阵列基板及显示器件的制作方法

xiaoxiao2020-7-2  2

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专利名称:阵列基板及显示器件的制作方法
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及显示器件。
技术背景近些年来,薄膜晶体管 液晶显示器凭借其低功耗,无辐射等优点逐渐成为目前显示产品市场的主流趋势。图I为一种传统TFT-IXD中像素的平面结构示意图,图Ia和图Ib分别为图I中两个局部区域的放大图,图2对应于图I中的A-A'位置的剖视图,在图示的像素结构中,公共电极I为板状电极,像素电极2为条状电极,像素电极2位于公共电极I上方,像素电极2与公共电极I之间形成边缘电场Ef,并且公共电极I与像素电极2之间有很大的交叠面积,即公共电极I与像素电极2分别在基板上的投影的重合面积很大,由此在公共电极I和像素电极2之间形成的存储电容较大,基于该像素结构所形成的显示器件中易出现与像素的充放电相关的不良现象,对于大尺寸高频率的显示面板制造而言,该问题将会愈加严重。

实用新型内容(一)要解决的技术问题本实用新型要解决的首要技术问题是如何增强液晶显示器件中的液晶光效,以实现其高透过率;本实用新型进一步要解决的技术问题是如何避免像素电极与公共电极间存储电容过大所出现的充放电不良的现象。(二)技术方案为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种阵列基板,包括形成在基板上的公共电极和像素电极;所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极,所述第一公共电极设置于所述像素电极下方并通过绝缘层与所述像素电极隔开,所述第二公共电极与所述像素电极同层设置,所述像素电极为条状电极,所述第二公共电极为条状电极且与所述像素电极相互间隔排列。其中,所述第一公共电极为板状电极。其中,所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影,所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影,所述第一投影完全落入所述第二投影内。其中,所述第一公共电极为条状电极。其中,所述第一公共电极的宽度小于所述像素电极的宽度;所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影,所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影,所述第二投影完全落入所述第一投影内。其中,所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影,所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影,所述第一投影宽度方向的两端区域分别与两个相邻第二投影的部分区域重合。[0014]其中,所述第一公共电极的宽度大于相邻的两个像素电极之间开口的宽度。其中,所述第一投影与第二投影重合区域的宽度为6 μ m- ο μ m。其中,每条所述像素电极和第二公共电极分别包括一体形成的两部分电极,该两部分电极之间具有一定夹角。本实用新型还公开了一种显示器件,该显示器件包括上述任一项所述的阵列基板。(三)有益效果上述技术方案所提供的阵列基板及显示器件,通过设置条状的像素电极,并在像素电极下方设置第一公共电极以形成边缘电场,与像素电极同层设置条状第二公共电极且使像素电极与第二公共电极间隔布置,以形成面内电场,从而达到增强液晶光效、实现高透过率的技术效果,高透过率的阵列基板还能大大节省显示器件中背光源的能量损耗,同时条状分布的像素电极结构也能够避免传统TFT-LCD中像素中心区域透过率较低的现象;此外,由于设置第二公共电极,像素电极的面积相对减小,从而与第一公共电极的交叠面积会在一定程度上减少,能够解决像素结构中由于存储电容过大引起的充放电不良等技术问题。

