从透明基材(11)侧朝向低折射率层(13)侧而从透明基材(11)的折射率逐渐变化到硬涂层(12b)的折射率。通过设置从透明基材(11)的折射率逐渐变化到硬涂层(12b)的折射率的中间层(12a),从而可防止在偏在层与透明基材的界面产生的干涉条纹的产生。另外,中间层可提高透明基材(11)与偏在层(12)间的密接性。另外,中间层可通过在形成偏在层时在偏在层形成用涂液中包含可溶解或溶胀透明基材的溶剂从而形成。中间层(12a)可通过对所获得的抗反射膜从低折射率侧以5°入射角而求出分光反射率从而确认其存在。根据所获得的分光反射率而确认出对应于低折射率层的层厚的干涉峰(分光谱图的波形可看到多个纹波)的情况下判断为没有形成中间层(12a),在将背面涂黑处理了的外观检查中可观察到干渉条纹不均匀。另ー方面,根据所获得的分光反射率没有确认出对应于低折射率层的层厚的干渉峰的情况下判断为形成有中间层(12a),在基于背面涂黑处理的外观检查中完全观察不到干涉不均。另外,干涉条纹、干渉不均是由光学干涉导致的色不 均的ー种,主要起因于透明基材与硬涂层的折射率差,并且在膜厚为厚的情况下是多个光学干渉同时发生并且彩虹色状地观察到色不均的现象。色不均是因为由低折射率层的膜 厚不均匀导致的反射色不均而使得面内的色差变大的现象。硬涂层(12b)主要以电离放射线固化型材料为成分,提高抗反射膜的表面硬度,赋予耐擦伤性。硬涂层可根据偏在层表面的铅笔硬度来判断其是否形成。另外,抗静电层(12c)通过使导电性材料偏在而得到,并且赋予抗反射膜以抗静电性能。通过使导电性材料偏在,与分散导电性材料相比可降低用量,可减低制造成本。关于抗静电层,根据抗反射膜的表面电阻值,可判断是否形成有抗静电层。另外,流平层(12d)通过在抗静电层上使流平材料偏在而得到。流平层提高偏在层和低折射率层的密接性,防止从偏在层剥离低折射率层,并赋予抗反射膜以耐擦伤性。关于在本发明的抗反射膜中在偏在层(12)中形成有流平层(12d),可通过基于X射线光电子分光分析装置(XPS)的表面分析来判断其是否形成。另外,也可通过基于X射线光电子分光分析装置(XPS)的深度剖析(depthprofiling)来判断在流平层之下有无抗静电层(12c)。XPS为分析试样表面的化学状态的装置。向试样照射X射线(能量hv)时,则在光电效应的作用下元素内的中心电子(core electron)被激发出来,此时的光电子的运动能量(Ek)由通式(A)Ek=hv-Eb-(p表示。此处,Eb为中心电子的能量级(束缚能(bingdingenergy))、φ为装置、试样的功函数。另外Eb因元素固有的值、该元素的化学状态而变化。另ー方面,在固体内电子在保持有能量的状态下可通过的距离充其量为数十A JPS是通过測定从试样表面释放出的光电子的Ek及其数值从而可分析从试样表面到数十人的深度为止存在的元素的种类、量、以及化学状态的装置。另外,XPS通过与离子蚀刻组合,从而可实现深度剖祈。在偏在层(12)之上设置的低折射率层(13)赋予抗反射膜以抗反射功能。此时低折射率层(13)的膜厚(d)按照如下而设计通过在该膜厚(d)乘以低折射率层的折射率(η)而获得的光学膜厚(nd)与可见光的波长的1/4相等。低折射率层(13)通过将包含低折射率层形成材料的涂液涂布于偏在层上而形成。在偏在层形成材料中含有导电性材料并使其偏在、并且在偏在层表面形成低折射率层时,使导电性材料偏在而得到的抗静电层与抗静电层上的低折射率层的密接性差,其结果,有时因低折射率层的剥离而导致耐擦伤性降低。本发明人等发现以下事实以至完成本发明通过在包含电离放射线固化型材料、导电性材料的偏在层形成用涂液中进ー步加入流平材料,从而可在使导电性材料偏在而得到的抗静电层上形成流平层,提高偏在层和低折射率层的密接性,制成耐擦伤性高的抗反射膜。导电性材料偏在于偏在层的最表面时,低折射率层形成材料与导电性材料发生电排斥,偏在层和低折射率层的密接力降低,因此导致抗反射膜的耐擦伤性降低。另外,低折射层形成材料与导电性材料的电排斥为更强的情况下,有时也发生在涂布低折射率层形成涂液时产生缩孔等这样的不良现象。另外,在低折射率层形成材料中包含憎水材料的情况下,有时也因导电性材料与低折射率层材料中的憎水材料的电排斥而无法获得期望的防污性能。另外,在本发明中,通过涂布偏在层形成用涂液,可同时形成成为中间层、硬涂层、抗静电层、流平层的偏在层。因此,与在透明基材上将硬涂层及抗静电层顺次涂布、形成的情况相比,可控制制造成本。在偏在层(12)中,导电性材料与作为粘合基质形成材料的电离放射线固化型材料相比容易向表面析出,且流平材料与导电性材料相比更容易向表面析出。因此,通过在形成偏在层时控制干燥温度、时间的条件而进行偏在化,从而可分离为中间层、硬涂层、抗静电层、流平层,将这些层结构作为偏在层。 中间层(12a)包含偏在层的粘合基质成分和三こ酰基纤维素成分。在中间层(12a)中,在厚度方向从透明基材(11)侧朝向低折射率层(13)侧而从透明基材(11)的折射率逐渐变化到低折射率层的粘合基质的折射率、即、硬涂层(12b)的折射率。通过设置从透明基材(11)的折射率逐渐变化到硬涂层(12b)的折射率的中间层(12a),从而可防止在偏在层与透明基材的界面产生的干涉条纹的产生。另外,中间层可提高透明基材(11)与偏在层(12)间的密接性。硬涂层(12b)可以含有作为粘合基质成分的电离放射线固化型材料和导电性材料以及流平材料。主要由作为粘合基质成分的电离放射线固化型材料构成,粘合基质成分较多地偏在而存在,因此可使抗反射膜具有表面硬度。抗静电层(12c)可以含有作为粘合基质成分的电离放射线固化型材料和导电性材料以及流平材料。由于导电性材料偏在而较多地存在,因此可显现抗静电功能,制成具有抗静电功能的抗反射膜。流平层(12d)可以含有作为粘合基质成分的电离放射线固化型材料和流平材料。主要由流平材料构成,不包含导电性材料。在导电性材料存在于偏在层的最表面的情况下,在偏在层上形成低折射率层时偏在层和低折射率层的密接力降低,因此导致抗反射膜的耐擦伤性降低。本发明的抗反射膜中,与作为导电性材料的导电性材料相比流平材料的表面张カ低,因此可容易靠向最表面而形成不含作为导电性材料的导电性材料的层。在本发明的抗反射膜中形成低折射率层时,不受到导电性材料的影响。因此,可防止偏在层和低折射率层的密接力的降低,可赋予抗反射膜以高的表面硬度,可制成耐擦伤性优异、并且防污性优异的抗反射膜。本发明的抗反射膜中,优选的是抗反射膜的平行光线透射率为93%以上,且抗反射膜的雾度为1.0%以下的范围内,且抗反射膜的低折射率层表面的表面电阻值为I X IO5Ω/Cm2以上I XlO12 Ω/Cm2以下的范围内,且抗反射膜的低折射率层表面的纯水接触角为80°以上130°以下的范围内。在抗反射膜的平行光线透射率低于93 %的情况下,或者雾度超过I. O %的情况下,有时会发生如下情况透明感丧失,变得白浊(褪色发白),显示器的对比度降低。另夕卜,本发明的抗反射膜中,平行光线透射率越高越优选,雾度越低则越优选。并且,抗反射膜的平行光线透射率优选为93%以上98%以下的范围内。考虑目前可考虑的使用材料吋,难以制作平行光线透射率超过98%的抗反射膜。另外,抗反射膜的雾度优选为O. 05%以上O. 5%以下的范围内。考虑目前可考虑的使用材料时,难以制作雾度低于O. 05%的抗反射膜。另外,表面电阻值优选为I X IO5 Ω/cm2以上I X IO12 Ω/cm2以下的范围内。另外,制成抗反射膜表面的表面电阻值低于I XlO5 Ω/Cm2的抗反射膜的情况下,需要大量的作为导电性材料的季铵盐材料或金属氧化物颗粒或导电性高分子,有时会无法形成本发明的偏在层。进ー步,透明性(全光线透射率值)有时会降低。抗反射膜表面的表面电阻值处于I X 101° Ω /cm2 I X IO12 Ω /cm2的状态的情况下,一般可认为是在动态的状态下灰尘不附着的区域,在用于显示器的最表面的情况下需要此条件。因此,在本发明中优选为1Χ1012Ω/cm2以下。
另外,作为前述表面电阻值的测定方法,可依照JIS_K6911(1995)来測定。另外,本发明的抗反射膜的纯水接触角优选为80°以上130°以下的范围内。通过使纯水接触角为80°以上,可赋予低折射率层优异的防污性。另外,通过为130°以下的范围内,使得在形成低折射率层时偏在层和低折射率层的密接变好,因此可赋予高的表面硬度,可制成耐擦伤性优异并且防污性优异的抗反射膜。另外,在纯水接触角超过130°的情况下,有时会在形成低折射率层时产生缩孔、无法形成低折射率层。另外,在纯水接触角不足80°的情况下,有时无法获得充分的防污性。另外,作为纯水接触角的测定方法,可依照JISR3257(1999)来測定。具体可通过如下求出使用接触角计,以干燥状态(20°C -65% RH)在针尖制作液滴,将其接触于试样(固体)的表面而制作液滴,测定此接触角。接触角是指,固体与液体接触的点处的相对于液体表面的切线与固体表面所形成的角,由包含液体的侧的角度定义。作为液体,使用蒸馏水。另外,本发明的抗反射膜中,流平层中所含的流平材料优选是从具有酰胺基的化合物、具有丙烯酰基的化合物、具有丁ニ烯基的化合物、具有烯烃基的化合物中选出的。另夕卜,从具有酰胺基的化合物、具有丙烯酰基的化合物、具有丁ニ烯基的化合物、具有烯烃基的化合物中选出的的流平材料的具体例子在之后进行记述。另外,本发明的抗反射膜中,导电层中所含的导电性材料优选是从季铵盐材料、金属氧化物颗粒、导电性高分子中选出的。另外,从季铵盐材料、金属氧化物颗粒、导电性高分子中选出的的导电性材料的具体例子在之后进行记述。另外,本发明的抗反射膜中,导电层中所含的导电性材料包含季铵盐材料、且流平层中所含的流平材料包含具有酰胺基的化合物吋,季铵盐材料的分子量(Q)优选为1000以上100000以下,且具有酰胺基的化合物的分子量(A)优选为100000以下。通过使季铵盐材料的分子量(Q)以及具有酰胺基的化合物的分子量(A)为规定的范围内,从而可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。偏在层中使用的季铵盐材料的分子量(Q)低于1000的情况下季铵盐材料易于向偏在层表面偏在而不形成流平层,会在偏在层的表面存在季铵盐材料。此时,低折射率层形成材料与季铵盐材料发生电排斥,偏在层和低折射率层的密接力降低,导致所获得的抗反射膜的耐擦伤性降低。另ー方面,季铵盐材料的分子量(Q)超过100000的情况下不能使季铵盐材料偏在而形成抗静电层。另外,具有酰胺基的化合物的分子量(A)超过100000的情况下,导电性材料与流平材料混合存在而形成层,便无法形成抗静电层和/或流平层。另外,本发明的抗反射膜中,导电层中所含的导电性材料包含金属氧化物颗粒,且流平层中所含的流平材料包含具有酰胺基的化合物时,金属氧化物颗粒的平均粒径优选为500nm以下,且具有酰胺基的化合物的分子量(A)优选为100000以下。通过使金属氧化物颗粒的平均粒径以及具有酰胺基的化合物的分子量(A)为规定的范围内,从而可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。金属氧化物颗粒的平均粒径超过500nm的情况下金属氧化物颗粒易于向偏在层表面偏在,会在偏在层的表面存在金属氧化物颗粒。此时,低折射率层形成材料与季铵盐材料发生电排斥,偏在层和低折射率层的密接力降低,导致所获得的抗反射膜的耐擦伤性降 低。另外,具有酰胺基的化合物的分子量㈧超过100000的情况下,导电性材料与流平材料混合存在而形成层,便无法形成抗静电层和/或流平层。另外,本发明的抗反射膜中,导电层中所含的导电性材料包含导电性高分子、且流平层中所含的流平材料包含具有酰胺基的化合物时,导电性高分子的平均粒径优选为IOOOnm以下,且具有酰胺基的化合物的分子量(A)优选为100000以下。通过使导电性高分子的平均粒径以及具有酰胺基的化合物的分子量(A)为规定的范围内,从而可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。导电性高分子的平均粒径超过500nm的情况下导电性高分子易于向偏在层表面偏在,会在偏在层的表面存在金属氧化物颗粒。此时,低折射率层形成材料与导电性高分子发生电排斥,偏在层和低折射率层的密接力降低,导致所获得的抗反射膜的耐擦伤性降低。另外,具有酰胺基的化合物的分子量(A)超过100000的情况下,导电性材料与流平材料混合存在而形成层,便无法形成抗静电层和/或流平层。另外,本发明的抗反射膜中,导电层中所含的导电性材料包含季铵盐材料、且流平层中所含的流平材料包含具有丙烯酰基的化合物吋,季铵盐材料的分子量(Q)优选为1000以上100000以下,且前述具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)优选为100000以下。通过使季铵盐材料的分子量(Q)以及具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)为规定的范围内,从而可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。偏在层中使用的季铵盐材料的分子量(Q)低于1000的情况下季铵盐材料易于向偏在层表面偏在并且不形成流平层,会在偏在层的表面存在季铵盐材料。此时,低折射率层形成材料与季铵盐材料发生电排斥,偏在层和低折射率层的密接力降低,导致所获得的抗反射膜的耐擦伤性降低。另ー方面,季铵盐材料的分子量(Q)超过100000的情况下便不能使季铵盐材料偏在而形成抗静电层。另外,具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)超过100000的情况下,在最表层导电性材料与流平材料混合存在而形成层,便无法形成抗静电层和/或流平层。另外,本发明的抗反射膜中,前述导电层中所含的导电性材料包含金属氧化物颗粒,且流平层中所含的流平材料包含具有丙烯酰基的化合物时,金属氧化物颗粒的平均粒径优选为500nm以下,且具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)优选为100000以下。通过使金属氧化物颗粒的平均粒径以及具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)为规定的范围内,从而可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。金属氧化物颗粒的平均粒径超过500nm的情况下金属氧化物颗粒易于向偏在层表面偏在,会在偏在层的表面存在金属氧化物颗粒。因此,在最表层不形成流平层,低折射率层形成材料与金属氧化物颗粒发生电排斥,导致所获得的抗反射膜的耐擦伤性降低。进ー步使获得的抗反射膜的雾度提高。另外,具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)超过100000的情况下,导电性材料与流平材料混合存在而形成层,便无法形成抗静电层和/或流平层。