图I示出了传统TFT-IXD像素的平面结构示意图;图Ia示出了图I中M区域的局部放大图;图Ib示出了图I中N区域的局部放大图;图2示出了传统TFT-IXD中电极与电场的结构示意图;图3示出了本实用新型实施例I中TFT-IXD像素的平面结构示意图;图4示出了本实用新型实施例I中与图3中k-k'位置对应的剖视结构及电场状态不意图;图5示出了基于本实用新型实施例I的显示器件对应于图3中B-B'位置的剖视图;图6示出了本实用新型实施例2中与图3中A-A^位置对应的剖视结构及电场状态不意图;图7示出了基于本实用新型实施例2的显示器件对应于图3中B-B'位置的剖视图;图8示出了本实用新型实施例3中与图3中A-A^位置对应的剖视结构及电场状态不意图;图9示出了基于本实用新型实施例3的显示器件对应于图3中B-B'位置的剖视图。其中,I :公共电极;2 :像素电极;3 :绝缘层;4 :钝化层;5 :阵列基板;6 :数据线;7 :液晶层;8 :遮光膜;9 :彩膜基板;Ef :边缘电场;EP :面内电场。
具体实施方式
以下结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式
作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。实施例I图3示出了本实施例中TFT- IXD中像素的平面结构示意图,图4是对应图3中A-A'位置的剖视图。参照图示,本实施例改变了传统的基板上所设置的像素电极和公共电极的结构,采用一种新型的结构来设置像素电极和公共电极,具体地,像素电极2设置为条状电极,公共电极I包括设置于所述像素电极2下方且通过绝缘层与所述像素电极2隔开的第一公共电极(图中未标示),以及与所述像素电极2同层设置的第二公共电极(图中未标示),所述第二公共电极为条状电极且与所述像素电极2相互间隔排列。位于所述像素电极2下方的第一公共电极与像素电极2形成边缘电场Ef,与所述像素电极2同层设置的第二公共电极与像素电极2形成面内电场Ep,边缘电场与面内电场同时存在,能够达到增强液晶光效、实现高透过率的技术效果。进一步地,所述第一公共电极设置为板状电极;将所述像素电极2在所述基板上的投影记为第一投影,所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影,所述第一投影完全落入所述第二投影内,即所述第一投影与第二投影的重合区域的面积就是第一投影的面积。因所述像素电极2为条状电极,每一条状像素电极2与第一公共电极相交叠的面积(即两者投影相重合的面积)与现有技术中板状像素电极与板状公共电极间的交叠面积相比大大减小,像素电极2与第一公共电极间形成的存储电容较小,可以避免由于存储电容过大引起的充放电不良等一系列问题。本实施例中,像素电极2为均匀布置的条状电极,像素电极2与其下方第一公共电极相交叠的区域的宽度设置在6 μ m- ο μ m之间,因本实施例中像素电极2与第一公共电极之间相交叠的区域完全为像素电极2自身的区域,所以上述宽度即可以理解为是像素电极2的宽度,像素电极2与第一公共电极之间所形成的存储电容用于维持像素电极2的电压,若上述宽度值较大,则形成的存储电容较大,引起像素电极2充电不良,不易充满;该宽度值过小的话,存储电容则不能够有效维持像素电极2的电压。基于上述阵列基板,本实施例还提供了一种显示器件,图5示出了基于上述阵列基板的显示器件对应于图3中B-B'位置的剖视图,参照图示,该显示器件包括阵列基板5、彩膜基板9以及位于阵列基板5和彩膜基板9之间的液晶层7,具体地,阵列基板5上形成有板状的第一公共电极、绝缘层3、数据线6、钝化层4、条状的像素电极2以及与像素电极2同一层面并相互间隔布置的条状的第二公共电极,彩膜基板9上设置有遮光膜8。图3中,每条所述像素电极和第二公共电极分别包括一体形成的两部分电极,该两部分电极之间具有一定夹角;即,所述像素电极和第二公共电极都呈弯曲的条状。上述显示器件可以为液晶面板、电子纸、OLED面板、液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。使用上述高透过率的阵列基板还能大大节省显示器件中背光源的能量损耗,同时条状分布的像素电极结构也能够避免传统TFT-IXD中像素中心区域透过率较低的现象。实施例2图6示出了本实施例中对应于图3中A-A^位置的剖视图,参照图示,本实施例的阵列基板结构与实施例I相似,像素电极2设置方式不变,与像素电极2同一层面的条状第二公共电极的设置方式也不变,其区别之处在于,本实施例中的第一公共电极设置为条状电极,第一公共电极的宽度小于像素电极2的宽度,所述像素电极2在所述基板上的投影记为第一投影,所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影,所述第二投影完全落入所述第一投影内。本实施例中,第一公共电极设计为比像素电极2宽度小的条状电极,同样可以在实现边缘电场的前提下,降低存储电容。像素电极2与第一公共电极相交叠的区域的宽度也设置在6 μ m-10 μ m之间,即第一公共电极的宽度设置为6 μ m-10 μ m之间。基于上述阵列基板,本实施例提供了一种显示器件,图7示出了基于上述阵列基 板的显示器件对应于图3中B-B'位置的剖视图,参照图示,其结构与实施例I相似,区别之处在于基板上第一公共电极的设置方式改变,与本实施例的阵列基板上像素电极与公共电极的结构相一致。本实施例中的阵列基板及其对应的显示器件,像素结构中所形成的存储电容小,可以避免由于存储电容过大引起的充放电不良等一系列问题,并同时存在边缘电场Ef和面内电场Ep,能够增强液晶光效从而实现高透过率的技术效果,高透过率的面板还能大大节省显示器件中背光源的能量损耗。