另外,本发明的抗反射膜中,导电层中所含的导电性材料包含导电性高分子、且流平层中所含的流平材料包含具有丙烯酰基的化合物时,导电性高分子的平均粒径优选为IOOOnm以下,且具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)优选为100000以下的范围内。通过使导电性高分子的平均粒径以及具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)为规定的范围内,从而 可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。导电性高分子的平均粒径超过500nm的情况下导电性高分子易于向偏在层表面偏在,会在偏在层的表面存在金属氧化物颗粒。此时,低折射率层形成材料与导电性高分子发生电排斥,偏在层和低折射率层的密接力降低,导致所获得的抗反射膜的耐擦伤性降低。另外,具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)超过100000的情况下,导电性材料与流平材料混合存在而形成层,便无法形成抗静电层和/或流平层。另外,本发明的抗反射膜中,导电层中所含的导电性材料包含季铵盐材料、且流平层中所含的流平材料包含具有丁ニ烯基的化合物吋,季铵盐材料的分子量(Q)优选为1000以上100000以下的范围内,且作为流平材料的具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)优选为100000以下。通过使季铵盐材料的分子量(Q)以及具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)为规定的范围内,从而可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。偏在层中使用的季铵盐材料的分子量(Q)低于1000的情况下季铵盐材料易于向偏在层表面偏在并且不形成流平层,会在偏在层的表面存在季铵盐材料。此时,低折射率层形成材料与季铵盐材料发生电排斥,偏在层和低折射率层的密接力降低,导致所获得的抗反射膜的耐擦伤性降低。另ー方面,季铵盐材料的分子量(Q)超过100000的情况下难以使季铵盐材料偏在而形成抗静电层,所获得的抗反射膜便不能获得充分的抗静电性能。另外,具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)超过100000的情况下,季铵盐材料与流平材料混合存在而形成层,便无法形成抗静电层和/或流平层。另外,本发明的抗反射膜中,导电层中所含的导电性材料包含金属氧化物颗粒,且流平层中所含的流平材料包含具有丁ニ烯基的化合物时,金属氧化物颗粒的平均粒径优选为500nm以下,且具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)优选为100000以下。通过使金属氧化物颗粒的平均粒径以及具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)为规定的范围内,从而可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。金属氧化物颗粒的平均粒径超过500nm的情况下金属氧化物颗粒易于向偏在层表面偏在,会在偏在层的表面存在金属氧化物颗粒。因此,在最表层不形成流平层,低折射率层形成材料与金属氧化物颗粒发生电排斥,导致所获得的抗反射膜的耐擦伤性降低。进ー步使获得的抗反射膜的雾度提高。另外,具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)超过100000的情况下,导电性材料与流平材料混合存在而形成层,不形成抗静电层和/或流平层,因此便不能制成具备充分的抗静电性的抗反射膜。另外,本发明的抗反射膜中,优选的是导电层中所含的导电性材料包含导电性高分子,且流平层中所含的流平材料包含具有丁ニ烯基的化合物,且导电性高分子的平均粒径为IOOOnm以下,且具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)优选为100000以下的范围内。通过使导电性高分子的平均粒径以及具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)为规定的范围内,从而可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。导电性高分子的平均粒径超过500nm的情况下导电性高分子易于向偏在层表面偏在,会在偏在层的表面存在金属氧化物颗粒。此时,低折射率层形成材料与导电性高分子发生电排斥,偏在层和低折射率层的密接力降低,导致所获得的抗反射膜的耐擦伤性降低。另外,具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)超过100000的情况下,导电性材料与流平材料 混合存在而形成层,便无法形成抗静电层和/或流平层。另外,本发明的抗反射膜中,导电层中所含的导电性材料包含季铵盐材料、且流平层中所含的流平材料包含具有烯烃基的化合物吋,季铵盐材料的分子量(Q)优选为1000以上100000以下,且作为流平材料的具有烯烃基的化合物的分子量(D)除以前述季铵盐材料的分子量(Q)而得到的值(D/Q)优选为O. 5以下。通过使季铵盐材料的分子量(Q)以及具有烯烃基的化合物的分子量(D)为规定的范围内,从而可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。偏在层中使用的季铵盐材料的分子量(Q)低于1000的情况下季铵盐材料易于向偏在层表面偏在并且不形成流平层,会在偏在层的表面存在季铵盐材料。此时,低折射率层形成材料与季铵盐材料发生电排斥,偏在层和低折射率层的密接力降低,导致所获得的抗反射膜的耐擦伤性降低。另ー方面,季铵盐材料的分子量(Q)超过100000的情况下难以使季铵盐材料偏在而形成抗静电层,所获得的抗反射膜便不能获得充分的抗静电性能。另外,具有烯烃基的化合物的分子量(D)超过100000的情况下,季铵盐材料与流平材料混合存在而形成层,便无法形成抗静电层和/或流平层。另外,本发明的抗反射膜中,导电层中所含的导电性材料包含金属氧化物颗粒,且流平层中所含的流平材料包含具有烯烃基的化合物时,金属氧化物颗粒的平均粒径优选为500nm以下,且具有烯烃基的化合物的分子量(D)优选为100000以下。通过使金属氧化物颗粒的平均粒径以及具有烯烃基的化合物的分子量(D)为规定的范围内,从而可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。金属氧化物颗粒的平均粒径超过500nm的情况下金属氧化物颗粒易于向偏在层表面偏在,会在偏在层的表面存在金属氧化物颗粒。因此,在最表层不形成流平层,低折射率层形成材料与金属氧化物颗粒发生电排斥,导致所获得的抗反射膜的耐擦伤性降低。进一步使获得的抗反射膜的雾度提高。另外,具有烯烃基的化合物的分子量(D)超过100000的情况下,导电性材料与流平材料混合存在而形成层,便无法形成抗静电层和/或流平层。另外,本发明的抗反射膜中,导电层中所含的导电性材料包含导电性高分子、且流平层中所含的流平材料包含具有烯烃基的化合物时,导电性高分子的平均粒径优选为IOOOnm以下,且具有烯烃基的化合物的分子量(D)优选为100000以下。通过使导电性高分子的平均粒径以及具有烯烃基的化合物的分子量(D)为规定的范围内,从而可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。导电性高分子的平均粒径超过500nm的情况下导电性高分子易于向偏在层表面偏在,会在偏在层的表面存在金属氧化物颗粒。此时,低折射率层形成材料与导电性高分子发生电排斥,偏在层和低折射率层的密接力降低,导致所获得的抗反射膜的耐擦伤性降低。另外,具有丁ニ烯基的化合物的分子量(D)超过100000的情况下,导电性材料与流平材料混合存在而形成层,便无法形成抗静电层和/或流平层。另外,在本发明中“分子量”在分子量1000以下的情况下是指由结构式求出的分子量,在超过分子量为1000的情况下是指重均分子量。另外,在本发明的抗反射膜中用作流平材料的具有酰胺基的化合物的分子量(A)优选为100000以下,但考虑市售的具有酰胺基的化合物的分子量时,具有酰胺基的化合物 的分子量(A)优选为40以上100000以下。另外,在本发明的抗反射膜中,用作流平材料的具有丙烯酰基的化合物的分子量
(B)优选为100000以下,但考虑市售的具有丙烯酰基的化合物的分子量时,具有丙烯酰基的化合物的分子量⑶优选为1000以上100000以下。另外,在本发明的抗反射膜中,用作流平材料的具有丁ニ烯基的化合物的分子量
(C)优选为100000以下,但考虑市售的具有丁ニ烯基的化合物的分子量时,具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)优选为1000以上100000以下。另外,在本发明的抗反射膜中,用作流平材料的具有烯烃基的化合物的分子量(D)优选为100000以下,但考虑市售的具有烯烃基的化合物的分子量时,具有烯烃基的化合物的分子量(D)优选为1000以上100000以下。另外,在本发明中,金属氧化物颗粒的平均粒径以及导电性高分子的平均粒径通过光散射法求出。另外,在本发明的抗反射膜中,用作导电性材料的金属氧化物颗粒的平均粒径虽然优选为500nm以下,但考虑市售的金属氧化物颗粒的平均粒径时,金属氧化物颗粒的平均粒径优选为Inm以上500nm以下。另外,在本发明的抗反射膜中,用作导电性材料的导电性高分子的平均粒径虽然优选为500nm以下,但考虑市售的金属氧化物颗粒的平均粒径时,导电性高分子的平均粒径优选为Inm以上500nm以下。另外,本发明的抗反射膜中,低折射率层的光学膜厚优选为SOnm以上200nm以下的范围内。通过使低折射率层的光学膜厚为80nm以上200nm以下的范围内,可将在抗反射膜的表面(A)侧求出的分光反射率曲线制成在500nm近旁采取极小值的分光反射率曲线,可制成抗反射性优异的抗反射膜。在分光反射率曲线中,以极小值为基准,向短波长方向的上升曲线与向长波长方向的上升曲线相比显示出急剧的倾向。此时,分光反射率曲线的以极小值为基准时的向短波长方向的急剧的上升曲线导致所形成的抗反射膜的反射光的色淡(色味),另外导致在发生偏在层的膜厚不均匀时的色不均的产生。本发明中,通过将分光反射率曲线的极小值设为500nm附近,从而使反射色相小,可抑制由向短波长方向的急剧的上升曲线导致的色不均的产生。另外,本发明的抗反射膜中,抗反射膜的低折射率层形成面(表面(A))处的光平均反射率优选为O. 5%以上2.0%以下的范围内。抗反射膜的低折射率层形成面(表面(A))处的光平均反射率超过2. 5%的情况下,无法制成具备充分的抗反射性能的抗反射膜。另ー方面,难以通过偏在层的光学干涉而实现抗反射膜表面的光平均反射率为O. 2%的抗反射膜。另外,进ー步优选偏在层表面的光平均反射率为O. 2%以上2.0%以下的范围内。另外,在本发明的抗反射膜中,在使用了季铵盐材料作为偏在层中的导电性材料的情况下,偏在层中的作为导电性材料的季铵盐材料的含量优选为O. 5wt%以上且不足25wt %。偏在层中的作为导电性材料的季铵盐材料的含量不足O. 5wt %的情况下,有时便无、法获得充分的抗静电性能。另ー方面,作为导电性材料的季铵盐材料的含量超过25wt%的情况下,无法很好地形成流平层。另外,由于作为导电性材料的季铵盐材料不具有硬涂性,因此抗反射膜的硬度和耐擦伤性有时会降低。另外,成本变高。另外,在本发明的抗反射膜中,在使用了金属氧化物颗粒作为偏在层中的导电性材料的情况下,作为偏在层中的导电性材料的金属氧化物颗粒的含量优选为O. 5wt%以上且不足25wt%。作为偏在层中的导电性材料的金属氧化物颗粒的含量不足O. 5wt%的情况下,有时便无法获得充分的抗静电性能。另ー方面,作为导电性材料的金属氧化物颗粒的含量超过25wt%的情况下,无法很好地形成流平层。另外,在本发明的抗反射膜中,在使用了导电性高分子作为偏在层中的导电性材料的情况下,作为偏在层中的导电性材料的导电性高分子的含量优选为O. lwt%以上且不足25wt%。作为偏在层中的导电性材料的导电性高分子的含量不足O. lwt%的情况下,有时便无法获得充分的抗静电性能。另ー方面,作为导电性材料的导电性高分子的含量超过25wt%的情况下,无法很好地形成流平层。另外,由于作为导电性材料的导电性高分子不具有硬涂性,因此抗反射膜的硬度和耐擦伤性有时会降低。另外成本变高。另外,在使用具有酰胺基的化合物作为流平材料的情况下,作为偏在层中的流平材料的具有酰胺基的化合物的含量优选为O. 05wt%以上且不足25wt%的范围内。偏在层中的具有酰胺基的化合物的含量不足O. 05wt%的情况下,无法形成流平层,导电性材料存在于偏在层的最表面,因此存在有降低耐擦伤性、进ー步阻碍低折射率层的形成的情況。另一方面,具有酰胺基的化合物的含量超过25wt%的情况下,存在有酰胺层变厚、抗静电功能降低的情況。另外,在使用具有丙烯酰基的化合物、具有丁ニ烯基的化合物、具有烯烃基的化合物等除了具有酰胺基的化合物以外的化合物作为流平材料的情况下,偏在层中的流平材料的含量优选为O. OOlwt %以上且不足5. OOwt %的范围内。偏在层中的流平材料的含量不足O. OOlwt %的情况下,无法形成流平层,导电性材料存在于偏在层的最表面,因此存在有降低耐擦伤性、进ー步阻碍低折射率层的形成的情況。另ー方面,流平材料的含量超过5. 00wt%的情况下,存在有酰胺层变厚、抗静电功能降低的情況。对本发明的抗反射膜的制造方法进行说明。本发明的抗反射膜的制造方法的特征在于,其为在透明基材的至少ー个面将偏在层和低折射率层按照此顺序层叠而得到的抗反射膜的制造方法,所述方法顺次具备如下エ序在前述透明基材的至少ー个面涂布包含电离放射线固化型材料和导电性材料和流平材料和溶剂的偏在层形成涂液、形成偏在层的涂膜的涂布エ序,对前述偏在层的涂膜实施第一次干燥和第二次干燥的干燥エ序,向前述偏在层的涂膜照射电离放射线、形成偏在层的硬膜化工序,涂布包含低折射率层形成材料和溶剂的低折射率层形成涂液、形成低折射率层的涂膜的涂布エ序,将前述低折射率层的涂膜干燥的干燥エ序,形成前述低折射率层的硬膜化工序,且前述偏在层通过将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠得到。本发明中,通过设置对偏在层的涂膜实施第一次干燥的干燥エ序、以及在第一次干燥的干燥エ序之后对偏在层的涂膜实施第二次干燥的干燥エ序,从而可在偏在层中依序偏在出中间层、硬涂层、使导电性材料偏在而得到的抗静电层、使前述流平材料偏在而得到的流平层。图2表示了本发明的抗反射膜的制造装置的一个例子的示意图。 本发明的抗反射膜的制造装置顺次具备有在透明基材上涂布包含含有电离放射线固化型材料的粘合基质形成材料、导电性材料、流平材料、溶剂的偏在层形成用涂液并形成涂膜的涂布单元(21),对前述偏在层的涂膜实施第一次干燥的第一次干燥単元(22a)和实施第二次干燥的第二次干燥单元(22b)的2个干燥单元(22),向前述偏在层的涂膜照射电离放射线而将偏在层进行硬膜形成的电离放射线照射単元(23)。将透明基材从卷出部