实施例3图8示出了本实施例中对应于图3中A-A^位置的剖视图,参照图示,本实施例的阵列基板结构与实施例I相似,像素电极2设置方式不变,与像素电极2同一层面的第二公共电极的设置方式也不变,其区别之处在于,本实施例中的第一公共电极设置为条状电极,所述像素电极2在所述基板上的投影记为第一投影,所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影,所述第一投影宽度方向的两端区域分别与两个相邻第二投影的部分区域重合。具体地,所述第一公共电极的宽度大于相邻的两个像素电极2之间开口的宽度,同时,像素电极2的宽度也大于相邻两个第一公共电极之间开口的宽度,实现每一个第一公共电极与相邻的两个像素电极2均有交叠,每一个像素电极2与相邻的两个第一公共电极也均有交叠。本实施例中,第一公共电极与像素电极2的交叠面积较小,交叠区域的宽度维持在6 μ m-10 μ m之间,同样可以在实现边缘电场的前提下,降低存储电容。基于上述阵列基板,本实施例提供了一种显示器件,图9示出了基于上述阵列基板的显示器件对应于图3中B-B'位置的剖视图,参照图示,其结构与实施例I相似,区别之处在于基板上第一公共电极的设置方式改变,与本实施例的阵列基板上像素电极与公共电极的结构相一致。本实施例中的阵列基板及其对应的显示器件,像素结构中所形成的存储电容小,可以避免由于存储电容过大引起的充放电不良等一系列问题,并同时存在边缘电场Ef和面内电场Ep,能够增强液晶光效从而实现高透过率的技术效果,高透过率的面板还能大大节省显示器件中背光源的能量损耗。由以上实施例可以看出,本实用新型实施例阵列基板及显示器件中,通过设置条状的像素电极,并在像素电极下方设置第一公共电极以形成边缘电场,与像素电极同层设置条状第二公共电极且使像素电极与第二公共电极间隔布置,以形成面内电场,从而达到增强液晶光效、实现高透过率的技术效果,高透过率的阵列基板还能大大节省显示器件中背光源的能量损耗,同时条状分布的像素电极结构也能够避免传统TFT-LCD中像素中心区域透过率较低的现象;此外,由于设置第二公共电极,像素电极的面积相对减小,从而与第一公共电极的交叠面积会在一定程度上减少,能够解决像素结构中由于存储电容过大引起的充放电不良等技术问题。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技 术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种阵列基板,包括形成在基板上的公共电极和像素电极;其特征在于,所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极,所述第一公共电极设置于所述像素电极下方并通过绝缘层与所述像素电极隔开,所述第二公共电极与所述像素电极同层设置,所述像素电极为条状电极,所述第二公共电极为条状电极且与所述像素电极相互间隔排列。
2.如权利要求I所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极为板状电极。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影,所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影,所述第一投影完全落入所述第二投影内。
4.如权利要求I所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极为条状电极。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极的宽度小于所述像素电极的宽度;所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影,所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影,所述第二投影完全落入所述第一投影内。
6.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极在所述基板上的投影记为第一投影,所述第一公共电极在所述基板上的投影记为第二投影,所述第一投影宽度方向的两端区域分别与两个相邻第二投影的部分区域重合。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极的宽度大于相邻的两个像素电极之间开口的宽度。
8.如权利要求3、5或6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一投影与第二投影重合区域的宽度为6 μ m-10 μ m。
9.如权利要求I所述的阵列基板,其特征在于,每条所述像素电极和第二公共电极分别包括一体形成的两部分电极,该两部分电极之间具有一定夹角。
10.一种显示器件,其特征在于,包括上述权利要求中任一项所述的阵列基板。
专利摘要本实用新型公开了一种阵列基板及显示器件,所述阵列基板,包括形成在基板上的公共电极和像素电极;所述公共电极包括第一公共电极和第二公共电极,所述第一公共电极设置于所述像素电极下方并通过绝缘层与所述像素电极隔开,所述第二公共电极与所述像素电极同层设置,所述像素电极为条状电极,所述第二公共电极为条状电极且与所述像素电极相互间隔排列。所述显示器件,包括上述阵列基板。
文档编号G02F1/1343GK202735641SQ201220451519
公开日2013年2月13日 申请日期2012年9月5日 优先权日2012年9月5日
发明者刘莎 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司

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