(31)连续运送到卷取部(32),从而在透明基材上形成偏在层。接着,通过将低折射率层形成涂液涂布于偏在层上形成低折射率层的涂膜的涂布エ序、将前述低折射率层的涂膜干燥的干燥エ序、形成前述低折射率层的硬膜化工序而形成低折射率层。此时,形成低折射率层的硬膜化工序中,在使用电离放射线固化型材料作为低折射率层形成材料的情况下通过照射电离放射线而硬膜化并且形成低折射率层。另一方面,在使用热固型材料作为低折射率层形成材料的情况下通过加热而硬膜化,形成低折射率层。形成低折射率层时,可使用图2所示的制造装置在偏在层上形成低折射率层而制造抗反射膜。另外,也可通过连续地连接偏在层形成和低折射率层形成的前述エ序,从而制造抗反射膜。本发明的抗反射膜的制造方法中,优选的是偏在层形成用涂液中所含的全部溶剂之中30wt%以上的溶剂为可溶解或溶胀前述透明基材的溶剂,且在前述偏在层形成用涂液中以25wt%以上85wt%以下的比例包含溶剤。在透明基材上在包含粘合基质形成材料和导电性材料、流平材料的偏在层形成用涂液中所含的全部溶剂之中以30wt%以上的范围内使用可溶解或溶胀透明基材的溶剂、且在前述偏在层形成用涂液中以25wt%以上85wt%以下的比例包含溶剤,从而可形成具备通过使导电性材料、流平材料偏在而得到的抗静电层、流平层的偏在层。在从在透明基材上涂布偏在层形成用涂液并形成涂膜到干燥为止的エ序中,涂液中所含的可溶解或溶胀透明基材的溶剂向透明基材渗透,粘合基质形成材料成分伴随其也向透明基材渗透并且与基材混合从而形成中间层。另ー方面,由于导电性材料、流平材料难以向透明基材渗透,因此向与透明基材侧相反的抗静电层及流平层侧偏析并且形成偏在层。以偏在层形成用涂液中所含的全部溶剂之中可溶解或溶胀透明基材的溶剂为30wt%以上的范围内而使用可溶解或溶胀透明基材的溶剂,从而可在透明基材与偏在层之间形成包含透明基材成分和粘合基质成分的中间层,进一歩可有效率地形成偏在层。另外,全溶剂之中可溶解或溶胀透明基材的溶剂低于30wt%的情况下,有时会无法形成偏在层。通过使偏在层的涂液中的溶剂量为前述范围内,从而可使得涂膜中的作为导电性材料的季铵盐材料或金属氧化物颗粒或导电性高分子以及流平材料偏在而形成偏在层为止的时间变得充分,可容易制造偏在层。另外,偏在层形成用涂液中的溶剂量不足25wt%的情况下,存在有涂膜发生急剧干燥而不能形成偏在层的可能。另ー方面,偏在层形成用涂液中的溶剂量超过85wt%的情况下,倾向为需要延长干燥时间并且不适合大量生产。本发明的抗反射膜的制造方法中,将偏在层的涂膜干燥的干燥エ序优选包含在干燥温度15°C以上30°C以下的范围内进行的第一次干燥以及在干燥温度40°C以上150°C以下的范围内进行的第二次干燥这样的ニ阶段连续干燥。优选干燥エ序在刚涂布完后在干燥温度20°C以上30°C以下的范围内进行第一次干燥。通过使第一次干燥温度为20°C以上30°C以下的范围内,从而可使偏在层的涂膜中的作为导电性材料的季铵盐材料或金属氧化物颗粒或导电性高分子以及流平材料偏在而形成偏在层为止的时间变得充分。
另外,在干燥温度超过30°C的情况下,存在有偏在层的涂膜发生急剧干燥而不能形成偏在层的可能。另ー方面,干燥温度低于20°C的情况下,需要延长干燥时间并且不适合连续生产。另外,优选在干燥温度50°C以上150°C以下的范围内进行第二次干燥。通过使第二次干燥温度为50°C以上150°C以下的范围内,从而可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。另外,干燥温度超过150°C的情况下,由于溶剂的蒸发速度过早因而存在偏在层的表面发生皲裂、产生雾度的可能。另ー方面,干燥温度低于50°C的情况下,溶剂便残留于偏在层,成为不具有硬涂性的偏在层。另外,存在有仅通过前述第一次干燥不能使干燥进行充分的情况,在第一次干燥后,作为第二次干燥,也通过干燥温度50°C以上150°C以下的范围内的加热干燥进行适度的加热干燥。干燥エ序中,通过以前述干燥温度进行第一次干燥及第二次干燥,从而可容易制造偏在层(12)。另外,为了进行偏在层的各层的分离而进行第一次干燥,通过50°C以上150°C以下的范围内的加热干燥进行适度的加热干燥作为第二次干燥而去除了溶剤。另外,本发明的抗反射膜的制造方法中,将偏在层的涂膜干燥的干燥エ序优选设定为如下使偏在层的涂膜中所含的溶剂成为10wt%以下为止的时间为2秒以上60秒以下的范围内。在透明基材上形成前述偏在层的涂膜后,通过使透明基材上的由偏在层形成用涂液形成的涂膜中所含的溶剂成为10wt%以下为止的时间为2秒以上60秒以下的范围内,从而可使涂膜中的导电性材料及流平材料偏在而形成偏在层为止的时间变得充分,可容易形成具备抗静电层及流平层的偏在层。另外,偏在层的涂膜中所含的溶剂为10wt%以下为止的时间不足2秒的情况下,有时会因偏在层的涂膜的急剧的干燥而导致无法形成抗静电层及流平层。另外,偏在层的涂膜中所含的溶剂成为10wt%以下为止的时间超过60秒的情况下,过于耗费时间而不现实。通过枚叶(裁成规定尺寸型)方式形成偏在层的情况下,也由于周期时间变长并且生产率降低,因此不优选。更详细地对本发明的抗反射膜以及抗反射膜的制造方法进行说明。作为本发明的抗反射膜中使用的透明基材,可使用由各种有机高分子形成的膜或者片。例如列举出显示器等光学部件中通常使用的基材,考虑透明性、光的折射率等光学特性,进ー步考虑耐冲击性、耐热性、耐久性等各种物性,可使用由聚こ烯、聚丙烯等聚烯烃类,聚对苯ニ甲酸こニ醇酯、聚萘ニ甲酸こニ醇酯等聚酯类,三こ酰基纤维素、ニこ酰基纤维素、赛璐玢等纤维素类,6-尼龙、6,6-尼龙等聚酰胺类,聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸类,聚苯こ烯,聚氯こ烯,聚酰亚胺,聚こ烯醇,聚碳酸酷,こ烯-こ烯醇等有机高分子形成的基材。特别优选聚对苯ニ甲酸こニ醇酯、三こ酰基纤维素、聚碳酸酷、聚甲基丙烯酸甲酷。其中,三こ酰基纤维素的双折射率小,透明性良好,因此可优选用于液晶显示器。另外,透明基材的厚度优选在25 μ m以上200 μ m以下的范围内,进ー步优选在40 μ m以上80 μ m以下的范围内。进ー步,也可使用通过向这些有机高分子中添加公知的添加剂例如紫外线吸收齐U、红外线吸收剂、增塑剂、增滑剤、着色剂、抗氧化剂、阻燃剂等而施加功能而得到的物质。另外,透明基材可以为由选自前述的有机高分子中的ー种或者两种以上的混合物或聚合物形成的透明基材,也可以为层叠多个层而得到的透明基材。接着对偏在层进行说明。在形成偏在层时,包含电离放射线固化型材料作为粘合基质形成材料。作为电离放射线固化型材料,可使用丙烯酸类材料。作为丙烯酸类材料,可使用多元醇的丙烯酸酯或者甲基丙烯酸酯这样的单官能或者多官能的(甲基)丙烯酸酯化合物,由ニ异氰酸酯与、多元醇和丙烯酸或甲基丙烯酸的羟基酯等合成的那样的多官能的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酷化合物。另外在它们之外,作为电离放射线型材料还可使用具有丙烯酸酯类的官能团的聚醚树脂、聚酯树脂、环氧树脂、醇酸树脂、螺缩醛树脂、聚丁ニ烯树脂、聚硫醇-聚烯树月旨(polythio 1-polyene resin)等。另外,在本发明中“(甲基)丙烯酸酷”表示“丙烯酸酷”和“甲基丙烯酸酷”这两者。例如,“氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酷”表示“氨基甲酸酯丙烯酸酷”和“氨基甲酸酯甲基丙烯酸酷”这两者。作为单官能的(甲基)丙烯酸酯化合物,例如列举出(甲基)丙烯酸2-羟こ酷、(甲基)丙烯酸2-羟丙酷、(甲基)丙烯酸2-羟丁酷、(甲基)丙烯酸正丁酷、(甲基)丙烯酸异丁酷、(甲基)丙烯酸叔丁酷、(甲基)丙烯酸缩水甘油酷、丙烯酰基吗啉、N-こ烯基吡咯烷酮、丙烯酸四氢糠基酷、(甲基)丙烯酸环己酷、(甲基)丙烯酸2-こ基己酷、(甲基)丙烯酸异冰片酷、(甲基)丙烯酸异癸酷、(甲基)丙烯酸月桂酷、(甲基)丙烯酸十三烷酷、(甲基)丙烯酸十六烷酷、(甲基)丙烯酸硬脂基酷、(甲基)丙烯酸苄酷、(甲基)丙烯酸2-こ氧基こ酷、(甲基)丙烯酸3-甲氧基丁酷、(甲基)丙烯酸こ基卡必醇酷、磷酸(甲基)丙烯酸酯、环氧こ烷改性磷酸(甲基)丙烯酸酯、苯氧基(甲基)丙烯酸酯、环氧こ烷改性苯氧基(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷改性苯氧基(甲基)丙烯酸酯、壬基苯酚(甲基)丙烯酸酯、环氧こ烷改性壬基苯酚(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烷改性壬基苯酚(甲基)丙烯 酸酷、甲氧基ニこニ醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚こニ醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基丙ニ醇(甲基)丙烯酸酷、2_(甲基)丙烯酰氧基こ基-2-羟丙基邻苯ニ甲酸酷、2-羟基-3-苯氧基丙基(甲基)丙烯酸酷、2-(甲基)丙烯酰氧基こ基邻苯ニ甲酸氢酷、2-(甲基)丙烯酰氧基丙基邻苯ニ甲酸氢酷、2_(甲基)丙烯酰氧基丙基六氢邻苯ニ甲酸氢酷、2-(甲基)丙烯酰氧基丙基四氢邻苯ニ甲酸氢酷、(甲基)丙烯酸ニ甲基氨基こ基酷、(甲基)丙烯酸三氟こ酷、(甲基)丙烯酸四氟丙酷、(甲基)丙烯酸六氟丙酷、(甲基)丙烯酸八氟丙酷、(甲基)丙烯酸八氟丙酯、由2-金刚烷以及金刚烷ニ醇衍生的具有一元的单(甲基)丙烯酸酯的丙烯酸金刚烷酯等的单(甲基)丙烯酸金刚烷酯衍生物等。作为前述2官能的(甲基)丙烯酸酯化合物,例如列举出こニ醇ニ(甲基)丙烯
酸酷、ニこニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、丁ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、己ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酷、壬ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、こ氧基化己ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化己ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、ニこニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、聚こニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、三丙ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、聚丙ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、新戊ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酷、 こ氧基化新戊ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯、三丙ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酷、羟基特戊酸新戊ニ醇ニ(甲基)丙烯酸酯等ニ(甲基)丙烯酸酯等。作为前述3官能以上的(甲基)丙烯酸酯化合物,例如列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、こ氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(2-羟こ基)异氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酸甘油酯等三(甲基)丙烯酸酯,季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、ニ季戊四醇三(甲基)丙烯酸酷、ニ(三羟甲基丙烷)三(甲基)丙烯酸酯等3官能的(甲基)丙烯酸酯化合物,季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、ニ(三羟甲基丙烷)四(甲基)丙烯酸酯、ニ季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、ニ季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、ニ(三羟甲基丙烷)五(甲基)丙烯酸酯、ニ季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、ニ(三羟甲基丙烷)六(甲基)丙烯酸酯等3官能以上的多官能(甲基)丙烯酸酯化合物,这些(甲基)丙烯酸酯的一部分被烷基、ε -己内酯取代而得到的多官能(甲基)丙烯酸酯化合物等。也可使用多官能氨基甲酸酯丙烯酸酯作为丙烯酸类材料。氨基甲酸酯丙烯酸酯通过使多元醇、多异氰酸酯以及含羟基的丙烯酸酯进行反应而获得。具体可列举出共荣社化学公司制的UA-306H、UA-306T、UA-3061等,日本合成化学公司制的UV-1700B、UV-6300B、UV-7600B、UV-7605B、UV-7640B、UV-7650B 等,新中村化学公司制的 U-4HA、U-6HA、UA-100H、U-6LPA、U-15HA、UA-32P、U-324A 等,Daicel-UCB Co.,Ltd.制的 Ebecryl-1290、Ebecryl-1290K、Ebecryl-5129 等,根上エ业公司制的 UN-3220HA、UN-3220HB、UN-3220HC、UN-3220HS等,但是不受此限。另外,在它们之外,作为电离放射线型材料,还可使用具有丙烯酸酯类的官能团的聚醚树脂、聚酯树脂、环氧树脂、醇酸树脂、螺缩醛树脂、聚丁ニ烯树脂、聚硫醇-聚烯树月旨等。另外,考虑到光学特性、耐擦伤性、硬度等,偏在层的膜厚优选在3μπι以上20m以下的范围内。另外,考虑到卷曲的抑制等加工处通方面,进一步优选在4μηι以上7μηι以下的范围内。向偏在层形成用涂液中加入溶剂,可在全部溶剂之中30wt%以上的范围内使用可溶解或溶胀透明基材的溶剂。另外,在透明基材上在包含粘合基质形成材料和季铵盐材料、流平材料的偏在层形成用涂液中所含的全部溶剂之中以30wt%以上的范围内使用可溶解或溶胀透明基材的溶剂,从而可形成使导电性材料以及流平材料偏在而得到的偏在层。以偏在层形成用涂液中所含的全部溶剂之中可溶解或溶胀透明基材的溶剂为30wt%以上的范围内而使用可溶解或溶胀透明基材的溶剂,从而可在透明基材与偏在层之间形成包含透明基材成分和粘合基质成分的中间层,进一歩可有效率地形成偏在层。另外,全部溶剂之中可溶解或溶胀透明基材的溶剂低于30wt%的情况下,不能形成偏在层。作为使用了三こ酰基纤维素膜作为透明基材时的可溶解或溶胀透明基材的溶剤,列举出ニ丁基醚、ニ甲氧基甲烷、ニ甲氧基こ烷、ニこ氧基こ烷、环氧丙烷、ニ噁烷、ニ氧戊环、三噁烷、四氢呋喃、苯甲醚以及苯こ醚等醚类,另外列举出丙酮、甲こ酮、ニこ基酮、ニ丙基酮、ニ异丁基酮、环戊酮、环己酮、甲基环己酮、以及甲基环己酮等部分酮类,另外列举出甲酸こ酷、甲酸丙酷、甲酸正戊酷、こ酸甲酷、こ酸こ酯、丙酸甲酯、丙酸こ酷、こ酸正戊酷、以及Y-丁内酯等酯类,进ー步列举出甲基溶纤剂、溶纤剂、丁基溶纤剂、溶纤剂こ酸酯等溶纤剂类,此外列举出N-甲基-2-吡咯烷酮、碳酸ニ甲酷。它们可使用単独一种或组合使用两种以上。作为不将三こ酰基纤维素膜溶解或者溶胀的溶剂,列举出こ醇、异丙醇等醇类,甲苯、ニ甲苯、环己烷、环己基苯等芳香族烃类,正己烷等烃类,甲基异丁基酮、甲基丁基酮、ニ丙酮醇等部分酮类等。它们可使用単独一种或组合使用两种以上。另外,优选在偏在层形成用涂液中以25wt%以上85wt%以下的比例包含溶剂。通过使偏在层的涂液中的溶剂量为前述范围内,从而可使涂膜中的作为导电性材料的季铵盐材料或金属氧化物颗粒或导电性高分子以及流平材料偏在而形成偏在层为止的时间变得充分,可容易制造偏在层。另外,偏在层形成用涂液中的溶剂量不足25wt%的情况下,存在涂膜发生急剧干燥而不能形成偏在层的可能。另ー方面,偏在层形成用涂液中的溶剂量超过85wt%的情况下,需要延长干燥时间并且不适合大量生产。另外,优选在溶剂浓度O. 2体积%以上10体积%以下的溶剂氛围下进行将偏在层 的涂膜干燥的エ序。通过在O. 2体积%以上10体积%以下的溶剂氛围下进行将偏在层的涂膜干燥的エ序,从而可使涂膜中的作为导电性材料的季铵盐材料或金属氧化物颗粒或导电性高分子偏在而形成偏在层为止的时间变得充分,可容易地制造偏在层。另外,作为此时干燥氛围中使用的溶剂,优选使用偏在层形成用涂液中所含的溶剂之中的至少ー种。溶剂氛围下不足O. 2体积%的情况下,存在有涂膜发生急剧干燥而不能形成偏在层的情況。另ー方面,溶剂氛围下超过10体积%的情况下,需要延长干燥时间并且不适合大量生产。偏在层中所含的作为导电性材料的季铵盐材料可优选使用在分子内含有季铵盐材料作为官能团的丙烯酸类材料。季铵盐材料表示-Ν+Γ的结构,通过具备季铵阳离子(-N+)和阴离子(X_)而在硬涂层中显现导电性。此时,作为X_,可列举出Cl' Br' Γ、F_、HSO4' SO42' NO3' PO43' HPO42' H2PO4' SO3' OF 等。另外,作为季铵盐材料,也可使用在分子内含有季铵盐材料作为官能团的丙烯酸类材料。在分子内含有季铵盐材料作为官能团的丙烯酸类材料可使用在分子内含有季铵盐材料(有)作为官能团的多元醇的丙烯酸酯或者甲基丙烯酸酯这样的单官能或者多官能的(甲基)丙烯酸酯化合物,由ニ异氰酸酯与、多元醇和丙烯酸或甲基丙烯酸的羟基酯等合成的那样的多官能的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯化合物。另外在它们之外,作为电离放射线型 材料,还可使用具有丙烯酸酯类的官能团的聚醚树脂、聚酯树脂、环氧树脂、醇酸树脂、螺缩醛树脂、聚丁ニ烯树脂、聚硫醇-聚烯树脂等。本发明的偏在层中所含的季铵盐材料的分子量优选在1000以上100000以下的范围内。通过将季铵盐材料的重均分子量设在1000以上100000以下的范围内从而可形成从透明基材侧将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠的偏在层。另外,季铵盐材料的分子量低于1000的情况下季铵盐材料易于向偏在层表面偏在,会在偏在层的表面存在季铵盐材料。因此,存在有低折射率层形成材料与季铵盐材料发生电排斥,偏在层和低折射率层的密接性降低而耐擦伤性降低的情况。另ー方面,季铵盐材料的重均分子量超过100000的情况下硬涂层和抗静电层便混合,表面电阻值变差。作为季铵盐材料,具体可使用NR-121X-9IPA(C0LC0AT CO.,Ltd制)等。作为用作导电性材料的金属氧化物颗粒,可使用以选自氧化锆、含锑氧化锡(ATO)、含磷氧化锡(PTO)、含锡氧化铟、氧化招、氧化铺、氧化锌、含招氧化锌、氧化锡、含铺氧化锌以及含铟氧化锌中的ー种或两种以上的金属氧化物为主成分的具有导电性的金属氧化物颗粒。作为用作导电性材料的导电性高分子,可使用选自聚こ炔、聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯硫醚、聚(1,6_庚ニ炔)、聚联苯、(聚对苯)、聚对苯硫醚、聚苯基こ炔、聚(2,5-噻吩)以及它们的衍生物中的ー种或者两种以上的混合物。向偏在层形成用涂液中加入具有酰胺基的化合物作为流平材料,在偏在层中形成流平层。作为具有酰胺基的化合物,可使用在I分子内具有ー个以上的酰胺基的化合物。具体列举出こ酰胺,(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N,N-ニ甲基(甲基)丙烯酰胺、N,N-ニ丁基(甲基)丙烯酰胺、N,N-ニ辛基(甲基)丙烯酰胺、N-单丁基(甲基)丙烯酰胺、N-(2-羟こ基)丙烯酰胺、N-(2-羟こ基)甲基丙烯酰胺基(甲基)丙烯酰基吗啉等丙烯酸类化合物,N-こ烯基甲酰胺,N, N-ニ烯丙基甲酰胺,N-こ烯基吡咯烷酮,N-こ烯基-ε -己内酰胺,聚酰胺等。其中,作为流平材料的具有酰胺基的化合物中,优选使用除了酰胺基之外还具有ー个以上的聚合性基团的化合物。用作流平材料的具有丙烯酰基的化合物是指在分子内含有丙烯酰基的丙烯酸类流平剂。具有丙烯酰基的化合物具有(化学式I)所示的结构,活性度低并且重新涂布性好。此时,作为R1,可列举出H、CHpCnH2lri (η =自然数)等。另外,作为R2可导入烷基、聚酯基、聚醚基、盐、反应性基团等。[化学式I]
权利要求
1.ー种抗反射膜,其特征在于,其为在透明基材的至少ー个面按照偏在层和低折射率层的顺序层叠而得到的抗反射膜,所述偏在层通过至少从透明基材侧将中间层、硬涂层、包含导电性材料的抗静电层、包含流平材料的流平层依序偏在而层叠得到。
2.根据权利要求I所述的抗反射膜,其特征在于,所述抗反射膜的平行光线透射率为93%以上,且所述抗反射膜的雾度在I. 0%以下的范围内,且所述抗反射膜的低折射率层表面的表面电阻值在I X IO5 Q /cm2以上I X IO12 Q /cm2以下的范围内,且所述抗反射膜的低折射率层表面的纯水接触角在80°以上130°以下的范围内。
3.根据权利要求I或2所述的抗反射膜,其特征在于,所述流平层中所含的流平材料是从具有酰胺基的化合物、具有丙烯酰基的化合物、具有丁ニ烯基的化合物、具有烯烃基的化合物中选出的。
4.根据权利要求I 3中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,所述导电层中所含的导电性材料是从季铵盐材料、金属氧化物颗粒、导电性高分子中选出的。
5.根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,所述导电层中所含的导电性材料包含季铵盐材料,且所述流平层中所含的流平材料包含具有酰胺基的化合物,且所述季铵盐材料的分子量(Q)为1000以上100000以下,且所述具有酰胺基的化合物的分子量(A)为100000以下。
6.根据权利要求I 3中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,所述导电层中所含的导电性材料包含金属氧化物颗粒,且所述流平层中所含的流平材料包含具有酰胺基的化合物,且所述金属氧化物颗粒的平均粒径为500nm以下,且所述具有酰胺基的化合物的分子量(A)为100000以下。
7.根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,所述导电层中所含的导电性材料包含导电性高分子,且所述流平层中所含的流平材料包含具有酰胺基的化合物,且所述导电性高分子的平均粒径为IOOOnm以下,且所述具有酰胺基的化合物的分子量(A)为100000以下。
8.根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,所述导电层中所含的导电性材料包含季铵盐材料,且所述流平层中所含的流平材料包含具有丙烯酰基的化合物,且所述季铵盐材料的分子量(Q)为1000以上100000以下,且所述具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)为100000以下。
9.根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,所述导电层中所含的导电性材料包含金属氧化物颗粒,且所述流平层中所含的流平材料包含具有丙烯酰基的化合物,且所述金属氧化物颗粒的平均粒径为500nm以下,且所述具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)为100000以下。
10.根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,所述导电层中所含的导电性材料包含导电性高分子,且所述流平层中所含的流平材料包含具有丙烯酰基的化合物,且所述导电性高分子的平均粒径为IOOOnm以下,且所述具有丙烯酰基的化合物的分子量(B)为100000以下。
11.根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,所述导电层中所含的导电性材料包含季铵盐材料,且所述流平层中所含的流平材料包含具有丁ニ烯基的化合物,且所述季铵盐材料的分子量(Q)为1000以上100000以下,且所述具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)为100000以下。
12.根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,所述导电层中所含的导电性材料包含金属氧化物颗粒,且所述流平层中所含的流平材料包含具有丁ニ烯基的化合物,且所述金属氧化物颗粒的平均粒径为500nm以下,且所述具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)为100000以下。
13.根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,所述导电层中所含的导电性材料包含导电性高分子,且所述流平层中所含的流平材料包含具有丁ニ烯基的化合物,且所述导电性高分子的平均粒径为IOOOnm以下,且所述具有丁ニ烯基的化合物的分子量(C)为100000以下。
14.根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,所述导电层中所含的导电性材料包含季铵盐材料,且所述流平层中所含的流平材料包含具有烯烃基的化合物,且所述季铵盐材料的分子量(Q)为1000以上100000以下,且所述具有烯烃基的化合物的分子量(D)为100000以下。
15.根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,所述导电层中所含的导电性材料包含金属氧化物颗粒,且所述流平层中所含的流平材料包含具有烯烃基的化合物,且所述金属氧化物颗粒的平均粒径为500nm以下,且所述具有烯烃基的化合物的分子量(D)为100000以下。
16.根据权利要求I 4中任ー项所述的抗反射膜,其特征在于,所述导电层中所含的导电性材料包含导电性高分子,且所述流平层中所含的流平材料包含具有烯烃基的化合物,且所述导电性高分子的平均粒径为IOOOnm以下,且所述具有烯烃基的化合物的分子量(D)为 100000 以下。
17.ー种抗反射膜的制造方法,其特征在于,其为在透明基材的至少ー个面按照偏在层和低折射率层的顺序层叠而得到的抗反射膜的制造方法, 所述抗反射膜的制造方法顺次具备如下エ序 形成偏在层的涂膜的涂布エ序,在所述透明基材的至少ー个面涂布偏在层形成涂液,该溶液包含电离放射线固化型材料和导电性材料和流平材料和溶剂, 对所述偏在层的涂膜实施第一次干燥和第二次干燥的干燥エ序, 向所述偏在层的涂膜照射电离放射线,形成偏在层的硬膜化工序, 涂布包含低折射率层形成材料和溶剂的低折射率层形成涂液,形成低折射率层的涂膜的涂布エ序, 将所述低折射率层的涂膜干燥的干燥エ序, 形成所述低折射率层的硬膜化工序;且 所述偏在层通过将中间层、硬涂层、抗静电层、流平层依序偏在而层叠得到。
18.根据权利要求17所述的抗反射膜的制造方法,其特征在于,所述偏在层形成涂液中所含的全部溶剂之中30wt%以上的溶剂为可溶解或溶胀透明基材的溶剂,且在所述偏在层形成涂液中以25wt %以上85wt %以下的范围内的比例包含溶剤。
19.根据权利要求17或18所述的抗反射膜的制造方法,其特征在干,将所述偏在层的涂膜干燥的干燥エ序包含在干燥温度15°C以上30°C以下的范围内进行的第一次干燥、以及在干燥温度40°C以上150°C以下的范围内进行的第二次干燥这样的ニ阶段连续干燥。
全文摘要
本发明涉及抗反射膜及其制造方法,要求开发出制造成本低的抗反射膜,进一步要求开发出抗反射性能优异、没有干涉不均的光学特性优异的抗反射膜,进一步由于设置于显示器表面因此要求高的耐擦伤性,进一步为了防止灰尘附着而要求开发出具备抗静电功能的抗反射膜。本发明的课题在于提供制造成本低并且具备优异的光学特性以及优异的耐擦伤性和抗静电功能的抗反射膜。一种抗反射膜,其特征在于,其为在透明基材的至少一个面将偏在层和低折射率层按照此顺序层叠而得到的抗反射膜,前述偏在层通过至少从透明基材侧将中间层、硬涂层、包含导电性材料的抗静电层、包含流平材料的流平层依序偏在而层叠得到。
文档编号G02B1/11GK102667536SQ20108005139
公开日2012年9月12日 申请日期2010年10月14日 优先权日2009年11月12日
发明者吉原俊昭, 柴山直之 申请人:凸版印刷株式会社

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